JP2022019182A - 高周波モジュール及び通信装置 - Google Patents

Abstract

【課題】同一のＴＤＤ用の通信バンドにおける複数の受信信号の同時受信において、複数の受信信号間の干渉を抑制し、受信感度を向上させることができる高周波モジュールを提供する。【解決手段】高周波モジュール１は、互いに対向する主面９１ａ及び９１ｂを有するモジュール基板９１と、ＴＤＤ用の通信バンドＡを含む通過帯域を有するフィルタ６１と、フィルタ６１に接続されたスイッチ５１と、主面９１ａに配置され、スイッチ５１を介してフィルタ６１に接続される電力増幅器１１と、主面９１ｂに配置され、スイッチ５１を介してフィルタ６１に接続される低雑音増幅器２１と、通信バンドＡを含む通過帯域を有するフィルタ６２Ａと、主面９１ｂに配置され、フィルタ６２Ａに接続された低雑音増幅器２２と、主面９１ｂに配置された複数のポスト電極１５０と、主面９１ｂ上で低雑音増幅器２１及び２２の間に配置された第１導電部材と、を備える。【選択図】図２Ｂ

Description

本発明は、高周波モジュール及び通信装置に関する。

５ＧＮＲ（5th Generation New Radio）では、より広いバンド幅を有する時分割複信（ＴＤＤ）用の通信バンド（以下、単にＴＤＤバンドともいう）が利用可能であり、このような広帯域なＴＤＤバンドの効率的な利用について検討が進んでいる。例えば、広帯域なＴＤＤバンド内で複数のコンポーネントキャリア（ＣＣ：Component Carrier）を同時に用いて通信が行うことが検討されている（Intra-band Carrier Aggregation）。

特表２０１７－５２７１５５号公報

しかしながら、従来の高周波モジュールでは、同一のＴＤＤ用の通信バンドにおける複数の受信信号の同時受信において、複数の受信信号が干渉し、受信感度が低下する場合がある。

そこで、本発明は、同一のＴＤＤ用の通信バンドにおける複数の受信信号の同時受信において、複数の受信信号間の干渉を抑制し、受信感度を向上させることができる高周波モジュール及び通信装置を提供する。

本発明の一態様に係る高周波モジュールは、互いに対向する第１主面及び第２主面を有するモジュール基板と、時分割複信（ＴＤＤ）用の第１通信バンドを含む通過帯域を有する第１フィルタと、前記第１フィルタに接続された第１スイッチと、前記第１主面に配置され、前記第１スイッチを介して前記第１フィルタに接続される第１電力増幅器と、前記第２主面に配置され、前記第１スイッチを介して前記第１フィルタに接続される第１低雑音増幅器と、前記第１通信バンドを含む通過帯域を有する第２フィルタと、前記第２主面に配置され、前記第２フィルタに接続された第２低雑音増幅器と、前記第２主面に配置された複数の外部接続端子と、前記第２主面上で前記第１低雑音増幅器及び前記第２低雑音増幅器の間に配置された第１導電部材と、を備える。

本発明によれば、同一のＴＤＤ用の通信バンドにおける複数の受信信号の同時受信において、複数の受信信号間の干渉を抑制し、受信感度を向上させることができる。

図１は、実施の形態１に係る高周波モジュール及び通信装置の回路構成図である。 図２Ａは、実施の形態１に係る高周波モジュールの平面図である。 図２Ｂは、実施の形態１に係る高周波モジュールの平面図である。 図３は、実施の形態１に係る高周波モジュールの断面図である。 図４は、実施の形態１に係る高周波モジュールにおける通信バンドＡの信号の流れを示す図である。 図５は、実施の形態１に係る高周波モジュールにおける通信バンドＢの信号の流れを示す図である。 図６は、実施の形態２に係る高周波モジュール及び通信装置の回路構成図である。 図７は、実施の形態３に係る高周波モジュールの断面図である。

以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。なお、以下で説明する実施の形態は、いずれも包括的又は具体的な例を示すものである。以下の実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置及び接続形態などは、一例であり、本発明を限定する主旨ではない。

なお、各図は、本発明を示すために適宜強調、省略、又は比率の調整を行った模式図であり、必ずしも厳密に図示されたものではなく、実際の形状、位置関係、及び比率とは異なる場合がある。各図において、実質的に同一の構成に対しては同一の符号を付しており、重複する説明は省略又は簡素化される場合がある。

以下の各図において、ｘ軸及びｙ軸は、モジュール基板の主面と平行な平面上で互いに直交する軸である。また、ｚ軸は、モジュール基板の主面に垂直な軸であり、その正方向は上方向を示し、その負方向は下方向を示す。

また、本開示の回路構成において、「接続される」とは、接続端子及び／又は配線導体で直接接続される場合だけでなく、他の回路素子を介して電気的に接続される場合も含む。また、「Ａ及びＢの間に接続される」とは、Ａ及びＢの間でＡ及びＢの両方に接続されることを意味する。

また、本開示のモジュール構成において、「モジュール基板の平面視」とは、ｚ軸正側からｘｙ平面に物体を正投影して見ることを意味する。「モジュール基板の平面視において、ＡはＢと重なる」とは、ｘｙ平面に正投影されたＡの領域の少なくとも一部が、ｘｙ平面に正投影されたＢの領域の少なくとも一部と重なることを意味する。「部品が基板の主面に配置される」とは、部品が基板の主面と接触した状態で主面上に配置されることに加えて、部品が主面と接触せずに主面の上方に配置されること、及び、部品の一部が主面側から基板内に埋め込まれて配置されることを含む。「ＡがＢ及びＣの間に配置される」とは、Ｂ内の任意の点とＣ内の任意の点とを結ぶ複数の線分のうちの少なくとも１つがＡを通ることを意味する。また、「平行」及び「垂直」などの要素間の関係性を示す用語は、厳格な意味のみを表すのではなく、実質的に同等な範囲、例えば数％程度の誤差をも含むことを意味する。

（実施の形態１）
［１．１ 高周波モジュール１及び通信装置５の回路構成］
本実施の形態に係る高周波モジュール１及び通信装置５の回路構成について、図１を参照しながら説明する。図１は、実施の形態１に係る高周波モジュール１及び通信装置５の回路構成図である。

［１．１．１ 通信装置５の回路構成］
まず、通信装置５の回路構成について説明する。図１に示すように、本実施の形態に係る通信装置５は、高周波モジュール１と、アンテナ２Ａ及び２Ｂと、ＲＦＩＣ３と、ＢＢＩＣ４と、を備える。

高周波モジュール１は、アンテナ２Ａ及び２ＢとＲＦＩＣ３との間で高周波信号を伝送する。高周波モジュール１の詳細な回路構成については後述する。

アンテナ２Ａ及び２Ｂは、高周波モジュール１のアンテナ接続端子１０１及び１０２にそれぞれ接続され、高周波モジュール１から出力された高周波信号を送信し、また、外部から高周波信号を受信して高周波モジュール１へ出力する。

ＲＦＩＣ３は、高周波信号を処理する信号処理回路の一例である。具体的には、ＲＦＩＣ３は、高周波モジュール１の受信経路を介して入力された高周波受信信号を、ダウンコンバート等により信号処理し、当該信号処理して生成された受信信号をＢＢＩＣ４へ出力する。また、ＲＦＩＣ３は、ＢＢＩＣ４から入力された送信信号をアップコンバート等により信号処理し、当該信号処理して生成された高周波送信信号を、高周波モジュール１の送信経路に出力する。また、ＲＦＩＣ３は、高周波モジュール１が有するスイッチ及び増幅器等を制御する制御部を有する。なお、ＲＦＩＣ３の制御部としての機能の一部又は全部は、ＲＦＩＣ３の外部に実装されてもよく、例えば、ＢＢＩＣ４又は高周波モジュール１に実装されてもよい。

ＢＢＩＣ４は、高周波モジュール１が伝送する高周波信号よりも低周波の中間周波数帯域を用いて信号処理するベースバンド信号処理回路である。ＢＢＩＣ４で処理される信号としては、例えば、画像表示のための画像信号、及び／又は、スピーカを介した通話のための音声信号が用いられる。

なお、本実施の形態に係る通信装置５において、アンテナ２Ａ及び２Ｂ並びにＢＢＩＣ４は、必須の構成要素ではない。

［１．１．２ 高周波モジュール１の回路構成］
次に、高周波モジュール１の回路構成について説明する。図１に示すように、高周波モジュール１は、電力増幅器１１及び１２と、低雑音増幅器２１～２４と、スイッチ５１～５３と、フィルタ６１、６２Ａ、６２Ｂ及び６３と、制御回路８１と、電源回路８２と、アンテナ接続端子１０１及び１０２と、高周波入力端子１１１及び１１２と、高周波出力端子１２１～１２４と、を備える。

アンテナ接続端子１０１及び１０２は、アンテナ２Ａ及び２Ｂにそれぞれ接続される。

高周波入力端子１１１及び１１２は、高周波モジュール１の外部から、高周波送信信号を受けるための端子である。具体的には、高周波入力端子１１１は、ＲＦＩＣ３から、ＴＤＤ用の通信バンドＡの送信信号を受けるための端子である。また、高周波入力端子１１２は、ＲＦＩＣ３から、ＴＤＤ用の通信バンドＢの送信信号を受けるための端子である。

通信バンドとは、通信システムのために標準化団体など（例えば３ＧＰＰ（3rd Generation Partnership Project）、ＩＥＥＥ（Institute of Electrical and Electronics Engineers）等）によって予め定義された周波数バンドを意味する。通信システムとは、無線アクセス技術（ＲＡＴ：Radio Access Technology）を用いて構築される通信システムを意味する。通信システムとしては、例えば５ＧＮＲシステム、ＬＴＥ（Long Term Evolution）システム及びＷＬＡＮ（Wireless Local Area Network）システム等を用いることができるが、これらに限定されない。

通信バンドＡ及びＢは、それぞれ、第１通信バンド及び第２通信バンドの一例である。本実施の形態では、通信バンドＡとして、５ＧＮＲのためのバンドｎ７７が用いられ、通信バンドＢとして、５ＧＮＲのためのバンドｎ７９が用いられる。なお、通信バンドＡ及びＢの組み合わせは、バンドｎ７７及びｎ７９の組み合わせに限定されない。例えば、通信バンドＡとして、バンドｎ７７の代わりにバンドｎ７８が用いられてもよい。また、通信バンドＡ及びＢは、互いに異なる通信システムのための通信バンドであってもよい。例えば、通信バンドＡ及びＢとして、５ＧＮＲ、ＬＴＥ及びＷＬＡＮのための周波数バンドのうちの任意の２つの組み合わせが用いられてもよい。また、通信バンドＡ及び／又はＢとして、７ギガヘルツ以上のミリ波帯域が用いられてもよい。

高周波出力端子１２１～１２４は、高周波モジュール１の外部に、高周波受信信号を提供するための端子である。具体的には、高周波出力端子１２１及び１２２は、ＲＦＩＣ３に、通信バンドＡの受信信号を供給するための端子である。また、高周波出力端子１２３及び１２４は、ＲＦＩＣ３に、通信バンドＢの受信信号を供給するための端子である。

電力増幅器１１は、第１電力増幅器の一例であり、スイッチ５１を介してフィルタ６１に接続される。電力増幅器１１は、高周波入力端子１１１で受けた通信バンドＡの送信信号を増幅してフィルタ６１に伝送することができる。

電力増幅器１２は、第２電力増幅器の一例であり、スイッチ５２を介してフィルタ６３に接続される。電力増幅器１２は、高周波入力端子１１２で受けた通信バンドＢの送信信号を増幅してフィルタ６３に伝送することができる。

電力増幅器１１及び電力増幅器１２の各々としては、例えば、多段増幅器、及び／又は、差動増幅器などを用いることができるが、これに限定されない。

低雑音増幅器２１は、第１低雑音増幅器の一例であり、スイッチ５１を介してフィルタ６１に接続される。低雑音増幅器２１は、アンテナ接続端子１０１又は１０２から、スイッチ５３、フィルタ６１及びスイッチ５１を介して入力された通信バンドＡの受信信号を増幅することができる。低雑音増幅器２１で増幅された通信バンドＡの受信信号は、高周波出力端子１２１に出力される。

低雑音増幅器２２は、第２低雑音増幅器の一例であり、フィルタ６２Ａに接続される。低雑音増幅器２２は、アンテナ接続端子１０１又は１０２から、スイッチ５３及びフィルタ６２Ａを介して入力された通信バンドＡの受信信号を増幅することができる。低雑音増幅器２２で増幅された通信バンドＡの受信信号は、高周波出力端子１２２に出力される。

低雑音増幅器２３は、第３低雑音増幅器の一例であり、スイッチ５２を介してフィルタ６３に接続される。低雑音増幅器２３は、アンテナ接続端子１０１又は１０２から、スイッチ５３、フィルタ６３及びスイッチ５２を介して入力された通信バンドＢの受信信号を増幅することができる。低雑音増幅器２３で増幅された通信バンドＢの受信信号は、高周波出力端子１２３に出力される。

低雑音増幅器２４は、第４低雑音増幅器の一例であり、フィルタ６２Ｂに接続される。低雑音増幅器２４は、アンテナ接続端子１０１又は１０２から、スイッチ５３及びフィルタ６２Ｂを介して入力された通信バンドＢの受信信号を増幅することができる。低雑音増幅器２４で増幅された通信バンドＢの受信信号は、高周波出力端子１２４に出力される。

フィルタ６１（Ａ－ＴＲｘ）は、第１フィルタの一例であり、通信バンドＡを含む通過帯域を有する。これにより、フィルタ６１は、通信バンドＡの送信信号及び受信信号を通過させ、通信バンドＡと重複しない他の通信バンドの送信信号及び受信信号を減衰させることができる。具体的には、フィルタ６１は、２つの入出力端子を有する。フィルタ６１において、２つの入出力端子の一方は、スイッチ５３を介してアンテナ接続端子１０１又は１０２に接続され、２つの入出力端子の他方は、スイッチ５１を介して電力増幅器１１又は低雑音増幅器２１に接続される。

フィルタ６２Ａ（Ａ－Ｒｘ）は、第２フィルタの一例であり、通信バンドＡを含む通過帯域を有する。これにより、フィルタ６２Ａは、通信バンドＡの受信信号を通過させ、通信バンドＡと重複しない他の通信バンドの受信信号を減衰させることができる。具体的には、フィルタ６２Ａは、入力端子及び出力端子を有する。フィルタ６２Ａにおいて、入力端子は、スイッチ５３を介してアンテナ接続端子１０１又は１０２に接続され、出力端子は、低雑音増幅器２２に接続される。

フィルタ６２Ｂ（Ｂ－Ｒｘ）は、第４フィルタの一例であり、通信バンドＢを含む通過帯域を有する。これにより、フィルタ６２Ｂは、通信バンドＢの受信信号を通過させ、通信バンドＢと重複しない他の通信バンドの受信信号を減衰させることができる。具体的には、フィルタ６２Ｂは、入力端子及び出力端子を有する。フィルタ６２Ｂにおいて、入力端子は、スイッチ５３を介してアンテナ接続端子１０１又は１０２に接続され、出力端子は、低雑音増幅器２４に接続される。

フィルタ６３（Ｂ－ＴＲｘ）は、第３フィルタの一例であり、通信バンドＢを含む通過帯域を有する。これにより、フィルタ６３は、通信バンドＢの送信信号及び受信信号を通過させ、通信バンドＢと重複しない他の通信バンドの送信信号及び受信信号を減衰させることができる。具体的には、フィルタ６３は、２つの入出力端子を有する。フィルタ６３において、２つの入出力端子の一方は、スイッチ５３を介してアンテナ接続端子１０１又は１０２に接続され、２つの入出力端子の他方は、スイッチ５２を介して電力増幅器１２又は低雑音増幅器２３に接続される。

フィルタ６２Ａ及び６２Ｂは、マルチプレクサ６２を構成し、１チップ化されている。つまり、フィルタ６２Ａ及び６２Ｂは、１つに束ねられてスイッチ５３の１つの端子に接続されている。

スイッチ５１は、第１スイッチの一例であり、フィルタ６１と、電力増幅器１１及び低雑音増幅器２１との間に接続されている。具体的には、スイッチ５１は、端子５１１～５１３を有する。端子５１１は、フィルタ６１に接続されている。端子５１２及び５１３は、電力増幅器１１及び低雑音増幅器２１にそれぞれ接続されている。

この接続構成において、スイッチ５１は、例えばＲＦＩＣ３からの制御信号に基づいて、端子５１１を端子５１２及び５１３のいずれかに接続することができる。つまり、スイッチ５１は、フィルタ６１及び電力増幅器１１の接続と、フィルタ６１及び低雑音増幅器２１の接続とを切り替えることができる。スイッチ５１は、例えばＳＰＤＴ（Single Pole Double Throw）型のスイッチ回路で構成され、ＴＤＤスイッチと呼ばれる場合もある。

スイッチ５２は、第２スイッチの一例であり、フィルタ６３と、電力増幅器１２及び低雑音増幅器２２との間に接続されている。具体的には、スイッチ５２は、端子５２１～５２３を有する。端子５２１は、フィルタ６３に接続されている。端子５２２及び５２３は、電力増幅器１２及び低雑音増幅器２３にそれぞれ接続されている。

この接続構成において、スイッチ５２は、例えばＲＦＩＣ３からの制御信号に基づいて、端子５２１を端子５２２及び５２３のいずれかに接続することができる。つまり、スイッチ５２は、フィルタ６３及び電力増幅器１２の接続と、フィルタ６３及び低雑音増幅器２３の接続とを切り替えることができる。スイッチ５２は、例えばＳＰＤＴ型のスイッチ回路で構成され、ＴＤＤスイッチと呼ばれる場合もある。

スイッチ５３は、第３スイッチの一例であり、アンテナ接続端子１０１及び１０２と、フィルタ６１、６２Ａ、６２Ｂ及び６３との間に接続されている。具体的には、スイッチ５３は、端子５３１～５３５を有する。端子５３１及び５３２は、それぞれ、アンテナ接続端子１０１及び１０２に接続されている。端子５３３は、フィルタ６１に接続されている。端子５３４は、マルチプレクサ６２（つまり、フィルタ６２Ａ及び６２Ｂ）に接続されている。端子５３５は、フィルタ６３に接続されている。

この接続構成において、スイッチ５３は、例えばＲＦＩＣ３からの制御信号に基づいて、端子５３１及び５３２を、端子５３３～５３５のうちの異なる２つにそれぞれ接続することができる。つまり、スイッチ５３は、アンテナ２Ａ及び２Ｂと、フィルタ６１、マルチプレクサ６２及びフィルタ６３との接続及び非接続を切り替えることができる。スイッチ５３は、例えばマルチ接続型のスイッチ回路で構成され、アンテナスイッチと呼ばれる場合もある。

制御回路８１は、ＲＦＩＣ３から、ＭＩＰＩ（Mobile Industry Processor Interface）及びＧＰＩＯ（General Purpose I/O）などのディジタル制御信号を受け、電力増幅器１１及び１２、低雑音増幅器２１～２４、並びに、スイッチ５１～５３のうちの少なくとも１つを制御する。

電源回路８２は、電力増幅器１１及び１２、低雑音増幅器２１～２４、並びに、スイッチ５１～５３のうちの少なくとも１つに電力を供給する。

なお、図１に表された回路素子のいくつかは、高周波モジュール１に含まれなくてもよい。例えば、高周波モジュール１は、少なくとも、電力増幅器１１と、低雑音増幅器２１と、スイッチ５１と、フィルタ６１及び６２Ａと、を備えればよく、他の回路素子を備えなくてもよい。

［１．２ 高周波モジュール１の部品配置］
次に、以上のように構成された高周波モジュール１の部品配置について、図２Ａ～図３を参照しながら具体的に説明する。

図２Ａ及び図２Ｂは、実施の形態１に係る高周波モジュール１の平面図である。具体的には、図２Ａは、ｚ軸正側からモジュール基板９１の主面９１ａを見た図を示す。また、図２Ｂは、ｚ軸正側からモジュール基板９１の主面９１ｂを透視した図を示す。図３は、実施の形態１に係る高周波モジュール１の断面図である。図３における高周波モジュール１の断面は、図２Ａ及び図２Ｂのｉｉｉ－ｉｉｉ線における断面である。なお、図２Ａ～図３では、モジュール基板９１上及びモジュール基板９１内の配線及び導体については、一部のみが記載されている。

図２Ａ～図３に示すように、高周波モジュール１は、図１に示された回路を構成する回路部品に加えて、さらに、モジュール基板９１と、樹脂部材９２及び９３と、シールド電極層９５と、複数のポスト電極１５０と、を備える。なお、図２Ａ及び図２Ｂでは、樹脂部材９２及び９３並びにシールド電極層９５の記載が省略されている。

モジュール基板９１は、互いに対向する主面９１ａ及び主面９１ｂを有する。モジュール基板９１としては、例えば、複数の誘電体層の積層構造を有する低温同時焼成セラミックス（ＬＴＣＣ：Low Temperature Co-fired Ceramics）基板、高温同時焼成セラミックス（ＨＴＣＣ：High Temperature Co-fired Ceramics）基板、部品内蔵基板、再配線層（ＲＤＬ：Redistribution Layer）を有する基板、又は、プリント基板等を用いることができるが、これらに限定されない。モジュール基板９１内には、グランド電極パターン９４が形成されている。

主面９１ａは、第１主面の一例であり、上面又は表面と呼ばれる場合がある。主面９１ａには、図２Ａ及び図３に示すように、電力増幅器１１及び１２と、マルチプレクサ６２と、制御回路８１と、電源回路８２と、樹脂部材９２と、が配置されている。

マルチプレクサ６２（つまり、フィルタ６２Ａ及び６２Ｂ）としては、例えば、弾性表面波フィルタが用いられる。なお、マルチプレクサ６２は、弾性表面波フィルタに限定されない。例えば、マルチプレクサ６２として、ＢＡＷ（Bulk Acoustic Wave）を用いた弾性波フィルタ、ＬＣフィルタ、誘電体フィルタ及び分布定数型フィルタが用いられてもよく、さらには、これらに限定されない。

樹脂部材９２は、主面９１ａ上の回路部品を覆っている。樹脂部材９２は、主面９１ａ上の部品の機械強度及び耐湿性等の信頼性を確保する機能を有する。

主面９１ｂは、第２主面の一例であり、下面又は裏面と呼ばれる場合がある。主面９１ｂには、図２Ｂ及び図３に示すように、低雑音増幅器２１～２４と、スイッチ５１～５３と、フィルタ６１及び６３と、樹脂部材９３と、複数のポスト電極１５０と、が配置されている。

フィルタ６１及び６３としては、例えば、ＬＣフィルタが用いられる。ＬＣフィルタは、例えば、表面実装部品（ＳＭＤ）又は集積型受動デバイス（ＩＰＤ：Integrated Passive Device）で構成される。なお、フィルタ６１及び６３は、ＬＣフィルタに限定されない。例えば、フィルタ６１及び６３として、弾性表面波フィルタ、ＢＡＷを用いた弾性波フィルタ、誘電体フィルタ及び分布定数型フィルタが用いられてもよく、さらには、これらに限定されない。

樹脂部材９３は、主面９１ｂ上の回路部品を覆っている。樹脂部材９３は、主面９１ｂ上の部品の機械強度及び耐湿性等の信頼性を確保する機能を有する。

シールド電極層９５は、例えばスパッタ法により形成された金属薄膜であり、樹脂部材９２の上表面及び側表面と、モジュール基板９１及び樹脂部材９３の側表面と、を覆うように形成されている。シールド電極層９５は、グランド電位に設定され、外来ノイズが高周波モジュール１を構成する回路部品に侵入することを抑制する。

複数のポスト電極１５０は、図１におけるアンテナ接続端子１０１及び１０２、高周波入力端子１１１及び１１２、高周波出力端子１２１～１２４、並びに、グランド端子（図示せず）を含む複数の外部接続端子を構成する。複数のポスト電極１５０の各々は、モジュール基板９１の主面９１ｂに配置され、主面９１ｂから垂直に延びている。また、複数のポスト電極１５０の各々は、樹脂部材９３を貫通し、その一端が樹脂部材９３から露出している。樹脂部材９３から露出した複数のポスト電極１５０の一端は、高周波モジュール１のｚ軸負方向に配置されたマザー基板上の入出力端子及び／又はグランド電極等に接続される。

複数のポスト電極１５０は、グランド電位に設定されるポスト電極１５０Ｇを含む。ここでは、ポスト電極１５０Ｇのうちの少なくとも１つは、第１導電部材の一例であり、低雑音増幅器２１及び２２の間に配置されている。ポスト電極１５０Ｇのうちの他の少なくとも１つは、第２導電部材の一例であり、低雑音増幅器２３及び２４の間に配置されている。

モジュール基板９１の平面視において、フィルタ６２Ａは、低雑音増幅器２２と重なっている。これにより、フィルタ６２Ａ及び低雑音増幅器２２は、例えばモジュール基板９１内のビア導体を介して互いに接続することができ、低雑音増幅器２２とフィルタ６２Ａとの間の配線長を短縮することが可能となる。

また、モジュール基板９１の平面視において、フィルタ６２Ｂは、低雑音増幅器２４と重なっている。これにより、フィルタ６２Ｂは及び低雑音増幅器２４は、例えばモジュール基板９１内のビア導体を介して互いに接続することができ、低雑音増幅器２４とフィルタ６２Ｂとの間の配線長を短縮することが可能となる。

さらに、モジュール基板９１の平面視において、フィルタ６２Ａ及び６２Ｂの各々は、スイッチ５３と重なっている。これにより、フィルタ６２Ａ及び６２Ｂとスイッチ５３とを、例えばモジュール基板９１内のビア導体を介して接続することができ、フィルタ６２Ａ及び６２Ｂとスイッチ５３との間の配線長を短縮することが可能となる。

なお、モジュール基板９１の平面視において、フィルタ６２Ａは、低雑音増幅器２２と重ならなくてもよく、フィルタ６２Ｂは、低雑音増幅器２４と重ならなくてもよい。さらに、モジュール基板９１の平面視において、フィルタ６２Ａ及び６２Ｂの各々は、スイッチ５３と重ならなくてもよい。

なお、図２Ａ～図３の部品配置は一例であり、これに限定されない。例えば、フィルタ６１が主面９１ａに配置され、フィルタ６２Ａが主面９１ｂに配置されてもよい。また例えば、フィルタ６１及び６２Ａは、モジュール基板９１の同じ主面（主面９１ａ又は９１ｂ）に配置されてもよい。さらに、フィルタ６３及び６２Ｂの配置も、フィルタ６１及び６２Ａの配置と同様に、図２Ａ～図３の配置に限定されない。

［１．３ 信号の流れ］
次に、以上のように構成された高周波モジュール１における信号の流れについて、図４及び図５を参照しながら説明する。図４は、実施の形態１に係る高周波モジュール１における通信バンドＡの信号の流れを示す回路図である。図５は、実施の形態１に係る高周波モジュール１における通信バンドＢの信号の流れを示す回路図である。図４及び図５には、信号の流れが破線矢印で表されている。

図４では、通信バンドＡの１アップリンク及び２ダウンリンクが実現されている。具体的には、通信バンドＡの送信信号は、ＲＦＩＣ３から、高周波入力端子１１１、電力増幅器１１、スイッチ５１、フィルタ６１、スイッチ５３及びアンテナ接続端子１０１を経由して、アンテナ２Ａに伝送される。また、通信バンドＡの受信信号は、アンテナ２Ａから、アンテナ接続端子１０１、スイッチ５３、フィルタ６１、スイッチ５１、低雑音増幅器２１及び高周波出力端子１２１を経由して、ＲＦＩＣ３に伝送される。このとき、通信バンドＡの送信信号及び受信信号の伝送は、スイッチ５１によって排他的に切り替えられる。さらに、通信バンドＡの受信信号は、アンテナ２Ｂから、アンテナ接続端子１０２、スイッチ５３、フィルタ６２Ａ、低雑音増幅器２２及び高周波出力端子１２２を経由して、ＲＦＩＣ３に伝送される。

図５では、通信バンドＢの１アップリンク及び２ダウンリンクが実現されている。具体的には、通信バンドＢの送信信号は、ＲＦＩＣ３から、高周波入力端子１１２、電力増幅器１２、スイッチ５２、フィルタ６３、スイッチ５３及びアンテナ接続端子１０２を経由して、アンテナ２Ｂに伝送される。また、通信バンドＢの受信信号は、アンテナ２Ｂから、アンテナ接続端子１０２、スイッチ５３、フィルタ６３、スイッチ５２、低雑音増幅器２３及び高周波出力端子１２３を経由して、ＲＦＩＣ３に伝送される。このとき、通信バンドＢの送信信号及び受信信号の伝送は、スイッチ５２によって排他的に切り替えられる。さらに、通信バンドＢの受信信号は、アンテナ２Ａから、アンテナ接続端子１０１、スイッチ５３、フィルタ６２Ｂ、低雑音増幅器２４及び高周波出力端子１２４を経由して、ＲＦＩＣ３に伝送される。

［１．４ 効果など］
以上のように、本実施の形態に係る高周波モジュール１は、互いに対向する主面９１ａ及び９１ｂを有するモジュール基板９１と、ＴＤＤ用の通信バンドＡを含む通過帯域を有するフィルタ６１と、フィルタ６１に接続されたスイッチ５１と、主面９１ａに配置され、スイッチ５１を介してフィルタ６１に接続される電力増幅器１１と、主面９１ｂに配置され、スイッチ５１を介してフィルタ６１に接続される低雑音増幅器２１と、通信バンドＡを含む通過帯域を有するフィルタ６２Ａと、主面９１ｂに配置され、フィルタ６２Ａに接続された低雑音増幅器２２と、主面９１ｂに配置された複数のポスト電極１５０と、主面９１ｂ上で低雑音増幅器２１及び２２の間に配置された第１導電部材と、を備える。

これによれば、２つの低雑音増幅器２１及び２２の間に第１導電部材を配置することができる。したがって、通信バンドＡの２つの受信信号がそれぞれ増幅される２つの低雑音増幅器２１及び２２の磁界結合、電界結合又は電磁界結合を抑制することができ、２つの低雑音増幅器２１及び２２間のアイソレーションを向上させることができる。その結果、高周波モジュール１は、通信バンドＡにおける２つの受信信号の同時受信において、２つの受信信号間の干渉を抑制し、受信感度を向上させることができる。同一のＴＤＤ用の通信バンドにおいて同時受信される２つの受信信号では、フィルタなどによって一方の受信信号のみを除去することが難しい。そのため、このような２つの低雑音増幅器２１及び２２の間に第１導電部材を配置することは受信感度の向上に効果的である。

また例えば、本実施の形態に係る高周波モジュール１において、フィルタ６１は、主面９１ａ及び９１ｂの一方に配置され、フィルタ６２Ａは、主面９１ａ及び９１ｂの他方に配置されてもよい。

これによれば、２つのフィルタ６１及び６２Ａが、互いにモジュール基板９１の逆面に配置される。したがって、通信バンドＡの２つの受信信号がそれぞれ伝送される２つのフィルタ６１及び６２Ａの磁界結合、電界結合又は電磁界結合を抑制することができ、２つのフィルタ６１及び６２Ａ間のアイソレーションを向上させることができる。その結果、高周波モジュール１は、通信バンドＡにおける２つの受信信号の同時受信において、２つの受信信号間の干渉を抑制し、受信感度を向上させることができる。

また例えば、本実施の形態に係る高周波モジュール１において、フィルタ６２Ａは、主面９１ａに配置されており、モジュール基板９１の平面視において、フィルタ６２Ａは、低雑音増幅器２２と重なってもよい。

これによれば、フィルタ６２Ａと低雑音増幅器２２とをモジュール基板９１を挟んで重ねて配置することができる。したがって、フィルタ６２Ａ及び低雑音増幅器２２との間の配線長を短縮することができ、配線ロス及び配線のばらつきによる不整合損を低減することができる。その結果、高周波モジュール１は、通信バンドＡの受信感度をより向上させることができる。

また例えば、本実施の形態に係る高周波モジュール１において、フィルタ６１は、ＬＣフィルタで構成されてもよい。

これによれば、高周波モジュール１は、ＬＣフィルタを、通信バンドＡの送信及び受信の両方のためのフィルタ６１として用いることができる。

また例えば、本実施の形態に係る高周波モジュール１において、フィルタ６２Ａは、弾性表面波フィルタで構成されてもよい。

これによれば、高周波モジュール１は、弾性表面波フィルタを、通信バンドＡの受信のためのフィルタ６２Ａとして用いることができる。

また例えば、本実施の形態に係る高周波モジュール１は、さらに、通信バンドＡとは異なるＴＤＤ用の通信バンドＢを含む通過帯域を有するフィルタ６３と、フィルタ６３に接続されたスイッチ５２と、主面９１ａに配置され、スイッチ５２を介してフィルタ６３に接続される電力増幅器１２と、主面９１ｂに配置され、スイッチ５２を介してフィルタ６３に接続される低雑音増幅器２３と、通信バンドＢを含む通過帯域を有するフィルタ６２Ｂと、主面９１ｂに配置され、フィルタ６２Ｂに接続された低雑音増幅器２４と、アンテナ接続端子１０１及び１０２に接続されたスイッチ５３と、主面９１ｂ上で低雑音増幅器２３及び低雑音増幅器２４の間に配置された第２導電部材と、を備えてもよく、フィルタ６１、６２Ａ、６２Ｂ及び６３は、スイッチ５３を介してアンテナ接続端子１０１及び１０２に接続されてもよい。

これによれば、２つの低雑音増幅器２３及び２４の間に第２導電部材を配置することができる。したがって、通信バンドＢの２つの受信信号がそれぞれ増幅される２つの低雑音増幅器２３及び２４の磁界結合、電界結合又は電磁界結合を抑制することができ、２つの低雑音増幅器２３及び２４間のアイソレーションを向上させることができる。その結果、高周波モジュール１は、通信バンドＡと同様に、通信バンドＢにおける２つの受信信号の同時受信において、２つの受信信号間の干渉を抑制し、受信感度を向上させることができる。

また例えば、本実施の形態に係る高周波モジュール１において、フィルタ６２Ａ及び６２Ｂは、マルチプレクサ６２として１チップ化されており、スイッチ５３は、アンテナ接続端子１０１及び１０２にそれぞれ接続された端子５３１及び５３２と、フィルタ６１及び６３にそれぞれ接続された端子５３３及び５３５と、マルチプレクサ６２に接続された端子５３４と、を有してもよい。

これによれば、フィルタ６２Ａ及び６２Ｂをマルチプレクサ６２として１チップ化することができる。したがって、フィルタ６２Ａ及び６２Ｂが個別に実装される場合よりも部品点数を削減することができる。さらに、マルチプレクサ６２をスイッチ５３の端子５３４に接続することで、フィルタ６２Ａ及び６２Ｂを１つの端子５３４で接続することができ、スイッチ５３の端子数を削減することができる。その結果、スイッチ５３の通過特性を改善することができ、高周波モジュール１の受信感度を向上させることができる。

また例えば、本実施の形態に係る高周波モジュール１において、マルチプレクサ６２は、弾性表面波フィルタで構成されてもよい。

これによれば、高周波モジュール１は、弾性表面波フィルタを、通信バンドＡ及びＢの受信のためのマルチプレクサ６２として用いることができる。

また例えば、本実施の形態に係る高周波モジュール１において、フィルタ６３は、ＬＣフィルタで構成されてもよい。

これによれば、ＬＣフィルタを、通信バンドＢの送信及び受信の両方のためのフィルタ６３として用いることができる。

また例えば、本実施の形態に係る高周波モジュール１において、フィルタ６３は、主面９１ａ及び９１ｂの一方に配置され、フィルタ６２Ｂは、主面９１ａ及び９１ｂの他方に配置されてもよい。

これによれば、２つのフィルタ６２Ｂ及び６３が、互いにモジュール基板９１の逆面に配置される。したがって、通信バンドＢの２つの受信信号がそれぞれ伝送される２つのフィルタ６２Ｂ及び６３の磁界結合、電界結合又は電磁界結合を抑制することができ、２つのフィルタ６２Ｂ及び６３間のアイソレーションを向上させることができる。その結果、高周波モジュール１は、通信バンドＢにおける２つの受信信号の同時受信において、２つの受信信号間の干渉を抑制し、受信感度を向上させることができる。

また例えば、本実施の形態に係る高周波モジュール１において、フィルタ６２Ｂは、主面９１ａに配置されており、モジュール基板９１の平面視において、フィルタ６２Ｂは、低雑音増幅器２４と重なってもよい。

これによれば、フィルタ６２Ｂと低雑音増幅器２４とをモジュール基板９１を挟んで重ねて配置することができる。したがって、フィルタ６２Ｂ及び低雑音増幅器２４との間の配線長を短縮することができ、配線ロス及び配線のばらつきによる不整合損を低減することができる。その結果、高周波モジュール１は、通信バンドＢの受信感度をより向上させることができる。

また例えば、本実施の形態に係る高周波モジュール１において、フィルタ６２Ａは、主面９１ａに配置されており、モジュール基板９１の平面視において、フィルタ６２Ａは、スイッチ５３と重なってもよい。

これによれば、フィルタ６２Ａとスイッチ５３とをモジュール基板９１を挟んで重ねて配置することができる。したがって、フィルタ６２Ａ及びスイッチ５３との間の配線長を短縮することができ、配線ロス及び配線のばらつきによる不整合損を低減することができる。その結果、高周波モジュール１は、通信バンドＡの受信感度をより向上させることができる。

また例えば、本実施の形態に係る高周波モジュール１において、フィルタ６２Ｂは、主面９１ａに配置されており、モジュール基板９１の平面視において、フィルタ６２Ｂは、スイッチ５３と重なってもよい。

これによれば、フィルタ６２Ｂとスイッチ５３とをモジュール基板９１を挟んで重ねて配置することができる。したがって、フィルタ６２Ｂ及びスイッチ５３との間の配線長を短縮することができ、配線ロス及び配線のばらつきによる不整合損を低減することができる。その結果、高周波モジュール１は、通信バンドＢの受信感度をより向上させることができる。

また例えば、本実施の形態に係る高周波モジュール１において、通信バンドＡは、５ＧＮＲのためのバンドｎ７７であり、通信バンドＢは、５ＧＮＲのためのバンドｎ７９であってもよい。

これによれば、高周波モジュール１は、５ＧＮＲのためのバンドｎ７７及びｎ７９の各々の１アップリンク及び２ダウンリンクに対応することができる。

また、本実施の形態に係る通信装置５は、高周波信号を処理するＲＦＩＣ３と、ＲＦＩＣ３とアンテナ２Ａ及び２Ｂとの間で高周波信号を伝送する高周波モジュール１と、を備える。

これによれば、通信装置５は、高周波モジュール１の上記効果と同様の効果を奏することができる。

なお、本実施の形態では、第１導電部材及び第２導電部材としてポスト電極１５０Ｇが用いられていたが、第１導電部材及び第２導電部材は、これに限定されない。例えば、ポスト電極１５０Ｇの代わりに、又は、ポスト電極１５０Ｇに加えて、モジュール基板９１の主面９１ｂに配置された金属壁などが第１導電部材及び／又は第２導電部材として用いられてもよい。

また、第１導電部材及び第２導電部材は、グランド電位に設定されるグランド導体（例えばポスト電極１５０Ｇ）に限定されない。例えば、グランド導体の代わりに、又は、グランド導体に加えて、入出力端子として機能する他のポスト電極１５０、制御回路８１、及び電源回路８２のうちの少なくとも１つが、第１導電部材及び／又は第２導電部材として用いられてもよい。このような場合であっても、低雑音増幅器２１及び２２の間の電界結合、磁界結合又は電磁界結合を抑制することができ、低雑音増幅器２３及び２４の間の電界結合、磁界結合又は電磁界結合を抑制することができる。したがって、２つの低雑音増幅器２１及び２２間のアイソレーション、並びに、２つの低雑音増幅器２３及び２４間のアイソレーションを向上させることができる。

なお、本実施の形態では、低雑音増幅器２１～２４、スイッチ５１～５３、制御回路８１及び電源回路８２は、それぞれ個別の部品として構成されていたが、これに限定されない。低雑音増幅器２１～２４、スイッチ５１～５３、制御回路８１及び電源回路８２のいくつか又は全部は、１以上の半導体集積回路に内蔵されてもよい。半導体集積回路とは、半導体チップ（ダイとも呼ばれる）の表面及び内部に形成された電子回路であり、半導体部品とも呼ばれる。半導体集積回路は、例えば、ＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）で構成され、具体的にはＳＯＩ（Silicon on Insulator）プロセスにより構成されてもよい。これにより、半導体集積回路を安価に製造することが可能となる。なお、半導体集積回路は、ＧａＡｓ、ＳｉＧｅ及びＧａＮのうちの少なくとも１つで構成されてもよい。これにより、高品質な半導体集積回路を実現することができる。

１つの半導体集積回路に低雑音増幅器２１及び２２が内蔵される場合、当該半導体集積回路内で低雑音増幅器２１及び２２の間にグランド導体、制御回路８１及び電源回路８２のうちの少なくとも１つが配置されてもよい。また同様に、１つの半導体集積回路に低雑音増幅器２３及び２４が内蔵される場合、当該半導体集積回路内で低雑音増幅器２３及び２４の間にグランド導体、制御回路８１及び電源回路８２のうちの少なくとも１つが配置されてもよい。

なお、本実施の形態では、フィルタ６２Ａ及び６２Ｂは、マルチプレクサ６２を構成し、１チップ化されていたが、これに限定されない。例えば、フィルタ６２Ａ及び６２Ｂは、スイッチ５３の別々の端子に接続される別々のフィルタ部品であってもよい。

なお、本実施の形態では、通信装置５及び高周波モジュール１は、２つのＴＤＤ用の通信バンドに対応していたが、１つのＴＤＤ用の通信バンドのみに対応してもよい。この場合、通信装置５及び高周波モジュール１は、通信バンドＡ及びＢの一方及び両方に用いられる部品を備え、通信バンドＡ及びＢの他方のみに用いられる部品を備えなくてもよい。

（実施の形態２）
次に、実施の形態２について説明する。本実施の形態では、高周波モジュールが、４ダウンリンクを実現するための構成を有する点が上記実施の形態１と主として異なる。本実施の形態に係る高周波モジュールについて、上記実施の形態１と異なる点を中心に図面を参照しながら説明する。

［２．１ 高周波モジュール１Ａ及び通信装置５Ａの回路構成］
本実施の形態に係る高周波モジュール１Ａ及び通信装置５Ａの回路構成について、図６を参照しながら説明する。図６は、実施の形態２に係る高周波モジュール１Ａ及び通信装置５Ａの回路構成図である。

［２．１．１ 通信装置５Ａの回路構成］
まず、通信装置５Ａの回路構成について説明する。図６に示すように、本実施の形態に係る通信装置５Ａは、高周波モジュール１Ａと、アンテナ２Ａ～２Ｄと、ＲＦＩＣ３と、ＢＢＩＣ４と、を備える。

高周波モジュール１Ａは、アンテナ２Ａ～２ＤとＲＦＩＣ３との間で高周波信号を伝送する。高周波モジュール１Ａの詳細な回路構成については後述する。

アンテナ２Ａ～２Ｄは、高周波モジュール１Ａのアンテナ接続端子１０１～１０４にそれぞれ接続され、高周波モジュール１Ａから出力された高周波信号を送信し、また、外部から高周波信号を受信して高周波モジュール１Ａへ出力する。

なお、本実施の形態に係る通信装置５Ａにおいて、アンテナ２Ａ～２Ｄ及びＢＢＩＣ４は、必須の構成要素ではない。

［２．１．２ 高周波モジュール１Ａの回路構成］
次に、高周波モジュール１Ａの回路構成について説明する。図６に示すように、高周波モジュール１Ａは、電力増幅器１１及び１２と、低雑音増幅器２１、２３、２２１～２２３及び２４１～２４３と、スイッチ５１、５２及び５３Ａと、フィルタ６１、６３、６２１Ａ～６２３Ａ及び６２１Ｂ～６２３Ｂと、制御回路８１と、電源回路８２と、アンテナ接続端子１０１～１０４と、高周波入力端子１１１及び１１２と、高周波出力端子１２１、１２３、１２２１～１２２３及び１２４１～１２４３と、を備える。

アンテナ接続端子１０１～１０４は、アンテナ２Ａ～２Ｄにそれぞれ接続される。

高周波出力端子１２２１～１２２３及び１２４１～１２４３は、高周波モジュール１Ａの外部に高周波受信信号を提供するための端子である。具体的には、高周波出力端子１２２１～１２２３は、ＲＦＩＣ３に、通信バンドＡの受信信号を供給するための端子である。また、高周波出力端子１２４１～１２４３は、ＲＦＩＣ３に、通信バンドＢの受信信号を供給するための端子である。

低雑音増幅器２２１～２２３の各々は、第２低雑音増幅器の一例である。低雑音増幅器２２１～２２３は、フィルタ６２１Ａ～６２３Ａにそれぞれ接続される。低雑音増幅器２２１～２２３は、アンテナ接続端子１０１～１０４から、スイッチ５３Ａ、フィルタ６２１Ａ～６２３Ａを介して入力された通信バンドＡの受信信号を増幅することができる。低雑音増幅器２２１～２２３で増幅された通信バンドＡの受信信号は、高周波出力端子１２２１～１２２３にそれぞれ出力される。

低雑音増幅器２４１～２４３の各々は、第４低雑音増幅器の一例である。低雑音増幅器２４１～２４３は、フィルタ６２１Ｂ～６２３Ｂにそれぞれ接続される。低雑音増幅器２４１～２４３は、アンテナ接続端子１０１～１０４から、スイッチ５３Ａ、フィルタ６２１Ｂ～６２３Ｂを介して入力された通信バンドＢの受信信号を増幅することができる。低雑音増幅器２４１～２４３で増幅された通信バンドＢの受信信号は、高周波出力端子１２４１～１２４３にそれぞれ出力される。

フィルタ６２１Ａ～６２３Ａ（Ａ－Ｒｘ）の各々は、第２フィルタの一例であり、通信バンドＡを含む通過帯域を有する。これにより、フィルタ６２１Ａ～６２３Ａの各々は、通信バンドＡの受信信号を通過させ、通信バンドＡと重複しない他の通信バンドの受信信号を減衰させることができる。

具体的には、フィルタ６２１Ａ～６２３Ａの各々は、入力端子及び出力端子を有する。フィルタ６２１Ａ～６２３Ａの各々において、入力端子は、スイッチ５３Ａを介してアンテナ接続端子１０１～１０４のいずれかに接続され、出力端子は、低雑音増幅器２２１～２２３の対応する１つに接続される。

フィルタ６２１Ｂ～６２３Ｂ（Ｂ－Ｒｘ）の各々は、第４フィルタの一例であり、通信バンドＢを含む通過帯域を有する。これにより、フィルタ６２１Ｂ～６２３Ｂの各々は、通信バンドＢの受信信号を通過させ、通信バンドＢと重複しない他の通信バンドの受信信号を減衰させることができる。

具体的には、フィルタ６２１Ｂ～６２３Ｂの各々は、入力端子及び出力端子を有する。フィルタ６２１Ｂ～６２３Ｂの各々において、入力端子は、スイッチ５３Ａを介してアンテナ接続端子１０１～１０４のいずれかに接続され、出力端子は、低雑音増幅器２４１～２４３の対応する１つに接続される。

フィルタ６２１Ａ及び６２１Ｂは、マルチプレクサ６２１を構成し、１チップ化されている。つまり、フィルタ６２１Ａ及び６２１Ｂは、１つに束ねられてスイッチ５３Ａの１つの端子に接続されている。

フィルタ６２２Ａ及び６２２Ｂは、マルチプレクサ６２２を構成し、１チップ化されている。つまり、フィルタ６２２Ａ及び６２２Ｂは、１つに束ねられてスイッチ５３Ａの１つの端子に接続されている。

フィルタ６２３Ａ及び６２３Ｂは、マルチプレクサ６２３を構成し、１チップ化されている。つまり、フィルタ６２３Ａ及び６２３Ｂは、１つに束ねられてスイッチ５３Ａの１つの端子に接続されている。

スイッチ５３Ａは、第３スイッチの一例であり、アンテナ接続端子１０１～１０４と、フィルタ６１、６３、６２１Ａ～６２３Ａ及び６２１Ｂ～６２３Ｂとの間に接続されている。具体的には、スイッチ５３Ａは、端子５３１Ａ～５３９Ａを有する。端子５３１Ａ～５３４Ａは、それぞれ、アンテナ接続端子１０１～１０４に接続されている。端子５３５Ａは、フィルタ６１に接続されている。端子５３６Ａは、マルチプレクサ６２１（つまり、フィルタ６２１Ａ及び６２１Ｂ）に接続されている。端子５３７Ａは、マルチプレクサ６２２（つまり、フィルタ６２２Ａ及び６２２Ｂ）に接続されている。端子５３８Ａは、マルチプレクサ６２３（つまり、フィルタ６２３Ａ及び６２３Ｂ）に接続されている。端子５３９Ａは、フィルタ６３に接続されている。

この接続構成において、スイッチ５３Ａは、例えばＲＦＩＣ３からの制御信号に基づいて、端子５３１Ａ～５３４Ａを、異なる端子５１５Ａ～５１９Ａに接続することができる。つまり、スイッチ５３Ａは、アンテナ２Ａ～２Ｄと、フィルタ６１、マルチプレクサ６２１～６２３及びフィルタ６３との接続及び非接続を切り替えることができる。スイッチ５３Ａは、例えばマルチ接続型のスイッチ回路で構成され、アンテナスイッチと呼ばれる場合もある。

［２．２ 高周波モジュール１Ａの部品配置］
高周波モジュール１Ａに含まれる各種部品は、実施の形態１と同様の手法で配置することができるので、図示を省略し、説明を簡略化する。

高周波モジュール１Ａでは、低雑音増幅器２１及び２２１～２２３のうちの任意の２つの間に第１導電部材（例えばポスト電極１５０、制御回路８１又は電源回路８２等）が配置される。さらに、低雑音増幅器２３及び２４１～２４３のうちの任意の２つの間に第２導電部材（例えばポスト電極１５０、制御回路８１又は電源回路８２等）が配置される。

［２．２ 効果など］
以上のように、本実施の形態に係る高周波モジュール１Ａは、互いに対向する主面９１ａ及び９１ｂを有するモジュール基板９１と、ＴＤＤ用の通信バンドＡを含む通過帯域を有するフィルタ６１と、フィルタ６１に接続されたスイッチ５１と、主面９１ａに配置され、スイッチ５１を介してフィルタ６１に接続される電力増幅器１１と、主面９１ｂに配置され、スイッチ５１を介してフィルタ６１に接続される低雑音増幅器２１と、通信バンドＡを含む通過帯域をそれぞれ有するフィルタ６２１Ａ～６２３Ａと、主面９１ｂに配置され、フィルタ６２１Ａ～６２３Ａにそれぞれ接続された低雑音増幅器２２１～２２３と、主面９１ｂ上で低雑音増幅器２１及び２２１～２２３のうちの任意の２つの間に配置された第１導電部材と、を備える。

これによれば、高周波モジュール１Ａは、通信バンドＡの１アップリンク及び４ダウンリンクを１つのモジュールで実現することができ、通信バンドＡの４つの受信信号間の干渉を抑制し、受信感度を向上させることができる。

また例えば、本実施の形態に係る高周波モジュール１Ａは、さらに、通信バンドＡとは異なるＴＤＤ用の通信バンドＢを含む通過帯域を有するフィルタ６３と、フィルタ６３に接続されたスイッチ５２と、主面９１ａに配置され、スイッチ５２を介してフィルタ６３に接続される電力増幅器１２と、主面９１ｂに配置され、スイッチ５２を介してフィルタ６３に接続される低雑音増幅器２３と、通信バンドＢを含む通過帯域をそれぞれ有するフィルタ６２１Ｂ～６２３Ｂと、主面９１ｂに配置され、フィルタ６２１Ｂ～６２３Ｂにそれぞれ接続された低雑音増幅器２４１～２４３と、アンテナ接続端子１０１～１０４に接続されたスイッチ５３Ａと、低雑音増幅器２３及び２４１～２４３のうちの任意の２つの間に配置された第２導電部材と、を備えてもよく、フィルタ６１、６３、６２１Ａ～６２３Ａ及び６２１Ｂ～６２３Ｂは、スイッチ５３Ａを介してアンテナ接続端子１０１～１０４に接続されてもよい。

これによれば、高周波モジュール１Ａは、通信バンドＡの１アップリンク及び４ダウンリンクに加えて、通信バンドＢの１アップリンク及び４ダウンリンクも１つのモジュールで実現することができ、通信バンドＢの４つの受信信号間の干渉を抑制し、受信感度を向上させることができる。

（実施の形態３）
次に、実施の形態３について説明する。本実施の形態に係る高周波モジュールは、ポスト電極の代わりにバンプ電極を備える点が、上記実施の形態１と異なる。以下に、本実施の形態について、上記実施の形態１と異なる点を中心に図面を参照しながら説明する。

なお、本実施の形態に係る高周波モジュール１Ｂの回路構成については、上記実施の形態１と同様であるので、図示及び説明を省略する。

［３．１ 高周波モジュール１Ｂの部品配置］
図７は、実施の形態３に係る高周波モジュール１Ｂの断面図である。図７に示すように、高周波モジュール１Ｂは、複数のポスト電極１５０の代わりに、複数のバンプ電極１６０を備える。ここでは、低雑音増幅器２１及び２２の間、及び、低雑音増幅器２３及び２４の間には、グランド電位に設定されるバンプ電極１６０Ｇが配置される。高周波モジュール１Ｂは、主面９１ｂ上の回路部品を覆う樹脂部材９３を備えなくてもよい。

［３．２ 効果など］
以上のように、本実施の形態に係る高周波モジュール１Ｂは、複数の外部接続端子として、主面９１ｂに配置された複数のバンプ電極１６０を備えることができる。

（他の実施の形態）
以上、本発明に係る高周波モジュール及び通信装置について、実施の形態に基づいて説明したが、本発明に係る高周波モジュール及び通信装置は、上記実施の形態に限定されるものではない。上記実施の形態における任意の構成要素を組み合わせて実現される別の実施の形態や、上記実施の形態に対して本発明の主旨を逸脱しない範囲で当業者が思いつく各種変形を施して得られる変形例や、上記高周波モジュール及び通信装置を内蔵した各種機器も本発明に含まれる。

例えば、上記実施の形態に係る高周波モジュール及び通信装置の回路構成において、図面に表された各回路素子及び信号経路を接続する経路の間に、別の回路素子及び配線などが挿入されてもよい。例えば、上記実施の形態１において、アンテナ接続端子１０１及び１０２の各々とスイッチ５３との間にフィルタが挿入されてもよい。また例えば、アンテナ接続端子１０１及び１０２とフィルタ６１～６３との間、及び／又は、フィルタ６１～６３と電力増幅器１１及び１２並びに低雑音増幅器２１～２４との間に、整合回路が挿入されてもよい。

本発明は、フロントエンド部に配置される高周波モジュールとして、携帯電話などの通信機器に広く利用できる。

１、１Ａ、１Ｂ 高周波モジュール
２Ａ、２Ｂ、２Ｃ、２Ｄ アンテナ
３ ＲＦＩＣ
４ ＢＢＩＣ
５、５Ａ 通信装置
１１、１２ 電力増幅器
２１、２２、２３、２４、２２１、２２２、２２３、２４１、２４２、２４３ 低雑音増幅器
５１、５２、５３、５３Ａ スイッチ
６２、６２１、６２２、６２３ マルチプレクサ
６１、６２Ａ、６２Ｂ、６３、６２１Ａ、６２１Ｂ、６２２Ａ、６２２Ｂ、６２３Ａ、６２３Ｂ フィルタ
８１ 制御回路
８２ 電源回路
９１ モジュール基板
９１ａ、９１ｂ 主面
９２、９３ 樹脂部材
９４ グランド電極パターン
９５ シールド電極層
１０１、１０２、１０３、１０４ アンテナ接続端子
１１１、１１２ 高周波入力端子
１２１、１２２、１２３、１２４、１２２１、１２２２、１２２３、１２４１、１２４２、１２４３ 高周波出力端子
１５０、１５０Ｇ ポスト電極
１６０、１６０Ｇ バンプ電極

Claims (15)

1. 互いに対向する第１主面及び第２主面を有するモジュール基板と、
   時分割複信（ＴＤＤ）用の第１通信バンドを含む通過帯域を有する第１フィルタと、
   前記第１フィルタに接続された第１スイッチと、
   前記第１主面に配置され、前記第１スイッチを介して前記第１フィルタに接続される第１電力増幅器と、
   前記第２主面に配置され、前記第１スイッチを介して前記第１フィルタに接続される第１低雑音増幅器と、
   前記第１通信バンドを含む通過帯域を有する第２フィルタと、
   前記第２主面に配置され、前記第２フィルタに接続された第２低雑音増幅器と、
   前記第２主面に配置された複数の外部接続端子と、
   前記第２主面上で前記第１低雑音増幅器及び前記第２低雑音増幅器の間に配置された第１導電部材と、を備える、
   高周波モジュール。
2. 前記第１フィルタは、前記第１主面及び前記第２主面の一方に配置され、
   前記第２フィルタは、前記第１主面及び前記第２主面の他方に配置されている、
   請求項１に記載の高周波モジュール。
3. 前記第２フィルタは、前記第１主面に配置されており、
   前記モジュール基板の平面視において、前記第２フィルタは、前記第２低雑音増幅器と重なっている、
   請求項１又は２に記載の高周波モジュール。
4. 前記第１フィルタは、ＬＣフィルタで構成されている、
   請求項１～３のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
5. 前記第２フィルタは、弾性表面波フィルタで構成されている、
   請求項１～４のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
6. さらに、
   前記第１通信バンドとは異なるＴＤＤ用の第２通信バンドを含む通過帯域を有する第３フィルタと、
   前記第３フィルタに接続された第２スイッチと、
   前記第１主面に配置され、前記第２スイッチを介して前記第３フィルタに接続される第２電力増幅器と、
   前記第２主面に配置され、前記第２スイッチを介して前記第３フィルタに接続される第３低雑音増幅器と、
   前記第２通信バンドを含む通過帯域を有する第４フィルタと、
   前記第２主面に配置され、前記第４フィルタに接続された第４低雑音増幅器と、
   第１アンテナ接続端子及び第２アンテナ接続端子に接続された第３スイッチと、
   前記第２主面上で前記第３低雑音増幅器及び前記第４低雑音増幅器の間に配置された第２導電部材と、を備え、
   前記第１フィルタ、前記第２フィルタ、前記第３フィルタ及び前記第４フィルタは、前記第３スイッチを介して前記第１アンテナ接続端子及び前記第２アンテナ接続端子に接続される、
   請求項１～５のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
7. 前記第２フィルタと前記第４フィルタとは、マルチプレクサとして１チップ化されており、
   前記第３スイッチは、前記第１アンテナ接続端子及び前記第２アンテナ接続端子にそれぞれ接続された第１端子及び第２端子と、前記第１フィルタ及び前記第３フィルタにそれぞれ接続された第３端子及び第４端子と、前記マルチプレクサに接続された第５端子と、を有する、
   請求項６に記載の高周波モジュール。
8. 前記マルチプレクサは、弾性表面波フィルタで構成されている、
   請求項７に記載の高周波モジュール。
9. 前記第３フィルタは、ＬＣフィルタで構成されている、
   請求項６～８のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
10. 前記第３フィルタは、前記第１主面及び前記第２主面の一方に配置され、
    前記第４フィルタは、前記第１主面及び前記第２主面の他方に配置されている、
    請求項６～９のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
11. 前記第４フィルタは、前記第１主面に配置されており、
    前記モジュール基板の平面視において、前記第４フィルタは、前記第４低雑音増幅器と重なっている、
    請求項６～１０のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
12. 前記第２フィルタは、前記第１主面に配置されており、
    前記モジュール基板の平面視において、前記第２フィルタは、前記第３スイッチと重なっている、
    請求項６～１１のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
13. 前記第４フィルタは、前記第１主面に配置されており、
    前記モジュール基板の平面視において、前記第４フィルタは、前記第３スイッチと重なっている、
    請求項６～１２のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
14. 前記第１通信バンドは、５ＧＮＲ（5th Generation New Radio）のためのバンドｎ７７であり、
    前記第２通信バンドは、５ＧＮＲのためのバンドｎ７９である、
    請求項６～１３のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
15. 高周波信号を処理する信号処理回路と、
    前記信号処理回路とアンテナとの間で前記高周波信号を伝送する、請求項１～１４のいずれか１項に記載の高周波モジュールと、を備える、
    通信装置。

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