KR101924364B1 - 고주파 모듈 - Google Patents

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가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼
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Abstract

다른 복수의 주파수 대역의 송수신 신호가 사용되는 고주파 모듈에 있어서, 송수신 단자간의 아이솔레이션 특성을 향상시킨다. 고주파 모듈(1a)은 평면에서 볼 때 직사각형상의 배선 기판(2)과, Band17의 주파수 대역의 송신 신호와 수신 신호를 분파하는 제 1 분파기(5a)와, 그 수신측의 주파수 대역이 Band17의 송신 신호의 3차 고조파의 주파수 대역과 일부 겹치는 Band4의 주파수 대역의 송신 신호와 수신 신호를 분파하는 제 2 분파기(5b)를 구비하고, 제 1 분파기(5a)는 배선 기판(2)의 한쪽 주면의 소정의 변에 근접해서 배치됨과 아울러 제 2 분파기(5b)는 상기 소정의 변에 대향하는 대향변에 근접해서 배치된다. 또한, 제 1 분파기(5a)의 제 1 송신 단자(Tx1)로부터의 인출 배선 및 제 2 분파기(5b)의 제 2 수신 단자(Rx2)로부터의 인출 배선이, 서로 멀어지는 방향으로 인출되어 있다.

Description

고주파 모듈{HIGH-FREQUENCY MODULE}
본 발명은 각각 다른 주파수 대역의 송수신호를 분파하는 복수의 분파기가 설치된 고주파 모듈에 관한 것이다.
최근의 휴대전화 등에서는 대용량·고속 통신이 요구되고 있기 때문에, 복수의 다른 주파수 대역의 통신 시스템을 동시에 운용하여 1개의 통신 회선으로 해서 데이터를 분산해서 송수신하는 CA(Carrier Aggregation)가 검토되고 있다. 이 종류의 통신 기기의 안테나에 가까운 개소에 설치되는 프론트 엔드 모듈에서는, 다른 복수의 주파수 대역의 신호의 송수신을 동시에 행하기 위해서 배선 기판에 복수의 필터 회로나 분파 회로가 설치된다.
예를 들면, 특허문헌 1에 기재된 모듈(100)은 W-CDMA 방식과 GSM(등록상표) 방식의 통신 시스템에 대응 가능하게 구성되어 있고, 도 9에 나타내는 바와 같이 W-CDMA 방식의 송신 신호와 수신 신호를 분파하는 듀플렉서(102), GSM(등록상표) 방식의 송신 신호용의 송신 필터(103) 및 GSM(등록상표) 방식의 수신 신호용의 2개의 수신 필터(104, 105)가 배선 기판(101)의 한쪽 주면에 각각 실장되어 있다. 또한, 배선 기판(101)의 다른쪽 주면에는 고주파 모듈(100)을 외부의 머더 기판 등에 실장하기 위한 복수의 실장 전극이 설치되어, 듀플렉서(102)의 송신 단자나 수신 단자, 송신 필터(103) 및 수신 필터(104, 105)의 각 단자와 소정의 실장 전극이 배선 기판(101)의 인출 배선을 통해서 접속된다.
일본 특허공개 2006-340257호 공보(단락 0025~0029, 도 1 등 참조)
그런데, 주파수 대역이 다른 복수의 통신 시스템을 사용해서 송수신을 행할 경우, 하나의 통신 시스템에서 사용되는 통신 신호(송신 신호, 수신 신호)의 주파수 대역과, 다른 통신 시스템에서 사용되는 통신 신호의 고조파의 주파수 대역이 일부 겹칠 경우가 있다. 여기에서, 한쪽의 통신 신호가 송신 신호이고, 이 고조파의 주파수 대역과 겹치는 다른쪽의 신호가 수신 신호일 경우에는, 신호의 간섭에 의해 수신 감도가 악화될 우려가 있다.
종래의 모듈(100)에서는, 상기한 바와 같이 듀플렉서(102)나 송신, 수신 필터(103~105)의 각 단자는 배선 기판(101)의 다른쪽 주면의 소정의 실장 전극에 인출 배선을 통해서 각각 접속된다. 그 때문에, 하나의 통신 시스템의 송신 신호가 통과하는 인출 배선과, 해당 송신 신호의 고조파의 주파수 대역과 겹치는 수신 신호가 통과하는 인출 배선이 근접 배치된 경우에는, 양 신호가 간섭해서 수신 감도가 악화될 우려가 있다. 또한, 이들 신호가 통과하는 듀플렉서(102)나 필터(103~105)의 단자끼리가 근접 배치되었을 경우에도, 마찬가지로 수신 감도가 악화될 우려가 있다.
본 발명은 상기한 과제를 감안하여 이루어진 것으로서, 다른 복수의 주파수 대역의 송수신 신호가 사용되는 고주파 모듈에 있어서, 송수신 단자간의 아이솔레이션 특성을 향상하는 것을 목적으로 한다.
상기한 목적을 달성하기 위해서, 본 발명의 고주파 모듈은 평면으로 볼 때 직사각형상인 배선 기판과, 제 1 송신 주파수 대역의 송신 신호가 입력되는 제 1 송신 단자와, 상기 제 1 송신 단자에 입력된 송신 신호를 출력함과 아울러 제 1 수신 주파수 대역의 수신 신호가 입력되는 제 1 공통 단자와, 상기 제 1 공통 단자에 입력된 수신 신호를 출력하는 제 1 수신 단자를 갖는 제 1 분파기와, 제 2 송신 주파수 대역의 송신 신호가 입력되는 제 2 송신 단자와, 상기 제 2 송신 단자에 입력된 송신 신호를 출력함과 아울러 제 2 수신 주파수 대역의 수신 신호가 입력되는 제 2 공통 단자와, 상기 제 2 공통 단자에 입력된 상기 수신 신호를 출력하는 제 2 수신 단자를 갖는 제 2 분파기를 구비하고, 상기 제 2 수신 주파수 대역은 상기 제 1 송신 주파수 대역의 송신 신호의 고조파의 주파수 대역과 그 일부가 겹치는 주파수 대역으로 설정되고, 상기 제 1 분파기는 상기 배선 기판의 한쪽 주면의 소정의 변에 근접해서 배치됨과 아울러 상기 제 2 분파기는 상기 소정의 변에 대향하는 대향변에 근접해서 배치되어, 각각 상기 배선 기판에 형성된 상기 제 1 송신 단자로부터의 인출 배선 및 상기 제 2 수신 단자로부터의 인출 배선이 서로 멀어지는 방향으로 인출되고 있는 것을 특징으로 하고 있다.
이 구성에 의하면, 제 1 분파기와 제 2 분파기를 이간 배치할 수 있다. 이 경우, 제 1 송신 주파수 대역의 송신 신호가 통과하는 제 1 분파기의 제 1 송신 단자와, 제 2 수신 주파수 대역의 수신 신호가 통과하는 제 2 분파기의 제 2 수신 단자가 떨어져서 배치되기 때문에, 수신 감도 등의 고주파 특성의 열화에 영향을 주는 신호의 간섭이 억제되어 양 신호 단자간의 아이솔레이션 특성을 향상시킬 수 있다. 또한, 제 1 송신 단자로부터의 인출 배선 및 제 2 수신 단자로부터의 인출 배선이 서로 멀어지는 방향으로 인출됨으로써 양 인출 배선이 배선 기판 내에서 근접하는 것을 방지할 수 있기 때문에, 양 신호 단자간의 아이솔레이션 특성을 더욱 향상시킬 수 있다.
또한, 상기 배선 기판의 다른쪽 주면에 설치되고 상기 제 1 송신 단자로부터의 인출 배선에 접속되는 제 1 송신 전극과, 상기 배선 기판의 다른쪽 주면에 설치되고 상기 제 2 수신 단자로부터의 인출 배선에 접속되는 제 2 수신 전극을 구비하고, 상기 제 1 송신 전극이 상기 배선 기판의 상기 소정의 변에 근접해서 배치되고, 상기 제 2 수신 전극이 상기 배선 기판의 상기 대향변에 근접해서 배치되어 있어도 좋다. 이 경우, 제 1 송신 주파수 대역의 송신 신호가 통과하는 제 1 송신 전극과 제 2 수신 주파수 대역의 수신 신호가 통과하는 제 2 수신 전극의 사이를 멀어지게 할 수 있기 때문에, 수신 감도 등의 고주파 특성의 열화에 영향을 주는 신호의 간섭이 억제되어 양 신호 단자간의 아이솔레이션 특성을 향상시킬 수 있다.
또한, 상기 제 1 송신 단자가 상기 배선 기판의 상기 소정의 변 부근에 배치됨과 아울러, 상기 제 2 수신 단자가 상기 배선 기판의 상기 대향변 부근에 배치되어 있어도 좋다. 이 경우, 제 1 분파기의 제 1 송신 단자와 제 2 분파기의 제 2 수신 단자가 떨어져서 배치되기 때문에, 제 1 송신 단자와 제 2 수신 단자 사이의 아이솔레이션 특성을 향상시킬 수 있다.
제 3 송신 주파수 대역의 송신 신호가 입력되는 제 3 송신 단자와, 상기 제 3 송신 단자에 입력된 송신 신호를 출력함과 아울러 제 3 수신 주파수 대역의 수신 신호가 입력되는 제 3 공통 단자와, 상기 제 3 공통 단자에 입력된 수신 신호를 출력하는 제 3 수신 단자를 갖는 제 3 분파기와, 상기 배선 기판의 다른쪽 주면에 설치되고 제 3 수신 단자에 전기적으로 접속되는 제 3 수신 전극과, 상기 배선 기판의 다른쪽 주면에 설치된 그라운드 전극을 구비하고, 상기 제 2 수신 주파수 대역과 상기 제 3 수신 주파수 대역은 일부 겹치고, 상기 제 2 수신 전극과 상기 제 3 수신 전극의 사이에 그라운드 전극이 배치되어 있어도 좋다.
이와 같이, 제 2 수신 전극과 제 3 수신 전극으로부터 새는 신호가 그라운드 전극으로 흐른다. 이 경우, 양 수신 신호의 상호 간섭을 방지할 수 있기 때문에, 제 2 수신 단자와 제 3 수신 단자 사이의 아이솔레이션 특성을 향상시킬 수 있다.
또한, 상기 제 3 분파기가 상기 배선 기판의 한쪽 주면의 상기 대향변에 근접해서 배치되어 있어도 좋다. 이 경우, 제 1 분파기와 제 3 분파기를 이간 배치할 수 있기 때문에, 양 분파기의 간섭을 방지할 수 있다.
또한, 상기 제 2 분파기와 상기 제 3 분파기가 근접해서 배치되어 있어도 좋다. 이 경우, 고주파 모듈의 소형화를 도모할 수 있다.
또한, 제 4 송신 주파수 대역의 송신 신호가 입력되는 제 4 송신 단자와, 상기 제 4 송신 단자에 입력된 송신 신호를 출력함과 아울러 제 4 수신 주파수 대역의 수신 신호가 입력되는 제 4 공통 단자와, 상기 제 4 공통 단자에 입력된 수신 신호를 출력하는 제 4 수신 단자를 갖는 제 4 분파기와, 상기 배선 기판의 한쪽 주면에 배치되고 상기 제 4 공통 단자에 전기적으로 접속되는 스위치 IC와, 상기 배선 기판의 다른쪽 주면에 설치되고 상기 제 4 수신 단자에 전기적으로 접속되는 제 4 수신 전극과, 상기 배선 기판의 다른쪽 주면에 설치된 그라운드용 실장 전극을 구비하고, 상기 제 4 공통 단자는 상기 제 4 수신 단자보다 상기 스위치 IC 부근에 배치되고, 상기 제 4 수신 전극은 평면으로 볼 때 상기 제 4 공통 단자와 상기 스위치 IC 사이에 배치되며, 상기 그라운드용 실장 전극이 평면으로 볼 때 상기 제 4 수신 단자와 상기 제 4 수신 전극의 사이에 배치되어 있어도 좋다.
이 경우, 제 4 수신 단자와 제 4 수신 전극을 접속하는 인출 배선이 제 4 수신 단자로부터 제 4 공통 단자측으로 인출되기 때문에, 이 인출 배선과 제 4 공통 단자의 거리가 가까워진다. 또한, 제 4 공통 단자로부터 입력되는 수신 신호가 제 4 수신 단자를 통과한 후, 제 4 수신 단자와 제 4 수신 전극을 접속하는 인출 배선에 의해 제 4 공통 단자측으로 유도되기 때문에 해당 인출 배선에 의해 수신 신호의 반환 경로가 구성된다. 그렇게 하면, 제 4 수신 단자, 제 4 수신 전극 및 인출 배선의 근방에서 전류가 집중되기 쉬운 배선 구조가 된다. 전류가 집중되었을 경우, 제 4 공통 단자로부터 출력되는 송신 신호가 인출 배선으로 새거나, 인출 배선을 통과하는 수신 신호가 제 4 공통 단자와 스위치 IC를 접속하는 접속 배선 등으로 새기 쉬워지기 때문에, 제 4 분파기에 있어서의 아이솔레이션 특성이 열화한다.
그래서, 배선 기판(2)의 다른쪽 주면에 설치된 그라운드용 실장 전극을, 평면으로 볼 때 제 4 수신 단자와 제 4 수신 전극의 사이에 배치한다. 이렇게 하면, 제 4 수신 단자, 제 4 수신 전극 및 인출 배선의 근방에서 전류가 집중되는 것을 그라운드용 실장 전극으로 억제할 수 있기 때문에, 제 4 분파기의 송수신 단자간 및 제 4 분파기와 다른 분파기 등의 사이의 아이솔레이션 특성을 향상시킬 수 있다.
또한, 상기 제 4 수신 전극이 상기 배선 기판의 상기 대향변에 근접해서 배치되고, 상기 제 4 분파기가 상기 제 2 분파기보다 상기 배선 기판의 상기 대향변으로부터 떨어진 위치에 배치되어 있어도 좋다. 제 4 분파기 및 제 4 수신 전극이 함께 배선 기판의 상기 대향변에 근접 배치될 경우, 제 4 수신 단자와 제 4 수신 전극을 접속하는 인출 배선 등의 영향으로 제 4 수신 단자, 제 4 수신 전극 및 인출 배선의 근방에 전류가 집중되기 쉽다. 그래서, 제 4 분파기를 제 2 분파기보다 배선 기판의 상기 대향변으로부터 떨어진 위치에 배치함으로써 제 4 분파기와 제 4 수신 전극을 멀어지게 할 수 있기 때문에, 아이솔레이션 특성의 열화에 영향을 주는 전류 고임을 억제할 수 있다.
또한, 제 5 송신 주파수 대역의 송신 신호가 입력되는 제 5 송신 단자와, 상기 제 5 송신 단자에 입력된 송신 신호를 출력함과 아울러 제 5 수신 주파수 대역의 수신 신호가 입력되는 제 5 공통 단자와, 상기 제 5 공통 단자에 입력된 수신 신호를 출력하는 제 5 수신 단자를 갖는 제 5 분파기와, 상기 배선 기판의 한쪽 주면에 배치되고 상기 제 5 공통 단자에 전기적으로 접속되는 스위치 IC와, 상기 배선 기판의 다른쪽 주면에 설치되고 상기 제 5 수신 단자에 전기적으로 접속되는 제 5 수신 전극을 구비하고, 상기 제 5 공통 단자는 상기 제 5 수신 단자보다 상기 스위치 IC 부근에 배치되고, 상기 제 5 수신 전극이 평면으로 볼 때, 상기 스위치 IC에 대하여 상기 제 5 분파기보다 떨어져서 배치되어 있어도 좋다.
이와 같이 제 5 수신 전극을 배치하면, 제 5 수신 단자와 제 5 수신 전극을 접속하는 인출 배선을 제 5 공통 단자측으로 인출할 필요가 없다. 따라서, 제 5 수신 단자, 제 5 수신 전극 및 이것들을 접속하는 인출 배선 근방에 전류가 집중되는 것을 억제할 수 있기 때문에, 제 5 분파기의 송수신 단자간 및 제 5 분파기와 다른 분파기 등의 사이의 아이솔레이션 특성을 향상시킬 수 있다.
또한, 상기 제 1 분파기와 상기 제 2 분파기 사이에 부품이 배치되어 있어도 좋다. 이 경우, 제 1 분파기와 제 2 분파기의 사이를 멀어지게 할 수 있기 때문에, 양 분파기간의 아이솔레이션 특성을 향상시킬 수 있다.
(발명의 효과)
수신 감도 등의 고주파 특성의 열화에 영향을 주는 송신 신호와 수신 신호의 간섭이 억제되기 때문에, 송신 신호 단자와 수신 신호 단자 사이의 아이솔레이션 특성이 향상될 수 있다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시형태에 의한 고주파 모듈의 평면도이다.
도 2는 도 1의 고주파 모듈의 구성도이다.
도 3은 본 발명의 제 2 실시형태에 의한 고주파 모듈의 평면도이다.
도 4는 도 3의 고주파 모듈의 구성도이다.
도 5는 본 발명의 제 3 실시형태에 의한 고주파 모듈의 평면도이다.
도 6은 도 5의 고주파 모듈의 구성도이다.
도 7은 본 발명의 제 4 실시형태에 의한 고주파 모듈의 평면도이다.
도 8은 본 발명의 제 5 실시형태에 의한 고주파 모듈의 평면도이다.
도 9는 종래의 고주파 모듈의 평면도이다.
<제 1 실시형태>
본 발명의 제 1 실시형태에 의한 고주파 모듈(1a)에 대해서, 도 1 및 도 2를 참조해서 설명한다. 또한, 도 1은 고주파 모듈(1a)의 평면도, 도 2는 고주파 모듈(1a)의 구성도이다. 또한, 도 1 및 도 2에서는 발명에 관계되는 일부의 구성을 도시하고 있다.
본 발명에 의한 고주파 모듈(1a)은 휴대 전화기 등의 통신 기기의 안테나에 가까운 개소에 설치되는 프론트 엔드 모듈이고, 배선 기판(2)과, 각각 배선 기판(2)의 한쪽 주면에 실장된 스위치 IC(3), 임피던스 정합 회로 등을 형성하는 칩 인덕터나 칩 콘덴서 등의 칩 부품(4) 및 복수의 분파기(5a, 5b)를 구비한다. 또한, 고주파 모듈(1a)은 복수의 다른 주파수 대역의 통신 시스템을 동시에 운용함으로써, 대용량·고속 통신을 실현하는 CA(Carrier Aggregation)에 대응 가능하게 구성되어 있다. 또한, 이 실시형태에서는 통신 시스템별로 송신 신호와 수신 신호를 분파하는 복수의 분파기(5a, 5b)가 설치되어 있다.
배선 기판(2)은 유리 에폭시 수지, 세라믹 등으로 형성되어 있고, 평면으로 볼 때 직사각형상을 이루고 있다. 그리고, 한쪽 주면에는 스위치 IC(3), 칩 부품(4), 복수의 분파기(5a, 5b)를 실장하기 위한 실장 전극(도시하지 않음)이 형성됨과 아울러, 다른쪽 주면에는 외부의 머더 기판 등과의 접속용의 복수의 외부 전극(6)이 형성된다. 또한, 이 실시형태에서는 복수의 외부 전극(6)은 배선 기판(2)의 다른쪽 주면의 둘레 가장자리부에 병설되어 있다.
스위치 IC(3)는 안테나(ANT)에 접속되는 공통 단자(C)와 복수의 스위칭 단자(S)를 갖고, 공통 단자(C)와 각 스위칭 단자(S) 중 어느 하나를 스위칭 접속한다.
배선 기판(2)에 실장된 복수의 분파기(5a, 5b) 중, 예를 들면 제 1 분파기(5a)는 제 1 송신 주파수 대역의 송신 신호가 입력되는 제 1 송신 단자(Tx1)와, 그 제 1 송신 단자(Tx1)의 입력된 송신 신호를 출력함과 아울러 제 1 수신 주파수 대역의 수신 신호가 입력되는 제 1 공통 단자(A1)와, 그 제 1 공통 단자(A1)에 입력된 수신 신호를 출력하는 제 1 수신 단자(Rx1)를 갖는다. 여기에서, 제 1 공통 단자(A1)는 배선 기판(2)에 형성된 배선 전극을 통해서 스위치 IC(3)의 소정의 스위칭 단자(S)에 접속되고, 제 1 송신 단자(Tx1)는 배선 기판(2)에 형성된 인출 배선에 의해 외부 전극(6) 중 하나인 제 1 송신 전극(Txa)에 접속되며, 제 1 수신 단자(Rx1)는 배선 기판(2)에 형성된 인출 배선에 의해 마찬가지로 외부 전극(6) 중 하나인 제 1 수신 전극(Rxa)에 접속된다. 또한, 이 실시형태에서는 제 1 송신 주파수 대역이 704~716㎒, 제 1 수신 주파수 대역이 734~746㎒로 설정되어 있고, 제 1 분파기(5a)는 소위 Band17의 주파수 대역을 사용하는 통신 시스템용으로 설치되어 있다. 또한, 제 1 공통 단자(A1)는 제 1 수신 단자(Rx1)보다 스위치 IC(3) 부근에 배치될 수 있다.
제 2 분파기(5b)는 제 2 송신 주파수 대역의 송신 신호가 입력되는 제 2 송신 단자(Tx2)와, 그 제 2 송신 단자(Tx2)의 입력된 송신 신호를 출력함과 아울러 제 2 수신 주파수 대역의 수신 신호가 입력되는 제 2 공통 단자(A2)와, 그 제 2 공통 단자(A2)에 입력된 수신 신호를 출력하는 제 2 수신 단자(Rx2)를 갖는다. 여기에서, 제 2 공통 단자(A2)는 배선 기판(2)에 형성된 배선 전극을 통해서 스위치 IC(3)의 소정의 스위칭 단자(S)에 접속되고, 제 2 송신 단자(Tx2)는 배선 기판(2)에 형성된 인출 배선에 의해 외부 전극(6) 중 하나인 제 2 송신 전극(Txb)에 접속되며, 제 2 수신 단자(Rx2)는 배선 기판(2)에 형성된 인출 배선에 의해 마찬가지로 외부 전극(6) 중 하나인 제 2 수신 전극(Rxb)에 접속된다. 또한, 제 2 분파기(5b)는 제 2 송신 주파수 대역이 1710~1755㎒, 제 2 수신 주파수 대역이 2110~2155㎒로 설정되어 있고, 제 2 분파기(5b)는 소위 Band4의 주파수 대역을 사용하는 통신 시스템용으로 설치되어 있다. 또한, 제 2 공통 단자(A2)는 제 2 수신 단자(Rx2)보다 스위치 IC(3) 부근에 배치될 수 있다.
스위치 IC(3)와 제 1 분파기(5a)의 사이, 또는 스위치 IC(3)와 제 2 분파기(5b)의 사이의 임피던스를 정합시키기 위한 임피던스 정합 회로의 일부를 구성하는 칩 부품(4)은, 평면으로 볼 때 배선 기판(2)의 한쪽 주면에 있어서의 제 1 분파기(5a)와 제 2 분파기(5b)의 사이에 배치된다.
그런데, 상기한 Band4의 수신 주파수 대역(제 2 수신 주파수 대역: 2110~2155㎒)은, Band17의 송신 주파수 대역(제 1 송신 주파수 대역: 704~716㎒)의 3차 고조파의 주파수 대역(2112~2148㎒)의 일부에 겹친다. 이와 같은 경우, Band17의 송신 신호의 3차 고조파가 Band4의 수신 신호에 간섭하면, Band4의 주파수 대역을 사용하는 통신 시스템의 수신 감도가 악화될 우려가 있다. 그래서, 이 실시형태에서는 이와 같은 수신 감도의 악화를 억제하도록 구성되어 있다.
구체적으로는, 도 1에 나타내는 바와 같이 제 1 분파기(5a)는 평면으로 볼 때 직사각형상의 배선 기판(2)의 소정의 변에 근접해서 배치됨과 아울러, 제 2 분파기(5b)는 상기 소정의 변의 대향변에 근접해서 배치된다. 또한, 제 1 분파기(5a)의 제 1 송신 단자(Tx1)에 인출 배선을 통해서 접속되는 제 1 송신 전극(Txa)은 배선 기판(2)의 다른쪽 주면의 둘레 가장자리부에 있어서의 상기 소정의 변에 근접한 위치에 배치된다. 제 2 분파기(5b)의 제 2 수신 단자(Rx2)에 인출 배선을 통해서 접속되는 제 2 수신 전극(Rxb)은, 배선 기판(2)의 다른쪽 주면의 둘레 가장자리부에 있어서의 상기 대향변에 근접한 위치에 배치된다. 또한, 이 실시형태에 있어서, 상술의 소정의 변은 평면으로 볼 때 가로로 긴 직사각형상의 배선 기판(2)의 2개의 긴변 중 한쪽이며, 도 1 중의 상측에 위치하는 변이다.
따라서, 상기한 실시형태에 의하면, 제 1 분파기(5a)를 배선 기판(2)의 소정의 변에 근접해서 배치함과 아울러 제 2 분파기(5b)를 배선 기판(2)의 상기 소정의 변의 대향변에 근접해서 배치함으로써, 제 1 분파기(5a)와 제 2 분파기(5b)를 이간 배치할 수 있다. 이 경우, Band17의 송신 신호가 통과하는 제 1 송신 단자(Tx1)와, 해당 송신 신호의 제 3차 고조파의 주파수 대역과 일부가 겹치는 Band4의 수신 신호가 통과하는 제 2 수신 단자(Rx2)가 떨어져서 배치되기 때문에, 수신 감도 등의 고주파 특성의 열화에 영향을 주는 신호의 간섭이 억제되어 양 신호 단자간의 아이솔레이션 특성을 향상시킬 수 있다. 또한, 제 1 송신 단자(Tx1)로부터의 인출 배선 및 제 2 수신 단자(Rx2)로부터의 인출 배선이 서로 멀어지는 방향으로 인출됨으로써 양 인출 배선이 배선 기판(2) 내에서 근접하는 것을 방지할 수 있기 때문에, 양 신호 단자간의 아이솔레이션 특성을 더욱 향상시킬 수 있다.
또한, 제 1 송신 전극(Txa)을 배선 기판(2)의 상기 소정의 변에 근접해서 배치함과 아울러 제 2 수신 전극(Rxb)을 배선 기판(2)의 상기 대향변에 근접해서 배치함으로써, Band17의 송신 신호가 통과하는 제 1 송신 전극(Txa)과, Band4의 수신 신호가 통과하는 제 2 수신 전극(Rxb)의 사이를 멀어지게 할 수 있기 때문에, 수신 감도 등의 고주파 특성의 열화에 영향을 주는 신호의 간섭이 억제되어 양 신호 단자간의 아이솔레이션 특성을 향상시킬 수 있다.
또한, 제 1 송신 단자(Tx1)를 배선 기판(2)의 상기 소정의 변 부근에 배치함과 아울러 제 2 수신 단자(Rx2)를 배선 기판(2)의 상기 대향변 부근에 배치하면, 제 1 송신 단자(Tx1)와 제 2 수신 단자(Rx2)의 거리를 더욱 멀어지게 할 수 있기 때문에 상기한 아이솔레이션 특성을 더욱 향상시킬 수 있다.
또한, 제 1 송신 단자(Tx1) 및 제 2 수신 단자(Rx2) 각각은, 접속처의 외부 전극(제 1 송신 전극(Txa) 또는 제 2 수신 전극(Rxb))보다 평면으로 볼 때에 약간 배선 기판(2)의 내측에 배치된다. 이것들의 구성에 의해, 제 1 송신 단자(Tx1)로부터의 인출 배선(도 1의 화살표 α 참조) 및 제 2 수신 단자(Rx2)로부터의 인출 배선(도 1의 화살표 β 참조)이 서로 멀어지는 방향으로 인출되게 되기 때문에, 아이솔레이션 특성을 더욱 향상시킬 수 있다. 또한, 제 1 송신 단자(Tx1)로부터의 인출 배선과 제 2 수신 단자(Rx2)로부터의 인출 배선이 서로 멀어지는 방향이란, 도 1에 있어서의 화살표 α와 화살표 β를 그 화살표의 방향으로 연장했을 때에 교차하지 않는 방향이다. 예를 들면, 도 1에 있어서 제 1 송신 전극(Txa)이 제 1 송신 단자(Tx1)보다 우측에 배치되어 있어도 좋다.
또한, 제 1 분파기(5a)와 제 2 분파기(5b)의 사이에 칩 부품(4)을 배치함으로써 양 분파기(5a, 5b)의 사이를 멀어지게 할 수 있기 때문에, 양 분파기(5a, 5b)간의 아이솔레이션 특성을 향상시킬 수 있다.
<제 2 실시형태>
본 발명의 제 2 실시형태에 의한 고주파 모듈(1b)에 대해서, 도 3 및 도 4를 참조해서 설명한다. 또한, 도 3은 고주파 모듈(1b)의 평면도, 도 4는 고주파 모듈(1b)의 구성도이다. 또한, 도 3 및 4에서는 발명에 관계되는 일부의 구성을 도시하고 있다.
이 실시형태에 의한 고주파 모듈(1b)이 도 1 및 도 2를 참조해서 설명한 제 1 실시형태의 고주파 모듈(1a)과 다른 점은, 도 3 및 도 4에 나타내는 바와 같이 제 1 분파기(5a)가 사용되는 통신 시스템 및 제 2 분파기(5b)가 사용되는 통신 시스템과는 다른, 별도의 통신 시스템에 사용되는 제 3 분파기(5c)가 더 설치되어 있는 것이다. 기타 구성은 제 1 실시형태의 고주파 모듈(1a)과 같기 때문에, 동일한 부호를 붙임으로써 설명을 생략한다.
이 경우, 제 3 분파기(5c)는 제 3 송신 주파수 대역의 송신 신호가 입력되는 제 3 송신 단자(Tx3)와, 그 제 3 송신 단자(Tx3)에 입력된 송신 신호를 출력함과 아울러 제 3 수신 주파수 대역의 수신 신호가 입력되는 제 3 공통 단자(A3)와, 그 제 3 공통 단자(A3)에 입력된 수신 신호를 출력하는 제 3 수신 단자(Rx3)를 갖는다. 여기에서, 제 3 공통 단자(A3)는 배선 기판(2)에 형성된 배선 전극을 통해서 스위치 IC(3)의 소정의 스위칭 단자(S)에 접속되고, 제 3 송신 단자(Tx3)는 배선 기판(2)에 형성된 인출 배선에 의해 외부 전극 중 하나인 제 3 송신 전극(Txc)에 접속되며, 제 3 수신 단자(Rx3)는 배선 기판(2)에 형성된 인출 배선에 의해 마찬가지로 외부 전극 중 하나인 제 3 수신 전극(Rxc)에 접속된다. 또한, 이 실시형태에서는 제 3 송신 주파수 대역이 1920~1980㎒, 제 3 수신 주파수 대역이 2110~2170㎒로 설정되어 있고, 제 3 분파기(5c)는 소위 Band1의 주파수 대역을 사용하는 통신 시스템용으로 설치되어 있다.
여기에서, Band4의 수신 주파수 대역(제 2 수신 주파수 대역: 2110~2155㎒)과 Band1의 수신 주파수 대역(제 3 수신 주파수 대역: 2110~2170㎒)은 일부가 겹친다. 이와 같은 경우, Band4의 수신 신호와 Band1의 수신 신호가 상호 간섭하면, 양 통신 시스템의 수신 감도가 악화될 우려가 있다. 그래서, 이 실시형태에서는 이와 같은 수신 주파수 대역이 겹칠 경우에 발생하는 수신 감도의 악화도 방지할 수 있도록 구성되어 있다.
구체적으로는, 제 3 분파기(5c)의 제 3 수신 단자(Rx3)에 인출 배선을 통해서 접속되는 제 3 수신 전극(Rxc)이, 배선 기판(2)의 다른쪽 주면의 둘레 가장자리부에 있어서의 상기 대향변(제 2 분파기(5b)를 근접 배치한 변)에 근접한 위치에 배치된다. 그리고, 제 3 수신 전극(Rxc)과 제 2 수신 전극(Rxb) 사이에 외부 전극 중 하나인 그라운드 전극(7)이 배치된다.
또한, 제 3 분파기(5c)는 배선 기판(2)의 한쪽 주면의 상기 대향변에 근접해서 배치됨과 아울러, 제 2 분파기(5b)에 근접해서 배치된다. 또한, 제 3 수신 단자(Rx3)는 제 3 분파기(5c) 내의 상기 대향변 부근의 위치에 배치된다.
이 구성에 의하면, Band4의 수신 신호가 통과하는 제 2 수신 전극(Rxb)과, 이 수신 신호의 주파수 대역과 일부가 겹치는 Band1의 수신 신호가 통과하는 제 3 수신 전극(Rxc)의 사이에 그라운드 전극(7)이 배치되기 때문에, 양 수신 전극(Rxb, Rxc)에 집중되는 전류가 그라운드 전극(7)으로 흐른다. 이 경우, 양 수신 전극(Rxb, Rxc)간에 발생하는 전류 집중을 완화하여 양 수신 신호의 상호 간섭을 방지할 수 있기 때문에, 양 수신 전극(Rxb, Rxc)간의 아이솔레이션 특성을 향상시킬 수 있다.
또한, 제 3 분파기(5c)를 배선 기판(2)의 한쪽 주면의 상기 대향변에 근접해서 배치함으로써 제 1 분파기(5a)와 제 3 분파기(5c)를 이간 배치할 수 있기 때문에, 양 분파기(5a, 5c)간의 아이솔레이션 특성을 향상시킬 수 있다. 또한, 제 2 분파기(5b)와 제 3 분파기(5c)가 근접해서 배치되기 때문에, 고주파 모듈(1b)의 소형화를 도모할 수도 있다.
또한, 상기한 그라운드 전극(7) 대신에, 양 수신 전극(Rxb, Rxc)간에 다른 외부 전극(6)을 배치하도록 해도 좋다. 이 경우, 양 수신 전극(Rxb, Rxc)간의 거리를 멀어지게 할 수 있기 때문에, 양 수신 전극(Rxb, Rxc)간의 아이솔레이션 특성을 향상시킬 수 있다.
<제 3 실시형태>
본 발명의 제 3 실시형태에 의한 고주파 모듈(1c)에 대해서, 도 5 및 도 6을 참조해서 설명한다. 또한, 도 5는 고주파 모듈(1c)의 평면도, 도 6은 고주파 모듈(1c)의 구성도이다. 또한, 도 5 및 6에서는 발명에 관계되는 일부의 구성을 도시하고 있다.
이 실시형태에 의한 고주파 모듈(1c)이 도 1 및 도 2를 참조해서 설명한 제 1 실시형태의 고주파 모듈(1a)과 다른 점은, 도 5 및 도 6에 나타내는 바와 같이 제 1 분파기(5a)가 사용되는 통신 시스템 및 제 2 분파기(5b)가 사용되는 통신 시스템과는 다른, 별도의 통신 시스템에 사용되는 제 4 분파기(5d)가 더 설치되어 있는 것이다. 기타 구성은 제 1 실시형태의 고주파 모듈(1a)과 같기 때문에, 동일한 부호를 붙임으로써 설명을 생략한다.
이 경우, 제 4 분파기(5d)는 배선 기판(2)의 한쪽 주면의 상기 대향변에 근접 배치됨과 아울러, 제 2 분파기(5b)에 근접 배치된다. 또한, 제 4 분파기(5d)는 제 4 송신 주파수 대역의 송신 신호가 입력되는 제 4 송신 단자(Tx4)와, 그 제 4 송신 단자(Tx4)의 입력된 송신 신호를 출력함과 아울러 제 4 수신 주파수 대역의 수신 신호가 입력되는 제 4 공통 단자(A4)와, 그 제 4 공통 단자(A4)에 입력된 수신 신호를 출력하는 제 4 수신 단자(Rx4)를 갖는다.
여기에서, 제 4 공통 단자(A4)는 배선 기판(2)에 형성된 배선 전극을 통해서 스위치 IC(3)의 소정의 스위칭 단자(S)에 접속되고, 제 4 송신 단자(Tx4)는 배선 기판(2)에 형성된 인출 배선에 의해 외부 전극 중 하나인 제 4 송신 전극(Txd)에 접속되고, 제 4 수신 단자(Rx4)는 배선 기판(2)에 형성된 인출 배선에 의해 마찬가지로 외부 전극 중 하나인 제 4 수신 전극(Rxd)에 접속된다. 또한, 이 실시형태에서는 제 4 송신 주파수 대역이 1920~1980㎒, 제 4 수신 주파수 대역이 2110~2170㎒로 설정되어 있고, 제 4 분파기(5d)는 소위 Band1의 주파수 대역을 사용하는 통신 시스템용으로 설치되어 있다.
또한, 제 4 분파기(5d)의 제 4 공통 단자(A4)는 제 4 수신 단자(Rx4)보다 스위치 IC(3) 근방에 배치되고, 제 4 수신 전극(Rxd)은 평면으로 볼 때 제 4 공통 단자(A4)와 스위치 IC(3)의 사이(제 4 공통 단자(A4)보다 스위치 IC(3) 근방의 위치)에 배치된다. 이와 같은 경우, 제 4 수신 단자(Rx4)와 제 4 수신 전극(Rxd)을 접속하는 인출 배선이 제 4 수신 단자(Rx4)로부터 제 4 공통 단자(A4)측으로 인출되기 때문에, 이 인출 배선과 제 4 공통 단자(A4)의 거리가 가까워진다. 또한, 제 4 공통 단자(A4)로부터 입력되는 수신 신호는 제 4 수신 단자(Rx4)를 통과한 후, 제 4 수신 단자(Rx4)와 제 4 수신 전극(Rxd)을 접속하는 인출 배선에 의해 제 4 공통 단자(A4)측으로 유도되기 때문에, 해당 인출 배선에 의해 수신 신호의 반환 경로가 구성된다.
또한, 제 4 분파기(5d)가 배선 기판(2)의 상기 대향변에 근접 배치되어 있기 때문에, 제 4 수신 단자(Rx4)로부터의 인출 배선과, 배선 기판(2)의 다른쪽 주면의 둘레 가장자리부에 있어서의 상기 대향변에 근접 배치된 외부 전극(예를 들면, 제 2 수신 전극(Rxb)이나 제 1 수신 전극(Rxa))과의 거리가 가까워진다. 이와 같은 경우, 제 4 수신 단자(Rx4), 제 4 수신 전극(Rxd) 및 인출 배선의 근방에 전류가 집중되기 쉬운 배선 구조가 된다. 전류가 집중되었을 경우, 제 4 공통 단자(A4)로부터 출력되는 송신 신호가 제 4 수신 단자(Rx4)로부터의 인출 배선으로 새거나, 이 인출 배선을 통과하는 신호가 제 4 공통 단자(A4)와 스위치 IC(3)를 접속하는 접속 배선 등으로 새기 쉬워지기 때문에, 제 4 분파기(5d)의 송수신 단자간의 아이솔레이션 특성이 열화된다. 그래서, 이 실시형태에서는 이 아이솔레이션 특성의 열화를 방지하기 위해서, 평면으로 볼 때 제 4 수신 단자(Rx4)와 제 4 수신 전극(Rxd)의 사이에 외부 전극 중 하나인 그라운드용 실장 전극(8)이 배치되어 있다.
이 구성에 의하면, 제 4 수신 단자(Rx4)와 제 4 수신 전극(Rxd)을 접속하는 인출 배선의 근방에 집중된 전류를 그라운드용 실장 전극(8)을 통해서 접지로 유도함으로써 완화할 수 있기 때문에, 제 4 분파기(5d)의 송수신 신호간 및 제 4 분파기(5d)와 다른 분파기(5a, 5b) 등의 사이의 아이솔레이션 특성을 향상시킬 수 있다.
<제 4 실시형태>
본 발명의 제 4 실시형태의 고주파 모듈(1d)에 대해서, 도 7을 참조해서 설명한다. 또한, 도 7은 고주파 모듈(1d)의 평면도이다.
이 실시형태에 의한 고주파 모듈(1d)이 도 5 및 도 6을 참조해서 설명한 제 3 실시형태의 고주파 모듈(1c)과 다른 점은, 도 7에 나타내는 바와 같이 제 4 분파기(5d)가 제 2 분파기(5b)보다 배선 기판(2)의 상기 대향변으로부터 떨어진 위치에 배치되어 있는 것이다. 기타 구성은 제 3 실시형태의 고주파 모듈(1c)과 같기 때문에, 동일한 부호를 붙임으로써 설명을 생략한다.
이 구성에 의하면, 제 4 수신 단자(Rx4)로부터의 인출 배선과, 배선 기판(2)의 상기 대향변에 근접 배치된 외부 전극(예를 들면, 제 2 수신 전극(Rxb)이나 제 1 수신 전극(Rxa))의 거리를 멀어지게 할 수 있기 때문에, 아이솔레이션 특성의 열화의 요인이 되는 전류 집중을 억제할 수 있다. 또한, 이 실시형태에 있어서, 그라운드용 실장 전극(8)은 반드시 설치하지 않아도 좋다.
<제 5 실시형태>
본 발명의 제 5 실시형태에 의한 고주파 모듈(1e)에 대해서, 도 8을 참조해서 설명한다. 또한, 도 8은 고주파 모듈(1e)의 평면도이다.
이 실시형태에 의한 고주파 모듈(1e)이 도 5 및 도 6을 참조해서 설명한 제 3 실시형태의 고주파 모듈(1c)과 다른 점은, 도 8에 나타내는 바와 같이 제 4 수신 전극(Rxd)이 평면으로 볼 때 스위치 IC(3)에 대하여 제 4 분파기(5d)보다 떨어져서 배치되어 있는 것, 및 그라운드용 실장 전극(8)이 설치되어 있지 않은 것이다. 기타 구성은 제 3 실시형태의 고주파 모듈(1c)과 같기 때문에, 동일한 부호를 붙임으로써 설명을 생략한다.
이 경우, 제 3 실시형태의 고주파 모듈(1c)과 같이 제 4 수신 단자(Rx4)로부터의 인출 배선이 제 4 공통 단자(A4)측을 향해서 인출되지 않고, 제 4 공통 단자(A4)로부터 멀어지는 방향으로 인출된다. 이 구성에 의하면, 제 4 수신 단자(Rx4)와 제 4 수신 전극(Rxd)을 접속하는 상기 인출 배선 근방에 전류가 집중되는 것을 억제할 수 있기 때문에, 제 4 분파기(5d)의 송수신 신호간 및 제 4 분파기(5d)와 다른 분파기(5a, 5b) 등의 사이의 아이솔레이션 특성을 향상시킬 수 있다.
또한, 이 실시형태에 있어서 제 4 분파기(5d)가 본 발명의 「제 5 분파기」에 상당하고, 제 4 분파기(5d)가 사용되는 통신 시스템의 통신 신호(Band1)의 주파수 대역(송신측: 1920~1980㎒, 수신측: 2110~2170㎒)이 본 발명의 「제 5 송신 주파수 대역」, 「제 5 수신 주파수 대역」에 상당하고, 제 4 공통 단자(A4)가 본 발명의 「제 5 공통 단자」에 상당하고, 제 4 송신 단자(Tx4)가 본 발명의 「제 5 송신 단자」에 상당하고, 제 4 수신 단자(Rx4)가 본 발명의 「제 5 수신 단자」에 상당하며, 제 4 수신 전극(Rxd)이 본 발명의 「제 5 수신 전극」에 상당한다.
또한, 본 발명은 상기한 각 실시형태에 한정되는 것은 아니고, 그 취지를 일탈하지 않는 한에 있어서 상기한 것 이외에 여러 가지의 변경을 행하는 것이 가능하다. 예를 들면, 상기한 제 1 실시형태에서는 제 1 송신 주파수 대역, 및 그 제 1 송신 주파수 대역의 고조파의 주파수 대역과 그 일부가 겹치는 제 2 수신 주파수 대역의 일례로서 Band17 및 Band4에 대해서 설명했지만, 마찬가지의 주파수 대역의 관계에 있는 것이면 적당하게 변경할 수 있다. 또한, 제 2 실시형태에 있어서, 제 2 수신 주파수 대역과 제 3 수신 주파수 대역이 일부 겹칠 경우도 마찬가지이다.
또한, 각 고주파 모듈(1a~1e) 각각은 송신 신호의 증폭용의 파워 앰프를 더 구비하는 구성이라도 상관없다. 예를 들면, 제 1 분파기(5a)의 제 1 송신 단자(Tx1)에 파워 앰프를 접속하는 구성이면, 제 1 송신 단자(Tx1)와 파워 앰프를 접속하는 인출 배선, 및 제 2 분파기(5b)의 제 2 수신 단자(Rx2)로부터의 인출 배선이 서로 멀어지는 방향으로 인출되도록 하면 좋다.
또한, 제 1 분파기(5a)와 제 2 분파기(5b)의 사이에 배치하는 실장 부품은 상기한 칩 부품(4)에 한하지 않고, IC라도 상관없다.
<산업상의 이용 가능성>
또한, 본 발명은 복수의 분파기가 배선 기판에 실장된 고주파 모듈에 널리 적용할 수 있다.
1a~1e : 고주파 모듈 2 : 배선 기판
3 : 스위치 IC 4 : 칩 부품(부품)
5a : 제 1 분파기 5b : 제 2 분파기
5c : 제 3 분파기 5d : 제 4 분파기(제 5 분파기)
7 : 그라운드 전극 8 : 그라운드용 실장 전극
Tx1 : 제 1 송신 단자 Rx1 : 제 1 수신 단자
Tx2 : 제 2 송신 단자 Rx2 : 제 2 수신 단자
Tx3 : 제 3 송신 단자 Rx3 : 제 3 수신 단자
Tx4 : 제 4 송신 단자(제 5 송신 단자)
Rx4 : 제 4 수신 단자(제 5 수신 단자)
A1 : 제 1 공통 단자 A2 : 제 2 공통 단자
A3 : 제 3 공통 단자 A4 : 제 4 공통 단자(제 5 공통 단자)
Txa : 제 1 송신 전극 Rxb : 제 2 수신 전극
Rxc : 제 3 수신 전극 Rxd : 제 4 수신 전극(제 5 수신 전극)

Claims (10)

  1. 평면으로 볼 때 직사각형상의 배선 기판과,
    제 1 송신 주파수 대역의 송신 신호가 입력되는 제 1 송신 단자와, 상기 제 1 송신 단자에 입력된 송신 신호를 출력함과 아울러 제 1 수신 주파수 대역의 수신 신호가 입력되는 제 1 공통 단자와, 상기 제 1 공통 단자에 입력된 수신 신호를 출력하는 제 1 수신 단자를 갖는 제 1 분파기와,
    제 2 송신 주파수 대역의 송신 신호가 입력되는 제 2 송신 단자와, 상기 제 2 송신 단자에 입력된 송신 신호를 출력함과 아울러 제 2 수신 주파수 대역의 수신 신호가 입력되는 제 2 공통 단자와, 상기 제 2 공통 단자에 입력된 상기 수신 신호를 출력하는 제 2 수신 단자를 갖는 제 2 분파기와,
    상기 배선 기판의 한쪽 주면에 배치되고, 상기 제 1 공통 단자 및 상기 제 2 공통 단자에 전기적으로 접속되는 스위치 IC를 구비하고,
    상기 제 2 수신 주파수 대역은 상기 제 1 송신 주파수 대역의 송신 신호의 고조파의 주파수 대역과 그 일부가 겹치는 주파수 대역으로 설정되고,
    상기 제 1 분파기는 상기 배선 기판의 한쪽 주면의 소정의 변에 근접해서 배치됨과 아울러 상기 제 2 분파기는 상기 소정의 변에 대향하는 대향변에 근접해서 배치되며,
    상기 제 1 송신 단자가 상기 배선 기판의 상기 소정의 변 부근에 배치됨과 아울러, 상기 제 2 수신 단자가 상기 배선 기판의 상기 대향변 부근에 배치되어 있고,
    각각 상기 배선 기판에 형성된 상기 제 1 송신 단자로부터의 인출 배선 및 상기 제 2 수신 단자로부터의 인출 배선이 서로 멀어지는 방향으로 인출되어 있는 것을 특징으로 하는 고주파 모듈.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 배선 기판의 다른쪽 주면에 설치되고 상기 제 1 송신 단자로부터의 인출 배선에 접속되는 제 1 송신 전극과,
    상기 배선 기판의 다른쪽 주면에 설치되고 상기 제 2 수신 단자로부터의 인출 배선에 접속되는 제 2 수신 전극을 구비하고,
    상기 제 1 송신 전극이 상기 배선 기판의 상기 소정의 변에 근접해서 배치되고,
    상기 제 2 수신 전극이 상기 배선 기판의 상기 대향변에 근접해서 배치되는 것을 특징으로 하는 고주파 모듈.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 공통 단자 및 상기 제 2 공통 단자는 상기 제 1 수신 단자 및 상기 제 2 수신 단자보다 상기 스위치 IC 부근에 배치되는 것을 특징으로 하는 고주파 모듈.
  4. 제 2 항에 있어서,
    제 3 송신 주파수 대역의 송신 신호가 입력되는 제 3 송신 단자와, 상기 제 3 송신 단자에 입력된 송신 신호를 출력함과 아울러 제 3 수신 주파수 대역의 수신 신호가 입력되는 제 3 공통 단자와, 상기 제 3 공통 단자에 입력된 수신 신호를 출력하는 제 3 수신 단자를 갖는 제 3 분파기와,
    상기 배선 기판의 다른쪽 주면에 설치되고 제 3 수신 단자에 전기적으로 접속되는 제 3 수신 전극과,
    상기 배선 기판의 다른쪽 주면에 설치된 그라운드 전극을 구비하고,
    상기 제 2 수신 주파수 대역과 상기 제 3 수신 주파수 대역은 일부 겹치며,
    상기 제 2 수신 전극과 상기 제 3 수신 전극의 사이에 그라운드 전극이 배치되는 것을 특징으로 하는 고주파 모듈.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 제 3 분파기는 상기 배선 기판의 한쪽 주면의 상기 대향변에 근접해서 배치되는 것을 특징으로 하는 고주파 모듈.
  6. 제 4 항 또는 제 5 항에 있어서,
    상기 제 2 분파기와 상기 제 3 분파기가 근접해서 배치되는 것을 특징으로 하는 고주파 모듈.
  7. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    제 4 송신 주파수 대역의 송신 신호가 입력되는 제 4 송신 단자와, 상기 제 4 송신 단자에 입력된 송신 신호를 출력함과 아울러 제 4 수신 주파수 대역의 수신 신호가 입력되는 제 4 공통 단자와, 상기 제 4 공통 단자에 입력된 수신 신호를 출력하는 제 4 수신 단자를 갖는 제 4 분파기와,
    상기 배선 기판의 다른쪽 주면에 설치되고 상기 제 4 수신 단자에 전기적으로 접속되는 제 4 수신 전극과,
    상기 배선 기판의 다른쪽 주면에 설치된 그라운드용 실장 전극을 구비하고,
    상기 스위치 IC는, 상기 제 4 공통 단자에 전기적으로 접속되고,
    상기 제 4 공통 단자는 상기 제 4 수신 단자보다 상기 스위치 IC 부근에 배치되고,
    상기 제 4 수신 전극은 평면으로 볼 때, 상기 제 4 공통 단자와 상기 스위치 IC 사이에 배치되며,
    상기 그라운드용 실장 전극이 평면으로 볼 때, 상기 제 4 수신 단자와 상기 제 4 수신 전극 사이에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 고주파 모듈.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 제 4 수신 전극이 상기 배선 기판의 상기 대향변에 근접해서 배치되고,
    상기 제 4 분파기가 상기 제 2 분파기보다 상기 배선 기판의 상기 대향변으로부터 떨어진 위치에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 고주파 모듈.
  9. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    제 5 송신 주파수 대역의 송신 신호가 입력되는 제 5 송신 단자와, 상기 제 5 송신 단자에 입력된 송신 신호를 출력함과 아울러 제 5 수신 주파수 대역의 수신 신호가 입력되는 제 5 공통 단자와, 상기 제 5 공통 단자에 입력된 수신 신호를 출력하는 제 5 수신 단자를 갖는 제 5 분파기와,
    상기 배선 기판의 다른쪽 주면에 설치되고 상기 제 5 수신 단자에 전기적으로 접속되는 제 5 수신 전극을 구비하고,
    상기 스위치 IC는, 상기 제 5 공통 단자에 전기적으로 접속되고,
    상기 제 5 공통 단자는 상기 제 5 수신 단자보다 상기 스위치 IC 부근에 배치되며,
    상기 제 5 수신 전극이 평면으로 볼 때, 상기 스위치 IC에 대하여 상기 제 5 분파기보다 떨어져서 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 고주파 모듈.
  10. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 분파기와 상기 제 2 분파기 사이에 부품이 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 고주파 모듈.
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