JP5817951B2 - 信号伝送ケーブル、および通信機器モジュール - Google Patents

Description

この発明は、帯域阻止フィルタ機能と二回路間を接続する信号伝送線路の機能とを兼ね備えた信号伝送ケーブルに関する。

従来、携帯端末等の無線通信を行う小型電子機器において、複数の基板等の実装部品を筐体内に備える場合、可撓性を有するフラットケーブルで複数の基板を接続することがある。

例えば、無線通信機器を行う小型電子機器は、アンテナ基板とフロントエンド基板とを備える。アンテナ基板には、高周波信号を送受波するアンテナが形成されている。フロントエンド基板には、アンテナから放射する高周波信号を生成したり、アンテナで受波した高周波信号を増幅、復調したりするフロントエンド回路が形成されている。そして、これらアンテナ基板とフロントエンド基板は、筐体内の概ね離間した位置に配置されているので、アンテナ基板とフロントエンド基板は、フラットケーブルで接続されている。

また、現在の小型電子機器では、アンテナは、複数の通信帯域（バンド）で高周波信号を送受波できる構造になっており、各通信帯域のフロントエンド回路に対して共通のものとなっている。したがって、各通信帯域のフロントエンド回路間でのアイソレーションを確保するために、アンテナと各フロントエンド回路間に高周波フィルタを接続することが一般的である。

そして、従来の小型電子機器では、このような高周波フィルタを、フロントエンド回路が形成されたフロントエンド基板に実装もしくは形成している。フロントエンド基板に高周波フィルタを実装する場合、例えば、特許文献２に示すインダクタ素子のように、高周波フィルタを構成するインダクタやキャパシタは、実装型素子である。フロントエンド基板に高周波フィルタを形成する場合、高周波フィルタを構成するインダクタやキャパシタは、フロントエンド基板の内層電極パターンによって実現される。

国際公開第２００５／１１４７７８号パンフレット 特開２０００−１９６３９１号公報

しかしながら、上述の従来の構成では、フロントエンド基板に高周波フィルタを形成するため、当該フロントエンド基板の形状が、高周波フィルタを形成する分だけ大きくなってしまう。したがって、フロントエンド基板の小型化が阻害されてしまう。

また、当該フロントエンド基板に高周波フィルタを実装もしくは形成して、当該高周波フィルタを小型化しようとすると、インダクタの線幅が細くなったり、形状的な制約を受けたりすることにより、Ｑ値が劣化し、高周波フィルタとしてのＱ値も劣化してしまう。したがって、所望のフィルタ特性（通過特性や減衰特性）を実現できない場合が生じる。例えば、帯域阻止フィルタを構成する場合、急峻な減衰特性を実現できない。

このような問題を鑑みて、本発明の目的は、高いＱ値を有する帯域阻止フィルタを備えた信号伝送ケーブルを提供することにある。

この発明の信号伝送ケーブルは、次の構成からなることを特徴としている。信号伝送ケーブルは、信号伝送線路、素体、帯域阻止フィルタを備える。信号伝送線路は、第１外部接続端子と第２外部接続端子とを接続する。素体は、該信号伝送線路が導体パターンによって形成された可撓性を有する平板状の部材である。帯域阻止フィルタは、信号伝送線路によって第１外部接続端子と第２外部接続端子との間に接続され、素体に内蔵または形成されたインダクタおよびキャパシタを有する。

この構成では、信号伝送ケーブル中に帯域阻止フィルタが構成されるので、第１外部接続端子から入力された高周波信号は、帯域阻止フィルタによって特定周波数帯域が減衰されて、第２外部接続端子へ出力される。これにより、信号伝送ケーブルによって接続される二つの外部回路基板に帯域阻止フィルタを必要としない。また、実装部品と比較して、インダクタを形成できる面積が広くなり、インダクタの設計自由度が向上する。したがって、Ｑ値の高いインダクタを、実装部品よりも容易に形成できる。これにより、Ｑ値の高い帯域阻止フィルタを備えた信号伝送ケーブルを容易に実現できる。

また、この発明の信号伝送ケーブルでは、次の構成であることが好ましい。素体は、複数の基材層を積層した積層体からなる。インダクタは、複数の基材層の少なくとも一層に形成された線状導体パターンからなる。インダクタとキャパシタが導体パターンによって並列接続されている。

この構成では、インダクタおよびこのインダクタを含む帯域阻止フィルタの具体的な構成例を示している。インダクタを素体に平面状に形成することで、素体の厚みがインダクタによって厚くなることを抑制できる。

また、この発明の信号伝送ケーブルでは、キャパシタは、複数の基材層に形成され、積層方向に対向する平板状導体パターンからなることが好ましい。

この構成では、キャパシタも素体内に形成されるため、信号伝送ケーブルの厚みを薄くすることができる。

また、この発明の信号伝送ケーブルでは、キャパシタは実装型素子であり、当該実装型素子は信号伝送線路の分断位置に当該分断された信号伝送線路を直列接続するように実装されていてもよい。

この構成では、素体内に形成した平板状導体パターンでキャパシタを形成する態様では実現できない大きなキャパシタンスを実現できる。

また、この発明の信号伝送ケーブルは、複数の基材層に形成された線状導体パターンからなり、キャパシタを構成する平板状導体パターンの一つに直列接続された直列共振用インダクタを、さらに備えることが好ましい。

この構成では、特定周波数帯域を減衰させるとともに、別の第２の特定周波数帯域の伝送損失を低減させることができる。

また、この発明の帯域阻止フィルタ機能付き信号伝送ケーブルは、次の構成であってもよい。基材層の各層には、インダクタを構成する第１の線状導体パターンと、直列共振用インダクタを構成する第２の線状導体パターンとが形成されている。各層に形成された第１の線状導体パターンは層間接続導体で接続されており、各層に形成された第２の線状導体パターンは、第１線状導体パターンとは別の層間接続導体で接続されている。

第２の線状導体パターンは、第１外部接続端子に接続する第１部分と第２外部接続端子に接続する第２部分に分割されており、第１の基材層に形成された第２の線状導体パターンの第１部分と、第２の基材層に形成された第２の線状導体パターンの第２部分とは、基材層を介して対向している。

この構成では、インダクタおよび直列共振用インダクタを素体の略全体を利用して形成でき、且つインダクタおよび直列共振用インダクタの直流抵抗を低減できる。さらに、直列共振用インダクタを構成する導体パターンによってキャパシタを構成できる。これにより、ＬＣ並列回路と、当該ＬＣ並列共振回路のキャパシタの直列接続される直列共振用インダクタを備える帯域阻止フィルタを小型に形成することができる。

また、この発明の帯域阻止フィルタ機能付き信号伝送ケーブルは、次の構成であってもより。第１の線状導体パターンおよび第２の線状導体パターンは、三層以上からなり、第１部分と第２部分の対向部は複数である。

この構成では、インダクタおよび直列共振用インダクタの直流抵抗をさらに低減できるとともに、キャパシタの取り得るキャパシタンスの範囲を広くすることができる。

また、この発明の帯域阻止フィルタ機能付き信号伝送ケーブルは、次の構成であってもよい。インダクタは、複数の基材層にそれぞれ形成された一部が分断された環状の線状導体パターンと、該一部が分断された環状の線状導体パターンを接続する層間接続導体からなる第１の螺旋状の導体パターンによって形成される。直列共振用インダクタは、インダクタが構成される基材層とは異なる複数の基材層にそれぞれ形成された一部が分断された環状の線状導体パターンと、該一部が分断された環状の線状導体パターンを接続する層間接続導体からなる第２の螺旋状の導体パターンによって形成されている。

この構成では、螺旋状の導体パターンによって、インダクタおよび直列共振用インダクタが構成されるので、他の形状のインダクタおよび直列共振用インダクタと比較してＱ値の高いインダクタおよび直列共振用インダクタを実現できる。

また、この発明の帯域阻止フィルタ機能付き信号伝送ケーブルでは、第１の螺旋状の導体パターンの巻回方向と、第２の螺旋状の導体パターンの巻回方向は逆であってもよい。

また、この発明の信号伝送ケーブルでは、素体は液晶ポリマーからなることが好ましい。この構成では、ｔａｎδの低い材質を素体に用いるので、信号伝送線路の伝送損失を低減することができる。また、インダクタの寄生容量が小さくなり、さらに高いＱ値の帯域阻止フィルタを実現できる。

また、この発明の信号伝送ケーブルでは、素体は第１外部接続端子の配置位置と第２外部接続端子の配置位置との途中に屈曲部を有することが好ましい。この構成では、第１外部接続端子が接続する第１外部回路基板と、第２外部接続端子が接続する第２外部回路基板との配置態様の自由度が向上する。

また、この発明の信号伝送ケーブルでは、第１外部接続端子および第２外部接続端子は、外部回路に対して機械的接触することで電気的に接続するコネクタ部材を備えていてもよい。この構成では、第１、第２外部接続端子の具体的な構造態様を示している。この構成により、第１、第２外部接続端子を外部回路基板に容易に接続して固定することができる。

この発明のダイプレクサ機能付き信号伝送ケーブルは、上述の構成からなる帯域阻止フィルタ機能付き信号伝送ケーブルと、素体に形成された別の導体パターンによって構成された帯域通過フィルタと、を備えたことを特徴としている。

この構成では、優れた伝送特性のダイプレクサを薄型に形成することができる。

また、この発明の通信機器モジュールは、上述のいずれかに記載の信号伝送ケーブルと、第１外部接続端子に接続するアンテナ基板と、第２外部接続端子に接続するフロントエンド基板と、を備えることを特徴としている。また、この発明の通信モジュールは、上述のダイプレクサ機能付き信号伝送ケーブルと、該ダイプレクサ機能付き信号伝送ケーブルによって接続されるアンテナ基板およびフロントエンド基板と、を備えることを特徴としている。

これらの構成では、上述の信号伝送ケーブルを備えることで、通信特性に優れる小型の通信機器モジュールを実現することができる。

この発明によれば、高いＱ値を有する帯域阻止フィルタを備えた信号伝送ケーブルを実現することができる。これにより、送受信特性を劣化させることなく通信機器モジュールを小型化することができる。

本発明の第１の実施形態に係る信号伝送ケーブルの外観斜視図である。 本発明の第１の実施形態に係る信号伝送ケーブルの分解斜視図である。 本発明の第１の実施形態に係る信号伝送ケーブルの各基材層の導体パターンを示す平面図である。 本発明の第１の実施形態に係る信号伝送ケーブルの等価回路図である。 本発明の第１の実施形態に係る信号伝送ケーブルの通過特性と、従来の信号伝送ケーブルと帯域阻止フィルタ素子との組合せ構造の通過特性を示すグラフである。 本発明の第２の実施形態に係る信号伝送ケーブルの分解斜視図である。 本発明の第２の実施形態に係る信号伝送ケーブルの各基材層の導体パターンを示す平面図である。 本発明の第３の実施形態に係る信号伝送ケーブルの分解斜視図である。 本発明の第４の実施形態に係る信号伝送ケーブルの分解斜視図である。 本発明の第５の実施形態に係る信号伝送ケーブルの分解斜視図である。 本発明の第６の実施形態に係る信号伝送ケーブルの分解斜視図である。 実装型のキャパシタ素子の実装構造を説明するための断面図である。 本発明の第７の実施形態に係る信号伝送ケーブルの分解斜視図である。 本発明の第７の実施形態に係る信号伝送ケーブルの等価回路図である。 本発明の第７の実施形態に係る信号伝送ケーブルの通過特性と、実施例３の信号伝送ケーブルと帯域阻止フィルタ素子との組合せ構造の通過特性を示すグラフである。 本発明の第８の実施形態に係る信号伝送ケーブルの分解斜視図である。 本発明の第８の実施形態に係る信号伝送ケーブルの各基材層の導体パターンを示す平面図である。 本発明の第８の実施形態に係る信号伝送ケーブルの等価回路図である。 本発明の第９の実施形態に係る信号伝送ケーブルの分解斜視図である。 本発明の第１０の実施形態に係る信号伝送ケーブルの分解斜視図である。 本発明の第１０の実施形態に係る信号伝送ケーブルの各基材層の導体パターンを示す平面図である。 本発明の第１０の実施形態に係る信号伝送ケーブルの等価回路図である。 本発明の第１１の実施形態に係る信号伝送ケーブルの分解斜視図である。 本発明の第１２の実施形態に係る信号伝送ケーブルの各基材層の導体パターンを示す平面図である。 第１０、第１２実施形態に係る信号伝送ケーブルの通過特性を示すグラフである。 本発明の第１３の実施形態に係る信号伝送ケーブルの分解斜視図である。 本発明の実施形態に係る通信機器モジュールのブロック図である。 本発明の実施形態に係る通信機器モジュールの概略構成を示す側面図である。 本発明の第１４の実施形態に係る信号伝送ケーブルの分解斜視図である。 本発明の第１４の実施形態に係るダイプレクサ型の信号伝送ケーブルの伝送特性を示すグラフである。

本発明の第１の実施形態に係る信号伝送ケーブルについて、図を参照して説明する。図１は、本発明の第１の実施形態に係る信号伝送ケーブルの外観斜視図である。図２は、本発明の第１の実施形態に係る信号伝送ケーブルの分解斜視図である。図３は、本発明の第１の実施形態に係る信号伝送ケーブルの各基材層の導体パターンを示す平面図である。なお、以下では、信号伝送ケーブル（素体、基材層）を、第１方向および第２方向に直交する方向に沿って視た場合を、平面視する、と称する。

図１に示すように、信号伝送ケーブル１０は、第１方向と第２方向の二方向に伸長する平板状の素体１００を備える。素体１００の第１方向の長さは、当該信号伝送ケーブル１０で接続する二つの外部回路基板の接続位置の距離に基づいて決定されている。素体１００の第２方向の長さは、後述する素体１００内に形成するインダクタやキャパシタの形状に基づいて決定されている。素体１００の厚みは、適宜設定されており、例えば、０．２ｍｍ〜０．５ｍｍ程度である。素体１００の一方の平板面（第１方向および第２方向に平行な面）には、略全面に絶縁性のレジスト膜１１０が形成されている。

素体１００は、基材層１０１と基材層１０２を積層してなる。基材層１０１，１０２は、可撓性で絶縁性を有する平膜からなり、例えば液晶ポリマーからなる。基材層１０１，１０２は、この順で、レジスト膜１１０側から積層されている。言い換えれば、基材層１０１の基材層１０２と反対側の平板面にレジスト膜１１０が形成されている。

基材層１０１のレジスト膜１１０側の面には、信号線路用の導体パターン２１０と、外部接続用導体３１１，３１２が形成されている。これら信号線路用の導体パターン２１０および外部接続用導体３１１，３１２は、銅箔等の導電性が高い金属等からなる。

外部接続用導体３１１は、基材層１０１における第１方向に沿った一方端であるＥＬ１１端部の近傍に形成されている。外部接続用導体３１１は、平面視して略正方形である。外部接続用導体３１２は、基材層１０１における第１方向に沿った他方端であるＥＬ１２端部の近傍に形成されている。外部接続用導体３１２は、平面視して略正方形である。

図２、図３（Ａ）に示すように、信号線路用の導体パターン２１０は、伝送用導体部２１１、キャパシタ用導体部２１２、インダクタ用導体部２１３を備える。

伝送用導体部２１１は、第１方向に沿って伸長する線状導体である。伝送用導体部２１１の伸長方向の一方端は、外部接続用導体３１１に接続されている。伝送用導体部２１１の伸長方向の他方端は、キャパシタ用導体部２１２に接続されている。

キャパシタ用導体部２１２は平板状導体であり、キャパシタ用導体部２１２の第２方向の長さは、伝送用導体部２１１の第２方向の長さよりも長い。言い換えれば、キャパシタ用導体部２１２は、幅広な平板状導体からなる。

インダクタ用導体部２１３は、平面視してスパイラル形状の線状導体からなる。インダクタ用導体部２１３は、第１方向に沿ったキャパシタ用導体部２１２と略同じ位置に形成されている。インダクタ用導体部２１３のスパイラル形状における外周側の端部は、キャパシタ用導体部２１２に接続されている。例えば、インダクタ用導体部２１３の外周側の端部は、キャパシタ用導体部２１２の第１方向に沿った略中央位置に接続されている。インダクタ用導体部２１３の中心側の端部は、層間接続導体４０１に接続されている。

基材層１０１には、層間接続導体４０１，４０２を備える。層間接続導体４０１，４０２は、基材層１０１を貫通する貫通孔に導電性ペーストを充填して固化させてなる。導電性ペーストは、スズ、銀を主成分とする導電性材料からなる。

層間接続導体４０１は、インダクタ用導体部２１３の中心側の端部の位置に形成されている。層間接続導体４０２は、外部接続用導体３１２の形成領域内に形成されている。

基材層１０２の基材層１０１側の面には、信号線路用の導体パターン２２０が形成されている。信号線路用の導体パターン２２０は、信号線路用の導体パターン２１０と同様に、銅箔等の導電性が高い金属等からなる。

図２、図３（Ｂ）に示すように、信号線路用の導体パターン２２０は、キャパシタ用導体部２２１、伝送用導体部２２２，２２３を備える。

キャパシタ用導体部２２１は、基材層１０１のキャパシタ用導体部２１２と同様に、幅広の平板状導体からなる。キャパシタ用導体部２２１は、基材層１０１を介してキャパシタ用導体部２１２と対向する形状である。

伝送用導体部２２２は、第２方向に伸長する線状導体である。伝送用導体部２２２の伸長方向の一方端（ＥＬ２１側の端部）は、キャパシタ用導体部２２１に接続されている。伝送用導体部２２２の伸長方向の他方端（ＥＬ２２側の端部）は、層間接続導体４０１に接続されている。

伝送用導体部２２３は、第１方向に伸長する線状導体であり、伝送用導体部２２３の伸長方向の一方端（ＥＬ１１側の端部）は、キャパシタ用導体部２２１に接続されている。伝送用導体部２２３の伸長方向の他方端（ＥＬ１２側の端部）は、層間接続導体４０２に接続されている。

コネクタ５０１，５０２は、素体１００のレジスト膜１１０側に設置されている。コネクタ５０１，５０２は、図示しない外部回路基板のコネクタ実装部に物理的に接続することで、外部回路基板の回路と信号伝送ケーブル１０とを電気的に接続できる構造からなる。なお、コネクタ５０１，５０２は、省略することもできるが、当該コネクタ５０１，５０２を用いることで、信号伝送ケーブル１０と第１、第２外部回路基板との接続信頼性を向上させることができる。

コネクタ５０１は、レジスト膜１１０に形成された開口部１１１に配置されており外部接続用導体３１１に実装されており、これらの組合せが本発明の第１外部接続端子に相当する。コネクタ５０２は、レジスト膜１１０に形成された開口部１１２に配置されており外部接続用導体３１２に実装されており、これらの組合せが本発明の第２外部接続端子に相当する。

このような構成により、コネクタ５０１を介して第１外部回路基板から入力された高周波信号は、外部接続用導体３１１、信号線路用の導体パターン２１０、信号線路用の導体パターン２２０、外部接続用導体３１２を伝送し、コネクタ５０２を介して第２外部回路基板へ出力される。なお、より正確には、層間接続導体４０１，４０２を介するが、これらは、本発明の信号伝送線路を構成する信号線路用の導体パターンに含まれるものである。

そして、本実施形態の構成を用いることで、図４に示す等価回路で表される帯域阻止フィルタの回路を実現できる。図４は、本発明の第１の実施形態に係る信号伝送ケーブルの等価回路図である。

図４に示すように、本実施形態の信号伝送ケーブル１０は、外部接続用導体５０１，５０２間に、インダクタＬ１とキャパシタＣ１の並列回路が接続される回路構成からなる。インダクタＬ１は、上述のスパイラル形状からなるインダクタ用導体部２１３によって実現される。キャパシタＣ１は、互いに対向するキャパシタ用導体２１２，２２１とこれらの挟まれる基材層１０１とによって実現される。インダクタＬ１とキャパシタＣ１を並列接続するラインは、インダクタ用導体部２１３とキャパシタ用導体２１２との接続部と、伝送用導体部２２２とによって実現される。

このように、本実施形態の構成を用いれば、ＬＣ並列共振回路を備えた信号伝送ケーブル１０を実現することができる。そして、このＬＣ並列共振回路は、素子値を調整することで、所望とする周波数を減衰極周波数とする帯域阻止フィルタとして機能する。すなわち、本実施形態の構成を用いることで、帯域阻止フィルタ機能付きの信号伝送ケーブルを実現することができる。

これにより、外部回路基板にインダクタやキャパシタを、別途実装する必要が無く、当該信号伝送ケーブル１０を含む通信機器モジュールを、小型に形成することができる。

さらに、本実施形態の構成では、素体１００の第２方向の長さに基づいて、素体１００の平板面上にインダクタを形成できる。このため、従来の外部回路基板に実装する実装部品型のインダクタと比較して、インダクタを構成する導体の幅および形状を大きくすることができる。これにより、インダクタの直列抵抗を低下させ、Ｑ値を向上させることができる。したがって、Ｑ値の高いＬＣ並列共振回路、すなわち減衰特性の急峻な帯域阻止フィルタを実現することができる。

図５は、本発明の第１の実施形態に係る信号伝送ケーブルの通過特性と、従来の信号伝送ケーブルと帯域阻止フィルタ素子との組合せ構造の通過特性を示すグラフである。図５に示すように、本実施形態の信号伝送ケーブル１０は、従来の信号伝送ケーブルと実装型の帯域阻止フィルタ素子との組合せ構造と比較して、減衰特性が急峻で、且つ、従来よりも減衰極周波数ｆ０での減衰量を大きく取ることができる。

なお、本実施形態では、基材層１０１，１０２に液晶ポリマーを用いる例を示したが、可撓性を有する絶縁性材料であれば、他の材料であってもよい。ただし、液晶ポリマーを用いた場合、ｔａｎδが小さいので、信号伝送線路の伝送損失を低減することができる。また、インダクタの寄生容量が小さくなり、さらに高いＱ値の帯域阻止フィルタを実現できる。

このような信号伝送ケーブル１０は、次に示すように製造される。まず、片面銅貼りの基材層１０１，１０２を用意する。基材層１０１の銅箔にパターニング処理を行うことで、信号線路用の導体パターン２１０および外部接続用導体３１１，３１２を形成する。同様に、基材層１０２の銅箔にパターニング処理を行うことで、信号線路用の導体パターン２２０を形成する。

次に、基材層１０１に対して、貫通孔を形成する。この貫通孔は、例えば、レーザ等によって、信号線路用の導体パターン２１０および外部接続用導体３１２の形成面と反対側から形成する。そして、この貫通孔に導電性ペーストを充填する。

次に、各基材層１０１，１０２を積層し、積層された基材層１０１，１０２を加熱圧着する。この際、貫通孔内の導電性ペーストが固化して、層間導体４０１，４０２が形成される。

次に、素体１１０の基材層１０１側の表面にレジスト膜１１０を形成する。レジスト膜１１０における外部接続用導体３１１，３１２に当接する領域に、開口部１１１，１１２を設ける。この開口部１１１，１１２にはめこむ形状で、コネクタ５０１，５０２を実装し、外部接続用導体３１１，３１２に接続する。

次に、第２の実施形態に係る信号伝送ケーブルについて、図を参照して説明する。図６は、本発明の第２の実施形態に係る信号伝送ケーブルの分解斜視図である。図７は、本発明の第２の実施形態に係る信号伝送ケーブルの各基材層の導体パターンを示す平面図である。本実施形態の信号伝送ケーブル１０Ａは、第１の実施形態に係る信号伝送ケーブル１０に対して、インダクタとキャパシタが第１方向に沿って配列された点で異なる。レジスト膜１１０Ａおよびコネクタ５０１，５０２の設置構造は同じであるので、説明は省略する。

図６、図７に示すように、信号伝送ケーブル１０Ａの素体１００Ａは、基材層１０１Ａ，１０２Ａを積層してなり、第１方向に長い長尺状である。

基材層１０１Ａのレジスト膜１１０Ａ側の面には、信号線路用の導体パターン２１０Ａと、外部接続用導体３１１，３１２が形成されている。外部接続用導体３１１は、基材層１０１におけるＥＬ１１端部の近傍に形成されており、外部接続用導体３１２は、基材層１０１におけるＥＬ１２端部の近傍に形成されている。

図６、図７（Ａ）に示すように、信号線路用の導体パターン２１０Ａは、伝送用導体部２１１Ａ，２１４Ａ、キャパシタ用導体部２１２Ａ、インダクタ用導体部２１３Ａを備える。

伝送用導体部２１１Ａは、第１方向に沿って伸長する線状導体である。伝送用導体部２１１Ａの伸長方向の一方端は、外部接続用導体３１１に接続されている。伝送用導体部２１１Ａの伸長方向の他方端は、キャパシタ用導体部２１２Ａに接続されている。

キャパシタ用導体部２１２Ａは平板状導体であり、キャパシタ用導体部２１２Ａの第２方向の長さは、伝送用導体部２１１Ａ，２１４Ａの第２方向の長さよりも長い。言い換えれば、キャパシタ用導体部２１２Ａは、幅広な平板状導体からなる。

インダクタ用導体部２１３Ａは、平面視してスパイラル形状の線状導体からなる。インダクタ用導体部２１３Ａは、第１方向に沿ったキャパシタ用導体部２１２Ａと外部接続用導体３１２との間に、これらから離間して形成されている。

インダクタ用導体部２１３Ａのスパイラル形状における外周側の端部は、線状導体からなる伝送用導体部２１４Ａを介して、キャパシタ用導体部２１２Ａに接続されている。インダクタ用導体部２１３Ａの中心側の端部は、層間接続導体４０１Ａに接続されている。

基材層１０１Ａには、層間接続導体４０１Ａ，４０２Ａを備える。層間接続導体４０１Ａは、インダクタ用導体部２１３Ａの中心側の端部の位置に形成されている。層間接続導体４０２Ａは、外部接続用導体３１２の形成領域内に形成されている。

基材層１０２Ａの基材層１０１Ａ側の面には、信号線路用の導体パターン２２０Ａが形成されている。図６、図７（Ｂ）に示すように、信号線路用の導体パターン２２０Ａは、キャパシタ用導体部２２１Ａ、伝送用導体部２２３Ａを備える。

キャパシタ用導体部２２１Ａは、基材層１０１Ａのキャパシタ用導体部２１２Ａと同様に、幅広の平板状導体からなる。キャパシタ用導体部２２１Ａは、基材層１０１Ａを介してキャパシタ用導体部２１２Ａと対向する形状である。

伝送用導体部２２３Ａは、第１方向に伸長する線状導体であり、伝送用導体部２２３Ａの伸長方向の一方端（ＥＬ１１側の端部）は、キャパシタ用導体部２２１Ａに接続されている。伝送用導体部２２３Ａの伸長方向の他方端（ＥＬ１２側の端部）は、層間接続導体４０２Ａに接続されている。

このような構成であっても、第１の実施形態と同様に、高いＱ値を有する帯域阻止フィルタを備えた信号伝送ケーブルを実現することができる。さらに、本実施形態の構成では、インダクタとキャパシタが信号伝送ケーブルの伸長方向に沿って配列されているので、信号伝送ケーブルを狭幅に形成することができる。

次に、第３の実施形態に係る信号伝送ケーブルについて、図を参照して説明する。図８は、本発明の第３の実施形態に係る信号伝送ケーブルの分解斜視図である。本実施形態の信号伝送ケーブル１０Ｂは、素体１００Ｂに対するコネクタ５０２の配置面が、第２の実施形態に示した信号伝送ケーブル１０Ａと異なる。また、これに伴って、基材層１０２Ｂに対する信号線路用の導体パターン２２０Ｂの形成構成が、第２の実施形態に示した信号伝送ケーブル１０Ａと異なる。したがって、第２の実施形態に示した信号伝送ケーブル１０Ａと異なる箇所およびこれに関係して説明を要する箇所のみを具体的に説明する。

素体１００Ｂは、基材層１０１Ｂ，１０２Ｂからなる。基材層１０１Ｂは基材層１０１０Ａと同じであり、信号線路用の導体パターン２１０Ｂは信号線路用の導体パターン２１０Ａと同じである。基材層１０１Ｂには、外部接続用導体３１１のみが形成されている。

基材層１０２Ｂにおける基材層１０１Ｂと反対側の面には、信号線路用の導体パターン２２０Ｂと外部接続用導体３２２が形成されている。外部接続用導体３２２は、基材層１０２ＢにおけるＥＬ１２端部の近傍に形成されている。

図８（Ｂ）に示すように、信号線路用の導体パターン２２０Ｂは、キャパシタ用導体部２２１Ｂ、伝送用導体部２２３Ｂを備える。

キャパシタ用導体部２２１Ｂは、基材層１０１Ｂのキャパシタ用導体部２１２Ｂと同様に、幅広の平板状導体からなる。キャパシタ用導体部２２１Ｂは、基材層１０１Ｂ，１０２Ｂを介してキャパシタ用導体部２１２Ｂと対向する形状である。

伝送用導体部２２３Ｂは、第１方向に伸長する線状導体であり、伝送用導体部２２３Ｂの伸長方向の一方端（ＥＬ１１側の端部）は、キャパシタ用導体部２２１Ｂに接続されている。伝送用導体部２２３Ｂの伸長方向の他方端（ＥＬ１２側の端部）は、外部接続用導体３２２に接続されている。

基材層１０２Ｂにおける基材層１０１Ｂと反対側の平板面には、略全面に絶縁性のレジスト膜１２０Ｂが形成されている。コネクタ５０２は、レジスト膜１２０Ｂに形成された開口部１１２に配置されており外部接続用導体３２２に実装されており、これらの組合せが本発明の第２外部接続端子に相当する。

このような構成であっても、第１、第２の実施形態と同様に、高いＱ値を有する帯域阻止フィルタを備えた信号伝送ケーブルを実現することができる。さらに、本実施形態の構成を用いることで、厚み方向に沿った二つの外部回路基板に対する接続方向が逆であっても、これら二つの外部回路基板に容易に接続することができる。

次に、第４の実施形態に係る信号伝送ケーブルについて、図を参照して説明する。図９は、本発明の第４の実施形態に係る信号伝送ケーブルの分解斜視図である。本実施形態の信号伝送ケーブル１０Ｃは、キャパシタの構成が、第３の実施形態に示した信号伝送ケーブル１０Ｂと異なる。したがって、第３の実施形態に示した信号伝送ケーブル１０Ｂと異なる箇所およびこれに関係して説明を要する箇所のみを具体的に説明する。

素体１００Ｃは、基材層１０１Ｃ，１０２Ｃ，１０３Ｃをこの順で積層してなる。基材層１０２Ｃには、信号線路用の導体パターン２２０Ｃのみが形成されている。信号線路用の導体パターン２２０Ｃは、キャパシタ用導体部２２１Ｃと伝送用導体部２２３Ｃを備える。伝送用導体部２２３Ｃは、第１方向に伸長する線状導体であり、伝送用導体部２２３Ｃの伸長方向の一方端（ＥＬ１１側の端部）は、キャパシタ用導体部２２１Ｃに接続されている。伝送用導体部２２３Ｃの伸長方向の他方端（ＥＬ１２側の端部）は、ＥＬ１２側端部付近まで伸長し、層間接続導体４０２Ｃに接続されている。

基材層１０１Ｃ，１０２Ｃの外部接続用導体３１１の形成領域には、層間接続導体４０３Ｃが形成されている。基材層１０２ＣのＥＬ１２側端部付近には、層間接続導体４０２Ｃが形成されている。これら層間接続導体４０２Ｃ，４０３Ｃは、基材層１０３Ｃにも連続する形状からなる。

基材層１０３Ｃにおける基材層１０２Ｃと反対側の面には、信号線路用の導体パターン２３０Ｃ、外部接続用補助導体３３１、および外部接続用導体３３２が形成されている。

外部接続用補助導体３３１は、基材層１０２ＣにおけるＥＬ１１端部の近傍に形成されている。外部接続用導体３３１は、層間接続導体４０３Ｃに接続されている。外部接続用導体３３２は、基材層１０２ＣにおけるＥＬ１２端部の近傍に形成されている。外部接続用導体３３２は、層間接続導体４０２Ｃに接続されている。

信号線路用の導体パターン２３０Ｃは、キャパシタ用導体部２３１Ｃ、伝送用導体部２３２Ｃを備える。

キャパシタ用導体部２３１Ｃは、基材層１０１Ｃのキャパシタ用導体部２１２Ｃ、基材層１０２Ｃのキャパシタ用導体部２２１Ｃと同様に、幅広の平板状導体からなる。キャパシタ用導体部２３１Ｃは、基材層１０３Ｃを介してキャパシタ用導体部２２１Ｃと対向する形状である。

伝送用導体部２３２Ｃは、第１方向に伸長する線状導体であり、伝送用導体部２３２Ｃの伸長方向の一方端（ＥＬ１１側の端部）は、外部接続用補助導体３３１に接続されている。伝送用導体部２３２Ｃの伸長方向の他方端（ＥＬ１２側の端部）は、キャパシタ用導体部２３１Ｃに接続されている。

基材層１０３Ｃにおける基材層１０２Ｃと反対側の平板面には、略全面に絶縁性のレジスト膜１２０Ｃが形成されている。コネクタ５０２は、レジスト膜１２０Ｃに形成された開口部１１２に配置されており外部接続用導体３３２に実装されており、これらの組合せが本発明の第２外部接続端子に相当する。

この構成では、キャパシタ用導体部２１２Ｃ，２２１Ｃが基材層１０１Ｃ，１０２Ｃを介して対向し、キャパシタ用導体２２１Ｃ，２３１Ｃが基材層１０３Ｃを介して対向する。このような構成であっても、キャパシタを構成することができ、上述の実施形態と同じ対向面積で、より大きなキャパシタンスを得ることができる。

このような構成であっても、第３の実施形態と同様の作用効果を得ることができる。さらに、本実施形態の構成を用いることで、より大きなキャパシタンスを得ることができ、減衰極の取り得る周波数範囲を広くすることができる。

次に、本発明の第５の実施形態に係る信号伝送ケーブルについて、図を参照して説明する。図１０は、本発明の第５の実施形態に係る信号伝送ケーブルの分解斜視図である。本実施形態の信号伝送ケーブル１０Ｄは、インダクタが二層に亘って形成されている点で、第２の実施形態に示した信号伝送ケーブル１０Ａと異なる。したがって、第２の実施形態に示した信号伝送ケーブル１０Ａと異なる箇所およびこれに関係して説明を要する箇所のみを具体的に説明する。

素体１００Ｄは、基材層１０１Ｄ，１０２Ｄを備える。基材層１０２Ｄには、信号線路用の導体パターン２２０Ｄが形成されている。信号線路用の導体パターン２２０Ｄは、キャパシタ用導体部２２１Ｄ、伝送用導体部２２３Ｄ、およびインダクタ用導体部２２４Ｄを備える。

インダクタ用導体部２２４Ｄは、第１方向に沿って、基材層１０２Ｄにおけるキャパシタ用導体部２２１ＤよりもＥＬ１２端部側に形成されており、基材層１０１Ｄのインダクタ用導体部２１３Ｄの形成位置と略同じ位置に形成されている。インダクタ用導体部２２４Ｄは、インダクタ用導体部２１３Ｄと同様に、スパイラル形状である。インダクタ用導体部２２４Ｄの中央側の端部は、層間接続導体４０１Ｄを介して、インダクタ用導体部２１３Ｄの中央側の端部に接続されている。インダクタ用導体部２２４Ｄは、インダクタ用導体部２１３Ｄから連続して同じ方向に巻回する形状である。

伝送用導体部２２３Ｄは、キャパシタ用導体部２２１Ｄと、ＥＬ１２端部付近の層間接続導体４０２Ｄとを接続する線状導体である。伝送用導体部２２３Ｄは、インダクタ用導体部２２４Ｄの形成領域を迂回する形状で形成されている。伝送用導体部２２３Ｄは、インダクタ用導体部２２４Ｄの外周側の端部に接続されている。

この構成では、２層にわたって形成されたインダクタ用導体部２１３Ｄ，２２４Ｄとこれらを接続する層間接続導体４０１Ｄによって、ＬＣ並列共振回路のインダクタが構成される。したがって、より大きなインダクタンスのインダクタを構成することができる。

このような構成であっても、第２の実施形態と同様の作用効果を得ることができる。さらに、本実施形態の構成を用いることで、より大きなインダクタンスを得ることができ、減衰極の取り得る周波数範囲を広くすることができる。

次に、本発明の第６の実施形態に係る信号伝送ケーブルについて、図を参照して説明する。図１１は、本発明の第６の実施形態に係る信号伝送ケーブルの分解斜視図である。本実施形態の信号伝送ケーブル１０Ｅは、キャパシタを実装型素子とし、当該実装型のキャパシタを素体１００Ｅに内蔵する点で、第２の実施形態に示した信号伝送ケーブル１０Ａと異なる。したがって、第２の実施形態に示した信号伝送ケーブル１０Ａと異なる箇所およびこれに関係して説明を要する箇所のみを具体的に説明する。

素体１００Ｅは、基材層１０１Ｅ，１０４Ｅ，１０２Ｅをこの順で積層してなる。基材層１０１Ｅには、キャパシタ用導体部が形成されていない。

基材層１０２Ｅの基材層１０４Ｅと反対側の面には、信号線路用の導体パターン２２０Ｅが形成されている。これに伴い、基材層１０２Ｅの基材層１０４Ｅと反対側の面には、全面にレジスト膜１２０Ｅが形成されている。信号線路用の導体パターン２２０Ｅは、第１方向に伸長する線状導体であり、途中で分割されている。信号線路用の導体パターン２２０ＥのＥＬ１１端部側の個片部が信号線路用の導体パターン２２０Ｅ１であり、信号線路用の導体パターン２２０ＥのＥＬ１２端部側の個片部が信号線路用の導体パターン２２０Ｅ２である。信号線路用の導体パターン２２０Ｅ２は、層間接続導体４０１Ｅを介してインダクタ用導体部２１３Ｅの中央側の端部に接続されている。

信号線路用の導体パターン２２０Ｅ１のＥＬ１１端部側の端部は、層間接続導体４０３Ｅを介して外部接続用導体３１１に接続されている。信号線路用の導体パターン２２０Ｅ１のＥＬ１２端部側の端部は、基材層１０２Ｅを厚み方向に貫通する形状の層間接続導体４２１Ｅに接続されている。信号線路用の導体パターン２２０Ｅ２のＥＬ１２端部側の端部は、層間接続導体４０２Ｅを介して外部接続用導体３１２に接続されている。信号線路用の導体パターン２２０Ｅ２のＥＬ１１端部側の端部は、基材層１０２Ｅを厚み方向に貫通する形状の層間接続導体４２２Ｅに接続されている。

基材層１０２Ｅの基材層１０４Ｅ側の面には、実装型のキャパシタ素子２０が配置されている。キャパシタ素子２０は、両端の外部接続端子が層間接続導体４２１Ｅ，４２２Ｅに接続するように実装されている。

基材層１０４Ｅは、導体パターンを有さず、貫通穴１６０が形成されている。貫通穴１６０は、素体１００Ｅを平面視して、キャパシタ素子２０の実装領域を含むように形成されている。

このような構成であっても、第２の実施形態と同様の作用効果を得ることができる。さらに、本実施形態の構成を用いることで、素体内の導体パターンで形成したキャパシタでは実現できない大きいキャパシタンスを、実装型のキャパシタ素子によって実現できる。したがって、減衰極の取り得る周波数範囲を広くすることができる。

なお、実装型のキャパシタ素子２０は、次に示すように素体１００Ｅ内に配置される。図１２は、実装型のキャパシタ素子の実装構造を説明するための断面図である。図１２（Ａ）が基材層の加熱圧着前の状態を示す図であり、図１２（Ｂ）が加熱圧着後の状態を示す図である。

図１２（Ａ）に示すように、信号伝送用の導体パターン２１０Ｅが形成された基材層１０１Ｅ、基材層１０４Ｅ、信号伝送用の導体パターン２２０Ｅ１，２２０Ｅ２および層間接続導体４２１Ｅ，４２２Ｅが形成された基材層１０２Ｅを積層する。なお、より具体的には、この状態では、層間接続導体４２１Ｅ，４２２Ｅの元となる導電ペーストが充填された貫通孔が基材層１０２Ｅに形成された状態である。この際、基材層１０４Ｅに形成された貫通穴１６０内にキャパシタ素子２０を配置する。

これら基材層１０１Ｅ，１０４Ｅ，１０２Ｅを加熱圧着して素体１００Ｅを形成する。この際、導電性ペーストが固化して、層間接続導体４２１Ｅ，４２２Ｅが形成されるとともに、キャパシタ素子２０の外部接続端子に電気的且つ物理的に接続する。また、基材層１０１Ｅ，１０４Ｅが溶融することで貫通穴１６０が埋められ、素体１００Ｅによってキャパシタ素子２０が固定される。

次に、本発明の第７の実施形態に係る信号伝送ケーブルについて、図を参照して説明する。図１３は、本発明の第７の実施形態に係る信号伝送ケーブルの分解斜視図である。本実施形態の信号伝送ケーブル１０Ｆは、キャパシタに対して直列共振用インダクタを直列接続する点で、第３の実施形態に示した信号伝送ケーブル１０Ｂと異なる。したがって、第３の実施形態に示した信号伝送ケーブル１０Ｂと異なる箇所およびこれに関係して説明を要する箇所のみを具体的に説明する。

素体１００Ｆは、基材層１０１Ｆ，１０２Ｆ，１０４Ｆをこの順で積層してなる。基材層１０２Ｆにおける基材層１０１Ｆ側の面には、信号線路用の導体パターン２２０Ｆが形成されている。信号線路用の導体パターン２２０Ｆは、キャパシタ用導体部２２１Ｆ、伝送用導体部２２４Ｆ、およびインダクタ用導体部２２５Ｆを備える。キャパシタ用導体部２２１Ｆは、基材層１０１Ｆを介してキャパシタ用導体部２１２Ｆと対向する形状である。

伝送用導体部２２４Ｆは、第１方向に沿って伸長する線状導体からなり、キャパシタ用導体部２２１Ｆとインダクタ用導体部２２５Ｆの外周側の端部を接続する。

インダクタ用導体部２２５Ｆは、平面視してスパイラル形状の線状導体からなる。インダクタ用導体部２２５Ｆは、第１方向に沿って、基材層１０１Ｆのインダクタ用導体部２１３Ｆと略同じ位置に形成されている。インダクタ用導体部２２５Ｆの中央側の端部は、層間接続導体４０１Ｆを介して、インダクタ用導体部２１３Ｆの中央側の端部、および、後述する基材層１０３Ｆの信号線路用の導体パターン２３０Ｆに接続されている。

基材層１０３Ｆにおける基材層１０２Ｆと反対側の面には、信号線路用の導体パターン２３０Ｆと、外部接続用導体３３２が形成されている。外部接続用導体３３２は、基材層１０３ＦにおけるＥＬ１２端部の近傍に形成されている。信号線路用の導体パターン２３０Ｆは、第１方向に伸長する線状導体からなる。信号線路用の導体パターン２３０ＦのＥＬ１１端部側の端部は、層間接続導体４０１Ｆを介して、インダクタ用導体部２１３Ｆ，２２５Ｆの中央側の端部に接続されている。信号線路用の導体パターン２３０ＦのＥＬ１２端部側の端部は、外部接続用導体３３２に接続されている。

そして、本実施形態の構成を用いることで、図１４に示す等価回路からなる帯域阻止フィルタの回路を実現できる。図１４は、本発明の第７の実施形態に係る信号伝送ケーブルの等価回路図である。

図１４に示すように、本実施形態の信号伝送ケーブル１０Ｆは、外部接続用導体５０１，５０２間に、キャパシタＣ１およびインダクタＬ２の直列共振回路とインダクタＬ１との並列回路が接続される回路構成からなる。インダクタＬ１は、上述のスパイラル形状からなるインダクタ用導体部２１３Ｆによって実現される。キャパシタＣ１は、互いに対向するキャパシタ用導体２１２Ｆ，２２１Ｆとこれらの挟まれる基材層１０１Ｆとによって実現される。インダクタＬ２は、上述のスパイラル形状からなるインダクタ用導体部２２５Ｆによって実現される。

キャパシタＣ１およびインダクタＬ２の直列共振回路とインダクタＬ１とを並列接続するラインは、インダクタ用導体部２１３Ｆとキャパシタ用導体２１２Ｆとを接続する伝送用導体部２１４Ｆと層間接続導体４０１Ｆとによって実現される。

このように、本実施形態の構成を用いれば、ＬＣ直列共振回路を付加したＬＣ並列共振回路を備えた信号伝送ケーブル１０Ｆを実現することができる。そして、このＬＣ並列共振回路は、素子値を調整することで、所望とする周波数を減衰極周波数とする帯域阻止フィルタとして機能する。さらに、このＬＣ直列共振回路は、素子値を調整することで、所望とする周波数帯域を通過させる帯域通過フィルタとして機能する。この通過帯域を、伝送したい通信信号の周波数帯域に設定することで、伝送したい通信信号をさらに低損失で伝送し、減衰させたい通信信号を減衰させる帯域阻止フィルタを実現することができる。

図１５は、本発明の第７の実施形態に係る信号伝送ケーブルの通過特性と、実施例３の信号伝送ケーブルと帯域阻止フィルタ素子との組合せ構造の通過特性を示すグラフである。図１５に示すように、本実施形態の信号伝送ケーブル１０Ｆは、第３実施形態に示した信号伝送ケーブル１０Ｃと比較して、減衰極周波数で同等の減衰量を得ながら、当該減衰極の高周波数帯域側の所望の周波数ｆ１（ＬＣ直列共振回路の共振周波数）を含む周波数帯域での通過損失を低減させることができる。また、減衰極周波数の高周波数側の減衰帯域の幅を狭くすることができる。

なお、本実施形態の構成では、平面視して、インダクタ用導体部２１３Ｆの巻回方向とインダクタ用導体部２２５Ｆとの巻回方向が逆である。しかしながら、インダクタ用導体部２１３Ｆの巻回方向とインダクタ用導体部２２５Ｆとの巻回方向が同じであってもよい。これらは、例えば、必要とするフィルタ特性に基づいて適宜決定すればよい。

次に、本発明の第８の実施形態に係る信号伝送ケーブルについて、図を参照して説明する。図１６は、本発明の第８の実施形態に係る信号伝送ケーブルの分解斜視図である。図１７は、本発明の第８の実施形態に係る信号伝送ケーブルの各基材層の導体パターンを示す平面図である。

図１６、図１７に示すように、信号伝送ケーブル１０Ｇは、第１方向と第２方向の二方向に伸長する平板状の素体１００Ｇを備える。素体１００Ｇの厚みは、適宜設定されており、例えば、０．２ｍｍ〜０．５ｍｍ程度である。素体１００Ｇの一方の平板面（第１方向および第２方向に平行な面）には、略全面に絶縁性のレジスト膜１１０Ｇが形成されている。

素体１００Ｇは、基材層１０１Ｇと基材層１０２Ｇを積層してなる。基材層１０１Ｇ，１０２Ｇは、可撓性で絶縁性を有する平膜からなり、例えば液晶ポリマーからなる。基材層１０１Ｇ，１０２Ｇは、この順で、レジスト膜１１０Ｇ側から積層されている。言い換えれば、基材層１０１Ｇの基材層１０２Ｇと反対側の平板面にレジスト膜１１０Ｇが形成されている。

基材層１０１Ｇのレジスト膜１１０Ｇ側の面には、信号線路用の導体パターン６１０（以下、単に導体パターン６１０と称する）が形成されている。導体パターン６１０は、銅箔等の導電性が高い金属等からなる。導体パターン６１０は、第１導体部６１１、第２導体部６１２、第３導体部６１３、第４導体部６１４、および第５導体部６１５からなる。

第１導体部６１１、第２導体部６１２は、第２方向に伸長する線状導体からなる。第１、第２導体部６１１，６１２は、基材層１０１ＧのＥＬ２１側端部からＥＬ２２側端部まで略全長に亘って伸長する形状からなる。第１導体部６１１は、基材層１０１ＧのＥＬ１１側端部近傍に配置され、第２導体部６１２は、基材層１０１ＧのＥＬ１２側端部近傍に配置されている。

第３導体部６１３、第４導体部６１４、および第５導体部６１５は、第１方向に伸長する線状導体からなる。第４、第５導体部６１４，６１５の幅（第２方向に沿った長さ）は、第３導体部６１３の幅よりも広い。

第３導体部６１３は、基材層１０１ＧのＥＬ２２側端部近傍に配置されている。第３導体部６１３は、基材層１０１ＧのＥＬ１１側端部からＥＬ１２側端部まで略全長に亘って伸長する形状からなる。第３導体部６１３のＥＬ１１側の端部は第１導体部６１１に接続されている。第３導体部６１３のＥＬ１２側の端部は第２導体部６１２に接続されている。

第４，第５導体部６１４，６１５は、基材層１０１ＧのＥＬ２１側端部近傍に配置されている。第４導体部６１４は、基材層１０１ＧのＥＬ１１側端部から第１方向の途中位置まで伸長する形状からなる。第４導体部６１４のＥＬ１１側の端部は第１導体部６１１のＥＬ２１側の端部に接続されている。第５導体部６１５は、基材層１０１ＧのＥＬ１２側端部から第１方向の途中位置まで伸長する形状からなる。第５導体部６１５のＥＬ１２側の端部は第２導体部６１２のＥＬ２１側の端部に接続されている。第４導体部６１４における第１導体部６１１に接続する側と反対側の端部と、第５導体部６１５における第２導体部６１２に接続する側と反対側の端部とは、接続されておらず、離間している。第４導体部６１４の第１方向に沿った長さは、第５導体部６１５の第１方向に沿った長さよりも長い。

基材層１０２Ｇの基材層１０１Ｇ側の面には、信号線路用の導体パターン６２０（以下、単に導体パターン６２０と称する）が形成されている。導体パターン６２０は、銅箔等の導電性が高い金属等からなる。導体パターン６２０は、第１導体部６２１、第２導体部６２２、第３導体部６２３、第４導体部６２４、および第５導体部６２５からなる。

第１導体部６２１、第２導体部６２２は、第２方向に伸長する線状導体からなる。第１、第２導体部６２１，６２２は、基材層１０２ＧのＥＬ２１側端部からＥＬ２２側端部まで略全長に亘って伸長する形状からなる。第１導体部６２１は、基材層１０２ＧのＥＬ１１側端部近傍に配置されており、平面視して、基材層１０１Ｇの第１導体部６１１と重なっている。第２導体部６２２は、基材層１０２ＧのＥＬ１２側端部近傍に配置されており、平面視して、基材層１０１Ｇの第２導体部６１２と重なっている。

第３導体部６２３、第４導体部６２４、および第５導体部６２５は、第１方向に伸長する線状導体からなる。第４、第５導体部６２４，６２５の幅（第２方向に沿った長さ）は、第３導体部６２３の幅よりも広い。

第３導体部６２３は、基材層１０２ＧのＥＬ２２側端部近傍に配置されている。第３導体部６２３は、基材層１０２ＧのＥＬ１１側端部からＥＬ１２側端部まで略全長に亘って伸長する形状からなる。第３導体部６２３のＥＬ１１側の端部は第１導体部６２１に接続されている。第３導体部６２３のＥＬ１２側の端部は第２導体部６２２に接続されている。

第４，第５導体部６２４，６２５は、基材層１０２ＧのＥＬ２１側端部近傍に配置されている。第４導体部６２４は、基材層１０２ＧのＥＬ１１側端部から第１方向の途中位置まで伸長する形状からなる。第４導体部６２４のＥＬ１１側の端部は第１導体部６２１のＥＬ２１側の端部に接続されている。第５導体部６２５は、基材層１０２ＧのＥＬ１２側端部から第１方向の途中位置まで伸長する形状からなる。第５導体部６２５のＥＬ１２側の端部は第２導体部６２２のＥＬ２１側の端部に接続されている。第４導体部６２４における第１導体部６２１に接続する側と反対側の端部と、第５導体部６２５における第２導体部６２２に接続する側と反対側の端部とは、接続されておらず、離間している。第４導体部６２４の第１方向に沿った長さは、第５導体部６２５の第１方向に沿った長さよりも短い。

導体パターン６２０の第４導体部６２４は、導体パターン６１０の第４導体部６１４に対して、第１方向の長さが短い。第４導体部６２４は、平面視して、第４導体部６１４のＥＬ１１側の所定長の部分と重なっている。

導体パターン６２０の第５導体部６２５は、導体パターン６１０の第５導体部６１５に対して、第１方向の長さが長い。第５導体部６２５のＥＬ１２側の所定長の部分は、平面視して、第５導体部６１５と重なっている。

導体パターン６１０の第４導体部６１４における第４導体部６２４と平面視して重なっていないＥＬ１２側の領域Ｆ６１は、導体パターン６２０の第５導体部６２５の第５導体部６１５と平面視して重なっていないＥＬ１１側の領域Ｆ６２と、基材層１０１Ｇを介して対向している。この領域Ｆ６１，Ｆ６２と基材層１０１ＧとによってキャパシタＣ１０が構成される。

基材層１０１Ｇには、層間接続導体４６１，４６２，４６３，４６４，４６５が形成されている。層間接続導体４６１，４６２，４６３，４６４，４６５は、基材層１０１Ｇを貫通する貫通孔に導電性ペーストを充填して固化させてなる。導電性ペーストは、スズ、銀を主成分とする導電性材料からなる。

層間接続導体４６１は、導体パターン６１０の第１導体部６１１と導体パターン６２０の第１導体部６２１を接続する。層間接続導体４６１は、第２方向に沿って複数形成されている。この層間接続導体により、第１導体部６１１，６２１が同電位になり、一つの第１導体パターンとして機能する。

層間接続導体４６２は、導体パターン６１０の第２導体部６１２と導体パターン６２０の第２導体部６２２を接続する。層間接続導体４６２は、第２方向に沿って複数形成されている。この層間接続導体により、第２導体部６１２，６２２が同電位になり、一つの第２導体パターンとして機能する。

層間接続導体４６３は、導体パターン６１０の第３導体部６１３と導体パターン６２０の第３導体部６２３を接続する。層間接続導体４６３は、第１方向に沿って複数形成されている。この層間接続導体により、第３導体部６１３，６２３が同電位になり、一つの第３導体パターンとして機能する。

層間接続導体４６４は、導体パターン６１０の第４導体部６１４と導体パターン６２０の第４導体部６２４を接続する。層間接続導体４６４は、第１方向に沿って複数形成されている。この層間接続導体により、第４導体部６１４，６２４が同電位になり、一つの第４導体パターンとして機能する。

層間接続導体４６５は、導体パターン６１０の第５導体部６１５と導体パターン６２０の第５導体部６２５を接続する。層間接続導体４６５は、第１方向に沿って複数形成されている。この層間接続導体により、第５導体部６１５，６２５が同電位になり、一つの第５導体パターンとして機能する。

上述の各導体パターンは、それぞれ高周波的にインダクタとして機能する。

外部接続端子であるコネクタ５０１，５０２は、素体１００Ｇのレジスト膜１１０Ｇ側に設置されている。コネクタ５０１，５０２は、図示しない外部回路基板のコネクタ実装部に物理的に接続することで、外部回路基板の回路と信号伝送ケーブル１０Ｇとを電気的に接続できる構造からなる。なお、コネクタ５０１，５０２は、省略することもできるが、当該コネクタ５０１，５０２を用いることで、信号伝送ケーブル１０Ｇと第１、第２外部回路基板との接続信頼性を向上させることができる。

コネクタ５０１は、レジスト膜１１０Ｇに形成された開口部１１１に配置されており、第１導体部６１１の途中点６１１ｃｔに接続されている。コネクタ５０２は、レジスト膜１１０Ｇに形成された開口部１１２に配置されており、第２導体部６１２の途中点６１２ｃｔに接続されている。

このように、本実施形態の構成を用いることで、基材層１０１Ｇ，１０２Ｇに形成された導体パターンによって、インダクタおよびキャパシタを構成できる。具体的には、本実施形態の構成を用いることで、図１８に示す等価回路で表される帯域阻止フィルタの回路を実現できる。図１８は、本発明の第８の実施形態に係る信号伝送ケーブルの等価回路図である。

本実施形態の信号伝送ケーブル１０Ｇは、コネクタ（外部接続端子）５０１，５０２間に、インダクタＬ１０，Ｌ２０１，Ｌ２０２、およびキャパシタＣ１０が接続されている。より具体的には、インダクタＬ２０１、キャパシタＣ１０、インダクタＬ２０２は、コネクタ５０１，５０２間に、直列接続されている。さらに、インダクタＬ１０は、インダクタＬ２０１，Ｌ２０２およびキャパシタＣ１０の直列回路に、並列接続されている。

インダクタＬ１０は、上述の第３導体パターン、すなわち第３導体部６１３，６２３および層間接続導体４６３によって構成される。より厳密には、第１、第２導体パターンがコネクタ５０１，５０２と接続する位置から第３導体パターンに接続する位置までの部分（図１６、図１７における６１１１，６２１１，６１２１，６２２１の部分）およびこの部分を接続する層間接続導体４６１，４６２も含んで構成される。このインダクタＬ１０を構成する各導体パターンが本発明の第１の線状導体パターンに相当する。

インダクタＬ２０１は、上述の第４導体パターン、すなわち第４導体部６１４，６２４および層間接続導体４６４によって構成される。より厳密には、第１導体パターンがコネクタ５０１と接続する位置から第４導体パターンに接続する位置までの部分（図１６、図１７における６１１２，６２１２の部分）およびこの部分を接続する層間接続導体４６１も含んで構成される。

インダクタＬ２０２は、上述の第５導体パターン、すなわち第５導体部６１５，６２５および層間接続導体４６５によって構成される。より厳密には、第２導体パターンがコネクタ５０２と接続する位置から第５導体パターンに接続する位置までの部分（図１６、図１７における６１２２，６２２２の部分）およびこの部分を接続する層間接続導体４６２も含んで構成される。これらインダクタＬ２０２，２０３を構成する各導体パターンが本発明の第２の線状導体パターンに相当する。

キャパシタＣ１０は、上述のように、第４導体部６１４の領域Ｆ６１と第５導体部６２５の領域Ｆ６２と、これらの間に配置された基材層１０１Ｇとによって構成される。このように、領域Ｆ６１，６２を形成するために設けられた第４導体部６１４，６２４が本発明の第１部分に相当し、第５導体部６１５，６２５が本発明の第１部分に相当する。

このように、本実施形態の構成を用いれば、ＬＣ並列共振回路を実現でき、上述の第７の実施形態と同様に、第１の所望周波数ｆ０を減衰極周波数とし、通過帯域の第２の所望周波数ｆ１に伝送損失が低下する極大点を有する帯域阻止フィルタを実現することができる。そして、帯域阻止フィルタ機能付きの信号伝送ケーブルを実現することができる。

さらに、本実施形態の構成では、インダクタを構成する導体パターンを二層に形成し、層間接続導体で接続しているので、一層で形成する場合よりもインダクタの直列抵抗を低下させることができる。また、インダクタを構成する導体パターンの幅を広げることなく、インダクタの直列抵抗を低下させることができる。これにより、インダクタのＱ値を向上させることができる。したがって、Ｑ値の高いＬＣ並列共振回路、すなわち減衰特性の急峻な帯域阻止フィルタを実現することができる。

さらに、本実施形態の構成では、インダクタを構成する導体パターンを二層に形成し、これら導体パターンをそれぞれ異なる位置において途中で分断して、分断された近傍の導体部分を対向させることで、キャパシタを構成している。これにより、別途キャパシタ用の導体パターンを形成しなくてもよく、ＬＣ並列共振回路の帯域阻止フィルタを小型に形成することができる。

なお、上述の層間接続導体の形成数は、必要に応じて変更してもよい。例えば、第３導体部６１３，６２３における第１方向の途中位置の層間接続導体４６３を省略してもよいし、逆に増加してもよい。ただし、途中位置の層間接続導体４６３を省略した場合、信号伝送ケーブル１０Ｇの屈曲性は向上するが、第３導体部６１３を流れる電流による磁界と、第３導体部６２３に流れる電流による磁界が、第３導体部６１３，６２３間を通過しやすく、これによりＱ値が若干低下してしまうことがある。一方、層間接続導体４６３を増加すれば、Ｑ値低下は生じないが、全体の剛性が高くなり、当該信号伝送ケーブル１０Ｇに屈曲性が低下する。したがって、これらの条件を鑑みて、適宜層間接続導体を設ければよい。

また、上述の構成では、各層の第１導体部の線幅と比較して、キャパシタを構成する第４導体部および第５導体部の線幅を広くする例を示したが、これらの線幅が同じであってもよい。さらには、必要に応じて、各層の第１導体部の線幅と比較して、キャパシタを構成する第４導体部および第５導体部の線幅を狭くすることも可能である。

次に、第９の実施形態に係る信号伝送ケーブルについて、図を参照して説明する。図１９は、本発明の第９の実施形態に係る信号伝送ケーブルの分解斜視図である。本実施形態の信号伝送ケーブル１０Ｈは、第８の実施形態に示した信号伝送ケーブル１０Ｇに対して、素体１００Ｈを構成する基材層の層数が異なる。したがって、異なる箇所のみを具体的に説明する。

素体１００Ｈは、基材層１０１Ｈ，１０２Ｈ，１０３Ｈ，１０４Ｈを積層してなる。基材層１０１Ｈ，１０２Ｈ，１０３Ｈ，１０４Ｈは、この順で、レジスト膜１１０Ｇ側から積層されている。

基材層１０１Ｈに形成される信号線路用の導体パターン６１０（以下、単に導体パターン６１０と称する）と、基材層１０３Ｈに形成される信号線路用の導体パターン６３０（以下、単に導体パターン６３０と称する）は、第８の実施形態に示した信号線路用の導体パターン６１０と同じ形状である。

基材層１０２Ｈに形成される信号線路用の導体パターン６２０（以下、単に導体パターン６２０と称する）と、基材層１０４Ｈに形成される信号線路用の導体パターン６４０（以下、単に導体パターン６４０と称する）は、第８の実施形態に示した信号線路用の導体パターン６２０と同じ形状である。

導体パターン６１０の第１導体部６１１、導体パターン６２０の第１導体部６２１、導体パターン６３０の第１導体部６３１、および導体パターン６４０の第１導体部６４１は、基材層１０１Ｈ，１０２Ｈ，１０３Ｈを貫通する複数の層間接続導体４６１で接続されている。

導体パターン６１０の第２導体部６１２、導体パターン６２０の第２導体部６２２、導体パターン６３０の第２導体部６３２、および導体パターン６４０の第２導体部６４２は、基材層１０１Ｈ，１０２Ｈ，１０３Ｈを貫通する複数の層間接続導体４６２で接続されている。

導体パターン６１０の第３導体部６１３、導体パターン６２０の第３導体部６２３、導体パターン６３０の第３導体部６３３、および導体パターン６４０の第３導体部６４３は、基材層１０１Ｈ，１０２Ｈ，１０３Ｈを貫通する複数の層間接続導体４６３で接続されている。

導体パターン６１０の第４導体部６１４、導体パターン６２０の第４導体部６２４、導体パターン６３０の第４導体部６３４、および導体パターン６４０の第４導体部６４４は、基材層１０１Ｈ，１０２Ｈ，１０３Ｈを貫通する複数の層間接続導体４６４で接続されている。

導体パターン６１０の第５導体部６１５、導体パターン６２０の第５導体部６２５、導体パターン６３０の第５導体部６３５、および導体パターン６４０の第５導体部６４５は、基材層１０１Ｈ，１０２Ｈ，１０３Ｈを貫通する複数の層間接続導体４６５で接続されている。

導体パターン６１０の第４導体部６１４の領域Ｆ６１と、導体パターン６２０の第５導体部６２５の領域Ｆ６２は、基材層１０１Ｈを介して対向している。これにより、キャパシタＣ１１が構成される。

導体パターン６２０の第５導体部６２５の領域Ｆ６２と、導体パターン６３０の第４導体部６３４の領域Ｆ６３は、基材層１０２Ｈを介して対向している。これにより、キャパシタＣ１２が構成される。

導体パターン６３０の第４導体部６３４の領域Ｆ６３と、導体パターン６４０の第５導体部６４５の領域Ｆ６４は、基材層１０３Ｈを介して対向している。これにより、キャパシタＣ１３が構成される。

このような構成とすることで、複数のキャパシタＣ１１，Ｃ１２，Ｃ１３を構成することができ、実現可能なキャパシタンスの範囲を広くすることができる。

さらに、本実施形態では、各基材層にキャパシタを形成する例を示したが、キャパシタを形成しない層を設けてもよい。例えば、導体パターン６２０と導体パターン６３０を同じ形状に、導体パターン６１０と導体パターン６４０を同じ形状にしてもよい。さらには、各基材層を介して対向する面積を基材層毎に異ならせてもよい。これにより実現可能なキャパシタンスの範囲を、さらに広くすることができる。

なお、本実施形態では、同じ形状の導体パターンが一組ずつ設けられている場合を示したが、一方の導体パターンを一つとしてもよく、この一つの導体パターンを、同じ形状からなる二つの導体パターンで挟む構造であってもよい。また、この構成を適用して、導体パターンの個数を奇数にしてもよい。

また、本実施形態の構成を用いることで、各インダクタが四層の導体パターンで形成される。これにより、さらに各インダクタの直列抵抗を低下させることができ、さらにＱ値を向上させることができる。

次に、本発明の第１０の実施形態に係る信号伝送ケーブルについて、図を参照して説明する。図２０は、本発明の第１０の実施形態に係る信号伝送ケーブルの分解斜視図である。図２１は、本発明の第１０の実施形態に係る信号伝送ケーブルの各基材層の導体パターンを示す平面図である。

図２０、図２１に示すように、信号伝送ケーブル１０Ｉは、第１方向と第２方向の二方向に伸長する平板状の素体１００Ｉを備える。素体１００Ｉの厚みは、適宜設定されており、例えば、０．５ｍｍ程度である。素体１００Ｉの一方の平板面（第１方向および第２方向に平行な面）には、略全面に絶縁性のレジスト膜１１０Ｉが形成されている。

素体１００Ｉは、基材層１０１Ｉ，１０２Ｉ，１０３Ｉ，１０４Ｉを積層してなる。基材層１０１Ｉ，１０２Ｉ，１０３Ｉ，１０４Ｉは、可撓性で絶縁性を有する平膜からなり、例えば液晶ポリマーからなる。基材層１０１Ｉ，１０２Ｉ，１０３Ｉ，１０４Ｉは、この順で、レジスト膜１１０Ｉ側から積層されている。言い換えれば、基材層１０１Ｉの基材層１０２Ｉと反対側の平板面にレジスト膜１１０Ｉが形成されている。

基材層１０１Ｉのレジスト膜１１０Ｉ側の面には、信号線路用の導体パターン７１１，７１２（以下、単に導体パターン７１１，７１２と称する）が形成されている。導体パターン７１１，７１２は、銅箔等の導電性が高い金属等からなる。導体パターン７１１は、第１線状部７１１１、第２線状部７１１２、第３線状部７１１３、および第４線状部７１１４からなる。

第１、第３線状部７１１１，７１１３は、第１方向に伸長する形状からなり、第２、第４線状部７１１２，７１１４は、第２方向に伸長する形状からなる。第１線状部７１１１は、基材層１０１ＩのＥＬ２２端部近傍に形成されており、一方端が後述する層間接続導体４７１に接続され、他方端が第２線状部７１１２の一方端に接続されている。第２線状部７１１２は、基材層１０１ＩのＥＬ１１端部側の領域に形成されており、一方端が第１線状部７１１１に接続され、他方端が第３線状部７１１３の一方端に接続されている。第３線状部７１１３は、基材層１０１ＩのＥＬ２１端部近傍に形成されており、一方端が第２線状部７１１２に接続され、他方端が第４線状部７１１４の一方端に接続されている。第４線状部７１１４は、基材層１０１ＩのＥＬ１２端部近傍に形成されており、一方端が第３線状部７１１３に接続されている。

このような構成により、導体パターン７１１は、平面視して、一部が分断された環状、すなわちＣ環状の形状となっている。

導体パターン７１２は、第２方向に沿ってＥＬ２１端部からＥＬ２２端部間の全体に亘って伸長する形状であり、基材層１０１ＩのＥＬ１１端部と導体パターン７１１との間に、導体パターン７１１から離間して形成されている。

基材層１０２Ｉの基材層１０１Ｉ側の面には、信号線路用の導体パターン７２１，７２２（以下、単に導体パターン７２１，７２２と称する）が形成されている。導体パターン７２１，７２２は、銅箔等の導電性が高い金属等からなる。導体パターン７２１は、第１線状部７２１１、第２線状部７２１２、および第３線状部７２１３からなる。

第１、第３線状部７２１１，７２１３は、第１方向に伸長する形状からなり、第２線状部７２１２は、第２方向に伸長する形状からなる。第１線状部７２１１は、基材層１０２ＩのＥＬ２２端部近傍に形成されており、一方端が後述する層間接続導体４７１に接続され、他方端が第２線状部７２１２の一方端に接続されている。第２線状部７２１２は、基材層１０２ＩのＥＬ１２端部側の領域に形成されており、一方端が第１線状部７２１１に接続され、他方端が第３線状部７２１３の一方端に接続されている。第３線状部７２１３は、基材層１０２ＩのＥＬ２１端部近傍に形成されており、一方端が第２線状部７２１２に接続されている。第３線状部７２１３は、ＥＬ１１端部からＥＬ１２端部間の全体に亘って伸長する形状からなる。

このような構成により、導体パターン７２１は、平面視して、一部が分断された環状、すなわちＣ環状の形状となっている。

導体パターン７２２は、第２方向に沿ってＥＬ２１端部と導体パターン７２１の第３線状部７２１３との間で伸長する形状であり、導体パターン７２１から離間して形成されている。導体パターン７２２は、導体パターン７１２の領域Ｆ７１と、基材層１０１Ｉを介して対向しており、これらによって、キャパシタＣ２１が構成される。

基材層１０３Ｉの基材層１０２Ｉ側の面には、信号線路用の導体パターン７３１，７３２（以下、単に導体パターン７３１，７３２と称する）が形成されている。導体パターン７３１，７３２は、銅箔等の導電性が高い金属等からなる。導体パターン７３１は、第１線状部７３１１、第２線状部７３１２、第３線状部７３１３および第４線状部７３１４からなる。

第１、第３線状部７３１１，７３１３は、第１方向に伸長する形状からなり、第２、第４線状部７３１２，７３１４は、第２方向に伸長する形状からなる。第１線状部７３１１は、基材層１０３ＩのＥＬ２１端部近傍に形成されており、一方端が後述する層間接続導体４７２に接続され、他方端が第２線状部７３１２の一方端に接続されている。第２線状部７３１２は、基材層１０３ＩのＥＬ１１端部側の領域に形成されており、一方端が第１線状部７３１１に接続され、他方端が第３線状部７３１３の一方端に接続されている。第３線状部７３１３は、基材層１０３ＩのＥＬ２２端部近傍に形成されており、一方端が第２線状部７３１２に接続されており、他方端が第４線状導体７３１４に接続されている。第４線状部７３１４は、基材層１０３ＩのＥＬ１２端部近傍に形成されており、一方端が第３線状部７３１３に接続されており、ＥＬ２１端部からＥＬ２２端部間の全体に亘って伸長する形状である。

導体パターン７３２は、第２方向に沿ってＥＬ２１端部からＥＬ２２端部には達しない所定の長さで伸長する形状である。具体的には、導体パターン７３２は、後述の層間接続導体４７４が形成可能な領域と残して、第２方向に伸長する形状である。導体パターン７３２は、導体パターン７３１から離間して形成されている。導体パターン７３２の領域Ｆ７３は、導体パターン７２２の領域Ｆ７２と、基材層１０２Ｉを介して対向しており、これらによって、キャパシタＣ２２が構成される。

基材層１０４Ｉの基材層１０３Ｉ側の面には、信号線路用の導体パターン７４１，７４２（以下、単に導体パターン７４１，７４２と称する）が形成されている。導体パターン７４１，７４２は、銅箔等の導電性が高い金属等からなる。導体パターン７４１は、第１線状部７４１１、第２線状部７４１２、第３線状部７４１３および第４線状部７４１４からなる。

第１、第３線状部７４１１，７４１３は、第２方向に伸長する形状からなり、第２、第４線状部７４１２，７４１４は、第１方向に伸長する形状からなる。第１線状部７４１１は、基材層１０４ＩのＥＬ１１端部近傍に形成されており、ＥＬ２１端部からＥＬ２２端部間の全体に亘って伸長する形状である。第２線状部７４１２は、基材層１０４ＩのＥＬ２２端部側の領域に形成されており、一方端が第１線状部７４１１に接続され、他方端が第３線状部７４１３の一方端に接続されている。第２線状部７４１２は、ＥＬ１１端部からＥＬ１２端部間の全体に亘って伸長する形状である。第３線状部７４１３は、基材層１０４ＩのＥＬ１２端部近傍に形成されており、一方端が第２線状部７４１２に接続されており、他方端が第４線状部７４１４の一方端に接続されている。第３線状部７４１３は、ＥＬ１１端部からＥＬ１２端部間の全体に亘って伸長する形状からなる。第４線状部７４１４は、基材層１０４ＩのＥＬ２１端部近傍に形成されており、一方端が第３線状部７４１３に接続され、他方端が口授する層間接続導体４７２に接続されている。

このような構成により、導体パターン７４１は、平面視して、一部が分断された環状、すなわちＣ環状の形状となっている。

また、第１線状部７４１１の領域Ｆ７４は、導体パターン７３２と、基材層１０３Ｉを介して対向しており、これらによって、キャパシタＣ２３が構成される。

層間接続導体４７１は、それぞれＣ環状である導体パターン７１１，７２１を積層方向に沿って接続する。層間接続導体４７１によって接続された導体パターン７１１，７２１は、基材層の積層方向を軸方向とする螺旋状の導体パターンとなる。この螺旋状の導体パターンによりインダクタＬ１１が構成される。

層間接続導体４７２は、それぞれＣ環状である導体パターン７３１，７４１を積層方向に沿って接続する。層間接続導体４７２によって接続された導体パターン７３１，７４１は、基材層の積層方向を軸方向とする螺旋状の導体パターンとなる。この螺旋状の導体パターンによりインダクタＬ２１が構成される。

層間接続導体４７３は、導体パターン７１２、導体パターン７２１、導体パターン７３２を、積層方向に沿って接続する。層間接続導体４７４は、導体パターン７２２と導体パターン７４１を、積層方向に沿って接続する。層間接続導体４７５は、導体パターン７１１と導体パターン７３１を、積層方向に沿って接続する。

外部接続端子であるコネクタ５０１，５０２は、素体１００Ｉのレジスト膜１１０Ｉ側に設置されている。コネクタ５０１，５０２は、図示しない外部回路基板のコネクタ実装部に物理的に接続することで、外部回路基板の回路と信号伝送ケーブル１０Ｉとを電気的に接続できる構造からなる。なお、コネクタ５０１，５０２は、省略することもできるが、当該コネクタ５０１，５０２を用いることで、信号伝送ケーブル１０Ｉと第１、第２外部回路基板との接続信頼性を向上させることができる。

コネクタ５０１は、レジスト膜１１０Ｉに形成された開口部１１１に配置されており、導体パターン７１２に接続されている。コネクタ５０２は、レジスト膜１１０Ｉに形成された開口部１１２に配置されており、導体パターン７１１に接続されている。

このように、本実施形態の構成を用いることで、基材層１０１Ｉ，１０２Ｉ，１０３Ｉ，１０４Ｉに形成された導体パターンによって、インダクタおよびキャパシタを構成できる。具体的には、本実施形態の構成を用いることで、図２２に示す等価回路で表される帯域阻止フィルタの回路を実現できる。図２２は、本発明の第１０の実施形態に係る信号伝送ケーブルの等価回路図である。

本実施形態の信号伝送ケーブル１０Ｉは、コネクタ（外部接続端子）５０１，５０２間に、インダクタＬ１１，Ｌ２１、およびキャパシタＣ２１，Ｃ２２，Ｃ２３が接続されている。より具体的には、インダクタＬ１１とインダクタＬ２１が、コネクタ５０１，５０２間に並列接続されている。キャパシタＣ２１，Ｃ２２，Ｃ２３は、並列接続されており、当該キャパシタの並列回路は、コネクタ５０１とインダクタＬ２１との間に接続されている。

インダクタＬ１１は、上述のように導体パターン７１１，７２１と層間接続導体４７１からなる螺旋状の導体パターンによって実現される。インダクタＬ１１は、導体パターン７２１が導体パターン７１２、層間接続導体４７３を介してコネクタ５０１に接続され、導体パターン７１１がコネクタ５０２に直接接続されている。

インダクタＬ２１は、上述のように導体パターン７３１，７４１と層間接続導体４７２からなる螺旋状の導体パターンによって実現される。インダクタＬ２１は、導体パターン７４１が上述の各キャパシタＣ２１，Ｃ２２，Ｃ２３を介してコネクタ５０１に接続され、導体パターン７３１が層間接続導体４７５と導体パターン７１１の第４線状部７１１４を介してコネクタ５０２に接続されている。

このように、本実施形態の構成を用いれば、ＬＣ並列共振回路を実現でき、上述の第７、第８、第９の実施形態と同様に、第１の所望周波数ｆ０を減衰極周波数とし、通過帯域の第２の所望周波数ｆ１に伝送損失が低下する極大点を有する帯域阻止フィルタを実現することができる。そして、帯域阻止フィルタ機能付きの信号伝送ケーブルを実現することができる。

さらに、本実施形態の構成を用いることで、螺旋状の導体パターンによって、各インダクタが実現されるので、他の形状のインダクタと比較してＱ値の高いインダクタを実現できる。さらに、本実施形態の構成では、素体１００Ｉの寸法内において、可能な限り空芯部の径や広さが大きな螺旋状のインダクタを形成できるので、インダクタのＱ値をさらに向上させることができる。

さらに、本実施形態の構成を用いることで、インダクタＬ１１とインダクタＬ２１は、コネクタ５０１を始点としコネクタ５０２を終点とする伝送経路において、素体１０１Ｉを平面視して、逆向きに巻回するように配置される。そして、インダクタＬ１１を構成する導体パターン７１１，７２１と、インダクタＬ２１を構成する導体パターン７３１，７４１が平面視して重なっている。これにより、インダクタＬ１１，Ｌ２１間には、結合係数Ｋが負（Ｋ＜０）の相互インダクタンスが生じる。この結合係数を調整することで、減衰特性を調整することができる。

次に、本発明の第１１の実施形態に係る信号伝送ケーブルについて、図を参照して説明する。図２３は、本発明の第１１の実施形態に係る信号伝送ケーブルの分解斜視図である。

本実施形態の信号伝送ケーブル１０Ｊは、第１０の実施形態に示した信号伝送ケーブル１０Ｉの導体パターン７４１に対して、追加線状部７４１５を追加して導体パターン７４１０としたものである。したがって、第１０の実施形態に示した信号伝送ケーブル１０Ｉと異なる箇所のみを説明する。

導体パターン７４１０は、導体パターン７４１と同じ第１線状部７４１１、第２線状部７４１２、第３線状部７４１３、第４線状部７４１４に、さらに追加線状部７４１５を備える。追加線状部７４１５は、基材層１０４ＪのＥＬ２１端部近傍に形成されており、第１方向に伸長する形状である。追加線状部７４１５は、第１線状部７４１１のＥＬ２１側の端部に接続されている。追加線状部７４１５は、導体パターン７３１の第３線状部７３１１と、基材層１０３Ｊを介して対向している。

このような構成とすることで、さらに、インダクタＬ２１に並列接続されるキャパシタＣ２４を構成できる。このようなキャパシタＣ２４を設けることで、減衰特性を調整でき、所望の減衰特性を、より容易に実現することができる。

次に、本発明の第１２の実施形態に係る信号伝送ケーブルについて、図を参照して説明する。図２４は、本発明の第１２の実施形態に係る信号伝送ケーブルの各基材層の導体パターンを示す平面図である。

本実施形態の信号伝送ケーブル１０Ｋは、第１０の実施形態に示した信号伝送ケーブル１０Ｉに対して、インダクタＬ２１を構成する導体パターン７３１’，７４１’の巻回方向が異なるものである。すなわち、インダクタＬ１１とインダクタＬ２１は、コネクタ５０１を始点としコネクタ５０２を終点とする伝送経路において、素体１０１Ｉを平面視して、同じ向きに巻回するように配置される。これにより、インダクタＬ１１，Ｌ２１間には、結合係数Ｋが正（Ｋ＞０）の相互インダクタンスが生じる。この結合係数を調整することで、減衰特性を調整することができる。

図２５は、第１０、第１２実施形態に係る信号伝送ケーブルの通過特性を示すグラフである。図２５に示すように、インダクタＬ１１，Ｌ２１を負の結合係数（Ｋ＜０）で結合させた場合、減衰特性を急峻にすることができる。また、図２５に示すように、インダクタＬ１１，Ｌ２１を正の結合係数（Ｋ＞０）で結合させた場合、負の結合係数（Ｋ＜０）の構成では実現できない通過帯域特性を実現できる。例えば、図２５に示すように、負の結合係数（Ｋ＜０）の構成における通過帯域の極大点の周波数ｆ１Ａとは異なる周波数ｆ２Ａに通過帯域の極大点を設定することができる。また、負の結合係数（Ｋ＜０）で結合させた場合、減衰極周波数の高周波数側の減衰帯域の幅を広くすることができ、正の結合係数（Ｋ＞０）で結合させた場合、減衰極周波数の高周波数側の減衰帯域の幅を狭くすることができる。このように、結合係数を調整することで、減衰特性や通過特性を適宜設定することができる。

次に、本発明の第１３の実施形態に係る信号伝送ケーブルについて、図を参照して説明する。図２６は、本発明の第１３の実施形態に係る信号伝送ケーブルの分解斜視図である。

上述の第８乃至第１１の実施形態に係る信号伝送ケーブルでは、帯域阻止フィルタを構成する導体パターンにコネクタ５０１，５０２が直接接続されている。しかしながら、本実施形態の信号伝送ケーブル１０Ｌは、帯域阻止フィルタを構成する導体パターンに対して、さらに引き回し導体を備え、当該引き回し導体にコネクタ５０１，５０２が接続されている。なお、本実施形態では、第８の実施形態に係る信号伝送ケーブル１０Ｇに対して、引き回し導体６１６，６２６を追加したものであるが、他の第８乃至第１１の実施形態に係る信号伝送ケーブルにも、本実施形態に示す引き回し導体６１６，６２６の構成を適用することができる。

引き回し導体６１６は基材層１０１Ｌにおけるレジスト膜１１０Ｌ側の面に形成されている。引き回し導体６１６は、導体パターン６１０Ｌの第１方向に沿った両端に配置されている。引き回し導体６１６は、それぞれ導体パターン６１０Ｌに接続されており、それぞれに第１方向に伸長する形状である。引き回し導体６１６の導体パターン６１０Ｌに接続する端部と反対側の端部は、それぞれコネクタ５０１，５０２に接続されている。

引き回し導体６２６は基材層１０２Ｌにおける基材層１０１Ｌ側の面に形成されている。引き回し導体６２６は、導体パターン６２０Ｌの第１方向に沿った両端に配置されている。引き回し導体６２６は、それぞれ導体パターン６２０Ｌに接続されており、それぞれに第１方向に伸長する形状である。引き回し導体６２６は、平面視して、引き回し導体６１６と重なる形状である。引き回し導体６２６は、層間接続導体４６６によって、平面視して重なる位置の引き回し導体６１６に接続されている。

このような構成とすることで、コネクタ５０１，５０２で接続する第１、第２外部回路基板の距離に応じて、帯域阻止フィルタとしての機能を変化させることなく、信号伝送ケーブル１０Ｌを適切な形状に形成することができる。

なお、本実施形態では、コネクタ５０１，５０２間、すなわち、第１方向の全長に亘り、素体１００Ｌの幅（第２方向の長さ）を一定にする例を示したが、引き回し導体６１６，６２６の部分のみ幅を狭くしてもよい。

さらに、引き回し導体６２６を省略して、引き回し導体６１６のみで構成してもよい。この構成では、素体における引き回し導体が形成された部分の可撓性を向上させることができる。一方、引き回し導体６１６，６２６を用いれば、引き回し導体全体としての直流抵抗を低減でき、伝送損失をさらに抑制することができる。

上述の構成からなる信号伝送ケーブルは、次に示す通信機器モジュールに適用することができる。図２７は、本発明の実施形態に係る通信機器モジュールのブロック図である。図２８は、本発明の実施形態に係る通信機器モジュールの概略構成を示す側面図である。なお、図２７、図２８では、第３の実施形態に示した信号伝送ケーブル１０Ｂを用いる態様を示す。

図２７に示すように、本実施形態に通信機器モジュール９００は、アンテナ９０１、ＷｉＦｉ送受信部９１１、セルラー送受信部９１２、ＧＰＳ受信部９１３、帯域阻止フィルタ（ＢＥＦ）９２１、および帯域通過フィルタ（ＢＰＦ）９２２を備える。

アンテナ９０１は、帯域阻止フィルタ９２１を介して、ＷｉＦｉ送受信部９１１およびセルラー送受信部９１２に接続されている。また、アンテナ９０１は、帯域通過フィルタ９２２を介してＧＰＳ受信部９１３に接続されている。

ＷｉＦｉ送受信部９１１は、例えば２．４ＧＨｚ帯等の周波数帯域を利用したＷｉＦｉ通信信号を送受信する。セルラー送受信部９１２は、９００ＭＨｚ帯等の周波数帯域や１．９ＧＨｚ帯等の周波数帯域を利用したセルラー通信信号を送受信する。ＧＰＳ受信部９１３は、１．５ＧＨｚ付近のＧＰＳ信号を受信する。

帯域阻止フィルタ９２１は、ＧＰＳ信号の周波数帯域を減衰させ、ＷｉＦｉ通信信号およびセルラー通信信号の周波数帯域を通過する。帯域通過フィルタ９２２は、ＧＰＳ信号の周波数帯域を通過し、ＧＰＳ信号の周波数帯域以外の周波数帯域を減衰させる。

この帯域阻止フィルタ９２１に、上述の第３の実施形態に示した信号伝送ケーブル１０Ｂを用いる。この信号伝送ケーブル１０Ｂを用いることで、急峻な減衰特性で、減衰帯域が狭い帯域阻止フィルタを実現できる。したがって、ＧＰＳ信号の周波数帯域に減衰極を設定すれば、ＧＰＳ信号を減衰させ、且つ、当該ＧＰＳ信号の周波数帯域に近い、他の通信信号（例えば、セルラー通信信号の１．９ＧＨｚ帯）等を減衰させることなく伝送することができる。

このような回路構成の通信機器モジュール９００は、フロントエンド基板９９０、アンテナ基板９９１、および信号伝送ケーブル１０Ｂによって構成される。フロントエンド基板９９０の実装面には、上述のＷｉＦｉ送受信部９１１、セルラー送受信部９１２、ＧＰＳ受信部９１３等を実現する回路部品が実装されている。アンテナ基板９９１には、アンテナ９０１が形成されている。アンテナ基板９１１は、フロントエンド基板９９０の実装面側に、当該フロントエンド基板９９０から離間して配置されている。

図２８に示すように、信号伝送ケーブル１０Ｂのコネクタ５０１は、アンテナ基板９９１におけるフロントエンド基板９９０側の面に接続されている。信号伝送ケーブル１０Ｂのコネクタ５０２は、フロントエンド基板９９０におけるアンテナ基板９９１側の面（実装面）に接続されている。信号伝送ケーブル１０Ｂは、可撓性を有するので、伸長方向の途中に屈曲部を形成することができる。このように、屈曲部を形成することで、信号伝送ケーブル１０Ｂは、回路部品に接触しないような形状に成形された状態で、フロントエンド基板９９０とアンテナ基板９９１とを接続することができる。

そして、上述のように、帯域阻止フィルタを信号伝送ケーブル１０Ｂに備えることで、フロントエンド基板９９０やアンテナ基板９９１に帯域阻止フィルタを形成する必要が無い。したがって、フロントエンド基板９９０やアンテナ基板９９１を小型に形成することができる。また、信号伝送ケーブル１０Ｂに帯域阻止フィルタを設けることで、帯域阻止フィルタのフィルタ特性（減衰特性および通過特性）が優れる。したがって、通信機器モジュール９００の通信特性を向上させることができる。

次に、本発明の第１４の実施形態に係る信号伝送ケーブルについて、図を参照して説明する。図２９は、本発明の第１４の実施形態に係る信号伝送ケーブルの分解斜視図である。なお、図２９では、保護層およびコネクタの図示を省略している。

本実施形態のダイプレクサ型の信号伝送ケーブル９０は、基材層１０１Ｍ，１０２Ｍ，１０３Ｍ，１０４Ｍを積層してなる素体１００Ｍを備える。

基材層１０１Ｍは、部分領域１０１Ｍ１，１０１Ｍ２，１０１Ｍ３からなる。部分領域１０１Ｍ１，１０１Ｍ２は、長手方向に沿って伸延する長尺状であり、幅方向に間隔を空けて配置されている。部分領域１０１Ｍ３は、部分領域１０１Ｍ１，１０１Ｍ２の長手方向の一方端に配置され、部分領域１０１Ｍ１，１０１Ｍ２を接続している。この構成により、基材層１０１Ｍは、長手方向の途中で、幅方向に２つの領域に分割される形状である。

基材層１０２Ｍは、部分領域１０２Ｍ１，１０２Ｍ２，１０２Ｍ３からなる。部分領域１０２Ｍ１，１０２Ｍ２は、長手方向に沿って伸延する長尺状であり、幅方向に間隔を空けて配置されている。部分領域１０２Ｍ３は、部分領域１０２Ｍ１，１０２Ｍ２の長手方向の一方端に配置され、部分領域１０２Ｍ１，１０２Ｍ２を接続している。基材層１０２Ｍは、長手方向の途中で、幅方向に２つの領域に分割される形状である。

基材層１０３Ｍは、部分領域１０３Ｍ１，１０３Ｍ２，１０３Ｍ３からなる。部分領域１０３Ｍ１，１０３Ｍ２は、長手方向に沿って伸延する長尺状であり、幅方向に間隔を空けて配置されている。部分領域１０３Ｍ３は、部分領域１０３Ｍ１，１０３Ｍ２の長手方向の一方端に配置され、部分領域１０３Ｍ１，１０３Ｍ２を接続している。基材層１０３Ｍは、長手方向の途中で、幅方向に２つの領域に分割される形状である。

基材層１０４Ｍは、部分領域１０４Ｍ１，１０４Ｍ２，１０４Ｍ３からなる。部分領域１０４Ｍ１，１０４Ｍ２は、長手方向に沿って伸延する長尺状であり、幅方向に間隔を空けて配置されている。部分領域１０４Ｍ３は、部分領域１０４Ｍ１，１０４Ｍ２の長手方向の一方端に配置され、部分領域１０４Ｍ１，１０４Ｍ２を接続している。基材層１０４Ｍは、長手方向の途中で、幅方向に２つの領域に分割される形状である。

素体１００Ｍにおける部分領域１０１Ｍ２，１０２Ｍ２，１０３Ｍ２，１０４Ｍ２からなる第２基材部には、上述の第９の実施形態に示した導体パターンと同じ導体パターンが形成されている。これにより、素体１００Ｍにおける部分領域１０１Ｍ２，１０２Ｍ２，１０３Ｍ２，１０４Ｍ２からなる第２基材部には帯域阻止フィルタが実現される。

基材層１０１Ｍの部分領域１０１Ｍ１における基材層１０２Ｍ側と反対側の主面（基材１００Ｍの一方主面）には、導体パターン８０１Ｍ１，８０３Ｍ１が形成されている。導体パターン８０１Ｍ１は、第１部分導体パターン８０１Ｍ１１と第２部分導体パターン８０１Ｍ１２とを備える。

第１部分導体パターン８０１Ｍ１１と導体パターン８０３Ｍ１は、部分領域１０１Ｍ１の長手方向に沿って間隔を空けて配置されている。第１部分導体パターン８０１Ｍ１１と導体パターン８０３Ｍ１は、略同じ幅であり、第２部分導体パターン８０１Ｍ１２よりも幅広に形成されている。機能的に示せば、後述するキャパシタの形成に必要な幅で形成されている。

第２部分導体パターン８０１Ｍ１２は、部分領域１０１Ｍ１の幅方向に沿って、第１部分導体パターン８０１Ｍ１１に隣接して配置されている。第２部分導体パターン８０１Ｍ１２は、ループ状の導体パターンである。ループ状の導体パターンとは、環状の一部を切断した形状である。

第１部分導体パターン８０１Ｍ１１における部分領域１０１Ｍ１の一方端側端部と、第２部分導体パターン８０１Ｍ１２の一方端（外周側端部）は、部分領域１０１Ｍ１の一方端付近で接続されている。これら第１部分導体パターン８０１Ｍ１１と第２部分導体パターン８０１Ｍ１２は、部分領域１０１Ｍ１の一方端付近に形成された引き出し導体パターン８４１Ｍに接続されている。

導体パターン８０３Ｍ１における部分領域１０１Ｍ１の他方端側端部は、部分領域１０１Ｍ１の他方端付近に形成された引き出し導体パターン８４２Ｍに接続されている。

基材層１０２Ｍの部分領域１０２Ｍ１における基材層１０１Ｍ側の主面には、導体パターン８０１Ｍ２と容量結合用導体パターン８１０Ｍ１が形成されている。導体パターン８０１Ｍ２は、第１部分導体パターン８０１Ｍ２１と第２部分導体パターン８０１Ｍ２２を備える。

第１部分導体パターン８０１Ｍ２１は、矩形であり、基材層１０１Ｍを介して第１部分導体パターン８０１Ｍ１１の一部に対向している。第１部分導体パターン８０１Ｍ２１は、基材層１０１Ｍを厚み方向に貫通する接続導体８６０によって、第１部分導体パターン８０１Ｍ１１に接続されている。

第２部分導体パターン８０１Ｍ２２は、部分領域１０２Ｍ１の幅方向に沿って、第１部分導体パターン８０１Ｍ２１に隣接して配置されている。第２部分導体パターン８０１Ｍ２２は、ループ状の導体パターンである。第２部分導体パターン８０１Ｍ２２は、主面に直交する方向に見て、第２部分導体パターン８０１Ｍ１２と重なるように形成されている。第２部分導体パターン８０１Ｍ２２の一方端（外周側端部）は、第１部分導体パターン８０１Ｍ２１に接続されている。第２部分導体パターン８０１Ｍ２２の他方端（内周側端部）は、基材層１０１Ｍを厚み方向に貫通する接続導体８６０によって、第２部分導体パターン８０１Ｍ１２の他方端（内周側端部）に接続されている。

容量結合用導体パターン８１０Ｍ１は、矩形あり、基材層１０１Ｍを介して、第１部分導体パターン８０１Ｍ１１と導体パターン８０３Ｍ１の両方に対向している。容量結合用導体パターン８１０Ｍ１と第１部分導体パターン８０１Ｍ１１との対向部が、キャパシタＣｔ２１となる。容量結合用導体パターン８１０Ｍ１と導体パターン８０３Ｍ１との対向部が、キャパシタＣｔ１０となる。

基材層１０３Ｍの部分領域１０３Ｍ１における基材層１０２Ｍ側の主面には、容量結合用導体パターン８１０Ｍ２と導体パターン８０２Ｍ１とが形成されている。導体パターン８０２Ｍ１は、第１部分導体パターン８０２Ｍ１１と第２部分導体パターン８０２Ｍ１２とを備える。

容量結合用導体パターン８１０Ｍ２と第１部分導体パターン８０２Ｍ１１は、部分領域１０３Ｍ１の長手方向に沿って間隔を空けて配置されている。容量結合用導体パターン８１０Ｍ２と第１部分導体パターン８０２Ｍ１１は、略同じ幅である。容量結合用導体パターン８１０Ｍ２は、基材層１０２Ｍを厚み方向に貫通する接続導体８６０によって、第１部分導体パターン８０１Ｍ２１に接続されている。

第１部分導体パターン８０２Ｍ１１は、矩形であり、基材層１０２Ｍを介して容量結合用導体パターン８１０Ｍ１の一部に対向している。第１部分導体パターン８０２Ｍ１１は、基材層１０２Ｍを厚み方向に貫通する接続導体８６０によって、容量結合用導体パターン８１０Ｍ１に接続されている。

第２部分導体パターン８０２Ｍ１２は、部分領域１０３Ｍ１の幅方向に沿って、容量結合用導体パターン８１０Ｍ２に隣接して配置されている。第２部分導体パターン８０２Ｍ１２は、ループ状の導体パターンである。第２部分導体パターン８０２Ｍ１２の一方端（外周側端部）は、第１部分導体パターン８０２Ｍ１１に接続されている。第２部分導体パターン８０２Ｍ１２の他方端（内周側端部）は、主面に直交する方向に見て、第２部分導体パターン８０１Ｍ１２の他方端（内周側端部）に重なっている。第２部分導体パターン８０２Ｍ１２の他方端（内周側端部）は、基材層１０２Ｍを厚み方向に貫通する接続導体８６０によって、第２部分導体パターン８０１Ｍ２２の他方端（内周側端部）に接続されている。

容量結合用導体パターン８１０Ｍ２は、矩形あり、基材層１０２Ｍを介して、第１部分導体パターン８０１Ｍ２１と容量結合用導体パターン８１０Ｍ１と対向している。容量結合用導体パターン８１０Ｍ２は、基材層１０２Ｍを厚み方向に貫通する接続導体８６０によって、第１部分導体パターン８０１Ｍ２１に接続されている。容量結合用導体パターン８１０Ｍ１，８１０Ｍ２が対向する部分がキャパシタＣｔ２２となる。

基材層１０４Ｍの部分領域１０４Ｍ１における基材層１０３Ｍ側の主面には、導体パターン８０２Ｍ２が形成されている。導体パターン８０２Ｍ２は、第１部分導体パターン８０２Ｍ２１と第２部分導体パターン８０２Ｍ２２とを備える。

第１部分導体パターン８０２Ｍ２１は、矩形であり、基材層１０３Ｍを介して容量結合用導体パターン８１０Ｍ２の一部と、第１部分導体パターン８０２Ｍ１１に対向している。第１部分導体パターン８０２Ｍ２１は、基材層１０３Ｍを厚み方向に貫通する接続導体８６０によって、第１部分導体パターン８０２Ｍ１１に接続されている。第１部分導体パターン８０２Ｍ２１と容量結合用導体パターン８１０Ｍ２が対向する部分がキャパシタＣｔ２３となる。

第２部分導体パターン８０２Ｍ２２は、ループ状の導体パターンである。第２部分導体パターン８０２Ｍ２２は、主面に直交する方向に見て、第２部分導体パターン８０２Ｍ１２に重なっている。第２部分導体パターン８０２Ｍ２２の一方端（外周側端部）は、第１部分導体パターン８０２Ｍ２１に接続されている。第２部分導体パターン８０２Ｍ２２の他方端（内周側端部）は、基材層１０３Ｍを厚み方向に貫通する接続導体８６０によって、第２部分導体パターン８０２Ｍ１２の他方端（内周側端部）に接続されている。

そして、上述のように、第２部分導体パターン８０１Ｍ１２，８０１Ｍ２２，８０２Ｍ１２，８０２Ｍ２２が配置され、これらの導体パターンの内周側端部が接続導体８６０で接続されることで、基材１００Ｍの厚み方向を軸方向とするスパイラル形状のインダクタＬｔ１０が形成される。

このような構成とすることで、インダクタＬｔ１０とキャパシタＣｔ１０の直列回路が接続され、さらにインダクタＬｔ１０にキャパシタＣｔ２１Ｈ，Ｃｔ２２Ｈ，Ｃｔ２３Ｈが並列接続される回路構成が実現する。すなわち、ＬＣ直列共振とＬＣ並列共振をともに有する帯域通過フィルタ回路を構成できる。

そして、引き出し導体８４１Ｍによって実現される共通端子に対して帯域通過フィルタと帯域阻止フィルタとが接続された、ダイプレクサ型の信号伝送ケーブルを実現することができる。

図３０は、本発明の第１４の実施形態に係るダイプレクサ型の信号伝送ケーブルの伝送特性を示すグラフである。図３０の実線は、共通端子から帯域阻止フィルタを介して第１個別端子に伝送する伝送経路に対する通過特性である。図３０の破線は、共通端子から帯域通過フィルタを介して第２個別端子に伝送する伝送経路に対する通過特性である。

図３０に示すように、共通端子と第２個別端子との間では、伝送したい周波数ｆ０の高周波信号は低損失で伝送し、減衰させたい周波数ｆ１の高周波信号は、大きく減衰させることができる。また、共通端子と第１個別端子との間では、遮断したい周波数ｆ０の高周波信号は大きく減衰させることができ、通過させたい周波数ｆ１の高周波信号を低損失で伝送することができる。

この際、図３０に示すように、周波数ｆ０，ｆ１が近接していても、各端子間で所望の伝送特性を実現することができる。具体的には、周波数ｆ０はＧＰＳ信号の周波数で略１．５７５ＧＨｚであり、周波数ｆ１は通信バンドの１．７ＧＨｚ帯である。ＧＰＳ信号は共通端子から第２個別端子に伝送する。通信信号は、共通端子と第１個別端子との間で伝送する。

このように、周波数差が略２００ＭＨｚであっても、ＧＰＳ信号は第２個別端子へ低損失で伝送され、通信信号が第２個別端子に伝送することを大幅に抑制できる。一方、通信信号は、第１個別端子へ低損失で伝送され、ＧＰＳ信号が第１個別端子に伝送することを大幅に抑制できる。すなわち、所望とする周波数帯域において、第１個別端子と第２個別端子との間で十分なアイソレーションを確保することができる。

そして、帯域通過フィルタの通過帯域を、帯域阻止フィルタの阻止帯域（減衰帯域）に合わせることにより、各導体パターンが形成された素体１００Ｍによって、高周波ダイプレクサを実現することできる。これにより、薄型で伝送特性に優れる高周波ダイプレクサを実現することができる。

なお、本実施形態のフラットケーブル型高周波ダイプレクサ９０は、例えば、上述の図２７の回路図に示す、帯域阻止フィルタ（ＢＥＦ）９２１および帯域通過フィルタ（ＢＰＦ）９２２と、これらをアンテナ９０１に接続する伝送線路部とからなる部分に利用することができる。

また、本実施形態のフラットケーブル型高周波ダイプレクサ９０は、例えば、上述の図２８のような実装態様でアンテナ基板９９１とフロントエンド基板９９０とを接続することができる。

１０，１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ，１０Ｄ，１０Ｅ，１０Ｆ，１０Ｇ，１０Ｈ，１０Ｉ，１０Ｊ，１０Ｋ，１０Ｌ：信号伝送ケーブル
１００，１００Ａ，１００Ｂ，１００Ｃ，１００Ｄ，１００Ｅ，１００Ｆ，１００Ｇ，１００Ｈ，１００Ｉ，１００Ｊ，１００Ｋ，１００Ｌ，１００Ｍ：素体
１０１，１０２，１０１Ａ，１０２Ａ，１０１Ｂ，１０２Ｂ，１０１Ｃ，１０２Ｃ，１０３Ｃ，１０１Ｄ，１０２Ｄ，１０１Ｅ，１０２Ｅ，１０４Ｅ，１０１Ｆ，１０２Ｆ，１０３Ｆ，１０１Ｇ，１０２Ｇ，１０１Ｈ，１０２Ｈ，１０３Ｈ，１０４Ｈ，１０１Ｉ，１０２Ｉ，１０３Ｉ，１０４Ｉ，１０１Ｊ，１０２Ｊ，１０３Ｊ，１０４Ｊ，１０１Ｋ，１０２Ｋ，１０３Ｋ，１０４Ｋ，１０１Ｌ，１０２Ｌ，１０１Ｍ，１０２Ｍ，１０３Ｍ，１０４Ｍ：基材層
１０１Ｍ１，１０１Ｍ２，１０１Ｍ３，１０２Ｍ１，１０１Ｍ２，１０２Ｍ３，１０３Ｍ１，１０３Ｍ２，１０３Ｍ３，１０４Ｍ１，１０４Ｍ２，１０４Ｍ３：部分領域
１１０，１１０Ａ，１２０Ａ，１１０Ｂ，１２０Ｂ，１１０Ｃ，１２０Ｃ，１１０Ｄ，１１０Ｅ，１２０Ｅ，１１０Ｆ，１２０Ｆ，１１０Ｇ，１１０Ｈ，１１０Ｉ，１１０Ｊ，１１０Ｌ：レジスト膜
９０：ダイプレクサ型の信号伝送ケーブル
１１１，１１２：開口部
１６０：貫通穴
２１０，２２０，２１０Ａ，２２０Ａ，２１０Ｂ，２２０Ｂ，２１０Ｃ，２２０Ｃ，２３０Ｃ，２１０Ｄ，２２０Ｄ，２２０Ｅ，２２０Ｅ１，２２０Ｅ２、２１０Ｆ，２２０Ｆ，２３０Ｆ：信号線路用の導体パターン
２１１，２２２，２２３，２１１Ａ，２１４Ａ，２２３Ａ，２１１Ｂ，２１４Ｂ，２２３Ｂ，２１１Ｃ，２１４Ｃ，２２３Ｃ，２３２Ｃ，２２１Ｄ，２１４Ｄ，２２３Ｄ，２１１Ｅ２１１Ｆ，２１４Ｆ，２２４Ｆ：伝送用導体部
２１２，２２１，２１２Ａ，２２１Ａ，２１２Ｂ，２２１Ｂ，２１２Ｃ，２２１Ｃ，２３１Ｃ，２１２Ｄ，２２１Ｄ，２１２Ｆ，２２１Ｆ：キャパシタ用導体部
２１３，２１３Ａ，２１３Ｂ，２１３Ｃ，２１３Ｄ，２２４Ｄ，２１３Ｅ，２１３Ｆ，２２５Ｆ：インダクタ用導体部
３１１，３１２，３２２，３３２：外部接続用導体
３３１：外部接続用補助導体
４０１，４０２，４０１Ａ，４０２Ａ，４０１Ｂ，４０１Ｃ，４０２Ｃ，４０３Ｃ，４０１Ｄ，４０２Ｄ，４０１Ｅ，４０２Ｅ，４０３Ｅ，４２１Ｅ，４２２Ｅ，４６１，４６２，４６３，４６４，４６５，４６６，４７１，４７２，４７２’，４７３，４７４，４７５，４７５’：層間接続導体
５０１，５０２：コネクタ
６１０，６１０Ｌ，６２０，６２０Ｌ，６３０，６４０：信号線路用の導体パターン
６１１，６２１，６３１，６４１：第１導体部
６１２，６２２，６３２，６４２：第２導体部
６１３，６２３，６３３，６４３：第３導体部
６１４，６２４，６３４，６４４：第４導体部
６１５，６２５，６３５，６４５：第５導体部
６１６，６２６：引き回し導体
７１１，７１２，７２１，７２２，７３１，７３１’，７３２，７４１，７４１０，７４１’：信号線路用の導体パターン
７１１１，７２１１，７３１１，７３１１’，７４１１，７４１１’：第１線状部
７１１２，７２１２，７３１２，７３１２’ ，７４１２，７４１２’：第２線状部
７１１３，７２１３，７３１３，７３１３’，７４１３，７４１３’：第３線状部
７１１４，７３１４，７３１４’，７４１４，７４１４’：第４線状部
７４１５：追加線状部
８０１Ｍ１，８０３Ｍ１，８０１Ｍ２，８０２Ｍ１，８０２Ｍ２：導体パターン
８０１Ｍ１１，８０１Ｍ２１，８０２Ｍ１１，８０２Ｍ２１：第１部分導体パターン
８０１Ｍ１２，８０１Ｍ２２，８０２Ｍ１２，８０２Ｍ２２：第２部分導体パターン
８１０Ｍ１，８１０Ｍ２：容量結合用導体パターン
８６０：接続導体
９００：通信機器モジュール
９０１：アンテナ
９１１：ＷｉＦｉ送受信部
９１２：セルラー送受信部
９１３：ＧＰＳ受信部
９２１：帯域阻止フィルタ（ＢＥＦ）
９２２：帯域通過フィルタ（ＢＰＦ）
９９０：フロントエンド基板
９９１：アンテナ基板

Claims (12)

1. 第１外部接続端子と第２外部接続端子とを接続する信号伝送線路と、
   該信号伝送線路が導体パターンによって形成された可撓性を有する平板状の素体と、
   前記信号伝送線路によって前記第１外部接続端子と前記第２外部接続端子との間に接続され、前記素体に内蔵または形成されたインダクタおよびキャパシタを有する帯域阻止フィルタと、
   を備え、
   前記素体は、複数の基材層を積層した積層体からなり、
   前記インダクタは、前記複数の基材層の少なくとも一層に形成された線状導体パターンからなり、
   前記インダクタと前記キャパシタが前記導体パターンによって並列接続され、
   前記複数の基材層に形成された線状導体パターンからなり、前記キャパシタに直列接続された直列共振用インダクタをさらに備え、
   前記基材層の各層には、前記インダクタを構成する第１の線状導体パターンと、前記直列共振用インダクタを構成する第２の線状導体パターンとが形成されており、
   各層に形成された前記第１の線状導体パターンは層間接続導体で接続され、
   各層に形成された前記第２の線状導体パターンは層間接続導体で接続され、
   前記第２の線状導体パターンは、前記第１外部接続端子に接続する第１部分と前記第２外部接続端子に接続する第２部分に分割されており、第１の基材層に形成された第２の線状導体パターンの第１部分と、第２の基材層に形成された第２の線状導体パターンの第２部分とは、基材層を介して対向している、
   帯域阻止フィルタ機能付き信号伝送ケーブル。
2. 前記第１の線状導体パターンおよび前記第２の線状導体パターンは、三層以上からなり、
   前記第１部分と前記第２部分の対向部は複数である、
   請求項１に記載の帯域阻止フィルタ機能付き信号伝送ケーブル。
3. 第１外部接続端子と第２外部接続端子とを接続する信号伝送線路と、
   該信号伝送線路が導体パターンによって形成された可撓性を有する平板状の素体と、
   前記信号伝送線路によって前記第１外部接続端子と前記第２外部接続端子との間に接続され、前記素体に内蔵または形成されたインダクタおよびキャパシタを有する帯域阻止フィルタと、
   を備え、
   前記素体は、複数の基材層を積層した積層体からなり、
   前記インダクタと前記キャパシタが前記導体パターンによって並列接続され、
   前記キャパシタに直列接続された直列共振用インダクタをさらに備え、
   前記インダクタは、複数の基材層にそれぞれ形成された一部が分断された環状の線状導体パターンと、該一部が分断された環状の線状導体パターンを接続する層間接続導体からなる第１の螺旋状の導体パターンによって形成され、
   前記直列共振用インダクタは、前記インダクタが構成される基材層とは異なる複数の基材層にそれぞれ形成された一部が分断された環状の線状導体パターンと、該一部が分断された環状の線状導体パターンを接続する層間接続導体からなる第２の螺旋状の導体パターンによって形成されている、
   帯域阻止フィルタ機能付き信号伝送ケーブル。
4. 前記第１の螺旋状の導体パターンの巻回方向と、前記第２の螺旋状の導体パターンの巻回方向は逆である、
   請求項３に記載の帯域阻止フィルタ機能付き信号伝送ケーブル。
5. 前記キャパシタは、前記複数の基材層に形成され、積層方向に対向する平板状導体パターンからなる、
   請求項１〜４のいずれかに記載の帯域阻止フィルタ機能付き信号伝送ケーブル。
6. 前記キャパシタは、実装型素子であり、
   該実装型素子は、前記信号伝送線路の分断位置に、当該分断された信号伝送線路を直列接続するように配置されている、
   請求項１〜５のいずれかに記載の帯域阻止フィルタ機能付き信号伝送ケーブル。
7. 前記素体は、液晶ポリマーからなる、請求項１〜６のいずれかに記載の帯域阻止フィルタ機能付き信号伝送ケーブル。
8. 前記素体は、前記第１外部接続端子の配置位置と前記第２外部接続端子の配置位置との途中に屈曲部を有する、請求項１〜７のいずれかに記載の帯域阻止フィルタ機能付き信号伝送ケーブル。
9. 前記第１外部接続端子および前記第２外部接続端子は、外部回路に対して機械的接触することで電気的に接続するコネクタ部材を備える、請求項１〜８のいずれかに記載の帯域阻止フィルタ機能付き信号伝送ケーブル。
10. 請求項１〜９のいずれかに記載の帯域阻止フィルタ機能付き信号伝送ケーブルと、
    前記第１外部接続端子に接続するアンテナ基板と、
    前記第２外部接続端子に接続するフロントエンド基板と、
    を備える通信機器モジュール。
11. 請求項１〜９のいずれかに記載の帯域阻止フィルタ機能付き信号伝送ケーブルと、
    前記素体に形成された別の導体パターンによって構成された帯域通過フィルタと、を備えたダイプレクサ機能付き信号伝送ケーブル。
12. 請求項１１に記載のダイプレクサ機能付き信号伝送ケーブルと、
    該ダイプレクサ機能付き信号伝送ケーブルによって接続されるアンテナ基板およびフロントエンド基板と、
    を備える通信機器モジュール。

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