CN214154504U - 高频模块和通信装置 - Google Patents

Abstract

提供一种高频模块和通信装置。高频模块具备：具有彼此相向的第一主面和第二主面的模块基板；传输低频段组的高频信号的第一传输电路；传输中频段组的高频信号的第二传输电路；以及传输高频段组的高频信号的第三传输电路，其中，第一传输电路具有以低频段组为通带的第一滤波器以及配置于低频段组的发送路径的1个以上的第一电路部件，第二传输电路具有以中频段组为通带的第二滤波器，第三传输电路具有以高频段组为通带的第三滤波器，第二滤波器和第三滤波器配置于第一主面，第一电路部件中的至少1个配置于第二主面。

Description

高频模块和通信装置

技术领域

本实用新型涉及一种高频模块和通信装置。

背景技术

要求一种将同时使用不同的频带(通信频段)的方式应用于支持多频段化和多模式化的高频前端模块。

在专利文献1(的图2B)中公开了具有第一传输电路和第二传输电路的电子系统(高频前端模块)的电路结构。具体地说，第一传输电路具有：对一个频率范围(第一频带组)的高频信号进行放大的第一功率放大器；第一天线开关；配置于将第一功率放大器与第一天线开关连结的第一信号路径的第一带选择开关；以及与第一带选择开关连接的多个第一双工器。第二传输电路具有：对其它频率范围(第二频带组)的高频信号进行放大的第二功率放大器；第二天线开关；配置于将第二功率放大器与第二天线开关连结的第二信号路径的第二带选择开关；以及与第二带选择开关连接的多个第二双工器。据此，能够同时发送接收在第一传输电路中传输的高频信号和在第二传输电路中传输的高频信号。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2017-17691号公报

实用新型内容

实用新型要解决的问题

然而，在将专利文献1中公开的电子系统用1个高频模块构成为移动通信设备等的小型的前端电路的情况下，存在以下问题：同时发送接收的高频信号之间发生干扰，由此同时发送接收的高频信号之间的隔离度劣化。特别是，在同时发送接收第一传输电路的第一发送信号和第二传输电路的第二接收信号的情况下，有时第一发送信号的谐波流入到第二传输电路的接收路径从而第二传输电路的接收灵敏度劣化。

本实用新型是为了解决上述问题而完成的，其目的在于提供一种在同时发送接收多个高频信号的情况下高频信号之间的隔离度的劣化得到抑制的小型的高频模块以及具备该高频模块的通信装置。

用于解决问题的方案

为了实现上述目的，本实用新型的一个方式所涉及的高频模块具备：模块基板，其具有彼此相向的第一主面和第二主面；输入输出端子；第一传输电路，其传输低频段组的高频信号；第二传输电路，其传输中频段组的高频信号，所述中频段组位于比所述低频段组靠高频侧的位置；以及第三传输电路，其传输高频段组的高频信号，所述高频段组位于比所述中频段组靠高频侧的位置，其中，所述第一传输电路具有：第一滤波器，其与所述输入输出端子连接，以所述低频段组为通带；以及1个以上的第一电路部件，所述1个以上的第一电路部件配置于传输所述低频段组的发送信号的第一发送路径，所述第二传输电路具有第二滤波器，所述第二滤波器与所述输入输出端子连接，以所述中频段组为通带，所述第三传输电路具有第三滤波器，所述第三滤波器与所述输入输出端子连接，以所述高频段组为通带，所述第二滤波器和所述第三滤波器配置于所述第一主面，所述1个以上的第一电路部件中的至少1个第一电路部件配置于所述第二主面。

实用新型的效果

根据本实用新型，能够提供在同时发送接收多个高频信号的情况下高频信号之间的隔离度的劣化得到抑制的小型的高频模块和通信装置。

附图说明

图1是实施方式所涉及的高频模块和通信装置的电路结构图。

图2A是实施例所涉及的高频模块的平面结构概要图。

图2B是实施例所涉及的高频模块的截面结构概要图。

图2C是变形例1所涉及的高频模块的截面结构概要图。

图3A是变形例2所涉及的高频模块的平面结构概要图。

图3B是变形例2所涉及的高频模块的截面结构概要图。

具体实施方式

下面，详细说明本实用新型的实施方式。此外，下面说明的实施方式表示总括性或具体的例子。另外，下面的实施方式、实施例以及变形例所示的数值、形状、材料、结构要素、结构要素的配置以及连接方式等是一个例子，其主旨并不在于限定本实用新型。另外，将下面的实施例和变形例的结构要素中的未记载于独立权利要求的结构要素作为任意的结构要素来进行说明。另外，附图所示的结构要素的大小或者大小之比未必是严格的。在各图中，对实质上相同的结构标注相同的标记，有时省略或简化重复的说明。

另外，下面，平行和垂直等表示要素之间的关系性的用语、矩形形状等表示要素的形状的用语以及数值范围表示实质上等同的范围，例如还包括百分之几左右的差异，而不是仅表示严格的含义。

另外，下面，在安装于基板的A、B及C中，“在俯视基板(或基板的主面)时，在A与B之间配置有C”表示：在俯视基板时，将A内的任意的点与B内的任意的点连结的直线经过C的区域。另外，俯视基板表示：将基板和安装于基板的电路元件正投影到与基板平行的平面来进行观察。

另外，下面，“发送路径”表示由传播高频发送信号的布线、与该布线直接连接的电极、以及与该布线或该电极直接连接的端子等构成的传输线路。另外，“接收路径”表示由传播高频接收信号的布线、与该布线直接连接的电极、以及与该布线或该电极直接连接的端子等构成的传输线路。

另外，下面，“A与B连接”不仅适用于A与B物理连接的情况，也适用于A与B电连接的情况。

(实施方式)

[1.高频模块1和通信装置5的电路结构]

图1是实施方式所涉及的高频模块1和通信装置5的电路结构图。如该图所示，通信装置5具备高频模块1、天线2、RF信号处理电路(RFIC)3以及基带信号处理电路(BBIC)4。

RFIC 3是对利用天线2发送接收的高频信号进行处理的RF信号处理电路。具体地说，RFIC 3对经由高频模块1的接收信号路径输入的高频接收信号通过下变频等进行信号处理，将该信号处理后生成的接收信号输出到BBIC 4。另外，RFIC 3对从BBIC 4输入的发送信号通过上变频等进行信号处理，将该信号处理后生成的高频发送信号输出到高频模块1的发送信号路径。

BBIC 4是使用频率比在高频模块1中传播的高频信号的频率低的中间频带来进行信号处理的电路。由BBIC 4处理后的信号例如被用作图像信号以显示图像，或者被用作声音信号以借助扬声器进行通话。

另外，RFIC 3还具有作为基于所使用的通信频段(频带)来控制高频模块1所具有的开关51、52、53、54、55、56及57的连接的控制部的功能。具体地说，RFIC 3通过控制信号(未图示)来切换高频模块1所具有的开关51～57的连接。此外，控制部也可以设置于RFIC 3的外部，例如也可以设置于高频模块1或BBIC 4。

天线2与高频模块1的天线连接端子100连接，辐射从高频模块1输出的高频信号，另外，接收来自外部的高频信号后输出到高频模块1。

此外，在本实施方式所涉及的通信装置5中，天线2和BBIC 4不是必需的结构要素。

接着，说明高频模块1的详细结构。

如图1所示，高频模块1具备发送功率放大器11、12及13、接收低噪声放大器21、22及23、发送滤波器61T、62T、63T、64T、65T及66T、接收滤波器61R、62R、63R、64R、65R及66R、匹配电路31、32、33、41、42及43、开关51、52、53、54、55、56及57、三工器70、天线连接端子100、发送输入端子111、112及113、以及接收输出端子121、122及123。

天线连接端子100是输入输出端子的一例，与天线2连接。

发送功率放大器11是对属于高频段组的通信频段A和通信频段B的发送信号进行放大的第三发送功率放大器。发送功率放大器11的输入端子与发送输入端子111连接，发送功率放大器11的输出端子与匹配电路31连接。另外，发送功率放大器12是对属于比高频段组靠低频侧的中频段组的通信频段C和通信频段D的发送信号进行放大的第二发送功率放大器。发送功率放大器12的输入端子与发送输入端子112连接，发送功率放大器12的输出端子与匹配电路32连接。另外，发送功率放大器13是对属于比中频段组靠低频侧的低频段组的通信频段E和通信频段F的发送信号进行放大的第一发送功率放大器。发送功率放大器13的输入端子与发送输入端子113连接，发送功率放大器13的输出端子与匹配电路33连接。

低频段组是由支持4G及5G的多个通信频段构成的频带组，例如具有1GHz以下的频率范围。作为低频段组的通信频段E及F，例如应用LTE(Long Term Evolution：长期演进)的Band5(发送带：824MHz-849MHz、接收带：869MHz-894MHz)、Band8(发送带：880MHz-915MHz、接收带：925MHz-960MHz)、以及Band28(发送带：703MHz-748MHz、接收带：753MHz-803MHz)等通信频段。

中频段组是由支持4G及5G的多个通信频段构成的频带组，例如具有1.5GHz-2.2GHz的频率范围。作为中频段组的通信频段C及D，例如应用LTE的Band1(发送带：1920MHz-1980MHz、接收带：2110MHz-2170MHz)、Band39(发送接收带：1880MHz-1920MHz)、以及Band66(发送带：1710MHz-1780MHz、接收带：2110MHz-2200MHz)等通信频段。

高频段组是由支持4G及5G的多个通信频段构成的频带组，例如具有2.4GHz-2.8GHz的频率范围。作为高频段组的通信频段A及B，例如应用LTE的Band7(发送带：2500MHz-2570MHz、接收带：2620MHz-2690MHz)、以及Band41(发送接收带：2496MHz-2690MHz)等通信频段。

接收低噪声放大器21是将属于高频段组的通信频段A和通信频段B的接收信号以低噪声进行放大的第三接收低噪声放大器。接收低噪声放大器21的输入端子与匹配电路41连接，接收低噪声放大器21的输出端子与接收输出端子121连接。另外，接收低噪声放大器22是将属于中频段组的通信频段C和通信频段D的接收信号以低噪声进行放大的第二接收低噪声放大器。接收低噪声放大器22的输入端子与匹配电路42连接，接收低噪声放大器22的输出端子与接收输出端子122连接。另外，接收低噪声放大器23是将属于低频段组的通信频段E和通信频段F的接收信号以低噪声进行放大的第一接收低噪声放大器。接收低噪声放大器23的输入端子与匹配电路43连接，接收低噪声放大器23的输出端子与接收输出端子123连接。

三工器70是多工器的一例，由滤波器70H、70M及70L构成。滤波器70L是第一滤波器的一例，与天线连接端子100连接，以低频段组的至少一部分为通带。滤波器70M是第二滤波器的一例，与天线连接端子100连接，以中频段组的至少一部分为通带。滤波器70H是第三滤波器的一例，与天线连接端子100连接，以高频段组的至少一部分为通带。也就是说，滤波器70L的一方的端子、滤波器70M的一方的端子、以及滤波器70H的一方的端子共同连接于天线连接端子100。此外，滤波器70L、70M及70H例如分别是由芯片状的电感器和电容器中的至少一方构成的LC滤波器。此外，滤波器70L也可以是低通滤波器，另外，滤波器70H也可以是高通滤波器。

发送滤波器61T配置于将发送输入端子111与滤波器70H的另一方的端子连结的发送路径AT，使被发送功率放大器11放大后的发送信号中的通信频段A的发送带的发送信号通过。另外，发送滤波器62T配置于将发送输入端子111与滤波器70H的另一方的端子连结的发送路径BT，使被发送功率放大器11放大后的发送信号中的通信频段B的发送带的发送信号通过。此外，发送路径AT及BT是传输高频段组的发送信号的第三发送路径的一例。

发送滤波器63T配置于将发送输入端子112与滤波器70M的另一方的端子连结的发送路径CT，使被发送功率放大器12放大后的发送信号中的通信频段C的发送带的发送信号通过。另外，发送滤波器64T配置于将发送输入端子112与滤波器70M的另一方的端子连结的发送路径DT，使被发送功率放大器12放大后的发送信号中的通信频段D的发送带的发送信号通过。此外，发送路径CT及DT是传输中频段组的发送信号的第二发送路径的一例。

发送滤波器65T配置于将发送输入端子113与滤波器70L的另一方的端子连结的发送路径ET，使被发送功率放大器13放大后的发送信号中的通信频段E的发送带的发送信号通过。另外，发送滤波器66T配置于将发送输入端子113与滤波器70L的另一方的端子连结的发送路径FT，使被发送功率放大器13放大后的发送信号中的通信频段F的发送带的发送信号通过。此外，发送路径ET及FT是传输低频段组的发送信号的第一发送路径的一例。

接收滤波器61R配置于将滤波器70H的另一方的端子与接收输出端子121连结的接收路径AR，使从天线连接端子100输入的接收信号中的通信频段A的接收带的接收信号通过。另外，接收滤波器62R配置于将滤波器70H的另一方的端子与接收输出端子121连结的接收路径BR，使从天线连接端子100输入的接收信号中的通信频段B的接收带的接收信号通过。此外，接收路径AR及BR是传输高频段组的接收信号的第三接收路径的一例。

接收滤波器63R配置于将滤波器70M的另一方的端子与接收输出端子122连结的接收路径CR，使从天线连接端子100输入的接收信号中的通信频段C的接收带的接收信号通过。另外，接收滤波器64R配置于将滤波器70M的另一方的端子与接收输出端子122连结的接收路径DR，使从天线连接端子100输入的接收信号中的通信频段D的接收带的接收信号通过。此外，接收路径CR及DR是传输中频段组的接收信号的第二接收路径的一例。

接收滤波器65R配置于将滤波器70L的另一方的端子与接收输出端子123连结的接收路径ER，使从天线连接端子100输入的接收信号中的通信频段E的接收带的接收信号通过。另外，接收滤波器66R配置于将滤波器70L的另一方的端子与接收输出端子123连结的接收路径FR，使从天线连接端子100输入的接收信号中的通信频段F的接收带的接收信号通过。此外，接收路径ER及FR是传输低频段组的接收信号的第一接收路径的一例。

发送滤波器61T和接收滤波器61R构成了以通信频段A为通带的双工器61。另外，发送滤波器62T和接收滤波器62R构成了以通信频段B为通带的双工器62。另外，发送滤波器63T和接收滤波器63R构成了以通信频段C为通带的双工器63。另外，发送滤波器64T和接收滤波器64R构成了以通信频段D为通带的双工器64。另外，发送滤波器65T和接收滤波器65R构成了以通信频段E为通带的双工器65。另外，发送滤波器66T和接收滤波器66R构成了以通信频段F为通带的双工器66。

此外，在本实施方式所涉及的高频模块1中，各通信频段的发送滤波器和接收滤波器构成了以频分双工(FDD：Frequency Division Duplex)方式传输发送信号和接收信号的双工器，但是也可以是以时分双工(TDD：Time Division Duplex)方式传输发送信号和接收信号。在该情况下，在发送滤波器和接收滤波器的前级和后级中的至少一方配置用于在发送与接收之间切换的开关。

此外，上述的发送滤波器61T～66T和接收滤波器61R～66R例如可以是声表面波滤波器、使用了BAW(Bulk Acoustic Wave：体声波)的弹性波滤波器、LC谐振滤波器、以及电介质滤波器中的任一个，而且不限定于它们。

匹配电路31配置于将发送功率放大器11与发送滤波器61T及62T连结的第三发送路径，取得发送功率放大器11与发送滤波器61T及62T的阻抗匹配。匹配电路32配置于将发送功率放大器12与发送滤波器63T及64T连结的第二发送路径，取得发送功率放大器12与发送滤波器63T及64T的阻抗匹配。匹配电路33配置于将发送功率放大器13与发送滤波器65T及66T连结的第一发送路径，取得发送功率放大器13与发送滤波器65T及66T的阻抗匹配。

匹配电路41配置于将接收低噪声放大器21与接收滤波器61R及62R连结的第三接收路径，取得接收低噪声放大器21与接收滤波器61R及62R的阻抗匹配。匹配电路42配置于将接收低噪声放大器22与接收滤波器63R及64R连结的第二接收路径，取得接收低噪声放大器22与接收滤波器63R及64R的阻抗匹配。匹配电路43配置于将接收低噪声放大器23与接收滤波器65R及66R连结的第一接收路径，取得接收低噪声放大器23与接收滤波器65R及66R的阻抗匹配。

开关51配置于将匹配电路31与发送滤波器61T及62T连结的第三发送路径，对发送功率放大器11与发送滤波器61T的连接以及发送功率放大器11与发送滤波器62T的连接进行切换。开关51例如由公共端子与匹配电路31连接、一方的选择端子与发送滤波器61T连接、另一方的选择端子与发送滤波器62T连接的SPDT(Single Pole Double Throw：单刀双掷)型的开关电路构成。

开关52配置于将匹配电路32与发送滤波器63T及64T连结的第二发送路径，对发送功率放大器12与发送滤波器63T的连接以及发送功率放大器12与发送滤波器64T的连接进行切换。开关52例如由公共端子与匹配电路32连接、一方的选择端子与发送滤波器63T连接、另一方的选择端子与发送滤波器64T连接的SPDT型的开关电路构成。

开关53配置于将匹配电路33与发送滤波器65T及66T连结的第一发送路径，对发送功率放大器13与发送滤波器65T的连接以及发送功率放大器13与发送滤波器66T的连接进行切换。开关53例如由公共端子与匹配电路33连接、一方的选择端子与发送滤波器65T连接、另一方的选择端子与发送滤波器66T连接的SPDT型的开关电路构成。

开关54配置于将匹配电路41与接收滤波器61R及62R连结的第三接收路径，对接收低噪声放大器21与接收滤波器61R的连接以及接收低噪声放大器21与接收滤波器62R的连接进行切换。开关54例如由公共端子与匹配电路41连接、一方的选择端子与接收滤波器61R连接、另一方的选择端子与接收滤波器62R连接的SPDT型的开关电路构成。

开关55配置于将匹配电路42与接收滤波器63R及64R连结的第二接收路径，对接收低噪声放大器22与接收滤波器63R的连接以及接收低噪声放大器22与接收滤波器64R的连接进行切换。开关55例如由公共端子与匹配电路42连接、一方的选择端子与接收滤波器63R连接、另一方的选择端子与接收滤波器64R连接的SPDT型的开关电路构成。

开关56配置于将匹配电路43与接收滤波器65R及66R连结的第一接收路径，对接收低噪声放大器23与接收滤波器65R的连接以及接收低噪声放大器23与接收滤波器66R的连接进行切换。开关56例如由公共端子与匹配电路43连接、一方的选择端子与接收滤波器65R连接、另一方的选择端子与接收滤波器66R连接的SPDT型的开关电路构成。

开关57由开关57a、57b及57c构成，是配置于将天线连接端子100与双工器61～66连结的信号路径的天线开关的一例。开关57对天线连接端子100与双工器61～66的连接进行切换。此外，开关57由能够同时进行天线连接端子100与2个以上的双工器的连接的多连接型的开关电路构成。

此外，也可以是，在开关57与双工器61～66之间配置有匹配电路。

另外，发送功率放大器11～13和接收低噪声放大器21～23例如由以Si系的CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor：互补金属氧化物半导体)或GaAs为材料的场效应型晶体管(FET)或异质结双极型晶体管(HBT)等构成。

另外，接收低噪声放大器21～23、开关54～57也可以形成于1个半导体IC(Integrated Circuit：集成电路)。并且，上述半导体IC也可以还包括发送功率放大器11～13和开关51～53。半导体IC例如由CMOS构成。具体地说，是通过SOI(Silicon onInsulator：绝缘体上的硅)工艺来构成的。由此，能够廉价地制造半导体IC。此外，半导体IC也可以由GaAs、SiGe以及GaN中的至少任一个构成。由此，能够输出具有高质量的放大性能和噪声性能的高频信号。

在上述高频模块1的结构中，发送功率放大器11、匹配电路31、开关51、发送滤波器61T及62T以及开关57a构成向天线连接端子100输出高频段组(通信频段A和通信频段B)的发送信号的第三发送电路。另外，发送功率放大器12、匹配电路32、开关52、发送滤波器63T及64T以及开关57b构成向天线连接端子100输出中频段组(通信频段C和通信频段D)的发送信号的第二发送电路。另外，发送功率放大器13、匹配电路33、开关53、发送滤波器65T及66T以及开关57c构成向天线连接端子100输出低频段组(通信频段E和通信频段F)的发送信号的第一发送电路。

另外，接收低噪声放大器21、匹配电路41、开关54、接收滤波器61R及62R以及开关57a构成从天线2经由天线连接端子100输入高频段组(通信频段A和通信频段B)的接收信号的第一接收电路。另外，接收低噪声放大器22、匹配电路42、开关55、接收滤波器63R及64R以及开关57b构成从天线2经由天线连接端子100输入中频段组(通信频段C和通信频段D)的接收信号的第二接收电路。另外，接收低噪声放大器23、匹配电路43、开关56、接收滤波器65R及66R以及开关57c构成从天线2经由天线连接端子100输入低频段组(通信频段E和通信频段F)的接收信号的第一接收电路。

第一发送电路和第一接收电路构成传输低频段组的高频信号的第一传输电路。另外，第二发送电路和第二接收电路构成传输中频段组的高频信号的第二传输电路。另外，第三发送电路和第三接收电路构成传输高频段组的高频信号的第三传输电路。

根据上述电路结构，本实施方式所涉及的高频模块1能够执行低频段组的高频信号、中频段组的高频信号以及高频段组的高频信号中的至少2个频段组的高频信号的同时发送、同时接收以及同时发送接收的至少任一个。

此外，在本实用新型所涉及的高频模块中，发送电路和接收电路也可以不经由开关57来与天线连接端子100连接，上述发送电路和上述接收电路也可以经由不同的端子来与天线2连接。另外，作为本实用新型所涉及的高频模块的电路结构，只要至少具有三工器70、低频段组的发送功率放大器13和发送滤波器65T、中频段组的第二接收路径、以及高频段组的第三接收路径即可，在该情况下，也可以没有开关51～57、发送滤波器61T～64T、66T、匹配电路31～33、41～43、以及接收滤波器61R～66R。另外，在该情况下，为能够同时发送接收中频段组的接收信号和高频段组的接收信号中的至少一方以及低频段组的通信频段E的发送信号的系统。

在此，在将构成上述高频模块1的各电路元件用1个模块构成为小型的前端电路的情况下，例如，有时低频段组的发送信号的谐波流入到中频段组的第二接收电路或高频段组的第三接收电路从而第二接收电路或第三接收电路的接收灵敏度劣化。例如能够列举以下情况：被发送功率放大器13放大后的发送信号的谐波的频率与中频段组或高频段组的频率范围的至少一部分重叠。另外，例如能够列举以下情况：被发送功率放大器13放大后的发送信号与其它高频信号的互调失真的频率同中频段组或高频段组的频率范围的至少一部分重叠。

与此相对，在本实施方式所涉及的高频模块1中，具有抑制以下情况的结构：构成低频段组的第一发送电路的电路部件与以中频段组的至少一部分为通带的滤波器70M及以高频段组的至少一部分为通带的滤波器70H发生电磁场耦合。下面，说明本实施方式所涉及的高频模块1的抑制上述电磁场耦合的结构。

[2.实施例1所涉及的高频模块1A的电路元件配置结构]

图2A是实施例1所涉及的高频模块1A的平面结构概要图。另外，图2B是实施例1所涉及的高频模块1A的截面结构概要图，具体地说，是图2A的IIB-IIB线处的截面图。此外，图2A的(a)中示出了在从z轴正方向侧观察模块基板91的彼此相向的主面91a及91b中的主面91a的情况下的电路元件的配置图。另一方面，图2A的(b)中示出了透视在从z轴正方向侧观察主面91b的情况下的电路元件的配置所得到的图。

实施例1所涉及的高频模块1A具体地示出了构成实施方式所涉及的高频模块1的各电路元件的配置结构。

如图2A和图2B所示，本实施例所涉及的高频模块1A除了具有图1中示出的电路结构以外，还具有模块基板91以及树脂构件92及93。

模块基板91具有彼此相向的主面91a(第一主面)和主面91b(第二主面)，是安装传输低频段组的高频信号的第一传输电路、传输中频段组的高频信号的第二传输电路以及传输高频段组的高频信号的第三传输电路的基板。作为模块基板91，例如使用具有多个电介质层的层叠构造的低温共烧陶瓷(Low Temperature Co-fired Ceramics：LTCC)基板、高温共烧陶瓷(High Temperature Co-fired Ceramics：HTCC)基板、部件内置基板、具有重新布线层(Redistribution Layer：RDL)的基板、或者印刷电路板等。此外，也可以是，在模块基板91上形成有天线连接端子100、发送输入端子111～113以及接收输出端子121～123。

树脂构件92配置于模块基板91的主面91a，覆盖第一传输电路～第三传输电路的一部分和模块基板91的主面91a，具有确保构成第一传输电路～第三传输电路的电路元件的机械强度和耐湿性等的可靠性的功能。树脂构件93配置于模块基板91的主面91b，覆盖第一传输电路～第三传输电路的一部分和模块基板91的主面91b，具有确保构成第一传输电路～第三传输电路的电路元件的机械强度和耐湿性等的可靠性的功能。此外，树脂构件92及93不是本实用新型所涉及的高频模块所必需的结构要素。

此外，匹配电路31至少包括电感器31L。另外，匹配电路32至少包括电感器32L。另外，匹配电路33至少包括电感器33L。另外，匹配电路41至少包括电感器41L。另外，匹配电路42至少包括电感器42L。另外，匹配电路43至少包括电感器43L。

如图2A和图2B所示，在本实施例所涉及的高频模块1A中，三工器70、发送功率放大器11及12、双工器61～66、开关51～53、电感器31L、32L、41L、42L及43L安装于模块基板91的主面91a的表面。另一方面，发送功率放大器13、电感器33L、接收低噪声放大器21～23以及开关53～57安装于模块基板91的主面91b的表面。

发送功率放大器13、电感器33L、开关53、双工器65及66以及开关57是配置于传输低频段组的发送信号的发送路径ET或FT(第一发送路径)的第一电路部件。

在本实施例中，上述的第一电路部件中的发送功率放大器13、电感器33L以及开关57安装于主面91b。另一方面，构成三工器70的滤波器70M、70H及70L安装于主面91a。

根据上述结构，在模块基板91的主面91a上配置有构成三工器70的中频段组用的滤波器70M和高频段组用的滤波器70H，在主面91b上配置有在低频段组用的第一发送路径配置的第一电路部件中的至少1个。也就是说，滤波器70M及70H与第一电路部件中的至少1个以将模块基板91夹在中间的方式配置。由此，能够抑制以下情况：在从发送功率放大器13输出的高输出的低频段组的发送信号在发送路径ET或FT中传输时，滤波器70M及70H与配置于发送路径ET或FT的第一电路部件发生电场耦合、磁场耦合或电磁场耦合。因此，能够抑制以下情况：低频段组的发送信号的谐波由于不经由配置于发送路径ET或FT的电路部件中的至少1个，因此没有在发送路径ET或FT中衰减而是流入到接收路径AR、BR、CR或DR。另外，能够抑制以下情况：被发送功率放大器13放大后的发送信号与被其它发送功率放大器放大后的发送信号的互调失真的不需要的波流入到接收路径AR、BR、CR或DR。因此，第一发送电路与第二接收电路及第三接收电路的隔离度提高，因此能够抑制以下情况：低频段组的发送信号的谐波和互调失真的不需要的波流入到中频段组或高频段组的接收电路，从而使接收灵敏度下降。

另外，在本实施例所涉及的高频模块1中，在俯视模块基板91的情况下，配置于主面91b的发送功率放大器13、电感器33L及开关57与配置于主面91a的滤波器70M及70H不重叠。

也就是说，除了滤波器70M及70H与第一电路部件中的至少1个以将模块基板91夹在中间的方式配置以外，还能够确保发送功率放大器13、电感器33L及开关57与配置于主面91a的滤波器70M及70H的距离大。由此，能够更进一步抑制以下情况：在从发送功率放大器13输出的高输出的低频段组的发送信号在发送路径ET或FT中传输时，滤波器70M及70H与配置于发送路径ET或FT的第一电路部件发生电场耦合、磁场耦合或电磁场耦合。

并且，在本实施例所涉及的高频模块1中，期望的是，在俯视模块基板91的情况下，在第一电路部件中的至少1个与滤波器70M及70H之间配置有导电部件。在本实施例中，在发送功率放大器13及电感器33L与滤波器70M及70H之间配置有双工器63～66、开关56以及接收低噪声放大器23。双工器63～66、开关56以及接收低噪声放大器23是导电部件。此外，在本说明书中，导电部件是指具有信号取出电极等导电构件的电子部件，例如是芯片电阻、芯片电容器、芯片电感器、滤波器、开关、以及放大器及控制电路等有源元件中的至少任一个。据此，在滤波器70M、70H以及第一电路部件中产生的电磁场被导电部件屏蔽，因此能够更进一步抑制滤波器70M及70H与第一电路部件发生电场耦合、磁场耦合或电磁场耦合。

此外，本实用新型所涉及的高频模块1只要如下即可：在主面91a配置有构成三工器70的滤波器70H及70M，在主面91b配置有下面列举出的第一电路部件中的至少1个。即，作为第一电路部件，只要是以下中的至少1个即可。

(1)配置于发送路径ET及FT的发送功率放大器13；

(2)与发送功率放大器13的输出端子连接的电感器33L；

(3)配置于发送路径ET及FT的开关53或57(57c)；以及

(4)配置于滤波器70L与发送功率放大器13之间的发送路径ET或FT的发送滤波器65T、66T、双工器65或66。

此外，作为配置于主面91b的第一电路部件，期望如本实施例那样为发送功率放大器13。发送功率放大器13生成低频段组的高输出发送信号，另外，由于包括非线性电路元件而产生谐波。与此相对，通过确保发送功率放大器13与滤波器70H及70M的隔离度，能够有效抑制中频段组或高频段组的接收灵敏度的下降。

另外，作为配置于主面91b的第一电路部件，期望如本实施例那样为电感器33L。电感器33L与发送功率放大器13的输出端子连接，是传输低频段组的高输出发送信号的电路元件。因此，当电感器33L与构成滤波器70H及70M的电感器或电容器发生电场耦合、磁场耦合或电磁场耦合时，低频段组的发送信号与中频段组或高频段组的接收信号的隔离度下降。与此相对，通过不仅将发送功率放大器13配置于主面91b、还将电感器33L配置于主面91b，能够更进一步确保低频段组的发送电路与滤波器70H及70M的隔离度。因此，能够有效抑制中频段组或高频段组的接收灵敏度的下降。

此外，期望的是，如图2B所示，模块基板91具有多个电介质层层叠而成的多层构造，在该多个电介质层中的至少1个电介质层形成有地电极图案93G。由此，模块基板91的电磁场屏蔽功能提高。

另外，在本实施例所涉及的高频模块1A中，在模块基板91的主面91b侧配置有多个外部连接端子150。高频模块1A与配置于高频模块1A的z轴负方向侧的外部基板经由多个外部连接端子150来进行电信号的交换。另外，多个外部连接端子150中的几个被设定为外部基板的地电位。易于降低高度的接收低噪声放大器21～23以及开关54～57配置于主面91a及91b中的与外部基板相向的主面91b，因此能够使高频模块1A整体高度降低。另外，在对接收电路的接收灵敏度的影响大的接收低噪声放大器21～23的周围配置多个被应用为地电极的外部连接端子150，因此能够抑制接收电路的接收灵敏度的劣化。

此外，外部连接端子150既可以是如图2A及2B所示那样沿z轴方向贯通树脂构件93的柱状电极，另外也可以是形成在主面91b上的凸块电极。

图2C是变形例1所涉及的高频模块1B的截面结构概要图。图2C中示出的变形例1所涉及的高频模块1B与实施例1所涉及的高频模块1A相比在以下方面不同：配置有凸块电极160来代替外部连接端子150；以及在主面91b侧没有配置树脂构件93。

另外，在本实施例所涉及的高频模块1A中，发送功率放大器11及12安装于主面91a。

发送功率放大器11及12是高频模块1A所具有的电路部件中发热量大的部件。为了提高高频模块1A的散热性，利用具有小的热阻的散热路径将发送功率放大器11及12的发热散出到外部基板是很重要的。假如在将发送功率放大器11及12安装于主面91b的情况下，与发送功率放大器11及12连接的电极布线被配置在主面91b上。因此，作为散热路径，会包括仅经由主面91b上的(沿着xy平面方向的)平面布线图案的散热路径。上述平面布线图案由金属薄膜形成，因此热阻大。因此，在将发送功率放大器11及12配置在主面91b上的情况下，散热性会下降。

与此相对，在将发送功率放大器11及12安装于主面91a的情况下，能够借助贯通主面91a与主面91b之间的贯通电极94来将发送功率放大器11及12与外部连接端子150连接。因此，作为发送功率放大器11及12的散热路径，能够排除仅经由模块基板91内的布线中的热阻大的沿着xy平面方向的平面布线图案的散热路径。因此，能够提供提高了从发送功率放大器11及12向外部基板散热的散热性的小型的高频模块1A。

另外，期望的是，在主面91b的与发送功率放大器11及12相向的区域没有配置电路部件。由此，能够将发送功率放大器11及12的散热构件配置于主面91b的上述区域。因此，从发送功率放大器11及12向外部基板散热的散热性更进一步提高。

[3.变形例2所涉及的高频模块1C的电路元件配置结构]

图3A是变形例2所涉及的高频模块1C的平面结构概要图。另外，图3B是变形例2所涉及的高频模块1C的截面结构概要图，具体地说，是图3A的IIIB-IIIB线处的截面图。此外，图3A的(a)中示出了在从z轴正方向侧观察模块基板91的彼此相向的主面91a及91b中的主面91a的情况下的电路元件的配置图。另一方面，图3A的(b)中示出了透视在从z轴正方向侧观察主面91b的情况下的电路元件的配置所得到的图。

变形例2所涉及的高频模块1C具体地示出了构成实施方式所涉及的高频模块1的各电路元件的配置结构。

如图3A和图3B所示，本变形例所涉及的高频模块1C除了具有图1中示出的电路结构以外，还具有模块基板91以及树脂构件92及93。

本变形例所涉及的高频模块1C与实施例1所涉及的高频模块1A相比，只是构成高频模块1C的电路元件的配置结构不同。下面，关于本变形例所涉及的高频模块1C，省略其与实施例1所涉及的高频模块1A相同的方面的说明，以不同的方面为中心来进行说明。

如图3A和图3B所示，在本变形例所涉及的高频模块1C中，滤波器70H及70M、发送功率放大器11及12、双工器61～64、开关51～53、电感器31L、32L、33L、41L、42L及43L以及接收低噪声放大器21及22安装于模块基板91的主面91a的表面。另一方面，滤波器70L、发送功率放大器13、双工器65及66、接收低噪声放大器23以及开关53～57安装于模块基板91的主面91b的表面。

发送功率放大器13、电感器33L、开关53、双工器65及66以及开关57是配置于传输低频段组的发送信号的发送路径ET或FT(第一发送路径)的第一电路部件。

在本变形例中，上述的第一电路部件中的发送功率放大器13、双工器65及66安装于主面91b。另一方面，构成三工器70的滤波器70M及70H安装于主面91a。

根据上述结构，在模块基板91的主面91a上配置有构成三工器70的中频段组用的滤波器70M和高频段组用的滤波器70H，在主面91b上配置有在低频段组用的第一发送路径上配置的第一电路部件中的至少1个。由此，能够抑制以下情况：在从发送功率放大器13输出的高输出的低频段组的发送信号在发送路径ET或FT中传输时，滤波器70M及70H与配置于发送路径ET或FT的第一电路部件发生电场耦合、磁场耦合或电磁场耦合。因此，第一发送电路与第二接收电路及第三接收电路的隔离度提高，因此能够抑制以下情况：低频段组的发送信号的谐波和互调失真的不需要的波流入到中频段组或高频段组的接收电路，从而使接收灵敏度下降。

此外，在本变形例所涉及的高频模块1C中，在俯视模块基板91的情况下，电感器33L与发送功率放大器13重叠。由此，电感器33L与发送功率放大器13隔着模块基板91相向，因此能够使将电感器33L与发送功率放大器13的输出端子连结的布线长度短。因此，能够减少发送路径中的传输损耗。

另外，在本变形例所涉及的高频模块1C中，滤波器70L配置于主面91b。据此，三工器70中的低频段组的高频信号与中频段组的高频信号的隔离度以及低频段组的高频信号与高频段组的高频信号的隔离度提高。因此，能够更进一步抑制以下情况：低频段组的发送信号的谐波和互调失真的不需要的波流入到中频段组或高频段组的接收电路，从而使接收灵敏度下降。

[4.效果等]

以上，本实施方式所涉及的高频模块1具备：模块基板91，其具有彼此相向的主面91a及91b；天线连接端子100；第一传输电路，其传输低频段组的高频信号；第二传输电路，其传输中频段组的高频信号，该中频段组位于比低频段组靠高频侧的位置；以及第三传输电路，其传输高频段组的高频信号，该高频段组位于比中频段组靠高频侧的位置，其中，第一传输电路具有：滤波器70L，其与天线连接端子100连接，以低频段组为通带；以及1个以上的第一电路部件，该1个以上的第一电路部件配置于传输低频段组的发送信号的发送路径ET或FT，第二传输电路具有滤波器70M，该滤波器70M与天线连接端子100连接，以中频段组为通带，第三传输电路具有滤波器70H，该滤波器70H与天线连接端子100连接，以高频段组为通带，滤波器70L、70M及70H构成对低频段组、中频段组以及高频段组的高频信号进行合波和分波的三工器70，滤波器70M及70H配置于主面91a，1个以上的第一电路部件中的至少1个第一电路部件配置于主面91b。

由此，能够抑制以下情况：在从发送功率放大器13输出的高输出的低频段组的发送信号在发送路径ET或FT中传输时，滤波器70M及70H与配置于发送路径ET或FT的第一电路部件发生电场耦合、磁场耦合或电磁场耦合。因此，能够抑制以下情况：低频段组的发送信号的谐波由于不经由配置于发送路径ET或FT的电路部件中的至少1个，因此没有在发送路径ET或FT中衰减而是流入到接收路径AR、BR、CR或DR。另外，能够抑制以下情况：被发送功率放大器13放大后的发送信号与被其它发送功率放大器放大后的发送信号的互调失真的不需要的波流入到接收路径AR、BR、CR或DR。因此，第一发送电路与第二接收电路及第三接收电路的隔离度提高，因此能够抑制以下情况：低频段组的发送信号的谐波和互调失真的不需要的波流入到中频段组或高频段组的接收电路，从而使接收灵敏度下降。

另外，也可以是，滤波器70L、70M及70H构成对低频段组、中频段组以及高频段组的高频信号进行合波和分波的三工器70。

另外，期望的是，在俯视模块基板91的情况下，1个以上的第一电路部件中的上述至少1个第一电路部件与滤波器70M及70H不重叠。

由此，除了滤波器70M及70H与第一电路部件中的至少1个第一电路部件以将模块基板91夹在中间的方式配置以外，还能够确保配置于主面91b的上述至少1个第一电路部件与配置于主面91a的滤波器70M及70H的距离大。因此，能够更进一步抑制以下情况：在高输出的低频段组的发送信号在发送路径ET或FT中传输时，滤波器70M及70H与配置于发送路径ET或FT的第一电路部件发生电场耦合、磁场耦合或电磁场耦合。

另外，也可以是，在俯视模块基板91的情况下，在1个以上的第一电路部件中的上述至少1个第一电路部件与滤波器70M及70H之间配置有导电部件。

由此，能够更进一步抑制以下情况：滤波器70M及70H与1个以上的第一电路部件中的上述至少1个第一电路部件发生电场耦合、磁场耦合或电磁场耦合。

另外，也可以是，1个以上的第一电路部件是以下中的至少1个：

(1)配置于发送路径ET及FT的发送功率放大器13；

(2)与发送功率放大器13的输出端子连接的电感器33L；

(3)配置于发送路径ET及FT的开关53或57(57c)；以及

(4)配置于滤波器70L与发送功率放大器13之间的发送路径ET或FT的发送滤波器65T、66T、双工器65或66。

另外，期望的是，发送功率放大器13配置于主面91b。

发送功率放大器13生成低频段组的高输出发送信号，另外，由于包括非线性电路元件而产生谐波。因此，确保发送功率放大器13与滤波器70H及70M的隔离度，由此能够有效抑制中频段组或高频段组的接收灵敏度的下降。

另外，期望的是，电感器33L配置于所述第二主面。

电感器33L与发送功率放大器13的输出端子连接，是传输低频段组的高输出发送信号的电路元件。因此，当电感器33L与构成滤波器70H及70M的电感器或电容器发生电场耦合、磁场耦合或电磁场耦合时，低频段组的发送信号与中频段组或高频段组的接收信号的隔离度下降。因此，通过不仅将发送功率放大器13配置于主面91b还将电感器33L配置于主面91b，来确保低频段组的发送电路与滤波器70H及70M的隔离度，由此能够有效抑制中频段组或高频段组的接收灵敏度的下降。

另外，也可以是，如变形例2所涉及的高频模块1C那样，电感器33L配置于主面91a，在俯视模块基板91的情况下，电感器33L与发送功率放大器13重叠。

由此，电感器33L与发送功率放大器13隔着模块基板91相向，因此能够使将电感器33L与发送功率放大器13的输出端子连结的布线长度短。因此，能够减少发送路径中的传输损耗。

另外，也可以是，滤波器70L配置于主面91b。

据此，三工器70中的低频段组的高频信号与中频段组的高频信号的隔离度以及低频段组的高频信号与高频段组的高频信号的隔离度提高。

另外，也可以是，在主面91b配置有外部连接端子150。

另外，也可以是，第二传输电路还具有放大中频段组的发送信号的发送功率放大器12，第三传输电路还具有放大高频段组的发送信号的发送功率放大器11，发送功率放大器11及12配置于主面91a。

发送功率放大器11及12是发热量大的部件。在将发送功率放大器11及12安装于主面91a的情况下，能够借助贯通主面91a与主面91b之间的贯通电极94来将发送功率放大器11及12与外部连接端子150连接。因此，作为发送功率放大器11及12的散热路径，能够排除仅经由模块基板91内的布线中的热阻大的沿着xy平面方向的平面布线图案的散热路径。因此，能够提供提高了从发送功率放大器11及12向外部基板散热的散热性的小型的高频模块1。

另外，也可以是，第一传输电路还具有放大低频段组的接收信号的接收低噪声放大器23，第二传输电路还具有放大中频段组的接收信号的接收低噪声放大器22，第三传输电路还具有放大高频段组的接收信号的接收低噪声放大器21，接收低噪声放大器21、22及23配置于主面91b。

据此，易于降低高度的接收低噪声放大器21～23配置于主面91a及91b中的与外部基板相向的主面91b，因此能够使高频模块1整体高度降低。另外，外部连接端子150中的几个被设定为外部基板的地电位。因此，在对接收电路的接收灵敏度的影响大的接收低噪声放大器21～23的周围配置多个被应用为地电极的外部连接端子150，因此能够抑制接收电路的接收灵敏度的劣化。

另外，通信装置5具备对利用天线2发送接收的高频信号进行处理的RFIC3以及在天线2与RFIC 3之间传输高频信号的高频模块1。

由此，能够提供在同时发送接收多个高频信号的情况下高频信号之间的隔离度的劣化得到抑制的小型的通信装置5。

(其它实施方式等)

以上，关于本实用新型的实施方式所涉及的高频模块和通信装置，列举实施例和变形例来进行了说明，但是本实用新型所涉及的高频模块和通信装置不限定于上述实施例和变形例。将上述实施例和变形例中的任意的结构要素进行组合来实现的其它实施方式、对上述实施例和变形例实施本领域技术人员在不脱离本实用新型的宗旨的范围内想到的各种变形来得到的变形例、内置有上述高频模块和通信装置的各种设备也包含在本实用新型中。

例如，在上述实施例和变形例所涉及的高频模块和通信装置中，也可以在附图中公开的对各电路元件以及信号路径进行连接的路径之间插入其它的电路元件和布线等。

产业上的可利用性

本实用新型作为配置于支持多频段的前端部的高频模块，能够广泛利用于便携式电话等通信设备。

Claims (13)

1.一种高频模块，其特征在于，具备：

模块基板，其具有彼此相向的第一主面和第二主面；

输入输出端子；

第一传输电路，其传输低频段组的高频信号；

第二传输电路，其传输中频段组的高频信号，所述中频段组位于比所述低频段组靠高频侧的位置；以及

第三传输电路，其传输高频段组的高频信号，所述高频段组位于比所述中频段组靠高频侧的位置，

其中，所述第一传输电路具有：

第一滤波器，其与所述输入输出端子连接，以所述低频段组为通带；以及

1个以上的第一电路部件，所述1个以上的第一电路部件配置于传输所述低频段组的发送信号的第一发送路径，

所述第二传输电路具有第二滤波器，所述第二滤波器与所述输入输出端子连接，以所述中频段组为通带，

所述第三传输电路具有第三滤波器，所述第三滤波器与所述输入输出端子连接，以所述高频段组为通带，

所述第二滤波器和所述第三滤波器配置于所述第一主面，

所述1个以上的第一电路部件中的至少1个第一电路部件配置于所述第二主面。

2.根据权利要求1所述的高频模块，其特征在于，

所述第一滤波器、所述第二滤波器以及所述第三滤波器构成对所述低频段组、所述中频段组以及所述高频段组的高频信号进行合波和分波的多工器。

3.根据权利要求1或2所述的高频模块，其特征在于，

在俯视所述模块基板的情况下，所述1个以上的第一电路部件中的所述至少1个第一电路部件与所述第二滤波器及所述第三滤波器不重叠。

4.根据权利要求3所述的高频模块，其特征在于，

在俯视所述模块基板的情况下，在所述1个以上的第一电路部件中的所述至少1个第一电路部件与所述第二滤波器及所述第三滤波器之间配置有导电部件。

5.根据权利要求1或2所述的高频模块，其特征在于，

所述1个以上的第一电路部件是以下中的至少1个：

(1)配置于所述第一发送路径的第一发送功率放大器；

(2)与所述第一发送功率放大器的输出端子连接的第一电感器；

(3)配置于所述第一发送路径的开关；以及

(4)配置于所述第一发送路径的所述第一滤波器与所述第一发送功率放大器之间的位置的发送滤波器或双工器。

6.根据权利要求5所述的高频模块，其特征在于，

所述第一发送功率放大器配置于所述第二主面。

7.根据权利要求5所述的高频模块，其特征在于，

所述第一电感器配置于所述第二主面。

8.根据权利要求6所述的高频模块，其特征在于，

所述第一电感器配置于所述第一主面，

在俯视所述模块基板的情况下，所述第一电感器与所述第一发送功率放大器重叠。

9.根据权利要求1或2所述的高频模块，其特征在于，

所述第一滤波器配置于所述第二主面。

10.根据权利要求1或2所述的高频模块，其特征在于，

在所述第二主面配置有外部连接端子。

11.根据权利要求10所述的高频模块，其特征在于，

所述第二传输电路还具有放大所述中频段组的发送信号的第二发送功率放大器，

所述第三传输电路还具有放大所述高频段组的发送信号的第三发送功率放大器，

所述第二发送功率放大器和所述第三发送功率放大器配置于所述第一主面。

12.根据权利要求10所述的高频模块，其特征在于，

所述第一传输电路还具有放大所述低频段组的接收信号的第一接收低噪声放大器，

所述第二传输电路还具有放大所述中频段组的接收信号的第二接收低噪声放大器，

所述第三传输电路还具有放大所述高频段组的接收信号的第三接收低噪声放大器，

所述第一接收低噪声放大器、所述第二接收低噪声放大器以及所述第三接收低噪声放大器配置于所述第二主面。

13.一种通信装置，其特征在于，具备：

RF信号处理电路，其对利用天线发送接收的高频信号进行处理；以及

根据权利要求1～12中的任一项所述的高频模块，其在所述天线与所述RF信号处理电路之间传输所述高频信号。

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