WO2011155235A1 - デュアルバンド弾性表面波フィルタ及び複合高周波部品 - Google Patents

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WO2011155235A1
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surface acoustic
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dual
circuit board
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潤平 安田
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株式会社村田製作所
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    • H03H2250/00—Indexing scheme relating to dual- or multi-band filters

Definitions

  • the present invention relates to a dual band surface acoustic wave filter and a composite high frequency component.
  • the present invention relates to a dual-band surface acoustic wave filter used for a composite high-frequency component including a high-frequency switch and a composite high-frequency component including the dual-band surface acoustic wave filter.
  • a switch module capable of switching between a plurality of transmission / reception signals is used in order to transmit / receive transmission / reception signals of a plurality of communication methods with a single antenna.
  • Patent Document 1 describes a switch module 100 shown in FIG. 11 as an example of such a switch module.
  • the switch module 100 has a circuit board 101 formed by laminating a plurality of dielectric layers.
  • a high frequency switch 102 On the surface of the circuit board 101, a high frequency switch 102, a plurality of surface acoustic wave filters 103a to 103c, a plurality of chip capacitors 104a to 104d, and a chip inductor 104e are mounted.
  • each of the surface acoustic wave filters 103a and 103c is a single-band surface acoustic wave filter having one surface acoustic wave filter section.
  • the surface acoustic wave filter 103b is a dual band surface acoustic wave filter having two surface acoustic wave filter sections.
  • each output terminal of the surface acoustic wave filters 103a to 103c is connected to an external terminal formed on the back surface of the circuit board 101 via a via-hole electrode continuous in the stacking direction of the circuit board 101. Yes.
  • the output-side wiring connecting the output terminal and the external terminal is shortened and two adjacent terminals are provided.
  • the two output-side wirings do not overlap or approach each other in the stacking direction. Therefore, parasitic impedance and parasitic capacitance are unlikely to occur.
  • a plurality of external terminals can be arranged in the vicinity of the edge on the x1 side in the x direction on the back surface of the circuit board 101 along the y direction perpendicular to the x direction. For this reason, it is possible to shorten the wiring connecting the RF-IC in which a part of the RF circuit in the subsequent stage of the switch module 100 is integrated and the external terminal of the circuit board 101.
  • a plurality of surface acoustic wave filters 103a to 103c are arranged in the vicinity of the edge on the x1 side along the y direction, and the high frequency switch 102 is on the x2 side It is arrange
  • two single-band surface acoustic wave filters 103a to 103d may be separately arranged on both sides of the high-frequency switch 102 in the y direction.
  • the switch module can be downsized.
  • the unbalanced input terminals 105a to 105d of the surface acoustic wave filters 103a to 103d and the high frequency switch 102 are connected.
  • the unbalanced input terminals 105 a to 105 d be arranged in the vicinity of the high frequency switch 102 as shown in FIG.
  • the first and second balanced output terminals 106a to 106d and 107a to 107d of the surface acoustic wave filters 103a to 103d are different from the high-frequency switch 102 in the y direction of the surface acoustic wave filters 103a to 103d. It will be arranged on the opposite side.
  • a plurality of external terminals 108a to 108h are arranged in the vicinity of the edge on the x1 side of the circuit board 101 along the y direction, and wiring formed on the surface or inside of the circuit board 101 Therefore, it is necessary to electrically connect the plurality of external terminals 108a to 108h to the first and second balanced output terminals 106a to 106d and 107a to 107d of the surface acoustic wave filters 103a to 103d.
  • the present invention has been made in view of the above points, and an object of the present invention is a dual-band surface acoustic wave filter that is mounted on a circuit board together with a high-frequency switch and constitutes a composite high-frequency component together with the high-frequency switch. It is an object of the present invention to provide a dual band surface acoustic wave filter capable of suppressing deterioration of filter characteristics of a high frequency component and a composite high frequency component including the dual band surface acoustic wave filter.
  • the dual-band surface acoustic wave filter according to the present invention includes a rectangular wiring board, a first surface acoustic wave chip, and a second surface acoustic wave chip.
  • the wiring board includes first and second long sides, first and second short sides, a first corner formed by the first long side and the first short side, and a second A second corner portion composed of a long side and a second short side, and first and second main surfaces.
  • the first surface acoustic wave chip is mounted on the first main surface of the wiring board.
  • the first surface acoustic wave chip includes a first piezoelectric substrate and a first surface acoustic wave filter portion formed on the first piezoelectric substrate.
  • the second surface acoustic wave chip is mounted on the first main surface of the wiring board.
  • the second surface acoustic wave chip includes a second piezoelectric substrate and a second surface acoustic wave filter portion formed on the second piezoelectric substrate.
  • the second surface acoustic wave filter unit has a band different from that of the first surface acoustic wave filter unit.
  • the first surface acoustic wave filter unit includes a first input pad electrode and a first output pad electrode.
  • the second surface acoustic wave filter section has a second input pad electrode and a second output pad electrode. A first input terminal, a second input terminal, a first output terminal, and a second output terminal are formed on the second main surface of the wiring board.
  • the first input pad electrode is electrically connected to the first input terminal.
  • the second input pad electrode is electrically connected to the second input pad electrode.
  • the first output pad electrode is electrically connected to the first output terminal.
  • the second output pad electrode is electrically connected to the second output terminal.
  • the first input terminal is formed on the first corner of the second main surface of the wiring board.
  • the second input terminal is arranged along the first long side or the first short side on the second main surface of the wiring board so as to be adjacent to the first input terminal.
  • the first and second output terminals are arranged along the second long side at the second long side end edge of the second main surface of the wiring board.
  • the first piezoelectric substrate and the second piezoelectric substrate are integrally formed. According to this configuration, the dual band surface acoustic wave filter can be further downsized.
  • each of the first and second surface acoustic wave filter sections has a balance-unbalance conversion function, and the first and second outputs. Two each of the terminals are provided.
  • the first output terminal is formed integrally with the second output terminal.
  • the composite high-frequency component according to the present invention includes the dual-band surface acoustic wave filter according to the present invention, a high-frequency switch, and a rectangular circuit board.
  • the circuit board has a first main surface on which the dual-band surface acoustic wave filter and the high-frequency switch are mounted, and a second main surface facing the first main surface.
  • one long side of the first main surface of the circuit board is opposed to the second short side of the dual-band surface acoustic wave filter, and the first main surface of the circuit board is One short side and the second long side of the dual-band surface acoustic wave filter are arranged to face each other.
  • the high frequency switch is disposed on the first main surface of the circuit board so as to face the first long side of the dual-band surface acoustic wave filter.
  • the second main surface of the circuit board is arranged along the long side at the edge of one long side of the first main surface of the circuit board, and the first and second output terminals A plurality of external terminals that are electrically connected to each other are formed.
  • the circuit board is configured to electrically connect the input-side wiring that electrically connects the first and second input terminals and the high-frequency switch, and the plurality of external terminals and the first and second output terminals. A plurality of output side wirings are formed.
  • the composite high-frequency component further includes a dual band surface acoustic wave filter.
  • the further dual-band surface acoustic wave filter has a first long side facing the high frequency switch and a second short side on one side of the first main surface of the circuit board on the first main surface of the circuit board.
  • the second long side is arranged to face the other short side of the first main surface of the circuit board while facing the side.
  • the second main surface of the circuit board is arranged along the long side along with the plurality of external terminals at the edge of one long side of the first main surface of the circuit board.
  • a plurality of further external terminals are formed that are electrically connected to the first and second output terminals of the band surface acoustic wave filter.
  • the circuit board further includes a further input-side wiring electrically connecting the first and second input terminals of the further dual-band surface acoustic wave filter and the high-frequency switch, a plurality of further external terminals, and a further dual-band elasticity.
  • a plurality of further output-side wirings that electrically connect the first and second output terminals of the surface wave filter are formed.
  • a dual-band surface acoustic wave filter that is mounted on a circuit board together with a high-frequency switch and constitutes a composite high-frequency component together with the high-frequency switch, the dual-band elastic that can suppress deterioration of filter characteristics of the composite high-frequency component
  • a surface wave filter and a composite high frequency component including the same can be provided.
  • FIG. 1 is an equivalent circuit diagram of the composite high-frequency component according to the first embodiment.
  • FIG. 2 is a schematic perspective plan view of the composite high-frequency component according to the first embodiment.
  • FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of the dual-band surface acoustic wave filter according to the first embodiment.
  • FIG. 4 is a schematic plan view of the surface of the wiring board according to the first embodiment.
  • FIG. 5 is a schematic perspective view of the back surface of the wiring board in the first embodiment.
  • FIG. 6 is a schematic plan view of the back surface of the surface acoustic wave chip according to the first embodiment.
  • FIG. 1 is an equivalent circuit diagram of the composite high-frequency component according to the first embodiment.
  • FIG. 2 is a schematic perspective plan view of the composite high-frequency component according to the first embodiment.
  • FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of the dual-band surface acoustic wave filter according to the first embodiment.
  • FIG. 4 is a schematic plan view of the surface of
  • FIG. 7 is a graph showing the insertion loss of the fourth filter unit in the composite high-frequency component according to the example and the insertion loss of the fourth filter unit in the composite high-frequency component according to the comparative example.
  • FIG. 8 is a graph showing the amplitude balance of the fourth filter unit in the composite high-frequency component according to the example and the amplitude balance of the fourth filter unit in the composite high-frequency component according to the comparative example.
  • FIG. 9 is a graph showing the phase balance of the fourth filter unit in the composite high-frequency component according to the example and the phase balance of the fourth filter unit in the composite high-frequency component according to the comparative example.
  • FIG. 10 is a schematic perspective view of the back surface of the wiring board in the modified example.
  • FIG. 11 is a schematic perspective view of the switch module described in Patent Document 1.
  • FIG. FIG. 12 is a schematic plan view of a switch module according to a reference example.
  • FIG. 13 is a schematic plan view for explaining a connection mode between the output end of the surface acoustic wave filter and the terminal electrode in the reference example.
  • the composite high frequency component 1 of the present embodiment is compatible with four communication systems of GSM1800, GSM1900, GSM850, and GSM900.
  • the transmission / reception signal can be switched by the high frequency switch 10 in the above four communication methods.
  • the composite high-frequency component 1 includes a high-frequency switch 10 that is electrically connected to the antenna terminal 11, and 6 that is electrically connected to the antenna terminal 11 via the high-frequency switch 10. And two filter parts 12-17.
  • the first filter unit 12 functions as a transmission filter (Tx) unit of GSM1800 and GSM1900.
  • the second filter unit 13 functions as a transmission side filter (Tx) unit of GSM850 and GSM900.
  • the third filter unit 14 functions as a reception side filter (Rx) unit of the GSM 1800.
  • the fourth filter unit 15 functions as a reception side filter (Rx) unit of GSM1900.
  • the fifth filter unit 16 functions as a reception-side filter (Rx) unit of GSM850.
  • the sixth filter unit 17 functions as a reception side filter (Rx) unit of GSM900.
  • the high frequency switch 10 is a switch that selectively connects at least one of the first filter unit 12 to the sixth filter unit 17 to the antenna terminal 11.
  • the high-frequency switch 10 can be composed of, for example, a GaAs switch.
  • the 1st and 2nd filter parts 12 and 13 have a function as a low-pass filter.
  • the third to sixth filter sections 14 to 17 function as bandpass filters.
  • the third to sixth filter units 14 to 17 are filter units having a balance-unbalance conversion function.
  • the composite high frequency component 1 includes a rectangular circuit board 20 formed by laminating a plurality of dielectric layers.
  • the circuit board 20 includes first and second long sides 20A and 20B extending along a first direction x, and first and second sides extending along a second direction y perpendicular to the first direction x. 2 short sides 20C, 20D. Further, the circuit board 20 has a first main surface (front surface) 20a and a second main surface (back surface) 20b facing the first main surface 20a.
  • the high-frequency switch 10 two dual-band surface acoustic wave filters 30a and 30b, and other chip components 21a to 21d are mounted.
  • Each of the dual band surface acoustic wave filters 30a and 30b is a dual band type surface acoustic wave filter having two surface acoustic wave filter portions having different pass bands.
  • the dual-band surface acoustic wave filter 30 a includes the third filter unit 14 and the fourth filter unit 15 shown in FIG.
  • the dual-band surface acoustic wave filter 30 b includes a fifth filter unit 16 and a sixth filter unit 17.
  • dual-band surface acoustic wave filters 30a and 30b generally have the same configuration except for details such as the configuration of the IDT electrode. Therefore, a specific configuration of the dual band surface acoustic wave filters 30a and 30b will be described with reference to FIGS. 3 and 4 to 6 which are schematic sectional views of the dual band surface acoustic wave filter 30a.
  • the dual-band surface acoustic wave filter 30a has a rectangular wiring substrate 31 formed by laminating a plurality of dielectric layers.
  • the wiring board 31 includes a first main surface (front surface) 31a and a second main surface (back surface) 31b facing the first main surface 31a. Have.
  • a surface acoustic wave chip 32 is flip-chip bonded on the first main surface 31 a of the wiring substrate 31 and sealed with a resin package 34.
  • the first surface acoustic wave chip having the third filter portion 14 and the second surface acoustic wave chip having the fourth filter portion 15 shown in FIG. 1 are integrally formed. Is.
  • the surface acoustic wave chip 32 includes a piezoelectric substrate 33 in which the piezoelectric substrate of the first surface acoustic wave chip and the piezoelectric substrate of the second surface acoustic wave chip are integrally formed.
  • the piezoelectric substrate 33 can be formed of an appropriate piezoelectric material.
  • the piezoelectric substrate 33 can be formed of LiNbO 3 , LiTaO 3 , quartz, or the like.
  • first surface acoustic wave chip and the second surface acoustic wave chip may be provided separately by separately providing each piezoelectric substrate.
  • a first surface acoustic wave filter part 35 constituting the third filter part 14 and a second surface acoustic wave filter part 36 constituting the fourth filter part 15 are provided on the piezoelectric substrate 33. And are formed.
  • the second surface acoustic wave filter unit 36 is different in pass band from the first surface acoustic wave filter unit 35. That is, in the present embodiment, the reception frequency band of the second surface acoustic wave filter unit 36 is different from the reception frequency band of the first surface acoustic wave filter unit 35.
  • the first surface acoustic wave filter section 35 is a so-called balanced surface acoustic wave filter section having a balance-unbalance conversion function.
  • the first surface acoustic wave filter unit 35 includes a first input pad electrode 35a and two first output pad electrodes 35b1 and 35b2.
  • a longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave element 35c is electrically connected between the first input pad electrode 35a and the two first output pad electrodes 35b1 and 35b2.
  • a surface acoustic wave resonator 35d is electrically connected between the longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave element 35c and the first output pad electrode 35b1.
  • a surface acoustic wave resonator 35e is electrically connected between the longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave element 35c and the first output pad electrode 35b2.
  • the second surface acoustic wave filter unit 36 is a so-called balanced surface acoustic wave filter unit having a balance-unbalance conversion function.
  • the second surface acoustic wave filter unit 36 includes a second input pad electrode 36a and two second output pad electrodes 36b1 and 36b2.
  • a longitudinally coupled resonator-type surface acoustic wave element 36c is electrically connected between the second input pad electrode 36a and the two second output pad electrodes 36b1 and 36b2.
  • a surface acoustic wave resonator 36d is electrically connected between the longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave element 36c and the second input pad electrode 36a.
  • ground pad electrodes 37a to 37c are provided.
  • the first and second input pad electrodes 35a, 36a and the first and second output pad electrodes 35b1, 35b2, 36b1, 36b2 are formed on the first main surface 31a of the wiring board 31 shown in FIG.
  • the electrodes 38a to 38f are electrically connected via bumps.
  • the first input pad electrode 35a is electrically connected to the electrode 38a.
  • the second input pad electrode 36a is electrically connected to the electrode 38b.
  • the first output pad electrode 35b1 is electrically connected to the electrode 38c.
  • the first output pad electrode 35b2 is electrically connected to the electrode 38d.
  • the second output pad electrode 36b1 is electrically connected to the electrode 38e.
  • the second output pad electrode 36b2 is electrically connected to the electrode 38f.
  • the ground pad electrodes 37a to 37c are electrically connected via bumps to an electrode 38g that is electrically connected to the ground potential.
  • the other electrodes 38h and 38i are dummy electrodes.
  • the electrodes 38a to 38f are formed on the second main surface (back surface) 31b of the wiring board 31 as shown in FIG. 5 by the wiring 40 formed in the wiring board 31 schematically shown in FIG.
  • the input / output terminals 39a to 39f are electrically connected.
  • the electrode 38a electrically connected to the first input pad electrode 35a is electrically connected to the first input terminal 39a.
  • the electrode 38b electrically connected to the second input pad electrode 36a is electrically connected to the second input terminal 39b.
  • the electrode 38c to which the first output pad electrode 35b1 is electrically connected is electrically connected to the first output terminal 39c.
  • the electrode 38d to which the first output pad electrode 35b2 is electrically connected is connected to the first output terminal 39d.
  • the electrode 38e to which the second output pad electrode 36b1 is electrically connected is connected to the second output terminal 39e.
  • the electrode 38f to which the second output pad electrode 36b2 is electrically connected is connected to the second output terminal 39f.
  • the first input terminal 39 a is formed on the first corner portion 31 ⁇ / b> E of the second main surface 31 b of the wiring substrate 31.
  • the first input terminal 39a is opposed to each of the first long side 31A and the first short side 31C.
  • the second input terminal 39b is arranged along the first long side 31A on the second main surface 31b of the wiring board 31 so as to be adjacent to the first input terminal 39a.
  • the first and second input terminals 39a and 39b are arranged so as to be biased toward the first corner portion 31E at the edge portion on the first long side 31A side.
  • FIG. 5 is a perspective plan view showing the first and second input terminals 39a and 39b and the first and second output terminals 39c to 39f as seen from the first main surface 31a side of the wiring board 31. .
  • terminals other than the input / output terminals 39a to 39f are ground terminals or dummy terminals.
  • the high-frequency switch 10 and the two dual-band surface acoustic wave filters 30a and 30b are in a first direction that is a direction in which the first and second long sides 20A and 20B of the circuit board 20 extend. Arranged along x.
  • the high-frequency switch 10 is located at the center in the first direction x.
  • the dual band surface acoustic wave filter 30 a is disposed on the x1 side in the first direction x with respect to the high frequency switch 10.
  • the dual-band surface acoustic wave filter 30 b is disposed on the x2 side in the first direction x with respect to the high-frequency switch 10.
  • the first long side 20A of the first main surface 20a of the circuit board 20 and the second short side 31D of the dual-band surface acoustic wave filter 30a are opposed to each other.
  • the first short side 20C of the 20 first main surfaces 20a and the second long side 31B of the dual-band surface acoustic wave filter 30a are arranged to face each other.
  • the first long side 20A of the first main surface 20a of the circuit board 20 and the second short side 31D of the dual-band surface acoustic wave filter 30b face each other, and the circuit board
  • the second short side 20D of the 20 first main surfaces 20a and the second long side 31B of the dual-band surface acoustic wave filter 30b are arranged to face each other.
  • the dual-band surface acoustic wave filter 30b has a mirror-symmetric arrangement of the first and second input terminals 39a and 39b and the first and second output terminals 39c to 39f with respect to the dual-band surface acoustic wave filter 30a. It is comprised so that.
  • the high-frequency switch 10 is formed in a rectangular shape, and is disposed on the first main surface 20a of the circuit board 20 so as to face the first long sides 31A of the dual-band surface acoustic wave filters 30a and 30b. ing. For this reason, the first and second input terminals 39a and 39b of the dual-band surface acoustic wave filters 30a and 30b are disposed close to the high-frequency switch 10.
  • the first and second input terminals 39a and 39b are electrically connected to the high-frequency switch 10 through input-side wirings 41a and 41b provided in the circuit board 20 and via-hole electrodes.
  • the first and second output terminals 39c to 39f are electrically connected to a plurality of external terminals 43a to 43h formed on the second main surface (back surface) 20b of the circuit board 20.
  • the plurality of external terminals 43a to 43h are arranged along the first long side 20A at the edge of the second major surface 20b of the circuit board 20 on the first long side 20A side.
  • the first output terminal 39c of the dual-band surface acoustic wave filter 30a is connected to the external terminal 43c via the output-side wiring 42a and the via-hole electrode formed inside the circuit board 20. Electrically connected.
  • the first output terminal 39d of the dual-band surface acoustic wave filter 30a is electrically connected to the external terminal 43d via the output-side wiring 42b formed in the circuit board 20 and the via hole electrode.
  • the second output terminal 39e of the dual-band surface acoustic wave filter 30a is electrically connected to the external terminal 43b via the output side wiring 42c formed inside the circuit board 20 and the via hole electrode.
  • the second output terminal 39f of the dual-band surface acoustic wave filter 30a is electrically connected to the external terminal 43a via the output-side wiring 42d formed in the circuit board 20 and the via hole electrode.
  • the first output terminal 39c of the dual-band surface acoustic wave filter 30b is electrically connected to the external terminal 43f via the output-side wiring 42e and the via-hole electrode formed inside the circuit board 20. .
  • the first output terminal 39d of the dual-band surface acoustic wave filter 30b is electrically connected to the external terminal 43e via an output-side wiring 42f formed inside the circuit board 20 and a via-hole electrode.
  • the second output terminal 39e of the dual-band surface acoustic wave filter 30b is electrically connected to the external terminal 43g via the output-side wiring 42g formed inside the circuit board 20 and the via hole electrode.
  • the second output terminal 39f of the dual-band surface acoustic wave filter 30b is electrically connected to the external terminal 43h via the output-side wiring 42h and the via-hole electrode formed inside the circuit board 20.
  • the chip components 21a to 21d are arranged on the first main surface 20a of the circuit board 20 at the first edge on the y2 side in the second direction y relative to the high frequency switch 10 and the dual band surface acoustic wave filters 30a and 30b. Are arranged along the direction x.
  • the first and second filter parts 12 and 13 are constituted by LC resonance circuits made of a wiring pattern (not shown) formed inside the circuit board 20.
  • the first input terminal 39a is formed in the first corner portion 31E.
  • the second input terminal 39b is disposed along the first long side 31A so as to be adjacent to the first input terminal 39a.
  • the first and second output terminals 39c to 39f are arranged along the second long side 31B at the end edge on the second long side 31B side. For this reason, in order to minimize the wiring connecting the composite high-frequency component 1 and the subsequent RF-IC, the external terminals 43a to 43h of the composite high-frequency component 1 are arranged at the edge on the first long side 20A side.
  • FIG. 7 is a graph showing the insertion loss of the fourth filter part in the composite high-frequency part according to the example and the insertion loss of the fourth filter part in the composite high-frequency part according to the comparative example.
  • FIG. 8 is a graph showing the amplitude balance of the fourth filter unit in the composite high-frequency component according to the example and the amplitude balance of the fourth filter unit in the composite high-frequency component according to the comparative example.
  • FIG. 9 is a graph showing the phase balance of the fourth filter unit in the composite high-frequency component according to the example and the phase balance of the fourth filter unit in the composite high-frequency component according to the comparative example.
  • the composite high frequency component according to the example shown in FIGS. 7 to 9 has the same configuration as the composite high frequency component 1 according to the first embodiment, and the composite high frequency component according to the comparative example is shown in FIG.
  • the configuration is the same as that of the example except that the arrangement configuration of the components shown and the layout of the internal wiring of the circuit board shown in FIG. 13 are adopted.
  • the example adopting the configuration of the first embodiment does not deteriorate the isolation between input and output as compared with the comparative example. Therefore, the insertion loss in the pass band is small and the pass band is high.
  • the out-of-band attenuation on the band side is large.
  • FIGS. 8 and 9 it can be seen that the balance of the balanced output signal is better in the embodiment than in the comparative example. From the above, it can be seen that good filter characteristics can be obtained by adopting the configuration of the first embodiment.
  • the composite high-frequency component 1 can be reduced in size.
  • first and second input terminals 39a and 39b are arranged along the first long side 31A.
  • the present invention is not limited to this configuration.
  • the first and second input terminals 39a and 39b may be adjacent to each other, and may be arranged along the first short side 31C of the wiring board 31.
  • all of the first and second output terminals 39c to 39f are arranged along the second long side 31B in each of the dual-band surface acoustic wave filters 30a and 30b.
  • the present invention is not limited to this configuration.
  • at least one of the two first output terminals of the dual-band surface acoustic wave filter and at least one of the two second output terminals are arranged on the second long side 31B side.
  • the remaining first output pad electrode or second output pad electrode may be disposed on the first short side 31C side or the second short side 31D side.
  • the present invention is not limited to this configuration.
  • the output terminal of the first surface acoustic wave filter unit may be shared with the output terminal of the second surface acoustic wave filter unit.
  • the first and second surface acoustic wave filter sections may be of an unbalanced type that does not have a balance-unbalance conversion function. In these cases, two output terminals are provided. For example, in the example shown in FIG.
  • the output terminals 39x and 39y are disposed at the second corner portion 31F, while the first and second input terminals 39a and 39b are disposed at the first corner portion 31E. That is, it is preferable to arrange the output terminals 39x and 39y and the first and second input terminals 39a and 39b diagonally.
  • the output terminals 39x and 39y and the first and second input terminals 39a and 39b have been described as being arranged along the long sides.
  • Each of 39y and the first and second input terminals 39a and 39b may be arranged along the short side.
  • the degree of freedom of arrangement of the input side wirings 41a and 41b and the output side wirings 42a to 42h of the circuit board 20 can be increased. It can be further increased.
  • surface acoustic wave resonator 36 ... second surface acoustic wave filter section 36a ... second input pad electrodes 36b1, 36b2 ... second output Pad electrode 36c ... longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave element 36d ... surface acoustic wave resonators 37a to 37c ... ground pad electrodes 38a to 38h ... electrode 39a ... first input terminal 39b ... second input terminals 39c to 39f, 39x, 39y ... output terminal 40 ... wiring 41a, 41b ... input side wiring 42a-42h ... output side wiring 43a-43h ... external terminal

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Abstract

　高周波スイッチと共に回路基板上に実装され、高周波スイッチと共に複合高周波部品を構成するデュアルバンド弾性表面波フィルタであって、複合高周波部品のフィルタ特性の劣化を抑制し得るデュアルバンド弾性表面波フィルタ及びそれを備える複合高周波部品を提供する。　第１の入力端子３９ａは、配線基板３１の第２の主面３１ｂの第１の角部３１Ｅの上に形成されている。第２の入力端子３９ｂは、配線基板３１の第２の主面３１ｂの上において、第１の入力端子３９ａと隣り合うように、第１の長辺３１Ａまたは第１の短辺３１Ｃに沿って配置されている。第１及び第２の出力端子３９ｃ～３９ｆは、配線基板３１の第２の主面３１ｂの第２の長辺３１Ｂ側の端縁部において、第２の長辺３１Ｂに沿って配列されている。

Description

デュアルバンド弾性表面波フィルタ及び複合高周波部品
　本発明は、デュアルバンド弾性表面波フィルタ及び複合高周波部品に関する。特に、本発明は、高周波スイッチを備える複合高周波部品に用いられるデュアルバンド弾性表面波フィルタ及びそれを備える複合高周波部品に関する。
　近年、周波数帯が異なる複数の通信方式に対応した携帯電話機が広く普及している。このような携帯電話機においては、複数の通信方式の送受信信号を単一のアンテナで送受信するために、複数の送受信信号を切り換え可能なスイッチモジュールが使用されている。
　例えば、下記の特許文献１には、このようなスイッチモジュールの一例として、図１１に示すスイッチモジュール１００が記載されている。
　図１１に示すように、スイッチモジュール１００は、複数の誘電体層を積層してなる回路基板１０１を有する。回路基板１０１の表面の上には、高周波スイッチ１０２と、複数の弾性表面波フィルタ１０３ａ～１０３ｃと、複数のチップコンデンサ１０４ａ～１０４ｄと、チップインダクタ１０４ｅとが実装されている。なお、複数の弾性表面波フィルタ１０３ａ～１０３ｃのうち、弾性表面波フィルタ１０３ａ、１０３ｃのそれぞれは、一つの弾性表面波フィルタ部を有するシングルバンド弾性表面波フィルタである。一方、弾性表面波フィルタ１０３ｂは、二つの弾性表面波フィルタ部を有するデュアルバンド弾性表面波フィルタである。
　図示は省略するが、弾性表面波フィルタ１０３ａ～１０３ｃのそれぞれの出力端子は、回路基板１０１の積層方向に連続するビアホール電極を介して、回路基板１０１の裏面に形成された外部端子に接続されている。このため、弾性表面波フィルタ１０３ａ～１０３ｃの出力端子のほぼ直下に、回路基板１０１の各外部端子が位置するため、出力端子と外部端子とを接続する出力側配線は短くなり、かつ隣り合う２つの出力側配線が積層方向に重なったり、近接したりすることはない。従って、寄生インピーダンスや寄生キャパシタンスが生じ難い。
　また、この場合は、回路基板１０１の裏面のｘ方向におけるｘ１側の端縁部付近に、ｘ方向に垂直なｙ方向に沿って複数の外部端子を配列できる。このため、スイッチモジュール１００の後段にあるＲＦ回路の一部を集積化したＲＦ－ＩＣと、回路基板１０１の外部端子とを接続する配線を短くできる。
特開２００７－２６６８４０号公報
　しかしながら、図１１に示すスイッチモジュール１００では、回路基板１０１の表面において、複数の弾性表面波フィルタ１０３ａ～１０３ｃがｘ１側の端縁部付近にｙ方向に沿って配列され、高周波スイッチ１０２がｘ２側の端縁部の中央付近に配置されている。このため、複数の弾性表面波フィルタ１０３ａ～１０３ｃの配置スペースのｙ方向に沿った長さ寸法が、高周波スイッチ１０２のｙ方向に沿った長さ寸法よりも大きくなる傾向にある。よって、高周波スイッチ１０２のｙ方向の両側にデッドスペースが生じ、スイッチモジュール１００が大型化するという問題がある。
　そこで、例えば、図１２に示すように、高周波スイッチ１０２のｙ方向の両側に、４つのシングルバンド弾性表面波フィルタ１０３ａ～１０３ｄを２つずつ分けて配置することも考えられる。この場合であれば、複数の弾性表面波フィルタ１０３ａ～１０３ｄの全てが直線状に配列される場合よりも、回路基板１０１上のデッドスペースを小さくし得るため、スイッチモジュールを小型化し得る。
　図１２に示すスイッチモジュールでは、弾性表面波フィルタ１０３ａ～１０３ｄの不平衡入力端子１０５ａ～１０５ｄと、高周波スイッチ１０２とが接続されることとなる。このため、図１２に示すように、不平衡入力端子１０５ａ～１０５ｄを高周波スイッチ１０２の近傍に配置することが好ましい。そのように構成した場合は、弾性表面波フィルタ１０３ａ～１０３ｄの第１及び第２の平衡出力端子１０６ａ～１０６ｄ、１０７ａ～１０７ｄは、弾性表面波フィルタ１０３ａ～１０３ｄのｙ方向における高周波スイッチ１０２とは反対側に配置されることとなる。
　ここで、図１１に示す場合と同様に、弾性表面波フィルタ１０３ａ～１０３ｄの出力端子の直下に外部端子を設けようとすると、図１２に示す場合は、複数の外部端子が、回路基板１０１のｙ１側短辺近傍と、ｙ２側短辺近傍との両方に分かれて配置されることとなる。このため、ｙ１側の外部端子から引き出された配線とｙ２側から引き出された配線との少なくとも一方は、配線が迂回してＲＦ－ＩＣに接続されることになる。その結果、従来のものより配線が長くなるため、高周波スイッチ１０２およびＲＦ－ＩＣを実装する基板の面積が大きくなる。
　よって、図１２に示す場合は、複数の外部端子１０８ａ～１０８ｈを、回路基板１０１のｘ１側の端縁部付近にｙ方向に沿って配列し、回路基板１０１の表面や内部に形成された配線によって、これら複数の外部端子１０８ａ～１０８ｈと、弾性表面波フィルタ１０３ａ～１０３ｄの第１及び第２の平衡出力端子１０６ａ～１０６ｄ、１０７ａ～１０７ｄとを電気的に接続する必要がある。
　しかしながら、本発明者が実験した結果、図１２に示すような配置構成を採用した場合、スイッチモジュールの弾性表面波フィルタのフィルタ特性が悪化することが分かった。すなわち、図１２に示すような配置構成を採用した場合、図１３に示すように、複数の外部端子１０８ａ～１０８ｈと第１及び第２の平衡出力端子１０６ａ～１０６ｄ、１０７ａ～１０７ｄとを電気的に接続している出力側配線１１０ａ～１１０ｈと、高周波スイッチ１０２と不平衡入力端子１０５ａ～１０５ｄとを電気的に接続している入力側配線１１１ａ～１１１ｄとが、回路基板１０１の積層方向において交差したり近接したりする。その結果、出力側配線１１０ａ～１１０ｈと入力側配線１１１ａ～１１１ｄとの間に寄生成分が生じ、それによって、入出力間のアイソレーションや平衡出力信号の平衡度が悪化していることが分かった。
　本発明は、係る点に鑑みて成されたものであり、その目的は、高周波スイッチと共に回路基板上に実装され、高周波スイッチと共に複合高周波部品を構成するデュアルバンド弾性表面波フィルタであって、複合高周波部品のフィルタ特性の劣化を抑制し得るデュアルバンド弾性表面波フィルタ及びそれを備える複合高周波部品を提供することにある。
　本発明に係るデュアルバンド弾性表面波フィルタは、長方形状の配線基板と、第１の弾性表面波チップと、第２の弾性表面波チップとを備えている。配線基板は、第１及び第２の長辺と、第１及び第２の短辺と、第１の長辺と第１の短辺とで構成されている第１の角部と、第２の長辺と第２の短辺とで構成されている第２の角部と、第１及び第２の主面とを有する。第１の弾性表面波チップは、配線基板の第１の主面の上に実装されている。第１の弾性表面波チップは、第１の圧電基板と、第１の圧電基板の上に形成されている第１の弾性表面波フィルタ部とを有する。第２の弾性表面波チップは、配線基板の第１の主面の上に実装されている。第２の弾性表面波チップは、第２の圧電基板と、第２の圧電基板の上に形成されている第２の弾性表面波フィルタ部とを有する。第２の弾性表面波フィルタ部は、第１の弾性表面波フィルタ部とは帯域が異なる。第１の弾性表面波フィルタ部は、第１の入力パッド電極と第１の出力パッド電極とを有する。第２の弾性表面波フィルタ部は、第２の入力パッド電極と第２の出力パッド電極とを有する。配線基板の第２の主面の上には、第１の入力端子と、第２の入力端子と、第１の出力端子と、第２の出力端子とが形成されている。第１の入力端子は、第１の入力パッド電極が電気的に接続されている。第２の入力端子は、第２の入力パッド電極が電気的に接続されている。第１の出力端子は、第１の出力パッド電極が電気的に接続されている。第２の出力端子は、第２の出力パッド電極が電気的に接続されている。第１の入力端子は、配線基板の第２の主面の第１の角部の上に形成されている。第２の入力端子は、配線基板の第２の主面の上において、第１の入力端子と隣り合うように、第１の長辺または第１の短辺に沿って配置されている。第１及び第２の出力端子は、配線基板の第２の主面の第２の長辺側の端縁部において、第２の長辺に沿って配列されている。
　本発明に係るデュアルバンド弾性表面波フィルタのある特定の局面では、第１の圧電基板と第２の圧電基板とが一体に形成されている。この構成によれば、デュアルバンド弾性表面波フィルタをより小型化することができる。
　本発明に係るデュアルバンド弾性表面波フィルタの他の特定の局面では、第１及び第２の弾性表面波フィルタ部のそれぞれは、平衡－不平衡変換機能を有し、第１及び第２の出力端子のそれぞれが２つずつ設けられている。
　本発明に係るデュアルバンド弾性表面波フィルタの別の特定の局面では、第１の出力端子は、第２の出力端子と一体に形成されている。
　本発明に係る複合高周波部品は、上記本発明に係るデュアルバンド弾性表面波フィルタと、高周波スイッチと、長方形状の回路基板とを備えている。回路基板は、デュアルバンド弾性表面波フィルタ及び高周波スイッチが実装されている第１の主面と、第１の主面に対向している第２の主面とを有する。デュアルバンド弾性表面波フィルタは、回路基板の第１の主面の一方の長辺と、デュアルバンド弾性表面波フィルタの第２の短辺とが対向すると共に、回路基板の第１の主面の一方の短辺とデュアルバンド弾性表面波フィルタの第２の長辺とが対向するように配置されている。高周波スイッチは、回路基板の第１の主面上において、デュアルバンド弾性表面波フィルタの第１の長辺と対向するように配置されている。回路基板の第２の主面には、回路基板の第１の主面の一方の長辺側の端縁部において、当該長辺に沿って配列されており、第１及び第２の出力端子に電気的に接続されている複数の外部端子が形成されている。回路基板には、第１及び第２の入力端子と高周波スイッチとを電気的に接続している入力側配線と、複数の外部端子と第１及び第２の出力端子とを電気的に接続している複数の出力側配線とが形成されている。
　本発明に係る複合高周波部品のある特定の局面では、複合高周波部品は、さらなるデュアルバンド弾性表面波フィルタを備えている。さらなるデュアルバンド弾性表面波フィルタは、回路基板の第１の主面上において、第１の長辺が高周波スイッチと対向し、第２の短辺が回路基板の第１の主面の一方の長辺と対向すると共に、第２の長辺が回路基板の第１の主面の他方の短辺と対向するように配置されている。回路基板の第２の主面には、回路基板の第１の主面の一方の長辺側の端縁部において、複数の外部端子と共に、当該長辺に沿って配列されており、さらなるデュアルバンド弾性表面波フィルタの第１及び第２の出力端子に電気的に接続されている複数のさらなる外部端子が形成されている。回路基板には、さらなるデュアルバンド弾性表面波フィルタの第１及び第２の入力端子と高周波スイッチとを電気的に接続しているさらなる入力側配線と、複数のさらなる外部端子と、さらなるデュアルバンド弾性表面波フィルタの第１及び第２の出力端子とを電気的に接続している複数のさらなる出力側配線が形成されている。
　本発明によれば、高周波スイッチと共に回路基板上に実装され、高周波スイッチと共に複合高周波部品を構成するデュアルバンド弾性表面波フィルタであって、複合高周波部品のフィルタ特性の劣化を抑制し得るデュアルバンド弾性表面波フィルタ及びそれを備える複合高周波部品を提供することができる。
図１は、第１の実施形態に係る複合高周波部品の等価回路図である。 図２は、第１の実施形態に係る複合高周波部品の模式的透視平面図である。 図３は、第１の実施形態におけるデュアルバンド弾性表面波フィルタの略図的断面図である。 図４は、第１の実施形態における配線基板の表面の略図的平面図である。 図５は、第１の実施形態における配線基板の裏面の略図的透視図である。 図６は、第１の実施形態における弾性表面波チップの裏面の略図的平面図である。 図７は、実施例に係る複合高周波部品における第４のフィルタ部の挿入損失と、比較例に係る複合高周波部品における第４のフィルタ部の挿入損失とを表すグラフである。 図８は、実施例に係る複合高周波部品における第４のフィルタ部の振幅平衡度と、比較例に係る複合高周波部品における第４のフィルタ部の振幅平衡度とを表すグラフである。 図９は、実施例に係る複合高周波部品における第４のフィルタ部の位相平衡度と、比較例に係る複合高周波部品における第４のフィルタ部の位相平衡度とを表すグラフである。 図１０は、変形例における配線基板の裏面の略図的透視図である。 図１１は、特許文献１に記載のスイッチモジュールの略図的斜視図である。 図１２は、参考例に係るスイッチモジュールの略図的平面図である。 図１３は、参考例における弾性表面波フィルタの出力端と端子電極との間の接続態様を説明するための略図的平面図である。
　（第１の実施形態）
　以下、本発明を実施した好ましい形態について、図１及び図２に示す複合高周波部品１を例に挙げて説明する。但し、図１及び図２に示す複合高周波部品１は、単なる例示である。本発明に係る複合高周波部品は、複合高周波部品１に何ら限定されない。
　本実施形態の複合高周波部品１は、ＧＳＭ１８００、ＧＳＭ１９００、ＧＳＭ８５０、ＧＳＭ９００の４つの通信方式に対応している。複合高周波部品１では、高周波スイッチ１０により、上記４つの通信方式での送受信信号の切り換えが可能となっている。
　具体的には、図１に示すように、複合高周波部品１は、アンテナ端子１１に電気的に接続される高周波スイッチ１０と、高周波スイッチ１０を介してアンテナ端子１１に電気的に接続される６つのフィルタ部１２～１７とを備えている。第１のフィルタ部１２は、ＧＳＭ１８００及びＧＳＭ１９００の送信側フィルタ（Ｔｘ）部として機能する。第２のフィルタ部１３は、ＧＳＭ８５０及びＧＳＭ９００の送信側フィルタ（Ｔｘ）部として機能する。第３のフィルタ部１４は、ＧＳＭ１８００の受信側フィルタ（Ｒｘ）部として機能する。第４のフィルタ部１５は、ＧＳＭ１９００の受信側フィルタ（Ｒｘ）部として機能する。第５のフィルタ部１６は、ＧＳＭ８５０の受信側フィルタ（Ｒｘ）部として機能する。第６のフィルタ部１７は、ＧＳＭ９００の受信側フィルタ（Ｒｘ）部として機能する。
　高周波スイッチ１０は、これら第１のフィルタ部１２～第６のフィルタ部１７の少なくとも一つと、アンテナ端子１１とを選択的に接続するスイッチである。なお、高周波スイッチ１０は、例えば、ＧａＡｓスイッチにより構成することができる。
　なお、図１に示すように、第１及び第２のフィルタ部１２，１３は、ローパスフィルタとしての機能を有する。一方、第３～第６のフィルタ部１４～１７は、バンドパスフィルタとしての機能を有している。また、第３～第６のフィルタ部１４～１７は、平衡－不平衡変換機能を有するフィルタ部である。
　図２に示すように、複合高周波部品１は、複数の誘電体層を積層してなる長方形状の回路基板２０を備えている。回路基板２０は、第１の方向ｘに沿って延びる第１及び第２の長辺２０Ａ，２０Ｂと、第１の方向ｘに対して垂直な第２の方向ｙに沿って延びる第１及び第２の短辺２０Ｃ，２０Ｄとを有する。また、回路基板２０は、第１の主面（表面）２０ａと、第１の主面２０ａに対向している第２の主面（裏面）２０ｂとを有する。回路基板２０の第１の主面２０ａの上には、高周波スイッチ１０と、２つのデュアルバンド弾性表面波フィルタ３０ａ、３０ｂと、その他のチップ部品２１ａ～２１ｄとが実装されている。
　デュアルバンド弾性表面波フィルタ３０ａ、３０ｂのそれぞれは、通過帯域が相互に異なる２つの弾性表面波フィルタ部を有するデュアルバンドタイプの弾性表面波フィルタである。詳細には、デュアルバンド弾性表面波フィルタ３０ａは、図１に示す第３のフィルタ部１４と、第４のフィルタ部１５とを有する。一方、デュアルバンド弾性表面波フィルタ３０ｂは、第５のフィルタ部１６と第６のフィルタ部１７とを有する。
　これらデュアルバンド弾性表面波フィルタ３０ａ、３０ｂは、ＩＤＴ電極の構成等の詳細を除いて、大略的には同様の構成を有する。このため、デュアルバンド弾性表面波フィルタ３０ａの略図的断面図である図３及び図４～図６を参照しながらデュアルバンド弾性表面波フィルタ３０ａ、３０ｂの具体的構成について説明する。
　図３～図５に示すように、デュアルバンド弾性表面波フィルタ３０ａは、複数の誘電体層を積層してなる長方形状の配線基板３１を有する。図４及び図５に示すように、第１及び第２の長辺３１Ａ，３１Ｂと、第１及び第２の短辺３１Ｃ，３１Ｄと、第１の長辺３１Ａと第１の短辺３１Ｃとで構成されている第１の角部３１Ｅと、第２の長辺３１Ｂと第２の短辺３１Ｄとで構成されている第２の角部３１Ｆとを有する。また、配線基板３１は、図３～図５に示すように、第１の主面（表面）３１ａと、第１の主面３１ａと対向している第２の主面（裏面）３１ｂとを有する。
　図３に示すように、配線基板３１の第１の主面３１ａの上には、弾性表面波チップ３２がフリップチップボンディングされており、樹脂パッケージ３４により封止されている。弾性表面波チップ３２は、図１に示す第３のフィルタ部１４を有する第１の弾性表面波チップと、第４のフィルタ部１５を有する第２の弾性表面波チップとが一体に形成されたものである。
　図６に示すように、弾性表面波チップ３２は、上記第１の弾性表面波チップの圧電基板と第２の弾性表面波チップの圧電基板とが一体に形成された圧電基板３３を備えている。圧電基板３３は、適宜の圧電材料により形成することができる。圧電基板３３は、ＬｉＮｂＯ３やＬｉＴａＯ３、水晶などにより形成することができる。
　なお、第１の弾性表面波チップと第２の弾性表面波チップとは、それぞれの圧電基板を別個に設けることにより別体に設けられていてもよい。
　圧電基板３３の上には、第３のフィルタ部１４を構成している第１の弾性表面波フィルタ部３５と、第４のフィルタ部１５を構成している第２の弾性表面波フィルタ部３６とが形成されている。この第２の弾性表面波フィルタ部３６は、第１の弾性表面波フィルタ部３５と通過帯域が異なる。すなわち、本実施形態では、第２の弾性表面波フィルタ部３６の受信周波数帯は、第１の弾性表面波フィルタ部３５の受信周波数帯とは異なる。
　第１の弾性表面波フィルタ部３５は、平衡－不平衡変換機能を有する所謂バランス型の弾性表面波フィルタ部である。第１の弾性表面波フィルタ部３５は、第１の入力パッド電極３５ａと、２つの第１の出力パッド電極３５ｂ１，３５ｂ２とを有する。第１の入力パッド電極３５ａと、２つの第１の出力パッド電極３５ｂ１，３５ｂ２との間には、縦結合共振子型弾性表面波素子３５ｃが電気的に接続されている。縦結合共振子型弾性表面波素子３５ｃと第１の出力パッド電極３５ｂ１との間には、弾性表面波共振子３５ｄが電気的に接続されている。縦結合共振子型弾性表面波素子３５ｃと第１の出力パッド電極３５ｂ２との間には、弾性表面波共振子３５ｅが電気的に接続されている。
　第２の弾性表面波フィルタ部３６も、第１の弾性表面波フィルタ部３５と同様に、平衡－不平衡変換機能を有する所謂バランス型の弾性表面波フィルタ部である。第２の弾性表面波フィルタ部３６は、第２の入力パッド電極３６ａと、２つの第２の出力パッド電極３６ｂ１，３６ｂ２とを有する。第２の入力パッド電極３６ａと、２つの第２の出力パッド電極３６ｂ１，３６ｂ２との間には、縦結合共振子型弾性表面波素子３６ｃが電気的に接続されている。縦結合共振子型弾性表面波素子３６ｃと第２の入力パッド電極３６ａとの間には、弾性表面波共振子３６ｄが電気的に接続されている。
　また、圧電基板３３の上には、グラウンドパッド電極３７ａ～３７ｃが設けられている。
　第１及び第２の入力パッド電極３５ａ，３６ａと、第１及び第２の出力パッド電極３５ｂ１，３５ｂ２，３６ｂ１，３６ｂ２とは、図４に示す配線基板３１の第１の主面３１ａの上に形成されている電極３８ａ～３８ｆにバンプを介して電気的に接続されている。具体的には、第１の入力パッド電極３５ａが電極３８ａに電気的に接続されている。第２の入力パッド電極３６ａが電極３８ｂに電気的に接続されている。第１の出力パッド電極３５ｂ１が電極３８ｃに電気的に接続されている。第１の出力パッド電極３５ｂ２が電極３８ｄに電気的に接続されている。第２の出力パッド電極３６ｂ１が電極３８ｅに電気的に接続されている。第２の出力パッド電極３６ｂ２が電極３８ｆに電気的に接続されている。グラウンドパッド電極３７ａ～３７ｃは、グラウンド電位に電気的に接続されている電極３８ｇにバンプを介して電気的に接続されている。なお、その他の電極３８ｈ及び３８ｉは、ダミー電極である。
　電極３８ａ～３８ｆは、図３に模式的に示す、配線基板３１内に形成されている配線４０によって、図５に示すように、配線基板３１の第２の主面（裏面）３１ｂ上に形成されている入出力端子３９ａ～３９ｆに電気的に接続されている。具体的には、第１の入力パッド電極３５ａに電気的に接続されている電極３８ａは、第１の入力端子３９ａに電気的に接続されている。第２の入力パッド電極３６ａに電気的に接続されている電極３８ｂは、第２の入力端子３９ｂに電気的に接続されている。第１の出力パッド電極３５ｂ１が電気的に接続されている電極３８ｃは、第１の出力端子３９ｃに電気的に接続されている。第１の出力パッド電極３５ｂ２が電気的に接続されている電極３８ｄは、第１の出力端子３９ｄに接続されている。第２の出力パッド電極３６ｂ１が電気的に接続されている電極３８ｅは、第２の出力端子３９ｅに接続されている。第２の出力パッド電極３６ｂ２が電気的に接続されている電極３８ｆは、第２の出力端子３９ｆに接続されている。
　図５に示すように、第１の入力端子３９ａは、配線基板３１の第２の主面３１ｂの第１の角部３１Ｅの上に形成されている。第１の入力端子３９ａは、第１の長辺３１Ａと、第１の短辺３１Ｃとのそれぞれと対向している。第２の入力端子３９ｂは、配線基板３１の第２の主面３１ｂの上において、第１の入力端子３９ａと隣り合うように、第１の長辺３１Ａに沿って配置されている。換言すれば、第１及び第２の入力端子３９ａ、３９ｂは、第１の長辺３１Ａ側の端縁部において、第１の角部３１Ｅ側に偏って配置されている。一方、第１及び第２の出力端子３９ｃ～３９ｆは、配線基板３１の第２の主面３１ｂの第２の長辺３１Ｂ側の端縁部において、第２の長辺３１Ｂに沿って等間隔に配列されている。なお、図５は配線基板３１の第１の主面３１ａ側から透視した第１及び第２の入力端子３９ａ、３９ｂと第１及び第２の出力端子３９ｃ～３９ｆとを示す透視平面図である。また、図５のなかで入出力端子３９ａ～３９ｆ以外の端子はグラウンド端子またはダミー端子である。
　次に、主として図２を参照しながら、高周波スイッチ１０と、２つのデュアルバンド弾性表面波フィルタ３０ａ、３０ｂの回路基板２０の第１の主面（表面）２０ａへの実装態様について説明する。
　図２に示すように、高周波スイッチ１０と、２つのデュアルバンド弾性表面波フィルタ３０ａ、３０ｂとは、回路基板２０の第１及び第２の長辺２０Ａ，２０Ｂの延びる方向である第１の方向ｘに沿って配列されている。高周波スイッチ１０と、２つのデュアルバンド弾性表面波フィルタ３０ａ、３０ｂとのうち、高周波スイッチ１０が第１の方向ｘにおける中央に位置している。デュアルバンド弾性表面波フィルタ３０ａは、高周波スイッチ１０に対して第１の方向ｘのｘ１側に配置されている。一方、デュアルバンド弾性表面波フィルタ３０ｂは、高周波スイッチ１０に対して第１の方向ｘのｘ２側に配置されている。
　デュアルバンド弾性表面波フィルタ３０ａは、回路基板２０の第１の主面２０ａの第１の長辺２０Ａと、デュアルバンド弾性表面波フィルタ３０ａの第２の短辺３１Ｄとが対向すると共に、回路基板２０の第１の主面２０ａの第１の短辺２０Ｃとデュアルバンド弾性表面波フィルタ３０ａの第２の長辺３１Ｂとが対向するように配置されている。
　デュアルバンド弾性表面波フィルタ３０ｂは、回路基板２０の第１の主面２０ａの第１の長辺２０Ａと、デュアルバンド弾性表面波フィルタ３０ｂの第２の短辺３１Ｄとが対向すると共に、回路基板２０の第１の主面２０ａの第２の短辺２０Ｄとデュアルバンド弾性表面波フィルタ３０ｂの第２の長辺３１Ｂとが対向するように配置されている。なお、デュアルバンド弾性表面波フィルタ３０ｂは、デュアルバンド弾性表面波フィルタ３０ａに対して、第１及び第２の入力端子３９ａ、３９ｂと第１及び第２の出力端子３９ｃ～３９ｆが鏡面対称の配置となるように構成されている。
　高周波スイッチ１０は、矩形状に形成されており、回路基板２０の第１の主面２０ａ上において、デュアルバンド弾性表面波フィルタ３０ａ、３０ｂの第１の長辺３１Ａとそれぞれ対向するように配置されている。このため、デュアルバンド弾性表面波フィルタ３０ａ、３０ｂの第１及び第２の入力端子３９ａ、３９ｂは、高周波スイッチ１０に近接して配置されている。第１及び第２の入力端子３９ａ、３９ｂは、回路基板２０の内部に設けられている入力側配線４１ａ、４１ｂとビアホール電極とを介して高周波スイッチ１０に電気的に接続されている。
　一方、第１及び第２の出力端子３９ｃ～３９ｆは、回路基板２０の第２の主面（裏面）２０ｂの上に形成されている複数の外部端子４３ａ～４３ｈに電気的に接続されている。これら複数の外部端子４３ａ～４３ｈは、回路基板２０の第２の主面２０ｂの第１の長辺２０Ａ側の端縁部において、第１の長辺２０Ａに沿って配列されている。
　詳細には、本実施形態では、デュアルバンド弾性表面波フィルタ３０ａの第１の出力端子３９ｃは、回路基板２０の内部に形成されている出力側配線４２ａとビアホール電極とを介して外部端子４３ｃに電気的に接続されている。デュアルバンド弾性表面波フィルタ３０ａの第１の出力端子３９ｄは、回路基板２０の内部に形成されている出力側配線４２ｂとビアホール電極とを介して外部端子４３ｄに電気的に接続されている。デュアルバンド弾性表面波フィルタ３０ａの第２の出力端子３９ｅは、回路基板２０の内部に形成されている出力側配線４２ｃとビアホール電極とを介して外部端子４３ｂに電気的に接続されている。デュアルバンド弾性表面波フィルタ３０ａの第２の出力端子３９ｆは、回路基板２０の内部に形成されている出力側配線４２ｄとビアホール電極とを介して外部端子４３ａに電気的に接続されている。
　また、デュアルバンド弾性表面波フィルタ３０ｂの第１の出力端子３９ｃは、回路基板２０の内部に形成されている出力側配線４２ｅとビアホール電極とを介して外部端子４３ｆに電気的に接続されている。デュアルバンド弾性表面波フィルタ３０ｂの第１の出力端子３９ｄは、回路基板２０の内部に形成されている出力側配線４２ｆとビアホール電極とを介して外部端子４３ｅに電気的に接続されている。デュアルバンド弾性表面波フィルタ３０ｂの第２の出力端子３９ｅは、回路基板２０の内部に形成されている出力側配線４２ｇとビアホール電極とを介して外部端子４３ｇに電気的に接続されている。デュアルバンド弾性表面波フィルタ３０ｂの第２の出力端子３９ｆは、回路基板２０の内部に形成されている出力側配線４２ｈとビアホール電極とを介して外部端子４３ｈに電気的に接続されている。
　なお、チップ部品２１ａ～２１ｄは、回路基板２０の第１の主面２０ａにおいて、高周波スイッチ１０及びデュアルバンド弾性表面波フィルタ３０ａ、３０ｂよりも第２の方向ｙのｙ２側端縁部に第１の方向ｘに沿って配列されている。
　第１及び第２のフィルタ部１２，１３は、回路基板２０の内部に形成されている図示しない配線パターンからなるＬＣ共振回路により構成されている。
　以上説明したように、本実施形態では、第１の入力端子３９ａが第１の角部３１Ｅに形成されている。第２の入力端子３９ｂは、第１の入力端子３９ａと隣り合うように、第１の長辺３１Ａに沿って配置されている。そして、第１及び第２の出力端子３９ｃ～３９ｆは、第２の長辺３１Ｂ側の端縁部において、第２の長辺３１Ｂに沿って配列されている。このため、複合高周波部品１と後段のＲＦ－ＩＣとを接続する配線を最短とするために、複合高周波部品１の外部端子４３ａ～４３ｈを第１の長辺２０Ａ側の端縁部に配列したとしても、入力側配線４１ａ、４１ｂと、出力側配線４２ａ～４２ｈとが回路基板２０の積層方向において交差したり、近接したりすることを効果的に抑制することができる。よって、不要な寄生成分の発生を効果的に抑制することができる。従って、入出力間のアイソレーションや平衡出力信号の平衡度などのフィルタ特性の悪化を抑制することができる。
　以下、この効果について、具体的な実施例に基づいてさらに詳細に説明する。
　図７は、実施例に係る複合高周波部品における第４のフィルタ部の挿入損失と、比較例に係る複合高周波部品における第４のフィルタ部の挿入損失とを表すグラフである。図８は、実施例に係る複合高周波部品における第４のフィルタ部の振幅平衡度と、比較例に係る複合高周波部品における第４のフィルタ部の振幅平衡度とを表すグラフである。図９は、実施例に係る複合高周波部品における第４のフィルタ部の位相平衡度と、比較例に係る複合高周波部品における第４のフィルタ部の位相平衡度とを表すグラフである。
　図７～図９に示す実施例に係る複合高周波部品は、上記第１の実施形態に係る複合高周波部品１と同様の構成を有するものであり、比較例に係る複合高周波部品は、図１２に示す部品の配置構成と、図１３に示す回路基板の内部配線のレイアウトを採用したこと以外は、実施例と同様の構成を有するものである。図７に示すように、上記第１の実施形態の構成を採用した実施例の方が、比較例よりも入出力間のアイソレーションが悪化しないため、通過帯域における挿入損失が小さく、通過帯域高域側の帯域外減衰量が大きい。また、図８及び図９に示すように、実施例の方が、比較例よりも平衡出力信号の平衡度が良好であることが分かる。以上より、上記第１の実施形態の構成を採用することにより、良好なフィルタ特性が得られることが分かる。
　また、第１の実施形態のデュアルバンド弾性表面波フィルタ３０ａ、３０ｂにおける第１及び第２の入力端子３９ａ、３９ｂと第１及び第２の出力端子３９ｃ～３９ｆの配置を採用することにより、回路基板２０の入力側配線４１ａ、４１ｂと、出力側配線４２ａ～４２ｈとの配置自由度を高めることができる。さらに、第１の実施形態の回路基板２０における高周波スイッチ１０、デュアルバンド弾性表面波フィルタ３０ａ、３０ｂの配置を採用することにより、複合高周波部品１の小型化を図ることができる。
　なお、上記第１の実施形態では、第１及び第２の入力端子３９ａ、３９ｂが第１の長辺３１Ａに沿って配列されている場合について説明した。但し、本発明は、この構成に限定されない。例えば、第１及び第２の入力端子３９ａ、３９ｂは隣り合っていればよく、配線基板３１の第１の短辺３１Ｃに沿って配列されていてもよい。
　また、上記第１の実施形態では、デュアルバンド弾性表面波フィルタ３０ａ、３０ｂのそれぞれにおいて、第１及び第２の出力端子３９ｃ～３９ｆのすべてが第２の長辺３１Ｂに沿って配列されている場合について説明した。但し、本発明はこの構成に限定されない。本発明においては、デュアルバンド弾性表面波フィルタの２つの第１の出力端子のうちの少なくとも一方と、２つの第２の出力端子のうちの少なくとも一方とが第２の長辺３１Ｂ側に配置されていればよく、残りの第１の出力パッド電極または第２の出力パッド電極は第１の短辺３１Ｃ側または第２の短辺３１Ｄ側に配置されてもよい。
　また、上記第１の実施形態では、デュアルバンド弾性表面波フィルタの第１、第２の弾性表面波フィルタ部がバランス型であり、計４つの出力端子が設けられている場合について説明した。但し、本発明は、この構成に限定されない。例えば、第１の弾性表面波フィルタ部の出力端子が第２の弾性表面波フィルタ部の出力端子と共用されていてもよい。また、第１、第２の弾性表面波フィルタ部が平衡－不平衡変換機能を備えないアンバランス型であってもよい。これらの場合は、２つの出力端子が設けられることとなる。例えば、図１０に示す例では、第１の出力端子３９ｃと第２の出力端子３９ｅとが一体に形成された出力端子３９ｘと、第１の出力端子３９ｄと第２の出力端子３９ｆとが一体に形成された出力端子３９ｙとの２つの出力端子が設けられることとなる。図１０に示す例では、出力端子３９ｘ、３９ｙを第２の角部３１Ｆに配置する一方、第１及び第２の入力端子３９ａ、３９ｂを第１の角部３１Ｅに配置することが好ましい。すなわち、出力端子３９ｘ、３９ｙと第１及び第２の入力端子３９ａ、３９ｂとを対角上に配置することが好ましい。
　なお、図１０に示す例では、出力端子３９ｘ、３９ｙと第１及び第２の入力端子３９ａ、３９ｂとのそれぞれが、長辺に沿って配列されている例について説明したが、出力端子３９ｘ、３９ｙと第１及び第２の入力端子３９ａ、３９ｂとのそれぞれは、短辺に沿って配列されていてもよい。
　このように出力端子３９ｘ、３９ｙと第１及び第２の入力端子３９ａ、３９ｂを配置することにより、回路基板２０の入力側配線４１ａ、４１ｂと、出力側配線４２ａ～４２ｈとの配置自由度をさらに高めることができる。
１…複合高周波部品
１０…高周波スイッチ
１１…アンテナ端子
１２…第１のフィルタ部
１３…第２のフィルタ部
１４…第３のフィルタ部
１５…第４のフィルタ部
１６…第５のフィルタ部
１７…第６のフィルタ部
２０…回路基板
２０Ａ…回路基板の第１の長辺
２０Ｂ…回路基板の第２の長辺
２０Ｃ…回路基板の第１の短辺
２０Ｄ…回路基板の第２の短辺
２０ａ…回路基板の第１の主面
２０ｂ…回路基板の第２の主面
２１ａ～２１ｄ…チップ部品
３０ａ、３０ｂ…デュアルバンド弾性表面波フィルタ
３１…配線基板
３１Ａ…配線基板の第１の長辺
３１Ｂ…配線基板の第２の長辺
３１Ｃ…配線基板の第１の短辺
３１Ｄ…配線基板の第２の短辺
３１Ｅ…配線基板の第１の角部
３１Ｆ…配線基板の第２の角部
３１ａ…配線基板の第１の主面
３１ｂ…配線基板の第２の主面
３２…弾性表面波チップ
３３…圧電基板
３４…樹脂パッケージ
３５…第１の弾性表面波フィルタ部
３５ａ…第１の入力パッド電極
３５ｂ１、３５ｂ２…第１の出力パッド電極
３５ｃ…縦結合共振子型弾性表面波素子
３５ｄ…弾性表面波共振子
３５ｅ…弾性表面波共振子
３６…第２の弾性表面波フィルタ部
３６ａ…第２の入力パッド電極
３６ｂ１，３６ｂ２…第２の出力パッド電極
３６ｃ…縦結合共振子型弾性表面波素子
３６ｄ…弾性表面波共振子
３７ａ～３７ｃ…グラウンドパッド電極
３８ａ～３８ｈ…電極
３９ａ…第１の入力端子
３９ｂ…第２の入力端子
３９ｃ～３９ｆ、３９ｘ、３９ｙ…出力端子
４０…配線
４１ａ、４１ｂ…入力側配線
４２ａ～４２ｈ…出力側配線
４３ａ～４３ｈ…外部端子

Claims (6)

  1. 　第１及び第２の長辺と、第１及び第２の短辺と、前記第１の長辺と前記第１の短辺とで構成されている第１の角部と、前記第２の長辺と前記第２の短辺とで構成されている第２の角部と、第１及び第２の主面とを有する長方形状の配線基板と、
    　前記配線基板の前記第１の主面の上に実装されており、第１の圧電基板と、前記第１の圧電基板の上に形成されている第１の弾性表面波フィルタ部とを有する第１の弾性表面波チップと、
    　前記配線基板の前記第１の主面の上に実装されており、第２の圧電基板と、前記第２の圧電基板の上に形成されている、前記第１の弾性表面波フィルタ部とは帯域が異なる第２の弾性表面波フィルタ部とを有する第２の弾性表面波チップと、
    を備え、
    　前記第１の弾性表面波フィルタ部は、第１の入力パッド電極と第１の出力パッド電極とを有し、
    　前記第２の弾性表面波フィルタ部は、第２の入力パッド電極と第２の出力パッド電極とを有し、
    　前記配線基板の前記第２の主面の上には、前記第１の入力パッド電極が電気的に接続されている第１の入力端子と、前記第２の入力パッド電極が電気的に接続されている第２の入力端子と、前記第１の出力パッド電極が電気的に接続されている第１の出力端子と、前記第２の出力パッド電極が電気的に接続されている第２の出力端子とが形成されており、
    　前記第１の入力端子は、前記配線基板の前記第２の主面の前記第１の角部の上に形成されており、
    　前記第２の入力端子は、前記配線基板の前記第２の主面の上において、前記第１の入力端子と隣り合うように、前記第１の長辺または前記第１の短辺に沿って配置されており、
    　前記第１及び第２の出力端子は、前記配線基板の前記第２の主面の前記第２の長辺側の端縁部において、前記第２の長辺に沿って配列されている、デュアルバンド弾性表面波フィルタ。
  2. 　前記第１の圧電基板と前記第２の圧電基板とが一体に形成されている、請求項１に記載のデュアルバンド弾性表面波フィルタ。
  3. 　前記第１及び第２の弾性表面波フィルタ部のそれぞれは、平衡－不平衡変換機能を有し、前記第１及び第２の出力端子のそれぞれが２つずつ設けられている、請求項１または２に記載のデュアルバンド弾性表面波フィルタ。
  4. 　前記第１の出力端子は、前記第２の出力端子と一体に形成されている、請求項３に記載のデュアルバンド弾性表面波フィルタ。
  5. 　請求項１～４のいずれか一項に記載のデュアルバンド弾性表面波フィルタと、高周波スイッチと、前記デュアルバンド弾性表面波フィルタ及び高周波スイッチが実装されている第１の主面と、前記第１の主面に対向している第２の主面とを有する長方形状の回路基板とを備える複合高周波部品であって、
    　前記デュアルバンド弾性表面波フィルタは、前記回路基板の第１の主面の一方の長辺と、前記デュアルバンド弾性表面波フィルタの第２の短辺とが対向すると共に、前記回路基板の第１の主面の一方の短辺と前記デュアルバンド弾性表面波フィルタの第２の長辺とが対向するように配置されており、
    　前記高周波スイッチは、前記回路基板の第１の主面上において、前記デュアルバンド弾性表面波フィルタの第１の長辺と対向するように配置されており、
    　前記回路基板の第２の主面には、前記回路基板の第１の主面の一方の長辺側の端縁部において、当該長辺に沿って配列されており、前記第１及び第２の出力端子に電気的に接続されている複数の外部端子が形成されており、
    　前記回路基板には、前記第１及び第２の入力端子と前記高周波スイッチとを電気的に接続している入力側配線と、前記複数の外部端子と前記第１及び第２の出力端子とを電気的に接続している複数の出力側配線とが形成されている、複合高周波部品。
  6. 　前記回路基板の第１の主面上において、前記第１の長辺が前記高周波スイッチと対向し、前記第２の短辺が前記回路基板の第１の主面の一方の長辺と対向すると共に、前記第２の長辺が前記回路基板の第１の主面の他方の短辺と対向するように配置されているさらなるデュアルバンド弾性表面波フィルタを備え、
    　前記回路基板の第２の主面には、前記回路基板の第１の主面の一方の長辺側の端縁部において、前記複数の外部端子と共に、当該長辺に沿って配列されており、前記さらなるデュアルバンド弾性表面波フィルタの前記第１及び第２の出力端子に電気的に接続されている複数のさらなる外部端子が形成されており、
    　前記回路基板には、前記さらなるデュアルバンド弾性表面波フィルタの前記第１及び第２の入力端子と前記高周波スイッチとを電気的に接続しているさらなる入力側配線と、前記複数のさらなる外部端子と、前記さらなるデュアルバンド弾性表面波フィルタの前記第１及び第２の出力端子とを電気的に接続している複数のさらなる出力側配線が形成されている、請求項５に記載の複合高周波部品。
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