JP2021048567A - 高周波モジュールおよび通信装置 - Google Patents

Abstract

【課題】電力増幅器の不安定動作が抑制された高周波モジュールを提供する。【解決手段】高周波モジュール１は、互いに対向する主面９１ａおよび９１ｂを有するモジュール基板９１と、送信入力端子１１０と、アンテナ接続端子１００と、送信電力増幅器１１と、を備え、送信入力端子１１０と送信電力増幅器１１とを結ぶ送信入力経路ＡＢＴに配置された第１回路部品の少なくとも１つは主面９１ａに実装されており、送信電力増幅器１１の出力端子とアンテナ接続端子１００とを結ぶ送信出力経路ＡＴまたはＢＴに配置された第２回路部品の少なくとも１つは主面９１ｂに実装されている。【選択図】図２Ａ

Description

本発明は、高周波モジュールおよび通信装置に関する。

携帯電話などの移動体通信機器では、特に、マルチバンド化の進展に伴い、高周波フロントエンド回路を構成する回路素子の配置構成が複雑化されている。

特許文献１には、複数の通信バンド（周波数帯域）によるキャリアアグリゲーション（ＣＡ）を実行すべく、２つの送信電力増幅器を有するフロントエンド回路の構成が開示されている。２つの送信電力増幅器の入力側には、２つのトランシーバ回路からの送信信号を当該２つの送信電力増幅器のいずれに入力するかを切り替えるスイッチが配置されている。これによれば、上記２つのトランシーバ回路から出力された２つの送信信号は、上記フロントエンド回路を経由して２つのアンテナから高アイソレーションで送信することが可能となる。

米国特許出願公開第２０１８／０１３１５０１号明細書

しかしながら、特許文献１に開示されたフロントエンド回路を、小型のフロントエンド回路として１つのモジュールで構成する場合、送信電力増幅器の入力側に配置された高周波部品（例えば上記スイッチ）と送信電力増幅器の出力側に配置された高周波部品とが電界結合、磁界結合、または電磁界結合することが想定される。この場合、送信電力増幅器において、高周波信号を伝達する不要なフィードバックループが形成されて送信電力増幅器が発振し、送信電力増幅器の動作が不安定になるという問題が発生する。

本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、送信電力増幅器の不安定動作が抑制された高周波モジュールおよび通信装置を提供することを目的とする。

上記目的を達成するために、本発明の一態様に係る高周波モジュールは、互いに対向する第１主面および第２主面を有するモジュール基板と、送信入力端子と、アンテナ接続端子と、前記送信入力端子に接続された送信電力増幅器と、前記送信入力端子と前記送信電力増幅器の入力端子とを結ぶ信号経路である送信入力経路に配置された第１回路部品と、前記送信電力増幅器の出力端子と前記アンテナ接続端子とを結ぶ信号経路である送信出力経路に配置された第２回路部品と、を備え、前記第１回路部品の少なくとも１つは、前記第１主面に実装されており、前記第２回路部品の少なくとも１つは、前記第２主面に実装されている。

本発明によれば、電力増幅器の不安定動作が抑制された高周波モジュールおよび通信装置を提供することが可能となる。

実施の形態に係る高周波モジュールの回路構成図である。 実施例に係る高周波モジュールの平面構成概略図である。 実施例に係る高周波モジュールの断面構成概略図である。

以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。なお、以下で説明する実施の形態は、いずれも包括的又は具体的な例を示すものである。以下の実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置及び接続形態等は、一例であり、本発明を限定する主旨ではない。以下の実施例及び変形例における構成要素のうち、独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。また、図面に示される構成要素の大きさ又は大きさの比は、必ずしも厳密ではない。各図において、実質的に同一の構成については同一の符号を付し、重複する説明は省略又は簡略化する場合がある。

また、以下において、平行及び垂直等の要素間の関係性を示す用語、及び、矩形状等の要素の形状を示す用語、並びに、数値範囲は、厳格な意味のみを表すのではなく、実質的に同等な範囲、例えば数％程度の差異をも含むことを意味する。

また、以下において、基板に実装されたＡ、Ｂ及びＣにおいて、「基板（又は基板の主面）の平面視において、ＡとＢとの間にＣが配置されている」とは、基板の平面視においてＡ内の任意の点とＢ内の任意の点とを結ぶ直線がＣの領域を通ることを意味する。また、基板の平面視とは、基板および基板に実装された回路素子を基板に平行な平面に正投影して見ることを意味する。

また、以下において、「送信経路」とは、高周波送信信号が伝搬する配線、当該配線に直接接続された電極、および当該配線または当該電極に直接接続された端子等で構成された伝送線路であることを意味する。また、「送信入力経路」とは、送信電力増幅器の入力側において高周波送信信号が伝搬する配線、当該配線に直接接続された電極、および当該配線または当該電極に直接接続された端子等で構成された伝送線路であることを意味する。また、「送信出力経路」とは、送信電力増幅器の出力側において高周波送信信号が伝搬する配線、当該配線に直接接続された電極、および当該配線または当該電極に直接接続された端子等で構成された伝送線路であることを意味する。また、「受信経路」とは、高周波受信信号が伝搬する配線、当該配線に直接接続された電極、および当該配線または当該電極に直接接続された端子等で構成された伝送線路であることを意味する。また、「信号経路」とは、高周波信号が伝搬する配線、当該配線に直接接続された電極、および当該配線または当該電極に直接接続された端子等で構成された伝送線路であることを意味する。

（実施の形態）
［１．高周波モジュール１および通信装置５の回路構成］
図１は、実施の形態に係る高周波モジュール１の回路構成図である。同図に示すように、通信装置５は、高周波モジュール１と、アンテナ２と、ＲＦ信号処理回路（ＲＦＩＣ）３と、ベースバンド信号処理回路（ＢＢＩＣ）４と、を備える。

ＲＦＩＣ３は、アンテナ２で送受信される高周波信号を処理するＲＦ信号処理回路である。具体的には、ＲＦＩＣ３は、高周波モジュール１の受信経路を介して入力された受信信号を、ダウンコンバートなどにより信号処理し、当該信号処理して生成された受信信号をＢＢＩＣ４へ出力する。また、ＲＦＩＣ３は、ＢＢＩＣ４から入力された送信信号をアップコンバートなどにより信号処理し、当該信号処理して生成された送信信号を、高周波モジュール１の送信経路に出力する。

ＢＢＩＣ４は、高周波モジュール１を伝送する高周波信号よりも低周波の中間周波数帯域を用いて信号処理する回路である。ＢＢＩＣ４で処理された信号は、例えば、画像表示のための画像信号として使用され、または、スピーカを介した通話のために音声信号として使用される。

また、ＲＦＩＣ３は、使用される通信バンド（周波数帯域）に基づいて、高周波モジュール１が有するスイッチ５１、５２、５３、５４、５５および５６の接続を制御する制御部としての機能も有する。具体的には、ＲＦＩＣ３は、制御信号（図示せず）により高周波モジュール１が有するスイッチ５１〜５６の接続を切り替える。なお、制御部は、ＲＦＩＣ３の外部に設けられていてもよく、例えば、高周波モジュール１またはＢＢＩＣ４に設けられていてもよい。

アンテナ２は、高周波モジュール１のアンテナ接続端子１００に接続され、高周波モジュール１から出力された高周波信号を放射し、また、外部からの高周波信号を受信して高周波モジュール１へ出力する。

なお、本実施の形態に係る通信装置５において、アンテナ２およびＢＢＩＣ４は、必須の構成要素ではない。

次に、高周波モジュール１の詳細な構成について説明する。

図１に示すように、高周波モジュール１は、アンテナ接続端子１００と、送信電力増幅器１１および１２と、受信低雑音増幅器２１および２２と、送信フィルタ６１Ｔ、６２Ｔ、６３Ｔおよび６４Ｔと、受信フィルタ６１Ｒ、６２Ｒ、６３Ｒおよび６４Ｒと、送信出力整合回路３０と、受信入力整合回路４０と、整合回路７１、７２、７３および７４と、スイッチ５１、５２、５３、５４、５５および５６と、ダイプレクサ６０と、を備える。

アンテナ接続端子１００は、アンテナ２に接続されるアンテナ共通端子である。

送信電力増幅器１１は、送信入力端子１１０から入力された第１周波数帯域群に属する通信バンドＡ（第１通信バンド）および通信バンドＢ（第２通信バンド）の高周波信号を増幅する増幅器である。また、送信電力増幅器１２は、送信入力端子１１０から入力された、第１周波数帯域群と周波数が異なる第２周波数帯域群に属する通信バンドＣおよび通信バンドＤの高周波信号を増幅する増幅器である。

受信低雑音増幅器２１は、通信バンドＡおよび通信バンドＢの高周波信号を低雑音で増幅し、受信出力端子１２１へ出力する増幅器である。また、受信低雑音増幅器２２は、通信バンドＣおよび通信バンドＤの高周波信号を低雑音で増幅し、受信出力端子１２２へ出力する増幅器である。

送信入力経路ＡＢＴは、送信入力経路の一例であり、通信バンドＡおよびＢの送信信号を伝送する。送信入力経路ＡＢＴの一端は送信入力端子１１０に接続され、送信入力経路ＡＢＴの他端は送信電力増幅器１１の入力端子に接続されている。つまり、送信入力経路ＡＢＴは、送信入力端子１１０から入力された送信信号を送信電力増幅器１１まで伝送する。送信入力経路ＣＤＴは、送信入力経路の一例であり、通信バンドＣおよびＤの送信信号を伝送する。送信入力経路ＣＤＴの一端は送信入力端子１１０に接続され、送信入力経路ＣＤＴの他端は送信電力増幅器１２の入力端子に接続されている。つまり、送信入力経路ＣＤＴは、送信入力端子１１０から入力された送信信号を送信電力増幅器１２まで伝送する。

送信出力経路ＡＴは、第１送信出力経路の一例であり、通信バンドＡの送信信号を伝送する。送信出力経路ＡＴの一端は送信電力増幅器１１の出力端子に接続され、送信出力経路ＡＴの他端はアンテナ接続端子１００に接続されている。送信出力経路ＢＴは、第２送信出力経路の一例であり、通信バンドＢの送信信号を伝送する。送信出力経路ＢＴの一端は送信電力増幅器１１の出力端子に接続され、送信出力経路ＢＴの他端はアンテナ接続端子１００に接続されている。送信出力経路ＣＴは、第１送信出力経路の一例であり、通信バンドＣの送信信号を伝送する。送信出力経路ＣＴの一端は送信電力増幅器１２の出力端子に接続され、送信出力経路ＣＴの他端はアンテナ接続端子１００に接続されている。送信出力経路ＤＴは、第２送信出力経路の一例であり、通信バンドＤの送信信号を伝送する。送信出力経路ＤＴの一端は送信電力増幅器１２の出力端子に接続され、送信出力経路ＤＴの他端はアンテナ接続端子１００に接続されている。

受信経路ＡＲは、第１受信経路の一例であり、通信バンドＡの受信信号を伝送する。受信経路ＡＲの一端はアンテナ接続端子１００に接続され、受信経路ＡＲの他端は受信低雑音増幅器２１に接続されている。受信経路ＢＲは、第２受信経路の一例であり、通信バンドＢの受信信号を伝送する。受信経路ＢＲの一端はアンテナ接続端子１００に接続され、受信経路ＢＲの他端は受信低雑音増幅器２１に接続されている。受信経路ＣＲは、通信バンドＣの受信信号を伝送する。受信経路ＣＲの一端はアンテナ接続端子１００に接続され、受信経路ＣＲの他端は受信低雑音増幅器２２に接続されている。受信経路ＤＲは、通信バンドＤの受信信号を伝送する。受信経路ＤＲの一端はアンテナ接続端子１００に接続され、受信経路ＤＲの他端は受信低雑音増幅器２２に接続されている。

送信フィルタ６１Ｔは、送信電力増幅器１１とアンテナ接続端子１００とを結ぶ送信出力経路ＡＴに配置され、送信電力増幅器１１で増幅された送信信号のうち、通信バンドＡの送信帯域の送信信号を通過させる。また、送信フィルタ６２Ｔは、送信電力増幅器１１とアンテナ接続端子１００とを結ぶ送信出力経路ＢＴに配置され、送信電力増幅器１１で増幅された送信信号のうち、通信バンドＢの送信帯域の送信信号を通過させる。また、送信フィルタ６３Ｔは、送信電力増幅器１２とアンテナ接続端子１００とを結ぶ送信出力経路ＣＴに配置され、送信電力増幅器１２で増幅された送信信号のうち、通信バンドＣの送信帯域の送信信号を通過させる。また、送信フィルタ６４Ｔは、送信電力増幅器１２とアンテナ接続端子１００とを結ぶ送信出力経路ＤＴに配置され、送信電力増幅器１２で増幅された送信信号のうち、通信バンドＤの送信帯域の送信信号を通過させる。

受信フィルタ６１Ｒは、受信低雑音増幅器２１とアンテナ接続端子１００とを結ぶ受信経路ＡＲに配置され、アンテナ接続端子１００から入力された受信信号のうち、通信バンドＡの受信帯域の受信信号を通過させる。また、受信フィルタ６２Ｒは、受信低雑音増幅器２１とアンテナ接続端子１００とを結ぶ受信経路ＢＲに配置され、アンテナ接続端子１００から入力された受信信号のうち、通信バンドＢの受信帯域の受信信号を通過させる。また、受信フィルタ６３Ｒは、受信低雑音増幅器２２とアンテナ接続端子１００とを結ぶ受信経路ＣＲに配置され、アンテナ接続端子１００から入力された受信信号のうち、通信バンドＣの受信帯域の受信信号を通過させる。また、受信フィルタ６４Ｒは、受信低雑音増幅器２２とアンテナ接続端子１００とを結ぶ受信経路ＤＲに配置され、アンテナ接続端子１００から入力された受信信号のうち、通信バンドＤの受信帯域の受信信号を通過させる。

送信フィルタ６１Ｔおよび受信フィルタ６１Ｒは、通信バンドＡを通過帯域とするデュプレクサ６１を構成している。また、送信フィルタ６２Ｔおよび受信フィルタ６２Ｒは、通信バンドＢを通過帯域とするデュプレクサ６２を構成している。また、送信フィルタ６３Ｔおよび受信フィルタ６３Ｒは、通信バンドＣを通過帯域とするデュプレクサ６３を構成している。また、送信フィルタ６４Ｔおよび受信フィルタ６４Ｒは、通信バンドＤを通過帯域とするデュプレクサ６４を構成している。

送信出力整合回路３０は、整合回路３１および３２を有する。整合回路３１は、送信電力増幅器１１と送信フィルタ６１Ｔおよび６２Ｔとを結ぶ送信出力経路に配置され、送信電力増幅器１１と送信フィルタ６１Ｔおよび６２Ｔとのインピーダンス整合をとる。整合回路３２は、送信電力増幅器１２と送信フィルタ６３Ｔおよび６４Ｔとを結ぶ送信出力経路に配置され、送信電力増幅器１２と送信フィルタ６３Ｔおよび６４Ｔとのインピーダンス整合をとる。

受信入力整合回路４０は、整合回路４１および４２を有する。整合回路４１は、受信低雑音増幅器２１と受信フィルタ６１Ｒおよび６２Ｒとを結ぶ受信経路に配置され、受信低雑音増幅器２１と受信フィルタ６１Ｒおよび６２Ｒとのインピーダンス整合をとる。整合回路４２は、受信低雑音増幅器２２と受信フィルタ６３Ｒおよび６４Ｒとを結ぶ受信経路に配置され、受信低雑音増幅器２２と受信フィルタ６３Ｒおよび６４Ｒとのインピーダンス整合をとる。

スイッチ５６は、第１スイッチの一例であり、共通端子、および２つの選択端子を有する。スイッチ５６の共通端子は、送信入力端子１１０に接続されている。スイッチ５６の一方の選択端子は送信入力経路ＡＢＴを経由して送信電力増幅器１１の入力端子に接続され、スイッチ５６の他方の選択端子は送信入力経路ＣＤＴを経由して送信電力増幅器１２の入力端子に接続されている。この接続構成において、スイッチ５６は、共通端子と一方の選択端子との接続、および、共通端子と他方の選択端子との接続、を切り替える。つまり、スイッチ５６は、送信入力端子１１０と送信電力増幅器１１および１２とを結ぶ送信入力経路ＡＢＴおよびＣＤＴに配置され、送信入力端子１１０と送信電力増幅器１１との接続、および、送信入力端子１１０と送信電力増幅器１２との接続、を切り替える。スイッチ５６は、例えば、ＳＰＤＴ（Ｓｉｎｇｌｅ Ｐｏｌｅ Ｄｏｕｂｌｅ Ｔｈｒｏｗ）型のスイッチ回路で構成される。なお、スイッチ５６は、共通端子と一方の選択端子との接続、および、共通端子と他方の選択端子との接続、を同時に行うことが可能なマルチ接続型のスイッチ回路であってもよい。

スイッチ５１は、第２スイッチの一例であり、共通端子、および２つの選択端子を有する。スイッチ５１の共通端子は、整合回路３１を介して送信電力増幅器１１の出力端子に接続されている。スイッチ５１の一方の選択端子は送信出力経路ＡＴを経由して送信フィルタ６１Ｔに接続され、スイッチ５１の他方の選択端子は送信出力経路ＢＴを経由して送信フィルタ６２Ｔに接続されている。この接続構成において、スイッチ５１は、共通端子と一方の選択端子との接続、および、共通端子と他方の選択端子との接続、を切り替える。つまり、スイッチ５１は、送信電力増幅器１１とアンテナ接続端子１００との間であって、通信バンドＡの送信信号を伝送する送信出力経路ＡＴと送信電力増幅器１１との接続、および、通信バンドＢの送信信号を伝送する送信出力経路ＢＴと送信電力増幅器１１との接続、を切り替える。スイッチ５１は、例えば、ＳＰＤＴ（Ｓｉｎｇｌｅ Ｐｏｌｅ Ｄｏｕｂｌｅ Ｔｈｒｏｗ）型のスイッチ回路で構成される。

スイッチ５２は、第２スイッチの一例であり、共通端子、および２つの選択端子を有する。スイッチ５２の共通端子は、整合回路３２を介して送信電力増幅器１２の出力端子に接続されている。スイッチ５２の一方の選択端子は送信出力経路ＣＴを経由して送信フィルタ６３Ｔに接続され、スイッチ５２の他方の選択端子は送信出力経路ＤＴを経由して送信フィルタ６４Ｔに接続されている。この接続構成において、スイッチ５２は、共通端子と一方の選択端子との接続、および、共通端子と他方の選択端子との接続、を切り替える。つまり、スイッチ５２は、送信電力増幅器１２とアンテナ接続端子１００との間であって、通信バンドＣの送信信号を伝送する送信出力経路ＣＴと送信電力増幅器１２との接続、および、通信バンドＤの送信信号を伝送する送信出力経路ＤＴと送信電力増幅器１２との接続、を切り替える。

スイッチ５３は、共通端子、および２つの選択端子を有する。スイッチ５３の共通端子は、整合回路４１を介して受信低雑音増幅器２１の入力端子に接続されている。スイッチ５３の一方の選択端子は受信経路ＡＲに配置された受信フィルタ６１Ｒに接続され、スイッチ５３の他方の選択端子は受信経路ＢＲに配置された受信フィルタ６２Ｒに接続されている。この接続構成において、スイッチ５３は、共通端子と一方の選択端子との接続、および、共通端子と他方の選択端子との接続、を切り替える。つまり、スイッチ５３は、受信低雑音増幅器２１と受信経路ＡＲとの接続、および、受信低雑音増幅器２１と受信経路ＢＲとの接続、を切り替える。スイッチ５３は、例えば、ＳＰＤＴ型のスイッチ回路で構成される。

スイッチ５４は、共通端子、および２つの選択端子を有する。スイッチ５４の共通端子は、整合回路４２を介して受信低雑音増幅器２２の入力端子に接続されている。スイッチ５４の一方の選択端子は受信経路ＣＲに配置された受信フィルタ６３Ｒに接続され、スイッチ５４の他方の選択端子は受信経路ＤＲに配置された受信フィルタ６４Ｒに接続されている。この接続構成において、スイッチ５４は、共通端子と一方の選択端子との接続、および、共通端子と他方の選択端子との接続、を切り替える。つまり、スイッチ５４は、受信低雑音増幅器２２と受信経路ＣＲとの接続、および、受信低雑音増幅器２２と受信経路ＤＲとの接続、を切り替える。スイッチ５４は、例えば、ＳＰＤＴ型のスイッチ回路で構成される。

スイッチ５５は、アンテナスイッチの一例であり、ダイプレクサ６０を介してアンテナ接続端子１００に接続され、（１）アンテナ接続端子１００と送信出力経路ＡＴおよび受信経路ＡＲとの接続、（２）アンテナ接続端子１００と送信出力経路ＢＴおよび受信経路ＢＲとの接続、（３）アンテナ接続端子１００と送信出力経路ＣＴおよび受信経路ＣＲとの接続、ならびに（４）アンテナ接続端子１００と送信出力経路ＤＴおよび受信経路ＤＲとの接続、を切り替える。なお、スイッチ５５は、上記（１）〜（４）のうちの２以上の接続を同時に行うことが可能なマルチ接続型のスイッチ回路で構成される。

整合回路７１は、スイッチ５５とデュプレクサ６１とを結ぶ経路に配置され、アンテナ２およびスイッチ５５と、デュプレクサ６１とのインピーダンス整合をとる。整合回路７２は、スイッチ５５とデュプレクサ６２とを結ぶ経路に配置され、アンテナ２およびスイッチ５５と、デュプレクサ６２とのインピーダンス整合をとる。整合回路７３は、スイッチ５５とデュプレクサ６３とを結ぶ経路に配置され、アンテナ２およびスイッチ５５と、デュプレクサ６３とのインピーダンス整合をとる。整合回路７４は、スイッチ５５とデュプレクサ６４とを結ぶ経路に配置され、アンテナ２およびスイッチ５５と、デュプレクサ６４とのインピーダンス整合をとる。

ダイプレクサ６０は、マルチプレクサの一例であり、フィルタ６０Ｌおよび６０Ｈで構成されている。フィルタ６０Ｌは、第１周波数帯域群および第２周波数帯域群を含む周波数範囲を通過帯域とするフィルタであり、フィルタ６０Ｈは、第１周波数帯域群および第２周波数帯域群と周波数が異なる他の周波数帯域群を含む周波数範囲を通過帯域とするフィルタである。フィルタ６０Ｌの一方の端子とフィルタ６０Ｈの一方の端子とは、アンテナ接続端子１００に共通接続されている。なお、第１周波数帯域群および第２周波数帯域群が上記他の周波数帯域群より低周波数側に位置する場合には、フィルタ６０Ｌはローパスフィルタであってもよく、また、フィルタ６０Ｈはハイパスフィルタであってもよい。

なお、上記の送信フィルタ６１Ｔ〜６４Ｔ、受信フィルタ６１Ｒ〜６４Ｒ、フィルタ６０Ｌおよび６０Ｈは、例えば、ＳＡＷ（Ｓｕｒｆａｃｅ Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｗａｖｅ）を用いた弾性波フィルタ、ＢＡＷ（Ｂｕｌｋ Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｗａｖｅ）を用いた弾性波フィルタ、ＬＣ共振フィルタ、および誘電体フィルタのいずれかであってもよく、さらには、これらには限定されない。

また、送信電力増幅器１１および１２、ならびに、受信低雑音増幅器２１および２２は、例えば、Ｓｉ系のＣＭＯＳ（Ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ Ｍｅｔａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）またはＧａＡｓを材料とした、電界効果型トランジスタ（ＦＥＴ）またはヘテロバイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）などで構成されている。

また、受信低雑音増幅器２１および２２、ならびに、スイッチ５３、５４および５５は、１つの半導体ＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）に形成されていてもよい。さらに、上記半導体ＩＣは、さらに、送信電力増幅器１１および１２、ならびに、スイッチ５１、５２および５６を含んでいてもよい。半導体ＩＣは、例えば、ＣＭＯＳで構成されている。具体的には、ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）プロセスにより形成されている。これにより、半導体ＩＣを安価に製造することが可能となる。なお、半導体ＩＣは、ＧａＡｓ、ＳｉＧｅおよびＧａＮの少なくともいずれかで構成されていてもよい。これにより、高品質な増幅性能および雑音性能を有する高周波信号を出力することが可能となる。

上記高周波モジュール１の構成において、スイッチ５６、送信電力増幅器１１、整合回路３１、スイッチ５１、送信フィルタ６１Ｔ、整合回路７１、スイッチ５５、およびフィルタ６０Ｌは、アンテナ接続端子１００に向けて通信バンドＡの送信信号を伝送する第１送信回路を構成する。また、フィルタ６０Ｌ、スイッチ５５、整合回路７１、受信フィルタ６１Ｒ、スイッチ５３、整合回路４１、および受信低雑音増幅器２１は、アンテナ２からアンテナ接続端子１００を介して通信バンドＡの受信信号を伝送する第１受信回路を構成する。

また、スイッチ５６、送信電力増幅器１１、整合回路３１、スイッチ５１、送信フィルタ６２Ｔ、整合回路７２、スイッチ５５、およびフィルタ６０Ｌは、アンテナ接続端子１００に向けて通信バンドＢの送信信号を伝送する第２送信回路を構成する。また、フィルタ６０Ｌ、スイッチ５５、整合回路７２、受信フィルタ６２Ｒ、スイッチ５３、整合回路４１、および受信低雑音増幅器２１は、アンテナ２からアンテナ接続端子１００を介して通信バンドＢの受信信号を伝送する第２受信回路を構成する。

また、スイッチ５６、送信電力増幅器１２、整合回路３２、スイッチ５２、送信フィルタ６３Ｔ、整合回路７３、スイッチ５５、およびフィルタ６０Ｌは、アンテナ接続端子１００に向けて通信バンドＣの送信信号を伝送する第３送信回路を構成する。また、フィルタ６０Ｌ、スイッチ５５、整合回路７３、受信フィルタ６３Ｒ、スイッチ５４、整合回路４２、および受信低雑音増幅器２２は、アンテナ２からアンテナ接続端子１００を介して通信バンドＣの受信信号を伝送する第３受信回路を構成する。

また、スイッチ５６、送信電力増幅器１２、整合回路３２、スイッチ５２、送信フィルタ６４Ｔ、整合回路７４、スイッチ５５、およびフィルタ６０Ｌは、アンテナ接続端子１００に向けて通信バンドＤの送信信号を伝送する第４送信回路を構成する。また、フィルタ６０Ｌ、スイッチ５５、整合回路７４、受信フィルタ６４Ｒ、スイッチ５４、整合回路４２、および受信低雑音増幅器２２は、アンテナ２からアンテナ接続端子１００を介して通信バンドＤの受信信号を伝送する第４受信回路を構成する。

上記回路構成によれば、高周波モジュール１は、通信バンドＡおよび通信バンドＢのいずれかの通信バンドの高周波信号と、通信バンドＣおよび通信バンドＤのいずれかの通信バンドの高周波信号とを、同時送信、同時受信、および同時送受信の少なくともいずれかで実行することが可能である。

なお、本発明に係る高周波モジュールでは、上記４つの送信回路および上記４つの受信回路がスイッチ５５を介してアンテナ接続端子１００に接続されていなくてもよく、上記４つの送信回路および上記４つの受信回路が、異なる端子を介してアンテナ２に接続されていてもよい。また、本発明に係る高周波モジュールは、第１送信回路を少なくとも有していればよい。

また、本発明に係る高周波モジュールにおいて、第１送信回路は、送信電力増幅器１１、スイッチ５６、および、送信出力経路ＡＴに配置された少なくとも１つの回路部品を有していればよい。

ここで、上記高周波モジュール１を構成する各回路素子を、小型のフロントエンド回路として１つのモジュール基板に実装する場合、モジュール基板表面の回路部品レイアウト面積を小さくすることが必要となる。この場合、例えば、送信電力増幅器１１および１２の入力側に配置された高周波部品（例えばスイッチ５６）と送信電力増幅器１１および１２の出力側に配置された回路部品とが電界結合、磁界結合、または電磁界結合することが想定される。この場合、送信電力増幅器１１の入出力間および送信電力増幅器１２の入出力間において、高周波信号を伝達する不要なフィードバックループが形成されて送信電力増幅器１１および１２が発振し、送信電力増幅器１１および１２の動作が不安定になるという問題が発生することが想定される。

これに対して、本実施の形態に係る高周波モジュール１では、送信電力増幅器１１および１２の入力側に配置された回路部品と送信電力増幅器１１および１２の出力側に配置された回路部品とが電界結合、磁界結合、または電磁界結合することを抑制する構成を有している。以下では、本実施の形態に係る高周波モジュール１の電界結合、磁界結合、または電磁界結合を抑制する構成について説明する。

［２．実施例に係る高周波モジュール１Ａの回路素子配置構成］
図２Ａは、実施例に係る高周波モジュール１Ａの平面構成概略図である。また、図２Ｂは、実施例に係る高周波モジュール１Ａの断面構成概略図であり、具体的には、図２ＡのＩＩＢ−ＩＩＢ線における断面図である。なお、図２Ａの（ａ）には、モジュール基板９１の互いに対向する主面９１ａおよび９１ｂのうち、主面９１ａをｚ軸正方向側から見た場合の回路素子の配置図が示されている。一方、図２Ａの（ｂ）には、主面９１ｂをｚ軸正方向側から見た場合の回路素子の配置を透視した図が示されている。

実施例に係る高周波モジュール１Ａは、実施の形態に係る高周波モジュール１を構成する各回路素子の配置構成を具体的に示したものである。

図２Ａおよび図２Ｂに示すように、本実施例に係る高周波モジュール１Ａは、図１に示された回路構成に加えて、さらに、モジュール基板９１と、樹脂部材９２および９３と、を有している。

モジュール基板９１は、互いに対向する主面９１ａ（第１主面）および主面９１ｂ（第２主面）を有し、上記送信回路および上記受信回路を実装する基板である。モジュール基板９１としては、例えば、複数の誘電体層の積層構造を有する低温同時焼成セラミックス（Ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏ−ｆｉｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃｓ：ＬＴＣＣ）基板、高温同時焼成セラミックス（Ｈｉｇｈ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏ−ｆｉｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃｓ：ＨＴＣＣ）基板、部品内蔵基板、再配線層（Ｒｅｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ：ＲＤＬ）を有する基板、または、プリント基板等が用いられる。

樹脂部材９２は、モジュール基板９１の主面９１ａに配置され、上記送信回路の一部、上記受信回路の一部、およびモジュール基板９１の主面９１ａを覆っており、上記送信回路および上記受信回路を構成する回路素子の機械強度および耐湿性などの信頼性を確保する機能を有している。樹脂部材９３は、モジュール基板９１の主面９１ｂに配置され、上記送信回路の一部、上記受信回路の一部、およびモジュール基板９１の主面９１ｂを覆っており、上記送信回路および上記受信回路を構成する回路素子の機械強度および耐湿性などの信頼性を確保する機能を有している。なお、樹脂部材９２および９３は、本発明に係る高周波モジュールに必須の構成要素ではない。

図２Ａおよび図２Ｂに示すように、本実施例に係る高周波モジュール１Ａでは、送信電力増幅器１１および１２、デュプレクサ６１〜６４、スイッチ５６、整合回路３１、３２、４１および４２、ならびにダイプレクサ６０は、モジュール基板９１の主面９１ａに表面実装されている。一方、受信低雑音増幅器２１および２２、ならびにスイッチ５１、５２、５３、５４および５５は、モジュール基板９１の主面９１ｂに表面実装されている。なお、整合回路７１〜７４は、図２Ａおよび図２Ｂには図示されていないが、モジュール基板９１の主面９１ａおよび９１ｂのいずれに表面実装されていてもよいし、またモジュール基板９１に内蔵されていてもよい。

本実施例では、スイッチ５６は、送信入力経路ＡＢＴおよびＣＤＴに配置された第１回路部品であり、主面９１ａに実装されている。一方、スイッチ５１、５２および５５は、送信出力経路ＡＴ〜ＤＴに配置された第２回路部品であり、主面９１ｂに実装されている。

上記構成によれば、モジュール基板９１の主面９１ａ上に送信入力経路ＡＢＴおよびＣＤＴに配置された第１回路部品が配置され、主面９１ｂ上に送信出力経路ＡＴ〜ＤＴに配置された第２回路部品が配置されている。つまり、第１回路部品と第２回路部品とが、モジュール基板９１を挟んで配置されている。これにより、送信電力増幅器１１および１２の入力側に配置された第１回路部品と送信電力増幅器１１および１２の出力側に配置された第２回路部品とが電界結合、磁界結合、または電磁界結合することを抑制できる。このため、送信電力増幅器１１の入出力間および送信電力増幅器１２の入出力間において、高周波信号を伝達する不要なフィードバックループが形成されて送信電力増幅器１１および１２が発振することを抑制できる。よって、送信電力増幅器１１および１２の不安定動作を抑制することが可能となる。

なお、本実施例に係る高周波モジュール１Ａでは、スイッチ５６が主面９１ａに実装され、スイッチ５１、５２および５５が主面９１ｂに実装された構成を有しているが、これに限られない。

本発明に係る高周波モジュールは、主面９１ａに第１回路部品が実装され、主面９１ｂに、以下に列挙された回路部品の少なくとも１つ（第２回路部品）が実装されていればよい。すなわち、第２回路部品としては、
（１）整合回路３１、３２、７１、７２、７３または７４、
（２）スイッチ５１または５２、
（３）送信フィルタ６１Ｔ〜６４Ｔのいずれか、または、デュプレクサ６１〜６４のいずれか、
（４）ダイプレクサ６０、および、
（６）スイッチ５５、
の少なくとも１つであればよい。

これによれば、第１回路部品と、上記（１）〜（６）の第２回路部とが、同一の主面に配置された構成を有する高周波モジュールに比べて、送信電力増幅器１１の入出力間および送信電力増幅器１２の入出力間において、高周波信号を伝達する不要なフィードバックループが形成されて送信電力増幅器１１および１２が発振することを抑制できる。よって、送信電力増幅器１１および１２の不安定動作を抑制することが可能となる。

なお、モジュール基板９１は、複数の誘電体層が積層された多層構造を有し、当該複数の誘電体層の少なくとも１つには、グランド電極パターンが形成されていることが望ましい。これにより、モジュール基板９１の電磁界遮蔽機能が更に向上する。

また、特に、第１回路部品としてはスイッチ５６であり、第２回路部品としてはスイッチ５１または５２であることが望ましい。

これにより、送信電力増幅器１１および１２の入力端子に最近接するスイッチ５６と送信電力増幅器１１および１２の出力端子に最近接するスイッチ５１または５２とが電界結合、磁界結合、または電磁界結合することを抑制できる。このため、送信電力増幅器１１の入出力間および送信電力増幅器１２の入出力間において、高周波信号を伝達する不要なフィードバックループが形成されて送信電力増幅器１１および１２が発振することを最も効果的に抑制できる。よって、送信電力増幅器１１および１２の不安定動作を効果的に抑制することが可能となる。

また、図２Ａに示すように、モジュール基板を平面視した場合、スイッチ５６とスイッチ５１または５２とは重複していないことが望ましい。

これにより、スイッチ５６とスイッチ５１または５２とが、モジュール基板９１を挟んで配置されるだけでなく、スイッチ５６とスイッチ５１または５２との距離を大きく確保できる。これにより、送信電力増幅器１１および１２の送信入力経路と送信出力経路とのアイソレーションがより一層向上するので、送信電力増幅器１１および１２の不安定動作をより一層抑制することが可能となる。

また、特に、第１回路部品としてはスイッチ５６であり、第２回路部品としてはスイッチ５５であることが望ましい。

これにより、通信バンドＡ〜Ｄのいずれかの送信信号が送信経路ＡＴ〜ＤＴのいずれかを伝送する際に、スイッチ５６とスイッチ５５とが電界結合、磁界結合、または電磁界結合することを抑制できる。このため、通信バンドＡ〜Ｄのいずれかの送信信号またはその高調波が、送信経路上の回路部品を経由せずに、受信経路ＡＲ〜ＤＲのいずれかに流入し受信感度を低下させることを抑制できる。また、送信出力経路ＡＴ〜ＤＴのいずれかを伝送する高出力の送信信号に当該送信信号の高調波が重畳することで、高周波モジュール１Ａから出力される送信信号の信号品質が劣化することを抑制できる。

また、図２Ａに示すように、モジュール基板を平面視した場合、スイッチ５６とスイッチ５５とは重複していないことが望ましい。

これにより、スイッチ５６とスイッチ５５とが、モジュール基板９１を挟んで配置されるだけでなく、スイッチ５６とスイッチ５５との距離を大きく確保できる。これにより、受信経路における受信感度を低下、および、高周波モジュール１Ａから出力される送信信号の信号品質が劣化をより一層抑制できる。

なお、モジュール基板９１は、複数の誘電体層が積層された多層構造を有し、当該複数の誘電体層の少なくとも１つには、グランド電極パターンが形成されていることが望ましい。これにより、モジュール基板９１の電磁界遮蔽機能が向上する。

また、本実施例に係る高周波モジュール１Ａでは、モジュール基板９１の主面９１ｂ側に、複数の外部接続端子１５０が配置されている。高周波モジュール１Ａは、高周波モジュール１Ａのｚ軸負方向側に配置される外部基板と、複数の外部接続端子１５０を経由して、電気信号のやりとりを行う。また、複数の外部接続端子１５０のいくつかは、外部基板のグランド電位に設定される。主面９１ａおよび９１ｂのうち、外部基板と対向する主面９１ｂには、低背化が困難な送信電力増幅器１１および１２が配置されず、低背化が容易な受信低雑音増幅器２１および２２、ならびに、スイッチ５１〜５５が配置されているので、高周波モジュール１Ａ全体を低背化することが可能となる。また、受信回路の受信感度に大きく影響する受信低雑音増幅器２１および２２の周囲に、グランド電極として適用される外部接続端子１５０が複数配置されるので、受信回路の受信感度の劣化を抑制できる。

なお、外部接続端子１５０は、図２Ａおよび２Ｂに示すように、樹脂部材９３をｚ軸方向に貫通する柱状電極であってもよいし、また、主面９１ｂ上に形成されたバンプ電極であってもよい。

また、本実施例に係る高周波モジュール１Ａでは、送信電力増幅器１１および１２は、主面９１ａに実装されている。

送信電力増幅器１１および１２は、高周波モジュール１Ａが有する回路部品のなかで発熱量が大きい部品である。高周波モジュール１Ａの放熱性を向上させるには、送信電力増幅器１１および１２の発熱を、小さな熱抵抗を有する放熱経路で外部基板に放熱することが重要である。仮に、送信電力増幅器１１および１２を主面９１ｂに実装した場合、送信電力増幅器１１および１２に接続される電極配線は主面９１ｂ上に配置される。このため、放熱経路としては、主面９１ｂ上の（ｘｙ平面方向に沿う）平面配線パターンのみを経由した放熱経路を含むこととなる。上記平面配線パターンは、金属薄膜で形成されるため熱抵抗が大きい。このため、送信電力増幅器１１および１２を主面９１ｂ上に配置した場合には、放熱性が低下してしまう。

これに対して、送信電力増幅器１１および１２を主面９１ａに実装した場合、主面９１ａと主面９１ｂとの間を貫通する貫通電極を介して、送信電力増幅器１１および１２と外部接続端子１５０とを接続できる。よって、送信電力増幅器１１および１２の放熱経路として、モジュール基板９１内の配線のうち熱抵抗の大きいｘｙ平面方向に沿う平面配線パターンのみを経由した放熱経路を排除できる。よって、送信電力増幅器１１および１２からの外部基板への放熱性が向上した小型の高周波モジュール１Ａを提供することが可能となる。

また、モジュール基板９１を平面視した場合に、主面９１ｂに実装されたスイッチ５３および５４と、主面９１ａに実装された送信電力増幅器１１および１２とは重複しないことが望ましい。

これにより、受信経路に配置されたスイッチ５３および５４と送信電力増幅器１１および１２とが、モジュール基板９１を挟んで配置されるだけでなく、スイッチ５３および５４と送信電力増幅器１１および１２との距離を大きく確保できる。これにより、送信回路と受信回路とのアイソレーションがより一層向上するので、送信信号、高調波、および相互変調歪の不要波が受信経路に流入し、受信感度を低下させてしまうことを抑制できる。

また、本実施例に係る高周波モジュール１Ａに示すように、モジュール基板９１を平面視した場合に、主面９１ａに実装された整合回路４１のインダクタと主面９１ｂに実装されたスイッチ５３とは重複していることが望ましい。これにより、整合回路４１のインダクタとスイッチ５３とがモジュール基板９１を介して対向しているので、整合回路４１のインダクタとスイッチ５３とを結ぶ配線長を短くできる。また、主面９１ａに実装された整合回路４２のインダクタと主面９１ｂに実装されたスイッチ５４とは重複していることが望ましい。これにより、整合回路４２のインダクタとスイッチ５４とがモジュール基板９１を介して対向しているので、整合回路４２のインダクタとスイッチ５４とを結ぶ配線長を短くできる。よって、受信経路における伝送損失を低減できる。

また、本実施例に係る高周波モジュール１Ａに示すように、モジュール基板９１を平面視した場合に、主面９１ａに実装されたデュプレクサ６１（または受信フィルタ６１Ｒ）および６２（または受信フィルタ６２Ｒ）の少なくとも一方と、主面９１ｂに実装されたスイッチ５３とは重複していることが望ましい。これにより、デュプレクサ６１および６２の少なくとも一方とスイッチ５３とがモジュール基板９１を介して対向しているので、デュプレクサ６１および６２の少なくとも一方とスイッチ５３とを結ぶ配線長を短くできる。また、主面９１ａに実装されたデュプレクサ６３（または受信フィルタ６３Ｒ）および６４（または受信フィルタ６４Ｒ）の少なくとも一方と、主面９１ｂに実装されたスイッチ５４とは重複していることが望ましい。これにより、デュプレクサ６３および６４の少なくとも一方とスイッチ５４とがモジュール基板９１を介して対向しているので、デュプレクサ６３および６４の少なくとも一方とスイッチ５４とを結ぶ配線長を短くできる。よって、受信経路における伝送損失を低減できる。

さらに、本実施例に係る高周波モジュール１Ａでは、モジュール基板９１を平面視した場合、ダイプレクサ６０とスイッチ５５とは重複している。本実施例では、スイッチ５５とダイプレクサ６０とは、主面９１ａと主面９１ｂとの間を貫通するビア導体９１ｖで接続されている。

これにより、ダイプレクサ６０とスイッチ５５とがモジュール基板９１を介して対向しているので、ダイプレクサ６０とスイッチ５５とを結ぶ配線長を短くできる。よって、高周波モジュール１Ａにおける送信経路および受信経路の双方における伝送損失を低減できる。

なお、受信低雑音増幅器２１および２２、ならびにスイッチ５３、５４および５５は、１つの半導体ＩＣ１０に内蔵されていてもよい。これにより、主面９１ｂ側のｚ軸方向の高さを低減でき、また主面９１ｂの部品実装面積を小さくできる。よって、高周波モジュール１Ａを小型化できる。さらに、半導体ＩＣ１０は、スイッチ５１および５２を含んでもよい。

［４．効果など］
以上、本実施の形態に係る高周波モジュール１は、互いに対向する主面９１ａおよび９１ｂを有するモジュール基板９１と、送信入力端子１１０と、アンテナ接続端子１００と、送信電力増幅器１１と、を備え、送信入力端子１１０と送信電力増幅器１１の入力端子とを結ぶ送信入力経路ＡＢＴに配置された第１回路部品の少なくとも１つは主面９１ａに実装されており、送信電力増幅器１１の出力端子とアンテナ接続端子１００とを結ぶ送信出力経路ＡＴまたはＢＴに配置された第２回路部品の少なくとも１つは主面９１ｂに実装されている。

これにより、送信電力増幅器１１の入力側に配置された第１回路部品と送信電力増幅器１１の出力側に配置された第２回路部品とが電界結合、磁界結合、または電磁界結合することを抑制できる。このため、送信電力増幅器１１の入出力間において、高周波信号を伝達する不要なフィードバックループが形成されて送信電力増幅器１１が発振することを抑制できる。よって、送信電力増幅器１１の不安定動作を抑制することが可能となる。

また、第１回路部品の上記少なくとも１つはスイッチ５６であり、第２回路部品の上記少なくとも１つはスイッチ５１であってもよい。

これにより、送信電力増幅器１１の入力端子に最近接するスイッチ５６と送信電力増幅器１１の出力端子に最近接するスイッチ５１とが電界結合、磁界結合、または電磁界結合することを抑制できる。このため、送信電力増幅器１１の入出力間において、高周波信号を伝達する不要なフィードバックループが形成されて送信電力増幅器１１が発振することを最も効果的に抑制できる。よって、送信電力増幅器１１の不安定動作を効果的に抑制することが可能となる。

また、モジュール基板９１を平面視した場合、スイッチ５６とスイッチ５１とは重複していないことが望ましい。

これにより、スイッチ５６とスイッチ５１とが、モジュール基板９１を挟んで配置されるだけでなく、スイッチ５６とスイッチ５１との距離を大きく確保できる。これにより、送信電力増幅器１１の送信入力経路と送信出力経路とのアイソレーションがより一層向上するので、送信電力増幅器１１の不安定動作をより一層抑制することが可能となる。

また、第１回路部品の上記少なくとも１つはスイッチ５６であり、第２回路部品の上記少なくとも１つはスイッチ５５であってもよい。

これにより、通信バンドＡ〜Ｄのいずれかの送信信号が送信出力経路ＡＴ〜ＤＴのいずれかを伝送する際に、スイッチ５６とスイッチ５５とが電界結合、磁界結合、または電磁界結合することを抑制できる。このため、通信バンドＡ〜Ｄのいずれかの送信信号またはその高調波が、送信経路上の回路部品を経由せずに、受信経路ＡＲ〜ＤＲのいずれかに流入し受信感度を低下させることを抑制できる。また、送信出力経路ＡＴ〜ＤＴのいずれかを伝送する高出力の送信信号に当該送信信号の高調波が重畳することで、高周波モジュール１から出力される送信信号の信号品質が劣化することを抑制できる。

また、モジュール基板９１を平面視した場合、スイッチ５６とスイッチ５５とは重複していないことが望ましい。

これにより、スイッチ５６とスイッチ５５とが、モジュール基板９１を挟んで配置されるだけでなく、スイッチ５６とスイッチ５５との距離を大きく確保できる。これにより、受信経路における受信感度を低下、および、高周波モジュール１から出力される送信信号の信号品質が劣化をより一層抑制できる。

また、さらに、外部接続端子１５０を備え、外部接続端子１５０は主面９１ｂに配置されており、送信電力増幅器１１は主面９１ｂに実装されていてもよい。

これにより、送信電力増幅器１１の放熱経路として、モジュール基板９１内の配線のうち熱抵抗の大きい平面配線パターンのみを経由した放熱経路を排除できる。よって、送信電力増幅器１１からの外部基板への放熱性が向上した小型の高周波モジュール１を提供することが可能となる。

また、通信装置５は、アンテナ２と、アンテナ２で送受信される高周波信号を処理するＲＦＩＣ３と、アンテナ２とＲＦＩＣ３との間で高周波信号を伝送する高周波モジュール１と、を備える。

これにより、送信電力増幅器１１の不安定動作を抑制することが可能となる。

（その他の実施の形態など）
以上、本発明の実施の形態に係る高周波モジュールおよび通信装置について、実施の形態およびその変形例を挙げて説明したが、本発明に係る高周波モジュールおよび通信装置は、上記実施の形態およびその変形例に限定されるものではない。上記実施の形態およびその変形例における任意の構成要素を組み合わせて実現される別の実施の形態や、上記実施の形態およびその変形例に対して本発明の主旨を逸脱しない範囲で当業者が思いつく各種変形を施して得られる変形例や、上記高周波モジュールおよび通信装置を内蔵した各種機器も本発明に含まれる。

例えば、上記実施の形態およびその変形例に係る高周波モジュールおよび通信装置において、図面に開示された各回路素子および信号経路を接続する経路の間に、別の回路素子および配線などが挿入されていてもよい。

本発明は、マルチバンド対応のフロントエンド部に配置される高周波モジュールとして、携帯電話などの通信機器に広く利用できる。

１、１Ａ 高周波モジュール
２ アンテナ
３ ＲＦ信号処理回路（ＲＦＩＣ）
４ ベースバンド信号処理回路（ＢＢＩＣ）
５ 通信装置
１０ 半導体ＩＣ
１１、１２ 送信電力増幅器
２１、２２ 受信低雑音増幅器
３０ 送信出力整合回路
３１、３２、４１、４２、７１、７２、７３、７４ 整合回路
４０ 受信入力整合回路
５１、５２、５３、５４、５５、５６ スイッチ
６０ ダイプレクサ
６０Ｈ、６０Ｌ フィルタ
６１、６２、６３、６４ デュプレクサ
６１Ｒ、６２Ｒ、６３Ｒ、６４Ｒ 受信フィルタ
６１Ｔ、６２Ｔ、６３Ｔ、６４Ｔ 送信フィルタ
９１ モジュール基板
９１ａ、９１ｂ 主面
９１ｖ ビア導体
９２、９３ 樹脂部材
１００ アンテナ接続端子
１１０ 送信入力端子
１２１、１２２ 受信出力端子
１５０ 外部接続端子

Claims (7)

1. 互いに対向する第１主面および第２主面を有するモジュール基板と、
   送信入力端子と、
   アンテナ接続端子と、
   前記送信入力端子に接続された送信電力増幅器と、
   前記送信入力端子と前記送信電力増幅器の入力端子とを結ぶ信号経路である送信入力経路に配置された第１回路部品と、
   前記送信電力増幅器の出力端子と前記アンテナ接続端子とを結ぶ信号経路である送信出力経路に配置された第２回路部品と、を備え、
   前記第１回路部品の少なくとも１つは、前記第１主面に実装されており、
   前記第２回路部品の少なくとも１つは、前記第２主面に実装されている、
   高周波モジュール。
2. 前記第１回路部品の前記少なくとも１つは、前記送信入力端子と前記送信電力増幅器との間に配置され、前記送信入力端子と前記送信電力増幅器との接続および非接続を切り替える第１スイッチであり、
   前記第２回路部品の前記少なくとも１つは、前記送信電力増幅器の出力端子と、前記送信電力増幅器と前記アンテナ接続端子との間であって第１通信バンドの送信信号を伝送する第１送信出力経路、および、前記送信電力増幅器と前記アンテナ接続端子との間であって第２通信バンドの送信信号を伝送する第２送信出力経路との間に配置され、前記送信電力増幅器と前記第１送信出力経路との接続、および、前記送信電力増幅器と前記第２送信出力経路との接続、を切り替える第２スイッチである、
   請求項１に記載の高周波モジュール。
3. 前記モジュール基板を平面視した場合、前記第１スイッチと前記第２スイッチとは重複していない、
   請求項２に記載の高周波モジュール。
4. 前記第１回路部品の前記少なくとも１つは、前記送信入力端子と前記送信電力増幅器との間に配置され、前記送信入力端子と前記送信電力増幅器との接続および非接続を切り替える第１スイッチであり、
   前記第２回路部品の前記少なくとも１つは、前記送信電力増幅器と前記アンテナ接続端子との間であって第１通信バンドの送信信号を伝送する第１送信出力経路と前記アンテナ接続端子との接続、および、前記送信電力増幅器と前記アンテナ接続端子との間であって第２通信バンドの送信信号を伝送する第２送信出力経路と前記アンテナ接続端子との接続、を切り替えるアンテナスイッチである、
   請求項１に記載の高周波モジュール。
5. 前記モジュール基板を平面視した場合、前記第１スイッチと前記アンテナスイッチとは重複していない、
   請求項４に記載の高周波モジュール。
6. さらに、外部接続端子を備え、
   前記外部接続端子は、前記第１主面に配置されており、
   前記送信電力増幅器は、前記第２主面に実装されている、
   請求項２〜５のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
7. アンテナと、
   前記アンテナで送受信される高周波信号を処理するＲＦ信号処理回路と、
   前記アンテナと前記ＲＦ信号処理回路との間で前記高周波信号を伝送する請求項１〜６のいずれか１項に記載の高周波モジュールと、を備える、
   通信装置。

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