JP5790770B2 - 高周波モジュール、送信フィルタモジュール、受信フィルタモジュール - Google Patents

Description

本発明は、複数の通信信号を共通アンテナで送受信する高周波モジュールに関するものである。

従来、携帯通信端末等に用いられるフロントエンドの高周波モジュールとして、複数の通信信号を共通のアンテナで送受信するものがある。例えば、図１１は、従来の高周波モジュール１０Ｐの回路構成図である。

高周波モジュール１０Ｐは、スイッチ素子２０を備える。スイッチ素子２０は、制御信号に基づいて、共通端子Ｐ_ＩＣ（ＡＮＴ０）を複数の個別端子Ｐ_ＩＣ（ＲＦ１），Ｐ_ＩＣ（ＲＦ２），Ｐ_ＩＣ（ＲＦ３），Ｐ_ＩＣ（ＲＦ４）のいずれかに接続する。共通端子Ｐ_ＩＣ（ＡＮＴ０）は、整合回路５０Ｐを介して、高周波モジュール１０Ｐのアンテナ接続端子Ｐ_Ｍ（ＡＮＴ０）に接続されている。

個別端子Ｐ_ＩＣ（ＲＦ１）は、整合回路４１Ｐを介して、ＳＡＷデュプレクサ３１ＤＰＸに接続されている。ＳＡＷデュプレクサ３１ＤＰＸは、送信側ＳＡＷフィルタ３１Ｔｘと受信側ＳＡＷフィルタ３１Ｒｘとからなる。送信側ＳＡＷフィルタ３１Ｔｘは、高周波モジュール１０Ｐの第１送信信号入力端子Ｐ_Ｍ（Ｔｘ１）に接続されている。受信側ＳＡＷフィルタ３１Ｒｘは、高周波モジュール１０Ｐの第１受信信号出力端子Ｐ_Ｍ（Ｒｘ１）に接続されている。

個別端子Ｐ_ＩＣ（ＲＦ２）は、整合回路４２Ｐを介して、ＳＡＷデュプレクサ３２ＤＰＸに接続されている。ＳＡＷデュプレクサ３２ＤＰＸは、送信側ＳＡＷフィルタ３２Ｔｘと受信側ＳＡＷフィルタ３２Ｒｘとからなる。送信側ＳＡＷフィルタ３２Ｔｘは、高周波モジュール１０Ｐの第２送信信号入力端子Ｐ_Ｍ（Ｔｘ２）に接続されている。受信側ＳＡＷフィルタ３２Ｒｘは、高周波モジュール１０Ｐの第２受信信号出力端子Ｐ_Ｍ（Ｒｘ２）に接続されている。

個別端子Ｐ_ＩＣ（ＲＦ３）は、整合回路４３Ｐを介して、ＳＡＷデュプレクサ３３ＤＰＸに接続されている。ＳＡＷデュプレクサ３３ＤＰＸは、送信側ＳＡＷフィルタ３３Ｔｘと受信側ＳＡＷフィルタ３３Ｒｘとからなる。送信側ＳＡＷフィルタ３３Ｔｘは、高周波モジュール１０Ｐの第３送信信号入力端子Ｐ_Ｍ（Ｔｘ３）に接続されている。受信側ＳＡＷフィルタ３３Ｒｘは、高周波モジュール１０Ｐの第３受信信号出力端子Ｐ_Ｍ（Ｒｘ３）に接続されている。

個別端子Ｐ_ＩＣ（ＲＦ４）は、整合回路４４Ｐを介して、ＳＡＷデュプレクサ３４ＤＰＸに接続されている。ＳＡＷデュプレクサ３４ＤＰＸは、送信側ＳＡＷフィルタ３４Ｔｘと受信側ＳＡＷフィルタ３４Ｒｘとからなる。送信側ＳＡＷフィルタ３４Ｔｘは、高周波モジュール１０Ｐの第４送信信号入力端子Ｐ_Ｍ（Ｔｘ４）に接続されている。受信側ＳＡＷフィルタ３４Ｒｘは、高周波モジュール１０Ｐの第４受信信号出力端子Ｐ_Ｍ（Ｒｘ４）に接続されている。

このような従来の高周波モジュール１０Ｐで用いられるＳＡＷデュプレクサでは、特許文献１に示すように、１種類の通信信号に対する送信側ＳＡＷフィルタと受信側ＳＡＷフィルタとを対として、これら送信側ＳＡＷフィルタと受信側ＳＡＷフィルタは、１つの筐体に一体にパッケージングされていた。しかしながら、単に、送信側ＳＡＷフィルタと受信側ＳＡＷフィルタとが一体にパッケージングされていると、送信側ＳＡＷフィルタと受信側ＳＡＷフィルタとが近接するので、フィルタ間での通信信号の漏洩が生じ、アイソレーションが低下してしまう。このため、特許文献１では、送信側ＳＡＷフィルタと受信側ＳＡＷフィルタとの間に、金属製の遮蔽板を配置している。

特開２０１０−１７７５５９号公報

しかしながら、特許文献１の構造では、送信フィルタと受信フィルタとの間に遮蔽板を必ず設けるため、高周波モジュールとしての部品点数が増加してしまう。また、複数の通信信号を送受信する高周波モジュールの場合、一つの通信信号に対する送信フィルタと受信フィルタとの間だけでなく、近接する他の通信信号の送信フィルタや受信フィルタとの間にも遮蔽板を設けなければならず、遮蔽板の数も大幅に増加する。このため、高周波モジュールのコストがアップするとともに、遮蔽板の形状が複雑化して、高周波モジュールの構造が複雑化し、例えば製造歩留まりが低下する等の問題が生じる。

したがって、本発明の目的は、簡素な構成でありながら、送受信間のアイソレーションを十分高く確保できる高周波モジュールを提供することにある。

この発明は、複数の通信信号毎に設けられた送信フィルタと受信フィルタの組と、送信フィルタと受信フィルタとの組の共通端子を、切り替えてアンテナに接続するスイッチ素子と、を備えた高周波モジュールに関する。この高周波モジュールは、送信フィルタと受信フィルタとの複数の組における各組の送信フィルタが搭載される第１の基板と、送信フィルタと受信フィルタとの複数の組における各組の受信フィルタが搭載される第２の基板と、を備える。

この構成では、送信フィルタ群と受信フィルタ群とが異なる基板に実装され、これらの基板がマザー基板に実装されるので、送信フィルタと受信フィルタとを一体化する従来の構造よりも、送信フィルタと受信フィルタとの距離が離間する。これにより、送信フィルタと受信フィルタとの間のアイソレーションが向上する。また、送信フィルタ群をまとめて第１の基板に実装し、受信フィルタ群をまとめて第２の基板に実装することで、マザー基板への実装時に、各フィルタ群がそれぞれ一つの部品として取り扱え、製造が容易になる。

また、この発明の高周波モジュールでは、次の構成であることが好ましい。第１の基板には、各送信フィルタと当該送信フィルタに接続する共通端子との間に接続される送信側整合回路の電極パターンが形成されている。第２の基板には、各受信フィルタと当該受信フィルタに接続する共通端子との間に接続される受信側整合回路の電極パターンが形成されている。

この構成では、各送信フィルタに接続する送信側整合回路と、各受信フィルタに接続する受信側整合回路とが、第１、第２の基板に内蔵されているため、マザー基板側には、これらの整合回路を形成しなくてもよい。このため、マザー基板にこれら第１、第２の基板を適宜実装すれば、送受信フィルタ間や、送信フィルタおよび受信フィルタとスイッチ素子との間に対する整合を得られる。これにより、マザー基板側の設計が容易になる。

また、この発明の高周波モジュールの第１の基板に、スイッチ素子を実装し、スイッチ素子とアンテナとの間の整合を行うアンテナ側整合回路の電極パターンを形成することもできる。

この構成では、スイッチ素子が送信フィルタ群とともに、第１の基板へ実装される。これにより、スイッチ素子と送信フィルタとからなる回路を小型に形成できるとともに、送信フィルタ群とスイッチ素子との接続回路も第１の基板内に形成でき、さらに、マザー基板の設計が容易になる。

また、この発明の高周波モジュールの第１の基板には、送信側整合回路の電極パターンと、アンテナ側整合回路の電極パターンとの間に、接地導体を形成することが好ましい。

この構成では、第１基板に形成された送信側整合回路とアンテナ側整合回路との間のアイソレーションを向上できる。

また、この発明の高周波モジュールは、複数の送信フィルタのうち通過帯域が近接する送信フィルタを一体化した複合型送信フィルタを備え、該複合型送信フィルタが第１の基板に実装されていることが好ましい。

この構成では、送信フィルタ群からなるモジュールを、小型化できる。

また、この発明の高周波モジュールでは、複数の受信フィルタのうち通過帯域が近接する受信フィルタを一体化した複合型受信フィルタを備え、該複合型受信フィルタが第２の基板に実装されていることが好ましい。

この構成では、受信フィルタ群からなるモジュールを、小型化できる。

また、この発明の高周波モジュールでは、第１の基板および第２の基板が実装される第３の基板を備えることもできる。

この構成では、第１の基板と第２の基板とをまとめて一つの回路部品にできるとともに、第１の基板と第２の基板との間隔や結線を第３の基板によって、適切に設定することができる。さらに、上述の弾性波フィルタとは異なるＬＣフィルタ回路を必要とする場合、第３の基板に設けることができる。これにより、上述の送受信フィルタ間のアイソレーションを確保しながら、より複合的な回路モジュールを、一つの回路部品としてまとめて形成することができる。

また、この発明の高周波モジュールの第３の基板には、第１の基板の実装位置と第２の基板の実装位置との間に、他の回路部品が実装されていることが好ましい。

この構成では、第１の基板と第２の基板との間に、他の回路素子が配置されることで、この他の回路素子分、第１の基板と第２の基板とが離間し、アイソレーションが向上する。

また、この発明の高周波モジュールでは、送信フィルタおよび受信フィルタを、弾性波フィルタとすることもできる。この構成では、送信フィルタおよび受信フィルタの具体的な種類を示している。

また、この発明は、複数の通信信号毎に設けられた送信フィルタと受信フィルタの組を備える高周波モジュールに利用する送信フィルタモジュールであって、送信フィルタと受信フィルタとの複数の組における各組の送信フィルタが第１の基板上に搭載されている。

この構成では、第１の基板に送信フィルタモジュールが一体化されているので、複数の送信フィルタを個別に高周波モジュール用の基板に実装する必要が無く、高周波モジュールの製造工程を簡素化できる。

また、この発明は、複数の通信信号毎に設けられた送信フィルタと受信フィルタの組を備える高周波モジュールに利用する受信フィルタモジュールであって、送信フィルタと受信フィルタとの複数の組における各組の受信フィルタが第２の基板上に搭載されている。

この構成では、第２の基板に受信フィルタモジュールが一体化されているので、複数の受信フィルタを個別に高周波モジュール用の基板に実装する必要が無く、高周波モジュールの製造工程を簡素化できる。

この発明によれば、複雑な構造を用いることなく、送受信回路間に対して高いアイソレーションを確保できる高周波モジュールを実現することができる。

本発明の第１の実施形態に係る高周波モジュール１０の回路構成図である。 第１の実施形態に係る高周波モジュール１０の平面図、送信フィルタモジュール３０Ｔｘ側の側面構成図、受信フィルタモジュール３０Ｒｘ側の側面構成図である。 第１の実施形態に係る高周波モジュール１０の送信フィルタモジュール３０Ｔｘの側面構成図、受信フィルタモジュール３０Ｒｘの側面構成図である。 第２の実施形態に係る高周波モジュール１０Ａの平面図、送信フィルタモジュール３０Ｔｘ側の側面構成図である。 第２の実施形態に係る高周波モジュール１０Ａの送信フィルタモジュール３０Ｔｘの側面構成図である。 第３の実施形態に係る高周波モジュール１０Ｂの回路構成図である。 第３の実施形態に係る高周波モジュール１０Ｂの平面図、送信フィルタモジュール３０Ｔｘ側の側面構成図、受信フィルタモジュール３０ＢＲｘ側の側面構成図である。 第４の実施形態に係る高周波モジュール１０Ｃの送信フィルタモジュール３０Ｔｘの側面構成図である。 第５の実施形態に係る高周波モジュール１０Ｄの平面図である。 第６の実施形態に係る高周波モジュール１０Ｄの平面図である。 従来の高周波モジュール１０Ｐの回路構成図である。

本発明の第１の実施形態に係る高周波モジュールについて、図を参照して説明する。図１は、本発明の第１の実施形態に係る高周波モジュール１０の回路構成図である。なお、本実施形態では、それぞれに周波数帯域が完全には一致しない第１通信信号（第１送信信号と第１受信信号）、第２通信信号（第２送信信号と第２受信信号）、第３通信信号（第３送信信号と第３受信信号）、第４通信信号（第４送信信号と第４受信信号）を送受信する高周波モジュールについて説明する。なお、送受信する通信信号の種類数はこれに限るものではなく、高周波モジュールの通信仕様に応じて適宜設定すればよい。また、以下では、ＳＡＷフィルタを用いる例を示すが、ＢＡＷフィルタ等の他のフィルタを用いてもよい。

高周波モジュール１０は、スイッチ素子２０を備える。スイッチ素子２０は、制御信号に基づいて、共通端子Ｐ_ＩＣ（ＡＮＴ０）を複数の個別端子Ｐ_ＩＣ（ＲＦ１），Ｐ_ＩＣ（ＲＦ２），Ｐ_ＩＣ（ＲＦ３），Ｐ_ＩＣ（ＲＦ４）のいずれかに接続する。

共通端子Ｐ_ＩＣ（ＡＮＴ０）は、整合回路５０を介して、高周波モジュール１０Ｐのアンテナ接続端子Ｐ_Ｍ（ＡＮＴ０）に接続されている。整合回路５０は、全ての通信信号に対して、アンテナＡＮＴとスイッチ素子２０の共通端子Ｐ_ＩＣ（ＡＮＴ０）との間のインピーダンス整合をする回路である。アンテナ接続端子Ｐ_Ｍ（ＡＮＴ０）は、外部のアンテナＡＮＴに接続されている。

個別端子Ｐ_ＩＣ（ＲＦ１）は、送信側整合回路４１Ｔｘを介して、送信側ＳＡＷフィルタ３１Ｔｘに接続されている。送信側ＳＡＷフィルタ３１Ｔｘは、第１送信信号の基本周波数帯域を通過帯域とし、他の周波数帯域を減衰帯域とするフィルタである。送信側ＳＡＷフィルタ３１Ｔｘは、高周波モジュール１０の第１送信信号入力端子Ｐ_Ｍ（Ｔｘ１）に接続されている。第１送信信号入力端子には、第１送信信号が入力される。

個別端子Ｐ_ＩＣ（ＲＦ１）は、受信側整合回路４１Ｒｘを介して、受信側ＳＡＷフィルタ３１Ｒｘに接続されている。受信側ＳＡＷフィルタ３１Ｒｘは、第１受信信号の基本周波数帯域を通過帯域とし、他の周波数帯域を減衰帯域とするフィルタである。受信側ＳＡＷフィルタ３１Ｒｘは、高周波モジュール１０の第１受信信号出力端子Ｐ_Ｍ（Ｒｘ１）に接続されている。第１受信信号出力端子からは、第１受信信号が出力される。

送信側整合回路４１Ｔｘは、第１送信信号に対して、スイッチ素子２０の個別端子Ｐ_ＩＣ（ＲＦ１）と送信側ＳＡＷフィルタ３１Ｔｘとを導通するようにインピーダンス整合し、受信側整合回路４１Ｒｘとともに、送信側ＳＡＷフィルタ３１Ｔｘと受信側ＳＡＷフィルタ３１Ｒｘとが開放になるようにインピーダンス整合する。

受信側整合回路４１Ｒｘは、第１受信信号に対して、スイッチ素子２０の個別端子Ｐ_ＩＣ（ＲＦ１）と受信側ＳＡＷフィルタ３１Ｒｘとを導通するようにインピーダンス整合し、送信側整合回路４１Ｔｘとともに、受信側ＳＡＷフィルタ３１Ｒｘと送信側ＳＡＷフィルタ３１Ｔｘとが開放になるようにインピーダンス整合する。

個別端子Ｐ_ＩＣ（ＲＦ２）は、送信側整合回路４２Ｔｘを介して、送信側ＳＡＷフィルタ３２Ｔｘに接続されている。送信側ＳＡＷフィルタ３２Ｔｘは、第２送信信号の基本周波数帯域を通過帯域とし、他の周波数帯域を減衰帯域とするフィルタである。送信側ＳＡＷフィルタ３２Ｔｘは、高周波モジュール１０の第２送信信号入力端子Ｐ_Ｍ（Ｔｘ２）に接続されている。第２送信信号入力端子には、第２送信信号が入力される。

個別端子Ｐ_ＩＣ（ＲＦ２）は、受信側整合回路４２Ｒｘを介して、受信側ＳＡＷフィルタ３２Ｒｘに接続されている。受信側ＳＡＷフィルタ３２Ｒｘは、第２受信信号の基本周波数帯域を通過帯域とし、他の周波数帯域を減衰帯域とするフィルタである。受信側ＳＡＷフィルタ３２Ｒｘは、高周波モジュール１０の第２受信信号出力端子Ｐ_Ｍ（Ｒｘ２）に接続されている。第２受信信号出力端子からは、第２受信信号が出力される。

送信側整合回路４２Ｔｘは、第２送信信号に対して、スイッチ素子２０の個別端子Ｐ_ＩＣ（ＲＦ２）と送信側ＳＡＷフィルタ３２Ｔｘとを導通するようにインピーダンス整合し、受信側整合回路４２Ｒｘとともに、送信側ＳＡＷフィルタ３２Ｔｘと受信側ＳＡＷフィルタ３２Ｒｘとが開放になるようにインピーダンス整合する。

受信側整合回路４２Ｒｘは、第２受信信号に対して、スイッチ素子２０の個別端子Ｐ_ＩＣ（ＲＦ２）と受信側ＳＡＷフィルタ３２Ｒｘとを導通するようにインピーダンス整合し、送信側整合回路４２Ｔｘとともに、受信側ＳＡＷフィルタ３２Ｒｘと送信側ＳＡＷフィルタ３２Ｔｘとが開放になるようにインピーダンス整合する。

個別端子Ｐ_ＩＣ（ＲＦ３）は、送信側整合回路４３Ｔｘを介して、送信側ＳＡＷフィルタ３３Ｔｘに接続されている。送信側ＳＡＷフィルタ３３Ｔｘは、第３送信信号の基本周波数帯域を通過帯域とし、他の周波数帯域を減衰帯域とするフィルタである。送信側ＳＡＷフィルタ３３Ｔｘは、高周波モジュール１０の第３送信信号入力端子Ｐ_Ｍ（Ｔｘ３）に接続されている。第３送信信号入力端子には、第３送信信号が入力される。

個別端子Ｐ_ＩＣ（ＲＦ３）は、受信側整合回路４３Ｒｘを介して、受信側ＳＡＷフィルタ３３Ｒｘに接続されている。受信側ＳＡＷフィルタ３３Ｒｘは、第３受信信号の基本周波数帯域を通過帯域とし、他の周波数帯域を減衰帯域とするフィルタである。受信側ＳＡＷフィルタ３３Ｒｘは、高周波モジュール１０の第３受信信号出力端子Ｐ_Ｍ（Ｒｘ３）に接続されている。第３受信信号出力端子からは、第３受信信号が出力される。

送信側整合回路４３Ｔｘは、第３送信信号に対して、スイッチ素子２０の個別端子Ｐ_ＩＣ（ＲＦ３）と送信側ＳＡＷフィルタ３３Ｔｘとを導通するようにインピーダンス整合し、受信側整合回路４３Ｒｘとともに、送信側ＳＡＷフィルタ３３Ｔｘと受信側ＳＡＷフィルタ３３Ｒｘとが開放になるようにインピーダンス整合する。

受信側整合回路４３Ｒｘは、第３受信信号に対して、スイッチ素子２０の個別端子Ｐ_ＩＣ（ＲＦ３）と受信側ＳＡＷフィルタ３３Ｒｘとを導通するようにインピーダンス整合し、送信側整合回路４３Ｔｘとともに、受信側ＳＡＷフィルタ３３Ｒｘと送信側ＳＡＷフィルタ３３Ｔｘとが開放になるようにインピーダンス整合する。

個別端子Ｐ_ＩＣ（ＲＦ４）は、送信側整合回路４４Ｔｘを介して、送信側ＳＡＷフィルタ３４Ｔｘに接続されている。送信側ＳＡＷフィルタ３４Ｔｘは、第４送信信号の基本周波数帯域を通過帯域とし、他の周波数帯域を減衰帯域とするフィルタである。送信側ＳＡＷフィルタ３４Ｔｘは、高周波モジュール１０の第４送信信号入力端子Ｐ_Ｍ（Ｔｘ４）に接続されている。第４送信信号入力端子には、第４送信信号が入力される。

個別端子Ｐ_ＩＣ（ＲＦ４）は、受信側整合回路４４Ｒｘを介して、受信側ＳＡＷフィルタ３４Ｒｘに接続されている。受信側ＳＡＷフィルタ３４Ｒｘは、第３受信信号の基本周波数帯域を通過帯域とし、他の周波数帯域を減衰帯域とするフィルタである。受信側ＳＡＷフィルタ３４Ｒｘは、高周波モジュール１０の第４受信信号出力端子Ｐ_Ｍ（Ｒｘ４）に接続されている。第４受信信号出力端子からは、第４受信信号が出力される。

送信側整合回路４４Ｔｘは、第４送信信号に対して、スイッチ素子２０の個別端子Ｐ_ＩＣ（ＲＦ４）と送信側ＳＡＷフィルタ３４Ｔｘとを導通するようにインピーダンス整合し、受信側整合回路４４Ｒｘとともに、送信側ＳＡＷフィルタ３４Ｔｘと受信側ＳＡＷフィルタ３４Ｒｘとが開放になるようにインピーダンス整合する。

受信側整合回路４４Ｒｘは、第４受信信号に対して、スイッチ素子２０の個別端子Ｐ_ＩＣ（ＲＦ４）と受信側ＳＡＷフィルタ３４Ｒｘとを導通するようにインピーダンス整合し、送信側整合回路４４Ｔｘとともに、受信側ＳＡＷフィルタ３４Ｒｘと送信側ＳＡＷフィルタ３４Ｔｘとが開放になるようにインピーダンス整合する。

この高周波モジュール１０では、第１送信信号を送信する場合および第１受信信号を受信する場合（第１通信信号を送受信する場合）、共通端子Ｐ_ＩＣ（ＡＮＴ０）を個別端子Ｐ_ＩＣ（ＲＦ１）に接続する。また、高周波モジュール１０では、第２送信信号を送信する場合および第２受信信号を受信する場合（第２通信信号を送受信する場合）、共通端子Ｐ_ＩＣ（ＡＮＴ０）を個別端子Ｐ_ＩＣ（ＲＦ２）に接続する。また、高周波モジュール１０では、第３送信信号を送信する場合および第３受信信号を受信する場合（第３通信信号を送受信する場合）、共通端子Ｐ_ＩＣ（ＡＮＴ０）を個別端子Ｐ_ＩＣ（ＲＦ３）に接続する。また、高周波モジュール１０では、第４送信信号を送信する場合および第４受信信号を受信する場合（第４通信信号を送受信する場合）、共通端子Ｐ_ＩＣ（ＡＮＴ０）を個別端子Ｐ_ＩＣ（ＲＦ４）に接続する。

このような回路構成からなる高周波モジュール１０は、図２、図３に示す構造によって実現される。図２（Ａ）は、第１の実施形態に係る高周波モジュール１０の平面図であり、図２（Ｂ）は高周波モジュール１０の送信フィルタモジュール３０Ｔｘ側の側面構成図であり、図２（Ｃ）は高周波モジュール１０の受信フィルタモジュール３０Ｒｘ側の側面構成図である。図３（Ａ）は、第１の実施形態に係る高周波モジュール１０の送信フィルタモジュール３０Ｔｘの側面構成図であり、図３（Ｂ）は、高周波モジュール１０の受信フィルタモジュール３０Ｒｘの側面構成図である。なお、図３では導電性ビアホールを図示していないが、図１に示した回路構成を実現するために適宜導電性ビアホールが形成されている。

送信側ＳＡＷフィルタ３１Ｔｘ，３２Ｔｘ，３３Ｔｘ、３４Ｔｘは、送信側ベース基板４０Ｔｘの表面に、所定の実装パターンで実装されている。例えば、図２（Ａ），（Ｂ）の場合であれば、送信側ＳＡＷフィルタ３１Ｔｘ，３２Ｔｘ，３３Ｔｘ、３４Ｔｘは、所定間隔をおいて、一列に配列して実装されている。

送信側ベース基板４０Ｔｘ（本発明の第１の基板に相当する。）は、複数層（図３（Ａ）の場合であれば７層）の誘電体層４０１ｔ，４０２ｔ，４０３ｔ，４０４ｔ，４０５ｔ，４０６ｔ，４０７ｔを積層して積層体によって形成される。送信側ベース基板４０Ｔｘの表面には、図示しない実装用ランドが形成されており、送信側ＳＡＷフィルタ３１Ｔｘ，３２Ｔｘ，３３Ｔｘ、３４Ｔｘがはんだや導電性接着剤等により実装されている。

最上層となる誘電体層４０１ｔと第２層目となる誘電体層４０２ｔとの界面には、略全面に内層グランド電極ＤＰ_Ｇ１が形成されている。誘電体層４０２ｔから誘電体層４０６ｔとの間には、送信側整合回路４１Ｔｘを実現する電極パターンＤＰ_４１ＴＸ、送信側整合回路４２Ｔｘを実現する電極パターンＤＰ_４２ＴＸ、送信側整合回路４３Ｔｘを実現する電極パターンＤＰ_４３ＴＸ、送信側整合回路４４Ｔｘを実現する電極パターンＤＰ_４４ＴＸが形成されている。送信側整合回路４１Ｔｘを実現する電極パターンＤＰ_４１ＴＸは、送信側ＳＡＷフィルタ３１Ｔｘの実装領域下に形成されている。送信側整合回路４２Ｔｘを実現する電極パターンＤＰ_４２ＴＸは、送信側ＳＡＷフィルタ３２Ｔｘの実装領域下に形成されている。送信側整合回路４３Ｔｘを実現する電極パターンＤＰ_４３ＴＸは、送信側ＳＡＷフィルタ３３Ｔｘの実装領域下に形成されている。送信側整合回路４４Ｔｘを実現する電極パターンＤＰ_４４ＴＸは、送信側ＳＡＷフィルタ３４Ｔｘの実装領域下に形成されている。なお、各送信側ＳＡＷフィルタと、その実装領域下に形成された送信側整合回路とは、内層グランド電極ＤＰ_Ｇ１に形成された切り欠きや空隙に設けられた配線電極あるいはビア電極を介して接続されている。

誘電体層４０６ｔと最下層である誘電体層４０７ｔとの界面には、略全面に内層グランド電極ＤＰ_Ｇ２が形成されている。誘電体層４０７ｔの裏面、すなわち送信側ベース基板４０Ｔｘの裏面には、外部接続用端子が形成されている。なお、各送信側整合回路と外部接続端子とは、内層グランド電極ＤＰ_Ｇ２に形成された切り欠きや空隙に設けられた配線電極あるいはビア電極を介して接続されている。

このような構造によって、図２に示した送信フィルタモジュール３０Ｔｘが実現される。

受信側ＳＡＷフィルタ３１Ｒｘ，３２Ｒｘ，３３Ｒｘ、３４Ｒｘは、受信側ベース基板４０Ｒｘの表面に、所定の実装パターンで実装されている。例えば、図２（Ａ），（Ｃ）の場合であれば、受信側ＳＡＷフィルタ３１Ｒｘ，３２Ｒｘ，３３Ｒｘ、３４Ｒｘは、所定間隔をおいて、一列に配列して実装されている。

受信側ベース基板４０Ｒｘ（本発明の第２の基板に相当する。）は、複数層（図３（Ｂ）の場合であれば６層）の誘電体層４０１ｒ，４０２ｒ，４０３ｒ，４０４ｒ，４０５ｒ，４０６ｒを積層して積層体によって形成される。受信側ベース基板４０Ｒｘの表面には、図示しない実装用ランドが形成されており、受信側ＳＡＷフィルタ３１Ｒｘ，３２Ｒｘ，３３Ｒｘ、３４Ｒｘがはんだあるいは導電性接着剤等により実装されている。

最上層となる誘電体層４０１ｒと第２層目となる誘電体層４０２ｒとの界面には、略全面に内層グランド電極ＤＰ_Ｇ３が形成されている。誘電体層４０２ｒから誘電体層４０５ｒとの間には、受信側整合回路４１Ｒｘを実現する電極パターンＤＰ_４１ＲＸ、受信側整合回路４２Ｒｘを実現する電極パターンＤＰ_４２ＲＸ、受信側整合回路４３Ｒｘを実現する電極パターンＤＰ_４３ＲＸ、受信側整合回路４４Ｒｘを実現する電極パターンＤＰ_４４ＲＸが形成されている。受信側整合回路４１Ｒｘを実現する電極パターンＤＰ_４１ＲＸは、受信側ＳＡＷフィルタ３１Ｒｘの実装領域下に形成されている。受信側整合回路４２Ｒｘを実現する電極パターンＤＰ_４２ＲＸは、受信側ＳＡＷフィルタ３２Ｒｘの実装領域下に形成されている。受信側整合回路４３Ｒｘを実現する電極パターンＤＰ_４３ＲＸは、受信側ＳＡＷフィルタ３３Ｒｘの実装領域下に形成されている。送信側整合回路４４Ｒｘを実現する電極パターンＤＰ_４４ＲＸは、受信側ＳＡＷフィルタ３４Ｒｘの実装領域下に形成されている。なお、各受信側ＳＡＷフィルタと、その実装領域下に形成された受信側整合回路とは、内層グランド電極ＤＰ_Ｇ３に形成された切り欠きや空隙に設けられた配線電極あるいはビア電極を介して接続されている。

誘電体層４０５ｒと最下層である誘電体層４０６ｒとの界面には、略全面に内層グランド電極ＤＰ_Ｇ４が形成されている。誘電体層４０６ｒの裏面、すなわち受信側ベース基板４０Ｒｘの裏面には、外部接続用端子が形成されている。なお、各受信側整合回路と外部接続端子とは、内層グランド電極ＤＰ_Ｇ４に形成された切り欠きや空隙に設けられた配線電極あるいはビア電極を介して接続されている。

このような構造によって、図２に示した受信フィルタモジュール３０Ｒｘが実現される。

以上のような構造からなる送信フィルタモジュール３０Ｔｘおよび受信フィルタモジュール３０Ｒｘは、携帯通信端末のマザー基板や当該携帯通信端末の通信モジュールのマザー基板（以下、単にマザー基板９０とする。）に所定の間隔をおいて実装される。また、このマザー基板９０には、スイッチ素子２０が実装される。マザー基板９０には、高周波モジュール１０におけるスイッチ素子２０、送信フィルタモジュール３０Ｔｘおよび受信フィルタモジュール３０Ｒｘを除く部分が形成されており、スイッチ素子２０と送信フィルタモジュール３０Ｔｘと受信フィルタモジュール３０Ｒｘは、マザー基板９０に形成された回路によって接続される。マザー基板９０の少なくともスイッチ素子２０と送信フィルタモジュール３０Ｔｘと受信フィルタモジュール３０Ｒｘの実装領域には、エポキシ樹脂等による絶縁性保護材６０が塗布されている。

このような構成とすることで、従来のように送信フィルタと受信フィルタとを一体化したデュプレクサを用いるよりも、送信フィルタ群と受信フィルタ群との間隔が離間する。これにより、回路構成で送受信間のアイソレーションを確保するとともに、物理的にも送受信間で信号の伝搬が抑制され、アイソレーションをさらに向上させることができる。

また、複数の送信側ＳＡＷフィルタ３１Ｔｘ−３４Ｔｘを送信フィルタモジュール３０Ｔｘとして一体化することで、複数の送信側ＳＡＷフィルタ３１Ｔｘ−３４Ｔｘを個別にマザー基板９０へ実装するよりも、容易に実装することができる。同様に、複数の受信側ＳＡＷフィルタ３１Ｒｘ−３４Ｒｘを受信フィルタモジュール３０Ｒｘとして一体化することで、複数の受信側ＳＡＷフィルタ３１Ｒｘ−３４Ｒｘを個別にマザー基板９０へ実装するよりも、容易に実装することができる。

さらに、上述のように、送信側ベース基板４０Ｔｘおよび受信側ベース基板４０Ｒｘに整合回路を内蔵しておくことで、マザー基板９０にこれらの整合回路を設ける必要が無い。したがって、マザー基板９０の設計が容易になり、他の回路の設計自由度も向上するとともに、マザー基板９０を小型・低背化できる。なお、このような整合回路用の電極パターンは、送信側と受信側の少なくとも一方をマザー基板９０側に設けてもよいが、上述の理由により、送信側ベース基板４０Ｔｘおよび受信側ベース基板４０Ｒｘの両方に設ける方が好ましい。

また、送信側ベース基板４０Ｔｘ内の整合回路用の電極パターンおよび受信側ベース基板４０Ｒｘ内の整合回路用の電極パターンは、図３の例に限るものではなく、所望のインピーダンス整合が得られるように、適宜形成すればよい。ただし、図３に示すように、整合回路用の電極パターンを内層グランド電極で挟み込み、それぞれのフィルタに対する整合回路用の電極パターンを離間して形成することで、整合回路間のアイソレーション及び整合回路と他の素子（例えばＳＡＷフィルタ）とのアイソレーションを確保することができる。

以上のように、本実施形態の構成を用いれば、簡素な構造でありながら、送受信回路間のアイソレーションを高く確保できる高周波モジュールを実現することができる。

次に、第２の実施形態に係る高周波モジュールについて、図を参照して説明する。図４（Ａ）は、第２の実施形態に係る高周波モジュール１０Ａの平面図であり、図４（Ｂ）は高周波モジュール１０Ａの送信フィルタモジュール３０ＡＴｘ側の側面構成図である。図５は、第２の実施形態に係る高周波モジュール１０Ａの送信フィルタモジュール３０ＡＴｘの側面構成図である。

本実施形態の高周波モジュール１０Ａは、第１の実施形態に示した高周波モジュール１０に対して、図１に示す回路構成は同じであり、送信側ベース基板４０ＡＴｘ上にスイッチ素子２０が実装されたものである。したがって、異なる箇所のみを説明する。

送信側ベース基板４０ＡＴｘの表面には、送信側ＳＡＷフィルタ３１Ｔｘ−３４Ｔｘとともに、スイッチ素子２０が実装されている。送信側ベース基板４０ＡＴｘの誘電体層４０２ｔから誘電体層４０５ｔとの間には、整合回路５０を実現する電極パターンＤＰ_５０Ａが形成されている。スイッチ素子２０と、送信側整合回路４１Ｔｘ−４４Ｔｘを実現する電極パターンＤＰ_４１Ｔｘ−ＤＰ_４４Ｔｘは、送信側ベース基板４０ＡＴｘ内に形成された、図示していない電極パターンによって接続されている。

このような構成により、送信フィルタモジュール３０ＡＴｘとスイッチ素子２０との複合モジュールを形成できる。これにより、これら送信フィルタモジュール３０ＡＴｘとスイッチ素子２０とを個別に形成するよりも小型化することができる。また、マザー基板９０の設計が容易になり、設計自由度も向上する。

整合回路５０を実現する電極パターンＤＰ_５０Ａと、送信側整合回路４１Ｔｘ−４４Ｔｘを実現する電極パターンＤＰ_４１Ｔｘ−ＤＰ_４４Ｔｘとの間には、積層方向に延びる形状からなる導電性ビアホール（接地導体）ＴＨ_Ｇが配設されている。導電性ビアホールＴＨ_Ｇの両端は、内層グランド電極ＤＰ_Ｇ１，ＤＰ_Ｇ２にそれぞれ接続されている。このような構成により、整合回路５０を実現する電極パターンＤＰ_５０Ａと送信側整合回路４１Ｔｘ−４４Ｔｘを実現する電極パターンＤＰ_４１Ｔｘ−ＤＰ_４４Ｔｘとの電磁界結合が抑制され、スイッチ素子２０の個別端子側（送信側）とアンテナ側とのアイソレーションを向上させることができる。すなわち、アイソレーション特性が優れた、送信フィルタモジュール３０ＡＴｘとスイッチ素子２０の複合モジュールを小型に形成することができる。これにより、アイソレーション特性に優れる小型の高周波モジュールを実現できる。

なお、スイッチ素子２０は、受信フィルタモジュール３０Ｒｘの受信側ベース基板４０Ｒｘに実装することも可能である。しかしながら、送信信号は受信信号よりも電力が高く、送信信号が伝送される線路から他の回路および回路素子に与える影響が大きい。このため、送信フィルタモジュール３０ＡＴｘ側にスイッチ素子２０を実装した方が、このような悪影響を抑制しやすく、好適である。

次に、第３の実施形態に係る高周波モジュールについて、図を参照して説明する。図６は、第３の実施形態に係る高周波モジュール１０Ｂの回路構成図である。

本実施形態の高周波モジュール１０Ｂは、第１の実施形態に示した高周波モジュール１０に対して、さらに第５通信信号（第５送信信号および第５受信信号）、第６通信信号（第６送信信号および第６受信信号）、第７通信信号（第７送信信号および第７受信信号）、第８通信信号（第８送信信号および第８受信信号）を送受信するものである。なお、以下では、第１の実施形態に示した高周波モジュール１０と異なる箇所のみを説明する。

まず、高周波モジュール１０Ｂの回路構成について説明する。高周波モジュール１０Ｂのスイッチ素子２０Ｂは、個別端子Ｐ_ＩＣ（ＲＦ１）−Ｐ_ＩＣ（ＲＦ４）に加えて、個別端子Ｐ_ＩＣ（ＲＦ５），Ｐ_ＩＣ（ＲＦ６），Ｐ_ＩＣ（ＲＦ７），Ｐ_ＩＣ（ＲＦ８），Ｐ_ＩＣ（ＲＦ９），Ｐ_ＩＣ（ＲＦ１０）を備える。

個別端子Ｐ_ＩＣ（ＲＦ５）は、ＬＣフィルタ型のローパスフィルタ７１に接続されている。ローパスフィルタ７１は、第５送信信号及び第６送信信号の基本周波数帯域を通過帯域とし、高調波成分の周波数帯域を減衰帯域とするフィルタである。ローパスフィルタ７１は、高周波モジュール１０Ｂの第５送信信号入力端子Ｐ_Ｍ（Ｔｘ５６）に接続されている。第５送信信号入力端子には、第５送信信号または第６送信信号が入力される。

個別端子Ｐ_ＩＣ（ＲＦ６）は、ＬＣフィルタ型のローパスフィルタ７２に接続されている。ローパスフィルタ７２は、第７送信信号及び第８送信信号の基本周波数帯域を通過帯域とし、高調波成分の周波数帯域を減衰帯域とするフィルタである。ローパスフィルタ７２は、高周波モジュール１０Ｂの第６送信信号入力端子Ｐ_Ｍ（Ｔｘ７８）に接続されている。第６送信信号入力端子には、第７送信信号または第８送信信号が入力される。

個別端子Ｐ_ＩＣ（ＲＦ７）は、受信側整合回路４５Ｒｘを介して、受信側ＳＡＷフィルタ３５Ｒｘに接続されている。受信側ＳＡＷフィルタ３５Ｒｘは、第５受信信号の基本周波数帯域を通過帯域とし、他の周波数帯域を減衰帯域とするフィルタである。受信側ＳＡＷフィルタ３５Ｒｘは、高周波モジュール１０Ｂの第５受信信号出力端子Ｐ_Ｍ（Ｒｘ５）に接続されている。第５受信信号出力端子からは、第５受信信号が出力される。

個別端子Ｐ_ＩＣ（ＲＦ８）は、受信側整合回路４６Ｒｘを介して、受信側ＳＡＷフィルタ３６Ｒｘに接続されている。受信側ＳＡＷフィルタ３６Ｒｘは、第６受信信号の基本周波数帯域を通過帯域とし、他の周波数帯域を減衰帯域とするフィルタである。受信側ＳＡＷフィルタ３６Ｒｘは、高周波モジュール１０Ｂの第６受信信号出力端子Ｐ_Ｍ（Ｒｘ６）に接続されている。第６受信信号出力端子からは、第６受信信号が出力される。

受信側ＳＡＷフィルタ３５Ｒｘと受信側ＳＡＷフィルタ３６Ｒｘは、一体形成されており、この形状によって複合型ＳＡＷフィルタ３５６Ｒｘを構成している。この複合型ＳＡＷフィルタ３５６Ｒｘは、例えば、単体の圧電基板に対して、受信側ＳＡＷフィルタ３５Ｒｘ用の電極と、受信側ＳＡＷフィルタ３６Ｒｘ用の電極を形成することによって実現できる。

個別端子Ｐ_ＩＣ（ＲＦ９）は、受信側整合回路４７Ｒｘを介して、受信側ＳＡＷフィルタ３７Ｒｘに接続されている。受信側ＳＡＷフィルタ３７Ｒｘは、第７受信信号の基本周波数帯域を通過帯域とし、他の周波数帯域を減衰帯域とするフィルタである。受信側ＳＡＷフィルタ３７Ｒｘは、高周波モジュール１０Ｂの第７受信信号出力端子Ｐ_Ｍ（Ｒｘ７）に接続されている。第７受信信号出力端子からは、第７受信信号が出力される。

個別端子Ｐ_ＩＣ（ＲＦ１０）は、受信側整合回路４８Ｒｘを介して、受信側ＳＡＷフィルタ３８Ｒｘに接続されている。受信側ＳＡＷフィルタ３８Ｒｘは、第８受信信号の基本周波数帯域を通過帯域とし、他の周波数帯域を減衰帯域とするフィルタである。受信側ＳＡＷフィルタ３８Ｒｘは、高周波モジュール１０Ｂの第８受信信号出力端子Ｐ_Ｍ（Ｒｘ８）に接続されている。第８受信信号出力端子からは、第８受信信号が出力される。

受信側ＳＡＷフィルタ３７Ｒｘと受信側ＳＡＷフィルタ３８Ｒｘは、一体形成されており、この形状によって複合型ＳＡＷフィルタ３７８Ｒｘを構成している。この複合型ＳＡＷフィルタ３７８Ｒｘは、例えば、単体の圧電基板に対して、受信側ＳＡＷフィルタ３７Ｒｘ用の電極と、受信側ＳＡＷフィルタ３８Ｒｘ用の電極を形成することによって実現できる。

このような回路構成からなる高周波モジュール１０Ｂは、図７に示す構造によって実現される。図７（Ａ）は、第３の実施形態に係る高周波モジュール１０Ｂの平面図であり、図７（Ｂ）は高周波モジュール１０Ｂの送信フィルタモジュール３０Ｔｘ側の側面構成図であり、図７（Ｃ）は高周波モジュール１０Ｂの受信フィルタモジュール３０ＢＲｘ側の側面構成図である。

なお、図７では、送信側ベース基板４０Ｔｘ、受信側ベース基板４０ＢＲｘ、マザー基板９０内の具体的な電極パターンは図示していない。しかしながら、ＬＣフィルタ型のローパスフィルタ７１，７２は、既知の方法によって、マザー基板９０の内層電極パターンによって実現されている。

受信側ＳＡＷフィルタ３１Ｒｘ，３２Ｒｘ，３３Ｒｘ、３４Ｒｘと、複合型ＳＡＷフィルタ３５６Ｒｘ，３７８Ｒｘは、受信側ベース基板４０ＢＲｘの表面に、はんだや導電性接着剤等によって実装されている。例えば、図７（Ａ），（Ｃ）の場合であれば、受信側ＳＡＷフィルタ３１Ｒｘ，３２Ｒｘ，３３Ｒｘ、３４Ｒｘ、および複合型ＳＡＷフィルタ３５６Ｒｘ，３７８Ｒｘは、所定間隔をおいて、一列に配列して実装されている。

受信側ベース基板４０ＢＲｘ内には、整合回路４１Ｒｘ−４４Ｒｘ用の電極パターンととともに、整合回路４５Ｒｘ−４８Ｒｘ用の電極パターンも形成されている。整合回路４５Ｒｘ，４６Ｒｘ用の電極パターンは、複合型ＳＡＷフィルタ３５６Ｒｘの実装領域下に形成されている。整合回路４７Ｒｘ，４８Ｒｘ用の電極パターンは、複合型ＳＡＷフィルタ３７８Ｒｘの実装領域下に形成されている。

このような構成であっても、送信側フィルタ群と受信側フィルタ群とが離間して配置されるので、送信側フィルタと受信側フィルタとの間のアイソレーションを確保することができる。

また、本実施形態や第１の実施形態に示すように、送信側ＳＡＷフィルタと受信側ＳＡＷフィルタとをそれぞれまとめることで、仕様に応じて材料が異なる送信側ＳＡＷフィルタと受信側ＳＡＷフィルタとを用いる高周波モジュールを形成する際に有効である。

具体的には、各送信側ＳＡＷフィルタをＬｉＴａＯ_３（タンタル酸リチウム）基板によって形成し、各受信側ＳＡＷフィルタをＬｉＮｂＯ_３（ニオブ酸リチウム）基板によって形成する場合、従来の構成であれば、各ＳＡＷデュプレクサを構成する送信側ＳＡＷフィルタと受信側ＳＡＷフィルタは、必ず個別に形成した後、一体化しなければならない。しかしながら、本願の構成のように、同じ基板材料からなる送信側ＳＡＷフィルタ同士、もしくは受信側ＳＡＷフィルタ同士をまとめることで、上述の第３の実施形態に示した高周波モジュール１０Ｂの複合型ＳＡＷフィルタ３５６Ｒｘ，３７８Ｒｘのように、一つの圧電基板に複数のＳＡＷフィルタを一体に形成できる。これにより、複数の送信側ＳＡＷフィルタと受信側フィルタの一群を形成するのに、より簡素な製造工程で、且つ小型に形成することができる。

なお、第３の実施形態に係る高周波モジュール１０Ｂでは、複数の受信側ＳＡＷフィルタを一体化する場合を示したが、複数の送信側ＳＡＷフィルタを一体化してもよい。

また、第３の実施形態に係る高周波モジュール１０Ｂに対して、第２の実施形態に係る高周波モジュール１０Ａの構成を適用してもよい。

次に、第４の実施形態に係る高周波モジュールについて、図を参照して説明する。図８は、第４の実施形態に係る高周波モジュール１０Ｃの送信フィルタモジュール３０Ｔｘの側面構成図である。本実施形態の高周波モジュール１０Ｃは、第１の実施形態に示した高周波モジュール１０に対して、送信フィルタモジュール３０Ｔｘ、受信フィルタモジュール３０ＢＲｘ、スイッチ素子２０を、マザー基板とは異なるモジュール用ベース基板９０Ｃに実装することで、高周波モジュールを実現している。なお、本実施形態の高周波モジュール１０Ｃの回路構成は、図６に示した回路構成と同じであり、説明は省略する。また、送信フィルタモジュール３０Ｔｘ、受信フィルタモジュール３０ＢＲｘの構成も、第３の実施形態に示した構成と同じであり、説明は省略する。なお、図８も導電性ビアホールは省略しており、図６に示す回路構成を実現するように、適宜モジュール用ベース基板９０Ｃに形成されている。

モジュール用ベース基板９０Ｃ（本発明の第３の基板に相当する。）は、複数層（図８では８層）の誘電体層９０１，９０２，９０３，９０４，９０５，９０６，９０７，９０８を積層してなる。

モジュール用ベース基板９０Ｃの表面（誘電体層９０１の表面）には、送信フィルタモジュール３０Ｔｘ、受信フィルタモジュール３０ＢＲｘ、スイッチ素子２０が実装されている。

誘電体層９０１，９０２の界面には、送信フィルタモジュール３０Ｔｘ、受信フィルタモジュール３０ＢＲｘ、スイッチ素子２０を接続する電極パターンＤＰ_２３Ｃが、所定パターンで形成されている。

誘電体層９０２，９０３の界面には、略全面に、内層グランド電極ＤＰ_Ｇ１Ｃが形成されている。

誘電体層９０７，９０８の界面には、略全面に、内層グランド電極ＤＰ_Ｇ２Ｃが形成されている。

誘電体層９０３から誘電体層９０７の間には、ローパスフィルタ７１を形成する電極パターンＤＰ_７１、ローパスフィルタ７２を形成する電極パターンＤＰ_７２、整合回路５０を形成する電極パターンＤＰ_５０Ｃが形成されている。ローパスフィルタ７１を形成する電極パターンＤＰ_７１と、ローパスフィルタ７２を形成する電極パターンＤＰ_７２とは、積層方向に見て、電極形成領域が重ならないように、形成されている。

また、整合回路５０を形成する電極パターンＤＰ_５０Ｃは、積層方向に見て、電極パターンＤＰ_７１，ＤＰ_７２の電極形成領域に重ならないように、形成されている。誘電体層９０３−９０７における、電極パターンＤＰ_７１，ＤＰ_７２の形成領域と、電極パターンＤＰ_５０Ｃとの間には、内層グランド電極ＤＰ_Ｇ１Ｃ，ＤＰ_Ｇ２Ｃに接続する導電性ビアホールＴＨ_ＧＣが形成されている。

モジュール用ベース基板９０Ｃの裏面（誘電体層９０８の裏面）には、図示しないマザー基板へ実装するための外部接続端子が形成されている。

このような構成とすることで、当該高周波モジュール１０Ｃを、図示しないマザー基板に実装して、アンテナＡＮＴに接続するだけで、図６に示す回路をそのまま実現することができる。このため、マザー基板の高周波モジュール１０Ｃに対するパターン設計が容易になるとともに、他の回路の設計自由度も向上することが可能である。

また、本実施形態の構成では、送信側ＳＡＷフィルタ群、送信側整合回路群、受信側フィルタ群、受信側整合回路群、ＬＣフィルタ型のローパスフィルタ群、アンテナ側整合回路が、それぞれ物理的に分離、もしくはグランドによる電気的な分離がされているので、これらの間でのアイソレーションを確保することができる。

なお、本実施形態では、送信フィルタモジュール３０Ｔｘとスイッチ素子２０とを一体化していないが、第２の実施形態に示したように、一体化してもよい。

次に、第５の実施形態に係る高周波モジュールについて、図を参照して説明する。図９は、第５の実施形態に係る高周波モジュール１０Ｄの平面図である。本実施形態の高周波モジュール１０Ｄは、第４の実施形態に示した高周波モジュール１０Ｃに対して、スイッチ素子２０の実装位置が異なるものである。したがって、異なる箇所のみを説明する。

モジュール用ベース基板９０Ｄの表面には、送信フィルタモジュール３０Ｔｘおよび受信フィルタモジュール３０ＢＲｘが、所定の間隔をおいて実装されている。スイッチ素子２０は、送信フィルタモジュール３０Ｔｘの実装位置と、受信フィルタモジュール３０ＢＲｘの実装位置との間に実装されている。

このような構成とすることで、送信フィルタモジュール３０Ｔｘと受信フィルタモジュール３０ＢＲｘとの間隔がさらに広がり、間にスイッチ素子２０が介在するため、送信フィルタモジュール３０Ｔｘと受信フィルタモジュール３０ＢＲｘとの間のアイソレーションをさらに向上させることができる。

次に、第６の実施形態に係る高周波モジュールについて、図を参照して説明する。図１０は、第６の実施形態に係る高周波モジュール１０Ｅの平面図である。本実施形態の高周波モジュール１０Ｅは、第４の実施形態に示した高周波モジュール１０Ｃに対して、送信フィルタモジュール３０Ｔｘと受信フィルタモジュール３０ＢＲｘとの間に、他の複数の回路部品８０が実装されたものである。したがって、異なる箇所のみを説明する。

モジュール用ベース基板９０Ｅの表面には、送信フィルタモジュール３０Ｔｘおよび受信フィルタモジュール３０ＢＲｘが、所定の間隔をおいて実装されている。送信フィルタモジュール３０Ｔｘの実装位置と、受信フィルタモジュール３０ＢＲｘの実装位置との間には、複数の回路部品８０が実装されている。これらの回路部品は高周波モジュール１０Ｅを構成するインダクタやキャパシタの内、実装型素子で実現されるものであってもよく、マザー基板に実装される他の回路モジュールの実装型素子であってもよい。

このような構成であっても、第５の実施形態に示した高周波モジュール１０Ｄと同様に、送信フィルタモジュール３０Ｔｘと受信フィルタモジュール３０ＢＲｘとの間隔がさらに広がり、間に回路部品８０が介在するため、送信フィルタモジュール３０Ｔｘと受信フィルタモジュール３０ＢＲｘとの間のアイソレーションをさらに向上させることができる。

なお、第５、第６の実施形態では、モジュール用ベース基板に、送信フィルタモジュール、受信フィルタモジュール、スイッチ素子を実装する場合を示したが、マザー基板上に送信フィルタモジュール、受信フィルタモジュール、スイッチ素子を実装する態様にも適用することができる。

１０，１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ，１０Ｄ，１０Ｅ，１０Ｐ：高周波モジュール、
２０：スイッチ素子、
３１ＤＰＸ，３２ＤＰＸ，３３ＤＰＸ，３４ＤＰＸ：ＳＡＷデュプレクサ、
３０Ｔｘ：送信フィルタモジュール、
３０Ｒｘ，３０ＢＲｘ：受信フィルタモジュール、
３１Ｔｘ，３２Ｔｘ，３３Ｔｘ，３４Ｔｘ：送信側ＳＡＷフィルタ、
３１Ｒｘ，３２Ｒｘ，３３Ｒｘ，３４Ｒｘ，３５Ｒｘ，３６Ｒｘ，３７Ｒｘ，３８Ｒｘ：受信側ＳＡＷフィルタ、
３５６Ｒｘ，３７８Ｒｘ：複合型ＳＡＷフィルタ、
４０Ｔｘ，４０ＡＴｘ：送信側ベース基板、
４０Ｒｘ，４０ＢＲｘ：受信側ベース基板、
４１Ｐ，４２Ｐ，４３Ｐ，４４Ｐ，５０Ｐ：整合回路、
４１Ｔｘ，４２Ｔｘ，４３Ｔｘ，４４Ｔｘ：送信側整合回路、
４１Ｒｘ，４２Ｒｘ，４３Ｒｘ，４４Ｒｘ，４５Ｒｘ，４６Ｒｘ，４７Ｒｘ，４８Ｒｘ：受信側整合回路、
６０：絶縁性保護材、
７１，７２：ローパスフィルタ、
９０：マザー基板、
９０Ｃ，９０Ｄ，９０Ｅ：モジュール用ベース基板、
４０１ｔ−４０７ｔ、４０１ｒ−４０６ｒ，９０１−９０８：誘電体層、

Claims (5)

1. 複数の通信信号毎に設けられた送信フィルタと受信フィルタの組と、
   送信フィルタと受信フィルタとの組の共通端子を、切り替えてアンテナに接続するスイッチ素子と、を備えた高周波モジュールであって、
   前記送信フィルタと受信フィルタとの複数の組における各組の送信フィルタ、および、前記スイッチ素子が搭載される第１の基板と、
   前記送信フィルタと受信フィルタとの複数の組における各組の受信フィルタが搭載される第２の基板と、
   前記第１の基板および前記第２の基板が実装される第３の基板と、
   を備え、
   更に、
   前記第１の基板の基板内における各送信フィルタが表面に実装された領域に形成した、各領域の送信フィルタとその送信フィルタに接続する前記共通端子との間に接続される送信側整合回路の電極パターンと、
   前記第２の基板の基板内における各受信フィルタが表面に実装された領域に形成した、各領域の受信フィルタとその受信フィルタに接続する前記共通端子との間に接続される受信側整合回路の電極パターンと、
   前記第１の基板の基板内に形成した、前記スイッチ素子と前記アンテナとの間の整合を行うアンテナ側整合回路の電極パターンと、
   前記第１の基板の基板内における前記スイッチ素子が表面に実装された領域と前記複数の送信フィルタが表面に実装された領域との間の領域に形成した、前記送信側整合回路の電極パターンと前記アンテナ側整合回路の電極パターンとの間に位置する、接地導体と、
   を備え、
   前記第３の基板において互いに対向する辺に沿って、前記第１の基板に設けられた複数の送信フィルタと前記第２の基板に設けられた複数の受信フィルタとがそれぞれ配列され、
   同じ通信信号に対応する送信フィルタと受信フィルタとが前記第３の基板上で対向する位置に配置されるように、前記第１の基板および前記第２の基板上で複数の送信フィルタと複数の受信フィルタとが並んでいる、
   高周波モジュール。
2. 前記複数の送信フィルタのうち通過帯域が近接する送信フィルタを一体化した複合型送信フィルタを備え、
   該複合型送信フィルタが前記第１の基板に実装されている、請求項１に記載の高周波モジュール。
3. 前記複数の受信フィルタのうち通過帯域が近接する受信フィルタを一体化した複合型受信フィルタを備え、
   該複合型受信フィルタが前記第２の基板に実装されている、請求項１または請求項２に記載の高周波モジュール。
4. 前記第３の基板には、前記第１の基板の実装位置と前記第２の基板の実装位置との間に、他の回路部品が実装されている、請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の高周波モジュール。
5. 前記送信フィルタおよび前記受信フィルタは、弾性波フィルタである請求項１乃至請求項４の何れか一項に記載の高周波モジュール。

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