WO2022209482A1

WO2022209482A1 - 高周波モジュール及び通信装置

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Publication number: WO2022209482A1
Application number: PCT/JP2022/007861
Authority: WO
Inventors: 克也中澤; 広幸可児
Original assignee: 株式会社村田製作所
Priority date: 2021-03-31
Filing date: 2022-02-25
Publication date: 2022-10-06
Also published as: US20240022267A1; CN117099313A

Abstract

異なる周波数帯域での送信信号を同時に送信する場合においてアイソレーションの低下を抑制する。高周波モジュール（１）は、第１パワーアンプ、第２パワーアンプ、第１スイッチ（２０）、第２スイッチ（３０）、第３スイッチ（４０）及び実装基板（１００）を備える。第１スイッチ（２０）、第２スイッチ（３０）及び第３スイッチ（４０）は、第１パワーアンプと第２パワーアンプとをアンテナ端子に同時接続可能に構成されている。第１スイッチ（２０）は、実装基板（１００）の厚さ方向（Ｄ１）からの平面視で、第２スイッチ（３０）と第３スイッチ（４０）との間に配置されている。第２スイッチ（３０）及び第３スイッチ（４０）は、実装基板（１００）の第１主面（１０１）及び第２主面（１０２）のうち同一主面に配置されている。

Description

高周波モジュール及び通信装置

　本発明は、一般に高周波モジュール及び通信装置に関し、より詳細には第１送信信号及び第２送信信号を増幅する高周波モジュール及び通信装置に関する。

　従来、周波数帯域を選択する装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。特許文献１のフロントエンドモジュール（ＦＥＴ）は、ＳＰＤＴ（Single-Pole Double Throw）スイッチ（第１スイッチ）と、２つのＳＰ４Ｔ（Single-Pole ４ Throw）スイッチ（第２スイッチ、第３スイッチ）と、８つのＳＡＷフィルタと、を含む。第１スイッチは、アンテナと第２スイッチとの接続を切り替え、及びアンテナと第３スイッチとの接続を切り替える。第２スイッチは、第１スイッチと接続されている。第２スイッチは、第１スイッチの接続先として４つのＳＡＷフィルタのうち１つのＳＡＷフィルタを選択する。第３スイッチは、第１スイッチと接続されている。第３スイッチは、第１スイッチの接続先として上記４つのＳＡＷフィルタとは異なる４つのＳＡＷフィルタのうち１つのＳＡＷフィルタを選択する。

特開２０１９－０９２２０１号公報

　ところで、異なる周波数帯域での複数の送信信号を同時に送信することが求められている。例えば、特許文献１のＦＥＴでは、第１スイッチは、第２スイッチ及び第３スイッチを互いに異なるＳＡＷフィルタを同時に接続する。これにより、特許文献１のＦＥＴは、第２スイッチと接続された１つのＳＡＷフィルタを通過する送信信号と、第３スイッチと接続された１つのＳＡＷフィルタを通過する送信信号とを同時に送信する。しかしながら、特許文献１のＦＥＴでは、異なる周波数帯域での複数の送信信号を同時に送信する場合、アイソレーションが低下する可能性がある。

　本発明は上記課題に鑑みてなされ、異なる周波数帯域での複数の送信信号を同時に送信する場合においてアイソレーションの低下を抑制することができる高周波モジュール及び通信装置を提供することを目的とする。

　本発明の一態様に係る高周波モジュールは、第１パワーアンプと、第２パワーアンプと、第１スイッチと、第２スイッチと、第３スイッチと、実装基板と、を備える。前記第１パワーアンプは、第１周波数帯域の第１送信信号を増幅する。前記第２パワーアンプは、前記第１周波数帯域とは異なる第２周波数帯域の第２送信信号を増幅する。前記第１スイッチは、アンテナ端子に接続されている。前記第２スイッチは、前記第１パワーアンプと前記第１スイッチとの接続を切り替える。前記第３スイッチは、前記第２パワーアンプと前記第１スイッチとの接続を切り替える。前記実装基板は、互いに対向する第１主面及び第２主面を有し、前記第１パワーアンプ、前記第２パワーアンプ、前記第１スイッチ、前記第２スイッチ及び前記第３スイッチが配置されている。前記第１スイッチ、前記第２スイッチ及び前記第３スイッチは、前記第１パワーアンプと前記第２パワーアンプとを前記アンテナ端子に同時接続可能に構成されている。前記第１スイッチは、前記実装基板の厚さ方向からの平面視で、前記第２スイッチと前記第３スイッチとの間に配置されている。前記第２スイッチ及び前記第３スイッチは、前記実装基板の前記第１主面及び前記第２主面のうち同一主面に配置されている。

　本発明の一態様に係る高周波モジュールは、第１パワーアンプと、第２パワーアンプと、第１スイッチと、第２スイッチと、第３スイッチと、実装基板と、を備える。前記第１パワーアンプは、第１周波数帯域の第１送信信号を増幅する。前記第２パワーアンプは、前記第１周波数帯域とは異なる第２周波数帯域の第２送信信号を増幅する。前記第１スイッチは、アンテナ端子に接続されている。前記第２スイッチは、前記第１パワーアンプと前記第１スイッチとの接続を切り替える。前記第３スイッチは、前記第２パワーアンプと前記第１スイッチとの接続を切り替える。前記実装基板は、互いに対向する第１主面及び第２主面を有し、前記第１パワーアンプ、前記第２パワーアンプ、前記第１スイッチ、前記第２スイッチ及び前記第３スイッチが配置されている。前記第１スイッチ、前記第２スイッチ及び前記第３スイッチは、前記第１パワーアンプと前記第２パワーアンプとを前記アンテナ端子に同時接続可能に構成されている。前記第２スイッチ及び前記第３スイッチは、前記実装基板の前記第１主面及び前記第２主面のうち互いに異なる主面に配置されている。

　本発明の一態様に係る通信装置は、前記高周波モジュールと、前記高周波モジュールを通る前記第１送信信号及び前記第２送信信号を処理する信号処理回路と、を備える。

　本発明の上記構成に係る高周波モジュール及び通信装置によると、異なる周波数帯域での送信信号を同時に送信する場合においてアイソレーションの低下を抑制することができる。

図１は、一実施形態に係る高周波モジュールを示す模式的な回路図である。図２は、同上の高周波モジュールが備える実装基板の第１主面における電子部品の配置を示す平面図である。図３は、同上の高周波モジュールが備える実装基板の第２主面における電子部品の配置を、実装基板の第１主面側から透視した平面図である。図４は、同上の高周波モジュールを示し、図２のＸ１－Ｘ１線断面図である。図５は、一実施形態の変形例１に係る高周波モジュールの断面図である。図６は、一実施形態の変形例２に係る高周波モジュールの断面図である。図７は、一実施形態の変形例３に係る高周波モジュールの断面図である。図８は、一実施形態の変形例３の別の変形例に係る高周波モジュールの断面図である。図９は、一実施形態の変形例３に係る高周波モジュールの実装基板の第１主面における電子部品の配置を示す平面図である。

　以下の実施形態等において参照する図２～図９は、いずれも模式的な図であり、図中の各構成要素の大きさや厚さそれぞれの比が、必ずしも実際の寸法比を反映しているとは限らない。

　（実施形態）
　以下、本実施形態に係る高周波モジュール１及び通信装置５００について、図１～図４を用いて説明する。

　（１）概要
　高周波モジュール１は、図１に示すように、第１パワーアンプ８１と、第２パワーアンプ８２と、第１スイッチ２０と、第２スイッチ３０と、第３スイッチ４０と、を備える。第１パワーアンプ８１は、第１周波数帯域の第１送信信号を増幅する。第２パワーアンプ８２は、第１周波数帯域とは異なる第２周波数帯域の第２送信信号を増幅する。第１スイッチ２０は、アンテナ端子（ここでは、第１アンテナ端子１１、第２アンテナ端子１２）に接続されている。第２スイッチ３０は、第１パワーアンプ８１と第１スイッチ２０との接続を切り替える。第３スイッチ４０は、第２パワーアンプ８２と第１スイッチ２０との接続を切り替える。

　さらに、高周波モジュール１は、図４に示すように、実装基板１００と、第１樹脂層１２０と、第２樹脂層１２５と、を備える。実装基板１００は、実装基板１００の厚さ方向Ｄ１において互いに対向する第１主面１０１及び第２主面１０２を有している。実装基板１００には、第１パワーアンプ８１、第２パワーアンプ８２、第１スイッチ２０、第２スイッチ３０及び第３スイッチ４０が配置されている。

　本実施形態に係る高周波モジュール１は、例えば、マルチモード／マルチバンド対応の通信装置５００に用いられる。通信装置５００は、例えば、携帯電話（例えば、スマートフォン）であるが、これに限らず、例えば、ウェアラブル端末（例えば、スマートウォッチ）等であってもよい。高周波モジュール１は、例えば、４Ｇ（第４世代移動通信）規格、５Ｇ（第５世代移動通信）規格等に対応可能なモジュールである。４Ｇ規格は、例えば、３ＧＰＰ（Third Generation Partnership Project）　ＬＴＥ（Long Term Evolution）規格である。５Ｇ規格は、例えば、５Ｇ　ＮＲ（New Radio）である。第１スイッチ２０は、第１パワーアンプ８１と第２パワーアンプ８２とをアンテナ端子に同時接続可能に構成されている。すなわち、高周波モジュール１は、キャリアアグリゲーション（Carrier Aggregation）及びデュアルコネクティビティ（Dual Connectivity）に対応可能なモジュールである。ここで、キャリアアグリゲーション及びデュアルコネクティビティとは、複数の周波数帯域の電波を同時に使用する通信をいう。

　本実施形態に係る高周波モジュール１は、４Ｇで規定されている周波数帯域の信号の通信と、４Ｇで規定されている別の周波数帯域の信号の通信とを同時に行う。高周波モジュール１は、４Ｇで規定されている周波数帯域の信号の通信と、５Ｇで規定されている周波数帯域の信号の通信とを同時に行う。高周波モジュール１は、５Ｇで規定されている周波数帯域の信号の通信と、５Ｇで規定されている別の周波数帯域の信号の通信とを同時に行う。以下、キャリアアグリゲーション又はデュアルコネクティビティによる通信を同時通信ともいう。

　本実施形態に係る高周波モジュール１は、ミッドバンドの周波数帯域（第１周波数帯域）の通信、及びハイバンドの周波数帯域（第２周波数帯域）の通信を行う。本実施形態では、４Ｇで規定されているハイバンドの周波数帯域として、例えばＢａｎｄ４１（周波数帯域２４９６～２６９０ＭＨｚ）が、４Ｇで規定されているミッドバンドの周波数帯域として、例えばＢａｎｄ１（周波数帯域１９２０～１９８０ＭＨｚ）が、それぞれ用いられる。５Ｇで規定されているハイバンドの周波数帯域として、例えばｎ４１（周波数帯域２４９６～２６９０ＭＨｚ）が、５Ｇで規定されているミッドバンドの周波数帯域として、例えばｎ１（周波数帯域１９２０～１９８０ＭＨｚ）が、それぞれ用いられる。また、Ｂａｎｄ４１及びｎ４１は、時分割複信方式（ＴＤＤ：Time Division Duplex）の通信に用いられる。Ｂａｎｄ１及びｎ１は、周波数分割複信方式（ＦＤＤ：Frequency Division Duplex）に用いられる。なお、４Ｇで規定されているハイバンドの周波数帯域として、例えばＢａｎｄ４０が用いられてもよい。また、４Ｇで規定されているミッドバンドの周波数帯域として、例えばＢａｎｄ３、Ｂａｎｄ２、Ｂａｎｄ２５、Ｂａｎｄ４、Ｂａｎｄ６６、Ｂａｎｄ３９、又はＢａｎｄ３４が用いられてもよい。５Ｇで規定されているミッドバンドの周波数帯域として、例えばｎ３が用いられてもよい。

　本実施形態では、高周波モジュール１は、キャリアアグリゲーション又はデュアルコネクティビティによる通信を同時通信が可能である。そのため、高周波モジュール１は、４Ｇ（又は５Ｇ）で規定されているハイバンドの周波数帯域での送信と、４Ｇ（又は５Ｇ）で規定されているミッドバンドの周波数帯域での送信とが同時に可能である。高周波モジュール１は、４Ｇ（又は５Ｇ）で規定されているハイバンドの周波数帯域での受信と、４Ｇ（又は５Ｇ）で規定されているミッドバンドの周波数帯域での受信とが同時に可能である。さらに、高周波モジュール１は、４Ｇ（又は５Ｇ）で規定されているハイバンドの周波数帯域での送信と、４Ｇ（又は５Ｇ）で規定されているミッドバンドの周波数帯域での受信とが同時に可能である。高周波モジュール１は、４Ｇ（又は５Ｇ）で規定されているハイバンドの周波数帯域での受信と、４Ｇ（又は５Ｇ）で規定されているミッドバンドの周波数帯域での送信とが同時に可能である。

　本実施形態では、第１送信フィルタ６１は、ミッドバンドの周波数帯域（第１周波数帯域）の送信信号（第１送信信号）を通過させる。第２送信フィルタ６２は、第１周波数帯域とは異なる周波数帯域であるハイバンドの周波数帯域（第２周波数帯域）の送信信号（第２送信信号）を通過させる。

　高周波モジュール１は、図１に示すように、第１送信フィルタ６１と、第２送信フィルタ６２と、第１受信フィルタ６３と、第２受信フィルタ６４と、を更に備える。第１受信フィルタ６３は、ミッドバンドの周波数帯域の受信信号（第１受信信号）を通過させる。第２受信フィルタ６４は、ミッドバンドの周波数帯域とは異なる周波数帯域であるハイバンドの周波数帯域の受信信号（第２受信信号）を通過させる。すなわち、第２受信フィルタ６４は、第１受信信号の周波数帯域とは異なる周波数帯域の受信信号（第２受信信号）を通過させる。

　（２）構成
　以下、本実施形態に係る高周波モジュール１及び通信装置５００の構成について、図１～図４を参照して説明する。

　高周波モジュール１は、例えば、信号処理回路５０１（図１参照）から入力された送信信号（高周波信号）を増幅して第１アンテナ５１１及び第２アンテナ５１２に出力できるように構成されている。高周波モジュール１は、例えば、第１アンテナ５１１及び第２アンテナ５１２から入力された受信信号（高周波信号）を増幅して信号処理回路５０１に出力できるように構成されている。信号処理回路５０１は、高周波モジュール１の構成要素ではなく、高周波モジュール１を備える通信装置５００の構成要素である。高周波モジュール１は、例えば、通信装置５００の備える信号処理回路５０１によって制御される。通信装置５００は、高周波モジュール１と、信号処理回路５０１と、を備える。通信装置５００は、第１アンテナ５１１、第２アンテナ５１２を更に備える。通信装置５００は、高周波モジュール１が実装された回路基板を更に備える。回路基板は、例えば、プリント配線板である。回路基板は、グランド電位が与えられるグランド電極を有する。

　信号処理回路５０１は、高周波モジュール１を通る信号（例えば、受信信号、送信信号）を処理する。信号処理回路５０１は、例えば、ＲＦ信号処理回路５０２と、ベースバンド信号処理回路５０３と、を含む。ＲＦ信号処理回路５０２は、例えば、ＲＦＩＣ（Radio Frequency Integrated Circuit）であり、高周波信号に対する信号処理を行う。ＲＦ信号処理回路５０２は、例えば、ベースバンド信号処理回路５０３から出力された高周波信号（送信信号）に対してアップコンバート等の信号処理を行い、信号処理が行われた高周波信号を出力する。また、ＲＦ信号処理回路５０２は、例えば、高周波モジュール１から出力された高周波信号（受信信号）に対してダウンコンバート等の信号処理を行い、信号処理が行われた高周波信号をベースバンド信号処理回路５０３へ出力する。

　ベースバンド信号処理回路５０３は、例えば、ＢＢＩＣ（Baseband Integrated Circuit）である。ベースバンド信号処理回路５０３は、ベースバンド信号からＩ相信号及びＱ相信号を生成する。ベースバンド信号は、例えば、外部から入力される音声信号、画像信号等である。ベースバンド信号処理回路５０３は、Ｉ相信号とＱ相信号とを合成することでＩＱ変調処理を行って、送信信号を出力する。この際、送信信号は、所定周波数の搬送波信号を、当該搬送波信号の周期よりも長い周期で振幅変調した変調信号（ＩＱ信号）として生成される。ベースバンド信号処理回路５０３で処理された受信信号は、例えば、画像信号として画像表示のために、又は、音声信号として通話のために使用される。本実施形態に係る高周波モジュール１は、第１アンテナ５１１及び第２アンテナ５１２と信号処理回路５０１のＲＦ信号処理回路５０２との間で高周波信号（受信信号）を伝達する。

　高周波モジュール１は、図１に示すように、第１アンテナ端子１１と、第２アンテナ端子１２と、第１スイッチ２０と、第２スイッチ３０と、第３スイッチ４０と、を備える。また、高周波モジュール１は、図１に示すように、第１整合回路５１と、第２整合回路５２と、第３整合回路５３と、第４整合回路５４と、第１送信フィルタ６１と、第２送信フィルタ６２と、第１受信フィルタ６３と、第２受信フィルタ６４と、を備える。さらに、高周波モジュール１は、図１に示すように、第５整合回路７１と、第６整合回路７２と、第７整合回路７３と、第８整合回路７４と、第１パワーアンプ８１と、第２パワーアンプ８２と、第１ローノイズアンプ８３と、第２ローノイズアンプ８４と、を備える。高周波モジュール１は、第１入力端子９１、第２入力端子９２、第１出力端子９３及び第２出力端子９４を、更に備える。

　第１アンテナ端子１１は、第１アンテナ５１１に電気的に接続される。第２アンテナ端子１２は、第２アンテナ５１２に電気的に接続される。ここで、「ＡがＢに接続されている」とは、ＡとＢとが接触しているだけでなく、ＡとＢとが導体電極、導体端子、配線、または他の回路部品などを介して電気的に接続されていることを含む。

　第１スイッチ２０は、第１アンテナ５１１に対して第２スイッチ３０と接続可能に、第２アンテナ５１２に対して第３スイッチ４０と接続可能に、構成されている。すなわち、第１スイッチ２０は、第１アンテナ５１１及び第２アンテナ５１２に対して、第２スイッチ３０と第３スイッチ４０とを同時に接続可能に構成されている。

　第１スイッチ２０は、アンテナ端子に電気的に接続されている。具体的には、第１スイッチ２０は、第１アンテナ端子１１及び第２アンテナ端子１２に電気的に接続されている。第１スイッチ２０は、第２スイッチ３０及び第３スイッチ４０と電気的に接続されている。具体的には、第１スイッチ２０は、第１端子２１、第２端子２２、第３端子２３及び第４端子２４を有している。第１スイッチ２０は、信号処理回路５０１の制御により、第１端子２１と第２端子２２との間、又は第１端子２１と第４端子２４との間の接続の動作（開閉の動作）、及び第３端子２３と第４端子２４との間、又は第３端子２３と第２端子２２との間の接続の動作（開閉の動作）を行う。第１端子２１は、第１アンテナ端子１１に電気的に接続されている。つまり、第１端子２１は、第１アンテナ端子１１を介して第１アンテナ５１１に電気的に接続される。第３端子２３は、第２アンテナ端子１２に電気的に接続されている。つまり、第３端子２３は、第２アンテナ端子１２を介して第２アンテナ５１２に電気的に接続される。なお、第１端子２１は第１アンテナ５１１に直接接続されていることに限定されない。第１端子２１と第１アンテナ５１１との間には、フィルタ又はカプラ等が設けられていてもよい。同様に、第３端子２３は第２アンテナ５１２に直接接続されていることに限定されない。第３端子２３と第２アンテナ５１２との間には、フィルタ又はカプラ等が設けられていてもよい。第２端子２２は、第２スイッチ３０に電気的に接続されている。第４端子２４は、第３スイッチ４０に電気的に接続されている。

　第２スイッチ３０は、第１送信フィルタ６１及び第１受信フィルタ６３に電気的に接続されている。第２スイッチ３０は、第１スイッチ２０に電気的に接続されている。具体的には、第２スイッチ３０は、共通端子３１と、複数（図示例では、３つ）の選択端子３２，３３，３４を有している。第２スイッチ３０は、信号処理回路５０１の制御により、複数の選択端子３２，３３，３４のうち少なくとも１つを共通端子３１の接続先として選択する。共通端子３１は、第１スイッチ２０の第２端子２２と電気的に接続されている。すなわち、共通端子３１は、第１スイッチ２０を介して第１アンテナ端子１１に電気的に接続されている。つまり、共通端子３１は、第１アンテナ端子１１を介して第１アンテナ５１１に電気的に接続されている。選択端子３２は、第１送信フィルタ６１及び第１受信フィルタ６３に電気的に接続されている。選択端子３３，３４の接続先は、図面の関係上省略している。選択端子３３，３４のそれぞれの接続先は、ミッドバンドの周波数帯域であって、第１送信フィルタ６１及び第１受信フィルタ６３で信号が通過する周波数帯域とは異なる周波数帯域の信号を通過させる送信フィルタ及び受信フィルタに電気的に接続されている。

　第３スイッチ４０は、第２送信フィルタ６２及び第２受信フィルタ６４に電気的に接続されている。第３スイッチ４０は、第１スイッチ２０に電気的に接続されている。具体的には、第３スイッチ４０は、共通端子４１と、複数（図示例では、３つ）の選択端子４２，４３，４４を有している。第３スイッチ４０は、信号処理回路５０１の制御により、複数の選択端子４２，４３，４４のうち少なくとも１つを共通端子４１の接続先として選択する。共通端子４１は、第１スイッチ２０の第４端子２４と電気的に接続されている。すなわち、共通端子４１は、第１スイッチ２０を介して第２アンテナ端子１２に電気的に接続されている。つまり、共通端子４１は、第２アンテナ端子１２を介して第２アンテナ５１２に電気的に接続されている。選択端子４２は、第２送信フィルタ６２及び第２受信フィルタ６４に電気的に接続されている。選択端子４３，４４の接続先は、図面の関係上省略している。選択端子４３，４４のそれぞれの接続先は、ハイバンドの周波数帯域であって、第２送信フィルタ６２及び第２受信フィルタ６４で信号が通過する周波数帯域とは異なる周波数帯域の信号を通過させる送信フィルタ及び受信フィルタに電気的に接続されている。

　第１スイッチ２０は、第２スイッチ３０及び第３スイッチ４０と同時接続が可能である。具体的には、第１スイッチ２０は、第１パワーアンプ８１と第２パワーアンプ８２とをアンテナ端子に同時接続可能に構成されている。より詳細には、第１スイッチ２０は、第１パワーアンプ８１と第１アンテナ端子１１に、第２パワーアンプ８２を第２アンテナ端子１２に、それぞれ同時接続可能に構成されている。すなわち、第１スイッチ２０は、第１送信フィルタ６１と第２送信フィルタ６２とを同時接続することが可能である。第１送信フィルタ６１と第２送信フィルタ６２を同時接続することで、第１送信フィルタ６１と第２送信フィルタ６２とで同時通信が可能になる。「同時通信が可能である」とは、３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格で同時通信が可能であると定められている周波数帯域であれば、同時通信が可能であることとする。

　第１整合回路５１は、例えばインダクタである。より詳細には、第１整合回路５１は、チップインダクタである。第１整合回路５１は、第２スイッチ３０と第１送信フィルタ６１との間の経路において電気的に接続されており、第２スイッチ３０と第１送信フィルタ６１とのインピーダンス整合をとる。

　第２整合回路５２は、例えばインダクタである。より詳細には、第２整合回路５２は、チップインダクタである。第２整合回路５２は、第３スイッチ４０と第２送信フィルタ６２との間の経路において電気的に接続されており、第３スイッチ４０と第２送信フィルタ６２とのインピーダンス整合をとる。

　第３整合回路５３は、例えばインダクタである。より詳細には、第３整合回路５３は、チップインダクタである。第３整合回路５３は、第２スイッチ３０と第１受信フィルタ６３との間の経路において電気的に接続されており、第２スイッチ３０と第１受信フィルタ６３とのインピーダンス整合をとる。

　第４整合回路５４は、例えばインダクタである。より詳細には、第４整合回路５４は、チップインダクタである。第４整合回路５４は、第３スイッチ４０と第２受信フィルタ６４との間の経路において電気的に接続されており、第３スイッチ４０と第２受信フィルタ６４とのインピーダンス整合をとる。

　本実施形態では、第１整合回路５１と第３整合回路５３とが、第２整合回路５２と第４整合回路５４とが、それぞれ１チップ化されている。本実施形態では、第１整合回路５１と第３整合回路５３とが１チップ化された部品を第１整合チップ５０ａといい、第２整合回路５２と第４整合回路５４とが１チップ化された部品を第２整合チップ５０ｂという。

　第１送信フィルタ６１は、第１パワーアンプ８１から出力されたミッドバンドの周波数帯域の送信信号（第１送信信号）を通過させるフィルタである。第１送信フィルタ６１は、第１整合回路５１を介して第２スイッチ３０と電気的に接続されている。すなわち、第１送信フィルタ６１は、第２スイッチ３０と接続され、第１送信信号を通過させる。第１送信フィルタ６１は、例えば、ラダー型フィルタであり、複数（例えば、４つ）の直列腕共振子と、複数（例えば、３つ）の並列腕共振子と、を有する。第１送信フィルタ６１は、例えば、弾性波フィルタである。弾性波フィルタは、複数の直列腕共振子及び複数の並列腕共振子の各々が弾性波共振子により構成されている。弾性波フィルタは、例えば、弾性表面波を利用する表面弾性波フィルタである。表面弾性波フィルタでは、複数の直列腕共振子及び複数の並列腕共振子の各々は、例えば、ＳＡＷ（Surface Acoustic Wave）共振子である。なお、第１送信フィルタ６１は、ＳＡＷフィルタに限定されない。第１送信フィルタ６１はＳＡＷフィルタ以外、例えばＢＡＷ（Bulk Acoustic Wave）フィルタであってもよい。ＢＡＷフィルタにおける共振子は、例えば、ＦＢＡＲ（Film Bulk Acoustic Resonator）又はＳＭＲ（Solidly Mounted Resonator）である。ＢＡＷフィルタは、基板を有している。ＢＡＷフィルタが有する基板は、例えば、シリコン基板である。

　第２送信フィルタ６２は、第２パワーアンプ８２から出力されたハイバンドの周波数帯域の送信信号（第２送信信号）を通過させるフィルタである。第２送信フィルタ６２は、第２整合回路５２を介して第３スイッチ４０と電気的に接続されている。すなわち、第２送信フィルタ６２は、第３スイッチ４０と接続され、第１送信信号の周波数帯域とは異なる第２送信信号を通過させる。第２送信フィルタ６２は、例えば、ラダー型フィルタであり、複数（例えば、４つ）の直列腕共振子と、複数（例えば、３つ）の並列腕共振子と、を有する。第２送信フィルタ６２は、例えば、弾性波フィルタである。弾性波フィルタは、複数の直列腕共振子及び複数の並列腕共振子の各々が弾性波共振子により構成されている。弾性波フィルタは、例えば、弾性表面波を利用する表面弾性波フィルタである。表面弾性波フィルタでは、複数の直列腕共振子及び複数の並列腕共振子の各々は、例えば、ＳＡＷ共振子である。なお、第２送信フィルタ６２は、ＳＡＷフィルタに限定されない。第２送信フィルタ６２はＳＡＷフィルタ以外、例えばＢＡＷフィルタであってもよい。

　第１受信フィルタ６３は、第１ローノイズアンプ８３に入力されるミッドバンドの周波数帯域の受信信号（第１受信信号）を通過させるフィルタである。第１受信フィルタ６３は、第３整合回路５３を介して第２スイッチ３０と電気的に接続されている。すなわち、第１受信フィルタ６３は、第２スイッチ３０と接続され、第１受信信号を通過させる。第１受信フィルタ６３は、例えば、ラダー型フィルタであり、複数（例えば、４つ）の直列腕共振子と、複数（例えば、３つ）の並列腕共振子と、を有する。第１受信フィルタ６３は、例えば、弾性波フィルタである。弾性波フィルタは、複数の直列腕共振子及び複数の並列腕共振子の各々が弾性波共振子により構成されている。弾性波フィルタは、例えば、弾性表面波を利用する表面弾性波フィルタである。表面弾性波フィルタでは、複数の直列腕共振子及び複数の並列腕共振子の各々は、例えば、ＳＡＷ共振子である。なお、第１受信フィルタ６３は、ＳＡＷフィルタに限定されない。第１受信フィルタ６３はＳＡＷフィルタ以外、例えばＢＡＷフィルタであってもよい。

　第２受信フィルタ６４は、第２ローノイズアンプ８４に入力されるハイバンドの周波数帯域の受信信号（第２受信信号）を通過させるフィルタである。第２受信フィルタ６４は、第４整合回路５４を介して第３スイッチ４０と電気的に接続されている。すなわち、第２受信フィルタ６４は、第３スイッチ４０と接続され、第１受信信号の周波数帯域とは異なる周波数帯域の第２受信信号を通過させる。第２受信フィルタ６４は、例えば、ラダー型フィルタであり、複数（例えば、４つ）の直列腕共振子と、複数（例えば、３つ）の並列腕共振子と、を有する。第２受信フィルタ６４は、例えば、弾性波フィルタである。弾性波フィルタは、複数の直列腕共振子及び複数の並列腕共振子の各々が弾性波共振子により構成されている。弾性波フィルタは、例えば、弾性表面波を利用する表面弾性波フィルタである。表面弾性波フィルタでは、複数の直列腕共振子及び複数の並列腕共振子の各々は、例えば、ＳＡＷ共振子である。なお、第２受信フィルタ６４は、ＳＡＷフィルタに限定されない。第２受信フィルタ６４はＳＡＷフィルタ以外、例えばＢＡＷフィルタであってもよい。

　第５整合回路７１は、例えばインダクタである。より詳細には、第５整合回路７１は、チップインダクタである。第５整合回路７１は、第１送信フィルタ６１と第１パワーアンプ８１との間の経路において電気的に接続されており、第１送信フィルタ６１と第１パワーアンプ８１とのインピーダンス整合をとる。

　第６整合回路７２は、例えばインダクタである。より詳細には、第６整合回路７２は、チップインダクタである。第６整合回路７２は、第２送信フィルタ６２と第２パワーアンプ８２との間の経路において電気的に接続されており、第２送信フィルタ６２と第２パワーアンプ８２とのインピーダンス整合をとる。

　第７整合回路７３は、例えばインダクタである。より詳細には、第７整合回路７３は、チップインダクタである。第７整合回路７３は、第１受信フィルタ６３と第１ローノイズアンプ８３との間の経路において電気的に接続されており、第１受信フィルタ６３と第１ローノイズアンプ８３とのインピーダンス整合をとる。

　第８整合回路７４は、例えばインダクタである。より詳細には、第８整合回路７４は、チップインダクタである。第８整合回路７４は、第２受信フィルタ６４と第２ローノイズアンプ８４との間の経路において電気的に接続されており、第２受信フィルタ６４と第２ローノイズアンプ８４とのインピーダンス整合をとる。

　第１パワーアンプ８１は、信号処理回路５０１のＲＦ信号処理回路５０２が出力したミッドバンドの周波数帯域（第１周波数帯域）の送信信号（第１送信信号）を増幅する。第１パワーアンプ８１の入力端子は、第１入力端子９１に電気的に接続されている。第１パワーアンプ８１の出力端子は、第５整合回路７１に電気的に接続されている。すなわち、第１パワーアンプ８１は、第５整合回路７１を介して第１送信フィルタ６１に電気的に接続されている。つまり、第１パワーアンプ８１は、第１送信フィルタ６１を介して第２スイッチ３０に電気的に接続されている。

　第２パワーアンプ８２は、信号処理回路５０１のＲＦ信号処理回路５０２が出力したハイバンドの周波数帯域（第２周波数帯域）の送信信号（第２送信信号）を増幅する。第２パワーアンプ８２の入力端子は、第２入力端子９２に電気的に接続されている。第２パワーアンプ８２の出力端子は、第６整合回路７２に電気的に接続されている。すなわち、第２パワーアンプ８２は、第６整合回路７２を介して第２送信フィルタ６２に電気的に接続されている。つまり、第２パワーアンプ８２は、第２送信フィルタ６２を介して第３スイッチ４０に電気的に接続されている。

　第１ローノイズアンプ８３は、第１受信フィルタ６３を通過した受信信号を増幅する。第１ローノイズアンプ８３の入力端子は、第７整合回路７３に電気的に接続され、第１ローノイズアンプ８３の出力端子は、第１出力端子９３に電気的に接続されている。すなわち、第１ローノイズアンプ８３は、第７整合回路７３を介して第１受信フィルタ６３に電気的に接続されている。つまり、第１ローノイズアンプ８３は、第１受信フィルタ６３を介して第２スイッチ３０に電気的に接続されている。

　第２ローノイズアンプ８４は、第２受信フィルタ６４を通過した受信信号を増幅する。第２ローノイズアンプ８４の入力端子は、第８整合回路７４に電気的に接続され、第２ローノイズアンプ８４の出力端子は、第２出力端子９４に電気的に接続されている。すなわち、第２ローノイズアンプ８４、第８整合回路７４を介して第２受信フィルタ６４に電気的に接続されている。つまり、第２ローノイズアンプ８４は、第２受信フィルタ６４を介して第３スイッチ４０に電気的に接続されている。

　第１入力端子９１、第２入力端子９２，第１出力端子９３及び第２出力端子９４は、ＲＦ信号処理回路５０２に接続される。すなわち、第１パワーアンプ８１は、第１入力端子９１を介して、ＲＦ信号処理回路５０２に電気的に接続される。第２パワーアンプ８２は、第２入力端子９２を介して、ＲＦ信号処理回路５０２に電気的に接続される。第１ローノイズアンプ８３は、第１出力端子９３を介して、ＲＦ信号処理回路５０２に電気的に接続される。第２ローノイズアンプ８４は、第２出力端子９４を介して、ＲＦ信号処理回路５０２に電気的に接続される。

　高周波モジュール１は、実装基板１００と、複数（図示例では、２つ）の外部接続端子２００と、第１樹脂層１２０と、第２樹脂層１２５と、を更に備える（図４参照）。

　実装基板１００は、実装基板１００の厚さ方向Ｄ１において互いに対向する第１主面１０１及び第２主面１０２を有する。

　実装基板１００は、例えば、プリント配線板、ＬＴＣＣ（Low Temperature Co-fired Ceramics）基板、ＨＴＣＣ（High Temperature Co-fired Ceramics）基板、樹脂多層基板である。ここにおいて、実装基板１００は、例えば、複数の誘電体層及び複数の導電層を含む多層基板であってセラミック基板である。複数の誘電体層及び複数の導電層は、実装基板１００の厚さ方向Ｄ１において積層されている。複数の導電層は、層ごとに定められた所定パターンに形成されている。複数の導電層の各々は、実装基板１００の厚さ方向Ｄ１に直交する一平面内において１つ又は複数の導体部を含む。各導電層の材料は、例えば、銅である。複数の導電層は、グランド層を含む。高周波モジュール１では、複数の外部接続端子２００に含まれる１つ以上のグランド端子とグランド層とが、実装基板１００の有するビア導体等を介して電気的に接続されている。

　実装基板１００は、プリント配線板、ＬＴＣＣ基板に限らず、配線構造体であってもよい。配線構造体は、例えば、多層構造体である。多層構造体は、少なくとも１つの絶縁層と、少なくとも１つの導電層とを含む。絶縁層は、所定パターンに形成されている。絶縁層が複数の場合は、複数の絶縁層は、層ごとに定められた所定パターンに形成されている。導電層は、絶縁層の所定パターンとは異なる所定パターンに形成されている。導電層が複数の場合は、複数の導電層は、層ごとに定められた所定パターンに形成されている。導電層は、１つ又は複数の再配線部を含んでもよい。配線構造体では、多層構造体の厚さ方向において互いに対向する２つの面のうち第１面が実装基板１００の第１主面１０１であり、第２面が実装基板１００の第２主面１０２である。配線構造体は、例えば、インタポーザであってもよい。インタポーザは、シリコン基板を用いたインタポーザであってもよいし、多層で構成された基板であってもよい。

　実装基板１００の第１主面１０１及び第２主面１０２は、実装基板１００の厚さ方向Ｄ１において離れており、実装基板１００の厚さ方向Ｄ１に交差する。実装基板１００における第１主面１０１は、例えば、実装基板１００の厚さ方向Ｄ１に直交しているが、例えば、厚さ方向Ｄ１に直交しない面として導体部の側面等を含んでいてもよい。また、実装基板１００における第２主面１０２は、例えば、実装基板１００の厚さ方向Ｄ１に直交しているが、例えば、厚さ方向Ｄ１に直交しない面として、導体部の側面等を含んでいてもよい。また、実装基板１００の第１主面１０１及び第２主面１０２は、微細な凹凸又は凹部又は凸部が形成されていてもよい。実装基板１００の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、実装基板１００は、長方形状であるが、これに限らず、例えば、正方形状であってもよい。ここで、実装基板１００の平面視とは、実装基板１００及び実装基板１００に実装された電子部品を実装基板１００の主面（例えば、第１主面１０１）に平行な平面に正投影して見ることを意味する。

　高周波モジュール１は、複数の電子部品を備える。複数の電子部品は、第１スイッチ２０、第２スイッチ３０、第３スイッチ４０、第１整合チップ５０ａ、第２整合チップ５０ｂ、第１送信フィルタ６１、第２送信フィルタ６２、第１受信フィルタ６３、第２受信フィルタ６４、第５整合回路７１～第８整合回路７４、第１パワーアンプ８１、第２パワーアンプ８２、第１ローノイズアンプ８３及び第２ローノイズアンプ８４を含む。第１整合チップ５０ａは、第１整合回路５１と第３整合回路５３とを含む。第２整合チップ５０ｂは、第２整合回路５２と第４整合回路５４とを含む。

　高周波モジュール１の複数の電子部品の各々は、実装基板１００の第１主面１０１又は第２主面１０２に実装されている。すなわち、高周波モジュール１では、複数の電子部品の各々は、実装基板１００の第１主面１０１又は第２主面１０２に配置されている。複数の電子部品は、実装基板１００に実装される部品だけに限らず、実装基板１００内に設けられる回路素子を含んでもよい。図４では、上述の実装基板１００の導体部、ビア導体等により構成される複数の配線の図示を省略している。

　本実施形態では、第１整合チップ５０ａ、第２整合チップ５０ｂ、第１送信フィルタ６１、第２送信フィルタ６２、第１受信フィルタ６３、第２受信フィルタ６４、第５整合回路７１～第８整合回路７４、第１パワーアンプ８１及び第２パワーアンプ８２は、第１主面１０１に配置されている（図２参照）。ここで、「電子部品（第１送信フィルタ６１等）が第１主面１０１に配置されている」とは、電子部品が第１主面１０１上に直接実装されているだけでなく、電子部品が実装基板１００に機械的に接続されていること、実装基板１００で隔された第１主面１０１側の空間および第２主面１０２側の空間のうち、電子部品が第１主面１０１側の空間に配置されていることを意味する。つまり、電子部品が第１主面１０１上に、その他の回路素子や電極などを介して実装されていることを含む。

　第１スイッチ２０、第２スイッチ３０、第３スイッチ４０、第１ローノイズアンプ８３及び第２ローノイズアンプ８４は、１チップ化されてスイッチＩＣ３００（図３参照）を形成している。スイッチＩＣ３００は、実装基板１００の第２主面１０２に実装されている（図３参照）。すなわち、第２スイッチ３０及び第３スイッチ４０は、実装基板１００の第１主面１０１及び第２主面１０２のうち同一主面（ここでは、第２主面１０２）に配置されている。さらに、第１スイッチ２０は、第２スイッチ３０及び第３スイッチ４０が配置された主面と同一の主面（ここでは、第２主面１０２）に配置されている。ここで、「電子部品（第１スイッチ２０等）が第２主面１０２に配置されている」とは、電子部品が第２主面１０２上に直接実装されているだけでなく、電子部品が実装基板１００に機械的に接続されていること、実装基板１００で隔された第１主面１０１側の空間および第２主面１０２側の空間のうち、電子部品が第２主面１０２側の空間に配置されていることを意味する。つまり、電子部品が第２主面１０２上に、その他の回路素子や電極などを介して実装されていることを含む。

　複数の外部接続端子２００は、第２主面１０２に配置されている。より詳細には、複数の外部接続端子２００は、実装基板１００の第２主面１０２に配置されている。複数の外部接続端子２００の各々は、柱状電極により構成されている。なお、図３では、外部接続端子２００を省略している。

　複数の外部接続端子２００は、第１アンテナ端子１１，第２アンテナ端子１２、１つ以上のグランド端子、第１入力端子９１、第２入力端子９２、第１出力端子９３及び第２出力端子９４を含んでいる。１つ以上のグランド端子は、上述のように実装基板１００のグランド層と接続されている。グランド層は高周波モジュール１の回路グランドであり、高周波モジュール１の複数の電子部品は、グランド層と接続されている電子部品を含む。

　第１樹脂層１２０は、実装基板１００の第１主面１０１側において実装基板１００の第１主面１０１に配置されている複数の電子部品を覆っている。ここにおいて、第１樹脂層１２０は、実装基板１００の第１主面１０１に配置されている複数の電子部品を封止している。第１樹脂層１２０は、樹脂（例えば、エポキシ樹脂）を含む。第１樹脂層１２０は、樹脂の他にフィラーを含んでいてもよい。なお、図２では、第１樹脂層１２０を省略している。さらに、図３では、第２樹脂層１２５を省略している。

　第２樹脂層１２５は、実装基板１００の第２主面１０２に配置されている。第２樹脂層１２５は、実装基板１００の第２主面１０２側において実装基板１００の第２主面１０２に実装されている複数の電子部品と複数の外部接続端子２００それぞれの一部とを覆っている。第２樹脂層１２５は、複数の外部接続端子２００の各々における先端面を露出させるように形成されている。第２樹脂層１２５は、樹脂（例えば、エポキシ樹脂）を含む。第２樹脂層１２５は、樹脂の他にフィラーを含んでいてもよい。第２樹脂層１２５の材料は、第１樹脂層１２０の材料と同じ材料であってもよいし、異なる材料であってもよい。なお、図３では、第２樹脂層１２５を省略している。

　以下、高周波モジュール１が備える複数の電子部品の配置関係について説明する。ここで、厚さ方向Ｄ１としての第１方向Ｄ１と直交する方向を第２方向Ｄ２（図２参照）とし、第１方向Ｄ１及び第２方向の双方に直交する方向を第３方向Ｄ３とする。

　第５整合回路７１と第１パワーアンプ８１とは、第２方向Ｄ２に沿って隣接して第１主面１０１に配置されている。第５整合回路７１と第１パワーアンプ８１とのうち第５整合回路７１は、第２方向Ｄ２において、第１パワーアンプ８１よりも実装基板１００の端部に配置されている。第６整合回路７２と第２パワーアンプ８２とは、第２方向Ｄ２に沿って隣接して第１主面１０１に配置されている。第６整合回路７２と第２パワーアンプ８２とのうち第６整合回路７２は、第２方向Ｄ２において、第２パワーアンプ８２よりも実装基板１００の端部に配置されている。実装基板１００を第３方向Ｄ３から見て、第１パワーアンプ８１及び第２パワーアンプ８２は、第５整合回路７１と第６整合回路７２との間に配置されている（図２参照）。ここで、「第５整合回路７１と第１パワーアンプ８１とは、第２方向Ｄ２に沿って隣接する」とは、第２方向Ｄ２において、第５整合回路７１と第１パワーアンプ８１との間に他の電子部品が存在しないことである。同様に、「第６整合回路７２と第２パワーアンプ８２とは、第２方向Ｄ２に沿って隣接する」とは、第２方向Ｄ２において、第６整合回路７２と第２パワーアンプ８２との間に他の電子部品が存在しないことである。

　第１送信フィルタ６１は、第３方向Ｄ３に沿って第５整合回路７１に隣接するように第１主面１０１に配置されている。実装基板１００を第３方向Ｄ３から見て、第１送信フィルタ６１は、第５整合回路７１と重なっている。第２送信フィルタ６２は、第３方向Ｄ３に沿って第６整合回路７２に隣接するように第１主面１０１に配置されている。実装基板１００を第３方向Ｄ３から見て、第２送信フィルタ６２は、第６整合回路７２と重なっている。ここで、「実装基板１００を第３方向Ｄ３から見て、電子部品Ａが、電子部品Ｂと重なっている」とは、実装基板１００を第３方向Ｄ３から見て、電子部品Ａの少なくとも一部が電子部品Ｂの少なくとも一部と重なっていることを含む。

　第１整合チップ５０ａと第１受信フィルタ６３とは、第２方向Ｄ２に沿って隣接して第１主面１０１に配置されている。第１整合チップ５０ａと第１受信フィルタ６３とのうち第１受信フィルタ６３は、第２方向Ｄ２において、第１整合チップ５０ａよりも実装基板１００の端部に配置されている。第２整合チップ５０ｂと第２受信フィルタ６４とは、第２方向Ｄ２に沿って隣接して第１主面１０１に配置されている。第２整合チップ５０ｂと第２受信フィルタ６４とのうち第２受信フィルタ６４は、第２方向Ｄ２において、第２整合チップ５０ｂよりも実装基板１００の端部に配置されている。実装基板１００を第３方向Ｄ３から見て、第１整合チップ５０ａ及び第２整合チップ５０ｂは、第１受信フィルタ６３と第２受信フィルタ６４との間に配置されている（図２参照）。実装基板１００を第３方向Ｄ３から見て、第１送信フィルタ６１は、第１整合チップ５０ａと重なっている。実装基板１００を第３方向Ｄ３から見て、第２送信フィルタ６２は、第２整合チップ５０ｂと重なっている。

　第７整合回路７３は、第３方向Ｄ３に沿って第１受信フィルタ６３に隣接するように第１主面１０１に配置されている。第８整合回路７４は、第３方向Ｄ３に沿って第２受信フィルタ６４に隣接するように第１主面１０１に配置されている。実装基板１００を第３方向Ｄ３から見て、第７整合回路７３と第８整合回路７４との間に、第１整合チップ５０ａ及び第２整合チップ５０ｂが配置されている。

　上述したように、第１スイッチ２０、第２スイッチ３０、第３スイッチ４０、第１ローノイズアンプ８３及び第２ローノイズアンプ８４を含むスイッチＩＣ３００は、実装基板１００の第２主面１０２に実装されている。

　実装基板１００を第１方向（厚さ方向）Ｄ１からの平面視で、第１スイッチ２０、第２スイッチ３０及び第３スイッチ４０は、第２方向Ｄ２に沿って配置されている（図３参照）。このとき、第１スイッチ２０は、実装基板１００の第１方向（厚さ方向）Ｄ１からの平面視で、第２スイッチ３０と第３スイッチ４０との間に配置されている。ここで、「実装基板１００の第１方向（厚さ方向）Ｄ１からの平面視で、第１スイッチ２０が第２スイッチ３０と第３スイッチ４０との間に配置されている」とは、実装基板１００の平面視において第２スイッチ３０内の任意の点と第３スイッチ４０内の任意の点とを結ぶ複数の線分の少なくとも１つが第１スイッチ２０の領域を通ることを意味する。

　実装基板１００を第１方向（厚さ方向）Ｄ１からの平面視で、第１整合チップ５０ａ、第２整合チップ５０ｂ、第１受信フィルタ６３、第２受信フィルタ６４、第７整合回路７３及び第８整合回路７４は、スイッチＩＣ３００と重なっている（図２参照）。

　より詳細には、第１整合チップ５０ａに含まれる第１整合回路５１は、実装基板１００の第１方向Ｄ１からの平面視で、第２スイッチ３０と重なっている。第２整合チップ５０ｂに含まれる第２整合回路５２は、実装基板１００の第１方向Ｄ１からの平面視で、第３スイッチ４０と重なっている（図４参照）。

　また、第１受信フィルタ６３は、実装基板１００の第１方向Ｄ１からの平面視で、第２スイッチ３０と重なっている（図４参照）。第２受信フィルタ６４は、実装基板１００の第１方向Ｄ１からの平面視で、第３スイッチ４０と重なっている（図４参照）。

　ここで、「実装基板１００を第１方向Ｄ１からの平面視で、電子部品Ａが、電子部品Ｂと重なっている」とは、実装基板１００を第１方向Ｄ１からの平面視で、電子部品Ａの少なくとも一部が電子部品Ｂの少なくとも一部と重なっていることを含む。

　さらに、本実施形態では、実装基板１００において、実装基板１００の第１方向Ｄ１からの平面視で、第２スイッチ３０と第３スイッチ４０との間に、グランド経路１３０が形成されている。グランド経路１３０は、実装基板１００に含まれる１つ以上のグランド層及び１つ以上のビア導体とのうち少なくとも一方を含み、グランドに接続される。

　（３）効果
　以上説明したように、本実施形態の高周波モジュール１は、第１パワーアンプ８１と、第２パワーアンプ８２と、第１スイッチ２０と、第２スイッチ３０と、第３スイッチ４０と、実装基板１００と、を備える。第１パワーアンプ８１は、第１周波数帯域の第１送信信号を増幅する。第２パワーアンプ８２は、第１周波数帯域とは異なる第２周波数帯域の第２送信信号を増幅する。第１スイッチ２０は、アンテナ端子（第１アンテナ端子１１、第２アンテナ端子１２）に接続されている。第２スイッチ３０は、第１パワーアンプ８１と第１スイッチ２０との接続を切り替える。第３スイッチ４０は、第２パワーアンプ８２と第１スイッチ２０との接続を切り替える。実装基板１００は、互いに対向する第１主面１０１及び第２主面１０２を有し、第１パワーアンプ８１、第２パワーアンプ８２、第１スイッチ２０、第２スイッチ３０及び第３スイッチ４０が配置されている。第１スイッチ２０、第２スイッチ３０及び第３スイッチ４０は、第１パワーアンプ８１と第２パワーアンプ８２とをアンテナ端子に同時接続可能に構成されている。第１スイッチ２０は、実装基板１００の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、第２スイッチ３０と第３スイッチ４０との間に配置されている。第２スイッチ３０及び第３スイッチ４０は、実装基板１００の第１主面１０１及び第２主面１０２のうち同一主面に配置されている。

　この構成によると、第２スイッチ３０と第３スイッチ４０との間に第１スイッチ２０を配置する。これにより、第１スイッチ２０から第２スイッチ３０を介して第１パワーアンプ８１までの経路と、第１スイッチ２０から第３スイッチ４０を介して第２パワーアンプ８２までの経路との距離を引き離すことができる。この結果、異なる周波数帯域での送信信号を同時に送信する場合においてアイソレーションの低下を抑制することができる。

　周波数帯域が異なる２つの送信信号を同時に送信する場合、２つの送信信号が受信側に対してＩＭＤ（Intermodulation Distortion）を引き起こす可能性がある。

　例えば、２つの送信信号を同時に送信することで、元の２つの送信信号にない新しい周波数成分が生成される。新しい周波数成分が、第１受信フィルタ６３及び第２受信フィルタ６４の少なくとも一方の受信フィルタで通過する信号の周波数帯域に含まれる場合、新しい周波数成分が当該受信フィルタを通過する可能性がある。そこで、第１スイッチ２０から第２スイッチ３０を介して第１パワーアンプ８１までの経路と、第１スイッチ２０から第３スイッチ４０を介して第２パワーアンプ８２までの経路とを引き離すことで、２つの送信信号が受信側に対してＩＭＤを引き起こす可能性を低下させることができる。

　（４）変形例
　以下、実施形態に係る変形例について説明する。

　（４．１）変形例１
　変形例１に係る高周波モジュール１Ａについて、図５を参照して説明する。変形例１に係る高周波モジュール１Ａに関し、実施形態に係る高周波モジュール１と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を適宜省略する。

　変形例１に係る高周波モジュール１Ａは、複数の外部接続端子２００としての外部接続端子がボールバンプ２５０である点で、実施形態に係る高周波モジュール１と相違する。また、変形例１に係る高周波モジュール１Ａは、実施形態に係る高周波モジュール１の第２樹脂層１２５を備えていない点で、実施形態に係る高周波モジュール１と相違する。変形例１に係る高周波モジュール１Ａは、スイッチＩＣ３００と実装基板１００の第２主面１０２との間の隙間に設けられたアンダーフィル部を備えていてもよい。

　複数の外部接続端子２００の各々を構成するボールバンプ２５０の材料は、例えば、金、銅、はんだ等である。

　複数の外部接続端子２００は、ボールバンプ２５０により構成された外部接続端子２００と、柱状電極により構成された外部接続端子２００と、が混在してもよい。

　変形例１においても、異なる周波数帯域での送信信号を同時に送信する場合においてアイソレーションの低下を抑制することができる。

　（４．２）変形例２
　上記実施形態において、第１スイッチ２０、第２スイッチ３０及び第３スイッチ４０は１チップ化されたスイッチＩＣ３００に含まれる構成としているが、この構成に限定されない。第１スイッチ２０、第２スイッチ３０及び第３スイッチ４０は、１チップ化されていなくてもよい。

　第１スイッチ２０、第２スイッチ３０及び第３スイッチ４０が１チップ化されていない場合において、第１スイッチ２０、第２スイッチ３０及び第３スイッチ４０のうち少なくとも第２スイッチ３０及び第３スイッチ４０が、同一主面、すなわち第１主面１０１又は第２主面１０２に配置されている。例えば、変形例２に係る高周波モジュール１Ｂでは、図６に示すように、第２スイッチ３０及び第３スイッチ４０は、第１主面１０１に配置され、第１スイッチ２０は第２主面１０２に配置される。または、第２スイッチ３０及び第３スイッチ４０は、第２主面１０２に配置され、第１スイッチ２０は第１主面１０１に配置されてもよい。

　変形例２においても、実装基板１００を第１方向（厚さ方向）Ｄ１からの平面視で、第１スイッチ２０、第２スイッチ３０及び第３スイッチ４０は、第２方向Ｄ２に沿って配置されている。このとき、第１スイッチ２０は、実装基板１００の第１方向（厚さ方向）Ｄ１からの平面視で、第２スイッチ３０と第３スイッチ４０との間に配置されている。

　（４．３）変形例３
　第１スイッチ２０、第２スイッチ３０及び第３スイッチ４０が１チップ化されていない場合において、第２スイッチ３０及び第３スイッチ４０は、互いに異なる主面に配置されてもよい。

　例えば、変形例３に係る高周波モジュール１Ｃでは、図７に示すように、第２スイッチ３０は、第１主面１０１に配置され、第３スイッチ４０及び第１スイッチ２０は第２主面１０２に配置される。なお、第１スイッチ２０は第１主面１０１に配置されてもよい。高周波モジュール１Ｃにおいて、実装基板１００を第１方向（厚さ方向）Ｄ１からの平面視で、第１スイッチ２０、第２スイッチ３０及び第３スイッチ４０は、第２方向Ｄ２に沿って配置されていてもよいし、第２方向Ｄ２に沿って配置されていなくてもよい。同様に、第１スイッチ２０は、実装基板１００の第１方向（厚さ方向）Ｄ１からの平面視で、第２スイッチ３０と第３スイッチ４０との間に配置されていてもよいし、第２スイッチ３０と第３スイッチ４０との間に配置されていなくてもよい。

　また、変形例３の別の例に係る高周波モジュール１Ｄでは、図８に示すように、第１スイッチ２０及び第２スイッチ３０は、第２主面１０２に配置され、第３スイッチ４０は第１主面１０１に配置される。なお、第１スイッチ２０は第１主面１０１に配置されてもよい。高周波モジュール１Ｄにおいて、実装基板１００を第１方向（厚さ方向）Ｄ１からの平面視で、第１スイッチ２０、第２スイッチ３０及び第３スイッチ４０は、第２方向Ｄ２に沿って配置されていてもよいし、第２方向Ｄ２に沿って配置されていなくてもよい。同様に、第１スイッチ２０は、実装基板１００の第１方向（厚さ方向）Ｄ１からの平面視で、第２スイッチ３０と第３スイッチ４０との間に配置されていてもよいし、第２スイッチ３０と第３スイッチ４０との間に配置されていなくてもよい。

　（４．４）変形例４
　変形例４に係る高周波モジュール１Ｅでは、図９に示すように、第１整合チップ５０ａは、第２方向Ｄ２において、第１受信フィルタ６３よりも実装基板１００の端部に配置されている点が、実施形態の高周波モジュール１とは異なる。さらに、変形例４に係る高周波モジュール１Ｅでは、図９に示すように、第２整合チップ５０ｂは、第２方向Ｄ２において、第２受信フィルタ６４よりも実装基板１００の端部に配置されている点が、実施形態の高周波モジュール１とは異なる。なお、図９では、第１樹脂層１２０を省略している。

　実施形態で述べたように、第１送信フィルタ６１は、第１整合チップ５０ａ（の第１整合回路５１）を介して、第２スイッチ３０に電気的に接続されている。第２送信フィルタ６２は、第２整合チップ５０ｂ（の第２整合回路５２）を介して、第３スイッチ４０に電気的に接続されている。また、第１受信フィルタ６３は、第１整合チップ５０ａ（の第３整合回路５３）を介して、第２スイッチ３０に電気的に接続されている。

　すなわち、第１整合チップ５０ａと第１受信フィルタ６３との配置関係を図９に示すような関係とすることで、第１受信フィルタ６３と第２スイッチ３０との間の経路Ｌ３は、第２スイッチ３０と第１パワーアンプ８１との間の経路Ｌ１と、第３スイッチ４０と第２パワーアンプ８２との間の経路Ｌ２との間に配置されることになる。

　また、同様に、第２整合チップ５０ｂと第２受信フィルタ６４との配置関係を図９に示すような関係とすることで、第２受信フィルタ６４と第３スイッチ４０との間の経路Ｌ４は、第２スイッチ３０と第１パワーアンプ８１との間の経路Ｌ１と、第３スイッチと第２パワーアンプとの間の経路Ｌ２との間に配置されることになる。

　なお、第１整合チップ５０ａと第１受信フィルタ６３との配置関係及び第２整合チップ５０ｂと第２受信フィルタ６４との配置関係のうち一方が、図９に示すような関係であってもよい。すなわち、高周波モジュール１Ｅは、第２スイッチ３０及び第３スイッチ４０の一方のスイッチと接続され、受信信号を通過させる受信フィルタを、備える。実装基板１００の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、上記受信フィルタと上記一方のスイッチとの間の経路は、第２スイッチ３０と第１パワーアンプ８１との間の経路Ｌ１と第３スイッチ４０と第２パワーアンプ８２との間の経路Ｌ２との間に配置されている。

　この構成によると、異なる周波数帯域での送信信号を同時に送信する場合においてアイソレーションの低下を抑制することができる。

　（４．５）変形例５
　実施形態において、第１受信フィルタ６３は、実装基板１００の第１方向Ｄ１からの平面視で、第２スイッチ３０と重なっている構成としているが、この構成に限定されない。第１送信フィルタ６１は、実装基板１００の第１方向Ｄ１からの平面視で、第２スイッチ３０と重なっていてもよい。または、第１送信フィルタ６１及び第１受信フィルタ６３の双方は、実装基板１００の第１方向Ｄ１からの平面視で、第２スイッチ３０と重なっていてもよい。すなわち、第１送信フィルタ６１及び第１受信フィルタ６３の少なくとも一方のフィルタは、実装基板１００の第１方向（厚さ方向）Ｄ１からの平面視で、第２スイッチ３０と重なっている。

　同様に、実施形態において、第２受信フィルタ６４は、実装基板１００の第１方向Ｄ１からの平面視で、第３スイッチ４０と重なっている構成としているが、この構成に限定されない。第２送信フィルタ６２は、実装基板１００の第１方向Ｄ１からの平面視で、第３スイッチ４０と重なっていてもよい。または、第２送信フィルタ６２及び第２受信フィルタ６４の双方は、実装基板１００の第１方向Ｄ１からの平面視で、第３スイッチ４０と重なっていてもよい。すなわち、第２送信フィルタ６２及び第２受信フィルタ６４の少なくとも一方のフィルタは、実装基板１００の第１方向（厚さ方向）Ｄ１からの平面視で、第３スイッチ４０と重なっている。

　（４．６）変形例６
　以下、変形例を列記する。

　実施形態においてスイッチＩＣ３００は、実装基板１００の第２主面１０２に配置される構成としているが、この構成に限定されない。スイッチＩＣ３００は、第１主面１０１に配置されてもよい。

　実施形態において、高周波モジュール１は、複数のアンテナ端子（第１アンテナ端子１１、第２アンテナ端子１２）を備える構成としているが、この構成に限定されない。高周波モジュール１は、１つのアンテナ端子を備える構成であってもよい。すなわち、高周波モジュール１は、ミッドバンドの周波数帯域の送信信号、及びハイバンドの周波数帯域の送信信号を１つのアンテナを介して送信してもよい。

　実施形態において、第１整合回路５１、第２整合回路５２、第３整合回路５３及び第４整合回路５４の各々は、チップインダクタとする構成としているが、この構成に限定されない。第１整合回路５１、第２整合回路５２、第３整合回路５３及び第４整合回路５４の各々は、パターン等の導体部であってもよいし、キャパシタ、又はインダクタとキャパシタとを組み合わせた回路であってもよい。同様に、第５整合回路７１、第６整合回路７２、第７整合回路７３及び第８整合回路７４の各々は、パターン等の導体部であってもよいし、キャパシタ、又はインダクタとキャパシタとを組み合わせた回路であってもよい。

　（まとめ）
　以上説明したように、第１の態様の高周波モジュール（１；１Ａ；１Ｂ；１Ｅ）は、第１パワーアンプ（８１）と、第２パワーアンプ（８２）と、第１スイッチ（２０）と、第２スイッチ（３０）と、第３スイッチ（４０）と、実装基板（１００）と、を備える。第１パワーアンプ（８１）は、第１周波数帯域の第１送信信号を増幅する。第２パワーアンプ（８２）は、第１周波数帯域とは異なる第２周波数帯域の第２送信信号を増幅する。第１スイッチ（２０）は、アンテナ端子（第１アンテナ端子１１、第２アンテナ端子１２）に接続されている。第２スイッチ（３０）は、第１パワーアンプ（８１）と第１スイッチ（２０）との接続を切り替える。第３スイッチ（４０）は、第２パワーアンプ（８２）と第１スイッチ（２０）との接続を切り替える。実装基板（１００）は、互いに対向する第１主面（１０１）及び第２主面（１０２）を有し、第１パワーアンプ（８１）、第２パワーアンプ（８２）、第１スイッチ（２０）、第２スイッチ（３０）及び第３スイッチ（４０）が配置されている。第１スイッチ（２０）、第２スイッチ（３０）及び第３スイッチ（４０）は、第１パワーアンプ（８１）と第２パワーアンプ（８２）とをアンテナ端子に同時接続可能に構成されている。第１スイッチ（２０）は、実装基板（１００）の厚さ方向（Ｄ１）からの平面視で、第２スイッチ（３０）と第３スイッチ（４０）との間に配置されている。第２スイッチ（３０）及び第３スイッチ（４０）は、実装基板（１００）の第１主面（１０１）及び第２主面（１０２）のうち同一主面に配置されている。

　第２の態様の高周波モジュール（１Ｃ；１Ｄ）は、第１パワーアンプ（８１）と、第２パワーアンプ（８２）と、第１スイッチ（２０）と、第２スイッチ（３０）と、第３スイッチ（４０）と、実装基板（１００）と、を備える。第１パワーアンプ（８１）は、第１周波数帯域の第１送信信号を増幅する。第２パワーアンプ（８２）は、第１周波数帯域とは異なる第２周波数帯域の第２送信信号を増幅する。第１スイッチ（２０）は、アンテナ端子（第１アンテナ端子１１、第２アンテナ端子１２）に接続されている。第２スイッチ（３０）は、第１パワーアンプ（８１）と第１スイッチ（２０）との接続を切り替える。第３スイッチ（４０）は、第２パワーアンプ（８２）と第１スイッチ（２０）との接続を切り替える。実装基板（１００）は、互いに対向する第１主面（１０１）及び第２主面（１０２）を有し、第１パワーアンプ（８１）、第２パワーアンプ（８２）、第１スイッチ（２０）、第２スイッチ（３０）及び第３スイッチ（４０）が配置されている。第１スイッチ（２０）、第２スイッチ（３０）及び第３スイッチ（４０）は、第１パワーアンプ（８１）と第２パワーアンプ（８２）とをアンテナ端子に同時接続可能に構成されている。第２スイッチ（３０）及び第３スイッチ（４０）は、実装基板（１００）の第１主面（１０１）及び第２主面（１０２）のうち互いに異なる主面に配置されている。

　この構成によると、第１スイッチ（２０）から第２スイッチ（３０）を介して第１パワーアンプ（８１）までの経路と、第１スイッチ（２０）から第３スイッチ（４０）を介して第２パワーアンプ（８２）までの経路との距離を引き離すことができる。この結果、異なる周波数帯域での送信信号を同時に送信する場合においてアイソレーションの低下を抑制することができる。

　第３の態様の高周波モジュール（１；１Ａ；１Ｂ；１Ｅ）では、第１の態様において、第１スイッチ（２０）は、実装基板（１００）において第２スイッチ（３０）及び第３スイッチ（４０）が配置された上記同一主面に配置されている。

　この構成によると、第１スイッチ（２０）と第２スイッチ（３０）との配線長、及び第１スイッチ（２０）と第２スイッチ（３０）との配線長を、それぞれ短くすることができる。

　第４の態様の高周波モジュール（１：１Ａ；１Ｂ；１Ｅ）は、第３の態様において、第２主面（１０２）に配置されている複数の外部接続端子（２００）を、更に備える。第１スイッチ（２０）、第２スイッチ（３０）及び第３スイッチ（４０）は、実装基板（１００）の第２主面（１０２）に配置されている。

　この構成によると、実装基板（１００）を小型化することができる。

　第５の態様の高周波モジュール（１：１Ａ；１Ｂ；１Ｅ）は、第４の態様において、第１スイッチ（２０）、第２スイッチ（３０）及び第３スイッチ（４０）は、１チップ化されている。

　第６の態様の高周波モジュール（１：１Ａ；１Ｂ；１Ｅ）は、第４又は第５の態様において、第１送信フィルタ（６１）と、第１整合回路（５１）と、を更に備える。第１送信フィルタ（６１）は、第１パワーアンプ（８１）から出力された第１送信信号を通過させる。第１整合回路（５１）は、第１送信フィルタ（６１）と第２スイッチ（３０）との間のインピーダンス整合をとる。第１送信フィルタ（６１）及び第１整合回路（５１）は、実装基板（１００）の第１主面（１０１）に配置されている。第１整合回路（５１）は、実装基板（１００）の厚さ方向（Ｄ１）からの平面視で、第２スイッチ（３０）と重なっている。

　この構成によると、第２スイッチ（３０）と第１整合回路（５１）との間の経路長を短くすることができる。

　第７の態様の高周波モジュール（１：１Ａ；１Ｂ；１Ｅ）は、第６の態様において、第１受信フィルタ（６３）を備える。第１受信フィルタ（６３）は、第２スイッチ（３０）と接続され、第１受信信号を通過させる。第１受信フィルタ（６３）は、実装基板（１００）の第１主面（１０１）に配置されている。第１送信フィルタ（６１）及び第１受信フィルタ（６３）の少なくとも一方のフィルタは、実装基板（１００）の厚さ方向（Ｄ１）からの平面視で、第２スイッチ（３０）と重なっている。

　この構成によると、第２スイッチ（３０）と上記一方のフィルタとの間の経路長を短くすることができる。

　第８の態様の高周波モジュール（１：１Ａ；１Ｂ；１Ｅ）は、第４～第７のいずれかの態様において、第２送信フィルタ（６２）と、第２整合回路（５２）と、を更に備える。第２送信フィルタ（６２）は、第２パワーアンプ（８２）から出力された第２送信信号を通過させる。第２整合回路（５２）は、第２送信フィルタ（６２）と第３スイッチ（４０）との間のインピーダンス整合をとる。第２送信フィルタ（６２）及び第２整合回路（５２）は、実装基板（１００）の第１主面（１０１）に配置されている。第２整合回路（５２）は、実装基板（１００）の厚さ方向（Ｄ１）からの平面視で、第３スイッチ（４０）と重なっている。

　この構成によると、第３スイッチ（４０）と第２整合回路（５２）との間の経路長を短くすることができる。

　第９の態様の高周波モジュール（１：１Ａ；１Ｂ；１Ｅ）は、第８の態様において、第２受信フィルタ（６４）を備える。第２受信フィルタ（６４）は、第３スイッチ（４０）と接続され、第２受信信号を通過させる。第２受信フィルタ（６４）は、実装基板（１００）の第１主面（１０１）に配置されている。第２送信フィルタ（６２）及び第２受信フィルタ（６４）の少なくとも一方のフィルタは、実装基板（１００）の厚さ方向（Ｄ１）からの平面視で、第３スイッチ（４０）と重なっている。

　この構成によると、第３スイッチ（４０）と上記一方のフィルタとの間の経路長を短くすることができる。

　第１０の態様の高周波モジュール（１：１Ａ；１Ｂ；１Ｃ；１Ｄ；１Ｅ）は、第１～第９のいずれかの態様において、実装基板（１００）において、実装基板（１００）の厚さ方向（Ｄ１）からの平面視で、第２スイッチ（３０）と第３スイッチ（４０）との間に、グランドに接続される経路（例えばグランド経路１３０）が形成されている。

　この構成によると、実装基板（１００）の厚さ方向（Ｄ１）からの平面視で、第２スイッチ（３０）と第３スイッチ（４０）との間に、グランドに接続される経路を設けることで、異なる周波数帯域での送信信号を同時に送信する場合においてアイソレーションの低下を抑制することができる。

　第１１の態様の高周波モジュール（１：１Ａ；１Ｂ；１Ｃ；１Ｄ；１Ｅ）は、第１～第１０のいずれかの態様において、受信フィルタ（第１受信フィルタ６３、第２受信フィルタ６４）を、更に備える。受信フィルタは、第２スイッチ（３０）及び第３スイッチ（４０）の一方のスイッチと接続され、受信信号を通過させる。実装基板（１００）の厚さ方向（Ｄ１）からの平面視で、当該受信フィルタと当該一方のスイッチとの間の経路（経路Ｌ３、経路Ｌ４）は、第２スイッチ（３０）と第１パワーアンプ（８１）との間の経路（Ｌ１）と第３スイッチ（４０）と第２パワーアンプ（８２）との間の経路（Ｌ２）との間に配置されている。

　この構成によると、第２スイッチ（３０）と第１パワーアンプ（８１）との間の経路（Ｌ１）と第３スイッチ（４０）と第２パワーアンプ（８２）との間の経路（Ｌ２）との間に、受信信号の経路（経路Ｌ３，Ｌ４）が配置されている。そのため、第２スイッチ（３０）と第１パワーアンプ（８１）との間の経路（Ｌ１）と第３スイッチ（４０）と第２パワーアンプ（８２）との間の経路（Ｌ２）とを引き離すことができる。この結果、異なる周波数帯域での送信信号を同時に送信する場合においてアイソレーションの低下を抑制することができる。

　第１２の態様の通信装置（５００）は、第１～第１１のいずれかの態様の高周波モジュール（１：１Ａ；１Ｂ；１Ｃ；１Ｄ；１Ｅ）と、信号処理回路（５０１）と、を備える。信号処理回路（５０１）は、高周波モジュール（１：１Ａ；１Ｂ；１Ｃ；１Ｄ；１Ｅ）を通る第１送信信号及び第２送信信号を処理する。

　　１，１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄ，１Ｅ　高周波モジュール
　　１１　第１アンテナ端子（アンテナ端子）
　　１２　第２アンテナ端子（アンテナ端子）
　　２０　第１スイッチ
　　２１　第１端子
　　２２　第２端子
　　２３　第３端子
　　２４　第４端子
　　３０　第２スイッチ
　　３１　共通端子
　　３２，３３，３４　選択端子
　　４０　第３スイッチ
　　４１　共通端子
　　４２，４３，４４　選択端子
　　５０ａ　第１整合チップ
　　５０ｂ　第２整合チップ
　　５１　第１整合回路
　　５２　第２整合回路
　　５３　第３整合回路
　　５４　第４整合回路
　　６１　第１送信フィルタ
　　６２　第２送信フィルタ
　　６３　第１受信フィルタ
　　６４　第２受信フィルタ
　　７１　第５整合回路
　　７２　第６整合回路
　　７３　第７整合回路
　　７４　第８整合回路
　　８１　第１パワーアンプ
　　８２　第２パワーアンプ
　　８３　第１ローノイズアンプ
　　８４　第２ローノイズアンプ
　　９１　第１入力端子
　　９２　第２入力端子
　　９３　第１出力端子
　　９４　第２出力端子
　　１００　実装基板
　　１０１　第１主面
　　１０２　第２主面
　　１２０　第１樹脂層
　　１２５　第２樹脂層
　　１３０　グランド経路
　　２００　外部接続端子
　　２５０　ボールバンプ
　　３００　スイッチＩＣ
　　５００　通信装置
　　５０１　信号処理回路
　　５０２　ＲＦ信号処理回路
　　５０３　ベースバンド信号処理回路
　　５１１　第１アンテナ
　　５１２　第２アンテナ
　　Ｄ１　第１方向（厚さ方向）
　　Ｄ２　第２方向
　　Ｄ３　第３方向
　　Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４　経路

Claims

　第１周波数帯域の第１送信信号を増幅する第１パワーアンプと、
　前記第１周波数帯域とは異なる第２周波数帯域の第２送信信号を増幅する第２パワーアンプと、
　アンテナ端子に接続されている第１スイッチと、
　前記第１パワーアンプと前記第１スイッチとの接続を切り替える第２スイッチと、
　前記第２パワーアンプと前記第１スイッチとの接続を切り替える第３スイッチと、
　互いに対向する第１主面及び第２主面を有し、前記第１パワーアンプ、前記第２パワーアンプ、前記第１スイッチ、前記第２スイッチ及び前記第３スイッチが配置されている実装基板と、を備え、
　前記第１スイッチ、前記第２スイッチ及び前記第３スイッチは、前記第１パワーアンプと前記第２パワーアンプとを前記アンテナ端子に同時接続可能に構成されており、
　前記第１スイッチは、前記実装基板の厚さ方向からの平面視で、前記第２スイッチと前記第３スイッチとの間に配置され、
　前記第２スイッチ及び前記第３スイッチは、前記実装基板の前記第１主面及び前記第２主面のうち同一主面に配置されている、
　高周波モジュール。
　第１周波数帯域の第１送信信号を増幅する第１パワーアンプと、
　前記第１周波数帯域とは異なる第２周波数帯域の第２送信信号を増幅する第２パワーアンプと、
　アンテナ端子に接続されている第１スイッチと、
　前記第１パワーアンプと前記第１スイッチとの接続を切り替える第２スイッチと、
　前記第２パワーアンプと前記第１スイッチとの接続を切り替える第３スイッチと、
　互いに対向する第１主面及び第２主面を有し、前記第１パワーアンプ、前記第２パワーアンプ、前記第１スイッチ、前記第２スイッチ及び前記第３スイッチが配置されている実装基板と、を備え、
　前記第１スイッチ、前記第２スイッチ及び前記第３スイッチは、前記第１パワーアンプと前記第２パワーアンプとを前記アンテナ端子に同時接続可能に構成されており、
　前記第２スイッチ及び前記第３スイッチは、前記実装基板の前記第１主面及び前記第２主面のうち互いに異なる主面に配置されている、
　高周波モジュール。
　前記第１スイッチは、前記実装基板において前記第２スイッチ及び前記第３スイッチが配置された前記同一主面に配置されている、
　請求項１に記載の高周波モジュール。
　前記第２主面に配置されている複数の外部接続端子を、更に備え、
　前記第１スイッチ、前記第２スイッチ及び前記第３スイッチは、前記実装基板の前記第２主面に配置されている、
　請求項３に記載の高周波モジュール。
　前記第１スイッチ、前記第２スイッチ及び前記第３スイッチは、１チップ化されている、
　請求項４に記載の高周波モジュール。
　前記第１パワーアンプから出力された前記第１送信信号を通過させる第１送信フィルタと、
　前記第１送信フィルタと前記第２スイッチとの間のインピーダンス整合をとる第１整合回路と、を更に備え、
　前記第１送信フィルタ及び前記第１整合回路は、前記実装基板の前記第１主面に配置されており、
　前記第１整合回路は、前記実装基板の厚さ方向からの平面視で、前記第２スイッチと重なっている、
　請求項４又は５に記載の高周波モジュール。
　前記第２スイッチと接続され、第１受信信号を通過させる第１受信フィルタを更に備え、
　前記第１受信フィルタは、前記実装基板の前記第１主面に配置されており、
　前記第１送信フィルタ及び前記第１受信フィルタの少なくとも一方のフィルタは、前記実装基板の厚さ方向からの平面視で、前記第２スイッチと重なっている、
　請求項６に記載の高周波モジュール。
　前記第２パワーアンプから出力された前記第２送信信号を通過させる第２送信フィルタと、
　前記第２送信フィルタと前記第３スイッチとの間のインピーダンス整合をとる第２整合回路と、を更に備え、
　前記第２送信フィルタ及び前記第２整合回路は、前記実装基板の前記第１主面に配置されており、
　前記第２整合回路は、前記実装基板の厚さ方向からの平面視で、前記第３スイッチと重なっている、
　請求項４～７のいずれか一項に記載の高周波モジュール。
　前記第３スイッチと接続され、第２受信信号を通過させる第２受信フィルタを更に備え、
　前記第２受信フィルタは、前記実装基板の前記第１主面に配置されており、
　前記第２送信フィルタ及び前記第２受信フィルタの少なくとも一方のフィルタは、前記実装基板の厚さ方向からの平面視で、前記第３スイッチと重なっている、
　請求項８に記載の高周波モジュール。
　前記実装基板において、前記実装基板の厚さ方向からの平面視で、前記第２スイッチと前記第３スイッチとの間に、グランドに接続される経路が形成されている、
　請求項１～９のいずれか一項に記載の高周波モジュール。
　前記第２スイッチ及び前記第３スイッチの一方のスイッチと接続され、受信信号を通過させる受信フィルタを、更に備え、
　前記実装基板の厚さ方向からの平面視で、前記受信フィルタと前記一方のスイッチとの間の経路は、前記第２スイッチと前記第１パワーアンプとの間の経路と前記第３スイッチと前記第２パワーアンプとの間の経路との間に配置されている、
　請求項１～１０のいずれか一項に記載の高周波モジュール。
　請求項１～１１のいずれか一項に記載の高周波モジュールと、
　前記高周波モジュールを通る前記第１送信信号及び前記第２送信信号を処理する信号処理回路と、を備える、
　通信装置。