WO2022034823A1

WO2022034823A1 - 高周波モジュール及び通信装置

Info

Publication number: WO2022034823A1
Application number: PCT/JP2021/028578
Authority: WO
Inventors: 大中川; 孝紀上嶋; 佑二竹松; 幸哉山口
Original assignee: 株式会社村田製作所
Priority date: 2020-08-12
Filing date: 2021-08-02
Publication date: 2022-02-17
Also published as: US20230164906A1; CN116075929A

Abstract

放熱性の向上を図る。高周波モジュール（１００）は、実装基板（１３０）と、第１送信フィルタ（１１，１２）と、第２送信フィルタ（１３，１４）と、樹脂層（１５）と、シールド層（１６）と、を備える。第２送信フィルタ（１３，１４）は、第１送信フィルタ（１１，１２）よりもパワークラスが高い。樹脂層（１５）は、第１送信フィルタ（１１，１２）の外周面（１０３）の少なくとも一部を覆い、かつ、第２送信フィルタ（１３，１４）の外周面（１０３）の少なくとも一部を覆っている。シールド層（１６）は、実装基板（１３０）の厚さ方向（Ｄ１）からの平面視において第２送信フィルタ（１３，１４）の少なくとも一部に重なっている。第２送信フィルタ（１３，１４）における実装基板（１３０）側とは反対側の主面（１０２）の少なくとも一部は、シールド層（１６）に接している。

Description

高周波モジュール及び通信装置

　本発明は、一般に高周波モジュール及び通信装置に関し、より詳細には、送信フィルタを備える高周波モジュール、及び高周波モジュールを備える通信装置に関する。

　特許文献１には、互いに対向する第１主面及び第２主面を有する実装基板と、実装基板の第１主面に実装された送信フィルタと、送信フィルタを覆っている樹脂部材（樹脂層）と、シールド電極層（シールド層）と、を備える高周波モジュールが開示されている。

　特許文献１に開示された高周波モジュールでは、シールド電極層は、樹脂部材の天面及び側面を覆うように形成されている。

　また、特許文献１には、高周波モジュールを備える通信装置が開示されている。

国際公開第２０１９／１８１５９０号

　高周波モジュールにおいては、送信フィルタの温度上昇を抑制するために放熱性の向上が求められる場合がある。

　本発明の目的は、放熱性の向上を図ることが可能な高周波モジュール及び通信装置を提供することにある。

　本発明の一態様に係る高周波モジュールは、実装基板と、第１送信フィルタと、第２送信フィルタと、樹脂層と、シールド層と、を備える。前記実装基板は、互いに対向する第１主面及び第２主面を有する。前記第１送信フィルタは、前記実装基板の前記第１主面に実装されている。前記第２送信フィルタは、前記実装基板の前記第１主面に実装されており、前記第１送信フィルタよりもパワークラスが高い。前記樹脂層は、前記実装基板の前記第１主面に配置されている。前記シールド層は、前記樹脂層の少なくとも一部を覆っている。前記樹脂層は、前記第１送信フィルタの外周面の少なくとも一部を覆い、かつ、前記第２送信フィルタの外周面の少なくとも一部を覆っている。前記シールド層は、前記実装基板の厚さ方向からの平面視において前記第２送信フィルタの少なくとも一部に重なっている。前記第２送信フィルタにおける前記実装基板側とは反対側の主面の少なくとも一部は、前記シールド層に接している。

　本発明の一態様に係る高周波モジュールは、実装基板と、第１送信フィルタと、第２送信フィルタと、金属部材と、樹脂層と、シールド層と、を備える。前記実装基板は、互いに対向する第１主面及び第２主面を有する。前記第１送信フィルタは、前記実装基板の前記第１主面に実装されている。前記第２送信フィルタは、前記実装基板の前記第１主面に実装されており、前記第１送信フィルタよりもパワークラスが高い。前記金属部材は、前記第２送信フィルタにおける前記実装基板側とは反対側の主面に配置されている。前記樹脂層は、前記実装基板の前記第１主面に配置されている。前記シールド層は、前記樹脂層の少なくとも一部を覆っている。前記樹脂層は、前記第１送信フィルタの外周面の少なくとも一部を覆い、前記第２送信フィルタの外周面の少なくとも一部を覆い、かつ、前記金属部材の外周面の少なくとも一部を覆っている。前記シールド層は、前記実装基板の厚さ方向からの平面視において前記金属部材の少なくとも一部に重なっている。前記金属部材における前記実装基板側とは反対側の主面の少なくとも一部は、前記シールド層に接している。

　本発明の一態様に係る高周波モジュールは、実装基板と、送信フィルタと、樹脂層と、シールド層と、を備える。前記実装基板は、互いに対向する第１主面及び第２主面を有する。前記送信フィルタは、前記実装基板の前記第１主面に実装されている、パワークラス１の送信フィルタ及びパワークラス２の送信フィルタの少なくとも一方の送信フィルタである。前記樹脂層は、前記実装基板の前記第１主面に配置されている。前記シールド層は、前記樹脂層の少なくとも一部を覆っている。前記樹脂層は、前記少なくとも一方の送信フィルタの外周面の少なくとも一部を覆っている。前記シールド層は、前記実装基板の厚さ方向からの平面視において前記少なくとも一方の送信フィルタの少なくとも一部に重なっている。前記少なくとも一方の送信フィルタにおける前記実装基板側とは反対側の主面の少なくとも一部は、前記シールド層に接している。

　本発明の一態様に係る高周波モジュールは、実装基板と、送信フィルタと、金属部材と、樹脂層と、シールド層と、を備える。前記実装基板は、互いに対向する第１主面及び第２主面を有する。前記送信フィルタは、前記実装基板の前記第１主面に実装されている、パワークラス１の送信フィルタ及びパワークラス２の送信フィルタの少なくとも一方の送信フィルタである。前記金属部材は、前記少なくとも一方の送信フィルタにおける前記実装基板側とは反対側の主面に配置されている。前記樹脂層は、前記実装基板の前記第１主面に配置されている。前記シールド層は、前記樹脂層の少なくとも一部を覆っている。前記樹脂層は、前記少なくとも一方の送信フィルタの外周面の少なくとも一部を覆い、かつ、前記金属部材の外周面の少なくとも一部を覆っている。前記シールド層は、前記実装基板の厚さ方向からの平面視において前記金属部材の少なくとも一部に重なっている。前記金属部材における前記実装基板側とは反対側の主面の少なくとも一部は、前記シールド層に接している。

　本発明の一態様に係る通信装置は、前記高周波モジュールと、信号処理回路と、を備える。前記信号処理回路は、前記高周波モジュールに接続されている。

　本発明の一態様に係る高周波モジュール及び通信装置は、放熱性の向上を図ることが可能となる。

図１は、実施形態１に係る高周波モジュールに関し、シールド層及び樹脂層を省略した平面図である。図２は、同上の高周波モジュールに関し、実装基板の第２主面と、実装基板の第２主面に配置された回路部品及び複数の外部接続端子と、を実装基板の第１主面側から透視した平面図である。図３は、同上の高周波モジュールに関し、図１のＸ－Ｘ線断面図である。図４は、同上の高周波モジュールに関し、図１のＹ－Ｙ線断面図である。図５は、同上の高周波モジュールを備える通信装置の回路構成図である。図６は、同上の高周波モジュールのパワーアンプ及び出力整合回路の一部の回路図である。図７は、実施形態１の変形例１に係る高周波モジュールの断面図である。図８は、実施形態１の変形例２に係る高周波モジュールの断面図である。図９は、実施形態１の変形例３に係る高周波モジュールの断面図である。図１０は、実施形態２に係る高周波モジュールの断面図である。図１１は、実施形態２の変形例１に係る高周波モジュールの断面図である。図１２は、実施形態２の変形例２に係る高周波モジュールの断面図である。

　以下の実施形態１，２等において参照する図１～図４、図７～図１２は、いずれも模式的な図であり、図中の各構成要素の大きさや厚さそれぞれの比が、必ずしも実際の寸法比を反映しているとは限らない。

　（実施形態１）
　実施形態１に係る高周波モジュール１００は、図１～図４に示すように、実装基板１３０と、第１送信フィルタ１１，１２と、第２送信フィルタ１３，１４と、樹脂層１５と、シールド層１６と、を備える。実装基板１３０は、互いに対向する第１主面１３１及び第２主面１３２を有する。第１送信フィルタ１１，１２は、実装基板１３０の第１主面１３１に実装されている。第２送信フィルタ１３，１４は、実装基板１３０の第１主面１３１に実装されており、第１送信フィルタ１１，１２よりもパワークラスが高い。第１送信フィルタ１１，１２は、例えば、パワークラス３の送信フィルタである。第２送信フィルタ１３，１４は、例えば、パワークラス２の送信フィルタである。樹脂層１５は、実装基板１３０の第１主面１３１に配置されており、第１送信フィルタ１１，１２の外周面１０３の少なくとも一部を覆い、かつ、第２送信フィルタ１３，１４の外周面１０３の少なくとも一部を覆っている。実施形態１では、樹脂層１５は、第１送信フィルタ１１，１２の外周面１０３の全部を覆い、かつ、第２送信フィルタ１３，１４の外周面１０３の全部を覆っている。シールド層１６は、樹脂層１５の少なくとも一部を覆っている。また、シールド層１６は、実装基板１３０の厚さ方向Ｄ１からの平面視において第２送信フィルタ１３，１４の少なくとも一部に重なっている。実施形態１では、シールド層１６は、実装基板１３０の厚さ方向Ｄ１からの平面視において第２送信フィルタ１３，１４の全部に重なっている。第２送信フィルタ１３，１４における実装基板１３０側とは反対側の主面１０２の少なくとも一部は、シールド層１６に接している。言い換えると、第２送信フィルタ１３，１４における実装基板１３０側とは反対側の主面１０２のうち、シールド層１６により覆われている部分の少なくとも一部は、シールド層１６に接している。実施形態１では、第２送信フィルタ１３，１４における実装基板１３０側とは反対側の主面１０２の全部がシールド層１６に接している。これにより、実施形態１に係る高周波モジュール１００は、放熱性の向上を図ることが可能となる。

　ここにおいて「パワークラス」とは、３ＧＰＰで決められたＰｏｗｅｒ　ｃｌａｓｓのことをいい、最大送信電力が大きい送信フィルタほどパワークラスが高くなる。具体的には、パワークラス１の送信フィルタ、パワークラス２の送信フィルタ、パワークラス３の送信フィルタの順にパワークラスが低くなる。パワークラス１の送信フィルタの最大送信電力は、２９ｄＢｍである。パワークラス２の送信フィルタの最大送信電力は、２６ｄＢｍである。パワークラス３の送信フィルタの最大送信電力は、２３ｄＢｍである。また、５Ｇ　ＮＲにおいても、３ＧＰＰと同様に、Ｐｏｗｅｒ　ｃｌａｓｓが決められている。

　以下、実施形態１に係る高周波モジュール１００及び通信装置３００について、図１～図９を参照して説明する。

　（１）高周波モジュール及び通信装置
　（１．１）高周波モジュール及び通信装置の回路構成
　まず、実施形態１に係る高周波モジュール１００及び通信装置３００の回路構成について、図５及び図６を参照して説明する。

　実施形態１に係る高周波モジュール１００は、例えば、マルチモード／マルチバンド対応の通信装置３００に用いられる。通信装置３００は、例えば、携帯電話（例えば、スマートフォン）であるが、これに限らず、例えば、ウェアラブル端末（例えば、スマートウォッチ）であってもよい。高周波モジュール１００は、例えば、４Ｇ（第４世代移動通信）規格、５Ｇ（第５世代移動通信）規格に対応可能なモジュールである。４Ｇ規格は、例えば、３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格（ＬＴＥ：Long Term Evolution）である。５Ｇ規格は、例えば、５Ｇ　ＮＲ（New Radio）である。高周波モジュール１００は、例えば、キャリアアグリゲーション及びデュアルコネクティビティに対応可能なモジュールである。ここで、キャリアアグリゲーション及びデュアルコネクティビティとは、複数の周波数帯域の電波を同時に使用する通信をいう。

　高周波モジュール１００は、例えば、信号処理回路３０１から入力された第１周波数帯域（例えば、１７１０ＭＨｚ－１９８０ＭＨｚ）の送信信号（高周波信号）を増幅してアンテナＡ１（以下、第１アンテナＡ１とも称する）に出力できるように構成されている。また、高周波モジュール１００は、例えば、信号処理回路３０１から入力された第２周波数帯域（例えば、２３００ＭＨｚ－２６９０ＭＨｚ）の送信信号（高周波信号）を増幅してアンテナＡ２（以下、第２アンテナＡ２とも称する）に出力できるように構成されている。また、高周波モジュール１００は、第１アンテナＡ１から入力された第１周波数帯域の受信信号（高周波信号）を増幅して信号処理回路３０１に出力できるように構成されている。また、高周波モジュール１００は、第２アンテナＡ２から入力された第２周波数帯域の受信信号（高周波信号）を増幅して信号処理回路３０１に出力できるように構成されている。また、高周波モジュール１００は、アンテナＡ３（以下、第３アンテナＡ３とも称する）から入力された第３周波数帯域（例えば、１８８０ＭＨｚ－２０２５ＭＨｚ）の受信信号（高周波信号）を増幅して信号処理回路３０１に出力できるように構成されている。

　信号処理回路３０１は、高周波モジュール１００の構成要素ではなく、高周波モジュール１００を備える通信装置３００の構成要素である。高周波モジュール１００は、例えば、通信装置３００が備える信号処理回路３０１によって制御される。通信装置３００は、高周波モジュール１００と、信号処理回路３０１と、を備える。通信装置３００は、第１アンテナＡ１と、第２アンテナＡ２と、第３アンテナＡ３と、を更に備える。通信装置３００は、高周波モジュール１００が実装された回路基板を更に備える。回路基板は、例えば、プリント配線板である。回路基板は、グランド電位が与えられるグランド電極を有する。

　信号処理回路３０１は、例えば、ＲＦ信号処理回路３０２と、ベースバンド信号処理回路３０３と、を含む。ＲＦ信号処理回路３０２は、例えば、ＲＦＩＣ（Radio Frequency Integrated Circuit）であり、高周波信号に対する信号処理を行う。ＲＦ信号処理回路３０２は、例えば、ベースバンド信号処理回路３０３から出力された高周波信号（送信信号）に対してアップコンバート等の信号処理を行い、信号処理が行われた高周波信号を高周波モジュール１００へ出力する。また、ＲＦ信号処理回路３０２は、例えば、高周波モジュール１００から出力された高周波信号（受信信号）に対してダウンコンバート等の信号処理を行い、信号処理が行われた高周波信号をベースバンド信号処理回路３０３へ出力する。

　ベースバンド信号処理回路３０３は、例えば、ＢＢＩＣ（Baseband Integrated Circuit）である。ベースバンド信号処理回路３０３は、ベースバンド信号からＩ相信号及びＱ相信号を生成する。ベースバンド信号は、例えば、外部から入力される音声信号、画像信号等である。ベースバンド信号処理回路３０３は、Ｉ相信号とＱ相信号とを合成することでＩＱ変調処理を行って、送信信号を出力する。この際、送信信号は、所定周波数の搬送波信号を、当該搬送波信号の周期よりも長い周期で振幅変調した変調信号（ＩＱ信号）として生成される。ベースバンド信号処理回路３０３で処理された受信信号は、例えば、画像信号として画像表示のために、又は、音声信号として通話のために使用される。高周波モジュール１００は、第１アンテナＡ１、第２アンテナＡ２及び第３アンテナＡ３と信号処理回路３０１のＲＦ信号処理回路３０２との間で高周波信号（受信信号、送信信号）を伝達する。

　高周波モジュール１００は、複数（図示例では４つ）の送信フィルタ１を備える。また、高周波モジュール１００は、パワーアンプ３と、出力整合回路４と、を備える。また、高周波モジュール１００は、複数（図示例では６つ）の受信フィルタ２を備える。また、高周波モジュール１００は、ローノイズアンプ１８と、複数（図示例では６つ）の入力整合回路１７と、を備える。また、高周波モジュール１００は、第１スイッチ５と、第２スイッチ７と、を備える。また、高周波モジュール１００は、コントローラ１９を備える。また、高周波モジュール１００は、第２スイッチ７と複数の送信フィルタ１との間に接続されている複数（図示例では４つ）の整合回路６を備える。また、高周波モジュール１００は、第２スイッチ７と複数（図示例では３つ）のアンテナ端子９１Ａ、９１Ｂ、９１Ｃとの間に接続されている複数（図示例では３つ）の整合回路８を備える。

　複数の送信フィルタ１は、互いに異なる通過帯域を有する。以下では、４つの送信フィルタ１を区別して説明する場合に、４つの送信フィルタ１をそれぞれ、送信フィルタ１１、送信フィルタ１２、送信フィルタ１３、送信フィルタ１４と称することもある。また、複数の受信フィルタ２は、互いに異なる通過帯域を有する。以下では、６つの受信フィルタ２を区別して説明する場合に、６つの受信フィルタ２をそれぞれ、受信フィルタ２１、受信フィルタ２２、受信フィルタ２３、受信フィルタ２４、受信フィルタ２５、受信フィルタ２６と称することもある。

　また、高周波モジュール１００は、複数の外部接続端子９を備える。複数の外部接続端子９は、複数（図示例では３つ）アンテナ端子９１Ａ、９１Ｂ、９１Ｃと、信号入力端子９２と、信号出力端子９３と、制御端子９４と、複数のグランド端子９５（図２～図４参照）と、を含む。複数のグランド端子９５は、通信装置３００が備える上述の回路基板のグランド電極と電気的に接続されてグランド電位が与えられる端子である。

　送信フィルタ１１は、例えば、第１通信バンドの送信帯域を通過帯域とするフィルタである。送信フィルタ１２は、例えば、第２通信バンドの送信帯域を通過帯域とするフィルタである。送信フィルタ１３は、例えば、第３通信バンドの送信帯域を通過帯域とするフィルタである。送信フィルタ１４は、例えば、第４通信バンドの送信帯域を通過帯域とするフィルタである。第１通信バンドは、送信フィルタ１１を通る送信信号に対応し、例えば、５Ｇ　ＮＲ規格のｎ３である。第２通信バンドは、送信フィルタ１２を通る送信信号に対応し、例えば、５Ｇ　ＮＲ規格のｎ１である。第３通信バンドは、送信フィルタ１３を通る送信信号に対応し、例えば、５Ｇ　ＮＲ規格のｎ４０である。第４通信バンドは、送信フィルタ１４を通る送信信号に対応し、例えば、５Ｇ　ＮＲ規格のｎ４１である。実施形態１に係る高周波モジュール１００では、送信フィルタ１１，１２がパワークラス３の送信フィルタであり、送信フィルタ１３，１４がパワークラス２の送信フィルタである。言い換えると、送信フィルタ１１，１２は、パワークラスが相対的に低い第１送信フィルタであり、送信フィルタ１３，１４は、パワークラスが相対的に高い第２送信フィルタである。

　パワーアンプ３は、入力端子及び出力端子を有する。パワーアンプ３は、入力端子に入力された第１周波数帯域及び第２周波数帯域の送信信号を増幅して出力端子から出力する。ここにおいて、第１周波数帯域は、例えば、第１通信バンドと第２通信バンドとを含む。第２周波数帯域は、例えば、第３通信バンドと第４通信バンドとを含む。パワーアンプ３の入力端子は、信号入力端子９２に接続されている。パワーアンプ３の入力端子は、信号入力端子９２を介して信号処理回路３０１に接続される。信号入力端子９２は、外部回路（例えば、信号処理回路３０１）からの高周波信号（送信信号）を高周波モジュール１００に入力するための端子である。パワーアンプ３の出力端子は、出力整合回路４を介して第１スイッチ５の共通端子５０に接続されている。

　パワーアンプ３は、例えば、図６に示すように、ドライバ段増幅器３１と、２つの最終段増幅器３２Ａ，３２Ｂと、第１トランスＴ１を有する非平衡－平衡変換回路３３（以下、第１バラン３３と称する）と、を備えている。ドライバ段増幅器３１、最終段増幅器３２Ａ及び最終段増幅器３２Ｂの各々は、増幅用トランジスタを含んでいる。第１トランスＴ１は、一次側インダクタＬ１０と、二次側インダクタＬ１１と、を含む。一次側インダクタＬ１０は、非平衡端子３３１とグランドとの間に接続されている。第１バラン３３は、非平衡端子３３１と、一対の平衡端子３３２Ａ、３３２Ｂと、を有する。パワーアンプ３では、ドライバ段増幅器３１の入力端子が信号入力端子９２に接続され、ドライバ段増幅器３１の出力端子が非平衡端子３３１に接続されている。また、パワーアンプ３では、最終段増幅器３２Ａの入力端子が平衡端子３３２Ａに接続され、最終段増幅器３２Ｂの入力端子が平衡端子３３２Ｂに接続されている。パワーアンプ３では、ドライバ段増幅器３１の入力端子が、パワーアンプ３の入力端子を構成し、２つの最終段増幅器３２Ａ，３２Ｂの各々の出力端子が、パワーアンプ３の出力端子を構成している。パワーアンプ３は、差動増幅回路を構成している。なお、ドライバ段増幅器３１の出力端子には、電圧Ｖｃｃ１が印加される。

　出力整合回路４は、パワーアンプ３の出力端子と第１スイッチ５の共通端子５０との間の信号経路に設けられている。出力整合回路４は、パワーアンプ３と複数の送信フィルタ１とのインピーダンス整合をとるための回路である。出力整合回路４は、例えば、第２トランスＴ２を有する平衡－非平衡変換回路４１（以下、第２バラン４１と称する）と、複数の回路素子４２（図１参照）と、を備える。第２バラン４１は、一対の平衡端子４１１Ａ，４１１Ｂと、非平衡端子４１２と、を有する。出力整合回路４では、平衡端子４１１Ａが最終段増幅器３２Ａの出力端子に接続され、平衡端子４１１Ｂが最終段増幅器３２Ｂの出力端子に接続され、非平衡端子４１２が、第１スイッチ５の共通端子５０に接続されている。第２トランスＴ２は、一例として、４つのインダクタ要素Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４を有している。第２トランスＴ２では、インダクタ要素Ｌ３とインダクタ要素Ｌ４との直列回路で一次側インダクタが構成され、インダクタ要素Ｌ１とインダクタ要素Ｌ２との直列回路で二次側インダクタが構成されている。第２トランスＴ２では、一次側インダクタが、平衡端子４１１Ａと平衡端子４１１Ｂとの間に接続されている。

　高周波モジュール１００は、最終段増幅器３２Ａの出力端子と平衡端子４１１Ａとを接続している配線Ｗ１と、最終段増幅器３２Ｂの出力端子と平衡端子４１１Ｂとを接続している配線Ｗ２との間に接続されている直列回路を更に備える。この直列回路は、インダクタＬｃ１とキャパシタＣ１とインダクタＬｃ２とを含み、グランドに接地されていない。この直列回路は、パワーアンプ３に入力される高周波信号（送信信号）の奇数次高調波（例えば、３次高調波）を減衰させるためのＬＣ共振回路である。ＬＣ共振回路の共振周波数は、第１周波数帯域と第２周波数帯域とのうち相対的に低周波数側の周波数帯域の下限の３倍の周波数と、第１周波数帯域と第２周波数帯域とのうち相対的に高周波数側の周波数帯域の上限の３倍の周波数と、の間の周波数帯域に含まれる。また、高周波モジュール１００は、最終段増幅器３２Ａの出力端子と平衡端子４１１Ａとの間に接続されているインダクタＬａ１と、最終段増幅器３２Ｂの出力端子と平衡端子４１１Ｂとの間に接続されているインダクタＬａ２と、を更に備えている。

　受信フィルタ２１は、例えば、第１通信バンドの受信帯域を通過帯域とするフィルタである。受信フィルタ２２は、例えば、第２通信バンドの受信帯域を通過帯域とするフィルタである。受信フィルタ２３は、例えば、第３通信バンドの受信帯域を通過帯域とするフィルタである。受信フィルタ２４は、例えば、第４通信バンドの受信帯域を通過帯域とするフィルタである。受信フィルタ２５は、例えば、第５通信バンドの受信帯域を通過帯域とするフィルタである。受信フィルタ２６は、例えば、第６通信バンドの受信帯域を通過帯域とするフィルタである。第１通信バンドは、受信フィルタ２１を通る受信信号に対応し、例えば、５Ｇ　ＮＲ規格のｎ３である。第２通信バンドは、受信フィルタ２２を通る受信信号に対応し、例えば、５Ｇ　ＮＲ規格のｎ１である。第３通信バンドは、受信フィルタ２３を通る受信信号に対応し、例えば、５Ｇ　ＮＲ規格のｎ４０である。第４通信バンドは、受信フィルタ２４を通る受信信号に対応し、例えば、５Ｇ　ＮＲ規格のｎ４１である。第５通信バンドは、受信フィルタ２５を通る受信信号に対応し、例えば、３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格のＢａｎｄ３４である。第６通信バンドは、受信フィルタ２６を通る受信信号に対応し、例えば、３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格のＢａｎｄ３９である。

　ローノイズアンプ１８は、入力された第１周波数帯域、第２周波数帯域及び第３周波数帯域の受信信号を増幅して出力する。第１周波数帯域は、第１通信バンドと第２通信バンドとを含む。第２周波数帯域は、第３通信バンドと第４通信バンドとを含む。第３周波数帯域は、例えば、第５通信バンドと第６通信バンドとを含む。

　ローノイズアンプ１８は、複数（例えば、６つ）の増幅用トランジスタを備えている。複数の増幅用トランジスタの各々は、入力端子及び出力端子を有する。ローノイズアンプ１８は、複数の増幅用トランジスタのうちいずれかの入力端子に入力された受信信号を増幅して出力端子から出力する。ローノイズアンプ１８の複数の増幅用トランジスタの入力端子は、複数の入力整合回路１７のうち対応する入力整合回路１７を介して複数の受信フィルタ２のうち対応する受信フィルタ２に接続されている。ローノイズアンプ１８の出力端子は、信号出力端子９３に接続されている。ローノイズアンプ１８の出力端子は、例えば、信号出力端子９３を介して信号処理回路３０１に接続される。信号出力端子９３は、ローノイズアンプ１８からの高周波信号（受信信号）を外部回路（例えば、信号処理回路３０１）へ出力するための端子である。

　複数（例えば、６つ）の入力整合回路１７は、ローノイズアンプ１８の複数の増幅用トランジスタの入力端子と複数の受信フィルタ２との間の複数の信号経路に設けられている。以下では、６つの入力整合回路１７を区別して説明する場合に、６つの入力整合回路１７をそれぞれ、入力整合回路１７１、入力整合回路１７２、入力整合回路１７３、入力整合回路１７４、入力整合回路１７５、入力整合回路１７６と称することもある。

　入力整合回路１７１は、ローノイズアンプ１８と受信フィルタ２１とのインピーダンス整合をとるための回路である。入力整合回路１７２は、ローノイズアンプ１８と受信フィルタ２２とのインピーダンス整合をとるための回路である。入力整合回路１７３は、ローノイズアンプ１８と受信フィルタ２３とのインピーダンス整合をとるための回路である。入力整合回路１７４は、ローノイズアンプ１８と受信フィルタ２４とのインピーダンス整合をとるための回路である。入力整合回路１７５は、ローノイズアンプ１８と受信フィルタ２５とのインピーダンス整合をとるための回路である。入力整合回路１７６は、ローノイズアンプ１８と受信フィルタ２６とのインピーダンス整合をとるための回路である。複数の入力整合回路１７の各々は、例えば、１つのインダクタで構成されているが、これに限らず、例えば、複数のインダクタ及び複数のキャパシタを含む場合もある。

　第１スイッチ５は、共通端子５０と、複数（図示例では４つ）の選択端子５１と、を有する。以下では、４つの選択端子５１を区別して説明する場合に、４つの選択端子５１をそれぞれ、選択端子５１１、選択端子５１２、選択端子５１３、選択端子５１４と称することもある。

　共通端子５０は、出力整合回路４を介してパワーアンプ３の出力端子に接続されている。選択端子５１１は、送信フィルタ１１の入力端子に接続されている。選択端子５１２は、送信フィルタ１２の入力端子に接続されている。選択端子５１３は、送信フィルタ１３の入力端子に接続されている。選択端子５１４は、送信フィルタ１４の入力端子に接続されている。第１スイッチ５は、例えば、共通端子５０に複数の選択端子５１のうち少なくとも１つ以上を接続可能なスイッチである。ここで、第１スイッチ５は、例えば、一対一及び一対多の接続が可能なスイッチである。

　第１スイッチ５は、例えば、スイッチＩＣ（Integrated Circuit）である。第１スイッチ５は、例えば、信号処理回路３０１によって制御される。第１スイッチ５は、信号処理回路３０１のＲＦ信号処理回路３０２からの制御信号に従って、共通端子５０と複数の選択端子５１との接続状態を切り替える。第１スイッチ５は、信号処理回路３０１によって制御される代わりに、コントローラ１９によって制御されてもよい。

　第２スイッチ７は、複数（図示例では３つ）の共通端子７０と、複数（図示例では６つ）の選択端子７１と、を有する。以下では、３つの共通端子７０を区別して説明する場合に、３つの共通端子７０をそれぞれ、共通端子７０Ａ、共通端子７０Ｂ、共通端子７０Ｃと称することもある。また、以下では、６つの選択端子７１を区別して説明する場合に、６つの選択端子７１をそれぞれ、選択端子７１１、選択端子７１２、選択端子７１３、選択端子７１４、選択端子７１５、選択端子７１６と称することもある。

　共通端子７０Ａは、アンテナ端子９１Ａに接続されている。アンテナ端子９１Ａには、第１アンテナＡ１が接続される。共通端子７０Ｂは、アンテナ端子９１Ｂに接続されている。アンテナ端子９１Ｂには、第２アンテナＡ２が接続される。共通端子７０Ｃは、アンテナ端子９１Ｃに接続されている。アンテナ端子９１Ｃには、第３アンテナＡ３が接続される。選択端子７１１は、送信フィルタ１１の出力端子と受信フィルタ２１の入力端子との接続点に接続されている。選択端子７１２は、送信フィルタ１２の出力端子と受信フィルタ２２の入力端子との接続点に接続されている。選択端子７１３は、送信フィルタ１３の出力端子と受信フィルタ２３の入力端子との接続点に接続されている。選択端子７１４は、送信フィルタ１４の出力端子と受信フィルタ２４の入力端子との接続点に接続されている。選択端子７１５は、受信フィルタ２５の入力端子に接続されている。選択端子７１６は、受信フィルタ２６の入力端子に接続されている。第２スイッチ７は、例えば、共通端子７０Ａに複数の選択端子７１１、７１２のうち少なくとも１つ以上を接続可能である。また、第２スイッチ７は、共通端子７０Ｂに複数の選択端子７１３、７１４のうち少なくとも１つ以上を接続可能である。また、第２スイッチ７は、共通端子７０Ｃに複数の選択端子７１５、７１６のうち少なくとも１つ以上を接続可能である。ここで、第２スイッチ７は、例えば、一対一及び一対多の接続が可能なスイッチである。

　第２スイッチ７は、例えば、スイッチＩＣである。第２スイッチ７は、例えば、信号処理回路３０１によって制御される。第２スイッチ７は、信号処理回路３０１のＲＦ信号処理回路３０２からの制御信号に従って、複数の共通端子７０と複数の選択端子７１との接続状態を切り替える。第２スイッチ７は、信号処理回路３０１によって制御される代わりに、コントローラ１９によって制御されてもよい。

　以下では、４つの整合回路６を区別して説明する場合に、４つの整合回路６をそれぞれ、整合回路６１、整合回路６２、整合回路６３、整合回路６４と称することもある。

　整合回路６１は、送信フィルタ１１の出力端子と受信フィルタ２１の入力端子との接続点と、第２スイッチ７の選択端子７１１と、の間に接続されている。整合回路６２は、送信フィルタ１２の出力端子と受信フィルタ２２の入力端子との接続点と、第２スイッチ７の選択端子７１２と、の間に接続されている。整合回路６３は、送信フィルタ１３の出力端子と受信フィルタ２３の入力端子との接続点と、第２スイッチ７の選択端子７１３と、の間に接続されている。整合回路６４は、送信フィルタ１４の出力端子と受信フィルタ２４の入力端子との接続点と、第２スイッチ７の選択端子７１４と、の間に接続されている。複数の整合回路６の各々は、例えば、１つのインダクタで構成されているが、これに限らず、例えば、複数のインダクタ及び複数のキャパシタを含む場合もある。

　以下では、３つの整合回路８を区別して説明する場合に、３つの整合回路８をそれぞれ、整合回路８１、整合回路８２、整合回路８３と称することもある。

　整合回路８１は、第２スイッチ７の共通端子７０Ａとアンテナ端子９１Ａとの間に接続されている。整合回路８２は、第２スイッチ７の共通端子７０Ｂとアンテナ端子９１Ｂとの間に接続されている。整合回路８３は、第２スイッチ７の共通端子７０Ｃとアンテナ端子９１Ｃとの間に接続されている。複数の整合回路８の各々は、例えば、１つのインダクタで構成されているが、これに限らず、例えば、複数のインダクタ及び複数のキャパシタを含む場合もある。

　コントローラ１９は、制御端子９４に接続されている。制御端子９４は、例えば、信号処理回路３０１に接続される。コントローラ１９は、信号処理回路３０１からの制御信号に基づいてパワーアンプ３を制御する。

　（１．２）高周波モジュールの構造
　次に、実施形態１に係る高周波モジュール１００の構造について、図１～図４を参照して説明する。

　高周波モジュール１００は、図１～図４に示すように、実装基板１３０と、４つの送信フィルタ１と、を備える。また、高周波モジュール１００は、パワーアンプ３と、出力整合回路４と、を備える。また、高周波モジュール１００は、６つの受信フィルタ２と、ローノイズアンプ１８と、６つの入力整合回路１７と、第１スイッチ５と、第２スイッチ７と、コントローラ１９と、を備える。また、高周波モジュール１００は、４つの整合回路６（以下、第１整合回路６とも称する）と、３つの整合回路８（以下、第２整合回路８とも称する）と、を備える。また、高周波モジュール１００は、複数の外部接続端子９を備える。さらに、高周波モジュール１００は、第１樹脂層（樹脂層）１５と、第２樹脂層２０と、シールド層１６と、を備える。

　実装基板１３０は、実装基板１３０の厚さ方向Ｄ１において互いに対向する第１主面１３１及び第２主面１３２を有する。実装基板１３０は、例えば、複数の誘電体層及び複数の導電層を含む多層基板である。複数の誘電体層及び複数の導電層は、実装基板１３０の厚さ方向Ｄ１において積層されている。複数の導電層は、層ごとに定められた所定パターンに形成されている。複数の導電層の各々は、実装基板１３０の厚さ方向Ｄ１に直交する一平面内において１つ又は複数の導体部を含む。各導電層の材料は、例えば、銅である。複数の導電層は、グランド層を含む。高周波モジュール１００では、複数のグランド端子９５（図３及び図４参照）とグランド層とが、実装基板１３０の有するビア導体等を介して電気的に接続されている。実装基板１３０は、例えば、ＬＴＣＣ（Low Temperature Co-fired Ceramics）基板である。実装基板１３０は、ＬＴＣＣ基板に限らず、例えば、プリント配線板、ＨＴＣＣ（High Temperature Co-fired Ceramics）基板、又は樹脂多層基板であってもよい。

　また、実装基板１３０は、ＬＴＣＣ基板に限らず、例えば、配線構造体であってもよい。配線構造体は、例えば、多層構造体である。多層構造体は、少なくとも１つの絶縁層と、少なくとも１つの導電層と、を含む。絶縁層は、所定パターンに形成されている。絶縁層が複数の場合は、複数の絶縁層は、層ごとに定められた所定パターンに形成されている。導電層は、絶縁層の所定パターンとは異なる所定パターンに形成されている。導電層が複数の場合は、複数の導電層は、層ごとに定められた所定パターンに形成されている。導電層は、１つ又は複数の再配線部を含んでいてもよい。配線構造体では、多層構造体の厚さ方向において互いに対向する２つの面のうち第１面が実装基板１３０の第１主面１３１であり、第２面が実装基板１３０の第２主面１３２である。配線構造体は、例えば、インタポーザであってもよい。インタポーザは、シリコン基板を用いたインタポーザであってもよいし、多層で構成された基板であってもよい。

　実装基板１３０の第１主面１３１及び第２主面１３２は、実装基板１３０の厚さ方向Ｄ１において離れており、実装基板１３０の厚さ方向Ｄ１に交差する。実装基板１３０における第１主面１３１は、例えば、実装基板１３０の厚さ方向Ｄ１に直交しているが、例えば、厚さ方向Ｄ１に直交しない面として導体部の側面等を含んでいてもよい。また、実装基板１３０における第２主面１３２は、例えば、実装基板１３０の厚さ方向Ｄ１に直交しているが、例えば、厚さ方向Ｄ１に直交しない面として導体部の側面等を含んでいてもよい。また、実装基板１３０の第１主面１３１及び第２主面１３２は、微細な凹凸、凹部又は凸部が形成されていてもよい。例えば、実装基板１３０の第１主面１３１に凹部が形成されている場合、凹部の内面は、第１主面１３１に含まれる。実装基板１３０の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、実装基板１３０は、長方形状であるが、これに限らず、例えば、正方形状であってもよい。

　実施形態１に係る高周波モジュール１００では、第１群の回路部品が実装基板１３０の第１主面１３１に実装されている。第１群の回路部品は、図１に示すように、４つの送信フィルタ１と、６つの受信フィルタ２と、パワーアンプ３と、出力整合回路４の５つの回路素子４２と、６つの入力整合回路１７と、４つの第１整合回路６と、３つの第２整合回路８と、を含む。ここにおいて「回路部品が実装基板１３０の第１主面１３１に実装されている」とは、回路部品が実装基板１３０の第１主面１３１に配置されていること（機械的に接続されていること）と、回路部品が実装基板１３０（の適宜の導体部）と電気的に接続されていることと、を含む。また、高周波モジュール１００では、第２群の回路部品が実装基板１３０の第２主面１３２に実装されている。第２群の回路部品は、第１スイッチ５と、第２スイッチ７と、コントローラ１９と、ローノイズアンプ１８と、を含む。ここにおいて「回路部品が実装基板１３０の第２主面１３２に実装されている」とは、回路部品が実装基板１３０の第２主面１３２に配置されていること（機械的に接続されていること）と、回路部品が実装基板１３０（の適宜の導体部）と電気的に接続されていることと、を含む。出力整合回路４の第２バラン４１は、実装基板１３０に設けられている。

　複数の送信フィルタ１及び複数の受信フィルタ２の各々は、例えば、ラダー型フィルタである。複数の送信フィルタ１及び複数の受信フィルタ２の各々は、複数（例えば、４つ）の直列腕共振子と、複数（例えば、３つ）の並列腕共振子と、を有する。

　複数の送信フィルタ１及び複数の受信フィルタ２の各々は、例えば、弾性波フィルタである。弾性波フィルタは、複数の直列腕共振子及び複数の並列腕共振子の各々が弾性波共振子により構成されている。弾性波フィルタは、例えば、弾性表面波を利用する表面弾性波フィルタである。

　表面弾性波フィルタでは、複数の直列腕共振子及び複数の並列腕共振子の各々は、例えば、ＳＡＷ（Surface Acoustic Wave）共振子である。

　表面弾性波フィルタは、例えば、圧電性基板と、圧電性基板上に形成されており、複数の直列腕共振子に一対一に対応する複数のＩＤＴ（Interdigital Transducer）電極と、圧電性基板上に形成されており、複数の並列腕共振子に一対一に対応する複数のＩＤＴ電極と、を有している。圧電性基板は、例えば、圧電基板である。圧電基板は、例えば、リチウムニオベイト基板、リチウムタンタレート基板又は水晶基板である。圧電性基板は、圧電基板に限らず、例えば、シリコン基板と、シリコン基板上の高音速膜と、高音速膜上の低音速膜と、低音速膜上の圧電体層と、を含む積層型基板であってもよい。積層型基板では、圧電体層の材料は、例えば、リチウムニオベイト又はリチウムタンタレートである。低音速膜は、圧電体層を伝搬するバルク波の音速よりも、低音速膜を伝搬するバルク波の音速が低速となる膜である。低音速膜の材料は、例えば、酸化ケイ素である。高音速膜は、圧電体層を伝搬する弾性波の音速よりも、高音速膜を伝搬するバルク波の音速が高速となる膜である。高音速膜の材料は、例えば、窒化ケイ素である。

　実装基板１３０の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、複数の送信フィルタ１及び複数の受信フィルタ２の各々の外周形状は、四角形状である。

　パワーアンプ３は、ドライバ段増幅器３１と、２つの最終段増幅器３２Ａ，３２Ｂと、第１バラン３３とを有する回路部を含む電力増幅用ＩＣチップである。パワーアンプ３は、実装基板１３０の第１主面１３１にフリップチップ実装されている。実装基板１３０の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、パワーアンプ３の外周形状は、四角形状である。ドライバ段増幅器３１、最終段増幅器３２Ａ及び最終段増幅器３２Ｂの各々は、増幅用トランジスタを含んでいる。増幅用トランジスタは、例えば、ＨＢＴ（Heterojunction Bipolar Transistor）である。この場合、パワーアンプ３を構成する電力増幅用ＩＣチップは、例えば、ＧａＡｓ系ＩＣチップである。増幅用トランジスタは、ＨＢＴ等のバイポーラトランジスタに限らず、例えば、ＦＥＴ（Field Effect Transistor）であってもよい。ＦＥＴは、例えば、ＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor）である。パワーアンプ３を構成する電力増幅用ＩＣチップは、ＧａＡｓ系ＩＣチップに限らず、例えば、Ｓｉ系ＩＣチップ、ＳｉＧｅ系ＩＣチップ又はＧａＮ系ＩＣチップであってもよい。

　出力整合回路４の第２バラン４１は、実装基板１３０に設けられている。第２バラン４１は、上述したように、複数のインダクタ要素Ｌ１～Ｌ４を有する。インダクタ要素Ｌ３，Ｌ４は、実装基板１３０内に設けられ、インダクタ要素Ｌ１は、実装基板１３０の厚さ方向Ｄ１からの平面視でインダクタ要素Ｌ３，Ｌ４に重なるように実装基板１３０の第１主面１３１に設けられており、インダクタ要素Ｌ２は、実装基板１３０の厚さ方向Ｄ１からの平面視でインダクタ要素Ｌ３，Ｌ４に重なるように実装基板１３０内に設けられている。実装基板１３０の厚さ方向Ｄ１において、インダクタ要素Ｌ２は、インダクタ要素Ｌ３、Ｌ４から見てインダクタ要素Ｌ１とは反対側に位置している。

　出力整合回路４の５つの回路素子４２は、インダクタ又はキャパシタである。実装基板１３０の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、２つの送信フィルタ１（送信フィルタ１１，１２）の間に配置されている回路素子４２は、例えば、インダクタである。

　なお、図１では、ＬＣ共振回路の図示を省略しているが、ＬＣ共振回路のキャパシタＣ１は、実装基板１３０の第１主面１３１に実装されている。また、ＬＣ共振回路のインダクタＬｃ１，Ｌｃ２は、実装基板１３０に設けられている。

　ローノイズアンプ１８は、図２に示すように、実装基板１３０の第２主面１３２に実装されている。実施形態１に係る高周波モジュール１００では、ローノイズアンプ１８と第２スイッチ７とを含むＩＣチップ１８０（以下、第１ＩＣチップ１８０とも称する）が、実装基板１３０の第２主面１３２に実装されている。ここで、第１ＩＣチップ１８０は、実装基板１３０の第２主面１３２にフリップチップ実装されている。実装基板１３０の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、第１ＩＣチップ１８０の外周形状は、四角形状である。ローノイズアンプ１８の有する６つの増幅用トランジスタは、電界効果トランジスタであるが、これに限らず、例えば、バイポーラトランジスタであってもよい。第１ＩＣチップ１８０は、Ｓｉ系ＩＣチップであるが、これに限らない。

　６つの入力整合回路１７の各々の回路部品（インダクタ）は、例えば、チップインダクタである。６つの入力整合回路１７の各々の回路部品は、例えば、実装基板１３０の第１主面１３１に実装されている。実装基板１３０の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、６つの入力整合回路１７の回路部品の外周形状は、四角形状である。６つの入力整合回路１７の各々は、実装基板１３０内に設けられる内層インダクタを含んでいてもよい。

　第１スイッチ５は、図２に示すように、実装基板１３０の第２主面１３２に実装されている。実施形態１に係る高周波モジュール１００では、第１スイッチ５とコントローラ１９とを含むＩＣチップ５５（以下、第２ＩＣチップ５５とも称する）が、実装基板１３０の第２主面１３２に実装されている。ここで、第２ＩＣチップ５５は、実装基板１３０の第２主面１３２にフリップチップ実装されている。実装基板１３０の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、第２ＩＣチップ５５の外周形状は、四角形状である。第２ＩＣチップ５５は、Ｓｉ系ＩＣチップであるが、これに限らない。

　４つの第１整合回路６の各々の回路部品（インダクタ）は、例えば、チップインダクタである。４つの第１整合回路６の各々の回路部品は、例えば、実装基板１３０の第１主面１３１に実装されている。実装基板１３０の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、４つの第１整合回路６の各々の回路部品の外周形状は、四角形状である。４つの第１整合回路６の各々は、実装基板１３０内に設けられる内層インダクタを含んでいてもよい。

　３つの第２整合回路８の各々の回路部品（インダクタ）は、例えば、チップインダクタである。３つの第２整合回路８の各々の回路部品は、例えば、実装基板１３０の第１主面１３１に実装されている。実装基板１３０の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、３つの第２整合回路８の各々の回路部品の外周形状は、四角形状である。３つの第２整合回路８の各々は、実装基板１３０内に設けられる内層インダクタを含んでいてもよい。

　複数の外部接続端子９は、実装基板１３０の第２主面１３２に配置されている。ここにおいて「外部接続端子９が実装基板１３０の第２主面１３２に配置されている」とは、外部接続端子９が実装基板１３０の第２主面１３２に機械的に接続されていることと、外部接続端子９が実装基板１３０（の適宜の導体部）と電気的に接続されていることと、を含む。複数の外部接続端子９の材料は、例えば、金属（例えば、銅、銅合金等）である。複数の外部接続端子９の各々は、柱状電極である。柱状電極は、例えば、円柱状の電極である。複数の外部接続端子９は、実装基板１３０の導体部に対して、例えば、はんだにより接合されているが、これに限らず、例えば、導電性接着剤（例えば、導電性ペースト）を用いて接合されていてもよいし、直接接合されていてもよい。

　複数の外部接続端子９は、上述したように、３つのアンテナ端子９１Ａ，９１Ｂ，９１Ｃと、信号入力端子９２と、信号出力端子９３と、制御端子９４と、複数のグランド端子９５と、を含んでいる。複数のグランド端子９５は、実装基板１３０のグランド層と電気的に接続されている。グランド層は高周波モジュール１００の回路グランドであり、高周波モジュール１００の複数の回路部品は、グランド層と電気的に接続されている回路部品を含む。

　第１樹脂層１５は、実装基板１３０の第１主面１３１側において、実装基板１３０の第１主面１３１に実装されている第１群の回路部品の各々を覆っている。第１樹脂層１５は、樹脂（例えば、エポキシ樹脂）を含む。第１樹脂層１５は、樹脂の他にフィラーを含んでいてもよい。

　第２樹脂層２０は、実装基板１３０の第２主面１３２側において、実装基板１３０の第２主面１３２に実装されている第２群の回路部品の各々、及び複数の外部接続端子９の各々の外周面を覆っている。第２樹脂層２０は、樹脂（例えば、エポキシ樹脂）を含む。第２樹脂層２０は、樹脂の他にフィラーを含んでいてもよい。第２樹脂層２０の材料は、第１樹脂層１５の材料と同じ材料であってもよいし、異なる材料であってもよい。

　シールド層１６は、第１樹脂層１５と４つの送信フィルタ１とを覆っている。図４に示すように、４つの送信フィルタ１のうち２つの送信フィルタ１３，１４の各々における実装基板１３０側とは反対側の主面１０２は、シールド層１６に接している。シールド層１６は、導電性を有する。シールド層１６は、複数の金属層を積層した多層構造を有しているが、これに限らず、１つの金属層であってもよい。金属層は、１又は複数種の金属を含む。シールド層１６は、第１樹脂層１５における実装基板１３０側とは反対側の主面１５１と、第１樹脂層１５の外周面１５３と、実装基板１３０の外周面１３３と、を覆っている。また、シールド層１６は、第２樹脂層２０の外周面２０３も覆っている。シールド層１６は、実装基板１３０の有するグランド層の外周面の少なくとも一部と接触している。これにより、シールド層１６の電位をグランド層の電位と同じにすることができる。

　（１．３）高周波モジュールにおける回路部品のレイアウト
　次に、実施形態１に係る高周波モジュール１００における回路部品のレイアウトについて、図１～図４を参照して説明する。

　高周波モジュール１００では、実装基板１３０の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、出力整合回路４とパワーアンプ３とが並んでいる方向と平行な方向（図１の上下方向）において、複数の送信フィルタ１が、出力整合回路４側（上側）から、送信フィルタ１１、送信フィルタ１２、送信フィルタ１３及び送信フィルタ１４の順に並んでいる。

　高周波モジュール１００では、実装基板１３０の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、出力整合回路４と６つの入力整合回路１７との間に、４つの送信フィルタ１が位置している。

　また、高周波モジュール１００では、実装基板１３０の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、出力整合回路４と４つの第１整合回路６との間に、４つの送信フィルタ１が位置している。

　また、高周波モジュール１００では、実装基板１３０の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、出力整合回路４と３つの第２整合回路８との間に、４つ送信フィルタ１が位置している。

　高周波モジュール１００では、実装基板１３０の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、第１ＩＣチップ１８０と複数の送信フィルタ１とが重ならない。

　高周波モジュール１００では、実装基板１３０の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、複数の送信フィルタ１の少なくとも１つ（図示例では２つ）と第２ＩＣチップ５５とが重なる。実装基板１３０の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、送信フィルタ１２，１３それぞれの一部が第２ＩＣチップ５５の一部に重なっているが、これに限らず、送信フィルタ１２，１３それぞれの全部が第２ＩＣチップ５５の一部に重なっていてもよい。また、送信フィルタ１２，１３それぞれの全部が第２ＩＣチップ５５の全部に重なっていてもよい。

　高周波モジュール１００では、実装基板１３０の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、パワーアンプ３がローノイズアンプ１８に重ならない。

　高周波モジュール１００の回路構成は、送信信号を送信する送信回路と、受信信号を受信回路と、を有している。高周波モジュール１００では、複数の回路部品のうち送信回路のみに含まれる回路部品と、それ以外の回路部品（受信回路のみに含まれる回路部品、送信回路と受信回路とで共用される回路部品）とが実装基板１３０の厚さ方向Ｄ１において重ならない。複数の回路部品のうち送信回路のみに含まれる回路部品の群は、４つの送信フィルタ１と、パワーアンプ３と、出力整合回路４、第２ＩＣチップ５５と、を含む。複数の回路部品のうち受信回路のみに含まれる回路部品の群は、６つの受信フィルタ２と、６つの入力整合回路１７と、ローノイズアンプ１８と、を含む。送信回路と受信回路とで共用される回路部品の群は、第２スイッチ７と、４つの第１整合回路６と、３つの第２整合回路８と、を含む。

　高周波モジュール１００は、実装基板１３０の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、複数の回路部品のうち送信回路のみに含まれる回路部品の群が配置されている第１領域と、受信回路のみに含まれる回路部品の群及び送信回路と受信回路とで共用される回路部品の群が配置されている第２領域とが分かれている。

　（１．４）高周波モジュールの製造方法
　次に、実施形態１に係る高周波モジュール１００の製造方法について説明する。

　高周波モジュール１００の製造方法としては、例えば、第１工程と、第２工程と、第３工程と、第４工程と、第５工程と、を備える製造方法を採用することができる。第１工程は、実装基板１３０に複数の回路部品を実装するとともに複数の外部接続端子９を配置する工程である。第２工程は、複数の送信フィルタ１等を覆い第１樹脂層１５の元になる第１樹脂材料層を実装基板１３０の第１主面１３１側に形成するとともに、第２樹脂層２０の元になる第２樹脂材料層を実装基板１３０の第２主面１３２側に形成する工程である。第３工程は、第１樹脂材料層における実装基板１３０側とは反対側の主面から第１樹脂材料層を研削し複数の送信フィルタ１のうち２つの送信フィルタ１３，１４の圧電性基板を露出させた後、第１樹脂材料層と各圧電性基板とを研削することで、第１樹脂層１５を形成するとともに各圧電性基板を薄くする工程である。第４工程は、第２樹脂材料層における実装基板１３０側とは反対側の主面から第２樹脂材料層を研削し複数の外部接続端子９の先端を露出させた後、第２樹脂材料層と各外部接続端子９とを研削することで、第２樹脂層２０を形成する工程である。第５工程は、第１樹脂層１５の主面１５１と複数の送信フィルタ１のうち２つの送信フィルタ１３，１４の各々における実装基板１３０側とは反対側の主面１０２とに接するシールド層１６を、例えば、スパッタ法、蒸着法、又は印刷法によって形成する工程である。

　（２）効果
　（２．１）高周波モジュール
　実施形態１に係る高周波モジュール１００は、実装基板１３０と、第１送信フィルタ１１，１２と、第２送信フィルタ１３，１４と、樹脂層１５と、シールド層１６と、を備える。実装基板１３０は、互いに対向する第１主面１３１及び第２主面１３２を有する。第１送信フィルタ１１，１２は、実装基板１３０の第１主面１３１に実装されている。第２送信フィルタ１３，１４は、実装基板１３０の第１主面１３１に実装されており、第１送信フィルタ１１，１２よりもパワークラスが高い。樹脂層１５は、実装基板１３０の第１主面１３１に配置されている。シールド層１６は、樹脂層１５の少なくとも一部を覆っている。樹脂層１５は、第１送信フィルタ１１，１２の外周面１０３の少なくとも一部を覆い、かつ、第２送信フィルタ１３，１４の外周面１０３の少なくとも一部を覆っている。シールド層１６は、実装基板１３０の厚さ方向Ｄ１からの平面視において第２送信フィルタ１３，１４の少なくとも一部に重なっている。第２送信フィルタ１３，１４における実装基板１３０側とは反対側の主面１０２の少なくとも一部は、シールド層１６に接している。言い換えると、第２送信フィルタ１３，１４における実装基板１３０側とは反対側の主面１０２のうち、シールド層１６により覆われている部分の少なくとも一部は、シールド層１６に接している。

　また、実施形態１に係る高周波モジュール１００は、実装基板１３０と、送信フィルタ１３，１４と、樹脂層１５と、シールド層１６と、を備える。実装基板１３０は、互いに対向する第１主面１３１及び第２主面１３２を有する。送信フィルタ１３，１４は、実装基板１３０の第１主面１３１に実装されている、パワークラス１の送信フィルタ及びパワークラス２の送信フィルタの少なくとも一方の送信フィルタである。樹脂層１５は、実装基板１３０の第１主面１３１に配置されている。シールド層１６は、樹脂層１５の少なくとも一部を覆っている。樹脂層１５は、送信フィルタ１３，１４の外周面１０３の少なくとも一部を覆っている。シールド層１６は、実装基板１３０の厚さ方向Ｄ１からの平面視において送信フィルタ１３，１４の少なくとも一部に重なっている。送信フィルタ１３，１４における実装基板１３０側とは反対側の主面１０２の少なくとも一部は、シールド層１６に接している。言い換えると、送信フィルタ１３，１４における実装基板１３０側とは反対側の主面１０２のうち、シールド層１６により覆われている部分の少なくとも一部は、シールド層１６に接している。

　実施形態１に係る高周波モジュール１００は、上述したように、（第２）送信フィルタ１３，１４の各々における実装基板１３０側とは反対側の主面１０２の少なくとも一部がシールド層１６に接している。そのため、（第２）送信フィルタ１３，１４で発生した熱を、シールド層１６を通して放熱することが可能となる。これにより、放熱性の向上を図ることが可能となる。そして、実施形態１に係る高周波モジュール１００は、（第２）送信フィルタ１３，１４の各々を構成する弾性波フィルタの温度特性の安定化を図ることが可能となり、高周波モジュール１００の特性の安定化を図ることが可能となる。

　また、実施形態１に係る高周波モジュール１００は、相対的にパワークラスの低い送信フィルタ１１，１２の各々における実装基板１３０側とは反対側の主面１０２をシールド層１６に接触させていない。これにより、高周波モジュール１００における印字エリアを大きくすることが可能となる。さらに、送信フィルタ１１，１２の主面１０２をシールド層１６に接触させないようにすることで、送信フィルタ１１，１２の各々の圧電性基板の厚さを厚くしなくてもよく、材料費のアップを抑制することが可能となる。

　実施形態１に係る高周波モジュール１００では、放熱性の向上を図る観点から、シールド層１６が複数の送信フィルタ１のうち送信フィルタ１３，１４の各々における実装基板１３０側とは反対側の主面１０２の全域にわたって接していることが好ましい。ただし、シールド層１６が送信フィルタ１３，１４の主面１０２の全面に接することは必須ではない。

　（２．２）通信装置
　実施形態１に係る通信装置３００は、信号処理回路３０１と、高周波モジュール１００と、を備える。信号処理回路３０１は、高周波モジュール１００に接続されている。

　実施形態１に係る通信装置３００は、高周波モジュール１００を備えるので、放熱性の向上を図ることが可能となる。

　信号処理回路３０１を構成する複数の電子部品は、例えば、上述の回路基板に実装されていてもよいし、高周波モジュール１００が実装された回路基板（第１回路基板）とは別の回路基板（第２回路基板）に実装されていてもよい。

　（３）変形例
　（３．１）変形例１
　実施形態１の変形例１に係る高周波モジュール１００ａについて、図７を参照して説明する。変形例１に係る高周波モジュール１００ａに関し、実施形態１に係る高周波モジュール１００と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。なお、高周波モジュール１００ａの回路構成については、図５及び図６を参照して説明した実施形態１に係る高周波モジュール１００の回路構成と同様である。

　変形例１に係る高周波モジュール１００ａは、パワークラス３の送信フィルタ１１，１２の各々における実装基板１３０側とは反対側の主面１０２がシールド層１６に接している点で、実施形態１に係る高周波モジュール１００と相違する。

　変形例１に係る高周波モジュール１００ａは、実施形態１に係る高周波モジュール１００と同様、パワークラス２の送信フィルタ１３，１４の各々における実装基板１３０側とは反対側の主面１０２がシールド層１６に接しているので、放熱性の向上を図ることが可能となる。

　また、変形例１に係る高周波モジュール１００ａでは、パワークラス３の送信フィルタ１１，１２の各々における実装基板１３０側とは反対側の主面１０２もシールド層１６に接しているので、更なる放熱性の向上を図ることが可能となる。

　（３．２）変形例２
　実施形態１の変形例２に係る高周波モジュール１００ｂについて、図８を参照して説明する。変形例２に係る高周波モジュール１００ｂに関し、実施形態１に係る高周波モジュール１００と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。なお、高周波モジュール１００ｂの回路構成については、図５及び図６を参照して説明した実施形態１に係る高周波モジュール１００の回路構成と同様である。

　変形例２に係る高周波モジュール１００ｂは、パワークラス３の送信フィルタ１１，１２の各々における実装基板１３０側とは反対側の主面１０２に配置されている接触部材１４０Ａを備えている点で、実施形態１に係る高周波モジュール１００と相違する。

　実装基板１３０の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、複数の接触部材１４０Ａの各々は、四角形状であるが、これに限らない。また、実装基板１３０の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、複数の接触部材１４０Ａの各々は、複数の送信フィルタ１のうち接している送信フィルタ１と同じ大きさであるが、これに限らず、送信フィルタ１よりも大きくてもよいし、小さくてもよい。複数の接触部材１４０Ａの材料は、例えば、銅又は銅合金である。複数の接触部材１４０Ａは、送信フィルタ１における主面１０２に接合されていてもよいし、接しているだけでもよい。複数の接触部材１４０Ａの材料は、同じであることが好ましいが、異なっていてもよい。

　変形例２に係る高周波モジュール１００ｂは、実施形態１に係る高周波モジュール１００と同様、パワークラス２の送信フィルタ１３，１４の各々における実装基板１３０側とは反対側の主面１０２がシールド層１６に接しているので、放熱性の向上を図ることが可能となる。

　また、変形例２に係る高周波モジュール１００ｂでは、パワークラス３の送信フィルタ１１，１２の各々における実装基板１３０側とは反対側の主面１０２が接触部材１４０Ａを介してシールド層１６に接しているので、更なる放熱性の向上を図ることが可能となる。

　（３．３）変形例３
　実施形態１の変形例３に係る高周波モジュール１００ｃについて、図９を参照して説明する。変形例３に係る高周波モジュール１００ｃに関し、実施形態１に係る高周波モジュール１００と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。なお、高周波モジュール１００ｃの回路構成については、図５及び図６を参照して説明した実施形態１に係る高周波モジュール１００の回路構成と同様である。

　変形例３に係る高周波モジュール１００ｃは、複数の外部接続端子９がボールバンプである点で、実施形態１に係る高周波モジュール１００と相違する。また、変形例３に係る高周波モジュール１００ｃは、実施形態１に係る高周波モジュール１００の第２樹脂層２０を備えていない点で、実施形態１に係る高周波モジュール１００と相違する。変形例３に係る高周波モジュール１００ｃは、実装基板１３０の第２主面１３２に実装されている第１ＩＣチップ１８０及び第２ＩＣチップ５５と実装基板１３０の第２主面１３２との間の隙間に設けられたアンダーフィル部を備えていてもよい。

　複数の外部接続端子９の各々を構成するボールバンプの材料は、例えば、金、銅、はんだ等である。

　複数の外部接続端子９は、ボールバンプにより構成された外部接続端子９と、柱状電極により構成された外部接続端子９と、が混在してもよい。

　（実施形態２）
　実施形態２に係る高周波モジュール１００ｄについて、図１０を参照して説明する。実施形態２に係る高周波モジュール１００ｄに関し、実施形態１に係る高周波モジュール１００と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。なお、高周波モジュール１００ｄの回路構成については、図５及び図６を参照して説明した実施形態１に係る高周波モジュール１００の回路構成と同じである。

　実施形態２に係る高周波モジュール１００ｄは、複数の金属部材１４０を備える点で、実施形態１に係る高周波モジュール１００と相違する。複数の金属部材１４０は、複数の送信フィルタ１のうち、パワークラス２の送信フィルタ１３，１４における実装基板１３０側とは反対側の主面１０２に配置されている。

　第１樹脂層１５は、実装基板１３０の第１主面１３１に配置されており、複数の送信フィルタ１の外周面１０３と複数の金属部材１４０の外周面１４３とを覆っている。シールド層１６は、第１樹脂層１５と複数の金属部材１４０と、を覆っている。複数の金属部材１４０は、シールド層１６に接している。

　実装基板１３０の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、複数の金属部材１４０の各々は、四角形状であるが、これに限らない。また、実装基板１３０の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、複数の金属部材１４０の各々は、複数の送信フィルタ１のうち接している送信フィルタ１と同じ大きさであるが、これに限らず、送信フィルタ１よりも大きくてもよいし、小さくてもよい。複数の金属部材１４０の材料は、例えば、銅又は銅合金である。複数の金属部材１４０は、送信フィルタ１における主面１０２に接合されていてもよいし、接しているだけでもよい。複数の金属部材１４０の材料は、同じであることが好ましいが、異なっていてもよい。

　実施形態２に係る高周波モジュール１００ｄは、実装基板１３０と、第１送信フィルタ１１，１２と、第２送信フィルタ１３，１４と、金属部材１４０と、樹脂層１５と、シールド層１６と、を備える。実装基板１３０は、互いに対向する第１主面１３１及び第２主面１３２を有する。第１送信フィルタ１１，１２は、実装基板１３０の第１主面１３１に実装されている。第２送信フィルタ１３，１４は、実装基板１３０の第１主面１３１に実装されており、第１送信フィルタ１１，１２よりもパワークラスが高い。金属部材１４０は、第２送信フィルタ１３，１４における実装基板１３０側とは反対側の主面１０２に配置されている。樹脂層１５は、実装基板１３０の第１主面１３１に配置されている。シールド層１６は、樹脂層１５の少なくとも一部を覆っている。樹脂層１５は、第１送信フィルタ１１，１２の外周面１０３の少なくとも一部を覆い、第２送信フィルタ１３，１４の外周面１０３の少なくとも一部を覆い、かつ、金属部材１４０の外周面１４３の少なくとも一部を覆っている。シールド層１６は、実装基板１３０の厚さ方向Ｄ１からの平面視において金属部材１４０の少なくとも一部に重なっている。金属部材１４０における実装基板１３０側とは反対側の主面１４１の少なくとも一部は、シールド層１６に接している。言い換えると、金属部材１４０における実装基板１３０側とは反対側の主面１４１のうち、シールド層１６により覆われている部分の少なくとも一部は、シールド層１６に接している。

　また、実施形態２に係る高周波モジュール１００ｄは、実装基板１３０と、送信フィルタ１３，１４と、金属部材１４０と、樹脂層１５と、シールド層１６と、を備える。実装基板１３０は、互いに対向する第１主面１３１及び第２主面１３２を有する。送信フィルタ１３，１４は、実装基板１３０の第１主面１３１に実装されている、パワークラス１の送信フィルタ及びパワークラス２の送信フィルタの少なくとも一方の送信フィルタである。金属部材１４０は、送信フィルタ１３，１４における実装基板１３０側とは反対側の主面１０２に配置されている。樹脂層１５は、実装基板１３０の第１主面１３１に配置されている。シールド層１６は、樹脂層１５の少なくとも一部を覆っている。樹脂層１５は、送信フィルタ１３，１４の外周面１０３の少なくとも一部を覆い、かつ、金属部材１４０の外周面１４３の少なくとも一部を覆っている。シールド層１６は、実装基板１３０の厚さ方向Ｄ１からの平面視において金属部材１４０の少なくとも一部に重なっている。金属部材１４０における実装基板１３０側とは反対側の主面１４１の少なくとも一部は、シールド層１６に接している。言い換えると、金属部材１４０における実装基板１３０側とは反対側の主面１４１のうち、シールド層１６により覆われている部分の少なくとも一部は、シールド層１６に接している。

　実施形態２に係る高周波モジュール１００ｄでは、上述したように、（第２）送信フィルタ１３，１４における実装基板１３０側とは反対側の主面１０２が、金属部材１４０を介してシールド層１６に接している。そのため、（第２）送信フィルタ１３，１４で発生した熱を、金属部材１４０及びシールド層１６を通して放熱することが可能となる。これにより、放熱性の向上を図ることが可能となる。そして、実施形態２に係る高周波モジュール１００ｄは、（第２）送信フィルタ１３，１４の各々を構成する弾性波フィルタの温度特性の安定化を図ることが可能となり、高周波モジュール１００の特性の安定化を図ることが可能となる。

　（変形例１）
　実施形態２の変形例１に係る高周波モジュール１００ｅについて、図１１を参照して説明する。変形例１に係る高周波モジュール１００ｅに関し、実施形態２に係る高周波モジュール１００ｄと同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。なお、高周波モジュール１００ｅの回路構成については、図５及び図６を参照して説明した実施形態１に係る高周波モジュール１００の回路構成と同様である。

　変形例１に係る高周波モジュール１００ｅは、パワークラス３の送信フィルタ１１，１２の各々における実装基板１３０側とは反対側の主面１０２に配置されている接触部材１４０Ａを更に備えている点で、実施形態２に係る高周波モジュール１００ｄと相違する。

　変形例１に係る高周波モジュール１００ｅは、実施形態２に係る高周波モジュール１００と同様、パワークラス２の送信フィルタ１３，１４の各々における実装基板１３０側とは反対側の主面１０２が金属部材１４０を介してシールド層１６に接しているので、放熱性の向上を図ることが可能となる。

　また、変形例１に係る高周波モジュール１００ｅでは、パワークラス３の送信フィルタ１１，１２の各々における実装基板１３０側とは反対側の主面１０２が接触部材１４０Ａを介してシールド層１６に接しているので、更なる放熱性の向上を図ることが可能となる。

　（変形例２）
　実施形態２の変形例２に係る高周波モジュール１００ｆについて、図１２を参照して説明する。変形例２に係る高周波モジュール１００ｆに関し、実施形態２に係る高周波モジュール１００ｄと同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。なお、高周波モジュール１００ｆの回路構成については、図５及び図６を参照して説明した実施形態１に係る高周波モジュール１００の回路構成と同様である。

　変形例２に係る高周波モジュール１００ｆは、パワークラス３の送信フィルタ１１，１２の各々における実装基板１３０側とは反対側の主面１０２がシールド層１６に接している点で、実施形態２に係る高周波モジュール１００ｄと相違する。

　変形例２に係る高周波モジュール１００ｆは、実施形態２に係る高周波モジュール１００ｄと同様、パワークラス２の送信フィルタ１３，１４の各々における実装基板１３０側とは反対側の主面１０２が金属部材１４０を介してシールド層１６に接しているので、放熱性の向上を図ることが可能となる。

　また、変形例２に係る高周波モジュール１００ｆでは、パワークラス３の送信フィルタ１１，１２の各々における実装基板１３０側とは反対側の主面１０２がシールド層１６に接しているので、更なる放熱性の向上を図ることが可能となる。

　（その他の変形例）
　上記の実施形態１～２等は、本発明の様々な実施形態の一つに過ぎない。上記の実施形態１～２等は、本発明の目的を達成できれば、設計等に応じて種々の変更が可能である。

　例えば、送信フィルタ１の数は、複数であればよく、４つに限定されない。また、複数の送信フィルタ１のうち相対的にパワークラスの高い送信フィルタ１における実装基板１３０側とは反対側の主面１０２がシールド層１６に接していればよく、主面１０２が第１樹脂層１５により覆われている送信フィルタ１が含まれていてもよい。

　複数の送信フィルタ１と複数の受信フィルタ２とは、デュプレクサを構成するフィルタであってもよい。すなわち、送信フィルタ１１と受信フィルタ２１とが第１デュプレクサを構成し、送信フィルタ１２と受信フィルタ２２とが第２デュプレクサを構成し、送信フィルタ１３と受信フィルタ２３とが第３デュプレクサを構成し、送信フィルタ１４と受信フィルタ２４とが第４デュプレクサを構成してもよい。この場合、少なくとも、第３デュプレクサ及び第４デュプレクサの各々における実装基板１３０側とは反対側の主面が、直接的又は間接的に（金属部材１４０を介して）、シールド層１６に接していればよい。

　また、実施形態１に係る高周波モジュール１００では、送信フィルタ１３，１４における実装基板１３０側とは反対側の主面１０２と、樹脂層１５の主面１５１と、が略面一であるが、これに限らない。

　例えば、複数の送信フィルタ１及び複数の受信フィルタ２の各々は、表面弾性波フィルタに限らず、例えば、ＢＡＷ（Bulk Acoustic Wave）フィルタであってもよい。ＢＡＷフィルタにおける共振子は、例えば、ＦＢＡＲ（Film Bulk Acoustic Resonator）又はＳＭＲ（Solidly Mounted Resonator）である。ＢＡＷフィルタは、基板を有する。基板は、例えば、シリコン基板である。

　また、複数の送信フィルタ１及び複数の受信フィルタ２の各々は、ラダー型フィルタに限らず、例えば、縦結合共振子型弾性表面波フィルタでもよい。

　また、上述の弾性波フィルタは、表面弾性波又はバルク弾性波を利用する弾性波フィルタであるが、これに限らず、例えば、弾性境界波、板波等を利用する弾性波フィルタであってもよい。

　また、パワーアンプ３は、差動増幅回路に限らず、ドライバ段増幅器と、出力段増幅器と、ドライバ段増幅器と出力段増幅器とのインピーダンスを整合させる段間整合回路と、を有した構成であってもよい。この場合、段間整合回路は、例えば、ドライバ段増幅器と出力段増幅器との間に設けられるインダクタであるが、インダクタの他にキャパシタを更に含んでいてもよい。また、パワーアンプ３における増幅器の段数は２段に限らず、１段又は３段以上であってもよい。

　また、入力整合回路１７の数は、複数に限らず、１つであってもよい。

　また、複数の回路部品は、バンプを介して実装基板１３０と電気的に接続されている回路部品と、はんだを介して実装基板１３０と電気的に接続されている回路部品と、を含んでいるが、例えば、ボンディングワイヤを介して実装基板１３０と電気的に接続されている回路部品を含んでいてもよい。

　高周波モジュール１００は、実装基板１３０の第２主面１３２に配置されて実装基板１３０の厚さ方向Ｄ１においてパワーアンプ３に重なる放熱用導体部を更に備えていてもよい。なお、複数の外部接続端子９の一部が放熱用導体部を構成していてもよい。

　また、実施形態１に係る高周波モジュール１００及び実施形態２に係る高周波モジュール１００ｄでは、複数の送信フィルタ１３，１４の各々における実装基板１３０側とは反対側の主面１０２が直接的又は間接的（金属部材１４０を介して）にシールド層１６に接しているが、これに限らない。例えば、複数の送信フィルタ１３，１４のうちの一方の主面１０２が直接的又は間接的にシールド層１６に接していてもよい。

　さらに、実施形態１の変形例１に係る高周波モジュール１００ａ、実施形態１の変形例２に係る高周波モジュール１００ｂ、実施形態２の変形例１に係る高周波モジュール１００ｅ及び実施形態２の変形例２に係る高周波モジュール１００ｆでは、複数の送信フィルタ１１，１２の各々における実装基板１３０側とは反対側の主面１０２が直接的又は間接的（金属部材１４０を介して）にシールド層１６に接しているが、これに限らない。例えば、複数の送信フィルタ１１，１２のうちの一方の主面１０２が直接的又は間接的にシールド層１６に接していてもよい。

　高周波モジュール１００、１００ａ～１００ｆでは、送信フィルタ１１，１２，１３，１４の各々の外周面１０３の全部が第１樹脂層１５により覆われているが、外周面１０３の一部が第１樹脂層１５により覆われていてもよい。また、高周波モジュール１００、１００ａ～１００ｃでは、送信フィルタ１３，１４の各々における実装基板１３０側とは反対側の主面１０２の全部がシールド層１６に接しているが、主面１０２の一部がシールド層１６に接していてもよい。

　また、高周波モジュール１００ｄ～１００ｆでは、複数の金属部材１４０の各々の外周面１４３の全部が第１樹脂層１５により覆われているが、外周面１４３の一部が第１樹脂層１５により覆われていてもよい。また、高周波モジュール１００ｄ～１００ｆでは、複数の金属部材１４０の各々における実装基板１３０側とは反対側の主面１４２の全部がシールド層１６に接しているが、主面１４２の一部がシールド層１６に接していてもよい。

　また、高周波モジュール１００ａ，１００ｆでは、送信フィルタ１１，１２における実装基板１３０側とは反対側の主面１０２の全部がシールド層１６に接しているが、主面１０２の一部がシールド層１６に接していてもよい。また、高周波モジュール１００ｂ，１００ｅでは、複数の接触部材１４０Ａの各々における実装基板１３０側とは反対側の主面１４２の全部がシールド層１６に接しているが、主面１４２の一部がシールド層１６に接していてもよい。

　また、高周波モジュール１００、１００ａ～１００ｃでは、送信フィルタ１３，１４の各々における実装基板１３０側とは反対側の主面１０２の全部がシールド層１６に覆われているが、主面１０２の一部がシールド層１６に覆われていてもよい。また、高周波モジュール１００ｄ～１００ｆでは、複数の金属部材１４０の各々における実装基板１３０側とは反対側の主面１４２の全部がシールド層１６に覆われているが、主面１４２の一部がシールド層１６に覆われていてもよい。

　また、高周波モジュール１００、１００ａ～１００ｆは、パワークラス３の送信フィルタ１１，１２と、パワークラス２の送信フィルタ１３，１４と、を備えているが、これに限らない。高周波モジュールは、例えば、パワークラス１の送信フィルタと、パワークラス２の送信フィルタと、パワークラス３の送信フィルタと、を備えていてもよい。この場合、少なくとも、パワークラス１の送信フィルタにおける実装基板１３０側とは反対側の主面の少なくとも一部がシールド層１６に接していればよく、パワークラス２の送信フィルタ及びパワークラス３の送信フィルタの各々については、送信フィルタにおける実装基板１３０側とは反対側の主面の少なくとも一部がシールド層１６に接していてもよいし、接していなくてもよい。

　さらに、高周波モジュールは、例えば、パワークラス１の送信フィルタと、パワークラス２の送信フィルタと、を備えていてもよい。この場合、少なくとも、パワークラス１の送信フィルタにおける実装基板１３０側とは反対側の主面の少なくとも一部がシールド層１６に接していればよく、パワークラス２の送信フィルタにおける実装基板１３０側とは反対側の主面の少なくとも一部は、シールド層１６に接していてもよいし、接していなくてもよい。

　さらに、高周波モジュールは、例えば、パワークラス１の送信フィルタと、パワークラス３の送信フィルタと、を備えていてもよい。この場合、少なくとも、パワークラス１の送信フィルタにおける実装基板１３０側とは反対側の主面の少なくとも一部がシールド層１６に接していればよく、パワークラス３の送信フィルタにおける実装基板１３０側とは反対側の主面の少なくとも一部は、シールド層１６に接していてもよいし、接していなくてもよい。

　また、高周波モジュールは、例えば、パワークラス１の複数の送信フィルタのみを備えていてもよい。この場合、パワークラス１の複数の送信フィルタのうち少なくとも１つの送信フィルタにおける実装基板１３０側とは反対側の主面の少なくとも一部がシールド層１６に接していればよい。また、高周波モジュールは、例えば、パワークラス２の複数の送信フィルタのみを備えていてもよい。この場合、パワークラス２の複数の送信フィルタのうち少なくとも１つの送信フィルタにおける実装基板１３０側とは反対側の主面の少なくとも一部がシールド層１６に接していればよい。

　また、高周波モジュール１００、１００ａ～１００ｆでは、第１通信バンドが５Ｇ　ＮＲ規格のｎ３であり、第２通信バンドが５Ｇ　ＮＲ規格のｎ１であるが、これに限らない。第１通信バンド及び第２通信バンドの各々は、例えば、５Ｇ　ＮＲ規格のｎ１、ｎ３、ｎ２５及びｎ６６のいずれかであればよい。また、高周波モジュール１００、１００ａ～１００ｆでは、第５通信バンドが３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格のＢａｎｄ３４であり、第６通信バンドが３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格のＢａｎｄ３９であるが、これに限らない。第５通信バンド及び第６通信バンドの各々は、例えば、３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格のＢａｎｄ３４、Ｂａｎｄ３９、Ｂａｎｄ７、Ｂａｎｄ３０、Ｂａｎｄ１１、Ｂａｎｄ２１、Ｂａｎｄ３２のいずれかであればよい。

　高周波モジュール１００，１００ａ，１００ｂ，１００ｃ，１００ｄ，１００ｅ，１００ｆの回路構成は、上述の例に限らない。また、高周波モジュール１００，１００ａ，１００ｂ，１００ｃ，１００ｄ，１００ｅ，１００ｆは、回路構成として、例えば、ＭＩＭＯ（Multi Input Multi Output）対応の高周波フロントエンド回路を有していてもよい。

　また、実施形態１に係る通信装置３００は、高周波モジュール１００の代わりに、高周波モジュール１００ａ，１００ｂ，１００ｃ，１００ｄ，１００ｅ，１００ｆのいずれかを備えてもよい。

　（態様）
　本明細書には、以下の態様が開示されている。

　第１の態様に係る高周波モジュール（１００；１００ａ；１００ｂ）は、実装基板（１３０）と、第１送信フィルタ（１１，１２）と、第２送信フィルタ（１３，１４）と、樹脂層（１５）と、シールド層（１６）と、を備える。実装基板（１３０）は、互いに対向する第１主面（１３１）及び第２主面（１３２）を有する。第１送信フィルタ（１１，１２）は、実装基板（１３０）の第１主面（１３１）に実装されている。第２送信フィルタ（１３，１４）は、実装基板（１３０）の第１主面（１３１）に実装されており、第１送信フィルタ（１１，１２）よりもパワークラスが高い。樹脂層（１５）は、実装基板（１３０）の第１主面（１３１）に配置されている。シールド層（１６）は、樹脂層（１５）の少なくとも一部を覆っている。樹脂層（１５）は、第１送信フィルタ（１１，１２）の外周面（１０３）の少なくとも一部を覆い、かつ、第２送信フィルタ（１３，１４）の外周面（１０３）の少なくとも一部を覆っている。シールド層（１６）は、実装基板（１３０）の厚さ方向（Ｄ１）からの平面視において第２送信フィルタ（１３，１４）の少なくとも一部に重なっている。第２送信フィルタ（１３，１４）における実装基板（１３０）側とは反対側の主面（１０２）の少なくとも一部は、シールド層（１６）に接している。

　この態様によれば、第２送信フィルタ（１３，１４）における実装基板（１３０）側とは反対側の主面（１０２）の少なくとも一部がシールド層（１６）に接しているので、第２送信フィルタ（１３，１４）で発生した熱を、シールド層（１６）を通して放熱することが可能となり、その結果、放熱性の向上を図ることが可能となる。

　第２の態様に係る高周波モジュール（１００ｄ；１００ｅ；１００ｆ）は、実装基板（１３０）と、第１送信フィルタ（１１，１２）と、第２送信フィルタ（１３，１４）と、金属部材（１４０）と、樹脂層（１５）と、シールド層（１６）と、を備える。実装基板（１３０）は、互いに対向する第１主面（１３１）及び第２主面（１３２）を有する。第１送信フィルタ（１１，１２）は、実装基板（１３０）の第１主面（１３１）に実装されている。第２送信フィルタ（１３，１４）は、実装基板（１３０）の第１主面（１３１）に実装されており、第１送信フィルタ（１１，１２）よりもパワークラスが高い。金属部材（１４０）は、第２送信フィルタ（１３，１４）における実装基板（１３０）側とは反対側の主面（１０２）に配置されている。樹脂層（１５）は、実装基板（１３０）の第１主面（１３１）に配置されている。シールド層（１６）は、樹脂層（１５）の少なくとも一部を覆っている。樹脂層（１５）は、第１送信フィルタ（１１，１２）の外周面（１０３）の少なくとも一部を覆い、第２送信フィルタ（１３，１４）の外周面（１０３）の少なくとも一部を覆い、かつ、金属部材（１４０）の外周面（１４３）の少なくとも一部を覆っている。シールド層（１６）は、実装基板（１３０）の厚さ方向（Ｄ１）からの平面視において金属部材（１４０）の少なくとも一部に重なっている。金属部材（１４０）における実装基板（１３０）側とは反対側の主面（１４１）の少なくとも一部は、シールド層（１６）に接している。

　この態様によれば、第２送信フィルタ（１３，１４）における実装基板（１３０）側とは反対側の主面（１０２）が金属部材（１４０）を介してシールド層（１６）に接しているので、第２送信フィルタ（１３，１４）で発生した熱を、金属部材（１４０）及びシールド層（１６）を通して放熱することが可能となり、その結果、放熱性の向上を図ることが可能となる。

　第３の態様に係る高周波モジュール（１００；１００ｄ）では、第１又は第２の態様において、第１送信フィルタ（１１，１２）における実装基板（１３０）側とは反対側の主面（１０２）は、実装基板（１３０）の厚さ方向（Ｄ１）においてシールド層（１６）から離れている。

　この態様によれば、印字エリアを大きくすることが可能となるとともに、材料費のアップを抑制することが可能となる。

　第４の態様に係る高周波モジュール（１００；１００ａ；１００ｂ）は、実装基板（１３０）と、送信フィルタ（１３，１４）と、樹脂層（１５）と、シールド層（１６）と、を備える。実装基板（１３０）は、互いに対向する第１主面（１３１）及び第２主面（１３２）を有する。送信フィルタ（１３，１４）は、実装基板（１３０）の第１主面（１３１）に実装されている、パワークラス１の送信フィルタ及びパワークラス２の送信フィルタの少なくとも一方の送信フィルタである。樹脂層（１５）は、実装基板（１３０）の第１主面（１３１）に配置されている。シールド層（１６）は、樹脂層（１５）の少なくとも一部を覆っている。樹脂層（１５）は、送信フィルタ（１３，１４）の外周面（１０３）の少なくとも一部を覆っている。シールド層（１６）は、実装基板（１３０）の厚さ方向（Ｄ１）からの平面視において送信フィルタ（１３，１４）の少なくとも一部に重なっている。送信フィルタ（１３，１４）における実装基板（１３０）側とは反対側の主面（１０２）の少なくとも一部は、シールド層（１６）に接している。

　この態様によれば、送信フィルタ（１３，１４）における実装基板（１３０）側とは反対側の主面（１０２）の少なくとも一部がシールド層（１６）に接しているので、送信フィルタ（１３，１４）で発生した熱を、シールド層（１６）を通して放熱することが可能となり、その結果、放熱性の向上を図ることが可能となる。

　第５の態様に係る高周波モジュール（１００ｄ；１００ｅ；１００ｆ）は、実装基板（１３０）と、送信フィルタ（１３，１４）と、金属部材（１４０）と、樹脂層（１５）と、シールド層（１６）と、を備える。実装基板（１３０）は、互いに対向する第１主面（１３１）及び第２主面（１３２）を有する。送信フィルタ（１３，１４）は、実装基板（１３０）の第１主面（１３１）に実装されている、パワークラス１の送信フィルタ及びパワークラス２の送信フィルタの少なくとも一方の送信フィルタである。金属部材（１４０）は、送信フィルタ（１３，１４）における実装基板（１３０）側とは反対側の主面（１０２）に配置されている。樹脂層（１５）は、実装基板（１３０）の第１主面（１３１）に配置されている。シールド層（１６）は、樹脂層（１５）の少なくとも一部を覆っている。樹脂層（１５）は、送信フィルタ（１３，１４）の外周面（１０３）の少なくとも一部を覆い、かつ、金属部材（１４０）の外周面（１４３）の少なくとも一部を覆っている。シールド層（１６）は、実装基板（１３０）の厚さ方向（Ｄ１）からの平面視において金属部材（１４０）の少なくとも一部に重なっている。金属部材（１４０）における実装基板（１３０）側とは反対側の主面（１４１）の少なくとも一部は、シールド層（１６）に接している。

　この態様によれば、送信フィルタ（１３，１４）における実装基板（１３０）側とは反対側の主面（１０２）が金属部材（１４０）を介してシールド層（１６）に接しているので、送信フィルタ（１３，１４）で発生した熱を、金属部材（１４０）及びシールド層（１６）を通して放熱することが可能となり、その結果、放熱性の向上を図ることが可能となる。

　第６の態様に係る高周波モジュール（１００ａ；１００ｆ）は、第４又は第５の態様において、パワークラス３の送信フィルタ（１１，１２）を更に備える。パワークラス３の送信フィルタ（１１，１２）は、送信フィルタ（１３，１４）とは別体であって、実装基板（１３０）の第１主面（１３１）に実装されている。パワークラス３の送信フィルタ（１１，１２）における実装基板（１３０）側とは反対側の主面（１０２）の少なくとも一部は、シールド層（１６）に接している。

　この態様によれば、パワークラス３の送信フィルタ（１１，１２）における実装基板（１３０）側とは反対側の主面（１０２）の少なくとも一部がシールド層（１６）に接しているので、パワークラス３の送信フィルタ（１１，１２）で発生した熱を、シールド層（１６）を通して放熱することが可能となり、その結果、更なる放熱性の向上を図ることが可能となる。

　第７の態様に係る高周波モジュール（１００ｂ；１００ｅ）は、第４又は第５の態様において、パワークラス３の送信フィルタ（１１，１２）と、接触部材（１４０Ａ）と、を更に備える。パワークラス３の送信フィルタ（１１，１２）は、送信フィルタ（１３，１４）とは別体であって、実装基板（１３０）の第１主面（１３１）に実装されている。接触部材（１４０Ａ）は、金属材料からなり、パワークラス３の送信フィルタ（１１，１２）における実装基板（１３０）側とは反対側の主面（１０２）に配置されている。接触部材（１４０Ａ）における実装基板（１３０）側とは反対側の主面（１４１）の少なくとも一部は、シールド層（１６）に接している。

　この態様によれば、パワークラス３の送信フィルタ（１１，１２）における実装基板（１３０）側とは反対側の主面（１０２）が、接触部材（１４０Ａ）を介してシールド層（１６）に接しているので、パワークラス３の送信フィルタ（１１，１２）で発生した熱を、接触部材（１４０Ａ）及びシールド層（１６）を通して放熱することが可能となり、その結果、放熱性の向上を図ることが可能となる。

　第８の態様に係る通信装置（３００）は、第１～第７の態様のいずれか１つの高周波モジュール（１００；１００ａ～１００ｆ）と、信号処理回路（３０１）と、を備える。信号処理回路（３０１）は、高周波モジュール（１００；１００ａ～１００ｆ）に接続されている。

　この態様によれば、高周波モジュール（１００；１００ａ～１００ｆ）を備えるので、放熱性を向上させることが可能となる。

１　送信フィルタ
１１，１２　送信フィルタ（第１送信フィルタ、パワークラス３の送信フィルタ）
１３，１４　送信フィルタ（第２送信フィルタ、パワークラス２の送信フィルタ）
　１０２　主面
　１０３　外周面
２　受信フィルタ
２１～２６　受信フィルタ
３　パワーアンプ
３１　ドライバ段増幅器
３２Ａ　最終段増幅器
３２Ｂ　最終段増幅器
３３　非平衡－平衡変換回路（第１バラン）
３３１　非平衡端子
３３２Ａ　平衡端子
３３２Ｂ　平衡端子
４　出力整合回路
４１　平衡－非平衡変換回路（第２バラン）
４１１Ａ　平衡端子
４１１Ｂ　平衡端子
４１２　非平衡端子
４２　回路素子
１５　第１樹脂層（樹脂層）
１５１　主面
１５３　外周面
１６　シールド層
２０　第２樹脂層
２０１　主面
２０３　外周面
５　第１スイッチ
５０　共通端子
５１　選択端子
５１１～５１４　選択端子
５５　第２ＩＣチップ
６　整合回路（第１整合回路）
６１～６４　整合回路
７　第２スイッチ
７０　共通端子
７０Ａ～７０Ｃ　選択端子
７１　選択端子
７１１～７１６　選択端子
８　整合回路（第２整合回路）
９　外部接続端子
９１Ａ，９１Ｂ，９１Ｃ　アンテナ端子
９２　信号入力端子
９３　信号出力端子
９４　制御端子
９５　グランド端子
１７　入力整合回路
１７１～１７６　入力整合回路
１８　ローノイズアンプ
１８０　ＩＣチップ（第１ＩＣチップ）
１９　コントローラ
１００，１００ａ，１００ｂ，１００ｃ，１００ｄ，１００ｅ，１００ｆ　高周波モジュール
１３０　実装基板
１３１　第１主面
１３２　第２主面
１３３　外周面
１４０　金属部材
１４０Ａ　接触部材
１４１　主面
１４２　主面
１４３　外周面
３００　通信装置
３０１　信号処理回路
３０２　ＲＦ信号処理回路
３０３　ベースバンド信号処理回路
Ａ１　アンテナ（第１アンテナ）
Ａ２　アンテナ（第２アンテナ）
Ａ３　アンテナ（第３アンテナ）
Ｃ１　キャパシタ
Ｄ１　厚さ方向
Ｌ１　インダクタ要素
Ｌ２　インダクタ要素
Ｌ３　インダクタ要素
Ｌ４　インダクタ要素
Ｌ１０　一次側インダクタ
Ｌ１１　二次側インダクタ
Ｌａ１　インダクタ
Ｌａ２　インダクタ
Ｌｃ１　インダクタ
Ｌｃ２　インダクタ
Ｔ１　第１トランス
Ｔ２　第２トランス
Ｖｃｃ１　電圧
Ｗ１　配線
Ｗ２　配線

Claims

　互いに対向する第１主面及び第２主面を有する実装基板と、
　前記実装基板の前記第１主面に実装されている第１送信フィルタと、
　前記実装基板の前記第１主面に実装されており、前記第１送信フィルタよりもパワークラスが高い第２送信フィルタと、
　前記実装基板の前記第１主面に配置されている樹脂層と、
　前記樹脂層の少なくとも一部を覆っているシールド層と、を備え、
　前記樹脂層は、前記第１送信フィルタの外周面の少なくとも一部を覆い、かつ、前記第２送信フィルタの外周面の少なくとも一部を覆っており、
　前記シールド層は、前記実装基板の厚さ方向からの平面視において前記第２送信フィルタの少なくとも一部に重なっており、
　前記第２送信フィルタにおける前記実装基板側とは反対側の主面の少なくとも一部は、前記シールド層に接している、
　高周波モジュール。
　互いに対向する第１主面及び第２主面を有する実装基板と、
　前記実装基板の前記第１主面に実装されている第１送信フィルタと、
　前記実装基板の前記第１主面に実装されており、前記第１送信フィルタよりもパワークラスが高い第２送信フィルタと、
　前記第２送信フィルタにおける前記実装基板側とは反対側の主面に配置されている金属部材と、
　前記実装基板の前記第１主面に配置されている樹脂層と、
　前記樹脂層の少なくとも一部を覆っているシールド層と、を備え、
　前記樹脂層は、前記第１送信フィルタの外周面の少なくとも一部を覆い、前記第２送信フィルタの外周面の少なくとも一部を覆い、かつ、前記金属部材の外周面の少なくとも一部を覆っており、
　前記シールド層は、前記実装基板の厚さ方向からの平面視において前記金属部材の少なくとも一部に重なっており、
　前記金属部材における前記実装基板側とは反対側の主面の少なくとも一部は、前記シールド層に接している、
　高周波モジュール。
　前記第１送信フィルタにおける前記実装基板側とは反対側の主面は、前記実装基板の厚さ方向において前記シールド層から離れている、
　請求項１又は２に記載の高周波モジュール。
　互いに対向する第１主面及び第２主面を有する実装基板と、
　前記実装基板の前記第１主面に実装されている、パワークラス１の送信フィルタ及びパワークラス２の送信フィルタの少なくとも一方の送信フィルタと、
　前記実装基板の前記第１主面に配置されている樹脂層と、
　前記樹脂層の少なくとも一部を覆っているシールド層と、を備え、
　前記樹脂層は、前記少なくとも一方の送信フィルタの外周面の少なくとも一部を覆っており、
　前記シールド層は、前記実装基板の厚さ方向からの平面視において前記少なくとも一方の送信フィルタの少なくとも一部に重なっており、
　前記少なくとも一方の送信フィルタにおける前記実装基板側とは反対側の主面の少なくとも一部は、前記シールド層に接している、
　高周波モジュール。
　互いに対向する第１主面及び第２主面を有する実装基板と、
　前記実装基板の前記第１主面に実装されている、パワークラス１の送信フィルタ及びパワークラス２の送信フィルタの少なくとも一方の送信フィルタと、
　前記少なくとも一方の送信フィルタにおける前記実装基板側とは反対側の主面に配置されている金属部材と、
　前記実装基板の前記第１主面に配置されている樹脂層と、
　前記樹脂層の少なくとも一部を覆っているシールド層と、を備え、
　前記樹脂層は、前記少なくとも一方の送信フィルタの外周面の少なくとも一部を覆い、かつ、前記金属部材の外周面の少なくとも一部を覆っており、
　前記シールド層は、前記実装基板の厚さ方向からの平面視において前記金属部材の少なくとも一部に重なっており、
　前記金属部材における前記実装基板側とは反対側の主面の少なくとも一部は、前記シールド層に接している、
　高周波モジュール。
　前記少なくとも一方の送信フィルタとは別体であって、前記実装基板の前記第１主面に実装されている、パワークラス３の送信フィルタを更に備え、
　前記パワークラス３の送信フィルタにおける前記実装基板側とは反対側の主面の少なくとも一部は、前記シールド層に接している、
　請求項４又は５に記載の高周波モジュール。
　前記少なくとも一方の送信フィルタとは別体であって、前記実装基板の前記第１主面に実装されている、パワークラス３の送信フィルタと、
　金属材料からなり、前記パワークラス３の送信フィルタにおける前記実装基板側とは反対側の主面に配置されている接触部材と、を更に備え、
　前記接触部材における前記実装基板側とは反対側の主面の少なくとも一部は、前記シールド層に接している、
　請求項４又は５に記載の高周波モジュール。
　請求項１～７のいずれか１項に記載の高周波モジュールと、
　前記高周波モジュールに接続されている信号処理回路と、を備える、
　通信装置。