WO2018123972A1 - 高周波モジュール及び通信装置 - Google Patents

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WO2018123972A1
WO2018123972A1 PCT/JP2017/046436 JP2017046436W WO2018123972A1 WO 2018123972 A1 WO2018123972 A1 WO 2018123972A1 JP 2017046436 W JP2017046436 W JP 2017046436W WO 2018123972 A1 WO2018123972 A1 WO 2018123972A1
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優佑 浪花
武藤　英樹
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株式会社村田製作所
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Definitions

  • the present invention relates to a high-frequency module and a communication device, and more particularly, to a high-frequency module for simultaneously transmitting and receiving signals of two or more waves and a communication device configured using the same.
  • FIG. 8 is a block diagram showing the configuration of the system disclosed in Patent Document 1.
  • a system 900 shown in FIG. 8 includes tunable RF modules 950 and 960 in the secondary reception system 920.
  • the tunable RF module 950 converts a received signal in a frequency band belonging to a 1.7 to 2.7 GHz MB / HB (middle band / high band) group into a “low noise amplifier (hereinafter also referred to as“ LNA ”). Amplify at 954.
  • the tunable RF module 960 amplifies the received signal in the frequency band belonging to the LB (low band) group of 0.7 to 1.0 GHz by the LNA 964.
  • the system 900 can perform CA operation using, for example, a frequency band belonging to the MB / HB band group and a frequency band belonging to the LB band group.
  • Patent Document 1 points out that it is a problem to attenuate an out-of-band signal from a desired received signal in CA that receives a plurality of signals having different frequency bands, and a transmission signal that wraps around from an antenna is given as an example of an out-of-band signal. ing.
  • a spurious component generated in one receiving circuit for example, a spurious component generated based on a transmission signal that has passed from the transmitting circuit to the receiving circuit
  • a spurious component may wrap around through the wiring or the terminal, and the reception sensitivity of the other reception circuit may be deteriorated.
  • high integration of RF parts is progressing, and the distance between modules and wirings becomes close, causing a problem that signals wrap around.
  • Patent Document 1 does not mention the problem that the reception sensitivity of the other receiving circuit is deteriorated due to the spurious component wrapping around.
  • a filter is arranged at the latter stage of the LNA.
  • a spurious component may wrap around through a wiring or a terminal and deteriorate the reception sensitivity of the other receiving circuit. There is.
  • the present invention provides a high-frequency module that can effectively suppress deterioration in reception sensitivity caused by spurious components generated in an LNA from one receiving circuit to the other receiving circuit during simultaneous transmission and reception of two or more waves. With the goal.
  • a high frequency module for simultaneously transmitting and receiving a plurality of signals including at least a reception signal in a first frequency band and a reception signal in a second frequency band.
  • a first receiving circuit for processing a received signal in the first frequency band comprising: a first substrate; a first low noise amplifier mounted on a main surface of the first substrate; A first filter circuit connected to an output terminal of the first low noise amplifier and at least a part of which is formed on the main surface of the first substrate, wherein the first filter circuit has the first frequency band. It has a frequency band that is included in the transmission signal of the first frequency band and that overlaps with the frequency band of the reception signal of the second frequency band, which is generated when the transmission signal is input to the first low noise amplifier. Attenuate that spurious components.
  • the first filter circuit having an attenuation characteristic with respect to the spurious component of the transmission signal in the first frequency band is connected to the output terminal of the first LNA, and the first LNA and the first filter circuit are configured in the same package.
  • the spurious component of the transmission signal in the first frequency band output from the first LNA module is attenuated by the first filter circuit.
  • configuring the first LNA and the first filter circuit in the same package indicates, for example, that the first LNA and the first filter circuit are mounted on the same surface of the substrate.
  • the connection wiring length between the first LNA and the first filter circuit is shortened, and the insertion loss of the first filter circuit is reduced.
  • the first reception circuit From this, the spurious component that wraps around the second receiving circuit that processes the received signal in the second frequency band is attenuated, and as a result, it is possible to suppress the deterioration of the receiving sensitivity in the second frequency band.
  • the isolation between the first receiving circuit and the second receiving circuit is an isolation between the wirings in the subsequent stage of the LNA module and between the RFIC terminals.
  • the first filter circuit may include a variable capacitor and have a variable attenuation frequency.
  • the attenuation frequency of the first filter circuit is set to the target spurious component. Can easily adjust to frequency.
  • the attenuation frequency is adjusted using a variable capacitor.
  • the circuit scale can be reduced as compared with a circuit in which a plurality of filter elements (for example, SAW filters) whose attenuation frequency is fixed to a spurious component for each frequency band are switched by a switch.
  • the control of the variable capacitor can be performed by an IC (integrated circuit) built in the switch.
  • IC integrated circuit
  • the control wiring is simplified and the miniaturization is achieved.
  • the attenuation pole can be made variable by using a variable capacitor, it is necessary to provide a filter corresponding to each frequency band at the output terminal when multiple signals in different frequency bands are output alternatively from the same output terminal. Disappear. Therefore, downsizing, cost reduction, and loss reduction are achieved by reducing the number of elements.
  • the filter pole can be adjusted by the IC, the design margin may be small.
  • another part of the first filter circuit may be formed inside the first substrate.
  • the first Electromagnetic field coupling may occur between the elements constituting the filter circuit and the elements arranged in the previous stage of the first LNA, which may degrade isolation.
  • the isolation between the first filter circuit and the element arranged in the previous stage of the first LNA is insufficient, the attenuation characteristic is deteriorated, or an element (for example, an inductor) constituting a part of the first filter circuit and the previous stage of the first LNA.
  • an element for example, an inductor
  • electromagnetic coupling can be suppressed by forming at least a part of the first filter circuit in the substrate.
  • an element for example, an inductor
  • a part of the first filter circuit formed in the first substrate may be a built-in inductor formed by a wiring pattern.
  • the first filter circuit is connected between the output terminal of the first low noise amplifier and a ground potential, and has a transmission line that exhibits a short-circuit characteristic with respect to even-order spurious components of the transmission signal in the first frequency band.
  • a short stub may be included.
  • the phrase “connected to the ground potential” means that it is connected to a power supply node that supplies the ground potential, and the same term is used in the following description.
  • the short stub including the transmission line is formed with respect to the spurious component output from the first LNA, the first filter circuit having the attenuation pole in the frequency of the spurious component and having a small insertion loss is provided. It can be configured with a small number of parts.
  • the high frequency module further includes a second receiving circuit that processes a received signal in the second frequency band, and the second receiving circuit is connected to a second low noise amplifier and an output terminal of the second low noise amplifier.
  • a second reception circuit including a second filter circuit having an attenuation characteristic with respect to a spurious component of the transmission signal in the second frequency band.
  • the same effect as described for the first receiving circuit can be obtained in the second receiving circuit. That is, even when two or more signals are simultaneously transmitted and received, even if the spurious component of the transmission signal in the second frequency band and the reception signal in the first frequency band fall within the same frequency range, the second receiving circuit The spurious component that wraps around the first receiving circuit is attenuated, and as a result, it is possible to suppress the deterioration of the receiving sensitivity in the first frequency band.
  • a first transmission line having a first end connected to the output end of the first low noise amplifier; a second transmission line having a first end connected to the output end of the second low noise amplifier; A variable capacitor connected to a ground potential; and a switch that selectively connects the second end of the variable capacitor to one of the output end of the first low noise amplifier and the output end of the second low noise amplifier.
  • a second end of the first transmission line is connected to a second end of the second transmission line, and the first transmission line, the second transmission line, and the variable capacitor are: (i) the variable capacitor In a first state in which the second end of the second low-noise amplifier and the output end of the second low-noise amplifier are connected, a ground potential, the variable capacitor, and the second transmission line are electrically connected to each other.
  • Frequency band A first filter circuit having a short-circuit characteristic with respect to an even-order spurious component of the received signal; and (ii) a second connected to the second end of the variable capacitor and the output end of the first low-noise amplifier.
  • the second filter exhibiting a short-circuit characteristic with respect to the even-order spurious component of the transmission signal in the second frequency band by electrically connecting the ground potential, the variable capacitor, and the first transmission line.
  • a circuit may be configured.
  • the second transmission line and the variable capacitor become short stubs with respect to the spurious component of the transmission signal in the first frequency band, so that the second transmission line and the variable capacitor have attenuation characteristics with respect to the spurious component.
  • One filter circuit is configured. Therefore, the first spurious component output from the first LNA is attenuated by the first filter circuit, and the first spurious component at the connection point between the second end of the first transmission line and the second end of the second transmission line is attenuated. To do.
  • the first transmission line and the variable capacitor become short stubs with respect to the spurious component of the transmission signal in the second frequency band, so that the second filter circuit having attenuation characteristics with respect to the spurious component is obtained. Composed. Therefore, the second spurious component output from the second LNA is attenuated by the second filter circuit, and the second spurious component at the connection point between the second end of the first transmission line and the second end of the second transmission line is attenuated. To do.
  • one of the first spurious component and the second spurious component can be selectively attenuated in accordance with the state of the switch with the minimum number of parts by combining the first transmission line, the second transmission line, and the variable capacitor.
  • a filter circuit is configured.
  • variable capacitor it is possible to switch and finely adjust the attenuation frequency, and to construct a filter circuit with a small insertion loss and a small circuit scale.
  • a communication apparatus includes the high-frequency module and an RF signal processing circuit that receives a high-frequency reception signal from the high-frequency module.
  • the simultaneous transmission / reception of signals of two or more waves is performed by using the high-frequency module that can effectively suppress the spurious component that causes deterioration in reception sensitivity in the case of simultaneous transmission / reception of signals of two or more waves.
  • a communication device having excellent reception sensitivity can be obtained.
  • the high-frequency module and the communication device According to the high-frequency module and the communication device according to the present invention, the high-frequency module that can effectively suppress the deterioration of the reception sensitivity when simultaneously transmitting and receiving signals of two or more waves, and the simultaneous transmission and reception of signals of two or more waves A communication device having excellent reception sensitivity can be obtained.
  • FIG. 1 is a block diagram illustrating an example of a configuration of a communication apparatus according to Embodiment 1.
  • FIG. 2 is a block diagram illustrating an example of a configuration of a communication apparatus according to a modification of the first embodiment.
  • FIG. 3A is a side view showing a configuration example of a first receiving circuit according to Embodiment 2.
  • FIG. 3B is a side view showing a configuration example of the first receiving circuit according to Embodiment 2.
  • FIG. 3C is a perspective view illustrating a configuration example of an RF module according to Embodiment 2.
  • FIG. 4 is a circuit diagram showing an example of a filter circuit according to the third embodiment.
  • FIG. 5 is a graph illustrating an example of the attenuation characteristic of the filter circuit according to the third embodiment.
  • FIG. 6 is a circuit diagram illustrating another example of the filter circuit according to the third embodiment.
  • FIG. 7 is a block diagram illustrating an example of a functional configuration of the communication apparatus according to the fourth embodiment.
  • FIG. 8 is a block diagram showing an example of the configuration of a system having a conventional tunable RF module.
  • the high-frequency module according to Embodiment 1 (hereinafter also referred to as “RF module”) is a front-end circuit that performs simultaneous transmission and reception of two or more signals in a first frequency band and a second frequency band.
  • FIG. 1 is a block diagram illustrating a functional example of the communication apparatus according to the first embodiment.
  • FIG. 1 shows a main part of a communication apparatus including an RFIC (integrated circuit) 50, a front-end circuit 10, diplexers 71 and 72, and antenna terminals (not shown) connected to the antennas 81 and 82.
  • the front end circuit 10 includes a first transmission / reception circuit 11, a second transmission / reception circuit 12, a first reception circuit 21, and a second reception circuit 22.
  • the RF module 2 includes a first receiving circuit 21 and a second receiving circuit 22.
  • the first transmission / reception circuit 11 amplifies the transmission signal Tx1 in the first frequency band supplied from the RFIC 50 and supplies the amplified signal to the diplexer 71.
  • the second transmission / reception circuit 12 amplifies the transmission signal Tx2 in the second frequency band supplied from the RFIC 50 and supplies the amplified signal to the diplexer 71.
  • the frequency of the transmission signal Tx1 in the first frequency band is expressed as fTx1
  • the frequency of the transmission signal Tx2 in the second frequency band is expressed as fTx2 .
  • the diplexer 71 is an element that shares an antenna 81 having a function of demultiplexing or combining transmission / reception signals in the first frequency band and the second frequency band.
  • the antenna 81 transmits and receives signals.
  • the antenna 82 receives a signal including the reception signal Rx1 in the first frequency band and the reception signal Rx2 in the second frequency band, and supplies the signal to the diplexer 72.
  • the frequency of the reception signal Rx1 in the first frequency band is expressed as fRx1
  • the frequency of the reception signal Rx2 in the second frequency band is expressed as fRx2 .
  • the diplexer 72 separates the received signal Rx1 of the first frequency band and the received signal Rx2 of the second frequency band from the antenna signal, and the separated received signal Rx1 of the first frequency band and the received signal Rx2 of the second frequency band. Are supplied to the first receiving circuit 21 and the second receiving circuit 22, respectively.
  • the first receiving circuit 21 has a first LNA 211 and a first filter circuit 212.
  • the first receiving circuit 21 may further include a first matching element 231.
  • the first reception circuit 21 amplifies the reception signal Rx1 in the first frequency band by the first LNA 211, attenuates an undesired frequency component signal included in the reception signal Rx1 after amplification by the first filter circuit 212, and sends it to the RFIC 50 Supply.
  • the first matching element 231 constitutes a first matching circuit for impedance matching at the input end of the first LNA 211.
  • the first matching element 231 is connected between the input end of the first receiving circuit 21 and the input end of the first LNA 211, but is not limited to this example.
  • the first matching element 231 may be connected between a signal path connecting the input end of the first receiving circuit 21 and the input end of the first LNA 211 and the ground potential.
  • the first matching circuit may be composed of a plurality of elements including the first matching element 231.
  • the first filter circuit 212 having an attenuation characteristic for the spurious component of the transmission signal in the first frequency band is connected to the output terminal of the first LNA 211, and the first LNA 211 and the first filter circuit 212 are configured in the same package. Thereby, the first filter circuit 212 attenuates the spurious component of the transmission signal in the first frequency band output from the first LNA 211.
  • configuring the first LNA 211 and the first filter circuit 212 in the same package indicates, for example, that the first LNA 211 and the first filter circuit 212 are mounted on the same surface of the substrate.
  • the first receiving circuit 21 mounts other elements including the first LNA 211, the first filter circuit 212, and the first matching element 231 on a substrate, and seals the mounted elements and circuits after resin sealing. It may be formed by forming a shield film on the resin. The structural features and effects of the first receiving circuit 21 will be described in detail later.
  • the second receiving circuit 22 has a second LNA 221 and a first filter circuit 222.
  • the second receiving circuit 22 may further include a second matching element 232.
  • the second reception circuit 22 amplifies the reception signal Rx2 in the second frequency band by the second LNA 221 and attenuates an undesired frequency component signal included in the amplified reception signal Rx2 by the second filter circuit 222 to the RFIC 50. Supply.
  • the second matching element 232 forms a second matching circuit for impedance matching at the input end of the second LNA 221.
  • the second matching element 232 is connected between a signal path connecting the input terminal of the second receiving circuit 22 and the input terminal of the second LNA 221 and the ground potential, but the present invention is not limited to this example.
  • the second matching element 232 may be connected between the input terminal of the second receiving circuit 22 and the input terminal of the second LNA 221.
  • the second matching circuit may be composed of a plurality of elements including the second matching element 232.
  • a second filter circuit 222 having an attenuation characteristic with respect to a spurious component of the transmission signal in the second frequency band is connected to the output terminal of the second LNA 221, and the second LNA 221 and the second filter circuit 222 are configured in the same package. As a result, the spurious component of the transmission signal in the second frequency band output from the second LNA 221 is attenuated.
  • configuring the second LNA 221 and the second filter circuit 222 in the same package means, for example, that the second LNA 221 and the second filter circuit 222 are mounted on the same surface of the substrate.
  • the second receiving circuit 22 mounts other elements including the second LNA 221, the second filter circuit 222, and the second matching element 232 on a substrate, and seals the mounted elements and circuits after resin sealing. It may be formed by forming a shield film on the resin. The structural features and effects of the second receiving circuit 22 will be described in detail later.
  • the communication apparatus configured as described above, it is possible to simultaneously transmit and receive signals of two or more waves in the first frequency band and the second frequency band, such as CA and COEX (Co-Existence).
  • CA and COEX Co-Existence
  • the RF module 2 uses the first filter circuit 212 having an attenuation characteristic with respect to the spurious component of the transmission signal Tx1 in the first frequency band.
  • the attenuation characteristic with respect to the spurious component of the transmission signal Tx1 in the first frequency band refers to a characteristic in which the frequency nf Tx1 (n is a natural number of 2 or more) of the spurious component is outside the passband.
  • the specific configuration of the first filter circuit 212 is not limited as long as it has an attenuation characteristic with respect to the spurious component of the transmission signal Tx1.
  • the first filter circuit 212 connects a resonance circuit between the output terminal of the first LNA 211 and the ground potential, and has a notch filter (a low-pass filter having an attenuation pole and an attenuation pole provided with an attenuation pole at a frequency of a target spurious component). Including a high-pass filter) (not shown).
  • the low-pass filter is also referred to as LPF.
  • the high-pass filter is also called HPF. Since the notch filter attenuates the target spurious component pinpoint, it is possible to minimize the deterioration of the insertion loss.
  • the first filter circuit 212 is not limited to a notch filter, and may be a low-pass filter (hereinafter also referred to as LPF), a high-pass filter (hereinafter also referred to as HPF), or a bandpass filter (hereinafter also referred to as BPF). .
  • LPF low-pass filter
  • HPF high-pass filter
  • BPF bandpass filter
  • the first receiving circuit 21 is configured to suppress deterioration of receiving sensitivity when two or more signals are simultaneously transmitted / received by the attenuation characteristic of the first filter circuit 212.
  • the RF module 2 since the first filter circuit 212 attenuates the spurious component, the requirement for anti-spurious measures against isolation between the antenna 81 and the first receiving circuit 21 is alleviated. As a result, the degree of freedom in designing the component arrangement and the wiring pattern is increased.
  • the spurious component can be attenuated by reducing the amplification distortion of the first LNA 211.
  • the transistor of the first LNA 211 needs to be enlarged and driven with a large current, and the module is increased in size and the battery is sustained. Another problem arises, such as time savings.
  • the spurious component is attenuated by the first filter circuit 212, it is allowed that a certain amount of spurious component is generated from the first LNA 211. Accordingly, when simultaneous transmission / reception of signals of two or more waves is performed without excessively increasing the size of the first LNA 211 and increasing the current consumption, spurious components generated in the LNA circulate from the first receiving circuit to the second receiving circuit.
  • the first receiving circuit 21 that can suppress the deterioration of the receiving sensitivity is obtained.
  • the second receiving circuit 22 has the same configuration as that of the first receiving circuit 21.
  • the wiring and terminals are used.
  • Signals used in two-wave simultaneous transmission / reception include, for example, Band 13 (Tx: 777 to 787 MHz) and GPS, Band 26 (Tx: 814 to 849 MHz), Wi-Fi (registered trademark) 2G, Band 27 (Tx: 807 to 824 Mhz) And Wi-Fi (registered trademark) 2G, Band 28 (Tx: 703 to 748 MHz) and Band 1, Band 3 (Tx: 1710 to 1785 MHz) and Band 42, Band 1 (Tx: 1920 to 1980 MHz) and Band 43, Band 7 (Tx: 2500 to 2570 MHz) ) And Wi-Fi (registered trademark) 5G.
  • two-wave simultaneous transmission / reception with Co-Existence such as Wi-Fi (registered trademark) and LTE is also possible.
  • the transmission signal goes around from the transmission / reception circuit to the reception circuit
  • the present invention is not limited to this.
  • a transmission signal circulates to the reception side via a duplexer, and a spurious component generated by the LNA wraps around the reception system or reception module of another transmission / reception module, thereby receiving sensitivity. May deteriorate.
  • the reception circuit of the transmission / reception module has the above-described configuration, it is possible to suppress deterioration in reception sensitivity.
  • the RF module 2 is not limited to the example in FIG.
  • an RF module including a receiving circuit using a filter circuit having a variable frequency characteristic will be described.
  • FIG. 2 is a block diagram illustrating a functional example of the communication apparatus according to the modification of the first embodiment.
  • the front end circuit 10a shown in FIG. 2 is different from the front end circuit 10 of FIG. 1 in that the RF module 2a uses the first filter circuit 212a for the first receiving circuit 21a and the second receiving circuit 22a for the second. The difference is that the filter circuit 222a is used.
  • the first filter circuit 212a and the second filter circuit 222a are filter circuits each including a variable element (for example, a variable capacitor or a variable inductor) that can adjust the attenuation frequency.
  • a variable element for example, a variable capacitor or a variable inductor
  • the first reception circuit 21a and the second reception circuit 22a each receive a reception signal in a target frequency band selected from a plurality of frequency bands.
  • the attenuation frequency can be easily adjusted to the frequency of the target spurious component.
  • the attenuation frequency of the first filter circuit 212a and the second filter circuit 222a By adjusting the attenuation frequency of the first filter circuit 212a and the second filter circuit 222a by using a variable capacitor, for example, it has a wide attenuation band capable of collectively attenuating a plurality of spurious components in different frequency bands. Compared with the filter circuit, the insertion loss can be reduced. In addition, the circuit scale can be reduced as compared with a circuit in which a plurality of filter elements (for example, SAW filters) whose attenuation frequency is fixed to a spurious component for each frequency band are switched by a switch.
  • a plurality of filter elements for example, SAW filters
  • the first filter circuit 212a connects a resonance circuit including a variable capacitor between the output terminal of the first LNA 211 and the ground potential, and a variable notch filter (attenuation) capable of moving the attenuation pole to the frequency of the target spurious component. (Including LPF and HPF having poles) (not shown).
  • the second filter circuit 222a may also be a variable notch filter configured similarly. Since the variable notch filter attenuates the target spurious component at a pinpoint, it is possible to minimize the deterioration of the insertion loss and NF (noise figure).
  • the first filter circuit 212a and the second filter circuit 222a in addition to selecting a target spurious component from a plurality of spurious components in different frequency bands, for example, compensating for characteristic variation for each receiving circuit. Fine adjustment of the frequency is possible. Thereby, the attenuation characteristics of a plurality of receiving circuits can be easily unified even after the receiving circuits are completed.
  • FIG. 3A is a side view showing an example of the configuration of the first receiving circuit 21.
  • the first receiving circuit 21 is configured by arranging the first LNA 211, the first filter circuit 212, and the matching element 231 on the same surface of the same substrate 210.
  • the first LNA 211 is a surface-mount type chip transistor, and is bonded to one main surface of the first substrate 210 via a conductive bonding material such as solder.
  • the first filter circuit 212 is configured by connecting an LC resonance circuit in which a capacitor element 213 and an inductor 214 are connected in series between the output terminal of the first LNA 211 and the ground potential.
  • the capacitor element 213 is a surface mount type chip capacitor, and is bonded to the one main surface of the substrate 210 via a conductive bonding material such as solder.
  • the inductor 214 is a substrate built-in type inductor, and is formed of a conductor pattern disposed on the inner layer of the substrate 210.
  • the matching element 231 is a surface-mount type chip inductor, and is bonded to the one main surface of the substrate 210 via a conductive bonding material such as solder.
  • the connection wiring between the first LNA 211 and the first filter circuit 212 is shortened, and the first filter The insertion loss of the circuit 212 is reduced.
  • the first filter circuit 212 in the example of FIG. 3A
  • an element for example, the matching element 231 disposed in front of the first LNA and the first filter Isolation with the circuit 212 can be secured, and problems such as deterioration of attenuation characteristics and oscillation due to insufficient isolation can be suppressed.
  • the second receiving circuit 22 is configured similarly to the first receiving circuit 21 of FIG. 3A. Further, the first receiving circuit 21a and the second receiving circuit 22a change the capacitor element 213 of the first receiving circuit 21 in FIG. 3A to a variable capacitor (which may include a control IC or a driver for changing the capacitance). Configured.
  • the second LNA 221, the second filter circuit 222, and the second matching element 232 are arranged on the same main surface of the same substrate, or at least a part of the second filter circuit 222 is disposed.
  • the substrate By forming in the substrate, it is possible to obtain an effect of reducing insertion loss and suppressing defects such as deterioration of attenuation characteristics and oscillation.
  • the first LNA 211, the first filter circuit 212a, and the first matching element 231 are disposed on the same main surface of the same substrate, or at least a part of the first filter circuit 212a is disposed.
  • the substrate By forming in the substrate, it is possible to obtain an effect of reducing insertion loss and suppressing defects such as deterioration of attenuation characteristics and oscillation.
  • the second LNA 221, the second filter circuit 222a, and the second matching element 232 are disposed on the same main surface of the same substrate, or at least a part of the second filter circuit 222a is disposed.
  • the substrate By forming in the substrate, it is possible to obtain an effect of reducing insertion loss and suppressing defects such as deterioration of attenuation characteristics and oscillation.
  • the first receiving circuit 21 and the second receiving circuit 22 are provided on different substrates, and isolation is performed, whereby a spurious component and a second component that wrap around from the first receiving circuit 21 to the second receiving circuit 22 are obtained. Any spurious component that wraps around from the receiving circuit 22 to the first receiving circuit 21 can be reduced.
  • FIG. 3B is a side view showing an example of the configuration of the first receiving circuit 21b.
  • the first LNA 211, the capacitor element 213, and the matching element 231 are sealed with a resin 233, and a conductive shield film 234 is formed on the surface of the resin 233.
  • first receiving circuit 21 and the second receiving circuit 22 are formed of different substrates.
  • FIG. 3C is a perspective view showing an example of the package structure of the RF module 2b in which the first receiving circuit 21 and the second receiving circuit 22 are formed on the same main surface of the same substrate.
  • the first receiving circuit 21 and the second receiving circuit 22 are formed in the first region R1 and the second region R2, respectively.
  • a shield film 234 is formed on the surface of the resin 233 that seals the first receiving circuit 21 and the second receiving circuit 22, and a shield wall 235 is formed inside the resin 233.
  • the shield wall 235 is provided with a groove in the resin 233 between the first region R1 and the second region R2, and is filled with a conductive paste mainly composed of copper (Cu) or silver (Ag). It may be formed by doing.
  • the shield wall 235 is connected to the shield film 234.
  • the RF module in which the first receiving circuit 21 and the second receiving circuit 22 are formed on the same main surface of the same substrate and the isolation between the first receiving circuit 21 and the second receiving circuit 22 is ensured. 2 is obtained.
  • FIG. 4 is a circuit diagram showing an example of a filter circuit according to the third embodiment.
  • FIG. 4 corresponds to the first receiving circuit 21 a of FIG. 2, and shows a specific configuration example of the first filter circuit 212 a together with the first LNA 211.
  • the first filter circuit 212a in FIG. 4 includes a transmission line 215, a switch 216, and a variable capacitor 217.
  • the transmission line 215 is a transmission line that exhibits short characteristics with respect to the even-order spurious component of the transmission signal Tx1 in the first frequency band.
  • the first end of the transmission line 215 is connected to the output end of the first LNA 211, and the second end is connected to the ground potential via the variable capacitor 217 depending on the state of the switch 216.
  • the first filter circuit 212a is connected between the output terminal of the LNA 211 and the ground potential, and has the transmission line 215 that exhibits a short-circuit characteristic with respect to the spurious component of the transmission signal Tx1 in the first frequency band. Good.
  • the first filter circuit 212a is connected between the ground potential GND, the output terminal of the first LNA 211, and the ground potential GND, and exhibits a short characteristic with respect to the even-order spurious component of the transmission signal Tx1 in the first frequency band.
  • a short stub A including the transmission line 215 is included.
  • the short stub A including the transmission line 215 is formed for the spurious component output from the first LNA 211. Therefore, the first filter has an attenuation pole at the frequency of the spurious component and has a small insertion loss.
  • the circuit 212a is configured with a small number of parts.
  • FIG. 5 is a graph showing an example of the attenuation characteristic of the first filter circuit 212a.
  • the attenuation pole can be made variable as shown in FIG. 5 by directly connecting the transmission line 215 to the ground potential and changing the capacitance of the variable capacitor 217.
  • FIG. 6 is a circuit diagram showing another example of the filter circuit according to the third embodiment.
  • FIG. 6 corresponds to a circuit in which the first receiving circuit 21a and the second receiving circuit 22a of FIG. 2 are integrated so as to share the output terminal, and specific examples of the first filter circuit 212a and the second filter circuit 222a.
  • the first LNA 211 and the second LNA 221 are shown.
  • the first filter circuit 212a and the second filter circuit 222a in FIG. 6 include a first transmission line 225, a second transmission line 215a, a variable capacitor 218, and a switch 219.
  • the first end of the first transmission line 225 is connected to the output end of the first LNA 211.
  • the first end of the second transmission line 215a is connected to the output end of the second LNA 221.
  • the variable capacitor 218 has a first end connected to the ground potential GND.
  • the switch 219 selectively connects the second end of the variable capacitor 218 to one of the output end of the first LNA 211 and the output end of the second LNA 221.
  • the second end of the first transmission line 225 and the second end of the second transmission line 215a are connected to each other.
  • a first filter circuit 212a including a short stub B showing a short characteristic with respect to an even-order spurious component (hereinafter referred to as a first spurious component) of the transmission signal Tx1 in the first frequency band is configured.
  • the first spurious component output from the first LNA 211 is attenuated by the first filter circuit 212a, and at the connection point between the second end of the first transmission line 215a and the second end of the second transmission line 225.
  • the first spurious component is attenuated.
  • a second filter circuit 222a including a stub C showing a short characteristic with respect to the even-order spurious component (hereinafter referred to as a second spurious component) of the transmission signal Tx2 is configured.
  • the second spurious component output from the second LNA 221 is attenuated by the second filter circuit 222a, and at the connection point between the second end of the first transmission line 215a and the second end of the second transmission line 225.
  • the second spurious component is attenuated.
  • the first transmission line 215a, the second transmission line 225, and the variable capacitor 218 constitute one of the first filter circuits 212a and 222a depending on the state of the switch 219.
  • one of the first spurious component and the second spurious component is selected according to the state of the switch 219 with the minimum number of parts by combining the first transmission line 215a, the second transmission line 225, and the variable capacitor 218.
  • a filter circuit that can be attenuated is configured.
  • FIG. 7 is a block diagram illustrating an example of a functional configuration of the communication device 1 according to the third embodiment.
  • the communication device 1 includes a baseband signal processing circuit 40, an RF signal processing circuit 50, a front end circuit 60, diplexers 71 and 72, and antennas 81 and 82.
  • the front-end circuit 60 the front-end circuit 10 or 10a including the RF module described in the first embodiment and its modification is used.
  • the baseband signal processing circuit 40 converts transmission data generated by an application device / application software that performs voice call or image display into a transmission signal and supplies the signal to the RF signal processing circuit 50.
  • the conversion may include data compression, multiplexing, and error correction code addition.
  • the received signal received from the RF signal processing circuit 50 is converted into received data and supplied to the application device / application software. Such conversion may include data decompression, demultiplexing, and error correction.
  • the baseband signal processing circuit 40 may be composed of a baseband integrated circuit (BBIC) chip.
  • BBIC baseband integrated circuit
  • the RF signal processing circuit 50 converts the transmission signal generated by the baseband signal processing circuit 40 into a transmission RF signal and supplies it to the front end circuit 60.
  • the conversion may include signal modulation and up-conversion.
  • the RF signal processing circuit 50 converts the received RF signal received from the front end circuit 60 into a received signal and supplies the received signal to the baseband signal processing circuit 40.
  • the conversion may include signal demodulation and down-conversion.
  • the RF signal processing circuit 50 may be composed of a high frequency integrated circuit (RFIC) chip.
  • the RF signal processing circuit 50 generates transmission signals Tx1 and Tx2 in different frequency bands in parallel in order to perform simultaneous transmission and reception of signals of two or more waves, and receives signals Rx1 in different frequency bands from the front end circuit 60. , Rx2 are received in parallel.
  • the front end circuit 60 amplifies the transmission signals Tx1 and Tx2 for each frequency band generated by the RF signal processing circuit 50 with a power amplifier.
  • the diplexer 71 combines the transmission RF signals Tx1 and Tx2 for each frequency band and transmits them by the antenna 81.
  • the diplexer 72 separates the received signals Rx1 and Rx2 for each frequency band from the signal received by the antenna 82.
  • the front-end circuit 60 amplifies the received signals Rx1 and Rx2 for each separated frequency band with an LNA, attenuates spurious components of the transmission signals Tx1 and Tx2, and then supplies the signals to the RF signal processing circuit 50.
  • the communication device by using the front-end circuit 60 or 60a including an RF module that effectively suppresses spurious components that cause deterioration in reception sensitivity when signals of two or more waves are simultaneously transmitted and received, 2 A communication device having excellent reception sensitivity in the case of simultaneous transmission / reception of signals exceeding a wave can be obtained.

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Abstract

第１周波数帯の受信信号と第２周波数帯の受信信号とを少なくとも含む複数の信号を同時に送受信するための高周波モジュール（２）は、前記第１周波数帯の受信信号を処理する第１受信回路（２１）を備え、第１受信回路（２１）は、第１基板と、前記第１基板の主面に実装された第１ローノイズアンプ（２１１）と、第１ローノイズアンプ（２１１）の出力端に接続され、少なくとも一部が前記第１基板の前記主面に形成された第１フィルタ回路（２１２）と、を含み、第１フィルタ回路（２１２）は、前記第１周波数帯の送信信号が第１ローノイズアンプ（２１１）に入力されることによって発生した、前記第１周波数帯の送信信号に含まれかつ前記第２周波数帯の受信信号の周波数帯域と重複する周波数帯域を有するスプリアス成分を減衰させる。

Description

高周波モジュール及び通信装置
　本発明は高周波モジュール及び通信装置に関し、特に、２波以上の信号の同時送受信を行うための高周波モジュール及びそれを用いて構成される通信装置に関する。
　近年、キャリアアグリゲーション（以下ＣＡとも記す）など、周波数帯が異なる複数の電波を同時に用いて高速かつ大容量の無線通信を行う技術が導入されている。例えば、チューナブルＲＦ（高周波）フロントエンド構造を有し、ＣＡ動作可能なシステムが公知となっている（特許文献１）。
　図８は、特許文献１に開示されるシステムの構成を示すブロック図である。図８に示されるシステム９００は、セカンダリ受信システム９２０内に、チューナブルＲＦモジュール９５０、９６０を備えている。チューナブルＲＦモジュール９５０は、１．７～２．７ＧＨｚのＭＢ／ＨＢ（ミドルバンド／ハイバンド）グループに属する周波数帯の受信信号を、「ローノイズアンプ（以下、「ＬＮＡ」ということもある。）９５４で増幅する。チューナブルＲＦモジュール９６０は、０．７～１．０ＧＨｚのＬＢ（ローバンド）グループに属する周波数帯の受信信号を、ＬＮＡ９６４で増幅する。
　システム９００は、例えば、ＭＢ／ＨＢバンドグループに属する周波数帯と、ＬＢバンドグループに属する周波数帯とを用いてＣＡ動作することができる。特許文献１は、周波数帯が異なる複数の信号を受信するＣＡでは、所望の受信信号から帯域外信号を減衰することが課題になると指摘し、アンテナから回り込む送信信号を帯域外信号の一例として挙げている。
米国特許出願公開第２０１５／０２１４９８５号明細書
　２波以上の信号の同時送受信を行う場合であって、ひとつの受信回路で発生するスプリアス成分（たとえば、送信回路から受信回路に回りこんだ送信信号を基に発生するスプリアス成分）が、他方の受信回路の受信周波数と重なる場合、配線や端子を介してスプリアス成分が回り込んで他方の受信回路の受信感度を劣化させる場合がある。また、ＲＦ部品の高集積化が進んでおり、モジュール同士や配線同士の距離が近くなり、信号が回り込むことが問題となっている。
　しかしながら、特許文献１では、スプリアス成分が回り込むことによって他方の受信回路の受信感度を劣化させるという課題に言及していない。例えば、特許文献１の図４では、ＬＮＡ後段にフィルタが配置されているが、フィルタによる減衰の前に配線や端子を介してスプリアス成分が回り込んで他方の受信回路の受信感度を劣化させる恐れがある。
　そこで、本発明は、２波以上の同時送受信時において、ＬＮＡで発生するスプリアス成分が一方の受信回路から他方の受信回路に回り込むことによる受信感度劣化を効果的に抑制できる高周波モジュールを提供することを目的とする。
　上記目的を達成するために、本発明の一態様に係る高周波モジュールは、第１周波数帯の受信信号と第２周波数帯の受信信号とを少なくとも含む複数の信号を同時に送受信するための高周波モジュールであって、前記第１周波数帯の受信信号を処理する第１受信回路を備え、前記第１受信回路は、第１基板と、前記第１基板の主面に実装された第１ローノイズアンプと、前記第１ローノイズアンプの出力端に接続され、少なくとも一部が前記第１基板の前記主面に形成された第１フィルタ回路と、を含み、前記第１フィルタ回路は、前記第１周波数帯の送信信号が前記第１ローノイズアンプに入力されることによって発生した、前記第１周波数帯の送信信号に含まれかつ前記第２周波数帯の受信信号の周波数帯域と重複する周波数帯域を有するスプリアス成分を減衰させる。
　上記の構成により、第１ＬＮＡの出力端に、第１周波数帯の送信信号のスプリアス成分に対する減衰特性を有する第１フィルタ回路を接続し、第１ＬＮＡと第１フィルタ回路とを同一パッケージで構成することによって、第１ＬＮＡモジュールから出力される第１周波数帯の送信信号のスプリアス成分を第１フィルタ回路で減衰させる。なお、第１ＬＮＡと第１フィルタ回路とを同一パッケージで構成するとは、例えば、第１ＬＮＡと第１フィルタ回路とが基板の同一面上に実装されていることを表す。
　第１ＬＮＡと第１フィルタ回路とを同一パッケージで構成することにより、第１ＬＮＡと第１フィルタ回路との接続配線長が短縮され、第１フィルタ回路の挿入損失が低減する。
　これにより、２波以上の信号の同時送受信を行う場合において第１周波数帯の送信信号のスプリアス成分と第２周波数帯の受信信号とが同じ周波数範囲に入る場合であっても、第１受信回路から第２周波数帯の受信信号を処理する第２受信回路に回り込むスプリアス成分を減衰し、その結果、第２周波数帯の受信感度の劣化を抑制することができる。
　上記の構成によれば、第１周波数帯のＬＮＡで発生するスプリアス成分は第１フィルタ回路によって減衰されるので、第１受信回路と第２受信回路との間のアイソレーションに対するスプリアス対策のための要求は緩和される。その結果、部品配置や配線パターンなどの設計の自由度が高まる。ここで、第１受信回路と第２受信回路との間のアイソレーションとは、ＬＮＡモジュールの後段の配線同士や、ＲＦＩＣ端子間のアイソレーションのことである。
　また、前記第１フィルタ回路は、可変キャパシタを含み、可変の減衰周波数を有してもよい。
　この構成によれば、例えば、第１受信回路が複数の周波数帯の中から選ばれる目的の周波数帯の受信信号を受信する場合などにおいて、第１フィルタ回路の減衰周波数を、目的のスプリアス成分の周波数に容易に調整できる。
　上記の第１フィルタ回路によれば、可変キャパシタを使って減衰周波数を調整するので、例えば、複数の周波数帯のスプリアス成分を一括して減衰させることができる広い減衰帯域を持つフィルタ回路と比べて、挿入損失を小さくできる。また、減衰周波数が周波数帯ごとのスプリアス成分に固定されている複数のフィルタ素子（例えば、ＳＡＷフィルタ）をスイッチで切り替えて使う回路と比べて、回路規模を小さくできる。
　可変キャパシタの制御はスイッチに内蔵されているＩＣ（集積回路）で行うことができる。可変キャパシタをＩＣ内に内蔵することによって、制御配線が簡単になって小型化が達成される。また、可変キャパシタを使うことで減衰極を可変化できるので、異なる周波数帯の複数の信号を同じ出力端子から択一的に出力する場合、各周波数帯に対応するフィルタを出力端子に設ける必要がなくなる。そのため、素子数削減による小型化、低コスト化、及び低ロス化が達成される。さらには、フィルタの極の調整がＩＣでできるので、設計マージンが少なくてよい。
　また、前記第１フィルタ回路の他の一部は前記第１基板の内部に形成されていてもよい。
　例えば、第１フィルタ回路の一部を構成する素子（例えばインダクタ）が実装部品であって、第１ＬＮＡの前段に配置される素子（例えば整合用のインダクタ素子）が実装部品である場合、第１フィルタ回路を構成する素子と、第１ＬＮＡの前段に配置される素子とで電磁界結合が発生し、アイソレーションを劣化させることがある。
　第１フィルタ回路と第１ＬＮＡの前段に配置される素子とのアイソレーションが不十分だと、減衰特性の劣化や、第１フィルタ回路の一部を構成する素子（例えばインダクタ）と第１ＬＮＡの前段に配置される素子（例えばインダクタ）との間で発振が生じる懸念がある。
　これに対し、上記の構成によれば、第１フィルタ回路の少なくとも一部を基板内に形成することで電磁界結合を抑制することができる。その結果、第１ＬＮＡの前段に配置される素子（例えば、インダクタ）と第１フィルタ回路との間のアイソレーションを確保することができ、アイソレーション不足に起因する減衰特性の劣化や発振などの不具合を抑制できる。なお、第１基板内に形成される第１フィルタ回路の一部は、一例として、配線パターンで形成された内蔵インダクタであってもよい。
　また、前記第１フィルタ回路は、前記第１ローノイズアンプの出力端とグランド電位との間に接続され、前記第１周波数帯の送信信号の偶数次スプリアス成分に対してショート特性を示す伝送線路を含むショートスタブを含んでもよい。ここで、グランド電位に接続されるという文言は、グランド電位を供給する電源ノードに接続されることを意味し、以下の説明においても同様の文言を用いる。
　この構成によれば、第１ＬＮＡから出力されるスプリアス成分に対して、伝送線路を含むショートスタブが形成されるので、スプリアス成分の周波数に減衰極を有しかつ挿入損失の小さい第１フィルタ回路を、少ない部品点数で構成できる。
　また、前記高周波モジュールは、前記第２周波数帯の受信信号を処理する第２受信回路をさらに備え、前記第２受信回路は、第２ローノイズアンプと、前記第２ローノイズアンプの出力端に接続され、前記第２周波数帯の送信信号のスプリアス成分に対する減衰特性を有する第２フィルタ回路と、を含む第２受信回路を、さらに備えてもよい。
　この構成によれば、第１受信回路について説明した効果と同様の効果を、第２受信回路において得ることができる。すなわち、２波以上の信号の同時送受信を行う場合において第２周波数帯の送信信号のスプリアス成分と第１周波数帯の受信信号とが同じ周波数範囲に入る場合であっても、第２受信回路から第１受信回路に回り込むスプリアス成分を減衰し、その結果、第１周波数帯の受信感度の劣化を抑制することができる。
　また、第１端が前記第１ローノイズアンプの出力端に接続された第１伝送線路と、第１端が前記第２ローノイズアンプの出力端に接続された第２伝送線路と、第１端がグランド電位に接続された可変キャパシタと、前記可変キャパシタの第２端を、前記第１ローノイズアンプの出力端及び前記第２ローノイズアンプの出力端の何れか一方に選択的に接続するスイッチと、を備え、前記第１伝送線路の第２端と前記第２伝送線路の第２端とが接続され、前記第１伝送線路、前記第２伝送線路、及び前記可変キャパシタは、（ｉ）前記可変キャパシタの第２端と前記第２ローノイズアンプの前記出力端とが接続された第１状態で、グランド電位と前記可変キャパシタと前記第２伝送線路とが電気的に接続されることにより、前記第１周波数帯の送信信号の偶数次スプリアス成分に対してショート特性を示す前記第１フィルタ回路を構成し、（ｉｉ）前記可変キャパシタの第２端と前記第１ローノイズアンプの前記出力端とが接続された第２状態で、グランド電位と前記可変キャパシタと前記第１伝送線路とが電気的に接続されることにより、前記第２周波数帯の送信信号の偶数次スプリアス成分に対してショート特性を示す前記第２フィルタ回路を構成してもよい。
　この構成によれば、第１状態では、第２伝送線路と可変キャパシタとが、第１周波数帯の送信信号のスプリアス成分に対してショートスタブとなることで、当該スプリアス成分に対する減衰特性を有する第１フィルタ回路が構成される。そのため、第１ＬＮＡから出力される第１スプリアス成分は第１フィルタ回路によって減衰され、第１伝送線路の第２端と第２伝送線路の第２端との接続点での第１スプリアス成分が減衰する。
　また、第２状態では、第１伝送線路と可変キャパシタとが、第２周波数帯の送信信号のスプリアス成分に対してショートスタブとなることで、当該スプリアス成分に対する減衰特性を有する第２フィルタ回路が構成される。そのため、第２ＬＮＡから出力される第２スプリアス成分は第２フィルタ回路によって減衰され、第１伝送線路の第２端と第２伝送線路の第２端との接続点での第２スプリアス成分が減衰する。
　これにより、第１伝送線路、第２伝送線路、及び可変キャパシタの兼用による最小限の部品点数で、スイッチの状態に応じて、第１スプリアス成分及び第２スプリアス成分の一方を選択的に減衰できるフィルタ回路が構成される。
　なお、可変キャパシタを用いることで、減衰周波数の切り替え及び微調整が可能で、挿入損失が小さく、かつ回路規模が小さいフィルタ回路が構成できる。
　また、本発明の一態様に係る通信装置は、前記高周波モジュールと、前記高周波モジュールから高周波受信信号を受信するＲＦ信号処理回路と、を備える。
　この構成によれば、２波以上の信号の同時送受信を行う場合における受信感度の劣化要因となるスプリアス成分を効果的に抑制できる高周波モジュールを用いることで、２波以上の信号の同時送受信を行う場合の受信感度に優れた通信装置が得られる。
　本発明に係る高周波モジュール及び通信装置によれば、２波以上の信号の同時送受信を行う場合における受信感度の劣化を効果的に抑制できる高周波モジュール、及び２波以上の信号の同時送受信を行う場合の受信感度に優れた通信装置が得られる。
図１は、実施の形態１に係る通信装置の構成の一例を示すブロック図である。 図２は、実施の形態１の変形例に係る通信装置の構成の一例を示すブロック図である。 図３Ａは、実施の形態２に係る第１受信回路の構成例を示す側面図である。 図３Ｂは、実施の形態２に係る第１受信回路の構成例を示す側面図である。 図３Ｃは、実施の形態２に係るＲＦモジュールの構成例を示す斜視図である。 図４は、実施の形態３に係るフィルタ回路の一例を示す回路図である。 図５は、実施の形態３に係るフィルタ回路の減衰特性の例を示すグラフである。 図６は、実施の形態３に係るフィルタ回路の他の例を示す回路図である。 図７は、実施の形態４に係る通信装置の機能的な構成の一例を示すブロック図である。 図８は、従来のチューナブルＲＦモジュールを有するシステムの構成の一例を示すブロック図である。
　以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。なお、以下で説明する実施の形態は、いずれも包括的又は具体的な例を示すものである。以下の実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置および接続形態などは、一例であり、本発明を限定する主旨ではない。
　（実施の形態１）
　実施の形態１に係る高周波モジュール（以下、「ＲＦモジュール」ということもある）は、第１周波数帯と第２周波数帯とによる２波以上の信号の同時送受信を行うフロントエンド回路である。
　図１は、実施の形態１に係る通信装置の機能的な一例を示すブロック図である。図１には、ＲＦＩＣ（集積回路）５０、フロントエンド回路１０、ダイプレクサ７１、７２、及びアンテナ８１、８２につながるアンテナ端子（図示せず）を備える通信装置の要部が示されている。フロントエンド回路１０は、第１送受信回路１１、第２送受信回路１２、第１受信回路２１、及び第２受信回路２２を有する。ＲＦモジュール２は、第１受信回路２１及び第２受信回路２２を含む。
　第１送受信回路１１は、ＲＦＩＣ５０から供給される第１周波数帯の送信信号Ｔｘ１を増幅してダイプレクサ７１へ供給する。第２送受信回路１２は、ＲＦＩＣ５０から供給される第２周波数帯の送信信号Ｔｘ２を増幅してダイプレクサ７１へ供給する。ここで、第１周波数帯の送信信号Ｔｘ１の周波数をｆＴｘ１と表記し、第２周波数帯の送信信号Ｔｘ２の周波数をｆＴｘ２と表記する。
　ダイプレクサ７１は、第１周波数帯と第２周波数帯の送受信信号を分波もしくは合波する機能を有するアンテナ８１を共用する素子である。アンテナ８１は、信号を送受信する。
　アンテナ８２は、第１周波数帯の受信信号Ｒｘ１と第２周波数帯の受信信号Ｒｘ２とを含む信号を受信し、ダイプレクサ７２へ供給する。ここで、第１周波数帯の受信信号Ｒｘ１の周波数をｆＲｘ１と表記し、第２周波数帯の受信信号Ｒｘ２の周波数をｆＲｘ２と表記する。
　ダイプレクサ７２は、アンテナ信号から第１周波数帯の受信信号Ｒｘ１と第２周波数帯の受信信号Ｒｘ２とを分離し、分離された第１周波数帯の受信信号Ｒｘ１及び第２周波数帯の受信信号Ｒｘ２を、それぞれ第１受信回路２１及び第２受信回路２２へ供給する。
　第１受信回路２１は、第１ＬＮＡ２１１と第１フィルタ回路２１２とを有している。第１受信回路２１は、さらに第１整合素子２３１を有していてもよい。第１受信回路２１は、第１周波数帯の受信信号Ｒｘ１を第１ＬＮＡ２１１で増幅し、増幅後の受信信号Ｒｘ１に含まれる非所望の周波数成分信号を第１フィルタ回路２１２で減衰させて、ＲＦＩＣ５０へ供給する。
　第１整合素子２３１は、第１ＬＮＡ２１１の入力端におけるインピーダンス整合を取るための第１整合回路を構成する。第１整合素子２３１は、一例として、第１受信回路２１の入力端と第１ＬＮＡ２１１の入力端の間に接続されているが、この例には限られない。第１整合素子２３１は、第１受信回路２１の入力端と第１ＬＮＡ２１１の入力端とを結ぶ信号経路とグランド電位との間に接続されていてもよい。第１整合回路は、第１整合素子２３１を含む複数の素子で構成されていてもよい。
　第１ＬＮＡ２１１の出力端に、第１周波数帯の送信信号のスプリアス成分に対する減衰特性を有する第１フィルタ回路２１２を接続し、第１ＬＮＡ２１１と第１フィルタ回路２１２とを同一パッケージで構成する。これによって、第１ＬＮＡ２１１から出力される第１周波数帯の送信信号のスプリアス成分を第１フィルタ回路２１２で減衰させる。
　なお、第１ＬＮＡ２１１と第１フィルタ回路２１２とを同一パッケージで構成するとは、例えば、第１ＬＮＡ２１１と第１フィルタ回路２１２とが基板の同一面上に実装されていることを表す。
　第１受信回路２１は、例えば、第１ＬＮＡ２１１、第１フィルタ回路２１２、および第１整合素子２３１を含むその他の素子を基板に実装し、実装された素子および回路を樹脂封止した後、封止樹脂にシールド膜を成膜することによって形成されていてもよい。第１受信回路２１の構造上の特徴及び効果については、後ほど詳しく説明する。
　第２受信回路２２は、第２ＬＮＡ２２１と第１フィルタ回路２２２とを有している。第２受信回路２２は、さらに第２整合素子２３２を有していてもよい。第２受信回路２２は、第２周波数帯の受信信号Ｒｘ２を第２ＬＮＡ２２１で増幅し、増幅後の受信信号Ｒｘ２に含まれる非所望の周波数成分信号を第２フィルタ回路２２２で減衰させて、ＲＦＩＣ５０へ供給する。
　第２整合素子２３２は、第２ＬＮＡ２２１の入力端におけるインピーダンス整合を取るための第２整合回路を構成する。第２整合素子２３２は、一例として、第２受信回路２２の入力端と第２ＬＮＡ２２１の入力端とを結ぶ信号経路とグランド電位との間に接続されているが、この例には限られない。第２整合素子２３２は、第２受信回路２２の入力端と第２ＬＮＡ２２１の入力端の間に接続されていてもよい。第２整合回路は、第２整合素子２３２を含む複数の素子で構成されていてもよい。
　第２ＬＮＡ２２１の出力端に、第２周波数帯の送信信号のスプリアス成分に対する減衰特性を有する第２フィルタ回路２２２を接続し、第２ＬＮＡ２２１と第２フィルタ回路２２２とを同一パッケージで構成する。これによって、第２ＬＮＡ２２１から出力される第２周波数帯の送信信号のスプリアス成分を減衰させる。
　なお、第２ＬＮＡ２２１と第２フィルタ回路２２２とを同一パッケージで構成するとは、例えば、第２ＬＮＡ２２１と第２フィルタ回路２２２とが基板の同一面上に実装されていることを表す。
　第２受信回路２２は、例えば、第２ＬＮＡ２２１、第２フィルタ回路２２２、および第２整合素子２３２を含むその他の素子を基板に実装し、実装された素子および回路を樹脂封止した後、封止樹脂にシールド膜を成膜することによって形成されていてもよい。第２受信回路２２の構造上の特徴及び効果については、後ほど詳しく説明する。
　このように構成された通信装置によれば、ＣＡ、ＣＯＥＸ（Ｃｏ－Ｅｘｉｓｔｅｎｃｅ）等、第１周波数帯と第２周波数帯とによる２波以上の信号の同時送受信を行うことが可能である。
　ＲＦモジュール２では、第１周波数帯の送信信号Ｔｘ１のスプリアス成分に対する減衰特性を有する第１フィルタ回路２１２を用いる。ここで、第１周波数帯の送信信号Ｔｘ１のスプリアス成分に対する減衰特性とは、当該スプリアス成分の周波数ｎｆＴｘ１（ｎは２以上の自然数）が通過帯域外となる特性を言う。
　第１フィルタ回路２１２は、送信信号Ｔｘ１のスプリアス成分に対する減衰特性を有していれば、具体的な構成は限定されない。第１フィルタ回路２１２は、一例として、第１ＬＮＡ２１１の出力端とグランド電位との間に共振回路を接続し、目的のスプリアス成分の周波数に減衰極を設けたノッチフィルタ（減衰極を有するローパスフィルタ及びハイパスフィルタを含む）であってもよい（図示せず）。以下、ローパスフィルタをＬＰＦともいう。また、ハイパスフィルタをＨＰＦともいう。ノッチフィルタは、目的のスプリアス成分をピンポイントで減衰させるので、挿入損失の劣化を最小限に抑えることができる。第１フィルタ回路２１２は、ノッチフィルタには限られず、ローパスフィルタ（以下、ＬＰＦとも言う）、ハイパスフィルタ（以下、ＨＰＦともいう）、又はバンドパスフィルタ（以下、ＢＰＦともいう）であってもよい。
　ＲＦモジュール２では、第１フィルタ回路２１２の減衰特性によって、２波以上の信号の同時送受信を行う場合における受信感度の劣化を抑制する第１受信回路２１を構成している。
　ＲＦモジュール２では、第１フィルタ回路２１２がスプリアス成分を減衰させるので、アンテナ８１と第１受信回路２１との間のアイソレーションに対するスプリアス対策のための要求は緩和される。その結果、部品配置や配線パターンなどの設計の自由度が高まる。
　スプリアス成分は、例えば、第１ＬＮＡ２１１の増幅歪を低減することによっても減衰できるが、そのためには、第１ＬＮＡ２１１のトランジスタを大型化し、大電流で駆動する必要があり、モジュールの大型化やバッテリーの持続時間の短縮といった別の問題が生じる。
　その点、ＲＦモジュール２では、スプリアス成分を第１フィルタ回路２１２で減衰させるので、第１ＬＮＡ２１１からある程度のスプリアス成分が発生することは許容される。これにより、第１ＬＮＡ２１１を過度に大型化し消費電流を増大させることなく、２波以上の信号の同時送受信を行う場合、ＬＮＡで発生するスプリアス成分が第１受信回路から第２受信回路に回り込むことによる受信感度の劣化を抑制できる第１受信回路２１が得られる。
　なお、図１のＲＦモジュール２では、第２受信回路２２にも、第１受信回路２１と同様の構成を設けている。これにより、２波以上の信号の同時送受信を行う場合において、第２周波数帯の送信信号Ｔｘ２のスプリアス成分とさらに別の周波数帯の受信信号とが同じ周波数範囲に入る場合、配線や端子を介して送信信号Ｔｘ２のスプリアス成分が別の周波数帯の受信信号を受信する別の受信回路に回りこんで別の受信回路における受信感度を劣化させることを抑制できる。
　２波同時送受信で用いられる信号としては、例えば、Ｂａｎｄ１３（Ｔｘ：７７７～７８７ＭＨｚ）とＧＰＳ、Ｂａｎｄ２６（Ｔｘ：８１４～８４９ＭＨｚ）とＷｉ‐Ｆｉ（登録商標）２Ｇ、Ｂａｎｄ２７（Ｔｘ：８０７～８２４Ｍｈｚ）とＷｉ‐Ｆｉ（登録商標）２Ｇ、Ｂａｎｄ２８（Ｔｘ：７０３～７４８ＭＨｚ）とＢａｎｄ１、Ｂａｎｄ３（Ｔｘ：１７１０～１７８５ＭＨｚ）とＢａｎｄ４２、Ｂａｎｄ１（Ｔｘ：１９２０～１９８０ＭＨｚ）とＢａｎｄ４３、Ｂａｎｄ７（Ｔｘ：２５００～２５７０ＭＨｚ）とＷｉ‐Ｆｉ（登録商標）５Ｇがあげられる。この他にも、Ｗｉ‐Ｆｉ（登録商標）とＬＴＥといった、Ｃｏ－Ｅｘｉｓｔｅｎｃｅでの２波同時送受信も可能である。
　上記では、送信信号が送受信回路から受信回路に回り込む場合について言及したが、これに限定されない。例えば、送受信回路と受信回路とを備える送受信モジュール内において、デュプレクサを介して送信信号が受信側に回り込み、ＬＮＡで発生したスプリアス成分が別の送受信モジュールの受信系や受信モジュールに回りこんで受信感度を劣化させる場合がある。送受信モジュールの受信回路において、上述の構成を有する場合、受信感度劣化を抑制可能である。
　なお、ＲＦモジュール２は、図１の例には限られない。以下では、周波数特性が可変のフィルタ回路を用いた受信回路を含むＲＦモジュールについて説明する。
　図２は、実施の形態１の変形例に係る通信装置の機能的な一例を示すブロック図である。図２に示されるフロントエンド回路１０ａは、図１のフロントエンド回路１０と比べて、ＲＦモジュール２ａにおいて、第１受信回路２１ａに第１フィルタ回路２１２ａが用いられ、第２受信回路２２ａに第２フィルタ回路２２２ａが用いられている点が相違する。
　第１フィルタ回路２１２ａ、第２フィルタ回路２２２ａは、それぞれ、減衰周波数が調整できる可変素子（例えば、可変容量や可変インダクタ）を含むフィルタ回路である。
　第１フィルタ回路２１２ａ、第２フィルタ回路２２２ａを用いることで、例えば、第１受信回路２１ａ、第２受信回路２２ａが、それぞれ複数の周波数帯の中から選ばれる目的周波数帯の受信信号を受信する場合などにおいて、減衰周波数を、目的のスプリアス成分の周波数に容易に調整できる。
　第１フィルタ回路２１２ａ、第２フィルタ回路２２２ａの減衰周波数を、可変キャパシタを使って調整することで、例えば、異なる周波数帯の複数のスプリアス成分を一括して減衰させることができる広い減衰帯域を持つフィルタ回路と比べて、挿入損失を小さくできる。また、減衰周波数が周波数帯ごとのスプリアス成分に固定されている複数のフィルタ素子（例えば、ＳＡＷフィルタ）をスイッチで切り替えて使う回路と比べて、回路規模を小さくできる。
　第１フィルタ回路２１２ａは、一例として、第１ＬＮＡ２１１の出力端とグランド電位との間に可変キャパシタを含む共振回路を接続し、目的のスプリアス成分の周波数に減衰極を移動可能な可変ノッチフィルタ（減衰極を有するＬＰＦ及びＨＰＦを含む）であってもよい（図示せず）。第２フィルタ回路２２２ａもまた、同様に構成された可変ノッチフィルタであってもよい。可変ノッチフィルタは、目的のスプリアス成分をピンポイントで減衰させるので、挿入損失及びＮＦ（雑音指数）の劣化を最小限に抑えることができる。
　なお、第１フィルタ回路２１２ａ、第２フィルタ回路２２２ａでは、異なる周波数帯の複数のスプリアス成分の中から目的のスプリアス成分を選択する以外に、例えば、受信回路ごとの特性ばらつきを補償するといった、減衰周波数の微調整が可能である。これにより、複数の受信回路の減衰特性を、受信回路ができ上った後からでも、容易に統一することができる。
　（実施の形態２）
　実施の形態２では、上記で説明したＲＦモジュール２のパッケージ構造について、第１受信回路２１の構成例を挙げて説明する。
　図３Ａは、第１受信回路２１の構成の一例を示す側面図である。図３Ａの例によれば、第１受信回路２１は、同一の基板２１０の同一面に第１ＬＮＡ２１１と第１フィルタ回路２１２と整合素子２３１とを配置して構成されている。
　第１ＬＮＡ２１１は、表面実装型のチップトランジスタであり、第１基板２１０の一方主面に、はんだなどの導電性接合材を介して接合される。
　第１フィルタ回路２１２は、キャパシタ素子２１３とインダクタ２１４とを直列に接続したＬＣ共振回路を、第１ＬＮＡ２１１の出力端とグランド電位との間に接続して構成される。キャパシタ素子２１３は、表面実装型のチップコンデンサであり、基板２１０の前記一方主面に、はんだなどの導電性接合材を介して接合されている。インダクタ２１４は、基板内蔵型のインダクタであり、基板２１０の内層に配置された導体パターンで形成されている。
　整合素子２３１は、表面実装型のチップインダクタであり、基板２１０の前記一方主面に、はんだなどの導電性接合材を介して接合されている。
　第１受信回路２１によれば、第１ＬＮＡ２１１と第１フィルタ回路２１２とを同一の基板２１０の同一面に配置するので、第１ＬＮＡ２１１と第１フィルタ回路２１２との接続配線が短縮され、第１フィルタ回路２１２の挿入損失が低減する。
　また、第１フィルタ回路２１２の少なくとも一部（図３Ａの例ではインダクタ２１４）を基板２１０内に形成することで、第１ＬＮＡの前段に配置される素子（例えば、整合素子２３１）と第１フィルタ回路２１２との間のアイソレーションを確保し、アイソレーション不足に起因する減衰特性の劣化や発振などの不具合を抑制できる。
　なお、図示はしていないが、第２受信回路２２も、図３Ａの第１受信回路２１と同様に構成される。また、第１受信回路２１ａ、第２受信回路２２ａは、図３Ａの第１受信回路２１のキャパシタ素子２１３を、可変キャパシタ（容量を変更するための制御ＩＣやドライバを含んでもよい）に変更して構成される。
　つまり、第２受信回路２２においては、第２ＬＮＡ２２１と第２フィルタ回路２２２と第２整合素子２３２とを、同一基板の同一主面上に配置すること、または第２フィルタ回路２２２の少なくとも一部を基板内に形成することにより、挿入損失を低減しかつ減衰特性の劣化や発振などの不具合を抑制する効果が得られる。
　また、第１受信回路２１ａにおいては、第１ＬＮＡ２１１と第１フィルタ回路２１２ａと第１整合素子２３１とを、同一基板の同一主面上に配置すること、または第１フィルタ回路２１２ａの少なくとも一部を基板内に形成することにより、挿入損失を低減しかつ減衰特性の劣化や発振などの不具合を抑制する効果が得られる。
　また、第２受信回路２２ａにおいては、第２ＬＮＡ２２１と第２フィルタ回路２２２ａと第２整合素子２３２とを、同一基板の同一主面上に配置すること、または第２フィルタ回路２２２ａの少なくとも一部を基板内に形成することにより、挿入損失を低減しかつ減衰特性の劣化や発振などの不具合を抑制する効果が得られる。
　ＲＦモジュール２では、第１受信回路２１と第２受信回路２２とを互いに別の基板に設けてアイソレーションを取ることにより、第１受信回路２１から第２受信回路２２に回り込むスプリアス成分及び第２受信回路２２から第１受信回路２１に回り込むスプリアス成分の何れをも低減することができる。
　図３Ｂは、第１受信回路２１ｂの構成の一例を示す側面図である。図３Ｂの例によれば、第１ＬＮＡ２１１とキャパシタ素子２１３と整合素子２３１とは、樹脂２３３にて封止され、樹脂２３３の表面には導電性のシールド膜２３４が成膜されている。
　第１受信回路２１が設けられた基板を封止する樹脂と第２受信回路２２が設けられた基板を封止する樹脂とに、それぞれシールド膜を形成することで、さらに良好なアイソレーションを確保することができる。このような効果は、ＲＦモジュール２ａにおいても同様に得られる。
　第１受信回路２１と第２受信回路２２とが、異なる基板で形成されている態様を説明したが、この例には限られない。
　図３Ｃは、第１受信回路２１と第２受信回路２２とが同じ基板の同一主面に形成されているＲＦモジュール２ｂのパッケージ構造の例を示す斜視図である。
　ＲＦモジュール２ｂでは、基板２１０を平面視した場合、第１領域Ｒ１及び第２領域Ｒ２に、第１受信回路２１及び第２受信回路２２がそれぞれ形成される。第１受信回路２１及び第２受信回路２２を封止する樹脂２３３の表面にはシールド膜２３４が形成され、樹脂２３３のの内部にはシールド壁２３５が形成される。シールド壁２３５は、例えば、第１領域Ｒ１と第２領域Ｒ２との間で樹脂２３３に溝を設け、銅（Ｃｕ）や銀（Ａｇ）などを主成分とする導電性ペーストを当該溝に充填することにより形成されてもよい。シールド壁２３５は、シールド膜２３４と接続される。
　これにより、第１受信回路２１と第２受信回路２２とを同じ基板の同一主面に形成しつつ、第１受信回路２１と第２受信回路２２との間のアイソレーションが確保されたＲＦモジュール２が得られる。
　（実施の形態３）
　実施の形態３では、フィルタ回路の具体的な構成例について説明する。
　図４は、実施の形態３に係るフィルタ回路の一例を示す回路図である。図４は、図２の第１受信回路２１ａに対応し、第１フィルタ回路２１２ａの具体的な構成例を第１ＬＮＡ２１１とともに示している。図４の第１フィルタ回路２１２ａは、伝送線路２１５、スイッチ２１６、及び可変キャパシタ２１７を含む。
　伝送線路２１５は、第１周波数帯の送信信号Ｔｘ１の偶数次スプリアス成分に対してショート特性を示す伝送線路である。伝送線路２１５の第１端は、第１ＬＮＡ２１１の出力端に接続され、第２端は、スイッチ２１６の状態に応じて、可変キャパシタ２１７を介在するか、又は直接に、グランド電位に接続される。つまり、第１フィルタ回路２１２ａは、ＬＮＡ２１１の出力端とグランド電位との間に接続され、第１周波数帯の送信信号Ｔｘ１のスプリアス成分に対してショート特性を示す伝送線路２１５を有していてもよい。
　つまり、第１フィルタ回路２１２ａは、グランド電位ＧＮＤと、第１ＬＮＡ２１１の出力端とグランド電位ＧＮＤとの間に接続され、第１周波数帯の送信信号Ｔｘ１の偶数次スプリアス成分に対してショート特性を示す伝送線路２１５を含むショートスタブＡを含む。
　図４の例では、第１ＬＮＡ２１１から出力されるスプリアス成分に対して、伝送線路２１５を含むショートスタブＡが形成されるので、スプリアス成分の周波数に減衰極を有しかつ挿入損失の小さい第１フィルタ回路２１２ａが、少ない部品点数で構成される。
　図５は、第１フィルタ回路２１２ａの減衰特性の一例を示すグラフである。第１フィルタ回路２１２ａでは、伝送線路２１５を直接グランド電位に接続すること、及び可変キャパシタ２１７の容量を変えることで、図５に示されるように減衰極を可変にできる。
　なお、フィルタ回路の具体的な構成は、図４の例には限られない。以下では、フィルタ回路の他の具体的な構成例について説明する。
　図６は、実施の形態３に係るフィルタ回路の他の例を示す回路図である。図６は、図２の第１受信回路２１ａ、第２受信回路２２ａを、出力端を共用するように一体化した回路に対応し、第１フィルタ回路２１２ａ、第２フィルタ回路２２２ａの具体例を、第１ＬＮＡ２１１、第２ＬＮＡ２２１とともに示している。図６の第１フィルタ回路２１２ａ、第２フィルタ回路２２２ａは、第１伝送線路２２５、第２伝送線路２１５ａ、可変キャパシタ２１８、及びスイッチ２１９を含む。
　第１伝送線路２２５の第１端は、第１ＬＮＡ２１１の出力端に接続されている。
　第２伝送線路２１５ａの第１端は、第２ＬＮＡ２２１の出力端に接続されている。
　可変キャパシタ２１８は、第１端がグランド電位ＧＮＤに接続されている。
　スイッチ２１９は、可変キャパシタ２１８の第２端を、第１ＬＮＡ２１１の出力端及び第２ＬＮＡ２２１の出力端の何れか一方に選択的に接続する。
　第１伝送線路２２５の第２端と第２伝送線路２１５ａの第２端とは互いに接続されている。
　このような構成において、可変キャパシタ２１８の第２端と第２ＬＮＡ２２１の出力端とが接続された第１状態で、グランド電位ＧＮＤと可変キャパシタ２１８と第２伝送線路２１５ａとが電気的に接続して前記第１周波数帯の送信信号Ｔｘ１の偶数次スプリアス成分（以下、第１スプリアス成分と言う）に対してショート特性を示すショートスタブＢを含む第１フィルタ回路２１２ａが構成される。
　第１状態では、第１ＬＮＡ２１１から出力される第１スプリアス成分は第１フィルタ回路２１２ａによって減衰され、第１伝送線路２１５ａの第２端と第２伝送線路２２５の第２端との接続点での第１スプリアス成分が減衰する。
　また、可変キャパシタ２１８の第２端と第１ＬＮＡ２１１の出力端とが接続された第２状態で、グランド電位ＧＮＤと可変キャパシタ２１８と第１伝送線路２２５とが電気的に接続して第２周波数帯の送信信号Ｔｘ２の偶数次スプリアス成分（以下、第２スプリアス成分と言う）に対してショート特性を示すスタブＣを含む第２フィルタ回路２２２ａが構成される。
　第２状態では、第２ＬＮＡ２２１から出力される第２スプリアス成分は第２フィルタ回路２２２ａによって減衰され、第１伝送線路２１５ａの第２端と第２伝送線路２２５の第２端との接続点での第２スプリアス成分が減衰する。
　このように、第１伝送線路２１５ａ、第２伝送線路２２５、及び可変キャパシタ２１８は、スイッチ２１９の状態に応じて、第１フィルタ回路２１２ａ、２２２ａの何れか一方を構成する。これにより、第１伝送線路２１５ａ、第２伝送線路２２５、及び可変キャパシタ２１８の兼用による最小限の部品点数で、スイッチ２１９の状態に応じて、第１スプリアス成分及び第２スプリアス成分の一方を選択的に減衰できるフィルタ回路が構成される。
　（実施の形態４）
　実施の形態４では、実施の形態１及びその変形例に係るＲＦモジュールを含むフロントエンド回路を備えた通信装置について説明する。
　図７は、実施の形態３に係る通信装置１の機能的な構成の一例を示すブロック図である。図７に示されるように、通信装置１は、ベースバンド信号処理回路４０、ＲＦ信号処理回路５０、フロントエンド回路６０、ダイプレクサ７１、７２、及びアンテナ８１、８２を備える。フロントエンド回路６０には、実施の形態１及びその変形例で説明したＲＦモジュールを含むフロントエンド回路１０又は１０ａが用いられる。
　ベースバンド信号処理回路４０は、音声通話や画像表示などを行う応用装置／応用ソフトウェアで生成された送信データを送信信号に変換し、その信号をＲＦ信号処理回路５０へ供給する。当該変換は、データの圧縮、多重化、誤り訂正符号の付加を含んでもよい。また、ＲＦ信号処理回路５０から受信した受信信号は受信データに変換され、応用装置／応用ソフトウェアへ供給される。当該変換は、データの伸長、多重分離、誤り訂正を含んでもよい。ベースバンド信号処理回路４０は、ベースバンド集積回路（ＢＢＩＣ）チップで構成されてもよい。
　ＲＦ信号処理回路５０は、ベースバンド信号処理回路４０で生成された送信信号を送信ＲＦ信号に変換し、フロントエンド回路６０へ供給する。当該変換は、信号の変調及びアップコンバートを含んでもよい。また、ＲＦ信号処理回路５０は、フロントエンド回路６０から受信した受信ＲＦ信号を受信信号に変換し、ベースバンド信号処理回路４０へ供給する。当該変換は、信号の復調及びダウンコンバートを含んでもよい。ＲＦ信号処理回路５０は、高周波集積回路（ＲＦＩＣ）チップで構成されてもよい。
　ＲＦ信号処理回路５０は、２波以上の信号の同時送受信を行うために、異なる周波数帯の送信信号Ｔｘ１、Ｔｘ２を並行して生成し、また、フロントエンド回路６０から異なる周波数帯の受信信号Ｒｘ１、Ｒｘ２を並行して受信する。
　フロントエンド回路６０は、ＲＦ信号処理回路５０で生成された周波数帯ごとの送信信号Ｔｘ１、Ｔｘ２をパワーアンプで増幅する。ダイプレクサ７１は、周波数帯ごとの送信ＲＦ信号Ｔｘ１、Ｔｘ２を合成し、アンテナ８１で送信する。
　ダイプレクサ７２は、アンテナ８２で受信された信号から周波数帯ごとの受信信号Ｒｘ１、Ｒｘ２を分離する。フロントエンド回路６０は、分離された周波数帯ごとの受信信号Ｒｘ１、Ｒｘ２をＬＮＡで増幅し、送信信号Ｔｘ１、Ｔｘ２のスプリアス成分を減衰させてから、ＲＦ信号処理回路５０へ供給する。
　通信装置１によれば、２波以上の信号の同時送受信を行う場合における受信感度の劣化要因となるスプリアス成分を効果的に抑制するＲＦモジュールを含むフロントエンド回路６０又は６０ａを用いることにより、２波以上の信号の同時送受信を行う場合の受信感度に優れた通信装置が得られる。
　以上、本発明の実施の形態に係るＲＦモジュール及び通信装置について説明したが、本発明は、個々の実施の形態には限定されない。本発明の趣旨を逸脱しない限り、当業者が思いつく各種変形を本実施の形態に施したものや、異なる実施の形態における構成要素を組み合わせて構築される形態も、本発明の一つ又は複数の態様の範囲内に含まれてもよい。
　　１　通信装置
　　２、２ａ、２ｂ　ＲＦモジュール
　　１０、１０ａ　フロントエンド回路
　　１１　第１送受信回路
　　１２　第２送受信回路
　　２１、２１ａ、２１ｂ　第１受信回路
　　２２、２２ａ　第２受信回路
　　４０　ベースバンド信号処理回路
　　５０　ＲＦ信号処理回路
　　６０　フロントエンド回路
　　７１、７２　ダイプレクサ
　　８１、８２　アンテナ
　　２１０　基板
　　２１１　第１ＬＮＡ
　　２１２、２１２ａ　第１フィルタ回路
　　２１３　キャパシタ素子
　　２１４　インダクタ
　　２１５、２１５ａ　第１伝送線路
　　２１６、２１９　スイッチ
　　２１７　第１可変キャパシタ
　　２１８　第２可変キャパシタ
　　２２１　第２ＬＮＡ
　　２２２、２２２ａ　第２フィルタ回路
　　２２５　第２伝送線路
　　２３１　第１整合素子
　　２３２　第２整合素子
　　２３３　樹脂
　　２３４　シールド膜
　　２３５　シールド壁
　　９００　システム
　　９２０　セカンダリ受信システム
　　９５０、９６０　チューナブルＲＦモジュール
　　９５２、９５６、９６２、９６６　フィルタ
　　９５４、９６４　ＬＮＡ

Claims (7)

  1. 　第１周波数帯の受信信号と第２周波数帯の受信信号とを少なくとも含む複数の信号を同時に送受信するための高周波モジュールであって、
    　前記第１周波数帯の受信信号を処理する第１受信回路を備え、
    　前記第１受信回路は、
    　　第１基板と、
    　　前記第１基板の主面に実装された第１ローノイズアンプと、
    　　前記第１ローノイズアンプの出力端に接続され、少なくとも一部が前記第１基板の前記主面に形成された第１フィルタ回路と、を含み、
    　前記第１フィルタ回路は、前記第１周波数帯の送信信号が前記第１ローノイズアンプに入力されることによって発生した、前記第１周波数帯の送信信号に含まれかつ前記第２周波数帯の受信信号の周波数帯域と重複する周波数帯域を有するスプリアス成分を減衰させる、
    　高周波モジュール。
  2. 　前記第１フィルタ回路は、可変キャパシタを含み、可変の減衰周波数を有する、
    　請求項１に記載の高周波モジュール。
  3. 　前記第１フィルタ回路の他の一部は、前記第１基板の内部に形成されている、
    　請求項１又は２に記載の高周波モジュール。
  4. 　前記第１フィルタ回路は、前記第１ローノイズアンプの出力端とグランド電位との間に接続され、前記第１周波数帯の送信信号の偶数次スプリアス成分に対してショート特性を示す伝送線路を含むショートスタブを含む、
    　請求項１から３の何れか１項に記載の高周波モジュール。
  5. 　前記高周波モジュールは、前記第２周波数帯の受信信号を処理する第２受信回路をさらに備え、
    　前記第２受信回路は、
    　　第２ローノイズアンプと、
    　　前記第２ローノイズアンプの出力端に接続され、前記第２周波数帯の送信信号のスプリアス成分に対する減衰特性を有する第２フィルタ回路と、を含む、
    　請求項１から４の何れか１項に記載の高周波モジュール。
  6. 　第１端が前記第１ローノイズアンプの出力端に接続された第１伝送線路と、
    　第１端が前記第２ローノイズアンプの出力端に接続された第２伝送線路と、
    　第１端がグランド電位に接続された可変キャパシタと、
    　前記可変キャパシタの第２端を、前記第１ローノイズアンプの出力端及び前記第２ローノイズアンプの出力端の何れか一方に選択的に接続するスイッチと、を備え、
    　前記第１伝送線路の第２端と前記第２伝送線路の第２端とが接続され、
    　前記第１伝送線路、前記第２伝送線路、及び前記可変キャパシタは、
    　（ｉ）前記可変キャパシタの第２端と前記第２ローノイズアンプの前記出力端とが接続された第１状態で、グランド電位と前記可変キャパシタと前記第２伝送線路とが電気的に接続されることにより、前記第１周波数帯の送信信号の偶数次スプリアス成分に対してショート特性を示す前記第１フィルタ回路を構成し、
    　（ｉｉ）前記可変キャパシタの第２端と前記第１ローノイズアンプの前記出力端とが接続された第２状態で、グランド電位と前記可変キャパシタと前記第１伝送線路とが電気的に接続されることにより、前記第２周波数帯の送信信号の偶数次スプリアス成分に対してショート特性を示す前記第２フィルタ回路を構成する、
    　請求項５に記載の高周波モジュール。
  7. 　請求項１から６の何れか１項に記載の高周波モジュールと、
    　前記高周波モジュールから高周波受信信号を受信するＲＦ信号処理回路と、
    　を備える通信装置。
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018168653A1 (ja) * 2017-03-14 2018-09-20 株式会社村田製作所 高周波モジュール
KR102438424B1 (ko) * 2017-11-24 2022-09-01 삼성전자 주식회사 전자 장치 및 전자 장치의 안테나 제어 방법
JP2019192992A (ja) * 2018-04-20 2019-10-31 株式会社村田製作所 フロントエンドモジュールおよび通信装置
CN110278011B (zh) * 2019-06-12 2021-04-27 京信通信系统（中国）有限公司 分布式天线系统、方法和装置
JP2021052376A (ja) * 2019-09-20 2021-04-01 株式会社村田製作所 高周波モジュールおよび通信装置
JP2021175031A (ja) * 2020-04-21 2021-11-01 株式会社村田製作所 高周波信号送受信回路
JP2022019182A (ja) * 2020-07-17 2022-01-27 株式会社村田製作所 高周波モジュール及び通信装置
CN116938278A (zh) * 2022-03-30 2023-10-24 华为技术有限公司 一种射频前端装置和信号处理方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007128939A (ja) * 2005-11-01 2007-05-24 Taiyo Yuden Co Ltd 高周波モジュール
US20150214985A1 (en) * 2014-01-24 2015-07-30 Qualcomm Incorporated Tunable Radio Frequency (RF) Front-End Architecture Using Filter Having Adjustable Inductance And Capacitance

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103098370B (zh) * 2010-09-14 2016-06-15 日立金属株式会社 具备滤波器及平衡不平衡转换器的层叠体型电子部件
GB2514543B (en) * 2013-04-23 2017-11-08 Gurulogic Microsystems Oy Server node arrangement and method
US9455755B2 (en) 2014-10-06 2016-09-27 Skyworks Solutions, Inc. Aggregate signal amplification device and method
US9595935B2 (en) * 2015-05-12 2017-03-14 Qualcomm Incorporated Active notch filter

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007128939A (ja) * 2005-11-01 2007-05-24 Taiyo Yuden Co Ltd 高周波モジュール
US20150214985A1 (en) * 2014-01-24 2015-07-30 Qualcomm Incorporated Tunable Radio Frequency (RF) Front-End Architecture Using Filter Having Adjustable Inductance And Capacitance

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