WO2022118706A1 - 高周波モジュール及び通信装置 - Google Patents

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WO2022118706A1
WO2022118706A1 PCT/JP2021/042965 JP2021042965W WO2022118706A1 WO 2022118706 A1 WO2022118706 A1 WO 2022118706A1 JP 2021042965 W JP2021042965 W JP 2021042965W WO 2022118706 A1 WO2022118706 A1 WO 2022118706A1
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inductor
high frequency
switch
frequency module
main surface
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PCT/JP2021/042965
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English (en)
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Inventor
穣 岩永
Original Assignee
株式会社村田製作所
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    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/38—Impedance-matching networks
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/38—Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving
    • H04B1/40—Circuits

Definitions

  • the present invention generally relates to a high frequency module and a communication device, and more particularly to a high frequency module and a communication device including a plurality of filters.
  • Patent Document 1 a technique for adjusting the impedance so as to obtain the optimum impedance in the frequency band used for communication and the simultaneous communication in a plurality of frequency bands is known (see Patent Document 1).
  • Patent Document 1 a plurality of filters, a switch provided between each of the plurality of filters and a signal port, a first inductor connected between the switch and the signal port, and a first inductor connected to the switch.
  • a system comprising two inductors is described. One end of the first inductor is connected between the switch and the signal port, and the other end of the first inductor is connected to ground. One end of the second inductor is connected to the switch and the other end of the second inductor is connected to ground.
  • Patent Document 1 by switching the presence / absence of the connection of the second inductor, the optimum impedance is adjusted according to each of the case of communication in one frequency band and the case of simultaneous communication in a plurality of frequency bands. ..
  • the frequency of LC resonance (LC resonance frequency) due to the off capacitance of the switch and the inductance value of the second inductor may be included in the frequency band used for communication. In this case, signal loss occurs in communication, and stable communication cannot be performed.
  • the present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a high frequency module and a communication device capable of performing more stable communication.
  • the high frequency module includes an antenna terminal, a switch, a plurality of filters, a first inductor, and a second inductor.
  • the switch is connected to the antenna terminal.
  • the plurality of filters are connected to the switch.
  • the switch is configured so that at least two of the plurality of filters can be connected to the antenna terminal at the same time.
  • One end of the second inductor is connected to the switch, and the other end of the second inductor is connected to ground.
  • the switch switches the connection target connected to the antenna terminal from the plurality of filters and the second inductor.
  • One end of the first inductor is connected to the path between the antenna terminal and the plurality of filters, and the other end of the first inductor is connected to the path between the second inductor and the switch. Has been done.
  • the communication device includes the high frequency module and a signal processing circuit for processing a signal passing through the high frequency module.
  • FIG. 1 is a schematic circuit diagram showing a high frequency module according to the first embodiment.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view of a part of the same high frequency module.
  • FIG. 3A is a graph showing the relationship between the LC resonance frequency in the same high frequency module and the pass band of the filter.
  • FIG. 3B is a graph showing the relationship between the LC resonance frequency in the high frequency module of the comparative example and the pass band of the filter.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view of a part of the high frequency module according to the first modification of the first embodiment.
  • FIG. 5 is a schematic circuit diagram showing a high frequency module according to the second embodiment.
  • FIG. 6 is a schematic circuit diagram showing a high frequency module according to the third embodiment.
  • FIG. 7 is a schematic circuit diagram showing a high frequency module according to the fourth embodiment.
  • FIG. 8 is a schematic view showing the inside of the same high frequency module.
  • FIGS. 2, 4 and 8 referred to in the following embodiments and the like are schematic views, and the ratio of the size and the thickness of each component in the figure does not necessarily reflect the actual dimensional ratio. Not always.
  • the high-frequency module 1 has an antenna terminal 10, a switch 20, a plurality of (three in the illustrated example) filters 30, and a plurality of (three in the illustrated example) matching. It includes a circuit 40, a plurality of (three in the illustrated example) low noise amplifiers 50, a first inductor L1 and a second inductor L2.
  • the plurality of filters 30 are reception filters that pass a reception signal (high frequency signal) in a predetermined frequency band.
  • the high frequency module 1 further includes a mounting board 100 (see FIG. 2).
  • the mounting board 100 has a first main surface 101 and a second main surface 102 facing each other with respect to the thickness direction D1.
  • first filter 31 When it is necessary to distinguish between a plurality of filters 30, they are described as the first filter 31, the second filter 32, and the third filter 33.
  • matching circuits 40 When it is necessary to distinguish a plurality of matching circuits 40, it is described as a first matching circuit 41, a second matching circuit 42, and a third matching circuit 43.
  • low noise amplifiers 50 When it is necessary to distinguish between a plurality of low noise amplifiers 50, they are referred to as a first low noise amplifier 51, a second low noise amplifier 52, and a third low noise amplifier 53.
  • the antenna terminal 10 is connected to the antenna 510 (see FIG. 1).
  • the switch 20 is configured so that a plurality of filters 30 and a second inductor L2 can be connected to the antenna 510.
  • the switch 20 is configured so that at least two of the plurality of filters 30 and the second inductor L2 can be simultaneously connected to the antenna 510.
  • the switch 20 is configured so that at least two of the plurality of filters 30 can be connected to the antenna terminal 10. For example, by connecting the first filter 31 and the second filter 32 at the same time, simultaneous communication between the first filter 31 and the second filter 32 becomes possible.
  • Simultaneous communication is possible means that simultaneous communication is possible in the frequency band specified by the 3GPP (Third Generation Partnership Project) LTE standard (LTE: Long Term Evolution). There is.
  • the plurality of filters 30 are connected to the switch 20.
  • One end of the second inductor L2 is connected to the switch 20.
  • the other end of the second inductor L2 is connected to the ground.
  • the switch 20 switches the connection target connected to the antenna terminal 10 from the plurality of filters 30 and the second inductor L2.
  • One end of the first inductor L1 is connected to the path between the antenna terminal 10 and the plurality of filters 30, and the other end of the first inductor L1 is connected to the path between the second inductor L2 and the switch 20. Has been done.
  • the high frequency module 1 is used for, for example, the communication device 500.
  • the communication device 500 is, for example, a mobile phone (for example, a smartphone), but is not limited to this, and may be, for example, a wearable terminal (for example, a smart watch).
  • the high frequency module 1 is a module capable of supporting, for example, a 4G (4th generation mobile communication) standard and a 5G (5th generation mobile communication) standard.
  • the 4G standard is, for example, the 3GPP LTE standard.
  • the 5G standard is, for example, 5G NR (New Radio).
  • the high frequency module 1 is a module capable of supporting carrier aggregation and dual connectivity, for example.
  • carrier aggregation and dual connectivity refer to communication using radio waves in a plurality of frequency bands at the same time.
  • the switch 20 can simultaneously connect to at least two of the plurality of filters 30. That is, in the high frequency module 1 according to the first embodiment, for example, the first received signal in the first frequency band passing through the first filter 31 and the second received signal in the second frequency band passing through the second filter 32 are simultaneously used. Communication to receive is possible.
  • the high frequency module 1 is configured so that, for example, the received signal (high frequency signal) input from the antenna 510 can be amplified and output to the signal processing circuit 501.
  • the signal processing circuit 501 is not a component of the high frequency module 1, but a component of the communication device 500 including the high frequency module 1.
  • the high frequency module 1 is controlled by, for example, the signal processing circuit 501 included in the communication device 500.
  • the communication device 500 includes a high frequency module 1 and a signal processing circuit 501.
  • the communication device 500 further includes an antenna 510.
  • the communication device 500 further includes a circuit board on which the high frequency module 1 is mounted.
  • the circuit board is, for example, a printed wiring board.
  • the circuit board has a ground electrode to which a ground potential is applied.
  • the signal processing circuit 501 processes a signal (for example, a received signal and a transmitted signal) that passes through the high frequency module.
  • the signal processing circuit 501 includes, for example, an RF signal processing circuit 502 and a baseband signal processing circuit 503.
  • the RF signal processing circuit 502 is, for example, an RFIC (Radio Frequency Integrated Circuit), and performs signal processing on a high frequency signal.
  • the RF signal processing circuit 502 performs signal processing such as up-conversion on the high frequency signal (transmission signal) output from the baseband signal processing circuit 503, and outputs the signal processed high frequency signal. Further, the RF signal processing circuit 502 performs signal processing such as down-conversion on the high frequency signal (received signal) output from the high frequency module 1, and uses the processed high frequency signal as a baseband signal processing circuit. Output to 503.
  • the baseband signal processing circuit 503 is, for example, a BBIC (Baseband Integrated Circuit).
  • the baseband signal processing circuit 503 generates an I-phase signal and a Q-phase signal from the baseband signal.
  • the baseband signal is, for example, an audio signal, an image signal, or the like input from the outside.
  • the baseband signal processing circuit 503 performs IQ modulation processing by synthesizing an I-phase signal and a Q-phase signal, and outputs a transmission signal.
  • the transmission signal is generated as a modulation signal (IQ signal) in which a carrier signal having a predetermined frequency is amplitude-modulated with a period longer than the period of the carrier signal.
  • IQ signal modulation signal
  • the received signal processed by the baseband signal processing circuit 503 is used, for example, for displaying an image as an image signal or for a call as an audio signal.
  • the high frequency module 1 according to the first embodiment transmits a high frequency signal (received signal) between the antenna 510 and the RF signal processing circuit 502 of the signal processing circuit 501.
  • the high-frequency module 1 includes an antenna terminal 10, a switch 20, a plurality of (three in the illustrated example) filters 30, and a plurality of (three in the illustrated example) matching circuits 40.
  • a plurality of (three in the illustrated example) low noise amplifiers 50, a first inductor L1 and a second inductor L2 are provided.
  • the high frequency module 1 further includes a plurality of (three in the illustrated example) signal output terminals 61, 62, 63.
  • the antenna terminal 10 is connected to the antenna 510.
  • the switch 20 is connected to the antenna terminal 10.
  • the switch 20 is configured so that at least two of the plurality of filters 30 can be connected at the same time as the antenna terminal 10.
  • the switch 20 is connected to a plurality of filters 30 and a second inductor L2.
  • the switch 20 has a common terminal 21 and a plurality of (four in the illustrated example) FETs (Field Effect Transistors) 22, 23, 24, 25.
  • the plurality of FETs 22, 23, 24, 25 are integrated into one chip.
  • the common terminal 21 is connected to the antenna terminal 10.
  • the plurality of FETs 22, 23, 24, 25 are connected one-to-one with the plurality of filters 30 and the second inductor L2.
  • One end of the FET 22 is connected to the first filter 31, and the other end of the FET 22 is connected to the common terminal 21.
  • One end of the FET 23 is connected to the second filter 32, and the other end of the FET 23 is connected to the common terminal 21.
  • One end of the FET 24 is connected to the third filter 33, and the other end of the FET 24 is connected to the common terminal 21.
  • One end of the FET 25 is connected to the second inductor L2, and the other end of the FET 25 is connected to the common terminal 21.
  • the switch 20 switches the connection target connected to the antenna terminal 10 from the plurality of filters 30 and the second inductor L2.
  • Each of the plurality of filters 30 is a reception filter that passes a reception signal in a predetermined frequency band received by the antenna 510.
  • Each of the plurality of filters 30 is, for example, a ladder type filter and has a plurality of (for example, four) series arm resonators and a plurality of (for example, three) parallel arm resonators.
  • Each of the plurality of filters 30 is, for example, an elastic wave filter.
  • each of the plurality of series arm resonators and the plurality of parallel arm resonators is composed of elastic wave resonators.
  • the surface acoustic wave filter is, for example, a surface acoustic wave filter that utilizes a surface acoustic wave.
  • each of the plurality of series arm resonators and the plurality of parallel arm resonators is, for example, a SAW (Surface Acoustic Wave) resonator.
  • Each of the plurality of filters 30 is not limited to the SAW filter.
  • Each of the plurality of filters 30 may be, for example, a BAW (Bulk Acoustic Wave) filter other than the SAW filter.
  • the resonator in the BAW filter is, for example, FBAR (Film Bulk Acoustic Resonator) or SMR (Solidly Mounted Resonator).
  • the BAW filter has a substrate.
  • the substrate of the BAW filter is, for example, a silicon substrate.
  • the plurality of filters 30 are connected to the switch 20.
  • the plurality of filters 30 are connected one-to-one to the plurality of matching circuits 40.
  • the input terminal of the first filter 31 is connected to the FET 22 included in the switch 20, and the output terminal of the first filter 31 is connected to the first matching circuit 41 among the plurality of matching circuits 40.
  • the input terminal of the second filter 32 is connected to the FET 23 included in the switch 20, and the output terminal of the second filter 32 is connected to the second matching circuit 42 of the plurality of matching circuits 40.
  • the input terminal of the third filter 33 is connected to the FET 24 included in the switch 20, and the output terminal of the third filter 33 is connected to the third matching circuit 43 among the plurality of matching circuits 40.
  • the first filter 31 is mounted on the first main surface 101 of the mounting board 100 and passes the first high frequency signal in the first frequency band.
  • the first high frequency signal is a received signal (first received signal).
  • the first frequency band includes, for example, the frequency band of n77 of the 5G standard.
  • the frequency band of n77 is 3300 MHz to 4200 MHz.
  • the second filter 32 is mounted on the first main surface 101 of the mounting board 100 and passes the second high frequency signal in the second frequency band.
  • the second high frequency signal is a received signal (second received signal).
  • the second frequency band includes, for example, the frequency band of n1 of the 5G standard.
  • the frequency band of n1 is 2110 MHz to 2170 MHz.
  • the third filter 33 is mounted on the first main surface 101 of the mounting board 100 and passes the third high frequency signal in the third frequency band.
  • the third high frequency signal is a received signal (third received signal).
  • the third frequency band includes, for example, the frequency band of n3 of the 5G standard.
  • the frequency band of n3 is 1805 MHz to 1880 MHz.
  • the plurality of matching circuits 40 are connected to the plurality of filters 30 on a one-to-one basis.
  • the plurality of matching circuits 40 are connected to the plurality of low noise amplifiers 50 on a one-to-one basis.
  • the input terminal of the first matching circuit 41 is connected to the first filter 31, and the output terminal of the first matching circuit 41 is connected to the first low noise amplifier 51 among the plurality of low noise amplifiers 50.
  • the first matching circuit 41 performs impedance matching between the first low noise amplifier 51 and the first filter 31.
  • the input terminal of the second matching circuit 42 is connected to the second filter 32, and the output terminal of the second matching circuit 42 is connected to the second low noise amplifier 52 among the plurality of low noise amplifiers 50.
  • the second matching circuit 42 performs impedance matching between the second low noise amplifier 52 and the second filter 32.
  • the input terminal of the third matching circuit 43 is connected to the third filter 33, and the output terminal of the third matching circuit 43 is connected to the third low noise amplifier 53 among the plurality of low noise amplifiers 50.
  • the third matching circuit 43 performs impedance matching between the third low noise amplifier 53 and the third filter 33.
  • the plurality of low noise amplifiers 50 amplify the received signal.
  • the first low noise amplifier 51 amplifies the first received signal.
  • the second low noise amplifier 52 amplifies the second received signal.
  • the third low noise amplifier 53 amplifies the third received signal.
  • the input terminal of the first low noise amplifier 51 is connected to the first matching circuit 41, and the output terminal of the first low noise amplifier 51 is connected to the signal output terminal 61.
  • the input terminal of the second low noise amplifier 52 is connected to the second matching circuit 42, and the output terminal of the second low noise amplifier 52 is connected to the signal output terminal 62.
  • the input terminal of the third low noise amplifier 53 is connected to the third matching circuit 43, and the output terminal of the third low noise amplifier 53 is connected to the signal output terminal 63.
  • the plurality of signal output terminals 61, 62, 63 are connected to the RF signal processing circuit 502. That is, the first low noise amplifier 51 goes through the signal output terminal 61, the second low noise amplifier 52 goes through the signal output terminal 62, and the third low noise amplifier 53 goes through the signal output terminal 63 to the RF signal processing circuit 502. Each is connected.
  • the second inductor L2 is, for example, a chip inductor.
  • the inductance value of the second inductor L2 is, for example, 5 nH.
  • One end of the second inductor L2 is connected to the FET 25 of the switch 20, and the other end of the second inductor L2 is connected to the ground.
  • the first inductor L1 is, for example, a chip inductor.
  • the inductance value of the first inductor L1 is equal to or less than the inductance value of the second inductor.
  • the inductance value of the first inductor L1 is, for example, 5 nH.
  • One end of the first inductor L1 is connected to a path between the antenna terminal 10 and the plurality of filters 30. Specifically, the one end of the first inductor L1 is connected between the antenna terminal 10 and the common terminal 21. The other end of the first inductor L1 is connected to the path between the second inductor L2 and the switch 20 (FET 25).
  • one end of the second inductor L2 is connected to the switch 20 (FET25), and the other end of the second inductor L2 is connected to the ground.
  • One end of the first inductor L1 is connected to the path between the antenna terminal 10 and the plurality of filters 30, and the other end of the first inductor L1 is connected to the path between the second inductor L2 and the switch 20. Has been done.
  • the switch 20 (FET 25) when the switch 20 (FET 25) is off, that is, when the second inductor L2 and the antenna terminal 10 are not connected, the first inductor L1 and the second inductor L2 are connected in series. Since the inductance value of the first inductor L1 and the inductance value of the second inductor L2 are each 5 nH, the combined inductance value is 10 nH. Further, when the switch 20 (FET 25) is off, an off capacitance is generated in the switch 20 (FET 25).
  • the LC resonance frequency (resonance frequency) based on the off capacitance of the switch 20 (FET 25) and the combined inductance value and at least one filter 30 (for example, the first filter 31) among the plurality of filters 30 pass through.
  • the relationship with the frequency band of the signal is shown in FIG. 3A.
  • the switch 20 when the switch 20 (FET 25) is on, that is, when the second inductor L2 and the antenna terminal 10 are connected, an off capacitance is generated in the switch 20 (FET 25), and the inductance of the second inductor L2.
  • the frequency based on the value is the LC resonance frequency.
  • the LC resonance frequency based on the off capacitance of the switch 20 (FET 25) and the inductance value of the second inductor L2, and the filter 30 (for example, the first filter 31) of at least one of the plurality of filters 30.
  • the relationship with the frequency band of the passing signal is shown in FIG. 3A.
  • the one-dot chain line curve G1 shown in FIG. 3A represents the frequency band of the signal passing by the first filter 31.
  • the frequency band of the signal passed by the first filter 31 includes the frequency band of n77 of the 5G standard (3.3 GHz to 4.2 GHz).
  • the solid curve G10 is an LC resonance frequency based on the off capacitance of the switch 20 (FET 25) and the combined inductance value when the second inductor L2 and the antenna terminal 10 are not connected (FET 25 is off). show.
  • the broken line curve G11 is an LC based on the off capacitance of the switch 20 (FET25) and the inductance value of the second inductor L2 when the second inductor L2 and the antenna terminal 10 are in the connected state (FET25 is on). Represents the resonance frequency.
  • the LC resonance frequency based on the off capacitance of the switch 20 (FET25) and the combined inductance value is 6.9 GHz or more. It is 7.4 GHz. That is, when the second inductor L2 and the switch 20 are not connected, the LC resonance frequency based on the off capacitance of the switch 20 and the combined inductance value is the frequency band of the signal passed by the first filter 31. It is on the high frequency side.
  • the LC resonance frequency based on the off capacitance of the switch 20 and the combined inductance value is set to two or more filters out of the plurality of filters 30.
  • the LC resonance frequency based on the off capacitance of the switch 20 and the combined inductance value is the filter 30 of at least one of the plurality of filters 30. It suffices if it is on the high frequency side of the frequency band of the signal passed by.
  • the LC resonance frequency based on the off capacitance of the switch 20 (FET 25) and the inductance value of the second inductor L2 is , Is not included in the frequency band of the signal passed by the first filter 31.
  • the LC resonance frequency based on the off capacitance of the switch 20 (FET 25) and the inductance value of the second inductor L2 is the other filter 30 (third filter 30). It may not be included in the frequency band of the signal passed by the 2 filter 32 and the 3rd filter 33).
  • the LC resonance frequency passes through the first filter 31 in both cases where the second inductor L2 and the antenna terminal 10 are in the non-connected state and the second inductor L2 and the antenna terminal 10 are in the connected state. Not included in the frequency band of the signal. Therefore, stable communication can be performed.
  • the high frequency module 1 further includes a mounting board 100 (see FIG. 2).
  • the mounting board 100 has a first main surface 101 and a second main surface 102 facing each other in the thickness direction D1 of the mounting board 100.
  • the mounting board 100 is, for example, a printed wiring board, an LTCC (Low Temperature Co-fired Ceramics) board, an HTCC (High Temperature Co-fired Ceramics) board, and a resin multilayer board.
  • the mounting substrate 100 is, for example, a multilayer substrate including a plurality of dielectric layers and a plurality of conductive layers. The plurality of dielectric layers and the plurality of conductive layers are laminated in the thickness direction D1 of the mounting substrate 100. The plurality of conductive layers are formed in a predetermined pattern defined for each layer.
  • Each of the plurality of conductive layers includes one or a plurality of conductor portions in one plane orthogonal to the thickness direction D1 of the mounting substrate 100.
  • the material of each conductive layer is, for example, copper.
  • the plurality of conductive layers include a ground layer.
  • one or more ground terminals included in the plurality of external connection terminals 130 (see FIG. 2) and a ground layer are connected via a via conductor or the like included in the mounting substrate 100.
  • the mounting board 100 is not limited to the printed wiring board and the LTCC board, but may be a wiring structure.
  • the wiring structure is, for example, a multi-layer structure.
  • the multilayer structure includes at least one insulating layer and at least one conductive layer.
  • the insulating layer is formed in a predetermined pattern. When there are a plurality of insulating layers, the plurality of insulating layers are formed in a predetermined pattern determined for each layer.
  • the conductive layer is formed in a predetermined pattern different from the predetermined pattern of the insulating layer. When there are a plurality of conductive layers, the plurality of conductive layers are formed in a predetermined pattern determined for each layer.
  • the conductive layer may include one or more rewiring portions.
  • the first surface is the first main surface 101 of the mounting board 100
  • the second surface is the second main surface 102 of the mounting board 100.
  • the wiring structure may be, for example, an interposer.
  • the interposer may be an interposer using a silicon substrate or a substrate composed of multiple layers.
  • the first main surface 101 and the second main surface 102 of the mounting board 100 are separated from each other in the thickness direction D1 of the mounting board 100, and intersect with the thickness direction D1 of the mounting board 100.
  • the first main surface 101 of the mounting board 100 is, for example, orthogonal to the thickness direction D1 of the mounting board 100, but may include, for example, the side surface of the conductor portion as a surface not orthogonal to the thickness direction D1.
  • the second main surface 102 of the mounting board 100 is, for example, orthogonal to the thickness direction D1 of the mounting board 100, but includes, for example, the side surface of the conductor portion as a surface not orthogonal to the thickness direction D1. You may.
  • the first main surface 101 and the second main surface 102 of the mounting substrate 100 may be formed with fine irregularities, concave portions or convex portions.
  • the mounting board 100 has a rectangular shape in a plan view from the thickness direction D1 of the mounting board 100, but the mounting board 100 is not limited to this, and may be, for example, a square shape.
  • the high-frequency module 1 has a switch 20, a plurality of (three in the illustrated example) filters 30, a plurality of (three in the illustrated example) matching circuits 40, and a plurality of (three in the illustrated example) as a plurality of circuit components.
  • the low noise amplifier 50 of 3), the first inductor L1 and the second inductor L2 are provided.
  • Each of the plurality of circuit components of the high frequency module 1 is mounted on the first main surface 101 or the second main surface 102 of the mounting board 100.
  • the circuit component is mounted on the first main surface 101 (or the second main surface 102) of the mounting board 100" means that the circuit component is arranged on the mounting board 100 (mechanically connected).
  • the circuit board is connected to the mounting board 100 (appropriate conductor portion). Therefore, in the high frequency module 1, each of the plurality of circuit components is arranged on the first main surface 101 or the second main surface 102 of the mounting board 100.
  • the plurality of circuit components are not limited to the electronic components mounted on the mounting board 100, and may include circuit elements provided in the mounting board 100. In FIG. 2, the illustration of a plurality of wirings composed of the conductor portion, the via conductor, and the like of the mounting board 100 is omitted.
  • the first inductor L1 and the second inductor L2 are mounted on the first main surface 101 of the mounting board 100 (see FIG. 2). Therefore, the first inductor L1 and the second inductor L2 are arranged on the first main surface 101 of the mounting board 100.
  • a plurality of (three in the illustrated example) filters 30 (filters) and a plurality of (three in the illustrated example) matching circuits 40 are mounted on the first main surface 101 of the mounting board 100. Has been done.
  • the switch 20 is mounted on the second main surface 102 (see FIG. 2). Therefore, in the high frequency module 1, the switch 20 is arranged on the second main surface 102 of the mounting board 100.
  • a plurality of low noise amplifiers 50 are mounted on the second main surface 102. Therefore, in the high frequency module 1, the plurality of low noise amplifiers 50 are arranged on the second main surface 102 of the mounting board 100.
  • the switch 20 and the low noise amplifier 50 may be integrated into one chip.
  • the high frequency module 1 includes a plurality of external connection terminals 130 (only one is shown in FIG. 2).
  • the plurality of external connection terminals 130 are arranged on the second main surface 102 of the mounting board 100.
  • the material of the plurality of external connection terminals 130 is, for example, a metal (for example, copper, a copper alloy).
  • Each of the plurality of external connection terminals 130 is a columnar electrode.
  • the columnar electrode is, for example, a columnar electrode.
  • the plurality of external connection terminals 130 have the same shape, but may have different shapes.
  • the plurality of external connection terminals 130 include an antenna terminal 10, one or more ground terminals, and signal output terminals 61, 62, 63 (see FIG. 1). One or more ground terminals are connected to the ground layer of the mounting board 100 as described above.
  • the ground layer is the circuit ground of the high frequency module 1, and the plurality of circuit components of the high frequency module 1 include circuit components connected to the ground layer.
  • the high frequency module 1 further includes a resin layer 110 (hereinafter, also referred to as a first resin layer 110).
  • the first resin layer 110 covers a plurality of circuit components arranged on the first main surface 101 of the mounting board 100 on the first main surface 101 side of the mounting board 100.
  • the first resin layer 110 seals a plurality of circuit components arranged on the first main surface 101 of the mounting substrate 100.
  • the first resin layer 110 contains a resin.
  • the first resin layer 110 may contain a filler in addition to the resin.
  • the high frequency module 1 further includes a resin layer 120 (hereinafter, also referred to as a second resin layer 120).
  • the second resin layer 120 is arranged on the second main surface 102 of the mounting substrate 100.
  • the second resin layer 120 covers a plurality of circuit components mounted on the second main surface 102 of the mounting board 100 and a part of each of the plurality of external connection terminals 130 on the second main surface 102 side of the mounting board 100. ing.
  • the second resin layer 120 is formed so as to expose the tip surface of each of the plurality of external connection terminals 130.
  • the second resin layer 120 contains a resin.
  • the second resin layer 120 may contain a filler in addition to the resin.
  • the material of the second resin layer 120 may be the same material as the material of the first resin layer 110, or may be a different material.
  • the high frequency module 1 includes an antenna terminal 10, a switch 20, a plurality of filters 30, a first inductor L1 and a second inductor L2.
  • the switch 20 is connected to the antenna terminal 10.
  • the plurality of filters 30 are connected to the switch 20.
  • the switch 20 is configured so that at least two of the plurality of filters 30 can be connected at the same time as the antenna terminal 10.
  • One end of the second inductor L2 is connected to the switch 20, and the other end of the second inductor L2 is connected to the ground.
  • the switch 20 switches the connection target connected to the antenna terminal 10 from the plurality of filters 30 and the second inductor L2.
  • One end of the first inductor L1 is connected to the path between the antenna terminal 10 and the plurality of filters 30, and the other end of the first inductor L1 is connected to the path between the second inductor L2 and the switch 20. Has been done.
  • the high frequency module of the comparative example includes a plurality of filters, a switch provided between each of the plurality of filters and the signal port, a first inductor connected between the switch and the signal port, and a switch. It includes a connected second inductor. One end of the first inductor is connected between the switch and the signal port (antenna terminal), and the other end of the first inductor is connected to the ground. One end of the second inductor is connected to the switch and the other end of the second inductor is connected to ground.
  • the frequency based on the off capacitance of the switch and the second inductor is the LC resonance frequency.
  • the frequency based on the off capacitance of the switch and the combined inductor of the first inductor and the second inductor becomes the LC resonance frequency.
  • FIG. 3B shows the LC resonance frequency in the high frequency module of the comparative example and the frequency band of the signal passing through at least one of the plurality of filters (hereinafter referred to as “filter of the comparative example”) (for example, n77 of the 5G standard). The relationship with the frequency band) is shown in FIG. 3B.
  • filter of the comparative example for example, n77 of the 5G standard.
  • the one-dot chain line curve G1 shown in FIG. 3B represents the frequency band (frequency band of n77 of the 5G standard) of the signal passed by the filter of the comparative example.
  • the frequency band of the signal passed by the filter of the comparative example includes the frequency band of n77 of the 5G standard (3.3 GHz to 4.2 GHz).
  • the solid line curve G20 represents the LC resonance frequency based on the off capacitance of the switch and the inductance value of the second inductor when the second inductor of the high frequency module of the comparative example and the communication port are not connected.
  • the broken line curve G21 is an LC based on the off capacitance of the switch and the inductance value of the combined inductance of the first inductor and the second inductor when the second inductor of the high frequency module of the comparative example and the communication port are in the connected state. Represents the resonance frequency.
  • the LC resonance frequency is 3.3 GHz to 4.0 GHz when the second inductor of the high frequency module of the comparative example and the communication port are not connected. That is, the LC resonance frequency when the second inductor of the high frequency module of the comparative example and the communication port are not connected is included in the frequency band of the signal passed by the filter of the comparative example.
  • the LC resonance frequency when the second inductor of the high frequency module of the comparative example and the communication port are in the connected state is not included in the frequency band of the signal passed by the filter of the comparative example. ..
  • the LC resonance frequency is included in the frequency band of the signal passed by the filter of the comparative example. Therefore, signal loss occurs and stable communication cannot be performed.
  • LC is used regardless of whether the second inductor L2 and the antenna terminal 10 are in the non-connected state or the second inductor L2 and the antenna terminal 10 are in the connected state.
  • the resonance frequency is not included in the frequency band of the signal passed by the first filter 31. Therefore, stable communication can be performed.
  • the first inductor and the second inductor of the conventional example are respectively. It is necessary to set the inductance value of 10 nH.
  • the inductance value is higher than before.
  • the values of the first inductor and the second inductor can be reduced.
  • the inductance value of the LC resonance frequency is 10 nH in the off state of the switch of the conventional example, and the inductance value of the LC resonance frequency is 5 nH in the on state of the switch of the conventional example.
  • the inductance values of the first inductor L1 and the second inductor L2 are 5 nH, which are smaller than the inductance values of the first inductor and the second inductor of the conventional example.
  • the switch 20 (FET 25) is in the off state
  • the inductance value of the LC resonance frequency is the combined inductor value “10 nH” of the first inductor L1 and the second inductor L2.
  • the switch 20 (FET 25) is in the ON state
  • the inductance value of the LC resonance frequency is the inductance value “5nH” of the second inductor L2.
  • the off capacitance of the LC resonance frequency is constant, but the inductance value can be reduced.
  • the resonance point of the LC resonance frequency exists on the high frequency side of the frequency band of the signal passing by the first filter 31.
  • the high frequency module 1 can perform stable communication.
  • the high frequency module 1A according to the first modification is different from the high frequency module 1 according to the first embodiment in that a plurality of external connection terminals 130 are ball bumps 131. Further, the high frequency module 1A according to the first modification is different from the high frequency module 1 according to the first embodiment in that the second resin layer 120 of the high frequency module 1 according to the first embodiment is not provided.
  • the high frequency module 1A according to the first modification may include an underfill portion provided in a gap between the switch 20 and the second main surface 102 of the mounting board 100.
  • the material of the ball bump 131 constituting each of the plurality of external connection terminals 130 is, for example, gold, copper, solder, or the like.
  • the plurality of external connection terminals 130 may include an external connection terminal 130 composed of ball bumps 131 and an external connection terminal 130 composed of columnar electrodes.
  • the high frequency module 1A according to the modification 1 can perform stable communication in the same manner as the high frequency module 1.
  • circuit components are configured to be mounted on the first main surface 101 or the second main surface 102 of the mounting board 100, but are not limited to this configuration.
  • the circuit component may be mounted only on the first main surface 101 of the mounting board 100.
  • both the first inductor L1 and the second inductor L2 are configured to be chip inductors, but the configuration is not limited to this.
  • the first inductor L1 includes a first conductor pattern layer as a conductor pattern, and may be arranged on the main surface on which the first inductor L1 is mounted among the first main surface 101 and the second main surface. Alternatively, the first pattern layer of the first inductor L1 may be arranged inside the mounting board 100.
  • the second inductor L2 includes a second conductor pattern layer as a conductor pattern, and may be arranged on the main surface of the first main surface 101 and the second main surface on which the second inductor L2 is mounted. Alternatively, the second pattern layer of the second inductor L2 may be arranged inside the mounting board 100.
  • the first inductor L1 has a first conductor pattern layer
  • the second inductor L2 has a second conductor pattern layer.
  • the first conductor pattern layer and the second conductor pattern layer are arranged on any of the first main surface 101, the second main surface 102, and the inside of the mounting board 100 of the mounting board 100.
  • the first inductor L1 may include both the first conductor pattern layer and the chip inductor.
  • the second inductor L2 may include both a second conductor pattern layer and a chip inductor.
  • the high frequency module according to the present invention may also be applied to a high frequency module of a transmission system that inputs a high frequency transmission signal output from the RF signal processing circuit 502 and outputs it to an antenna 510 or the like.
  • the high frequency module of the transmission system includes, for example, a plurality of power amplifiers for amplifying the transmission signal instead of the plurality of low noise amplifiers 50.
  • the plurality of filters 30 are transmission filters that pass the transmission signal of the predetermined frequency band output from the signal processing circuit 501 and output to the antenna terminal 10.
  • the plurality of matching circuits 40 are connected one-to-one to the plurality of filters 30 (transmission filters).
  • the plurality of matching circuits 40 are connected one-to-one to a plurality of power amplifiers.
  • Each of the plurality of matching circuits 40 performs impedance matching between the connected filter 30 and the power amplifier.
  • the transmission signal flows in the order of the power amplifier, the matching circuit 40, the filter 30, the switch 20, and the antenna terminal 10.
  • the second embodiment is different from the first embodiment in that the high frequency module 1B includes a third inductor L3 connected in series with the second inductor L2.
  • the points different from those of the first embodiment will be mainly described.
  • the same components as those in the first embodiment are designated by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted as appropriate.
  • the high-frequency module 1B includes an antenna terminal 10, a switch 20B, a plurality of (three in the illustrated example) filters 30, and a plurality of (three in the illustrated example) matching circuits 40.
  • a plurality of (three in the illustrated example) low noise amplifiers 50, a first inductor L1, a second inductor L2, and a third inductor L3 are provided.
  • the switch 20B is configured so that at least two of the plurality of filters 30 can be connected at the same time as the antenna terminal 10.
  • the switch 20B further includes an FET 26 in addition to the components of the switch 20. One end of the FET 26 is connected to the first inductor L1 and the third inductor L3, and the other end of the FET 26 is connected to the common terminal 21.
  • the switch 20B (FET 26) switches between connection and non-connection between the third inductor L3 and the antenna terminal 10.
  • One end of the first inductor L1 of the second embodiment is connected to a path between the antenna terminal 10 and the plurality of filters 30. Specifically, the one end of the first inductor L1 is connected between the antenna terminal 10 and the common terminal 21. The other end of the first inductor L1 is connected to the third inductor L3 and the switch 20B (FET 26).
  • the third inductor L3 is, for example, a chip inductor.
  • the inductance value of the third inductor L3 is, for example, 5 nH.
  • the third inductor L3 is connected in series with the second inductor L2.
  • One end of the third inductor L3 is connected to the other end of the first inductor L1 and the switch 20B (FET 26).
  • the other end of the third inductor L3 is connected to the ground via the second inductor L2 by being connected to one end of the second inductor L2.
  • the combined inductance value used as the LC resonance frequency characteristic is all of the first inductor L1, the second inductor L2, and the third inductor L3. It is the value of the composite inductor.
  • the first inductor L1, the second inductor L2, and the third inductor L3 are connected in series, so that the combined inductance value is 15 nH.
  • the combined inductance value used as the LC resonance frequency characteristic is the value of the combined inductor of the second inductor L2 and the third inductor L3.
  • the second inductor L2 and the third inductor L3 are connected in series, so that the combined inductance value is 10 nH.
  • the combined inductance value used as the LC resonance frequency characteristic is the value of the second inductor L2, for example, 5 nH.
  • the high frequency module 1B of the second embodiment can perform stable communication as in the high frequency module 1.
  • the arrangement position of the first inductor L1 is different from that of the first embodiment.
  • the points different from those of the first embodiment will be mainly described.
  • the same components as those in the first embodiment are designated by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted as appropriate.
  • the high-frequency module 1C includes an antenna terminal 10, a switch 20C, a plurality of (three in the illustrated example) filters 30, and a plurality of (three in the illustrated example) matching circuits 40.
  • a plurality of (three in the illustrated example) low noise amplifiers 50, a first inductor L1 and a second inductor L2 are provided.
  • the switch 20C is configured so that at least two of the plurality of filters 30 can be connected at the same time as the antenna terminal 10.
  • the switch 20C further includes an FET 27 in addition to the components of the switch 20. One end of the FET 27 is connected to the first inductor L1, and the other end of the FET 27 is connected to the common terminal 21.
  • the switch 20C (FET 27) switches between connection and non-connection between the first inductor L1 and the antenna terminal 10.
  • One end of the first inductor L1 can be connected to the path between the antenna terminal 10 and the plurality of filters 30 via the switch 20C (FET 27).
  • the other end of the first inductor L1 is connected to the second inductor L2 and is connected to the ground via the second inductor L2.
  • the switch 20C (FET27) switches between connection and non-connection between the first inductor L1 and the antenna terminal 10.
  • the combined inductance value used as the LC resonance frequency characteristic is the value of the combined inductor of the first inductor L1 and the second inductor L2. .
  • the first inductor L1 and the second inductor L2 are connected in series, so that the combined inductance value is 10 nH.
  • the combined inductance value used as the LC resonance frequency characteristic is the value of the second inductor L2, for example, 5 nH.
  • the high frequency module 1C of the third embodiment can perform stable communication as in the high frequency module 1.
  • the configurations of the first inductor L1 and the second inductor L2 are different from those of the first embodiment.
  • the points different from those of the first embodiment will be mainly described.
  • the same components as those in the first embodiment are designated by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted as appropriate.
  • the high frequency module 1D includes an antenna terminal 10, a switch 20, a plurality of (three in the illustrated example) filters 30, and a plurality of (three in the illustrated example) matching circuits. 40, a plurality of low noise amplifiers 50 (three in the illustrated example), a fourth inductor L4, a fifth inductor L11, and a mounting board 100 are provided.
  • the mounting substrate 100 of the fourth embodiment is, for example, a multilayer board including a plurality of dielectric layers and a plurality of conductive layers, as in the first embodiment.
  • the fifth inductor L11 is, for example, a chip inductor (see FIG. 8). One end of the fifth inductor L11 is connected to a path between the antenna terminal 10 and the plurality of filters 30. Specifically, the one end of the fifth inductor L11 is connected between the antenna terminal 10 and the common terminal 21. The other end of the fifth inductor L11 is connected to the fourth inductor L4.
  • the fourth inductor L4 includes a sixth inductor L12 and a second inductor L2.
  • One end of the sixth inductor L12 is connected to the other end of the fifth inductor L11.
  • the other end of the sixth inductor L12 is connected to one end of the second inductor L2.
  • the other end of the second inductor L2 is connected to the ground.
  • One end of the FET 25 is connected to a connection point P1 between the second inductor L2 and the sixth inductor L12, that is, a connection point P1 at a certain point of the fourth inductor L4.
  • the other end of the FET 25 is connected to the common terminal 21.
  • the fifth inductor L11 and the sixth inductor L12 constitute the first inductor L1. That is, the first inductor L1 includes the fifth inductor L11 and the sixth inductor L12.
  • the fourth inductor L4 includes a plurality of conductor pattern layers which are conductor patterns. That is, each of the sixth inductor L12 and the second inductor L2 includes a conductor pattern layer.
  • the conductor pattern layer (first conductor pattern layer 150) included in the sixth inductor L12 and the conductor pattern layer (second conductor pattern layer 160) included in the second inductor L2 are a plurality of mounting boards 100 which are multilayer boards. It is arranged in two or more continuous dielectric layers among the dielectric layers (see FIG. 8). In FIG. 8, the dielectric layer and the via conductor connecting the conductor patterns of two or more continuous dielectric layers are omitted.
  • the inductance value of the first inductor L1 is equal to or less than the inductance value of the second inductor, as in the first embodiment.
  • the inductance value of the inductor is proportional to the square of the number of turns. Therefore, in the fourth embodiment, the total value of the number of turns of the fifth inductor L11 and the number of turns of the sixth inductor L12 is equal to or less than the number of turns of the second inductor L2. As a result, the inductance value of the first inductor L1 becomes equal to or less than the inductance value of the second inductor L2.
  • the high frequency module 1D of the fourth embodiment can perform stable communication as in the high frequency module 1.
  • the high frequency module (1; 1A; 1B; 1C; 1D) of the first aspect includes an antenna terminal (10), a switch (20; 20B; 20C), and a plurality of filters (30).
  • the switch (20; 20B; 20C) is connected to the antenna terminal (10).
  • the plurality of filters (30) are connected to switches (20; 20B; 20C).
  • the switch (20; 20B; 20C) is configured so that at least two filters (30) out of a plurality of filters (30) can be connected at the same time as the antenna terminal (10).
  • One end of the second inductor (L2) is connected to the switch (20; 20B; 20C), and the other end of the second inductor (L2) is connected to the ground.
  • the switch (20; 20B; 20C) switches the connection target connected to the antenna terminal (10) from the plurality of filters (30) and the second inductor (L2).
  • One end of the first inductor (L1) is connected to the path between the antenna terminal (10) and the plurality of filters (30), and the other end of the first inductor (L1) is the second inductor (L2). Is connected to the path between the switch (20; 20B; 20C) and the switch (20; 20B; 20C).
  • the LC resonance frequency can be adjusted so as not to be included in the frequency band of the signal passed by the first filter (31). Therefore, stable communication can be performed.
  • the switch (20; 20B) has a common terminal (21) connected to the antenna terminal (10). ing. The one end of the first inductor (L1) is connected between the antenna terminal (10) and the common terminal (21).
  • the high frequency module (1B) of the third aspect further includes a third inductor (L3) in the first or second aspect.
  • the third inductor (L3) is connected in series with the second inductor (L2).
  • One end of the third inductor (L3) is connected to the other end of the first inductor (L1) and the switch (20B), and the other end of the third inductor (L3) is grounded via the second inductor (L2). It is connected to the.
  • the switch (20B) switches between connection and non-connection between the third inductor (L3) and the antenna terminal (10).
  • the one end of the first inductor (L1) is between the antenna terminal (10) and the plurality of filters (30). It is possible to connect to the path of (20C) via a switch (20C).
  • the switch (20C) switches between connection and non-connection between the first inductor (L1) and the antenna terminal (10).
  • the high frequency module (1; 1A; 1B; 1C; 1D) of the fifth aspect further includes a mounting substrate (100) in any one of the first to fourth aspects.
  • the mounting substrate (100) has a first main surface (101) and a second main surface (102) facing each other.
  • the first inductor (L1) and the second inductor (L2) are mounted on the first main surface (101) of the mounting board (100).
  • the high frequency module (1; 1A; 1B; 1C; 1D) of the sixth aspect further includes a mounting substrate (100) in any one of the first to fourth aspects.
  • the mounting substrate (100) has a first main surface (101) and a second main surface (102) facing each other.
  • One of the first inductor (L1) and the second inductor (L2) is mounted on the first main surface (101) of the mounting board (100).
  • the other of the first inductor (L1) and the second inductor (L2) is mounted on the second main surface (102) of the mounting board (100).
  • the high frequency module (1; 1A; 1B; 1C; 1D) of the seventh aspect further includes a mounting substrate (100) in any one of the first to fourth aspects.
  • the mounting substrate (100) has a first main surface (101) and a second main surface (102) facing each other.
  • the first inductor (L1) has a first conductor pattern layer (for example, a first conductor pattern layer 150).
  • the second inductor (L2) has a second conductor pattern layer (for example, a second conductor pattern layer 160).
  • the first conductor pattern layer and the second conductor pattern layer are arranged on any of the first main surface (101), the second main surface (102), and the inside of the mounting substrate (100) of the mounting substrate (100). There is.
  • the mounting substrate (100) is a multilayer substrate including a plurality of dielectric layers and a plurality of conductive layers.
  • the first conductor pattern layer and the second conductor pattern layer are arranged on two or more continuous dielectric layers among the plurality of dielectric layers of the multilayer substrate.
  • the height of the high frequency module (1) can be reduced.
  • the high frequency module (1; 1A; 1B; 1C; 1D) of the ninth aspect in any one of the first to eighth aspects, between the second inductor (L2) and the switch (20; 20B; 20C). Resonance based on the off capacitance of the switch (20; 20B; 20C) generated in the non-connected state and the combined inductance of the first inductor (L1) and the second inductor (L2) when is in the non-connected state.
  • the frequency is on the high frequency side of the frequency band of the signal passed by at least one of the plurality of filters (30) (for example, the first filter 31).
  • the resonance frequency is surely not included in the frequency band of the signal passed by the first filter (31). Can be adjusted to. Therefore, stable communication can be performed.
  • the switch (20; 20B; 20C) has a FET (for example, FET 25). ing.
  • the FET can be used to switch between connection and non-connection of the second inductor (L2).
  • the inductance value of the first inductor (L1) is the same as that of the second inductor (L2). It is less than or equal to the inductance value.
  • the communication device (500) of the twelfth aspect includes the high frequency module (1) of any one of the first to eleventh aspects and a signal processing circuit (501) for processing a signal passing through the high frequency module (1). Be prepared.

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Abstract

より安定した通信を行う。高周波モジュール（１）は、アンテナ端子（１０）と、アンテナ端子（１０）に接続されたスイッチ（２０）と、スイッチ（２０）に接続された複数のフィルタ（３０）と、第１インダクタ（Ｌ１）と、第２インダクタ（Ｌ２）と、を備える。第２インダクタ（Ｌ２）の一端はスイッチ（２０）に接続され、第２インダクタ（Ｌ２）の他端はグランドに接続されている。スイッチ（２０）は、複数のフィルタ（３０）及び第２インダクタ（Ｌ２）の中からアンテナ端子（１０）に接続される接続対象を切り替える。第１インダクタ（Ｌ１）の一端はアンテナ端子（１０）と複数のフィルタ（３０）との間の経路に接続され、第１インダクタ（Ｌ１）の他端は第２インダクタ（Ｌ２）とスイッチ（２０）との間の経路に接続されている。

Description

高周波モジュール及び通信装置
　本発明は、一般に高周波モジュール及び通信装置に関し、より詳細には複数のフィルタを備える高周波モジュール及び通信装置に関する。
　従来、通信に用いる周波数帯域、複数の周波数帯域での同時通信時において、最適なインピーダンスとなるようにインピーダンスを調整する技術が知られている（特許文献１参照）。
　特許文献１では、複数のフィルタと、複数のフィルタのそれぞれと信号ポートとの間に設けられたスイッチと、スイッチと信号ポートとの間に接続された第１インダクタと、スイッチに接続された第２インダクタと、を備えるシステムが記載されている。第１インダクタの一端は、スイッチと信号ポートとの間に接続され、第１インダクタの他端はグランドに接続されている。第２インダクタの一端は、スイッチに接続され、第２インダクタの他端はグランドに接続されている。
　特許文献１では、第２インダクタの接続の有無を切り替えることで、１つの周波数帯域で通信を行う場合、及び複数の周波数帯域で同時通信を行う場合のそれぞれに応じた、最適なインピーダンスを調整する。
米国特許出願公開第２０１８／００７６８３４号明細書
　第２インダクタが接続されていない状態では、スイッチのオフ容量と第２インダクタのインダクタンス値とによるＬＣ共振の周波数（ＬＣ共振周波数）が、通信に使用する周波数帯域に含まれる可能性がある。この場合、通信において信号のロスが生じ、安定した通信ができなくなる。
　本発明は上記課題に鑑みてなされ、より安定した通信を行うことができる高周波モジュール及び通信装置を提供することを目的とする。
　本発明の一態様に係る高周波モジュールは、アンテナ端子と、スイッチと、複数のフィルタと、第１インダクタと、第２インダクタと、を備える。前記スイッチは、前記アンテナ端子に接続されている。前記複数のフィルタは、前記スイッチに接続されている。前記スイッチは、前記複数のフィルタのうち少なくとも２つのフィルタを前記アンテナ端子に同時に接続可能に構成されている。前記第２インダクタの一端は、前記スイッチに接続されており、前記第２インダクタの他端は、グランドに接続されている。前記スイッチは、前記複数のフィルタ及び前記第２インダクタの中から前記アンテナ端子に接続される接続対象を切り替える。前記第１インダクタの一端は、前記アンテナ端子と前記複数のフィルタとの間の経路に接続されており、前記第１インダクタの他端は、前記第２インダクタと前記スイッチとの間の経路に接続されている。
　本発明の一態様に係る通信装置は、前記高周波モジュールと、前記高周波モジュールを通る信号を処理する信号処理回路と、を備える。
　本発明によると、より安定した通信を行うことができる。
図１は、実施形態１に係る高周波モジュールを示す模式的な回路図である。 図２は、同上の高周波モジュールの一部の断面図である。 図３Ａは、同上の高周波モジュールにおけるＬＣ共振周波数と、フィルタの通過帯域との関係を表すグラフである。図３Ｂは、比較例の高周波モジュールにおけるＬＣ共振周波数と、フィルタの通過帯域との関係を表すグラフである。 図４は、実施形態１の変形例１に係る高周波モジュールの一部の断面図である。 図５は、実施形態２に係る高周波モジュールを示す模式的な回路図である。 図６は、実施形態３に係る高周波モジュールを示す模式的な回路図である。 図７は、実施形態４に係る高周波モジュールを示す模式的な回路図である。 図８は、同上の高周波モジュールの内部を示す概略図である。
　以下の実施形態等において参照する図２、図４及び図８は、いずれも模式的な図であり、図中の各構成要素の大きさや厚さそれぞれの比が、必ずしも実際の寸法比を反映しているとは限らない。
　（実施形態１）
　以下、実施形態１に係る高周波モジュール１及び通信装置５００について、図１～図３を用いて説明する。
　（１）概要
　高周波モジュール１は、図１に示すように、アンテナ端子１０と、スイッチ２０と、複数（図示例では、３つ）のフィルタ３０と、複数（図示例では、３つ）の整合回路４０と、複数（図示例では、３つ）のローノイズアンプ５０と、第１インダクタＬ１と、第２インダクタＬ２と、を備える。複数のフィルタ３０は、所定の周波数帯域の受信信号（高周波信号）を通過させる受信フィルタである。高周波モジュール１は、実装基板１００を、更に備える（図２参照）。実装基板１００は、厚さ方向Ｄ１に対して互いに対向する第１主面１０１及び第２主面１０２を有している。
　以下、複数のフィルタ３０を区別する必要がある場合には、第１フィルタ３１、第２フィルタ３２及び第３フィルタ３３と記載する。複数の整合回路４０を区別する必要がある場合には、第１整合回路４１、第２整合回路４２及び第３整合回路４３と記載する。複数のローノイズアンプ５０を区別する必要がある場合には、第１ローノイズアンプ５１、第２ローノイズアンプ５２及び第３ローノイズアンプ５３と記載する。
　アンテナ端子１０は、アンテナ５１０（図１参照）と接続されている。スイッチ２０は、アンテナ５１０に対して、複数のフィルタ３０及び第２インダクタＬ２を接続可能に構成されている。スイッチ２０は、アンテナ５１０に対して、複数のフィルタ３０及び第２インダクタＬ２のうち少なくとも２つを同時に接続可能に構成されている。同時通信を行う場合には、スイッチ２０は、複数のフィルタ３０のうち少なくとも２つのフィルタ３０をアンテナ端子１０と接続可能に構成されている。例えば、第１フィルタ３１及び第２フィルタ３２を同時接続することで、第１フィルタ３１と第２フィルタ３２とで同時通信が可能になる。「同時通信が可能である」とは、３ＧＰＰ（Third Generation Partnership Project）　ＬＴＥ規格（ＬＴＥ：Long Term Evolution）で同時通信が可能であると定められている周波数帯域であれば、同時通信が可能であることとする。
　複数のフィルタ３０は、スイッチ２０に接続されている。第２インダクタＬ２の一端は、スイッチ２０に接続されている。第２インダクタＬ２の他端は、グランドに接続されている。スイッチ２０は、複数のフィルタ３０及び第２インダクタＬ２の中からアンテナ端子１０に接続される接続対象を切り替える。第１インダクタＬ１の一端は、アンテナ端子１０と複数のフィルタ３０との間の経路に接続されており、第１インダクタＬ１の他端は、第２インダクタＬ２とスイッチ２０との間の経路に接続されている。
　（２）構成
　以下、実施形態１に係る高周波モジュール１及び通信装置５００の構成について、図１及び図２を参照して説明する。
　（２．１）高周波モジュール及び通信装置の構成
　実施形態１に係る高周波モジュール１は、例えば、通信装置５００に用いられる。通信装置５００は、例えば、携帯電話（例えば、スマートフォン）であるが、これに限らず、例えば、ウェアラブル端末（例えば、スマートウォッチ）であってもよい。高周波モジュール１は、例えば、４Ｇ（第４世代移動通信）規格、５Ｇ（第５世代移動通信）規格に対応可能なモジュールである。４Ｇ規格は、例えば、３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格である。５Ｇ規格は、例えば、５Ｇ　ＮＲ（New Radio）である。高周波モジュール１は、例えば、キャリアアグリゲーション及びデュアルコネクティビティに対応可能なモジュールである。ここで、キャリアアグリゲーション及びデュアルコネクティビティとは、複数の周波数帯域の電波を同時に使用する通信をいう。実施形態１に係る高周波モジュール１では、スイッチ２０により複数のフィルタ３０のうち少なくとも２のフィルタ３０に同時に接続可能である。すなわち、実施形態１に係る高周波モジュール１では、例えば、第１フィルタ３１を通過する第１周波数帯域の第１受信信号と第２フィルタ３２を通過する第２周波数帯域の第２受信信号とを同時に受信する通信が可能である。
　高周波モジュール１は、例えば、アンテナ５１０から入力された受信信号（高周波信号）を増幅して信号処理回路５０１に出力できるように構成されている。信号処理回路５０１は、高周波モジュール１の構成要素ではなく、高周波モジュール１を備える通信装置５００の構成要素である。高周波モジュール１は、例えば、通信装置５００の備える信号処理回路５０１によって制御される。通信装置５００は、高周波モジュール１と、信号処理回路５０１と、を備える。通信装置５００は、アンテナ５１０を更に備える。通信装置５００は、高周波モジュール１が実装された回路基板を更に備える。回路基板は、例えば、プリント配線板である。回路基板は、グランド電位が与えられるグランド電極を有する。
　信号処理回路５０１は、高周波モジュールを通る信号（例えば、受信信号、送信信号）を処理する。信号処理回路５０１は、例えば、ＲＦ信号処理回路５０２と、ベースバンド信号処理回路５０３と、を含む。ＲＦ信号処理回路５０２は、例えば、ＲＦＩＣ（Radio Frequency Integrated Circuit）であり、高周波信号に対する信号処理を行う。ＲＦ信号処理回路５０２は、例えば、ベースバンド信号処理回路５０３から出力された高周波信号（送信信号）に対してアップコンバート等の信号処理を行い、信号処理が行われた高周波信号を出力する。また、ＲＦ信号処理回路５０２は、例えば、高周波モジュール１から出力された高周波信号（受信信号）に対してダウンコンバート等の信号処理を行い、信号処理が行われた高周波信号をベースバンド信号処理回路５０３へ出力する。
　ベースバンド信号処理回路５０３は、例えば、ＢＢＩＣ（Baseband Integrated Circuit）である。ベースバンド信号処理回路５０３は、ベースバンド信号からＩ相信号及びＱ相信号を生成する。ベースバンド信号は、例えば、外部から入力される音声信号、画像信号等である。ベースバンド信号処理回路５０３は、Ｉ相信号とＱ相信号とを合成することでＩＱ変調処理を行って、送信信号を出力する。この際、送信信号は、所定周波数の搬送波信号を、当該搬送波信号の周期よりも長い周期で振幅変調した変調信号（ＩＱ信号）として生成される。ベースバンド信号処理回路５０３で処理された受信信号は、例えば、画像信号として画像表示のために、又は、音声信号として通話のために使用される。実施形態１に係る高周波モジュール１は、アンテナ５１０と信号処理回路５０１のＲＦ信号処理回路５０２との間で高周波信号（受信信号）を伝達する。
　高周波モジュール１は、図１に示すように、アンテナ端子１０と、スイッチ２０と、複数（図示例では、３つ）のフィルタ３０と、複数（図示例では、３つ）の整合回路４０と、複数（図示例では、３つ）のローノイズアンプ５０と、第１インダクタＬ１と、第２インダクタＬ２と、を備える。高周波モジュール１は、図１に示すように、複数（図示例では、３つ）の信号出力端子６１，６２，６３を、更に備える。
　アンテナ端子１０は、アンテナ５１０に接続される。
　スイッチ２０は、アンテナ端子１０に接続されている。スイッチ２０は、複数のフィルタ３０のうち少なくとも２つのフィルタ３０をアンテナ端子１０と同時に接続可能に構成されている。スイッチ２０は、複数のフィルタ３０及び第２インダクタＬ２と接続されている。具体的には、スイッチ２０は、共通端子２１と、複数（図示例では、４つ）のＦＥＴ（Field Effect Transistor）２２，２３，２４，２５を有している。複数のＦＥＴ２２，２３，２４，２５は、１チップ化されている。共通端子２１は、アンテナ端子１０と接続されている。複数のＦＥＴ２２，２３，２４，２５は、複数のフィルタ３０及び第２インダクタＬ２と一対一に接続されている。ＦＥＴ２２の一端は第１フィルタ３１に、ＦＥＴ２２の他端は共通端子２１に、それぞれ接続されている。ＦＥＴ２３の一端は第２フィルタ３２に、ＦＥＴ２３の他端は共通端子２１に、それぞれ接続されている。ＦＥＴ２４の一端は第３フィルタ３３に、ＦＥＴ２４の他端は共通端子２１に、それぞれ接続されている。ＦＥＴ２５の一端は第２インダクタＬ２に、ＦＥＴ２５の他端は共通端子２１に、それぞれ接続されている。スイッチ２０は、複数のフィルタ３０及び第２インダクタＬ２の中からアンテナ端子１０に接続される接続対象を切り替える。
　複数のフィルタ３０のそれぞれは、アンテナ５１０が受信した所定の周波数帯域の受信信号を通過させる受信フィルタである。複数のフィルタ３０のそれぞれは、例えば、ラダー型フィルタであり、複数（例えば、４つ）の直列腕共振子と、複数（例えば、３つ）の並列腕共振子と、を有する。複数のフィルタ３０のそれぞれは、例えば、弾性波フィルタである。弾性波フィルタは、複数の直列腕共振子及び複数の並列腕共振子の各々が弾性波共振子により構成されている。弾性波フィルタは、例えば、弾性表面波を利用する表面弾性波フィルタである。表面弾性波フィルタでは、複数の直列腕共振子及び複数の並列腕共振子の各々は、例えば、ＳＡＷ（Surface Acoustic Wave）共振子である。なお、複数のフィルタ３０のそれぞれは、ＳＡＷフィルタに限定されない。複数のフィルタ３０のそれぞれはＳＡＷフィルタ以外、例えばＢＡＷ（Bulk Acoustic Wave）フィルタであってもよい。ＢＡＷフィルタにおける共振子は、例えば、ＦＢＡＲ（Film Bulk Acoustic Resonator）又はＳＭＲ（Solidly Mounted Resonator）である。ＢＡＷフィルタは、基板を有している。ＢＡＷフィルタが有する基板は、例えば、シリコン基板である。
　複数のフィルタ３０は、スイッチ２０に接続されている。複数のフィルタ３０は、複数の整合回路４０に一対一に接続されている。具体的には、第１フィルタ３１の入力端子は、スイッチ２０が有するＦＥＴ２２に接続され、第１フィルタ３１の出力端子は、複数の整合回路４０のうち第１整合回路４１に接続されている。第２フィルタ３２の入力端子は、スイッチ２０が有するＦＥＴ２３に接続され、第２フィルタ３２の出力端子は、複数の整合回路４０のうち第２整合回路４２に接続されている。第３フィルタ３３の入力端子は、スイッチ２０が有するＦＥＴ２４に接続され、第３フィルタ３３の出力端子は、複数の整合回路４０のうち第３整合回路４３に接続されている。
　第１フィルタ３１は、実装基板１００の第１主面１０１に実装され、第１周波数帯域の第１高周波信号を通過させる。実施形態１では一例として、第１高周波信号は受信信号（第１受信信号）である。第１周波数帯域は、例えば、５Ｇ規格のｎ７７の周波数帯域を含む。ｎ７７の周波数帯域は、３３００ＭＨｚ～４２００ＭＨｚである。
　第２フィルタ３２は、実装基板１００の第１主面１０１に実装され、第２周波数帯域の第２高周波信号を通過させる。実施形態１では一例として、第２高周波信号は受信信号（第２受信信号）である。第２周波数帯域は、例えば、５Ｇ規格のｎ１の周波数帯域を含む。ｎ１の周波数帯域は、２１１０ＭＨｚ～２１７０ＭＨｚである。
　第３フィルタ３３は、実装基板１００の第１主面１０１に実装され、第３周波数帯域の第３高周波信号を通過させる。実施形態１では一例として、第３高周波信号は受信信号（第３受信信号）である。第３周波数帯域は、例えば、５Ｇ規格のｎ３の周波数帯域を含む。ｎ３の周波数帯域は、１８０５ＭＨｚ～１８８０ＭＨｚである。
　複数の整合回路４０は、複数のフィルタ３０に一対一に接続されている。複数の整合回路４０は、複数のローノイズアンプ５０に一対一に接続されている。第１整合回路４１の入力端子は、第１フィルタ３１に接続され、第１整合回路４１の出力端子は、複数のローノイズアンプ５０のうち第１ローノイズアンプ５１に接続されている。第１整合回路４１は、第１ローノイズアンプ５１と、第１フィルタ３１とのインピーダンス整合をとる。第２整合回路４２の入力端子は、第２フィルタ３２に接続され、第２整合回路４２の出力端子は、複数のローノイズアンプ５０のうち第２ローノイズアンプ５２に接続されている。第２整合回路４２は、第２ローノイズアンプ５２と、第２フィルタ３２とのインピーダンス整合をとる。第３整合回路４３の入力端子は、第３フィルタ３３に接続され、第３整合回路４３の出力端子は、複数のローノイズアンプ５０のうち第３ローノイズアンプ５３に接続されている。第３整合回路４３は、第３ローノイズアンプ５３と、第３フィルタ３３とのインピーダンス整合をとる。
　複数のローノイズアンプ５０は、受信信号を増幅する。第１ローノイズアンプ５１は、第１受信信号を増幅する。第２ローノイズアンプ５２は、第２受信信号を増幅する。第３ローノイズアンプ５３は、第３受信信号を増幅する。第１ローノイズアンプ５１の入力端子は、第１整合回路４１に接続され、第１ローノイズアンプ５１の出力端子は、信号出力端子６１に接続されている。第２ローノイズアンプ５２の入力端子は、第２整合回路４２に接続され、第２ローノイズアンプ５２の出力端子は、信号出力端子６２に接続されている。第３ローノイズアンプ５３の入力端子は、第３整合回路４３に接続され、第３ローノイズアンプ５３の出力端子は、信号出力端子６３に接続されている。
　複数の信号出力端子６１，６２，６３は、ＲＦ信号処理回路５０２に接続される。すなわち、第１ローノイズアンプ５１は信号出力端子６１を介して、第２ローノイズアンプ５２は信号出力端子６２を介して、第３ローノイズアンプ５３は信号出力端子６３を介して、ＲＦ信号処理回路５０２にそれぞれ接続される。
　第２インダクタＬ２は、例えばチップインダクタである。第２インダクタＬ２のインダクタンス値は、例えば５ｎＨである。第２インダクタＬ２の一端は、スイッチ２０のＦＥＴ２５に接続されており、第２インダクタＬ２の他端は、グランドに接続されている。
　第１インダクタＬ１は、例えばチップインダクタである。第１インダクタＬ１のインダクタンス値は、第２インダクタのインダクタンス値以下である。第１インダクタＬ１のインダクタンス値は、例えば５ｎＨである。第１インダクタＬ１の一端は、アンテナ端子１０と複数のフィルタ３０との間の経路に接続されている。具体的には、第１インダクタＬ１の当該一端は、アンテナ端子１０と共通端子２１との間に接続されている。第１インダクタＬ１の他端は、第２インダクタＬ２とスイッチ２０（のＦＥＴ２５）との間の経路に接続されている。
　上述したように、第２インダクタＬ２の一端は、スイッチ２０（のＦＥＴ２５）に接続されており、第２インダクタＬ２の他端は、グランドに接続されている。第１インダクタＬ１の一端は、アンテナ端子１０と複数のフィルタ３０との間の経路に接続されており、第１インダクタＬ１の他端は、第２インダクタＬ２とスイッチ２０との間の経路に接続されている。
　すなわち、スイッチ２０（のＦＥＴ２５）がオフ状態、つまり第２インダクタＬ２とアンテナ端子１０とが非接続状態である場合には、第１インダクタＬ１と第２インダクタＬ２とは直列に接続されている。第１インダクタＬ１のインダクタンス値と第２インダクタＬ２のインダクタンス値とそれぞれは５ｎＨであるので、その合成インダクタンス値は、１０ｎＨとなる。また、スイッチ２０（のＦＥＴ２５）がオフ状態では、スイッチ２０（のＦＥＴ２５）においてオフ容量が発生する。この場合、スイッチ２０（のＦＥＴ２５）のオフ容量と合成インダクタンス値とに基づくＬＣ共振周波数（共振周波数）と、複数のフィルタ３０のうち少なくとも１つのフィルタ３０（例えば、第１フィルタ３１）で通過する信号の周波数帯域との関係を図３Ａに示す。
　また、スイッチ２０（のＦＥＴ２５）がオン状態、つまり第２インダクタＬ２とアンテナ端子１０とが接続状態である場合には、スイッチ２０（のＦＥＴ２５）においてオフ容量が発生し、第２インダクタＬ２のインダクタンス値とに基づく周波数がＬＣ共振周波数となる。この場合での、スイッチ２０（のＦＥＴ２５）のオフ容量と第２インダクタＬ２のインダクタンス値とに基づくＬＣ共振周波数と、複数のフィルタ３０のうち少なくとも１つのフィルタ３０（例えば、第１フィルタ３１）で通過する信号の周波数帯域との関係を図３Ａに示す。
　図３Ａに示す一点鎖線の曲線Ｇ１は、第１フィルタ３１で通過する信号の周波数帯域を表す。第１フィルタ３１で通過する信号の周波数帯域は、５Ｇ規格のｎ７７の周波数帯域（３．３ＧＨｚ～４．２ＧＨｚ）を含んでいる。実線の曲線Ｇ１０は、第２インダクタＬ２とアンテナ端子１０とが非接続状態である場合（ＦＥＴ２５がオフ状態）における、スイッチ２０（のＦＥＴ２５）のオフ容量と合成インダクタンス値とに基づくＬＣ共振周波数を表す。破線の曲線Ｇ１１は、第２インダクタＬ２とアンテナ端子１０とが接続状態である場合（ＦＥＴ２５がオン状態）における、スイッチ２０（のＦＥＴ２５）のオフ容量と第２インダクタＬ２のインダクタンス値とに基づくＬＣ共振周波数を表す。
　図３Ａから分かるように、第２インダクタＬ２とアンテナ端子１０とが非接続状態である場合における、スイッチ２０（のＦＥＴ２５）のオフ容量と合成インダクタンス値とに基づくＬＣ共振周波数は、６．９ＧＨｚ～７．４ＧＨｚである。すなわち、第２インダクタＬ２とスイッチ２０との間が非接続状態である場合において、スイッチ２０のオフ容量と、合成インダクタンス値とに基づくＬＣ共振周波数は、第１フィルタ３１で通過する信号の周波数帯域よりも、高周波側にある。なお、第２インダクタＬ２とスイッチ２０との間が非接続状態である場合において、スイッチ２０のオフ容量と、合成インダクタンス値とに基づくＬＣ共振周波数は、複数のフィルタ３０のうち２つ以上のフィルタ３０のそれぞれで通過する信号の周波数帯域よりも、高周波側にあってもよい。すなわち、第２インダクタＬ２とスイッチ２０との間が非接続状態である場合において、スイッチ２０のオフ容量と、合成インダクタンス値とに基づくＬＣ共振周波数は、複数のフィルタ３０のうち少なくとも１つのフィルタ３０で通過する信号の周波数帯域よりも、高周波側にあればよい。
　また、図３Ａから分かるように、第２インダクタＬ２とアンテナ端子１０とが接続状態である場合において、スイッチ２０（のＦＥＴ２５）のオフ容量と第２インダクタＬ２のインダクタンス値とに基づくＬＣ共振周波数は、第１フィルタ３１で通過する信号の周波数帯域に含まれていない。なお、第２インダクタＬ２とアンテナ端子１０とが接続状態である場合において、スイッチ２０（のＦＥＴ２５）のオフ容量と第２インダクタＬ２のインダクタンス値とに基づくＬＣ共振周波数は、他のフィルタ３０（第２フィルタ３２、第３フィルタ３３）で通過する信号の周波数帯域に含まれていないとしてもよい。
　つまり、第２インダクタＬ２とアンテナ端子１０とが非接続状態である場合、第２インダクタＬ２とアンテナ端子１０とが接続状態である場合のいずれにおいても、ＬＣ共振周波数が第１フィルタ３１で通過する信号の周波数帯域に含まれていない。そのため、安定した通信を行うことができる。
　高周波モジュール１は、実装基板１００を、更に備える（図２参照）。
　実装基板１００は、実装基板１００の厚さ方向Ｄ１において互いに対向する第１主面１０１及び第２主面１０２を有する。実装基板１００は、例えば、プリント配線板、ＬＴＣＣ（Low Temperature Co-fired Ceramics）基板、ＨＴＣＣ（High Temperature Co-fired Ceramics）基板、樹脂多層基板である。ここにおいて、実装基板１００は、例えば、複数の誘電体層及び複数の導電層を含む多層基板である。複数の誘電体層及び複数の導電層は、実装基板１００の厚さ方向Ｄ１において積層されている。複数の導電層は、層ごとに定められた所定パターンに形成されている。複数の導電層の各々は、実装基板１００の厚さ方向Ｄ１に直交する一平面内において１つ又は複数の導体部を含む。各導電層の材料は、例えば、銅である。複数の導電層は、グランド層を含む。高周波モジュール１では、複数の外部接続端子１３０（図２参照）に含まれる１つ以上のグランド端子とグランド層とが、実装基板１００の有するビア導体等を介して接続されている。
　実装基板１００は、プリント配線板、ＬＴＣＣ基板に限らず、配線構造体であってもよい。配線構造体は、例えば、多層構造体である。多層構造体は、少なくとも１つの絶縁層と、少なくとも１つの導電層とを含む。絶縁層は、所定パターンに形成されている。絶縁層が複数の場合は、複数の絶縁層は、層ごとに定められた所定パターンに形成されている。導電層は、絶縁層の所定パターンとは異なる所定パターンに形成されている。導電層が複数の場合は、複数の導電層は、層ごとに定められた所定パターンに形成されている。導電層は、１つ又は複数の再配線部を含んでもよい。配線構造体では、多層構造体の厚さ方向において互いに対向する２つの面のうち第１面が実装基板１００の第１主面１０１であり、第２面が実装基板１００の第２主面１０２である。配線構造体は、例えば、インタポーザであってもよい。インタポーザは、シリコン基板を用いたインタポーザであってもよいし、多層で構成された基板であってもよい。
　実装基板１００の第１主面１０１及び第２主面１０２は、実装基板１００の厚さ方向Ｄ１において離れており、実装基板１００の厚さ方向Ｄ１に交差する。実装基板１００における第１主面１０１は、例えば、実装基板１００の厚さ方向Ｄ１に直交しているが、例えば、厚さ方向Ｄ１に直交しない面として導体部の側面等を含んでいてもよい。また、実装基板１００における第２主面１０２は、例えば、実装基板１００の厚さ方向Ｄ１に直交しているが、例えば、厚さ方向Ｄ１に直交しない面として、導体部の側面等を含んでいてもよい。また、実装基板１００の第１主面１０１及び第２主面１０２は、微細な凹凸又は凹部又は凸部が形成されていてもよい。実装基板１００の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、実装基板１００は、長方形状であるが、これに限らず、例えば、正方形状であってもよい。
　高周波モジュール１は、複数の回路部品として、スイッチ２０と、複数（図示例では、３つ）のフィルタ３０と、複数（図示例では、３つ）の整合回路４０と、複数（図示例では、３つ）のローノイズアンプ５０と、第１インダクタＬ１と、第２インダクタＬ２と、を備える。
　高周波モジュール１の複数の回路部品の各々は、実装基板１００の第１主面１０１又は第２主面１０２に実装されている。ここにおいて、「回路部品が実装基板１００の第１主面１０１（又は第２主面１０２）に実装されている」とは、回路部品が実装基板１００に配置されていること（機械的に接続されていること）と、回路部品が実装基板１００（の適宜の導体部）と接続されていることと、を含む。したがって、高周波モジュール１では、複数の回路部品の各々は、実装基板１００の第１主面１０１又は第２主面１０２に配置されている。複数の回路部品は、実装基板１００に実装される電子部品だけに限らず、実装基板１００内に設けられる回路素子を含んでもよい。図２では、上述の実装基板１００の導体部、ビア導体等により構成される複数の配線の図示を省略している。
　高周波モジュール１では、第１インダクタＬ１と、第２インダクタＬ２は、実装基板１００の第１主面１０１に実装されている（図２参照）。したがって、第１インダクタＬ１と、第２インダクタＬ２は、実装基板１００の第１主面１０１に配置されている。
　また、高周波モジュール１では、複数（図示例では、３つ）のフィルタ３０（フィルタ）と複数（図示例では、３つ）の整合回路４０とは、実装基板１００の第１主面１０１に実装されている。
　また、高周波モジュール１では、スイッチ２０が、第２主面１０２に実装されている（図２参照）。したがって、高周波モジュール１では、スイッチ２０は、実装基板１００の第２主面１０２に配置されている。
　高周波モジュール１では、複数のローノイズアンプ５０は、第２主面１０２に実装されている。したがって、高周波モジュール１では、複数のローノイズアンプ５０は、実装基板１００の第２主面１０２に配置されている。なお、スイッチ２０及びローノイズアンプ５０は１チップ化されてもよい。
　高周波モジュール１は、図２に示すように、複数（図２では１つのみ図示）の外部接続端子１３０を備える。複数の外部接続端子１３０は、実装基板１００の第２主面１０２に配置されている。複数の外部接続端子１３０の材料は、例えば、金属（例えば、銅、銅合金）である。複数の外部接続端子１３０の各々は、柱状電極である。ここにおいて、柱状電極は、例えば、円柱状の電極である。複数の外部接続端子１３０は、同じ形状であるが、異なる形状であってもよい。
　複数の外部接続端子１３０は、アンテナ端子１０、１つ以上のグランド端子、信号出力端子６１，６２，６３（図１参照）を含んでいる。１つ以上のグランド端子は、上述のように実装基板１００のグランド層と接続されている。グランド層は高周波モジュール１の回路グランドであり、高周波モジュール１の複数の回路部品は、グランド層と接続されている回路部品を含む。
　高周波モジュール１は、樹脂層１１０（以下、第１樹脂層１１０ともいう）を更に備える。第１樹脂層１１０は、実装基板１００の第１主面１０１側において実装基板１００の第１主面１０１に配置されている複数の回路部品を覆っている。ここにおいて、第１樹脂層１１０は、実装基板１００の第１主面１０１に配置されている複数の回路部品を封止している。第１樹脂層１１０は、樹脂を含む。第１樹脂層１１０は、樹脂の他にフィラーを含んでいてもよい。
　実施形態１に係る高周波モジュール１は、樹脂層１２０（以下、第２樹脂層１２０ともいう）を更に備える。第２樹脂層１２０は、実装基板１００の第２主面１０２に配置されている。第２樹脂層１２０は、実装基板１００の第２主面１０２側において実装基板１００の第２主面１０２に実装されている複数の回路部品と複数の外部接続端子１３０それぞれの一部とを覆っている。第２樹脂層１２０は、複数の外部接続端子１３０の各々における先端面を露出させるように形成されている。第２樹脂層１２０は、樹脂を含む。第２樹脂層１２０は、樹脂の他にフィラーを含んでいてもよい。第２樹脂層１２０の材料は、第１樹脂層１１０の材料と同じ材料であってもよいし、異なる材料であってもよい。
　（３）効果
　以上説明したように、高周波モジュール１は、アンテナ端子１０と、スイッチ２０と、複数のフィルタ３０と、第１インダクタＬ１と、第２インダクタＬ２と、を備える。スイッチ２０は、アンテナ端子１０に接続されている。複数のフィルタ３０は、スイッチ２０に接続されている。スイッチ２０は、複数のフィルタ３０のうち少なくとも２つのフィルタ３０をアンテナ端子１０と同時に接続可能に構成されている。第２インダクタＬ２の一端は、スイッチ２０に接続されており、第２インダクタＬ２の他端は、グランドに接続されている。スイッチ２０は、複数のフィルタ３０及び第２インダクタＬ２の中からアンテナ端子１０に接続される接続対象を切り替える。第１インダクタＬ１の一端は、アンテナ端子１０と複数のフィルタ３０との間の経路に接続されており、第１インダクタＬ１の他端は、第２インダクタＬ２とスイッチ２０との間の経路に接続されている。
　一方、比較例の高周波モジュールは、複数のフィルタと、複数のフィルタのそれぞれと信号ポートとの間に設けられたスイッチと、スイッチと信号ポートとの間に接続された第１インダクタと、スイッチに接続された第２インダクタと、を備える。第１インダクタの一端は、スイッチと信号ポート（アンテナ端子）との間に接続され、第１インダクタの他端はグランドに接続されている。第２インダクタの一端は、スイッチに接続され、第２インダクタの他端はグランドに接続されている。
　比較例の高周波モジュールでは、第２インダクタと信号ポートとが非接続状態である場合では、スイッチのオフ容量と第２インダクタとに基づく周波数がＬＣ共振周波数となる。比較例の高周波モジュールでは、第２インダクタと信号ポートとが接続状態である場合では、スイッチのオフ容量と、第１インダクタ及び第２インダクタの合成インダクタとに基づく周波数がＬＣ共振周波数となる。
　図３Ｂは、比較例の高周波モジュールにおける、ＬＣ共振周波数と、複数のフィルタのうち少なくとも１つのフィルタ（以下、「比較例のフィルタ」という）で通過する信号の周波数帯域（例えば５Ｇ規格のｎ７７の周波数帯域）との関係を図３Ｂに示す。
　図３Ｂに示す一点鎖線の曲線Ｇ１は、比較例のフィルタで通過する信号の周波数帯域（５Ｇ規格のｎ７７の周波数帯域）を表す。比較例のフィルタで通過する信号の周波数帯域は、５Ｇ規格のｎ７７の周波数帯域（３．３ＧＨｚ～４．２ＧＨｚ）を含んでいる。実線の曲線Ｇ２０は、比較例の高周波モジュールの第２インダクタと通信ポートとが非接続状態である場合における、スイッチのオフ容量と第２インダクタのインダクタンス値とに基づくＬＣ共振周波数を表す。破線の曲線Ｇ２１は、比較例の高周波モジュールの第２インダクタと通信ポートとが接続状態である場合における、スイッチのオフ容量と、第１インダクタ及び第２インダクタの合成インダクタンスのインダクタンス値とに基づくＬＣ共振周波数を表す。
　図３Ｂから分かるように、比較例の高周波モジュールの第２インダクタと通信ポートとが非接続状態である場合における、ＬＣ共振周波数は、３．３ＧＨｚ～４．０ＧＨｚである。すなわち、比較例の高周波モジュールの第２インダクタと通信ポートとの間が非接続状態である場合のＬＣ共振周波数は、比較例のフィルタで通過する信号の周波数帯域に含まれる。
　また、図３Ｂから分かるように、比較例の高周波モジュールの第２インダクタと通信ポートとが接続状態である場合のＬＣ共振周波数は、比較例のフィルタで通過する信号の周波数帯域に含まれていない。
　つまり、比較例の高周波モジュールの第２インダクタと通信ポートとが非接続状態である場合、ＬＣ共振周波数が、比較例のフィルタで通過する信号の周波数帯域に含まれる。そのため、信号のロスが生じ、安定した通信を行うことができない。
　一方、高周波モジュール１では、上述したように、第２インダクタＬ２とアンテナ端子１０とが非接続状態である場合、第２インダクタＬ２とアンテナ端子１０とが接続状態である場合のいずれにおいても、ＬＣ共振周波数が第１フィルタ３１で通過する信号の周波数帯域に含まれていない。そのため、安定した通信を行うことができる。
　また、従来例の高周波モジュールにおいて、従来例のスイッチのオン状態及びオフ状態にかかわらず、ＬＣ共振周波数のインダクタンス値の最大値を１０ｎＨとする場合、従来例の第１インダクタ及び第２インダクタのそれぞれのインダクタンス値を１０ｎＨとする必要がある。
　すなわち、従来例と実施形態１とでスイッチがオフ状態でのＬＣ共振周波数のインダクタンス値、及びオン状態でのＬＣ共振周波数のインダクタンス値を同じにするためには、本実施形態では、従来よりも第１インダクタと第２インダクタとの値を小さくすることができる。
　例えば、従来例の高周波モジュールにおいて、従来例のスイッチのオフ状態ではＬＣ共振周波数のインダクタンス値は１０ｎＨとなり、従来例のスイッチのオン状態ではＬＣ共振周波数のインダクタンス値は５ｎＨとなる。実施形態１の高周波モジュール１では、第１インダクタＬ１及び第２インダクタＬ２のそれぞれのインダクタンス値は、５ｎＨであり、従来例の第１インダクタ及び第２インダクタのそれぞれのインダクタンス値よりも小さい。しかしながら、スイッチ２０（のＦＥＴ２５）がオフ状態である場合には、ＬＣ共振周波数のインダクタンス値は第１インダクタＬ１及び第２インダクタＬ２の合成インダクタス値“１０ｎＨ”となる。スイッチ２０（のＦＥＴ２５）がオン状態である場合には、ＬＣ共振周波数のインダクタンス値は第２インダクタＬ２のインダクタンス値“５ｎＨ”となる。
　したがって、ＬＣ共振周波数のオフ容量は一定であるが、インダクタンス値を小さくすることができる。その結果、ＬＣ共振周波数の共振点が、上述したように、第１フィルタ３１で通過する信号の周波数帯域よりも高周波側に存在する。これにより、高周波モジュール１は、安定した通信を行うことができる。
　（４）変形例
　以下、実施形態１の変形例について説明する。
　（４．１）変形例１
　実施形態１の変形例１に係る高周波モジュール１Ａについて、図４を参照して説明する。変形例１に係る高周波モジュール１Ａに関し、実施形態１に係る高周波モジュール１と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。
　変形例１に係る高周波モジュール１Ａは、複数の外部接続端子１３０がボールバンプ１３１である点で、実施形態１に係る高周波モジュール１と相違する。また、変形例１に係る高周波モジュール１Ａは、実施形態１に係る高周波モジュール１の第２樹脂層１２０を備えていない点で、実施形態１に係る高周波モジュール１と相違する。変形例１に係る高周波モジュール１Ａは、スイッチ２０と実装基板１００の第２主面１０２との間の隙間に設けられたアンダーフィル部を備えていてもよい。
　複数の外部接続端子１３０の各々を構成するボールバンプ１３１の材料は、例えば、金、銅、はんだ等である。
　複数の外部接続端子１３０は、ボールバンプ１３１により構成された外部接続端子１３０と、柱状電極により構成された外部接続端子１３０と、が混在してもよい。
　変形例１に係る高周波モジュール１Ａでは、高周波モジュール１と同様に、安定した通信を行うことができる。
　（４．２）変形例２
　第１インダクタＬ１及び第２インダクタＬ２のうち一方は、実装基板１００の第１主面１０１に実装され、第１インダクタＬ１及び第２インダクタＬ２のうち他方は、実装基板１００の第２主面１０２に実装されてもよい。
　（４．３）変形例３
　回路部品は、実装基板１００の第１主面１０１又は第２主面１０２に実装される構成としているが、この構成に限定されない。
　回路部品は、実装基板１００の第１主面１０１のみに実装されてもよい。
　（４．４）変形例４
　実施形態１では、第１インダクタＬ１及び第２インダクタＬ２の双方は、チップインダクタとする構成としているが、この構成に限定されない。
　第１インダクタＬ１は、導体パターンとしての第１導体パターン層を含み、第１主面１０１及び第２主面のうち当該第１インダクタＬ１が実装された主面に配置されてもよい。または、第１インダクタＬ１の第１パターン層は、実装基板１００の内部に配置されてもよい。
　第２インダクタＬ２は、導体パターンとしての第２導体パターン層を含み、第１主面１０１及び第２主面のうち当該第２インダクタＬ２が実装された主面に配置されてもよい。または、第２インダクタＬ２の第２パターン層は、実装基板１００の内部に配置されてもよい。
　すなわち、変形例３では、第１インダクタＬ１は、第１導体パターン層を有し、第２インダクタＬ２は、第２導体パターン層を有する。第１導体パターン層及び第２導体パターン層は、実装基板１００の第１主面１０１、第２主面１０２及び実装基板１００の内部のいずれかに配置されている。
　または、第１インダクタＬ１は、第１導体パターン層及びチップインダクタの双方を含んでもよい。第２インダクタＬ２は、第２導体パターン層及びチップインダクタの双方を含んでもよい。
　（４．５）変形例５
　本発明に係る高周波モジュールは、ＲＦ信号処理回路５０２から出力される高周波の送信信号を入力し、アンテナ５１０などへ出力する送信系の高周波モジュールにも適用してもよい。この場合には、送信系の高周波モジュールでは、複数のローノイズアンプ５０の代わりに、例えば、送信信号を増幅する複数のパワーアンプを含む。
　さらに、送信系の高周波モジュールでは、複数のフィルタ３０は、信号処理回路５０１から出力された所定の周波数帯域の送信信号を通過させて、アンテナ端子１０に出力する送信フィルタである。
　送信系の高周波モジュールでは、複数の整合回路４０は、複数のフィルタ３０（送信フィルタ）に一対一に接続されている。複数の整合回路４０は、複数のパワーアンプに一対一に接続されている。複数の整合回路４０のそれぞれは、接続されたフィルタ３０とパワーアンプとのインピーダンス整合をとる。
　送信信号は、パワーアンプ、整合回路４０、フィルタ３０、スイッチ２０及びアンテナ端子１０の順序で流れる。
　（実施形態２）
　ここでは、実施形態２に係る高周波モジュール１Ｂについて、図５を用いて説明する。
　実施形態２では、高周波モジュール１Ｂが第２インダクタＬ２と直列に接続されている第３インダクタＬ３を備える点が、実施形態１とは異なる。以下、実施形態１と異なる点を中心に説明する。なお、実施形態１と同様の構成要素については、同一の符号を付し、その説明を適宜省略する。
　高周波モジュール１Ｂは、図５に示すように、アンテナ端子１０と、スイッチ２０Ｂと、複数（図示例では、３つ）のフィルタ３０と、複数（図示例では、３つ）の整合回路４０と、複数（図示例では、３つ）のローノイズアンプ５０と、第１インダクタＬ１と、第２インダクタＬ２と、第３インダクタＬ３と、を備える。
　スイッチ２０Ｂは、複数のフィルタ３０のうち少なくとも２つのフィルタ３０をアンテナ端子１０と同時に接続可能に構成されている。スイッチ２０Ｂは、スイッチ２０の構成要素に加えて、ＦＥＴ２６を、更に有する。ＦＥＴ２６の一端は第１インダクタＬ１及び第３インダクタＬ３に、ＦＥＴ２６の他端は共通端子２１に、それぞれ接続されている。スイッチ２０Ｂ（のＦＥＴ２６）は、第３インダクタＬ３とアンテナ端子１０との接続及び非接続を切り替える。
　実施形態２の第１インダクタＬ１の一端は、アンテナ端子１０と複数のフィルタ３０との間の経路に接続されている。具体的には、第１インダクタＬ１の当該一端は、アンテナ端子１０と共通端子２１との間に接続されている。第１インダクタＬ１の他端は、第３インダクタＬ３とスイッチ２０Ｂ（のＦＥＴ２６）とに接続されている。
　第３インダクタＬ３は、例えばチップインダクタである。第３インダクタＬ３のインダクタンス値は、例えば５ｎＨである。第３インダクタＬ３は、第２インダクタＬ２と直列に接続されている。第３インダクタＬ３の一端は、第１インダクタＬ１の他端及びスイッチ２０Ｂ（のＦＥＴ２６）と接続されている。第３インダクタＬ３の他端は、第２インダクタＬ２の一端と接続されることで、第２インダクタＬ２を介してグランドに接続されている。
　実施形態２では、ＦＥＴ２５及びＦＥＴ２６の双方が非接続状態となっている場合には、ＬＣ共振周波数特性として用いる合成インダクタンス値は、第１インダクタＬ１、第２インダクタＬ２及び第３インダクタＬ３のすべての合成インダクタの値となる。ＦＥＴ２５及びＦＥＴ２６の双方が非接続状態となっている場合には、第１インダクタＬ１、第２インダクタＬ２及び第３インダクタＬ３は直列に接続されているので、合成インダクタンス値は、１５ｎＨとなる。
　ＦＥＴ２５が非接続状態、ＦＥＴ２６が接続状態となっている場合には、ＬＣ共振周波数特性として用いる合成インダクタンス値は、第２インダクタＬ２及び第３インダクタＬ３の合成インダクタの値となる。ＦＥＴ２５が非接続状態、ＦＥＴ２６が接続状態となっている場合には、第２インダクタＬ２及び第３インダクタＬ３は直列に接続されているので、合成インダクタンス値は、１０ｎＨとなる。
　ＦＥＴ２５が接続状態、ＦＥＴ２６が非接続状態となっている場合には、ＬＣ共振周波数特性として用いる合成インダクタンス値は、第２インダクタＬ２の値、例えば５ｎＨとなる。
　実施形態２の高周波モジュール１Ｂでは、高周波モジュール１と同様に、安定した通信を行うことができる。
　なお、実施形態２の高周波モジュール１Ｂに、上述した各変形例を適用してもよい。
　（実施形態３）
　ここでは、実施形態３に係る高周波モジュール１Ｃについて、図６を用いて説明する。
　実施形態３では、第１インダクタＬ１の配置位置が、実施形態１とは異なる。以下、実施形態１と異なる点を中心に説明する。なお、実施形態１と同様の構成要素については、同一の符号を付し、その説明を適宜省略する。
　高周波モジュール１Ｃは、図６に示すように、アンテナ端子１０と、スイッチ２０Ｃと、複数（図示例では、３つ）のフィルタ３０と、複数（図示例では、３つ）の整合回路４０と、複数（図示例では、３つ）のローノイズアンプ５０と、第１インダクタＬ１と、第２インダクタＬ２と、を備える。
　スイッチ２０Ｃは、複数のフィルタ３０のうち少なくとも２つのフィルタ３０をアンテナ端子１０と同時に接続可能に構成されている。スイッチ２０Ｃは、スイッチ２０の構成要素に加えて、ＦＥＴ２７を、更に有する。ＦＥＴ２７の一端は第１インダクタＬ１に、ＦＥＴ２７の他端は共通端子２１に、それぞれ接続されている。スイッチ２０Ｃ（のＦＥＴ２７）は、第１インダクタＬ１とアンテナ端子１０との接続と非接続とを切り替える。
　第１インダクタＬ１の一端は、アンテナ端子１０と複数のフィルタ３０との間の経路にスイッチ２０Ｃ（のＦＥＴ２７）を介して接続可能である。第１インダクタＬ１の他端は、第２インダクタＬ２と接続されており、第２インダクタＬ２を介してグランドに接続されている。
　スイッチ２０Ｃ（のＦＥＴ２７）は、第１インダクタＬ１とアンテナ端子１０との接続と非接続とを切り替える。
　実施形態３において、ＦＥＴ２５が非接続状態、ＦＥＴ２７が接続状態となっている場合には、ＬＣ共振周波数特性として用いる合成インダクタンス値は、第１インダクタＬ１及び第２インダクタＬ２の合成インダクタの値となる。ＦＥＴ２５が非接続状態、ＦＥＴ２７が接続状態となっている場合には、第１インダクタＬ１及び第２インダクタＬ２は直列に接続されているので、合成インダクタンス値は、１０ｎＨとなる。
　ＦＥＴ２５が接続状態、ＦＥＴ２７が非接続状態となっている場合には、ＬＣ共振周波数特性として用いる合成インダクタンス値は、第２インダクタＬ２の値、例えば５ｎＨとなる。
　実施形態３の高周波モジュール１Ｃでは、高周波モジュール１と同様に、安定した通信を行うことができる。
　なお、実施形態３の高周波モジュール１Ｃに、上述した各変形例を適用してもよい。
　（実施形態４）
　ここでは、実施形態４に係る高周波モジュール１Ｄについて、図７、図８を用いて説明する。
　実施形態４では、第１インダクタＬ１と第２インダクタＬ２の構成が、実施形態１とは異なる。以下、実施形態１と異なる点を中心に説明する。なお、実施形態１と同様の構成要素については、同一の符号を付し、その説明を適宜省略する。
　高周波モジュール１Ｄは、図７及び図８に示すように、アンテナ端子１０と、スイッチ２０と、複数（図示例では、３つ）のフィルタ３０と、複数（図示例では、３つ）の整合回路４０と、複数（図示例では、３つ）のローノイズアンプ５０と、第４インダクタＬ４と、第５インダクタＬ１１と、実装基板１００と、を備える。
　実施形態４の実装基板１００は、実施形態１と同様に、例えば、複数の誘電体層及び複数の導電層を含む多層基板である。
　第５インダクタＬ１１は、例えばチップインダクタである（図８参照）。第５インダクタＬ１１の一端は、アンテナ端子１０と複数のフィルタ３０との間の経路に接続されている。具体的には、第５インダクタＬ１１の当該一端は、アンテナ端子１０と共通端子２１との間に接続されている。第５インダクタＬ１１の他端は、第４インダクタＬ４に接続されている。
　第４インダクタＬ４は、第６インダクタＬ１２と、第２インダクタＬ２と、を含んでいる。第６インダクタＬ１２の一端は、第５インダクタＬ１１の他端に接続されている。第６インダクタＬ１２の他端は、第２インダクタＬ２の一端に接続されている。第２インダクタＬ２の他端は、グランドに接続されている。
　ＦＥＴ２５の一端は、第２インダクタＬ２と第６インダクタＬ１２との接続点Ｐ１、すなわち第４インダクタＬ４のある点である接続点Ｐ１に接続されている。ＦＥＴ２５の他端は、共通端子２１に接続されている。
　実施形態４では、第５インダクタＬ１１と第６インダクタＬ１２とが第１インダクタＬ１を構成している。すなわち、第１インダクタＬ１は、第５インダクタＬ１１と第６インダクタＬ１２とを含んでいる。
　第４インダクタＬ４は、導体パターンである複数の導体パターン層を含んでいる。すなわち、第６インダクタＬ１２及び第２インダクタＬ２のそれぞれは、導体パターン層を含んでいる。第６インダクタＬ１２に含まれる導体パターン層（第１導体パターン層１５０）、及び第２インダクタＬ２に含まれる導体パターン層（第２導体パターン層１６０）は、多層基板である実装基板１００の複数の誘電体層のうち連続する２以上の誘電体層に配置されている（図８参照）。なお、図８では、誘電体層、及び連続する２以上の誘電体層の導体パターンを接続するビア導体を省略している。
　実施形態４では、実施形態１と同様に、第１インダクタＬ１のインダクタンス値は、第２インダクタのインダクタンス値以下である。ここで、インダクタのインダクタンス値は、巻き数の２乗に比例する。そのため、実施形態４では、第５インダクタＬ１１の巻き数と第６インダクタＬ１２の巻き数との合計値が、第２インダクタＬ２の巻き数以下である。これにより、第１インダクタＬ１のインダクタンス値は、第２インダクタＬ２のインダクタンス値以下となる。
　実施形態４の高周波モジュール１Ｄでは、高周波モジュール１と同様に、安定した通信を行うことができる。
　なお、実施形態４の高周波モジュール１Ｄに、上述した各変形例を適用してもよい。
　（まとめ）
　以上説明したように、第１の態様の高周波モジュール（１；１Ａ；１Ｂ；１Ｃ；１Ｄ）は、アンテナ端子（１０）と、スイッチ（２０；２０Ｂ；２０Ｃ）と、複数のフィルタ（３０）と、第１インダクタ（Ｌ１）と、第２インダクタ（Ｌ２）と、を備える。スイッチ（２０；２０Ｂ；２０Ｃ）は、アンテナ端子（１０）に接続されている。複数のフィルタ（３０）は、スイッチ（２０；２０Ｂ；２０Ｃ）に接続されている。スイッチ（２０；２０Ｂ；２０Ｃ）は、複数のフィルタ（３０）のうち少なくとも２つのフィルタ（３０）をアンテナ端子（１０）と同時に接続可能に構成されている。第２インダクタ（Ｌ２）の一端は、スイッチ（２０；２０Ｂ；２０Ｃ）に接続されており、第２インダクタ（Ｌ２）の他端は、グランドに接続されている。スイッチ（２０；２０Ｂ；２０Ｃ）は、複数のフィルタ（３０）及び第２インダクタ（Ｌ２）の中からアンテナ端子（１０）に接続される接続対象を切り替える。第１インダクタ（Ｌ１）の一端は、アンテナ端子（１０）と複数のフィルタ（３０）との間の経路に接続されており、第１インダクタ（Ｌ１）の他端は、第２インダクタ（Ｌ２）とスイッチ（２０；２０Ｂ；２０Ｃ）との間の経路に接続されている。
　この構成によると、第２インダクタ（Ｌ２）とアンテナ端子（１０）とが非接続状態である場合、第２インダクタ（Ｌ２）とアンテナ端子（１０）とが接続状態である場合のいずれにおいても、ＬＣ共振周波数が第１フィルタ（３１）で通過する信号の周波数帯域に含まれないように調整可能である。そのため、安定した通信を行うことができる。
　第２の態様の高周波モジュール（１；１Ａ；１Ｂ；１Ｄ）では、第１の態様において、スイッチ（２０；２０Ｂ）は、アンテナ端子（１０）と接続している共通端子（２１）を有している。第１インダクタ（Ｌ１）の上記一端は、アンテナ端子（１０）と共通端子（２１）との間に接続されている。
　この構成によると、安定した通信を行うことができる。
　第３の態様の高周波モジュール（１Ｂ）は、第１又は第２の態様において、第３インダクタ（Ｌ３）を、更に備える。第３インダクタ（Ｌ３）は、第２インダクタ（Ｌ２）と直列に接続されている。第３インダクタ（Ｌ３）の一端は、第１インダクタ（Ｌ１）の上記他端及びスイッチ（２０Ｂ）と接続され、第３インダクタ（Ｌ３）の他端は、第２インダクタ（Ｌ２）を介してグランドに接続されている。スイッチ（２０Ｂ）は、第３インダクタ（Ｌ３）とアンテナ端子（１０）との接続及び非接続を切り替える。
　この構成によると、安定した通信を行うことができる。
　第４の態様の高周波モジュール（１Ｃ）では、第１～第３のいずれかの態様において、第１インダクタ（Ｌ１）の上記一端は、アンテナ端子（１０）と複数のフィルタ（３０）との間の経路にスイッチ（２０Ｃ）を介して接続可能である。スイッチ（２０Ｃ）は、第１インダクタ（Ｌ１）とアンテナ端子（１０）との接続及び非接続を切り替える。
　この構成によると、安定した通信を行うことができる。
　第５の態様の高周波モジュール（１；１Ａ；１Ｂ；１Ｃ；１Ｄ）は、第１～第４のいずれかの態様において、実装基板（１００）を、更に備える。実装基板（１００）は、互いに対向する第１主面（１０１）及び第２主面（１０２）を有する。第１インダクタ（Ｌ１）及び第２インダクタ（Ｌ２）は、実装基板（１００）の第１主面（１０１）に実装されている。
　この構成によると、安定した通信を行うことができる。
　第６の態様の高周波モジュール（１；１Ａ；１Ｂ；１Ｃ；１Ｄ）は、第１～第４のいずれかの態様において、実装基板（１００）を、更に備える。実装基板（１００）は、互いに対向する第１主面（１０１）及び第２主面（１０２）を有する。第１インダクタ（Ｌ１）及び第２インダクタ（Ｌ２）のうち一方は、実装基板（１００）の第１主面（１０１）に実装されている。第１インダクタ（Ｌ１）及び第２インダクタ（Ｌ２）のうち他方は、実装基板（１００）の第２主面（１０２）に実装されている。
　この構成によると、安定した通信を行うことができる。
　第７の態様の高周波モジュール（１；１Ａ；１Ｂ；１Ｃ；１Ｄ）は、第１～第４のいずれかの態様において、実装基板（１００）を、更に備える。実装基板（１００）は、互いに対向する第１主面（１０１）及び第２主面（１０２）を有する。第１インダクタ（Ｌ１）は、第１導体パターン層（例えば、第１導体パターン層１５０）を有する。第２インダクタ（Ｌ２）は、第２導体パターン層（例えば、第２導体パターン層１６０）を有する。第１導体パターン層及び前記第２導体パターン層は、実装基板（１００）の第１主面（１０１）、第２主面（１０２）及び実装基板（１００）の内部のいずれかに配置されている。
　この構成によると、安定した通信を行うことができる。
　第８の態様の高周波モジュール（１；１Ａ；１Ｂ；１Ｃ；１Ｄ）では、第７の態様において、実装基板（１００）は、複数の誘電体層及び複数の導電層を含む多層基板である。第１導体パターン層及び第２導体パターン層は、多層基板の複数の誘電体層のうち連続する２以上の誘電体層に配置されている。
　この構成によると、安定した通信を行うことができる。また、第１導体パターン層及び第２導体パターン層を連続する２以上の誘電体層に配置することで、高周波モジュール（１）の低背化を図ることができる。
　第９の態様の高周波モジュール（１；１Ａ；１Ｂ；１Ｃ；１Ｄ）では、第１～第８のいずれかの態様において、第２インダクタ（Ｌ２）とスイッチ（２０；２０Ｂ；２０Ｃ）との間が非接続状態である場合に、非接続状態の場合に発生するスイッチ（２０；２０Ｂ；２０Ｃ）のオフ容量と、第１インダクタ（Ｌ１）及び第２インダクタ（Ｌ２）の合成インダクタンスとに基づく共振周波数は、複数のフィルタ（３０）のうち少なくとも１つのフィルタ（例えば、第１フィルタ３１）で通過する信号の周波数帯域よりも、高周波側にある。
　この構成によると、第２インダクタ（Ｌ２）とアンテナ端子（１０）とが非接続状態である場合において、共振周波数が第１フィルタ（３１）で通過する信号の周波数帯域に確実に含まれないように調整することができる。したがって、安定した通信を行うことができる。
　第１０の態様の高周波モジュール（１；１Ａ；１Ｂ；１Ｃ；１Ｄ）では、第１～第９のいずれかの態様において、スイッチ（２０；２０Ｂ；２０Ｃ）は、ＦＥＴ（例えばＦＥＴ２５）を有している。
　この構成によると、ＦＥＴを用いて、第２インダクタ（Ｌ２）の接続、非接続を切り替えることができる。
　第１１の態様の高周波モジュール（１；１Ａ；１Ｂ；１Ｃ；１Ｄ）では、第１～第１０のいずれかの態様において、第１インダクタ（Ｌ１）のインダクタンス値は、第２インダクタ（Ｌ２）のインダクタンス値以下である。
　この構成によると、第１インダクタ（Ｌ１）のインダクタンス値を大きくすることなく、安定した通信を行うことができる。
　第１２の態様の通信装置（５００）は、第１～第１１のいずれかの態様の高周波モジュール（１）と、高周波モジュール（１）を通る信号を処理する信号処理回路（５０１）と、を備える。
　この構成によると、安定した通信を行うことができる。
　　１，１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄ　高周波モジュール
　　１０　アンテナ端子
　　２０，２０Ｂ，２０Ｃ　スイッチ
　　２１　共通端子
　　３０　フィルタ
　　３１　第１フィルタ
　　３２　第２フィルタ
　　３３　第３フィルタ
　　４０　整合回路
　　４１　第１整合回路
　　４２　第２整合回路
　　４３　第３整合回路
　　５０　ローノイズアンプ
　　５１　第１ローノイズアンプ
　　５２　第２ローノイズアンプ
　　５３　第３ローノイズアンプ
　　６１，６２，６３　信号出力端子
　　１００　実装基板
　　１０１　第１主面
　　１０２　第２主面
　　１１０　第１樹脂層（樹脂層）
　　１２０　第２樹脂層（樹脂層）
　　１３０　外部接続端子
　　１３１　ボールバンプ
　　１５０　第１導体パターン層
　　１６０　第２導体パターン層
　　５００　通信装置
　　５０１　信号処理回路
　　５０２　ＲＦ信号処理回路
　　５０３　ベースバンド信号処理回路
　　５１０　アンテナ
　　Ｄ１　厚さ方向
　　Ｇ１，Ｇ１０，Ｇ１１，Ｇ２０，Ｇ２１　曲線
　　Ｌ１　第１インダクタ
　　Ｌ２　第２インダクタ
　　Ｌ３　第３インダクタ
　　Ｌ４　第４インダクタ
　　Ｌ１１　第５インダクタ
　　Ｌ１２　第６インダクタ
　　Ｐ１　接続点

Claims (12)

  1. 　アンテナ端子と、
    　前記アンテナ端子に接続されているスイッチと、
    　前記スイッチに接続されている複数のフィルタと、
    　第１インダクタと、
    　第２インダクタと、を備え、
    　前記スイッチは、前記複数のフィルタのうち少なくとも２つのフィルタを前記アンテナ端子と同時に接続可能に構成されており、
    　前記第２インダクタの一端は、前記スイッチに接続されており、前記第２インダクタの他端は、グランドに接続されており、
    　前記スイッチは、前記複数のフィルタ及び前記第２インダクタの中から前記アンテナ端子に接続される接続対象を切り替え、
    　前記第１インダクタの一端は、前記アンテナ端子と前記複数のフィルタとの間の経路に接続されており、前記第１インダクタの他端は、前記第２インダクタと前記スイッチとの間の経路に接続されている、
    　高周波モジュール。
  2. 　前記スイッチは、前記アンテナ端子と接続している共通端子を有しており、
    　前記第１インダクタの前記一端は、前記アンテナ端子と前記共通端子との間に接続されている、
    　請求項１に記載の高周波モジュール。
  3. 　前記第２インダクタと直列に接続されている第３インダクタを、更に備え、
    　前記第３インダクタの一端は、前記第１インダクタの他端及び前記スイッチと接続され、前記第３インダクタの他端は、前記第２インダクタを介してグランドに接続されており、
    　前記スイッチは、前記第３インダクタと前記アンテナ端子との接続及び非接続を切り替える、
    　請求項１又は２に記載の高周波モジュール。
  4. 　前記第１インダクタの前記一端は、前記アンテナ端子と前記複数のフィルタとの間の経路に前記スイッチを介して接続可能であり、
    　前記スイッチは、前記第１インダクタと前記アンテナ端子との接続及び非接続を切り替える、
    　請求項１～３のいずれか一項に記載の高周波モジュール。
  5. 　互いに対向する第１主面及び第２主面を有する実装基板を、更に備え、
    　前記第１インダクタ及び前記第２インダクタは、前記実装基板の前記第１主面に実装されている、
    　請求項１～４のいずれか一項に記載の高周波モジュール。
  6. 　互いに対向する第１主面及び第２主面を有する実装基板を、更に備え、
    　前記第１インダクタ及び前記第２インダクタのうち一方は、前記実装基板の前記第１主面に実装されており、
    　前記第１インダクタ及び前記第２インダクタのうち他方は、前記実装基板の前記第２主面に実装されている、
    　請求項１～４のいずれか一項に記載の高周波モジュール。
  7. 　互いに対向する第１主面及び第２主面を有する実装基板を、更に備え、
    　前記第１インダクタは、第１導体パターン層を有し、
    　前記第２インダクタは、第２導体パターン層を有し、
    　前記第１導体パターン層及び前記第２導体パターン層は、前記実装基板の前記第１主面、前記第２主面及び前記実装基板の内部のいずれかに配置されている、
    　請求項１～４のいずれか一項に記載の高周波モジュール。
  8. 　前記実装基板は、複数の誘電体層及び複数の導電層を含む多層基板であり、
    　前記第１導体パターン層及び前記第２導体パターン層は、前記多層基板の前記複数の誘電体層のうち連続する２以上の誘電体層に配置されている、
    　請求項７に記載の高周波モジュール。
  9. 　前記第２インダクタと前記スイッチとの間が非接続状態である場合において、前記非接続状態の場合に発生する前記スイッチのオフ容量と、前記第１インダクタ及び前記第２インダクタの合成インダクタンスとに基づく共振周波数は、前記複数のフィルタのうち少なくとも１つのフィルタで通過する信号の周波数帯域よりも、高周波側にある、
    　請求項１～８のいずれか一項に記載の高周波モジュール。
  10. 　前記スイッチは、ＦＥＴを有している、
    　請求項１～９のいずれか一項に記載の高周波モジュール。
  11. 　前記第１インダクタのインダクタンス値は、前記第２インダクタのインダクタンス値以下である、
    　請求項１～１０のいずれか一項に記載の高周波モジュール。
  12. 　請求項１～１１のいずれか一項に記載の高周波モジュールと、
    　前記高周波モジュールを通る信号を処理する信号処理回路と、を備える、
    　通信装置。
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JP2015084469A (ja) * 2013-10-25 2015-04-30 株式会社村田製作所 高周波回路モジュール
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