JP3186397B2

JP3186397B2 - 高周波スイッチ

Info

Publication number: JP3186397B2
Application number: JP35361793A
Authority: JP
Inventors: 田和浩飯; 山尚樹中
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 1993-12-28
Filing date: 1993-12-28
Publication date: 2001-07-11
Anticipated expiration: 2016-07-11
Also published as: JPH07202504A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は高周波スイッチに関
し、特にたとえば、デジタル携帯電話などの高周波回路
において信号の経路の切り換えを行うための高周波スイ
ッチに関する。

【０００２】

【従来の技術】高周波スイッチは、図５に示すように、
デジタル携帯電話などにおいて、送信回路ＴＸとアンテ
ナＡＮＴとの接続および受信回路ＲＸとアンテナＡＮＴ
との接続を切り換えるために用いられる。

【０００３】図６はこの発明の背景となりかつこの発明
が適用される高周波スイッチの一例を示す回路図であ
る。この高周波スイッチは、アンテナＡＮＴ，送信回路
ＴＸおよび受信回路ＲＸに接続される。送信回路ＴＸに
は、第１のコンデンサＣ１を介して第１のダイオードＤ
１のアノードが接続される。第１のダイオードＤ１のア
ノードは、第１のストリップラインＳＬ１および第２の
コンデンサＣ２の直列回路を介して接地される。さら
に、第１のストリップラインＳＬ１と第２のコンデンサ
Ｃ２との中間点には、抵抗Ｒを介して、コントロール端
子Ｔが接続される。コントロール端子Ｔには、高周波ス
イッチの切り換えを行うためのコントロール回路が接続
される。また、第１のダイオードＤ１のカソードは、第
３のコンデンサＣ３を介して、アンテナＡＮＴに接続さ
れる。アンテナＡＮＴに接続された第３のコンデンサＣ
３には、第２のストリップラインＳＬ２と第４のコンデ
ンサＣ４との直列回路を介して、受信回路ＲＸが接続さ
れる。また、第２のストリップラインＳＬ２と第４のコ
ンデンサＣ４との中間点には、第２のダイオードＤ２の
アノードが接続される。そして、第２のダイオードＤ２
のカソードは接地される。

【０００４】図６に示す高周波スイッチを用いて送信す
る場合、コントロール端子Ｔに正の電圧が与えられる。
この電圧によって、第１のダイオードＤ１および第２の
ダイオードＤ２がＯＮになる。このとき、第１〜第４の
コンデンサＣ１〜Ｃ４によって直流分がカットされ、コ
ントロール端子Ｔに加えられた電圧が第１のダイオード
Ｄ１および第２のダイオードＤ２を含む回路にのみ印加
されるようにしている。第１のダイオードＤ１および第
２のダイオードＤ２がＯＮになることによって、送信回
路ＴＸからの信号がアンテナＡＮＴに送られ、信号がア
ンテナＡＮＴから送信される。なお、送信回路ＴＸの送
信信号は、第２のストリップラインＳＬ２が第２のダイ
オードＤ２により接地されることにより共振して接続点
Ａから受信回路ＲＸ側をみたインピーダンスが非常に大
きくなるため、受信回路ＲＸには伝達されない。

【０００５】一方、受信時には、コントロール端子Ｔに
電圧を印加しないことによって、第１のダイオードＤ１
および第２のダイオードＤ２はＯＦＦとなる。そのた
め、受信信号は受信回路ＲＸに伝達され、送信回路ＴＸ
側には伝達されない。このように、コントロール端子Ｔ
に印加される電圧をコントロールすることによって、送
受信を切り換えることができる。

【０００６】図７は図６に示す回路を有する従来の高周
波スイッチの一例を示す平面図である。この高周波スイ
ッチ１は基板２を含み、基板２の一方主面には、第１の
ストリップラインＳＬ１となる第１のストリップライン
電極３ａおよび第２のストリップラインＳＬ２となる第
２のストリップライン電極３ｂや多数のランドが形成さ
れ、それらの第１のストリップライン電極３ａおよび第
２のストリップライン電極３ｂやランドに、第１および
第２のダイオード４ａおよび４ｂと、第１，第２，第３
および第４のコンデンサＣ１，Ｃ２，Ｃ３およびＣ４と
なるチップコンデンサ５ａ，５ｂ，５ｃおよび５ｄと、
抵抗Ｒとなるチップ抵抗６とが接続されている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】ところが、図７に示す
従来の高周波スイッチ１では、第１のストリップライン
電極３ａおよび第２のストリップライン電極３ｂの長さ
として、一般的に送信信号や受信信号の波長の１／４の
長さが必要であり、基板２の誘電率にもよるが、数１０
ｍｍ程度必要であり、第１のストリップライン電極３ａ
および第２のストリップライン電極３ｂに関与する部分
が、基板２上の大きな面積を占有している。そのため、
この高周波スイッチ１では、小型化に問題がある。

【０００８】それゆえに、この発明の主たる目的は、小
型の高周波スイッチを提供することである。

【０００９】

【課題を解決するための手段】請求項１にかかる本願発
明は、送信回路，受信回路およびアンテナに接続され、
送信回路とアンテナとの接続および受信回路とアンテナ
との接続を切り換えるための高周波スイッチであって、
送信回路側にアノードが接続されアンテナ側にカソード
が接続される第１のダイオードと、第１のダイオードの
アノードに接続される第１のストリップラインと、アン
テナと受信回路との間に接続される第２のストリップラ
インと、受信回路側にアノードが接続されアース側にカ
ソードが接続される第２のダイオードとを含み、第１の
ストリップラインと第２のストリップラインとは、複数
の誘電体層を積層することにより形成される多層基板に
内蔵されるとともに、第１のストリップラインは、誘電
体層を挟んで第１のストリップライン電極とアース電極
とが対向するように配置され、第２のストリップライン
は、誘電体層を挟んで第２のストリップライン電極とア
ース電極とが対向するように配置され、第１のストリッ
プライン電極と第２のストリップライン電極とは、多層
基板内の同一の層上に形成され、第１のダイオードと第
２のダイオードとが、多層基板上に形成される、高周波
スイッチである。請求項２にかかる本願発明は、請求項
１にかかる高周波スイッチに従属する高周波スイッチで
あって、多層基板に内蔵され、第１のダイオードのアノ
ードに接続されるインダクタをさらに含み、第１のスト
リップライン電極、インダクタおよび第２のストリップ
ライン電極は、多層基板内の同一の層上に形成される、
高周波スイッチである。請求項３にかかる本願発明は、
請求項１にかかる高周波スイッチに従属する高周波スイ
ッチであって、多層基板に内蔵され、第１のダイオード
のアノードに接続されるインダクタをさらに含み、第１
のストリップライン電極および第２のストリップライン
電極と、インダクタとは、多層基板内の別の層上に形成
される、高周波スイッチである。

【００１０】

【作用】請求項１にかかる発明では、第１のストリップ
ラインおよび第２のストリップラインが多層基板に内蔵
される。多層基板は、複数の誘電体層を積層することに
より形成される。この場合、第１のストリップライン電
極および第２のストリップライン電極は、同一の層上に
形成される。さらに、第１のダイオードおよび第２のダ
イオードは、多層基板上に実装される。そのため、平面
的に見て、高周波スイッチの面積が減る。請求項２にか
かる発明では、第１のストリップライン、第２のストリ
ップラインおよびインダクタが多層基板に内蔵される。
多層基板は、複数の誘電体層を積層することにより形成
される。この場合、第１のストリップライン電極、第２
のストリップライン電極およびインダクタは、同一の層
上に形成される。さらに、第１のダイオードおよび第２
のダイオードは、多層基板上に実装される。そのため、
平面的に見て、高周波スイッチの面積が減る。請求項３
にかかる発明では、第１のストリップライン、第２のス
トリップラインおよびインダクタが多層基板に内蔵され
る。多層基板は、複数の誘電体層を積層することにより
形成される。この場合、第１のストリップライン電極お
よび第２のストリップライン電極と、インダクタとは、
別の層上に形成される。さらに、第１のダイオードおよ
び第２のダイオードは、多層基板上に実装される。その
ため、平面的に見て、高周波スイッチの面積が減る。

【００１１】

【発明の効果】この発明によれば、小型の高周波スイッ
チが得られる。

【００１２】この発明の上述の目的，その他の目的，特
徴および利点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳
細な説明から一層明らかとなろう。

【００１３】

【実施例】この実施例の高周波スイッチは、構造的に特
徴を有するが回路自体も特徴を有するので、まず、図３
などを参照して、この実施例の高周波スイッチの回路に
ついて説明する。この高周波スイッチは、デジタル携帯
電話などの送受信の切り換えのために使用される。した
がって、高周波スイッチは、アンテナＡＮＴ，送信回路
ＴＸおよび受信回路ＲＸに接続される。送信回路ＴＸ
は、第１のコンデンサＣ１を介して、第１のダイオード
Ｄ１のアノードに接続される。また、第１のダイオード
Ｄ１のアノードは、第１のストリップラインＳＬ１およ
び第４のコンデンサＣ４を介して接地される。さらに、
第１のストリップラインＳＬ１と第４のコンデンサＣ４
との中間点は、第１の抵抗Ｒ１を介して第１のコントロ
ール端子Ｔ１に接続される。

【００１４】第１のダイオードＤ１のカソードは、第２
のコンデンサＣ２を介してアンテナＡＮＴに接続され
る。また、第１のダイオードＤ１に並列に、インダクタ
Ｌ１と第６のコンデンサＣ６との直列回路が接続され
る。さらに、第１のダイオードＤ１に並列に、第７のコ
ンデンサＣ７および第２の抵抗Ｒ２がそれぞれ接続され
る。なお、図３の回路例の第１のストリップラインＳＬ
１と第４のコンデンサＣ４に代えて、抵抗を接続するよ
うにしても同様の結果が得られる。

【００１５】また、アンテナＡＮＴには、第２のストリ
ップラインＳＬ２が接続される。第２のストリップライ
ンＳＬ２は、第３のコンデンサＣ３を介して、受信回路
ＲＸに接続される。また、第２のストリップラインＳＬ
２と第３のコンデンサＣ３との中間点は、第２のダイオ
ードＤ２と第５のコンデンサＣ５との直列回路を介して
接地される。さらに、第２のダイオードＤ２に並列に、
第３の抵抗Ｒ３が接続される。この第３の抵抗Ｒ３は、
第４の抵抗Ｒ４を介して、第２のコントロール端子Ｔ２
に接続される。

【００１６】図３に示す高周波スイッチを用いて送信を
行う場合、第１のコントロール端子Ｔ１に正の電圧が印
加される。第１のコントロール端子Ｔ１に加えられた電
圧は、第１のダイオードＤ１および第２のダイオードＤ
２に順方向のバイアス電圧として印加され、これらのダ
イオードＤ１，Ｄ２がＯＮ状態となる。したがって、送
信回路ＴＸからの送信信号は、アンテナＡＮＴから送信
されるとともに、第２のストリップラインＳＬ２が第２
のダイオードＤ２により接地されて共振してそのインピ
ーダンスが無限大となるため、受信回路ＲＸ側には伝達
されない。

【００１７】送信時においては、第１のダイオードＤ１
および第２のダイオードＤ２がＯＮとなるが、これらの
ダイオードにはインダクタンス分が存在する。このよう
なインダクタンス分が存在すると、アンテナＡＮＴと第
２のストリップラインＳＬ２との接続点Ａから受信回路
ＲＸ側をみたときのインピーダンスが無限大とならな
い。このようなインダクタンス分による影響を除去する
ために、第２のダイオードＤ２のインダクタンス分と第
５のコンデンサＣ５とで、直列共振回路が形成される。
したがって、第５のコンデンサＣ５のキャパシタンスＣ
は、第２のダイオードＤ２のインダクタンス分をＬ_D，
使用周波数をｆとすると、次式で表される。Ｃ＝１／｛（２πｆ）²・Ｌ_D｝

【００１８】第５のコンデンサＣ５のキャパシタンスＣ
を上式の条件に設定することによって、第２のダイオー
ドＤ２がＯＮ時に、直列共振回路が形成され、アンテナ
ＡＮＴと第２のストリップラインＳＬ２との接続点Ａか
ら受信回路ＲＸ側をみたときのインピーダンスを無限大
にできる。したがって、送信回路ＴＸからの信号は受信
回路ＲＸに伝達されず、送信回路ＴＸとアンテナＡＮＴ
との間の挿入損失を小さくすることができる。さらに、
アンテナＡＮＴと受信回路ＲＸとの間において、良好な
アイソレーションを得ることができる。なお、第１のコ
ントロール端子Ｔ１に電圧を加えると、電流は第１，第
２，第３，第４および第５のコンデンサＣ１，Ｃ２，Ｃ
３，Ｃ４およびＣ５でカットされて、第１のダイオード
Ｄ１および第２のダイオードＤ２を含む回路にのみ流れ
ることになって、他の部分に影響を及ぼさない。

【００１９】また、図３に示す高周波スイッチを用いて
受信を行う場合、第１のコントロール端子Ｔ１の電圧印
加が停止されるとともに、第２のコントロール端子Ｔ２
に正の電圧が加えられる。第２のコントロール端子Ｔ２
に加えられた電圧は、第２の抵抗Ｒ２および第３の抵抗
Ｒ３などで分圧され、第１のダイオードＤ１および第２
のダイオードＤ２に逆方向のバイアス電圧として印加さ
れる。それによって、第１のダイオードＤ１および第２
のダイオードＤ２は確実にＯＦＦとなり、受信信号が受
信回路ＲＸに伝達される。このとき、ダイオードにはキ
ャパシタンス分が存在するため、受信信号が送信回路Ｔ
Ｘ側に漏れる場合がある。このような受信信号の漏れを
防ぐために、図３に示すように、第１のダイオードＤ１
のキャパシタンス分とインダクタＬ１と第７のコンデン
サＣ７とで、並列共振回路が形成される。したがって、
インダクタＬ１のインダクタンスＬは、第１のダイオー
ドＤ１と第７のコンデンサＣ７との合成キャパシタンス
をＣ，使用周波数をｆとすると、次式で表される。Ｌ＝１／｛（２πｆ）²・Ｃ｝

【００２０】インダクタＬ１のインダクタンスＬを上式
の条件に設定することによって、送信回路ＴＸとアンテ
ナＡＮＴとの間のアイソレーションを良好にすることが
できる。したがって、受信信号は送信回路ＴＸ側に漏れ
ず、アンテナＡＮＴと受信回路ＲＸとの間の挿入損失を
小さくすることができる。なお、インダクタＬ１の代わ
りに、高いインピーダンスの伝送線路を使用しても、同
様の効果を得ることができる。この実施例では、第１お
よび第２のコントロール端子Ｔ１，Ｔ２に電圧を加えた
ときに、インダクタＬ１を介して電流が流れることを防
ぐために、インダクタＬ１に直列に第６のコンデンサＣ
６が接続されている。この第６のコンデンサＣ６を接続
する場合、そのキャパシタンスに応じて必要により上式
が補正されることはいうまでもない。

【００２１】ダイオードのインダクタンス分およびキャ
パシタンス分には、個々のダイオードでばらつきがあ
る。特に、キャパシタンス分のばらつきによって、イン
ダクタＬ１と第７のコンデンサＣ７とで形成される並列
共振回路の共振周波数が変化するなどの不都合がおこ
る。しかしながら、図３に示す高周波スイッチでは、第
１のダイオードＤ１と第７のコンデンサＣ７とが並列接
続されているため、その合成キャパシタンスは大きくな
る。たとえば、コンデンサのキャパシタンスをＣ₁，第
１のダイオードＤ２のキャパシタンスをＣ_Dとすると、
その合成キャパシタンスは、Ｃ＝Ｃ₁＋Ｃ_Dとなる。第
１のダイオードＤ１のキャパシタンス分のばらつきをＣ
_DSとすると、全キャパシタンスに対するばらつきは、Ｃ
_DS／（Ｃ₁＋Ｃ_D）となる。第７のコンデンサＣ７が接
続されていない場合、全キャパシタンスに対するばらつ
きの割合は、Ｃ_DS／Ｃ_Dであるから、第７のコンデンサ
Ｃ７を接続したほうがキャパシタンスのばらつきの影響
を小さくすることができる。したがって、図３に示す高
周波スイッチでは、送信時および受信時のいずれにも良
好な安定した性能を得ることができる。

【００２２】次に、図１および図２などを参照して、こ
の実施例の高周波スイッチの構造について詳しく説明す
る。この高周波スイッチ１０は、積層体ないし多層基板
１２を含む。積層体ないし多層基板１２は、図２に示す
ように、多数の誘電体層などを積層することによって形
成される。１番下の第１の誘電体層１４上には、ほぼ全
面に第１のアース電極１６が形成される。第１のアース
電極１６から第１の誘電体層１４の一方の対向する端部
に向かって、引出し電極１６ａおよび１６ｂがそれぞれ
形成される。この実施例では、第１のアース電極１６か
ら第１の誘電体層１４の長手方向の一端部および他端部
に向かって、引出し電極１６ａおよび１６ｂがそれぞれ
形成される。第１のアース電極１６上には、第２の誘電
体層１８が形成される。

【００２３】第２の誘電体層１８上には、蛇行するよう
にして、第１のストリップライン電極２０および第２の
ストリップライン電極２２が形成される。第１のストリ
ップライン電極２０の一端および他端は、第２の誘電体
層１８の幅方向の一端側および他端側にそれぞれ配置さ
れるように形成される。第２のストリップライン電極２
２の一端および他端も、第２の誘電体層１８の幅方向の
一端側および他端側にそれぞれ配置されるように形成さ
れる。第１のストリップライン電極２０および第２のス
トリップライン電極２２の上には、第３の誘電体層２６
が形成される。

【００２４】第３の誘電体層２６上には、平面略Ｈ字形
の第２のアース電極２８が形成される。この第２のアー
ス電極２８は、第４および第５のコンデンサＣ４および
Ｃ５の一方のコンデンサ電極となる。第２のアース電極
２８には、第１のアース電極１６の引出し電極１６ａお
よび１６ｂに対応する位置に、引出し電極２８ａおよび
２８ｂが形成される。第３の誘電体層２６には、ビアホ
ール３０ａ，３０ｂ，３０ｃおよび３０ｄが形成され
る。１つのビアホール３０ａは、第１のストリップライ
ン電極２０の一端部に対応する位置に形成され、他の１
つのビアホール３０ｂは、第１のストリップライン電極
２０の他端部に対応する位置に形成される。また、１つ
のビアホール３０ｃは、第２のストリップライン電極２
２の一端部に対応する位置に形成され、他の１つのビア
ホール３０ｄは、第２のストリップライン電極２２の他
端部に対応する位置に形成される。第２のアース電極２
８上には、第４の誘電体層３２が形成される。

【００２５】第４の誘電体層３２上には、第４のコンデ
ンサＣ４および第５のコンデンサＣ５の他方のコンデン
サ電極３４および３６が形成される。コンデンサ電極３
４および３６は、第４の誘電体層３２を挟んで、第３の
誘電体層２６上の第２のアース電極２８と対向するよう
に形成される。コンデンサ電極３４および３６は、それ
ぞれ第４の誘電体層３２の幅方向の一端側でかつその長
手方向の一端側および他端側に形成される。コンデンサ
電極３４と３６との中間には、第６のコンデンサＣ６の
一方のコンデンサ電極３８が形成される。第４の誘電体
層３２には、ビアホール３０ａ，３０ｂ，３０ｃおよび
３０ｄに対応する位置に、ビアホール４０ａ，４０ｂ，
４０ｃおよび４０ｄが形成される。１つのビアホール４
０ａは、コンデンサ電極３４の端部を貫通するように形
成され、他の１つのビアホール４０ｃは、コンデンサ電
極３８の端部を貫通するように形成される。これらのコ
ンデンサ電極３４，３６および３８上には、第５の誘電
体層４２が形成される。

【００２６】第５の誘電体層４２上には、蛇行するよう
にして、インダクタＬ１となるコイル電極４４が形成さ
れる。コイル電極４４の一端および他端は、それぞれ第
５の誘電体層４２の幅方向の一端側および他端側に配置
されるように形成される。コイル電極４４の一端には、
第６のコンデンサＣ６の他方のコンデンサ電極４６の端
部が接続される。このコンデンサ電極４６は、第５の誘
電体層４２を挟んで、第４の誘電体層３２上のコンデン
サ電極３８と対向するよに形成される。第５の誘電体層
４２には、ビアホール４０ａ，４０ｂ，４０ｃおよび４
０ｄに対応する位置に、ビアホール４８ａ，４８ｂ，４
８ｃおよび４８ｄが形成される。この場合コイル電極４
４の他端にビアホール４８ｂが位置されるように形成さ
れる。さらに、第５の誘電体層４２には、別のビアホー
ル４８ｅが、前記コンデンサ電極３６の端部に対応して
位置するように形成される。コイル電極４４およびコン
デンサ電極４６の上には、第６の誘電体層５０が形成さ
れる。

【００２７】第６の誘電体層５０上には、第１，第２，
第３および第７のコンデンサＣ１，Ｃ２，Ｃ３およびＣ
７の一方のコンデンサ電極５２，５４，５６および５８
が形成される。コンデンサ電極５２および５６は、第６
の誘電体層５０の幅方向の一端側に形成され、コンデン
サ電極５４は、第６の誘電体層５０の幅方向の他端側で
その長手方向の中央部に形成される。さらに、コンデン
サ電極５８は、コンデンサ電極５４に接続されるように
して、第６の誘電体層５０のほぼ中央部に形成される。
第６の誘電体層５０には、ビアホール４８ａ，４８ｂ，
４８ｃ，４８ｄおよび４８ｅに対応する位置に、ビアホ
ール６０ａ，６０ｂ，６０ｃ，６０ｄおよび６０ｅが形
成される。ビアホール６０ｂ，６０ｄおよび６０ｃは、
それぞれ、コンデンサ電極５２，５６および５８の端部
を貫通するように形成される。コンデンサ電極５２，５
４，５６および５８の上には、第７の誘電体層６２が形
成される。

【００２８】第７の誘電体層６２上には、第１，第２，
第３および第７のコンデンサＣ１，Ｃ２，Ｃ３およびＣ
７の他方のコンデンサ電極６４，６６，６８および７０
が形成される。これらのコンデンサ電極６４，６６，６
８および７０は、第６の誘電体層５０を挟んで、それぞ
れ、第６の誘電体層５０上のコンデンサ電極５２，５
４，５６および５８と対向するように形成される。第７
の誘電体層６２には、ビアホール６０ａ，６０ｂ，６０
ｃ，６０ｄおよび６０ｅに対応する位置に、ビアホール
７２ａ，７２ｂ，７２ｃ，７２ｄおよび７０ｅが形成さ
れる。コンデンサ電極６４，６６，６８および７０の上
には、第８の誘電体層７４が形成される。

【００２９】この１番上の第８の誘電体層７４上には、
各ランドや第１のダイオード７６および第２のダイオー
ド７８などが形成される。それらのランドや第１および
第２のダイオード７６および７８には、第１，第２，第
３および第４の抵抗Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３およびＲ４となる
チップ抵抗（あるいは印刷抵抗）８０，８２，８４およ
び８６が接続される。この第８の誘電体層７４には、ビ
アホール７２ａ，７２ｂ，７２ｃ，７２ｄおよび７２ｅ
に対応する位置に、ビアホール８８ａ，８８ｂ，８８
ｃ，８８ｄおよび８８ｅが形成される。これらのビアホ
ール８８ａ〜８８ｅは、それぞれ所定のランドを貫通す
るようにして形成される。

【００３０】これらの複数の誘電体層が一体化されるこ
とによって、積層体ないし多層基板１２が形成される。
このとき、ビアホール３０ａ，４０ａ，４８ａ，６０
ａ，７２ａ，８８ａおよびランド９０を介して、第１の
ストリップライン電極２０の一端と、第４のコンデンサ
Ｃ４の他方のコンデンサ電極３４の一端と、第１のチッ
プ抵抗８０の一端とが接続される。

【００３１】また、ビアホール３０ｂ，４０ｂ，４８
ｂ，６０ｂ，７２ｂ，８８ｂおよびランド９２を介し
て、第１のストリップライン電極２０の他端と、インダ
クタＬ１となるコイル電極４４の一端と、第１のコンデ
ンサＣ１の一方のコンデンサ電極５２の一端と、第７の
コンデンサＣ７の他方のコンデンサ電極７０の一端と、
第１のダイオード７６の一端（アノード側）と、第２の
チップ抵抗８２の一端とが接続される。

【００３２】さらに、ビアホール３０ｃ，４０ｃ，４８
ｃ，６０ｃ，７２ｃ，８８ｃおよびランド９４を介し
て、第２のストリップライン電極２２の一端と、第６の
コンデンサＣ６の一方のコンデンサ電極３８の一端と、
第７のコンデンサＣ７の一方のコンデンサ電極５８の他
端と、第１のダイオード７６の他端（カソード側）と、
第２のチップ抵抗８２の他端と、第２のコンデンサＣ２
の一方のコンデンサ電極５４の一端とが接続される。第
６のコンデンサＣ６の他方のコンデンサ電極４６の他端
は、コイル電極４４の他端と接続される。

【００３３】さらに、ビアホール３０ｄ，４０ｄ，４８
ｄ，６０ｄ，７２ｄ，８８ｄおよびランド９６を介し
て、第２のストリップライン電極２２の他端と、第３の
コンデンサＣ３の一方のコンデンサ電極５６の一端と、
第２のダイオード７８の一端（アノード側）と、第３の
チップ抵抗８４の一端とが接続される。

【００３４】さらに、４８ｅ，６０ｅ，７２ｅ，８８ｅ
およびランド９８を介して、第５のコンデンサＣ５の一
方のコンデンサ電極３６の一端と、第２のダイオード７
８の他端と、第３のチップ抵抗８４の他端と、第４のチ
ップ抵抗８６の一端とが接続される。

【００３５】さらに、多層基板１２の４つの側面部に
は、図１に示すように、７個の外部電極１００，１０
２，１０４，１０６，１０８，１１０および１１２が形
成される。この場合、多層基板１２には、その幅方向の
一側面部に２つの外部電極１００および１０２が形成さ
れ、その幅方向の他側面部に３つの外部電極１０４，１
０６および１０８が形成され、その長手方向の一側面部
に１つの外部電極１１０が形成され、その長手方向の他
側面部に１つの外部電極１１２が形成される。

【００３６】外部電極１００は、第１のコンデンサＣ１
となる他方のコンデンサ電極６４の端部に接続される。
この外部電極１００は、送信回路ＴＸに接続される。外
部電極１０２は、第３のコンデンサＣ３となる他方のコ
ンデンサ電極６８の端部に接続される。この外部電極１
０２は、受信回路ＲＸに接続される。外部電極１０４
は、第１の抵抗Ｒ１となる第１のチップ抵抗８０の他端
に接続される。この外部電極１０４は、第１のコントロ
ール端子Ｔ１を介してコントロール回路に接続される。
外部電極１０６は、第３のコンデンサＣ３の他方のコン
デンサ電極６６に接続される。この外部電極１０６は、
アンテナＡＮＴに接続される。外部電極１０８は、第４
の抵抗Ｒ４となる第４のチップ抵抗８６の他端に接続さ
れる。この外部電極１０８は、第２のコントロール端子
Ｔ２を介して、別のコントロール回路に接続される。

【００３７】外部電極１１０は、第１のアース電極１６
の引出し電極１６ａと、第２のアース電極２８の引出し
電極２８ａとに接続される。外部電極１１２は、第１の
アース電極１６の引出し電極１６ｂと、第２のアース電
極２８の引出し電極２８ｂとに接続される。したがっ
て、図１に示す高周波スイッチ１０は、図３に示す回路
を有する。

【００３８】図１に示す高周波スイッチ１０では、第１
および第２のストリップラインＳＬ１およびＳＬ２とな
る第１および第２のストリップライン電極２０および２
２が多層基板１２に内蔵される。しかも、第１および第
２のストリップライン電極２０および２２は、多層基板
１２内の第２の誘電体層１８の同一面上に形成される。
さらに、第１および第２のダイオードＤ１およびＤ２
が、多層基板１２の１番上の第８の誘電体層７４上に実
装されているので、これらの部品などを１枚の基板上に
実装した場合に比べて、平面的に見て、面積が減り小型
になる。そのため、この高周波スイッチ１０を用いたデ
ジタル携帯電話などの小型化が可能となり、歩留りも高
くできる。

【００３９】また、図１に示す高周波スイッチ１０は、
第１および第２のストリップラインＳＬ１およびＳＬ２
となる第１および第２のストリップライン電極２０およ
び２２を多層基板１２内の同一の誘電体層上に形成して
いるため、第１および第２のストリップライン電極２０
および２２を多層基板１２内の異なる誘電体層上に別々
に形成したものと比べて、積層される誘電体層およびビ
アホールの数を減らすことができる。そのため、多層基
板１２全体の厚みを小さくすることができる。また、積
層される誘電体層の数を少なくできるので、コンデンサ
電極およびストリップライン電極等のラインパターンの
印刷枚数も少なくでき、より一層、歩留りを向上させる
ことができる。したがって、図１に示す高周波スイッチ
１０では、生産コストを低く抑えることができる。

【００４０】さらに、図１に示す高周波スイッチ１０で
は、第１および第２のストリップラインＳＬ１およびＳ
Ｌ２となる第１および第２のストリップライン電極２０
および２２に加えて、図４に示すように、適宜、インダ
クタＬ１となるコイル電極４４を多層基板１２内の同一
の誘電体層上に形成するようにしてもよい。この場合、
第２の誘電体層１８上に、それらの第１および第２のス
トリップライン電極２０および２２と、コイル電極４４
とが形成される。このように、第１および第２のストリ
ップラインＳＬ１およびＳＬ２と、インダクタＬとを多
層基板１２内の同一の誘電体層上に形成したものは、図
２に示すものと比べて、積層される誘電体層およびビア
ホールの数をさらに減らすことができ、多層基板１２全
体の厚みをよりいっそう小さくすることができる。さら
に、図１に示す高周波スイッチ１０では、インダクタＬ
１となるコイル電極と、第１のストリップラインＳＬ１
となる第１のストリップライン電極または第２のストリ
ップラインＳＬ２となる第２のストリップライン電極と
を、多層基板１２内の同一の誘電体層上に形成するよう
にしてもよい。

【００４１】また、積層体ないし多層基板１２を覆うよ
うにして、たとえば金属ないし樹脂材料からなる外装ケ
ース（図示せず）を被せ設けるようにしてもよい。この
場合、第１および第２のストリップライン電極２０およ
び２２などが多層基板１２に内蔵されるため、外装ケー
ス（図示せず）も含めた外部からの悪影響を受けにく
い。

【００４２】なお、図１に示す実施例では図３に示す回
路を有するが、この発明は、図３に示す回路に限らず、
たとえば図６に示す回路や第１および第２のストリップ
ライン等の複数の伝送線路を有する他の高周波スイッチ
の回路にも適用され得る。さらに、積層体ないし多層基
板１２表面上に形成されているコンデンサや抵抗を、適
宜内部に埋設させるようにすることなど、この発明の趣
旨の範囲での設計変更は自由である。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の一実施例を示す斜視図である。

【図２】図１に示す実施例の高周波スイッチの多層基板
の分解斜視図である。

【図３】図１に示す実施例の回路図である。

【図４】この発明の他の実施例の高周波スイッチに用い
られる多層基板を示す分解斜視図である。

【図５】高周波スイッチの働きを示す概念図である。

【図６】この発明の背景となりかつこの発明が適用され
る高周波スイッチの一例を示す回路図である。

【図７】図６に示す高周波スイッチの一例を示す平面図
である。

【符号の説明】

１０高周波スイッチ１２多層基板１４第１の誘電体層１６第１のアース電極１６ａ，１６ｂ，２８ａ，２８ｂ引出し電極１８第２の誘電体層２０第１のストリップライン電極２２第２のストリップライン電極３０ａ〜３０ｄ，４０ａ〜４０ｄ，４８ａ〜４８ｅ，６
０ａ〜６０ｅ，７２ａ〜７２ｅ，８８ａ〜８８ｅビア
ホール２６第３の誘電体層２８第２のアース電極３２第４の誘電体層３４，３６，３８，４６，５２，５４，５６，５８，６
４，６６，６８コンデンサ電極４２第５の誘電体層４４コイル電極５０第６の誘電体層６２第７の誘電体層７４第８の誘電体層７６第１のダイオード７８第２のダイオード８０，８２，８４，８６第１，第２，第３および第４
のチップ抵抗９０，９２，９４，９６，９８ランド１００，１０２，１０４，１０６，１０８，１１０外
部電極ＴＸ送信回路ＲＸ受信回路ＡＮＴアンテナＴ１第１のコントロール端子Ｔ２第２のコントロール端子

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01P 1/15 H01P 1/213 H04B 1/48

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】送信回路，受信回路およびアンテナに接
続され、前記送信回路と前記アンテナとの接続および前
記受信回路と前記アンテナとの接続を切り換えるための
高周波スイッチであって、前記送信回路側にアノードが接続され前記アンテナ側に
カソードが接続される第１のダイオード、前記第１のダイオードのアノードに接続される第１のス
トリップライン、前記アンテナと前記受信回路との間に接続される第２の
ストリップライン、および前記受信回路側にアノードが
接続されアース側にカソードが接続される第２のダイオ
ードを含み、前記第１のストリップラインと前記第２のストリップラ
インとは、複数の誘電体層を積層することにより形成さ
れる多層基板に内蔵されるとともに、前記第１のストリップラインは、前記誘電体層を挟んで
前記第１のストリップライン電極とアース電極とが対向
するように配置され、前記第２のストリップラインは、
前記誘電体層を挟んで前記第２のストリップライン電極
とアース電極とが対向するように配置され、前記第１のストリップライン電極と前記第２のストリッ
プライン電極とは、前記多層基板内の同一の層上に形成
され、前記第１のダイオードと前記第２のダイオードとが、前
記多層基板上に形成される、高周波スイッチ。
【請求項２】前記多層基板に内蔵され、前記第１のダ
イオードのアノードに接続されるインダクタをさらに含
み、前記第１のストリップライン電極、前記インダクタおよ
び前記第２のストリップライン電極は、前記多層基板内
の同一の層上に形成される、請求項１に記載の高周波ス
イッチ。
【請求項３】前記多層基板に内蔵され、前記第１のダ
イオードのアノードに接続されるインダクタをさらに含
み、前記第１のストリップライン電極および前記第２のスト
リップライン電極と、前記インダクタとは、前記多層基
板内の別の層上に形成される、請求項１に記載の高周波
スイッチ。