WO2016010063A1 - 高周波モジュール - Google Patents

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宏通 北嶋
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株式会社村田製作所
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    • H04BTRANSMISSION
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Definitions

  • the present invention relates to a high-frequency module provided with a plurality of duplexers for demultiplexing transmission / reception signals of different frequency bands.
  • CA Carrier Aggregation
  • the module 100 described in Patent Document 1 is configured to be compatible with W-CDMA and GSM (registered trademark) communication systems.
  • a duplexer 102 that demultiplexes the received signal, a transmission filter 103 for a GSM (registered trademark) transmission signal, and two reception filters 104 and 105 for a GSM (registered trademark) reception signal are provided on one side of the wiring board 101.
  • Each is mounted on the main surface.
  • a plurality of mounting electrodes for mounting the high frequency module 100 on an external mother board or the like are provided on the other main surface of the wiring board 101.
  • 105 and a predetermined mounting electrode are connected to each other through a lead wiring of the wiring board 101.
  • the frequency band of communication signals used in one communication system and communication used in other communication systems.
  • reception sensitivity may deteriorate due to signal interference.
  • the terminals of the duplexer 102 and the transmission and reception filters 103 to 105 are connected to predetermined mounting electrodes on the other main surface of the wiring board 101 via lead wires. For this reason, if a lead-out line through which a transmission signal of one communication system passes and a lead-out line through which a reception signal that overlaps the harmonic frequency band of the transmission signal pass are arranged close to each other, both signals interfere with each other and receive the signal. Sensitivity may deteriorate. Also, when the duplexer 102 through which these signals pass and the terminals of the filters 103 to 105 are arranged close to each other, the reception sensitivity may similarly deteriorate.
  • the present invention has been made in view of the above-described problems, and an object thereof is to improve isolation characteristics between transmission / reception terminals in a high-frequency module in which transmission / reception signals of different frequency bands are used.
  • a high-frequency module includes a wiring board having a rectangular shape in plan view, a first transmission terminal to which a transmission signal in a first transmission frequency band is input, and the first transmission terminal.
  • a first common terminal that outputs an input transmission signal and receives a reception signal in a first reception frequency band; and a first reception terminal that outputs a reception signal input to the first common terminal.
  • a first demultiplexer a second transmission terminal to which a transmission signal in the second transmission frequency band is input, a transmission signal input to the second transmission terminal, and a reception signal in the second reception frequency band.
  • a second duplexer having a second common terminal that is input and a second reception terminal that outputs the reception signal input to the second common terminal, wherein the second reception frequency band is the High transmission signal in the first transmission frequency band
  • the frequency band of the wave and a part of the frequency band are set to overlap, and the first duplexer is disposed close to a predetermined side of the one main surface of the wiring board, and the second duplexer Are arranged in close proximity to the opposite side opposite to the predetermined side, and the lead-out wiring from the first transmission terminal and the lead-out wiring from the second reception terminal, respectively formed on the wiring board, are separated from each other. It is drawn out in the direction.
  • the first duplexer and the second duplexer can be spaced apart.
  • the first transmission terminal of the first duplexer through which the transmission signal of the first transmission frequency band passes and the second reception terminal of the second duplexer through which the reception signal of the second reception frequency band passes. Since they are arranged apart from each other, signal interference that affects deterioration of high-frequency characteristics such as reception sensitivity is suppressed, and isolation characteristics between both signal terminals can be improved.
  • the lead-out wiring from the first transmission terminal and the lead-out wiring from the second reception terminal are drawn out in directions away from each other, it is possible to prevent the two lead-out wirings from being close to each other in the wiring board. The isolation characteristics can be further improved.
  • a second receiving electrode connected to the lead wiring, wherein the first transmitting electrode is disposed close to the predetermined side of the wiring board, and the second receiving electrode is close to the opposite side of the wiring board May be arranged.
  • the first transmission terminal may be disposed near the predetermined side of the wiring board, and the second reception terminal may be disposed near the opposite side of the wiring board.
  • the isolation characteristic between the first transmission terminal and the second reception terminal is reduced. Can be improved.
  • a third transmission terminal to which a transmission signal in the third transmission frequency band is input, and a third common to which a transmission signal input to the third transmission terminal is output and a reception signal in the third reception frequency band is input A third duplexer having a terminal and a third reception terminal for outputting a reception signal input to the third common terminal; and provided on the other main surface of the wiring board and electrically connected to the third reception terminal A third reception electrode to be connected; and a ground electrode provided on the other main surface of the wiring board, wherein the second reception frequency band and the third reception frequency band partially overlap, A ground electrode may be disposed between the receiving electrode and the third receiving electrode.
  • the third duplexer may be disposed in the vicinity of the opposite side of the one main surface of the wiring board. In this case, since the first demultiplexer and the third demultiplexer can be spaced apart, interference between both demultiplexers can be prevented.
  • the second duplexer and the third duplexer may be arranged close to each other. In this case, the high-frequency module can be reduced in size.
  • a fourth duplexer having four common terminals and a fourth reception terminal for outputting a reception signal input to the fourth common terminal; and disposed on one main surface of the wiring board, and connected to the fourth common terminal.
  • the ground for the actual Electrodes may be disposed between the fourth reception electrode and the fourth reception terminal in plan view.
  • the lead-out wiring connecting the fourth reception terminal and the fourth reception electrode is led out from the fourth reception terminal to the fourth common terminal side, the distance between the lead-out wiring and the fourth common terminal is reduced.
  • the reception signal input from the fourth common terminal passes through the fourth reception terminal and is guided to the fourth common terminal side by the lead wire connecting the fourth reception terminal and the fourth reception electrode, A return path of the received signal is configured by the lead wiring. Then, a wiring structure in which current is likely to concentrate in the vicinity of the fourth receiving terminal, the fourth receiving electrode, and the lead-out wiring is obtained. When the current is concentrated, the transmission signal output from the fourth common terminal leaks to the lead wiring, or the reception signal passing through the lead wiring easily leaks to the connection wiring connecting the fourth common terminal and the switch IC. The isolation characteristics in the fourth duplexer deteriorate.
  • the ground mounting electrode provided on the other main surface of the wiring board 2 is disposed between the fourth receiving terminal and the fourth receiving electrode in plan view.
  • current concentration in the vicinity of the fourth receiving terminal, the fourth receiving electrode, and the lead-out wiring can be suppressed by the ground mounting electrode. Therefore, between the transmission / reception terminals of the fourth duplexer and the fourth duplexer. And the other duplexer and the like can be improved in isolation characteristics.
  • the fourth receiving electrode is disposed in proximity to the opposing side of the wiring board, and the fourth duplexer is located farther from the opposing side of the wiring board than the second duplexer. May be arranged.
  • the fourth receiving terminal due to the influence of the lead-out wiring that connects the fourth receiving terminal and the fourth receiving electrode, Current tends to concentrate in the vicinity of the fourth receiving electrode and the lead wiring. Therefore, the fourth duplexer and the fourth receiving electrode can be separated by disposing the fourth duplexer at a position farther from the opposite side of the wiring board than the second duplexer. It is possible to suppress current accumulation that affects the deterioration of the isolation characteristics.
  • a fifth transmission terminal to which a transmission signal in the fifth transmission frequency band is input, a transmission signal input to the fifth transmission terminal, and a reception signal in the fifth reception frequency band are input.
  • a fifth duplexer having a fifth common terminal and a fifth reception terminal for outputting a reception signal input to the fifth common terminal; and disposed on one main surface of the wiring board, and connected to the fifth common terminal.
  • a switch IC that is electrically connected; and a fifth reception electrode that is provided on the other main surface of the wiring board and is electrically connected to the fifth reception terminal.
  • the fifth reception electrode may be disposed closer to the switch IC than the fifth reception terminal, and the fifth reception electrode may be disposed farther than the fifth duplexer with respect to the switch IC in plan view.
  • the fifth receiving electrode is arranged in this way, there is no need to draw out a lead wiring for connecting the fifth receiving terminal and the fifth receiving electrode to the fifth common terminal side. Therefore, it is possible to suppress the current from being concentrated in the vicinity of the fifth receiving terminal, the fifth receiving electrode, and the lead-out wiring connecting them, so that the transmission / reception terminals of the fifth demultiplexer and the fifth demultiplexer and other demultiplexers It is possible to improve the isolation characteristics between the container and the like.
  • a component may be arranged between the first duplexer and the second duplexer. In this case, since the first demultiplexer and the second demultiplexer can be separated, the isolation characteristics between the two demultiplexers can be improved.
  • the isolation characteristic between the transmission signal terminal and the reception signal terminal is improved.
  • FIGS. 1 is a plan view of the high-frequency module 1a
  • FIG. 2 is a configuration diagram of the high-frequency module 1a. 1 and 2 show some of the configurations related to the invention.
  • a high-frequency module 1a is a front-end module disposed in a location near an antenna of a communication device such as a mobile phone, and includes a wiring board 2 and a switch IC 3 mounted on one main surface of the wiring board 2, respectively. And chip components 4 such as a chip inductor and a chip capacitor forming an impedance matching circuit and a plurality of duplexers 5a and 5b.
  • the high-frequency module 1a is configured to be compatible with CA (Carrier Aggregation) that realizes large-capacity and high-speed communication by simultaneously operating a plurality of communication systems in different frequency bands.
  • CA Carrier Aggregation
  • a plurality of duplexers 5a and 5b that demultiplex a transmission signal and a reception signal are provided for each communication system.
  • the wiring board 2 is made of glass epoxy resin, ceramic, etc., and has a rectangular shape in plan view.
  • a mounting electrode (not shown) for mounting the switch IC 3, the chip component 4, and the plurality of duplexers 5a and 5b is formed on one main surface, and an external mother board or the like is formed on the other main surface.
  • a plurality of external electrodes 6 for connection to are formed. In this embodiment, the plurality of external electrodes 6 are juxtaposed on the peripheral edge of the other main surface of the wiring board 2.
  • the switch IC 3 has a common terminal C connected to the antenna ANT and a plurality of switching terminals S, and switches and connects the common terminal C and one of the switching terminals S.
  • the first demultiplexer 5a includes a first transmission terminal Tx1 to which a transmission signal in the first transmission frequency band is input, and the first demultiplexer 5a.
  • a transmission signal inputted to one transmission terminal Tx1 is outputted, a first common terminal A1 to which a reception signal in the first reception frequency band is inputted, and a reception signal inputted to the first common terminal A1 are outputted.
  • the first common terminal A1 is connected to a predetermined switching terminal S of the switch IC 3 via a wiring electrode formed on the wiring board 2, and the first transmission terminal Tx1 is connected to a lead wiring formed on the wiring board 2.
  • the first receiving terminal Rx1 is connected to the first transmitting electrode Txa, which is one of the external electrodes 6, and the first receiving terminal Rx1 is connected to the first receiving electrode Rxa, which is also one of the external electrodes 6, by a lead wiring formed on the wiring board 2.
  • the first transmission frequency band is set to 704 to 716 MHz
  • the first reception frequency band is set to 734 to 746 MHz
  • the first duplexer 5a uses the so-called Band17 frequency band. It is provided for communication systems.
  • the second demultiplexer 5b outputs a second transmission terminal Tx2 to which a transmission signal in the second transmission frequency band is input, a transmission signal input to the second transmission terminal Tx2, and a second reception frequency.
  • the first common terminal A2 is connected to a predetermined switching terminal S of the switch IC 3 via a wiring electrode formed on the wiring board 2, and the second transmission terminal Tx2 is connected to a lead wiring formed on the wiring board 2.
  • the second receiving electrode Rx2 is connected to the second transmitting electrode Txb, which is one of the external electrodes 6, and the second receiving terminal Rx2 is connected to the second receiving electrode Rxb, which is also one of the external electrodes 6, by a lead wiring formed on the wiring board 2.
  • the second demultiplexer 5b has a second transmission frequency band set to 1710 to 1755 MHz and a second reception frequency band set to 2110 to 2155 MHz, and the second demultiplexer 5b has a so-called Band4 frequency band. It is provided for a communication system that uses.
  • the chip component 4 constituting a part of the impedance matching circuit for matching the impedance between the switch IC 3 and the first duplexer 5a or between the switch IC3 and the second duplexer 5b is shown in a plan view. Arranged between the first duplexer 5a and the second duplexer 5b on one main surface of the wiring board 2.
  • the reception frequency band of Band 4 (second reception frequency band: 2110 to 2155 MHz) is the third harmonic frequency band (2112) of the transmission frequency band of Band 17 (first transmission frequency band: 704 to 716 MHz). (Up to 2148 MHz).
  • this embodiment is configured to suppress such deterioration of reception sensitivity.
  • the first duplexer 5 a is disposed in the vicinity of a predetermined side of the wiring board 2 having a rectangular shape in plan view, and the second duplexer 5 b It is arranged close to the opposite side of the predetermined side.
  • the first transmission electrode Txa connected to the first transmission terminal Tx1 of the first duplexer 5a via the lead wiring is located at a position close to the predetermined side in the peripheral portion of the other main surface of the wiring board 2.
  • the second receiving electrode Rxb connected to the second receiving terminal Rx2 of the second duplexer 5b through the lead wiring is disposed at a position close to the opposite side in the peripheral portion of the other main surface of the wiring board 2.
  • the above-mentioned predetermined side is one of the two long sides of the horizontally long rectangular wiring board 2 in plan view, and is the side located on the upper side in FIG.
  • the first duplexer 5a is disposed in the vicinity of the predetermined side of the wiring board 2, and the second duplexer 5b is disposed on the opposite side of the predetermined side of the wiring board 2.
  • the first duplexer 5a and the second duplexer 5b can be spaced apart.
  • the first transmission terminal Tx1 through which the Band17 transmission signal passes is separated from the second reception terminal Rx2 through which the Band4 reception signal that partially overlaps the third harmonic frequency band of the transmission signal passes. Therefore, the interference of signals affecting the deterioration of high frequency characteristics such as reception sensitivity is suppressed, and the isolation characteristics between both signal terminals can be improved.
  • the lead-out wiring from the first transmission terminal Tx1 and the lead-out wiring from the second reception terminal Rx2 are led out in directions away from each other, it is possible to prevent the two lead-out wirings from being close to each other in the wiring board 2.
  • the isolation characteristic between the signal terminals can be further improved.
  • the first transmission electrode Txa is disposed in the vicinity of the predetermined side of the wiring board 2 and the second reception electrode Rxb is disposed in the vicinity of the opposite side of the wiring board 2, thereby transmitting the transmission signal of Band 17.
  • the first transmission terminal Tx1 is arranged near the predetermined side of the wiring board 2 and the second reception terminal Rx2 is arranged near the opposite side of the wiring board 2, the first transmission terminal Tx1 and the second reception terminal are arranged. Since the distance from Rx2 can be further increased, the above-described isolation characteristics can be further improved.
  • each of the first transmission terminal Tx1 and the second reception terminal Rx2 is disposed slightly inside the wiring board 2 in plan view with respect to the connected external electrode (the first transmission electrode Txa or the second reception electrode Rxb). .
  • the lead-out wiring (see arrow ⁇ in FIG. 1) from the first transmission terminal Tx1 and the lead-out wiring (see arrow ⁇ in FIG. 1) from the second reception terminal Rx2 are drawn out in directions away from each other. Therefore, the isolation characteristics can be further improved.
  • the direction in which the lead-out wiring from the first transmission terminal Tx1 and the lead-out wiring from the second reception terminal Rx2 are separated from each other does not intersect when the arrows ⁇ and ⁇ in FIG. 1 are extended in the direction of the arrows. That is.
  • the first transmission electrode Txa may be arranged on the right side of the first transmission terminal Tx1.
  • the demultiplexers 5a and 5b can be separated from each other, so The isolation characteristics of 5a and 5b can be improved.
  • FIGS. 3 is a plan view of the high-frequency module 1b
  • FIG. 4 is a configuration diagram of the high-frequency module 1b. 3 and 4 show a part of the configuration related to the invention.
  • the high-frequency module 1b according to this embodiment differs from the high-frequency module 1a according to the first embodiment described with reference to FIGS. 1 and 2 in that the first demultiplexer 5a is as shown in FIGS.
  • the third demultiplexer 5c used for another communication system different from the communication system using the second demultiplexer 5b and the communication system using the second demultiplexer 5b is further provided. Since other configurations are the same as those of the high-frequency module 1a of the first embodiment, description thereof is omitted by attaching the same reference numerals.
  • the third demultiplexer 5c outputs the third transmission terminal Tx3 to which the transmission signal in the third transmission frequency band is input, the transmission signal input to the third transmission terminal Tx3, and the third transmission terminal Tx3.
  • the third common terminal A3 is connected to a predetermined switching terminal S of the switch IC 3 via a wiring electrode formed on the wiring board 2, and the third transmission terminal Tx3 is connected to a lead wiring formed on the wiring board 2.
  • the third reception terminal Rx3 is connected to the third transmission electrode Txc, which is one of the external electrodes, and the third reception terminal Rx3 is connected to the third reception electrode Rxc, which is also one of the external electrodes, by a lead wiring formed on the wiring board 2.
  • the third transmission frequency band is set to 1920 to 1980 MHz and the third reception frequency band is set to 2110 to 2170 MHz, and the third demultiplexer 5c uses a so-called Band1 frequency band. It is provided for communication systems.
  • the reception frequency band of Band 4 (second reception frequency band: 2110 to 2155 MHz) and the reception frequency band of Band 1 (third reception frequency band: 2110 to 2170 MHz) partially overlap.
  • the reception signal of Band4 and the reception signal of Band1 interfere with each other, the reception sensitivity of both communication systems may be deteriorated.
  • the present embodiment is configured to prevent deterioration in reception sensitivity that occurs when such reception frequency bands overlap.
  • the third receiving electrode Rxc connected to the third receiving terminal Rx3 of the third duplexer 5c via the lead-out wiring is connected to the opposite side (second side) of the peripheral portion of the other main surface of the wiring board 2.
  • the side near the side where the duplexer 5b is placed) is placed.
  • a ground electrode 7 that is one of the external electrodes is disposed between the third reception electrode Rxc and the second reception electrode Rxb.
  • the third duplexer 5c is disposed in the vicinity of the opposite side of the one main surface of the wiring board 2 and is disposed in the vicinity of the second duplexer 5b. Further, the third receiving terminal Rx3 is arranged at a position near the opposite side in the third duplexer 5c.
  • the ground electrode 7 is provided between the second reception electrode Rxb through which the Band4 reception signal passes and the third reception electrode Rxc through which the Band1 reception signal that partially overlaps the frequency band of the reception signal passes. Therefore, the current concentrated on both receiving electrodes Rxb and Rxc flows to the ground electrode 7. In this case, current concentration generated between the two reception electrodes Rxb and Rxc can be relaxed and mutual interference between the two reception signals can be prevented, so that the isolation characteristics between the two reception electrodes Rxb and Rxc can be improved. .
  • first duplexer 5a and the third duplexer 5c can be spaced apart by disposing the third duplexer 5c close to the opposite side of the one main surface of the wiring board 2. Therefore, the isolation characteristics between the duplexers 5a and 5c can be improved.
  • the second duplexer 5b and the third duplexer 5c are arranged close to each other, the high-frequency module 1b can be reduced in size.
  • another external electrode 6 may be disposed between the receiving electrodes Rxb and Rxc instead of the ground electrode 7 described above. In this case, since the distance between the receiving electrodes Rxb and Rxc can be increased, the isolation characteristic between the receiving electrodes Rxb and Rxc can be improved.
  • FIGS. 5 is a plan view of the high-frequency module 1c
  • FIG. 6 is a configuration diagram of the high-frequency module 1c. 5 and 6 show some configurations related to the invention.
  • the high-frequency module 1c according to this embodiment differs from the high-frequency module 1a of the first embodiment described with reference to FIGS. 1 and 2 in that the first duplexer 5a is as shown in FIGS.
  • the fourth demultiplexer 5d used in a communication system different from the communication system in which the second demultiplexer 5b is used and the communication system in which the second demultiplexer 5b is used is further provided. Since other configurations are the same as those of the high-frequency module 1a of the first embodiment, description thereof is omitted by attaching the same reference numerals.
  • the fourth duplexer 5d is disposed close to the opposite side of the one main surface of the wiring board 2 and is disposed close to the second duplexer 5b.
  • the fourth demultiplexer 5d outputs the fourth transmission terminal Tx4 to which the transmission signal of the fourth transmission frequency band is input, the transmission signal input to the fourth transmission terminal Tx4, and the fourth reception. It has the 4th common terminal A4 into which the received signal of a frequency band is input, and 4th receiving terminal Rx4 which outputs the received signal input into this 4th common terminal A4.
  • the fourth common terminal A4 is connected to a predetermined switching terminal S of the switch IC 3 via a wiring electrode formed on the wiring board 2, and the fourth transmission terminal Tx4 is connected to a lead wiring formed on the wiring board 2.
  • the fourth receiving electrode Rx4 is connected to the fourth transmitting electrode Txd, which is one of the external electrodes, and the fourth receiving terminal Rx4 is connected to the fourth receiving electrode Rxd, which is also one of the external electrodes, by a lead wiring formed on the wiring board 2.
  • the fourth transmission frequency band is set to 1920 to 1980 MHz
  • the fourth reception frequency band is set to 2110 to 2170 MHz
  • the fourth demultiplexer 5d uses a so-called Band1 frequency band. It is provided for communication systems.
  • the fourth common terminal A4 of the fourth duplexer 5d is disposed closer to the switch IC3 than the fourth reception terminal Rx4, and the fourth reception electrode Rxd is formed between the fourth common terminal A4 and the switch IC3 in plan view. (Position closer to the switch IC3 than the fourth common terminal A4). In such a case, since the lead-out wiring that connects the fourth reception terminal Rx4 and the fourth reception electrode Rxd is led out from the fourth reception terminal Rx4 to the fourth common terminal A4 side, this lead-out wiring and the fourth common terminal A4. And the distance will be closer.
  • the reception signal input from the fourth common terminal A4 passes through the fourth reception terminal Rx4, and then passes to the fourth common terminal A4 side by the lead wiring connecting the fourth reception terminal Rx4 and the fourth reception electrode Rxd. Therefore, a return path of the reception signal is formed by the lead wiring.
  • the fourth duplexer 5d is disposed close to the opposite side of the wiring board 2, the lead-out wiring from the fourth receiving terminal Rx and the opposite side of the peripheral edge of the other main surface of the wiring board 2
  • the distance from the external electrodes (for example, the second reception electrode Rxb and the first reception electrode Rxa) arranged in proximity is reduced.
  • the wiring structure is such that current tends to concentrate in the vicinity of the fourth receiving terminal Rx4, the fourth receiving electrode Rxd, and the lead-out wiring.
  • the transmission signal output from the fourth common terminal A4 leaks to the lead wire from the fourth receive terminal Rx4, or the signal passing through the lead wire connects the fourth common terminal A4 and the switch IC3.
  • the isolation characteristic between the transmission / reception terminals of the fourth duplexer 5d deteriorates. Therefore, in this embodiment, in order to prevent the deterioration of the isolation characteristic, the ground mounting electrode 8 which is one of the external electrodes is provided between the fourth reception terminal Rx4 and the fourth reception electrode Rxd in a plan view. Has been placed.
  • the current concentrated in the vicinity of the lead-out wiring connecting the fourth reception terminal Rx4 and the fourth reception electrode Rxd can be reduced by guiding the current to the ground via the ground mounting electrode 8. Isolation characteristics between the transmission / reception signals of the duplexer 5d and between the fourth duplexer 5d and the other duplexers 5a and 5b can be improved.
  • FIG. 7 is a plan view of the high-frequency module 1d.
  • the high-frequency module 1d according to this embodiment is different from the high-frequency module 1c of the third embodiment described with reference to FIGS. 5 and 6 as shown in FIG. That is, it is arranged at a position farther from the facing side of the wiring board 2 than the second branching filter 5b. Since other configurations are the same as those of the high-frequency module 1c of the third embodiment, the description thereof is omitted by attaching the same reference numerals.
  • the distance between the lead-out line from the fourth reception terminal Rx4 and the external electrode (for example, the second reception electrode Rxb or the first reception electrode Rxa) disposed in proximity to the opposite side of the wiring board 2 is increased. Therefore, current concentration that causes degradation of isolation characteristics can be suppressed.
  • the ground mounting electrode 8 is not necessarily provided.
  • FIG. 8 is a plan view of the high-frequency module 1e.
  • the high-frequency module 1e according to this embodiment differs from the high-frequency module 1c of the third embodiment described with reference to FIGS. 5 and 6 in that, as shown in FIG. Thus, the switch IC 3 is arranged away from the fourth duplexer 5d, and the ground mounting electrode 8 is not provided. Since other configurations are the same as those of the high-frequency module 1c of the third embodiment, the description thereof is omitted by attaching the same reference numerals.
  • the lead-out wiring from the fourth reception terminal Rx4 is not drawn toward the fourth common terminal A4 side, but is drawn in a direction away from the fourth common terminal A4. .
  • current can be prevented from being concentrated in the vicinity of the lead wire connecting the fourth reception terminal Rx4 and the fourth reception electrode Rxd, so that the transmission / reception signals of the fourth demultiplexer 5d and the fourth demultiplexing can be suppressed. Isolation characteristics between the filter 5d and the other duplexers 5a, 5b, etc. can be improved.
  • the fourth demultiplexer 5d corresponds to the “fifth demultiplexer” of the present invention
  • the frequency band of the communication signal (Band1) of the communication system in which the fourth demultiplexer 5d is used (Transmission side: 1920 to 1980 MHz, reception side: 2110 to 2170 MHz) corresponds to the “fifth transmission frequency band” and “fifth reception frequency band” of the present invention
  • the fourth common terminal A4 corresponds to the “first transmission frequency band” of the present invention.
  • the fifth transmission terminal Tx4 corresponds to the “fifth transmission terminal” of the present invention
  • the fourth reception terminal Rx4 corresponds to the “fifth reception terminal” of the present invention
  • the fourth reception electrode Rxd corresponds to the “fifth receiving electrode” of the present invention.
  • each of the high frequency modules 1a to 1e may be configured to further include a power amplifier for amplifying the transmission signal.
  • a power amplifier for amplifying the transmission signal.
  • the power amplifier is connected to the first transmission terminal Tx1 of the first duplexer 5a, the lead-out wiring that connects the first transmission terminal Tx1 and the power amplifier, and the second duplexer 5b
  • the lead wires from the two reception terminals Rx2 may be drawn in directions away from each other.
  • the mounting component disposed between the first duplexer 5a and the second duplexer 5b is not limited to the chip component 4 described above, and may be an IC.
  • the present invention can be widely applied to a high frequency module in which a plurality of duplexers are mounted on a wiring board.

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Abstract

 異なる複数の周波数帯域の送受信信号が使用される高周波モジュールにおいて、送受信端子間のアイソレーション特性を向上する。 高周波モジュール1aは、平面視矩形状の配線基板2と、Band17の周波数帯域の送信信号と受信信号とを分波する第1分波器5aと、その受信側の周波数帯域がBand17の送信信号の3次高調波の周波数帯域と一部重なるBand4の周波数帯域の送信信号と受信信号とを分波する第2分波器5bとを備え、第1分波器5aは、配線基板2の一方主面の所定の辺に近接して配置されるとともに、第2分波器5bは、前記所定の辺に対向する対向辺に近接して配置される。また、第1分波器5aの第1送信端子Tx1からの引き出し配線および第2分波器5bの第2受信端子Rx2からの引き出し配線が、互いに離れる方向に引き出されている。

Description

高周波モジュール
 本発明は、それぞれ異なる周波数帯域の送受信号を分波する複数の分波器が設けられた高周波モジュールに関する。
 近年の携帯電話等では、大容量・高速通信が要求されているため、複数の異なる周波数帯域の通信システムを同時に運用し、1つの通信回線としてデータを分散して送受信するCA(Carrier Aggregation)が検討されている。この種の通信機器のアンテナに近い箇所に配設されるフロントエンドモジュールでは、異なる複数の周波数帯域の信号の送受信を同時に行うために、配線基板に複数のフィルタ回路や分波回路が設けられる。
 例えば、特許文献1に記載のモジュール100は、W-CDMA方式とGSM(登録商標)方式の通信システムに対応可能に構成されており、図9に示すように、W-CDMA方式の送信信号と受信信号とを分波するデュプレクサ102、GSM(登録商標)方式の送信信号用の送信フィルタ103およびGSM(登録商標)方式の受信信号用の2つの受信フィルタ104,105が、配線基板101の一方主面にそれぞれ実装されている。また、配線基板101の他方主面には、高周波モジュール100を外部のマザー基板等に実装するための複数の実装電極が設けられ、デュプレクサ102の送信端子や受信端子、送信フィルタ103および受信フィルタ104,105の各端子と、所定の実装電極が配線基板101の引き出し配線を介して接続される。
特開2006-340257号公報(段落0025~0029、図1等参照)
 ところで、周波数帯域の異なる複数の通信システムを使用して送受信を行う場合、1つの通信システムで使用される通信信号(送信信号、受信信号)の周波数帯域と、他の通信システムで使用される通信信号の高調波の周波数帯域とが一部重なる場合がある。ここで、一方の通信信号が送信信号で、この高調波の周波数帯域と重なる他方の信号が受信信号である場合には、信号の干渉により受信感度が悪化するおそれがある。
 従来のモジュール100では、上記したように、デュプレクサ102や送信、受信フィルタ103~105の各端子は、配線基板101の他方主面の所定の実装電極に引き出し配線を介してそれぞれ接続される。そのため、1つの通信システムの送信信号が通過する引き出し配線と、当該送信信号の高調波の周波数帯域と重なる受信信号が通過する引き出し配線とが近接配置された場合は、両信号が干渉して受信感度が悪化するおそれがある。また、これらの信号が通過するデュプレクサ102やフィルタ103~105の端子同士が近接配置された場合も、同様に受信感度が悪化するおそれがある。
 本発明は、上記した課題に鑑みてなされたものであり、異なる複数の周波数帯域の送受信信号が使用される高周波モジュールにおいて、送受信端子間のアイソレーション特性を向上することを目的とする。
 上記した目的を達成するために、本発明の高周波モジュールは、平面視矩形状の配線基板と、第1の送信周波数帯域の送信信号が入力される第1送信端子と、前記第1送信端子に入力された送信信号を出力するとともに第1の受信周波数帯域の受信信号が入力される第1共通端子と、前記第1共通端子に入力された受信信号を出力する第1受信端子とを有する第1分波器と、第2の送信周波数帯域の送信信号が入力される第2送信端子と、前記第2送信端子に入力された送信信号を出力するとともに第2の受信周波数帯域の受信信号が入力される第2共通端子と、前記第2共通端子に入力された前記受信信号を出力する第2受信端子とを有する第2分波器とを備え、前記第2の受信周波数帯域は、前記第1の送信周波数帯域の送信信号の高調波の周波数帯域とその一部が重なる周波数帯域に設定され、前記第1分波器は、前記配線基板の一方主面の所定の辺に近接して配置されるとともに、前記第2分波器は、前記所定の辺に対向する対向辺に近接して配置され、それぞれ前記配線基板に形成された、前記第1送信端子からの引き出し配線および前記第2受信端子からの引き出し配線が、互いに離れる方向に引き出されていることを特徴としている。
 この構成によると、第1分波器と第2分波器とを離間配置することができる。この場合、第1の送信周波数帯域の送信信号が通過する第1分波器の第1送信端子と、第2の受信周波数帯域の受信信号が通過する第2分波器の第2受信端子とが離れて配置されるため、受信感度等の高周波特性の劣化に影響する信号の干渉が抑制され、両信号端子間のアイソレーション特性を向上することができる。また、第1送信端子からの引き出し配線および第2受信端子からの引き出し配線が、互いに離れる方向に引き出されることで、両引き出し配線が配線基板内で近接するのを防止できるため、両信号端子間のアイソレーション特性をさらに向上させることができる。
 また、前記配線基板の他方主面に設けられ、前記第1送信端子からの引き出し配線に接続される第1送信電極と、前記配線基板の他方主面に設けられ、前記第2受信端子からの引き出し配線に接続される第2受信電極とを備え、前記第1送信電極が前記配線基板の前記所定の辺に近接して配置され、前記第2受信電極が前記配線基板の前記対向辺に近接して配置されていてもよい。この場合、第1の送信周波数帯域の送信信号が通過する第1送信電極と、第2の受信周波数帯域の受信信号が通過する第2受信電極との間を離すことができるため、受信感度等の高周波特性の劣化に影響する信号の干渉が抑制され、両信号端子間のアイソレーション特性を向上することができる。
 また、前記第1送信端子が前記配線基板の前記所定の辺寄りに配置されるとともに、前記第2受信端子が前記配線基板の前記対向辺寄りに配置されていてもよい。この場合、第1分波器の第1送信端子と第2分波器の第2受信端子とが離れて配置されるため、第1送信端子と第2受信端子との間のアイソレーション特性を向上することができる。
 第3の送信周波数帯域の送信信号が入力される第3送信端子と、前記第3送信端子に入力された送信信号を出力するとともに第3の受信周波数帯域の受信信号が入力される第3共通端子と、前記第3共通端子に入力された受信信号を出力する第3受信端子とを有する第3分波器と、前記配線基板の他方主面に設けられ、第3受信端子に電気的に接続される第3受信電極と、前記配線基板の他方主面に設けられたグランド電極とを備え、前記第2の受信周波数帯域と前記第3の受信周波数帯域とは一部重なり、前記第2受信電極と前記第3受信電極との間にグランド電極が配置されていてもよい。
 このように、第2受信電極と第3受信電極から漏れる信号がグランド電極に流れる。この場合、両受信信号の相互干渉を防止することができるため、第2受信端子と第3受信端子との間のアイソレーション特性を向上することができる。
 また、前記第3分波器が、前記配線基板の一方主面の前記対向辺に近接して配置されていてもよい。この場合、第1分波器と第3分波器とを離間配置することができるため、両分波器の干渉を防止できる。
 また、前記第2分波器と前記第3分波器とが近接して配置されていてもよい。この場合、高周波モジュールの小型化を図ることができる。
 また、第4の送信周波数帯域の送信信号が入力される第4送信端子と、前記第4送信端子に入力された送信信号を出力するとともに第4の受信周波数帯域の受信信号が入力される第4共通端子と、前記第4共通端子に入力された受信信号を出力する第4受信端子とを有する第4分波器と、前記配線基板の一方主面に配置され、前記第4共通端子に電気的に接続されるスイッチICと、前記配線基板の他方主面に設けられ、前記第4受信端子に電気的に接続される第4受信電極と、前記配線基板の他方主面に設けられたグランド用実装電極とを備え、前記第4共通端子は、前記第4受信端子よりも前記スイッチIC寄りに配置され、前記第4受信電極は、平面視で、前記第4共通端子と前記スイッチICとの間に配置され、前記グランド用実装電極が、平面視で前記第4受信端子と前記第4受信電極との間に配置されていてもよい。
 この場合、第4受信端子と第4受信電極とを接続する引き出し配線が、第4受信端子から第4共通端子側へ引き出されるため、この引き出し配線と第4共通端子との距離が近くなる。また、第4共通端子から入力される受信信号が、第4受信端子を通過したあと、第4受信端子と第4受信電極とを接続する引き出し配線により第4共通端子側に導かれるため、当該引き出し配線により受信信号の折り返し経路が構成される。そうすると、第4受信端子、第4受信電極および引き出し配線の近傍で電流が集中しやすい配線構造となる。電流が集中した場合、第4共通端子から出力される送信信号が引き出し配線に漏れたり、引き出し配線を通る受信信号が、第4共通端子とスイッチICとを接続する接続配線等に漏れ易くなるため、第4分波器におけるアイソレーション特性が劣化する。
 そこで、配線基板2の他方主面に設けられたグランド用実装電極を、平面視で第4受信端子と第4受信電極との間に配置する。このようにすると、第4受信端子、第4受信電極および引き出し配線の近傍で電流が集中するのをグランド用実装電極で抑制できるため、第4分波器の送受信端子間および第4分波器と他の分波器等との間のアイソレーション特性を向上することができる。
 また、前記第4受信電極が、前記配線基板の前記対向辺に近接して配置され、前記第4分波器が、前記第2分波器よりも前記配線基板の前記対向辺から離れた位置に配置されていてもよい。第4分波器および第4受信電極が共に配線基板の前記対向辺に近接配置される場合、第4受信端子と第4受信電極とを接続する引き出し配線等の影響で、第4受信端子、第4受信電極および引き出し配線の近傍に電流が集中しやすい。そこで、第4分波器を、第2分波器よりも配線基板の前記対向辺から離れた位置に配置することにより、第4分波器と第4受信電極とを離すことができるため、アイソレーション特性の劣化に影響する電流溜まりを抑制することができる。
 また、第5の送信周波数帯域の送信信号が入力される第5送信端子と、前記第5送信端子に入力された送信信号を出力するとともに第5の受信周波数帯域の受信信号が入力される第5共通端子と、前記第5共通端子に入力された受信信号を出力する第5受信端子とを有する第5分波器と、前記配線基板の一方主面に配置され、前記第5共通端子に電気的に接続されるスイッチICと、前記配線基板の他方主面に設けられ、前記第5受信端子に電気的に接続される第5受信電極とを備え、前記第5共通端子は、前記第5受信端子よりも前記スイッチIC寄りに配置され、前記第5受信電極が、平面視で、前記スイッチICに対して前記第5分波器よりも離れて配置されていてもよい。
 このように第5受信電極を配置すると、第5受信端子と第5受信電極とを接続する引き出し配線を、第5共通端子側に引き出す必要がない。したがって、第5受信端子、第5受信電極およびこれらを接続する引き出し配線近傍に電流が集中するのを抑制できるため、第5分波器の送受信端子間および第5分波器と他の分波器等との間のアイソレーション特性を向上することができる。
 また、前記第1分波器と前記第2分波器との間に部品が配置されていてもよい。この場合、第1分波器と第2分波器との間を離すことができるため、両分波器間のアイソレーション特性を向上することができる。
 受信感度等の高周波特性の劣化に影響する送信信号と受信信号との干渉が抑制されるため、送信信号端子と受信信号端子との間のアイソレーション特性が向上する。
本発明の第1実施形態にかかる高周波モジュールの平面図である。 図1の高周波モジュールの構成図である。 本発明の第2実施形態にかかる高周波モジュールの平面図である。 図3の高周波モジュールの構成図である。 本発明の第3実施形態にかかる高周波モジュールの平面図である。 図5の高周波モジュールの構成図である。 本発明の第4実施形態にかかる高周波モジュールの平面図である。 本発明の第5実施形態にかかる高周波モジュールの平面図である。 従来の高周波モジュールの平面図である。
 <第1実施形態>
 本発明の第1実施形態にかかる高周波モジュール1aについて、図1および図2を参照して説明する。なお、図1は高周波モジュール1aの平面図、図2は高周波モジュール1aの構成図である。なお、図1および図2では、発明に関係する一部の構成を図示している。
 本発明にかかる高周波モジュール1aは、携帯電話機等の通信機器のアンテナに近い箇所に配設されるフロントエンドモジュールであり、配線基板2と、それぞれ配線基板2の一方主面に実装されたスイッチIC3、インピーダンス整合回路等を形成するチップインダクタやチップコンデンサ等のチップ部品4および複数の分波器5a,5bとを備える。また、高周波モジュール1aは、複数の異なる周波数帯域の通信システムを同時に運用することで、大容量・高速通信を実現するCA(Carrier Aggregation)に対応可能に構成されている。なお、この実施形態では、通信システムごとに送信信号と受信信号とを分波する複数の分波器5a,5bが設けられている。
 配線基板2は、ガラスエポキシ樹脂、セラミック等で形成されおり、平面視で矩形状を成している。そして、一方主面にはスイッチIC3、チップ部品4、複数の分波器5a,5bを実装するための実装電極(図示せず)が形成されるとともに、他方主面には外部のマザー基板等との接続用の複数の外部電極6が形成される。なお、この実施形態では、複数の外部電極6は、配線基板2の他方主面の周縁部に並設されている。
 スイッチIC3は、アンテナANTに接続される共通端子Cと複数の切替端子Sとを有し、共通端子Cと各切替端子Sのうちのいずれかとを切替接続する。
 配線基板2に実装された複数の分波器5a,5bのうち、例えば、第1分波器5aは、第1の送信周波数帯域の送信信号が入力される第1送信端子Tx1と、該第1送信端子Tx1の入力された送信信号を出力するとともに、第1の受信周波数帯域の受信信号が入力される第1共通端子A1と、該第1共通端子A1に入力された受信信号を出力する第1受信端子Rx1とを有する。ここで、第1共通端子A1は、配線基板2に形成された配線電極を介してスイッチIC3の所定の切替端子Sに接続され、第1送信端子Tx1は配線基板2に形成された引き出し配線により外部電極6の1つである第1送信電極Txaに接続され、第1受信端子Rx1は配線基板2に形成された引き出し配線により同じく外部電極6の1つである第1受信電極Rxaに接続される。なお、この実施形態では、第1の送信周波数帯域が704~716MHz、第1の受信周波数帯域が734~746MHzに設定されており、第1分波器5aは、いわゆるBand17の周波数帯域を使用する通信システム用に設けられている。
 第2分波器5bは、第2の送信周波数帯域の送信信号が入力される第2送信端子Tx2と、該第2送信端子Tx2の入力された送信信号を出力するとともに、第2の受信周波数帯域の受信信号が入力される第2共通端子A2と、該第2共通端子A2に入力された受信信号を出力する第2受信端子Rx2とを有する。ここで、第1共通端子A2は、配線基板2に形成された配線電極を介してスイッチIC3の所定の切替端子Sに接続され、第2送信端子Tx2は配線基板2に形成された引き出し配線により外部電極6の1つである第2送信電極Txbに接続され、第2受信端子Rx2は配線基板2に形成された引き出し配線により同じく外部電極6の1つである第2受信電極Rxbに接続される。なお、第2分波器5bは、第2の送信周波数帯域が1710~1755MHz、第2の受信周波数帯域が2110~2155MHzに設定されており、第2分波器5bは、いわゆるBand4の周波数帯域を使用する通信システム用に設けられている。
 スイッチIC3と第1分波器5aとの間、あるいはスイッチIC3と第2分波器5bとの間のインピーダンスを整合させるためのインピーダンス整合回路の一部を構成するチップ部品4は、平面視で配線基板2の一方主面における第1分波器5aと第2分波器5bとの間に配置される。
 ところで、上記したBand4の受信周波数帯域(第2の受信周波数帯域:2110~2155MHz)は、Band17の送信周波数帯域(第1の送信周波数帯域:704~716MHz)の3次高調波の周波数帯域(2112~2148MHz)の一部に重なる。このような場合、Band17の送信信号の3次高調波が、Band4の受信信号に干渉すると、Band4の周波数帯域を使用する通信システムの受信感度が悪化するおそれがある。そこで、この実施形態では、このような受信感度の悪化を抑制するように構成されている。
 具体的には、図1に示すように、第1分波器5aは、平面視矩形状の配線基板2の所定の辺に近接して配置されるとともに、第2分波器5bは、前記所定の辺の対向辺に近接して配置される。また、第1分波器5aの第1送信端子Tx1に引き出し配線を介して接続される第1送信電極Txaは、配線基板2の他方主面の周縁部における前記所定の辺に近接した位置に配置される。第2分波器5bの第2受信端子Rx2に引き出し配線を介して接続される第2受信電極Rxbは、配線基板2の他方主面の周縁部における前記対向辺に近接した位置に配置される。なお、この実施形態において、上述の所定の辺は、平面視で横長矩形状の配線基板2の2つの長辺のうちの一方であって、図1中の上側に位置する辺である。
 したがって、上記した実施形態によれば、第1分波器5aを配線基板2の所定の辺に近接して配置するとともに、第2分波器5bを配線基板2の前記所定の辺の対向辺に近接して配置することで、第1分波器5aと第2分波器5bとを離間配置することができる。この場合、Band17の送信信号が通過する第1送信端子Tx1と、当該送信信号の第3次高調波の周波数帯域と一部が重なるBand4の受信信号が通過する第2受信端子Rx2とが離れて配置されるため、受信感度等の高周波特性の劣化に影響する信号の干渉が抑制され、両信号端子間のアイソレーション特性を向上させることができる。また、第1送信端子Tx1からの引き出し配線および第2受信端子Rx2からの引き出し配線が、互いに離れる方向に引き出されることで、両引き出し配線が配線基板2内で近接するのを防止できるため、両信号端子間のアイソレーション特性をさらに向上させることができる。
 また、第1送信電極Txaを配線基板2の前記所定の辺に近接して配置するとともに、第2受信電極Rxbを配線基板2の前記対向辺に近接して配置することで、Band17の送信信号が通過する第1送信電極Txaと、Band4の受信信号が通過する第2受信電極Rxbとの間を離すことができるため、受信感度等の高周波特性の劣化に影響する信号の干渉が抑制され、両信号端子間のアイソレーション特性を向上することができる。
 また、第1送信端子Tx1を配線基板2の前記所定の辺寄りに配置するとともに、第2受信端子Rx2を配線基板2の前記対向辺寄りに配置すると、第1送信端子Tx1と第2受信端子Rx2との距離をさらに離すことができるため、上記したアイソレーション特性をさらに向上することができる。
 また、第1送信端子Tx1および第2受信端子Rx2それぞれは、接続先の外部電極(第1送信電極Txaまたは第2受信電極Rxb)よりも、平面視で若干配線基板2の内側に配置される。これらの構成により、第1送信端子Tx1からの引き出し配線(図1の矢印α参照)および第2受信端子Rx2からの引き出し配線(図1の矢印β参照)が、互いに離れる方向に引き出されることになるため、アイソレーション特性をさらに向上することができる。なお、第1送信端子Tx1からの引き出し配線と第2受信端子Rx2からの引き出し配線が互いに離れる方向とは、図1における矢印αと矢印βとをその矢印の方向に延長したときに交わらない方向のことである。例えば、図1において第1送信電極Txaが第1送信端子Tx1よりも右側に配置されていてもよい。
 また、第1分波器5aと第2分波器5bとの間にチップ部品4を配置することで、両分波器5a,5bとの間を離すことができるため、両分波器間5a,5bのアイソレーション特性を向上することができる。
 <第2実施形態>
 本発明の第2実施形態にかかる高周波モジュール1bについて、図3および図4を参照して説明する。なお、図3は高周波モジュール1bの平面図、図4は高周波モジュール1bの構成図である。なお、図3および4では、発明に関係する一部の構成を図示している。
 この実施形態にかかる高周波モジュール1bが、図1および図2を参照して説明した第1実施形態の高周波モジュール1aと異なるところは、図3および図4に示すように、第1分波器5aが使用される通信システムおよび第2分波器5bが使用される通信システムとは異なる別の通信システムに使用される第3分波器5cがさらに設けられていることである。その他の構成は、第1実施形態の高周波モジュール1aと同じであるため、同一符号を付すことにより説明を省略する。
 この場合、第3分波器5cは、第3の送信周波数帯域の送信信号が入力される第3送信端子Tx3と、該第3送信端子Tx3に入力された送信信号を出力するとともに第3の受信周波数帯域の受信信号が入力される第3共通端子A3と、該第3共通端子A3に入力された受信信号を出力する第3受信端子Rx3とを有する。ここで、第3共通端子A3は、配線基板2に形成された配線電極を介してスイッチIC3の所定の切替端子Sに接続され、第3送信端子Tx3は配線基板2に形成された引き出し配線により外部電極の1つである第3送信電極Txcに接続され、第3受信端子Rx3は配線基板2に形成された引き出し配線により同じく外部電極の1つである第3受信電極Rxcに接続される。なお、この実施形態では、第3の送信周波数帯域が1920~1980MHz、第3の受信周波数帯域が2110~2170MHzに設定されており、第3分波器5cは、いわゆるBand1の周波数帯域を使用する通信システム用に設けられている。
 ここで、Band4の受信周波数帯域(第2の受信周波数帯域:2110~2155MHz)とBand1の受信周波数帯域(第3の受信周波数帯域:2110~2170MHz)とは一部が重なる。このような場合、Band4の受信信号とBand1の受信信号とが相互干渉すると、両通信システムの受信感度が悪化するおそれがある。そこで、この実施形態では、このような受信周波数帯域が重なる場合に発生する受信感度の悪化も防止できるように構成されている。
 具体的には、第3分波器5cの第3受信端子Rx3に引き出し配線を介して接続される第3受信電極Rxcが、配線基板2の他方主面の周縁部における前記対向辺(第2分波器5bを近接配置した辺)に近接した位置に配置される。そして、第3受信電極Rxcと第2受信電極Rxbとの間に外部電極の1つであるグランド電極7が配置される。
 また、第3分波器5cは、配線基板2の一方主面の前記対向辺に近接して配置されるとともに、第2分波器5bに近接して配置される。さらに、第3受信端子Rx3は、第3分波器5c内の前記対向辺寄りの位置に配置される。
 この構成によると、Band4の受信信号が通過する第2受信電極Rxbと、この受信信号の周波数帯域と一部が重なるBand1の受信信号が通過する第3受信電極Rxcとの間にグランド電極7が配置されるため、両受信電極Rxb,Rxcに集中する電流がグランド電極7に流れる。この場合、両受信電極Rxb,Rxc間に発生する電流集中を緩和し、両受信信号の相互干渉を防止することができるため、両受信電極Rxb,Rxc間のアイソレーション特性を向上することができる。
 また、第3分波器5cを、配線基板2の一方主面の前記対向辺に近接して配置することにより、第1分波器5aと第3分波器5cとを離間配置することができるため、両分波器5a,5c間のアイソレーション特性を向上することができる。また、第2分波器5bと第3分波器5cとが近接して配置されるため、高周波モジュール1bの小型化を図ることもできる。
 なお、上記したグランド電極7の代わりに、両受信電極Rxb,Rxc間に別の外部電極6を配置するようにしてもよい。この場合、両受信電極Rxb,Rxc間の距離を離すことができるため、両受信電極Rxb,Rxc間のアイソレーション特性を向上することができる。
 <第3実施形態>
 本発明の第3実施形態にかかる高周波モジュール1cについて、図5および図6を参照して説明する。なお、図5は高周波モジュール1cの平面図、図6は高周波モジュール1cの構成図である。なお、図5および6では、発明に関係する一部の構成を図示している。
 この実施形態にかかる高周波モジュール1cが、図1および図2を参照して説明した第1実施形態の高周波モジュール1aと異なるところは、図5および図6に示すように、第1分波器5aが使用される通信システムおよび第2分波器5bが使用される通信システムとは異なる別の通信システムに使用される第4分波器5dがさらに設けられていることである。その他の構成は第1実施形態の高周波モジュール1aと同じであるため、同一符号を付すことにより説明を省略する。
 この場合、第4分波器5dは、配線基板2の一方主面の前記対向辺に近接配置されるとともに、第2分波器5bに近接配置される。また、第4分波器5dは、第4の送信周波数帯域の送信信号が入力される第4送信端子Tx4と、該第4送信端子Tx4の入力された送信信号を出力するとともに第4の受信周波数帯域の受信信号が入力される第4共通端子A4と、該第4共通端子A4に入力された受信信号を出力する第4受信端子Rx4とを有する。
 ここで、第4共通端子A4は、配線基板2に形成された配線電極を介してスイッチIC3の所定の切替端子Sに接続され、第4送信端子Tx4は配線基板2に形成された引き出し配線により外部電極の1つである第4送信電極Txdに接続され、第4受信端子Rx4は配線基板2に形成された引き出し配線により同じく外部電極の1つである第4受信電極Rxdに接続される。なお、この実施形態では、第4の送信周波数帯域が1920~1980MHz、第4の受信周波数帯域が2110~2170MHzに設定されており、第4分波器5dは、いわゆるBand1の周波数帯域を使用する通信システム用に設けられている。
 また、第4分波器5dの第4共通端子A4は、第4受信端子Rx4よりもスイッチIC3寄りに配置され、第4受信電極Rxdは、平面視で第4共通端子A4とスイッチIC3との間(第4共通端子A4よりもスイッチIC3寄りの位置)に配置される。このような場合、第4受信端子Rx4と第4受信電極Rxdとを接続する引き出し配線が、第4受信端子Rx4から第4共通端子A4側へ引き出されるため、この引き出し配線と第4共通端子A4との距離が近くなる。また、第4共通端子A4から入力される受信信号は、第4受信端子Rx4を通過したあと、第4受信端子Rx4と第4受信電極Rxdとを接続する引き出し配線により第4共通端子A4側に導かれるため、当該引き出し配線により受信信号の折り返し経路が構成される。
 また、第4分波器5dが配線基板2の前記対向辺に近接配置されているため、第4受信端子Rxからの引き出し配線と、配線基板2の他方主面の周縁部における前記対向辺に近接配置された外部電極(例えば、第2受信電極Rxbや第1受信電極Rxa)との距離が近くなる。このような場合、第4受信端子Rx4、第4受信電極Rxdおよび引き出し配線の近傍に電流が集中しやすい配線構造になる。電流が集中した場合、第4共通端子A4から出力される送信信号が第4受信端子Rx4からの引き出し配線に漏れたり、この引き出し配線を通る信号が、第4共通端子A4とスイッチIC3とを接続する接続配線等に漏れ易くなるため、第4分波器5dの送受信端子間のアイソレーション特性が劣化する。そこで、この実施形態では、このアイソレーション特性の劣化を防止するために、平面視で第4受信端子Rx4と第4受信電極Rxdとの間に外部電極の1つであるグランド用実装電極8が配置されている。
 この構成によると、第4受信端子Rx4と第4受信電極Rxdとを接続する引き出し配線の近傍に集中した電流を、グランド用実装電極8を介して接地へ導くことにより緩和できるため、第4分波器5dの送受信信号間および第4分波器5dと他の分波器5a,5b等との間のアイソレーション特性を向上することができる。
 <第4実施形態>
 本発明の第4実施形態の高周波モジュール1dについて、図7を参照して説明する。なお、図7は高周波モジュール1dの平面図である。
 この実施形態にかかる高周波モジュール1dが、図5および図6を参照して説明した第3実施形態の高周波モジュール1cと異なるところは、図7に示すように、第4分波器5dが、第2分波器5bよりも配線基板2の前記対向辺から離れた位置に配置されていることである。その他の構成は第3実施形態の高周波モジュール1cと同じであるため、同一符号を付すことにより説明を省略する。
 この構成によると、第4受信端子Rx4からの引き出し配線と、配線基板2の前記対向辺に近接配置された外部電極(例えば、第2受信電極Rxbや第1受信電極Rxa)との距離を離すことができるため、アイソレーション特性の劣化の要因となる電流集中を抑制することができる。なお、この実施形態において、グランド用実装電極8は必ずしも設けなくてもよい。
 <第5実施形態>
 本発明の第5実施形態にかかる高周波モジュール1eについて、図8を参照して説明する。なお、図8は高周波モジュール1eの平面図である。
 この実施形態にかかる高周波モジュール1eが、図5および図6を参照して説明した第3実施形態の高周波モジュール1cと異なるところは、図8に示すように、第4受信電極Rxdが、平面視で、スイッチIC3に対して第4分波器5dよりも離れて配置されていること、および、グランド用実装電極8が設けられていないことである。その他の構成は第3実施形態の高周波モジュール1cと同じであるため、同一符号を付すことにより説明を省略する。
 この場合、第3実施形態の高周波モジュール1cのように、第4受信端子Rx4からの引き出し配線が、第4共通端子A4側に向かって引き出されずに、第4共通端子A4から離れる方向に引き出される。この構成によると、第4受信端子Rx4と第4受信電極Rxdとを接続する当該引き出し配線近傍に電流が集中するのを抑制できるため、第4分波器5dの送受信信号間および第4分波器5dと他の分波器5a,5b等との間のアイソレーション特性を向上することができる。
 なお、この実施形態において、第4分波器5dが本発明の「第5分波器」に相当し、第4分波器5dが使用される通信システムの通信信号(Band1)の周波数帯域(送信側:1920~1980MHz、受信側:2110~2170MHz)が本発明の「第5の送信周波数帯域」、「第5の受信周波数帯域」に相当し、第4共通端子A4が本発明の「第5共通端子」に相当し、第4送信端子Tx4が本発明の「第5送信端子」に相当し、第4受信端子Rx4が本発明の「第5受信端子」に相当し、第4受信電極Rxdが本発明の「第5受信電極」に相当する。
 なお、本発明は上記した各実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて、上記したもの以外に種々の変更を行なうことが可能である。例えば、上記した第1実施形態では、第1の送信周波数帯域、および、該第1の送信周波数帯域の高調波の周波数帯域とその一部が重なる第2の受信周波数帯域の一例として、Band17およびBand4について説明したが、同様の周波数帯域の関係にあるものであれば適宜変更することができる。また、第2実施形態において、第2の受信周波数帯域と第3の受信周波数帯域とが一部重なる場合も同様である。
 また、各高周波モジュール1a~1eそれぞれは、送信信号の増幅用のパワーアンプをさらに備える構成であってもかまわない。例えば、第1分波器5aの第1送信端子Tx1にパワーアンプを接続する構成であれば、第1送信端子Tx1とパワーアンプとを接続する引き出し配線、および、第2分波器5bの第2受信端子Rx2からの引き出し配線が、互いに離れる方向に引き出されるようにすればよい。
 また、第1分波器5aと第2分波器5bとの間に配置する実装部品は、上記したチップ部品4に限らず、ICであってもかまわない。
 また、本発明は、複数の分波器が配線基板に実装された高周波モジュールに広く適用することができる。
 1a~1e  高周波モジュール
 2      配線基板
 3      スイッチIC
 4      チップ部品(部品)
 5a     第1分波器
 5b     第2分波器
 5c     第3分波器
 5d     第4分波器(第5分波器)
 7      グランド電極
 8      グランド用実装電極
 Tx1    第1送信端子
 Rx1    第1受信端子
 Tx2    第2送信端子
 Rx2    第2受信端子
 Tx3    第3送信端子
 Rx3    第3受信端子
 Tx4    第4送信端子(第5送信端子)
 Rx4    第4受信端子(第5受信端子)
 A1     第1共通端子
 A2     第2共通端子
 A3     第3共通端子
 A4     第4共通端子(第5共通端子)
 Txa    第1送信電極
 Rxb    第2受信電極
 Rxc    第3受信電極
 Rxd    第4受信電極(第5受信電極)

Claims (10)

  1.  平面視矩形状の配線基板と、
     第1の送信周波数帯域の送信信号が入力される第1送信端子と、前記第1送信端子に入力された送信信号を出力するとともに第1の受信周波数帯域の受信信号が入力される第1共通端子と、前記第1共通端子に入力された受信信号を出力する第1受信端子とを有する第1分波器と、
     第2の送信周波数帯域の送信信号が入力される第2送信端子と、前記第2送信端子に入力された送信信号を出力するとともに第2の受信周波数帯域の受信信号が入力される第2共通端子と、前記第2共通端子に入力された前記受信信号を出力する第2受信端子とを有する第2分波器とを備え、
     前記第2の受信周波数帯域は、前記第1の送信周波数帯域の送信信号の高調波の周波数帯域とその一部が重なる周波数帯域に設定され、
     前記第1分波器は、前記配線基板の一方主面の所定の辺に近接して配置されるとともに、前記第2分波器は、前記所定の辺に対向する対向辺に近接して配置され、
     それぞれ前記配線基板に形成された、前記第1送信端子からの引き出し配線および前記第2受信端子からの引き出し配線が、互いに離れる方向に引き出されている
     ことを特徴とする高周波モジュール。
  2.  前記配線基板の他方主面に設けられ、前記第1送信端子からの引き出し配線に接続される第1送信電極と、
     前記配線基板の他方主面に設けられ、前記第2受信端子からの引き出し配線に接続される第2受信電極とを備え、
     前記第1送信電極が前記配線基板の前記所定の辺に近接して配置され、
     前記第2受信電極が前記配線基板の前記対向辺に近接して配置されることを特徴とする請求項1に記載の高周波モジュール。
  3.  前記第1送信端子が前記配線基板の前記所定の辺寄りに配置されるとともに、前記第2受信端子が前記配線基板の前記対向辺寄りに配置されていることを特徴とする請求項1または2に記載の高周波モジュール。
  4.  第3の送信周波数帯域の送信信号が入力される第3送信端子と、前記第3送信端子に入力された送信信号を出力するとともに第3の受信周波数帯域の受信信号が入力される第3共通端子と、前記第3共通端子に入力された受信信号を出力する第3受信端子とを有する第3分波器と、
     前記配線基板の他方主面に設けられ、第3受信端子に電気的に接続される第3受信電極と、
     前記配線基板の他方主面に設けられたグランド電極とを備え、
     前記第2の受信周波数帯域と前記第3の受信周波数帯域とは一部重なり、
     前記第2受信電極と前記第3受信電極との間にグランド電極が配置されることを特徴とする請求項2に記載の高周波モジュール。
  5.  前記第3分波器が、前記配線基板の一方主面の前記対向辺に近接して配置されることを特徴とする請求項4に記載の高周波モジュール。
  6.  前記第2分波器と前記第3分波器とが近接して配置されることを特徴とする請求項4または5に記載の高周波モジュール。
  7.  第4の送信周波数帯域の送信信号が入力される第4送信端子と、前記第4送信端子に入力された送信信号を出力するとともに第4の受信周波数帯域の受信信号が入力される第4共通端子と、前記第4共通端子に入力された受信信号を出力する第4受信端子とを有する第4分波器と、
     前記配線基板の一方主面に配置され、前記第4共通端子に電気的に接続されるスイッチICと、
     前記配線基板の他方主面に設けられ、前記第4受信端子に電気的に接続される第4受信電極と、
     前記配線基板の他方主面に設けられたグランド用実装電極とを備え、
     前記第4共通端子は、前記第4受信端子よりも前記スイッチIC寄りに配置され、
     前記第4受信電極は、平面視で、前記第4共通端子と前記スイッチICとの間に配置され、
     前記グランド用実装電極が、平面視で前記第4受信端子と前記第4受信電極との間に配置されていることを特徴とする請求項1ないし6のいずれかに記載の高周波モジュール。
  8.  前記第4受信電極が、前記配線基板の前記対向辺に近接して配置され、
     前記第4分波器が、前記第2分波器よりも前記配線基板の前記対向辺から離れた位置に配置されていることを特徴とする請求項7に記載の高周波モジュール。
  9.  第5の送信周波数帯域の送信信号が入力される第5送信端子と、前記第5送信端子に入力された送信信号を出力するとともに第5の受信周波数帯域の受信信号が入力される第5共通端子と、前記第5共通端子に入力された受信信号を出力する第5受信端子とを有する第5分波器と、
     前記配線基板の一方主面に配置され、前記第5共通端子に電気的に接続されるスイッチICと、
     前記配線基板の他方主面に設けられ、前記第5受信端子に電気的に接続される第5受信電極とを備え、
     前記第5共通端子は、前記第5受信端子よりも前記スイッチIC寄りに配置され、
     前記第5受信電極が、平面視で、前記スイッチICに対して前記第5分波器よりも離れて配置されていることを特徴とする請求項1ないし6のいずれかに記載の高周波モジュール。
  10.  前記第1分波器と前記第2分波器との間に部品が配置されていることを特徴とする請求項1ないし9のいずれかに記載の高周波モジュール。
     
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