JP2001211097A - マルチバンド用高周波スイッチモジュール - Google Patents
マルチバンド用高周波スイッチモジュールInfo
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- JP2001211097A JP2001211097A JP2000020117A JP2000020117A JP2001211097A JP 2001211097 A JP2001211097 A JP 2001211097A JP 2000020117 A JP2000020117 A JP 2000020117A JP 2000020117 A JP2000020117 A JP 2000020117A JP 2001211097 A JP2001211097 A JP 2001211097A
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- Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 電気的特性に優れたマルチバンド用高周波ス
イッチモジュールを得る。 【解決手段】 通過帯域の異なる複数の送受信系を各送
受信系に分ける分波回路、及び前記各送受信系のそれぞ
れに送信系と受信系を切り替えるスイッチ回路を有する
マルチバンド用高周波スイッチモジュールであって、前
記分波回路は分布定数線路からなるローパスフィルタ回
路と、コンデンサからなるハイパスフィルタ回路と、分
布定数線路およびコンデンサで構成される第１の直列共
振回路と第２の直列共振回路とを備え、複数の送受信系
に共通の共通端子とスイッチ回路との間に前記ローパス
フィルタ回路を接続し、該ローパスフィルタ回路の後段
で、ローパスフィルタ回路の一端とグランドとの間に第
1の直列共振回路を配置し、前記共通端子と他のスイッ
チ回路との間に前記ハイパスフィルタ回路を接続し、該
ハイパスフィルタ回路の後段で、ハイパスフィルタ回路
の一端とグランドとの間に第２の直列共振回路を配置す
ることを特徴とした。
イッチモジュールを得る。 【解決手段】 通過帯域の異なる複数の送受信系を各送
受信系に分ける分波回路、及び前記各送受信系のそれぞ
れに送信系と受信系を切り替えるスイッチ回路を有する
マルチバンド用高周波スイッチモジュールであって、前
記分波回路は分布定数線路からなるローパスフィルタ回
路と、コンデンサからなるハイパスフィルタ回路と、分
布定数線路およびコンデンサで構成される第１の直列共
振回路と第２の直列共振回路とを備え、複数の送受信系
に共通の共通端子とスイッチ回路との間に前記ローパス
フィルタ回路を接続し、該ローパスフィルタ回路の後段
で、ローパスフィルタ回路の一端とグランドとの間に第
1の直列共振回路を配置し、前記共通端子と他のスイッ
チ回路との間に前記ハイパスフィルタ回路を接続し、該
ハイパスフィルタ回路の後段で、ハイパスフィルタ回路
の一端とグランドとの間に第２の直列共振回路を配置す
ることを特徴とした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はマイクロ波帯などの
高周波帯域で用いられる高周波複合部品に関し、通過帯
域の異なる送受信系を取り扱うマルチバンド用高周波ス
イッチモジュールに関するものである。
高周波帯域で用いられる高周波複合部品に関し、通過帯
域の異なる送受信系を取り扱うマルチバンド用高周波ス
イッチモジュールに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年の携帯電話の普及には、目を見張る
ものがあり、携帯電話の機能、サービスの向上が図られ
ている。この新たな携帯電話として、デュアルバンド携
帯電話等の提案がなされている。このデュアルバンド携
帯電話は、通常の携帯電話が一つの送受信系のみを取り
扱うのに対し、２つの送受信系を取り扱うものである。
これにより、利用者は都合の良い送受信系を選択して利
用することが出来るものである。例えば、デュアルバン
ド携帯電話では、ＤＣＳ１８００システム（送信ＴＸ．
１７１０〜１７８５MHz、受信ＲＸ．１８０５〜１８８
０MHz）、第２の送受信系としてＧＳＭシステム（送信
ＴＸ．８８０〜９１５MHz、受信ＲＸ．９２５〜９６０M
Hz）の２つのシステムに対応する。
ものがあり、携帯電話の機能、サービスの向上が図られ
ている。この新たな携帯電話として、デュアルバンド携
帯電話等の提案がなされている。このデュアルバンド携
帯電話は、通常の携帯電話が一つの送受信系のみを取り
扱うのに対し、２つの送受信系を取り扱うものである。
これにより、利用者は都合の良い送受信系を選択して利
用することが出来るものである。例えば、デュアルバン
ド携帯電話では、ＤＣＳ１８００システム（送信ＴＸ．
１７１０〜１７８５MHz、受信ＲＸ．１８０５〜１８８
０MHz）、第２の送受信系としてＧＳＭシステム（送信
ＴＸ．８８０〜９１５MHz、受信ＲＸ．９２５〜９６０M
Hz）の２つのシステムに対応する。
【０００３】このような携帯電話では、それぞれの周波
数に応じた信号経路、及び複数の周波数を切り替えるた
めのスイッチとして分波回路とスイッチ回路を用いて構
成されるスイッチモジュールが用いられ、前記デュアル
バンド携帯電話に用いられるマルチバンド用高周波スイ
ッチモジュールとして、本発明者等は既に特開平１１−
３１３００３号に記載の高周波スイッチモジュールを提
案している。図６に一例として前記高周波スイッチモジ
ュールの回路ブロック図を示す。この高周波スイッチモ
ジュールは、第１の送受信系としてＤＣＳ１８００シス
テム（送信ＴＸ．１７１０〜１７８５MHz、受信ＲＸ．
１８０５〜１８８０MHz）、第２の送受信系としてＧＳ
Ｍシステム（送信ＴＸ．８８０〜９１５MHz、受信Ｒ
Ｘ．９２５〜９６０MHz）の２つのシステムに対応し、
デュアルバンド携帯電話のアンテナＡＮＴと、ＧＳＭ
系、ＤＣＳ系のそれぞれの送受信回路との振り分けに用
いられる。
数に応じた信号経路、及び複数の周波数を切り替えるた
めのスイッチとして分波回路とスイッチ回路を用いて構
成されるスイッチモジュールが用いられ、前記デュアル
バンド携帯電話に用いられるマルチバンド用高周波スイ
ッチモジュールとして、本発明者等は既に特開平１１−
３１３００３号に記載の高周波スイッチモジュールを提
案している。図６に一例として前記高周波スイッチモジ
ュールの回路ブロック図を示す。この高周波スイッチモ
ジュールは、第１の送受信系としてＤＣＳ１８００シス
テム（送信ＴＸ．１７１０〜１７８５MHz、受信ＲＸ．
１８０５〜１８８０MHz）、第２の送受信系としてＧＳ
Ｍシステム（送信ＴＸ．８８０〜９１５MHz、受信Ｒ
Ｘ．９２５〜９６０MHz）の２つのシステムに対応し、
デュアルバンド携帯電話のアンテナＡＮＴと、ＧＳＭ
系、ＤＣＳ系のそれぞれの送受信回路との振り分けに用
いられる。
【０００４】
【発明が解決しようする課題】前記した特開平１１−３
１３００３号に記載の高周波スイッチモジュールは、Ｌ
Ｃ並列接続のノッチ回路を２つ用い、前記２つのノッチ
回路の一端同士を接続して前記複数の送受信系に共通の
共通端子とし、前記それぞれのノッチ回路の他端を前記
スイッチ回路に接続した構成の分波回路を用い、前記分
波回路及び前記スイッチ回路の少なくとも一部を、電極
パターンと誘電体層との積層体に内蔵し、ダイオード等
のチップ素子を前記積層体上に配置して構成している。
前記分波回路は、少ない部品点数で、かつ低損失で所望
の周波数帯の高周波信号を分波し得る優れたものである
が、キャパシタを構成する誘電体層の厚さのばらつきに
より共振周波数が変動し、所望の周波数帯での挿入損失
特性がばらつき、製品歩留まりを下げる一因となってい
た。また、前記の携帯電話においては、従来各受信系の
高周波信号を、マルチバンド用高周波スイッチモジュー
ルとは別に実装基板に配置されたフィルタ回路を通し
て、所望の高周波信号を得ていた。このフィルタ回路と
して専らＳＡＷフィルタが用いられているが、マルチバ
ンド用高周波スイッチモジュールとの接続を前記実装基
板に構成した整合回路を介して行っており、機器の大型
化や高コスト化の一因となっていた。そこで本発明は、
このような問題点を解消する為になされたものであり、
小型で電気的特性に優れたマルチバンド用高周波スイッ
チモジュールを提供し、またＳＡＷフィルタを実装した
ワンチップのマルチバンド用高周波スイッチモジュール
を提供することを目的とするものである。
１３００３号に記載の高周波スイッチモジュールは、Ｌ
Ｃ並列接続のノッチ回路を２つ用い、前記２つのノッチ
回路の一端同士を接続して前記複数の送受信系に共通の
共通端子とし、前記それぞれのノッチ回路の他端を前記
スイッチ回路に接続した構成の分波回路を用い、前記分
波回路及び前記スイッチ回路の少なくとも一部を、電極
パターンと誘電体層との積層体に内蔵し、ダイオード等
のチップ素子を前記積層体上に配置して構成している。
前記分波回路は、少ない部品点数で、かつ低損失で所望
の周波数帯の高周波信号を分波し得る優れたものである
が、キャパシタを構成する誘電体層の厚さのばらつきに
より共振周波数が変動し、所望の周波数帯での挿入損失
特性がばらつき、製品歩留まりを下げる一因となってい
た。また、前記の携帯電話においては、従来各受信系の
高周波信号を、マルチバンド用高周波スイッチモジュー
ルとは別に実装基板に配置されたフィルタ回路を通し
て、所望の高周波信号を得ていた。このフィルタ回路と
して専らＳＡＷフィルタが用いられているが、マルチバ
ンド用高周波スイッチモジュールとの接続を前記実装基
板に構成した整合回路を介して行っており、機器の大型
化や高コスト化の一因となっていた。そこで本発明は、
このような問題点を解消する為になされたものであり、
小型で電気的特性に優れたマルチバンド用高周波スイッ
チモジュールを提供し、またＳＡＷフィルタを実装した
ワンチップのマルチバンド用高周波スイッチモジュール
を提供することを目的とするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】第１の発明は、通過帯域
の異なる複数の送受信系を各送受信系に分ける分波回
路、及び前記各送受信系のそれぞれに送信系と受信系を
切り替えるスイッチ回路を有するマルチバンド用高周波
スイッチモジュールであって、前記分波回路は分布定数
線路からなるローパスフィルタ回路と、コンデンサから
なるハイパスフィルタ回路と、分布定数線路およびコン
デンサで構成される第１の直列共振回路と第２の直列共
振回路とを備え、複数の送受信系に共通の共通端子とス
イッチ回路との間に前記ローパスフィルタ回路を接続
し、該ローパスフィルタ回路の後段で、ローパスフィル
タ回路の一端とグランドとの間に第1の直列共振回路を
配置し、前記共通端子と他のスイッチ回路との間に前記
ハイパスフィルタ回路を接続し、該ハイパスフィルタ回
路の後段で、ハイパスフィルタ回路の一端とグランドと
の間に第２の直列共振回路を配置するマルチバンド用高
周波スイッチモジュールである。
の異なる複数の送受信系を各送受信系に分ける分波回
路、及び前記各送受信系のそれぞれに送信系と受信系を
切り替えるスイッチ回路を有するマルチバンド用高周波
スイッチモジュールであって、前記分波回路は分布定数
線路からなるローパスフィルタ回路と、コンデンサから
なるハイパスフィルタ回路と、分布定数線路およびコン
デンサで構成される第１の直列共振回路と第２の直列共
振回路とを備え、複数の送受信系に共通の共通端子とス
イッチ回路との間に前記ローパスフィルタ回路を接続
し、該ローパスフィルタ回路の後段で、ローパスフィル
タ回路の一端とグランドとの間に第1の直列共振回路を
配置し、前記共通端子と他のスイッチ回路との間に前記
ハイパスフィルタ回路を接続し、該ハイパスフィルタ回
路の後段で、ハイパスフィルタ回路の一端とグランドと
の間に第２の直列共振回路を配置するマルチバンド用高
周波スイッチモジュールである。
【０００６】本発明においては、前記スイッチ回路はダ
イオードと分布定数線路を主構成とし、前記分波回路及
びスイッチ回路の少なくとも一部は、電極パターンと誘
電体層との積層体内に、前記電極パターンにより構成さ
れ、前記ダイオードを前記積層体上に配置して構成する
のが好ましい。また、前記ダイオードスイッチ回路の各
受信系にバンドパスフィルタ回路を配置し、当該バンド
パスフィルタ回路を積層体上に配置して構成されるＳＡ
Ｗフィルタとするのも好ましい。また、前記スイッチ回
路の各送信系に分布定数線路とコンデンサで構成される
ローパスフィルタ回路を配置し、当該ローパスフィルタ
回路の分布定数線路とコンデンサの少なくとも一部は、
電極パターンと誘電体層との積層体内に、前記電極パタ
ーンにより構成するのも好ましい。
イオードと分布定数線路を主構成とし、前記分波回路及
びスイッチ回路の少なくとも一部は、電極パターンと誘
電体層との積層体内に、前記電極パターンにより構成さ
れ、前記ダイオードを前記積層体上に配置して構成する
のが好ましい。また、前記ダイオードスイッチ回路の各
受信系にバンドパスフィルタ回路を配置し、当該バンド
パスフィルタ回路を積層体上に配置して構成されるＳＡ
Ｗフィルタとするのも好ましい。また、前記スイッチ回
路の各送信系に分布定数線路とコンデンサで構成される
ローパスフィルタ回路を配置し、当該ローパスフィルタ
回路の分布定数線路とコンデンサの少なくとも一部は、
電極パターンと誘電体層との積層体内に、前記電極パタ
ーンにより構成するのも好ましい。
【０００７】第２の発明は、通過帯域の異なる複数の送
受信系を各送受信系に分ける分波回路と、前記各送受信
系のそれぞれに送信系と受信系を切り替えるスイッチ回
路と、当該スイッチ回路の各受信系の特定の信号を通過
させるフィルタ回路と、前記スイッチ回路とフィルタ回
路との整合回路を備え、前記分波回路はＬＣ回路で構成
され、前記スイッチ回路はダイオードと分布定数線路を
主構成とし、前記フィルタ回路はＳＡＷフィルタで構成
され、前記整合回路はコンデンサ又はＬＣ回路で構成さ
れ、前記分波回路のＬＣ回路及び前記スイッチ回路の分
布定数線路は、電極パターンと誘電体層との積層体内に
前記電極パターンにより構成され、前記ダイオードとＳ
ＡＷフィルタは前記積層体上に配置して構成され、前記
積層体の外表面には、前記複数の送受信系の共通端子、
前記各送受信系のそれぞれの送信系端子、受信系端子が
形成され、前記積層体の各側面には、少なくとも１つの
グランド端子を形成したマルチバンド用高周波スイッチ
モジュールである。
受信系を各送受信系に分ける分波回路と、前記各送受信
系のそれぞれに送信系と受信系を切り替えるスイッチ回
路と、当該スイッチ回路の各受信系の特定の信号を通過
させるフィルタ回路と、前記スイッチ回路とフィルタ回
路との整合回路を備え、前記分波回路はＬＣ回路で構成
され、前記スイッチ回路はダイオードと分布定数線路を
主構成とし、前記フィルタ回路はＳＡＷフィルタで構成
され、前記整合回路はコンデンサ又はＬＣ回路で構成さ
れ、前記分波回路のＬＣ回路及び前記スイッチ回路の分
布定数線路は、電極パターンと誘電体層との積層体内に
前記電極パターンにより構成され、前記ダイオードとＳ
ＡＷフィルタは前記積層体上に配置して構成され、前記
積層体の外表面には、前記複数の送受信系の共通端子、
前記各送受信系のそれぞれの送信系端子、受信系端子が
形成され、前記積層体の各側面には、少なくとも１つの
グランド端子を形成したマルチバンド用高周波スイッチ
モジュールである。
【０００８】第２の発明においては、前記スイッチ回路
の各送信系に分布定数線路とコンデンサで構成されるロ
ーパスフィルタ回路を配置し、当該ローパスフィルタ回
路の分布定数線路とコンデンサの少なくとも一部を、前
記積層体に内蔵するのが好ましい。
の各送信系に分布定数線路とコンデンサで構成されるロ
ーパスフィルタ回路を配置し、当該ローパスフィルタ回
路の分布定数線路とコンデンサの少なくとも一部を、前
記積層体に内蔵するのが好ましい。
【０００９】また、第１又は第２の発明において、前記
積層体は複数のグランド電極を有し、前記スイッチ回路
の分布定数線路用の電極パターンは、前記グランド電極
に挟まれた領域に形成され、前記分波回路のコンデンサ
用の電極パターン及びスイッチ回路の各送信系に配置さ
れるローパスフィルタ回路のコンデンサ用の電極パター
ンは、前記スイッチ回路の分布定数線路用の電極パター
ンを挟むグランド電極の内、上側のグランド電極の上部
に誘電体層を介して形成され、前記分波回路の分布定数
線路用の電極パターン及び前記スイッチ回路の各送信系
に配置されるローパスフィルタ回路の分布定数線路用の
電極パターンは、前記コンデンサ用の電極パターンの上
部に誘電体層を介して形成されている。
積層体は複数のグランド電極を有し、前記スイッチ回路
の分布定数線路用の電極パターンは、前記グランド電極
に挟まれた領域に形成され、前記分波回路のコンデンサ
用の電極パターン及びスイッチ回路の各送信系に配置さ
れるローパスフィルタ回路のコンデンサ用の電極パター
ンは、前記スイッチ回路の分布定数線路用の電極パター
ンを挟むグランド電極の内、上側のグランド電極の上部
に誘電体層を介して形成され、前記分波回路の分布定数
線路用の電極パターン及び前記スイッチ回路の各送信系
に配置されるローパスフィルタ回路の分布定数線路用の
電極パターンは、前記コンデンサ用の電極パターンの上
部に誘電体層を介して形成されている。
【００１０】前記積層体において、前記分波回路と前記
スイッチ回路の各送信系に配置されるローパスフィルタ
回路とは、前記積層体の水平方向の別領域にそれぞれ別
れて形成するのが好ましい。また、前記積層体の外表面
にはＳＡＷフィルタを実装するための電極パターンを形
成し、当該電極パターンの少なくとも一つを、積層体の
内部に形成されたグランド電極とスルーホールを介して
接続するのが望ましい。
スイッチ回路の各送信系に配置されるローパスフィルタ
回路とは、前記積層体の水平方向の別領域にそれぞれ別
れて形成するのが好ましい。また、前記積層体の外表面
にはＳＡＷフィルタを実装するための電極パターンを形
成し、当該電極パターンの少なくとも一つを、積層体の
内部に形成されたグランド電極とスルーホールを介して
接続するのが望ましい。
【００１１】前記積層体の外表面に形成されたＳＡＷフ
ィルタを実装するための電極パターンの内、前記グラン
ド電極と接続する電極パターンの面積を他の電極パター
ンよりも大きく形成するのも好ましい。さらに前記積層
体の外表面に形成されたＳＡＷフィルタを実装するため
の電極パターンとスイッチ回路の分布定数線路用の電極
パターン及び前記分波回路の分布定数線路用の電極パタ
ーンとを積層方向に少なくとも８０μｍ以上離して配置
するのが望ましい。
ィルタを実装するための電極パターンの内、前記グラン
ド電極と接続する電極パターンの面積を他の電極パター
ンよりも大きく形成するのも好ましい。さらに前記積層
体の外表面に形成されたＳＡＷフィルタを実装するため
の電極パターンとスイッチ回路の分布定数線路用の電極
パターン及び前記分波回路の分布定数線路用の電極パタ
ーンとを積層方向に少なくとも８０μｍ以上離して配置
するのが望ましい。
【００１２】さらに好ましくは、前記積層体上に配置さ
れたチップ素子を包囲する金属ケースを前記積層体上に
配置したマルチバンド用高周波スイッチモジュールであ
る。
れたチップ素子を包囲する金属ケースを前記積層体上に
配置したマルチバンド用高周波スイッチモジュールであ
る。
【００１３】
【発明の実施の形態】本発明に係る一実施例を図１から
図５を用いて以下詳細に説明する。図１は、本発明に係
る一実施例の回路ブロック図でありデュアルバンド用高
周波スイッチモジュールの回路ブロック図である。図２
は前記回路ブロック図を構成するための一例の等価回路
図である。なお、前記等価回路図において破線で囲まれ
た部分が本実施例部分であり、その破線の外側のコンデ
ンサＣＧ２、ＣＰ２、抵抗Ｒ、インダクタンスＬＧ及び
ＬＰは外付け部品として、回路基板上などに配置される
が、この外付け部品を、積層体内に又は積層体上に構成
することも可能であり、特に限定されるものではない。
この実施例の回路ブロック図では、第１の送受信系とし
てＧＳＭを、第２の送受信系としてＤＣＳを用いてい
る。そして、このＧＳＭとＤＣＳの２つの送受信系とア
ンテナとを接続する構成となっている。アンテナＡＮＴ
に接続される分波器部分は、２つの直列共振回路を用
い、分布定数線路ＬＦ２とコンデンサＣＦ１で一つのノ
ッチ回路を構成し、分布定数線路ＬＦ３とコンデンサＣ
Ｆ３でもう一つのノッチ回路を構成している。そして、
一方のノッチ回路はアンテナＡＮＴとダイオードスイッ
チ回路との間にローパスフィルタとして機能する分布定
数線路ＬＦ１を接続し、この分布定数線路ＬＦ１の後段
で、分布定数線路ＬＦ１の一端とグランドとの間に配置
され、もう一方のノッチ回路は、アンテナＡＮＴとダイ
オードスイッチ回路との間にハイパスフィルタとして機
能するコンデンサＣＦ２を接続し、このコンデンサＣＦ
２の後段で、コンデンサＣＦ２の一端とグランドとの間
に配置してなる。さらにその後段で直列にコンデンサＣ
Ｆ４を接続しても良い。このコンデンサＣＦ４は、分波
特性のハイパスフィルタ特性を向上させる目的で接続さ
れている。またこのコンデンサＣＦ４は、後述する第２
のスイッチ回路のＤＣカット用コンデンサとしても使用
される。このように構成することで、分波回路部分にお
いて所望の周波数帯で広帯域な挿入損失特性を示し、不
要な周波数帯で優れた減衰特性を発現できるものであ
る。
図５を用いて以下詳細に説明する。図１は、本発明に係
る一実施例の回路ブロック図でありデュアルバンド用高
周波スイッチモジュールの回路ブロック図である。図２
は前記回路ブロック図を構成するための一例の等価回路
図である。なお、前記等価回路図において破線で囲まれ
た部分が本実施例部分であり、その破線の外側のコンデ
ンサＣＧ２、ＣＰ２、抵抗Ｒ、インダクタンスＬＧ及び
ＬＰは外付け部品として、回路基板上などに配置される
が、この外付け部品を、積層体内に又は積層体上に構成
することも可能であり、特に限定されるものではない。
この実施例の回路ブロック図では、第１の送受信系とし
てＧＳＭを、第２の送受信系としてＤＣＳを用いてい
る。そして、このＧＳＭとＤＣＳの２つの送受信系とア
ンテナとを接続する構成となっている。アンテナＡＮＴ
に接続される分波器部分は、２つの直列共振回路を用
い、分布定数線路ＬＦ２とコンデンサＣＦ１で一つのノ
ッチ回路を構成し、分布定数線路ＬＦ３とコンデンサＣ
Ｆ３でもう一つのノッチ回路を構成している。そして、
一方のノッチ回路はアンテナＡＮＴとダイオードスイッ
チ回路との間にローパスフィルタとして機能する分布定
数線路ＬＦ１を接続し、この分布定数線路ＬＦ１の後段
で、分布定数線路ＬＦ１の一端とグランドとの間に配置
され、もう一方のノッチ回路は、アンテナＡＮＴとダイ
オードスイッチ回路との間にハイパスフィルタとして機
能するコンデンサＣＦ２を接続し、このコンデンサＣＦ
２の後段で、コンデンサＣＦ２の一端とグランドとの間
に配置してなる。さらにその後段で直列にコンデンサＣ
Ｆ４を接続しても良い。このコンデンサＣＦ４は、分波
特性のハイパスフィルタ特性を向上させる目的で接続さ
れている。またこのコンデンサＣＦ４は、後述する第２
のスイッチ回路のＤＣカット用コンデンサとしても使用
される。このように構成することで、分波回路部分にお
いて所望の周波数帯で広帯域な挿入損失特性を示し、不
要な周波数帯で優れた減衰特性を発現できるものであ
る。
【００１４】次に、第１のスイッチ回路について説明す
る。第１のスイッチ回路は、図１上側のスイッチ回路で
あり、ＧＳＭ系の送信ＴＸと受信ＲＸを切り換えるもの
である。このスイッチ回路ＳＷは、２つのダイオードＤ
Ｇ１、ＤＧ２と、２つの分布定数線路ＬＧ１、ＬＧ２を
主構成とし、ダイオードＤＧ１はアンテナＡＮＴ側にア
ノードが接続され、送信ＴＸ側にカソードが接続され、
そのカソード側にアースに接続される分布定数線路ＬＧ
１が接続されている。そして、アンテナ側と受信ＲＸ間
に分布定数線路ＬＧ２が接続され、その受信側にカソー
ドが接続されたダイオードＤＧ２が接続され、そのダイ
オードＤＧ２のアノードには、アースとの間にコンデン
サＣＧ６が接続され、その間にダイオード制御用の電圧
端子ＶＣ１が配置される。本実施例においては、電圧端
子ＶＣ１に回路基板に配置されたインダクタＬＧが直列
に接続されるが、マルチバンド用高周波スイッチモジュ
ールの積層体内に分布定数線路を形成してインダクタＬ
Ｇを形成してもよい。そして、送信系（送信ＴＸ回路
側）にはローパスフィルタ回路が挿入され、このローパ
スフィルタ回路はインダクタＬＧ３と、コンデンサＣＧ
３、ＣＧ４、ＣＧ７から構成され、スイッチ回路ＳＷの
ダイオードＤＧ１と分布定数線路ＬＧ１の間に挿入され
ている。前記ダイオードＤＧ２のカソード側には整合回
路ＣＧ５を介してＳＡＷフィルタＳＧが接続される。本
実施例では、整合回路ＣＧ５はコンデンサで構成されて
おり、スイッチ回路のＤＣカットコンデンサとしても機
能している。
る。第１のスイッチ回路は、図１上側のスイッチ回路で
あり、ＧＳＭ系の送信ＴＸと受信ＲＸを切り換えるもの
である。このスイッチ回路ＳＷは、２つのダイオードＤ
Ｇ１、ＤＧ２と、２つの分布定数線路ＬＧ１、ＬＧ２を
主構成とし、ダイオードＤＧ１はアンテナＡＮＴ側にア
ノードが接続され、送信ＴＸ側にカソードが接続され、
そのカソード側にアースに接続される分布定数線路ＬＧ
１が接続されている。そして、アンテナ側と受信ＲＸ間
に分布定数線路ＬＧ２が接続され、その受信側にカソー
ドが接続されたダイオードＤＧ２が接続され、そのダイ
オードＤＧ２のアノードには、アースとの間にコンデン
サＣＧ６が接続され、その間にダイオード制御用の電圧
端子ＶＣ１が配置される。本実施例においては、電圧端
子ＶＣ１に回路基板に配置されたインダクタＬＧが直列
に接続されるが、マルチバンド用高周波スイッチモジュ
ールの積層体内に分布定数線路を形成してインダクタＬ
Ｇを形成してもよい。そして、送信系（送信ＴＸ回路
側）にはローパスフィルタ回路が挿入され、このローパ
スフィルタ回路はインダクタＬＧ３と、コンデンサＣＧ
３、ＣＧ４、ＣＧ７から構成され、スイッチ回路ＳＷの
ダイオードＤＧ１と分布定数線路ＬＧ１の間に挿入され
ている。前記ダイオードＤＧ２のカソード側には整合回
路ＣＧ５を介してＳＡＷフィルタＳＧが接続される。本
実施例では、整合回路ＣＧ５はコンデンサで構成されて
おり、スイッチ回路のＤＣカットコンデンサとしても機
能している。
【００１５】次に、第２のスイッチ回路について説明す
る。第２のスイッチ回路は、図１下側のスイッチ回路で
あり、ＤＣＳ系の送信ＴＸと受信ＲＸを切り換えるもの
である。このスイッチ回路ＳＷは、２つのダイオードＤ
Ｐ１、ＤＰ２と、２つの分布定数線路ＬＰ１、ＬＰ２を
主構成とし、ダイオードＤＰ１はアンテナＡＮＴ側にア
ノードが接続され、送信ＴＸ側にカソードが接続され、
そのカソード側にアースに接続される分布定数線路ＬＰ
１が接続されている。そして、アンテナ側と受信ＲＸ間
に分布定数線路ＬＰ２が接続され、その受信側にカソー
ドが接続されたダイオードＤＰ２が接続され、そのダイ
オードＤＰ２のアノードには、アースとの間にコンデン
サＣＰ６が接続され、その間にダイオード制御用の電圧
端子ＶＣ２が配置される。本実施例においては、電圧端
子ＶＣ２に回路基板に配置されたインダクタＬＰが直列
に接続されるが、マルチバンド用高周波スイッチモジュ
ールの積層体内に分布定数線路を形成してインダクタＬ
Ｐを形成してもよい。そして、送信系（送信ＴＸ回路
側）に挿入されるローパスフィルタ回路は、インダクタ
ＬＰ３と、コンデンサＣＰ３、ＣＰ４、ＣＰ７から構成
され、スイッチ回路ＳＷのダイオードＤＰ１と分布定数
線路ＬＰ１の間に挿入されている。また第１のスイッチ
回路の分布定数線路ＬＧ１と第２のスイッチ回路の分布
定数線路ＬＰ１とは、接続されコンデンサＣＧＰでアー
ス接続されるとともに、回路基板に配置された抵抗Ｒを
介してアース接続されている。また前記抵抗Ｒ部をアー
スに接続することなくダイオード制御用の電圧端子ＶＣ
３として使用しても良い。前記ダイオードＤＰ２のカソ
ード側には整合回路ＣＰ５を介してＳＡＷフィルタＳＰ
が接続される。本実施例では、整合回路ＣＰ５はコンデ
ンサで構成されており、スイッチ回路のＤＣカットコン
デンサとしても機能している。
る。第２のスイッチ回路は、図１下側のスイッチ回路で
あり、ＤＣＳ系の送信ＴＸと受信ＲＸを切り換えるもの
である。このスイッチ回路ＳＷは、２つのダイオードＤ
Ｐ１、ＤＰ２と、２つの分布定数線路ＬＰ１、ＬＰ２を
主構成とし、ダイオードＤＰ１はアンテナＡＮＴ側にア
ノードが接続され、送信ＴＸ側にカソードが接続され、
そのカソード側にアースに接続される分布定数線路ＬＰ
１が接続されている。そして、アンテナ側と受信ＲＸ間
に分布定数線路ＬＰ２が接続され、その受信側にカソー
ドが接続されたダイオードＤＰ２が接続され、そのダイ
オードＤＰ２のアノードには、アースとの間にコンデン
サＣＰ６が接続され、その間にダイオード制御用の電圧
端子ＶＣ２が配置される。本実施例においては、電圧端
子ＶＣ２に回路基板に配置されたインダクタＬＰが直列
に接続されるが、マルチバンド用高周波スイッチモジュ
ールの積層体内に分布定数線路を形成してインダクタＬ
Ｐを形成してもよい。そして、送信系（送信ＴＸ回路
側）に挿入されるローパスフィルタ回路は、インダクタ
ＬＰ３と、コンデンサＣＰ３、ＣＰ４、ＣＰ７から構成
され、スイッチ回路ＳＷのダイオードＤＰ１と分布定数
線路ＬＰ１の間に挿入されている。また第１のスイッチ
回路の分布定数線路ＬＧ１と第２のスイッチ回路の分布
定数線路ＬＰ１とは、接続されコンデンサＣＧＰでアー
ス接続されるとともに、回路基板に配置された抵抗Ｒを
介してアース接続されている。また前記抵抗Ｒ部をアー
スに接続することなくダイオード制御用の電圧端子ＶＣ
３として使用しても良い。前記ダイオードＤＰ２のカソ
ード側には整合回路ＣＰ５を介してＳＡＷフィルタＳＰ
が接続される。本実施例では、整合回路ＣＰ５はコンデ
ンサで構成されており、スイッチ回路のＤＣカットコン
デンサとしても機能している。
【００１６】一般に携帯電話の受信回路においては、前
記ＳＡＷフィルタＳＧ、ＳＰの後段に平衡信号入力のロ
ーノイズアンプが配置される。そこで前記ＳＡＷフィル
タＳＧ、ＳＰとして平衡出力のＳＡＷフィルタを用いて
もよいし、ＳＡＷフィルタＳＧ、ＳＰを不平衡出力のＳ
ＡＷフィルタとする場合には、さらに積層体内に又は積
層体上に平衡−不平衡変換回路としてバルントランスを
構成することも可能である。
記ＳＡＷフィルタＳＧ、ＳＰの後段に平衡信号入力のロ
ーノイズアンプが配置される。そこで前記ＳＡＷフィル
タＳＧ、ＳＰとして平衡出力のＳＡＷフィルタを用いて
もよいし、ＳＡＷフィルタＳＧ、ＳＰを不平衡出力のＳ
ＡＷフィルタとする場合には、さらに積層体内に又は積
層体上に平衡−不平衡変換回路としてバルントランスを
構成することも可能である。
【００１７】このスイッチモジュールの動作は、ＧＳＭ
系の送信を有効とする場合、電圧端子ＶＣ１に所定の電
圧をかける。同様に、ＤＣＳ系の送信を有効とする場
合、電圧端子ＶＣ２に所定の電圧をかける。ＧＳＭ系、
ＤＣＳ系の受信時には、電圧端子ＶＣ１、電圧端子ＶＣ
１、ＶＣ２には電圧をかけない。電圧端子ＶＣ３を備え
る場合には、ＧＳＭ系、ＤＣＳ系の受信時に、電圧端子
ＶＣ３に所定の電圧をかける。この関係を表１に示す。
系の送信を有効とする場合、電圧端子ＶＣ１に所定の電
圧をかける。同様に、ＤＣＳ系の送信を有効とする場
合、電圧端子ＶＣ２に所定の電圧をかける。ＧＳＭ系、
ＤＣＳ系の受信時には、電圧端子ＶＣ１、電圧端子ＶＣ
１、ＶＣ２には電圧をかけない。電圧端子ＶＣ３を備え
る場合には、ＧＳＭ系、ＤＣＳ系の受信時に、電圧端子
ＶＣ３に所定の電圧をかける。この関係を表１に示す。
【００１８】
【表１】
【００１９】次に、図２に示した等価回路を構成するた
めの一実施例の内部構造を図３に、その実施例の積層体
部分の斜視図を図４に、ＳＡＷフィルタやダイオードを
実装したマルチバンド用高周波スイッチモジュールの上
面図を図５に示す。この実施例は、分波回路、ローパス
フィルタ回路、スイッチ回路の分布定数線路を積層体内
に構成し、ダイオード、チップコンデンサ、ＳＡＷフィ
ルタをその積層体上に搭載して、ワンチップ化した高周
波スイッチモジュールを構成したものである。
めの一実施例の内部構造を図３に、その実施例の積層体
部分の斜視図を図４に、ＳＡＷフィルタやダイオードを
実装したマルチバンド用高周波スイッチモジュールの上
面図を図５に示す。この実施例は、分波回路、ローパス
フィルタ回路、スイッチ回路の分布定数線路を積層体内
に構成し、ダイオード、チップコンデンサ、ＳＡＷフィ
ルタをその積層体上に搭載して、ワンチップ化した高周
波スイッチモジュールを構成したものである。
【００２０】まず、マルチバンド用高周波スイッチモジ
ュールに用いる積層体の内部構造について説明する。こ
の積層体は、低温焼成が可能なセラミック誘電体材料か
らなるグリーンシートを用意し、そのグリーンシート上
にＡｇを主体とする導電ペーストを印刷して、所望の電
極パターンを形成し、それを適宜積層し、一体焼成させ
構成する。
ュールに用いる積層体の内部構造について説明する。こ
の積層体は、低温焼成が可能なセラミック誘電体材料か
らなるグリーンシートを用意し、そのグリーンシート上
にＡｇを主体とする導電ペーストを印刷して、所望の電
極パターンを形成し、それを適宜積層し、一体焼成させ
構成する。
【００２１】この内部構造を以下積層順に従って説明す
る。まず、下層のグリーンシート１５上には、グランド
電極３１がほぼ全面に形成されている。そして、側面に
形成される端子電極８１、８３、８４、８７、９０、９
２、９４、９６、９７、９９に接続するための接続部が
設けられている。
る。まず、下層のグリーンシート１５上には、グランド
電極３１がほぼ全面に形成されている。そして、側面に
形成される端子電極８１、８３、８４、８７、９０、９
２、９４、９６、９７、９９に接続するための接続部が
設けられている。
【００２２】次に、電極パターンの印刷されていないダ
ミーのグリーンシート１４、１３を積層する。その上の
グリーンシート１２には、２つのライン電極４２、４３
が形成され、その上のグリーンシート１１には、４つの
ライン電極４４、４５、４６、４７が形成されている。
その上に、スルーホール電極（図中二重に丸を付けたも
のがスルーホール電極である）とライン電極４８、４
９、５０が形成されたグリーンシート１０を積層し、そ
の上に、スルーホール電極が形成されたグリーンシート
９を積層し、その上に、グランド電極３２が形成された
グリーンシート８が積層される。このグランド電極３２
は、スルーホール電極をさけるように一部切り欠いた
り、切り抜いた形状となっている。
ミーのグリーンシート１４、１３を積層する。その上の
グリーンシート１２には、２つのライン電極４２、４３
が形成され、その上のグリーンシート１１には、４つの
ライン電極４４、４５、４６、４７が形成されている。
その上に、スルーホール電極（図中二重に丸を付けたも
のがスルーホール電極である）とライン電極４８、４
９、５０が形成されたグリーンシート１０を積層し、そ
の上に、スルーホール電極が形成されたグリーンシート
９を積層し、その上に、グランド電極３２が形成された
グリーンシート８が積層される。このグランド電極３２
は、スルーホール電極をさけるように一部切り欠いた
り、切り抜いた形状となっている。
【００２３】この２つのグランド電極３１、３２に挟ま
れた領域に形成されたライン電極はスルーホールを介し
て適宜接続され、第１及び第２のスイッチ回路ＳＷ用の
分布定数線路を形成している。ライン電極４２と４６と
４８はスルーホール電極で接続され、等価回路の分布定
数線路ＬＧ１を構成し、ライン電極４３と４７はスルー
ホール電極で接続され、等価回路の分布定数線路ＬＰ１
を構成し、ライン電極４５と５０はスルーホール電極で
接続され、等価回路の分布定数線路ＬＧ２を構成し、ラ
イン電極４４と４９はスルーホール電極で接続され、等
価回路の分布定数線路ＬＰ２を構成している。
れた領域に形成されたライン電極はスルーホールを介し
て適宜接続され、第１及び第２のスイッチ回路ＳＷ用の
分布定数線路を形成している。ライン電極４２と４６と
４８はスルーホール電極で接続され、等価回路の分布定
数線路ＬＧ１を構成し、ライン電極４３と４７はスルー
ホール電極で接続され、等価回路の分布定数線路ＬＰ１
を構成し、ライン電極４５と５０はスルーホール電極で
接続され、等価回路の分布定数線路ＬＧ２を構成し、ラ
イン電極４４と４９はスルーホール電極で接続され、等
価回路の分布定数線路ＬＰ２を構成している。
【００２４】グリーンシート８の上に積層されるグリー
ンシート７には、コンデンサ用の電極６１、６２、６
３、６４、６５、６６、６７、６８が形成されている。
その上に積層されるグリーンシート６にもコンデンサ用
の電極６９、７０、７１とグランド電極３３が形成され
ている。その上に積層されるグリーンシート５には、コ
ンデンサ電極７２、７３、７４が形成されている。
ンシート７には、コンデンサ用の電極６１、６２、６
３、６４、６５、６６、６７、６８が形成されている。
その上に積層されるグリーンシート６にもコンデンサ用
の電極６９、７０、７１とグランド電極３３が形成され
ている。その上に積層されるグリーンシート５には、コ
ンデンサ電極７２、７３、７４が形成されている。
【００２５】更にその上には、ライン電極５１、５２、
５３，５４，５５が形成されたグリーンシート４が積層
され、その上に、ライン電極５６、５７、５８、５９が
形成されたグリーンシート３が積層される。更にその上
のグリーンシート２には、配線パターンが形成され、そ
して、最上部のグリーンシート１には、搭載素子接続用
のランドが形成されている。
５３，５４，５５が形成されたグリーンシート４が積層
され、その上に、ライン電極５６、５７、５８、５９が
形成されたグリーンシート３が積層される。更にその上
のグリーンシート２には、配線パターンが形成され、そ
して、最上部のグリーンシート１には、搭載素子接続用
のランドが形成されている。
【００２６】上側のグランド電極３２が形成されたグリ
ーンシート８の上に積層されたグリーンシート７のコン
デンサ用電極の内、コンデンサ用電極６１、６２、６
３、６４、６５、６７、６８，６９は、グランド電極３
２との間で容量を形成し、コンデンサ用電極６１は、等
価回路のＣＧ４を、コンデンサ用電極６２は、等価回路
のＣＧ３を、コンデンサ用電極６３は、等価回路のＣＰ
４を、コンデンサ用電極６４は、等価回路のＣＰ３を、
コンデンサ用電極６５は、等価回路のＣＦ１を、コンデ
ンサ用電極６７は、等価回路のＣＧ６を、コンデンサ用
電極６８は、等価回路のＣＦ３の一部を構成している。
ーンシート８の上に積層されたグリーンシート７のコン
デンサ用電極の内、コンデンサ用電極６１、６２、６
３、６４、６５、６７、６８，６９は、グランド電極３
２との間で容量を形成し、コンデンサ用電極６１は、等
価回路のＣＧ４を、コンデンサ用電極６２は、等価回路
のＣＧ３を、コンデンサ用電極６３は、等価回路のＣＰ
４を、コンデンサ用電極６４は、等価回路のＣＰ３を、
コンデンサ用電極６５は、等価回路のＣＦ１を、コンデ
ンサ用電極６７は、等価回路のＣＧ６を、コンデンサ用
電極６８は、等価回路のＣＦ３の一部を構成している。
【００２７】またグリーンシート７、６、５に形成され
たコンデンサ電極は互の間で容量を形成し、コンデンサ
電極６１、６２と６９の間で、等価回路のＣＧ７を構成
し、同様にコンデンサ電極６３、６４と７０の間で、等
価回路のＣＰ７を構成し、コンデンサ電極６６と７１の
間で、等価回路のＣＦ４を構成し、コンデンサ電極７１
と７３の間で、等価回路のＣＦ２を構成し、コンデンサ
電極７２とグランド電極３３の間で、等価回路のＣＰ６
を構成し、コンデンサ電極７４、６８とグランド電極３
３の間で、等価回路のＣＦ３の一部を構成し、コンデン
サ電極６７とグランド電極３３の間で、等価回路のＣＧ
６の一部を構成している。
たコンデンサ電極は互の間で容量を形成し、コンデンサ
電極６１、６２と６９の間で、等価回路のＣＧ７を構成
し、同様にコンデンサ電極６３、６４と７０の間で、等
価回路のＣＰ７を構成し、コンデンサ電極６６と７１の
間で、等価回路のＣＦ４を構成し、コンデンサ電極７１
と７３の間で、等価回路のＣＦ２を構成し、コンデンサ
電極７２とグランド電極３３の間で、等価回路のＣＰ６
を構成し、コンデンサ電極７４、６８とグランド電極３
３の間で、等価回路のＣＦ３の一部を構成し、コンデン
サ電極６７とグランド電極３３の間で、等価回路のＣＧ
６の一部を構成している。
【００２８】またグリーンシート４、３では、ライン電
極５１、５６が等価回路のＬＧ３を構成し、ライン電極
５２、５７が等価回路のＬＰ３を構成し、ライン電極５
５、５９が等価回路のＬＦ３を構成し、ライン電極５
４、５８が等価回路のＬＦ１を構成し、ライン電極５３
が等価回路のＬＦ２を構成している。
極５１、５６が等価回路のＬＧ３を構成し、ライン電極
５２、５７が等価回路のＬＰ３を構成し、ライン電極５
５、５９が等価回路のＬＦ３を構成し、ライン電極５
４、５８が等価回路のＬＦ１を構成し、ライン電極５３
が等価回路のＬＦ２を構成している。
【００２９】これらのグリーンシートを圧着し、一体焼
成して積層体を得た。この積層体の側面に端子電極８
１、８２、８３、８４、８５、８６、８７、８８、８
９、９０、９１、９２、９３、９４、９５、９６、９
７、９８、９９、１００を形成した。
成して積層体を得た。この積層体の側面に端子電極８
１、８２、８３、８４、８５、８６、８７、８８、８
９、９０、９１、９２、９３、９４、９５、９６、９
７、９８、９９、１００を形成した。
【００３０】積層体の外表面には、搭載素子接続用のラ
ンドと金属ケースを接続するためのランド１０９、１１
０、１１１、１１２が形成されている。搭載素子接続用
のランドの内、ＳＡＷフィルタが搭載されるランド１０
１、１０２、１０３、１０４、１０５、１０６、１０
７、１０８の内、ランド１０１、１０５を他のランドよ
りも大きな面積で形成し、このランド１０１、１０５で
ＳＡＷフィルタのグランドと接続し、さらに前記ランド
１０１、１０５のそれぞれを誘電体層に形成したスルー
ホールを介して前記グランド電極３３と接続し、積層体
側面の端子電極８４、８７、９０、９２へ引き出すこと
で、ＳＡＷフィルタの性能を発揮させている。また、マ
ルチバンド用高周波スイッチモジュールの挿入損失特性
が劣化することが無いように、ランド１０１、１０５と
前記スイッチ回路の分布定数線路用の電極パターン５
６、５７、前記分波回路の分布定数線路用の電極パター
ン５８、５９とを積層方向に少なくとも８０μｍ以上離
して配置している。また、金属ケースを接続するための
ランド１０９、１１０、１１１、１１２は、スルーホー
ルを介してグリーンシート２に形成された引出し線路に
より、積層体側面の端子電極８１、８３、９４、９６と
接続する。
ンドと金属ケースを接続するためのランド１０９、１１
０、１１１、１１２が形成されている。搭載素子接続用
のランドの内、ＳＡＷフィルタが搭載されるランド１０
１、１０２、１０３、１０４、１０５、１０６、１０
７、１０８の内、ランド１０１、１０５を他のランドよ
りも大きな面積で形成し、このランド１０１、１０５で
ＳＡＷフィルタのグランドと接続し、さらに前記ランド
１０１、１０５のそれぞれを誘電体層に形成したスルー
ホールを介して前記グランド電極３３と接続し、積層体
側面の端子電極８４、８７、９０、９２へ引き出すこと
で、ＳＡＷフィルタの性能を発揮させている。また、マ
ルチバンド用高周波スイッチモジュールの挿入損失特性
が劣化することが無いように、ランド１０１、１０５と
前記スイッチ回路の分布定数線路用の電極パターン５
６、５７、前記分波回路の分布定数線路用の電極パター
ン５８、５９とを積層方向に少なくとも８０μｍ以上離
して配置している。また、金属ケースを接続するための
ランド１０９、１１０、１１１、１１２は、スルーホー
ルを介してグリーンシート２に形成された引出し線路に
より、積層体側面の端子電極８１、８３、９４、９６と
接続する。
【００３１】この積層体の上に、ダイオードＤＧ１、Ｄ
Ｇ２、ＤＰ１、ＤＰ２、チップコンデンサＣＧ１、ＣＧ
５、ＣＰ５、ＣＧＰ、ＳＡＷフィルタＳＧ、ＳＰを搭載
し、さらに、ダイオード、チップコンデンサ上に、ＳＰ
ＣＣからなる金属ケースを被せ、搭載素子接続用のラン
ドと金属ケースを接続するためのランドとそれぞれはん
だ付けした。図５に、前記素子を搭載した様子を平面図
として示す。図５において破線で示した部分は、ＳＰＣ
Ｃからなる金属ケースの内部を理解が容易なように図示
したものである。また図５においては、図２で示した等
価回路図に対応する端子対応を併記している。
Ｇ２、ＤＰ１、ＤＰ２、チップコンデンサＣＧ１、ＣＧ
５、ＣＰ５、ＣＧＰ、ＳＡＷフィルタＳＧ、ＳＰを搭載
し、さらに、ダイオード、チップコンデンサ上に、ＳＰ
ＣＣからなる金属ケースを被せ、搭載素子接続用のラン
ドと金属ケースを接続するためのランドとそれぞれはん
だ付けした。図５に、前記素子を搭載した様子を平面図
として示す。図５において破線で示した部分は、ＳＰＣ
Ｃからなる金属ケースの内部を理解が容易なように図示
したものである。また図５においては、図２で示した等
価回路図に対応する端子対応を併記している。
【００３２】この実施例によれば、第１及び第２のスイ
ッチ回路の分布定数線路を積層体内に形成する際に、グ
ランド電極で挟まれた領域内に配置している。これによ
り、スイッチ回路と分波回路、ローパスフィルタ回路と
の干渉を防いでいる。そして、このグランド電極で挟ま
れた領域を積層体の下部に配置し、アース電位を取り易
くしている。そして、アースとの間に接続されるコンデ
ンサを構成する電極を、その上側のグランド電極に対向
させて形成している。
ッチ回路の分布定数線路を積層体内に形成する際に、グ
ランド電極で挟まれた領域内に配置している。これによ
り、スイッチ回路と分波回路、ローパスフィルタ回路と
の干渉を防いでいる。そして、このグランド電極で挟ま
れた領域を積層体の下部に配置し、アース電位を取り易
くしている。そして、アースとの間に接続されるコンデ
ンサを構成する電極を、その上側のグランド電極に対向
させて形成している。
【００３３】また、スイッチ回路の分布定数線路部分を
積層体の下側に構成することにより、グランド電極を積
層体の下側に配置して、実装基板の影響を少なくしてい
る。さらに、グランド電極と対向させるコンデンサ形成
用の容量電極をその次に配置し、上部にローパスフィル
タ回路と分波回路のインダクタンス成分を配置すること
により、インダクタンス成分をグランド電極から離すこ
とができ、短い線路長で必要なインダクタンス値を得る
ことができる。これにより、マルチバンド用高周波スイ
ッチモジュールの小型化を図れる。
積層体の下側に構成することにより、グランド電極を積
層体の下側に配置して、実装基板の影響を少なくしてい
る。さらに、グランド電極と対向させるコンデンサ形成
用の容量電極をその次に配置し、上部にローパスフィル
タ回路と分波回路のインダクタンス成分を配置すること
により、インダクタンス成分をグランド電極から離すこ
とができ、短い線路長で必要なインダクタンス値を得る
ことができる。これにより、マルチバンド用高周波スイ
ッチモジュールの小型化を図れる。
【００３４】また、この実施例の積層体の側面に形成さ
れた端子電極において、アンテナＡＮＴ端子に対して積
層体を２分した反対側に、ＧＳＭ系の送信ＴＸ端子、受
信ＲＸ端子、ＤＣＳ系の送信ＴＸ端子、受信ＲＸ端子が
それぞれ形成されている。この高周波スイッチモジュー
ルは、アンテナと送受信回路の間に配置されるので、こ
の端子配置により、アンテナと高周波スイッチモジュー
ル、及び送受信回路と高周波スイッチモジュールを最短
の線路で接続することができ、余分な損失を防止でき
る。
れた端子電極において、アンテナＡＮＴ端子に対して積
層体を２分した反対側に、ＧＳＭ系の送信ＴＸ端子、受
信ＲＸ端子、ＤＣＳ系の送信ＴＸ端子、受信ＲＸ端子が
それぞれ形成されている。この高周波スイッチモジュー
ルは、アンテナと送受信回路の間に配置されるので、こ
の端子配置により、アンテナと高周波スイッチモジュー
ル、及び送受信回路と高周波スイッチモジュールを最短
の線路で接続することができ、余分な損失を防止でき
る。
【００３５】さらに、その反対側において、その半分の
片側に、ＧＳＭ系の送信ＴＸ端子、ＤＣＳ系の送信ＴＸ
端子が形成され、もう一方の片側に、ＧＳＭ系の受信Ｒ
Ｘ端子、ＤＣＳ系の受信ＲＸ端子が形成されている。２
つの送信回路、２つの受信回路は、それぞれかたまって
配置されるので、高周波スイッチモジュールの送信端子
どうし、受信端子どうしを近くに配置して、最短経路で
の接続が可能となり、余分な損失を防止できる。
片側に、ＧＳＭ系の送信ＴＸ端子、ＤＣＳ系の送信ＴＸ
端子が形成され、もう一方の片側に、ＧＳＭ系の受信Ｒ
Ｘ端子、ＤＣＳ系の受信ＲＸ端子が形成されている。２
つの送信回路、２つの受信回路は、それぞれかたまって
配置されるので、高周波スイッチモジュールの送信端子
どうし、受信端子どうしを近くに配置して、最短経路で
の接続が可能となり、余分な損失を防止できる。
【００３６】また、この実施例の積層体では、側面に形
成されたアンテナＡＮＴ端子、ＧＳＭ系の送信ＴＸ端
子、受信ＲＸ端子、ＤＣＳ系の送信ＴＸ端子、受信ＲＸ
端子、及び電圧端子ＶＣ１、ＶＣ２、ＶＣ３はいずれ
も、側面の周回方向で見た場合、各端子間にはアース端
子が形成されており、各端子はアース端子で挟まれてい
る。各入出力端子（ＲＦ端子）は、アース端子に挟まれ
た配置となっている。これにより、各端子間の信号の漏
洩が遮断され、干渉が無くなり、信号端子間のアイソレ
ーションが確実なものとなる。
成されたアンテナＡＮＴ端子、ＧＳＭ系の送信ＴＸ端
子、受信ＲＸ端子、ＤＣＳ系の送信ＴＸ端子、受信ＲＸ
端子、及び電圧端子ＶＣ１、ＶＣ２、ＶＣ３はいずれ
も、側面の周回方向で見た場合、各端子間にはアース端
子が形成されており、各端子はアース端子で挟まれてい
る。各入出力端子（ＲＦ端子）は、アース端子に挟まれ
た配置となっている。これにより、各端子間の信号の漏
洩が遮断され、干渉が無くなり、信号端子間のアイソレ
ーションが確実なものとなる。
【００３７】また、各辺にアース端子が有り、低損失と
なる構造となっている。
なる構造となっている。
【００３８】上記実施例においては、ＳＡＷフィルタと
して、素子を金属ケースに封止した単体デバイス、いわ
ゆる管封止パッケージ型ＳＡＷフィルタを用いている
が、積層体の少なくとも一面にＳＡＷフィルタを裸状態
でボンディング実装しても良く、積層体に凹部を形成し
て、この凹部にＳＡＷフィルタを配置してもよい。ＳＡ
Ｗフィルタを裸状態で実装する場合には、金属ケースで
封止するとともに、必要に応じてアルゴンガスや窒素ガ
スでＳＡＷフィルタの周囲を不活性雰囲気とすればよ
い。
して、素子を金属ケースに封止した単体デバイス、いわ
ゆる管封止パッケージ型ＳＡＷフィルタを用いている
が、積層体の少なくとも一面にＳＡＷフィルタを裸状態
でボンディング実装しても良く、積層体に凹部を形成し
て、この凹部にＳＡＷフィルタを配置してもよい。ＳＡ
Ｗフィルタを裸状態で実装する場合には、金属ケースで
封止するとともに、必要に応じてアルゴンガスや窒素ガ
スでＳＡＷフィルタの周囲を不活性雰囲気とすればよ
い。
【００３９】上記積層構造の実施例は、図２に示した等
価回路図に対応するものであるが、本発明の範囲内で他
の回路とすることは容易にであって、例えば、インダク
タ成分、コンデンサ成分の電極パターンを変更し、接続
方法を変更することで可能である。
価回路図に対応するものであるが、本発明の範囲内で他
の回路とすることは容易にであって、例えば、インダク
タ成分、コンデンサ成分の電極パターンを変更し、接続
方法を変更することで可能である。
【００４０】本発明によれば、複数の回路構成をワンチ
ップに構成することができるとともに、マルチバンド携
帯電話において、複数の送受信系と１つのアンテナを接
続する部分に用いることができ、このため、複数の回路
素子を別々に搭載し、接続する方法に比較し、部品点数
の削減、工数の削減、小型化などの利点を有する。また
分波回路を適宜選択することにより、積層体構造に起因
する電気的特性のばらつきを減少させるとともに、分波
回路部分での挿入損失特性の広帯域化が可能となりマル
チバンド用高周波スイッチモジュールのトリプルバンド
化対応も容易となる。
ップに構成することができるとともに、マルチバンド携
帯電話において、複数の送受信系と１つのアンテナを接
続する部分に用いることができ、このため、複数の回路
素子を別々に搭載し、接続する方法に比較し、部品点数
の削減、工数の削減、小型化などの利点を有する。また
分波回路を適宜選択することにより、積層体構造に起因
する電気的特性のばらつきを減少させるとともに、分波
回路部分での挿入損失特性の広帯域化が可能となりマル
チバンド用高周波スイッチモジュールのトリプルバンド
化対応も容易となる。
【００４１】
【発明の効果】本発明によれば、マルチバンド携帯電話
に用いられるマルチバンド用高周波スイッチモジュール
を、積層構造を用い、複数の回路機能を積層体に内蔵・
実装することで小型で電気的特性に優れたマルチバンド
用高周波スイッチモジュールを得ることが出来るので機
器の小型化に有効なものであり、また前記回路機能の分
波回路部分を適宜選択することにより、優れた電気的特
性を備えたマルチバンド用高周波スイッチモジュールを
得ることが出来る。
に用いられるマルチバンド用高周波スイッチモジュール
を、積層構造を用い、複数の回路機能を積層体に内蔵・
実装することで小型で電気的特性に優れたマルチバンド
用高周波スイッチモジュールを得ることが出来るので機
器の小型化に有効なものであり、また前記回路機能の分
波回路部分を適宜選択することにより、優れた電気的特
性を備えたマルチバンド用高周波スイッチモジュールを
得ることが出来る。
【図１】本発明に係る一実施例の回路ブロック図であ
る。
る。
【図２】図１に示した回路ブロック図の一例としての等
価回路図である。
価回路図である。
【図３】図２に示した等価回路図を構成するために一例
としての積層体の内部構造図である。
としての積層体の内部構造図である。
【図４】本発明に係る一実施例の積層体の斜視図であ
る。
る。
【図５】本発明に係る一実施例のマルチバンド用高周波
スイッチモジュールの上面図である。
スイッチモジュールの上面図である。
【図６】従来例の回路ブロック図である。
１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１
２、１３、１４、１５誘電体シート ４２、４３、４４、４５、４６、４７、４８、４９、５
０、５１、５２、５３、５４、５５、５６、５７、５
８、５９ ライン電極 ３１、３２、３３ グランド電極 ６１、６２、６３、６４、６５、６６、６７、６８、６
９、７０、７１、７２、７３、７４ コンデンサ電極
２、１３、１４、１５誘電体シート ４２、４３、４４、４５、４６、４７、４８、４９、５
０、５１、５２、５３、５４、５５、５６、５７、５
８、５９ ライン電極 ３１、３２、３３ グランド電極 ６１、６２、６３、６４、６５、６６、６７、６８、６
９、７０、７１、７２、７３、７４ コンデンサ電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5J012 BA03 BA04 5K011 DA22 DA25 DA27 JA01 KA01 KA18
Claims (12)
- 【請求項１】 通過帯域の異なる複数の送受信系を各送
受信系に分ける分波回路、及び前記各送受信系のそれぞ
れに送信系と受信系を切り替えるスイッチ回路を有する
マルチバンド用高周波スイッチモジュールであって、前
記分波回路は分布定数線路からなるローパスフィルタ回
路と、コンデンサからなるハイパスフィルタ回路と、分
布定数線路およびコンデンサで構成される第１の直列共
振回路と第２の直列共振回路とを備え、複数の送受信系
に共通の共通端子とスイッチ回路との間に前記ローパス
フィルタ回路を接続し、該ローパスフィルタ回路の後段
で、ローパスフィルタ回路の一端とグランドとの間に第
1の直列共振回路を配置し、前記共通端子と他のスイッ
チ回路との間に前記ハイパスフィルタ回路を接続し、該
ハイパスフィルタ回路の後段で、ハイパスフィルタ回路
の一端とグランドとの間に第２の直列共振回路を配置す
ることを特徴とするマルチバンド用高周波スイッチモジ
ュール。 - 【請求項２】 前記スイッチ回路はダイオードと分布定
数線路を主構成とし、前記分波回路及びスイッチ回路の
少なくとも一部は、電極パターンと誘電体層との積層体
内に、前記電極パターンにより構成され、前記ダイオー
ドを前記積層体上に配置して構成されていることを特徴
とするマルチバンド用高周波スイッチモジュール。 - 【請求項３】 前記ダイオードスイッチ回路の各受信系
にフィルタ回路を有し、当該フィルタ回路が積層体上に
配置して構成されるＳＡＷフィルタであることを特徴と
する請求項１又は２に記載のマルチバンド用高周波スイ
ッチモジュール。 - 【請求項４】 前記スイッチ回路の各送信系に分布定数
線路とコンデンサで構成されるローパスフィルタ回路を
有し、当該ローパスフィルタ回路の分布定数線路とコン
デンサの少なくとも一部は、電極パターンと誘電体層と
の積層体内に、前記電極パターンにより構成されること
を特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載のマル
チバンド用高周波スイッチモジュール。 - 【請求項５】 通過帯域の異なる複数の送受信系を各送
受信系に分ける分波回路と、前記各送受信系のそれぞれ
に送信系と受信系を切り替えるスイッチ回路と、当該ス
イッチ回路の各受信系の特定の信号を通過させるフィル
タ回路と、前記スイッチ回路とフィルタ回路との整合回
路を備え、前記分波回路はＬＣ回路で構成され、前記ス
イッチ回路はダイオードと分布定数線路を主構成とし、
前記フィルタ回路はＳＡＷフィルタで構成され、前記整
合回路はコンデンサ又はＬＣ回路で構成され、前記分波
回路のＬＣ回路及び前記スイッチ回路の分布定数線路
は、電極パターンと誘電体層との積層体内に前記電極パ
ターンにより構成され、前記ダイオードとＳＡＷフィル
タは前記積層体上に配置して構成され、前記積層体の外
表面には、前記複数の送受信系の共通端子、前記各送受
信系のそれぞれの送信系端子、受信系端子が形成され、
前記積層体の各側面には、少なくとも１つのグランド端
子が形成されていることを特徴とするマルチバンド用高
周波スイッチモジュール。 - 【請求項６】 前記スイッチ回路の各送信系に分布定数
線路とコンデンサで構成されるローパスフィルタ回路を
有し、当該ローパスフィルタ回路の分布定数線路とコン
デンサの少なくとも一部を、前記積層体に内蔵している
ことを特徴とする請求項５に記載のマルチバンド用高周
波スイッチモジュール。 - 【請求項７】 前記積層体は複数のグランド電極を有
し、前記スイッチ回路の分布定数線路用の電極パターン
は、前記グランド電極に挟まれた領域に形成され、前記
分波回路のコンデンサ用の電極パターン及びスイッチ回
路の各送信系に配置されるローパスフィルタ回路のコン
デンサ用の電極パターンは、前記スイッチ回路の分布定
数線路用の電極パターンを挟むグランド電極の内、上側
のグランド電極の上部に誘電体層を介して形成され、前
記分波回路の分布定数線路用の電極パターン及び前記ス
イッチ回路の各送信系に配置されるローパスフィルタ回
路の分布定数線路用の電極パターンは、前記コンデンサ
用の電極パターンの上部に誘電体層を介して形成されて
いることを特徴とする請求項４又は６に記載のマルチバ
ンド用高周波スイッチモジュール。 - 【請求項８】 前記積層体において、前記分波回路と前
記ローパスフィルタ回路とは、前記積層体の水平方向の
別領域に別れて形成されていることを特徴とする請求項
４、６又は７のいずれかに記載のマルチバンド用高周波
スイッチモジュール。 - 【請求項９】 前記積層体の外表面にはＳＡＷフィルタ
を実装するための電極パターンが形成され、当該電極パ
ターンの少なくとも一つが、前記グランド電極とスルー
ホールを介して接続することを特徴とする請求項７に記
載のマルチバンド用高周波スイッチモジュール。 - 【請求項１０】 前記積層体の外表面に形成されたＳＡ
Ｗフィルタを実装するための電極パターンの内、前記グ
ランド電極と接続する電極パターンの面積を他の電極パ
ターンよりも大きく形成することを特徴とする請求項７
又は９に記載のマルチバンド用高周波スイッチモジュー
ル。 - 【請求項１１】 前記積層体の外表面に形成されたＳＡ
Ｗフィルタを実装するための電極パターンとスイッチ回
路の分布定数線路用の電極パターン及び前記分波回路の
分布定数線路用の電極パターンとを積層方向に少なくと
も８０μｍ以上離して配置することを特徴とする請求項
３、５ないし１０のいずれかに記載のマルチバンド用高
周波スイッチモジュール。 - 【請求項１２】 前記積層体上に配置されたチップ素子
を包囲する金属ケースが前記積層体上に配置されている
ことを特徴とする請求項２ないし１１に記載のいずれか
のマルチバンド用高周波スイッチモジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000020117A JP3903456B2 (ja) | 2000-01-28 | 2000-01-28 | マルチバンド用高周波スイッチモジュール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000020117A JP3903456B2 (ja) | 2000-01-28 | 2000-01-28 | マルチバンド用高周波スイッチモジュール |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001211097A true JP2001211097A (ja) | 2001-08-03 |
| JP2001211097A5 JP2001211097A5 (ja) | 2005-06-23 |
| JP3903456B2 JP3903456B2 (ja) | 2007-04-11 |
Family
ID=18546731
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000020117A Expired - Lifetime JP3903456B2 (ja) | 2000-01-28 | 2000-01-28 | マルチバンド用高周波スイッチモジュール |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3903456B2 (ja) |
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-
2000
- 2000-01-28 JP JP2000020117A patent/JP3903456B2/ja not_active Expired - Lifetime
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