WO2019188968A1 - 高周波モジュール及びそれを備える通信装置 - Google Patents

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WO2019188968A1
WO2019188968A1 PCT/JP2019/012477 JP2019012477W WO2019188968A1 WO 2019188968 A1 WO2019188968 A1 WO 2019188968A1 JP 2019012477 W JP2019012477 W JP 2019012477W WO 2019188968 A1 WO2019188968 A1 WO 2019188968A1
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frequency module
transmission
power amplifier
low
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Inventor
直也 松本
Original Assignee
株式会社村田製作所
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    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/02—Transmitters
    • H04B1/04—Circuits
    • H04B1/0458—Arrangements for matching and coupling between power amplifier and antenna or between amplifying stages
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/38—Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving
    • H04B1/40—Circuits
    • H04B1/401—Circuits for selecting or indicating operating mode

Definitions

  • the present invention generally relates to a high-frequency module and a communication apparatus including the same, and more specifically, 2G (second generation mobile communication) standard, 4G (fourth generation mobile communication) standard, or 5G (fifth generation mobile communication) standard. And a communication device including the same.
  • 2G second generation mobile communication
  • 4G fourth generation mobile communication
  • 5G fifth generation mobile communication
  • Patent Document 1 an electronic system using carrier aggregation is known (for example, see Patent Document 1).
  • FIG. 2B of Patent Document 1 one antenna, one diplexer, two antenna switches, eight duplexers, two band selection switches, two directional couplers, and two power amplifiers ( A first power amplifier and a second power amplifier).
  • the diplexer is connected to the antenna.
  • each of the two power amplifiers is connected to a corresponding band selection switch of the two band selection switches via the corresponding directional coupler of the two directional couplers. .
  • a transmission circuit having a power amplifier (first power amplifier) corresponding to a 2G standard low band (first frequency band), a power amplifier corresponding to a 4G standard or 5G standard low band (third frequency band)
  • a communication device including a low-band high-frequency module including a transmission circuit (third transmission circuit) having a (third power amplifier) and a mid-band high-frequency module corresponding to a 4G standard or 5G standard mid-band is required. There was a case.
  • the transmission circuit (second transmission circuit) having a power amplifier (second power amplifier) corresponding to the 2G standard mid-band (second frequency band) is larger than the mid-band high-frequency module. In some cases, it is required to be provided in a low-band high-frequency module having a small size.
  • the transmission frequency of Band 8 Since the frequency of the second harmonic, which is one of the harmonics of the transmission signal in the band, overlaps with the midband frequency band of the 2G standard, this harmonic (unnecessary radiation) jumps to the second transmission circuit.
  • the harmonics of the transmission signal of Band 8 may be transmitted to the receiving circuit via the bypass path and deteriorate the receiving performance of the receiving circuit.
  • An object of the present invention is to provide a high-frequency module capable of suppressing harmonics of a transmission signal of a transmission circuit compatible with the 4G standard or 5G standard from jumping to a transmission circuit compatible with the 2G standard, and a communication apparatus including the same Is to provide.
  • the high-frequency module includes a first transmission circuit, a second transmission circuit, a bypass terminal, a third transmission circuit, and a substrate.
  • the first transmission circuit includes a first power amplifier and a first matching circuit connected to a first output terminal of the first power amplifier.
  • the first transmission circuit transmits a first transmission signal in a first frequency band corresponding to the 2G standard.
  • the second transmission circuit includes a second power amplifier and a second matching circuit connected to a second output terminal of the second power amplifier.
  • the second transmission circuit transmits a second transmission signal in a second frequency band corresponding to the 2G standard.
  • the second frequency band is higher than the first frequency band.
  • the bypass terminal is connected to the output terminal of the second transmission circuit.
  • the third transmission circuit includes a third power amplifier and a third matching circuit connected to a third output terminal of the third power amplifier.
  • the third transmission circuit transmits a third transmission signal in a third frequency band corresponding to the 4G standard or the 5G standard.
  • the substrate has a first main surface and a second main surface facing away from each other. The substrate is provided with the first transmission circuit, the second transmission circuit, and the third transmission circuit. The harmonic frequency of the third transmission signal overlaps the second frequency band.
  • the substrate has a ground layer. The ground layer is disposed between a part of the second transmission circuit and a part of the third transmission circuit.
  • the communication device includes a first high-frequency module and a second high-frequency module.
  • the first high frequency module is the high frequency module.
  • the second high-frequency module includes a fourth transmission circuit.
  • the fourth transmission circuit includes a fourth power amplifier.
  • the fourth transmission circuit transmits a fourth transmission signal in a fourth frequency band corresponding to the 4G standard or the 5G standard.
  • the fourth frequency band is higher than the third frequency band. At least a part of the second frequency band and at least a part of the fourth frequency band overlap.
  • the high-frequency module according to one aspect of the present invention and the communication device including the high-frequency module perform second transmission in which harmonics of the third transmission signal of the third transmission circuit corresponding to the 4G standard or the 5G standard correspond to the 2G standard. Jumping into the circuit can be suppressed.
  • FIG. 1 is a circuit diagram of a high-frequency module according to Embodiment 1 of the present invention.
  • FIG. 2 is a specific circuit configuration diagram of a main part A of FIG.
  • FIG. 3 is a circuit diagram of a communication apparatus including the high frequency module same as above.
  • FIG. 4 is a plan view of the above high-frequency module.
  • 5 is a cross-sectional view taken along line YY of FIG.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view of the high-frequency module according to Embodiment 2 of the present invention.
  • FIG. 7 is a plan view of the high-frequency module according to Embodiment 3 of the present invention.
  • FIG. 8 is a plan view of the high-frequency module according to Embodiment 4 of the present invention.
  • Embodiments 1 to 4 and the like are all schematic views, and the ratio of the size and thickness of each component in the drawing does not necessarily reflect the actual dimensional ratio. Not necessarily.
  • Embodiment 1 the high-frequency module according to Embodiment 1 and a communication apparatus including the same will be described with reference to the drawings.
  • the high-frequency module 1 according to the first embodiment configures a high-frequency front-end circuit 250 of a mobile communication device (for example, a mobile phone) that supports, for example, multiband and supports simultaneous use of two frequency bands (eg, carrier aggregation) To do.
  • the high-frequency module 1 is a module that can support carrier aggregation of a mid band of 2G (second generation mobile communication) standard and a low band of 4G (fourth generation mobile communication) standard, but is not limited thereto.
  • the high-frequency module 1 may be a module that can support dual connectivity of a 2G standard midband and a 5G (fifth generation mobile communication) standard lowband.
  • the 2G standard is, for example, the GSM (registered trademark) standard (GSM: Global System for Mobile Communications).
  • the 4G standard is, for example, the 3GPP LTE standard (LTE: Long Term Evolution).
  • the 5G standard is, for example, 5G NR (New Radio).
  • the GSM (registered trademark) standard low band includes GSM850 and GSM900.
  • GSM standard midbands include GSM1800 and GSM1900.
  • As a mid band of 3GPP LTE standard for example, there is Band3.
  • the downlink frequency band of Band3 is 1805 MHz-1880 MHz.
  • the uplink frequency band of Band3 is 1710 MHz-1785 MHz.
  • the communication apparatus 400 including the high-frequency module 1 can support carrier aggregation (downlink / carrier aggregation) that uses a plurality of (two in the first embodiment) frequency bands simultaneously in the downlink. Further, the communication device 400 including the high-frequency module 1 can support carrier aggregation (uplink carrier aggregation) in which a plurality of (two in the first embodiment) frequency bands are used simultaneously in the uplink.
  • carrier aggregation downlink / carrier aggregation
  • uplink carrier aggregation in which a plurality of (two in the first embodiment) frequency bands are used simultaneously in the uplink.
  • As a low band of the 3GPP LTE standard for example, there is Band8.
  • the downlink frequency band of Band 8 is 925 MHz-960 MHz.
  • the uplink frequency band of Band 8 is 880 MHz-915 MHz.
  • the communication apparatus 400 provided with the high frequency module 1 may be compatible with the above-described dual connectivity instead of carrier aggregation.
  • a low band of 5G NR for example, there is n8.
  • the downlink frequency band of n8 is 925 MHz-960 MHz.
  • the uplink frequency band of n8 is 880 MHz-915 MHz.
  • the high frequency module 1 includes a first transmission circuit 110, a second transmission circuit 120, and a third transmission circuit 130, as shown in FIG.
  • the first transmission circuit 110 includes a first power amplifier 11 and a first matching circuit 14.
  • the second transmission circuit 120 includes a second power amplifier 12 and a second matching circuit 15.
  • the third transmission circuit 130 includes a third power amplifier 13 and a third matching circuit 16.
  • the high-frequency module 1 includes a low-band antenna terminal T10, a low-band first signal input terminal T11, a mid-band signal input terminal T12, and a low-band second signal input terminal T13.
  • the high-frequency module 1 includes a bypass terminal T15 and a low-band antenna switch 19.
  • the high-frequency module 1 further includes a plurality of low-band signal output terminals T81, T82, and T83.
  • the first power amplifier 11 has a first input terminal 111 and a first output terminal 112.
  • the first power amplifier 11 amplifies the 2G standard low-band first transmission signal input to the first input terminal 111 and outputs the amplified signal from the first output terminal 112.
  • the first transmission signal is a transmission signal in the first frequency band corresponding to the 2G standard.
  • the first input terminal 111 is connected to the first signal input terminal T11 for low band.
  • the first output terminal 112 is connected to the first matching circuit 14.
  • the second power amplifier 12 has a second input terminal 121 and a second output terminal 122.
  • the second power amplifier amplifies the 2G standard mid-band second transmission signal input to the second input terminal and outputs the amplified signal from the second output terminal.
  • the second transmission signal is a transmission signal in the second frequency band corresponding to the 2G standard.
  • the lower limit frequency of the second frequency band is higher than the upper limit frequency of the first frequency band.
  • the second input terminal 121 is connected to the midband signal input terminal T12.
  • the second output terminal 122 is connected to the second matching circuit 15.
  • the third power amplifier 13 has a third input terminal 131 and a third output terminal 132.
  • the third power amplifier 13 amplifies the 4G standard or 5G standard low-band third transmission signal input to the third input terminal 131 and outputs the amplified signal from the third output terminal 132.
  • the third transmission signal is a transmission signal in the third frequency band corresponding to the 4G standard or the 5G standard.
  • the third input terminal 131 is connected to the low-band second signal input terminal T13.
  • the third output terminal 132 is connected to the third matching circuit 16.
  • the frequency band (first frequency band) of the first transmission signal includes, for example, the GSM850 frequency band and the GSM900 frequency band.
  • the frequency band (second frequency band) of the second transmission signal includes, for example, a GSM1800 frequency band and a GSM1900 frequency band.
  • the frequency band (third frequency band) of the third transmission signal includes, for example, the Band 8 frequency band of the LTE standard.
  • the low-band antenna terminal T10 is electrically connected to the antenna 200 (see FIG. 3).
  • the bypass terminal T15 is electrically connected to the second output terminal 122 of the second power amplifier 12. More specifically, the bypass terminal T15 is electrically connected to the second output terminal 122 of the second power amplifier 12 via the second matching circuit 15.
  • the low-band antenna switch 19 is provided between the first output terminal 112 of the first power amplifier 11, the third output terminal 132 of the third power amplifier 13, and the low-band antenna terminal T10.
  • the low-band antenna switch 19 has one common terminal 190 and multiple (four) selection terminals 191 to 194.
  • the common terminal 190 of the low band antenna switch 19 is connected to the low band antenna terminal T10.
  • the first matching circuit 14 is provided between the first output terminal 112 of the first power amplifier 11 and the selection terminal 191 of the low-band antenna switch 19.
  • the first matching circuit 14 is an impedance matching circuit for matching the output impedance of the circuit provided in the previous stage of the first matching circuit 14 and the input impedance of the circuit provided in the subsequent stage of the first matching circuit 14. More specifically, the first matching circuit 14 sets the impedance (output impedance of the first power amplifier 11) at the fundamental frequency of the first transmission signal on the antenna terminal T10 side viewed from the first power amplifier 11 to, for example, 50 ⁇ . adjust.
  • the second matching circuit 15 is provided between the second output terminal 122 of the second power amplifier 12 and the bypass terminal T15.
  • the second matching circuit 15 is an impedance matching circuit for matching the output impedance of the circuit provided in the previous stage of the second matching circuit 15 and the input impedance of the circuit provided in the subsequent stage of the second matching circuit 15. More specifically, the second matching circuit 15 sets the impedance (output impedance of the second power amplifier 12) at the fundamental frequency of the second transmission signal on the bypass terminal T15 side viewed from the second power amplifier 12 to, for example, 50 ⁇ . adjust.
  • the third matching circuit 16 is provided between the third output terminal 132 of the third power amplifier 13 and the selection terminals 192 to 194 of the low-band antenna switch 19.
  • the high-frequency module 1 includes a low-band band changeover switch 17 and a plurality (three) of low-band duplexers 81, 82, and 83 between the third matching circuit 16 and the low-band antenna switch 19. ing. Therefore, in detail, the third matching circuit 16 is provided between the third output terminal 132 of the third power amplifier 13 and the low-band band changeover switch 17.
  • the third matching circuit 16 is an impedance matching circuit for matching the output impedance of the circuit provided in the previous stage of the third matching circuit 16 and the input impedance of the circuit provided in the subsequent stage of the third matching circuit 16. More specifically, the third matching circuit 16 sets the impedance (output impedance of the third power amplifier 13) at the fundamental frequency of the third transmission signal on the antenna terminal T10 side viewed from the third power amplifier 13 to, for example, 50 ⁇ . adjust.
  • Each of the plurality of low-band duplexers 81 to 83 includes a reception filter and a transmission filter.
  • the reception filter is a filter that passes signals in the reception frequency band and attenuates signals other than the reception frequency band.
  • the transmission filter is a filter that passes signals in the transmission frequency band and attenuates signals other than the transmission frequency band.
  • Each of the reception filter and the transmission filter is, for example, a SAW (Surface Acoustic Wave) filter, but is not limited to a SAW filter, and may be, for example, a BAW (Bulk Acoustic Wave) filter or a dielectric filter.
  • the plurality of low-band duplexers 81 to 83 have different transmission frequency bands and different reception frequency bands.
  • Each of the plurality of low-band duplexers 81 to 83 has antenna-side terminals Ax1, Ax2, and Ax3, transmission terminals Tx1, Tx2, and Tx3, and reception terminals Rx1, Rx2, and Rx3.
  • the antenna side terminals Ax 1 to Ax 3 of the plurality of low band duplexers 81 to 83 are connected to the low band antenna switch 19.
  • the output terminals of the reception filter are used as reception terminals Rx1, Rx2, and Rx3, and are connected to the plurality of low-band signal output terminals T81, T82, and T83.
  • the input terminals of the transmission filter are used as transmission terminals Tx1, Tx2, and Tx3, and are connected to the selection terminals 171 to 173 of the low-band band changeover switch 17. Further, in the plurality of low band duplexers 81 to 83, terminals (ANT terminals) connected to the output terminal of the transmission filter and the input terminal of the reception filter are used as the antenna side terminals Ax1, Ax2, and Ax3, and the low band antenna switch is used. 19 selection terminals 192 to 194 are connected.
  • the low band antenna switch 19 is provided between the antenna terminal T10 and a plurality (three) of low band duplexers 81 to 83.
  • one selection terminal 191 among the four selection terminals 191 to 194 is connected to the first matching circuit 14, and the remaining three selection terminals 192 to 194 include a plurality of low-band duplexers 81.
  • To 83 are connected one to one.
  • the low-band antenna switch 19 is, for example, a switch IC (Integrated Circuit).
  • the low band band changeover switch 17 is provided between the third output terminal 132 of the third power amplifier 13 and the transmission terminals Tx1 to Tx3 of the plurality of low band duplexers 81 to 83.
  • the low band band changeover switch 17 connects one low band duplexer among the plurality of low band duplexers 81 to 83 to the third output terminal 132 of the third power amplifier 13.
  • the high frequency module 1 further includes a control circuit 100.
  • the control circuit 100 receives a control signal from the baseband signal processing circuit 402 (see FIG. 3), and based on the control signal, the first power amplifier 11, the second power amplifier 12, the third power amplifier 13, and the low band antenna. Each of the switch 19 and the low band band changeover switch 17 is controlled.
  • the control circuit 100 is, for example, an IC (Integrated Circuit).
  • the second matching circuit 15 described above includes a plurality (six) of inductors L1, L2, L3, L4, L5, and L6 as shown in FIG.
  • the second matching circuit 15 includes a plurality (five) of capacitors C1, C2, C3, C4, and C5.
  • one end of the inductor L1 is connected to the second output terminal 122 of the second power amplifier 12, and the other end of the inductor L1 is connected via a series circuit of two inductors L2, L3 and a capacitor C1. It is connected to the bypass terminal T15.
  • a capacitor C2 is connected between the connection point of the two inductors L1 and L2 and the ground.
  • a series circuit of the capacitor C3 and the inductor L4 is connected in parallel to the capacitor C2.
  • a series circuit of a capacitor C4 and an inductor L5 is connected between the connection point of the two inductors L2 and L3 and the ground.
  • a series circuit of the capacitor C5 and the inductor L6 is connected between the connection point of the inductor L3 and the capacitor C1 and the ground.
  • the second matching circuit 15 also serves as a filter.
  • the first matching circuit 14 includes a plurality (two) of inductors L11 and L12 and a plurality (two) of capacitors C11 and C12 (see FIG. 4).
  • the first matching circuit 14 also serves as a filter.
  • the third matching circuit 16 includes a plurality (two) of inductors L21 and L22 and a plurality (two) of capacitors C21 and C22 (see FIG. 4).
  • the high frequency module 1 further includes a bias circuit 18 (see FIG. 2).
  • the bias circuit 18 is a circuit for supplying the bias voltage Vcc from the control circuit 100 to the second power amplifier 12.
  • the bias circuit 18 includes an inductor L0 and a capacitor C0. One end of the inductor L0 is electrically connected to the control circuit 100. The other end of the inductor L0 is electrically connected to the second output terminal 122 of the second power amplifier 12.
  • the control circuit 100 controls the second power amplifier 12 by changing the voltage value of the operating voltage Vcc supplied to the second power amplifier 12 via the bias circuit 18.
  • the communication device 400 includes a diplexer 300, a high-frequency module 1 (hereinafter also referred to as a first high-frequency module 1), and a second high-frequency module 2. Prepare.
  • the communication apparatus 400 further includes an RF signal processing circuit 401 and a baseband signal processing circuit 402.
  • the diplexer 300 includes a low-band filter 301 and a mid-band filter 302 and is connected to the antenna 200.
  • the low band filter 301 is a low pass filter.
  • the midband filter is a high-pass filter.
  • the first high frequency module 1 is electrically connected to the low band filter 301 of the diplexer 300. Therefore, the first high frequency module is electrically connected to the antenna 200 via the low band filter 301.
  • the second high-frequency module 2 is electrically connected to the midband filter 302 of the diplexer 300. Therefore, the second high-frequency module is electrically connected to the antenna 200 via the midband filter 302.
  • the low-band antenna terminal T10 is connected to the low-band filter 301.
  • the first high-frequency module 1 includes a low-band first signal input terminal T11, a mid-band signal input terminal T12, a low-band second signal input terminal T13, and a plurality of low-band signal output terminals T81, T82, and T83. 401 is connected.
  • the second high-frequency module 2 includes a midband antenna terminal T20, a fourth transmission circuit 210 having a fourth power amplifier 21, a midband signal input terminal T21, and a midband antenna switch 24.
  • the second high-frequency module 2 includes a midband transmission path MT1, a plurality (three) of midband duplexers 31, 32, 33, a midband band changeover switch 22, and a plurality (three) of midbands.
  • the second high-frequency module 2 further includes a relay terminal T25 connected to the midband signal path MT1.
  • the midband antenna terminal T20 is connected to the midband filter 302 of the diplexer 300.
  • the fourth power amplifier 21 has a fourth input terminal 211 and a fourth output terminal 212.
  • the fourth power amplifier 21 amplifies the 4G standard or 5G standard midband fourth transmission signal input to the fourth input terminal 211 and outputs the amplified signal from the fourth output terminal 212.
  • the fourth transmission signal is a transmission signal in the fourth frequency band corresponding to the 4G standard or the 5G standard.
  • the fourth input terminal 211 of the fourth power amplifier 21 is connected to the midband signal input terminal T21.
  • the midband antenna switch 24 is provided between the fourth output terminal 212 of the fourth power amplifier 21 and the midband antenna terminal T20.
  • the midband antenna switch 24 is provided between the midband antenna terminal T20 and a plurality (three) of midband duplexers 31 to 33.
  • the midband antenna switch 24 has one common terminal 240 and multiple (four) selection terminals 241 to 244.
  • the common terminal 240 of the midband antenna switch 24 is connected to the midband antenna terminal T20.
  • the three selection terminals 241 to 243 out of the four selection terminals 241 to 244 are connected to the plurality of midband duplexers 31 to 33 one-to-one, and the remaining one selection terminal. 244 is connected to the relay terminal T25 through the midband signal path MT1.
  • the midband antenna switch 24 is, for example, a switch IC (Integrated Circuit).
  • the isolation of the midband antenna switch 24 is, for example, about 20 dB to 30 dB.
  • the midband signal path MT1 is connected to the midband antenna switch 24 and is connected to the bypass terminal T15 of the first high-frequency module 1. More specifically, the midband signal path MT1 is connected to the bypass terminal T15 of the first high-frequency module 1 via the relay terminal T25.
  • Each of the plurality (three) of midband duplexers 31, 32, and 33 has antenna-side terminals Ax4, Ax5, and Ax6, transmission terminals Tx4, Tx5, and Tx6, and reception terminals Rx4, Rx5, and Rx6.
  • the antenna side terminals Ax4 to Ax6 of the plurality of midband duplexers 31 to 33 are connected to the midband antenna switch 24.
  • the output terminals of the reception filter are used as reception terminals Rx4, Rx5, and Rx6, and are connected to the plurality of midband signal output terminals T31, T32, and T33.
  • the input terminals of the transmission filter are used as transmission terminals Tx4, Tx5, and Tx6, and are connected to the selection terminals 221 to 223 of the midband band changeover switch 22.
  • terminals (ANT terminals) connected to the output terminal of the transmission filter and the input terminal of the reception filter are used as antenna side terminals Ax4, Ax5, and Ax6.
  • the antenna switches 24 are connected to the selection terminals 241 to 243 of the antenna switch 24.
  • the midband band changeover switch 22 is provided between the fourth output terminal 212 of the fourth power amplifier 21 and the transmission terminals Tx4, Tx5, and Tx6 of the plurality of midband duplexers 31, 32, and 33.
  • the midband band changeover switch 22 connects one midband duplexer among the plurality of midband duplexers 31 to 33 to the fourth output terminal 212 of the fourth power amplifier 21.
  • the plurality (three) of midband signal output terminals T31, T32, and T33 are connected one-to-one to the reception terminals Rx4, Rx5, and Rx6 of the plurality (three) of midband duplexers 31, 32, and 33. .
  • the RF signal processing circuit 401 is connected to the first high-frequency module 1 and the second high-frequency module 2. More specifically, the RF signal processing circuit 401 includes a low-band first signal input terminal T11, a mid-band signal input terminal T12, a low-band second signal input terminal T13, and a plurality of low-band signal outputs. It is connected to terminals T81, T82, T83. The RF signal processing circuit 401 is connected to the midband signal input terminal T21 and the plurality of midband signal output terminals T31, T32, and T33 of the second high-frequency module 2.
  • the RF signal processing circuit 401 is, for example, RFIC (Radio Frequency Integrated Circuit), and high frequency signals output from a plurality of low band signal output terminals T81, T82, T83, and a plurality of midband signal output terminals T31, T32, T33. Signal processing for (received signal) is performed.
  • the RF signal processing circuit 401 performs signal processing such as down-conversion on a high-frequency signal (received signal) input from the antenna 200 via the first high-frequency module 1 or the second high-frequency module 2, and is generated by the signal processing.
  • the received signal is output to the baseband signal processing circuit 402.
  • the baseband signal processing circuit 402 is, for example, a BBIC (Baseband Integrated Circuit).
  • the received signal processed by the baseband signal processing circuit 402 is used, for example, for image display as an image signal or for a call as an audio signal.
  • the RF signal processing circuit 401 performs, for example, signal processing such as up-conversion on the transmission signal output from the baseband signal processing circuit 402, and the transmission signal (high frequency signal) subjected to the signal processing is first processed. Output to the high-frequency module 1 or the second high-frequency module 2.
  • the baseband signal processing circuit 402 performs predetermined signal processing on a transmission signal from the outside of the communication device 400.
  • the communication device 400 further includes a bypass path 180 and a control circuit 20.
  • the bypass path 180 electrically connects the bypass terminal T15 and the midband transmission path MT1. More specifically, the bypass path 180 electrically connects the bypass terminal T15 and the relay terminal T25 connected to the midband transmission path MT1.
  • the bypass path 180 includes, for example, a wiring conductor of a printed wiring board on which the first high-frequency module 1 and the second high-frequency module 2 are mounted.
  • the communication device 400 includes a printed wiring board as its constituent elements.
  • the control circuit 20 switches the midband antenna switch 24 so that one of the plurality of midband duplexers 31 to 33 and the midband signal path MT1 is connected to the midband filter 302 of the diplexer 300.
  • the first frequency band of the first transmission signal includes the GSM850 frequency band and the GSM900 frequency band.
  • the second frequency band of the second transmission signal includes a GSM1800 frequency band and a GSM1900 frequency band.
  • the third frequency band of the third transmission signal includes the Band 8 frequency band of the LTE standard.
  • the fourth frequency band of the fourth transmission signal includes a frequency band of LTE standard Band3.
  • One of the plurality of mid-band duplexers 31, 32, 33 is a duplexer compatible with the 4G standard or the 5G standard.
  • the signal path between the midband antenna switch 24 and the midband signal output terminal T31 constitutes a midband reception path MR1.
  • the communication apparatus 400 can support downlink carrier aggregation between Band8 and Band3 or dual connectivity between n8 and Band3.
  • the midband duplexer 32 is a duplexer compatible with the 4G standard or the 5G standard, and is, for example, a duplexer compatible with Band 12 of the LTE standard.
  • the midband duplexer 33 is a duplexer compatible with the 4G standard or the 5G standard, for example, a duplexer compatible with Band 20 of the LTE standard.
  • the high-frequency module 1 includes the first transmission circuit 110 including the first power amplifier 11 and the first matching circuit 14, the second transmission circuit 120 including the second power amplifier 12 and the second matching circuit 15, A third transmission circuit 130 having a third power amplifier 13 and a third matching circuit 16.
  • the high-frequency module 1 includes a low-band antenna terminal T10, a bypass terminal T15, a low-band band changeover switch 17, and a low-band antenna switch 19.
  • the high frequency module 1 also includes a substrate 5. On the substrate 5, at least a first power amplifier 11, a second power amplifier 12, and a third power amplifier 13 are mounted. A low band antenna switch is mounted on the substrate 5.
  • the first power amplifier and the second power amplifier 12 are integrated in one semiconductor chip 10.
  • the third power amplifier 13 is a semiconductor chip different from the semiconductor chip 10.
  • the low-band band changeover switch 17 is a switch IC.
  • the low band antenna switch 19 is a switch IC.
  • the low band band switch 17 and the low band antenna switch 19 are mounted on the substrate 5. Further, the IC constituting the control circuit 100 is mounted on the substrate 5.
  • Each of the plurality of inductors L11 and L12 of the first matching circuit 14 is, for example, a chip inductor.
  • Each of the plurality of capacitors C11 and C12 of the first matching circuit 14 is a chip capacitor.
  • the plurality of inductors L11 and L12 and the plurality of capacitors C11 and C12 of the first matching circuit 14 are mounted on the substrate 5.
  • each of L1, L2, L3, L5, and L6 is a chip inductor and is mounted on the substrate 5.
  • the inductor L4 is an inner layer inductor and is formed on the substrate 5.
  • Each of the plurality of capacitors C1 to C5 of the second matching circuit 15 is a chip capacitor and mounted on the substrate 5.
  • each of the plurality of inductors L21 and L22 of the third matching circuit 16 is, for example, a chip inductor. Further, each of the plurality of capacitors C21 and C22 of the third matching circuit 16 is a chip capacitor. The plurality of inductors L 21 and L 22 and the plurality of capacitors C 21 and C 22 of the third matching circuit 16 are mounted on the substrate 5.
  • the substrate 5 is a multilayer substrate including a plurality of dielectric layers and a plurality of conductor pattern layers, and more specifically a printed wiring board.
  • the plurality of dielectric layers and the plurality of conductor pattern layers are stacked in the thickness direction of the substrate 5.
  • the plurality of conductor pattern layers are each formed in a predetermined pattern.
  • Each of the plurality of conductor pattern layers includes one or a plurality of conductor portions in one plane orthogonal to the thickness direction of the substrate 5.
  • the material of each conductor pattern layer is, for example, copper.
  • the substrate 5 includes a dielectric substrate 51 and a ground layer 52.
  • the substrate 5 has a first main surface 511 and a second main surface 512 that face each other.
  • each of the first main surface 511 and the second main surface 512 is a surface that intersects the thickness direction D ⁇ b> 1 of the substrate 5.
  • the ground layer 52 is provided apart from the first main surface 511. More specifically, the ground layer 52 is provided in the dielectric substrate 51 away from the first major surface 511 in the thickness direction D1 of the substrate 5.
  • the ground layer 52 has substantially the same area as the dielectric substrate 51 in a plane orthogonal to the thickness direction D1.
  • a hole 520 is formed in the ground layer 52 so as not to short-circuit a through electrode 53 described later.
  • the area of the ground layer 52 in the plane orthogonal to the thickness direction D1 is smaller than the area of the dielectric substrate 51 by the opening area of the hole 520.
  • the substrate 5 can enhance the isolation between the conductor pattern layer on the first main surface 511 side and the conductor pattern layer on the second main surface 512 side by the ground layer 52. That is, the isolation between the first main surface 511 and the second main surface 512 of the substrate 5 can be enhanced.
  • the dielectric substrate 51 includes a plurality of dielectric layers.
  • the dielectric substrate 51 has electrical insulation.
  • the dielectric substrate 51 is plate-shaped. In plan view from the thickness direction D1 of the substrate 5, the dielectric substrate 51 and the substrate 5 are, for example, rectangular, but are not limited thereto, and may be, for example, square.
  • the ground layer 52 is composed of one conductor pattern layer among a plurality of conductor pattern layers.
  • the ground layer 52 is a ground electrode to which a ground potential is applied.
  • the ground layer 52 is located closer to the second main surface 512 than the first main surface 511 of the substrate 5.
  • Each of T81 to T83 is provided as an external connection terminal so as to protrude from the substrate 5 on the second main surface 512 side of the substrate 5.
  • the ground terminal 59 connected to the ground layer 52 via the via conductor 55 is provided as an external connection terminal so as to protrude from the substrate 5 on the second main surface 512 side of the substrate 5.
  • the semiconductor chip 10 that is, the first power amplifier 11 and the second power amplifier 12
  • the third power amplifier 13 and the third matching circuit 16 are disposed on the first main surface 511 side of the substrate 5.
  • the semiconductor chip 10 and the third power amplifier 13 are flip-chip mounted on the substrate 5.
  • the second matching circuit 15 connected to the second output terminal 122 of the second power amplifier 12
  • at least one inductor L1 among the plurality of inductors L1 to L6 is connected to the first main circuit in the substrate 5. It is arranged closer to the second main surface 512 than the surface 511.
  • At least one inductor L1 among the plurality of inductors L1 to L6 is disposed on the second main surface 512 side as viewed from the ground layer 52 in the thickness direction D1 of the substrate 5.
  • the plurality of inductors L1 to L6 are arranged on the second main surface 512 side of the first main surface 511 in the substrate 5.
  • the inductor L1 is disposed on the second main surface 512 of the substrate 5 on the side opposite to the first main surface 511 side. That is, the inductor L1 is surface-mounted on the substrate 5.
  • the second power amplifier 12 and the inductor L1 overlap in the thickness direction D1 of the substrate 5.
  • the substrate 5 of the high-frequency module 1 includes a through electrode 53.
  • the through electrode 53 penetrates the dielectric substrate 51 in the thickness direction D1 and connects the inductor L1 and the second output terminal 122 of the second power amplifier 12.
  • the second main surface 512 of the substrate 5 includes the surface of the conductor pattern layer including the wiring conductor 54 that connects the inductor L1 and the capacitor C3.
  • One inductor L4 of the second matching circuit 15 is disposed in the substrate 5.
  • the high-frequency module 1 further includes a cover layer 6 (see FIG. 5) that covers a plurality of electronic components and the like mounted on the substrate 5 on the first main surface 511 side of the substrate 5.
  • the plurality of electronic components include the above-described semiconductor chip 10 (semiconductor chip including the first power amplifier 11 and the second power amplifier 12), the third power amplifier 13, and the two inductors L11 of the first matching circuit 14.
  • a plurality of lowband duplexers 81 to 83 a lowband antenna switch 19, and a lowband band changeover switch 17 Control circuit 100 and the like.
  • FIG. 4 illustration of the cover layer 6 is omitted.
  • the cover layer 6 has electrical insulation.
  • the cover layer 6 seals a plurality of electronic components and the like.
  • the material of the cover layer 6 is, for example, an electrically insulating resin (for example, epoxy resin).
  • the cover layer 6 has a main surface 611 that intersects the thickness direction D1 of the substrate 5, and a side surface 613 along the thickness direction D1.
  • the high-frequency module 1 includes the first power amplifier 11, the second power amplifier 12, the third power amplifier 13, the low-band antenna terminal T10, the bypass terminal T15, and the second matching.
  • the circuit 15, the third matching circuit 16, and the substrate 5 are provided.
  • the first power amplifier 11 has a first input terminal 111 and a first output terminal 112.
  • the first power amplifier 11 amplifies the 2G standard low-band first transmission signal input to the first input terminal 111, and Output.
  • the second power amplifier 12 has a second input terminal 121 and a second output terminal 122, and amplifies the 2G standard mid-band second transmission signal input to the second input terminal 121 to amplify the second output terminal 122. Output from.
  • the third power amplifier 13 includes a third input terminal 131 and a third output terminal 132.
  • the third power amplifier 13 amplifies the 4G standard or 5G standard low-band third transmission signal input to the third input terminal 131 and outputs a third output signal. Output from the terminal 132.
  • the bypass terminal T15 is electrically connected to the second output terminal 122.
  • the second matching circuit 15 is electrically connected to the second output terminal 122 and includes one or more inductors L1 to L6.
  • the third matching circuit 16 is electrically connected to the third output terminal 132 and includes one or more inductors L21 and L22.
  • the substrate 5 is provided with a first power amplifier 11, a second power amplifier 12, a third power amplifier 13, a second matching circuit 15, and a third matching circuit 16, and has a ground layer 52.
  • the ground layer 52 is disposed.
  • the second power amplifier in which unnecessary radiation on the output side of the third power amplifier 13 which is a 4G standard or 5G standard low band power amplifier is a 2G standard mid band power amplifier. Jumping to the output side of 12 can be suppressed.
  • at least the third matching circuit 16 is used when a third transmission signal of, for example, Band 8 is transmitted using the third power amplifier 13 corresponding to the low band of 4G standard or 5G standard.
  • At least one of the second matching circuits 15 on the second output terminal 122 side of the second power amplifier 12 in which unnecessary radiation (harmonic of the third transmission signal) radiated from one inductor L1 corresponds to the 2G standard midband.
  • the high-frequency module 1 further includes a low-band antenna switch 19 and a reception filter.
  • the low band antenna switch 19 is provided between the first output terminal 112 of the first power amplifier 11, the third output terminal 132 of the third power amplifier 13, and the low band antenna terminal T10.
  • the reception filter is provided between the low-band antenna switch 19 and the third matching circuit 16, and corresponds to the 4G standard or 5G standard low band. That is, the reception filter passes a reception signal in the third frequency band corresponding to the 4G standard or the 5G standard.
  • the harmonics of Band8 are used for the midband of the second high-frequency module 2 via the bypass terminal T15.
  • the flow into the duplexer 31 can be suppressed, and the communication performance can be improved.
  • the combination of two bands when performing 2 downlink carrier aggregation may be other than the combination of Band8 and Band3.
  • the communication device 400 does not simultaneously perform 2G standard midband transmission and 4G or 5G standard midband reception.
  • the high-frequency module 1a according to the second embodiment is different from the high-frequency module 1 according to the first embodiment in that it includes a shield layer 7 that covers the cover layer 6 of the high-frequency module 1 according to the first embodiment.
  • the material of the shield layer 7 is a metal.
  • the shield layer 7 covers the main surface 611 and the side surface 613 of the cover layer 6 and a part of the side surface 513 of the substrate 5.
  • the shield layer 7 is in contact with the ground layer 52. Thereby, the potential of the shield layer 7 can be made the same as the potential of the ground layer 52.
  • the high-frequency module 1a according to the second embodiment is similar to the high-frequency module 1 according to the first embodiment, in which the unnecessary radiation on the output side of the third power amplifier 13 which is a 4G standard or 5G standard low-band power amplifier is a 2G standard. Jumping to the output side of the second power amplifier 12, which is a band power amplifier, can be suppressed.
  • the high-frequency module 1 a according to the second embodiment can reduce the influence of unnecessary radiation as compared with the high-frequency module 1 according to the first embodiment by including the shield layer 7.
  • the high-frequency module 1a may be employed.
  • the high frequency module 1b according to the third embodiment includes the semiconductor chip 10 as in the high frequency module 1 according to the first embodiment.
  • the semiconductor chip 10 includes a first power amplifier 11 (see FIGS. 1 and 5) and a second power amplifier 12 (see FIGS. 1 and 5).
  • the high-frequency module 1b according to the third embodiment is related to the first embodiment in that the second output terminal 122 of the second power amplifier 12 in the semiconductor chip 10 is connected to the electrode 150 of the substrate 5 via the bonding wire W1. It differs from the high frequency module 1.
  • the high-frequency module 1b according to the third embodiment is similar to the high-frequency module 1 according to the first embodiment, in which unnecessary radiation on the output side of the third power amplifier 13 that is a 4G standard or 5G standard low-band power amplifier has a mid of 2G standard. Jumping to the output side of the second power amplifier 12, which is a band power amplifier, can be suppressed.
  • the high frequency module 1b may be employed.
  • the high frequency module 1c according to the fourth embodiment is different from the high frequency module 1 according to the first embodiment in that the third output terminal 132 of the third power amplifier 13 is connected to the electrode 160 of the substrate 5 via the bonding wire W2. Is different.
  • the high-frequency module 1c according to the fourth embodiment is similar to the high-frequency module 1 according to the first embodiment, as shown in FIG. 1, the first power amplifier 11, the second power amplifier 12, the third power amplifier 13, and the low-band module.
  • An antenna terminal T10, a bypass terminal T15, a second matching circuit 15, a third matching circuit 16, and a substrate 5 (see FIG. 8) are provided.
  • the first power amplifier 11 has a first input terminal 111 and a first output terminal 112.
  • the first power amplifier 11 amplifies the 2G standard low-band first transmission signal input to the first input terminal 111 and outputs the first transmission signal from the first output terminal 112. Output.
  • the second power amplifier 12 has a second input terminal 121 and a second output terminal 122, and amplifies the 2G standard mid-band second transmission signal input to the second input terminal 121 to amplify the second output terminal 122. Output from.
  • the third power amplifier 13 includes a third input terminal 131 and a third output terminal 132.
  • the third power amplifier 13 amplifies the 4G standard or 5G standard low-band third transmission signal input to the third input terminal 131 and outputs a third output signal. Output from the terminal 132.
  • the bypass terminal T15 is electrically connected to the second output terminal 122.
  • the second matching circuit 15 is electrically connected to the second output terminal 122 and includes one or more inductors (L1 to L6) (see FIGS. 2 and 5). As shown in FIG.
  • the third matching circuit 16 is electrically connected to the third output terminal 132 via a bonding wire W2, and includes one or more inductors L11 and L12.
  • the substrate 5 is provided with a first power amplifier 11, a second power amplifier 12, a third power amplifier 13, a second matching circuit 15, and a third matching circuit 16, and has a ground layer 52.
  • a ground layer 52 is disposed between at least one of the one or more inductors L1 to L6 in the second matching circuit 15 and the bonding wire W2.
  • the high-frequency module 1c according to the fourth embodiment is similar to the high-frequency module 1 according to the first embodiment, in which unnecessary radiation on the output side of the third power amplifier 13 that is a 4G standard or 5G standard low-band power amplifier is a 2G standard. Jumping to the output side of the second power amplifier 12, which is a band power amplifier, can be suppressed.
  • a high frequency module 1c may be employed.
  • the above embodiments 1 to 4 are only one of various embodiments of the present invention.
  • the above-described first to fourth embodiments can be variously modified according to the design or the like as long as the object of the present invention can be achieved.
  • all of the plurality of inductors L1 to L6 in the second matching circuit 15 other than the inductor L4 are on the second main surface 512 side as viewed from the ground layer 52 in the thickness direction D1 of the substrate 5.
  • the present invention is not limited to this.
  • at least one inductor L 1 is disposed on the second main surface 512 side as viewed from the ground layer 52 in the thickness direction D 1 of the substrate 5 with respect to the plurality of inductors L 1 to L 6 of the second matching circuit 15. That's fine.
  • the inductor L 1 that is electrically closest to the second output terminal 122 of the second power amplifier 12 among the plurality of inductors L 1 to L 6 is the ground layer in the thickness direction D 1 of the substrate 5. It is preferable that the second main surface 512 is disposed on the side 52.
  • all of the plurality of inductors L1 to L6 in the second matching circuit 15 may be arranged on the opposite side of the second main surface 512 of the substrate 5 from the first main surface 511 side. That is, all of the plurality of inductors L1 to L6 may be surface mounted.
  • the physical arrangement of the ground layer 52 is not limited to the examples of the first to fourth embodiments, and may be arranged between a part of the second transmission circuit 120 and a part of the third transmission circuit 130.
  • the ground layer 52 disposed between a part of the second transmission circuit 120 and a part of the third transmission circuit 130 includes a plurality of second transmission circuits 120 in a plan view from the thickness direction D1 of the substrate 5. And all of the plurality of components (the third power amplifier 13, the third matching circuit 16 and the like) of the third transmission circuit 130. Is not required.
  • the ground layer 52 may be arranged between the second power amplifier 12 or the second matching circuit 15 and the third power amplifier 13 or the third matching circuit 16.
  • Each of the second matching circuit 15 and the third matching circuit 16 also serves as a filter (transmission filter), but is not limited thereto.
  • the second transmission circuit 120 may include a transmission filter separately from the second matching circuit 15
  • the third transmission circuit 130 may include a transmission filter separately from the third matching circuit 16.
  • the ground layer 52 is disposed at least between the transmission filter of the second transmission circuit 120 and the transmission filter of the third transmission circuit 130, harmonics of the third transmission signal of the third transmission circuit 130 are generated. Jumping to the second transmission circuit 120 can be suppressed.
  • the ground layer 52 is disposed between the plurality of low-band duplexers 81 to 83 and the transmission filter of the second transmission circuit 120. Thus, it is possible to suppress the harmonics of the third transmission signal of the third transmission circuit 130 from jumping to the second transmission circuit 120.
  • the semiconductor chip 10 including the first power amplifier 11 and the second power amplifier 12 and the second matching circuit 15 are provided on the first main surface 511 side of the substrate 5.
  • the present invention is not limited to this, and the semiconductor chip 10 and the second matching circuit 15 may be provided on the second main surface 512 side of the substrate 5.
  • the second output terminal 122 of the second power amplifier 12 may be connected to the electrode on the second main surface 512 side of the substrate 5 via a bonding wire.
  • the high-frequency modules 1, 1a, 1b, and 1c according to the first, second, third, and fourth embodiments may include a transmission filter and a reception filter separately instead of the low-band duplexers 81 to 83.
  • the low-band duplexers 81 to 83 are not necessarily mounted on the substrate 5.
  • the high-frequency modules 1, 1a, 1b, and 1c according to the first, second, third, and fourth embodiments may include a multiplexer instead of each of the low-band duplexers 81 to 83.
  • any of the high-frequency modules 1, 1a, 1b, and 1c according to the first, second, third, and fourth embodiments may include a part or all of the configuration of the second high-frequency module 2.
  • any of the high-frequency modules 1, 1 a, 1 b, and 1 c according to the first, second, and third embodiments may include a part or all of the configuration of the second high-frequency module 2 and the diplexer 300.
  • the communication device 400 may be configured to be compatible with at least two downlinks, and may be configured to be compatible with, for example, three downlinks.
  • a tripleplexer may be provided instead of the diplexer 300.
  • the high-frequency module (1; 1a; 1b; 1c) includes a first transmission circuit (110), a second transmission circuit (120), a bypass terminal (T15), and a third transmission circuit (130). ) And a substrate (5).
  • the first transmission circuit (110) includes a first power amplifier (11) and a first matching circuit (14) connected to the first output terminal (112) of the first power amplifier (11).
  • the first transmission circuit (110) transmits a first transmission signal in a first frequency band corresponding to the 2G standard.
  • the second transmission circuit (120) includes a second power amplifier (12) and a second matching circuit (15) connected to the second output terminal (122) of the second power amplifier (12).
  • the second transmission circuit (120) transmits a second transmission signal in the second frequency band corresponding to the 2G standard.
  • the second frequency band is higher than the first frequency band.
  • the bypass terminal (T15) is connected to the output terminal of the second transmission circuit (120).
  • the third transmission circuit (130) includes a third power amplifier (13) and a third matching circuit (16) connected to the third output terminal (132) of the third power amplifier (13).
  • the third transmission circuit (130) transmits a third transmission signal in the third frequency band corresponding to the 4G standard or the 5G standard.
  • the substrate (5) has a first main surface (511) and a second main surface (512) facing away from each other.
  • the substrate (5) is provided with a first transmission circuit (110), a second transmission circuit (120), and a third transmission circuit (130).
  • the frequency of the harmonics of the third transmission signal overlaps with the second frequency band.
  • the substrate (5) has a ground layer (52).
  • the ground layer (52) is disposed between a part of the
  • the harmonics of the third transmission signal of the third transmission circuit (130) corresponding to the 4G standard or the 5G standard correspond to the 2G standard. It is possible to suppress jumping to the second transmission circuit (120).
  • the second matching circuit (15) in the second transmission circuit (120) is the first main circuit of the substrate (5).
  • the third matching circuit (16) in the third transmission circuit (130) is mounted on the second main surface (512) of the substrate (5).
  • a ground layer (52) is disposed between the second matching circuit (15) and the third matching circuit (16).
  • the high-frequency module (1; 1a; 1b; 1c) according to the third aspect is the first or second aspect
  • the second matching circuit (15) includes one or more inductors (L1 to L6).
  • the third matching circuit (16) includes one or more inductors (L21, L22). At least one inductor (L1) of one or more inductors (L1 to L6) in the second matching circuit (15) and at least one of one or more inductors (L21, 212) in the third matching circuit (16).
  • a ground layer (52) is disposed between one inductor (L21, L22).
  • harmonics of the third transmission signal from the third matching circuit (16) of the third transmission circuit (130) corresponding to the 4G standard or the 5G standard. Can be prevented from jumping to the second matching circuit (15) of the second transmission circuit (120) corresponding to the 2G standard.
  • the high-frequency module (1; 1a; 1b) is the low-band antenna terminal (T10), the low-band antenna switch (19), and the reception filter according to any one of the first to third aspects. And further comprising.
  • the low-band antenna switch (19) includes a first output terminal (112) of the first power amplifier (11), a third output terminal (132) of the third power amplifier (13), and a low-band antenna terminal (T10). It is provided in between.
  • the reception filter is provided between the low-band antenna switch (19) and the third matching circuit (16), and allows a reception signal in the third frequency band corresponding to the 4G standard or the 5G standard to pass therethrough.
  • a plurality of lowband duplexers (81, 82, 83), a lowband band changeover switch (17), and a plurality of lowbands Signal output terminals (T81, T82, T83).
  • Each of the plurality of low-band duplexers (81, 82, 83) has an antenna side terminal (Ax1, Ax2, Ax3), a transmission terminal (Tx1, Tx2, Tx3), and a reception terminal (Rx1, Rx2, Rx3).
  • the antenna side terminals (Ax1, Ax2, Ax3) are connected to the low band antenna switch (19).
  • the low band band changeover switch (17) is provided between the third output terminal (132) and the transmission terminals (Tx1, Tx2, Tx3) of the plurality of low band duplexers (81, 82, 83).
  • the low-band band changeover switch (17) connects one low-band duplexer (81, 82, or 83) to the third output terminal (132) among the plurality of low-band duplexers (81, 82, 83).
  • the plurality of low-band signal output terminals (T81, T82, T83) are connected one-to-one to the reception terminals (Rx1, Rx2, Rx3) of the plurality of low-band duplexers (81, 82, 83).
  • the first frequency band includes a GSM850 frequency band and a GSM900 frequency band.
  • the second frequency band includes a GSM1800 frequency band and a GSM1900 frequency band.
  • the third frequency band includes the Band 8 frequency band of the LTE standard or the n8 frequency band of 5G NR.
  • the first power amplifier (11) and the third power amplifier (13) are formed of a substrate (5 ) Is arranged closer to the first main surface (511) than the second main surface (512). At least one inductor (L1) in the second matching circuit (15) is disposed on the opposite side of the second main surface (512) of the substrate (5) from the first main surface (511) side.
  • the one or more inductors (L1 to L6) in the second matching circuit (15) are provided on the second main circuit board (5). It arrange
  • the high-frequency module (1; 1a; 1b) according to the eighth aspect it is possible to further suppress the unwanted radiation from jumping compared to the high-frequency module (1; 1a; 1b) according to the seventh aspect.
  • At least one inductor (L4) in the second matching circuit (15) is arranged in the substrate (5). .
  • the substrate (5) can be downsized, and the electronic components on the second main surface (512) side of the substrate (5) can be freely laid out. The degree becomes higher.
  • the second matching circuit (15) is electrically connected to the second output terminal (122) and includes one or more inductors (L1 to L6).
  • the third matching circuit (16) is electrically connected to the third output terminal (132) via the bonding wire (W2), and includes one or more inductors (L21, L22).
  • a ground layer (52) is disposed between at least one inductor (L1) among the one or more inductors (L1 to L6) in the second matching circuit (15) and the bonding wire (W2).
  • the high-frequency module (1; 1a; 1b; 1c) according to the eleventh aspect further includes a fourth transmission circuit (210) in any one of the first to tenth aspects.
  • the fourth transmission circuit (210) has a fourth power amplifier (21).
  • the fourth transmission circuit (210) transmits the fourth transmission signal in the fourth frequency band corresponding to the 4G standard or the 5G standard.
  • the fourth transmission frequency band is higher than the third frequency band. At least a part of the second frequency band and at least a part of the fourth frequency band overlap.
  • the high-frequency module (1; 1a; 1b; 1c) is the same as the eleventh aspect in that the midband antenna terminal (T20), the midband antenna switch (24), and the midband reception path (MR1) and a midband transmission path (MT1).
  • the midband antenna terminal (T20) is electrically connected to the antenna (200).
  • the midband antenna switch (24) is connected to the midband antenna terminal (T20).
  • the midband reception path (MR1) is connected to the midband antenna switch (24) and corresponds to the fourth frequency band.
  • the high-frequency module (1; 1a; 1b; 1c) can support carrier aggregation or dual connectivity.
  • the high-frequency module (1; 1a; 1b; 1c) is the fourth transmission circuit (210), the midband antenna terminal (T20), the midband antenna switch ( 24), a midband reception path (MR1), a midband transmission path (MT1), and a diplexer (300).
  • the fourth transmission circuit (210) has a fourth power amplifier (21).
  • the fourth transmission circuit (210) transmits the fourth transmission signal in the fourth frequency band corresponding to the 4G standard or the 5G standard.
  • the fourth transmission frequency band is higher than the third frequency band.
  • the midband antenna terminal (T20) is electrically connected to the antenna (200).
  • the midband antenna switch (24) is connected to the midband antenna terminal (T20).
  • the midband reception path (MR1) is connected to the midband antenna switch (24) and corresponds to the fourth frequency band.
  • the diplexer (300) includes a low-band filter (301) and a mid-band filter (302). At least a part of the second frequency band and at least a part of the fourth frequency band overlap.
  • the low band antenna terminal (T10) is connected to the low band filter (301).
  • the midband antenna terminal (T20) is connected to the midband filter (302).
  • the fourth output terminal (212) of the fourth power amplifier (21) is connected to the midband antenna switch (24). It is connected.
  • the communication device (400) includes a first high-frequency module and a second high-frequency module (2).
  • the first high-frequency module is the high-frequency module (1; 1a; 1b; 1c) according to any one of the first to tenth aspects.
  • the second high-frequency module (2) includes a fourth transmission circuit (210) that transmits a fourth transmission signal in the fourth frequency band.
  • the fourth frequency band is higher than the third frequency band and corresponds to the 4G standard or the 5G standard. At least a part of the second frequency band and at least a part of the fourth frequency band overlap.
  • the second transmission circuit in which the harmonics of the third transmission signal of the third transmission circuit (130) corresponding to the 4G standard or the 5G standard correspond to the 2G standard. It is possible to suppress jumping to (120).

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Abstract

４Ｇ規格又は５Ｇ規格に対応している送信回路の送信信号の高調波が２Ｇ規格に対応している送信回路に飛び移るのを抑制可能とする。第１送信回路は、２Ｇ規格に対応している第１周波数帯域の第１送信信号を送信する。第２送信回路は、２Ｇ規格に対応している第２周波数帯域の第２送信信号を送信する。第２周波数帯域は、第１周波数帯域よりも高い。バイパス端子（Ｔ１５）は、第２送信回路の出力端に接続されている。第３送信回路１３０は、４Ｇ規格又は５Ｇ規格に対応している第３周波数帯域の第３送信信号を送信する。第３送信信号の高調波の周波数が第２周波数帯域に重複する。基板（５）は、グランド層（５２）を有する。グランド層（５２）は、第２送信回路の一部と第３送信回路の一部との間に配置されている。

Description

高周波モジュール及びそれを備える通信装置
　本発明は、一般に高周波モジュール及びそれを備える通信装置に関し、より詳細には、２Ｇ（第２世代移動通信）規格と、４Ｇ（第４世代移動通信）規格又は５Ｇ（第５世代移動通信）規格と、に対応可能な高周波モジュール及びそれを備える通信装置に関する。
　従来、キャリアアグリゲーション（Carrier Aggregation）を用いる電子システムが知られている（例えば、特許文献１参照）。
　特許文献１の図２Ｂには、１つのアンテナと、１つのダイプレクサと、２つのアンテナスイッチと、８つのデュプレクサと、２つの帯域選択スイッチと、２つの方向性結合器と、２つの電力増幅器（第１パワーアンプ及び第２パワーアンプ）と、を含む電子システムが記載されている。
　上記の電子システムでは、ダイプレクサがアンテナと接続されている。また、上記の電子システムでは、２つの電力増幅器の各々が２つの方向性結合器のうち対応する方向性結合器を介して、２つの帯域選択スイッチのうち対応する帯域選択スイッチと接続されている。
特開２０１７－１７６９１号公報
　２Ｇ規格のローバンド（第１周波数帯域）に対応したパワーアンプ（第１パワーアンプ）を有する送信回路（第１送信回路）、４Ｇ規格又は５Ｇ規格のローバンド（第３周波数帯域）に対応したパワーアンプ（第３パワーアンプ）を有する送信回路（第３送信回路）を含むローバンド系の高周波モジュールと、４Ｇ規格又は５Ｇ規格のミッドバンドに対応するミッドバンド系の高周波モジュールと、を備える通信装置が要求される場合があった。
　また、上記通信装置において、２Ｇ規格のミッドバンド（第２周波数帯域）に対応したパワーアンプ（第２パワーアンプ）を有する送信回路（第２送信回路）を、ミッドバンド系の高周波モジュールよりもサイズの小さなローバンド系の高周波モジュールに設けることが要求されることがあった。
　この場合、通信装置では、２Ｇ規格のミッドバンド用のパワーアンプの出力側の信号経路をミッドバンド系の高周波モジュールのアンテナスイッチにバイパスする必要がある。
　しかしながら、例えば、ローバンド系の高周波モジュールの第１送信回路の第１周波数帯域をＢａｎｄ８とし、ミッドバンド系の高周波モジュールにＢａｎｄ３に対応する受信回路を設けて、キャリアアグリゲーションを行う場合、Ｂａｎｄ８の送信周波数帯域の送信信号の高調波の一つである２倍波の周波数が２Ｇ規格のミッドバンドの周波数帯域と重複するので、この高調波（の不要輻射）が第２送信回路に飛び移ってしまう。Ｂａｎｄ８の送信信号の高調波がバイパス経路を経由して受信回路に伝わって受信回路の受信性能を劣化させることがあった。
　本発明の目的は、４Ｇ規格又は５Ｇ規格に対応している送信回路の送信信号の高調波が２Ｇ規格に対応している送信回路に飛び移るのを抑制可能な高周波モジュール及びそれを備える通信装置を提供することにある。
　本発明の一態様に係る高周波モジュールは、第１送信回路と、第２送信回路と、バイパス端子と、第３送信回路と、基板と、を備える。前記第１送信回路は、第１パワーアンプ及び前記第１パワーアンプの第１出力端子に接続されている第１整合回路を有する。前記第１送信回路は、２Ｇ規格に対応している第１周波数帯域の第１送信信号を送信する。前記第２送信回路は、第２パワーアンプ及び前記第２パワーアンプの第２出力端子に接続されている第２整合回路を有する。前記第２送信回路は、２Ｇ規格に対応している第２周波数帯域の第２送信信号を送信する。前記第２周波数帯域は、前記第１周波数帯域よりも高い。前記バイパス端子は、前記第２送信回路の出力端に接続されている。前記第３送信回路は、第３パワーアンプ及び前記第３パワーアンプの第３出力端子に接続されている第３整合回路を有する。第３送信回路は、４Ｇ規格又は５Ｇ規格に対応している第３周波数帯域の第３送信信号を送信する。前記基板は、互いに背向する第１主面及び第２主面を有する。前記基板には、前記第１送信回路と前記第２送信回路と前記第３送信回路とが設けられている。前記第３送信信号の高調波の周波数が前記第２周波数帯域に重複する。前記基板は、グランド層を有する。前記グランド層は、前記第２送信回路の一部と前記第３送信回路の一部との間に配置されている。
　本発明の一態様に係る通信装置は、第１高周波モジュールと、第２高周波モジュールと、を備える。前記第１高周波モジュールは、前記高周波モジュールである。前記第２高周波モジュールは、第４送信回路を備える。前記第４送信回路は、第４パワーアンプを有する。前記第４送信回路は、４Ｇ規格又は５Ｇ規格に対応している第４周波数帯域の第４送信信号を送信する。前記第４周波数帯域は、前記第３周波数帯域よりも高い。前記第２周波数帯域の少なくとも一部と前記第４周波数帯域の少なくとも一部とが重複する。
　本発明の一態様に係る高周波モジュール及びそれを備える通信装置は、４Ｇ規格又は５Ｇ規格に対応している第３送信回路の第３送信信号の高調波が２Ｇ規格に対応している第２送信回路に飛び移るのを抑制可能となる。
図１は、本発明の実施形態１に係る高周波モジュールの回路図である。 図２は、同上の高周波モジュールに関し、図１の要部Ａの具体回路構成図である。 図３は、同上の高周波モジュールを備える通信装置の回路図である。 図４は、同上の高周波モジュールの平面図である。 図５は、同上の高周波モジュールに関し、図４のＹ－Ｙ断面図である。 図６は、本発明の実施形態２に係る高周波モジュールの断面図である。 図７は、本発明の実施形態３に係る高周波モジュールの平面図である。 図８は、本発明の実施形態４に係る高周波モジュールの平面図である。
　以下の実施形態１～４等において参照する図４～８は、いずれも模式的な図であり、図中の各構成要素の大きさや厚さそれぞれの比が、必ずしも実際の寸法比を反映しているとは限らない。
　（実施形態１）
　以下、実施形態１に係る高周波モジュール及びそれを備える通信装置について、図面を参照して説明する。
　（１）高周波モジュール及びそれを備える通信装置の回路構成
　実施形態１に係る高周波モジュール１及びそれを備える通信装置４００の回路構成について、図１～３を参照して説明する。実施形態１に係る高周波モジュール１は、例えば、マルチバンド対応及び２つの周波数帯域の同時使用（例えば、キャリアアグリゲーション）対応の移動体通信機（例えば、携帯電話等）の高周波フロントエンド回路２５０を構成する。高周波モジュール１は、２Ｇ（第２世代移動通信）規格のミッドバンドと４Ｇ（第４世代移動通信）規格のローバンドとのキャリアアグリゲーションに対応可能なモジュールであるが、これに限らない。例えば、高周波モジュール１は、２Ｇ規格のミッドバンドと５Ｇ（第５世代移動通信）規格のローバンドとのデュアルコネクティビィティに対応可能なモジュールであってもよい。２Ｇ規格は、例えば、ＧＳＭ（登録商標）規格（ＧＳＭ：Global System for Mobile Communications）である。４Ｇ規格は、例えば、３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格（ＬＴＥ：Long Term Evolution）である。５Ｇ規格は、例えば、５Ｇ　ＮＲ（New Radio）である。ＧＳＭ（登録商標）規格のローバンドとしては、ＧＳＭ８５０、ＧＳＭ９００がある。ＧＳＭ規格のミッドバンドとしては、ＧＳＭ１８００、ＧＳＭ１９００がある。３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格のミッドバンドとしては、例えば、Ｂａｎｄ３がある。Ｂａｎｄ３のダウンリンク周波数帯域は、１８０５ＭＨｚ－１８８０ＭＨｚである。Ｂａｎｄ３のアップリンク周波数帯域は、１７１０ＭＨｚ－１７８５ＭＨｚである。
　高周波モジュール１を備える通信装置４００は、ダウンリンク（Downlink）で複数（実施形態１では２つ）の周波数帯域を同時に用いるキャリアアグリゲーション（ダウンリンク・キャリアアグリゲーション）に対応可能である。また、高周波モジュール１を備える通信装置４００は、アップリンク（Uplink）で複数（実施形態１では２つ）の周波数帯域を同時に用いるキャリアアグリゲーション（アップリンク・キャリアアグリゲーション）に対応可能である。３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格のローバンドとしては、例えば、Ｂａｎｄ８がある。Ｂａｎｄ８のダウンリンク周波数帯域は、９２５ＭＨｚ－９６０ＭＨｚである。Ｂａｎｄ８のアップリンク周波数帯域は、８８０ＭＨｚ－９１５ＭＨｚである。また、高周波モジュール１を備える通信装置４００は、キャリアアグリゲーションではなく、上述のデュアルコネクティビティに対応可能であってもよい。この場合、５Ｇ　ＮＲのローバンドとしては、例えば、ｎ８がある。ｎ８のダウンリンク周波数帯域は、９２５ＭＨｚ－９６０ＭＨｚである。ｎ８のアップリンク周波数帯域は、８８０ＭＨｚ－９１５ＭＨｚである。
　（１．１）高周波モジュールの回路構成
　高周波モジュール１は、図１に示すように、第１送信回路１１０と、第２送信回路１２０と、第３送信回路１３０と、を備える。第１送信回路１１０は、第１パワーアンプ１１及び第１整合回路１４を有する。第２送信回路１２０は、第２パワーアンプ１２及び第２整合回路１５を有する。第３送信回路１３０は、第３パワーアンプ１３及び第３整合回路１６を有する。また、高周波モジュール１は、ローバンド用アンテナ端子Ｔ１０と、ローバンド用第１信号入力端子Ｔ１１と、ミッドバンド用信号入力端子Ｔ１２と、ローバンド用第２信号入力端子Ｔ１３と、を備える。また、高周波モジュール１は、バイパス端子Ｔ１５と、ローバンド用アンテナスイッチ１９と、を備える。また、高周波モジュール１は、複数のローバンド用信号出力端子Ｔ８１、Ｔ８２、Ｔ８３を更に備えている。
　第１パワーアンプ１１は、第１入力端子１１１及び第１出力端子１１２を有する。第１パワーアンプ１１は、第１入力端子１１１に入力された２Ｇ規格のローバンドの第１送信信号を増幅して第１出力端子１１２から出力する。第１送信信号は、２Ｇ規格に対応している第１周波数帯域の送信信号である。第１入力端子１１１は、ローバンド用第１信号入力端子Ｔ１１と接続されている。第１出力端子１１２は、第１整合回路１４と接続されている。
　第２パワーアンプ１２は、第２入力端子１２１及び第２出力端子１２２を有する。第２パワーアンプは、前記第２入力端子に入力された２Ｇ規格のミッドバンドの第２送信信号を増幅して前記第２出力端子から出力する。第２送信信号は、２Ｇ規格に対応している第２周波数帯域の送信信号である。第２周波数帯域の下限周波数は、第１周波数帯域の上限周波数よりも高い。第２入力端子１２１は、ミッドバンド用信号入力端子Ｔ１２と接続されている。第２出力端子１２２は、第２整合回路１５と接続されている。
　第３パワーアンプ１３は、第３入力端子１３１及び第３出力端子１３２を有する。第３パワーアンプ１３は、第３入力端子１３１に入力された４Ｇ規格又は５Ｇ規格のローバンドの第３送信信号を増幅して第３出力端子１３２から出力する。第３送信信号は、４Ｇ規格又は５Ｇ規格に対応している第３周波数帯域の送信信号である。第３入力端子１３１は、ローバンド用第２信号入力端子Ｔ１３と接続されている。第３出力端子１３２は、第３整合回路１６と接続されている。
　第１送信信号の周波数帯域（第１周波数帯域）は、例えば、ＧＳＭ８５０の周波数帯域及びＧＳＭ９００の周波数帯域を含んでいる。第２送信信号の周波数帯域（第２周波数帯域）は、例えば、ＧＳＭ１８００の周波数帯域及びＧＳＭ１９００の周波数帯域を含んでいる。第３送信信号の周波数帯域（第３周波数帯域）は、例えば、ＬＴＥ規格のＢａｎｄ８の周波数帯域を含んでいる。
　ローバンド用アンテナ端子Ｔ１０は、アンテナ２００（図３参照）に電気的に接続される。
　バイパス端子Ｔ１５は、第２パワーアンプ１２の第２出力端子１２２と電気的に接続されている。より詳細には、バイパス端子Ｔ１５は、第２整合回路１５を介して第２パワーアンプ１２の第２出力端子１２２と電気的に接続されている。
　ローバンド用アンテナスイッチ１９は、第１パワーアンプ１１の第１出力端子１１２及び第３パワーアンプ１３の第３出力端子１３２とローバンド用アンテナ端子Ｔ１０との間に設けられている。ローバンド用アンテナスイッチ１９は、１つの共通端子１９０と、複複（４つ）の選択端子１９１～１９４と、を有する。ローバンド用アンテナスイッチ１９の共通端子１９０は、ローバンド用アンテナ端子Ｔ１０と接続されている。
　第１整合回路１４は、第１パワーアンプ１１の第１出力端子１１２とローバンド用アンテナスイッチ１９の選択端子１９１との間に設けられている。第１整合回路１４は、第１整合回路１４の前段に設けられる回路の出力インピーダンスと第１整合回路１４の後段に設けられる回路の入力インピーダンスとを整合させるためのインピーダンスマッチング回路である。より詳細には、第１整合回路１４は、第１パワーアンプ１１から見たアンテナ端子Ｔ１０側の、第１送信信号の基本周波数でのインピーダンス（第１パワーアンプ１１の出力インピーダンス）を例えば５０Ωに調整する。
　第２整合回路１５は、第２パワーアンプ１２の第２出力端子１２２とバイパス端子Ｔ１５との間に設けられている。第２整合回路１５は、第２整合回路１５の前段に設けられる回路の出力インピーダンスと第２整合回路１５の後段に設けられる回路の入力インピーダンスとを整合させるためのインピーダンスマッチング回路である。より詳細には、第２整合回路１５は、第２パワーアンプ１２から見たバイパス端子Ｔ１５側の、第２送信信号の基本周波数でのインピーダンス（第２パワーアンプ１２の出力インピーダンス）を例えば５０Ωに調整する。
　第３整合回路１６は、第３パワーアンプ１３の第３出力端子１３２とローバンド用アンテナスイッチ１９の選択端子１９２～１９４との間に設けられている。ここにおいて、高周波モジュール１は、第３整合回路１６とローバンド用アンテナスイッチ１９との間に、ローバンド用バンド切替スイッチ１７と、複数（３つ）のローバンド用デュプレクサ８１、８２、８３と、を備えている。このため、第３整合回路１６は、詳細には、第３パワーアンプ１３の第３出力端子１３２とローバンド用バンド切替スイッチ１７との間に設けられている。第３整合回路１６は、第３整合回路１６の前段に設けられる回路の出力インピーダンスと第３整合回路１６の後段に設けられる回路の入力インピーダンスとを整合させるためのインピーダンスマッチング回路である。より詳細には、第３整合回路１６は、第３パワーアンプ１３から見たアンテナ端子Ｔ１０側の、第３送信信号の基本周波数でのインピーダンス（第３パワーアンプ１３の出力インピーダンス）を例えば５０Ωに調整する。
　複数のローバンド用デュプレクサ８１～８３の各々は、受信フィルタと、送信フィルタと、を備える。受信フィルタは、受信周波数帯域の信号を通過させ、受信周波数帯域以外の信号を減衰させるフィルタである。送信フィルタは、送信周波数帯域の信号を通過させ、送信周波数帯域以外の信号を減衰させるフィルタである。受信フィルタ及び送信フィルタの各々は、例えば、ＳＡＷ（Surface Acoustic Wave）フィルタであるが、ＳＡＷフィルタに限らず、例えば、ＢＡＷ（Bulk Acoustic Wave）フィルタ、誘電体フィルタであってもよい。
　複数のローバンド用デュプレクサ８１～８３は、互いに異なる送信周波数帯域を有し、互いに異なる受信周波数帯域を有している。
　複数のローバンド用デュプレクサ８１～８３のそれぞれは、アンテナ側端子Ａｘ１、Ａｘ２、Ａｘ３と送信端子Ｔｘ１、Ｔｘ２、Ｔｘ３と受信端子Ｒｘ１、Ｒｘ２、Ｒｘ３とを有している。複数のローバンド用デュプレクサ８１～８３のアンテナ側端子Ａｘ１～Ａｘ３は、ローバンド用アンテナスイッチ１９と接続されている。複数のローバンド用デュプレクサ８１～８３では、受信フィルタの出力端子が受信端子Ｒｘ１、Ｒｘ２、Ｒｘ３として用いられ、複数のローバンド用信号出力端子Ｔ８１、Ｔ８２、Ｔ８３と接続されている。また、複数のローバンド用デュプレクサ８１～８３では、送信フィルタの入力端子が送信端子Ｔｘ１、Ｔｘ２、Ｔｘ３として用いられ、ローバンド用バンド切替スイッチ１７の選択端子１７１～１７３と接続されている。また、複数のローバンド用デュプレクサ８１～８３では、送信フィルタの出力端子と受信フィルタの入力端子とに接続された端子（ＡＮＴ端子）がアンテナ側端子Ａｘ１、Ａｘ２、Ａｘ３として用いられ、ローバンド用アンテナスイッチ１９の選択端子１９２～１９４と接続されている。
　ローバンド用アンテナスイッチ１９は、アンテナ端子Ｔ１０と複数（３つ）のローバンド用デュプレクサ８１～８３との間に設けられている。ローバンド用アンテナスイッチ１９では、４つの選択端子１９１～１９４のうち１つの選択端子１９１が第１整合回路１４に接続されており、残りの３つの選択端子１９２～１９４が、複数のローバンド用デュプレクサ８１～８３に一対一に接続されている。ローバンド用アンテナスイッチ１９は、例えば、スイッチＩＣ（Integrated Circuit）である。
　ローバンド用バンド切替スイッチ１７は、第３パワーアンプ１３の第３出力端子１３２と複数のローバンド用デュプレクサ８１～８３の送信端子Ｔｘ１～Ｔｘ３との間に設けられている。ローバンド用バンド切替スイッチ１７は、複数のローバンド用デュプレクサ８１～８３のうち１つのローバンド用デュプレクサを第３パワーアンプ１３の第３出力端子１３２に接続する。
　高周波モジュール１は、制御回路１００を更に備えている。制御回路１００は、例えば、ベースバンド信号処理回路４０２（図３参照）から制御信号を受け取り、制御信号に基づいて第１パワーアンプ１１、第２パワーアンプ１２、第３パワーアンプ１３、ローバンド用アンテナスイッチ１９及びローバンド用バンド切替スイッチ１７のそれぞれを制御する。制御回路１００は、例えば、ＩＣ（Integrated Circuit）である。
　上述の第２整合回路１５は、図２に示すように、複数（６つ）のインダクタＬ１、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４、Ｌ５、Ｌ６を含む。また、第２整合回路１５は、複数（５つ）のキャパシタＣ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ５を含む。第２整合回路１５では、インダクタＬ１の一端が第２パワーアンプ１２の第２出力端子１２２と接続され、インダクタＬ１の他端が、２つのインダクタＬ２、Ｌ３とキャパシタＣ１との直列回路を介してバイパス端子Ｔ１５と接続されている。第２整合回路１５では、２つのインダクタＬ１、Ｌ２の接続点とグランドとの間に、キャパシタＣ２が接続されている。また、第２整合回路１５では、キャパシタＣ３とインダクタＬ４との直列回路がキャパシタＣ２に並列接続されている。また、第２整合回路１５では、２つのインダクタＬ２、Ｌ３の接続点とグランドとの間に、キャパシタＣ４とインダクタＬ５との直列回路が接続されている。また、第２整合回路１５では、インダクタＬ３とキャパシタＣ１との接続点と、グランドと、の間に、キャパシタＣ５とインダクタＬ６との直列回路が接続されている。第２整合回路１５は、フィルタを兼ねている。なお、第１整合回路１４は、複数（２つ）のインダクタＬ１１、Ｌ１２と、複数（２つ）のキャパシタＣ１１、Ｃ１２と、を含む（図４参照）。第１整合回路１４は、フィルタを兼ねている。第３整合回路１６は、複数（２つ）のインダクタＬ２１、Ｌ２２と、複数（２つ）のキャパシタＣ２１、Ｃ２２と、を含む（図４参照）。
　高周波モジュール１は、バイアス回路１８（図２参照）を更に備えている。バイアス回路１８は、制御回路１００から第２パワーアンプ１２にバイアス電圧Ｖｃｃを供給するための回路である。バイアス回路１８は、インダクタＬ０及びキャパシタＣ０を含んでいる。インダクタＬ０の一端は、制御回路１００に電気的に接続されている。インダクタＬ０の他端は、第２パワーアンプ１２の第２出力端子１２２と電気的に接続されている。制御回路１００は、例えば、バイアス回路１８を介して第２パワーアンプ１２へ供給する動作電圧Ｖｃｃの電圧値を変えることにより第２パワーアンプ１２を制御する。
　（１．２）通信装置の回路構成
　通信装置４００は、図３に示すように、ダイプレクサ３００と、高周波モジュール１（以下、第１高周波モジュール１ともいう）と、第２高周波モジュール２と、を備える。また、通信装置４００は、ＲＦ信号処理回路４０１と、ベースバンド信号処理回路４０２と、を更に備える。
　ダイプレクサ３００は、ローバンド用フィルタ３０１とミッドバンド用フィルタ３０２とを有し、アンテナ２００に接続される。ローバンド用フィルタ３０１は、ローパスフィルタである。ミッドバンド用フィルタは、ハイパスフィルタである。
　第１高周波モジュール１は、ダイプレクサ３００のローバンド用フィルタ３０１と電気的に接続されている。よって、第１高周波モジュールは、ローバンド用フィルタ３０１を介してアンテナ２００と電気的に接続される。
　第２高周波モジュール２は、ダイプレクサ３００のミッドバンド用フィルタ３０２と電気的に接続されている。よって、第２高周波モジュールは、ミッドバンド用フィルタ３０２を介してアンテナ２００と電気的に接続される。
　第１高周波モジュール１では、ローバンド用アンテナ端子Ｔ１０がローバンド用フィルタ３０１と接続されている。
　第１高周波モジュール１のローバンド用第１信号入力端子Ｔ１１、ミッドバンド用信号入力端子Ｔ１２、ローバンド用第２信号入力端子Ｔ１３及び複数のローバンド用信号出力端子Ｔ８１、Ｔ８２、Ｔ８３は、ＲＦ信号処理回路４０１と接続されている。
　第２高周波モジュール２は、ミッドバンド用アンテナ端子Ｔ２０と、第４パワーアンプ２１を有する第４送信回路２１０と、ミッドバンド用信号入力端子Ｔ２１と、ミッドバンド用アンテナスイッチ２４と、を備える。また、第２高周波モジュール２は、ミッドバンド用送信経路ＭＴ１と、複数（３つ）のミッドバンド用デュプレクサ３１、３２、３３と、ミッドバンド用バンド切替スイッチ２２と、複数（３つ）のミッドバンド用信号出力端子Ｔ３１、Ｔ３２、Ｔ３３と、を備える。また、第２高周波モジュール２は、ミッドバンド用信号経路ＭＴ１に接続された中継端子Ｔ２５を更に備える。
　ミッドバンド用アンテナ端子Ｔ２０は、ダイプレクサ３００のミッドバンド用フィルタ３０２と接続されている。
　第４パワーアンプ２１は、第４入力端子２１１及び第４出力端子２１２を有する。第４パワーアンプ２１は、第４入力端子２１１に入力された４Ｇ規格又は５Ｇ規格のミッドバンドの第４送信信号を増幅して第４出力端子２１２から出力する。第４送信信号は、４Ｇ規格又は５Ｇ規格に対応している第４周波数帯域の送信信号である。第４パワーアンプ２１の第４入力端子２１１は、ミッドバンド用信号入力端子Ｔ２１と接続されている。
　ミッドバンド用アンテナスイッチ２４は、第４パワーアンプ２１の第４出力端子２１２とミッドバンド用アンテナ端子Ｔ２０との間に設けられている。ミッドバンド用アンテナスイッチ２４は、ミッドバンド用アンテナ端子Ｔ２０と複数（３つ）のミッドバンド用デュプレクサ３１～３３との間に設けられている。ミッドバンド用アンテナスイッチ２４は、１つの共通端子２４０と、複複（４つ）の選択端子２４１～２４４と、を有する。ミッドバンド用アンテナスイッチ２４の共通端子２４０は、ミッドバンド用アンテナ端子Ｔ２０と接続されている。ミッドバンド用アンテナスイッチ２４では、４つの選択端子２４１～２４４のうち３つの選択端子２４１～２４３が、複数のミッドバンド用デュプレクサ３１～３３に一対一に接続されており、残りの１つの選択端子２４４がミッドバンド用信号経路ＭＴ１を介して中継端子Ｔ２５に接続されている。ミッドバンド用アンテナスイッチ２４は、例えば、スイッチＩＣ（Integrated Circuit）である。なお、ミッドバンド用アンテナスイッチ２４のアイソレーションは、例えば、２０ｄＢ～３０ｄＢ程度である。
　ミッドバンド用信号経路ＭＴ１は、ミッドバンド用アンテナスイッチ２４に接続されており、第１高周波モジュール１のバイパス端子Ｔ１５と接続される。より詳細には、ミッドバンド用信号経路ＭＴ１は、中継端子Ｔ２５を介して第１高周波モジュール１のバイパス端子Ｔ１５と接続される。
　複数（３つ）のミッドバンド用デュプレクサ３１、３２、３３のそれぞれは、アンテナ側端子Ａｘ４、Ａｘ５、Ａｘ６と送信端子Ｔｘ４、Ｔｘ５、Ｔｘ６と受信端子Ｒｘ４、Ｒｘ５、Ｒｘ６とを有している。複数のミッドバンド用デュプレクサ３１～３３のアンテナ側端子Ａｘ４～Ａｘ６は、ミッドバンド用アンテナスイッチ２４と接続されている。複数のミッドバンド用デュプレクサ３１～３３では、受信フィルタの出力端子が受信端子Ｒｘ４、Ｒｘ５、Ｒｘ６として用いられ、複数のミッドバンド用信号出力端子Ｔ３１、Ｔ３２、Ｔ３３と接続されている。また、複数のミッドバンド用デュプレクサ３１～３３では、送信フィルタの入力端子が送信端子Ｔｘ４、Ｔｘ５、Ｔｘ６として用いられ、ミッドバンド用バンド切替スイッチ２２の選択端子２２１～２２３と接続されている。また、複数のミッドバンド用デュプレクサ３１～３３では、送信フィルタの出力端子と受信フィルタの入力端子とに接続された端子（ＡＮＴ端子）がアンテナ側端子Ａｘ４、Ａｘ５、Ａｘ６として用いられ、ミッドバンド用アンテナスイッチ２４の選択端子２４１～２４３と接続されている。
　ミッドバンド用バンド切替スイッチ２２は、第４パワーアンプ２１の第４出力端子２１２と複数のミッドバンド用デュプレクサ３１、３２、３３の送信端子Ｔｘ４、Ｔｘ５、Ｔｘ６との間に設けられている。ミッドバンド用バンド切替スイッチ２２は、複数のミッドバンド用デュプレクサ３１～３３のうち１つのミッドバンド用デュプレクサを第４パワーアンプ２１の第４出力端子２１２に接続する。
　複数（３つ）のミッドバンド用信号出力端子Ｔ３１、Ｔ３２、Ｔ３３は、複数（３つ）のミッドバンド用デュプレクサ３１、３２、３３の受信端子Ｒｘ４、Ｒｘ５、Ｒｘ６に一対一に接続されている。
　ＲＦ信号処理回路４０１は、第１高周波モジュール１及び第２高周波モジュール２と接続されている。より詳細には、ＲＦ信号処理回路４０１は、第１高周波モジュール１のローバンド用第１信号入力端子Ｔ１１、ミッドバンド用信号入力端子Ｔ１２、ローバンド用第２信号入力端子Ｔ１３及び複数のローバンド用信号出力端子Ｔ８１、Ｔ８２、Ｔ８３と接続されている。また、ＲＦ信号処理回路４０１は、第２高周波モジュール２のミッドバンド用信号入力端子Ｔ２１及び複数のミッドバンド用信号出力端子Ｔ３１、Ｔ３２、Ｔ３３と接続されている。
　ＲＦ信号処理回路４０１は、例えばＲＦＩＣ（Radio Frequency Integrated Circuit）であり、複数のローバンド用信号出力端子Ｔ８１、Ｔ８２、Ｔ８３、複数のミッドバンド用信号出力端子Ｔ３１、Ｔ３２、Ｔ３３から出力された高周波信号（受信信号）に対する信号処理を行う。ＲＦ信号処理回路４０１は、アンテナ２００から第１高周波モジュール１又は第２高周波モジュール２を介して入力された高周波信号（受信信号）に対してダウンコンバート等の信号処理を行い、当該信号処理により生成された受信信号をベースバンド信号処理回路４０２へ出力する。
　ベースバンド信号処理回路４０２は、例えばＢＢＩＣ（Baseband Integrated Circuit）である。ベースバンド信号処理回路４０２で処理された受信信号は、例えば、画像信号として画像表示のために、又は、音声信号として通話のために使用される。
　また、ＲＦ信号処理回路４０１は、例えば、ベースバンド信号処理回路４０２から出力された送信信号に対してアップコンバート等の信号処理を行い、信号処理が行われた送信信号（高周波信号）を第１高周波モジュール１又は第２高周波モジュール２へ出力する。ベースバンド信号処理回路４０２は、例えば、通信装置４００の外部からの送信信号に対する所定の信号処理を行う。
　通信装置４００は、バイパス経路１８０と、制御回路２０と、を更に備える。
　バイパス経路１８０は、バイパス端子Ｔ１５とミッドバンド用送信経路ＭＴ１とを電気的に接続している。より詳細には、バイパス経路１８０は、バイパス端子Ｔ１５とミッドバンド用送信経路ＭＴ１に接続された中継端子Ｔ２５とを電気的に接続している。バイパス経路１８０は、例えば、第１高周波モジュール１と第２高周波モジュール２とが実装されたプリント配線板の配線導体を含む。この場合、通信装置４００は、その構成要素としてプリント配線板を含む。
　制御回路２０は、複数のミッドバンド用デュプレクサ３１～３３及びミッドバンド用信号経路ＭＴ１のうち１つがダイプレクサ３００のミッドバンド用フィルタ３０２と接続されるようにミッドバンド用アンテナスイッチ２４を切り替える。
　通信装置４００では、第１送信信号の第１周波数帯域は、ＧＳＭ８５０の周波数帯域及びＧＳＭ９００の周波数帯域を含む。第２送信信号の第２周波数帯域は、ＧＳＭ１８００の周波数帯域及びＧＳＭ１９００の周波数帯域を含む。第３送信信号の第３周波数帯域は、ＬＴＥ規格のＢａｎｄ８の周波数帯域を含む。第４送信信号の第４周波数帯域は、ＬＴＥ規格のＢａｎｄ３の周波数帯域を含む。複数のミッドバンド用デュプレクサ３１、３２、３３のうち１つ（ミッドバンド用デュプレクサ３１）は、４Ｇ規格又は５Ｇ規格に対応したデュプレクサであり、例えば、ＬＴＥ規格のＢａｎｄ３に対応したデュプレクサ又は５Ｇ　ＮＲのｎ８に対応したデュプレクサである。第２高周波モジュール２では、ミッドバンド用アンテナスイッチ２４とミッドバンド用信号出力端子Ｔ３１との間の信号経路がミッドバンド用受信経路ＭＲ１を構成している。したがって、通信装置４００は、Ｂａｎｄ８とＢａｎｄ３とのダウンリンク・キャリアアグリゲーション又はｎ８とＢａｎｄ３とのデュアルコネクティビティに対応することが可能となる。ミッドバンド用デュプレクサ３２は、４Ｇ規格又は５Ｇ規格に対応したデュプレクサであり、例えば、ＬＴＥ規格のＢａｎｄ１２に対応したデュプレクサである。また、ミッドバンド用デュプレクサ３３は、４Ｇ規格又は５Ｇ規格に対応したデュプレクサであり、例えば、ＬＴＥ規格のＢａｎｄ２０に対応したデュプレクサである。
　（２）高周波モジュールの構造
　以下、高周波モジュール１の構造について図４及び５を参照して説明する。
　高周波モジュール１は、上述のように、第１パワーアンプ１１及び第１整合回路１４を有する第１送信回路１１０と、第２パワーアンプ１２及び第２整合回路１５を有する第２送信回路１２０と、第３パワーアンプ１３及び第３整合回路１６を有する第３送信回路１３０と、を備える。また、高周波モジュール１は、ローバンド用アンテナ端子Ｔ１０と、バイパス端子Ｔ１５と、ローバンド用バンド切替スイッチ１７と、ローバンド用アンテナスイッチ１９と、を備える。また、高周波モジュール１は、基板５を備える。基板５には、少なくとも第１パワーアンプ１１と第２パワーアンプ１２と第３パワーアンプ１３とが実装されている。また、基板５には、ローバンド用アンテナスイッチが実装されている。
　高周波モジュール１において、第１パワーアンプと第２パワーアンプ１２とは１つの半導体チップ１０において集積化されている。また、第３パワーアンプ１３は、半導体チップ１０とは別の半導体チップである。
　高周波モジュール１において、ローバンド用バンド切替スイッチ１７は、スイッチＩＣである。また、ローバンド用アンテナスイッチ１９は、スイッチＩＣである。ローバンド用バンド切替スイッチ１７及びローバンド用アンテナスイッチ１９は、基板５に実装されている。また、制御回路１００を構成するＩＣは、基板５に実装されている。
　第１整合回路１４の複数のインダクタＬ１１、Ｌ１２の各々は、例えば、チップインダクタである。また、第１整合回路１４の複数のキャパシタＣ１１、Ｃ１２の各々は、チップキャパシタである。第１整合回路１４の複数のインダクタＬ１１、Ｌ１２及び複数のキャパシタＣ１１、Ｃ１２は、基板５に実装されている。
　第２整合回路１５の複数のインダクタＬ１～Ｌ６のうちＬ１、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ５、Ｌ６の各々はチップインダクタであり、基板５に実装されている。インダクタＬ４は、内層インダクタであり、基板５に形成されている。また、第２整合回路１５の複数のキャパシタＣ１～Ｃ５の各々は、チップキャパシタであり、基板５に実装されている。
　また、第３整合回路１６の複数のインダクタＬ２１、Ｌ２２の各々は、例えば、チップインダクタである。また、第３整合回路１６の複数のキャパシタＣ２１、Ｃ２２の各々は、チップキャパシタである。第３整合回路１６の複数のインダクタＬ２１、Ｌ２２及び複数のキャパシタＣ２１、Ｃ２２は、基板５に実装されている。
　基板５は、複数の誘電体層及び複数の導体パターン層を含む多層基板であり、より詳細には、プリント配線板である。複数の誘電体層及び複数の導体パターン層は、基板５の厚さ方向において積層されている。複数の導体パターン層は、それぞれ所定パターンに形成されている。複数の導体パターン層の各々は、基板５の厚さ方向に直交する一平面内において１つ又は複数の導体部を含む。各導体パターン層の材料は、例えば、銅である。
　基板５は、誘電体基板５１と、グランド層５２と、を備える。基板５は、互いに背向する第１主面５１１及び第２主面５１２を有する。ここにおいて、第１主面５１１及び第２主面５１２の各々は、基板５の厚さ方向Ｄ１に交差する面である。グランド層５２は、第１主面５１１から離れて設けられている。より詳細には、グランド層５２は、誘電体基板５１において、基板５の厚さ方向Ｄ１で第１主面５１１から離れて設けられている。グランド層５２は、厚さ方向Ｄ１に直交する面内において誘電体基板５１と略同じ面積である。グランド層５２は、後述の貫通電極５３と短絡しないように孔５２０が形成されている。これにより、厚さ方向Ｄ１に直交する面内におけるグランド層５２の面積は、孔５２０の開口面積の分だけ誘電体基板５１の面積よりも小さい。基板５は、グランド層５２により、第１主面５１１側の導体パターン層等と第２主面５１２側の導体パターン層等とのアイソレーションを増強することができる。つまり、基板５の第１主面５１１と第２主面５１２とのアイソレーションを増強することができる。
　誘電体基板５１は、複数の誘電体層を含む。誘電体基板５１は、電気絶縁性を有する。誘電体基板５１は、板状である。基板５の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、誘電体基板５１及び基板５は、例えば、長方形状であるが、これに限らず、例えば、正方形状でもよい。
　グランド層５２は、複数の導体パターン層のうちの１つの導体パターン層により構成されている。グランド層５２は、例えば、グランド電位を与えられるグランド電極である。グランド層５２は、基板５の第１主面５１１よりも第２主面５１２側に位置している。
　また、高周波モジュール１では、ローバンド用アンテナ端子Ｔ１０、ローバンド用第１信号入力端子Ｔ１１、ミッドバンド用信号入力端子Ｔ１２、ローバンド用第２信号入力端子Ｔ１３、バイパス端子Ｔ１５及び複数のローバンド用信号出力端子Ｔ８１～Ｔ８３のそれぞれが外部接続端子として基板５の第２主面５１２側において基板５から突出して設けられている。また、高周波モジュール１では、グランド層５２にビア導体５５を介して接続されたグランド端子５９が外部接続端子として基板５の第２主面５１２側において基板５から突出して設けられている。
　高周波モジュール１では、半導体チップ１０（つまり、第１パワーアンプ１１及び第２パワーアンプ１２）と第３パワーアンプ１３と第３整合回路１６とは、基板５の第１主面５１１側に配置されている。半導体チップ１０及び第３パワーアンプ１３は、基板５にフリップチップ実装されている。これに対して、第２パワーアンプ１２の第２出力端子１２２に接続されている第２整合回路１５については、複数のインダクタＬ１～Ｌ６のうち少なくとも１つのインダクタＬ１が、基板５において第１主面５１１よりも第２主面５１２側に配置されている。より詳細には、複数のインダクタＬ１～Ｌ６のうち少なくとも１つのインダクタＬ１が、基板５の厚さ方向Ｄ１においてグランド層５２からみて第２主面５１２側に配置されている。実施形態１に係る高周波モジュール１では、複数のインダクタＬ１～Ｌ６が、基板５において第１主面５１１よりも第２主面５１２側に配置されている。
　インダクタＬ１は、基板５の第２主面５１２における第１主面５１１側とは反対側に配置されている。つまり、インダクタＬ１は、基板５に表面実装されている。実施形態１に係る高周波モジュール１では、基板５の厚さ方向Ｄ１において第２パワーアンプ１２とインダクタＬ１とが重なっている。ここにおいて、高周波モジュール１の基板５は、貫通電極５３を備えている。貫通電極５３は、厚さ方向Ｄ１において誘電体基板５１を貫通しておりインダクタＬ１と第２パワーアンプ１２の第２出力端子１２２とを接続している。基板５の第２主面５１２は、インダクタＬ１とキャパシタＣ３とを接続する配線導体５４を含む導体パターン層の表面を含んでいる。
　第２整合回路１５の１つのインダクタＬ４は、基板５内に配置されている。
　また、高周波モジュール１は、基板５の第１主面５１１側において、基板５に実装されている複数の電子部品等を覆うカバー層６（図５参照）を更に備えている。ここにおいて、複数の電子部品は、上述の半導体チップ１０（第１パワーアンプ１１と第２パワーアンプ１２とを含む半導体チップ）、第３パワーアンプ１３、第１整合回路１４の２つのインダクタＬ１１、Ｌ１２及び２つのコンデンサＣ１１、Ｃ１２、第３整合回路１６の２つのインダクタＬ２１、Ｌ２２及び２つのキャパシタＣ２１、Ｃ２２、複数のローバンド用デュプレクサ８１～８３、ローバンド用アンテナスイッチ１９、ローバンド用バンド切替スイッチ１７、制御回路１００等を含む。なお、図４では、カバー層６の図示を省略してある。
　カバー層６は、電気絶縁性を有する。カバー層６は、複数の電子部品等を封止している。カバー層６の材料は、例えば、電気絶縁性の樹脂（例えば、エポキシ樹脂）である。カバー層６は、基板５の厚さ方向Ｄ１に交差する主面６１１と、厚さ方向Ｄ１に沿った側面６１３と、を有する。
　（３）効果
　実施形態１に係る高周波モジュール１は、第１パワーアンプ１１と、第２パワーアンプ１２と、第３パワーアンプ１３と、ローバンド用アンテナ端子Ｔ１０と、バイパス端子Ｔ１５と、第２整合回路１５と、第３整合回路１６と、基板５と、を備える。第１パワーアンプ１１は、第１入力端子１１１及び第１出力端子１１２を有し、第１入力端子１１１に入力された２Ｇ規格のローバンドの第１送信信号を増幅して第１出力端子１１２から出力する。第２パワーアンプ１２は、第２入力端子１２１及び第２出力端子１２２を有し、第２入力端子１２１に入力された２Ｇ規格のミッドバンドの第２送信信号を増幅して第２出力端子１２２から出力する。第３パワーアンプ１３は、第３入力端子１３１及び第３出力端子１３２を有し、第３入力端子１３１に入力された４Ｇ規格又は５Ｇ規格のローバンドの第３送信信号を増幅して第３出力端子１３２から出力する。バイパス端子Ｔ１５は、第２出力端子１２２と電気的に接続されている。第２整合回路１５は、第２出力端子１２２と電気的に接続されており、１以上のインダクタＬ１～Ｌ６を含む。第３整合回路１６は、第３出力端子１３２と電気的に接続されており、１以上のインダクタＬ２１、Ｌ２２を含む。基板５は、第１パワーアンプ１１、第２パワーアンプ１２、第３パワーアンプ１３、第２整合回路１５、及び、第３整合回路１６が設けられており、グランド層５２を有する。第２整合回路１５における１以上のインダクタＬ１～Ｌ６のうちの少なくとも１つのインダクタＬ１と、第３整合回路１６における１以上のインダクタＬ１１、Ｌ１２のうちの少なくとも１つのインダクタＬ２１、Ｌ２２との間に、グランド層５２が配置されている。
　実施形態１に係る高周波モジュール１では、４Ｇ規格又は５Ｇ規格のローバンド用のパワーアンプである第３パワーアンプ１３の出力側の不要輻射が２Ｇ規格のミッドバンド用のパワーアンプである第２パワーアンプ１２の出力側に飛び移るのを抑制可能となる。ここにおいて、実施形態１に係る高周波モジュール１では、４Ｇ規格又は５Ｇ規格のローバンドに対応した第３パワーアンプ１３を使って例えばＢａｎｄ８の第３送信信号を送信するときに第３整合回路１６の少なくとも１つのインダクタＬ１から放射される不要輻射（第３送信信号の高調波）が２Ｇ規格のミッドバンドに対応した第２パワーアンプ１２の第２出力端子１２２側の第２整合回路１５の少なくとも１つのインダクタＬ１１、Ｌ１２に飛びつくのを抑制することが可能となる。つまり、高周波モジュール１では、第３整合回路１６の少なくも１つのインダクタＬ１と第２整合回路１５の少なくとも１つのインダクタＬ１１、Ｌ１２との磁気結合により不要輻射が飛び移る、ことを抑制することが可能となる。
　また、実施形態１に係る高周波モジュール１は、ローバンド用アンテナスイッチ１９と、受信フィルタと、を更に備える。ローバンド用アンテナスイッチ１９は、第１パワーアンプ１１の第１出力端子１１２及び第３パワーアンプ１３の第３出力端子１３２とローバンド用アンテナ端子Ｔ１０との間に設けられている。受信フィルタは、ローバンド用アンテナスイッチ１９と第３整合回路１６との間に設けられており、４Ｇ規格又は５Ｇ規格のローバンドに対応する。つまり、受信フィルタは、４Ｇ規格又は５Ｇ規格に対応している第３周波数帯域の受信信号を通過させる。これにより、実施形態１に係る通信装置４００では、例えば、Ｂａｎｄ８とＢａｎｄ３との２ダウンリンク・キャリアアグリゲーションを行う場合、Ｂａｎｄ８の高調波がバイパス端子Ｔ１５を介して第２高周波モジュール２のミッドバンド用デュプレクサ３１に流入するのを抑制でき、通信性能の向上を図ることが可能となる。２ダウンリンク・キャリアアグリゲーションを行う場合の２つのバンドの組み合わせは、Ｂａｎｄ８とＢａｎｄ３との組み合わせ以外であってもよい。
　なお、通信装置４００は、２Ｇ規格のミッドバンドの送信と、４Ｇ又は５Ｇの規格のミッドバンドの受信と、を同時に行わない。
　（実施形態２）
　以下、実施形態２に係る高周波モジュール１ａについて、図６を参照して説明する。実施形態２に係る高周波モジュール１ａに関し、実施形態１に係る高周波モジュール１と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。
　実施形態２に係る高周波モジュール１ａは、実施形態１に係る高周波モジュール１のカバー層６を覆っているシールド層７を備えている点で、実施形態１に係る高周波モジュール１と相違する。
　また、シールド層７の材料は、金属である。シールド層７は、カバー層６の主面６１１及び側面６１３と、基板５の側面５１３の一部と、を覆っている。シールド層７は、グランド層５２と接触している。これにより、シールド層７の電位をグランド層５２の電位と同じにすることができる。
　実施形態２に係る高周波モジュール１ａは、実施形態１に係る高周波モジュール１と同様、４Ｇ規格又は５Ｇ規格のローバンド用のパワーアンプである第３パワーアンプ１３の出力側の不要輻射が２Ｇ規格のミッドバンド用のパワーアンプである第２パワーアンプ１２の出力側に飛び移るのを抑制可能となる。また、実施形態２に係る高周波モジュール１ａは、シールド層７を備えることにより、実施形態１に係る高周波モジュール１よりも不要輻射の影響を低減できる。実施形態１に係る通信装置４００の第１高周波モジュール１の代わりに、高周波モジュール１ａを採用してもよい。
　（実施形態３）
　以下、実施形態３に係る高周波モジュール１ｂについて、図７を参照して説明する。実施形態３に係る高周波モジュール１ｂに関し、実施形態１に係る高周波モジュール１と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。
　実施形態３に係る高周波モジュール１ｂは、実施形態１に係る高周波モジュール１と同様に、半導体チップ１０を備える。半導体チップ１０は、第１パワーアンプ１１（図１及び５参照）と、第２パワーアンプ１２（図１及び５参照）と、を含む。実施形態３に係る高周波モジュール１ｂは、半導体チップ１０における第２パワーアンプ１２の第２出力端子１２２が基板５の電極１５０とボンディングワイヤＷ１を介して接続されている点で、実施形態１に係る高周波モジュール１と相違する。実施形態３に係る高周波モジュール１ｂは、実施形態１に係る高周波モジュール１と同様、４Ｇ規格又は５Ｇ規格のローバンド用のパワーアンプである第３パワーアンプ１３の出力側の不要輻射が２Ｇ規格のミッドバンド用のパワーアンプである第２パワーアンプ１２の出力側に飛び移るのを抑制可能となる。実施形態１に係る通信装置４００の第１高周波モジュール１の代わりに、高周波モジュール１ｂを採用してもよい。
　（実施形態４）
　以下、実施形態４に係る高周波モジュール１ｃについて、図８を参照して説明する。実施形態４に係る高周波モジュール１ｃに関し、実施形態１に係る高周波モジュール１と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。
　実施形態４に係る高周波モジュール１ｃは、第３パワーアンプ１３の第３出力端子１３２が基板５の電極１６０とボンディングワイヤＷ２を介して接続されている点で、実施形態１に係る高周波モジュール１と相違する。
　実施形態４に係る高周波モジュール１ｃは、実施形態１の高周波モジュール１と同様、図１に示すように、第１パワーアンプ１１と、第２パワーアンプ１２と、第３パワーアンプ１３と、ローバンド用アンテナ端子Ｔ１０と、バイパス端子Ｔ１５と、第２整合回路１５と、第３整合回路１６と、基板５（図８参照）と、を備える。第１パワーアンプ１１は、第１入力端子１１１及び第１出力端子１１２を有し、第１入力端子１１１に入力された２Ｇ規格のローバンドの第１送信信号を増幅して第１出力端子１１２から出力する。第２パワーアンプ１２は、第２入力端子１２１及び第２出力端子１２２を有し、第２入力端子１２１に入力された２Ｇ規格のミッドバンドの第２送信信号を増幅して第２出力端子１２２から出力する。第３パワーアンプ１３は、第３入力端子１３１及び第３出力端子１３２を有し、第３入力端子１３１に入力された４Ｇ規格又は５Ｇ規格のローバンドの第３送信信号を増幅して第３出力端子１３２から出力する。バイパス端子Ｔ１５は、第２出力端子１２２と電気的に接続されている。第２整合回路１５は、第２出力端子１２２と電気的に接続されており、１以上のインダクタ（Ｌ１～Ｌ６）を含む（図２、５参照）。第３整合回路１６は、図８に示すように、第３出力端子１３２とボンディングワイヤＷ２を介して電気的に接続されており、１以上のインダクタＬ１１、Ｌ１２を含む。基板５は、第１パワーアンプ１１、第２パワーアンプ１２、第３パワーアンプ１３、第２整合回路１５、及び、第３整合回路１６が設けられており、グランド層５２を有する。第２整合回路１５における１以上のインダクタＬ１～Ｌ６のうちの少なくとも１つのインダクタＬ１と、ボンディングワイヤＷ２との間に、グランド層５２が配置されている。
　実施形態４に係る高周波モジュール１ｃは、実施形態１に係る高周波モジュール１と同様、４Ｇ規格又は５Ｇ規格のローバンド用のパワーアンプである第３パワーアンプ１３の出力側の不要輻射が２Ｇ規格のミッドバンド用のパワーアンプである第２パワーアンプ１２の出力側に飛び移るのを抑制可能となる。実施形態１に係る通信装置４００の第１高周波モジュール１の代わりに、高周波モジュール１ｃを採用してもよい。
　上記の実施形態１～４は、本発明の様々な実施形態の一つに過ぎない。上記の実施形態１～４は、本発明の目的を達成できれば、設計等に応じて種々の変更が可能である。
　実施形態１に係る高周波モジュール１では、第２整合回路１５における複数のインダクタＬ１～Ｌ６のうちインダクタＬ４以外の全部が、基板５の厚さ方向Ｄ１においてグランド層５２からみて第２主面５１２側に配置されているが、これに限らない。高周波モジュール１では、第２整合回路１５の複数のインダクタＬ１～Ｌ６に関して、少なくとも１つのインダクタＬ１が、基板５の厚さ方向Ｄ１においてグランド層５２からみて第２主面５１２側に配置されていればよい。ここにおいて、高周波モジュール１では、複数のインダクタＬ１～Ｌ６のうち、第２パワーアンプ１２の第２出力端子１２２に対して電気的に最も近いインダクタＬ１が、基板５の厚さ方向Ｄ１においてグランド層５２からみて第２主面５１２側に配置されているのが好ましい。
　また、第２整合回路１５における複数のインダクタＬ１～Ｌ６の全部が、基板５の第２主面５１２における第１主面５１１側とは反対側に配置されていてもよい。つまり、複数のインダクタＬ１～Ｌ６の全部が、表面実装されていてもよい。
　グランド層５２の物理的な配置は、実施形態１～４の例に限定されることなく、第２送信回路１２０の一部と第３送信回路１３０の一部との間に配置されていればよい。すなわち、第２送信回路１２０の一部と第３送信回路１３０の一部との間に配置されるグランド層５２は、基板５の厚さ方向Ｄ１からの平面視で第２送信回路１２０の複数の構成要素（第２パワーアンプ１２、第２整合回路１５等）の全部及び第３送信回路１３０の複数の構成要素（第３パワーアンプ１３、第３整合回路１６等）の全部と重複することを必須とはしない。例えば、グランド層５２は、第２パワーアンプ１２又は第２整合回路１５と、第３パワーアンプ１３又は第３整合回路１６との間に配置された構成であってもよい。また、第２整合回路１５及び第３整合回路１６の各々がフィルタ（送信フィルタ）を兼ねているが、これに限らない。例えば、第２送信回路１２０が第２整合回路１５とは別に送信フィルタを備え、第３送信回路１３０が第３整合回路１６とは別に送信フィルタを備えていてもよい。この場合、グランド層５２が少なくとも第２送信回路１２０の送信フィルタと第３送信回路１３０の送信フィルタとの間に配置されていることにより、第３送信回路１３０の第３送信信号の高調波が第２送信回路１２０に飛び移るのを抑制可能となる。また、第３送信回路１３０が複数のローバンド用デュプレクサ８１～８３を含む場合、グランド層５２が複数のローバンド用デュプレクサ８１～８３と第２送信回路１２０の送信フィルタとの間に配置されていることにより、第３送信回路１３０の第３送信信号の高調波が第２送信回路１２０に飛び移るのを抑制可能となる。
　また、実施形態４に係る高周波モジュール１ｃでは、第１パワーアンプ１１及び第２パワーアンプ１２を含む半導体チップ１０と、第２整合回路１５とが基板５の第１主面５１１側に設けられているが、これに限らず、半導体チップ１０と第２整合回路１５とが基板５の第２主面５１２側に設けられていてもよい。この場合、第２パワーアンプ１２の第２出力端子１２２が、基板５の第２主面５１２側の電極とボンディングワイヤを介して接続されていてもよい。
　また、また、実施形態１、２、３、４に係る高周波モジュール１、１ａ、１ｂ、１ｃは、ローバンド用デュプレクサ８１～８３の代わりに、送信フィルタと受信フィルタとを別々に備えていてもよい。ローバンド用デュプレクサ８１～８３は、必ずしも基板５に実装されていなくてもよい。また、実施形態１、２、３、４に係る高周波モジュール１、１ａ、１ｂ、１ｃは、ローバンド用デュプレクサ８１～８３の各々の代わりにマルチプレクサを備えていてもよい。
　また、実施形態１、２、３、４に係る高周波モジュール１、１ａ、１ｂ、１ｃのいずれかが、第２高周波モジュール２の構成の一部又は全部を含んでいてもよい。また、実施形態１、２、３に係る高周波モジュール１、１ａ、１ｂ、１ｃのいずれかが、第２高周波モジュール２の構成の一部又は全部とダイプレクサ３００とを含んでいてもよい。
　また、通信装置４００は、少なくとも２つのダウンリンクに対応可能な構成であればよく、例えば、３つのダウンリンクに対応可能な構成でもよい。この場合、ダイプレクサ３００の代わりに、トリプルプレクサを備えていればよい。
　（まとめ）
　以上説明した実施形態等から以下の態様が開示されている。
　第１の態様に係る高周波モジュール（１；１ａ；１ｂ；１ｃ）は、第１送信回路（１１０）と、第２送信回路（１２０）と、バイパス端子（Ｔ１５）と、第３送信回路（１３０）と、基板（５）と、を備える。第１送信回路（１１０）は、第１パワーアンプ（１１）及び第１パワーアンプ（１１）の第１出力端子（１１２）に接続されている第１整合回路（１４）を有する。第１送信回路（１１０）は、２Ｇ規格に対応している第１周波数帯域の第１送信信号を送信する。第２送信回路（１２０）は、第２パワーアンプ（１２）及び第２パワーアンプ（１２）の第２出力端子（１２２）に接続されている第２整合回路（１５）を有する。第２送信回路（１２０）は、２Ｇ規格に対応している第２周波数帯域の第２送信信号を送信する。第２周波数帯域は、第１周波数帯域よりも高い。バイパス端子（Ｔ１５）は、第２送信回路（１２０）の出力端に接続されている。第３送信回路（１３０）は、第３パワーアンプ（１３）及び第３パワーアンプ（１３）の第３出力端子（１３２）に接続されている第３整合回路（１６）を有する。第３送信回路（１３０）は、４Ｇ規格又は５Ｇ規格に対応している第３周波数帯域の第３送信信号を送信する。基板（５）は、互いに背向する第１主面（５１１）及び第２主面（５１２）を有する。基板（５）には、第１送信回路（１１０）と第２送信回路（１２０）と第３送信回路（１３０）とが設けられている。第３送信信号の高調波の周波数が第２周波数帯域に重複する。基板（５）は、グランド層（５２）を有する。グランド層（５２）は、第２送信回路（１２０）の一部と第３送信回路（１３０）の一部との間に配置されている。
　第１の態様に係る高周波モジュール（１；１ａ；１ｂ；１ｃ）では、４Ｇ規格又は５Ｇ規格に対応している第３送信回路（１３０）の第３送信信号の高調波が２Ｇ規格に対応している第２送信回路（１２０）に飛び移るのを抑制可能となる。
　第２の態様に係る高周波モジュール（１；１ａ；１ｂ；１ｃ）では、第１の態様において、第２送信回路（１２０）における第２整合回路（１５）が、基板（５）の第１主面（５１１）に実装され、第３送信回路（１３０）における第３整合回路（１６）が、基板（５）の第２主面（５１２）に実装されている。第２整合回路（１５）と第３整合回路（１６）との間にグランド層（５２）が配置されている。
　第３の態様に係る高周波モジュール（１；１ａ；１ｂ；１ｃ）は、第１又は２の態様において、第２整合回路（１５）は、１以上のインダクタ（Ｌ１～Ｌ６）を含む。第３整合回路（１６）は、１以上のインダクタ（Ｌ２１、Ｌ２２）を含む。第２整合回路（１５）における１以上のインダクタ（Ｌ１～Ｌ６）のうちの少なくとも１つのインダクタ（Ｌ１）と、第３整合回路（１６）における１以上のインダクタ（Ｌ２１、２１２）のうちの少なくとも１つのインダクタ（Ｌ２１、Ｌ２２）との間に、グランド層（５２）が配置されている。
　第３の態様に係る高周波モジュール（１；１ａ；１ｂ）では、４Ｇ規格又は５Ｇ規格に対応している第３送信回路（１３０）の第３整合回路（１６）から第３送信信号の高調波が２Ｇ規格に対応している第２送信回路（１２０）の第２整合回路（１５）に飛び移るのを抑制可能となる。
　第４の態様に係る高周波モジュール（１；１ａ；１ｂ）は、第１～３の態様のいずれか一つにおいて、ローバンド用アンテナ端子（Ｔ１０）と、ローバンド用アンテナスイッチ（１９）と、受信フィルタと、を更に備える。ローバンド用アンテナスイッチ（１９）は、第１パワーアンプ（１１）の第１出力端子（１１２）及び第３パワーアンプ（１３）の第３出力端子（１３２）とローバンド用アンテナ端子（Ｔ１０）との間に設けられている。受信フィルタは、ローバンド用アンテナスイッチ（１９）と第３整合回路（１６）との間に設けられており、４Ｇ規格又は５Ｇ規格に対応している第３周波数帯域の受信信号を通過させる。
　第５の態様に係る高周波モジュール（１；１ａ；１ｂ）では、第４の態様において、複数のローバンド用デュプレクサ（８１、８２、８３）と、ローバンド用バンド切替スイッチ（１７）と、複数のローバンド用信号出力端子（Ｔ８１、Ｔ８２、Ｔ８３）と、を備える。複数のローバンド用デュプレクサ（８１、８２、８３）は、それぞれがアンテナ側端子（Ａｘ１、Ａｘ２、Ａｘ３）と送信端子（Ｔｘ１、Ｔｘ２、Ｔｘ３）と受信端子（Ｒｘ１、Ｒｘ２、Ｒｘ３）とを有し、アンテナ側端子（Ａｘ１、Ａｘ２、Ａｘ３）がローバンド用アンテナスイッチ（１９）と接続されている。ローバンド用バンド切替スイッチ（１７）は、第３出力端子（１３２）と複数のローバンド用デュプレクサ（８１、８２、８３）の送信端子（Ｔｘ１、Ｔｘ２、Ｔｘ３）との間に設けられている。ローバンド用バンド切替スイッチ（１７）は、複数のローバンド用デュプレクサ（８１、８２、８３）のうち１つのローバンド用デュプレクサ（８１又は８２又は８３）を第３出力端子（１３２）に接続する。複数のローバンド用信号出力端子（Ｔ８１、Ｔ８２、Ｔ８３）は、複数のローバンド用デュプレクサ（８１、８２、８３）の受信端子（Ｒｘ１、Ｒｘ２、Ｒｘ３）に一対一に接続されている。
　第６の態様に係る高周波モジュール（１；１ａ；１ｂ）では、第１～５の態様のいずれか一つにおいて、第１周波数帯域は、ＧＳＭ８５０の周波数帯域及びＧＳＭ９００の周波数帯域を含む。第２周波数帯域は、ＧＳＭ１８００の周波数帯域及びＧＳＭ１９００の周波数帯域を含む。第３周波数帯域は、ＬＴＥ規格のＢａｎｄ８の周波数帯域又は５Ｇ　ＮＲのｎ８の周波数帯域を含む。
　第７の態様に係る高周波モジュール（１；１ａ；１ｂ）では、第１～４の態様のいずれか一つにおいて、第１パワーアンプ（１１）と第３パワーアンプ（１３）とは基板（５）において第２主面（５１２）よりも第１主面（５１１）側に配置されている。第２整合回路（１５）における少なくとも１つのインダクタ（Ｌ１）は、基板（５）の第２主面（５１２）における第１主面（５１１）側とは反対側に配置されている。
　第７の態様に係る高周波モジュール（１；１ａ；１ｂ）では、第３パワーアンプ（１３）の出力側の不要輻射が第２パワーアンプ（１２）の出力側（信号経路ＬＴ２）に飛び移るのを抑制可能となる。
　第８の態様に係る高周波モジュール（１；１ａ；１ｂ）では、第７の態様において、第２整合回路（１５）における１以上のインダクタ（Ｌ１～Ｌ６）は、基板（５）の第２主面（５１２）における第１主面（５１１）側とは反対側に配置されている。
　第８の態様に係る高周波モジュール（１；１ａ；１ｂ）では、第７の態様に係る高周波モジュール（１；１ａ；１ｂ）と比べて、不要輻射が飛び移るのをより抑制できる。
　第９の態様に係る高周波モジュール（１；１ａ；１ｂ）では、第３の態様において、第２整合回路（１５）における少なくとも１つのインダクタ（Ｌ４）は、基板（５）内に配置されている。
　第９の態様に係る高周波モジュール（１；１ａ；１ｂ）では、基板（５）の小型化が可能となり、また、基板（５）の第２主面（５１２）側の電子部品のレイアウトの自由度が高くなる。
　第１０の態様に係る高周波モジュール（１ｃ）では、第２整合回路（１５）は、第２出力端子（１２２）と電気的に接続されており、１以上のインダクタ（Ｌ１～Ｌ６）を含む。第３整合回路（１６）は、第３出力端子（１３２）とボンディングワイヤ（Ｗ２）を介して電気的に接続されており、１以上のインダクタ（Ｌ２１、Ｌ２２）を含む。第２整合回路（１５）における１以上のインダクタ（Ｌ１～Ｌ６）のうちの少なくとも１つのインダクタ（Ｌ１）と、ボンディングワイヤ（Ｗ２）との間に、グランド層（５２）が配置されている。
　第１１の態様に係る高周波モジュール（１；１ａ；１ｂ；１ｃ）は、第１～１０の態様のいずれか一つにおいて、第４送信回路（２１０）を更に備える。第４送信回路（２１０）は、第４パワーアンプ（２１）を有する。第４送信回路（２１０）は、４Ｇ規格又は５Ｇ規格に対応している第４周波数帯域の第４送信信号を送信する。第４送信周波数帯域は、第３周波数帯域よりも高い。第２周波数帯域の少なくとも一部と第４周波数帯域の少なくとも一部とが重複する。
　第１２の態様に係る高周波モジュール（１；１ａ；１ｂ；１ｃ）は、第１１の態様において、ミッドバンド用アンテナ端子（Ｔ２０）と、ミッドバンド用アンテナスイッチ（２４）と、ミッドバンド用受信経路（ＭＲ１）と、ミッドバンド用送信経路（ＭＴ１）と、を更に備える。ミッドバンド用アンテナ端子（Ｔ２０）は、アンテナ（２００）に電気的に接続される。ミッドバンド用アンテナスイッチ（２４）は、ミッドバンド用アンテナ端子（Ｔ２０）に接続されている。ミッドバンド用受信経路（ＭＲ１）は、ミッドバンド用アンテナスイッチ（２４）に接続されており、第４周波数帯域に対応している。
　第１２の態様に係る高周波モジュール（１；１ａ；１ｂ；１ｃ）は、キャリアアグリゲーション又はデュアルコネクティビティに対応可能となる。
　第１３の態様に係る高周波モジュール（１；１ａ；１ｂ；１ｃ）は、第１２の態様において、第４送信回路（２１０）と、ミッドバンド用アンテナ端子（Ｔ２０）と、ミッドバンド用アンテナスイッチ（２４）と、ミッドバンド用受信経路（ＭＲ１）と、ミッドバンド用送信経路（ＭＴ１）と、ダイプレクサ（３００）と、を更に備える。第４送信回路（２１０）は、第４パワーアンプ（２１）を有する。第４送信回路（２１０）は、４Ｇ規格又は５Ｇ規格に対応している第４周波数帯域の第４送信信号を送信する。第４送信周波数帯域は、第３周波数帯域よりも高い。ミッドバンド用アンテナ端子（Ｔ２０）は、アンテナ（２００）に電気的に接続される。ミッドバンド用アンテナスイッチ（２４）は、ミッドバンド用アンテナ端子（Ｔ２０）に接続されている。ミッドバンド用受信経路（ＭＲ１）は、ミッドバンド用アンテナスイッチ（２４）に接続されており、第４周波数帯域に対応している。ダイプレクサ（３００）は、ローバンド用フィルタ（３０１）とミッドバンド用フィルタ（３０２）とを有する。第２周波数帯域の少なくとも一部と第４周波数帯域の少なくとも一部とが重複する。ローバンド用アンテナ端子（Ｔ１０）がローバンド用フィルタ（３０１）に接続されている。ミッドバンド用アンテナ端子（Ｔ２０）がミッドバンド用フィルタ（３０２）に接続されている。
　第１４の態様に係る高周波モジュール（１；１ａ；１ｂ；１ｃ）では、第１３の態様において、第４パワーアンプ（２１）の第４出力端子（２１２）がミッドバンド用アンテナスイッチ（２４）と接続されている。
　第１５の態様に係る通信装置（４００）は、第１高周波モジュールと、第２高周波モジュール（２）と、を備える。第１高周波モジュールは、第１～１０の態様のいずれか一つの高周波モジュール（１；１ａ；１ｂ；１ｃ）である。第２高周波モジュール（２）は、第４周波数帯域の第４送信信号を送信する第４送信回路（２１０）を備える。第４周波数帯域は、第３周波数帯域よりも高く４Ｇ規格又は５Ｇ規格に対応している。第２周波数帯域の少なくとも一部と第４周波数帯域の少なくとも一部とが重複する。
　第１５の態様に係る通信装置（４００）では、４Ｇ規格又は５Ｇ規格に対応している第３送信回路（１３０）の第３送信信号の高調波が２Ｇ規格に対応している第２送信回路（１２０）に飛び移るのを抑制可能となる。
　１、１ａ、１ｂ、１ｃ　高周波モジュール（第１高周波モジュール）
　２　第２高周波モジュール
　５　基板
　５１　誘電体基板
　５１１　第１主面
　５１２　第２主面
　５１３　側面
　５２　グランド層
　５２０　孔
　５３　貫通電極
　５４　配線導体
　５５　ビア導体
　５９　グランド端子
　６　カバー層
　６１１　主面
　６１３　側面
　７　シールド層
　１０　半導体チップ
　１１　第１パワーアンプ
　１１０　第１送信回路
　１１１　第１入力端子
　１１２　第１出力端子
　１２　第２パワーアンプ
　１２０　第２送信回路
　１２１　第２入力端子
　１２２　第２出力端子
　１３　第３パワーアンプ
　１３０　第３送信回路
　１３１　第３入力端子
　１３２　第３出力端子
　１４　第１整合回路
　１５　第２整合回路
　１６　第３整合回路
　１７　ローバンド用バンド切替スイッチ
　１７０　共通端子
　１７１～１７３　選択端子
　１８　バイアス回路
　１９　ローバンド用アンテナスイッチ
　１９０　共通端子
　１９１～１９４　選択端子
　２０　制御回路
　２１　第４パワーアンプ
　２１０　第４送信回路
　２１１　第４入力端子
　２１２　第４出力端子
　２２　ミッドバンド用バンド切替スイッチ
　２２０　共通端子
　２２１～２２３　選択端子
　２４　ミッドバンド用アンテナスイッチ
　２４０　共通端子
　２４１～２４４　選択端子
　３１～３３　ミッドバンド用デュプレクサ
　８１～８３　ローバンド用デュプレクサ
　１００　制御回路
　１５０　電極
　１６０　電極
　１８０　バイパス経路
　２００　アンテナ
　３００　ダイプレクサ
　３０１　ローバンド用フィルタ
　３０２　ミッドバンド用フィルタ
　４００　通信装置
　４０１　ＲＦ信号処理回路
　４０２　ベースバンド信号処理回路
　Ａｘ１～Ａｘ６　アンテナ側端子
　Ｒｘ１～Ｒｘ６　受信端子
　ＴＸ１～Ｔｘ６　送信端子
　Ｄ１　厚さ方向
　Ｌ０　インダクタ
　Ｌ１～Ｌ６　インダクタ
　Ｌ１１、Ｌ１２、Ｌ２１、Ｌ２２　インダクタ
　Ｃ０　キャパシタ
　Ｃ１～Ｃ５　キャパシタ
　Ｃ１１、Ｃ１２、Ｃ２１、Ｃ２２　キャパシタ
　ＬＴ２　信号経路
　ＭＴ１　ミッドバンド用送信経路
　ＭＲ１　ミッドバンド用受信経路
　Ｔ１０　ローバンド用アンテナ端子
　Ｔ１１　ローバンド用第１信号入力端子
　Ｔ１２　ミッドバンド用第２信号入力端子
　Ｔ１３　ローバンド用第３信号入力端子
　Ｔ１５　バイパス端子
　Ｔ２０　ミッドバンド用アンテナ端子
　Ｔ２１　第４信号入力端子
　Ｔ２５　中継端子
　Ｔ３１～Ｔ３３　ミッドバンド用信号出力端子
　Ｔ８１～Ｔ８３　ローバンド用信号出力端子
　Ｖｃｃ　バイアス電圧Ｖｃｃ
　Ｗ１　ボンディングワイヤ
　Ｗ２　ボンディングワイヤ

Claims (15)

  1. 　第１パワーアンプ及び前記第１パワーアンプの第１出力端子に接続されている第１整合回路を有し、２Ｇ規格に対応している第１周波数帯域の第１送信信号を送信する第１送信回路と、
    　第２パワーアンプ及び前記第２パワーアンプの第２出力端子に接続されている第２整合回路を有し、前記第１周波数帯域よりも高く２Ｇ規格に対応している第２周波数帯域の第２送信信号を送信する第２送信回路と、
    　前記第２送信回路の出力端に接続されているバイパス端子と、
    　第３パワーアンプ及び前記第３パワーアンプの第３出力端子に接続されている第３整合回路を有し、４Ｇ規格又は５Ｇ規格に対応している第３周波数帯域の第３送信信号を送信する第３送信回路と、
    　互いに背向する第１主面及び第２主面を有し、前記第１送信回路と前記第２送信回路と前記第３送信回路とが設けられている基板と、を備え、
    　前記第３送信信号の高調波の周波数が前記第２周波数帯域に重複し、
    　前記基板は、
    　　前記第２送信回路の一部と前記第３送信回路の一部との間に配置されているグランド層を有する、
    　高周波モジュール。
  2. 　前記第２送信回路における前記第２整合回路が、前記基板の前記第１主面に実装され、
    　前記第３送信回路における前記第３整合回路が、前記基板の前記第２主面に実装されており、
    　前記第２整合回路と前記第３整合回路との間に前記グランド層が配置されている、
    　請求項１に記載の高周波モジュール。
  3. 　前記第２整合回路は、１以上のインダクタを含み、
    　前記第３整合回路は、１以上のインダクタを含み、
    　前記第２整合回路における前記１以上のインダクタのうちの少なくとも１つのインダクタと、前記第３整合回路における前記１以上のインダクタのうちの少なくとも１つのインダクタとの間に、前記グランド層が配置されている、
    　請求項１又は２に記載の高周波モジュール。
  4. 　ローバンド用アンテナ端子と、
    　前記第１出力端子及び前記第３出力端子と前記ローバンド用アンテナ端子との間に設けられているローバンド用アンテナスイッチと、
    　前記ローバンド用アンテナスイッチと前記第３整合回路との間に設けられており、４Ｇ規格又は５Ｇ規格に対応している前記第３周波数帯域の受信信号を通過させる受信フィルタと、を更に備える、
    　請求項１～３のいずれか一項に記載の高周波モジュール。
  5. 　それぞれがアンテナ側端子と送信端子と受信端子とを有し、前記アンテナ側端子が前記ローバンド用アンテナスイッチと接続されている複数のローバンド用デュプレクサと、
    　前記第３出力端子と前記複数のローバンド用デュプレクサの前記送信端子との間に設けられており、前記複数のローバンド用デュプレクサのうち１つのローバンド用デュプレクサを前記第３出力端子に接続するローバンド用バンド切替スイッチと、
    　前記複数のローバンド用デュプレクサの前記受信端子に一対一に接続された複数のローバンド用信号出力端子と、備え、
    　前記複数のローバンド用デュプレクサのうち１つのローバンド用デュプレクサが前記受信フィルタを含む、
    　請求項４に記載の高周波モジュール。
  6. 　前記第１周波数帯域は、ＧＳＭ８５０の周波数帯域及びＧＳＭ９００の周波数帯域を含み、
    　前記第２周波数帯域は、ＧＳＭ１８００の周波数帯域及びＧＳＭ１９００の周波数帯域を含み、
    　前記第３周波数帯域は、ＬＴＥ規格のＢａｎｄ８の周波数帯域又は５Ｇ　ＮＲのｎ８の周波数帯域を含む、
    　請求項１～５のいずれか一項に記載の高周波モジュール。
  7. 　前記第１パワーアンプと前記第３パワーアンプとは前記基板において前記第２主面よりも前記第１主面側に配置されており、
    　前記第２整合回路における前記少なくとも１つのインダクタは、前記基板の前記第２主面における前記第１主面側とは反対側に配置されている、
    　請求項３に記載の高周波モジュール。
  8. 　前記第２整合回路における前記１以上のインダクタは、前記基板の前記第２主面における前記第１主面側とは反対側に配置されている、
    　請求項７に記載の高周波モジュール。
  9. 　前記第２整合回路における前記少なくとも１つのインダクタは、前記基板内に配置されている、
    　請求項３に記載の高周波モジュール。
  10. 　前記第２整合回路は、前記第２出力端子と電気的に接続されており、１以上のインダクタを含み、
    　前記第３整合回路は、前記第３出力端子とボンディングワイヤを介して電気的に接続されており、１以上のインダクタを含み、
    　前記第２整合回路における前記１以上のインダクタのうちの少なくとも１つのインダクタと、前記ボンディングワイヤとの間に、前記グランド層が配置されている、
    　請求項１又は２に記載の高周波モジュール。
  11. 　第４パワーアンプを有し、前記第３周波数帯域よりも高く４Ｇ規格又は５Ｇ規格に対応している第４周波数帯域の第４送信信号を送信する第４送信回路を更に備え、
    　前記第２周波数帯域の少なくとも一部と前記第４周波数帯域の少なくとも一部とが重複する、
    　請求項１～１０のいずれか一項に記載の高周波モジュール。
  12. 　ミッドバンド用アンテナ端子と、
    　前記ミッドバンド用アンテナ端子に接続されているミッドバンド用アンテナスイッチと、
    　前記ミッドバンド用アンテナスイッチに接続されており、前記第４周波数帯域に対応しているミッドバンド用受信経路と、
    　前記ミッドバンド用アンテナスイッチに接続されており、前記バイパス端子と接続されるミッドバンド用送信経路と、を更に備える、
    　請求項１１に記載の高周波モジュール。
  13. 　第４パワーアンプを有し、前記第３周波数帯域よりも高く４Ｇ規格又は５Ｇ規格に対応している第４周波数帯域の第４送信信号を送信する第４送信回路と、
    　ミッドバンド用アンテナ端子と、
    　前記ミッドバンド用アンテナ端子に接続されているミッドバンド用アンテナスイッチと、
    　前記ミッドバンド用アンテナスイッチに接続されており、前記第４周波数帯域に対応しているミッドバンド用受信経路と、
    　前記ミッドバンド用アンテナスイッチに接続されており、前記バイパス端子と接続されるミッドバンド用送信経路と、
    　ローバンド用フィルタとミッドバンド用フィルタとを有するダイプレクサと、を更に備え、
    　前記第２周波数帯域の少なくとも一部と前記第４周波数帯域の少なくとも一部とが重複し、
    　前記ローバンド用アンテナ端子が前記ローバンド用フィルタに接続されており、
    　前記ミッドバンド用アンテナ端子が前記ミッドバンド用フィルタに接続されている、
    　請求項４に記載の高周波モジュール。
  14. 　前記第４パワーアンプの第４出力端子が前記ミッドバンド用アンテナスイッチと接続されている、
    　請求項１３に記載の高周波モジュール。
  15. 　第１高周波モジュールと、
    　第２高周波モジュールと、を備え、
    　前記第１高周波モジュールは、請求項１～１０のいずれか一項に記載の高周波モジュールであり、
    　第２高周波モジュールは、
    　　前記第３周波数帯域よりも高く４Ｇ規格又は５Ｇ規格に対応している第４周波数帯域の第４送信信号を送信する第４送信回路を備え、
    　前記第２周波数帯域の少なくとも一部と前記第４周波数帯域の少なくとも一部とが重複する、
    　通信装置。
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