JPH07202502A - 高周波スイッチ - Google Patents
高周波スイッチInfo
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- JPH07202502A JPH07202502A JP35018093A JP35018093A JPH07202502A JP H07202502 A JPH07202502 A JP H07202502A JP 35018093 A JP35018093 A JP 35018093A JP 35018093 A JP35018093 A JP 35018093A JP H07202502 A JPH07202502 A JP H07202502A
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- diode
- antenna
- frequency switch
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- Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 小型の高周波スイッチを得る。
【構成】 積層体１２の誘電体層１４，１８のアース電
極１６とコンデンサ電極２０とでコンデンサを形成す
る。誘電体層２２のライン電極２４，２６とアース電極
１６とで、マイクロストリップラインを形成する。誘電
体層２８に、インダクタ電極３０を形成する。誘電体層
３２のコンデンサ電極３４，３６，３８と誘電体層４０
のコンデンサ電極４２，４４，４６とで、３つのコンデ
ンサを形成する。誘電体層４８に、他の必要なチップ部
品を取り付け、ランドで接続する。これらの内部電極お
よびチップ部品をビアホールまたは外部電極で接続し、
高周波スイッチを形成する。
極１６とコンデンサ電極２０とでコンデンサを形成す
る。誘電体層２２のライン電極２４，２６とアース電極
１６とで、マイクロストリップラインを形成する。誘電
体層２８に、インダクタ電極３０を形成する。誘電体層
３２のコンデンサ電極３４，３６，３８と誘電体層４０
のコンデンサ電極４２，４４，４６とで、３つのコンデ
ンサを形成する。誘電体層４８に、他の必要なチップ部
品を取り付け、ランドで接続する。これらの内部電極お
よびチップ部品をビアホールまたは外部電極で接続し、
高周波スイッチを形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は高周波スイッチに関
し、特にたとえば、デジタル携帯電話などの高周波回路
において信号の経路の切り換えを行うための高周波スイ
ッチに関する。
し、特にたとえば、デジタル携帯電話などの高周波回路
において信号の経路の切り換えを行うための高周波スイ
ッチに関する。
【０００２】
【従来の技術】高周波スイッチは、図７に示すように、
デジタル携帯電話などにおいて、送信回路ＴＸとアンテ
ナＡＮＴとの接続および受信回路ＲＸとアンテナＡＮＴ
との接続を切り換えるために用いられる。
デジタル携帯電話などにおいて、送信回路ＴＸとアンテ
ナＡＮＴとの接続および受信回路ＲＸとアンテナＡＮＴ
との接続を切り換えるために用いられる。
【０００３】図８はこの発明の背景となり、かつこの発
明が適用される高周波スイッチの一例を示す回路図であ
る。この高周波スイッチは、アンテナＡＮＴ，送信回路
ＴＸおよび受信回路ＲＸに接続される。送信回路ＴＸに
は、第１のコンデンサＣ１を介して第１のダイオードＤ
１のアノードが接続される。第１のダイオードＤ１のカ
ソードは、第２のコンデンサＣ２を介して、アンテナＡ
ＮＴに接続される。第１のダイオードＤ１のアノード
は、第１の伝送線路ＳＬ１および第３のコンデンサＣ３
の直列回路を介して接地される。さらに、第１の伝送線
路ＳＬ１と第３のコンデンサＣ３との中間点には、第１
の抵抗Ｒ１を介して、第１のコントロール端子Ｔ１が接
続される。第１のコントロール端子Ｔ１には、高周波ス
イッチの切り換えを行うためのコントロール回路が接続
される。アンテナＡＮＴに接続された第２のコンデンサ
Ｃ２には、第２の伝送線路ＳＬ２と第４のコンデンサＣ
４との直列回路を介して、受信回路ＲＸが接続される。
また、第２の伝送線路ＳＬ２と第４のコンデンサＣ４と
の中間点には、第２のダイオードＤ２のアノードが接続
される。そして、第２のダイオードＤ２のカソードは接
地される。
明が適用される高周波スイッチの一例を示す回路図であ
る。この高周波スイッチは、アンテナＡＮＴ，送信回路
ＴＸおよび受信回路ＲＸに接続される。送信回路ＴＸに
は、第１のコンデンサＣ１を介して第１のダイオードＤ
１のアノードが接続される。第１のダイオードＤ１のカ
ソードは、第２のコンデンサＣ２を介して、アンテナＡ
ＮＴに接続される。第１のダイオードＤ１のアノード
は、第１の伝送線路ＳＬ１および第３のコンデンサＣ３
の直列回路を介して接地される。さらに、第１の伝送線
路ＳＬ１と第３のコンデンサＣ３との中間点には、第１
の抵抗Ｒ１を介して、第１のコントロール端子Ｔ１が接
続される。第１のコントロール端子Ｔ１には、高周波ス
イッチの切り換えを行うためのコントロール回路が接続
される。アンテナＡＮＴに接続された第２のコンデンサ
Ｃ２には、第２の伝送線路ＳＬ２と第４のコンデンサＣ
４との直列回路を介して、受信回路ＲＸが接続される。
また、第２の伝送線路ＳＬ２と第４のコンデンサＣ４と
の中間点には、第２のダイオードＤ２のアノードが接続
される。そして、第２のダイオードＤ２のカソードは接
地される。
【０００４】図８に示す高周波スイッチを用いて送信す
る場合、第１のコントロール端子Ｔ１に正の電圧が与え
られる。この電圧によって、第１のダイオードＤ１およ
び第２のダイオードＤ２がＯＮになる。このとき、第１
〜第４のコンデンサＣ１〜Ｃ４によって直流分がカット
され、第１のコントロール端子Ｔ１に加えられた電圧が
第１のダイオードＤ１および第２のダイオードＤ２を含
む回路にのみ印加されるようにしている。第１のダイオ
ードＤ１および第２のダイオードＤ２がＯＮになること
によって、送信回路ＴＸからの信号がアンテナＡＮＴに
送られ、信号がアンテナＡＮＴから送信される。なお、
送信回路ＴＸの送信信号は、第２の伝送線路ＳＬ２が第
２のダイオードＤ２により接地されることにより共振し
て接続点Ａから受信回路ＲＸ側をみたインピーダンスが
非常に大きくなるため、受信回路ＲＸには伝達されな
い。
る場合、第１のコントロール端子Ｔ１に正の電圧が与え
られる。この電圧によって、第１のダイオードＤ１およ
び第２のダイオードＤ２がＯＮになる。このとき、第１
〜第４のコンデンサＣ１〜Ｃ４によって直流分がカット
され、第１のコントロール端子Ｔ１に加えられた電圧が
第１のダイオードＤ１および第２のダイオードＤ２を含
む回路にのみ印加されるようにしている。第１のダイオ
ードＤ１および第２のダイオードＤ２がＯＮになること
によって、送信回路ＴＸからの信号がアンテナＡＮＴに
送られ、信号がアンテナＡＮＴから送信される。なお、
送信回路ＴＸの送信信号は、第２の伝送線路ＳＬ２が第
２のダイオードＤ２により接地されることにより共振し
て接続点Ａから受信回路ＲＸ側をみたインピーダンスが
非常に大きくなるため、受信回路ＲＸには伝達されな
い。
【０００５】一方、受信時には、第１のコントロール端
子Ｔ１に電圧を印加しないことによって、第１のダイオ
ードＤ１および第２のダイオードＤ２はＯＦＦとなる。
そのため、受信信号は受信回路ＲＸに伝達され、送信回
路ＴＸ側には伝達されない。このように、第１のコント
ロール端子Ｔ１に印加される電圧をコントロールするこ
とによって、送受信を切り換えることができる。
子Ｔ１に電圧を印加しないことによって、第１のダイオ
ードＤ１および第２のダイオードＤ２はＯＦＦとなる。
そのため、受信信号は受信回路ＲＸに伝達され、送信回
路ＴＸ側には伝達されない。このように、第１のコント
ロール端子Ｔ１に印加される電圧をコントロールするこ
とによって、送受信を切り換えることができる。
【０００６】図９は図８に示す回路を有する従来の高周
波スイッチの一例を示す平面図である。この高周波スイ
ッチ１は基板２を含み、基板２の一方主面には、第１お
よび第２の伝送線路としてのストリップライン電極３ａ
および３ｂや多数のランドが形成され、それらのストリ
ップライン電極やランドに、第１および第２のダイオー
ド４ａおよび４ｂと、第１，第２，第３および第４のチ
ップコンデンサ５ａ，５ｂ，５ｃおよび５ｄと、第１の
チップ抵抗６とが接続されている。
波スイッチの一例を示す平面図である。この高周波スイ
ッチ１は基板２を含み、基板２の一方主面には、第１お
よび第２の伝送線路としてのストリップライン電極３ａ
および３ｂや多数のランドが形成され、それらのストリ
ップライン電極やランドに、第１および第２のダイオー
ド４ａおよび４ｂと、第１，第２，第３および第４のチ
ップコンデンサ５ａ，５ｂ，５ｃおよび５ｄと、第１の
チップ抵抗６とが接続されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところが、図９に示す
従来の高周波スイッチ１では、第１および第２のストリ
ップライン電極３ａおよび３ｂの長さとして、一般的に
送信信号や受信信号の波長の１／４の長さが必要であ
り、基板２の誘電率にもよるが、数１０ｍｍ程度必要で
あり、第１および第２のストリップライン電極３ａおよ
び３ｂに関与する部分が、基板２上の大きな面積を占有
している。そのため、この高周波スイッチ１では、小型
化に問題がある。
従来の高周波スイッチ１では、第１および第２のストリ
ップライン電極３ａおよび３ｂの長さとして、一般的に
送信信号や受信信号の波長の１／４の長さが必要であ
り、基板２の誘電率にもよるが、数１０ｍｍ程度必要で
あり、第１および第２のストリップライン電極３ａおよ
び３ｂに関与する部分が、基板２上の大きな面積を占有
している。そのため、この高周波スイッチ１では、小型
化に問題がある。
【０００８】それゆえに、この発明の主たる目的は、小
型の高周波スイッチを提供することである。
型の高周波スイッチを提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この発明は、送信回路，
受信回路およびアンテナに接続され、送信回路とアンテ
ナとの接続および受信回路とアンテナとの接続を切り換
えるための高周波スイッチであって、送信回路側にアノ
ードが接続されアンテナ側にカソードが接続される第１
のダイオードと、アンテナ側と受信回路側との間に接続
される伝送線路と、受信回路側にアノードが接続されア
ース側にカソードが接続される第２のダイオードとを含
み、伝送線路は多層基板内にマイクロストリップライン
として形成され、第１のダイオードおよび第２のダイオ
ードは多層基板上に実装された、高周波スイッチであ
る。
受信回路およびアンテナに接続され、送信回路とアンテ
ナとの接続および受信回路とアンテナとの接続を切り換
えるための高周波スイッチであって、送信回路側にアノ
ードが接続されアンテナ側にカソードが接続される第１
のダイオードと、アンテナ側と受信回路側との間に接続
される伝送線路と、受信回路側にアノードが接続されア
ース側にカソードが接続される第２のダイオードとを含
み、伝送線路は多層基板内にマイクロストリップライン
として形成され、第１のダイオードおよび第２のダイオ
ードは多層基板上に実装された、高周波スイッチであ
る。
【００１０】また、この発明は、送信回路，受信回路お
よびアンテナに接続され、送信回路とアンテナとの接続
および受信回路とアンテナとの接続を切り換えるための
高周波スイッチであって、送信回路側にアノードが接続
されアンテナ側にカソードが接続される第１のダイオー
ドと、アンテナ側と受信回路側との間に接続される伝送
線路と、受信回路側にアノードが接続されアース側にカ
ソードが接続される第２のダイオードと、第１のダイオ
ードに並列に接続されるインダクタンス素子とを含み、
インダクタンス素子および伝送線路は多層基板内にマイ
クロストリップラインとして形成され、第１のダイオー
ドおよび第２のダイオードは多層基板上に実装された、
高周波スイッチである。
よびアンテナに接続され、送信回路とアンテナとの接続
および受信回路とアンテナとの接続を切り換えるための
高周波スイッチであって、送信回路側にアノードが接続
されアンテナ側にカソードが接続される第１のダイオー
ドと、アンテナ側と受信回路側との間に接続される伝送
線路と、受信回路側にアノードが接続されアース側にカ
ソードが接続される第２のダイオードと、第１のダイオ
ードに並列に接続されるインダクタンス素子とを含み、
インダクタンス素子および伝送線路は多層基板内にマイ
クロストリップラインとして形成され、第１のダイオー
ドおよび第２のダイオードは多層基板上に実装された、
高周波スイッチである。
【００１１】さらに、この発明は、送信回路，受信回路
およびアンテナに接続され、送信回路とアンテナとの接
続および受信回路とアンテナとの接続を切り換えるため
の高周波スイッチであって、第１のコンデンサを介して
送信回路側にアノードが接続され第２のコンデンサを介
してアンテナ側にカソードが接続される第１のダイオー
ドと、一端が第２のコンデンサを介してアンテナ側に接
続され他端が別のコンデンサを介して受信回路側に接続
される伝送線路と、別のコンデンサを介して受信回路側
にアノードが接続されアース側にカソードが接続される
第２のダイオードとを含み、第１のコンデンサ，第２の
コンデンサおよび別のコンデンサの中の少なくとも１つ
および伝送線路は多層基板に内蔵され、第１のダイオー
ドおよび第２のダイオードは多層基板上に実装された、
高周波スイッチである。
およびアンテナに接続され、送信回路とアンテナとの接
続および受信回路とアンテナとの接続を切り換えるため
の高周波スイッチであって、第１のコンデンサを介して
送信回路側にアノードが接続され第２のコンデンサを介
してアンテナ側にカソードが接続される第１のダイオー
ドと、一端が第２のコンデンサを介してアンテナ側に接
続され他端が別のコンデンサを介して受信回路側に接続
される伝送線路と、別のコンデンサを介して受信回路側
にアノードが接続されアース側にカソードが接続される
第２のダイオードとを含み、第１のコンデンサ，第２の
コンデンサおよび別のコンデンサの中の少なくとも１つ
および伝送線路は多層基板に内蔵され、第１のダイオー
ドおよび第２のダイオードは多層基板上に実装された、
高周波スイッチである。
【００１２】また、この発明は、送信回路，受信回路お
よびアンテナに接続され、送信回路とアンテナとの接続
および受信回路とアンテナとの接続を切り換えるための
高周波スイッチであって、第１のコンデンサを介して送
信回路側にアノードが接続され、第２のコンデンサを介
してアンテナ側にカソードが接続される第１のダイオー
ドと、一端が第２のコンデンサを介してアンテナ側に接
続され他端が別のコンデンサを介して前記受信回路側に
接続される伝送線路と、別のコンデンサを介して受信回
路側にアノードが接続されアース側にカソードが接続さ
れる第２のダイオードと、第１のダイオードに並列に接
続されるインダクタンス素子とを含み、第１のコンデン
サ，第２のコンデンサ，別のコンデンサおよびインダク
タンス素子の中の少なくとも１つおよび伝送線路は多層
基板に内蔵され、第１のダイオードおよび第２のダイオ
ードは多層基板上に実装された、高周波スイッチであ
る。
よびアンテナに接続され、送信回路とアンテナとの接続
および受信回路とアンテナとの接続を切り換えるための
高周波スイッチであって、第１のコンデンサを介して送
信回路側にアノードが接続され、第２のコンデンサを介
してアンテナ側にカソードが接続される第１のダイオー
ドと、一端が第２のコンデンサを介してアンテナ側に接
続され他端が別のコンデンサを介して前記受信回路側に
接続される伝送線路と、別のコンデンサを介して受信回
路側にアノードが接続されアース側にカソードが接続さ
れる第２のダイオードと、第１のダイオードに並列に接
続されるインダクタンス素子とを含み、第１のコンデン
サ，第２のコンデンサ，別のコンデンサおよびインダク
タンス素子の中の少なくとも１つおよび伝送線路は多層
基板に内蔵され、第１のダイオードおよび第２のダイオ
ードは多層基板上に実装された、高周波スイッチであ
る。
【００１３】
【作用】伝送線路が多層基板に内蔵され、さらに、イン
ダクタンス素子，コンデンサなどが多層基板内に内蔵さ
れることにより、平面的にみて、高周波スイッチの面積
が減る。
ダクタンス素子，コンデンサなどが多層基板内に内蔵さ
れることにより、平面的にみて、高周波スイッチの面積
が減る。
【００１４】
【発明の効果】この発明によれば、小型の高周波スイッ
チを得ることができる。
チを得ることができる。
【００１５】この発明の上述の目的，その他の目的，特
徴および利点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳
細な説明から一層明らかとなろう。
徴および利点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳
細な説明から一層明らかとなろう。
【００１６】
【実施例】図１はこの発明の一実施例を示す斜視図であ
り、図２はその分解斜視図であり、図３はその実施例の
回路図である。
り、図２はその分解斜視図であり、図３はその実施例の
回路図である。
【００１７】この実施例の高周波スイッチは、構造的に
特徴を有するが回路自体も特徴を有するので、まず、図
３などを参照して、この実施例の高周波スイッチの回路
について説明する。この実施例の高周波スイッチは、図
８に示す高周波スイッチと比べて、特に、第１のダイオ
ードＤ１に、インダクタンス素子Ｌ１および第５のコン
デンサＣ５の直列回路と、第２の抵抗Ｒ２と第６のコン
デンサＣ６とが、それぞれ並列に接続される。さらに、
第２のダイオードＤ２のカソードは、第７のコンデンサ
Ｃ７を介して接地される。また、第２のダイオードＤ２
には、第３の抵抗Ｒ３が並列に接続され、第２のダイオ
ードＤ２のカソードには、第４の抵抗Ｒ４を介して、第
２のコントロール端子Ｔ２が接続される。この第２のコ
ントロール端子Ｔ２には、この高周波スイッチの切り換
えを行うための別のコントロール回路が接続される。
特徴を有するが回路自体も特徴を有するので、まず、図
３などを参照して、この実施例の高周波スイッチの回路
について説明する。この実施例の高周波スイッチは、図
８に示す高周波スイッチと比べて、特に、第１のダイオ
ードＤ１に、インダクタンス素子Ｌ１および第５のコン
デンサＣ５の直列回路と、第２の抵抗Ｒ２と第６のコン
デンサＣ６とが、それぞれ並列に接続される。さらに、
第２のダイオードＤ２のカソードは、第７のコンデンサ
Ｃ７を介して接地される。また、第２のダイオードＤ２
には、第３の抵抗Ｒ３が並列に接続され、第２のダイオ
ードＤ２のカソードには、第４の抵抗Ｒ４を介して、第
２のコントロール端子Ｔ２が接続される。この第２のコ
ントロール端子Ｔ２には、この高周波スイッチの切り換
えを行うための別のコントロール回路が接続される。
【００１８】図３に示す高周波スイッチを用いて送信を
行う場合、第１のコントロール端子Ｔ１に正の電圧が印
加され、第１および第２のダイオードＤ１およびＤ２
は、それぞれＯＮ状態になる。したがって、送信回路Ｔ
Ｘからの送信信号は、アンテナＡＮＴから送信されると
ともに、第２の伝送線路ＳＬ２が第２のダイオードＤ２
により接地されて共振して接続点Ａから受信回路ＲＸ側
をみたインピーダンスが無限大となるため、受信回路Ｒ
Ｘ側には伝達されない。
行う場合、第１のコントロール端子Ｔ１に正の電圧が印
加され、第１および第２のダイオードＤ１およびＤ２
は、それぞれＯＮ状態になる。したがって、送信回路Ｔ
Ｘからの送信信号は、アンテナＡＮＴから送信されると
ともに、第２の伝送線路ＳＬ２が第２のダイオードＤ２
により接地されて共振して接続点Ａから受信回路ＲＸ側
をみたインピーダンスが無限大となるため、受信回路Ｒ
Ｘ側には伝達されない。
【００１９】なお、図３に示す高周波スイッチでは、送
信時において、第１のダイオードＤ１および第２のダイ
オードＤ２がＯＮとなるが、これらのダイオードにはイ
ンダクタンス分が存在する。このようなインダクタンス
分が存在すると、アンテナＡＮＴと第２の伝送線路ＳＬ
２との接続点Ａから受信回路ＲＸ側をみたときのインピ
ーダンスが無限大とならない。このようなインダクタン
ス分による影響を除去するために、第２のダイオードＤ
２のインダクタンス分と第７のコンデンサＣ７とで、直
列共振回路が形成される。したがって、第７のコンデン
サＣ７の容量Ｃは、第２のダイオードＤ２のインダクタ
ンス分をＬD ，使用周波数をｆとすると、次式で表され
る。 Ｃ＝１／｛（２πｆ）2 ・ＬD ｝
信時において、第１のダイオードＤ１および第２のダイ
オードＤ２がＯＮとなるが、これらのダイオードにはイ
ンダクタンス分が存在する。このようなインダクタンス
分が存在すると、アンテナＡＮＴと第２の伝送線路ＳＬ
２との接続点Ａから受信回路ＲＸ側をみたときのインピ
ーダンスが無限大とならない。このようなインダクタン
ス分による影響を除去するために、第２のダイオードＤ
２のインダクタンス分と第７のコンデンサＣ７とで、直
列共振回路が形成される。したがって、第７のコンデン
サＣ７の容量Ｃは、第２のダイオードＤ２のインダクタ
ンス分をＬD ，使用周波数をｆとすると、次式で表され
る。 Ｃ＝１／｛（２πｆ）2 ・ＬD ｝
【００２０】第７のコンデンサＣ７の容量Ｃを上式の条
件に設定することによって、第２のダイオードＤ２がＯ
Ｎ時に、直列共振回路が形成され、アンテナＡＮＴと第
２の伝送線路ＳＬ２との接続点Ａから受信回路ＲＸ側を
みたときのインピーダンスを無限大にできる。したがっ
て、送信回路ＴＸからの信号は受信回路ＲＸに伝達され
ず、送信回路ＴＸとアンテナＡＮＴとの間の挿入損失を
小さくすることができる。さらに、アンテナＡＮＴと受
信回路ＲＸとの間において、良好なアイソレーションを
得ることができる。なお、第１のコントロール端子Ｔ１
に電圧を加えると、電流は第１，第２，第３，第４およ
び第７のコンデンサＣ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４およびＣ７
でカットされて、第１のダイオードＤ１および第２のダ
イオードＤ２を含む回路にのみ流れることになって、他
の部分に影響を及ぼさない。
件に設定することによって、第２のダイオードＤ２がＯ
Ｎ時に、直列共振回路が形成され、アンテナＡＮＴと第
２の伝送線路ＳＬ２との接続点Ａから受信回路ＲＸ側を
みたときのインピーダンスを無限大にできる。したがっ
て、送信回路ＴＸからの信号は受信回路ＲＸに伝達され
ず、送信回路ＴＸとアンテナＡＮＴとの間の挿入損失を
小さくすることができる。さらに、アンテナＡＮＴと受
信回路ＲＸとの間において、良好なアイソレーションを
得ることができる。なお、第１のコントロール端子Ｔ１
に電圧を加えると、電流は第１，第２，第３，第４およ
び第７のコンデンサＣ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４およびＣ７
でカットされて、第１のダイオードＤ１および第２のダ
イオードＤ２を含む回路にのみ流れることになって、他
の部分に影響を及ぼさない。
【００２１】また、図３に示す高周波スイッチを用いて
受信を行う場合、第２のコントロール端子Ｔ２に正の電
圧が印加される。この場合、第２の抵抗Ｒ２で降下した
電圧は、第１のダイオードＤ１に逆方向のバイアス電圧
として印加され、第３の抵抗Ｒ３で降下した電圧は、第
２のダイオードＤ２に逆方向のバイアス電圧として印加
される。そのため、第１のダイオードＤ１および第２の
ダイオードＤ２は確実にＯＦＦ状態を維持する。したが
って、受信した信号は、受信回路ＲＸに伝達される。こ
のとき、ダイオードにはキャパシタンス分が存在するた
め、受信信号が送信回路ＴＸ側に漏れる場合がある。と
ころが、この高周波スイッチでは、第１のダイオードＤ
１に並列に、インダクタンス素子Ｌ１が接続されてい
る。このインダクタンス素子Ｌ１と第１のダイオードＤ
１のキャパシタンス分とで、並列共振回路が形成され
る。したがって、インダクタンス素子Ｌ１のインダクタ
ンスＬは、第１のダイオードＤ１のキャパシタンスをＣ
D ，使用周波数をｆとすると、次式で表される。 Ｌ＝１／｛（２πｆ）2 ・ＣD ｝
受信を行う場合、第２のコントロール端子Ｔ２に正の電
圧が印加される。この場合、第２の抵抗Ｒ２で降下した
電圧は、第１のダイオードＤ１に逆方向のバイアス電圧
として印加され、第３の抵抗Ｒ３で降下した電圧は、第
２のダイオードＤ２に逆方向のバイアス電圧として印加
される。そのため、第１のダイオードＤ１および第２の
ダイオードＤ２は確実にＯＦＦ状態を維持する。したが
って、受信した信号は、受信回路ＲＸに伝達される。こ
のとき、ダイオードにはキャパシタンス分が存在するた
め、受信信号が送信回路ＴＸ側に漏れる場合がある。と
ころが、この高周波スイッチでは、第１のダイオードＤ
１に並列に、インダクタンス素子Ｌ１が接続されてい
る。このインダクタンス素子Ｌ１と第１のダイオードＤ
１のキャパシタンス分とで、並列共振回路が形成され
る。したがって、インダクタンス素子Ｌ１のインダクタ
ンスＬは、第１のダイオードＤ１のキャパシタンスをＣ
D ，使用周波数をｆとすると、次式で表される。 Ｌ＝１／｛（２πｆ）2 ・ＣD ｝
【００２２】インダクタンス素子Ｌ１のインダクタンス
Ｌを上式の条件に設定することによって、送信回路ＴＸ
とアンテナＡＮＴとの間のアイソレーションを良好にす
ることができる。したがって、受信信号は送信回路ＴＸ
側に漏れず、アンテナＡＮＴと受信回路ＲＸとの間の挿
入損失を小さくすることができる。なお、インダクタン
ス素子Ｌ１のかわりに、高インピーダンスの伝送線路を
使用しても、同様の効果を得ることができる。
Ｌを上式の条件に設定することによって、送信回路ＴＸ
とアンテナＡＮＴとの間のアイソレーションを良好にす
ることができる。したがって、受信信号は送信回路ＴＸ
側に漏れず、アンテナＡＮＴと受信回路ＲＸとの間の挿
入損失を小さくすることができる。なお、インダクタン
ス素子Ｌ１のかわりに、高インピーダンスの伝送線路を
使用しても、同様の効果を得ることができる。
【００２３】また、図３に示す高周波スイッチでは、第
１および第２のコントロール端子Ｔ１およびＴ２に電圧
を加えたときに、インダクタンス素子Ｌ１を介して電流
が流れることを防ぐために、インダクタンス素子Ｌ１に
直列に第５のコンデンサＣ５が接続されている。さら
に、図３に示す高周波スイッチでは、第１のダイオード
Ｄ１に並列に、第６のコンデンサＣ６が接続されてい
る。それによって、第１のダイオードＤ１と第６のコン
デンサＣ６との合成キャパシタンスが大きくなり、第１
のダイオードＤ１のキャパシタンスのばらつきによる影
響が少なくなる。したがって、安定した特性を有する高
周波スイッチを得ることができる。この第５のコンデン
サＣ５や第６のコンデンサＣ６を接続する場合、そのキ
ャパシタンスに応じて必要により上式が補正されること
はいうまでもない。
１および第２のコントロール端子Ｔ１およびＴ２に電圧
を加えたときに、インダクタンス素子Ｌ１を介して電流
が流れることを防ぐために、インダクタンス素子Ｌ１に
直列に第５のコンデンサＣ５が接続されている。さら
に、図３に示す高周波スイッチでは、第１のダイオード
Ｄ１に並列に、第６のコンデンサＣ６が接続されてい
る。それによって、第１のダイオードＤ１と第６のコン
デンサＣ６との合成キャパシタンスが大きくなり、第１
のダイオードＤ１のキャパシタンスのばらつきによる影
響が少なくなる。したがって、安定した特性を有する高
周波スイッチを得ることができる。この第５のコンデン
サＣ５や第６のコンデンサＣ６を接続する場合、そのキ
ャパシタンスに応じて必要により上式が補正されること
はいうまでもない。
【００２４】このように、図３に示す高周波スイッチで
は、送信時および受信時のいずれにも良好な特性を有す
る。
は、送信時および受信時のいずれにも良好な特性を有す
る。
【００２５】次に、図１および図２などを参照して、こ
の実施例の高周波スイッチの構造について説明する。こ
の高周波スイッチ１０は、特に図１に示すように、多層
基板ないし積層体１２を含む。積層体１２は、多数の誘
電体層などを積層することによって形成される。
の実施例の高周波スイッチの構造について説明する。こ
の高周波スイッチ１０は、特に図１に示すように、多層
基板ないし積層体１２を含む。積層体１２は、多数の誘
電体層などを積層することによって形成される。
【００２６】第１の誘電体層１４上には、ほぼ全面にア
ース電極１６が形成される。また、第２の誘電体層１８
上には、第３のコンデンサＣ３を形成するためのコンデ
ンサ電極２０が形成される。このコンデンサ電極２０と
アース電極１６とで、コンデンサＣ３が形成される。さ
らに、第３の誘電体層２２上には、第１の伝送線路ＳＬ
１を形成するためのライン電極２４と、第２の伝送線路
ＳＬ２を形成するためのライン電極２６とが形成され
る。これらのライン電極２４，２６とアース電極１６と
によって、マイクロストリップラインが形成される。
ース電極１６が形成される。また、第２の誘電体層１８
上には、第３のコンデンサＣ３を形成するためのコンデ
ンサ電極２０が形成される。このコンデンサ電極２０と
アース電極１６とで、コンデンサＣ３が形成される。さ
らに、第３の誘電体層２２上には、第１の伝送線路ＳＬ
１を形成するためのライン電極２４と、第２の伝送線路
ＳＬ２を形成するためのライン電極２６とが形成され
る。これらのライン電極２４，２６とアース電極１６と
によって、マイクロストリップラインが形成される。
【００２７】第４の誘電体層２８上には、インダクタン
ス素子Ｌ１を形成するためのインダクタ電極３０が形成
される。また、第５の誘電体層３２上には、第１のコン
デンサＣ１，第２のコンデンサＣ２および第４のコンデ
ンサＣ４を形成するための一方のコンデンサ電極３４，
３６，３８が形成される。さらに、第６の誘電体層４０
上には、一方のコンデンサ電極３４，３６，３８に対向
して、他方のコンデンサ電極４２，４４，４６が形成さ
れる。これらのコンデンサ電極３４，４２によって第１
のコンデンサＣ１が形成され、コンデンサ電極３６，４
４によって第２のコンデンサＣ２が形成され、コンデン
サ電極３８，４６によって第４のコンデンサＣ４が形成
される。
ス素子Ｌ１を形成するためのインダクタ電極３０が形成
される。また、第５の誘電体層３２上には、第１のコン
デンサＣ１，第２のコンデンサＣ２および第４のコンデ
ンサＣ４を形成するための一方のコンデンサ電極３４，
３６，３８が形成される。さらに、第６の誘電体層４０
上には、一方のコンデンサ電極３４，３６，３８に対向
して、他方のコンデンサ電極４２，４４，４６が形成さ
れる。これらのコンデンサ電極３４，４２によって第１
のコンデンサＣ１が形成され、コンデンサ電極３６，４
４によって第２のコンデンサＣ２が形成され、コンデン
サ電極３８，４６によって第４のコンデンサＣ４が形成
される。
【００２８】第７の誘電体層４８上には、複数のランド
が形成され、これらのランドに接続するように、第１の
抵抗Ｒ１，第２の抵抗Ｒ２，第３の抵抗Ｒ３，第４の抵
抗Ｒ４となるチップ抵抗５０，５２，５４，５６が取り
付けられる。さらに、第１および第２のダイオードＤ
１，Ｄ２となるチップ型ダイオード５８，６０が取り付
けられ、第５，第６および第７のコンデンサＣ５，Ｃ
６，Ｃ７となるチップコンデンサ６２，６４，６６が取
り付けられる。そして、各誘電体層に形成された内部電
極とランドとが、ビアホールを介して接続される。
が形成され、これらのランドに接続するように、第１の
抵抗Ｒ１，第２の抵抗Ｒ２，第３の抵抗Ｒ３，第４の抵
抗Ｒ４となるチップ抵抗５０，５２，５４，５６が取り
付けられる。さらに、第１および第２のダイオードＤ
１，Ｄ２となるチップ型ダイオード５８，６０が取り付
けられ、第５，第６および第７のコンデンサＣ５，Ｃ
６，Ｃ７となるチップコンデンサ６２，６４，６６が取
り付けられる。そして、各誘電体層に形成された内部電
極とランドとが、ビアホールを介して接続される。
【００２９】この高周波スイッチ１０では、図２の点線
で示すように、ライン電極２４の一端，インダクタ電極
３０の一端，コンデンサ電極４２，チップ抵抗５２，チ
ップコンデンサ６４およびチップ型ダイオード５８のア
ノードが接続される。また、インダクタ電極３０の他端
とチップコンデンサ６２とが接続される。さらに、コン
デンサ電極２０，ライン電極２４の他端およびチップ抵
抗５０が接続される。また、ライン電極２６の一端，コ
ンデンサ電極４４，チップ抵抗５２，チップコンデンサ
６２，チップコンデンサ６４およびチップ型ダイオード
５８のカソードが接続される。さらに、ライン電極２６
の他端，コンデンサ電極４６，チップ抵抗５４およびチ
ップ型ダイオード６０のアノードが接続される。また、
第７の誘電体層４８上のランドによって、チップ型ダイ
オード６０のカソード，チップ抵抗５４，チップ抵抗５
６およびチップコンデンサ６６が接続される。
で示すように、ライン電極２４の一端，インダクタ電極
３０の一端，コンデンサ電極４２，チップ抵抗５２，チ
ップコンデンサ６４およびチップ型ダイオード５８のア
ノードが接続される。また、インダクタ電極３０の他端
とチップコンデンサ６２とが接続される。さらに、コン
デンサ電極２０，ライン電極２４の他端およびチップ抵
抗５０が接続される。また、ライン電極２６の一端，コ
ンデンサ電極４４，チップ抵抗５２，チップコンデンサ
６２，チップコンデンサ６４およびチップ型ダイオード
５８のカソードが接続される。さらに、ライン電極２６
の他端，コンデンサ電極４６，チップ抵抗５４およびチ
ップ型ダイオード６０のアノードが接続される。また、
第７の誘電体層４８上のランドによって、チップ型ダイ
オード６０のカソード，チップ抵抗５４，チップ抵抗５
６およびチップコンデンサ６６が接続される。
【００３０】積層体１２の側面には、外部電極６８ａ，
６８ｂ，６８ｃ，６８ｄ，６８ｅ，６８ｆ，６８ｇ，６
８ｈ，６８ｉ，６８ｊ，６８ｋおよび６８ｌが形成され
る。外部電極６８ａはコンデンサ電極３４に接続され、
この外部電極６８ａが送信回路ＴＸに接続される。外部
電極６８ｂはチップ抵抗５０に接続され、第１のコント
ロール端子Ｔ１として用いられる。外部電極６８ｃはコ
ンデンサ電極３６に接続され、この外部電極６８ｃがア
ンテナＡＮＴに接続される。外部電極６８ｄはチップ抵
抗５６に接続され、この外部電極６８ｄが第２のコント
ロール端子Ｔ２として用いられる。外部電極６８ｅはコ
ンデンサ電極３８に接続され、この外部電極６８ｅが受
信回路ＲＸに接続される。外部電極６８ｆ，６８ｇ，６
８ｈ，６８ｉ，６８ｊはダミー電極であり、外部電極６
８ｋ，６８ｌはアース電極１６に接続される。さらに、
外部電極６８ｌは、チップコンデンサ６６にも接続され
る。このようにして、図３に示す回路が形成されてい
る。
６８ｂ，６８ｃ，６８ｄ，６８ｅ，６８ｆ，６８ｇ，６
８ｈ，６８ｉ，６８ｊ，６８ｋおよび６８ｌが形成され
る。外部電極６８ａはコンデンサ電極３４に接続され、
この外部電極６８ａが送信回路ＴＸに接続される。外部
電極６８ｂはチップ抵抗５０に接続され、第１のコント
ロール端子Ｔ１として用いられる。外部電極６８ｃはコ
ンデンサ電極３６に接続され、この外部電極６８ｃがア
ンテナＡＮＴに接続される。外部電極６８ｄはチップ抵
抗５６に接続され、この外部電極６８ｄが第２のコント
ロール端子Ｔ２として用いられる。外部電極６８ｅはコ
ンデンサ電極３８に接続され、この外部電極６８ｅが受
信回路ＲＸに接続される。外部電極６８ｆ，６８ｇ，６
８ｈ，６８ｉ，６８ｊはダミー電極であり、外部電極６
８ｋ，６８ｌはアース電極１６に接続される。さらに、
外部電極６８ｌは、チップコンデンサ６６にも接続され
る。このようにして、図３に示す回路が形成されてい
る。
【００３１】この高周波スイッチ１０では、第１の伝送
線路ＳＬ１と第２の伝送線路ＳＬ２およびインダクタン
ス素子Ｌ１が積層体１２に内蔵され、チップ型ダイオー
ドやチップ抵抗などが積層体１２上に実装されているの
で、基板の表面に伝送線路を形成しかつダイオードや抵
抗なども基板上に実装した従来の高周波スイッチに比べ
て、その面積を小さくすることができる。また、伝送線
路ＳＬ１，ＳＬ２としては、誘電体層を挟んでアース電
極１６とライン電極２４，２６とが対向することによ
り、マイクロストリップライン構造となる。そのため、
ライン電極の両側にアース電極を配置してストリップラ
インを形成することに比べて、積層体の厚みを小さくす
ることができ、さらに高周波スイッチを小型化すること
ができる。
線路ＳＬ１と第２の伝送線路ＳＬ２およびインダクタン
ス素子Ｌ１が積層体１２に内蔵され、チップ型ダイオー
ドやチップ抵抗などが積層体１２上に実装されているの
で、基板の表面に伝送線路を形成しかつダイオードや抵
抗なども基板上に実装した従来の高周波スイッチに比べ
て、その面積を小さくすることができる。また、伝送線
路ＳＬ１，ＳＬ２としては、誘電体層を挟んでアース電
極１６とライン電極２４，２６とが対向することによ
り、マイクロストリップライン構造となる。そのため、
ライン電極の両側にアース電極を配置してストリップラ
インを形成することに比べて、積層体の厚みを小さくす
ることができ、さらに高周波スイッチを小型化すること
ができる。
【００３２】また、この高周波スイッチ１０では、第
１，第２，第３および第４のコンデンサＣ１，Ｃ２，Ｃ
３およびＣ４も積層体１２に内蔵されているため、これ
らをチップ部品として実装する場合に比べて、その実装
面積に相当する部分を小さくすることができる。したが
って、こに発明の高周波スイッチ１０は、従来の高周波
スイッチに比べて、さらに小型化することができる。し
たがって、この高周波スイッチを用いた携帯電話などを
小型化することができる。また、伝送線路などを積層体
内でマイクロストリップライン構造とすることにより、
特性インピーダンスの異なるラインを容易に内蔵させる
ことができる。したがって、回路設計の自由度が大きく
なり、高周波スイッチの特性を向上させることができ
る。たとえば、従来の高周波スイッチの挿入損失が０．
８ｄＢであったが、この高周波スイッチでは０．５ｄＢ
にすることができた。
１，第２，第３および第４のコンデンサＣ１，Ｃ２，Ｃ
３およびＣ４も積層体１２に内蔵されているため、これ
らをチップ部品として実装する場合に比べて、その実装
面積に相当する部分を小さくすることができる。したが
って、こに発明の高周波スイッチ１０は、従来の高周波
スイッチに比べて、さらに小型化することができる。し
たがって、この高周波スイッチを用いた携帯電話などを
小型化することができる。また、伝送線路などを積層体
内でマイクロストリップライン構造とすることにより、
特性インピーダンスの異なるラインを容易に内蔵させる
ことができる。したがって、回路設計の自由度が大きく
なり、高周波スイッチの特性を向上させることができ
る。たとえば、従来の高周波スイッチの挿入損失が０．
８ｄＢであったが、この高周波スイッチでは０．５ｄＢ
にすることができた。
【００３３】図４はこの発明の別の実施例を示す分解斜
視図である。この高周波スイッチ１０では、第２の誘電
体層１８上にライン電極２４，２６が形成されている。
また、第３の誘電体層２２上に、別のアース電極７０が
形成されている。このアース電極７０は、ライン電極２
４，２６に対向する部分に形成され、アース電極１６と
協働してストリップラインが形成される。さらに、第４
の誘電体層２８上に第３のコンデンサＣ３のためのコン
デンサ電極２０が形成され、このコンデンサ電極２０と
アース電極７０との間に第３のコンデンサＣ３が形成さ
れる。ライン電極２４，２６としてマイクロストリップ
ラインとする場合には、当然このアース電極７０は用い
ないが、別にコンデンサ用電極を設ける必要がある。そ
して、第７の誘電体層４８上に、インダクタンス素子Ｌ
１としてのチップインダクタ７２が取り付けられる。こ
のチップインダクタ７２は、ランドによって、チップ型
ダイオード５８のアノードとチップコンデンサ６２とに
接続される。
視図である。この高周波スイッチ１０では、第２の誘電
体層１８上にライン電極２４，２６が形成されている。
また、第３の誘電体層２２上に、別のアース電極７０が
形成されている。このアース電極７０は、ライン電極２
４，２６に対向する部分に形成され、アース電極１６と
協働してストリップラインが形成される。さらに、第４
の誘電体層２８上に第３のコンデンサＣ３のためのコン
デンサ電極２０が形成され、このコンデンサ電極２０と
アース電極７０との間に第３のコンデンサＣ３が形成さ
れる。ライン電極２４，２６としてマイクロストリップ
ラインとする場合には、当然このアース電極７０は用い
ないが、別にコンデンサ用電極を設ける必要がある。そ
して、第７の誘電体層４８上に、インダクタンス素子Ｌ
１としてのチップインダクタ７２が取り付けられる。こ
のチップインダクタ７２は、ランドによって、チップ型
ダイオード５８のアノードとチップコンデンサ６２とに
接続される。
【００３４】このに高周波スイッチ１０も、図１に示す
高周波スイッチと同様に、２つの伝送線路ＳＬ１，ＳＬ
２が積層体１２に内蔵され、しかもコンデンサＣ１，Ｃ
２，Ｃ３，Ｃ４も内蔵されているため、従来の高周波ス
イッチに比べて小型化することができる。さらに、この
高周波スイッチ１０は、図１に示す高周波スイッチに比
べて、伝送線路ＳＬ１，ＳＬ２がストリップラインで形
成されているため、外部の影響を受けにくくなってい
る。したがって、特性の安定した高周波スイッチを得る
ことができる。また、コンデンサをパターン電極で形成
することができるため、そのキャパシタンスを自由に設
定することができ、設計の最適化を図ることができる。
高周波スイッチと同様に、２つの伝送線路ＳＬ１，ＳＬ
２が積層体１２に内蔵され、しかもコンデンサＣ１，Ｃ
２，Ｃ３，Ｃ４も内蔵されているため、従来の高周波ス
イッチに比べて小型化することができる。さらに、この
高周波スイッチ１０は、図１に示す高周波スイッチに比
べて、伝送線路ＳＬ１，ＳＬ２がストリップラインで形
成されているため、外部の影響を受けにくくなってい
る。したがって、特性の安定した高周波スイッチを得る
ことができる。また、コンデンサをパターン電極で形成
することができるため、そのキャパシタンスを自由に設
定することができ、設計の最適化を図ることができる。
【００３５】なお、高周波スイッチの回路としては、図
５に示すように、アンテナＡＮＴ側と受信回路ＲＸ側と
の間に、伝送線路とダイオードとからなる回路を２段接
続してもよい。このような回路を採用すれば、アンテナ
ＡＮＴと受信回路ＲＸとの間のアイソレーションをさら
に良好にすることができる。このような回路を有する高
周波スイッチにおいても、伝送線路，インダクタンス素
子およびコンデンサなどを積層体に内蔵させることによ
って、小型の高周波スイッチを得ることができる。もち
ろん、図８に示す回路を有する高周波スイッチにおいて
も、伝送線路やコンデンサなどを積層体内に内蔵させる
ことによって、小型の高周波スイッチを得ることができ
る。たとえば、１ＧＨｚ用の高周波スイッチの大きさは
２５ｍｍ×１０ｍｍ×４ｍｍのものが、８ｍｍ×５ｍｍ
×３ｍｍにすることができた。
５に示すように、アンテナＡＮＴ側と受信回路ＲＸ側と
の間に、伝送線路とダイオードとからなる回路を２段接
続してもよい。このような回路を採用すれば、アンテナ
ＡＮＴと受信回路ＲＸとの間のアイソレーションをさら
に良好にすることができる。このような回路を有する高
周波スイッチにおいても、伝送線路，インダクタンス素
子およびコンデンサなどを積層体に内蔵させることによ
って、小型の高周波スイッチを得ることができる。もち
ろん、図８に示す回路を有する高周波スイッチにおいて
も、伝送線路やコンデンサなどを積層体内に内蔵させる
ことによって、小型の高周波スイッチを得ることができ
る。たとえば、１ＧＨｚ用の高周波スイッチの大きさは
２５ｍｍ×１０ｍｍ×４ｍｍのものが、８ｍｍ×５ｍｍ
×３ｍｍにすることができた。
【００３６】これらの高周波スイッチでは、伝送線路が
積層体内に内蔵されているため、図６に示すように、金
属ケース７４を使用しても、その影響を受けにくい。そ
のため、安定した特性を有する高周波スイッチを得るこ
とができる。
積層体内に内蔵されているため、図６に示すように、金
属ケース７４を使用しても、その影響を受けにくい。そ
のため、安定した特性を有する高周波スイッチを得るこ
とができる。
【図１】この発明の一実施例を示す斜視図である。
【図２】図１に示す高周波スイッチの積層体の分解斜視
図である。
図である。
【図３】図１および図２に示す高周波スイッチの回路図
である。
である。
【図４】この発明の他の実施例の高周波スイッチに用い
られる積層体の分解斜視図である。
られる積層体の分解斜視図である。
【図５】高周波スイッチの他の例を示す回路図である。
【図６】金属ケースを用いた高周波スイッチを示す図解
図である。
図である。
【図７】高周波スイッチの働きを示す概念図である。
【図８】高周波スイッチのさらに他の例を示す回路図で
ある。
ある。
【図９】従来の高周波スイッチの一例を示す平面図であ
る。
る。
１０ 高周波スイッチ １２ 積層体 １４ 第１の誘電体層 １６ アース電極 １８ 第２の誘電体層 ２０ コンデンサ電極 ２２ 第３の誘電体層 ２４ ライン電極 ２６ ライン電極 ２８ 第４の誘電体層 ３０ インダクタ電極 ３２ 第５の誘電体層 ３４，３６，３８ コンデンサ電極 ４０ 第６の誘電体層 ４２，４４，４６ コンデンサ電極 ４８ 第７の誘電体層 ５０，５２，５４，５６ チップ抵抗 ５８，６０ チップ型ダイオード ６２，６４，６６ チップコンデンサ ７０ アース電極 ７２ チップインダクタ
Claims (4)
- 【請求項１】 送信回路，受信回路およびアンテナに接
続され、前記送信回路と前記アンテナとの接続および前
記受信回路と前記アンテナとの接続を切り換えるための
高周波スイッチであって、 前記送信回路側にアノードが接続され前記アンテナ側に
カソードが接続される第１のダイオード、 前記アンテナ側と前記受信回路側との間に接続される伝
送線路、および前記受信回路側にアノードが接続されア
ース側にカソードが接続される第２のダイオードを含
み、 前記伝送線路は多層基板内にマイクロストリップライン
として形成され、 前記第１のダイオードおよび前記第２のダイオードは前
記多層基板上に実装された、高周波スイッチ。 - 【請求項２】 送信回路，受信回路およびアンテナに接
続され、前記送信回路と前記アンテナとの接続および前
記受信回路と前記アンテナとの接続を切り換えるための
高周波スイッチであって、 前記送信回路側にアノードが接続され前記アンテナ側に
カソードが接続される第１のダイオード、 前記アンテナ側と前記受信回路側との間に接続される伝
送線路、 前記受信回路側にアノードが接続されアース側にカソー
ドが接続される第２のダイオード、および前記第１のダ
イオードに並列に接続されるインダクタンス素子を含
み、 前記インダクタンス素子および前記伝送線路は多層基板
内にマイクロストリップラインとして形成され、 前記第１のダイオードおよび前記第２のダイオードは前
記多層基板上に実装された、高周波スイッチ。 - 【請求項３】 送信回路，受信回路およびアンテナに接
続され、前記送信回路と前記アンテナとの接続および前
記受信回路と前記アンテナとの接続を切り換えるための
高周波スイッチであって、 第１のコンデンサを介して前記送信回路側にアノードが
接続され、第２のコンデンサを介して前記アンテナ側に
カソードが接続される第１のダイオード、 一端が前記第２のコンデンサを介して前記アンテナ側に
接続され、他端が別のコンデンサを介して前記受信回路
側に接続される伝送線路、および前記別のコンデンサを
介して前記受信回路側にアノードが接続され、アース側
にカソードが接続される第２のダイオードを含み、 前記第１のコンデンサ，前記第２のコンデンサおよび前
記別のコンデンサの中の少なくとも１つおよび前記伝送
線路は多層基板に内蔵され、 前記第１のダイオードおよび前記第２のダイオードは前
記多層基板上に実装された、高周波スイッチ。 - 【請求項４】 送信回路，受信回路およびアンテナに接
続され、前記送信回路と前記アンテナとの接続および前
記受信回路と前記アンテナとの接続を切り換えるための
高周波スイッチであって、 第１のコンデンサを介して前記送信回路側にアノードが
接続され、第２のコンデンサを介して前記アンテナ側に
カソードが接続される第１のダイオード、 一端が前記第２のコンデンサを介して前記アンテナ側に
接続され、他端が別のコンデンサを介して前記受信回路
側に接続される伝送線路、および前記別のコンデンサを
介して前記受信回路側にアノードが接続され、アース側
にカソードが接続される第２のダイオード、および前記
第１のダイオードに並列に接続されるインダクタンス素
子を含み、 前記第１のコンデンサ，前記第２のコンデンサ，前記別
のコンデンサおよび前記インダクタンス素子の中の少な
くとも１つおよび前記伝送線路は多層基板に内蔵され、 前記第１のダイオードおよび前記第２のダイオードは前
記多層基板上に実装された、高周波スイッチ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35018093A JPH07202502A (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | 高周波スイッチ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35018093A JPH07202502A (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | 高周波スイッチ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07202502A true JPH07202502A (ja) | 1995-08-04 |
Family
ID=18408763
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35018093A Pending JPH07202502A (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | 高周波スイッチ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
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