CN117099313A - 高频模块和通信装置 - Google Patents

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Abstract

在同时发送不同频带中的发送信号的情况下抑制隔离度的下降。高频模块(1)具备第1功率放大器、第2功率放大器、第1开关(20)、第2开关(30)、第3开关(40)以及安装基板(100)。第1开关(20)、第2开关(30)以及第3开关(40)构成为能够将第1功率放大器及第2功率放大器同时与天线端子连接。在从安装基板(100)的厚度方向(D1)俯视时，第1开关(20)配置于第2开关(30)与第3开关(40)之间。第2开关(30)和第3开关(40)配置于安装基板(100)的第1主面(101)和第2主面(102)中的同一主面。

Description

高频模块和通信装置
技术领域
本发明一般地说涉及一种高频模块和通信装置，更详细地说，涉及一种对第1发送信号和第2发送信号进行放大的高频模块和通信装置。
背景技术
以往，已知一种对频带进行选择的装置(例如，参照专利文献1)。专利文献1的前端模块(FET)包括SPDT(Single-Pole Double Throw：单刀双掷)开关(第1开关)、2个SP4T(Single-Pole 4Throw：单刀四掷)开关(第2开关、第3开关)、以及8个SAW滤波器。第1开关对天线与第2开关的连接进行切换，以及对天线与第3开关的连接进行切换。第2开关与第1开关连接。第2开关选择4个SAW滤波器中的1个SAW滤波器来作为第1开关的连接目的地。第3开关与第1开关连接。第3开关选择与上述4个SAW滤波器不同的4个SAW滤波器中的1个SAW滤波器来作为第1开关的连接目的地。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2019-092201号公报
发明内容
发明要解决的问题
另外，寻求同时发送不同频带中的多个发送信号。例如，在专利文献1的FET中，第1开关将第2开关及第3开关与互不相同的SAW滤波器同时连接。由此，专利文献1的FET将通过与第2开关连接的1个SAW滤波器的发送信号、以及通过与第3开关连接的1个SAW滤波器的发送信号同时发送。然而，在专利文献1的FET中，在同时发送不同频带中的多个发送信号的情况下，隔离度有可能下降。
本发明是鉴于上述问题而完成的，目的在于提供一种在同时发送不同频带中的多个发送信号的情况下能够抑制隔离度的下降的高频模块和通信装置。
用于解决问题的方案
本发明的一个方式所涉及的高频模块具备第1功率放大器、第2功率放大器、第1开关、第2开关、第3开关、以及安装基板。所述第1功率放大器对第1频带的第1发送信号进行放大。所述第2功率放大器对与所述第1频带不同的第2频带的第2发送信号进行放大。所述第1开关与天线端子连接。所述第2开关对所述第1功率放大器与所述第1开关的连接进行切换。所述第3开关对所述第2功率放大器与所述第1开关的连接进行切换。所述安装基板具有彼此相向的第1主面和第2主面，所述第1功率放大器、所述第2功率放大器、所述第1开关、所述第2开关以及所述第3开关配置于所述安装基板。所述第1开关、所述第2开关以及所述第3开关构成为能够将所述第1功率放大器及所述第2功率放大器同时与所述天线端子连接。在从所述安装基板的厚度方向俯视时，所述第1开关配置于所述第2开关与所述第3开关之间。所述第2开关和所述第3开关配置于所述安装基板的所述第1主面和所述第2主面中的同一主面。
本发明的一个方式所涉及的高频模块具备第1功率放大器、第2功率放大器、第1开关、第2开关、第3开关、以及安装基板。所述第1功率放大器对第1频带的第1发送信号进行放大。所述第2功率放大器对与所述第1频带不同的第2频带的第2发送信号进行放大。所述第1开关与天线端子连接。所述第2开关对所述第1功率放大器与所述第1开关的连接进行切换。所述第3开关对所述第2功率放大器与所述第1开关的连接进行切换。所述安装基板具有彼此相向的第1主面和第2主面，所述第1功率放大器、所述第2功率放大器、所述第1开关、所述第2开关以及所述第3开关配置于所述安装基板。所述第1开关、所述第2开关以及所述第3开关构成为能够将所述第1功率放大器及所述第2功率放大器同时与所述天线端子连接。所述第2开关和所述第3开关配置于所述安装基板的所述第1主面和所述第2主面中的互不相同的主面。
本发明的一个方式所涉及的通信装置具备：所述高频模块；以及信号处理电路，其对要通过所述高频模块的所述第1发送信号和所述第2发送信号进行处理。
发明的效果
根据本发明的上述结构所涉及的高频模块和通信装置，在同时发送不同频带中的发送信号的情况下能够抑制隔离度的下降。
附图说明
图1是示出一个实施方式所涉及的高频模块的示意性的电路图。
图2是示出上述的高频模块所具备的安装基板的第1主面中的电子部件的配置的俯视图。
图3是从安装基板的第1主面侧对上述的高频模块所具备的安装基板的第2主面中的电子部件的配置进行透视而得到的俯视图。
图4是示出上述的高频模块的、图2的X1-X1线截面图。
图5是一个实施方式的变形例1所涉及的高频模块的截面图。
图6是一个实施方式的变形例2所涉及的高频模块的截面图。
图7是一个实施方式的变形例3所涉及的高频模块的截面图。
图8是一个实施方式的变形例3的另一变形例所涉及的高频模块的截面图。
图9是示出一个实施方式的变形例3所涉及的高频模块的安装基板的第1主面中的电子部件的配置的俯视图。
具体实施方式
在以下的实施方式等中参照的图2～图9均为示意性的图，图中的各结构要素的大小之比、厚度之比未必反映出实际的尺寸比。
(实施方式)
下面，使用图1～图4来说明本实施方式所涉及的高频模块1和通信装置500。
(1)概要
如图1所示，高频模块1具备第1功率放大器81、第2功率放大器82、第1开关20、第2开关30、以及第3开关40。第1功率放大器81对第1频带的第1发送信号进行放大。第2功率放大器82对与第1频带不同的第2频带的第2发送信号进行放大。第1开关20与天线端子(在此为第1天线端子11、第2天线端子12)连接。第2开关30对第1功率放大器81与第1开关20的连接进行切换。第3开关40对第2功率放大器82与第1开关20的连接进行切换。
并且，如图4所示，高频模块1具备安装基板100、第1树脂层120、以及第2树脂层125。安装基板100具有在安装基板100的厚度方向D1上彼此相向的第1主面101和第2主面102。第1功率放大器81、第2功率放大器82、第1开关20、第2开关30以及第3开关40配置于安装基板100。
本实施方式所涉及的高频模块1例如用于支持多模式/多频段的通信装置500。通信装置500例如是便携式电话(例如，智能手机)，但是不限于此，例如也可以是可穿戴终端(例如，智能手表)等。高频模块1例如是能够支持4G(第四代移动通信)标准、5G(第五代移动通信)标准等的模块。4G标准例如是3GPP(Third Generation Partnership Project：第三代合作伙伴计划)LTE(Long Term Evolution：长期演进)标准。5G标准例如是5G NR(NewRadio：新空口)。第1开关20构成为能够将第1功率放大器81及第2功率放大器82同时与天线端子连接。即，高频模块1是能够支持载波聚合(Carrier Aggregation)和双连接(DualConnectivity)的模块。在此，载波聚合和双连接是指同时使用多个频带的电波的通信。
本实施方式所涉及的高频模块1同时进行4G中规定的频带的信号的通信、以及4G中规定的其它频带的信号的通信。高频模块1同时进行4G中规定的频带的信号的通信、以及5G中规定的频带的信号的通信。高频模块1同时进行5G中规定的频带的信号的通信、以及5G中规定的其它频带的信号的通信。下面，将基于载波聚合或者双连接的通信也称为同时通信。
本实施方式所涉及的高频模块1进行中频段的频带(第1频带)的通信、以及高频段的频带(第2频带)的通信。在本实施方式中，作为4G中规定的高频段的频带，例如能够使用Band41(频带为2496MHz～2690MHz)，作为4G中规定的中频段的频带，例如能够使用Band1(频带为1920MHz～1980MHz)。作为5G中规定的高频段的频带，例如能够使用n41(频带为2496MHz～2690MHz)，作为5G中规定的中频段的频带，例如能够使用n1(频带为1920MHz～1980MHz)。另外，Band41及n41用于时分双工方式(TDD：Time Division Duplex)的通信。Band1及n1用于频分双工方式(FDD：Frequency Division Duplex)。此外，作为4G中规定的高频段的频带，例如也可以使用Band40。另外，作为4G中规定的中频段的频带，例如也可以使用Band3、Band2、Band25、Band4、Band66、Band39、或者Band34。作为5G中规定的中频段的频带，例如也可以使用n3。
在本实施方式中，高频模块1能够进行基于载波聚合或者双连接的通信的同时通信。因此，高频模块1能够同时进行利用4G(或者5G)中规定的高频段的频带的发送、以及利用4G(或者5G)中规定的中频段的频带的发送。高频模块1能够同时进行利用4G(或者5G)中规定的高频段的频带的接收、以及利用4G(或者5G)中规定的中频段的频带的接收。并且，高频模块1能够同时进行利用4G(或者5G)中规定的高频段的频带的发送、以及利用4G(或者5G)中规定的中频段的频带的接收。高频模块1能够同时进行利用4G(或者5G)中规定的高频段的频带的接收、以及利用4G(或者5G)中规定的中频段的频带的发送。
在本实施方式中，第1发送滤波器61使中频段的频带(第1频带)的发送信号(第1发送信号)通过。第2发送滤波器62使作为与第1频带不同的频带的高频段的频带(第2频带)的发送信号(第2发送信号)通过。
如图1所示，高频模块1还具备第1发送滤波器61、第2发送滤波器62、第1接收滤波器63、以及第2接收滤波器64。第1接收滤波器63使中频段的频带的接收信号(第1接收信号)通过。第2接收滤波器64使作为与中频段的频带不同的频带的高频段的频带的接收信号(第2接收信号)通过。即，第2接收滤波器64使与第1接收信号的频带不同的频带的接收信号(第2接收信号)通过。
(2)结构
下面，参照图1～图4来说明本实施方式所涉及的高频模块1和通信装置500的结构。
高频模块1例如构成为能够将从信号处理电路501(参照图1)输入的发送信号(高频信号)放大后输出到第1天线511和第2天线512。高频模块1例如构成为能够将从第1天线511和第2天线512输入的接收信号(高频信号)放大后输出到信号处理电路501。信号处理电路501不是高频模块1的结构要素，而是具备高频模块1的通信装置500的结构要素。高频模块1例如由通信装置500所具备的信号处理电路501控制。通信装置500具备高频模块1和信号处理电路501。通信装置500还具备第1天线511、第2天线512。通信装置500还具备安装有高频模块1的电路基板。电路基板例如是印刷电路板。电路基板具有被提供地电位的地电极。
信号处理电路501对通过高频模块1的信号(例如，接收信号、发送信号)进行处理。信号处理电路501例如包括RF信号处理电路502和基带信号处理电路503。RF信号处理电路502例如是RFIC(Radio Frequency Integrated Circuit：射频集成电路)，对高频信号进行信号处理。RF信号处理电路502例如对从基带信号处理电路503输出的高频信号(发送信号)进行上变频等信号处理，并输出进行了信号处理后的高频信号。另外，RF信号处理电路502例如对从高频模块1输出的高频信号(接收信号)进行下变频等信号处理，并将进行了信号处理后的高频信号输出到基带信号处理电路503。
基带信号处理电路503例如是BBIC(Baseband Integrated Circuit：基带集成电路)。基带信号处理电路503基于基带信号来生成I相信号和Q相信号。基带信号例如是从外部输入的声音信号、图像信号等。基带信号处理电路503通过将I相信号与Q相信号合成来进行IQ调制处理，并输出发送信号。此时，发送信号被生成为将规定频率的载波信号以比该载波信号的周期长的周期进行振幅调制而得到的调制信号(IQ信号)。在基带信号处理电路503中进行了处理后的接收信号例如作为图像信号来用于图像显示，或者作为声音信号来用于通话。本实施方式所涉及的高频模块1在第1天线511及第2天线512与信号处理电路501的RF信号处理电路502之间传输高频信号(接收信号)。
如图1所示，高频模块1具备第1天线端子11、第2天线端子12、第1开关20、第2开关30、以及第3开关40。另外，如图1所示，高频模块1具备第1匹配电路51、第2匹配电路52、第3匹配电路53、第4匹配电路54、第1发送滤波器61、第2发送滤波器62、第1接收滤波器63、以及第2接收滤波器64。并且，如图1所示，高频模块1具备第5匹配电路71、第6匹配电路72、第7匹配电路73、第8匹配电路74、第1功率放大器81、第2功率放大器82、第1低噪声放大器83、以及第2低噪声放大器84。高频模块1还具备第1输入端子91、第2输入端子92、第1输出端子93以及第2输出端子94。
第1天线端子11与第1天线511电连接。第2天线端子12与第2天线512电连接。在此，“A与B连接”不仅包括A与B接触，还包括A与B经由导体电极、导体端子、布线或其它电路部件等来电连接。
第1开关20构成为能够将第1天线511与第2开关30连接，且能够将第2天线512与第3开关40连接。即，第1开关20构成为能够同时将第1天线511及第2天线512与第2开关30及第3开关40连接。
第1开关20与天线端子电连接。具体地说，第1开关20与第1天线端子11及第2天线端子12电连接。第1开关20与第2开关30及第3开关40电连接。具体地说，第1开关20具有第1端子21、第2端子22、第3端子23以及第4端子24。第1开关20通过信号处理电路501的控制来进行第1端子21与第2端子22之间或者第1端子21与第4端子24之间的连接的动作(开闭动作)、以及第3端子23与第4端子24之间或者第3端子23与第2端子22之间的连接的动作(开闭动作)。第1端子21与第1天线端子11电连接。也就是说，第1端子21经由第1天线端子11来与第1天线511电连接。第3端子23与第2天线端子12电连接。也就是说，第3端子23经由第2天线端子12来与第2天线512电连接。此外，不限定于第1端子21与第1天线511直接连接。也可以在第1端子21与第1天线511之间设置有滤波器或者耦合器等。同样地，不限定于第3端子23与第2天线512直接连接。在第3端子23与第2天线512之间也可以设置有滤波器或者耦合器等。第2端子22与第2开关30电连接。第4端子24与第3开关40电连接。
第2开关30与第1发送滤波器61及第1接收滤波器63电连接。第2开关30与第1开关20电连接。具体地说，第2开关30具有公共端子31、以及多个(在图示例中为3个)选择端子32、33、34。第2开关30通过信号处理电路501的控制来将多个选择端子32、33、34中的至少一个选择为公共端子31的连接目的地。公共端子31与第1开关20的第2端子22电连接。即，公共端子31经由第1开关20来与第1天线端子11电连接。也就是说，公共端子31经由第1天线端子11来与第1天线511电连接。选择端子32与第1发送滤波器61及第1接收滤波器63电连接。由于附图的关系，选择端子33、34的连接目的地省略。选择端子33、34各自的连接目的地与使以下频带的信号通过的发送滤波器及接收滤波器电连接：该频带为中频段的频带，且是与第1发送滤波器61及第1接收滤波器63中信号通过的频带不同的频带。
第3开关40与第2发送滤波器62及第2接收滤波器64电连接。第3开关40与第1开关20电连接。具体地说，第3开关40具有公共端子41、以及多个(在图示例中为3个)选择端子42、43、44。第3开关40通过信号处理电路501的控制来将多个选择端子42、43、44中的至少一个选择为公共端子41的连接目的地。公共端子41与第1开关20的第4端子24电连接。即，公共端子41经由第1开关20来与第2天线端子12电连接。也就是说，公共端子41经由第2天线端子12来与第2天线512电连接。选择端子42与第2发送滤波器62及第2接收滤波器64电连接。由于附图的关系，选择端子43、44的连接目的地省略。选择端子43、44各自的连接目的地与使以下频带的信号通过的发送滤波器及接收滤波器电连接：该频带是高频段的频带，且是与第2发送滤波器62及第2接收滤波器64中信号通过的频带不同的频带。
第1开关20能够与第2开关30及第3开关40同时连接。具体地说，第1开关20构成为能够将第1功率放大器81及第2功率放大器82同时与天线端子连接。更详细地说，第1开关20构成为能够同时将第1功率放大器81与第1天线端子11、以及第2功率放大器82与第2天线端子12连接。即，第1开关20能够同时与第1发送滤波器61及第2发送滤波器62连接。通过同时与第1发送滤波器61及第2发送滤波器62连接，能够利用第1发送滤波器61和第2发送滤波器62进行同时通信。“能够进行同时通信”设为：只要是3GPP LTE标准中决定为能够进行同时通信的频带，则能够进行同时通信。
第1匹配电路51例如是电感器。更详细地说，第1匹配电路51是片式电感器。第1匹配电路51电连接于第2开关30与第1发送滤波器61之间的路径，用于取得第2开关30与第1发送滤波器61的阻抗匹配。
第2匹配电路52例如是电感器。更详细地说，第2匹配电路52是片式电感器。第2匹配电路52电连接于第3开关40与第2发送滤波器62之间的路径，用于取得第3开关40与第2发送滤波器62的阻抗匹配。
第3匹配电路53例如是电感器。更详细地说，第3匹配电路53是片式电感器。第3匹配电路53电连接于第2开关30与第1接收滤波器63之间的路径，用于取得第2开关30与第1接收滤波器63的阻抗匹配。
第4匹配电路54例如是电感器。更详细地说，第4匹配电路54是片式电感器。第4匹配电路54电连接于第3开关40与第2接收滤波器64之间的路径，用于取得第3开关40与第2接收滤波器64的阻抗匹配。
在本实施方式中，第1匹配电路51和第3匹配电路53被集成为单芯片，第2匹配电路52和第4匹配电路54被集成为单芯片。在本实施方式中，将第1匹配电路51和第3匹配电路53被集成为单芯片后的部件称为第1匹配芯片50a，将第2匹配电路52和第4匹配电路54被集成为单芯片后的部件称为第2匹配芯片50b。
第1发送滤波器61是使从第1功率放大器81输出的中频段的频带的发送信号(第1发送信号)通过的滤波器。第1发送滤波器61经由第1匹配电路51来与第2开关30电连接。即，第1发送滤波器61与第2开关30连接，使第1发送信号通过。第1发送滤波器61例如是梯型滤波器，具有多个(例如，4个)串联臂谐振子和多个(例如，3个)并联臂谐振子。第1发送滤波器61例如是弹性波滤波器。在弹性波滤波器中，多个串联臂谐振子和多个并联臂谐振子分别由弹性波谐振子构成。弹性波滤波器例如是利用声表面波的声表面波滤波器。在声表面波滤波器中，多个串联臂谐振子和多个并联臂谐振子分别例如是SAW(Surface AcousticWave：声表面波)谐振子。此外，第1发送滤波器61不限定于SAW滤波器。第1发送滤波器61除了是SAW滤波器以外，例如也可以是BAW(Bulk Acoustic Wave：体声波)滤波器。BAW滤波器中的谐振子例如是FBAR(Film Bulk Acoustic Resonator：薄膜体声波谐振子)或者SMR(Solidly Mounted Resonator：固态装配型谐振子)。BAW滤波器具有基板。BAW滤波器所具有的基板例如是硅基板。
第2发送滤波器62是使从第2功率放大器82输出的高频段的频带的发送信号(第2发送信号)通过的滤波器。第2发送滤波器62经由第2匹配电路52来与第3开关40电连接。即，第2发送滤波器62与第3开关40连接，使与第1发送信号的频带不同的第2发送信号通过。第2发送滤波器62例如是梯型滤波器，具有多个(例如，4个)串联臂谐振子和多个(例如，3个)并联臂谐振子。第2发送滤波器62例如是弹性波滤波器。在弹性波滤波器中，多个串联臂谐振子和多个并联臂谐振子分别由弹性波谐振子构成。弹性波滤波器例如是利用声表面波的声表面波滤波器。在声表面波滤波器中，多个串联臂谐振子和多个并联臂谐振子分别例如是SAW谐振子。此外，第2发送滤波器62不限定于SAW滤波器。第2发送滤波器62除了是SAW滤波器以外，例如也可以是BAW滤波器。
第1接收滤波器63是使向第1低噪声放大器83输入的中频段的频带的接收信号(第1接收信号)通过的滤波器。第1接收滤波器63经由第3匹配电路53来与第2开关30电连接。即，第1接收滤波器63与第2开关30连接，使第1接收信号通过。第1接收滤波器63例如是梯型滤波器，具有多个(例如，4个)串联臂谐振子和多个(例如，3个)并联臂谐振子。第1接收滤波器63例如是弹性波滤波器。在弹性波滤波器中，多个串联臂谐振子和多个并联臂谐振子分别由弹性波谐振子构成。弹性波滤波器例如是利用声表面波的声表面波滤波器。在声表面波滤波器中，多个串联臂谐振子和多个并联臂谐振子分别例如是SAW谐振子。此外，第1接收滤波器63不限定于SAW滤波器。第1接收滤波器63除了是SAW滤波器以外，例如也可以是BAW滤波器。
第2接收滤波器64是使向第2低噪声放大器84输入的高频段的频带的接收信号(第2接收信号)通过的滤波器。第2接收滤波器64经由第4匹配电路54来与第3开关40电连接。即，第2接收滤波器64与第3开关40连接，使与第1接收信号的频带不同的频带的第2接收信号通过。第2接收滤波器64例如是梯型滤波器，具有多个(例如，4个)串联臂谐振子和多个(例如，3个)并联臂谐振子。第2接收滤波器64例如是弹性波滤波器。在弹性波滤波器中，多个串联臂谐振子和多个并联臂谐振子分别由弹性波谐振子构成。弹性波滤波器例如是利用声表面波的声表面波滤波器。在声表面波滤波器中，多个串联臂谐振子和多个并联臂谐振子分别例如是SAW谐振子。此外，第2接收滤波器64不限定于SAW滤波器。第2接收滤波器64除了是SAW滤波器以外，例如也可以是BAW滤波器。
第5匹配电路71例如是电感器。更详细地说，第5匹配电路71是片式电感器。第5匹配电路71电连接于第1发送滤波器61与第1功率放大器81之间的路径，用于取得第1发送滤波器61与第1功率放大器81的阻抗匹配。
第6匹配电路72例如是电感器。更详细地说，第6匹配电路72是片式电感器。第6匹配电路72电连接于第2发送滤波器62与第2功率放大器82之间的路径，用于取得第2发送滤波器62与第2功率放大器82的阻抗匹配。
第7匹配电路73例如是电感器。更详细地说，第7匹配电路73是片式电感器。第7匹配电路73电连接于第1接收滤波器63与第1低噪声放大器83之间的路径，用于取得第1接收滤波器63与第1低噪声放大器83的阻抗匹配。
第8匹配电路74例如是电感器。更详细地说，第8匹配电路74是片式电感器。第8匹配电路74电连接于第2接收滤波器64与第2低噪声放大器84之间的路径，用于取得第2接收滤波器64与第2低噪声放大器84的阻抗匹配。
第1功率放大器81对信号处理电路501的RF信号处理电路502所输出的中频段的频带(第1频带)的发送信号(第1发送信号)进行放大。第1功率放大器81的输入端子与第1输入端子91电连接。第1功率放大器81的输出端子与第5匹配电路71电连接。即，第1功率放大器81经由第5匹配电路71来与第1发送滤波器61电连接。也就是说，第1功率放大器81经由第1发送滤波器61来与第2开关30电连接。
第2功率放大器82对信号处理电路501的RF信号处理电路502所输出的高频段的频带(第2频带)的发送信号(第2发送信号)进行放大。第2功率放大器82的输入端子与第2输入端子92电连接。第2功率放大器82的输出端子与第6匹配电路72电连接。即，第2功率放大器82经由第6匹配电路72来与第2发送滤波器62电连接。也就是说，第2功率放大器82经由第2发送滤波器62来与第3开关40电连接。
第1低噪声放大器83对通过了第1接收滤波器63的接收信号进行放大。第1低噪声放大器83的输入端子与第7匹配电路73电连接，第1低噪声放大器83的输出端子与第1输出端子93电连接。即，第1低噪声放大器83经由第7匹配电路73来与第1接收滤波器63电连接。也就是说，第1低噪声放大器83经由第1接收滤波器63来与第2开关30电连接。
第2低噪声放大器84对通过了第2接收滤波器64的接收信号进行放大。第2低噪声放大器84的输入端子与第8匹配电路74电连接，第2低噪声放大器84的输出端子与第2输出端子94电连接。即，第2低噪声放大器84经由第8匹配电路74来与第2接收滤波器64电连接。也就是说，第2低噪声放大器84经由第2接收滤波器64来与第3开关40电连接。
第1输入端子91、第2输入端子92、第1输出端子93以及第2输出端子94与RF信号处理电路502连接。即，第1功率放大器81经由第1输入端子91来与RF信号处理电路502电连接。第2功率放大器82经由第2输入端子92来与RF信号处理电路502电连接。第1低噪声放大器83经由第1输出端子93来与RF信号处理电路502电连接。第2低噪声放大器84经由第2输出端子94来与RF信号处理电路502电连接。
高频模块1还具备安装基板100、多个(在图示例中为2个)外部连接端子200、第1树脂层120、以及第2树脂层125(参照图4)。
安装基板100具有在安装基板100的厚度方向D1上彼此相向的第1主面101和第2主面102。
安装基板100例如是印刷电路板、LTCC(Low Temperature Co-fired Ceramics：低温共烧陶瓷)基板、HTCC(High Temperature Co-fired Ceramics：高温共烧陶瓷)基板、树脂多层基板。在此，安装基板100例如是包括多个电介质层和多个导电层的多层基板且是陶瓷基板。多个电介质层和多个导电层在安装基板100的厚度方向D1上层叠。多个导电层形成为按每层决定的规定图案。多个导电层各自在与安装基板100的厚度方向D1正交的一个平面内包括1个或多个导体部。各导电层的材料例如是铜。多个导电层包括地层。在高频模块1中，多个外部连接端子200中包括的1个以上的地端子与地层经由安装基板100所具有的通路导体等来电连接。
安装基板100不限于印刷电路板、LTCC基板，也可以是布线构造体。布线构造体例如是多层构造体。多层构造体包括至少一个绝缘层和至少一个导电层。绝缘层形成为规定图案。在绝缘层为多个的情况下，多个绝缘层形成为按每层决定的规定图案。导电层形成为与绝缘层的规定图案不同的规定图案。在导电层为多个的情况下，多个导电层形成为按每层决定的规定图案。导电层也可以包括1个或多个重新布线部。在布线构造体中，在多层构造体的厚度方向上彼此相向的2个面中的第1面为安装基板100的第1主面101，第2面为安装基板100的第2主面102。布线构造体例如也可以是中介层。中介层既可以是使用了硅基板的中介层，也可以是以多层方式构成的基板。
安装基板100的第1主面101与第2主面102在安装基板100的厚度方向D1上分离，并与安装基板100的厚度方向D1交叉。安装基板100的第1主面101例如与安装基板100的厚度方向D1正交，但是例如也可以包括导体部的侧面等来作为不与厚度方向D1正交的面。另外，安装基板100的第2主面102例如与安装基板100的厚度方向D1正交，但是例如也可以包括导体部的侧面等来作为不与厚度方向D1正交的面。另外，在安装基板100的第1主面101和第2主面102上，也可以形成有微细的凹凸或者凹部或者凸部。在从安装基板100的厚度方向D1俯视时，安装基板100是长方形形状，但是不限于此，例如，也可以是正方形形状。在此，俯视安装基板100是指：将安装基板100以及安装于安装基板100的电子部件正投影到与安装基板100的主面(例如，第1主面101)平行的平面来观察。
高频模块1具备多个电子部件。多个电子部件包括第1开关20、第2开关30、第3开关40、第1匹配芯片50a、第2匹配芯片50b、第1发送滤波器61、第2发送滤波器62、第1接收滤波器63、第2接收滤波器64、第5匹配电路71～第8匹配电路74、第1功率放大器81、第2功率放大器82、第1低噪声放大器83以及第2低噪声放大器84。第1匹配芯片50a包括第1匹配电路51和第3匹配电路53。第2匹配芯片50b包括第2匹配电路52和第4匹配电路54。
高频模块1的多个电子部件分别安装于安装基板100的第1主面101或第2主面102。即，在高频模块1中，多个电子部件分别配置于安装基板100的第1主面101或第2主面102。多个电子部件不仅仅限于安装于安装基板100的部件，也可以包括设置于安装基板100内的电路元件。在图4中省略了由上述的安装基板100的导体部、通路导体等构成的多个布线的图示。
在本实施方式中，第1匹配芯片50a、第2匹配芯片50b、第1发送滤波器61、第2发送滤波器62、第1接收滤波器63、第2接收滤波器64、第5匹配电路71～第8匹配电路74、第1功率放大器81以及第2功率放大器82配置于第1主面101(参照图2)。在此，“电子部件(第1发送滤波器61等)配置于第1主面101”不仅指电子部件直接安装于第1主面101上，还指电子部件与安装基板100机械连接、电子部件配置于被安装基板100隔开的第1主面101侧的空间和第2主面102侧的空间中的第1主面101侧的空间。也就是说，包括电子部件经由其它电路元件、电极等而安装于第1主面101上的情况。
第1开关20、第2开关30、第3开关40、第1低噪声放大器83以及第2低噪声放大器84被集成为单芯片，从而形成了开关IC 300(参照图3)。开关IC 300安装于安装基板100的第2主面102(参照图3)。即，第2开关30和第3开关40配置于安装基板100的第1主面101和第2主面102中的同一主面(在此为第2主面102)。并且，第1开关20配置于与配置有第2开关30及第3开关40的主面相同的主面(在此为第2主面102)。在此，“电子部件(第1开关20等)配置于第2主面102”不仅指电子部件直接安装于第2主面102上，还指电子部件与安装基板100机械连接、电子部件配置于被安装基板100隔开的第1主面101侧的空间和第2主面102侧的空间中的第2主面102侧的空间。也就是说，包括电子部件经由其它电路元件、电极等而安装于第2主面102上的情况。
多个外部连接端子200配置于第2主面102。更详细地说，多个外部连接端子200配置于安装基板100的第2主面102。多个外部连接端子200各自由柱状电极构成。此外，在图3中省略了外部连接端子200。
多个外部连接端子200包括第1天线端子11，第2天线端子12、1个以上的地端子、第1输入端子91、第2输入端子92、第1输出端子93以及第2输出端子94。1个以上的地端子如上所述与安装基板100的地层连接。地层是高频模块1的电路地，高频模块1的多个电子部件包括与地层连接的电子部件。
第1树脂层120在安装基板100的第1主面101侧覆盖了配置于安装基板100的第1主面101的多个电子部件。在此，第1树脂层120将配置于安装基板100的第1主面101的多个电子部件密封。第1树脂层120包括树脂(例如，环氧树脂)。第1树脂层120除了树脂以外还可以包括填料。此外，在图2中省略了第1树脂层120。并且，在图3中省略了第2树脂层125。
第2树脂层125配置于安装基板100的第2主面102。第2树脂层125在安装基板100的第2主面102侧覆盖了安装于安装基板100的第2主面102的多个电子部件、以及多个外部连接端子200各自的一部分。第2树脂层125形成为使多个外部连接端子200各自的顶端面露出。第2树脂层125包括树脂(例如，环氧树脂)。第2树脂层125除了树脂以外还可以包括填料。第2树脂层125的材料既可以是与第1树脂层120的材料相同的材料，也可以是不同的材料。此外，在图3中省略了第2树脂层125。
下面，说明高频模块1所具备的多个电子部件的配置关系。在此，将与作为厚度方向D1的第1方向D1正交的方向设为第2方向D2(参照图2)，将与第1方向D1及第2方向双方正交的方向设为第3方向D3。
第5匹配电路71与第1功率放大器81沿着第2方向D2邻接地配置于第1主面101。第5匹配电路71和第1功率放大器81中的第5匹配电路71在第2方向D2上配置于比第1功率放大器81靠安装基板100的端部的位置。第6匹配电路72与第2功率放大器82沿着第2方向D2邻接地配置于第1主面101。第6匹配电路72和第2功率放大器82中的第6匹配电路72在第2方向D2上配置于比第2功率放大器82靠安装基板100的端部的位置。在从第3方向D3观察安装基板100时，第1功率放大器81和第2功率放大器82配置于第5匹配电路71与第6匹配电路72之间(参照图2)。在此，“第5匹配电路71与第1功率放大器81沿着第2方向D2邻接”是指：在第2方向D2上，在第5匹配电路71与第1功率放大器81之间不存在其它电子部件。同样地，“第6匹配电路72与第2功率放大器82沿着第2方向D2邻接”是指：在第2方向D2上，在第6匹配电路72与第2功率放大器82之间不存在其它电子部件。
第1发送滤波器61以沿着第3方向D3与第5匹配电路71邻接的方式配置于第1主面101。在从第3方向D3观察安装基板100时，第1发送滤波器61与第5匹配电路71重叠。第2发送滤波器62以沿着第3方向D3与第6匹配电路72邻接的方式配置于第1主面101。在从第3方向D3观察安装基板100时，第2发送滤波器62与第6匹配电路72重叠。在此，“在从第3方向D3观察安装基板100时，电子部件A与电子部件B重叠”包括：在从第3方向D3观察安装基板100时，电子部件A的至少一部分与电子部件B的至少一部分重叠。
第1匹配芯片50a与第1接收滤波器63沿着第2方向D2邻接地配置于第1主面101。第1匹配芯片50a和第1接收滤波器63中的第1接收滤波器63在第2方向D2上配置于比第1匹配芯片50a靠安装基板100的端部的位置。第2匹配芯片50b与第2接收滤波器64沿着第2方向D2邻接地配置于第1主面101。第2匹配芯片50b和第2接收滤波器64中的第2接收滤波器64在第2方向D2上配置于比第2匹配芯片50b靠安装基板100的端部的位置。在从第3方向D3观察安装基板100时，第1匹配芯片50a和第2匹配芯片50b配置于第1接收滤波器63与第2接收滤波器64之间(参照图2)。在从第3方向D3观察安装基板100时，第1发送滤波器61与第1匹配芯片50a重叠。在从第3方向D3观察安装基板100时，第2发送滤波器62与第2匹配芯片50b重叠。
第7匹配电路73以沿着第3方向D3与第1接收滤波器63邻接的方式配置于第1主面101。第8匹配电路74以沿着第3方向D3与第2接收滤波器64邻接的方式配置于第1主面101。在从第3方向D3观察安装基板100时，第1匹配芯片50a和第2匹配芯片50b配置于第7匹配电路73与第8匹配电路74之间。
如上所述，包括第1开关20、第2开关30、第3开关40、第1低噪声放大器83以及第2低噪声放大器84的开关IC 300安装于安装基板100的第2主面102。
在从第1方向(厚度方向)D1俯视安装基板100时，第1开关20、第2开关30以及第3开关40沿着第2方向D2配置(参照图3)。此时，在从安装基板100的第1方向(厚度方向)D1俯视时，第1开关20配置于第2开关30与第3开关40之间。在此，“在从安装基板100的第1方向(厚度方向)D1俯视时，第1开关20配置于第2开关30与第3开关40之间”是指：在俯视安装基板100时，将第2开关30内的任意的点与第3开关40内的任意的点连结的多条线段中的至少一条线段穿过第1开关20的区域。
在从第1方向(厚度方向)D1俯视安装基板100时，第1匹配芯片50a、第2匹配芯片50b、第1接收滤波器63、第2接收滤波器64、第7匹配电路73以及第8匹配电路74与开关IC300重叠(参照图2)。
更详细地说，在从安装基板100的第1方向D1俯视时，第1匹配芯片50a中包括的第1匹配电路51与第2开关30重叠。在从安装基板100的第1方向D1俯视时，第2匹配芯片50b中包括的第2匹配电路52与第3开关40重叠(参照图4)。
另外，在从安装基板100的第1方向D1俯视时，第1接收滤波器63与第2开关30重叠(参照图4)。在从安装基板100的第1方向D1俯视时，第2接收滤波器64与第3开关40重叠(参照图4)。
在此，“在从第1方向D1俯视安装基板100时，电子部件A与电子部件B重叠”包括：在从第1方向D1俯视安装基板100时，电子部件A的至少一部分与电子部件B的至少一部分重叠。
并且，在本实施方式中，在从安装基板100的第1方向D1俯视时，在安装基板100的、第2开关30与第3开关40之间形成有地路径130。地路径130包括安装基板100中包括的1个以上的地层和1个以上的通路导体中的至少一方，与地连接。
(3)效果
如以上说明的那样，本实施方式的高频模块1具备第1功率放大器81、第2功率放大器82、第1开关20、第2开关30、第3开关40、以及安装基板100。第1功率放大器81对第1频带的第1发送信号进行放大。第2功率放大器82对与第1频带不同的第2频带的第2发送信号进行放大。第1开关20与天线端子(第1天线端子11、第2天线端子12)连接。第2开关30对第1功率放大器81与第1开关20的连接进行切换。第3开关40对第2功率放大器82与第1开关20的连接进行切换。安装基板100具有彼此相向的第1主面101和第2主面102，第1功率放大器81、第2功率放大器82、第1开关20、第2开关30以及第3开关40配置于安装基板100。第1开关20、第2开关30以及第3开关40构成为能够将第1功率放大器81及第2功率放大器82同时与天线端子连接。在从安装基板100的厚度方向D1俯视时，第1开关20配置于第2开关30与第3开关40之间。第2开关30和第3开关40配置于安装基板100的第1主面101和第2主面102中的同一主面。
根据该结构，在第2开关30与第3开关40之间配置第1开关20。由此，能够拉开从第1开关20经由第2开关30到第1功率放大器81为止的路径与从第1开关20经由第3开关40到第2功率放大器82为止的路径之间的距离。其结果，在同时发送不同频带中的发送信号的情况下能够抑制隔离度的下降。
在同时发送频带不同的2个发送信号的情况下，2个发送信号有可能对接收侧引起IMD(Intermodulation Distortion：互调失真)。
例如，由于同时发送2个发送信号，而会生成原始的2个发送信号中没有的新的频率分量。在新的频率分量包含于在第1接收滤波器63和第2接收滤波器64中的至少一方的接收滤波器中通过的信号的频带的情况下，新的频率分量有可能通过该接收滤波器。因此，通过将从第1开关20经由第2开关30到第1功率放大器81为止的路径与从第1开关20经由第3开关40到第2功率放大器82为止的路径拉开，能够降低2个发送信号对接收侧引起IMD的可能性。
(4)变形例
下面，说明实施方式所涉及的变形例。
(4.1)变形例1
参照图5来说明变形例1所涉及的高频模块1A。关于变形例1所涉及的高频模块1A，对与实施方式所涉及的高频模块1相同的结构要素标注相同的附图标记并适当省略说明。
变形例1所涉及的高频模块1A与实施方式所涉及的高频模块1的不同点在于，作为多个外部连接端子200的外部连接端子是球形凸块250。另外，变形例1所涉及的高频模块1A与实施方式所涉及的高频模块1的不同点在于，不具备实施方式所涉及的高频模块1的第2树脂层125。变形例1所涉及的高频模块1A也可以具备设置于开关IC 300与安装基板100的第2主面102之间的间隙的底部填充部。
构成多个外部连接端子200中的各个外部连接端子200的球形凸块250的材料例如是金、铜、焊锡等。
关于多个外部连接端子200，也可以是，由球形凸块250构成的外部连接端子200与由柱状电极构成的外部连接端子200混合存在。
在变形例1中也是，在同时发送不同频带中的发送信号的情况下能够抑制隔离度的下降。
(4.2)变形例2
在上述实施方式中，设为第1开关20、第2开关30以及第3开关40包括在被集成为单芯片后的开关IC 300中的结构，但是不限定于该结构。第1开关20、第2开关30以及第3开关40也可以没有被集成为单芯片。
在第1开关20、第2开关30以及第3开关40没有被集成为单芯片的情况下，第1开关20、第2开关30以及第3开关40中的至少第2开关30和第3开关40配置于同一主面、即第1主面101或者第2主面102。例如，在变形例2所涉及的高频模块1B中，如图6所示，第2开关30和第3开关40配置于第1主面101，第1开关20配置于第2主面102。或者，也可以是，第2开关30和第3开关40配置于第2主面102，第1开关20配置于第1主面101。
在变形例2中也是，在从第1方向(厚度方向)D1俯视安装基板100时，第1开关20、第2开关30以及第3开关40沿着第2方向D2配置。此时，在从安装基板100的第1方向(厚度方向)D1俯视时，第1开关20配置于第2开关30与第3开关40之间。
(4.3)变形例3
在第1开关20、第2开关30以及第3开关40没有被集成为单芯片的情况下，第2开关30与第3开关40也可以配置于互不相同的主面。
例如，在变形例3所涉及的高频模块1C中，如图7所示，第2开关30配置于第1主面101，第3开关40和第1开关20配置于第2主面102。此外，第1开关20也可以配置于第1主面101。在高频模块1C中，在从第1方向(厚度方向)D1俯视安装基板100时，第1开关20、第2开关30以及第3开关40既可以沿着第2方向D2配置，也可以不沿着第2方向D2配置。同样地，在从安装基板100的第1方向(厚度方向)D1俯视时，第1开关20既可以配置于第2开关30与第3开关40之间，也可以不配置于第2开关30与第3开关40之间。
另外，在变形例3的另一例所涉及的高频模块1D中，如图8所示，第1开关20和第2开关30配置于第2主面102，第3开关40配置于第1主面101。此外，第1开关20也可以配置于第1主面101。在高频模块1D中，在从第1方向(厚度方向)D1俯视安装基板100时，第1开关20、第2开关30以及第3开关40既可以沿着第2方向D2配置，也可以不沿着第2方向D2配置。同样地，在从安装基板100的第1方向(厚度方向)D1俯视时，第1开关20既可以配置于第2开关30与第3开关40之间，也可以不配置于第2开关30与第3开关40之间。
(4.4)变形例4
在变形例4所涉及的高频模块1E中，与实施方式的高频模块1的不同点在于，如图9所示，第1匹配芯片50a在第2方向D2上配置于比第1接收滤波器63靠安装基板100的端部的位置。并且，在变形例4所涉及的高频模块1E中，与实施方式的高频模块1的不同点在于，如图9所示，第2匹配芯片50b在第2方向D2上配置于比第2接收滤波器64靠安装基板100的端部的位置。此外，在图9中，省略了第1树脂层120。
如在实施方式中叙述的那样，第1发送滤波器61经由第1匹配芯片50a(的第1匹配电路51)来与第2开关30电连接。第2发送滤波器62经由第2匹配芯片50b(的第2匹配电路52)来与第3开关40电连接。另外，第1接收滤波器63经由第1匹配芯片50a(的第3匹配电路53)来与第2开关30电连接。
即，通过将第1匹配芯片50a与第1接收滤波器63的配置关系设为如图9所示那样的关系，第1接收滤波器63与第2开关30之间的路径L3被配置于以下路径之间：第2开关30与第1功率放大器81之间的路径L1；以及第3开关40与第2功率放大器82之间的路径L2。
另外，同样地，通过将第2匹配芯片50b与第2接收滤波器64的配置关系设为如图9所示那样的关系，第2接收滤波器64与第3开关40之间的路径L4被配置于以下路径之间：第2开关30与第1功率放大器81之间的路径L1；以及第3开关与第2功率放大器之间的路径L2。
此外，也可以是，第1匹配芯片50a与第1接收滤波器63的配置关系和第2匹配芯片50b与第2接收滤波器64的配置关系中的一方是如图9所示那样的关系。即，高频模块1E具备与第2开关30及第3开关40中的一方的开关连接并使接收信号通过的接收滤波器。在从安装基板100的厚度方向D1俯视时，上述接收滤波器与上述一方的开关之间的路径被配置于以下路径之间：第2开关30与第1功率放大器81之间的路径L1；以及第3开关40与第2功率放大器82之间的路径L2。
根据该结构，在同时发送不同频带中的发送信号的情况下能够抑制隔离度的下降。
(4.5)变形例5
在实施方式中，设为在从安装基板100的第1方向D1俯视时第1接收滤波器63与第2开关30重叠的结构，但是不限定于该结构。也可以是，在从安装基板100的第1方向D1俯视时，第1发送滤波器61与第2开关30重叠。或者，也可以是，在从安装基板100的第1方向D1俯视时，第1发送滤波器61及第1接收滤波器63双方都与第2开关30重叠。即，在从安装基板100的第1方向(厚度方向)D1俯视时，第1发送滤波器61及第1接收滤波器63中的至少一方的滤波器与第2开关30重叠。
同样地，在实施方式中，设为在从安装基板100的第1方向D1俯视时第2接收滤波器64与第3开关40重叠的结构，但是不限定于该结构。也可以是，在从安装基板100的第1方向D1俯视时，第2发送滤波器62与第3开关40重叠。或者，也可以是，在从安装基板100的第1方向D1俯视时，第2发送滤波器62及第2接收滤波器64双方都与第3开关40重叠。即，在从安装基板100的第1方向(厚度方向)D1俯视时，第2发送滤波器62及第2接收滤波器64中的至少一方的滤波器与第3开关40重叠。
(4.6)变形例6
下面，列出变形例。
在实施方式中，设为开关IC 300配置于安装基板100的第2主面102的结构，但是不限定于该结构。开关IC 300也可以配置于第1主面101。
在实施方式中，设为高频模块1具备多个天线端子(第1天线端子11、第2天线端子12)的结构，但是不限定于该结构。也可以是高频模块1具备1个天线端子的结构。即，高频模块1也可以经由1个天线发送中频段的频带的发送信号和高频段的频带的发送信号。
在实施方式中，设为第1匹配电路51、第2匹配电路52、第3匹配电路53以及第4匹配电路54各自是片式电感器的结构，但是不限定于该结构。第1匹配电路51、第2匹配电路52、第3匹配电路53以及第4匹配电路54各自也可以是图案等导体部，也可以是电容器，或者是将电感器与电容器组合而成的电路。同样地，第5匹配电路71、第6匹配电路72、第7匹配电路73以及第8匹配电路74各自也可以是图案等导体部，也可以是电容器，或者是将电感器与电容器组合而成的电路。
(总结)
如以上说明的那样，第1方式的高频模块(1；1A；1B；1E)具备第1功率放大器(81)、第2功率放大器(82)、第1开关(20)、第2开关(30)、第3开关(40)、以及安装基板(100)。第1功率放大器(81)对第1频带的第1发送信号进行放大。第2功率放大器(82)对与第1频带不同的第2频带的第2发送信号进行放大。第1开关(20)与天线端子(第1天线端子11、第2天线端子12)连接。第2开关(30)对第1功率放大器(81)与第1开关(20)的连接进行切换。第3开关(40)对第2功率放大器(82)与第1开关(20)的连接进行切换。安装基板(100)具有彼此相向的第1主面(101)和第2主面(102)，第1功率放大器(81)、第2功率放大器(82)、第1开关(20)、第2开关(30)以及第3开关(40)配置于该安装基板(100)。第1开关(20)、第2开关(30)以及第3开关(40)构成为能够将第1功率放大器(81)及第2功率放大器(82)同时与天线端子连接。在从安装基板(100)的厚度方向(D1)俯视时，第1开关(20)配置于第2开关(30)与第3开关(40)之间。第2开关(30)和第3开关(40)配置于安装基板(100)的第1主面(101)和第2主面(102)中的同一主面。
根据该结构，在同时发送不同频带中的发送信号的情况下能够抑制隔离度的下降。
第2方式的高频模块(1C；1D)具备第1功率放大器(81)、第2功率放大器(82)、第1开关(20)、第2开关(30)、第3开关(40)、以及安装基板(100)。第1功率放大器(81)对第1频带的第1发送信号进行放大。第2功率放大器(82)对与第1频带不同的第2频带的第2发送信号进行放大。第1开关(20)与天线端子(第1天线端子11、第2天线端子12)连接。第2开关(30)对第1功率放大器(81)与第1开关(20)的连接进行切换。第3开关(40)对第2功率放大器(82)与第1开关(20)的连接进行切换。安装基板(100)具有彼此相向的第1主面(101)和第2主面(102)，第1功率放大器(81)、第2功率放大器(82)、第1开关(20)、第2开关(30)以及第3开关(40)配置于该安装基板(100)。第1开关(20)、第2开关(30)以及第3开关(40)构成为能够将第1功率放大器(81)及第2功率放大器(82)同时与天线端子连接。第2开关(30)和第3开关(40)配置于安装基板(100)的第1主面(101)和第2主面(102)中的互不相同的主面。
根据该结构，能够拉开从第1开关(20)经由第2开关(30)到第1功率放大器(81)为止的路径与从第1开关(20)经由第3开关(40)到第2功率放大器(82)为止的路径之间的距离。其结果，在同时发送不同频带中的发送信号的情况下能够抑制隔离度的下降。
第3方式的高频模块(1；1A；1B；1E)基于第1方式，第1开关(20)配置于安装基板(100)的配置有第2开关(30)和第3开关(40)的上述同一主面。
根据该结构，能够分别缩短第1开关(20)与第2开关(30)之间的布线长度、以及第1开关(20)与第2开关(30)之间的布线长度。
第4方式的高频模块(1；1A；1B；1E)基于第3方式，还具备配置于第2主面(102)的多个外部连接端子(200)。第1开关(20)、第2开关(30)以及第3开关(40)配置于安装基板(100)的第2主面(102)。
根据该结构，能够使安装基板(100)小型化。
第5方式的高频模块(1；1A；1B；1E)基于第4方式，第1开关(20)、第2开关(30)以及第3开关(40)被集成为单芯片。
根据该结构，能够使安装基板(100)小型化。
第6方式的高频模块(1；1A；1B；1E)基于第4方式或第5方式，还具备第1发送滤波器(61)和第1匹配电路(51)。第1发送滤波器(61)使从第1功率放大器(81)输出的第1发送信号通过。第1匹配电路(51)用于取得第1发送滤波器(61)与第2开关(30)之间的阻抗匹配。第1发送滤波器(61)和第1匹配电路(51)配置于安装基板(100)的第1主面(101)。在从安装基板(100)的厚度方向(D1)俯视时，第1匹配电路(51)与第2开关(30)重叠。
根据该结构，能够缩短第2开关(30)与第1匹配电路(51)之间的路径长度。
第7方式的高频模块(1；1A；1B；1E)基于第6方式，具备第1接收滤波器(63)。第1接收滤波器(63)与第2开关(30)连接，使第1接收信号通过。第1接收滤波器(63)配置于安装基板(100)的第1主面(101)。在从安装基板(100)的厚度方向(D1)俯视时，第1发送滤波器(61)及第1接收滤波器(63)中的至少一方的滤波器与第2开关(30)重叠。
根据该结构，能够缩短第2开关(30)与上述一方的滤波器之间的路径长度。
第8方式的高频模块(1；1A；1B；1E)基于第4方式～第7方式中的任一方式，还具备第2发送滤波器(62)和第2匹配电路(52)。第2发送滤波器(62)使从第2功率放大器(82)输出的第2发送信号通过。第2匹配电路(52)用于取得第2发送滤波器(62)与第3开关(40)之间的阻抗匹配。第2发送滤波器(62)和第2匹配电路(52)配置于安装基板(100)的第1主面(101)。在从安装基板(100)的厚度方向(D1)俯视时，第2匹配电路(52)与第3开关(40)重叠。
根据该结构，能够缩短第3开关(40)与第2匹配电路(52)之间的路径长度。
第9方式的高频模块(1；1A；1B；1E)基于第8方式，具备第2接收滤波器(64)。第2接收滤波器(64)与第3开关(40)连接，使第2接收信号通过。第2接收滤波器(64)配置于安装基板(100)的第1主面(101)。在从安装基板(100)的厚度方向(D1)俯视时，第2发送滤波器(62)及第2接收滤波器(64)中的至少一方的滤波器与第3开关(40)重叠。
根据该结构，能够缩短第3开关(40)与上述一方的滤波器之间的路径长度。
第10方式的高频模块(1；1A；1B；1C；1D；1E)基于第1方式～第9方式中的任一方式，在从安装基板(100)的厚度方向(D1)俯视时，在安装基板(100)的、第2开关(30)与第3开关(40)之间形成有与地连接的路径(例如地路径130)。
根据该结构，在从安装基板(100)的厚度方向(D1)俯视时，在第2开关(30)与第3开关(40)之间设置与地连接的路径，由此在同时发送不同频带中的发送信号的情况下能够抑制隔离度的下降。
第11方式的高频模块(1；1A；1B；1C；1D；1E)基于第1方式～第10方式中的任一方式，还具备接收滤波器(第1接收滤波器63、第2接收滤波器64)。接收滤波器与第2开关(30)及第3开关(40)中的一方的开关连接，使接收信号通过。在从安装基板(100)的厚度方向(D1)俯视时，该接收滤波器与该一方的开关之间的路径(路径L3、路径L4)配置于以下路径之间：第2开关(30)与第1功率放大器(81)之间的路径(L1)；以及第3开关(40)与第2功率放大器(82)之间的路径(L2)。
根据该结构，在第2开关(30)与第1功率放大器(81)之间的路径(L1)同第3开关(40)与第2功率放大器(82)之间的路径(L2)之间配置有接收信号的路径(路径L3，L4)。因此，能够将第2开关(30)与第1功率放大器(81)之间的路径(L1)同第3开关(40)与第2功率放大器(82)之间的路径(L2)拉开距离。其结果，在同时发送不同频带中的发送信号的情况下能够抑制隔离度的下降。
第12方式的通信装置(500)具备第1方式～第11方式中的任一方式的高频模块(1；1A；1B；1C；1D；1E)、以及信号处理电路(501)。信号处理电路(501)对要通过高频模块(1；1A；1B；1C；1D；1E)的第1发送信号和第2发送信号进行处理。
根据该结构，在同时发送不同频带中的发送信号的情况下能够抑制隔离度的下降。
附图标记说明
1、1A、1B、1C、1D、1E：高频模块；11：第1天线端子(天线端子)；12：第2天线端子(天线端子)；20：第1开关；21：第1端子；22：第2端子；23：第3端子；24：第4端子；30：第2开关；31：公共端子；32、33、34：选择端子；40：第3开关；41：公共端子；42、43、44：选择端子；50a：第1匹配芯片；50b：第2匹配芯片；51：第1匹配电路；52：第2匹配电路；53：第3匹配电路；54：第4匹配电路；61：第1发送滤波器；62：第2发送滤波器；63：第1接收滤波器；64：第2接收滤波器；71：第5匹配电路；72：第6匹配电路；73：第7匹配电路；74：第8匹配电路；81：第1功率放大器；82：第2功率放大器；83：第1低噪声放大器；84：第2低噪声放大器；91：第1输入端子；92：第2输入端子；93：第1输出端子；94：第2输出端子；100：安装基板；101：第1主面；102：第2主面；120：第1树脂层；125：第2树脂层；130：地路径；200：外部连接端子；250：球形凸块；300：开关IC；500：通信装置；501：信号处理电路；502：RF信号处理电路；503：基带信号处理电路；511：第1天线；512：第2天线；D1：第1方向(厚度方向)；D2：第2方向；D3：第3方向；L1、L2、L3、L4：路径。

Claims (12)

1.一种高频模块，具备：
第1功率放大器，其对第1频带的第1发送信号进行放大；
第2功率放大器，其对与所述第1频带不同的第2频带的第2发送信号进行放大；
第1开关，其与天线端子连接；
第2开关，其对所述第1功率放大器与所述第1开关的连接进行切换；
第3开关，其对所述第2功率放大器与所述第1开关的连接进行切换；以及
安装基板，其具有彼此相向的第1主面和第2主面，所述第1功率放大器、所述第2功率放大器、所述第1开关、所述第2开关以及所述第3开关配置于所述安装基板，
其中，所述第1开关、所述第2开关以及所述第3开关构成为能够将所述第1功率放大器及所述第2功率放大器同时与所述天线端子连接，
在从所述安装基板的厚度方向俯视时，所述第1开关配置于所述第2开关与所述第3开关之间，
所述第2开关和所述第3开关配置于所述安装基板的所述第1主面和所述第2主面中的同一主面。
2.一种高频模块，具备：
第1功率放大器，其对第1频带的第1发送信号进行放大；
第2功率放大器，其对与所述第1频带不同的第2频带的第2发送信号进行放大；
第1开关，其与天线端子连接；
第2开关，其对所述第1功率放大器与所述第1开关的连接进行切换；
第3开关，其对所述第2功率放大器与所述第1开关的连接进行切换；以及
安装基板，其具有彼此相向的第1主面和第2主面，所述第1功率放大器、所述第2功率放大器、所述第1开关、所述第2开关以及所述第3开关配置于所述安装基板，
其中，所述第1开关、所述第2开关以及所述第3开关构成为能够将所述第1功率放大器及所述第2功率放大器同时与所述天线端子连接，
所述第2开关和所述第3开关配置于所述安装基板的所述第1主面和所述第2主面中的互不相同的主面。
3.根据权利要求1所述的高频模块，其中，
所述第1开关配置于所述安装基板的配置有所述第2开关和所述第3开关的所述同一主面。
4.根据权利要求3所述的高频模块，其中，
还具备配置于所述第2主面的多个外部连接端子，
所述第1开关、所述第2开关以及所述第3开关配置于所述安装基板的所述第2主面。
5.根据权利要求4所述的高频模块，其中，
所述第1开关、所述第2开关以及所述第3开关被集成为单芯片。
6.根据权利要求4或5所述的高频模块，还具备：
第1发送滤波器，其使从所述第1功率放大器输出的所述第1发送信号通过；以及
第1匹配电路，其用于取得所述第1发送滤波器与所述第2开关之间的阻抗匹配，
所述第1发送滤波器和所述第1匹配电路配置于所述安装基板的所述第1主面，
在从所述安装基板的厚度方向俯视时，所述第1匹配电路与所述第2开关重叠。
7.根据权利要求6所述的高频模块，其中，
还具备第1接收滤波器，该第1接收滤波器与所述第2开关连接，该第1接收滤波器使第1接收信号通过，
所述第1接收滤波器配置于所述安装基板的所述第1主面，
在从所述安装基板的厚度方向俯视时，所述第1发送滤波器及所述第1接收滤波器中的至少一方的滤波器与所述第2开关重叠。
8.根据权利要求4～7中的任一项所述的高频模块，还具备：
第2发送滤波器，其使从所述第2功率放大器输出的所述第2发送信号通过；以及
第2匹配电路，其用于取得所述第2发送滤波器与所述第3开关之间的阻抗匹配，
所述第2发送滤波器和所述第2匹配电路配置于所述安装基板的所述第1主面，
在从所述安装基板的厚度方向俯视时，所述第2匹配电路与所述第3开关重叠。
9.根据权利要求8所述的高频模块，其中，
还具备第2接收滤波器，该第2接收滤波器与所述第3开关连接，该第2接收滤波器使第2接收信号通过，
所述第2接收滤波器配置于所述安装基板的所述第1主面，
在从所述安装基板的厚度方向俯视时，所述第2发送滤波器及所述第2接收滤波器中的至少一方的滤波器与所述第3开关重叠。
10.根据权利要求1～9中的任一项所述的高频模块，其中，
在从所述安装基板的厚度方向俯视时，在所述安装基板的、所述第2开关与所述第3开关之间形成有与地连接的路径。
11.根据权利要求1～10中的任一项所述的高频模块，其中，
还具备接收滤波器，该接收滤波器与所述第2开关及所述第3开关中的一方的开关连接，该接收滤波器使接收信号通过，
在从所述安装基板的厚度方向俯视时，所述接收滤波器与所述一方的开关之间的路径配置于以下路径之间：所述第2开关与所述第1功率放大器之间的路径；以及所述第3开关与所述第2功率放大器之间的路径。
12.一种通信装置，具备：
根据权利要求1～11中的任一项所述的高频模块；以及
信号处理电路，其对要通过所述高频模块的所述第1发送信号和所述第2发送信号进行处理。
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