JP4702620B2 - 高周波スイッチモジュール - Google Patents

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Description

本発明は、複数の通信システムに対応した高周波回路に用いられ、前記通信システムの送受信信号の伝送経路を切り替えるスイッチ回路と、複数のフィルタ回路を備えた高周波スイッチモジュールに関する。
世界の携帯電話には種々のアクセス方式があり、またそれぞれの地域において複数のアクセス方式が混在している。たとえば、現在主流となっているアクセス方式の一つとして、TDMA (Time Division Multiple Access、時分割多元接続)方式がある。このTDMA方式を採用している主な通信方式として、日本のPDC (Personal Digital Cellular)、欧州を中心としたGSM900 (Global System for Mobile Communications) やDCS1800 (Digital Cellular System 1800)、米国を中心としたGSM850、DCS1900(PCS (Personal Communications Service))等の方式(システム)がある。
その他に最近米国、韓国や日本で普及しつつあるアクセス方式にCDMA (Code Division Multiple Access、符号分割多元接続)方式がある。代表的な規格として米国を中心としたIS−95 (Interim Standard−95) があり、高速データ伝送を実現し得る第三世代通信方式のW−CDMA (Wideband CDMA) も実用化されている。また欧州ではIMT―2000準拠の通信方式の欧州標準で、UMTS(Universal Mobile Telecommunications System)と呼ばれる通信システムで、W―CDMAとTD−CDMAの両方式から選択する方式もある。このように世界各国で様々な通信方式が利用されている。
従来の携帯電話は一つの通信方式、例えばGSM用に設計されていた。しかし、近年の利用者数の増大及び使用者の利便性から、複数の通信方式やアクセス方式が利用可能なマルチバンド携帯電話が実用に供され、さらにクアトロバンド以上の携帯電話の要求もある。このようなマルチバンド携帯電話の高周波回路においては、単純に通信方式毎に高周波部品を設けると高周波回路が大型化してしまうので、小型化のために異なる通信方式の高周波部品の共通化が進められている。
その一例として特許文献1には、複数の異なる通信システムの送信回路と受信回路を切り換える高周波スイッチモジュールが開示されている。この高周波スイッチモジュールは、互いに通過帯域(Passband)が異なる第一及び第二のフィルタ回路と、第一のフィルタ回路に接続されて通信システムAの送信回路と受信回路を切り換えるスイッチ回路と、第二のフィルタ回路に接続されて通信システムB及びCの送信回路と通信システムBの受信回路と通信システムCの受信回路とを切り換えるスイッチ回路とを備えており、前記第一及び第二のフィルタ回路は分波回路として機能することで、複数の通信システムに対応している。
この高周波スイッチモジュールは、1台で複数の通信システムが利用可能な携帯電話(マルチバンド携帯電話)に用いられる。
前記スイッチ回路はダイオードと伝送線路を主要素子とするダイオードスイッチであり、ダイオードにコントロール回路から電圧を印加して、オン状態/オフ状態に制御することにより、複数の通信システムA,B,Cのいずれか一つを選択して、アンテナと通信システムA,B,Cの送信回路及び受信回路を切り換える。
このようなダイオードスイッチでは、専らPINダイオードが用いられる。低挿入損失とするために、PINダイオードには十分な電流を流す必要があるが、その分消費電力は増加する。電池で駆動される携帯電話では、低消費電力であることが望まれることから、特許文献2では、PINダイオードと比較して省電力の電界効果トランジスタ(FET;Field Effect Transistor)を用いた高周波スイッチモジュールが提案されている。
WO00/55983(図2) 特開2002−185356(図1)
しかしながらFETを用いたスイッチでは歪の問題がある。特許文献2においてはスイッチの構成について全く言及ないので、周知なスイッチ回路を例にとってこれを説明する。図12はSPDT(単投双極)型のスイッチの一例を示す回路図である。
高周波信号の入出力端子101は、電界効果トランジスタ(FET)111を介して信号入出力端子102と接続され、信号入出力端子102はFET113を介して接地される。また、信号入出力端子101はFET112を介して信号入出力端子103と接続され、信号入出力端子103はFET114を介して接地される。制御信号端子CNT1は数kΩの抵抗Rを介してFET112、FET113と、制御信号端子CNT2は数kΩの抵抗Rを介してFET111、FET114のゲートに接続される。
FET111〜114はデプレッション型FETであって、制御信号端子CNT1−1、CNT2−2に−0.5V〜+0.5Vを与え、制御信号端子CNT2−1、CNT1−2に−2.7V〜−3Vを与えると、FET111とFET114がともにONし、FET112とFET113がともにOFFする。信号入出力端子102から高周波信号が入力されると、FET111を介して信号入出力端子101へ出力される。
制御信号端子CNT1−1、CNT2−2に−2.7V〜−3Vを与え、制御信号端子CNT2−1、CNT1−2に−0.5V〜+0.5Vを与えると、FET111とFET114がともにOFFし、FET112とFET113がともにONする。信号入出力端子101から高周波信号が入力されると、FET112を介して信号入出力端子103へ出力される。
しかしながら、信号入出力端子102から大信号の高周波信号が入力されると、オフ状態にあるFET112のゲート電極、ソース電極、ドレイン電極がFETのカップリング容量等の寄生分を介して入力振幅に依存したAC的な振幅を持つようになり、その結果FET112におけるしきい値電圧を上回り、オフ状態にあったFET112がAC的にオンし、これにより信号の波形が歪み、基本波以外の第2、第3高調波が発生する。
例えばGSM900の場合、GSM送信では最大+36dBmの電力がスイッチに投入される場合がある。このような大電力が入力する場合であっても、法規制等の要求からアンテナから放射される2倍、3倍高調波発生量(ハーモニクス)は−72dBc以下とする必要がある。
しかしながら、大信号入力時の線形出力を確保してハーモニクスの少ないスイッチを入手することは現状困難である。この問題は、引用文献2の高周波スイッチモジュールでは認識されておらず、何の解決手段も教示されていない。従って本発明は、省電力であり高調波発生量の少ない、小型の高周波スイッチモジュールを提供することを目的とする。
本発明の高周波スイッチモジュールは、少なくとも、周波数帯域f1の第1通信システムと、周波数帯域f2の第2通信システムに対応した高周波回路に用いられ、平面形状が矩形の多層基板の内部に設けられたフィルタ回路及び分波回路と、前記多層基板の上面に実装され電界効果トランジスタを用いたスイッチ回路とを備えた高周波スイッチモジュールであって、前記スイッチ回路は、少なくとも3つのポートを備えるSPnT(nは2以上の自然数)の高周波スイッチであり、周波数帯域f1及び周波数帯域f2の信号を通過させる第1のフィルタ回路が接続される第1のポートと、前記第1通信システム及び前記第2通信システムの送信信号を通過させる第2のフィルタ回路が接続される第2のポートと、前記第1通信システムの受信信号を通過させるローパスフィルタ回路と前記第2通信システムの受信信号を通過させるハイパスフィルタ回路を並列に接続してなり、前記第1通信システムの受信信号と前記第2通信システムの受信信号とを分波する第1の分波回路が接続された第3ポートを備え、前記多層基板の下面の周縁に端子電極が形成され、第1側面の側に前記第1のフィルタ回路と接続するアンテナポートが形成され、前記第1側面と対向する第2側面の側に前記ローパスフィルタ回路が接続する受信ポートと、前記ハイパスフィルタ回路が接続する受信ポートと、第3側面の側に前記第2のフィルタ回路と接続する送信ポートを備え、前記第1及び第2のフィルタ回路と第1の分波回路は、少なくとも一部が多層基板内に積層配置された電極パターンで形成されたインダクタとコンデンサで構成され、 各回路の電極パターンは積層方向にグランド電極により分離されるか、異なる回路間の電極パターンが重なり合わないように配置され、前記第1のフィルタ回路は前記第1側面の側の領域に、前記第2のフィルタ回路は前記第3側面の側の領域に、前記分波回路は前記第1側面と前記第2側面と間の領域に形成され、前記第1側面から前記第2側面に向って、前記第1の分波回路のローパスフィルタ回路のインダクタ用の電極パターン、ハイパスフィルタ回路のインダクタ用の電極パターンの順で並んで配置され、ハイパスフィルタ回路の信号経路に直列に配置されたコンデンサ用の電極パターンが、前記ハイパスフィルタ回路のインダクタ用の電極パターンと積層方向に重なり合って配置されたことを特徴とする高周波スイッチモジュールである。
本発明においては、更に前記多層基板の下面において、第4側面の側にコントロールポートを備え、前記コントロールポートは、多層基板の下面から上面まで連続するビアホールを介して、前記スイッチ回路の第4のポートと接続するのが好ましい。
更に、第1通信システム及び第2通信システムとともに、それらよりも高い周波数帯域f3の第3通信システムにも対応した高周波回路に用いられ、前記スイッチ回路が、少なくとも4つのポートを備えるSPnT(nは3以上の自然数)の高周波スイッチであり、少なくとも前記第3通信システムの受信信号が出力するポートを備えるように構成するのも好ましい。
前記第3通信システム用のポートには、SAW(弾性表面波)フィルタなどのバンドパスフィルタや、複数のSAWフィルタを並列接続した分波器が接続されるが、整合のミスマッチを調整するように、前記第3通信システム用のポートにインダクタとコンデンサで構成された整合回路を接続し、そのインダクタとコンデンサの少なくとも一部を多層基板内に電極パターンで形成するのも好ましい。この場合には第1、第2のフィルタ回路の電極パターン及び第1の分波回路の電極パターンと積層方向に重なり合わないように構成する。
また前記スイッチ回路は、複数の電界効果トランジスタと、外部からのスイッチ切換信号を前記電界効果トランジスタのオン/オフを制御する制御信号にデコードするデコーダーを有するのが好ましい。
本発明によれば、従来のPINダイオードを用いたものと比べて省電力であり、高調波発生量の少ない、小型の高周波スイッチモジュールを提供することが出来る。
図1は本発明の一実施例に係る高周波スイッチモジュールを用いて構成された無線通信器の高周波回路ブロック図である。以下複数の通信システムを例示しながら説明する。各通信システムの周波数帯域は表1に示す通りであって、送信・受信は無線通信器端末を基準にしている。あわせて各通信システムの2倍波、3倍波の周波数帯域を合わせて示す。
なお、前記通信システムは周知であるので、その詳しい説明を省く。また、本発明が利用される通信システムは、例示した通信システムにのみに限定されるものではない。
Figure 0004702620
図1に示した高周波スイッチモジュールは、電界効果トランジスタを用いたSPDTのスイッチ回路SWと、複数のフィルタ回路10,30を備え、GSM900の送信系、受信系を切り替えるものである。GSM900送信系には、スイッチ回路SWの第2のポートbと接続する第2のフィルタ回路(ローパスフィルタ)10を備え、アンテナANTとスイッチ回路SWとの間には、前記スイッチ回路SWの第1のポートaと接続する第1のフィルタ回路(ローパスフィルタ)30を備えている。
スイッチ回路SWは、例えばGaAsMESFET(GaAs Metal Semiconductor Field Effect Transistor)を用いたGaAsスイッチであり、1端子対多端子の高周波スイッチである。このGaAsスイッチは図14に開示したものと同様の回路構成であって、4つの電界効果型トランジスタ111〜114と、これらのゲート電極にそれぞれ設けられた抵抗Rと、ソース電極に接続される接地コンデンサC及び信号の経路に配置された結合コンデンサCを有する。
各抵抗Rにおいて、電界効果型トランジスタ111〜114のゲート電極に接続された端と、反対側の端は、それぞれコントロール端子CNT1−1,1−2,2−1,2−2に接続される。GaAsスイッチは、外部からの切替信号をデコードするデコーダ70が組み込まれてり、そのデコーダ70には3つの制御端子V1,V2及びVddが設けられており、これら制御端子に切替信号が入力される。説明の簡略化のためデコーダ70の構成を省略するが、デコーダ70は制御端子に入力された切替信号における電圧レベル(High/Low)に基づいて、コントロール端子CNT1−1,1−2,2−1,2−2にデコードされた切替電圧を与え、電界効果型トランジスタ111〜114を導通させることでポートaの接続先を切り替える。
送受信切替ロジックは図14に例示してあるのでその説明を省くが、図14におけるポート101は図1のスイッチのポートaと対応し、ポート102はポートbと対応し、ポート103はポートcと対応する。即ち送信回路からの送信信号をアンテナANTから放射する場合には、ポート101とポート102を接続し、アンテナANTから入射した受信信号を、低雑音増幅器を含む受信回路へ送る場合には、ポート101とポート103を接続するように制御し、GaAsスイッチSWは、外部から入力された切替信号に基づいて、ポートaと、ポートb,ポートcの何れかとを接続するように動作する。
本発明においては、まず、GaAsスイッチSWの前後に第1、第2のフィルタ回路10,30を配置する回路構成によって、アンテナANTから放射される2倍、3倍高調波発生量を抑制するようにしている。
即ちミキサーMIXにより変調された送信信号が増幅器PAを通って増幅され、GaAsスイッチモジュールのポート100bに入力するが、この送信信号にはm次(mは2以上の自然数)の高調波成分を含んでいる。この送信信号を、まず第2のフィルタ回路(ローパスフィルタ)10を通すことで周波数帯域外の信号を減衰させる。
第2のフィルタ回路10を通過した送信信号は、GaAsスイッチSWのポートbに入力する。ポートbに大信号の高周波信号が入力されると、オフ状態にあったFET112がAC的にオンし、これにより信号の波形が歪み、基本波以外の第2、第3高調波が発生する場合があるが、GaAsスイッチSWのポートaに接続された第1のフィルタ回路(ローパスフィルタ若しくはノッチフィルタ)30によって減衰させることが出来るので、アンテナから放射される2倍、3倍高調波の発生を抑制することが出来る。
本発明の高周波スイッチモジュールはフィルタ回路及びスイッチ回路を、多層基板に一体的に構成してなるものである。この多層基板は、例えば1000℃以下の低温で焼結可能なセラミック誘電体からなり、厚さ10〜200μmの複数のセラミックグリーンシートの表面に、AgやCuなどの導電ペーストを印刷して所定の電極パターンを形成し、それらを積層し、一体焼結することにより製造することができる。
前記第1のフィルタ回路30、第2のフィルタ回路10は、複数の電極パターンにより多層基板内に三次元的に構成される。2倍、3倍高調波発生を抑制する第2の手段として、回路のインダクタを構成する電極パターンは相互に不要な電磁気的干渉を防ぐように、積層方向に重ならないように配置している。電磁気的干渉を生じる場合には、第1、第2のフィルタ回路の機能が減じられ、第2、第3高調波の抑制効果が十分に発揮されずに、アンテナから放射される2倍、3倍高調波を規定発生量以下に出来ないばかりか、挿入損失特性等の電気的特性が劣化する場合もある。最も近接して配置される第1、第2のフィルタ回路のインダクタを構成する電極パターンは、少なくとも50μm以上の間隔を空けるのが好ましい。さらに好ましくはグランド電極により分離するのが好ましい。
このような回路構成、積層構造によって、小型でありながら従来のPINダイオードを用いたものと比べて省電力であり、高調波発生量の少ない、小型の高周波スイッチモジュールを提供することが出来る。
本発明の他の実施例に係る高周波スイッチモジュールについて、その回路ブロック図を図2〜4に示す。いずれの場合も、第1のフィルタ回路30、第2のフィルタ回路10は、複数の電極パターンにより三次元的に構成されるが、インダクタを構成する電極パターンは、相互に不要な電磁気的干渉を防ぐように、積層方向に重ならないように配置する。
図2の高周波スイッチモジュールは、第1通信システム(例えばGSM850)と第2通信システム(例えばGSM900)とに対応した高周波回路に用いられるものであって、アンテナANTとGSM850及びGSM900の共通の送信回路f1f2TXと、GSM850の受信回路f1RXと、GSM900の受信回路f2RXの接続を切り替えるものである。
GSM850、GSM900の送信系には、GaAsスイッチSWの第2のポートbと接続する第2のフィルタ回路(ローパスフィルタ)10を備え、アンテナANTとGaAsスイッチSWとの間には、前記スイッチSWの第1のポートaと接続する第1のフィルタ回路(ローパスフィルタ)30を備えている。GSM850、GSM900の周波数帯域は近接しているため、送信系の回路、たとえば増幅器を共通化することが可能であるため、第2のフィルタ回路(ローパスフィルタ)10は、GSM850、GSM900の送信信号を通過させるように構成される。
前記GaAsスイッチSWは4つのポートを有するSP3Tスイッチであって、GSM850/GSM900の送信回路f1f2TXからの送信信号をアンテナANTから放射する場合には、ポートaとポートbを接続し、アンテナANTから入射したGSM850受信信号を、低雑音増幅器LNAを含む受信回路f1RXへ送る場合には、ポートaとポートbを接続するように制御し、アンテナANTから入射したGSM900受信信号を、低雑音増幅器LNAを含む受信回路f2RXへ送る場合には、ポートaとポートcを接続するように、外部から入力された切替信号に基づいてポートaとポートb、cの何れかとを接続するように動作する。
このような回路構成によっても、小型でありながら、従来のPINダイオードを用いたものと比べて省電力であり、高調波発生量の少ない、小型の高周波スイッチモジュールを提供することが出来る。
図3の高周波スイッチモジュールも、2つの通信システムに対応し、第3通信システム(例えばDCS1800)、第4通信システム(例えばDCS1900)とに対応した高周波回路に用いられるものである。アンテナANTとDCS1800及びDCS1900の共通の送信回路f1f2TXと、DCS1800の受信回路f3RXと、DCS1900の受信回路f4RXの接続を切り替えるものである。
DCS1800、DCS1900の送信系には、GaAsスイッチSWの第2のポートbと接続する第2のフィルタ回路(ローパスフィルタ)10を備え、アンテナとGaAsスイッチとの間には、前記スイッチの第1のポートaと接続する第1のフィルタ回路(ローパスフィルタ)30を備えている。DCS1800、1900の周波数帯域は近接しており、送信系の回路、送信系の回路、たとえば増幅器を共通化することが可能であるため、第2のフィルタ回路(ローパスフィルタ)10は、DCS1800、DCS1900の送信信号を通過さえるように構成される。
前記GaAsスイッチSWは3つのポートを有するSPDTスイッチであって、DCS1800/DCS1900の送信回路f3f4TXからの送信信号をアンテナANTから放射する場合には、ポートaとポートbを接続し、アンテナANTから入射したDCS1800/DCS1900受信信号を、低雑音増幅器LNAを含む受信回路f3RX,f4RXへ送る場合には、ポートaとポートcを接続するように外部から入力された切替信号に基づいてポートaとポートb、cの何れかとを接続するように動作する。
GaAsスイッチのポートcには分波回路40が接続される。この分波回路40は、前記第1通信システム(DCS1800)の受信信号を通過させるバンドパスフィルタ40aと、前記第2通信システム(DCS1900)の受信信号を通過させるバンドパスフィルタ40bを備えたデュプレクサであって、各バンドパスフィルタ40は弾性表面波(SAW)フィルタである。各SAWフィルタのインピーダンス特性によっては、その入力側に、分波性能を向上するようにフェイズシフター(位相回路)を接続し、他方の通信システムの周波数帯域で高インピーダンスが得られるように構成するのが好ましい。前記フェイズシフターは伝送線路(インダクタ)や、インダクタとコンデンサで構成されるフィルタであって、そのインダクタとコンデンサの少なくとも一部は多層基板内に電極パターンで形成される。これらの電極パターンは、第1のフィルタ回路のインダクタ用電極パターン、第2のフィルタ回路のインダクタ用電極パターンと、積層方向に重なり合わないように構成される。
このような回路構成によっても、小型でありながら従来のPINダイオードを用いたものと比べて省電力であり、高調波発生量の少ない、小型の高周波スイッチモジュールを提供することが出来る。
図4の高周波スイッチモジュールは、第1通信システム(例えばGSM850)、第2通信システム(例えばGSM900)、第5のシステム(例えばUMTS)とに対応した高周波回路に用いられるものであって、アンテナANTとGSM850及びGSM900の共通の送信回路f1f2TXと、GSM850の受信回路f1RXと、GSM900の受信回路f2RXと、UMTSの送受信回路f5TRXの接続を切り替えるものである。
図3の高周波スイッチモジュールとは、GaAsスイッチSWが4つのポートを有するSP3Tスイッチである点で相違し、GaAsスイッチSWのポートaとポートdを接続するように制御して、UMTSの送受信信号をアンテナANTへ送ったり、送受信回路f5TRXへ送ったりする。第5のシステムをUMTSに変えてGPSとすることも当然可能であり、この場合、第4ポート100eにはGPSの受信回路が接続される。
さらに図5の高周波スイッチモジュールに示すように、ポートdに整合回路50を接続して、後段に配置されるSAWデュプレクサなどの分波回路との整合を取るのも好ましい。この整合回路はインダクタやコンデンサからなるものであって、他の回路と同様に多層基板内に電極パターンで形成しても良い。その場合には、第1のフィルタ回路、第2のフィルタ回路のインダクタ用電極パターンと、積層方向に重なり合わないように構成される。
このような回路構成によっても、小型でありながら従来のPINダイオードを用いたものと比べて省電力であり、高調波発生量の少ない、小型の高周波スイッチモジュールを提供することが出来る。
図6は本発明の他の実施例に係る高周波スイッチモジュールの回路ブロック図であり、図7はその等価回路図である。
この高周波スイッチモジュールは、5つの通信システムに用いられるものであって、周波数帯域f1の第1通信システム(例えばGSM850)、周波数帯域f2の第2通信システム(例えばGSM850)、周波数帯域f3の第3通信システム(例えばDCS1800)、周波数帯域f4の第4通信システム(例えばDCS1900)、周波数帯域f5の第5通信システム(例えばUMTS)とに対応した高周波回路に用いられ、前記通信システムの送受信信号の伝送経路を切り替える電界効果トランジスタを用いたスイッチ回路と、複数のフィルタ回路を備える。
前記スイッチ回路は、6つのポートを備えるSP5Tの高周波スイッチSWであり、その第1のポート(共通ポート)aに接続される第1のフィルタ回路30と、第2のポートbに接続される第2のフィルタ回路10と、第3のポートcに接続される第3のフィルタ回路15と、第4のポートdに接続される第1の分波回路40と、第5のポートeに接続される第2の分波回路45とを有し、前記第2のフィルタ回路10が、前記第1通信システム及び前記第2通信システムの送信信号を通過させるローパスフィルタ又はバンドパスフィルタであり、前記第3のフィルタ回路15が、前記第3通信システム及び前記第4通信システムの送信信号を通過させるローパスフィルタ又はバンドパスフィルタであり、前記第1の分波回路40が、前記第1通信システムの受信信号を通過させるローパスフィルタ40aと、前記第3通信システムの受信信号を通過させるハイパスフィルタ40bであり、前記第2の分波回路45が、前記第2通信システムの受信信号を通過させるローパスフィルタ45aと、前記第4通信システムの受信信号を通過させるハイパスフィルタ45bであり、前記第1のフィルタ回路30が、前記第3〜5通信システムの周波数帯域の帯域外であって、前記第1通信システムの送信信号の第3次高調波成分を減衰させるノッチフィルタである。
前記第1〜第3のフィルタ回路及び第1、第2の分波回路はインダクタとコンデンサで構成されている。図9は高周波スイッチモジュールの外観斜視図であり、図10は高周波スイッチモジュールに用いる多層基板200の分解斜視図であって、各層の構成を示している。
最下層のグリーンシート17の表面には、ほぼ全面を覆うグランド電極GNDが形成されており、裏面には回路基板に実装するための端子電極が形成されている。前記端子電極は、各通信システム共通のアンテナポートANTと、第1、第2の通信システムの送信信号が入力する第1送信ポートTX1と,第3、第4の通信システムの送信信号が入力する第2送信ポートTX2と、第1の通信システムが出力する受信ポートRX1と,第3の通信システムが出力する受信ポートRX2と,第2の通信システムが出力する受信ポートRX3と,第4の通信システムが出力する受信ポートRX4と、第5の通信システムの送受信信号が入出力する入出力ポートTRX、グランドポートGNDと、スイッチ回路制御用のコントロールポート(制御端子)V1,V2,V3,Vddを有し、それぞれがグリーンシートに形成されたビアホール(図中、黒丸で表示)を介して上層のグリーンシート上の電極パターンと接続される。
前記スイッチ回路制御用のコントロールポートV1,V2,V3,Vddは、多層基板の一側面に側に集められており、ビアホールを介して前記第1の主面の一側面側に形成された複数のデコーダ用実装電極と接続される。このような構成によって、フィルタ回路、分波回路を構成する電極パターンとの干渉を防いでいる。
本実施例では端子電極をLGA(Land Grid Array)としているが,BGA(Ball Grid Array)なども採用することができる。
また本実施例では、制御端子V1,V2,V3,Vdd、受信系端子RX1〜RX4、送信系端子TX1,TX2、アンテナ端子ANT及び、送受信系端子UMTSを、それぞれ異なると側面側に集めて配置している。このような配置によれば高周波スイッチモジュールが回路基板に実装されたときの他の高周波回路との接続を短く出来る。
グリーンシート17の上にはグリーンシート1〜16が順次積層される。これらのグリーンシート上に、第1のフィルタ回路30、第2、第3のフィルタ回路10,15、第1及び第2の分波回路40,45を構成するインダクタは伝送線路(ライン電極)により、またコンデンサはコンデンサ電極により形成され、ビアホールを介して適宜接続されている。図中、各電極パターンに付した記号は、図7に示した等価回路の回路素子に付した記号と対応し、適宜電極パターンを接続することで各回路素子を形成していることを示している。
本実施例においては、全てのインダクタ、コンデンサを多層基板内に電極パターンを形成しているが、それらの一部をチップインダクタ及びチップコンデンサとして積層基板上に実装することも当然可能である。
各フィルタ回路、分波回路は、積層基板内において三次元的に構成されるが、回路を構成する電極パターンは相互に不要な電磁気的干渉を防ぐように、グランド電極GNDにより分離されるか、積層方向に重ならないように配置されている。特にインダクタを構成するライン電極パターン同士は、電磁気的な干渉を防ぐために同一層上に形成されたパターンを、少なくとも50μm以上離間して配置した。
積層基板を構成する誘電体セラミクスとしては、例えばAl,Si及びSrを主成分として、Ti,Bi,Cu,Mn,Na,Kなどを副成分とするセラミックス、Al,Si及びSrを主成分として、Ca,Pb,Na,Kなどを複成分とするセラミクス、Al,Mg,Si及びGdを含むセラミクス、Al,Si,Zr及びMg含むセラミクスが挙げられる。誘電体の誘電率は5〜15程度が好ましい。また誘電体セラミクスの他に、樹脂や、樹脂/セラミック複合材を用いて多層基板を構成することも可能である。さらにHTCC(高温同時焼成セラミック)技術により、Alを主体とする多層基板内に、タングステンやモリブデン等の高温焼結可能な金属導体により電極パターンを形成しても良い。
図8は、多層基板200に実装される高周波スイッチの等価回路である。このスイッチは、GaAsMESFET(GaAs Metal Semiconductor Field Effect Transistor)を用いたGaAsスイッチであり、1端子対5端子の高周波スイッチである。このGaAsスイッチは10個の電界効果型トランジスタ111〜120と、これらのゲート電極にそれぞれ設けられた抵抗Rと、ソース電極に接続される接地コンデンサC及び信号の経路に配置された結合コンデンサCを有して構成される。
各抵抗Rにおいて、電界効果型トランジスタ111〜120のゲート電極に接続された端と反対側の端は、それぞれコントロール端子CNT1−1〜CNT5−2に接続される。GaAsスイッチは、外部からの切替信号をデコードするデコーダ70が組み込まれてり、そのデコーダ70には4つの制御端子V1,V2,V3及びVddが設けられており、これら制御端子に切替信号が入力される。説明の簡略化のためデコーダ70の構成を省略する。送受信切替ロジックは図8に例示してあるのでその説明を省く。
本実施例で用いたGaAsスイッチでは、単体特性として第1のポートaと第2のポートbとの間のハーモニクス(Harmonics)特性が、第1のポートaと他のポート間に比べて悪く、特に第1通信システムの3倍波におけるハーモニクス特性が劣っていた。そこで、第1のフィルタ回路を第1通信システムの3倍波を減衰させるノッチフィルタとした。また、比較例として別途第1のフィルタを設けていない多層基板を用いて構成した高周波スイッチモジュールを作成した。
シグナルジェネレータから出力された信号を、パワーアンプを通して+34dBm(CW;Continuous Wave)、824MHz〜915MHz(GSM850及びGSM900の送信信号周波数帯)の高周波電力とし、これを高周波スイッチモジュールの第2のポート100bから入力し、第1のポート100aからの出力をスペクトルアナライザに入力して、ハーモニクス特性を評価した。このときGaAsスイッチは第1のポート100aと第2のポート100bを接続するように制御されており、また他のポートは100c〜100hは、50Ωで終端されている。
比較例の高周波スイッチモジュールの第3次ハーモニクス特性は−65dBcしか得られないが、本発明の高周波スイッチモジュールの第3次ハーモニクス特性は−73dBc以下であり、優れたハーモニクス特性が得られた。この結果から、本発明によれば、アンテナから放射される高調波抑制に有効であることが判る。
なお、アンテナANTとGaAsスイッチの第1ポートaとの間に、ESD保護回路を接続しても良い。このESD保護回路は、図11に示したインダクタ、コンデンサで構成されるT型、π型等のハイパスフィルタ回路で構成するこが出来るが、これに限定されるものではない。前記インダクタ、コンデンサを多層基板内に電極パターンで形成することも出来、その場合には他の回路のインダクタを構成する電極パターンとの積層方向に重なり合わないようにするか、グランド電極を設けて干渉を防ぐのが好ましい。
本発明によれば、従来のPINダイオードを用いたものと比べて省電力であり、高調波発生量の少ない、小型の高周波スイッチモジュールを提供することが出来る。
本発明の一実施例に係る高周波スイッチモジュールを含む無線通信器の高周波回路ブロック図である。 本発明の他の実施例に係る高周波スイッチモジュールを含む無線通信器の高周波回路ブロック図である。 本発明の他の実施例に係る高周波スイッチモジュールの高周波回路ブロック図である。 本発明の他の実施例に係る高周波スイッチモジュールの高周波回路ブロック図である。 本発明の他の実施例に係る高周波スイッチモジュールの高周波回路ブロック図である。 本発明の他の実施例に係る高周波スイッチモジュールの高周波回路ブロック図である。 本発明の他の実施例に係る高周波スイッチモジュールの等価回路図である。 本発明の高周波スイッチモジュールに用いる高周波スイッチの一例を示す等価回路図である。 本発明の他の実施例に係る高周波スイッチモジュールの斜視図である。 本発明の他の実施例に係る高周波スイッチモジュールに用いる多層基板の分解斜視図である。 本発明の高周波スイッチモジュールに用いるESD対策回路の一例を示す等価回路図である。 本発明の高周波スイッチモジュールに用いる高周波スイッチの一例を示す等価回路図である。
符号の説明
10 第2のフィルタ回路
15 第3のフィルタ回路
30 第3のフィルタ回路
40 第1の分波回路
45 第2の分波回路
70 デコーダ
SW 高周波スイッチ
ANT アンテナ
PA 増幅器
LNA 低雑音増幅器
BPF バンドパスフィルタ
MIX ミキサー

Claims (2)

  1. 少なくとも、周波数帯域f1の第1通信システムと、周波数帯域f2の第2通信システムに対応した高周波回路に用いられ、平面形状が矩形の多層基板の内部に設けられたフィルタ回路及び分波回路と、前記多層基板の上面に実装され電界効果トランジスタを用いたスイッチ回路とを備えた高周波スイッチモジュールであって、
    前記スイッチ回路は、少なくとも3つのポートを備えるSPnT(nは2以上の自然数)の高周波スイッチであり、周波数帯域f1及び周波数帯域f2の信号を通過させる第1のフィルタ回路が接続される第1のポートと、前記第1通信システム及び前記第2通信システムの送信信号を通過させる第2のフィルタ回路が接続される第2のポートと、前記第1通信システムの受信信号を通過させるローパスフィルタ回路と前記第2通信システムの受信信号を通過させるハイパスフィルタ回路を並列に接続してなり、前記第1通信システムの受信信号と前記第2通信システムの受信信号とを分波する第1の分波回路が接続された第3ポートを備え、
    前記多層基板の下面の周縁に端子電極が形成され、第1側面の側に前記第1のフィルタ回路と接続するアンテナポートが形成され、前記第1側面と対向する第2側面の側に前記ローパスフィルタ回路が接続する受信ポートと、前記ハイパスフィルタ回路が接続する受信ポートと、第3側面の側に前記第2のフィルタ回路と接続する送信ポートを備え、
    前記第1及び第2のフィルタ回路と第1の分波回路は、少なくとも一部が多層基板内に積層配置された電極パターンで形成されたインダクタとコンデンサで構成され、 各回路の電極パターンは積層方向にグランド電極により分離されるか、異なる回路間の電極パターンが重なり合わないように配置され、
    前記第1のフィルタ回路は前記第1側面の側の領域に、前記第2のフィルタ回路は前記第3側面の側の領域に、前記分波回路は前記第1側面と前記第2側面と間の領域に形成され、前記第1側面から前記第2側面に向って、前記第1の分波回路のローパスフィルタ回路のインダクタ用の電極パターン、ハイパスフィルタ回路のインダクタ用の電極パターンの順で並んで配置され、ハイパスフィルタ回路の信号経路に直列に配置されたコンデンサ用の電極パターンが、前記ハイパスフィルタ回路のインダクタ用の電極パターンと積層方向に重なり合って配置されたことを特徴とする高周波スイッチモジュール。
  2. 前記多層基板の下面において、第4側面の側にコントロールポートを備え、前記コントロールポートは、多層基板の下面から上面まで連続するビアホールを介して、前記スイッチ回路の第4のポートと接続することを特徴とする請求項1に記載の高周波スイッチモジュール。
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