KR100714622B1 - 고주파 모듈 및 통신 장치 - Google Patents

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고지 후루타니
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가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼
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Abstract

본 발명은 다층 기판에 실장한 고주파 부품의 접지 접속을 확실하게 행할 수 있도록 하여, 양호한 전기적 특성을 나타내는 고주파 모듈 및 그것을 구비한 통신 장치를 얻는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 구성에 따르면, 다층 기판(1)의 상면에 실장하는 고주파 부품(21, 22)의 실장을 위한 상면 접지 전극(Gq1, Gq2)과 공통 접지 전극(Gd) 사이에 중간 접지 전극(Gg1, Gg2, Gm1, Gm2, Go1, Go2)을 형성한다. 또한, 각 접지 전극 사이를 도통(導通)시키는 비아홀 도체의 수는 상면 접지 전극으로부터 중간 접지 전극까지의 수보다, 중간 접지 전극으로부터 공통 접지 전극까지의 수를 많게 한다.
다층 기판, 유전체층, 고주파 부품, 비아홀

Description

고주파 모듈 및 통신 장치{High-frequency module and communication apparatus}
도 1은 고주파 모듈의 외관 사시도 및 분해 사시도이다.
도 2는 다층 기판의 각 유전체층에 형성한 전극 패턴의 구체적인 예를 나타내는 도면이다.
도 3은 다층 기판의 각 유전체층에 형성한 전극 패턴의 구체적인 예를 나타내는 도면이다.
도 4는 다층 기판의 각 유전체층에 형성한 전극 패턴의 구체적인 예를 나타내는 도면이다.
도 5는 프런트 엔드(front end)의 부분 회로도이다.
도 6은 프런트 엔드의 부분 회로도이다.
도 7은 프런트 엔드의 부분 회로도이다.
도 8은 프런트 엔드 전체의 회로도이다.
도 9는 SAW 필터의 대역 통과 주파수 전후에서의 개략의 통과 특성을 나타내는 도면이다.
도 10은 통신 장치의 구성예를 나타내는 도면이다.
도 11은 종래의 고주파 모듈의 외관 사시도 및 분해 사시도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 간단한 설명>
1 : 다층 기판 1a∼1q : 유전체층
21, 22 : 고주파 부품 Gb, Gd : 공통 접지 전극
Gg, Gm, Go : 중간 접지 전극 Gq : 상면 접지 전극
Vab, Vbc, Vcd : 비아홀 도체 Vc1, Vc2 : 스위치 제어 신호 단자
G : 접지 단자 SW1, SW2 : 스위치 회로
본 발명은 유전체층과 전극층을 적층하여 이루어지는 다층 기판상에, 칩타입 필터 등의 고주파 부품을 실장하여 이루어지는 고주파 모듈 및 그것을 구비한 통신 장치에 관한 것이다.
종래, 예를 들면 통신기기의 고주파 회로부의 부품수를 삭감함과 아울러 집적도를 향상시키기 위하여, 커패시터나 인덕터를 내장한 다층 기판을 구비하고, 그 주면상에 고주파 회로 부품을 실장한 고주파 모듈이 휴대 통신 단말의 고주파 회로부 등에 사용되고 있다. 예를 들면 휴대 전화 시스템에 있어서의 통신 단말의 프런트 엔드(front end)부에 이와 같은 고주파 모듈을 사용함으로써 그것의 소형ㆍ경량화가 도모되고 있다.
상기 다층 기판은 복수의 유전체층과 전극층을 구비하며, 전극층에 있어서의 전극 패턴에 의해 커패시터, 인덕터, 전송 선로 등이 구성되어 있다. 또한 다층 기 판의 하면(전자기기 내의 실장 기판(마더 보드(mother board)에의 실장면)에는 다수의 외부 단자가 형성되어 있다. 또한, 다층 기판의 상면에는 예를 들면 SAW 필터 등의 고주파 부품을 실장하기 위한 상면 전극이 형성되어 있다(예를 들면 일본국 특허공개공보 2002-118486호(도 4) 참조).
여기에서, 일본국 특허공개공보 2002-118486호(도 4)의 다층 기판과 고주파 부품으로 이루어지는 고주파 모듈의 구성에 대하여, 도 11을 기초로 설명한다.
도 11a는 고주파 모듈의 외관 사시도, 도 11b는 그 주요부의 분해 사시도이다. 다층 기판(1)은 유전체층과 전극층을 적층하여 이루어지는 적층체의 표면에 상면 전극이나 외부 단자를 형성하여 이루어지는 다층 기판이다. 그리고, 다층 기판(1)의 주면상에는, SAW 필터 등의 고주파 부품(21, 22)이 실장되어 있다.
도 11b는 다층 기판(1)의 2개의 층을 뽑아 내어 나타낸 분해 사시도이다. 여기에서, 최상층의 유전체층(1q)에는 고주파 부품(21, 22)을 실장하기 위한, 상면 접지 전극(Gq1, Gq2)을 포함하는 상면 전극이 형성되어 있다. 최하층에 가까운 유전체층(1d)에는 공통 접지 전극(Gd)이 형성되어 있다. 최상층의 유전체층(1q)과 최하층 부근의 유전체층(1d) 사이에는 다수의 유전체층이 존재하며, 그들 유전체층에 형성된 비아홀 도체(Vdq)를 통하여, 상면 접지 전극(Gq1, Gq2)은 공통 접지 전극(Gd)에 직접 도통(導通)되어 있다. 이 공통 접지 전극(Gd)은 다층 기판(1)의 하면에 형성된 다수의 외부 단자 중 접지 단자로서 도출되어 있다.
그러나, 종래의 이와 같은 고주파 모듈에 있어서는, 상기 비아홀 도체(Vdq) 를 구성할 때에, 비아홀 내에의 도전성 페이스트의 충전 불량이 발생하고, 고주파 부품(21, 22)과 접지 전극(Gd)의 접속이 불완전하게 되어, 전기적 특성이 설계상의 특성으로부터 크게 벗어날 우려가 있었다.
또한, 유전체층의 층수가 증가하여 비아홀 도체(Vdq)의 길이가 길어지면, 비아홀 도체(Vdq)의 인덕턴스 성분이 커지고, 상면 접지 전극(Gq1, Gq2)의 접지 상태가 악화하기 때문에, 고주파 부품(21, 22)의 접지 전위를 충분히 얻을 수 없다고 하는 문제가 발생하고 있었다.
본 발명의 목적은 상술한 문제를 해소해서, 다층 기판에 실장한 고주파 부품의 접지 접속을 확실하게 행할 수 있도록 하여, 양호한 전기적 특성을 나타내는 고주파 모듈 및 그것을 구비한 통신 장치를 제공하는데 있다.
본 발명의 고주파 모듈은 복수의 유전체층과 복수의 내부 전극층을 적층하여 이루어지고, 그 제 1 주면에 적어도 1개의 제 1 접지 전극을 가지며, 그 제 2 주면 또는 내부에 제 2 접지 전극을 갖는 다층 기판과, 상기 다층 기판의 제 1 주면에 실장되며, 상기 다층 기판의 제 1 접지 전극에 접속되는 적어도 1개의 접지 단자를 갖는 고주파 부품으로 이루어지는 고주파 모듈로서, 상기 다층 기판의 내부에, 상기 제 1 접지 전극과 비아홀 도체를 통하여 접속되며, 또한, 상기 제 2 접지 전극과 복수의 비아홀 도체를 통하여 접속되는 제 3 접지 전극이 형성되어 있는 것을 특징으로 하고 있다.
한편, 본 발명에 있어서의 "고주파 부품"이란, 접지 단자, 즉 접지 전위로 함으로써 고주파 부품에 본래의 기능을 발휘시키기 위한 단자를 갖는 것을 가리킨다. 따라서, SAW 필터에 한정되는 것이 아니며, IC 디바이스 등도 포함한다.
또한, 본 발명은 상기 구성의 고주파 회로 모듈의 고주파 회로 부품을 칩타입 필터로 하고, 다층 기판 내에 LC 필터를 구성함과 아울러, 그 고주파 모듈을 프런트 엔드부에 구비한 것을 특징으로 하고 있다.
<발명의 실시형태>
본 발명의 실시형태에 따른 고주파 모듈의 구성을 각 도면을 참조하여 설명한다.
도 1은 고주파 모듈의 기본적인 구성을 나타내는 도면으로, 도 1a는 그 사시도, 도 1b는 그 주요부의 분해 사시도이다.
본 실시형태의 고주파 모듈은 복수의 유전체층(1q, 1o, 1m, 1g 및 1d)과, 복수의 내부 전극(Go1, Go2, Gm1, Gm2, Gg1, Gg2 및 Gd)을 적층하여 이루어지는 적층체에 의해 구성되는 다층 기판(1)과, 그 제 1 주면에 실장되는 고주파 부품(21, 22)으로 이루어진다. 그리고, 다층 기판(1)의 제 1 주면측(유전체층(1q)의 표면측)에는, 고주파 부품(21)의 접지 단자에 접속되는 제 1 접지 전극(Gq1) 및 고주파 부품(22)의 접지 단자에 접속되는 제 1 접지 전극(Gq2)이 형성되어 있고, 다층 기판(1)의 내부이며, 최하층의 유전체층(1d)상에는, 각 제 1 접지 전극(Gq1, Gq2)에 공통의 제 2 접지 전극(Gd)이 형성되어 있다. 이 제 2 접지 전극(Gd)은 도 2에 나타내는 바와 같이, 비아홀 도체를 통하여, 다층 기판(1)의 제 2 주면측에 형성되는 외부 접지 단자에 접속되어 있다.
그리고, 제 1 접지 전극(Gq1)은 비아홀 도체(Voq, Vmo 및 Vgm)와 제 3 접지 전극(Go1, Gm1 및 Gg1)을 통하여, 제 2 접지 전극(Gd)에 접속되어 있으며, 마찬가지로, 제 1 접지 전극(Gq2)은 비아홀 도체(Voq, Vmo 및 Vgm)와 제 3 접지 전극(Go2, Gm2 및 Gg2)을 통하여, 공통의 제 2 접지 전극(Gd)에 접속되어 있다.
보다 상세하게 설명하면, 최상층의 유전체층(1q)과 최하층의 유전체층(1d) 사이의 3개의 중간층인 유전체층(1g, 1m, 1o)이 형성되어 있으며, 유전체층(1g, 1m 및 1o)의 각각에, 제 3 접지 전극(Gg1, Gg2, Gm1, Gm2, Go1, Go2)이 형성되어 있다. 제 3 접지 전극(Go1, Go2)과 상면 접지 전극(Gq1, Gq2)은 비아홀 도체(Voq)에 의해 각각 도통되어 있다. 또한, 제 3 접지 전극(Go1, Go2와 Gm1, Gm2)은 비아홀 도체(Vmo)에 의해 각각 도통되어 있다. 또한, 제 3 접지 전극(Gm1, Gm2와 Gg1, Gg2)은 비아홀 도체(Vgm)에 의해 각각 도통되어 있다. 또한, 제 3 접지 전극(Gg1, Gg2)은 복수개의 비아홀 도체(Vdg)에 의해 각각 공통의 제 2 접지 전극에 도통되어 있다.
이 예에서는, 고주파 부품(21, 22)은 각각 3개의 접지 단자를 구비하고 있기 때문에, 제 1 주면상의 제 1 접지 전극(Gq1, Gq2)도 각각 3개의 접지 전극을 구비하고 있으며, 비아홀 도체(Voq)도 각각 3개씩 형성되어 있다. 복수 층에 걸쳐 형성된 제 3 접지 전극을 각각 도통시키는 비아홀 도체(Vmo, Vgm)는 제 3 접지 전극마다 각각 4개씩 형성하고 있다. 또한, 제 3 접지 전극(Gg1, Gg2)과 제 2 접지 전극(Gd) 사이를 도통시키는 비아홀 도체(Vdg)도 제 3 접지 전극마다 4개씩 형성되어 있다.
이와 같이 고주파 부품(21, 22)마다 중간 접지 전극이 되는 제 3 접지 전극을 복수 층에 걸쳐 형성하고, 각각의 중간 접지 전극 내에서 접지 전위를 공통으로 함으로써, 만일 비아홀에의 도전성 페이스트의 충전 불량이 발생하더라도, 중간 접지 전극에서 다시 공통으로 접속되기 때문에, 최종적으로 제 2 접지 전극(Gd)까지 수많은 비아홀 도체를 통하여 접지 접속이 행해지게 된다. 예를 들면 복수의 비아홀 도체(Vmo) 중 1개가 비도통 상태가 되더라도, 제 3 접지 전극(Gm1, Gm2)에서, 접지 접속이 부활하기 때문에, 그것보다 하층의 제 2 접지 전극까지, 확실하게 도통하게 된다.
또한, 고주파 부품(21, 22)의 접지 단자의 수보다 많은 비아홀 도체를 통하여, 제 3 접지 전극과 제 2 접지 전극(Gd)을 접속함으로써, 고주파 부품의 접지 단자가 저인덕턴스로 공통 접지 전극인 제 2 접지 전극에 접속되게 된다. 그 결과, 고주파 부품(21, 22)의 접지 전위를 충분하게 얻을 수 없는 것에 의한 고주파 특성의 열화를 방지할 수 있다.
또한, 다층 기판(1)의 상면에 실장하는 고주파 부품(21, 22)마다 제 2 접지 전극(중간 접지 전극)(Gq1, Gq2, Go1, Go2, Gm1, Gm2, Gg1, Gg2)을 독립적으로 형성함으로써, 중간 접지 전극을 통하여 고주파 신호가 돌아 들어가는 것을 방지할 수 있다. 예를 들면, 제 3 접지 전극(Go1, Go2)으로부터 제 2 접지 전극(Gd)까지의 인덕턴스가 제 1 접지 전극(Gq1, Gq2)으로부터 제 3 접지 전극(Go1, Go2)까지의 인덕턴스보다 크고, 또한, 제 3 접지 전극(Go1)과 제 3 접지 전극(Go2)이 연속한 전극 패턴이었던 경우, 고주파 부품(21, 22)의 접지 누설 전류가 제 1 접지 전 극(Gq1)→비아홀 도체(Voq)→제 3 접지 전극(Go1)(제 3 접지 전극(Go2))→비아홀 도체(Voq)→제 1 접지 전극(Gq2)의 경로로 돌아 들어가서 전기적 특성상 문제가 되는 경우가 있다. 그래서, 제 1 접지 전극으로부터 제 3 접지 전극까지의 인덕턴스 성분을 L1, 제 3 접지 전극으로부터 제 2 접지 전극(이상(理想) 접지 전극 : 통상은 고주파 모듈의 접지 단자)까지의 인덕턴스 성분을 L2라고 하고, L1>L2의 조건을 만족시키도록 제 3 접지 전극을 형성하면, 한쪽의 고주파 부품의 접지 전류가 공통 접지 전극을 통하여 다른쪽 고주파 부품의 접지 전극으로 흘러 들어가는 상술한 현상을 억제할 수 있다. 따라서, 접지 전류의 돌아 들어감에 의한 특성 열화를 확실하게 방지하기 위해서는, 상기 L1, L2가 L1>L2의 관계에 있는 것이 바람직하다.
도 2∼도 4는 상기 다층 기판(1)의 각 유전체층에 형성한 전극 패턴의 구체적인 예를 나타내고 있다. 이 예에서는, 1900MHz를 이용하는 Personal Communication Service(이하, 간단하게 "PCS"라고 함), 1800MHz를 이용하는 Digital Cellular System(이하, 간단하게 "DCS"라고 함), 및 900MHz를 이용하는 Global-System for Mobile communication(이하, 간단하게 "GSM"이라고 함)에 각각 적용 가능한 트리플 밴드의 프런트 엔드를 구성한 예를 나타내고 있다.
도 2∼도 4로부터 알 수 있는 바와 같이, 다층 기판(1)은 유전체층(1a∼1q)을 순서대로 적층한 것이다. 즉, 도 2의 유전체층(1a)은 최하층의 유전체층이고, 도 4의 유전체층(1q)은 최상층의 유전체층이다. 단, 이 도 2∼도 4는 각 유전체층(1a∼1q)을, 그들의 하면측(실장 기판을 향하는 측)에서 본 상태를 나타내고 있다.
최하층의 유전체층(1a)에는, 실장 기판(마더 보드)에의 실장을 위한 각종 외부 단자(접지 단자(G), PCS용 수신 신호 출력 단자(PCS Rx), DCS용 수신 신호 출력 단자(DCS Rx), GSM용 수신 신호 출력 단자(GSM Rx), 컨트롤 단자(스위치 제어 신호 입력 단자)(Vc1, Vc2), DCS/PCS공용의 송신 신호 입력 단자(D/P Tx), GSM용 송신 신호 입력 단자(GSM Tx), 안테나 단자(Ant))를 형성하고 있다.
각 유전체층에 있어서의 전극 패턴을 설명하면, 도 2에 나타내는 바와 같이, 유전체층(1b)에는 공통 접지 전극이 되는 제 2 접지 전극(Gb)이 형성되어 있다. 유전체층(1c)에는 커패시터용의 전극(gC5, dC5, Ct1, Ct2, Cu5)이 형성되어 있다. 유전체층(1d)에는 공통 접지 전극인 제 2 접지 전극(Gd)과 커패시터용 전극(Ct5)이 형성되어 있다. 유전체층(1e)에는 커패시터용 전극(Cc1, Cu1, Cu2)이 각각 소정 부위에 형성되어 있다. 유전체층(1f)에는 커패시터용 전극(Cc1, Ct3)이 각각 소정 부위에 형성되어 있다. 유전체층(1g)에는 중간 접지 전극이 되는 제 3 접지 전극(Gg1, Gg2, Gg3) 및 커패시터용 전극(Cc1)이 형성되어 있다. 유전체층(1h)에는 특별히 전극 패턴이 형성되어 있지 않다.
또한, 도 3에 나타내는 바와 같이, 유전체층(1i)에는 인덕터용 도체(Lt1, Lt2, Lt3, Lt5) 및 전송 선로용 도체(dSL)가 형성되어 있다. 유전체층(1j, 1k)에는 인덕터용 도체(Lt1, Lt2, Lt3, Lt4, Lt5) 및 전송 선로용 도체(dSL)가 각각 형성되어 있다. 유전체층(1l)에는 인덕터용 도체(Lt2, Lt4)가 형성되어 있다. 유전체층(1m)에는 중간 접지 전극이 되는 제 3 접지 전극(Gm1, Gm2, Gm3) 및 커패시터용 전극(Cc2)이 형성되어 있다. 유전체층(1n)에는 커패시터용 전극(Cc2)이 형성되어 있다. 또한 유전체층(1o)에는 중간 접지 전극이 되는 제 3 접지 전극(Go1, Go2, Go3) 및 커패시터용 전극(Cc2)이 형성되어 있다.
또한, 도 4에 나타내는 바와 같이, 유전체층(1p)에는 실장되는 칩타입 부품끼리, 칩타입 부품과 다층 기판 내부의 전극 패턴, 또는, 다층 기판 내부의 전극 패턴끼리를 접속하는 접속 도체가 형성되어 있다. 그리고, 최상층인 유전체층(1q)에는 각종 실장 부품의 실장용 전극이 형성되어 있다. 한편, 이 유전체층(1q)에 대해서는, 유전체층(1q)의 하면측으로부터 투시하도록 본 상태를 나타내고 있다. 즉, 유전체층(1q)상(즉, 다층 기판(1)의 제 1 주면상)에는 고주파 부품으로서, SAW 필터(SAW1, SAW2, SAW3)가 실장되어 있다. 또한, 인덕턴스 부품(칩 인덕터)(gSL1, dSLt, dSL1, L1, L2), 커패시턴스 부품(칩 커패시터)(dSC, C1, C2, C3, C4), 저항 부품(칩 저항)(Rg, Rd), 다이오드(칩타입 다이오드)(D1, D2, D3, D4)가 각각 도시와 같이 실장되어 있다.
SAW 필터의 실장 영역에 있어서, 각각의 SAW 필터마다 3개의 제 1 접지 전극(Gq)을 구비하고 있다. 이들 SAW 필터 실장 영역 내의 그 외의 전극은 SAW 필터의 입력측 및 출력측의 전극이다.
한편, 도 2∼도 4에 있어서, 각 유전체층에는 도면 중 다수의 작은 원으로서 표시되는 비아홀 도체가 형성되어 있으며, 유전체층의 적층 방향에 관하여 상하로 인접하는 전극(도체)끼리가 이 비아홀 도체에 의해 도통되어 있다.
도 2∼도 4에 나타나 있는 바와 같이, 본 실시형태에 따른 고주파 모듈은 제 2 접지 전극(Gd)과 제 1 접지 전극(Gq) 사이에, 3층으로 나누어 중간 접지 전극이 되는 제 3 접지 전극(Gg, Gm, Go)을 갖고 있다. 그리고, SAW 필터(SAW1, SAW2, SAW3)의 접지 단자는 그 수(이 예에서는 3개)보다 많은 비아홀 도체(이 예에서는 4개)를 통하여 제 2 접지 전극(Gd)에 접속되어 있으며, SAW 필터의 접지는 저인덕턴스로 제 2 접지 전극에 접속되어 있다. 또한, SAW 필터(SAW1, SAW2, SAW3)마다 중간 접지 전극(Gg1, Gg2, Gg3, Gm1, Gm2, Gm3, Go1, Go2, Go3)이 분리되어 있음으로써, 중간 전극을 통하여 신호가 돌아 들어가는 것이 억제되고 있다.
한편, 이상에 나타낸 예에서는, 복수 층에 걸쳐 형성되는 제 3 접지 전극 중 가장 상층측에 위치하는 제 3 접지 전극에, 제 1 접지 전극의 수보다 많은 비아홀 도체가 형성되어 있으나, 가장 상층의 제 3 접지 전극에는 제 1 접지 전극의 수와 동일한 수의 비아홀 도체를 형성하고, 그것보다 하층의 제 3 접지 전극에서 제 1 접지 전극의 수보다 많은 비아홀 도체를 형성하도록 해도 된다.
또한, 이상에 나타낸 예에서는 3개의 고주파 부품인 SAW 필터(SAW1, SAW2, SAW3)의 각각에 따라 서로 분리한 중간 전극이 형성되어 있다. 그러나, 본 발명은 고주파 부품 모두에 각각 개별의 중간 전극이 되는 제 3 접지 전극을 구비한 것에 한정되지 않는다. 필요에 따라서 적어도 2개의 고주파 부품 사이에서 그들에 대응하는 중간 전극이 분리되어 있는 것만으로도 상관없다. 상기한 예에서 말하자면, SAW 필터(SAW1과 SAW2)에 대응하는 중간 전극(제 3 접지 전극)이 공통이고, SAW 필터(SAW3)에 대응하는 중간 전극(제 3 접지 전극)만이 분리되어 있어도 상관없다.
다음으로, 도 2∼도 4에 나타낸 고주파 모듈의 등가 회로도를 도 5∼도 8에 나타낸다. 이들 도 5∼도 8에 있어서의 도면 중의 부호는 도 2∼도 4의 도면 중에 나타낸 각 부호에 각각 대응하고 있다. 도 5는 DCS/PCS의 필터 부분 및 고주파 스위치 부분의 등가 회로도, 도 6은 GSM의 필터 부분 및 고주파 스위치 부분의 등가 회로도, 도 7은 다이플렉서 부분의 등가 회로도이다. 또한, 도 8은 그들 전체의 블록도이다. 한편, 이들 도면에 있어서 파선의 원으로 둘러싼 소자는 다층 기판(1)의 표면에 실장되는 부품이다.
도 5에 나타내는 바와 같이, LPF2로 나타내는 회로는 DCS/PCS의 송신 신호의 고조파 성분을 감쇠시키는 로우패스 필터, SW2는 송신 신호와 수신 신호의 전환을 행하는 스위치 회로이다. 스위치 제어 신호(Vc2)가 하이 레벨일 때, 다이오드(D3, D4)가 모두 온(ON)되어, 송신 신호가 DCS/PCS Ant에 출력된다. 스위치 제어 신호(Vc2)가 로우 레벨일 때, 다이오드(D3, D4)가 모두 오프(OFF)되어, 수신 신호가 위상 회로(PS1, PS2)측으로 주어진다.
SAW 필터(SAW1)는 DCS의 수신 신호를 통과시키고, SAW 필터(SAW2)는 PCS의 수신 신호를 통과시킨다. 또한, 위상 회로(PS1)는 SAW 필터(SAW2)의 통과 대역에서 위상을 스미스차트상에서 오픈측으로 전환시킨다. 위상 회로(PS2)는 SAW 필터(SAW1)의 통과 대역에서 위상을 스미스차트상에서 오픈측으로 전환시킨다. 따라서, DCS와 PCS 상호에서 수신 신호가 돌아 들어가는 일이 없다.
도 6에 있어서, LPF1은 GSM의 송신 신호의 고조파 성분을 감쇠시키는 로우패스 필터이다. 스위치 회로(SW1)는 스위치 제어 신호(Vc1)가 하이 레벨일 때, 다이오드(D1, D2)가 모두 온되어, 송신 신호가 GSM Ant에 출력된다. Vc1이 로우 레벨일 때, D1, D2가 모두 오프되어, 수신 신호가 SAW 필터(SAW3)를 통하여 GSM Rx로부터 출력된다.
도 7에 있어서, LPF3는 GSM 신호를 통과시키는 로우패스 필터, HPF는 DCS/PCS 신호를 통과시키는 하이패스 필터이다.
이와 같이 하여 도 8에 나타낸 트리플 밴드의 프런트 엔드를 구성한다.
도 9는 3개의 SAW 필터(SAW1, SAW2, SAW3) 중, 대표하는 1개의 SAW 필터의 대역 통과 주파수 전후에서의 개략의 통과 특성을 나타내고 있다. 도 9에 있어서, 실선은 본 실시형태에 따른 통과 특성, 파선은 상기 중간 접지 전극을 형성하지 않았던 경우의 통과 특성이다.
이상에 나타낸 바와 같이, 다층 기판의 상면에 실장하는 고주파 부품의 접지 접속을 행하기 위하여, 제 1 접지 전극과 제 2 접지 전극 사이에 중간 접지 전극이 되는 제 3 접지 전극을 형성함으로써, 감쇠 영역의 감쇠량을 크게 확보할 수 있다.
도 10은 통신 장치의 구성예를 나타내는 블록도이다. 여기에서 "프런트 엔드"부에, 도 2∼도 8에 나타낸 트리플 밴드의 프런트 엔드를 사용한다. "송수신 회로"는 상기 트리플 밴드의 송신 회로 및 수신 회로를 구성하고 있다. "베이스 밴드 제어 회로"는 송수신 회로의 제어 및 키 입력부(KEY)의 입력 조작의 판독, 표시부(LCD)의 구동, 마이크로부터의 음성 입력, 스피커의 구동 등을 행한다.
이와 같이 하여, 감쇠 영역의 감쇠량을 크게 확보하는 프런트 엔드부를 구비함으로써, 안정되고 우수한 통신 성능을 갖는 통신 장치를 얻을 수 있다.
본 발명의 고주파 모듈에 따르면, 제 1 접지 전극과 제 2 접지 전극 사이에 존재하는 제 3 접지 전극을 경유하여 제 1 접지 전극과 제 2 접지 전극이 접속되기 때문에, 제 2 접지 전극과 제 3 접지 전극을 접속하는 복수의 비아홀 도체 중 몇 갠가의 비아홀 도체의 도통 불량이 발생하더라도, 다른 비아홀 도체에 의해 도통이 유지되기 때문에, 안정된 전기적 특성을 얻을 수 있다.
또한, 제 2 접지 전극과 제 3 접지 전극 사이를 저인덕턴스로 도통시킬 수 있으며, 다층 기판의 상면에 실장하는 고주파 부품의 전기적 특성을 충분히 발휘시킬 수 있다.
본 발명의 통신 장치에 따르면, 상기 고주파 모듈에 의한 프런트 엔드부를 구비하기 때문에, 안정되고 우수한 통신 성능을 갖게 할 수 있다.

Claims (6)

  1. 복수의 유전체층과 복수의 내부 전극층을 적층하여 이루어지고, 상기 유전체층들 중 최상측에 위치한 유전체층의 표면인 제 1 주면에 적어도 1개의 제 1 접지 전극을 가지며, 상기 유전체층들 중 최하측에 위치한 유전체층의 표면인 제 2 주면 또는 내부에 제 2 접지 전극을 갖는 다층 기판과,
    상기 다층 기판의 제 1 주면에 실장되며, 상기 다층 기판의 제 1 접지 전극에 접속되는 적어도 1개의 접지 단자를 갖는 고주파 부품으로 이루어지는 고주파 모듈로서,
    상기 다층 기판의 내부에, 상기 제 1 접지 전극과 비아홀 도체를 통하여 접속되며, 또한, 상기 제 2 접지 전극과 복수의 비아홀 도체를 통하여 접속되는 제 3접지 전극이 상기 제 1 접지 전극과 상기 제 2 접지 전극 사이에 형성되어 있으며, 상기 고주파 부품이 복수의 접지 단자를 갖고 있고, 상기 다층 기판은 상기 복수의 접지 단자에 각각 대응한 복수의 제 1 접지 전극을 갖고 있으며, 이들 제 1 접지 전극은 이들 제 1 접지 전극에 각각 대응한 복수의 비아홀 도체를 통하여, 공통의 제 3 접지 전극에 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 고주파 모듈.
  2. 제1 항에 있어서, 상기 다층 기판의 제 1 주면에 복수의 고주파 부품이 실장되어 있으며, 복수의 상기 고주파 부품에 각각 대응하는 복수의 상기 제 3 접지 전극이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 고주파 모듈.
  3. 제2 항에 있어서, 상기 복수의 고주파 부품은 각각 복수의 접지 단자를 갖고 있고, 상기 다층 기판은 상기 복수의 접지 단자에 각각 대응한 복수의 제 1 접지 전극을 갖고 있으며, 이들 제 1 접지 전극은 이들 제 1 접지 전극에 각각 대응한 복수의 비아홀 도체를 통하여, 공통의 제 3 접지 전극에 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 고주파 모듈.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 제 3 접지 전극과 상기 제 2 접지 전극을 접속하는 비아홀 도체의 수는 상기 제 1 접지 전극과 상기 제 3 접지 전극을 접속하는 비아홀 도체의 수보다 많이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 고주파 모듈.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 접지 전극과 상기 제 3 접지 전극을 접속하는 비아홀 도체의 인덕턴스 성분보다, 상기 제 3 접지 전극과 상기 제 2 접지 전극을 접속하는 비아홀 도체의 인덕턴스 성분이 작아지도록 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 고주파 모듈.
  6. 제 1 항에 따른 고주파 모듈을 포함하는 통신 장치에 있어서, 고주파 부품을 칩타입 필터로 하고, 다층 기판 내에 LC 필터를 구성함과 아울러, 상기 고주파 모듈을 프런트 엔드부에 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 통신 장치.
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