CN213906669U - 高频模块和通信装置 - Google Patents

Abstract

提供一种高频模块和通信装置。高频模块(1A)具备：模块基板(91)，其具有彼此相向的主面(91a及91b)；发送输入端子(111及112)；后级放大器(11b)，其放大从发送输入端子(111或112)输入的发送信号；以及开关(54)，其对发送输入端子(111及112)与后级放大器(11b)的连接和非连接进行切换，其中，后级放大器(11b)配置于主面(91a)，开关(54)配置于主面(91b)。

Description

高频模块和通信装置

技术领域

本实用新型涉及一种高频模块和通信装置。

背景技术

在便携式电话等移动通信设备中，特别是，随着多频段化的进展，构成高频前端电路的电路元件的配置结构变得复杂。

专利文献1中公开了具有2个发送功率放大器以执行基于多个通信频段(频带)的发送的前端电路的结构。在2个发送功率放大器的输入侧配置有开关，该开关用于对将来自2个收发器电路的发送信号输入到该2个发送功率放大器中的哪一个进行切换。据此，从上述2个收发器电路输出的2个发送信号能够经由上述前端电路从2个天线以高隔离度发送。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：美国专利申请公开第2018/0131501号说明书

实用新型内容

实用新型要解决的问题

然而，在将专利文献1中公开的前端电路用1个模块构成为小型的前端电路的情况下，设想以下情况：由于发送功率放大器的输入侧的信号路径与该发送功率放大器的输出侧的信号路径接近，该2个信号路径的隔离度会恶化。当发送功率放大器的输入侧的信号路径与输出侧的信号路径的隔离度恶化时，在发送功率放大器的输入输出之间形成不需要的高频信号的反馈环。在该情况下，在规定的条件下发送功率放大器发生振荡，从而产生该发送功率放大器的动作变得不稳定的问题。

本实用新型是为了解决上述问题而完成的，其目的在于提供一种发送功率放大器的不稳定动作得到抑制的高频模块以及通信装置。

用于解决问题的方案

为了实现上述目的，本实用新型的一个方式所涉及的高频模块具备：模块基板，其具有彼此相向的第一主面和第二主面；发送输入端子；第一发送放大器，其放大从所述发送输入端子输入的发送信号；以及开关，其对所述发送输入端子与所述第一发送放大器的连接和非连接进行切换，其中，所述第一发送放大器配置于所述第一主面，所述开关配置于所述第二主面。

优选地，所述高频模块还具备连接于所述第一发送放大器的输入端子与所述第一开关之间的第二发送放大器。

优选地，所述第二发送放大器配置于所述第一主面。

优选地，在俯视所述模块基板的情况下，所述第二发送放大器与所述第一开关至少有一部分重叠。

优选地，所述高频模块还具备与所述第一发送放大器的输出端子连接的阻抗匹配电路，所述阻抗匹配电路包括电感器，所述电感器配置于所述第一主面。

优选地，所述高频模块还具备外部连接端子，所述外部连接端子配置于所述第二主面。

优选地，所述高频模块还具备：天线连接端子；以及接收放大器，其放大从所述天线连接端子输入的接收信号，其中，所述接收放大器配置于所述第二主面。

优选地，所述高频模块还具备：发送滤波器，其配置于所述第二主面，使从所述第一发送放大器输出的发送信号通过；以及第二开关，其配置于所述第二主面，对所述发送滤波器与所述第一发送放大器的连接和非连接进行切换，所述模块基板具有多个电介质层层叠而成的构造，将所述第一发送放大器与所述第二开关连接的第一布线的至少一部分配置于所述多个电介质层中的除形成于所述第一主面和所述第二主面的表层以外的第一内层，将所述发送滤波器与所述第二开关连接的第二布线的至少一部分配置于所述多个电介质层中的除所述表层以外的第二内层，所述第一内层和所述第二内层比其它电介质层厚，在与所述第一内层相邻的电介质层以及与所述第二内层相邻的电介质层形成有地电极图案，在俯视所述模块基板的情况下，所述第一布线的所述至少一部分以及所述第二布线的所述至少一部分与所述地电极图案重叠。

优选地，所述高频模块还具备天线开关，所述天线开关配置于所述第一主面，与所述发送滤波器的输出端子连接，在俯视所述模块基板的情况下，所述天线开关与所述发送滤波器至少有一部分重叠。

优选地，所述第一发送放大器放大从所述发送输入端子输入的第一通信频段的发送信号，所述高频模块还具备第三发送放大器，所述第三发送放大器放大从所述发送输入端子输入的第二通信频段的发送信号，所述第三发送放大器配置于所述第二主面。

优选地，在俯视所述模块基板的情况下，所述第一发送放大器与所述第三发送放大器不重叠。

优选地，所述高频模块还具备外部连接端子，所述外部连接端子配置于所述第一主面。

优选地，所述高频模块还具备：天线连接端子；以及接收放大器，其放大从所述天线连接端子输入的接收信号，所述接收放大器配置于所述第一主面。

本实用新型的一个方式所涉及的通信装置具备：天线；射频信号处理电路，其对利用所述天线发送接收的高频信号进行处理；以及上述的高频模块，其在所述天线与所述射频信号处理电路之间传输所述高频信号。

实用新型的效果

根据本实用新型，能够提供发送功率放大器的不稳定动作得到抑制的高频模块以及通信装置。

附图说明

图1A是实施方式所涉及的高频模块和通信装置的电路结构图。

图1B是实施方式的变形例所涉及的高频模块和通信装置的电路结构图。

图2A是实施例1所涉及的高频模块的平面结构概要图。

图2B是实施例1所涉及的高频模块的截面结构概要图。

图2C是实施例2所涉及的高频模块的截面结构概要图。

图3A是实施例3所涉及的高频模块的平面结构概要图。

图3B是实施例3所涉及的高频模块的截面结构概要图。

图4A是实施例4所涉及的高频模块的平面结构概要图。

图4B是实施例4所涉及的高频模块的截面结构概要图。

具体实施方式

下面，详细说明本实用新型的实施方式。此外，下面说明的实施方式表示总括性或具体的例子。另外，下面的实施方式、实施例以及变形例所示的数值、形状、材料、结构要素、结构要素的配置以及连接方式等是一个例子，其主旨并不在于限定本实用新型。另外，将下面的实施例和变形例的结构要素中的未记载于独立权利要求的结构要素作为任意的结构要素来进行说明。另外，附图所示的结构要素的大小或者大小之比未必是严格的。在各图中，对实质上相同的结构标注相同的标记，有时省略或简化重复的说明。

另外，下面，平行和垂直等表示要素之间的关系性的用语、矩形形状等表示要素的形状的用语以及数值范围表示实质上等同的范围，例如还包括百分之几左右的差异，而不是仅表示严格的含义。

另外，下面，在安装于基板的A、B及C中，“在俯视基板(或基板的主面)时，在A与B之间配置有C”表示：在俯视基板时，将A内的任意的点与B内的任意的点连结的直线经过C的区域。另外，俯视基板表示：将基板和安装于基板的电路元件正投影到与基板平行的平面来进行观察。

另外，下面，“发送路径”表示由传播高频发送信号的布线、与该布线直接连接的电极、以及与该布线或该电极直接连接的端子等构成的传输线路。另外，“接收路径”表示由传播高频接收信号的布线、与该布线直接连接的电极、以及与该布线或该电极直接连接的端子等构成的传输线路。

另外，下面，“A与B连接”不仅适用于A与B物理连接的情况，也适用于A与B电连接的情况。

(实施方式)

[1.高频模块1A和通信装置5A的电路结构]

图1A是实施方式所涉及的高频模块1A和通信装置5A的电路结构图。如该图所示，通信装置5A具备高频模块1A、天线2、RF(Radio Frequency：射频)信号处理电路(RFIC)3、以及基带信号处理电路(BBIC)4。

RFIC 3是对利用天线2发送接收的高频信号进行处理的RF信号处理电路。具体地说，RFIC 3对经由高频模块1A的接收路径输入的接收信号通过下变频等进行信号处理，将该信号处理后生成的接收信号输出到BBIC 4。另外，RFIC 3对从BBIC 4输入的发送信号通过上变频等进行信号处理，将该信号处理后生成的发送信号输出到高频模块1A的发送路径。

BBIC 4是使用频率比在高频模块1A中传输的高频信号的频率低的中间频带来进行信号处理的电路。由BBIC 4处理后的信号例如被用作图像信号以显示图像，或者被用作声音信号以借助扬声器进行通话。

另外，RFIC 3具有基于所使用的通信频段(频带)来控制高频模块1A所具有的开关51、52、53及54的连接的作为控制部的功能。具体地说，RFIC 3通过控制信号(未图示)来切换高频模块1A所具有的开关51～54的连接。此外，控制部也可以设置于RFIC 3的外部，例如也可以设置于高频模块1A或BBIC 4。

天线2与高频模块1A的天线连接端子100连接，辐射从高频模块1A输出的高频信号，另外，接收来自外部的高频信号后输出到高频模块1A。

此外，在本实施方式所涉及的通信装置5A中，天线2和BBIC 4不是必需的结构要素。

接着，说明高频模块1A的详细结构。

如图1A所示，高频模块1A具备天线连接端子100、发送输入端子111及112、接收输出端子120、发送功率放大器11、接收低噪声放大器21、发送滤波器61T及62T、接收滤波器61R及62R、匹配电路31及41、以及开关51、52、53及54。

天线连接端子100是与天线2连接的天线公共端子。

发送功率放大器11具有前级放大器11a和后级放大器11b，是对从发送输入端子111及112输入的通信频段A(第一通信频段)和通信频段B(第二通信频段)的发送信号进行放大的放大器。

后级放大器11b是第一发送放大器的一例，输入端子与前级放大器11a的输出端子连接，输出端子与匹配电路31连接。

前级放大器11a是第二发送放大器的一例，输入端子与开关54连接，输出端子与后级放大器11b的输入端子连接。也就是说，前级放大器11a与后级放大器11b进行级联连接。

此外，发送功率放大器11也可以不由进行级联连接的前级放大器11a和后级放大器11b构成，也可以由1级的放大器构成，还可以由3级以上的放大器构成。

接收低噪声放大器21是将通信频段A和通信频段B的高频信号以低噪声进行放大后输出到接收输出端子120的接收放大器。

发送滤波器61T配置于将发送功率放大器11与天线连接端子100连结的发送路径，使被发送功率放大器11放大后的发送信号中的通信频段A的发送带的发送信号通过。另外，发送滤波器62T配置于将发送功率放大器11与天线连接端子100连结的发送路径，使被发送功率放大器11放大后的发送信号中的通信频段B的发送带的发送信号通过。

接收滤波器61R配置于将接收低噪声放大器21与天线连接端子100连结的接收路径，使从天线连接端子100输入的接收信号中的通信频段A的接收带的接收信号通过。另外，接收滤波器62R配置于将接收低噪声放大器21与天线连接端子100连结的接收路径，使从天线连接端子100输入的接收信号中的通信频段B的接收带的接收信号通过。

发送滤波器61T和接收滤波器61R构成了以通信频段A为通带的双工器61。另外，发送滤波器62T和接收滤波器62R构成了以通信频段B为通带的双工器62。

匹配电路31配置于将发送功率放大器11与发送滤波器61T及62T连结的发送路径，取得发送功率放大器11与发送滤波器61T及62T的阻抗匹配。

匹配电路41配置于将接收低噪声放大器21与接收滤波器61R及62R连结的接收路径，取得接收低噪声放大器21与接收滤波器61R及62R的阻抗匹配。

开关54具有公共端子和2个选择端子。开关54的公共端子与前级放大器11a的输入端子连接。开关54的一方的选择端子与发送输入端子111连接，开关54的另一方的选择端子与发送输入端子112连接。在该连接结构中，开关54对公共端子与一方的选择端子的连接以及公共端子与另一方的选择端子的连接进行切换。也就是说，开关54对发送输入端子111及112与发送功率放大器11的连接和非连接进行切换。开关54例如由SPDT(Single PoleDouble Throw：单刀双掷)型的开关电路构成。

此外，从发送输入端子111例如输入通信频段A的发送信号，从发送输入端子112例如输入通信频段B的发送信号。

另外，也可以是，从发送输入端子111例如输入第四代移动通信系统(4G)中的通信频段A或B的发送信号，从发送输入端子112例如输入第五代移动通信系统(5G)中的通信频段A或B的发送信号。

开关51具有公共端子和2个选择端子。开关51的公共端子经由匹配电路31来与发送功率放大器11的输出端子连接。开关51的一方的选择端子与发送滤波器61T连接，开关51的另一方的选择端子与发送滤波器62T连接。在该连接结构中，开关51对公共端子与一方的选择端子的连接以及公共端子与另一方的选择端子的连接进行切换。也就是说，开关51对传输通信频段A的发送信号的发送路径与发送功率放大器11的连接以及传输通信频段B的发送信号的发送路径与发送功率放大器11的连接进行切换。开关51例如由SPDT型的开关电路构成。

开关52具有公共端子和2个选择端子。开关52的公共端子经由匹配电路41来与接收低噪声放大器21的输入端子连接。开关52的一方的选择端子与接收滤波器61R连接，开关52的另一方的选择端子与接收滤波器62R连接。在该连接结构中，开关52对公共端子与一方的选择端子的连接以及公共端子与另一方的选择端子的连接进行切换。也就是说，开关52对接收低噪声放大器21与传输通信频段A的接收信号的接收路径的连接以及接收低噪声放大器21与传输通信频段B的接收信号的接收路径的连接进行切换。开关52例如由SPDT型的开关电路构成。

开关53是天线开关的一例，与天线连接端子100连接，对(1)天线连接端子100与传输通信频段A的发送信号及接收信号的信号路径的连接、以及(2)天线连接端子100与传输通信频段B的发送信号及接收信号的信号路径的连接进行切换。此外，开关53也可以是能够同时进行上述(1)和(2)的多连接型的开关电路。

此外，也可以是，在开关53与天线连接端子100之间配置有多工器。另外，也可以是，在开关53与双工器61之间以及开关53与双工器62之间配置有匹配电路。

此外，发送滤波器61T、62T、接收滤波器61R、62R例如可以是使用SAW(SurfaceAcoustic Wave：声表面波)的弹性波滤波器、使用BAW(Bulk Acoustic Wave：体声波)的弹性波滤波器、LC谐振滤波器、以及电介质滤波器中的任一个，而且不限定于它们。

另外，发送功率放大器11和接收低噪声放大器21例如由以Si系的CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor：互补金属氧化物半导体)或GaAs为材料的场效应型晶体管(FET)或异质结双极型晶体管(HBT)等构成。

另外，接收低噪声放大器21、开关52及53也可以形成于1个半导体IC(IntegratedCircuit：集成电路)。并且，上述半导体IC也可以还包括发送功率放大器11、开关51及54。半导体IC例如由CMOS构成。具体地说，是通过SOI(Silicon On Insulator：绝缘体上的硅)工艺来形成的。由此，能够廉价地制造半导体IC。此外，半导体IC也可以由GaAs、SiGe以及GaN中的至少任一个构成。由此，能够输出具有高质量的放大性能和噪声性能的高频信号。

在上述的高频模块1A的结构中，开关54、发送功率放大器11、匹配电路31、开关51、发送滤波器61T以及开关53构成向天线连接端子100传输通信频段A的发送信号的第一发送电路。另外，开关53、接收滤波器61R、开关52、匹配电路41以及接收低噪声放大器21构成从天线2经由天线连接端子100传输通信频段A的接收信号的第一接收电路。

另外，开关54、发送功率放大器11、匹配电路31、开关51、发送滤波器62T以及开关53构成向天线连接端子100传输通信频段B的发送信号的第二发送电路。另外，开关53、接收滤波器62R、开关52、匹配电路41以及接收低噪声放大器21构成从天线2经由天线连接端子100传输通信频段B的接收信号的第二接收电路。

根据上述电路结构，高频模块1A能够进行通信频段A的高频信号和通信频段B的高频信号中的任一个通信频段的高频信号的单独发送、单独接收、或者单独发送接收。并且，高频模块1A也能够执行通信频段A的高频信号与通信频段B的高频信号的同时发送、同时接收、以及同时发送接收中的至少任一个。

此外，在本实用新型所涉及的高频模块中，上述2个发送电路和上述2个接收电路也可以不经由开关53来与天线连接端子100连接，上述2个发送电路和上述2个接收电路也可以经由不同的端子来与天线2连接。另外，本实用新型所涉及的高频模块只要至少具有第一发送电路即可。

另外，在本实用新型所涉及的高频模块中，第一发送电路只要具有后级放大器11b和开关54即可。

[2.变形例所涉及的高频模块1B和通信装置5B的电路结构]

图1B是实施方式的变形例所涉及的高频模块1B和通信装置5B的电路结构图。如该图所示，通信装置5B具备高频模块1B、天线2、RFIC 3以及BBIC4。本变形例所涉及的通信装置5B与实施方式所涉及的通信装置5A相比，仅高频模块1B的结构不同。下面，省略天线2、RFIC 3以及BBIC 4的说明，说明高频模块1B的结构。

如图1B所示，高频模块1B具备天线连接端子100、发送输入端子110、接收输出端子120、发送功率放大器12及13、接收低噪声放大器21、发送滤波器61T及62T、接收滤波器61R及62R、匹配电路31、32及41以及开关52、53及55。本变形例所涉及的高频模块1B与实施方式所涉及的高频模块1A相比，发送电路的结构不同。下面，关于本变形例所涉及的高频模块1B，省略其与实施方式所涉及的高频模块1A相同的方面的说明，以不同的方面为中心来进行说明。

发送功率放大器12具有前级放大器12a和后级放大器12b，是对从发送输入端子110输入的通信频段A(第一通信频段)的发送信号进行放大的放大器。

后级放大器12b是第一发送放大器的一例，输入端子与前级放大器12a的输出端子连接，输出端子与匹配电路31连接。

前级放大器12a是第二发送放大器的一例，输入端子与开关55连接，输出端子与后级放大器12b的输入端子连接。也就是说，前级放大器12a与后级放大器12b进行级联连接。

此外，发送功率放大器12也可以不由进行级联连接的前级放大器12a和后级放大器12b构成，也可以由1级的放大器构成，还可以由3级以上的放大器构成。

发送功率放大器13具有前级放大器13a和后级放大器13b，是对从发送输入端子110输入的通信频段B(第二通信频段)的发送信号进行放大的放大器。

后级放大器13b是第三发送放大器的一例，输入端子与前级放大器13a的输出端子连接，输出端子与匹配电路32连接。

前级放大器13a是第四发送放大器的一例，输入端子与开关55连接，输出端子与后级放大器13b的输入端子连接。也就是说，前级放大器13a与后级放大器13b进行级联连接。

此外，发送功率放大器13也可以不由进行级联连接的前级放大器13a和后级放大器13b构成，也可以由1级的放大器构成，还可以由3级以上的放大器构成。

发送滤波器61T配置于将发送功率放大器12与天线连接端子100连结的发送路径，使被发送功率放大器12放大后的通信频段A的发送带的发送信号通过。另外，发送滤波器62T配置于将发送功率放大器13与天线连接端子100连结的发送路径，使被发送功率放大器13放大后的通信频段B的发送带的发送信号通过。

匹配电路31配置于将发送功率放大器12与发送滤波器61T连结的发送路径，取得发送功率放大器12与发送滤波器61T的阻抗匹配。匹配电路32配置于将发送功率放大器13与发送滤波器62T连结的发送路径，取得发送功率放大器13与发送滤波器62T的阻抗匹配。

开关55具有公共端子和2个选择端子。开关55的公共端子与发送输入端子110连接。开关55的一方的选择端子与前级放大器12a的输入端子连接。开关55的另一方的选择端子与前级放大器13a的输入端子连接。在该连接结构中，开关55对公共端子与一方的选择端子的连接以及公共端子与另一方的选择端子的连接进行切换。也就是说，开关55对发送输入端子110与发送功率放大器12及13的连接和非连接进行切换。开关55例如由SPDT型的开关电路构成。

此外，从发送输入端子110例如输入通信频段A和通信频段B的发送信号。

另外，也可以是，从发送输入端子110例如输入4G中的通信频段A的发送信号和5G中的通信频段B的发送信号。

此外，开关55也可以由具有2个公共端子和2个选择端子的DPDT(Double PoleDouble Throw：双刀双掷)型的开关电路构成。在该情况下，高频模块1B具有2个发送输入端子111及112，发送输入端子111与开关55的一方的公共端子连接，发送输入端子112与开关55的另一方的公共端子连接。在该连接结构中，开关55对一方的公共端子与一方的选择端子的连接以及一方的公共端子与另一方的选择端子的连接进行切换，另外，对另一方的公共端子与一方的选择端子的连接以及另一方的公共端子与另一方的选择端子的连接进行切换。也就是说，开关55对发送输入端子111及112与发送功率放大器12及13的连接和非连接进行切换。在该情况下，例如，从发送输入端子111输入通信频段A的发送信号，从发送输入端子112输入通信频段B的发送信号。

另外，例如也可以是，从发送输入端子111输入4G中的通信频段A和通信频段B的发送信号，从发送输入端子112输入5G中的通信频段A和通信频段B的发送信号。

另外，发送功率放大器12、13和接收低噪声放大器21例如由以Si系的CMOS或GaAs为材料的FET或HBT等构成。

在上述的高频模块1B的结构中，开关55、发送功率放大器12、匹配电路31、发送滤波器61T以及开关53构成向天线连接端子100传输通信频段A的发送信号的第一发送电路。另外，开关53、接收滤波器61R、开关52、匹配电路41以及接收低噪声放大器21构成从天线2经由天线连接端子100传输通信频段A的接收信号的第一接收电路。

另外，开关55、发送功率放大器13、匹配电路32、发送滤波器62T以及开关53构成向天线连接端子100传输通信频段B的发送信号的第二发送电路。另外，开关53、接收滤波器62R、开关52、匹配电路41以及接收低噪声放大器21构成从天线2经由天线连接端子100传输通信频段B的接收信号的第二接收电路。

根据上述电路结构，高频模块1B能够进行通信频段A的高频信号和通信频段B的高频信号中的任一个通信频段的高频信号的单独发送、单独接收、或者单独发送接收。并且，高频模块1B也能够执行通信频段A的高频信号与通信频段B的高频信号的同时发送、同时接收、以及同时发送接收中的至少任一个。

[3.高频模块1A及1B的小型化]

在此，在将构成高频模块1A或1B的各电路元件作为小型的前端电路安装于1个模块基板的情况下，需要使模块基板表面的电路部件布局面积小。在该情况下，设想以下情况：由于发送功率放大器的输入侧的信号路径与该发送功率放大器的输出侧的信号路径接近，该2个信号路径的隔离度会恶化。当发送功率放大器的输入侧的信号路径与输出侧的信号路径的隔离度恶化时，通过该2个信号路径来在发送功率放大器的输入输出之间形成不需要的高频信号的反馈环。在该情况下，在规定的条件下发送功率放大器发生振荡，从而产生发送功率放大器的动作变得不稳定的问题。

与此相对，在高频模块1A及1B中，具有抑制发送功率放大器的输入侧的信号路径与输出侧的信号路径发生电场耦合、磁场耦合、或者电磁场耦合的结构。下面，说明提高实施方式所涉及的高频模块1A和变形例所涉及的高频模块1B中的发送功率放大器的输入输出间的隔离度的结构。

[4.实施例1所涉及的高频模块1A的电路元件配置结构]

图2A是实施例1所涉及的高频模块1A的平面结构概要图。另外，图2B是实施例1所涉及的高频模块1A的截面结构概要图，具体地说，是图2A的IIB-IIB线处的截面图。此外，图2A的(a)中示出了从z轴正方向侧观察模块基板91的彼此相向的主面91a及91b中的主面91a的情况下的电路元件的配置图。另一方面，图2A的(b)中示出了透视从z轴正方向侧观察主面91b的情况下的电路元件的配置所得到的图。

实施例所涉及的高频模块1A具体地示出了图1A中示出的构成实施方式所涉及的高频模块1A的各电路元件的配置结构。

如图2A和图2B所示，本实施例所涉及的高频模块1A除了具有图1A中示出的电路结构以外，还具有模块基板91、树脂构件92及93以及外部连接端子150。

模块基板91具有彼此相向的主面91a(第一主面)和主面91b(第二主面)，是安装上述发送电路和上述接收电路的基板。作为模块基板91，例如使用具有多个电介质层的层叠构造的低温共烧陶瓷(Low Temperature Co-fired Ceramics：LTCC)基板、高温共烧陶瓷(High Temperature Co-fired Ceramics：HTCC)基板、部件内置基板、具有重新布线层(Redistribution Layer：RDL)的基板、或者印刷电路板等。

树脂构件92配置于模块基板91的主面91a，覆盖上述发送电路的一部分、上述接收电路的一部分以及模块基板91的主面91a，具有确保构成上述发送电路和上述接收电路的电路元件的机械强度和耐湿性等的可靠性的功能。树脂构件93配置于模块基板91的主面91b，覆盖上述发送电路的一部分、上述接收电路的一部分以及模块基板91的主面91b，具有确保构成上述发送电路和上述接收电路的电路元件的机械强度和耐湿性等的可靠性的功能。此外，树脂构件92及93不是本实用新型所涉及的高频模块所必需的结构要素。

如图2A和图2B所示，在本实施例所涉及的高频模块1A中，发送功率放大器11、双工器61、62、匹配电路31及41安装于模块基板91的主面91a的表面。另一方面，接收低噪声放大器21、开关51、52、53及54安装于模块基板91的主面91b的表面。

在本实施例中，后级放大器11b(第一发送放大器)安装于主面91a。另一方面，开关54安装于主面91b。

根据上述结构，在模块基板91的主面91a上配置有后级放大器11b，在主面91b上配置有开关54。也就是说，后级放大器11b与开关54以将模块基板91夹在中间的方式配置。由此，能够抑制以下情况：配置于发送功率放大器11的输入侧的开关54与配置于发送功率放大器11的输出侧的后级放大器11b的输出布线发生电场耦合、磁场耦合、或电磁场耦合。因此，能够抑制以下情况：在发送功率放大器11的输入输出之间形成传递高频信号的不需要的反馈环，从而发送功率放大器11发生振荡。因此，能够抑制发送功率放大器11的不稳定动作。

此外，期望的是，模块基板91具有多个电介质层层叠而成的多层构造，在该多个电介质层中的至少1个电介质层形成有地电极图案93G。由此，模块基板91的电磁场屏蔽功能提高，配置于主面91a的电路元件与配置于主面91b的电路元件的隔离度提高。

另外，在本实施例所涉及的高频模块1A中，前级放大器11a安装于主面91a。也就是说，前级放大器11a与开关54以将模块基板91夹在中间的方式配置。由此，能够抑制以下情况：配置于发送功率放大器11的输入侧的开关54与前级放大器11a的输出布线发生电场耦合、磁场耦合、或电磁场耦合。因此，能够抑制以下情况：在前级放大器11a的输入输出之间形成传递高频信号的不需要的反馈环，从而前级放大器11a发生振荡。因此，能够抑制发送功率放大器11的不稳定动作。

此外，在本实施例所涉及的高频模块1A中，只要后级放大器11b和开关54被分开地配置于模块基板91的主面91a及91b即可，其它电路部件可以配置于主面91a及91b中的任一个主面，并且也可以内置于模块基板91。

另外，在本实施例所涉及的高频模块1A中，期望的是，在俯视模块基板91的情况下，前级放大器11a与开关54重叠。

据此，能够借助沿着垂直于主面91a及91b的方向(z轴方向)形成于模块基板91内的通路导体来将前级放大器11a与开关54连接。因此，能够使前级放大器11a与开关54的连接布线短，因此能够减少发送信号的传输损耗。

匹配电路31及41安装于模块基板91的主面91a。匹配电路31及41分别包括电感器。匹配电路31及41中包括的电感器例如由芯片状的电感器、或者形成在主面91a上的布线图案构成。

据此，在模块基板91的主面91a上配置有匹配电路31，在主面91b上配置有开关54。也就是说，匹配电路31的电感器与开关54以将模块基板91夹在中间的方式配置。由此，能够抑制以下情况：配置于发送功率放大器11的输入侧的开关54与配置于发送功率放大器11的输出侧的匹配电路31的电感器发生磁场耦合或电磁场耦合。因此，能够进一步抑制以下情况：在发送功率放大器11的输入输出之间形成传递高频信号的不需要的反馈环，从而发送功率放大器11发生振荡。因此，能够进一步抑制发送功率放大器11的不稳定动作。

另外，在本实施例所涉及的高频模块1A中，在模块基板91的主面91b侧配置有多个外部连接端子150。高频模块1A与配置于高频模块1A的z轴负方向侧的外部基板经由多个外部连接端子150来进行电信号的交换。另外，多个外部连接端子150中的几个被设定为外部基板的地电位。

另外，在本实施例所涉及的高频模块1A中，发送功率放大器11安装于主面91a。

发送功率放大器11是高频模块1A所具有的电路部件中发热量大的部件。为了提高高频模块1A的散热性，利用具有小的热阻的散热路径将发送功率放大器11的发热散出到外部基板是很重要的。假如在将发送功率放大器11安装于主面91b的情况下，与发送功率放大器11连接的电极布线被配置在主面91b上。因此，作为散热路径，包括仅经由主面91b上的(沿着xy平面方向的)平面布线图案的散热路径。上述平面布线图案由金属薄膜形成，因此热阻大。因此，在将发送功率放大器11配置在主面91b上的情况下，散热性会下降。

与此相对，在将发送功率放大器11安装于主面91a的情况下，能够借助贯通主面91a与主面91b之间的贯通电极来将发送功率放大器11与外部连接端子150连接。因此，作为发送功率放大器11的散热路径，能够排除仅经由模块基板91内的布线中的热阻大的沿着xy平面方向的平面布线图案的散热路径。因此，能够提供提高了从发送功率放大器11向外部基板的散热性的小型的高频模块1A。

此外，从散热性的观点出发，期望的是，在主面91b的与配置有后级放大器11b的主面91a的区域相向的区域配置上述贯通电极或散热构件，因此期望的是在该区域没有配置电路元件。

另外，在本实施例所涉及的高频模块1A中，接收低噪声放大器21配置于主面91b。

据此，发送功率放大器11与接收低噪声放大器21以将模块基板91夹在中间的方式配置，因此能够提高发送接收之间的隔离度。

另外，在主面91a及91b中的与外部基板相向的主面91b，不配置难以降低高度的发送功率放大器11，而是配置有易于降低高度的接收低噪声放大器21以及开关51～54，因此能够使高频模块1A整体高度降低。另外，在对接收电路的接收灵敏度的影响大的接收低噪声放大器21的周围配置多个被应用为地电极的外部连接端子150，因此能够抑制接收电路的接收灵敏度的劣化。

另外，也可以如图2A和图2B所示，接收低噪声放大器21、开关52及53内置于1个半导体IC 20。由此，能够降低主面91b侧的z轴方向上的高度，另外能够使主面91b的部件安装面积小。因此，能够使高频模块1A小型化。并且，半导体IC 20也可以包括开关51及54。

此外，外部连接端子150既可以是如图2A及2B所示那样沿z轴方向贯通树脂构件93的柱状电极，另外也可以是如图2C所示那样形成在主面91b上的凸块电极160。如图2C所示，在外部连接端子150是凸块电极160的情况下，在主面91b上没有配置树脂构件93。

另外，外部连接端子150也可以配置于主面91a。

[5.实施例3所涉及的高频模块1B的电路元件配置结构]

图3A是实施例3所涉及的高频模块1B的平面结构概要图。另外，图3B是实施例3所涉及的高频模块1B的截面结构概要图，具体地说，是图3A的IIIB-IIIB线处的截面图。此外，图3A的(a)中示出了从z轴正方向侧观察模块基板91的彼此相向的主面91a及91b中的主面91a的情况下的电路元件的配置图。另一方面，图3A的(b)中示出了透视从z轴正方向侧观察主面91b的情况下的电路元件的配置所得到的图。

实施例3所涉及的高频模块1B具体地示出了图1B中示出的构成实施方式的变形例所涉及的高频模块1B的各电路元件的配置结构。

本实施例所涉及的高频模块1B与实施例1所涉及的高频模块1A相比在以下方面不同：2个发送功率放大器12及13以及2个匹配电路31及32安装于模块基板91。下面，关于本实施例所涉及的高频模块1B，省略其与实施例1所涉及的高频模块1A相同的方面的说明，以不同的方面为中心来进行说明。

模块基板91具有彼此相向的主面91a(第二主面)和主面91b(第一主面)，是安装上述发送电路和上述接收电路的基板。作为模块基板91，例如使用具有多个电介质层的层叠构造的LTCC基板、HTCC基板、部件内置基板、具有RDL的基板、或者印刷电路板等。

如图3A和图3B所示，在本实施例所涉及的高频模块1B中，发送功率放大器13、双工器61、62、匹配电路31、32、41以及开关55安装于模块基板91的主面91a的表面。另一方面，发送功率放大器12、接收低噪声放大器21、开关52及53安装于模块基板91的主面91b的表面。

在本实施例中，后级放大器12b(第一发送放大器)安装于主面91b(第一主面)。另一方面，开关55安装于主面91a(第二主面)。

根据上述结构，在模块基板91的主面91b上配置有后级放大器12b，在主面91a上配置有开关55。也就是说，后级放大器12b与开关55以将模块基板91夹在中间的方式配置。由此，能够抑制以下情况：配置于发送功率放大器12的输入侧的开关55与配置于发送功率放大器12的输出侧的后级放大器12b的输出布线发生电场耦合、磁场耦合、或电磁场耦合。因此，能够抑制以下情况：在发送功率放大器12的输入输出之间形成传递高频信号的不需要的反馈环，从而发送功率放大器12发生振荡。因此，能够抑制发送功率放大器12的不稳定动作。

另外，在本实施例所涉及的高频模块1B中，前级放大器12a安装于主面91b。也就是说，前级放大器12a与开关55以将模块基板91夹在中间的方式配置。由此，能够抑制以下情况：配置于发送功率放大器12的输入侧的开关55与前级放大器12a的输出布线发生电场耦合、磁场耦合、或电磁场耦合。因此，能够抑制以下情况：在前级放大器12a的输入输出之间形成传递高频信号的不需要的反馈环，从而前级放大器12a发生振荡。因此，能够抑制发送功率放大器12的不稳定动作。

另外，在本实施例中，后级放大器13b(第三发送放大器)安装于主面91a(第二主面)。

由此，放大通信频段A的发送信号的后级放大器12b与放大通信频段B的发送信号的后级放大器13b以将模块基板91夹在中间的方式配置，因此能够提高不同的通信频段之间的隔离度。

并且，期望的是，如图3A所示，在俯视模块基板91的情况下，后级放大器12b与后级放大器13b不重叠。

由此，能够确保后级放大器12b与后级放大器13b的距离大，因此能够更进一步提高不同的通信频段之间的隔离度。

此外，在本实施例所涉及的高频模块1B中，只要后级放大器12b和开关55被分开地配置于模块基板91的主面91a及91b、另外后级放大器12b和后级放大器13b被分开地配置于模块基板91的主面91a及91b即可，其它电路部件可以配置于主面91a及91b中的任一个主面，并且也可以内置于模块基板91。

另外，在本实施例所涉及的高频模块1B中，期望的是，在俯视模块基板91的情况下，前级放大器12a与开关55重叠。

据此，能够借助在模块基板91内沿着垂直于主面91a及91b的方向(z轴方向)形成的通路导体来将前级放大器12a与开关55连接。因此，能够使前级放大器12a与开关55的连接布线短，因此能够减少通信频段A的发送信号的传输损耗。

另外，在本实施例所涉及的高频模块1B中，在模块基板91的主面91b侧配置有多个外部连接端子150。高频模块1B与配置于高频模块1B的z轴负方向侧的外部基板经由多个外部连接端子150来进行电信号的交换。另外，多个外部连接端子150中的几个被设定为外部基板的地电位。

另外，在本实施例所涉及的高频模块1B中，发送功率放大器13安装于主面91a。

发送功率放大器13是高频模块1B所具有的电路部件中发热量大的部件。为了提高高频模块1B的散热性，利用具有小的热阻的散热路径将发送功率放大器13的发热散出到外部基板是很重要的。在将发送功率放大器13安装于主面91a的情况下，能够借助贯通主面91a与主面91b之间的贯通电极来将发送功率放大器13与外部连接端子150连接。因此，作为发送功率放大器13的散热路径，能够排除仅经由模块基板91内的布线中的热阻大的沿着xy平面方向的平面布线图案的散热路径。因此，能够提供提高了从发送功率放大器13向外部基板的散热性的小型的高频模块1B。

此外，从散热性的观点出发，期望的是，在主面91b的与配置有后级放大器13b的主面91a的区域相向的区域配置上述贯通电极或散热构件，因此期望的是在该区域没有配置电路元件。

另外，在本实施例所涉及的高频模块1B中，接收低噪声放大器21配置于主面91b。

据此，发送功率放大器13与接收低噪声放大器21以将模块基板91夹在中间的方式配置，因此能够提高通信频段B中的发送接收之间的隔离度。

另外，在主面91b中，在对接收电路的接收灵敏度的影响大的接收低噪声放大器21的周围配置多个被应用为地电极的外部连接端子150，因此能够抑制接收电路的接收灵敏度的劣化。

另外，也可以如图3A和图3B所示，接收低噪声放大器21、开关52及53内置于1个半导体IC 20。由此，能够使主面91b的部件安装面积小。因此，能够使高频模块1B小型化。

此外，外部连接端子150也可以是形成在主面91b上的凸块电极160。在该情况下，树脂构件93不配置在主面91b上。

另外，外部连接端子150也可以配置于主面91a。

[6.实施例4所涉及的高频模块1D的电路元件配置结构]

图4A是实施例4所涉及的高频模块1D的平面结构概要图。另外，图4B是实施例4所涉及的高频模块1D的截面结构概要图，具体地说，是图4A的IVB-IVB线处的截面图。此外，图4A的(a)中示出了从z轴正方向侧观察模块基板91的彼此相向的主面91a及91b中的主面91a的情况下的电路元件的配置图。另一方面，图4A的(b)中示出了透视从z轴正方向侧观察主面91b的情况下的电路元件的配置所得到的图。

实施例4所涉及的高频模块1D具体地示出了图1A中示出的构成实施方式所涉及的高频模块1A的各电路元件的配置结构。

本实施例所涉及的高频模块1D与实施例1所涉及的高频模块1A相比，特别是双工器61及62以及开关53的配置结构不同。下面，关于本实施例所涉及的高频模块1D，省略其与实施例1所涉及的高频模块1A相同的方面的说明，以不同的方面为中心来进行说明。

模块基板91具有彼此相向的主面91a(第一主面)和主面91b(第二主面)，是安装上述发送电路和上述接收电路的基板。作为模块基板91，使用具有多个电介质层的层叠构造的LTCC基板、HTCC基板、部件内置基板、具有RDL的基板、或者印刷电路板等。本实施例所涉及的模块基板91由从主面91a侧起依次配置的电介质层L1、L2、L3、L4、L5、L6以及L7构成。电介质层L4及L5中的各电介质层比电介质层L1、L2、L3、L6及L7中的各电介质层厚，电介质层L4及L5中的各电介质层不是主面91a及91b的表层而是内层。电介质层L4是模块基板91所具有的多个电介质层中的位于中央的层，电介质层L5是与该位于中央的层相邻的层。

如图4A和图4B所示，在本实施例所涉及的高频模块1D中，发送功率放大器11、匹配电路31及41以及开关53配置于模块基板91的主面91a。另一方面，双工器61及62、接收低噪声放大器21、开关51、52及54配置于模块基板91的主面91b。

在本实施例中，后级放大器11b(第一发送放大器)安装于主面91a(第一主面)。另一方面，开关54安装于主面91b(第二主面)。

根据上述结构，在模块基板91的主面91a上配置有后级放大器11b，在主面91b上配置有开关54。也就是说，后级放大器11b与开关54以将模块基板91夹在中间的方式配置。由此，能够抑制以下情况：配置于发送功率放大器11的输入侧的开关54与配置于发送功率放大器11的输出侧的后级放大器11b的输出布线发生电场耦合、磁场耦合、或电磁场耦合。因此，能够抑制以下情况：在发送功率放大器11的输入输出之间形成传递高频信号的不需要的反馈环，从而发送功率放大器11发生振荡。因此，能够抑制发送功率放大器11的不稳定动作。

另外，在本实施例所涉及的高频模块1D中，发送功率放大器11与双工器61及62配置于不同的主面。

如图4B所示，经由匹配电路31将后级放大器11b与开关51连接的布线W11(第一布线)的一部分形成于层厚相对厚的电介质层L4(第一内层)。另外，将双工器61与开关51连接的布线W61(第二布线)的一部分形成于层厚相对厚的电介质层L5(第二内层)。另外，将双工器62与开关51连接的布线W62(第二布线)的一部分形成于层厚相对厚的电介质层L4(第二内层)。

另外，在与电介质层L4相邻的电介质层L3配置有地电极图案93G1，在与电介质层L5相邻的电介质层L6配置有地电极图案93G2。如图4B所示，地电极图案93G1及93G2被配置成将形成于电介质层L4的布线W11的一部分及布线W62的一部分、以及形成于电介质层L5的布线W61的一部分夹在中间。另外，在俯视模块基板91的情况下，地电极图案93G1及93G2重叠于形成于电介质层L4的布线W11的一部分及布线W62的一部分以及形成于电介质层L5的布线W61。

根据上述结构，布线W11、布线W61以及布线W62的寄生电容被抑制，因此能够减少布线W11、布线W61以及布线W62的传输损耗。因此，能够减少从发送功率放大器11输出的发送信号的传输损耗。

此外，期望的是，形成于电介质层L4的布线W11的一部分布线的布线宽度为形成于主面91a及91b的表层的布线W11的一部分布线的布线宽度以下，形成于电介质层L4的布线W11的一部分布线的布线长度为形成于主面91a及91b的表层的布线W11的一部分布线的布线长度以上。另外，期望的是，形成于电介质层L4的布线W62的一部分布线的布线宽度为形成于主面91a及91b的表层的布线W62的一部分布线的布线宽度以下，形成于电介质层L4的布线W62的一部分布线的布线长度为形成于主面91a及91b的表层的布线W62的一部分布线的布线长度以上。另外，期望的是，形成于电介质层L5的布线W61的一部分布线的布线宽度为形成于主面91a及91b的表层的布线W61的一部分布线的布线宽度以下，形成于电介质层L5的布线W61的一部分布线的布线长度为形成于主面91a及91b的表层的布线W61的一部分布线的布线长度以上。

另外，期望的是，在形成于主面91a及91b的表层的布线W11的一部分布线的布线长度比形成于电介质层L4的布线W11的一部分布线的布线长度长的情况下，在与该表层相邻的电介质层，在形成于该表层的布线W11的一部分布线的正下方的区域不形成地电极平面。另外，期望的是，布线W61和布线W62也具有同样的结构。

此外，也可以是，将双工器61与开关51连接的布线W61的一部分以及将双工器62与开关51连接的布线W62的一部分中的仅任一方形成于层厚相对厚的内层。在该情况下，期望的是，将布线W61和布线W62中的使频率较高的信号通过的布线形成于层厚相对厚的内层。

据此，能够抑制布线W61和布线W62中的可能产生大的寄生电容的布线的寄生电容，因此能够更有效地减少布线W61或布线W62的传输损耗。

另外，在本实施例所涉及的高频模块1D中，开关53(天线开关)配置于主面91a，双工器61及62配置于主面91b。如图4A所示，在俯视模块基板91的情况下，开关53与双工器61及62至少有一部分重叠。

据此，能够缩短将开关53与双工器61及62连接的布线，因此能够实现传输损耗的减少和小型化。

[7.效果等]

以上，本实施方式所涉及的高频模块1A具备：模块基板91，其具有彼此相向的主面91a及91b；发送输入端子111及112；后级放大器11b，其放大从发送输入端子111或112输入的发送信号；以及开关54，其对发送输入端子111及112与后级放大器11b的连接和非连接进行切换，其中，后级放大器11b配置于主面91a，开关54配置于主面91b。

据此，后级放大器11b与开关54以将模块基板91夹在中间的方式配置。由此，能够抑制以下情况：配置于发送功率放大器11的输入侧的开关54与配置于发送功率放大器11的输出侧的后级放大器11b的输出布线发生电场耦合、磁场耦合、或电磁场耦合。因此，能够抑制以下情况：在发送功率放大器11的输入输出之间形成传递高频信号的不需要的反馈环，从而发送功率放大器11发生振荡。因此，能够抑制发送功率放大器11的不稳定动作。

另外，也可以是，高频模块1A还具备连接于后级放大器11b的输入端子与开关54之间的前级放大器11a。

另外，也可以是，前级放大器11a配置于主面91a。

由此，能够抑制以下情况：配置于发送功率放大器11的输入侧的开关54与前级放大器11a的输出布线发生电场耦合、磁场耦合、或电磁场耦合。因此，能够抑制以下情况：在前级放大器11a的输入输出之间形成传递高频信号的不需要的反馈环，从而前级放大器11a发生振荡。因此，能够抑制发送功率放大器11的不稳定动作。

另外，也可以是，在俯视模块基板91的情况下，前级放大器11a与开关54至少有一部分重叠。

据此，能够借助在模块基板91内沿着垂直于主面91a及91b的方向(z轴方向)形成的通路导体将前级放大器11a与开关54连接。因此，能够使前级放大器11a与开关54的连接布线短，因此能够减少发送信号的传输损耗。

另外，也可以是，高频模块1A还具备与后级放大器11b的输出端子连接的匹配电路31，匹配电路31包括电感器，该电感器配置于主面91a。

据此，匹配电路31的电感器与开关54以将模块基板91夹在中间的方式配置。由此，能够抑制以下情况：配置于发送功率放大器11的输入侧的开关54与配置于发送功率放大器11的输出侧的匹配电路31的电感器发生磁场耦合或电磁场耦合。因此，能够进一步抑制以下情况：在发送功率放大器11的输入输出之间形成传递高频信号的不需要的反馈环，从而发送功率放大器11发生振荡。因此，能够进一步抑制发送功率放大器11的不稳定动作。

另外，也可以是，高频模块1A还具备外部连接端子150，外部连接端子150配置于主面91b。

另外，也可以是，还具备：天线连接端子100；以及接收低噪声放大器21，其放大从天线连接端子100输入的接收信号，其中，接收低噪声放大器21配置于主面91b。

据此，发送功率放大器11与接收低噪声放大器21以将模块基板91夹在中间的方式配置，因此能够提高发送接收之间的隔离度。另外，在主面91a及91b中的与外部基板相向的主面91b，不配置难以降低高度的发送功率放大器11，而是配置有易于降低高度的接收低噪声放大器21，因此能够使高频模块1A整体高度降低。另外，在对接收电路的接收灵敏度的影响大的接收低噪声放大器21的周围配置多个被应用为地电极的外部连接端子150，因此能够抑制接收电路的接收灵敏度的劣化。

另外，也可以是，高频模块1D还具备：发送滤波器61T，其配置于主面91b，使从后级放大器11b输出的发送信号通过；以及开关51，其配置于主面91b，对发送滤波器61T与后级放大器11b的连接和非连接进行切换，模块基板91具有多个电介质层L1～L7层叠而成的构造，将后级放大器11b与开关51连接的布线W11的至少一部分配置于多个电介质层L1～L7中的除形成于主面91a及91b的表层以外的电介质层L4，将发送滤波器61T与开关51连接的布线W61的至少一部分配置于多个电介质层L1～L7中的除表层以外的电介质层L5，电介质层L4及L5比其它电介质层厚，在与电介质层L4相邻的电介质层L3以及与电介质层L5相邻的电介质层L6形成有地电极图案93G1及93G2，在俯视模块基板91的情况下，布线W11的至少一部分以及布线W61的至少一部分与地电极图案93G1及93G2重叠。

据此，布线W11和布线W61的寄生电容被抑制，因此能够减少布线W11和布线W61的传输损耗。因此，能够减少从发送功率放大器11输出的发送信号的传输损耗。

另外，也可以是，高频模块1D还具备开关53，该开关53配置于主面91a，与发送滤波器61T的输出端子连接，在俯视模块基板91的情况下，开关53与发送滤波器61T至少有一部分重叠。

据此，能够缩短将开关53与发送滤波器61T连接的布线，因此能够实现传输损耗的减少和小型化。

另外，在本变形例所涉及的高频模块1B中，也可以是，后级放大器12b放大从发送输入端子110输入的通信频段A的发送信号，后级放大器13b放大从发送输入端子110输入的通信频段B的发送信号，高频模块1B的后级放大器12b配置于主面91b，后级放大器13b和开关55配置于主面91a。

据此，后级放大器12b与开关55以将模块基板91夹在中间的方式配置。由此，能够抑制以下情况：配置于发送功率放大器12的输入侧的开关55与配置于发送功率放大器12的输出侧的后级放大器12b的输出布线发生电场耦合、磁场耦合、或电磁场耦合。因此，能够抑制以下情况：在发送功率放大器12的输入输出之间形成传递高频信号的不需要的反馈环，从而发送功率放大器12发生振荡。因此，能够抑制发送功率放大器12的不稳定动作。另外，放大通信频段A的发送信号的后级放大器12b与放大通信频段B的发送信号的后级放大器13b以将模块基板91夹在中间的方式配置，因此能够提高不同的通信频段之间的隔离度。

另外，期望的是，在俯视模块基板91的情况下，后级放大器12b与后级放大器13b不重叠。

由此，能够确保后级放大器12b与后级放大器13b的距离大，因此能够更进一步提高不同的通信频段之间的隔离度。

另外，也可以是，在高频模块1B中还具备外部连接端子150，外部连接端子配置于主面91b。

另外，也可以是，在高频模块1B中还具备：天线连接端子100；以及接收低噪声放大器21，其放大从天线连接端子100输入的接收信号，其中，接收低噪声放大器21配置于主面91b。

据此，发送功率放大器13与接收低噪声放大器21以将模块基板91夹在中间的方式配置，因此能够提高发送接收之间的隔离度。另外，在对接收电路的接收灵敏度的影响大的接收低噪声放大器21的周围配置多个被应用为地电极的外部连接端子150，因此能够抑制接收电路的接收灵敏度的劣化。

另外，通信装置5A具备天线2、对利用天线2发送接收的高频信号进行处理的RFIC3、以及在天线2与RFIC 3之间传输高频信号的高频模块1A。

由此，能够抑制发送功率放大器11的不稳定动作。

(其它实施方式等)

以上，关于本实用新型的实施方式所涉及的高频模块和通信装置，列举实施方式、变形例和实施例来进行了说明，但是本实用新型所涉及的高频模块和通信装置不限定于上述实施方式、变形例和实施例。将上述实施方式、变形例和实施例中的任意的结构要素进行组合来实现的其它实施方式、对上述实施方式、变形例和实施例实施本领域技术人员在不脱离本实用新型的宗旨的范围内想到的各种变形来得到的变形例、内置有上述高频模块和通信装置的各种设备也包含在本实用新型中。

例如，在上述实施方式、变形例和实施例所涉及的高频模块和通信装置中，也可以在附图中公开的对各电路元件以及信号路径进行连接的路径之间插入其它的电路元件和布线等。

产业上的可利用性

本实用新型作为配置于支持多频段的前端部的高频模块，能够广泛利用于便携式电话等通信设备。

Claims (14)

1.一种高频模块，其特征在于，具备：

模块基板，其具有彼此相向的第一主面和第二主面；

发送输入端子；

第一发送放大器，其放大从所述发送输入端子输入的发送信号；以及

第一开关，其对所述发送输入端子与所述第一发送放大器的连接和非连接进行切换，

其中，所述第一发送放大器配置于所述第一主面，

所述第一开关配置于所述第二主面。

2.根据权利要求1所述的高频模块，其特征在于，

还具备连接于所述第一发送放大器的输入端子与所述第一开关之间的第二发送放大器。

3.根据权利要求2所述的高频模块，其特征在于，

所述第二发送放大器配置于所述第一主面。

4.根据权利要求3所述的高频模块，其特征在于，

在俯视所述模块基板的情况下，所述第二发送放大器与所述第一开关至少有一部分重叠。

5.根据权利要求1～4中的任一项所述的高频模块，其特征在于，

还具备与所述第一发送放大器的输出端子连接的阻抗匹配电路，

所述阻抗匹配电路包括电感器，

所述电感器配置于所述第一主面。

6.根据权利要求1～4中的任一项所述的高频模块，其特征在于，

还具备外部连接端子，

所述外部连接端子配置于所述第二主面。

7.根据权利要求6所述的高频模块，其特征在于，还具备：

天线连接端子；以及

接收放大器，其放大从所述天线连接端子输入的接收信号，

其中，所述接收放大器配置于所述第二主面。

8.根据权利要求1～4中的任一项所述的高频模块，其特征在于，还具备：

发送滤波器，其配置于所述第二主面，使从所述第一发送放大器输出的发送信号通过；以及

第二开关，其配置于所述第二主面，对所述发送滤波器与所述第一发送放大器的连接和非连接进行切换，

所述模块基板具有多个电介质层层叠而成的构造，

将所述第一发送放大器与所述第二开关连接的第一布线的至少一部分配置于所述多个电介质层中的除形成于所述第一主面和所述第二主面的表层以外的第一内层，

将所述发送滤波器与所述第二开关连接的第二布线的至少一部分配置于所述多个电介质层中的除所述表层以外的第二内层，

所述第一内层和所述第二内层比其它电介质层厚，

在与所述第一内层相邻的电介质层以及与所述第二内层相邻的电介质层形成有地电极图案，

在俯视所述模块基板的情况下，所述第一布线的所述至少一部分以及所述第二布线的所述至少一部分与所述地电极图案重叠。

9.根据权利要求8所述的高频模块，其特征在于，

还具备天线开关，所述天线开关配置于所述第一主面，与所述发送滤波器的输出端子连接，

在俯视所述模块基板的情况下，所述天线开关与所述发送滤波器至少有一部分重叠。

10.根据权利要求1～4中的任一项所述的高频模块，其特征在于，

所述第一发送放大器放大从所述发送输入端子输入的第一通信频段的发送信号，

所述高频模块还具备第三发送放大器，所述第三发送放大器放大从所述发送输入端子输入的第二通信频段的发送信号，

所述第三发送放大器配置于所述第二主面。

11.根据权利要求10所述的高频模块，其特征在于，

在俯视所述模块基板的情况下，所述第一发送放大器与所述第三发送放大器不重叠。

12.根据权利要求10所述的高频模块，其特征在于，

还具备外部连接端子，

所述外部连接端子配置于所述第一主面。

13.根据权利要求12所述的高频模块，其特征在于，还具备：

天线连接端子；以及

接收放大器，其放大从所述天线连接端子输入的接收信号，

所述接收放大器配置于所述第一主面。

14.一种通信装置，其特征在于，具备：

天线；

射频信号处理电路，其对利用所述天线发送接收的高频信号进行处理；以及

根据权利要求1～13中的任一项所述的高频模块，其在所述天线与所述射频信号处理电路之间传输所述高频信号。

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