JP2021190746A - 高周波モジュールおよび通信装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】送受信間のアイソレーションの劣化が抑制された高周波モジュールを提供する。【解決手段】高周波モジュール１は、互いに対向する主面９１ａおよび９１ｂを有するモジュール基板９１と、送信信号を増幅可能な電力増幅器１１と、受信信号を増幅可能な低雑音増幅器２１と、電力増幅器１１の入力端子に接続され、主面９１ｂに配置されたスイッチ３３と、低雑音増幅器２１の出力端子に接続され、主面９１ｂに配置されたスイッチ３４と、モジュール基板９１を平面視した場合にスイッチ３３とスイッチ３４とで挟まれた主面９１ｂ上の領域に配置されたグランド端子１５０ｇと、を備える。【選択図】図２Ａ

Description

本発明は、高周波モジュールおよび通信装置に関する。
携帯電話などの移動体通信機器には、高周波送信信号を増幅する電力増幅器が搭載される。特許文献１には、送信信号を伝送するＰＡ回路（送信増幅回路）と、受信信号を伝送するＬＮＡ回路（受信増幅回路）とを備えるフロントエンド回路（ＲＦモジュール）が開示されている。送信増幅回路には電力増幅器の増幅特性を制御するＰＡ制御部が配置され、受信増幅回路には低雑音増幅器の増幅特性を制御するＬＮＡ制御部が配置されている。
特開２０１８−１３７５２２号公報
しかしながら、特許文献１に開示されたＲＦモジュールにおいて、送信増幅回路と受信増幅回路とが電磁界結合し、送受信間のアイソレーションが劣化する場合がある。この場合、例えば、送信増幅回路を伝送する高出力の送信信号の高調波、または、当該送信信号と他の高周波信号との相互変調歪が、上記電磁界結合を介して受信増幅回路に流入し、当該受信増幅回路の受信感度が劣化する場合がある。
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、送受信間のアイソレーションの劣化が抑制された高周波モジュールおよび通信装置を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明の一態様に係る高周波モジュールは、互いに対向する第１主面および第２主面を有するモジュール基板と、送信信号を増幅可能な電力増幅器と、受信信号を増幅可能な低雑音増幅器と、前記電力増幅器の入力端子に接続され、前記第２主面に配置された第１スイッチと、前記低雑音増幅器の出力端子に接続され、前記第２主面に配置された第２スイッチと、前記モジュール基板を平面視した場合に前記第１スイッチと前記第２スイッチとで挟まれた前記第２主面上の領域に配置された第１グランド端子と、を備える。
また、本発明の一態様に係る高周波モジュールは、互いに対向する第１主面および第２主面を有するモジュール基板と、送信信号を増幅可能な電力増幅器と、受信信号を増幅可能な低雑音増幅器と、前記電力増幅器の入力端子に接続され、前記第２主面に配置された第１スイッチと、前記低雑音増幅器の出力端子に接続され、前記第２主面に配置された第２スイッチと、を備え、前記モジュール基板を平面視した場合、前記第１スイッチと前記第２スイッチとで挟まれた前記第２主面上の領域には、第１導電部品が配置されている。
本発明によれば、送受信間のアイソレーションの劣化が抑制された高周波モジュールおよび通信装置を提供することが可能となる。
実施の形態に係る高周波モジュールおよび通信装置の回路構成図である。 実施例に係る高周波モジュールの平面構成概略図である。 実施例に係る高周波モジュールの断面構成概略図である。 変形例に係る高周波モジュールの断面構成概略図である。
以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。なお、以下で説明する実施の形態は、いずれも包括的または具体的な例を示すものである。以下の実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置および接続形態等は、一例であり、本発明を限定する主旨ではない。以下の実施例および変形例における構成要素のうち、独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。また、図面に示される構成要素の大きさまたは大きさの比は、必ずしも厳密ではない。各図において、実質的に同一の構成については同一の符号を付し、重複する説明は省略または簡略化する場合がある。
また、以下において、平行および垂直等の要素間の関係性を示す用語、および、矩形状等の要素の形状を示す用語、ならびに、数値範囲は、厳格な意味のみを表すのではなく、実質的に同等な範囲、例えば数％程度の差異をも含むことを意味する。
また、以下において、基板に実装されたＡ、ＢおよびＣにおいて、「基板（または基板の主面）の平面視において、ＡとＢとの間にＣが配置されている」とは、基板の平面視においてＡ内の任意の点とＢ内の任意の点とを結ぶ複数の線分の少なくとも１つがＣの領域を通ることを意味する。また、基板の平面視とは、基板および基板に実装された回路素子を基板の主面に平行な平面に正投影して見ることを意味する。
また、以下において、「送信経路」とは、高周波送信信号が伝搬する配線、当該配線に直接接続された電極、および当該配線または当該電極に直接接続された端子等で構成された伝送線路であることを意味する。また、「受信経路」とは、高周波受信信号が伝搬する配線、当該配線に直接接続された電極、および当該配線または当該電極に直接接続された端子等で構成された伝送線路であることを意味する。また、「送受信経路」とは、高周波送信信号および高周波受信信号が伝搬する配線、当該配線に直接接続された電極、および当該配線または当該電極に直接接続された端子等で構成された伝送線路であることを意味する。
（実施の形態）
［１．高周波モジュール１および通信装置５の回路構成］
図１は、実施の形態に係る高周波モジュール１および通信装置５の回路構成図である。同図に示すように、通信装置５は、高周波モジュール１と、アンテナ２と、ＲＦ信号処理回路（ＲＦＩＣ）３と、ベースバンド信号処理回路（ＢＢＩＣ）４と、を備える。
ＲＦＩＣ３は、アンテナ２で送受信される高周波信号を処理するＲＦ信号処理回路である。具体的には、ＲＦＩＣ３は、高周波モジュール１の受信経路を介して入力された受信信号を、ダウンコンバートなどにより信号処理し、当該信号処理して生成された受信信号をＢＢＩＣ４へ出力する。また、ＲＦＩＣ３は、ＢＢＩＣ４から入力された送信信号をアップコンバートなどにより信号処理し、当該信号処理して生成された送信信号を、高周波モジュール１の送信経路に出力する。
ＢＢＩＣ４は、高周波モジュール１を伝送する高周波信号よりも低周波の中間周波数帯域を用いて信号処理する回路である。ＢＢＩＣ４で処理された信号は、例えば、画像表示のための画像信号として使用され、または、スピーカを介した通話のために音声信号として使用される。
また、ＲＦＩＣ３は、使用される通信バンド（周波数帯域）に基づいて、高周波モジュール１が有するスイッチ３１、３２、３３、３４および３５の接続を制御する制御部としての機能も有する。具体的には、ＲＦＩＣ３は、制御信号（図示せず）により高周波モジュール１が有するスイッチ３１〜３５の接続を切り替える。具体的には、ＲＦＩＣ３は、スイッチ３１〜３５を制御するためのディジタル制御信号をＰＡ制御回路７０に出力する。高周波モジュール１のＰＡ制御回路７０は、ＲＦＩＣ３から入力されたディジタル制御信号によって、スイッチ３１〜３５にディジタル制御信号を出力することで、スイッチ３１〜３５の接続および非接続を制御する。
また、ＲＦＩＣ３は、高周波モジュール１が有する電力増幅器１１の利得、電力増幅器１１に供給される電源電圧Ｖｃｃおよびバイアス電圧Ｖｂｉａｓを制御する制御部としての機能も有する。具体的には、ＲＦＩＣ３は、ＭＩＰＩおよびＧＰＩＯなどのディジタル制御信号を高周波モジュール１の制御信号端子１３０に出力する。高周波モジュール１のＰＡ制御回路７０は、制御信号端子１３０を介して入力されたディジタル制御信号によって、電力増幅器１１に制御信号、電源電圧Ｖｃｃまたはバイアス電圧Ｖｂｉａｓを出力することで、電力増幅器１１の利得を調整する。なお、電力増幅器１１の利得を制御するディジタル制御信号をＲＦＩＣ３から受ける制御信号端子と、電力増幅器１１に供給される電源電圧Ｖｃｃおよびバイアス電圧Ｖｂｉａｓを制御するディジタル制御信号をＲＦＩＣ３から受ける制御信号端子とは、異なっていてもよい。また、制御部は、ＲＦＩＣ３の外部に設けられていてもよく、例えば、ＢＢＩＣ４に設けられていてもよい。
アンテナ２は、高周波モジュール１のアンテナ接続端子１００に接続され、高周波モジュール１から出力された高周波信号を放射し、また、外部からの高周波信号を受信して高周波モジュール１へ出力する。
なお、本実施の形態に係る通信装置５において、アンテナ２およびＢＢＩＣ４は、必須の構成要素ではない。
次に、高周波モジュール１の詳細な構成について説明する。
図１に示すように、高周波モジュール１は、アンテナ接続端子１００と、電力増幅器１１と、低雑音増幅器２１と、送信フィルタ６１Ｔおよび６２Ｔと、受信フィルタ６１Ｒおよび６２Ｒと、ＰＡ制御回路７０と、整合回路５１、５２、５３および５４と、スイッチ３１、３２、３３、３４および３５と、ダイプレクサ６０と、を備える。
アンテナ接続端子１００は、アンテナ２に接続される。
電力増幅器１１は、送信入力端子１１１および１１２から入力された通信バンドＡおよび通信バンドＢの送信信号を増幅可能な増幅回路である。なお、高周波モジュール１は、電力増幅器１１の代わりに、通信バンドＡの高周波信号を増幅する第１電力増幅器と、通信バンドＢの高周波信号を増幅する第２電力増幅器とを備えてもよい。
ＰＡ制御回路７０は、制御信号端子１３０を介して入力されたディジタル制御信号ＭＩＰＩおよびＧＰＩＯなどによって、電力増幅器１１が有する増幅素子の利得を調整する。ＰＡ制御回路７０は、半導体ＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）で形成されていてもよい。半導体ＩＣは、例えば、ＣＭＯＳ（Ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ Ｍｅｔａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）で構成されている。具体的には、ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）プロセスにより形成されている。これにより、半導体ＩＣを安価に製造することが可能となる。なお、半導体ＩＣは、ＧａＡｓ、ＳｉＧｅおよびＧａＮの少なくともいずれかで構成されていてもよい。これにより、高品質な増幅性能および雑音性能を有する高周波信号を出力することが可能となる。
低雑音増幅器２１は、通信バンドＡおよびＢの高周波信号を低雑音で増幅可能であり、受信出力端子１２１および１２２へ出力する増幅器である。なお、高周波モジュール１は、複数の低雑音増幅器を備えていてもよい。例えば、高周波モジュール１は、通信バンドＡの高周波信号を増幅する第１低雑音増幅器と、通信バンドＢの高周波信号を増幅する第２低雑音増幅器とを備えてもよい。
電力増幅器１１および低雑音増幅器２１は、例えば、Ｓｉ系のＣＭＯＳまたはＧａＡｓを材料とした、電界効果型トランジスタ（ＦＥＴ）またはヘテロバイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）などで構成されている。
送信フィルタ６１Ｔは、送信入力端子１１１および１１２とアンテナ接続端子１００とを結ぶ送信経路ＡＴに配置され、電力増幅器１１で増幅された送信信号のうち、通信バンドＡの送信帯域の送信信号を通過させる。また、送信フィルタ６２Ｔは、送信入力端子１１１および１１２とアンテナ接続端子１００とを結ぶ送信経路ＢＴに配置され、電力増幅器１１で増幅された送信信号のうち、通信バンドＢの送信帯域の送信信号を通過させる。
受信フィルタ６１Ｒは、受信出力端子１２１および１２２とアンテナ接続端子１００とを結ぶ受信経路ＡＲに配置され、アンテナ接続端子１００から入力された受信信号のうち、通信バンドＡの受信帯域の受信信号を通過させる。また、受信フィルタ６２Ｒは、受信出力端子１２１および１２２とアンテナ接続端子１００とを結ぶ受信経路ＢＲに配置され、アンテナ接続端子１００から入力された受信信号のうち、通信バンドＢの受信帯域の受信信号を通過させる。
送信フィルタ６１Ｔおよび受信フィルタ６１Ｒは、通信バンドＡを通過帯域とするデュプレクサ６１を構成している。デュプレクサ６１は、通信バンドＡの送信信号と受信信号とを、周波数分割複信（ＦＤＤ：Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ Ｄｉｖｉｓｉｏｎ Ｄｕｐｌｅｘ）方式で伝送する。また、送信フィルタ６２Ｔおよび受信フィルタ６２Ｒは、通信バンドＢを通過帯域とするデュプレクサ６２を構成している。デュプレクサ６２は、通信バンドＢの送信信号と受信信号とを、ＦＤＤ方式で伝送する。
なお、デュプレクサ６１および６２のそれぞれは、複数の送信フィルタのみで構成されたマルチプレクサ、複数の受信フィルタのみで構成されたマルチプレクサ、複数のデュプレクサで構成されたマルチプレクサであってもよい。また、送信フィルタ６１Ｔおよび受信フィルタ６１Ｒは、デュプレクサ６１を構成していなくてもよく、時分割複信（ＴＤＤ：Ｔｉｍｅ Ｄｉｖｉｓｉｏｎ Ｄｕｐｌｅｘ）方式で伝送する１つのフィルタであってもよい。この場合には、上記１つのフィルタの前段および後段の少なくとも一方に、送信および受信を切り替えるスイッチが配置される。また、同様に、送信フィルタ６２Ｔおよび受信フィルタ６２Ｒは、デュプレクサ６２を構成していなくてもよく、ＴＤＤ方式で伝送する１つのフィルタであってもよい。
整合回路５１は、スイッチ３５とデュプレクサ６１とを結ぶ経路に配置され、スイッチ３５およびアンテナ２と、デュプレクサ６１とのインピーダンス整合をとる。整合回路５２は、スイッチ３５とデュプレクサ６２とを結ぶ経路に配置され、スイッチ３５およびアンテナ２と、デュプレクサ６２とのインピーダンス整合をとる。整合回路５３は、電力増幅器１１とスイッチ３１とを結ぶ送信経路に配置され、電力増幅器１１とスイッチ３１、デュプレクサ６１および６２とのインピーダンス整合をとる。整合回路５４は、低雑音増幅器２１とスイッチ３２とを結ぶ受信経路に配置され、低雑音増幅器２１とスイッチ３２、デュプレクサ６１および６２とのインピーダンス整合をとる。
スイッチ３３は、電力増幅器１１の入力端子に接続された第１スイッチの一例であり、共通端子３３ａ、選択端子３３ｂおよび３３ｃを有する。共通端子３３ａは電力増幅器１１の入力端子に接続され、選択端子３３ｂは送信入力端子１１１に接続され、選択端子３３ｃは送信入力端子１１２に接続されている。この接続構成において、スイッチ３３は、電力増幅器１１と送信入力端子１１１との接続、および、電力増幅器１１と送信入力端子１１２との接続、を切り替える。スイッチ３３は、例えば、ＳＰＤＴ（Ｓｉｎｇｌｅ Ｐｏｌｅ Ｄｏｕｂｌｅ Ｔｈｒｏｗ）型のスイッチ回路で構成される。
送信入力端子１１１からは、例えば、通信バンドＡの送信信号が入力され、送信入力端子１１２からは、例えば、通信バンドＢの送信信号が入力される。また、送信入力端子１１１からは、例えば、第４世代移動通信システム（４Ｇ）における通信バンドＡまたはＢの送信信号が入力され、送信入力端子１１２からは、例えば、第５世代移動通信システム（５Ｇ）における通信バンドＡまたはＢの送信信号が入力されてもよい。
なお、スイッチ３３は、共通端子が送信入力端子に接続され、一方の選択端子が通信バンドＡの送信信号を増幅する第１電力増幅器に接続され、他方の選択端子が通信バンドＢの送信信号を増幅する第２電力増幅器に接続された構成を有していてもよい。この場合には、送信入力端子からは、例えば、通信バンドＡおよび通信バンドＢの送信信号が入力される。また、送信入力端子からは、例えば、４Ｇにおける通信バンドＡの送信信号と５Ｇにおける通信バンドＢの送信信号とが入力されてもよい。
また、スイッチ３３は、２つの共通端子と２つの選択端子とを有するＤＰＤＴ（Ｄｏｕｂｌｅ Ｐｏｌｅ Ｄｏｕｂｌｅ Ｔｈｒｏｗ）型のスイッチ回路で構成されていてもよい。この場合には、送信入力端子１１１が一方の共通端子と接続され、送信入力端子１１２が他方の共通端子と接続される。また、一方の選択端子が通信バンドＡの送信信号を増幅する第１電力増幅器に接続され、他方の選択端子が通信バンドＢの送信信号を増幅する第２電力増幅器に接続される。この接続構成において、スイッチ３３は、一方の共通端子と一方の選択端子との接続および一方の共通端子と他方の選択端子との接続を切り替え、また、他方の共通端子と一方の選択端子との接続および他方の共通端子と他方の選択端子との接続を切り替える。この場合には、例えば、送信入力端子１１１から通信バンドＡの送信信号が入力され、送信入力端子１１２から通信バンドＢの送信信号が入力される。また、例えば、送信入力端子１１１から４Ｇにおける通信バンドＡおよび通信バンドＢの送信信号が入力され、送信入力端子１１２から５Ｇにおける通信バンドＡおよび通信バンドＢの送信信号が入力されてもよい。
スイッチ３４は、低雑音増幅器２１の出力端子に接続された第２スイッチの一例であり、共通端子３４ａ、選択端子３４ｂおよび３４ｃを有する。共通端子３４ａは低雑音増幅器２１の出力端子に接続され、選択端子３４ｂは受信出力端子１２１に接続され、選択端子３４ｃは受信出力端子１２２に接続されている。この接続構成において、スイッチ３４は、低雑音増幅器２１と受信出力端子１２１との接続、および、低雑音増幅器２１と受信出力端子１２２との接続、を切り替える。スイッチ３４は、例えば、ＳＰＤＴ型のスイッチ回路で構成される。
受信出力端子１２１からは、例えば、通信バンドＡの受信信号が出力され、受信出力端子１２２からは、例えば、通信バンドＢの受信信号が出力される。また、受信出力端子１２１からは、例えば、４Ｇにおける通信バンドＡまたはＢの送信信号が入力され、受信出力端子１２２からは、例えば、５Ｇにおける通信バンドＡまたはＢの受信信号が出力されてもよい。
なお、スイッチ３４は、共通端子が受信出力端子に接続され、一方の選択端子が通信バンドＡの受信信号を増幅する第１低雑音増幅器に接続され、他方の選択端子が通信バンドＢの受信信号を増幅する第２低雑音増幅器に接続された構成を有していてもよい。この場合には、受信出力端子からは、例えば、通信バンドＡおよび通信バンドＢの受信信号が出力される。また、受信出力端子からは、例えば、４Ｇにおける通信バンドＡの受信信号と５Ｇにおける通信バンドＢの受信信号とが出力されてもよい。
また、スイッチ３４は、２つの共通端子と２つの選択端子とを有するＤＰＤＴ型のスイッチ回路で構成されていてもよい。この場合には、受信出力端子１２１が一方の共通端子と接続され、受信出力端子１２２が他方の共通端子と接続される。また、一方の選択端子が通信バンドＡの受信信号を増幅する第１低雑音増幅器に接続され、他方の選択端子が通信バンドＢの受信信号を増幅する第２低雑音増幅器に接続される。この接続構成において、スイッチ３４は、一方の共通端子と一方の選択端子との接続および一方の共通端子と他方の選択端子との接続を切り替え、また、他方の共通端子と一方の選択端子との接続および他方の共通端子と他方の選択端子との接続を切り替える。この場合には、例えば、受信出力端子１２１から通信バンドＡの送信信号が出力され、受信出力端子１２２から通信バンドＢの受信信号が入力される。また、例えば、受信出力端子１２１から４Ｇにおける通信バンドＡおよび通信バンドＢの受信信号が出力され、受信出力端子１２２から５Ｇにおける通信バンドＡおよび通信バンドＢの受信信号が入力されてもよい。
なお、スイッチ３３および３４が有する共通端子および選択端子の数は、高周波モジュール１が有する信号経路の数、および、ＲＦＩＣ３の出力端子の数に応じて、適宜設定される。
スイッチ３１は、整合回路５３を介して電力増幅器１１の出力端子に接続された第３スイッチであり、共通端子３１ａ、選択端子３１ｂおよび３１ｃを有する。共通端子３１ａは、整合回路５３を介して電力増幅器１１の出力端子に接続されている。選択端子３１ｂは送信フィルタ６１Ｔに接続され、選択端子３１ｃは送信フィルタ６２Ｔに接続されている。この接続構成において、スイッチ３１は、電力増幅器１１と送信フィルタ６１Ｔとの接続、および、電力増幅器１１と送信フィルタ６２Ｔとの接続、を切り替える。スイッチ３１は、例えば、ＳＰＤＴ型のスイッチ回路で構成される。
スイッチ３２は、共通端子３２ａ、選択端子３２ｂおよび３２ｃを有する。共通端子３２ａは、整合回路５４を介して低雑音増幅器２１の入力端子に接続されている。選択端子３２ｂは受信フィルタ６１Ｒに接続され、選択端子３２ｃは受信フィルタ６２Ｒに接続されている。この接続構成において、スイッチ３２は、低雑音増幅器２１と受信フィルタ６１Ｒとの接続および非接続を切り替え、低雑音増幅器２１と受信フィルタ６２Ｒとの接続および非接続を切り替える。スイッチ３２は、例えば、ＳＰＤＴ型のスイッチ回路で構成される。
スイッチ３５は、アンテナ接続端子１００に接続された第４スイッチの一例であり、ダイプレクサ６０を介してアンテナ接続端子１００に接続され、（１）アンテナ接続端子１００と送信経路ＡＴおよび受信経路ＡＲとの接続、ならびに（２）アンテナ接続端子１００と送信経路ＢＴおよび受信経路ＢＲとの接続、を切り替える。なお、スイッチ３５は、上記（１）および（２）の接続を同時に行うことが可能なマルチ接続型のスイッチ回路で構成される。
ダイプレクサ６０は、マルチプレクサの一例であり、フィルタ６０Ｌおよび６０Ｈで構成されている。フィルタ６０Ｌは、通信バンドＡおよびＢを含む周波数範囲を通過帯域とするフィルタであり、フィルタ６０Ｈは、通信バンドＡおよびＢを含む周波数範囲と異なる他の周波数範囲を通過帯域とするフィルタである。フィルタ６０Ｌの一方の端子とフィルタ６０Ｈの一方の端子とは、アンテナ接続端子１００に共通接続されている。フィルタ６０Ｌおよび６０Ｈのそれぞれは、例えば、チップ状のインダクタおよびキャパシタの少なくとも一方で構成されたＬＣフィルタである。なお、通信バンドＡおよびＢを含む周波数範囲が上記他の周波数範囲より低周波数側に位置する場合には、フィルタ６０Ｌはローパスフィルタであってもよく、また、フィルタ６０Ｈはハイパスフィルタであってもよい。
なお、上記の送信フィルタ６１Ｔおよび６２Ｔ、ならびに、受信フィルタ６１Ｒおよび６２Ｒは、例えば、ＳＡＷ（Ｓｕｒｆａｃｅ Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｗａｖｅ）を用いた弾性波フィルタ、ＢＡＷ（Ｂｕｌｋ Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｗａｖｅ）を用いた弾性波フィルタ、ＬＣ共振フィルタ、および誘電体フィルタのいずれかであってもよく、さらには、これらには限定されない。
また、電力増幅器１１とスイッチ３３との間、および、低雑音増幅器２１とスイッチ３４との間に、整合回路が配置されていてもよい。
高周波モジュール１の構成において、スイッチ３３、電力増幅器１１、整合回路５３、スイッチ３１、送信フィルタ６１Ｔ、整合回路５１、およびスイッチ３５、フィルタ６０Ｌ、および送信経路ＡＴは、アンテナ接続端子１００に向けて通信バンドＡの送信信号を伝送する第１送信回路を構成する。また、フィルタ６０Ｌ、スイッチ３５、整合回路５１、受信フィルタ６１Ｒ、スイッチ３２、整合回路５４、低雑音増幅器２１、スイッチ３４、および受信経路ＡＲは、アンテナ２からアンテナ接続端子１００を介して通信バンドＡの受信信号を伝送する第１受信回路を構成する。
また、スイッチ３３、電力増幅器１１、整合回路５３、スイッチ３１、送信フィルタ６２Ｔ、整合回路５２、スイッチ３５、フィルタ６０Ｌ、および送信経路ＢＴは、アンテナ接続端子１００に向けて通信バンドＢの送信信号を伝送する第２送信回路を構成する。また、フィルタ６０Ｌ、スイッチ３５、整合回路５２、受信フィルタ６２Ｒ、スイッチ３２、整合回路５４、低雑音増幅器２１、スイッチ３４、および受信経路ＢＲは、アンテナ２からアンテナ接続端子１００を介して通信バンドＢの受信信号を伝送する第２受信回路を構成する。
上記回路構成によれば、高周波モジュール１は、通信バンドＡおよび通信バンドＢのいずれかの高周波信号を、送信、受信、および送受信の少なくともいずれかで実行することが可能である。さらに、高周波モジュール１は、通信バンドＡおよび通信バンドＢの高周波信号を、同時送信、同時受信、および同時送受信の少なくともいずれかで実行することも可能である。
なお、本発明に係る高周波モジュールでは、上記２つの送信回路および上記２つの受信回路がスイッチ３５を介してアンテナ接続端子１００に接続されていなくてもよく、上記２つの送信回路および上記２つの受信回路が、異なる端子を介してアンテナ２に接続されていてもよい。また、本発明に係る高周波モジュールは、図１に示された回路において、電力増幅器１１と、低雑音増幅器２１と、スイッチ３３および３４と、を有していればよい。
また、低雑音増幅器２１とスイッチ３１〜３５の少なくとも１つとは、１つの半導体ＩＣに形成されていてもよい。半導体ＩＣは、例えば、ＣＭＯＳで構成されている。具体的には、ＳＯＩプロセスにより形成されている。これにより、半導体ＩＣを安価に製造することが可能となる。なお、半導体ＩＣは、ＧａＡｓ、ＳｉＧｅおよびＧａＮの少なくともいずれかで構成されていてもよい。これにより、高品質な増幅性能および雑音性能を有する高周波信号を出力することが可能となる。
ここで、上記高周波モジュール１を構成する各回路素子を、小型のフロントエンド回路として１つのモジュール基板に実装する場合、モジュール基板表面の回路部品レイアウト面積を小さくすることが必要となる。この場合、第１送信回路および第２送信回路と、第１受信回路および第２受信回路とが電磁界結合することが想定される。この場合、送信経路ＡＴおよびＢＴを伝送する高出力の送信信号の高調波、または、当該送信信号と他の高周波信号との相互変調歪が、上記電磁界結合を介して受信経路ＡＲおよびＢＲのいずれかに流入し、当該受信経路の受信感度が劣化するという問題が発生する。
これに対して、本実施の形態に係る高周波モジュール１では、上記電磁界結合を抑制する構成を有している。以下では、本実施の形態に係る高周波モジュール１の上記電磁界結合を抑制する構成について説明する。
［２．実施例に係る高周波モジュール１Ａの回路素子配置構成］
図２Ａは、実施例に係る高周波モジュール１Ａの平面構成概略図である。また、図２Ｂは、実施例に係る高周波モジュール１Ａの断面構成概略図であり、具体的には、図２ＡのＩＩＢ−ＩＩＢ線における断面図である。なお、図２Ａの（ａ）には、モジュール基板９１の互いに対向する主面９１ａおよび９１ｂのうち、主面９１ａをｚ軸正方向側から見た場合の回路素子の配置図が示されている。一方、図２Ａの（ｂ）には、主面９１ｂをｚ軸正方向側から見た場合の回路素子の配置を透視した図が示されている。
実施例に係る高周波モジュール１Ａは、実施の形態に係る高周波モジュール１を構成する各回路素子の配置構成を具体的に示したものである。
図２Ａおよび図２Ｂに示すように、本実施例に係る高周波モジュール１Ａは、図１に示された回路構成に加えて、さらに、モジュール基板９１と、樹脂部材９２および９３と、外部接続端子１５０と、を有している。
モジュール基板９１は、互いに対向する主面９１ａ（第１主面）および主面９１ｂ（第２主面）を有し、上記送信回路および上記受信回路を実装する基板である。モジュール基板９１としては、例えば、複数の誘電体層の積層構造を有する低温同時焼成セラミックス（Ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏ−ｆｉｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃｓ：ＬＴＣＣ）基板、高温同時焼成セラミックス（Ｈｉｇｈ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏ−ｆｉｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃｓ：ＨＴＣＣ）基板、部品内蔵基板、再配線層（Ｒｅｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ：ＲＤＬ）を有する基板、または、プリント基板等が用いられる。
樹脂部材９２は、モジュール基板９１の主面９１ａに配置され、上記送信回路の一部、上記受信回路の一部、およびモジュール基板９１の主面９１ａを覆っており、上記送信回路および上記受信回路を構成する回路素子の機械強度および耐湿性などの信頼性を確保する機能を有している。樹脂部材９３は、モジュール基板９１の主面９１ｂに配置され、上記送信回路の一部、上記受信回路の一部、およびモジュール基板９１の主面９１ｂを覆っており、上記送信回路および上記受信回路を構成する回路素子の機械強度および耐湿性などの信頼性を確保する機能を有している。なお、樹脂部材９２および９３は、本発明に係る高周波モジュールに必須の構成要素ではない。
図２Ａおよび図２Ｂに示すように、本実施例に係る高周波モジュール１Ａでは、電力増幅器１１、デュプレクサ６１および６２、ならびに整合回路５１、５２、５３および５４は、モジュール基板９１の主面９１ａ（第１主面）に配置されている。一方、ＰＡ制御回路７０、低雑音増幅器２１、スイッチ３１、３２、３３、３４および３５、ならびにダイプレクサは、モジュール基板９１の主面９１ｂ（第２主面）に配置されている。
なお、図２Ａには図示していないが、図１に示された送信経路ＡＴおよびＢＴ、ならびに、受信経路ＡＲおよびＢＲを構成する配線は、モジュール基板９１の内部、主面９１ａおよび９１ｂに形成されている。また、上記配線は、両端が主面９１ａ、９１ｂおよび高周波モジュール１Ａを構成する回路素子のいずれかに接合されたボンディングワイヤであってもよく、また、高周波モジュール１Ａを構成する回路素子の表面に形成された端子、電極または配線であってもよい。
また、本実施例に係る高周波モジュール１Ａでは、モジュール基板９１の主面９１ｂ（第２主面）側に、複数の外部接続端子１５０が配置されている。高周波モジュール１Ａは、高周波モジュール１Ａのｚ軸負方向側に配置される外部基板と、複数の外部接続端子１５０を経由して、電気信号のやりとりを行う。図２Ａの（ｂ）に示すように、複数の外部接続端子１５０には、アンテナ接続端子１００、送信入力端子１１１および１１２、受信出力端子１２１および１２２、ならびに制御信号端子１３０が含まれる。また、複数の外部接続端子１５０のいくつかは、外部基板のグランド電位に設定されたグランド端子１５０ｇ（第１グランド端子または第２グランド端子）である。
本実施例では、図２Ａの（ｂ）に示すように、スイッチ３３および３４は主面９１ｂに配置され、また、モジュール基板９１を平面視した場合に、スイッチ３３とスイッチ３４とで挟まれた主面９１ｂ上の領域Ｐに、グランド端子１５０ｇが配置されている。
上記構成によれば、主面９１ｂ上において、スイッチ３３とスイッチ３４とはグランド端子１５０ｇを挟んで配置されている。これにより、スイッチ３３およびスイッチ３４から発生する電磁界をグランド端子１５０ｇで遮蔽できるので、スイッチ３３とスイッチ３４との電磁界結合を抑制できる。よって、送信経路ＡＴおよびＢＴを伝送する高出力の送信信号の高調波、または、当該送信信号と他の高周波信号との相互変調歪が、上記電磁界結合を介して受信経路ＡＲおよびＢＲのいずれかに流入し、当該受信経路の受信感度が劣化することを抑制できる。
なお、本実施の形態において、モジュール基板９１を平面視した場合におけるスイッチ３３とスイッチ３４とで挟まれた主面９１ｂ上の領域Ｐとは、モジュール基板９１を平面視した場合に、スイッチ３３とスイッチ３４とを結ぶ線分と垂直に交差する直線のうち、スイッチ３３に接触せずにスイッチ３３と最も近い直線と、スイッチ３４に接触せずにスイッチ３４と最も近い直線と、で挟まれた主面９１ｂ上の領域であると定義される。
なお、グランド端子１５０ｇは、スイッチ３３とスイッチ３４との間に配置されていることが望ましい。これによれば、スイッチ３３とスイッチ３４との電磁界結合を、効果的に抑制できる。
または、本実施例では、図２Ａの（ｂ）に示すように、スイッチ３３および３４は主面９１ｂに配置され、また、モジュール基板９１を平面視した場合に、スイッチ３１が、スイッチ３３とスイッチ３４とで挟まれた主面９１ｂ上の領域Ｐに配置されている。
これによれば、主面９１ｂ上において、スイッチ３３とスイッチ３４とはスイッチ３１を挟んで配置されている。スイッチ３１は、第１導電部品の一例であり、電極および端子などの導電部材を有している。よって、スイッチ３３およびスイッチ３４から発生する電磁界をスイッチ３１で遮蔽できるので、スイッチ３３とスイッチ３４との電磁界結合を抑制できる。よって、送信経路ＡＴおよびＢＴを伝送する高出力の送信信号の高調波、または、当該送信信号と他の高周波信号との相互変調歪が、上記電磁界結合を介して受信経路ＡＲおよびＢＲのいずれかに流入し、当該受信経路の受信感度が劣化することを抑制できる。
なお、導電部品とは、信号取り出し電極などの導電部材を有している電子部品であり、例えば、チップ抵抗、チップコンデンサ、チップインダクタ、フィルタ、スイッチ、ならびに、増幅器および制御回路などの能動素子、の少なくともいずれかである。
なお、スイッチ３１は、スイッチ３３とスイッチ３４との間に配置されていることが望ましい。これによれば、スイッチ３３とスイッチ３４との電磁界結合を、効果的に抑制できる。
また、領域Ｐに配置され、上記電磁界結合を抑制する第１導電部品は、ＰＡ制御回路７０であってもよい。これにより、スイッチ３３とスイッチ３４との電磁界結合を抑制できる。
また、本実施例に係る高周波モジュール１Ａでは、電力増幅器１１が主面９１ａに配置され、低雑音増幅器２１が主面９１ｂに配置されている。これによれば、送信信号を増幅する電力増幅器１１と、受信信号を増幅する低雑音増幅器２１とが両面に振り分けて配置されるので、送受信間のアイソレーションを向上できる。
なお、モジュール基板９１は、複数の誘電体層が積層された多層構造を有し、当該複数の誘電体層の少なくとも１つには、グランド電極パターンが形成されていることが望ましい。これにより、モジュール基板９１の電磁界遮蔽機能が向上する。
電力増幅器１１は、高周波モジュール１Ａが有する回路部品のなかで発熱量が大きい部品である。高周波モジュール１Ａの放熱性を向上させるには、電力増幅器１１の発熱を、小さな熱抵抗を有する放熱経路で外部基板に放熱することが重要である。仮に、電力増幅器１１を主面９１ｂに実装した場合、電力増幅器１１に接続される電極配線は主面９１ｂ上に配置される。このため、放熱経路としては、主面９１ｂ上の（ｘｙ平面方向に沿う）平面配線パターンのみを経由した放熱経路を含むこととなる。上記平面配線パターンは、金属薄膜で形成されるため熱抵抗が大きい。このため、電力増幅器１１を主面９１ｂ上に配置した場合には、放熱性が低下してしまう。
これに対して、電力増幅器１１を主面９１ａに実装した場合、主面９１ａと主面９１ｂとの間を貫通する貫通電極を介して、電力増幅器１１と外部接続端子１５０とを接続できる。よって、電力増幅器１１の放熱経路として、モジュール基板９１内の配線のうち熱抵抗の大きいｘｙ平面方向に沿う平面配線パターンのみを経由した放熱経路を排除できる。よって、電力増幅器１１からの外部基板への放熱性が向上した小型の高周波モジュール１Ａを提供することが可能となる。
また、図示していないが、本実施例に係る高周波モジュール１Ａでは、モジュール基板９１を平面視した場合に、スイッチ３４とスイッチ３５とで挟まれた主面９１ｂ上の領域に、グランド端子１５０ｇが配置されていてもよい。
上記構成によれば、主面９１ｂ上において、スイッチ３４とスイッチ３５とはグランド端子１５０ｇを挟んで配置される。これにより、スイッチ３４およびスイッチ３５から発生する電磁界をグランド端子１５０ｇで遮蔽できるので、スイッチ３４とスイッチ３５との電磁界結合を抑制できる。よって、高出力の送信信号が、例えば、受信経路ＡＲに配置された受信フィルタ６１Ｒおよび低雑音増幅器２１を経由せずに、また、受信経路ＢＲに配置された受信フィルタ６２Ｒおよび低雑音増幅器２１を経由せずに、上記電磁界結合を介してＲＦＩＣ３に流入することを抑制できる。
また、図２Ａの（ｂ）に示すように、モジュール基板９１を平面視した場合に、スイッチ３４とスイッチ３５とで挟まれた主面９１ｂ上の領域に、ダイプレクサ６０が配置されていてもよい。ダイプレクサ６０は、第２導電部品の一例であり、電極および端子などの導電部材を有している。これにより、スイッチ３４およびスイッチ３５から発生する電磁界をダイプレクサ６０で遮蔽できるので、スイッチ３４とスイッチ３５との電磁界結合を抑制できる。
なお、スイッチ３４とスイッチ３５とで挟まれた上記領域に配置される第２導電部品は、ダイプレクサ６０に限られず、スイッチ３１、３２、３３、ＰＡ制御回路７０、送信フィルタ６１Ｔおよび６２Ｔ、ならびに、受信フィルタ６１Ｒおよび６２Ｒの少なくとも１つであってもよい。
また、本実施例に係る高周波モジュール１Ａでは、図２Ａの（ｂ）に示すように、モジュール基板９１を平面視した場合に、スイッチ３３とスイッチ３５とで挟まれた主面９１ｂ上の領域Ｐに、グランド端子１５０ｇが配置されていてもよい。
上記構成によれば、主面９１ｂ上において、スイッチ３３とスイッチ３５とはグランド端子１５０ｇを挟んで配置されている。これにより、スイッチ３３およびスイッチ３５から発生する電磁界をグランド端子１５０ｇで遮蔽できるので、スイッチ３３とスイッチ３５との電磁界結合を抑制できる。よって、高出力の送信信号、高調波、または、当該送信信号と他の高周波信号との相互変調歪が、例えば送信経路ＡＴに配置されたスイッチ３１および送信フィルタ６１Ｔを経由せずに、上記電磁界結合を介して受信経路ＡＲおよびＢＲのいずれかに流入し、当該受信経路の受信感度が劣化することを抑制できる。
また、図２Ａの（ｂ）に示すように、モジュール基板９１を平面視した場合に、スイッチ３３とスイッチ３５とで挟まれた主面９１ｂ上の領域Ｐに、スイッチ３１、３２、およびＰＡ制御回路７０の少なくとも１つ（第３導電部品）が配置されていてもよい。また、図示していないが、送信フィルタ６１Ｔおよび６２Ｔ、ならびに、受信フィルタ６１Ｒおよび６２Ｒの少なくとも１つが主面９１ｂに配置され、当該少なくとも１つが、モジュール基板９１を平面視した場合に、スイッチ３３とスイッチ３５とで挟まれた主面９１ｂ上の領域Ｐに配置されていてもよい。これにより、受信経路の受信感度が劣化することを抑制できる。
また、本実施例に係る高周波モジュール１Ａでは、主面９１ａおよび９１ｂのうち、外部基板と対向する主面９１ｂには、低背化が困難な電力増幅器１１が配置されず、低背化が容易な低雑音増幅器２１、ＰＡ制御回路７０、スイッチ３１〜３５、およびダイプレクサ６０が配置されているので、高周波モジュール１Ａ全体を低背化することが可能となる。
また、図２Ａの（ｂ）に示すように、低雑音増幅器２１およびスイッチ３４は、半導体ＩＣ８０に含まれていてもよい。これにより、高周波モジュール１Ａの小型化を促進できる。また、半導体ＩＣ８０は、スイッチ３１、３２、３３、および３５の少なくとも１つをさらに含んでもよい。
なお、本実施の形態に係る高周波モジュール１において、電力増幅器１１、デュプレクサ６１、６２、および整合回路５１〜５４の少なくとも１つが主面９１ｂに配置され、ＰＡ制御回路７０、低雑音増幅器２１、スイッチ３１、３２、３５、およびダイプレクサ６０の少なくとも１つが主面９１ａに配置されていてもよい。
なお、外部接続端子１５０（およびグランド端子１５０ｇ）は、図２Ａおよび図２Ｂに示すように、樹脂部材９３をｚ軸方向に貫通する柱状電極であってもよいし、また、図２Ｃに示された、変形例に係る高周波モジュール１Ｂのように、外部接続端子１５０（およびグランド端子１５０ｇ）は、主面９１ｂ上に形成されたバンプ電極１６０（およびグランド端子１６０ｇ）であってもよい。この場合には、主面９１ｂ側の樹脂部材９３はなくてもよい。
また、本実施の形態に係る高周波モジュール１において、外部接続端子１５０は、主面９１ａに配置されていてもよい。
［３．効果など］
以上、本実施の形態に係る高周波モジュール１は、互いに対向する主面９１ａおよび９１ｂを有するモジュール基板９１と、送信信号を増幅可能な電力増幅器１１と、受信信号を増幅可能な低雑音増幅器２１と、電力増幅器１１の入力端子に接続され、主面９１ｂに配置されたスイッチ３３と、低雑音増幅器２１の出力端子に接続され、主面９１ｂに配置されたスイッチ３４と、モジュール基板９１を平面視した場合にスイッチ３３とスイッチ３４とで挟まれた主面９１ｂ上の領域に配置されたグランド端子１５０ｇと、を備える。
これによれば、スイッチ３３およびスイッチ３４から発生する電磁界をグランド端子１５０ｇで遮蔽できるので、スイッチ３３とスイッチ３４との電磁界結合を抑制できる。よって、送信経路ＡＴおよびＢＴを伝送する高出力の送信信号の高調波、または、当該送信信号と他の高周波信号との相互変調歪が、上記電磁界結合を介して受信経路ＡＲおよびＢＲのいずれかに流入し、当該受信経路の受信感度が劣化することを抑制できる。
また、高周波モジュール１において、グランド端子１５０ｇは、スイッチ３３とスイッチ３４との間に配置されていてもよい。
これによれば、スイッチ３３とスイッチ３４との電磁界結合を、効果的に抑制できる。
また、本実施の形態に係る高周波モジュール１は、互いに対向する主面９１ａおよび９１ｂを有するモジュール基板９１と、送信信号を増幅可能な電力増幅器１１と、受信信号を増幅可能な低雑音増幅器２１と、電力増幅器１１の入力端子に接続され、主面９１ｂに配置されたスイッチ３３と、低雑音増幅器２１の出力端子に接続され、主面９１ｂに配置されたスイッチ３４と、を備え、モジュール基板９１を平面視した場合、スイッチ３３とスイッチ３４とで挟まれた主面９１ｂ上の領域には、第１導電部品が配置されている。
これによれば、スイッチ３３およびスイッチ３４から発生する電磁界を第１導電部品で遮蔽できるので、スイッチ３３とスイッチ３４との電磁界結合を抑制できる。よって、送信経路ＡＴおよびＢＴを伝送する高出力の送信信号の高調波、または、当該送信信号と他の高周波信号との相互変調歪が、上記電磁界結合を介して受信経路ＡＲおよびＢＲのいずれかに流入し、当該受信経路の受信感度が劣化することを抑制できる。
また、高周波モジュール１において、第１導電部品は、スイッチ３３とスイッチ３４との間に配置されていてもよい。
これによれば、スイッチ３３とスイッチ３４との電磁界結合を、効果的に抑制できる。
また、高周波モジュール１において、第１導電部品は、電力増幅器１１の出力端子に接続されたスイッチ３１であってもよい。
これによれば、スイッチ３３およびスイッチ３４から発生する電磁界をスイッチ３１で遮蔽できるので、スイッチ３３とスイッチ３４との電磁界結合を抑制できる。
また、高周波モジュール１において、第１導電部品は、電力増幅器１１を制御するＰＡ制御回路７０であってもよい。
これによれば、スイッチ３３およびスイッチ３４から発生する電磁界をＰＡ制御回路７０で遮蔽できるので、スイッチ３３とスイッチ３４との電磁界結合を抑制できる。
また、高周波モジュール１は、さらに、主面９１ｂに配置された複数の外部接続端子１５０を備えてもよい。
また、高周波モジュール１において、電力増幅器１１は主面９１ａに配置され、低雑音増幅器２１は主面９１ｂに配置されていてもよい。
これによれば、送信信号を増幅する電力増幅器１１と、受信信号を増幅する低雑音増幅器２１とが両面に振り分けられて配置されるので、送受信間のアイソレーションを向上できる。
また、高周波モジュール１は、さらに、アンテナ接続端子１００と、アンテナ接続端子１００に接続されたスイッチ３５と、を備え、モジュール基板９１を平面視した場合にスイッチ３４とスイッチ３５とで挟まれた主面９１ｂ上の領域に配置されたグランド端子１５０ｇと、を備えてもよい。
これによれば、スイッチ３４およびスイッチ３５から発生する電磁界をグランド端子１５０ｇで遮蔽できるので、スイッチ３４とスイッチ３５との電磁界結合を抑制できる。よって、高出力の送信信号が、例えば、受信経路ＡＲに配置された受信フィルタ６１Ｒおよび低雑音増幅器２１を経由せずに、また、受信経路ＢＲに配置された受信フィルタ６２Ｒおよび低雑音増幅器２１を経由せずに、上記電磁界結合を介してＲＦＩＣ３に流入することを抑制できる。
また、高周波モジュール１において、モジュール基板９１を平面視した場合、スイッチ３４とスイッチ３５とで挟まれた主面９１ｂ上の領域には、第２導電部品が配置されていてもよい。
これによれば、スイッチ３４およびスイッチ３５から発生する電磁界を第２導電部品で遮蔽できるので、スイッチ３４とスイッチ３５との電磁界結合を抑制できる。
また、高周波モジュール１において、第２導電部品は、スイッチ３５に接続されたダイプレクサ６０であってもよい。
また、通信装置５は、アンテナ２と、アンテナ２で送受信される高周波信号を処理するＲＦＩＣ３と、アンテナ２とＲＦＩＣ３との間で高周波信号を伝送する高周波モジュール１と、を備える。
これにより、送受信間のアイソレーションの劣化が抑制された通信装置５を提供することが可能となる。
（その他の実施の形態など）
以上、本発明の実施の形態に係る高周波モジュールおよび通信装置について、実施の形態、実施例および変形例を挙げて説明したが、本発明に係る高周波モジュールおよび通信装置は、上記実施の形態、実施例および変形例に限定されるものではない。上記実施の形態、実施例および変形例における任意の構成要素を組み合わせて実現される別の実施の形態や、上記実施の形態、実施例および変形例に対して本発明の主旨を逸脱しない範囲で当業者が思いつく各種変形を施して得られる変形例や、上記高周波モジュールおよび通信装置を内蔵した各種機器も本発明に含まれる。
例えば、上記実施の形態、実施例および変形例に係る高周波モジュールおよび通信装置において、図面に開示された各回路素子および信号経路を接続する経路の間に、別の回路素子および配線などが挿入されていてもよい。
本発明は、マルチバンド対応のフロントエンド部に配置される高周波モジュールとして、携帯電話などの通信機器に広く利用できる。
１、１Ａ、１Ｂ 高周波モジュール
２ アンテナ
３ ＲＦ信号処理回路（ＲＦＩＣ）
４ ベースバンド信号処理回路（ＢＢＩＣ）
５ 通信装置
１１ 電力増幅器
２１ 低雑音増幅器
３１、３２、３３、３４、３５ スイッチ
３１ａ、３２ａ、３３ａ、３４ａ、３５ａ 共通端子
３１ｂ、３１ｃ、３２ｂ、３２ｃ、３３ｂ、３３ｃ、３４ｂ、３４ｃ、３５ｂ、３５ｃ 選択端子
５１、５２、５３、５４ 整合回路
６０ ダイプレクサ
６０Ｈ、６０Ｌ フィルタ
６１、６２ デュプレクサ
６１Ｒ、６２Ｒ 受信フィルタ
６１Ｔ、６２Ｔ 送信フィルタ
７０ ＰＡ制御回路
８０ 半導体ＩＣ
９１ モジュール基板
９１ａ、９１ｂ 主面
１００ アンテナ接続端子
１１１、１１２ 送信入力端子
１２１、１２２ 受信出力端子
１３０ 制御信号端子
１５０ 外部接続端子
１５０ｇ、１６０ｇ グランド端子
１６０ バンプ電極

Claims (12)

  1. 互いに対向する第１主面および第２主面を有するモジュール基板と、
    送信信号を増幅可能な電力増幅器と、
    受信信号を増幅可能な低雑音増幅器と、
    前記電力増幅器の入力端子に接続され、前記第２主面に配置された第１スイッチと、
    前記低雑音増幅器の出力端子に接続され、前記第２主面に配置された第２スイッチと、
    前記モジュール基板を平面視した場合に前記第１スイッチと前記第２スイッチとで挟まれた前記第２主面上の領域に配置された第１グランド端子と、を備える、
    高周波モジュール。
  2. 前記第１グランド端子は、前記第１スイッチと前記第２スイッチとの間に配置されている、
    請求項１に記載の高周波モジュール。
  3. 互いに対向する第１主面および第２主面を有するモジュール基板と、
    送信信号を増幅可能な電力増幅器と、
    受信信号を増幅可能な低雑音増幅器と、
    前記電力増幅器の入力端子に接続され、前記第２主面に配置された第１スイッチと、
    前記低雑音増幅器の出力端子に接続され、前記第２主面に配置された第２スイッチと、を備え、
    前記モジュール基板を平面視した場合、前記第１スイッチと前記第２スイッチとで挟まれた前記第２主面上の領域には、第１導電部品が配置されている、
    高周波モジュール。
  4. 前記第１導電部品は、前記第１スイッチと前記第２スイッチとの間に配置されている、
    請求項３に記載の高周波モジュール。
  5. 前記第１導電部品は、前記電力増幅器の出力端子に接続された第３スイッチである、
    請求項３または４に記載の高周波モジュール。
  6. 前記第１導電部品は、前記電力増幅器を制御する制御回路である、
    請求項３または４に記載の高周波モジュール。
  7. さらに、前記第２主面に配置された複数の外部接続端子を備える、
    請求項３〜６のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
  8. 前記電力増幅器は、前記第１主面に配置され、
    前記低雑音増幅器は、前記第２主面に配置されている、
    請求項１〜７のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
  9. さらに、
    アンテナ接続端子と、
    前記アンテナ接続端子に接続された第４スイッチと、を備え、
    前記モジュール基板を平面視した場合に前記第２スイッチと前記第４スイッチとで挟まれた前記第２主面上の領域に配置された第２グランド端子と、を備える、
    請求項１〜８のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
  10. 前記モジュール基板を平面視した場合、前記第２スイッチと前記第４スイッチとで挟まれた前記第２主面上の領域には、第２導電部品が配置されている、
    請求項９に記載の高周波モジュール。
  11. 前記第２導電部品は、前記第４スイッチに接続されたフィルタである、
    請求項１０に記載の高周波モジュール。
  12. アンテナと、
    前記アンテナで送受信される高周波信号を処理するＲＦ信号処理回路と、
    前記アンテナと前記ＲＦ信号処理回路との間で前記高周波信号を伝送する請求項１〜１１のいずれか１項に記載の高周波モジュールと、を備える、
    通信装置。
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