JP2002335101A - 高周波回路基板組立体及びそれを用いた高周波用アンテナスイッチモジュール - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】従来の高周波スイッチモジュールに伴う問題点
を解決して、通信機器内に画定された収納容積の低減に
適合できしかもインダクタ素子による干渉などの影響を
低減できる小型の高周波スイッチモジュールを提供す
る。 【解決手段】本発明による高周波用アンテナスイッチモ
ジュールは、高周波スイッチング回路における高周波デ
バイスの駆動回路への高周波信号の漏れを防止するチョ
ーク回路素子をチップインダクタとして誘電体積層構造
体を形成する誘電体層の最上層に配置し、かつ、チップ
インダクタと、最上層とは別の層に形成された回路パタ
ーンとが積層方向において重ならない層が少なくとも一
層存在するように構成したことを特徴としている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明が属する技術分野】本発明は、例えば携帯電話な
どの通信機器に使用され得る高周波回路基板組立体及び
それを用いた高周波用アンテナスイッチモジュールに関
するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来例えば携帯電話などの通信機器にお
いては、受信回路をアンテナに接続したり送信回路をア
ンテナに接続するために高周波スイッチモジュールが用
いられている。この種の高周波スイッチモジュールは、
通信機器自体の小型軽量化の観点から、複数の回路素子
のうち一部を誘電体基板に形成して誘電体積層構造体
（調波回路基板）とし、残りの回路素子をチップ素子に
形成して誘電体積層構造体の外面に装着した複合構造の
ユニットとして構成されている（特開平６−２０４９１
２号公報参照）。

【０００３】この種の公知の高周波スイッチにおいて
は、例えば特開平８−９７７４３号公報に開示されてい
るように、送信回路にコンデンサを介して第１のダイオ
ードのアノードが接続され、第１のダイオードのアノー
ドはチョークコイルとして作用する第１のストリップラ
インとコンデンサとの直列回路を介して接地され、第１
のストリップラインとコンデンサとの中間点には第１の
制御端子が接続され、第１の制御端子には、高周波スイ
ッチの切換えを行う制御回路が接続される。また第１の
ダイオードのカソードは別のコンデンサを介してアンテ
ナに接続されている。一方、アンテナにはこの別のコン
デンサ及び第２のストリップラインとコンデンサとの直
列回路を介して受信回路が接続され、第２のストリップ
ラインとコンデンサとの中間点は第２のダイオードのア
ノードが接続され、第２のダイオードのカソードはコン
デンサを介して接地され、第２のストリップラインとコ
ンデンサとの中間点には第２の制御端子が接続され、第
２の制御端子には、高周波スイッチの切換えを行う制御
回路が接続される。そしてこのように構成した高周波ス
イッチは、第１、第２の制御端子に印加するバイアス電
圧を制御することにより送信信号及び受信信号の切換え
を行うようにされている。

【０００４】また、特開平８−９７７４３号公報には、
このような構成の高周波スイッチング回路素子とフィル
タ回路素子とを、高周波スイッチング回路素子のうち高
周波デバイスを成すダイオードを除いて複数の誘電体基
板に形成し、ダイオードをチップ素子として構成し、複
数の誘電体基板の積層体上にダイオードチップ素子を装
着したものが提案されている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】このように高周波スイ
ッチング回路素子のうち高周波デバイスを成すダイオー
ドをチップ素子として構成し、高周波スイッチング回路
素子の残りの素子及びフィルタ回路素子を複数の誘電体
基板に形成して積層体とし、この積層体上にダイオード
チップ素子を装着した従来の高周波用アンテナスイッチ
モジュールユニットは、通信機器自体の小型軽量化に伴
う小型化の要求を十分に満足するものとなっていない。
すなわち、上述のような従来の構造では、アンテナと送
信回路との間に接続されたダイオードのアノードに接続
されたチョークコイルとして作用するストリップライン
は、高周波スイッチング回路における高周波デバイスの
駆動回路への高周波信号の漏れを防止するため、送信回
路からの送信信号の波長をλとしたとき、λ／４線路以
下の長さをもつようにされており、従ってストリップラ
インは、実際には相当な大きなインダクタンス（例えば
１００ｎＨ程度）をもつ必要がある。そのため、このス
トリップラインを誘電体基板上にパターン化するにはか
なりの面積をもつ基板を用いる必要があり、このこと
は、誘電体基板の積層体の縦横寸法をストリップライン
のパターン化に必要な面積に合わせて設定しなければな
らず、小型化には限界があった。

【０００６】一方、携帯電話などの通信機器の小型軽量
化の傾向は益々進んでおり、それに伴い機器内部におけ
る高周波スイッチのための収納容積も減少され、その減
少した収納容積に適合できる寸法で高周波スイッチモジ
ュールを実現することが要望されている。

【０００７】従って、本発明は、従来の高周波スイッチ
モジュールに伴う問題点を解決して、通信機器内に画定
された収納容積の低減に適合できしかもインダクタ素子
による干渉などの影響を低減できる高周波回路基板組立
体及びそれを用いた小型の高周波用アンテナスイッチモ
ジュールを提供することを目的としている。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の第１の発明によれば、高周波スイッチン
グ回路のチョークコイル回路素子をチップインダクタと
して搭載した高周波回路基板組立体において、高周波回
路基板の表面にチップインダクタ用のランドが形成さ
れ、前記高周波回路基板の表面に最も近い、別の高周波
回路基板内に形成されたインダクタ回路とチップインダ
クタ用のランドが積層方向において互いに重ならないよ
うに位置決めされていることを特徴としている。

【０００９】また、本発明の第２の発明によれば、高周
波スイッチング回路のチョークコイル回路素子をチップ
インダクタとして搭載した高周波回路基板組立体におい
て、高周波回路基板の表面にチップインダクタ用のラン
ドが形成され、前記高周波回路基板の表面に最も近い、
別の高周波回路基板内に形成された回路パターンとチッ
プインダクタ用のランドが積層方向において互いに重な
らないように位置決めされていることを特徴としてい
る。

【００１０】さらに、本発明の第３の発明によれば、フ
ィルタ回路と、高周波スイッチング回路とを備え、高周
波スイッチング回路のチョークコイル回路素子をチップ
インダクタとして誘電体積層構造体に搭載し、少なくと
もフィルタ回路の構成要素を誘電体積層構造体内に形成
した高周波用アンテナスイッチモジュールにおいて、前
記誘電体積層構造体を形成する誘電体層の最上層にチッ
プインダクタ用のランドが形成され、前記最上層とは別
の層に形成される前記最上層に最も近い回路パターンと
前記最上層におけるチップインダクタ用のランドとが積
層方向において互いに重ならないように位置決めされて
いることを特徴としている。

【００１１】本発明の第３の発明による高周波用アンテ
ナスイッチモジュールにおいては、高周波スイッチング
回路は、高周波デバイスを形成するダイオードと、抵抗
と、コンデンサと、インダクタとを備え、前記ダイオー
ドと、前記抵抗と、前記コンデンサの一部をチップ素子
として構成し、前記インダクタ及び前記コンデンサの残
りの部分を誘電体積層構造体内に形成され得る。

【００１２】好ましくは、誘電体積層構造体は、フィル
タ回路における複数のコンデンサ素子を形成した複数の
誘電体基板と、フィルタ回路における複数のインダクタ
素子を形成した複数の誘電体基板と、高周波スイッチン
グ回路におけるチップ素子として構成した以外の素子を
形成した複数の誘電体基板とを積層して構成され得る。

【００１３】さらに、本発明の第４の発明によれば、フ
ィルタ回路及び高周波スイッチング回路をそれぞれ二つ
ずつ備え、各高周波スイッチング回路がダイプレクサ回
路を介してアンテナに接続するように構成され、各高周
波スイッチング回路のチョーク回路素子がチップインダ
クタとして誘電体積層構造体に搭載され、少なくともフ
ィルタ回路及びダイプレクサ回路の構成要素子を誘電体
積層構造体内に形成した高周波用アンテナスイッチモジ
ュールにおいて、前記誘電体積層構造体を形成する誘電
体層の最上層にチップインダクタ用のランドが形成さ
れ、前記最上層とは別の層に形成される前記最上層に最
も近い回路パターンと前記最上層におけるチップインダ
クタ用のランドとが積層方向において互いに重ならない
ように位置決めされていることを特徴としている。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して本発明
の実施の形態について説明する。図１には、本発明の一
つの実施の形態による高周波用アンテナスイッチモジュ
ールの回路構成の一例を示している。ＳＷは高周波スイ
ッチング回路で、二つのダイオードＤ１、Ｄ２と、二つ
のインダクタＬ１、Ｌ２と、五つのコンデンサＣ１、Ｃ
２、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ５と、一つの抵抗Ｒ１とで構成され
ている。すなわち第１のダイオードＤ１のアノードは第
１のコンデンサＣ１を介してローパスフィルタＬＰＦを
介して送信回路ＴＸに接続され、第１のダイオードＤ１
と第１のコンデンサＣ１との接続点は、チョークコイル
として作用する第１のインダクタＬ１と第２のコンデン
サＣ２の直列回路を介して接地され、第１のインダクタ
Ｌ１と第２のコンデンサＣ２との間には制御端子ＶＣが
接続されている。また、第１のダイオードＤ１のカソー
ドは一方では第３のコンデンサＣ３を介してアンテナ端
子ＡＮＴに接続され、他方では第２のインダクタＬ２の
一端に接続され、第２のインダクタＬ２の他端は第４の
コンデンサＣ４を介して受信回路ＲＸに接続される。第
２のインダクタＬ２と第４のコンデンサＣ４との接続点
は第２のダイオードＤ２と第５のコンデンサＣ５の直列
回路を介して接地され、第５のコンデンサＣ５と並列に
抵抗Ｒ１が接続されている。

【００１５】高周波スイッチング回路ＳＷと送信回路Ｔ
Ｘとの間に接続されたローパスフィルタＬＰＦは、イン
ダクタＬ３、Ｌ４とコンデンサＣ６〜Ｃ１０から成り、
これらの素子は図示したように接続されている。

【００１６】このように構成した高周波用アンテナスイ
ッチモジュールの回路の動作において、制御端子ＶＣに
正の電圧を印加すると、第１のダイオードＤ１及び第２
のダイオードＤ２は順方向にバイアスがかけられ、これ
らのダイオードは導通状態となる。それにより送信回路
ＴＸからの送信信号は、ローパスフィルタＬＰＦ、コン
デンサＣ１、第１のダイオードＤ１及びコンデンサＣ３
を介してアンテナＡＮＴから送信される。この場合、受
信回路側に通じる回路は、第２のダイオードＤ２が導通
状態にあるため第２のインダクタＬ２が接地され、従っ
て送信回路ＴＸからの送信信号は、受信回路ＲＸ側へは
伝送されない。こうして送信状態が確立される。一方、
制御端子ＶＣに負の電圧を印加すると、第１のダイオー
ドＤ１及び第２のダイオードＤ２は逆方向にバイアスが
かけられ、これらのダイオードは非導通状態となる。従
ってアンテナＡＮＴからの受信信号は受信回路ＲＸへ伝
送され、こうして受信状態が確立される。

【００１７】図２は、本発明の別の実施の形態によるデ
ュアルバンド用として構成した高周波用アンテナスイッ
チモジュールの回路構成を概略的に示す。図示アンテナ
スイッチは、フィルタＬＰＦ１、ＬＰＦ２、スイッチ回
路ＳＷ１、ＳＷ２及びダイプレクサＤＰなどから構成さ
れており、ＧＳＭ用送信部に接続される送信端子ＴＸ
１、ＤＣＳ用送信部に接続される送信端子ＴＸ２、ＧＳ
Ｍ用受信部に接続される受信端子ＲＸ１、ＤＣＳ用受信
部に接続される受信端子ＲＸ２、アンテナに接続される
アンテナ端子ＡＮＴ、制御部に接続される制御端子ＶＣ
１、ＶＣ２、ＶＣ３、ＶＣ４、及び無線部の基準電位に
接続されるアース端子ＧＮＤを備えている。

【００１８】フィルタＬＰＦ１は、コンデンサＣ101、
Ｃ102、Ｃ103、Ｃ104、Ｃ105、及びインダクタＬ101、
Ｌ102の回路素子から成り、これら回路素子は図示した
ように接続されてローパスフィルタを構成している。

【００１９】フィルタＬＰＦ２は、コンデンサＣ201、
Ｃ202、Ｃ203、Ｃ204、Ｃ205、及びインダクタＬ201、
Ｌ202の回路素子から成り、これら回路素子は前述した
フィルタＬＰＦ１と同様に接続されてローパスフィルタ
を構成している。フィルタＬＰＦ２は、遮断周波数が異
なるところ以外は、前述のフィルタＬＰＦ１と同様であ
る。

【００２０】スイッチ回路ＳＷ１は、フィルタＬＰＦ１
を通過した送信信号（ＧＳＭ）をアンテナ端子ＡＮＴに
出力するための信号経路、又はアンテナから受信した受
信信号（ＧＳＭ）をＧＳＭ用受信部に入力するための信
号経路を切り換える機能を有するものである。図示スイ
ッチ回路ＳＷ１は、フィルタＬＰＦ１の次段に位置して
おり、結合コンデンサＣ１、Ｃ３、Ｃ４、バイパスコン
デンサＣ２、Ｃ５、チョークコイルＬ１、インダクタＬ
104、抵抗Ｒ１、高周波スイッチングダイオードＤ１、
Ｄ２の回路素子から成っている。

【００２１】スイッチ回路ＳＷ２は、フィルタＬＰＦ２
を通過した送信信号（ＤＣＳ）をアンテナ端子ＡＮＴに
出力するための信号経路、又はアンテナから受信した受
信信号（ＤＣＳ）をＤＣＳ用受信部に入力するための信
号経路を切り換える機能を有するものであり、前述した
スイッチ回路ＳＷ１とほぼ同様な構成から成っている。
図示スイッチ回路ＳＷ２は、フィルタＬＰＦ２の次段に
位置しており、結合コンデンサＣ６、Ｃ８、Ｃ９、バイ
パスコンデンサＣ７、Ｃ１０、チョークコイルＬ３、イ
ンダクタＬ204、抵抗Ｒ２、高周波スイッチングダイオ
ードＤ３、Ｄ４の回路素子から成っている。

【００２２】ダイプレクサＤＰは、ローパスフィルタ
（ＬＰＦ）とハイパスフィルタ（ＨＰＦ）とを組合わせ
て構成されており、図示例では、スイッチ回路ＳＷ１の
結合コンデンサＣ３とアンテナ端子ＡＮＴとの間に接続
され、コンデンサＣ107、Ｃ108、及びインダクタＬ106
の回路素子から成るローパスフィルタと、スイッチ回路
ＳＷ２の結合コンデンサＣ８とアンテナ端子ＡＮＴとの
間に接続され、コンデンサＣ207、Ｃ208、Ｃ209及びイ
ンダクタＬ206の回路素子から成るハイパスフィルタと
で構成されている。

【００２３】このような回路構成から成るデュアルバン
ド用として構成した高周波用アンテナスイッチモジュー
ルの誘電体積層構造体を図３に概略分解図で示す。アン
テナスイッチモジュールの誘電体積層構造体は図示した
ように１５層の誘電体基板１、２、３、４、５、６、
７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１５で構
成されている。高周波回路基板を構成する各誘電体基板
にはそれぞれ、図２に示す回路素子のうちスイッチ回路
ＳＷ１における結合コンデンサＣ１、Ｃ３、Ｃ４、コン
デンサＣ２、バイパスコンデンサＣ５、チョークコイル
Ｌ１、抵抗Ｒ１及び高周波スイッチングダイオードＤ
１、Ｄ２の回路素子、並びにスイッチ回路ＳＷ２におけ
る結合コンデンサＣ６、Ｃ８、Ｃ９、コンデンサＣ７、
バイパスコンデンサＣ１０、チョークコイルＬ３、抵抗
Ｒ２及び高周波スイッチングダイオードＤ３、Ｄ４の回
路素子を除くそれぞれの回路素子が対応した一つの又は
複数の基板上に形成されている。

【００２４】すなわち、図３において、第１の誘電体基
板１には、ローパスフィルタＬＰＦ１を構成しているコ
ンデンサＣ101、Ｃ103、Ｃ105の電極、ローパスフィル
タＬＰＦ２を構成しているコンデンサＣ201、Ｃ203、Ｃ
205の電極、及びダイプレクサＤＰを構成しているコン
デンサＣ209の電極が形成されている。

【００２５】第２の誘電体基板２には、ローパスフィル
タＬＰＦ１を構成しているコンデンサＣ101、Ｃ103、Ｃ
105の電極、ローパスフィルタＬＰＦ２を構成している
コンデンサＣ201、Ｃ203、Ｃ205の電極、ダイプレクサ
ＤＰを構成しているコンデンサＣ209の電極、及びダイ
プレクサＤＰを構成しているコンデンサＣ107の電極が
形成されている。

【００２６】第３の誘電体基板３には、ローパスフィル
タＬＰＦ１を構成しているコンデンサＣ101、Ｃ103、Ｃ
105の電極、ローパスフィルタＬＰＦ２を構成している
コンデンサＣ201、Ｃ203、Ｃ205の電極、及びダイプレ
クサＤＰを構成しているコンデンサＣ107の電極が形成
されている。

【００２７】第５の誘電体基板５には、ダイプレクサＤ
Ｐを構成しているインダクタＬ206が形成されている。

【００２８】第６の誘電体基板６には、ローパスフィル
タＬＰＦ１を構成しているコンデンサＣ102、Ｃ104の電
極、及びローパスフィルタＬＰＦ２を構成しているコン
デンサＣ202、Ｃ204の電極が形成されている。

【００２９】第７の誘電体基板７には、ローパスフィル
タＬＰＦ１を構成しているコンデンサＣ102、Ｃ104の電
極、及びローパスフィルタＬＰＦ２を構成しているコン
デンサＣ202、Ｃ204の電極が形成されている。

【００３０】第８の誘電体基板８には、ローパスフィル
タＬＰＦ１を構成しているコンデンサＣ102、Ｃ104の電
極が形成されている。

【００３１】第９の誘電体基板９には、スイッチ回路Ｓ
Ｗ１を構成しているインダクタＬ104、及びスイッチ回
路ＳＷ２を構成しているインダクタＬ204が形成されて
いる。

【００３２】第１０の誘電体基板１０には、スイッチ回
路ＳＷ１を構成しているインダクタＬ104、スイッチ回
路ＳＷ２を構成しているインダクタＬ204、ローパスフ
ィルタＬＰＦ１を構成しているインダクタＬ101、Ｌ10
2、及びダイプレクサＤＰを構成しているコンデンサＣ2
07の電極が形成されている。

【００３３】第１１の誘電体基板１１には、ローパスフ
ィルタＬＰＦ１を構成しているインダクタＬ101、Ｌ10
2、及びダイプレクサＤＰを構成しているコンデンサＣ2
07、Ｃ208の電極が形成されている。

【００３４】第１２の誘電体基板１２には、ローパスフ
ィルタＬＰＦ１を構成しているインダクタＬ101、Ｌ10
2、ローパスフィルタＬＰＦ２を構成しているインダク
タＬ201、Ｌ202、及びダイプレクサＤＰを構成している
コンデンサＣ108、Ｃ208の電極が形成されている。

【００３５】第１３の誘電体基板１３には、ローパスフ
ィルタＬＰＦ２を構成しているインダクタＬ201、Ｌ20
2、及びダイプレクサＤＰを構成しているコンデンサＣ1
08の電極が形成されている。

【００３６】第１４の誘電体基板１４には、ダイプレク
サＤＰを構成しているインダクタＬ106が形成されてい
る。

【００３７】高周波回路基板の表面すなわち誘電体積層
構造体の最上層を形成する誘電体基板１５上には、前述
の図２に示す回路素子のうちスイッチ回路ＳＷ１におけ
る結合コンデンサＣ１、Ｃ３、Ｃ４、コンデンサＣ２、
バイパスコンデンサＣ５、チョークコイルＬ１、抵抗Ｒ
１及び高周波スイッチングダイオードＤ１、Ｄ２の九個
の回路素子、並びにスイッチ回路ＳＷ２における結合コ
ンデンサＣ６、Ｃ８、Ｃ９、コンデンサＣ７、バイパス
コンデンサＣ１０、チョークコイルＬ３、抵抗Ｒ２及び
高周波スイッチングダイオードＤ３、Ｄ４の九個の回路
素子が、チップ素子として搭載されるランドが形成され
ている。

【００３８】すなわち、図４に示すように、コンデンサ
Ｃ２を搭載するランド１６、チョークコイルＬ１を搭載
するランド１７、コンデンサＣ１を搭載するランド１
８、コンデンサＣ３を搭載するランド１９、コンデンサ
Ｃ５を搭載するランド２０、抵抗Ｒ１を搭載するランド
２１、コンデンサＣ４を搭載するランド２２、高周波ス
イッチングダイオードＤ１を搭載するランド２３、高周
波スイッチングダイオードＤ２を搭載するランド２４、
高周波スイッチングダイオードＤ３を搭載するランド２
５、高周波スイッチングダイオードＤ４を搭載するラン
ド２６、コンデンサＣ７を搭載するランド２７、チョー
クコイルＬ３を搭載するランド２８、コンデンサＣ６を
搭載するランド２９、コンデンサＣ８を搭載するランド
３０、コンデンサＣ１０を搭載するランド３１、抵抗Ｒ
２を搭載するランド３２、コンデンサＣ９を搭載するラ
ンド３３が形成され、これらの素子は図示していないが
図２の回路構成となるように接続されている。

【００３９】さらに、図３において第１の誘電体基板１
の下側には、ＧＳＭ用送信部に接続される送信端子ＴＸ
１、ＤＣＳ用送信部に接続される送信端子ＴＸ２、ＧＳ
Ｍ用受信部に接続される受信端子ＲＸ１、ＤＣＳ用受信
部に接続される受信端子ＲＸ２、アンテナに接続される
アンテナ端子ＡＮＴ、制御部に接続される制御端子Ｖ
Ｃ、及び無線部の基準電位に接続されるアース端子Ｇの
それぞれのパターンが形成されている基板が示されてい
る。又、各基板に形成された回路素子はビアホール（図
示しない）により、所定の基板間で接続されている。

【００４０】ところで、本発明では、スイッチ回路ＳＷ
１におけるチョークコイルＬ１を形成するチップインダ
クタ素子及びスイッチ回路ＳＷ２におけるチョークコイ
ルＬ３を形成するチップインダクタ素子は、少なくとも
その直ぐ下に位置する第１４の誘電体基板１４上の回路
パターンの形成されてない部位上に位置するように最上
層の誘電体基板１５上に形成されたランド１７、２８上
に配置される。言い換えれば、最上層の誘電体基板１５
上のチップインダクタ素子の配置領域に対応した第１４
の誘電体基板又は好ましくは第１４の誘電体基板を含む
複数の基板上の部位には回路パターンが位置しないよう
にされ、これにより、動作時に干渉などの悪影響を防止
することができる。

【００４１】すなわち、図５に示すように、スイッチ回
路ＳＷ１におけるチョークコイルＬ１を形成するチップ
インダクタ素子及びスイッチ回路ＳＷ２におけるチョー
クコイルＬ３を形成するチップインダクタ素子を搭載す
るために最上層の誘電体基板１５上に形成されたランド
１７、２８の領域は、第１４の誘電体基板１４上に形成
されたダイプレクサＤＰを構成するインダクタＬ106と
は重ならないように形成されている。これにより、動作
時にチップインダクタ素子Ｌ１、Ｌ３に流れる信号がダ
イプレクサＤＰを構成するインダクタＬ106に漏れるこ
とによるノイズの発生といった不具合や、チップインダ
クタ素子Ｌ１、Ｌ３とダイプレクサＤＰを構成するイン
ダクタＬ106との干渉などの悪影響を防止することがで
きる。

【００４２】次に、誘電体積層構造体の製造について簡
単に説明する。まず、グリーンシートを用意し、必要な
部位つまり上下に電気的に接続すべき部位に孔をあけ
る。こうして孔のあけられた各グリーンシート上に、所
定の回路素子の全部又は一部をＡｇ又はＡｇＰｔを用い
てスクリーン印刷法により印刷する。同時に各グリーン
シートにおける各孔もＡｇ又はＡｇＰｔを用いてスクリ
ーン印刷法により孔埋めする。しかる後、それぞれのグ
リーンシートを積層し、そして燒結処理が施される。そ
の後、誘電体積層構造体の頂部に高周波スイッチング回
路ＳＷ１及びＳＷ２を構成する別個に用意したチップ素
子が搭載され、そして図６に示すように個々のモジュー
ルに切断されて完成される。

【００４３】

【発明の効果】以上説明してきたように、高周波スイッ
チング回路のチョークコイル回路素子をチップインダク
タとして搭載した本発明による高周波回路基板組立体に
おいては、高周波回路基板の表面にチップインダクタ用
のランドを形成し、前記高周波回路基板の表面に最も近
い、別の高周波回路基板内に形成されたインダクタ回路
又は回路パターンとチップインダクタ用のランドが積層
方向において互いに重ならないように位置決めしたこと
により、ノイズの発生や干渉などの悪影響を防止するこ
とができるようになる。

【００４４】また、本発明による高周波用アンテナスイ
ッチモジュールにおいては、誘電体積層構造体を形成す
る誘電体層の最上層にチップインダクタ用のランドを形
成し、最上層とは別の層に形成される最上層に最も近い
回路パターンと最上層におけるチップインダクタ用のラ
ンドとが積層方向において互いに重ならないように位置
決めしているので、積層構造体のサイズを小型化できる
と共に、チョーク回路素子による干渉の影響を実質的に
低減することができ、従って、携帯電話などの通信機器
の小型軽量化に伴う機器内部における高周波スイッチの
ための収納容積の縮小に十分適合できる寸法をもちしか
も安定した動作を保証できる高周波スイッチモジュール
を提供できるようになる。

【００４５】また、本発明による高周波スイッチモジュ
ールは、デュアルバンド用として構成した場合も、同様
に、誘電体積層構造体を形成する誘電体層の最上層にチ
ップインダクタ用のランドを形成し、最上層とは別の層
に形成される最上層に最も近い回路パターンと最上層に
おけるチップインダクタ用のランドとが積層方向におい
て互いに重ならないように位置決めされているので、通
信機器内に画定された収納容積の低減に適合できるだけ
でなく、チョーク回路素子による干渉の影響を実質的に
低減することができ、高周波スイッチとして安定した動
作を保証できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一つの実施の形態による高周波用アン
テナスイッチモジュールの回路構成の一例を示す回路線
図。

【図２】本発明の別の実施の形態によるデュアルバンド
用として構成した高周波用アンテナスイッチモジュール
の回路構成の一例を示す回路線図。

【図３】図２に示す高周波用アンテナスイッチモジュー
ルにおける誘電体積層構造体の構成を示す分解斜視図。

【図４】図３に示す誘電体積層構造体における最上層の
高周波回路基板の表面上に形成されるスイッチ回路ＳＷ
１及びＳＷ２における回路素子を成すチップ素子搭載用
のランドを示す概略平面図。

【図５】図３に示す誘電体積層構造体における最上層の
高周波回路基板上のチップインダクタ素子を搭載するた
めのランド領域とその下の層の誘電体基板上に形成され
たインダクタＬ106との位置関係を示す概略平面図。

【図６】図２に示す高周波用アンテナスイッチモジュー
ルを示す概略斜視図。

【符号の説明】

ＡＮＴ ：アンテナ端子 ＳＷ ：高周波スイッチング回路 ＳＷ１ ：高周波スイッチング回路 ＳＷ２ ：高周波スイッチング回路 Ｌ１ ：インダクタ（チョーク回路素子） ＬＰＦ ：ローパスフィルタ ＬＰＦ１：ローパスフィルタ ＬＰＦ２：ローパスフィルタ ＤＩＰ ：ダイプレクサ １６〜３３：ランド

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4E351 BB09 BB29 CC12 DD05 DD20 GG07 GG09 5E070 AA05 CB03 5E346 AA33 AA35 BB16 CC01 CC39 DD02 DD13 DD45 EE23 FF18 GG06 GG28 HH03 HH04 HH06 5J012 BA02 5K011 AA16 DA22 DA27 JA01

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】高周波スイッチング回路のチョークコイル
   回路素子をチップインダクタとして搭載した高周波回路
   基板組立体において、 高周波回路基板の表面にチップインダクタ用のランドが
   形成され、前記高周波回路基板の表面に最も近い、別の
   高周波回路基板内に形成されたインダクタ回路とチップ
   インダクタ用のランドが積層方向において互いに重なら
   ないように位置決めされていることを特徴とする高周波
   回路基板。
2. 【請求項２】高周波スイッチング回路のチョークコイル
   回路素子をチップインダクタとして搭載した高周波回路
   基板組立体において、 高周波回路基板の表面にチップインダクタ用のランドが
   形成され、 前記高周波回路基板の表面に最も近い、別の高周波回路
   基板内に形成された回路パターンとチップインダクタ用
   のランドが積層方向において互いに重ならないように位
   置決めされていることを特徴とする高周波回路基板。
3. 【請求項３】フィルタ回路と、高周波スイッチング回路
   とを備え、高周波スイッチング回路のチョークコイル回
   路素子をチップインダクタとして誘電体積層構造体に搭
   載し、少なくともフィルタ回路の構成要素を誘電体積層
   構造体内に形成した高周波用アンテナスイッチモジュー
   ルにおいて、 前記誘電体積層構造体を形成する誘電体層の最上層にチ
   ップインダクタ用のランドが形成され、 前記最上層とは別の層に形成される前記最上層に最も近
   い回路パターンと前記最上層におけるチップインダクタ
   用のランドとが積層方向において互いに重ならないよう
   に位置決めされていることを特徴とする高周波用アンテ
   ナスイッチモジュール。
4. 【請求項４】高周波スイッチング回路が高周波デバイス
   を形成するダイオードと、抵抗と、コンデンサと、イン
   ダクタとを備え、前記ダイオードと、前記抵抗と、前記
   コンデンサの一部をチップ素子として構成し、前記イン
   ダクタ及び前記コンデンサの残りの部分を誘電体積層構
   造体内に形成したことを特徴とする請求項３に記載の高
   周波用アンテナスイッチモジュール。
5. 【請求項５】誘電体積層構造体が、フィルタ回路におけ
   る複数のコンデンサ素子を形成した複数の誘電体基板
   と、フィルタ回路における複数のインダクタ素子を形成
   した複数の誘電体基板と、高周波スイッチング回路にお
   けるチップ素子として構成した以外の素子を形成した複
   数の誘電体基板とを積層して成ることを特徴とする請求
   項３又は４に記載の高周波用アンテナスイッチモジュー
   ル。
6. 【請求項６】フィルタ回路及び高周波スイッチング回路
   をそれぞれ二つずつ備え、各高周波スイッチング回路が
   ダイプレクサ回路を介してアンテナに接続するように構
   成され、各高周波スイッチング回路のチョーク回路素子
   がチップインダクタとして誘電体積層構造体に搭載さ
   れ、少なくともフィルタ回路及びダイプレクサ回路の構
   成要素子を誘電体積層構造体内に形成した高周波用アン
   テナスイッチモジュールにおいて、 前記誘電体積層構造体を形成する誘電体層の最上層にチ
   ップインダクタ用のランドが形成され、 前記最上層とは別の層に形成される前記最上層に最も近
   い回路パターンと前記最上層におけるチップインダクタ
   用のランドとが積層方向において互いに重ならないよう
   に位置決めされていることを特徴とする高周波用アンテ
   ナスイッチモジュール。