CN112751583B - 高频模块和通信装置 - Google Patents

Abstract

提供一种高频模块和通信装置。高频模块具备：模块基板；发送功率放大器；第一电感元件，其安装于模块基板，与发送功率放大器的输出端子连接；接收低噪声放大器；第二电感元件，其安装于模块基板，与接收低噪声放大器的输入端子连接；以及由镀金属形成的壁体，其配置在模块基板上，其中，壁体配置于第一电感元件与第二电感元件之间。

Description

高频模块和通信装置

技术领域

本发明涉及一种高频模块和通信装置。

背景技术

在便携式电话等移动通信设备中，特别是，随着多频段化的进展，构成高频前端电路的电路元件的配置结构变得复杂。

在专利文献1中公开了一种收发器(发送接收电路)的电路结构，该收发器具备：多个发送器(发送路径)和多个接收器(接收路径)；以及配置于该多个发送器及多个接收器与天线之间的开关复用器(switch-plexer)。上述多个发送器中的各发送器具有发送电路、PA(发送功率放大器)以及输出电路，上述多个接收器中的各接收器具有接收电路、LNA(接收低噪声放大器)以及输入电路。输出电路包括发送滤波器、阻抗匹配电路以及双工器等，输入电路包括接收滤波器、阻抗匹配电路以及双工器等。根据上述结构，能够通过开关复用器的切换动作来执行同时发送、同时接收、或同时发送接收。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特表2014-522216号公报

发明内容

发明要解决的问题

然而，在将专利文献1中公开的收发器(发送接收电路)用1个模块构成为移动通信设备的小型的前端电路的情况下，该一个发送器(发送路径)的输出电路的电感成分与该一个接收器(接收路径)的输入电路的电感成分有时发生电磁场耦合。在该情况下，发送接收之间的隔离度下降。然后，产生以下问题：被PA(发送功率放大器)放大后的高输出的高频发送信号的谐波成分、或者该高频发送信号与其它高频信号的互调失真成分借助上述电磁场耦合而流入到上述一个接收器(接收路径)，该一个接收器(接收路径)的接收灵敏度劣化。

本发明是为了解决上述问题而完成的，其目的在于提供一种接收灵敏度的劣化得到抑制的高频模块和通信装置。

用于解决问题的方案

为了实现上述目的，本发明的一个方式所涉及的高频模块具备：模块基板；发送功率放大器，其放大高频发送信号；第一电感元件，其安装于所述模块基板，与所述发送功率放大器的输出端子连接；接收低噪声放大器，其放大高频接收信号；第二电感元件，其安装于所述模块基板，与所述接收低噪声放大器的输入端子连接；以及由镀金属形成的第一壁体，其配置在所述模块基板上，其中，在俯视所述模块基板的情况下，所述第一壁体配置于所述第一电感元件与所述第二电感元件之间。

发明的效果

根据本发明，能够提供接收灵敏度的劣化得到抑制的高频模块和通信装置。

附图说明

图1是实施方式所涉及的高频模块和通信装置的电路结构图。

图2A是实施例1所涉及的高频模块的平面结构概要图。

图2B是实施例1所涉及的高频模块的截面结构概要图。

图3A是变形例1所涉及的高频模块的平面结构概要图。

图3B是变形例1所涉及的高频模块的截面结构概要图。

图4是变形例2所涉及的高频模块的平面结构概要图。

图5A是实施例2所涉及的高频模块的平面结构概要图。

图5B是实施例2所涉及的高频模块的截面结构概要图。

图5C是变形例3所涉及的高频模块的截面结构概要图。

图6A是变形例4所涉及的高频模块的平面结构概要图。

图6B是变形例4所涉及的高频模块的截面结构概要图。

图7A是变形例5所涉及的高频模块的平面结构概要图。

图7B是变形例5所涉及的高频模块的截面结构概要图。

具体实施方式

下面，详细说明本发明的实施方式。此外，下面说明的实施方式表示总括性或具体的例子。另外，下面的实施方式、实施例以及变形例所示的数值、形状、材料、结构要素、结构要素的配置以及连接方式等是一个例子，其主旨并不在于限定本发明。另外，将下面的实施例和变形例的结构要素中的未记载于独立权利要求的结构要素作为任意的结构要素来进行说明。另外，附图所示的结构要素的大小或者大小之比未必是严格的。在各图中，对实质上相同的结构标注相同的标记，有时省略或简化重复的说明。

另外，下面，平行和垂直等表示要素之间的关系性的用语和矩形形状等表示要素的形状的用语以及数值范围表示实质上等同的范围，例如还包括百分之几左右的差异，而不是仅表示严格的含义。

另外，下面，在安装于基板的A、B及C中，“在俯视基板(或基板的主面)时，在A与B之间配置有C”表示：在俯视基板时，将A内的任意的点与B内的任意的点连结的直线经过C的区域。另外，俯视基板表示：将基板和安装于基板的电路元件正投影到与基板平行的平面来进行观察。

另外，下面，“发送路径”表示由传播高频发送信号的布线、与该布线直接连接的电极、以及与该布线或该电极直接连接的端子等构成的传输线路。另外，“接收路径”表示由传播高频接收信号的布线、与该布线直接连接的电极、以及与该布线或该电极直接连接的端子等构成的传输线路。

另外，下面，“A与B连接”不仅适用于A与B物理连接的情况，也适用于A与B电连接的情况。

(实施方式)

[1.高频模块1和通信装置5的电路结构]

图1是实施方式所涉及的高频模块1和通信装置5的电路结构图。如该图所示，通信装置5具备高频模块1、天线2、RF信号处理电路(RFIC)3以及基带信号处理电路(BBIC)4。

RFIC 3是对利用天线2发送接收的高频信号进行处理的RF信号处理电路。具体地说，RFIC 3对经由高频模块1的接收信号路径输入的高频接收信号通过下变频等进行信号处理，将该信号处理后生成的接收信号输出到BBIC 4。另外，RFIC 3对从BBIC 4输入的发送信号通过上变频等进行信号处理，将该信号处理后生成的高频发送信号输出到高频模块1的发送信号路径。

BBIC 4是使用频率比在高频模块1中传播的高频信号的频率低的中间频带来进行信号处理的电路。由BBIC 4处理后的信号例如被用作图像信号以显示图像，或者被用作声音信号以借助扬声器进行通话。

另外，RFIC 3还具有作为基于所使用的通信频段(频带)来控制高频模块1所具有的开关51、52、53、54及55的连接的控制部的功能。具体地说，RFIC3通过控制信号(未图示)来切换高频模块1所具有的开关51～55的连接。此外，控制部也可以设置于RFIC 3的外部，例如也可以设置于高频模块1或BBIC 4。

天线2与高频模块1的天线连接端子100连接，辐射从高频模块1输出的高频信号，另外，接收来自外部的高频信号后输出到高频模块1。

此外，在本实施方式所涉及的通信装置5中，天线2和BBIC 4不是必需的结构要素。

接着，说明高频模块1的详细结构。

如图1所示，高频模块1具备发送功率放大器11及12、接收低噪声放大器21及22、发送滤波器61T、62T、63T及64T、接收滤波器61R、62R、63R及64R、发送输出匹配电路30、接收输入匹配电路40、匹配电路71、72、73及74、以及开关51、52、53、54及55。

天线连接端子100与天线2连接。

发送功率放大器11是对属于第一频带组的通信频段A(第一通信频段)和通信频段B的高频信号进行放大的第一发送功率放大器。发送功率放大器11的输入端子与发送输入端子111连接，发送功率放大器11的输出端子与匹配电路31连接。另外，发送功率放大器12是对属于第二频带组的通信频段C(第二通信频段)和通信频段D的高频信号进行放大的第二发送功率放大器，该第二频带组比第一频带组靠低频侧。发送功率放大器12的输入端子与发送输入端子112连接，发送功率放大器12的输出端子与匹配电路32连接。

接收低噪声放大器21是将通信频段A和通信频段B的高频信号以低噪声进行放大的第一接收低噪声放大器。接收低噪声放大器21的输入端子与匹配电路41连接，接收低噪声放大器21的输出端子与接收输出端子121连接。另外，接收低噪声放大器22是将通信频段C和通信频段D的高频信号以低噪声进行放大的第二接收低噪声放大器。接收低噪声放大器22的输入端子与匹配电路42连接，接收低噪声放大器22的输出端子与接收输出端子122连接。

发送滤波器61T配置于将发送功率放大器11与天线连接端子100连结的发送路径AT，使被发送功率放大器11放大后的高频发送信号中的通信频段A的发送带的高频发送信号通过。另外，发送滤波器62T配置于将发送功率放大器11与天线连接端子100连结的发送路径BT，使被发送功率放大器11放大后的高频发送信号中的通信频段B的发送带的高频发送信号通过。另外，发送滤波器63T配置于将发送功率放大器12与天线连接端子100连结的发送路径CT，使被发送功率放大器12放大后的高频发送信号中的通信频段C的发送带的高频发送信号通过。另外，发送滤波器64T配置于将发送功率放大器12与天线连接端子100连结的发送路径DT，使被发送功率放大器12放大后的高频发送信号中的通信频段D的发送带的高频发送信号通过。

接收滤波器61R配置于将接收低噪声放大器21与天线连接端子100连结的接收路径AR，使从天线连接端子100输入的高频接收信号中的通信频段A的接收带的高频接收信号通过。另外，接收滤波器62R配置于将接收低噪声放大器21与天线连接端子100连结的接收路径BR，使从天线连接端子100输入的高频接收信号中的通信频段B的接收带的高频接收信号通过。另外，接收滤波器63R配置于将接收低噪声放大器22与天线连接端子100连结的接收路径CR，使从天线连接端子100输入的高频接收信号中的通信频段C的接收带的高频接收信号通过。另外，接收滤波器64R配置于将接收低噪声放大器22与天线连接端子100连结的接收路径DR，使从天线连接端子100输入的高频接收信号中的通信频段D的接收带的高频接收信号通过。

此外，上述的发送滤波器61T～64T和接收滤波器61R～64R例如可以是声表面波滤波器、使用了BAW(Bulk Acoustic Wave：体声波)的弹性波滤波器、LC谐振滤波器、以及电介质滤波器中的任一个，而且不限定于它们。

发送滤波器61T和接收滤波器61R构成了以通信频段A为通带的双工器61。另外，发送滤波器62T和接收滤波器62R构成了以通信频段B为通带的双工器62。另外，发送滤波器63T和接收滤波器63R构成了以通信频段C为通带的双工器63。另外，发送滤波器64T和接收滤波器64R构成了以通信频段D为通带的双工器64。

发送输出匹配电路30具有匹配电路31及32。匹配电路31配置于将发送功率放大器11与发送滤波器61T及62T连结的发送路径，取得发送功率放大器11与发送滤波器61T及62T的阻抗匹配。匹配电路32配置于将发送功率放大器12与发送滤波器63T及64T连结的发送路径，取得发送功率放大器12与发送滤波器63T及64T的阻抗匹配。

接收输入匹配电路40具有匹配电路41及42。匹配电路41配置于将接收低噪声放大器21与接收滤波器61R及62R连结的接收路径，取得接收低噪声放大器21与接收滤波器61R及62R的阻抗匹配。匹配电路42配置于将接收低噪声放大器22与接收滤波器63R及64R连结的接收路径，取得接收低噪声放大器22与接收滤波器63R及64R的阻抗匹配。

开关51是配置于将匹配电路31与发送滤波器61T及62T连结的发送路径的第二开关，对发送功率放大器11与发送滤波器61T的连接以及发送功率放大器11与发送滤波器62T的连接进行切换。开关51例如由公共端子与匹配电路31连接、一方的选择端子与发送滤波器61T连接、另一方的选择端子与发送滤波器62T连接的SPDT(Single Pole Double Throw：单刀双掷)型的开关电路构成。开关52是配置于将匹配电路32与发送滤波器63T及64T连结的发送路径的第二开关，对发送功率放大器12与发送滤波器63T的连接以及发送功率放大器12与发送滤波器64T的连接进行切换。开关52例如由公共端子与匹配电路32连接、一方的选择端子与发送滤波器63T连接、另一方的选择端子与发送滤波器64T连接的SPDT型的开关电路构成。开关53是配置于将匹配电路41与接收滤波器61R及62R连结的接收路径的第三开关，对接收低噪声放大器21与接收滤波器61R的连接以及接收低噪声放大器21与接收滤波器62R的连接进行切换。开关53例如由公共端子与匹配电路41连接、一方的选择端子与接收滤波器61R连接、另一方的选择端子与接收滤波器62R连接的SPDT型的开关电路构成。开关54是配置于将匹配电路42与接收滤波器63R及64R连结的接收路径的第三开关，对接收低噪声放大器22与接收滤波器63R的连接以及接收低噪声放大器22与接收滤波器64R的连接进行切换。开关54例如由公共端子与匹配电路42连接、一方的选择端子与接收滤波器63R连接、另一方的选择端子与接收滤波器64R连接的SPDT型的开关电路构成。

开关55是配置于将天线连接端子100与发送滤波器61T～64T及接收滤波器61R～64R连结的信号路径的第一开关，对(1)天线连接端子100与发送滤波器61T及接收滤波器61R的连接、(2)天线连接端子100与发送滤波器62T及接收滤波器62R的连接、(3)天线连接端子100与发送滤波器63T及接收滤波器63R的连接、以及(4)天线连接端子100与发送滤波器64T及接收滤波器64R的连接进行切换。此外，开关55由能够同时进行上述(1)～(4)中的2个以上的连接的多连接型的开关电路构成。

匹配电路71配置于将开关55与发送滤波器61T及接收滤波器61R连结的路径，取得天线2及开关55与发送滤波器61T及接收滤波器61R的阻抗匹配。匹配电路72配置于将开关55与发送滤波器62T及接收滤波器62R连结的路径，取得天线2及开关55与发送滤波器62T及接收滤波器62R的阻抗匹配。匹配电路73配置于将开关55与发送滤波器63T及接收滤波器63R连结的路径，取得天线2及开关55与发送滤波器63T及接收滤波器63R的阻抗匹配。匹配电路74配置于将开关55与发送滤波器64T及接收滤波器64R连结的路径，取得天线2及开关55与发送滤波器64T及接收滤波器64R的阻抗匹配。

此外，匹配电路71～74不是本发明所涉及的高频模块所必需的结构要素。

在上述高频模块1的结构中，发送功率放大器11、匹配电路31、开关51以及发送滤波器61T及62T构成向天线连接端子100输出通信频段A和通信频段B的高频发送信号的第一发送电路。另外，发送功率放大器12、匹配电路32、开关52以及发送滤波器63T及64T构成向天线连接端子100输出通信频段C和通信频段D的高频发送信号的第二发送电路。第一发送电路和第二发送电路构成向天线连接端子100输出通信频段A～D的高频发送信号的发送电路。

另外，接收低噪声放大器21、匹配电路41、开关53以及接收滤波器61R及62R构成从天线2经由天线连接端子100输入通信频段A和通信频段B的高频接收信号的第一接收电路。另外，接收低噪声放大器22、匹配电路42、开关54以及接收滤波器63R及64R构成从天线2经由天线连接端子100输入通信频段C和通信频段D的高频接收信号的第二接收电路。第一接收电路和第二接收电路构成从天线连接端子100输入通信频段A～D的高频接收信号的接收电路。

此外，第二发送电路和第二接收电路例如是传输属于低频段组的通信频段的发送信号和接收信号的电路。低频段组是由支持4G及5G的多个通信频段构成的频带组，例如具有1GHz以下的频率范围。低频段组例如由LTE(Long Term Evolution：长期演进)的Band5(发送带：824MHz-849MHz、接收带：869MHz-894MHz)、Band8(发送带：880MHz-915MHz、接收带：925MHz-960MHz)、以及Band28(发送带：703MHz-748MHz、接收带：753MHz-803MHz)等通信频段构成。

另外，第一发送电路和第一接收电路例如是传输属于中频段组的通信频段的发送信号和接收信号的电路。中频段组是由支持4G及5G的多个通信频段构成的频带组，位于比低频段组靠高频侧的位置，例如具有1.5GHz-2.2GHz的频率范围。中频段组例如由LTE的Band1(发送带：1920MHz-1980MHz、接收带：2110MHz-2170MHz)、Band39(发送接收带：1880MHz-1920MHz)、以及Band66(发送带：1710MHz-1780MHz、接收带：2110MHz-2200MHz)等通信频段构成。

另外，第一发送电路和第一接收电路例如也可以是传输属于高频段组的通信频段的发送信号和接收信号的电路。高频段组是由支持4G及5G的多个通信频段构成的频带组，位于比中频段组靠高频侧的位置，例如具有2.4GHz-2.8GHz的频率范围。高频段组例如由LTE的Band7(发送带：2500MHz-2570MHz、接收带：2620MHz-2690MHz)、以及Band41(发送接收带：2496MHz-2690MHz)等通信频段构成。

根据上述电路结构，本实施方式所涉及的高频模块1能够执行通信频段A及通信频段B中的任一个通信频段的高频信号与通信频段C及通信频段D中的任一个通信频段的高频信号的同时发送、同时接收、以及同时发送接收中的至少任一个。

此外，在本发明所涉及的高频模块中，发送电路和接收电路也可以不经由开关55来与天线连接端子100连接，上述发送电路和上述接收电路也可以经由不同的端子来与天线2连接。另外，作为本发明所涉及的高频模块的电路结构，只要至少具有发送功率放大器11、匹配电路31、接收低噪声放大器21以及匹配电路41即可，在该情况下，也可以没有开关51～55、发送滤波器61T～64T、以及接收滤波器61R～64R。另外，在该情况下，是不进行2个以上的通信频段的高频信号的同时发送、同时接收以及同时发送接收而发送接收单一的通信频段的高频信号的系统。

在此，在将构成上述高频模块1的各电路元件用1个模块构成为小型的前端电路的情况下，例如设想到发送输出匹配电路30的电感成分与接收输入匹配电路40的电感成分发生电磁场耦合。在该情况下，有时产生以下问题等：被发送功率放大器11或12放大后的高输出的高频发送信号的谐波成分、或者该高频发送信号与其它高频信号的互调失真成分借助上述电磁场耦合而流入到接收电路，接收电路的接收灵敏度劣化。例如能够列举以下情况：被发送功率放大器12放大后的高频发送信号的谐波的频率与通信频段A的接收带的至少一部分重叠。另外，例如能够列举以下情况：被发送功率放大器11放大后的高频发送信号与其它高频信号的互调失真的频率同通信频段A～D的接收带的至少一部分重叠。

与此相对，在本实施方式所涉及的高频模块1中，具有抑制发送输出匹配电路30的电感成分(第一电感元件)与接收输入匹配电路40的电感成分(第二电感元件)发生电磁场耦合的结构。下面，说明本实施方式所涉及的高频模块1的抑制上述电磁场耦合的结构。

[2.实施例1所涉及的高频模块1A的电路元件配置结构]

图2A是实施例1所涉及的高频模块1A的平面结构概要图。另外，图2B是实施例1所涉及的高频模块1A的截面结构概要图，具体地说，是图2A的IIB-IIB线处的截面图。实施例1所涉及的高频模块1A具体地示出了构成实施方式所涉及的高频模块1的各电路元件的配置结构。

如图2A和图2B所示，本实施例所涉及的高频模块1A除了具有图1中示出的电路结构以外，还具有模块基板91、壁体81以及树脂构件92。

模块基板91是在主面91a上安装上述发送电路和上述接收电路的基板。作为模块基板91，例如使用具有多个电介质层的层叠构造的低温共烧陶瓷(Low Temperature Co-fired Ceramics：LTCC)基板、高温共烧陶瓷(High Temperature Co-fired Ceramics：HTCC)基板、部件内置基板、具有重新布线层(Redistribution Layer：RDL)的基板、或者印刷电路板等。此外，也可以是，在模块基板91上形成有天线连接端子100、发送输入端子111及112以及接收输出端子121及122。

壁体81是第一壁体的一例，配置在模块基板91上，由镀金属形成。换言之，壁体81是通过镀处理法进行镀生长而成的金属体，从模块基板91的主面91a向z轴正方向突出。壁体81由沿着y轴方向和z轴方向形成的平板81a以及沿着x轴方向和z轴方向形成的平板81b构成。此外，壁体81也可以不像本实施例那样由多个平板构成，也可以是单个平板。另外，构成壁体81的平板也可以具有曲面。

树脂构件92配置于模块基板91的主面91a，覆盖上述发送电路、上述接收电路以及模块基板91的主面91a，具有确保构成上述发送电路和上述接收电路的电路元件的机械强度和耐湿性等的可靠性的功能。此外，树脂构件92不是本发明所涉及的高频模块所必需的结构要素。

如图2A及2B所示，在本实施例所涉及的高频模块1A中，发送功率放大器11及12、接收低噪声放大器21及22、双工器61～64、匹配电路31、32、41及42、以及开关51、52及55安装于模块基板91的主面91a的表面。此外，开关53及54以及匹配电路73及74在图2A和图2B中未图示，既可以安装于模块基板91的主面91a的表面，另外也可以内置于模块基板91。

匹配电路31包括电感器31L和电容器31C。匹配电路32包括电感器32L和电容器32C。匹配电路41包括电感器41L和电容器41C。匹配电路42包括电感器42L和电容器42C。电感器31L是与发送功率放大器11的输出端子连接的第一电感元件，电感器32L是与发送功率放大器12的输出端子连接的第一电感元件。电感器31L及32L中的各电感器例如由芯片状的电感器或者形成在主面91a上的布线图案构成。电感器41L是与接收低噪声放大器21的输入端子连接的第二电感元件，电感器42L是与接收低噪声放大器22的输入端子连接的第二电感元件。电感器41L及42L中的各电感器例如由芯片状的电感器或者形成在主面91a上的布线图案构成。此外，匹配电路31也可以不包括电容器31C。另外，匹配电路32也可以不包括电容器32C。另外，匹配电路41也可以不包括电容器41C。另外，匹配电路42也可以不包括电容器42C。

匹配电路71包括电感器71L。匹配电路72包括电感器72L。电感器71L是配置于天线连接端子100与发送滤波器61T及接收滤波器61R之间的第三电感元件。电感器72L是配置于天线连接端子100与发送滤波器62T及接收滤波器62R之间的第三电感元件。电感器71L及72L中的各电感器例如由芯片状的电感器或者形成在主面91a上的布线图案构成。此外，匹配电路71也可以包括电容器。另外，匹配电路72也可以包括电容器。

在此，在本实施例所涉及的高频模块1A中，电感器41L与电感器31L被壁体81隔开。换言之，在俯视主面91a的情况下，壁体81配置于电感器41L与电感器31L之间。另外，电感器41L与电感器32L被壁体81隔开。换言之，在俯视主面91a的情况下，在电感器41L与电感器32L之间配置有壁体81。

据此，在安装于模块基板91的电感器41L与电感器31L之间配置有由镀金属形成的壁体81。在此，镀金属体与通过涂布金属膏而形成的金属体相比密度高。因此，能够通过具有高导电性的壁体81来屏蔽从电感器41L及31L产生的电磁场，因此能够高度地抑制电感器41L与电感器31L的电磁场耦合。因此，能够提高发送接收之间的隔离度。

而且，在安装于模块基板91的电感器41L与电感器32L之间配置有由镀金属形成的壁体81，因此能够减少被第二发送电路的发送功率放大器12放大后的高输出的高频发送信号的谐波成分或者该高频发送信号与其它高频信号的互调失真成分借助上述电磁场耦合而流入到第一接收电路的情况，因此能够抑制高频模块1A的接收灵敏度的劣化。

例如，在高频模块1A中，发送功率放大器12被应用为对低频段组(1GHz以下)中包含的频带的高频信号进行放大的放大器，接收低噪声放大器21被应用为对中频段组(1.5GHz-2.2GHz)或高频段组(2.4GHz-2.8GHz)中包含的频带的高频信号进行放大的放大器。

在该情况下，被支持低频段组的发送功率放大器12放大后的高频发送信号的2次谐波或3次谐波的频率包含于中频段组或高频段组。即使是该情况下，也能够通过壁体81来高度地抑制电感器41L与电感器32L的电磁场耦合，因此能够减少该谐波向第一接收电路流入的流入量。因此，能够抑制高频模块1A的接收灵敏度的劣化。

此外，壁体81只要在上述俯视时配置于电感器41L与电感器32L之间或者电感器41L与电感器31L之间即可。从该观点出发，壁体81也可以不具有平板81a及81b这两方，只要是将第一电感元件与第二电感元件隔开的结构即可，也可以是平板81a及81b中的任一方。另外，壁体81也可以不像本实施例那样由平板构成，也可以具有曲面。

在以往的高频模块中，划分多个电路部件的屏蔽壁是在模块基板上安装多个电路部件之后形成的。具体地说，在利用树脂构件模制出安装有多个电路部件的模块基板之后，在用于形成屏蔽壁的区域的树脂构件处设置槽部。接着，通过利用溅射等在上述槽部填充金属来形成上述屏蔽壁。然而，在该情况下，在用于形成槽部的激光加工工序和溅射制膜工序中，已经配置于模块基板的多个电路部件会被加热。特别是，多个电路部件中的半导体部件存在由于上述加热而发生特性劣化和构造破坏等的担忧。另外，上述槽部是长条形状的凹部，因此为了在该槽部内填充金属膜，需要长时间的溅射制膜，因此还存在以下担忧：制膜工序中的加热使模块基板和树脂构件产生应力，模块基板产生翘曲和起伏。

与此相对，在本实施例所涉及的高频模块1A中，作为屏蔽壁的壁体81是通过镀处理工序形成的。具体地说，首先，在模块基板91上没有安装电路部件的状态下，形成作为壁体81的底层的晶种层。接着，在形成有晶种层的模块基板91上，利用光敏抗蚀剂等在想要形成壁体81的场所形成凹部(晶种层的暴露部)。接着，在暴露于上述凹部的晶种层上，使Au或Cu等金属通过电场镀来生长从而形成壁体81。接着，剥离光敏抗蚀剂。最后，在形成有壁体81的模块基板91上安装多个电路部件。

根据本实施例所涉及的高频模块1A的上述制造工序，能够将要安装于模块基板91的发送功率放大器11及12、接收低噪声放大器21及22、开关51～55、双工器61～64在壁体81的形成工序后进行安装，因此能够避免这些半导体部件由于壁体81的形成工序中的加热而发生特性劣化和构造破坏。另外，在壁体81的形成工序中，不存在长时间的加热，因此能够抑制模块基板91的翘曲、起伏。

另外，为了减少形成壁体时的加热，还可列举出使用导电性膏来形成壁体的工序，但是由导电性膏形成的壁体与通过镀处理法形成的壁体相比密度低，导电性低。

此外，期望的是，如图2B所示，壁体81形成得比电感器41L及31L高。由此，能够更强力地屏蔽从电感器41L及31L产生的电磁场。另外，壁体81既可以像图2B所示那样不从树脂构件92暴露出来，另外，也可以从树脂构件92暴露出来。

另外，在本实施例所涉及的高频模块1A中，也可以是，如图2B所示，壁体81与形成于模块基板91的地导体93G连接。由此，能够强化壁体81的电磁屏蔽功能。

另外，在本实施例所涉及的高频模块1A中，发送功率放大器11配置于被壁体81划分出的2个区域中的配置有电感器31L的区域。另外，发送功率放大器12配置于被壁体81划分出的2个区域中的配置有电感器32L的区域。另一方面，接收低噪声放大器21配置于被壁体81划分出的2个区域中的配置有电感器41L的区域。在该配置结构中，在俯视模块基板91的情况下，壁体81配置于发送功率放大器11及12与接收低噪声放大器21之间。

据此，能够利用具有高导电性的壁体81来屏蔽在发送功率放大器11、12和接收低噪声放大器21中产生的电磁场，因此能够高度地抑制由发送功率放大器11、12及电感器31L、32L构成的发送电路与由接收低噪声放大器21及电感器41L构成的第一接收电路的电磁场耦合。因此，能够进一步提高发送接收之间的隔离度。

此外，也可以是，接收低噪声放大器22和电感器42L配置于被壁体81划分出的2个区域中的配置有电感器41L的区域。由此，能够抑制由发送功率放大器11、12及电感器31L、32L构成的发送电路与由接收低噪声放大器22及电感器42L构成的第二接收电路的电磁场耦合。因此，能够进一步提高发送接收之间的隔离度。

另外，在本实施例所涉及的高频模块1A中，在俯视模块基板91的情况下，壁体81配置于电感器41L与电感器71L之间。另外，在俯视模块基板91的情况下，壁体81配置于电感器41L与电感器72L之间。

据此，能够高度地抑制电感器41L与电感器71L的电磁场耦合。另外，能够高度地抑制电感器41L与电感器72L的电磁场耦合。因此，能够抑制从天线连接端子100输入的高频信号以及被发送功率放大器11或12放大后的高输出的高频发送信号及其谐波成分不经由接收滤波器61R或62R地流入到接收电路。因此，能够抑制高频模块1A的接收灵敏度的劣化。

此外，将电感器41L与电感器71L隔开的壁体也可以是不同于壁体81的第二壁体。另外，将电感器41L与电感器72L隔开的壁体也可以是不同于壁体81的第二壁体。

[3.变形例1所涉及的高频模块1B的电路元件配置结构]

图3A是变形例1所涉及的高频模块1B的平面结构概要图。另外，图3B是变形例1所涉及的高频模块1B的截面结构概要图，具体地说，是图3A的IIIB-IIIB线处的截面图。变形例1所涉及的高频模块1B具体地示出了构成实施方式所涉及的高频模块1的各电路元件的配置结构。

本变形例所涉及的高频模块1B与实施例1所涉及的高频模块1A相比在以下方面不同：附加了屏蔽膜94G。下面，关于本变形例所涉及的高频模块1B，省略其与实施例1所涉及的高频模块1A相同的方面的说明，以不同的方面为中心来进行说明。

如图3A及3B所示，在本变形例所涉及的高频模块1B中，以覆盖树脂构件92和模块基板91的侧面的方式形成有屏蔽膜94G。屏蔽膜94G例如是通过溅射法形成的金属薄膜。

在此，如图3A所示，在俯视模块基板91的情况下，电感器41L被屏蔽膜94G的一部分和壁体81包围。也就是说，屏蔽膜94G的一部分和壁体81构成了屏蔽壁。

据此，电感器41L被包括壁体81的屏蔽壁包围，因此能够更进一步提高发送接收之间的隔离度。

此外，期望的是，如图3B所示，壁体81的下端与形成于模块基板91的地导体93G连接，壁体81的上端与屏蔽膜94G连接。由此，能够强化上述屏蔽壁的电磁屏蔽功能。

[4.变形例2所涉及的高频模块1C的电路元件配置结构]

图4是变形例2所涉及的高频模块1C的平面结构概要图。变形例2所涉及的高频模块1C具体地示出了构成实施方式所涉及的高频模块1的各电路元件的配置结构。

本变形例所涉及的高频模块1C与实施例1所涉及的高频模块1A相比，壁体82的结构不同。下面，关于本变形例所涉及的高频模块1C，省略其与实施例1所涉及的高频模块1A相同的方面的说明，以不同的方面为中心来进行说明。

壁体82是第一壁体的一例，竖立设置在模块基板91上，由镀金属形成。换言之，壁体82是通过镀处理法进行镀生长而成的金属体，从模块基板91的主面91a向z轴正方向突出。壁体82由沿着y轴方向和z轴方向形成的平板82a及82c以及沿着x轴方向和z轴方向形成的平板82b及82d构成。

在本变形例所涉及的高频模块1C中，在俯视模块基板91的情况下，电感器41L被壁体82包围。

据此，电感器41L被壁体82包围，因此能够更进一步提高发送接收之间的隔离度。另外，在模块基板91形成有沿着x轴方向形成的平板82b及82d以及沿着y轴方向形成的平板82a及82c，因此能够更进一步抑制因热应力引起的模块基板91的翘曲。

此外，在被壁体82包围的区域，也可以除了配置有电感器41L以外还如图4所示那样配置有接收低噪声放大器21。另外，在被壁体82包围的区域，也可以除了配置有电感器42L和接收低噪声放大器22以外还配置有构成接收电路的电路元件。另外，在被壁体82包围的区域，也可以还配置有构成发送电路的电路元件中的除电感器31L、32L、发送功率放大器11及12以外的电路元件。

[5.实施例2所涉及的高频模块1D的电路元件配置结构]

图5A是实施例2所涉及的高频模块1D的平面结构概要图。另外，图5B是实施例2所涉及的高频模块1D的截面结构概要图，具体地说，是图5A的VB-VB线处的截面图。此外，图5A的(a)中示出了在从z轴正方向侧观察模块基板91的彼此相向的主面91a及91b中的主面91a的情况下的电路元件的配置图。另一方面，图5A的(b)中示出了透视在从z轴正方向侧观察主面91b的情况下的电路元件的配置所得到的图。

实施例2所涉及的高频模块1D具体地示出了构成实施方式所涉及的高频模块1的各电路元件的配置结构。

如图5A和图5B所示，本实施例所涉及的高频模块1D除了具有图1中示出的电路结构以外，还具有模块基板91、壁体83、树脂构件92及93以及外部连接端子150。

本实施例所涉及的高频模块1D与实施例1所涉及的高频模块1A相比在以下方面不同：构成高频模块1D的电路元件安装于模块基板91的两个主面。下面，关于本实施例所涉及的高频模块1D，省略其与实施例1所涉及的高频模块1A相同的方面的说明，以不同的方面为中心来进行说明。

模块基板91是具有彼此相向的主面91a(第一主面)和主面91b(第二主面)、且安装上述发送电路和上述接收电路的基板。作为模块基板91，例如使用具有多个电介质层的层叠构造的LTCC基板、HTCC基板、部件内置基板、具有RDL的基板、或者印刷电路板等。此外，也可以是，在模块基板91上形成有天线连接端子100、发送输入端子111及112以及接收输出端子121及122。

壁体83是第一壁体的一例，竖立设置在模块基板91上，由镀金属形成。换言之，壁体83是通过镀处理法进行镀生长而成的金属体，从模块基板91的主面91a向z轴正方向突出。壁体83由沿着y轴方向和z轴方向形成的平板83a及83c以及沿着x轴方向和z轴方向形成的平板83b及83d构成。此外，壁体83也可以不像本实施例那样由多个平板构成，也可以是单个平板。另外，构成壁体83的平板也可以具有曲面。

树脂构件92配置于模块基板91的主面91a，覆盖上述发送电路的一部分、上述接收电路的一部分以及模块基板91的主面91a，具有确保构成上述发送电路和上述接收电路的电路元件的机械强度和耐湿性等的可靠性的功能。树脂构件93配置于模块基板91的主面91b，覆盖上述发送电路的一部分、上述接收电路的一部分以及模块基板91的主面91b，具有确保构成上述发送电路和上述接收电路的电路元件的机械强度和耐湿性等的可靠性的功能。此外，树脂构件92及93不是本发明所涉及的高频模块所必需的结构要素。

外部连接端子150配置于模块基板91的主面91b侧。高频模块1D与配置于高频模块1D的z轴负方向侧的外部基板经由多个外部连接端子150来进行电信号的交换。另外，多个外部连接端子150中的几个被设定为外部基板的地电位。

如图5A及5B所示，在本实施例所涉及的高频模块1D中，发送功率放大器11及12、双工器61～64、匹配电路31、32、41、42、71及72以及壁体83安装于模块基板91的主面91a。另外，接收低噪声放大器21及22以及开关51、52及55安装于模块基板91的主面91b。此外，开关53及54以及匹配电路73及74在图5A和图5B中未图示，既可以安装于模块基板91的主面91a及91b中的任一个，另外也可以内置于模块基板91。

在此，在本实施例所涉及的高频模块1D中，匹配电路41被壁体83包围。也就是说，电感器41L被壁体83包围。由此，在俯视主面91a的情况下，壁体83配置于电感器41L与电感器31L之间。另外，在俯视主面91a的情况下，壁体83配置于电感器41L与电感器32L之间。

据此，在安装于模块基板91的主面91a的电感器41L与电感器31L之间，配置有由镀金属形成的壁体83。因此，能够通过具有高导电性的壁体83来屏蔽从电感器41L及31L产生的电磁场，因此能够高度地抑制电感器41L与电感器31L的电磁场耦合。因此，能够提高发送接收之间的隔离度。

另外，在安装于模块基板91的主面91a的电感器41L与电感器32L之间，配置有由镀金属形成的壁体83。因此，能够减少被第二发送电路的发送功率放大器12放大后的高输出的高频发送信号的谐波成分或者该高频发送信号与其它高频信号的互调失真成分向第一接收电路流入的流入量，因此能够抑制高频模块1D的接收灵敏度的劣化。

另外，根据本实施例所涉及的高频模块1D的制造工序，能够将要安装于模块基板91的主面91a或91b的发送功率放大器11及12、接收低噪声放大器21及22、开关51～55、双工器61～64在壁体83的形成工序后进行安装。因此，能够避免这些半导体部件由于壁体83的形成工序中的加热而发生特性劣化和构造破坏。另外，在壁体83的形成工序中，不存在长时间的加热，因此能够抑制模块基板91的翘曲、起伏。

此外，在本实施例所涉及的高频模块1D中，发送功率放大器11及12没有配置在被壁体83包围的区域。由此，能够抑制发送功率放大器11及12与由电感器41L构成的第一接收电路的电磁场耦合。因此，能够进一步提高发送接收之间的隔离度。

另外，电感器42L也可以配置在被壁体83包围的区域。据此，在安装于模块基板91的主面91a的电感器42L与电感器32L之间，配置有由镀金属形成的壁体83。因此，能够利用具有高导电性的壁体83来屏蔽从电感器42L及32L产生的电磁场，因此能够高度地抑制电感器42L与电感器32L的电磁场耦合。因此，能够提高发送接收之间的隔离度。

另外，在安装于模块基板91的主面91a的电感器42L与电感器31L之间，配置有由镀金属形成的壁体83。因此，能够减少被第一发送电路的发送功率放大器11放大后的高输出的高频发送信号与其它高频信号的互调失真成分向第二接收电路流入的流入量，因此能够抑制高频模块1D的接收灵敏度的劣化。

另外，根据本实施例所涉及的高频模块1D，发送功率放大器11及12安装于主面91a，接收低噪声放大器21及22安装于主面91b。

据此，发送功率放大器11及12与接收低噪声放大器21及22被分配到模块基板91的主面91a及91b，因此能够提高发送接收之间的隔离度。另外，能够减少被发送功率放大器11及12放大后的高输出的高频发送信号的谐波成分或者该高频发送信号与其它高频信号的互调失真成分向接收电路流入的流入量，因此能够更进一步抑制高频模块1D的接收灵敏度的劣化。

另外，发送功率放大器11及12是高频模块1D所具有的电路部件中发热量大的部件。为了提高高频模块1D的散热性，利用具有小的热阻的散热路径将发送功率放大器11及12的发热散出到外部基板是很重要的。假如在将发送功率放大器11及12安装于主面91b的情况下，与发送功率放大器11及12连接的电极布线被配置在主面91b上。因此，作为散热路径，会包括仅经由沿着主面91b(xy平面方向)的平面布线图案的散热路径。上述平面布线图案由金属薄膜形成，因此热阻大。因此，在将发送功率放大器11及12配置在主面91b上的情况下，散热性会下降。与此相对，在将发送功率放大器11及12安装于主面91a的情况下，能够借助贯通模块基板91的贯通电极来将发送功率放大器11及12与外部连接端子150连接。因此，作为发送功率放大器11及12的散热路径，能够排除仅经由模块基板91内的布线中的热阻大的沿着xy平面方向的平面布线图案的散热路径。因此，从发送功率放大器11及12向外部基板散热的散热性提高。

另外，根据本实施例所涉及的高频模块1D，在主面91a及91b中的与外部基板相向的主面91b，不配置难以降低高度的发送功率放大器11及12以及电感器31L、32L、41L、42L、71L及72L，而是配置有易于降低高度的接收低噪声放大器21及22以及开关51、52及55。由此，能够使高频模块1D总体上降低高度。另外，在对接收电路的接收灵敏度的影响大的接收低噪声放大器21及22的周围配置多个被应用为地电极的外部连接端子150，因此能够抑制接收电路的接收灵敏度的劣化。

此外，外部连接端子150既可以是如图5A及5B所示那样沿z轴方向贯通树脂构件93的柱状电极，另外也可以是形成在主面91b上的凸块电极。

图5C是变形例3所涉及的高频模块1E的截面结构概要图。如该图中示出的变形例3所涉及的高频模块1E那样，外部连接端子150也可以是形成在主面91b上的凸块电极160。在该情况下，也可以不存在主面91b侧的树脂构件93。

[6.变形例4所涉及的高频模块1F的电路元件配置结构]

图6A是变形例4所涉及的高频模块1F的平面结构概要图。另外，图6B是变形例4所涉及的高频模块1F的截面结构概要图，具体地说，是图6A的VIB-VIB线处的截面图。此外，图6A的(a)中示出了在从z轴正方向侧观察模块基板91的彼此相向的主面91a及91b中的主面91a的情况下的电路元件的配置图。另一方面，图6A的(b)中示出了透视在从z轴正方向侧观察主面91b的情况下的电路元件的配置所得到的图。

变形例4所涉及的高频模块1F具体地示出了构成实施方式所涉及的高频模块1的各电路元件的配置结构。

如图6A和图6B所示，本变形例所涉及的高频模块1F除了具有图1中示出的电路结构以外，还具有模块基板91、壁体83及85、树脂构件92及93、外部连接端子150以及散热体84。

本变形例所涉及的高频模块1F与实施例2所涉及的高频模块1D相比在以下方面不同：在主面91b配置有壁体85和散热体84。下面，关于本变形例所涉及的高频模块1F，省略其与实施例2所涉及的高频模块1D相同的方面的说明，以不同的方面为中心来进行说明。

壁体85是第三壁体的一例，竖立设置在模块基板91的主面91b上，由镀金属形成。换言之，壁体85是通过镀处理法进行镀生长而成的金属体，从主面91b向z轴负方向突出。壁体85由沿着y轴方向和z轴方向形成的平板85a及85c以及沿着x轴方向和z轴方向形成的平板85b及85d构成。

在此，接收低噪声放大器21被壁体85包围。

据此，除了能够通过壁体83来高度地抑制电感器41L与电感器31L及32L的电磁场耦合以外，还能够通过壁体85来抑制发送电路与接收低噪声放大器21的电磁场耦合。因此，能够进一步提高发送接收之间的隔离度。另外，能够减少从发送电路输出的高输出的高频发送信号的谐波成分或者该高频发送信号与其它高频信号的互调失真成分向第一接收电路流入的流入量，因此能够进一步抑制高频模块1F的接收灵敏度的劣化。

此外，在被壁体85包围的区域，也可以配置有接收低噪声放大器22。另外，在被壁体85包围的区域，也可以除了配置有接收低噪声放大器21及22以外还配置有构成接收电路的电路元件。另外，在被壁体85包围的区域，也可以还配置有构成发送电路的电路元件中的除电感器31L、32L、发送功率放大器11及12以外的电路元件。

另外，在本变形例所涉及的高频模块1F中，如图6A所示，在主面91b的、与主面91a上的发送功率放大器11及12的形成区域相向的区域，配置有散热体84。散热体84由镀金属形成。另外，如图6B所示，散热体84与配置于主面91a的发送功率放大器11及21经由形成于模块基板91的地导体93G和通路导体来连接，散热体84从树脂构件93暴露出来。

由此，能够将发送功率放大器11及12的发热借助具有高导电性的散热体84散出到主面91b侧。因此，高频模块1F的散热性进一步提高。

此外，也可以通过与壁体83及85相同的镀处理形成工序形成散热体84。由此，实现制造工序的简化。

并且，在本变形例所涉及的高频模块1F中，也可以是，外部连接端子150由镀金属形成。

由此，能够利用具有高导电性的镀金属构成外部连接端子150，因此能够减少通过外部连接端子150的高频信号的传输损耗，另外，在外部连接端子150是地端子的情况下，电磁屏蔽性提高。另外，能够通过与壁体83、85及散热体84相同的镀处理形成工序来形成外部连接端子150，因此实现制造工序的简化。

[7.变形例5所涉及的高频模块1G的电路元件配置结构]

图7A是变形例5所涉及的高频模块1G的平面结构概要图。另外，图7B是变形例5所涉及的高频模块1G的截面结构概要图，具体地说，是图7A的VIIB-VIIB线处的截面图。此外，图7A的(a)中示出了在从z轴正方向侧观察模块基板91的彼此相向的主面91a及91b中的主面91a的情况下的电路元件的配置图。另一方面，图7A的(b)中示出了透视在从z轴正方向侧观察主面91b的情况下的电路元件的配置所得到的图。

变形例5所涉及的高频模块1G具体地示出了构成实施方式所涉及的高频模块1的各电路元件的配置结构。

如图7A和图7B所示，本变形例所涉及的高频模块1G除了具有图1中示出的电路结构以外，还具有模块基板91、壁体83及86、树脂构件92及93以及外部连接端子150。

本变形例所涉及的高频模块1G与实施例2所涉及的高频模块1D相比在以下方面不同：在主面91b配置有壁体86。下面，关于本变形例所涉及的高频模块1G，省略其与实施例2所涉及的高频模块1D相同的方面的说明，以不同的方面为中心来进行说明。

壁体86竖立设置在模块基板91的主面91b上，由镀金属形成。换言之，壁体86是通过镀处理法进行镀生长而成的金属体，从主面91b向z轴负方向突出。壁体86由沿着y轴方向和z轴方向形成的平板86a及86c以及沿着x轴方向和z轴方向形成的平板86b及86d构成。此外，壁体86也可以不像本实施例那样由多个平板构成，也可以是单个平板。另外，构成壁体86的平板也可以具有曲面。

在俯视主面91b的情况下，壁体86配置于在主面91b的外周区域配置的多个外部连接端子150与接收低噪声放大器21、22及开关51、52、55之间。也就是说，壁体86被配置成将多个外部连接端子150与接收低噪声放大器21、22及开关51、52、55隔开。此外，期望的是，壁体86与形成于模块基板91的地导体93G连接。

据此，配置于主面91b的电路元件被壁体86包围，因此能够强化对于从高频模块1G的外部进来的不需要的信号等的屏蔽。另外，在外部连接端子150是传输高频信号的端子的情况下，能够抑制外部连接端子150与配置于主面91b的电路元件的电磁场耦合。另外，在外部连接端子150是传输从控制电路输出的数字信号的端子的情况下，能够抑制数字噪声向配置于主面91b的电路元件的流入。

[8.效果等]

以上，本实施方式所涉及的高频模块1具备：模块基板91；发送功率放大器11；电感器31L，其安装于模块基板91，与发送功率放大器11的输出端子连接；接收低噪声放大器21；电感器41L，其安装于模块基板91，与接收低噪声放大器21的输入端子连接；以及由镀金属形成的壁体81，其配置在模块基板91上，其中，在俯视模块基板91的情况下，壁体81配置于电感器41L与电感器31L之间。

据此，将电感器41L与电感器31L隔开的壁体81具有高密度且高导电性。因此，能够利用壁体81来屏蔽从电感器41L及31L产生的电磁场，因此能够高度地抑制电感器41L与电感器31L的电磁场耦合。因此，能够提高发送接收之间的隔离度。另外，能够减少被发送功率放大器11放大后的高输出的高频发送信号的谐波成分或者该高频发送信号与其它高频信号的互调失真成分向接收电路流入的流入量，因此能够抑制高频模块1的接收灵敏度的劣化。

另外，也可以是，在俯视模块基板91的情况下，电感器41L被屏蔽壁包围，该屏蔽壁的至少一部分是壁体81。

据此，电感器41L被包括壁体81的屏蔽壁包围，因此能够进一步提高发送接收之间的隔离度。

另外，也可以是，在上述俯视时，电感器41L被壁体81包围。

据此，电感器41L被壁体81包围，因此能够进一步提高发送接收之间的隔离度。另外，由于在模块基板91形成有由高密度的镀金属形成的壁体81，因此能够抑制因热应力引起的模块基板91的翘曲。

另外，也可以是，壁体81与形成于模块基板91的地导体93G连接。

据此，能够强化壁体81的电磁屏蔽性。

另外，也可以是，还具备：天线连接端子100；发送滤波器61T，其与电感器31L连接；接收滤波器61R，其与电感器41L连接；以及电感器71L，其配置于天线连接端子100与发送滤波器61T及接收滤波器61R之间，其中，在俯视模块基板91的情况下，在电感器41L与电感器71L之间配置有由镀金属形成的壁体81。

据此，在安装于模块基板91的电感器41L与电感器71L之间配置有壁体81，因此能够高度地抑制电感器41L与电感器71L的电磁场耦合。特别是，能够抑制从天线连接端子100输入的高频信号以及被发送功率放大器11放大后的高输出的高频发送信号及其谐波成分不经由接收滤波器61R地流入到接收电路，因此能够抑制高频模块1的接收灵敏度的劣化。

另外，也可以是，发送功率放大器11安装于模块基板91，配置于被壁体81划分出的2个区域中的配置有电感器31L的区域，接收低噪声放大器21安装于模块基板91，配置于被壁体81划分出的2个区域中的配置有电感器41L的区域，发送功率放大器11与接收低噪声放大器21被壁体81隔开。

据此，能够利用具有高导电性的壁体81来屏蔽从发送功率放大器11和接收低噪声放大器21产生的电磁场，因此能够高度地抑制由发送功率放大器11及电感器31L构成的发送电路与由接收低噪声放大器21及电感器41L构成的接收电路的电磁场耦合。因此，能够提高发送接收之间的隔离度。

另外，也可以是，模块基板91具有彼此相向的主面91a及91b，高频模块1还具备配置于主面91b的外部连接端子150，发送功率放大器11安装于主面91a，接收低噪声放大器21安装于主面91b，电感器31L及41L安装于主面91a，电感器31L与电感器41L被配置于主面91a的壁体81隔开。

据此，在安装于主面91a的电感器31L与电感器41L之间配置有由镀金属形成的壁体81，因此能够高度地抑制电感器31L与电感器41L的电磁场耦合。另外，发送功率放大器11和接收低噪声放大器21被分配到模块基板91的主面91a及91b，因此能够提高发送接收之间的隔离度。另外，能够减少被发送功率放大器11放大后的高输出的高频发送信号的谐波成分或者该高频发送信号与其它高频信号的互调失真成分向接收电路流入的流入量，因此能够抑制高频模块1的接收灵敏度的劣化。

另外，发送功率放大器11安装于主面91a，因此能够借助贯通模块基板91的贯通电极来将发送功率放大器11与外部连接端子150连接。因此，作为发送功率放大器11的散热路径，能够排除仅经由模块基板91内的布线中的热阻大的沿着xy平面方向的平面布线图案的散热路径。因此，从发送功率放大器11向外部基板散热的散热性提高。

另外，也可以是，接收低噪声放大器21被配置于主面91b的由镀金属形成的壁体85包围。

据此，除了能够通过壁体83来高度地抑制电感器31L与电感器41L的电磁场耦合以外，还能够通过壁体85来抑制发送电路与接收低噪声放大器21的电磁场耦合。因此，能够进一步提高发送接收之间的隔离度。

另外，也可以是，还具备由镀金属形成的散热体84，所述散热体84形成于主面91b的与主面91a上的发送功率放大器11的形成区域相向的区域。

由此，能够将发送功率放大器11的发热借助散热体84散出到主面91b侧。因此，高频模块1的散热性进一步提高。

另外，也可以是，外部连接端子150由镀金属形成。

由此，能够利用具有高密度且高导电性的镀金属构成外部连接端子150，因此能够减少通过外部连接端子150的高频信号的传输损耗，另外，在外部连接端子是地端子的情况下，电磁屏蔽性提高。另外，能够通过与配置于主面91b的壁体85或散热体84相同的镀处理形成工序来形成外部连接端子150，因此实现制造工序的简化。

另外，也可以是，发送功率放大器12是对低频段组(1GHz以下)中包含的频带的高频信号进行放大的放大器，接收低噪声放大器21是对中频段组(1.5GHz-2.2GHz)或高频段组(2.4GHz-2.8GHz)中包含的频带的高频信号进行放大的放大器。

据此，被支持低频段组的发送功率放大器12放大后的高频发送信号的谐波的频率包含于中频段组或高频段组。即使是该情况下，也能够通过壁体81来高度地抑制电感器32L与电感器41L的电磁场耦合，因此能够减少该谐波向接收电路流入的流入量。因此，能够抑制高频模块1的接收灵敏度的劣化。

另外，通信装置5具备对利用天线2发送接收的高频信号进行处理的RFIC3以及在天线2与RFIC 3之间传输高频信号的高频模块1。

据此，能够提供发送接收之间的隔离度提高、接收灵敏度的劣化得到抑制的通信装置5。

(其它实施方式等)

以上，关于本发明的实施方式所涉及的高频模块和通信装置，列举实施例和变形例来进行了说明，但是本发明所涉及的高频模块和通信装置不限定于上述实施方式、实施例以及变形例。将上述实施方式、实施例以及变形例中的任意的结构要素进行组合来实现的其它实施方式、对上述实施方式、实施例以及变形例实施本领域技术人员在不脱离本发明的宗旨的范围内想到的各种变形来得到的变形例、内置有上述高频模块和通信装置的各种设备也包含在本发明中。

例如，在上述实施方式、实施例以及变形例所涉及的高频模块和通信装置中，也可以在附图中公开的连接各电路元件以及信号路径的路径之间插入其它的电路元件和布线等。

产业上的可利用性

本发明作为配置于支持多频段的前端部的高频模块，能够广泛利用于便携式电话等通信设备。

Claims (7)

1.一种高频模块，具备：

模块基板；

发送功率放大器，其放大高频发送信号；

第一电感元件，其安装于所述模块基板，与所述发送功率放大器的输出端子连接；

接收低噪声放大器，其放大高频接收信号；

第二电感元件，其安装于所述模块基板，与所述接收低噪声放大器的输入端子连接；以及

由镀金属形成的第一壁体，其配置在所述模块基板上，

其中，在俯视所述模块基板的情况下，所述第一壁体配置于所述第一电感元件与所述第二电感元件之间，

所述发送功率放大器配置于所述模块基板上的被所述第一壁体划分出的2个区域中的配置有所述第一电感元件的区域，

所述接收低噪声放大器配置于所述模块基板上的被所述第一壁体划分出的2个区域中的配置有所述第二电感元件的区域，

所述发送功率放大器与所述接收低噪声放大器被所述第一壁体隔开。

2.根据权利要求1所述的高频模块，其特征在于，

在俯视所述模块基板的情况下，所述第二电感元件被屏蔽壁包围，

所述屏蔽壁的至少一部分是所述第一壁体。

3.根据权利要求1所述的高频模块，其特征在于，

在俯视所述模块基板的情况下，所述第二电感元件被所述第一壁体包围。

4.根据权利要求1～3中的任一项所述的高频模块，其特征在于，

所述第一壁体与形成于所述模块基板的地导体连接。

5.根据权利要求1～3中的任一项所述的高频模块，其特征在于，还具备：

天线连接端子；

发送滤波器，其与所述第一电感元件连接；

接收滤波器，其与所述第二电感元件连接；

第三电感元件，其配置于所述天线连接端子与所述发送滤波器及所述接收滤波器之间；以及

由镀金属形成的第二壁体，在俯视所述模块基板的情况下，所述第二壁体配置于所述第二电感元件与所述第三电感元件之间。

6.根据权利要求1～3中的任一项所述的高频模块，其特征在于，

所述发送功率放大器是对低频段组中包含的频带的高频信号进行放大的放大器，其中，所述低频段组为1GHz以下，

所述接收低噪声放大器是对中频段组或高频段组中包含的频带的高频信号进行放大的放大器，其中，所述中频段组为1.5GHz-2.2GHz，所述高频段组为2.4GHz-2.8GHz。

7.一种通信装置，具备：

RF信号处理电路，其对利用天线发送接收的高频信号进行处理；以及

根据权利要求1～6中的任一项所述的高频模块，其在所述天线与所述RF信号处理电路之间传播所述高频信号。

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