WO2022215547A1

WO2022215547A1 - 高周波モジュール及び通信装置

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Publication number: WO2022215547A1
Application number: PCT/JP2022/014140
Authority: WO
Inventors: 直也松本
Original assignee: 株式会社村田製作所
Priority date: 2021-04-08
Filing date: 2022-03-24
Publication date: 2022-10-13
Also published as: US20240048173A1

Abstract

本発明の課題は、グランド電極に接続する２つの部品が同時送信動作する場合であっても、特性の劣化を抑えることである。本発明に係る高周波モジュール（１）は、実装基板（１００）と、複数の部品と、樹脂層（１２０）と、グランド電極と、を備える。複数の部品は、第１部品、第２部品及び第３部品を含む。第１部品は、第１フィルタ（５１）及び第１パワーアンプ（８１）のいずれかである。第２部品は、第２フィルタ（５２）及び第２パワーアンプ（８２）のいずれかである。第１部品の天面及び第２部品の天面は、グランド電極と接続している。第１部品と第２部品とは、同時送信可能に構成されている。第３部品は、第１部品及び第２部品と同時送信動作しないように構成されている。実装基板（１００）の厚さ方向からの平面視で、第３部品は、第１部品と第２部品との間に配置されている。

Description

高周波モジュール及び通信装置

　本発明は、一般に高周波モジュール及び通信装置に関し、より詳細には第１送信信号及び第２送信信号を送信する高周波モジュール及び通信装置に関する。

　特許文献１では、モジュール基板と、モジュール基板の実装面上に実装された、送信フィルタおよび受信フィルタを有する分波器と、分波器の側面を被覆するように実装面上に設けられた樹脂層とを備え、分波器および樹脂層それぞれの上面が同一面を形成するモジュールが記載されている。このモジュールでは、分波器および樹脂層の上面の少なくとも一部に金属層が形成されている。

国際公開第２０１４／０１３８３１号

　特許文献１に記載のモジュールにおいて、分波器に含まれる第１送信フィルタ（第１部品）に加え、さらに金属膜（グランド電極）に接触（接続）する第２送信フィルタ（第２部品）を配置した場合、第２送信フィルタの放熱性が向上する。しかしながら、第１送信フィルタ及び第２送信フィルタが同時送信動作するとき、双方の発熱が影響しあい、モジュールの特性が劣化する可能性がある。

　本発明は上記課題に鑑みてなされ、互いの天面がグランド電極に接続する２つの部品が同時送信動作する場合であっても、特性の劣化を抑えることができる高周波モジュール及び通信装置を提供することを目的とする。

　本発明の一態様に係る高周波モジュールは、実装基板と、複数の部品と、樹脂層と、グランド電極と、を備える。前記実装基板は、互いに対向する第１主面と第２主面とを有する。前記複数の部品は、前記第１主面に配置されている。前記樹脂層は、前記複数の部品の少なくとも一部を覆う。前記グランド電極は、前記樹脂層の少なくとも一部を覆う。前記複数の部品は、第１部品、第２部品及び第３部品を含む。前記第１部品は、第１送信信号の送信に用いられる第１フィルタ及び第１パワーアンプのいずれかである。前記第２部品は、前記第１送信信号の周波数帯域とは異なる周波数帯域の第２送信信号の送信に用いられる第２フィルタ及び第２パワーアンプのいずれかである。前記第１部品の天面及び前記第２部品の天面は、前記グランド電極と接続している。前記第１部品と前記第２部品とは、同時送信可能に構成されている。前記第３部品は、前記第１部品及び前記第２部品と同時送信動作しないように構成されている。前記実装基板の厚さ方向からの平面視で、前記第３部品は、前記第１部品と前記第２部品との間に配置されている。

　本発明の一態様に係る高周波モジュールは、実装基板と、複数の部品と、樹脂層と、グランド電極と、を備える。前記実装基板は、互いに対向する第１主面と第２主面とを有する。前記複数の部品は、前記第１主面に配置されている。前記樹脂層は、前記複数の部品の少なくとも一部を覆う。前記グランド電極は、前記樹脂層の少なくとも一部を覆う。前記複数の部品は、第１部品、第２部品及び第３部品を含む。前記第１部品は、第１送信信号の送信に用いられる第１フィルタ及び第１パワーアンプのいずれかである。前記第２部品は、前記第１送信信号の周波数帯域とは異なる周波数帯域の第２送信信号の送信に用いられる第２フィルタ及び第２パワーアンプのいずれかである。第３部品は、受信信号の受信に用いられる受信系部品である。前記第１部品の天面及び前記第２部品の天面は、前記グランド電極と接続している。前記第１部品と前記第２部品とは、同時送信可能に構成されている。前記実装基板の厚さ方向からの平面視で、前記受信系部品は、前記第１部品と前記第２部品との間に配置されている。

　本発明の一態様に係る高周波モジュールは、実装基板と、複数の部品と、樹脂層と、グランド電極と、を備える。前記実装基板は、互いに対向する第１主面と第２主面とを有する。前記複数の部品は、前記第１主面に配置されている。前記樹脂層は、前記複数の部品の少なくとも一部を覆う。前記グランド電極は、前記樹脂層の少なくとも一部を覆う。前記複数の部品は、第１部品、第２部品及び第３部品を含む。前記第１部品は、第１送信信号の送信に用いられる第１フィルタ及び第１パワーアンプのいずれかである。前記第２部品は、前記第１送信信号の周波数帯域とは異なる周波数帯域の第２送信信号の送信に用いられる第２フィルタ及び第２パワーアンプのいずれかである。前記第１部品の天面及び前記第２部品の天面は、前記グランド電極と接続している。前記第３部品は、前記第１部品及び前記第２部品と同時送信動作しないように構成されている。前記実装基板の厚さ方向からの平面視で、前記第３部品は、前記第１部品と前記第２部品との間に配置されている。前記第１送信信号の周波数帯域と前記第２送信信号の周波数帯域との組は、４Ｇ規格のＢａｎｄ１と５Ｇ規格のｎ４０、４Ｇ規格のＢａｎｄ３と５Ｇ規格のｎ４０、４Ｇ規格のＢａｎｄ１と５Ｇ規格のｎ４１、４Ｇ規格のＢａｎｄ３と５Ｇ規格のｎ４１、４Ｇ規格のＢａｎｄ３９と５Ｇ規格のｎ４１、４Ｇ規格のＢａｎｄ６６と５Ｇ規格のｎ４１及び４Ｇ規格のＢａｎｄ２５と５Ｇ規格のｎ４１のいずれかである。

　本発明の一態様に係る高周波モジュールは、実装基板と、複数の部品と、樹脂層と、グランド電極と、を備える。前記実装基板は、互いに対向する第１主面と第２主面とを有する。前記複数の部品は、前記第１主面に配置されている。前記樹脂層は、前記複数の部品の少なくとも一部を第１主面を覆う。前記グランド電極は、前記樹脂層の少なくとも一部を覆う。前記複数の部品は、第１部品、第２部品及び第３部品を含む。前記第１部品は、第１送信信号の送信に用いられる第１フィルタ及び第１パワーアンプのいずれかである。前記第２部品は、前記第１送信信号の周波数帯域とは異なる周波数帯域の第２送信信号の送信に用いられる第２フィルタ及び第２パワーアンプのいずれかである。第３部品は、受信信号の受信に用いられる受信系部品である。前記第１部品の天面及び前記第２部品の天面は、前記グランド電極と接続している。前記実装基板の厚さ方向からの平面視で、前記受信系部品は、前記第１部品と前記第２部品との間に配置されている。前記第１送信信号の周波数帯域と前記第２送信信号の周波数帯域との組は、４Ｇ規格のＢａｎｄ１と５Ｇ規格のｎ４０、４Ｇ規格のＢａｎｄ３と５Ｇ規格のｎ４０、４Ｇ規格のＢａｎｄ１と５Ｇ規格のｎ４１、４Ｇ規格のＢａｎｄ３と５Ｇ規格のｎ４１、４Ｇ規格のＢａｎｄ３９と５Ｇ規格のｎ４１、４Ｇ規格のＢａｎｄ６６と５Ｇ規格のｎ４１及び４Ｇ規格のＢａｎｄ２５と５Ｇ規格のｎ４１のいずれかである。

　本発明の一態様に係る通信装置は、上記いずれかの高周波モジュールと、前記高周波モジュールを通る前記第１送信信号及び前記第２送信信号を処理する信号処理回路と、を備える。

　本発明の上記構成に係る高周波モジュール及び通信装置によると、グランド電極に接続する２つの部品が同時送信動作する場合であっても、特性の劣化を抑えることができる。

図１は、実施形態１に係る高周波モジュールを備える通信装置の構成を説明する回路図である。図２は、同上の高周波モジュールが備える実装基板の第１主面における電子部品の配置を示す平面図である。図３は、同上の高周波モジュールを示し、図２のＸ１－Ｘ１線断面図である。図４は、実施形態１の変形例１に係る高周波モジュールの断面図である。図５は、実施形態１の変形例２に係る高周波モジュールの断面図である。図６は、実施形態２に係る高周波モジュールが備える実装基板の第１主面における電子部品の配置を示す平面図である。図７は、同上の高周波モジュールを示し、図６のＸ２－Ｘ２線断面図である。図８は、実施形態３に係る高周波モジュールが備える実装基板の第１主面における電子部品の配置を示す平面図である。図９は、同上の高周波モジュールを示し、図８のＸ３－Ｘ３線断面図である。図１０は、実施形態４に係る高周波モジュールが備える実装基板の第１主面における電子部品の配置を示す平面図である。図１１は、同上の高周波モジュールを示し、図１０のＸ４－Ｘ４線断面図である。図１２は、実施形態５に係る高周波モジュールの断面図である。

　以下の実施形態１～５等において参照する図２～図１２は、いずれも模式的な図であり、図中の各構成要素の大きさや厚さそれぞれの比が、必ずしも実際の寸法比を反映しているとは限らない。

　（実施形態１）
　以下、実施形態１に係る高周波モジュール１及び通信装置５００について、図１～図３を用いて説明する。

　（１）概要
　高周波モジュール１は、図１に示すように、複数のアンテナ端子（ここでは、第１アンテナ端子１１、第２アンテナ端子１２）と、第１ローパスフィルタ２１と、第２ローパスフィルタ２２と、第１スイッチ３０と、第１整合回路４１と、第２整合回路４２と、第３整合回路４３と、第４整合回路４４と、第１フィルタ５１と、第２フィルタ５２と、第３フィルタ５３と、第４フィルタ５４と、を備える。さらに、高周波モジュール１は、第２スイッチ６１と、第３スイッチ６２と、第５整合回路７１と、第６整合回路７２と、第７整合回路７３と、第８整合回路７４と、第１パワーアンプ８１と、第２パワーアンプ８２と、第１ローノイズアンプ８３と、第２ローノイズアンプ８４と、第４スイッチ８５と、を備える。高周波モジュール１は、複数（図示例では２つ）の信号入力端子９１，９２と、複数（図示例では、２つ）の信号出力端子９３，９４と、を備える。

　高周波モジュール１は、図２及び図３に示すように、実装基板１００と、シールド層１１０と、樹脂層１２０と、外部接続端子２００と、を更に備える。実装基板１００は、実装基板１００の厚さ方向Ｄ１において互いに対向する第１主面１０１及び第２主面１０２を有している。実施形態１では、第１フィルタ５１、第２フィルタ５２、第３フィルタ５３及び第４フィルタ５４等の複数の部品が、実装基板１００の第１主面１０１に配置されている。ここで、「Ａが実装基板１００の第１主面１０１に配置されている」とは、Ａが第１主面１０１上に直接実装されているだけでなく、実装基板１００で隔された第１主面１０１側の空間および第２主面１０２側の空間のうち、Ａが第１主面１０１側の空間に配置されていることを意味する。つまり、Ａが第１主面１０１上に、その他の回路素子や電極等を介して実装されていることを含む。

　実施形態１に係る高周波モジュール１は、例えば、マルチモード／マルチバンド対応の通信装置５００に用いられる。通信装置５００は、例えば、携帯電話（例えば、スマートフォン）であるが、これに限らず、例えば、ウェアラブル端末（例えば、スマートウォッチ）等であってもよい。高周波モジュール１は、例えば、４Ｇ（第４世代移動通信）規格、５Ｇ（第５世代移動通信）規格等に対応可能なモジュールである。４Ｇ規格は、例えば、３ＧＰＰ（Third Generation Partnership Project）　ＬＴＥ（Long Term Evolution）規格である。５Ｇ規格は、例えば、５Ｇ　ＮＲ（New Radio）である。

　第１アンテナ端子１１は、第１アンテナ５１１（図１参照）と電気的に接続されている。また、第２アンテナ端子１２は、第２アンテナ５１２（図１参照）と電気的に接続されている。ここで、「ＡはＢに接続されている」とは、ＡとＢとが接触していることを示すだけでなく、ＡとＢとが導体電極、導体端子、配線、又は他の回路部品等を介して電気的に接続されていることを含むものと定義される。

　第１スイッチ３０は、第１アンテナ５１１及び第２アンテナ５１２の各々に対して、第１フィルタ５１、第２フィルタ５２、第３フィルタ５３及び第４フィルタ５４を接続可能に構成されている。第１スイッチ３０は、第１アンテナ５１１に第１フィルタ５１を、第２アンテナ５１２に対して第２フィルタ５２を、同時に接続可能に構成されている。すなわち、高周波モジュール１は、キャリアアグリゲーション（Carrier Aggregation）及びデュアルコネクティビティ（Dual Connectivity）に対応可能なモジュールである。ここで、キャリアアグリゲーション及びデュアルコネクティビティとは、複数の周波数帯域の電波を同時に使用する通信をいう。以下、キャリアアグリゲーション又はデュアルコネクティビティによる信号の送信を同時送信ともいう。同時送信可能とは、キャリアアグリゲーション又はデュアルコネクティビティによる信号の送信が可能であることを意味している。

　実施形態１に係る高周波モジュール１は、４Ｇで規定されている周波数帯域の信号の通信（送信）と、５Ｇで規定されている周波数帯域の信号の通信（送信）とを同時に行う。また、高周波モジュール１は、４Ｇで規定されている周波数帯域の信号の通信と、４Ｇで規定されている周波数帯域の信号の通信とを同時に行ってもよい。高周波モジュール１は、５Ｇで規定されている周波数帯域の信号の通信と、５Ｇで規定されている別の周波数帯域の信号の通信とを同時に行ってもよい。

　実施形態１に係る高周波モジュール１では、４Ｇで規定されているミッドバンドの周波数帯域であるＢａｎｄ３（送信時の周波数帯域１７１０～１７８５ＭＨｚ）と、５Ｇで規格されているハイバンドの周波数帯域であるｎ４１（周波数帯域２４９６～２６９０ＭＨｚ）とで、同時送信が行われる。ｎ４１は、時分割複信方式（ＴＤＤ：Time Division Duplex）の通信に用いられる。Ｂａｎｄ３は、周波数分割複信方式（ＦＤＤ：Frequency Division Duplex）に用いられる。

　実施形態１の高周波モジュール１では、Ｂａｎｄ３の送信信号（第１送信信号）は、第１フィルタ５１を通過する。実施形態１の高周波モジュール１では、ｎ４１の送信信号（第２送信信号）は、第２フィルタ５２を通過する。第３フィルタ５３は、第１フィルタ５１及び第２フィルタ５２と同時送信動作しないように構成されている。ここで、同時送信が行われる周波数帯域の組み合わせは、規格で規定された組み合わせであればよい。「同時送信動作しない」とは、規格で規定された組み合わせによる同時送信が行われているときに上記組み合わせとは別の周波数帯域での送信が行われないこと、及び高周波モジュール１において同時通信が行われる各周波数帯域と同時通信が行われないことを意味する。

　樹脂層１２０は、実装基板１００の第１主面１０１側に配置され、フィルタ等の部品の外周面（側面）の少なくとも一部を覆っている。樹脂層１２０は、第１フィルタ５１、第２フィルタ５２、第３フィルタ５３及び第４フィルタ５４の外周面を覆っている。

　シールド層１１０は、樹脂層１２０において実装基板１００とは反対側の面に設けられ、樹脂層１２０の少なくとも一部を覆っている。シールド層１１０は、グランド端子を介して、グランドに接続されている。すなわち、シールド層１１０は、グランド電極ともいえる。

　実施形態１では、実装基板１００の第１主面１０１に配置された複数の部品は、第１部品、第２部品及び第３部品を含む。第１部品は、第１送信信号の送信に用いられる第１フィルタ５１及び第１パワーアンプ８１のいずれかの第１送信系部品である。

　第２部品は、第１送信信号の周波数帯域とは異なる周波数帯域の第２送信信号の送信に用いられる第２フィルタ５２及び第２パワーアンプ８２のいずれかの第２送信系部品である。ここでは、第１送信系部品は第１フィルタ５１であり、第２送信系部品は第２フィルタ５２である。

　第１送信系部品としての第１フィルタ５１の天面及び第２送信系部品としての第２フィルタ５２の天面は、グランド電極であるシールド層１１０と接続している。また、上述したように、第１送信系部品としての第１フィルタ５１と第２送信系部品としての第２フィルタ５２とは、同時送信可能に構成されている。第３部品は、第１送信系部品及び第２送信系部品と同時送信動作しないように構成されている。ここで、第３部品は、例えば第３フィルタ５３である。実装基板１００の厚さ方向Ｄ１（図３参照）からの平面視で、第３部品としての第３フィルタ５３は、第１送信系部品としての第１フィルタ５１と第２送信系部品としての第２フィルタ５２との間に配置されている（図２参照）。ここで、部品（第１送信系部品、第２送信系部品）の天面とは、当該部品の厚さ方向（実装基板１００の厚さ方向Ｄ１）で互いに対向する２つの面のうち、当該部品における実装基板１００と反対側の面である。また、部品（第１送信系部品、第２送信系部品）の底面とは、当該部品の厚さ方向（実装基板１００の厚さ方向Ｄ１）で互いに対向する２つの面のうち、当該部品における実装基板１００側の面である。また、「実装基板１００の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、部品Ａと部品Ｂとの間に部品Ｃが配置されている」とは、実装基板１００の厚さ方向Ｄ１からの平面視において部品Ａ内の任意の点と部品Ｂ内の任意の点とを結ぶ複数の線分のうち少なくとも１つの線分が部品Ｃの領域を通ることを意味する。また、「実装基板１００の厚さ方向Ｄ１からの平面視」とは、実装基板１００及び実装基板１００に配置された部品を実装基板１００の主面（例えば、第１主面１０１）に平行な平面に正投影して見ることを意味する。

　（２）構成
　以下、実施形態１に係る高周波モジュール１及び通信装置５００の構成について、図１～図４を参照して説明する。

　高周波モジュール１は、例えば、信号処理回路５０１（図１参照）から入力された送信信号（高周波信号）を増幅して第１アンテナ５１１及び第２アンテナ５１２に出力できるように構成されている。高周波モジュール１は、例えば、第１アンテナ５１１及び第２アンテナ５１２から入力された受信信号（高周波信号）を増幅して信号処理回路５０１に出力できるように構成されている。信号処理回路５０１は、高周波モジュール１の構成要素ではなく、高周波モジュール１を備える通信装置５００の構成要素である。高周波モジュール１は、例えば、通信装置５００の備える信号処理回路５０１によって制御される。通信装置５００は、高周波モジュール１と、信号処理回路５０１と、を備える。通信装置５００は、第１アンテナ５１１、第２アンテナ５１２を更に備える。通信装置５００は、高周波モジュール１が実装された回路基板を更に備える。回路基板は、例えば、プリント配線板である。回路基板は、グランド電位が与えられるグランド電極を有する。

　第１アンテナ５１１は、高周波モジュール１の第１アンテナ端子１１に接続されている。第２アンテナ５１２は、高周波モジュール１の第２アンテナ端子１２に接続されている。第１アンテナ５１１及び第２アンテナ５１２は、高周波モジュール１から出力された送信信号を電波にて放射する送信機能と、受信信号を電波として外部から受信して高周波モジュール１へ出力する受信機能と、を有する。

　信号処理回路５０１は、高周波モジュール１を通る信号（例えば、受信信号、送信信号）を処理する。信号処理回路５０１は、例えば、ＲＦ信号処理回路５０２と、ベースバンド信号処理回路５０３と、を含む。ＲＦ信号処理回路５０２は、例えば、ＲＦＩＣ（Radio Frequency Integrated Circuit）であり、高周波信号に対する信号処理を行う。ＲＦ信号処理回路５０２は、例えば、ベースバンド信号処理回路５０３から出力された高周波信号（送信信号）に対してアップコンバート等の信号処理を行い、信号処理が行われた高周波信号を出力する。また、ＲＦ信号処理回路５０２は、例えば、高周波モジュール１から出力された高周波信号（受信信号）に対してダウンコンバート等の信号処理を行い、信号処理が行われた高周波信号をベースバンド信号処理回路５０３へ出力する。

　ベースバンド信号処理回路５０３は、例えば、ＢＢＩＣ（Baseband Integrated Circuit）である。ベースバンド信号処理回路５０３は、ベースバンド信号からＩ相信号及びＱ相信号を生成する。ベースバンド信号は、例えば、外部から入力される音声信号、画像信号等である。ベースバンド信号処理回路５０３は、Ｉ相信号とＱ相信号とを合成することでＩＱ変調処理を行って、送信信号を出力する。この際、送信信号は、所定周波数の搬送波信号を、当該搬送波信号の周期よりも長い周期で振幅変調した変調信号（ＩＱ信号）として生成される。ベースバンド信号処理回路５０３で処理された受信信号は、例えば、画像信号として画像表示のために、又は、音声信号として通話のために使用される。実施形態１に係る高周波モジュール１は、第１アンテナ５１１及び第２アンテナ５１２と信号処理回路５０１のＲＦ信号処理回路５０２との間で高周波信号（受信信号）を伝達する。

　高周波モジュール１は、図１に示すように、第１アンテナ端子１１と、第２アンテナ端子１２と、第１スイッチ３０と、第１整合回路４１と、第２整合回路４２と、第３整合回路４３と、第４整合回路４４と、第１フィルタ５１と、第２フィルタ５２と、第３フィルタ５３と、第４フィルタ５４と、を備える。さらに、高周波モジュール１は、第２スイッチ６１と、第３スイッチ６２と、第５整合回路７１と、第６整合回路７２と、第７整合回路７３と、第８整合回路７４と、第１パワーアンプ８１と、第２パワーアンプ８２と、第１ローノイズアンプ８３と、第２ローノイズアンプ８４と、第４スイッチ８５と、を備える。高周波モジュール１は、複数（図示例では２つ）の信号入力端子９１，９２と、複数（図示例では、２つ）の信号出力端子９３，９４と、第１ローパスフィルタ２１と、第２ローパスフィルタ２２と、を備える。

　第１アンテナ端子１１は、第１アンテナ５１１に電気的に接続される。第２アンテナ端子１２は、第２アンテナ５１２に電気的に接続される。

　第１ローパスフィルタ２１は、第１アンテナ端子１１と第１スイッチ３０との間に配置されている。第２ローパスフィルタ２２は、第２アンテナ端子１２と第１スイッチ３０との間に配置されている。言い換えると、第１ローパスフィルタ２１は、第１アンテナ端子１１及び第１スイッチ３０の間に接続されている。第２ローパスフィルタ２２は、第２アンテナ端子１２及び第１スイッチ３０の間に接続されている。「ＣはＡ及びＢの間に接続されている」とは、ＣがＡ及びＢの間でＡ及びＢの両方に接続されることを意味する。すなわち、第１ローパスフィルタ２１の一端は第１アンテナ端子１１に接続され、第１ローパスフィルタ２１の他端は第１スイッチ３０に接続されている。第２ローパスフィルタ２２の一端は第２アンテナ端子１２に接続され、第２ローパスフィルタ２２の他端は第１スイッチ３０に接続されている。

　第１スイッチ３０は、１チップで構成されたスイッチＩＣである。

　第１スイッチ３０は、第１アンテナ５１１に対して第１フィルタ５１と接続可能に、第２アンテナ５１２に対して第２フィルタ５２と接続可能に構成されている。第１スイッチ３０は、第１アンテナ５１１及び第２アンテナ５１２に対して、第１フィルタ５１と第２フィルタ５２とを同時に接続可能に構成されている。すなわち、第１スイッチ３０は、第１アンテナ５１１に対して第１フィルタ５１と接続可能に、第２アンテナ５１２に対して第２フィルタ５２と接続可能にするスイッチを含むスイッチＩＣである。

　第１スイッチ３０は、アンテナ端子に電気的に接続されている。具体的には、第１スイッチ３０は、第１ローパスフィルタ２１を介して第１アンテナ端子１１に、第２ローパスフィルタ２２を介して第２アンテナ端子１２に、電気的に接続されている。第１スイッチ３０は、第１フィルタ５１、第２フィルタ５２、第３フィルタ５３、及び第４フィルタ５４と電気的に接続されている。

　具体的には、第１スイッチ３０は、第１端子３１、第２端子３２、第３端子３３、第４端子３４、第５端子３５、第６端子３６を有している。第１スイッチ３０は、信号処理回路５０１の制御により、第１端子３１の接続先として第３端子３３、第４端子３４、第５端子３５、及び第６端子３６のうち１つの端子を選択する。第１スイッチ３０は、信号処理回路５０１の制御により、第２端子３２の接続先として第３端子３３、第４端子３４、第５端子３５、及び第６端子３６のうち１つの端子を選択する。例えば、第１スイッチ３０は、信号処理回路５０１の制御により、第１端子３１の接続先として第３端子３３、第４端子３４、第５端子３５、及び第６端子３６のうち第３端子３３を選択する。第１スイッチ３０は、信号処理回路５０１の制御により、第２端子３２の接続先として第３端子３３、第４端子３４、第５端子３５、及び第６端子３６のうち第５端子３５を選択する。

　第１端子３１は、第１アンテナ端子１１に電気的に接続されている。つまり、第１端子３１は、第１ローパスフィルタ２１及び第１アンテナ端子１１を介して第１アンテナ５１１に電気的に接続される。第２端子３２は、第２アンテナ端子１２に電気的に接続されている。つまり、第２端子３２は、第２ローパスフィルタ２２及び第２アンテナ端子１２を介して第２アンテナ５１２に電気的に接続される。なお、第１端子３１は第１ローパスフィルタ２１を介して第１アンテナ５１１に接続されていることに限定されない。第１端子３１は、カプラ等を介して第１アンテナ端子１１に接続されてもよいし、第１アンテナ端子１１に直接接続されてもよい。同様に、第２端子３２は第２ローパスフィルタ２２を介して第２アンテナ５１２に接続されていることに限定されない。第２端子３２は、カプラ等を介して第２アンテナ端子１２に接続されてもよいし、第２アンテナ端子１２に直接接続されてもよい。

　第３端子３３は、第１フィルタ５１に電気的に接続されている。第４端子３４は、第３フィルタ５３に電気的に接続されている。第５端子３５は、第２フィルタ５２に電気的に接続されている。第６端子３６は、第４フィルタ５４に電気的に接続されている。

　第１整合回路４１は、例えばインダクタである。より詳細には、第１整合回路４１は、チップインダクタである。第１整合回路４１は、第１スイッチ３０と第１フィルタ５１との間の経路において電気的に接続されており、第１スイッチ３０と第１フィルタ５１とのインピーダンス整合をとる。

　第２整合回路４２は、例えばインダクタである。より詳細には、第２整合回路４２は、チップインダクタである。第２整合回路４２は、第１スイッチ３０と第２フィルタ５２との間の経路において電気的に接続されており、第１スイッチ３０と第２フィルタ５２とのインピーダンス整合をとる。

　第３整合回路４３は、例えばインダクタである。より詳細には、第３整合回路４３は、チップインダクタである。第３整合回路４３は、第１スイッチ３０と第３フィルタ５３との間の経路において電気的に接続されており、第１スイッチ３０と第３フィルタ５３とのインピーダンス整合をとる。

　第４整合回路４４は、例えばインダクタである。より詳細には、第４整合回路４４は、チップインダクタである。第４整合回路４４は、第１スイッチ３０と第４フィルタ５４との間の経路において電気的に接続されており、第１スイッチ３０と第４フィルタ５４とのインピーダンス整合をとる。

　第１フィルタ５１は、第１パワーアンプ８１から出力されたＢａｎｄ３の送信信号（第１送信信号）を通過させる送信フィルタである。第１フィルタ５１は、第１整合回路４１を介して第１スイッチ３０と電気的に接続されている。すなわち、第１フィルタ５１は、第１スイッチ３０と接続され、第１送信信号を通過させる。第１フィルタ５１は、例えば、ラダー型フィルタであり、複数（例えば、４つ）の直列腕共振子と、複数（例えば、３つ）の並列腕共振子と、を有する。第１フィルタ５１は、例えば、弾性波フィルタである。弾性波フィルタは、複数の直列腕共振子及び複数の並列腕共振子の各々が弾性波共振子により構成されている。弾性波フィルタは、例えば、弾性表面波を利用する表面弾性波フィルタである。表面弾性波フィルタでは、複数の直列腕共振子及び複数の並列腕共振子の各々は、例えば、ＳＡＷ（Surface Acoustic Wave）共振子である。なお、第１フィルタ５１は、ＳＡＷフィルタに限定されない。第１フィルタ５１はＳＡＷフィルタ以外、例えばＢＡＷ（Bulk Acoustic Wave）フィルタであってもよい。ＢＡＷフィルタにおける共振子は、例えば、ＦＢＡＲ（Film Bulk Acoustic Resonator）又はＳＭＲ（Solidly Mounted Resonator）である。ＢＡＷフィルタは、基板を有している。ＢＡＷフィルタが有する基板は、例えば、シリコン基板である。

　第２フィルタ５２は、第２パワーアンプ８２から出力されたｎ４１の送信信号（第２送信信号）を通過させるフィルタである。すなわち、第２フィルタ５２は、送信フィルタとしての機能を有している。第２フィルタ５２は、第２整合回路４２を介して第１スイッチ３０と電気的に接続されている。すなわち、第２フィルタ５２は、第１スイッチ３０と接続され、第２送信信号を通過させる。第２フィルタ５２は、例えば、ラダー型フィルタであり、複数（例えば、４つ）の直列腕共振子と、複数（例えば、３つ）の並列腕共振子と、を有する。第２フィルタ５２は、例えば、弾性波フィルタである。弾性波フィルタは、複数の直列腕共振子及び複数の並列腕共振子の各々が弾性波共振子により構成されている。弾性波フィルタは、例えば、弾性表面波を利用する表面弾性波フィルタである。表面弾性波フィルタでは、複数の直列腕共振子及び複数の並列腕共振子の各々は、例えば、ＳＡＷ共振子である。なお、第２フィルタ５２は、ＳＡＷフィルタに限定されない。第２フィルタ５２はＳＡＷフィルタ以外、例えばＢＡＷフィルタであってもよい。

　第３フィルタ５３は、第２パワーアンプ８２から出力されたｎ４０の送信信号（第３送信信号）を通過させるフィルタである。すなわち、第３フィルタ５３は、送信フィルタとしての機能を有している。第３フィルタ５３は、第３整合回路４３を介して第１スイッチ３０と電気的に接続されている。すなわち、第３フィルタ５３は、第１スイッチ３０と接続され、第３送信信号を通過させる。第３フィルタ５３は、例えば、ラダー型フィルタであり、複数（例えば、４つ）の直列腕共振子と、複数（例えば、３つ）の並列腕共振子と、を有する。第３フィルタ５３は、例えば、弾性波フィルタである。弾性波フィルタは、複数の直列腕共振子及び複数の並列腕共振子の各々が弾性波共振子により構成されている。弾性波フィルタは、例えば、弾性表面波を利用する表面弾性波フィルタである。表面弾性波フィルタでは、複数の直列腕共振子及び複数の並列腕共振子の各々は、例えば、ＳＡＷ共振子である。なお、第３フィルタ５３は、ＳＡＷフィルタに限定されない。第３フィルタ５３はＳＡＷフィルタ以外、例えばＢＡＷフィルタであってもよい。

　また、第２フィルタ５２及び第３フィルタ５３は、受信フィルタとしての機能を有している。第２フィルタ５２は、例えば第１ローノイズアンプ８３に入力されるｎ４１の受信信号を通過させる。第３フィルタ５３は、例えば第１ローノイズアンプ８３に入力されるｎ４０の受信信号を通過させる。

　第４フィルタ５４は、例えば第２ローノイズアンプ８４に入力されるＢａｎｄ３の受信信号を通過させる受信フィルタである。なお、Ｂａｎｄ３の受信信号の周波数帯域は、１８０５～１８８０ＭＨｚである。第４フィルタ５４は、第４整合回路４４を介して第１スイッチ３０と電気的に接続されている。すなわち、第４フィルタ５４は、第１スイッチ３０と接続され、受信信号を通過させる。第４フィルタ５４は、例えば、ラダー型フィルタであり、複数（例えば、４つ）の直列腕共振子と、複数（例えば、３つ）の並列腕共振子と、を有する。第４フィルタ５４は、例えば、弾性波フィルタである。弾性波フィルタは、複数の直列腕共振子及び複数の並列腕共振子の各々が弾性波共振子により構成されている。弾性波フィルタは、例えば、弾性表面波を利用する表面弾性波フィルタである。表面弾性波フィルタでは、複数の直列腕共振子及び複数の並列腕共振子の各々は、例えば、ＳＡＷ共振子である。なお、第４フィルタ５４は、ＳＡＷフィルタに限定されない。第４フィルタ５４はＳＡＷフィルタ以外、例えばＢＡＷフィルタであってもよい。

　第２スイッチ６１は、１チップで構成されており、第１パワーアンプ８１と第１フィルタ５１との接続を切り替える。すなわち、第２スイッチ６１は、第１パワーアンプ８１に接続されるフィルタを切り替える。具体的には、第２スイッチ６１は、共通端子６１１、複数（図示例では、３つ）の選択端子６１２，６１３，６１４を有している。第２スイッチ６１は、信号処理回路５０１の制御により、複数の選択端子６１２，６１３，６１４のうち少なくとも１つを共通端子６１１の接続先として選択する。共通端子６１１は、第１パワーアンプ８１と電気的に接続されている。複数の選択端子６１２，６１３，６１４は、第１スイッチ３０に接続されている。すなわち、複数の選択端子６１２，６１３，６１４は、第１スイッチ３０を介して第１アンテナ端子１１又は第２アンテナ端子１２に電気的に接続されている。つまり、複数の選択端子６１２，６１３，６１４は、第１アンテナ端子１１を介して第１アンテナ５１１に、又は第２アンテナ端子１２を介して第２アンテナ５１２に、電気的に接続されている。具体的には、選択端子６１４は、第１フィルタ５１に電気的に接続されており、選択端子６１４は、第１フィルタ５１を介して、第１アンテナ５１１又は第２アンテナ５１２に、電気的に接続されている。なお、選択端子６１２，６１３の接続先は、図面の関係上省略している。

　第３スイッチ６２は、１チップで構成されており、第２パワーアンプ８２と第２フィルタ５２及び第３フィルタ５３との接続を切り替える。すなわち、第３スイッチ６２は、第２パワーアンプ８２に接続されるフィルタを切り替える。具体的には、第３スイッチ６２は、共通端子６２１、複数（図示例では、６つ）の選択端子６２２，６２３，６２４，６２５，６２６，６２７を有している。第３スイッチ６２は、信号の送信時において信号処理回路５０１の制御により、複数の選択端子６２２，６２３，６２４のうち少なくとも１つを共通端子６２１の接続先として選択する。共通端子６２１は、第２パワーアンプ８２と電気的に接続されている。複数の選択端子６２２，６２３，６２４は、第１スイッチ３０に接続されている。すなわち、複数の選択端子６２２，６２３，６２４は、第１スイッチ３０を介して第１アンテナ端子１１又は第２アンテナ端子１２に電気的に接続されている。つまり、複数の選択端子６２２，６２３，６２４は、第１アンテナ端子１１を介して第１アンテナ５１１に、又は第２アンテナ端子１２を介して第２アンテナ５１２に、電気的に接続されている。具体的には、選択端子６２２は、第３フィルタ５３に電気的に接続されており、選択端子６２２は、第３フィルタ５３を介して、第１アンテナ５１１又は第２アンテナ５１２に、電気的に接続されている。選択端子６２３は、第２フィルタ５２に電気的に接続されており、選択端子６２３は、第２フィルタ５２を介して、第１アンテナ５１１又は第２アンテナ５１２に、電気的に接続されている。なお、選択端子６２４の接続先は、図面の関係上省略している。

　また、受信時において、第３スイッチ６２は、信号処理回路５０１の制御により、選択端子６２２，６２３，６２４のうち１つの選択端子と、選択端子６２５，６２６，６２７のうち１つの選択端子とを接続する。例えば、ｎ４１の信号を受信する場合、第３スイッチ６２は、選択端子６２３と選択端子６２５とを接続する。ｎ４０の信号を受信する場合、第３スイッチ６２は、選択端子６２２と選択端子６２６とを接続する。なお、選択端子６２７の接続先は、図面の関係上省略している。

　第５整合回路７１は、例えばインダクタである。より詳細には、第５整合回路７１は、チップインダクタである。第５整合回路７１は、第２スイッチ６１と第１パワーアンプ８１との間の経路において電気的に接続されており、第２スイッチ６１と第１パワーアンプ８１とのインピーダンス整合をとる。

　第６整合回路７２は、例えばインダクタである。より詳細には、第６整合回路７２は、チップインダクタである。第６整合回路７２は、第３スイッチ６２と第２パワーアンプ８２との間の経路において電気的に接続されており、第３スイッチ６２と第２パワーアンプ８２とのインピーダンス整合をとる。

　第７整合回路７３は、例えばインダクタである。より詳細には、第７整合回路７３は、チップインダクタである。第７整合回路７３は、第４スイッチ８５と第１ローノイズアンプ８３との間の経路において電気的に接続されており、第４スイッチ８５と第１ローノイズアンプ８３とのインピーダンス整合をとる。

　第８整合回路７４は、例えばインダクタである。より詳細には、第８整合回路７４は、チップインダクタである。第８整合回路７４は、第４スイッチ８５と第２ローノイズアンプ８４との間の経路において電気的に接続されており、第４スイッチ８５と第２ローノイズアンプ８４とのインピーダンス整合をとる。

　第１パワーアンプ８１は、信号処理回路５０１のＲＦ信号処理回路５０２が出力したＢａｎｄ３の送信信号（第１送信信号）を増幅する増幅器である。第１パワーアンプ８１の入力端子は、信号入力端子９１に電気的に接続されている。第１パワーアンプ８１の出力端子は、第５整合回路７１に電気的に接続されている。すなわち、第１パワーアンプ８１は、第５整合回路７１を介して第１フィルタ５１に電気的に接続されている。つまり、第１パワーアンプ８１は、第１フィルタ５１を介して第１スイッチ３０に電気的に接続されている。

　第２パワーアンプ８２は、信号処理回路５０１のＲＦ信号処理回路５０２が出力したｎ４１の送信信号（第２送信信号）又はｎ４０の送信信号を増幅する増幅器である。第２パワーアンプ８２の入力端子は、信号入力端子９２に電気的に接続されている。第２パワーアンプ８２の出力端子は、第６整合回路７２に電気的に接続されている。すなわち、第２パワーアンプ８２は、第６整合回路７２を介して第２フィルタ５２に電気的に接続されている。つまり、第２パワーアンプ８２は、第２フィルタ５２を介して第１スイッチ３０に電気的に接続されている。

　第１ローノイズアンプ８３は、第２フィルタ５２又は第３フィルタ５３を通過した受信信号を低雑音で増幅する増幅器である。第１ローノイズアンプ８３の入力端子は、第７整合回路７３に電気的に接続され、第１ローノイズアンプ８３の出力端子は、信号出力端子９３に電気的に接続されている。すなわち、第１ローノイズアンプ８３は、第７整合回路７３を介して第２フィルタ５２又は第３フィルタ５３に電気的に接続されている。つまり、第１ローノイズアンプ８３は、第２フィルタ５２又は第３フィルタ５３を介して第１スイッチ３０に電気的に接続されている。

　第２ローノイズアンプ８４は、第４フィルタ５４を通過した受信信号を低雑音で増幅する増幅器である。第２ローノイズアンプ８４の入力端子は、第８整合回路７４に電気的に接続され、第２ローノイズアンプ８４の出力端子は、信号出力端子９４に電気的に接続されている。すなわち、第２ローノイズアンプ８４、第８整合回路７４を介して第４フィルタ５４に電気的に接続されている。つまり、第２ローノイズアンプ８４は、第４フィルタ５４を介して第１スイッチ３０に電気的に接続されている。

　第４スイッチ８５は、第７整合回路７３に対して第３スイッチ６２と接続可能に、第８整合回路７４に対して第４フィルタ５４と接続可能に、構成されている。具体的には、第４スイッチ８５は、第１端子８５１、第２端子８５２、第３端子８５３、第４端子８５４、第５端子８５５、第６端子８５６を有している。

　第１端子８５１は、第７整合回路７３に電気的に接続されている。つまり、第１端子８５１は、第７整合回路７３を介して第１ローノイズアンプ８３に電気的に接続されている。第２端子８５２は、第８整合回路７４に電気的に接続されている。つまり、第２端子８５２は、第８整合回路７４を介して第２ローノイズアンプ８４に電気的に接続されている。

　第３端子８５３は、第３スイッチ６２の選択端子６２６に電気的に接続されている。第４端子８５４は、第３スイッチ６２の選択端子６２５に電気的に接続されている。第６端子８５６は、第４フィルタ５４に電気的に接続されている。なお、第５端子８５５の接続先は、図面の関係上省略している。

　第４スイッチ８５は、例えば５Ｇ規格の信号を受信する場合には、信号処理回路５０１の制御により、第１端子８５１の接続先として第３端子８５３及び第４端子８５４のうち１つの端子を選択する。すなわち、第４スイッチ８５は、５Ｇ規格の信号を受信する場合、第１ローノイズアンプ８３に接続されるフィルタを切り替える。例えば、第４スイッチ８５は、ｎ４０の信号を受信する場合には、信号処理回路５０１の制御により、第１端子８５１の接続先として第３端子８５３を選択する。第４スイッチ８５は、ｎ４１の信号を受信する場合には、信号処理回路５０１の制御により、第１端子８５１の接続先として第４端子８５４を選択する。

　また、第４スイッチ８５は、例えば４Ｇ規格の信号を受信する場合には、信号処理回路５０１の制御により、第２端子８５２の接続先として第５端子８５５、及び第６端子８５６のうち１つの端子を選択する。すなわち、第４スイッチ８５は、４Ｇ規格の信号を受信する場合、第２ローノイズアンプ８４に接続されるフィルタを切り替える。例えば、第４スイッチ８５は、Ｂａｎｄ３の信号を受信する場合には、信号処理回路５０１の制御により、第２端子８５２の接続先として第６端子８５６を選択する。

　実施形態１では、第１ローノイズアンプ８３、第２ローノイズアンプ８４及び第４スイッチ８５は、１チップ化されており、スイッチＩＣ８００を形成している（図２参照）。

　複数（図示例では、２つ）の信号入力端子９１，９２及び複数（図示例では、２つ）の信号出力端子９３，９４は、ＲＦ信号処理回路５０２に接続される。すなわち、第１パワーアンプ８１は、信号入力端子９１を介して、ＲＦ信号処理回路５０２に電気的に接続される。第２パワーアンプ８２は、信号入力端子９２を介して、ＲＦ信号処理回路５０２に電気的に接続される。第１ローノイズアンプ８３は、信号出力端子９３を介して、ＲＦ信号処理回路５０２に電気的に接続される。第２ローノイズアンプ８４は、信号出力端子９４を介して、ＲＦ信号処理回路５０２に電気的に接続される。

　高周波モジュール１は、コントローラ２（図２参照）を更に備える。コントローラ２は、例えば、基板と回路部とを備える１チップのＩＣである。基板は、互いに対向する第１面及び第２面を有する。基板は、例えば、シリコン基板である。回路部は、信号処理回路５０１からの制御信号に応じて第１パワーアンプ８１、及び第２パワーアンプ８２を制御する制御回路を含む。コントローラ２は、例えば、基板の第１面が実装基板１００の第１主面１０１側となるように実装基板１００の第１主面１０１にフリップチップ実装されている。

　高周波モジュール１は、図２及び図３に示すように、実装基板１００と、シールド層１１０と、樹脂層１２０と、外部接続端子２００と、を更に備える。実装基板１００は、実装基板１００の厚さ方向Ｄ１において互いに対向する第１主面１０１及び第２主面１０２を有している。

　実装基板１００は、例えば、プリント配線板、ＬＴＣＣ（Low Temperature Co-fired Ceramics）基板、ＨＴＣＣ（High Temperature Co-fired Ceramics）基板、樹脂多層基板である。ここにおいて、実装基板１００は、例えば、複数の誘電体層及び複数の導電層を含む多層基板であってセラミック基板である。複数の誘電体層及び複数の導電層は、実装基板１００の厚さ方向Ｄ１において積層されている。複数の導電層は、層ごとに定められた所定パターンに形成されている。複数の導電層の各々は、実装基板１００の厚さ方向Ｄ１に直交する一平面内において１つ又は複数の導体部を含む。各導電層の材料は、例えば、銅である。複数の導電層は、グランド層を含む。高周波モジュール１では、複数の外部接続端子２００（図３参照）に含まれる１つ以上のグランド端子とグランド層とが、実装基板１００の有するビア導体及びパッド等を介して電気的に接続されている。

　実装基板１００は、プリント配線板、ＬＴＣＣ基板に限らず、配線構造体であってもよい。配線構造体は、例えば、多層構造体である。多層構造体は、少なくとも１つの絶縁層と、少なくとも１つの導電層とを含む。絶縁層は、所定パターンに形成されている。絶縁層が複数の場合は、複数の絶縁層は、層ごとに定められた所定パターンに形成されている。導電層は、絶縁層の所定パターンとは異なる所定パターンに形成されている。導電層が複数の場合は、複数の導電層は、層ごとに定められた所定パターンに形成されている。導電層は、１つ又は複数の再配線部を含んでもよい。配線構造体では、多層構造体の厚さ方向において互いに対向する２つの面のうち第１面が実装基板１００の第１主面１０１であり、第２面が実装基板１００の第２主面１０２である。配線構造体は、例えば、インタポーザであってもよい。インタポーザは、シリコン基板を用いたインタポーザであってもよいし、多層で構成された基板であってもよい。

　実装基板１００の第１主面１０１及び第２主面１０２は、実装基板１００の厚さ方向Ｄ１において離れており、実装基板１００の厚さ方向Ｄ１に交差する。実装基板１００における第１主面１０１は、例えば、実装基板１００の厚さ方向Ｄ１に直交しているが、例えば、厚さ方向Ｄ１に直交しない面として導体部の側面等を含んでいてもよい。また、実装基板１００における第２主面１０２は、例えば、実装基板１００の厚さ方向Ｄ１に直交しているが、例えば、厚さ方向Ｄ１に直交しない面として、導体部の側面等を含んでいてもよい。また、実装基板１００の第１主面１０１及び第２主面１０２は、微細な凹凸又は凹部又は凸部が形成されていてもよい。実装基板１００の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、実装基板１００は、長方形状であるが、これに限らず、例えば、正方形状であってもよい。

　高周波モジュール１は、複数の部品を備える。複数の部品は、第１ローパスフィルタ２１、第２ローパスフィルタ２２、第１スイッチ３０、第１整合回路４１、第２整合回路４２、第３整合回路４３、第４整合回路４４、第１フィルタ５１、第２フィルタ５２、第３フィルタ５３、第４フィルタ５４、第２スイッチ６１、第３スイッチ６２、第５整合回路７１、第６整合回路７２、第７整合回路７３、第８整合回路７４、第１パワーアンプ８１、第２パワーアンプ８２及びスイッチＩＣ８００を含む。実装基板１００の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、複数の部品の各々の外周形状は、四角形状（長方形状）である。

　高周波モジュール１の複数の部品の各々は、実装基板１００の第１主面１０１又は第２主面１０２に実装されている。実施形態１では、高周波モジュール１の複数の電子部品の各々は、第１主面１０１に配置されている。

　複数の外部接続端子２００は、角柱状に形成されており、第２主面１０２に配置されている。より詳細には、複数の外部接続端子２００の材料は、例えば、金属（例えば、銅、銅合金）である。

　複数の外部接続端子２００は、第１アンテナ端子１１、第２アンテナ端子１２、１つ以上のグランド端子、信号入力端子９１，９２及び信号出力端子９３，９４を含んでいる。１つ以上のグランド端子は、上述のように実装基板１００のグランド層と接続されている。グランド層は高周波モジュール１の回路グランドであり、高周波モジュール１の複数の電子部品は、グランド層と接続されている電子部品を含む。

　樹脂層１２０は、実装基板１００の第１主面１０１側において実装基板１００の第１主面１０１に配置されている複数の電子部品の少なくとも一部を覆っている。ここにおいて、樹脂層１２０は、実装基板１００の第１主面１０１に配置されている複数の電子部品を封止している。樹脂層１２０は、樹脂（例えば、エポキシ樹脂）を含む。樹脂層１２０は、樹脂の他にフィラーを含んでいてもよい。

　シールド層１１０は、樹脂層１２０の少なくとも一部を覆っている（図２参照）。シールド層１１０は、導電性を有する。シールド層１１０は、複数の金属層を積層した多層構造を有しているが、これに限らず、１つの金属層であってもよい。金属層は、１又は複数種の金属を含む。シールド層１１０は、樹脂層１２０における実装基板１００側とは反対側の主面１２１と、樹脂層１２０の外周面１２３と、実装基板１００の外周面１０３の少なくとも一部と、を覆っている。さらに、シールド層１１０は、第１送信系部品である第１フィルタ５１、第２送信系部品である第２フィルタ５２、及び第３部品である第３フィルタ５３を覆っている。シールド層１１０は、実装基板１００の有するグランド端子と電気的に接続している。これにより、シールド層１１０の電位をグランド層の電位と同じにすることができる。すなわち、シールド層１１０は、グランド電極ともいえる。

　次に、複数の部品の配置関係、特に第１フィルタ５１、第２フィルタ５２及び第３フィルタ５３の配置関係について、説明する。

　第１フィルタ５１は第１送信信号が入力される入力端子５１ａを備え、第２フィルタ５２は第２送信信号が入力される入力端子５２ａを備える（図２参照）。

　第１フィルタ５１は、第１フィルタの厚さ方向（実装基板１００の厚さ方向Ｄ１）において互いに対向する２つの面（天面５１ｂ、底面５１ｃ）を有している（図３参照）。第２フィルタ５２は、第２フィルタの厚さ方向において互いに対向する２つの面（天面５２ｂ、底面５２ｃ）を有している（図３参照）。第３フィルタ５３は、第３フィルタの厚さ方向において互いに対向する２つの面（天面５３ｂ、底面５３ｃ）を有している（図３参照）。

　第１フィルタ５１の天面５１ｂ及び第２フィルタ５２の天面５２ｂは、シールド層１１０と接続している（図３参照）。さらに、実施形態１では、第３フィルタ５３の天面５３ｂは、シールド層１１０と接続している（図３参照）。

　実装基板１００の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、第３フィルタ５３は、第１フィルタ５１と第２フィルタ５２との間に配置されている。実施形態１では、第１フィルタ５１、第２フィルタ５２及び第３フィルタ５３は、厚さ方向Ｄ１と直交（交差）する方向Ｄ２に沿って、第３フィルタ５３が第１フィルタ５１と第２フィルタ５２との間に位置するよう配置されている。

　より詳細には、実装基板１００の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、第１フィルタ５１、第２フィルタ５２及び第３フィルタ５３は、第１フィルタ５１の短辺に沿って配置されている。さらに、実装基板１００の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、第１フィルタ５１、第２フィルタ５２及び第３フィルタ５３は、第２フィルタ５２の短辺に沿って配置されている。また、実装基板１００の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、第１フィルタ５１、第２フィルタ５２及び第３フィルタ５３は、第３フィルタ５３の短辺に沿って配置されている。すなわち、実施形態１では、第１フィルタ５１、第２フィルタ５２及び第３フィルタ５３は、互いの短辺に沿って配置されている。言い換えると、第３フィルタ５３（第３部品）は、第３フィルタ５３の長辺が第１フィルタ５１（第１部品）の短辺に沿った方向（例えば、方向Ｄ２）と交差するように、配置されている。また、第３フィルタ５３（第３部品）は、第３フィルタ５３の長辺が第２フィルタ５２（第１部品）の短辺に沿った方向（例えば、方向Ｄ２）と交差するように、配置されている。

　第１フィルタ５１の入力端子５１ａ（図２参照）は、第１フィルタ５１、第２フィルタ５２及び第３フィルタ５３が並ぶ方向（方向Ｄ２）と交差する第１フィルタ５１の２つの辺５１ｄ，５１ｅのうち、第３フィルタ５３までの距離が短い辺５１ｄ側に配置されている。

　第２フィルタ５２の入力端子５２ａは、第１フィルタ５１、第２フィルタ５２及び第３フィルタ５３が並ぶ方向（方向Ｄ２）と交差する第２フィルタ５２の２つの辺５２ｄ，５２ｅのうち、第３フィルタ５３までの距離が短い辺５２ｄ側に配置されている。

　（３）効果
　以上説明したように、実施形態１の高周波モジュール１は、実装基板１００と、複数の部品と、樹脂層１２０と、グランド電極（例えば、シールド層１１０）と、を備える。実装基板１００は、互いに対向する第１主面１０１と第２主面１０２とを有する。複数の部品は、第１主面１０１に配置されている。樹脂層１２０は、複数の部品の少なくとも一部を覆う。グランド電極は、樹脂層１２０の少なくとも一部を覆う。複数の部品は、第１部品、第２部品及び第３部品を含む。第１部品は、例えば第１送信信号の送信に用いられる第１フィルタ５１である第１送信系部品である。第２部品は、例えば第１送信信号の周波数帯域とは異なる周波数帯域の第２送信信号の送信に用いられる第２フィルタ５２である第２送信系部品である。第１送信系部品の天面（例えば、天面５１ｂ）及び第２送信系部品の天面（例えば、天面５２ｂ）は、グランド電極と接続している。第１送信系部品と第２送信系部品とは、同時送信可能に構成されている。第３部品は、第１送信系部品及び第２送信系部品と同時送信動作しないように構成されている。実装基板１００の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、第３部品は、第１送信系部品と第２送信系部品との間に配置されている。

　この構成によると、実装基板１００の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、第１送信系部品と第２送信系部品との間に、第１送信系部品及び第２送信系部品と同時送信動作しない第３部品が配置されている。すなわち、第１送信系部品と第２送信系部品とが同時送信動作した場合であっても、第３部品は動作しない。そのため、第１送信系部品と第２送信系部品とが隣り合い、熱干渉する場合と比較して、双方の発熱の影響が小さい。なぜなら、第１送信系部品で発生し第２送信系部品へ向かう熱の一部、及び第２送信系部品で発生し第１送信系部品へ向かう熱の一部は、第３部品に流入するため、第１送信系部品と第２送信系部品との間の熱干渉を低減することができるからである。したがって、実施形態１の高周波モジュール１では、シールド層１１０（グランド電極）に接続する第１送信系部品及び第２送信系部品が同時送信動作した場合であっても、特性の劣化を抑えることができる。ここで、「ＡとＢとが隣り合う」とは、ＡとＢとの間に他の部品が存在しないことを意味する。

　（４）変形例
　以下、実施形態１に係る変形例について説明する。

　（４．１）変形例１
　実施形態１では、高周波モジュール１が備える複数の電子部品の各々は、実装基板１００の第１主面１０１に実装されている構成としているが、この構成に限定されない。

　複数の電子部品のうち少なくとも１つの電子部品は、実装基板１００の第２主面１０２に設けられてもよい。以下、変形例１に係る高周波モジュール１ａについて、図４を参照して説明する。なお、変形例１では、実施形態１に係る高周波モジュール１と同様の構成要素については同一の符号を付し、その説明を適宜省略する。

　高周波モジュール１ａは、実施形態１の高周波モジュール１と同様に、複数の部品を備える。複数の部品は、第１ローパスフィルタ２１、第２ローパスフィルタ２２、第１スイッチ３０、第１整合回路４１、第２整合回路４２、第３整合回路４３、第４整合回路４４、第１フィルタ５１、第２フィルタ５２、第３フィルタ５３、第４フィルタ５４、第２スイッチ６１、第３スイッチ６２、第５整合回路７１、第６整合回路７２、第７整合回路７３、第８整合回路７４、第１パワーアンプ８１、第２パワーアンプ８２及びスイッチＩＣ８００を含む。高周波モジュール１ａは、実施形態１の高周波モジュール１と同様に、図１に示す、信号入力端子９１，９２と、信号出力端子９３，９４とを、備える。

　高周波モジュール１ａは、図４に示すように、実装基板１００と、複数（図示例では、２つ）の外部接続端子２００と、樹脂層１２０としての第１樹脂層１２０と、第２樹脂層１２５と、シールド層１１０と、複数（図示例では、２つ）の接続端子１３０と、を更に備える。

　スイッチＩＣ８００及び複数の接続端子１３０は、実装基板１００の第２主面１０２に配置されている（図４参照）。すなわち、複数の部品のうち少なくとも一部の部品は、実装基板の１００の第１主面１０１に配置されている。

　複数の接続端子１３０は、柱状電極により構成されている。複数の接続端子１３０は、実装基板１００に設けられたビア導体等を介して、実装基板１００に配置されている部品、及び実装基板１００の導電層と電気的に接続されている。

　第２樹脂層１２５は、実装基板１００の第２主面１０２に配置されている。第２樹脂層１２５は、実装基板１００の第２主面１０２側において実装基板１００の第２主面１０２に実装されている複数の電子部品と複数の接続端子１３０それぞれの一部とを覆っている。第２樹脂層１２５は、複数の接続端子１３０の各々における先端面を露出させるように形成されている。第２樹脂層１２５は、樹脂（例えば、エポキシ樹脂）を含む。第２樹脂層１２５は、樹脂の他にフィラーを含んでいてもよい。第２樹脂層１２５の材料は、第１樹脂層１２０の材料と同じ材料であってもよいし、異なる材料であってもよい。

　複数の外部接続端子２００は、第１アンテナ端子１１、第２アンテナ端子１２、１つ以上のグランド端子、信号入力端子９１，９２及び信号出力端子９３，９４を含んでいる。１つ以上のグランド端子は、上述のように実装基板１００のグランド層と接続されている。グランド層は高周波モジュール１ａの回路グランドであり、高周波モジュール１ａの複数の電子部品は、グランド層と接続されている電子部品を含む。複数の外部接続端子２００は、実装基板１００の厚さ方向Ｄ１における第２樹脂層１２５の互いに対向する２つの面のうち、実装基板１００から遠い面１２５１に配置される。具体的には、複数の外部接続端子２００は、面１２５１において、複数の接続端子１３０の直下にそれぞれ配置される。複数の外部接続端子２００は、面１２５１において、複数の接続端子１３０と一対一に電気的に接続される。

　シールド層１１０は、実施形態１と同様に、第１樹脂層１２０における実装基板１００側とは反対側の主面１２１と、樹脂層１２０の外周面１２３と、実装基板１００の外周面１０３と、を覆っている。また、シールド層１１０は、第２樹脂層１２５の外周面１２６の少なくとも一部も覆っている。変形例５では、シールド層１１０は、第２樹脂層１２５の外周面１２６の一部を覆っている。シールド層１１０は、実装基板１００の有するグランド端子と電気的に接続している。

　変形例１においても、シールド層１１０（グランド電極）に接続する第１送信系部品及び第２送信系部品が同時送信動作した場合であっても、特性の劣化を抑えることができる。

　（４．２）変形例２
　変形例２に係る高周波モジュール１ｂについて、図５を参照して説明する。変形例２に係る高周波モジュール１ｂに関し、変形例１に係る高周波モジュール１ａと同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を適宜省略する。

　変形例２に係る高周波モジュール１ｂは、複数の外部接続端子２００としての外部接続端子２００がボールバンプ２５０である点で、変形例１に係る高周波モジュール１ａと相違する。また、変形例２に係る高周波モジュール１ｂは、変形例１に係る高周波モジュール１ａの第２樹脂層１２５を備えていない点で、変形例１に係る高周波モジュール１ａと相違する。変形例２に係る高周波モジュール１ｂは、スイッチＩＣ８００と実装基板１００の第２主面１０２との間の隙間に設けられたアンダーフィル部を備えていてもよい。

　複数の外部接続端子２００の各々を構成するボールバンプ２５０の材料は、例えば、金、銅、はんだ等である。

　複数の外部接続端子２００は、ボールバンプ２５０により構成された外部接続端子２００と、角柱状に形成された外部接続端子２００と、が混在してもよい。

　変形例２においても、シールド層１１０（グランド電極）に接続する第１送信系部品及び第２送信系部品が同時送信動作した場合であっても、特性の劣化を抑えることができる。

　（４．３）変形例３
　実施形態１において、第１送信系部品を第１フィルタ５１とし、第２送信系部品を第２フィルタ５２とする構成としているが、この構成に限定されない。

　第１送信系部品を第１パワーアンプ８１とし、第２送信系部品として第２パワーアンプ８２としてもよい。または、第１送信系部品を第１フィルタ５１とし、第２送信系部品として第２パワーアンプ８２としてもよい。または、第１送信系部品を第１パワーアンプ８１とし、第２送信系部品として第２フィルタ５２としてもよい。すなわち、第１送信系部品は第１フィルタ５１又は第１パワーアンプ８１であり、第２送信系部品は第２フィルタ５２又は第２パワーアンプ８２である。

　（４．４）変形例４
　実施形態１において、第３部品を第３フィルタ５３とする構成としているが、この構成に限定されない。

　第３部品は、第１送信系部品及び第２送信系部品と同時送信動作しないように構成されていればよく、例えば、第３フィルタ５３と接続されている部品であってもよい。すなわち、第１送信系部品及び第２送信系部品と同時送信動作しない部品であって、第１送信信号が通過する信号経路、及び第２送信信号が通過する信号経路に配置されていない部品であればよい。

　（４．５）変形例５
　実施形態１において、第３部品としての第３フィルタ５３の天面５３ｂは、シールド層１１０に接続する構成としているが、この構成に限定されない。

　第３部品としての第３フィルタ５３の天面５３ｂは、シールド層１１０に接続されていなくてもよい。

　（実施形態２）
　実施形態２では、第３部品として受信系部品を用いる点が、実施形態１とは異なる。以下、実施形態２について、実施形態１と異なる点を中心に、図６及び図７を用いて説明する。なお、実施形態１と同様の構成要素については、同一の符号を付し、その説明を適宜省略する。

　実施形態２の高周波モジュール１ｃでは、実装基板１００の第１主面１０１に、複数の部品が配置されている。複数の部品は、第１スイッチ３０、第１整合回路４１、第２整合回路４２、第３整合回路４３、第４整合回路４４、第１フィルタ５１、第２フィルタ５２、第３フィルタ５３、第４フィルタ５４、第２スイッチ６１、第３スイッチ６２、第５整合回路７１、第６整合回路７２、第７整合回路７３、第８整合回路７４、第１パワーアンプ８１、第２パワーアンプ８２及びスイッチＩＣ８００を含む。実装基板１００の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、複数の部品の各々の外周形状は、四角形状である。

　複数の部品は、第１部品、第２部品及び第３部品を含む。第１部品は、第１送信信号の送信に用いられる第１送信系部品であり、例えば第１フィルタ５１である。第２部品は、第２送信信号の送信に用いられる第２送信系部品であり、例えば第２フィルタ５２である。第３部品は、受信信号の受信に用いられる受信系部品であり、例えば、第４フィルタ５４である。第４フィルタ５４は、第２ローノイズアンプ８４に入力されるＢａｎｄ３の受信信号を通過させる受信フィルタである。

　実施形態２において、第４フィルタ５４は、第４フィルタの厚さ方向（実装基板１００の厚さ方向Ｄ１）において互いに対向する２つの面（天面５４ｂ、底面５４ｃ）を有している（図７参照）。

　実施形態２において、第１フィルタ５１の天面５１ｂ及び第２フィルタ５２の天面５２ｂは、シールド層１１０と接続している（図７参照）。さらに、実施形態２では、第４フィルタ５４の天面５４ｂは、シールド層１１０と接続している（図７参照）。

　実施形態２において、実装基板１００の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、第４フィルタ５４は、第１フィルタ５１と第２フィルタ５２との間に配置されている（図６参照）。実施形態２では、第１フィルタ５１、第２フィルタ５２及び第４フィルタ５４は、厚さ方向Ｄ１と直交（交差）する方向Ｄ２に沿って、第４フィルタ５４が第１フィルタ５１と第２フィルタ５２との間に位置するよう配置されている。

　より詳細には、実装基板１００の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、第１フィルタ５１、第２フィルタ５２及び第４フィルタ５４は、第１フィルタ５１の短辺に沿って配置されている。さらに、実装基板１００の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、第１フィルタ５１、第２フィルタ５２及び第４フィルタ５４は、第２フィルタ５２の短辺に沿って配置されている。また、実装基板１００の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、第１フィルタ５１、第２フィルタ５２及び第４フィルタ５４は、第４フィルタ５４の短辺に沿って配置されている。すなわち、実施形態２では、第１フィルタ５１、第２フィルタ５２及び第４フィルタ５４は、互いの短辺に沿って配置されている。

　第１フィルタ５１の入力端子５１ａは、第１フィルタ５１、第２フィルタ５２及び第４フィルタ５４が並ぶ方向（方向Ｄ２）と交差する第１フィルタ５１の２つの辺５１ｄ，５１ｅのうち、第４フィルタ５４までの距離が短い辺５１ｄ側に配置されている。

　第２フィルタ５２の入力端子５２ａは、第１フィルタ５１、第２フィルタ５２及び第４フィルタ５４が並ぶ方向（方向Ｄ２）と交差する第２フィルタ５２の２つの辺５２ｄ，５２ｅのうち、第４フィルタ５４までの距離が短い辺５２ｄ側に配置されている。

　実施形態２によると、実装基板１００の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、第１送信系部品と第２送信系部品との間に、第３部品である受信系部品が配置されている。そのため、第１送信系部品と第２送信系部品とが隣り合う場合と比較して、双方の発熱の影響が小さい。したがって、実施形態２の高周波モジュール１ｃでは、シールド層１１０（グランド電極）に接続する第１送信系部品及び第２送信系部品が同時送信動作した場合であっても、特性の劣化を抑えることができる。

　実施形態２において、実施形態１の変形例１，２を適用してもよい。すなわち、実施形態２において、実装基板１００の第２主面１０２に部品を配置してもよい。

　また、実施形態２において、実施形態１の変形例３を適用してもよい。すなわち、実施形態２においても実施形態１と同様に、第１送信系部品は第１フィルタ５１又は第１パワーアンプ８１であり、第２送信系部品は第２フィルタ５２又は第２パワーアンプ８２である。

　また、実施形態２において、第３部品を第４フィルタ５４とする構成としているが、この構成に限定されない。第３部品は、受信時に動作する部品であればよく、例えばＢａｎｄ３の受信信号が通過する経路に配置された、第４フィルタ５４以外の部品（例えば、スイッチＩＣ８００）であってもよい。

　また、実施形態２において、第３部品としての第４フィルタ５４の天面５４ｂは、シールド層１１０に接続する構成としているが、この構成に限定されない。第３部品としての第４フィルタ５４の天面５４ｂは、シールド層１１０に接続されていなくてもよい。

　（実施形態３）
　実施形態３では、受信系部品である第１スイッチ３０を第３部品として用いる点が、実施形態２とは異なる。以下、実施形態３について、実施形態２と異なる点を中心に、図８及び図９を用いて説明する。なお、実施形態１，２と同様の構成要素については、同一の符号を付し、その説明を適宜省略する。

　実施形態３の高周波モジュール１ｄでは、実装基板１００の第１主面１０１に、複数の部品が配置されている。複数の部品は、第１スイッチ３０、第１整合回路４１、第２整合回路４２、第３整合回路４３、第４整合回路４４、第１フィルタ５１、第２フィルタ５２、第３フィルタ５３、第４フィルタ５４、第２スイッチ６１、第３スイッチ６２、第５整合回路７１、第６整合回路７２、第７整合回路７３、第８整合回路７４、第１パワーアンプ８１、第２パワーアンプ８２及びスイッチＩＣ８００を含む。実装基板１００の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、複数の部品の各々の外周形状は、四角形状である。

　複数の部品は、第１部品、第２部品及び第３部品を含む。第１部品は、第１送信信号の送信に用いられる第１送信系部品であり、例えば第１フィルタ５１である。第２部品は、第２送信信号の送信に用いられる第２送信系部品であり、例えば第２フィルタ５２である。第３部品は、受信信号の受信に用いられる受信系部品であり、例えば、第１スイッチ３０である。第１スイッチ３０では、Ｂａｎｄ３の信号の受信時には、Ｂａｎｄ３の受信信号が通過する。

　実施形態３において、第１スイッチ３０は、第１スイッチ３０の厚さ方向（実装基板１００の厚さ方向Ｄ１）において互いに対向する２つの面（天面３０ｂ、底面３０ｃ）を有している（図９参照）。

　実施形態３において、第１フィルタ５１の天面５１ｂ及び第２フィルタ５２の天面５２ｂは、シールド層１１０と接続している（図９参照）。さらに、実施形態３では、第１スイッチ３０の天面３０ｂは、シールド層１１０と接続している（図９参照）。

　実施形態３において、実装基板１００の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、第１スイッチ３０は、第１フィルタ５１と第２フィルタ５２との間に配置されている（図８参照）。実施形態３では、第１フィルタ５１、第２フィルタ５２及び第１スイッチ３０は、厚さ方向Ｄ１と直交（交差）する方向Ｄ２に沿って、第１スイッチ３０が第１フィルタ５１と第２フィルタ５２との間に位置するよう配置されている。

　より詳細には、実装基板１００の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、第１フィルタ５１、第２フィルタ５２及び第１スイッチ３０は、第１フィルタ５１の短辺に沿って配置されている。さらに、実装基板１００の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、第１フィルタ５１、第２フィルタ５２及び第１スイッチ３０は、第２フィルタ５２の短辺に沿って配置されている。また、実装基板１００の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、第１フィルタ５１、第２フィルタ５２及び第１スイッチ３０は、第１スイッチ３０の短辺に沿って配置されている。すなわち、実施形態３では、第１フィルタ５１、第２フィルタ５２及び第１スイッチ３０は、互いの短辺に沿って配置されている。

　第１フィルタ５１の入力端子５１ａは、第１フィルタ５１、第２フィルタ５２及び第１スイッチ３０が並ぶ方向（方向Ｄ２）と交差する第１フィルタ５１の２つの辺５１ｄ，５１ｅのうち、第１スイッチ３０までの距離が短い辺５１ｄ側に配置されている。

　第２フィルタ５２の入力端子５２ａは、第１フィルタ５１、第２フィルタ５２及び第１スイッチ３０が並ぶ方向（方向Ｄ２）と交差する第２フィルタ５２の２つの辺５２ｄ，５２ｅのうち、第１スイッチ３０までの距離が短い辺５２ｄ側に配置されている。

　実施形態３によると、実装基板１００の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、第１送信系部品と第２送信系部品との間に、第３部品である第１スイッチ３０が配置されている。そのため、第１送信系部品と第２送信系部品とが隣り合う場合と比較して、双方の発熱の影響が小さい。したがって、実施形態３の高周波モジュール１ｄでは、シールド層１１０（グランド電極）に接続する第１送信系部品及び第２送信系部品が同時送信動作した場合であっても、特性の劣化を抑えることができる。

　実施形態３において、実施形態１の変形例１，２を適用してもよい。すなわち、実施形態３において、実装基板１００の第２主面１０２に部品を配置してもよい。

　また、実施形態３において、実施形態１の変形例３を適用してもよい。すなわち、実施形態３においても実施形態１と同様に、第１送信系部品は第１フィルタ５１又は第１パワーアンプ８１であり、第２送信系部品は第２フィルタ５２又は第２パワーアンプ８２である。

　また、実施形態３において、第３部品としての第１スイッチ３０の天面３０ｂは、シールド層１１０に接続する構成としているが、この構成に限定されない。第３部品としての第１スイッチ３０の天面３０ｂは、シールド層１１０に接続されていなくてもよい。

　（実施形態４）
　実施形態４では、第３部品として整合回路を用いる点が、実施形態１とは異なる。以下、実施形態４について、実施形態１と異なる点を中心に、図１０及び図１１を用いて説明する。なお、実施形態１～３と同様の構成要素については、同一の符号を付し、その説明を適宜省略する。

　実施形態４の高周波モジュール１ｅでは、実装基板１００の第１主面１０１に、複数の部品が配置されている。複数の部品は、第１スイッチ３０、第１整合回路４１、第２整合回路４２、第３整合回路４３、第４整合回路４４、第１フィルタ５１、第２フィルタ５２、第３フィルタ５３、第４フィルタ５４、第２スイッチ６１、第３スイッチ６２、第５整合回路７１、第６整合回路７２、第７整合回路７３、第８整合回路７４、第１パワーアンプ８１、第２パワーアンプ８２及びスイッチＩＣ８００を含む。実装基板１００の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、複数の部品の各々の外周形状は、四角形状である。

　複数の部品は、第１部品、第２部品及び第３部品を含む。第１部品は、第１送信信号の送信に用いられる第１送信系部品であり、例えば第１フィルタ５１である。第２部品は、第２送信信号の送信に用いられる第２送信系部品であり、例えば第２フィルタ５２である。第３部品は、第１送信系部品及び第２送信系部品と同時送信動作しない整合回路であり、例えば第３整合回路４３である。

　実施形態４において、第１フィルタ５１の天面５１ｂ及び第２フィルタ５２の天面５２ｂは、シールド層１１０と接続している（図１１参照）。

　実施形態４において、実装基板１００の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、第３整合回路４３は、第１フィルタ５１と第２フィルタ５２との間に配置されている（図１０参照）。実施形態４では、第１フィルタ５１、第２フィルタ５２及び第３整合回路４３は、厚さ方向Ｄ１と直交（交差）する方向Ｄ２に沿って、第３整合回路４３が第１フィルタ５１と第２フィルタ５２との間に位置するよう配置されている。

　より詳細には、実装基板１００の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、第１フィルタ５１、第２フィルタ５２及び第３整合回路４３は、第１フィルタ５１の短辺に沿って配置されている。さらに、実装基板１００の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、第１フィルタ５１、第２フィルタ５２及び第３整合回路４３は、第２フィルタ５２の短辺に沿って配置されている。また、実装基板１００の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、第１フィルタ５１、第２フィルタ５２及び第３整合回路４３は、第３整合回路４３の短辺に沿って配置されている。すなわち、実施形態３では、第１フィルタ５１、第２フィルタ５２及び第３整合回路４３は、互いの短辺に沿って配置されている。

　第１フィルタ５１の入力端子５１ａは、第１フィルタ５１、第２フィルタ５２及び第１スイッチ３０が並ぶ方向（方向Ｄ２）と交差する第１フィルタ５１の２つの辺５１ｄ，５１ｅのうち、第３整合回路４３までの距離が短い辺５１ｄ側に配置されている。

　第２フィルタ５２の入力端子５２ａは、第１フィルタ５１、第２フィルタ５２及び第１スイッチ３０が並ぶ方向（方向Ｄ２）と交差する第２フィルタ５２の２つの辺５２ｄ，５２ｅのうち、第３整合回路４３までの距離が短い辺５２ｄ側に配置されている。

　実施形態４の高周波モジュール１ｅの複数の外部接続端子２００は、グランドに接続されているグランド端子２０１を含む。第３整合回路４３の一端は、グランド端子２０１に接続される経路（グランド経路１５０）を介して、グランド端子２０１に電気的に接続されている。言い換えると、グランド端子２０１は、第３整合回路４３の一端の電気的に接続されている。グランド経路１５０は、１つ以上のビア導体と、１つ以上のグランド層と、を含む経路である。

　実装基板１００の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、グランド端子２０１は、第１部品と第２部品との間に配置されている。

　実施形態４によると、実装基板１００の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、第１送信系部品と第２送信系部品との間に、第３部品である整合回路（例えば、第３整合回路４３）が配置されている。そのため、第１送信系部品と第２送信系部品とが隣り合う場合と比較して、双方の発熱の影響が小さい。したがって、実施形態４の高周波モジュール１ｅでは、シールド層１１０（グランド電極）に接続する第１送信系部品及び第２送信系部品が同時送信動作した場合であっても、特性の劣化を抑えることができる。

　実施形態４において、実施形態１の変形例１，２を適用してもよい。すなわち、実施形態４において、実装基板１００の第２主面１０２に部品を配置してもよい。

　また、実施形態４において、実施形態１の変形例３を適用してもよい。すなわち、実施形態４においても実施形態１と同様に、第１送信系部品は第１フィルタ５１又は第１パワーアンプ８１であり、第２送信系部品は第２フィルタ５２又は第２パワーアンプ８２である。

　また、実施形態４において、第１送信系部品と第２送信系部品との間に第３整合回路４３が第３部品として配置される構成としているが、この構成に限定されない。実施形態４において、第３部品は、第１送信系部品及び第２送信系部品と同時送信動作しない整合回路であればよい。または、第３部品は、送信時に動作する整合回路、例えば第４整合回路４４、第７整合回路７３及び第８整合回路７４のいずれかであってもよい。すなわち、第３部品は、第１送信信号が通過する経路及び第２送信信号が通過する経路とは異なる経路に設けられた整合回路であればよい。

　また、実施形態４において、第３部品としての整合回路（第３整合回路４３）は、一端がグランドに接続されている、いわゆるシャント接続されている構成としているが、この構成に限定されない。第３部品としての整合回路は、当該整合回路がインピーダンス整合をとる２つの部品の間で直列接続されていてもよい。

　（実施形態５）
　実施形態５では、第３部品が貫通ビアを有している点が、実施形態１とは異なる。以下、実施形態５について、実施形態１と異なる点を中心に、図１２を用いて説明する。なお、実施形態１～４と同様の構成要素については、同一の符号を付し、その説明を適宜省略する。

　実施形態５の高周波モジュール１ｆでは、実装基板１００の第１主面１０１に、複数の部品が配置されている。複数の部品は、第１スイッチ３０、第１整合回路４１、第２整合回路４２、第３整合回路４３、第４整合回路４４、第１フィルタ５１、第２フィルタ５２、第３フィルタ５３、第４フィルタ５４、第２スイッチ６１、第３スイッチ６２、第５整合回路７１、第６整合回路７２、第７整合回路７３、第８整合回路７４、第１パワーアンプ８１、第２パワーアンプ８２及びスイッチＩＣ８００を含む。実装基板１００の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、複数の部品の各々の外周形状は、四角形状である。

　複数の部品は、第１部品、第２部品及び第３部品を含む。第１部品は、第１送信信号の送信に用いられる第１送信系部品であり、例えば第１フィルタ５１である。第２部品は、第２送信信号の送信に用いられる第２送信系部品であり、例えば第２フィルタ５２である。第３部品は、第１送信系部品及び第２送信系部品と同時送信動作しない部品であり、例えば第３フィルタ５３である。

　第３フィルタ５３は、グランドに電気的に接続されるグランド端子５３１を有している。第３フィルタ５３は、貫通ビア５３２を有している。貫通ビア５３２は、第３フィルタの天面５３ｂと底面５３ｃとの間を貫通している。すなわち、貫通ビア５３２は、実装基板１００の厚さ方向Ｄ１に沿って第３フィルタ５３に設けられている。貫通ビア５３２の一端はグランド端子５３１に電気的に接続され、他端はシールド層１１０に接続されている。これにより、グランド端子５３１は、シールド層１１０に電気的に接続されている。貫通ビア５３２は、例えばシリコン貫通ビアである。

　実施形態５によると、実装基板１００の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、第１送信系部品と第２送信系部品との間に、第３部品が配置されている。そのため、第１送信系部品と第２送信系部品とが隣り合う場合と比較して、双方の発熱の影響が小さい。したがって、実施形態５の高周波モジュール１ｆでは、シールド層１１０（グランド電極）に接続する第１送信系部品及び第２送信系部品が同時送信動作した場合であっても、特性の劣化を抑えることができる。さらに、第３部品（ここでは、第３フィルタ５３）が貫通ビア（貫通ビア５３２）を有することで、第１送信系部品と第２送信系部品との間のアイソレーションの低下を防ぐことができる。

　実施形態５において、実施形態１の変形例１，２を適用してもよい。すなわち、実施形態５において、実装基板１００の第２主面１０２に部品を配置してもよい。

　また、実施形態５において、実施形態１の変形例３を適用してもよい。すなわち、実施形態５においても実施形態１と同様に、第１送信系部品は第１フィルタ５１又は第１パワーアンプ８１であり、第２送信系部品は第２フィルタ５２又は第２パワーアンプ８２である。

　また、実施形態５を実施形態２，３に適用してもよい。すなわち、第３部品としての受信系部品（例えば、第４フィルタ５４、第１スイッチ３０）において、受信系部品のグランド端子とシールド層１１０とを電気的に接続する貫通ビアが設けられてもよい。

　（その他の変形例）
　上記各実施形態では、第１送信信号の周波数帯域と、第２送信信号の周波数帯域との組み合わせは、４Ｇ規格のＢａｎｄ３と５Ｇ規格のｎ４１としているが、この組み合わせには限定されない。第１送信信号の周波数帯域と、第２送信信号の周波数帯域との組み合わせは、４Ｇ規格のＢａｎｄ１と５Ｇ規格のｎ４０、４Ｇ規格のＢａｎｄ３と５Ｇ規格のｎ４０、４Ｇ規格のＢａｎｄ１と５Ｇ規格のｎ４１、４Ｇ規格のＢａｎｄ３と５Ｇ規格のｎ４１、４Ｇ規格のＢａｎｄ３９と５Ｇ規格のｎ４１、４Ｇ規格のＢａｎｄ６６と５Ｇ規格のｎ４１及び４Ｇ規格のＢａｎｄ２５と５Ｇ規格のｎ４１のいずれかである。また、第１送信信号の周波数帯域と、第２送信信号の周波数帯域との組み合わせは、４Ｇ規格の周波数帯域と５Ｇ規格の周波数帯域との組み合わせに限定されない。４Ｇの周波数帯域での組み合わせでもよいし、５Ｇの周波数帯域での組み合わせでもよい。例えば、４Ｇの周波数帯域での組み合わせとして、Ｂａｎｄ１とＢａｎｄ３、Ｂａｎｄ１とＢａｎｄ２８、Ｂａｎｄ１とＢａｎｄ７７、Ｂａｎｄ１とＢａｎｄ７８、Ｂａｎｄ３とＢａｎｄ２０、Ｂａｎｄ３とＢａｎｄ２８、Ｂａｎｄ３とＢａｎｄ４１、Ｂａｎｄ３とＢａｎｄ７８、Ｂａｎｄ７とＢａｎｄ７８、Ｂａｎｄ８とＢａｎｄ７８、Ｂａｎｄ２０とＢａｎｄ７８、Ｂａｎｄ２８とＢａｎｄ７７、及びＢａｎｄ２８とＢａｎｄ７８である。

　また、各実施形態において、高周波モジュール１～１ｆは、複数のアンテナ端子（第１アンテナ端子１１、第２アンテナ端子１２）を備える構成としているが、この構成に限定されない。高周波モジュール１～１ｆは、１つのアンテナ端子を備える構成であってもよい。すなわち、高周波モジュール１～１ｆは、第１送信信号、第２送信信号を１つのアンテナを介して送信してもよい。

　また、各実施形態において、高周波モジュール１～１ｆは、同時送信として２つの送信信号の送信を行う構成としているが、この構成に限定されない。高周波モジュール１～１ｆは、３つ以上の信号を同時送信する構成であってもよい。例えば、３つの信号を同時送信する場合には、当該３つの信号のうち２つの信号それぞれを通過させる２つの送信系部品の間に、３つの信号の同時送信動作には用いられない部品が配置される。すなわち、当該３つの信号のうち２つの信号それぞれを通過させる２つの送信系部品の間に、３つの信号のそれぞれを通過する部品とは異なる部品が配置される。または、当該３つの信号のうち２つの信号それぞれを通過させる２つの送信系部品の間に、受信系部品、すなわち受信信号の受信に用いられる受信フィルタ、スイッチ等が配置される。または、当該３つの信号のうち２つの信号それぞれを通過させる２つの送信系部品の間に、当該３つの信号のそれぞれが通過する経路とは異なる経路に設けられた整合回路が配置される。

　（まとめ）
　以上説明したように、第１の態様の高周波モジュール（１；１ａ；１ｂ；１ｅ；１ｆ）は、実装基板（１００）と、複数の部品と、樹脂層（１２０）と、グランド電極（例えば、シールド層１１０）と、を備える。実装基板（１００）は、互いに対向する第１主面（１０１）と第２主面（１０２）とを有する。複数の部品は、第１主面（１０１）に配置されている。樹脂層（１２０）は、複数の部品の少なくとも一部を覆う。グランド電極は、樹脂層（１２０）の少なくとも一部を覆う。複数の部品は、第１部品、第２部品及び第３部品を含む。第１部品は、第１送信信号の送信に用いられる第１フィルタ（５１）及び第１パワーアンプ（８１）のいずれかである。第２部品は、第１送信信号の周波数帯域とは異なる周波数帯域の第２送信信号の送信に用いられる第２フィルタ（５２）及び第２パワーアンプ（８２）のいずれかである。第１部品の天面（例えば、天面５１ｂ）及び第２部品の天面（例えば、天面５２ｂ）は、グランド電極と接続している。第１部品と第２部品とは、同時送信可能に構成されている。第３部品は、第１部品及び第２部品と同時送信動作しないように構成されている。実装基板（１００）の厚さ方向（Ｄ１）からの平面視で、第３部品は、第１部品と第２部品との間に配置されている。

　この構成によると、グランド電極に接続する第１部品及び第２部品が同時送信動作した場合であっても、特性の劣化を抑えることができる。

　第２の態様の高周波モジュール（１ｃ；１ｄ；１ｅ；１ｆ）は、実装基板（１００）と、複数の部品と、樹脂層（１２０）と、グランド電極（例えば、シールド層１１０）と、を備える。実装基板（１００）は、互いに対向する第１主面（１０１）と第２主面（１０２）とを有する。複数の部品は、第１主面（１０１）に配置されている。樹脂層（１２０）は、複数の部品の少なくとも一部を覆う。グランド電極は、樹脂層（１２０）の少なくとも一部を覆う。複数の部品は、第１部品、第２部品及び第３部品を含む。第１部品は、第１送信信号の送信に用いられる第１フィルタ（５１）及び第１パワーアンプ（８１）のいずれかである。第２部品は、第１送信信号の周波数帯域とは異なる周波数帯域の第２送信信号の送信に用いられる第２フィルタ（５２）及び第２パワーアンプ（８２）のいずれかである。第３部品は、受信信号の受信に用いられる受信系部品である。第１部品の天面（例えば、天面５１ｂ）及び第２部品の天面（例えば、天面５２ｂ）は、グランド電極と接続している。第１部品と第２部品とは、同時送信可能に構成されている。実装基板（１００）の厚さ方向（Ｄ１）からの平面視で、受信系部品は、第１部品と第２部品との間に配置されている。

　第３の態様の高周波モジュール（１ｃ；１ｄ；１ｅ；１ｆ）では、第２の態様において、アンテナ端子（例えば、第１アンテナ端子１１，第２アンテナ端子１２）と、スイッチＩＣ（例えば、第１スイッチ３０）と、を備える。スイッチＩＣは、アンテナ端子の接続先を切り替えるスイッチを含む。受信系部品は、スイッチＩＣである。

　この構成によると、スイッチＩＣを第１部品と第２部品との間に配置することで、第１部品及び第２部品が同時送信動作した場合であっても、特性の劣化を抑えることができる。

　第４の態様の高周波モジュール（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｄ；１ｅ；１ｆ）では、第１又は第２の態様において、第３部品は、受信信号の受信に用いられる受信フィルタ（例えば、第４フィルタ５４）である。

　この構成によると、受信フィルタを第１部品と第２部品との間に配置することで、第１部品及び第２部品が同時送信動作した場合であっても、特性の劣化を抑えることができる。

　第５の態様の高周波モジュール（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｄ；１ｅ；１ｆ）では、第１～第４のいずれかの態様において、第３部品は、グランドに接続されるグランド端子（５３１）を有している。第３部品は、貫通ビア（５３２）を有している。グランド端子（５３１）は、貫通ビア（５３２）を介してグランド電極（シールド層１１０）に接続されている。

　この構成によると、第１部品及び第２部品が同時送信動作した場合であっても、第１部品及び第２部品の放熱による特性の劣化を抑えることができる。さらに、第３部品がグランド電極と接続されていることで、第１部品と第２部品との間のアイソレーションの低下を防ぐことができる。

　第６の態様の高周波モジュール（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｄ；１ｅ；１ｆ）では、第１又は第２の態様において、第３部品は、第１送信信号が通過する経路及び第２送信信号が通過する経路とは異なる経路に設けられた整合回路（例えば、第３整合回路４３）である。

　この構成によると、整合回路を第１部品と第２部品との間に配置することで、第１部品及び第２部品が同時送信動作した場合であっても、特性の劣化を抑えることができる。

　第７の態様の高周波モジュール（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｄ；１ｅ；１ｆ）は、第６の態様において、グランド端子（２０１）を、更に備える。グランド端子（２０１）は、整合回路の一端が接続され、実装基板（１００）の第２主面（１０２）に配置され、グランドに接続されている。実装基板（１００）の厚さ方向（Ｄ１）からの平面視で、グランド端子（２０１）は、第１部品と第２部品との間に配置されている。

　この構成によると、第１部品及び第２部品が同時送信動作した場合であっても、第１部品及び第２部品の放熱による特性の劣化を抑えることができる。さらに、第３部品である整合回路の一端がグランド端子（２０１）を介してグランドに接続されていることで、第１部品と第２部品との間のアイソレーションの低下を防ぐことができる。

　第８の態様の高周波モジュール（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｄ；１ｅ；１ｆ）では、第１～第７のいずれかの態様において、第３部品の天面（例えば、第３フィルタ５３の天面５３ｂ）は、グランド電極（シールド層１１０）と接続している。

　この構成によると、第１部品及び第２部品が同時送信動作した場合であっても、第１部品及び第２部品の放熱による特性の劣化を抑えることができる。

　第９の態様の高周波モジュール（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｄ；１ｅ；１ｆ）では、第１～第８のいずれかの態様において、実装基板（１００）の厚さ方向（Ｄ１）からの平面視で、第１部品、第２部品及び第３部品は、第１部品の短辺に沿って配置されている。第３部品は、第３部品の長辺が第１部品の短辺に沿った方向（例えば、方向Ｄ２）と交差するように、配置されている。

　この構成によると、第３部品の長辺が第１部品の短辺に沿った方向（例えば、方向Ｄ２）と交差するように第３部品が配置されているので、第１部品と第２部品との間での熱の伝導を遮ることができる。その結果、第１部品及び第２部品が同時送信動作した場合であっても、第１部品及び第２部品の放熱による特性の劣化を抑えることができる。

　第１０の態様の高周波モジュール（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｄ；１ｅ；１ｆ）では、第１～第９のいずれかの態様において、実装基板（１００）の厚さ方向（Ｄ１）からの平面視で、第１部品、第２部品及び第３部品は、更に、第２部品の短辺に沿って配置されている。

　第１１の態様の高周波モジュール（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｄ；１ｅ；１ｆ）では、第１～第１０のいずれかの態様において、第１部品は、第１送信信号が入力される入力端子（例えば、入力端子５１ａ）を有している。第１部品の入力端子は、第１部品、第２部品及び第３部品が並ぶ方向（例えば、方向Ｄ２）と交差する第１部品の２つの辺（例えば、辺５１ｄ，５１ｅ）のうち、第３部品までの距離が短い辺（例えば、辺５１ｄ）側に配置されている。

　この構成によると、第１部品の入力端子を第３部品に近い位置に配置することで、第１部品及び第２部品が同時送信動作した場合であっても、第１部品及び第２部品の放熱による特性の劣化を抑えることができる。

　第１２の態様の高周波モジュール（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｄ；１ｅ；１ｆ）では、第１～第１１のいずれかの態様において、第２部品は、第２送信信号が入力される入力端子（例えば、入力端子５２ａ）を有している。第２部品の入力端子は、第１部品、第２部品及び第３部品が並ぶ方向（例えば、方向Ｄ２）と交差する第２部品の２つの辺（例えば、辺５２ｄ，５２ｅ）のうち、第３部品までの距離が短い辺（例えば、辺５２ｄ）側に配置されている。

　この構成によると、第２部品の入力端子を第３部品に近い位置に配置することで、第１部品及び第２部品が同時送信動作した場合であっても、第１部品及び第２部品の放熱による特性の劣化を抑えることができる。

　第１３の態様の高周波モジュール（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｄ；１ｅ；１ｆ）では、第１～第１２のいずれかの態様において、第１送信信号の周波数帯域は、４Ｇ規格での周波数帯域である。第２送信信号の周波数帯域は、５Ｇ規格での周波数帯域である。

　この構成によると、４Ｇ規格での周波数帯域と５Ｇ規格での周波数帯域との同時送信動作において、特性の劣化を抑えることができる。

　第１４の態様の高周波モジュール（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｄ；１ｅ；１ｆ）では、第１３の態様において、第１送信信号の周波数帯域と第２送信信号の周波数帯域との組は、Ｂａｎｄ１とｎ４０、Ｂａｎｄ３とｎ４０、Ｂａｎｄ１とｎ４１、Ｂａｎｄ３とｎ４１、Ｂａｎｄ３９とｎ４１、Ｂａｎｄ６６とｎ４１及びＢａｎｄ２５とｎ４１のいずれかである。

　この構成によると、上記いずれかの周波数帯域の組み合わせでの同時送信動作において、特性の劣化を抑えることができる。

　第１５の態様の高周波モジュール（１；１ａ；１ｂ；１ｅ；１ｆ）は、実装基板（１００）と、複数の部品と、樹脂層（１２０）と、グランド電極（例えば、シールド層１１０）と、を備える。実装基板（１００）は、互いに対向する第１主面（１０１）と第２主面（１０２）とを有する。複数の部品は、第１主面（１０１）に配置されている。樹脂層（１２０）は、複数の部品の少なくとも一部を覆う。グランド電極は、樹脂層（１２０）の少なくとも一部を覆う。複数の部品は、第１部品、第２部品及び第３部品を含む。第１部品は、第１送信信号の送信に用いられる第１フィルタ（５１）及び第１パワーアンプ（８１）のいずれかである。第２部品は、第１送信信号の周波数帯域とは異なる周波数帯域の第２送信信号の送信に用いられる第２フィルタ（５２）及び第２パワーアンプ（８２）のいずれかである。第１部品の天面（例えば、天面５１ｂ）及び第２部品の天面（例えば、天面５２ｂ）は、グランド電極と接続している。第３部品は、第１部品及び第２部品と同時送信動作しないように構成されている。実装基板（１００）の厚さ方向（Ｄ１）からの平面視で、第３部品は、第１部品と第２部品との間に配置されている。第１送信信号の周波数帯域と第２送信信号の周波数帯域との組は、４Ｇ規格のＢａｎｄ１と５Ｇ規格のｎ４０、４Ｇ規格のＢａｎｄ３と５Ｇ規格のｎ４０、４Ｇ規格のＢａｎｄ１と５Ｇ規格のｎ４１、４Ｇ規格のＢａｎｄ３と５Ｇ規格のｎ４１、４Ｇ規格のＢａｎｄ３９と５Ｇ規格のｎ４１、４Ｇ規格のＢａｎｄ６６と５Ｇ規格のｎ４１及び４Ｇ規格のＢａｎｄ２５と５Ｇ規格のｎ４１のいずれかである。

　第１６の態様の高周波モジュール（１ｃ；１ｄ；１ｅ；１ｆ）は、実装基板（１００）と、複数の部品と、樹脂層（１２０）と、グランド電極（例えば、シールド層１１０）と、を備える。実装基板（１００）は、互いに対向する第１主面（１０１）と第２主面（１０２）とを有する。複数の部品は、第１主面（１０１）に配置されている。樹脂層（１２０）は、複数の部品の少なくとも一部を覆う。グランド電極は、樹脂層（１２０）の少なくとも一部を覆う。複数の部品は、第１部品、第２部品及び第３部品を含む。第１部品は、第１送信信号の送信に用いられる第１フィルタ（５１）及び第１パワーアンプ（８１）のいずれかである。第２部品は、第１送信信号の周波数帯域とは異なる周波数帯域の第２送信信号の送信に用いられる第２フィルタ（５２）及び第２パワーアンプ（８２）のいずれかである。第３部品は、受信信号の受信に用いられる受信系部品である。第１部品の天面（例えば、天面５１ｂ）及び第２部品の天面（例えば、天面５２ｂ）は、グランド電極と接続している。実装基板（１００）の厚さ方向（Ｄ１）からの平面視で、受信系部品は、第１部品と第２部品との間に配置されている。第１送信信号の周波数帯域と第２送信信号の周波数帯域との組は、４Ｇ規格のＢａｎｄ１と５Ｇ規格のｎ４０、４Ｇ規格のＢａｎｄ３と５Ｇ規格のｎ４０、４Ｇ規格のＢａｎｄ１と５Ｇ規格のｎ４１、４Ｇ規格のＢａｎｄ３と５Ｇ規格のｎ４１、４Ｇ規格のＢａｎｄ３９と５Ｇ規格のｎ４１、４Ｇ規格のＢａｎｄ６６と５Ｇ規格のｎ４１及び４Ｇ規格のＢａｎｄ２５と５Ｇ規格のｎ４１のいずれかである。

　第１７の態様の通信装置（５００）は、第１～第１６のいずれかの態様の高周波モジュール（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｄ；１ｅ；１ｆ）と、信号処理回路（５０１）と、を備える。信号処理回路（５０１）は、高周波モジュール（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｄ；１ｅ；１ｆ）を通る第１送信信号及び第２送信信号を処理する。

　　１，１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ，１ｅ，１ｆ　高周波モジュール
　　２　コントローラ
　　１１　第１アンテナ端子（アンテナ端子）
　　１２　第２アンテナ端子（アンテナ端子）
　　２１　第１ローパスフィルタ
　　２２　第２ローパスフィルタ
　　３０　第１スイッチ
　　３０ｂ，５１ｂ，５２ｂ，５３ｂ，５４ｂ　天面
　　３０ｃ，５１ｃ，５２ｃ，５３ｃ，５４ｃ　底面
　　３１　第１端子
　　３２　第２端子
　　３３　第３端子
　　３４　第４端子
　　３５　第５端子
　　３６　第６端子
　　４１　第１整合回路
　　４２　第２整合回路
　　４３　第３整合回路
　　４４　第４整合回路
　　５１　第１フィルタ
　　５１ａ，５２ａ　入力端子
　　５１ｄ，５１ｅ，５２ｄ，５２ｅ　辺
　　５２　第２フィルタ
　　５３　第３フィルタ
　　５４　第４フィルタ
　　６１　第２スイッチ
　　６２　第３スイッチ
　　７１　第５整合回路
　　７２　第６整合回路
　　７３　第７整合回路
　　７４　第８整合回路
　　８１　第１パワーアンプ
　　８２　第２パワーアンプ
　　８３　第１ローノイズアンプ
　　８４　第２ローノイズアンプ
　　８５　第４スイッチ
　　９１，９２　信号入力端子
　　９３，９４　信号出力端子
　　１００　実装基板
　　１０１　第１主面
　　１０２　第２主面
　　１０３，１２３，１２６　外周面
　　１１０　シールド層
　　１２０　樹脂層（第１樹脂層）
　　１２１　主面
　　１２５　第２樹脂層
　　１３０　接続端子
　　１５０　グランド経路
　　２００　外部接続端子
　　２０１　グランド端子
　　２５０　ボールバンプ
　　５００　通信装置
　　５０１　信号処理回路
　　５０２　ＲＦ信号処理回路
　　５０３　ベースバンド信号処理回路
　　５１１　第１アンテナ
　　５１２　第２アンテナ
　　５３１　グランド端子
　　５３２　貫通ビア
　　６１１　共通端子
　　６１２，６１３，６１４　選択端子
　　６２１　共通端子
　　６２２，６２３，６２４，６２５，６２６，６２７　選択端子
　　８５１　第１端子
　　８５２　第２端子
　　８５３　第３端子
　　８５４　第４端子
　　８５５　第５端子
　　８５６　第６端子
　　１２５１　面
　　Ｄ１　厚さ方向
　　Ｄ２　方向
　　８００　スイッチＩＣ

Claims

　互いに対向する第１主面と第２主面とを有する実装基板と、
　前記第１主面に配置された複数の部品と、
　前記複数の部品の少なくとも一部を覆う樹脂層と、
　前記樹脂層の少なくとも一部を覆うグランド電極と、を備え、
　前記複数の部品は、第１部品、第２部品及び第３部品を含み、
　前記第１部品は、第１送信信号の送信に用いられる第１フィルタ及び第１パワーアンプのいずれかであり、
　前記第２部品は、前記第１送信信号の周波数帯域とは異なる周波数帯域の第２送信信号の送信に用いられる第２フィルタ及び第２パワーアンプのいずれかであり、
　前記第１部品の天面及び前記第２部品の天面は、前記グランド電極と接続しており、
　前記第１部品と前記第２部品とは、同時送信可能に構成されており、
　前記第３部品は、前記第１部品及び前記第２部品と同時送信動作しないように構成されており、
　前記実装基板の厚さ方向からの平面視で、前記第３部品は、前記第１部品と前記第２部品との間に配置されている、
　高周波モジュール。
　互いに対向する第１主面と第２主面とを有する実装基板と、
　前記第１主面に配置された複数の部品と、
　前記複数の部品の少なくとも一部を覆う樹脂層と、
　前記樹脂層の少なくとも一部を覆うグランド電極と、を備え、
　前記複数の部品は、第１部品、第２部品及び第３部品を含み、
　前記第１部品は、第１送信信号の送信に用いられる第１フィルタ及び第１パワーアンプのいずれかであり、
　前記第２部品は、前記第１送信信号の周波数帯域とは異なる周波数帯域の第２送信信号の送信に用いられる第２フィルタ及び第２パワーアンプのいずれかであり、
　前記第３部品は、受信信号の受信に用いられる受信系部品であり、
　前記第１部品の天面及び前記第２部品の天面は、前記グランド電極と接続しており、
　前記第１部品と前記第２部品とは、同時送信可能に構成されており、
　前記実装基板の厚さ方向からの平面視で、前記受信系部品は、前記第１部品と前記第２部品との間に配置されている、
　高周波モジュール。
　アンテナ端子と、
　前記アンテナ端子の接続先を切り替えるスイッチを含むスイッチＩＣと、を更に備え、
　前記受信系部品は、前記スイッチＩＣである、
　請求項２に記載の高周波モジュール。
　前記第３部品は、受信信号の受信に用いられる受信フィルタである、
　請求項１又は２に記載の高周波モジュール。
　前記第３部品は、グランドに接続されるグランド端子を有しており、
　前記第３部品は、貫通ビアを有しており、
　前記グランド端子は、前記貫通ビアを介して前記グランド電極に接続されている、
　請求項１～４のいずれか一項に記載の高周波モジュール。
　前記第３部品は、前記第１送信信号が通過する経路及び前記第２送信信号が通過する経路とは異なる経路に設けられた整合回路である、
　請求項１又は２に記載の高周波モジュール。
　前記整合回路の一端が接続され、前記実装基板の前記第２主面に配置され、グランドに接続されているグランド端子を、更に備え、
　前記実装基板の厚さ方向からの平面視で、前記グランド端子は、前記第１部品と前記第２部品との間に配置されている、
　請求項６に記載の高周波モジュール。
　前記第３部品の天面は、前記グランド電極と接続している、
　請求項１～７のいずれか一項に記載の高周波モジュール。
　前記実装基板の厚さ方向からの平面視で、前記第１部品、前記第２部品及び前記第３部品は、前記第１部品の短辺に沿って配置され、
　前記第３部品は、前記第３部品の長辺が前記第１部品の短辺に沿った方向と交差するように、配置されている、
　請求項１～８のいずれか一項に記載の高周波モジュール。
　前記実装基板の厚さ方向からの平面視で、前記第１部品、前記第２部品及び前記第３部品は、更に、前記第２部品の短辺に沿って配置されている、
　請求項１～９のいずれか一項に記載の高周波モジュール。
　前記第１部品は、前記第１送信信号が入力される入力端子を有しており、
　前記第１部品の前記入力端子は、前記第１部品、前記第２部品及び前記第３部品が並ぶ方向と交差する前記第１部品の２つの辺のうち、前記第３部品までの距離が短い辺側に配置されている、
　請求項１～１０のいずれか一項に記載の高周波モジュール。
　前記第２部品は、前記第２送信信号が入力される入力端子を有しており、
　前記第２部品の前記入力端子は、前記第１部品、前記第２部品及び前記第３部品が並ぶ方向と交差する前記第２部品の２つの辺のうち、第３部品までの距離が短い辺側に配置されている、
　請求項１～１１のいずれか一項に記載の高周波モジュール。
　前記第１送信信号の周波数帯域は、４Ｇ規格での周波数帯域であり、
　前記第２送信信号の周波数帯域は、５Ｇ規格での周波数帯域である、
　請求項１～１２のいずれか一項に記載の高周波モジュール。
　前記第１送信信号の周波数帯域と前記第２送信信号の周波数帯域との組は、
　Ｂａｎｄ１とｎ４０、Ｂａｎｄ３とｎ４０、Ｂａｎｄ１とｎ４１、Ｂａｎｄ３とｎ４１、Ｂａｎｄ３９とｎ４１、Ｂａｎｄ６６とｎ４１及びＢａｎｄ２５とｎ４１のいずれかである、
　請求項１３に記載の高周波モジュール。
　互いに対向する第１主面と第２主面とを有する実装基板と、
　前記第１主面に配置された複数の部品と、
　前記複数の部品の少なくとも一部を覆う樹脂層と、
　前記樹脂層の少なくとも一部を覆うグランド電極と、を備え、
　前記複数の部品は、第１部品、第２部品及び第３部品を含み、
　前記第１部品は、第１送信信号の送信に用いられる第１フィルタ及び第１パワーアンプのいずれかであり、
　前記第２部品は、前記第１送信信号の周波数帯域とは異なる周波数帯域の第２送信信号の送信に用いられる第２フィルタ及び第２パワーアンプのいずれかであり、
　前記第１部品の天面及び前記第２部品の天面は、前記グランド電極と接続しており、
　前記第３部品は、前記第１部品及び前記第２部品と同時送信動作しないように構成されており、
　前記実装基板の厚さ方向からの平面視で、前記第３部品は、前記第１部品と前記第２部品との間に配置されており、
　前記第１送信信号の周波数帯域と前記第２送信信号の周波数帯域との組は、
　４Ｇ規格のＢａｎｄ１と５Ｇ規格のｎ４０、４Ｇ規格のＢａｎｄ３と５Ｇ規格のｎ４０、４Ｇ規格のＢａｎｄ１と５Ｇ規格のｎ４１、４Ｇ規格のＢａｎｄ３と５Ｇ規格のｎ４１、４Ｇ規格のＢａｎｄ３９と５Ｇ規格のｎ４１、４Ｇ規格のＢａｎｄ６６と５Ｇ規格のｎ４１及び４Ｇ規格のＢａｎｄ２５と５Ｇ規格のｎ４１のいずれかである、
　高周波モジュール。
　互いに対向する第１主面と第２主面とを有する実装基板と、
　前記第１主面に配置された複数の部品と、
　前記複数の部品の少なくとも一部を覆う樹脂層と、
　前記樹脂層の少なくとも一部を覆うグランド電極と、を備え、
　前記複数の部品は、第１部品、第２部品及び第３部品を含み、
　前記第１部品は、第１送信信号の送信に用いられる第１フィルタ及び第１パワーアンプのいずれかであり、
　前記第２部品は、前記第１送信信号の周波数帯域とは異なる周波数帯域の第２送信信号の送信に用いられる第２フィルタ及び第２パワーアンプのいずれかであり、
　前記第３部品は、受信信号の受信に用いられる受信系部品であり、
　前記第１部品の天面及び前記第２部品の天面は、前記グランド電極と接続しており、
　前記実装基板の厚さ方向からの平面視で、前記受信系部品は、前記第１部品と前記第２部品との間に配置されており、
　前記第１送信信号の周波数帯域と前記第２送信信号の周波数帯域との組は、
　４Ｇ規格のＢａｎｄ１と５Ｇ規格のｎ４０、４Ｇ規格のＢａｎｄ３と５Ｇ規格のｎ４０、４Ｇ規格のＢａｎｄ１と５Ｇ規格のｎ４１、４Ｇ規格のＢａｎｄ３と５Ｇ規格のｎ４１、４Ｇ規格のＢａｎｄ３９と５Ｇ規格のｎ４１、４Ｇ規格のＢａｎｄ６６と５Ｇ規格のｎ４１及び４Ｇ規格のＢａｎｄ２５と５Ｇ規格のｎ４１のいずれかである、
　高周波モジュール。
　請求項１～１６のいずれか一項に記載の高周波モジュールと、
　前記高周波モジュールを通る前記第１送信信号及び前記第２送信信号を処理する信号処理回路と、を備える、
　通信装置。