WO2022044456A1 - 高周波モジュールおよび通信装置 - Google Patents

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WO2022044456A1
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孝紀 上嶋
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株式会社村田製作所
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Definitions

  • the present invention relates to a high frequency module and a communication device.
  • Patent Document 1 describes a switch plexa (antenna switch) arranged between a plurality of transmitters (transmission path) and a plurality of receivers (reception path), and the plurality of transmitters and the plurality of receivers and an antenna. ), And the circuit configuration of the transceiver (transmitting / receiving circuit) including.
  • Each of the plurality of transmitters has a transmission circuit, a PA (transmission power amplifier), and an output circuit
  • each of the plurality of receivers has a reception circuit, an LNA (reception low noise amplifier), and an input circuit.
  • LNA reception low noise amplifier
  • the output circuit includes a transmit filter, an impedance matching circuit, and a duplexer
  • the input circuit includes a receive filter, an impedance matching circuit, and a duplexer.
  • the transceiver (transmission / reception circuit) disclosed in Patent Document 1 is composed of a high-frequency module mounted on a mobile communication device, the harmonics of the high-output transmission signal amplified by the PA (transmission power amplifier) are generated. It may be superimposed on the transmission signal and the quality of the transmission signal may deteriorate.
  • the inductors arranged in the transmission path and the reception path are electromagnetically coupled to each other to reduce the isolation between transmission and reception, resulting in harmonics of the transmission signal or intermodulation between the transmission signal and other high-frequency signals. Unnecessary waves such as distortion may flow into the reception path and the reception sensitivity may deteriorate.
  • the present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide a high frequency module and a communication device in which quality deterioration of a transmission signal or a reception signal is suppressed.
  • the high frequency module is arranged on a module substrate having a first main surface, a first power amplifier arranged on the first main surface, and a first main surface.
  • a second filter connected to the output terminal of the amplifier and passing a transmission signal of a second communication band different from the first communication band, and a first communication band and a second communication band connected to the output terminal of the third power amplifier.
  • a third filter that allows transmission signals of different third communication bands to pass through, a resin member that covers at least a part of the first main surface, a metal shield layer that covers the surface of the resin member and is set to a ground potential, and a first.
  • the first metal shield plate arranged between the first power amplifier and the second power amplifier when the module board is viewed in a plan view on the main surface, and the module board on the first main surface.
  • a second metal shield plate arranged between the first power amplifier and the third power amplifier when viewed in a plan view is provided, and the first metal shield plate includes a first ground electrode and a metal shield on the first main surface. It is in contact with the layer, and the second metal shield plate is in contact with the second ground electrode and the metal shield layer on the first main surface.
  • the present invention it is possible to provide a high frequency module and a communication device in which quality deterioration of a transmission signal or a reception signal is suppressed.
  • FIG. 1 is a circuit configuration diagram of a high frequency module and a communication device according to an embodiment.
  • FIG. 2 is a plan view and a cross-sectional view of the high frequency module according to the first embodiment.
  • FIG. 3 is a plan view and a cross-sectional view of the high frequency module according to the second embodiment.
  • FIG. 4A is a plan view of the high frequency module according to the third embodiment.
  • FIG. 4B is a cross-sectional view of the high frequency module according to the third embodiment.
  • the x-axis and the y-axis are axes orthogonal to each other on a plane parallel to the main surface of the module substrate.
  • the z-axis is an axis perpendicular to the main surface of the module substrate, the positive direction thereof indicates an upward direction, and the negative direction thereof indicates a downward direction.
  • connection includes not only the case of being directly connected by a connection terminal and / or a wiring conductor, but also the case of being electrically connected via other circuit components. .. Also, “connected between A and B” means connected to both A and B between A and B.
  • planar view means that an object is projected orthographically projected onto the xy plane from the positive direction side of the z-axis.
  • Parts are placed on the main surface of the board means that in addition to the parts being placed on the main surface in contact with the main surface of the board, the parts are placed on the main surface without contacting the main surface. It includes being arranged above and having a part of the component embedded in the substrate from the main surface side.
  • a is placed between B and C means that at least one of a plurality of line segments connecting any point in B and any point in C passes through A.
  • the "transmission path” is a transmission line composed of a wiring for transmitting a high frequency transmission signal, an electrode directly connected to the wiring, the wiring or a terminal directly connected to the electrode, and the like.
  • the "reception path” means a transmission line composed of a wiring for transmitting a high-frequency reception signal, an electrode directly connected to the wiring, and the wiring or a terminal directly connected to the electrode.
  • the "transmission / reception path” is a transmission composed of a wiring for transmitting both a high-frequency transmission signal and a high-frequency reception signal, an electrode directly connected to the wiring, and a terminal directly connected to the wiring or the electrode. It means that it is a railroad.
  • FIG. 1 is a circuit configuration diagram of a high frequency module 1 and a communication device 5 according to an embodiment.
  • the communication device 5 includes a high frequency module 1, antennas 2a, 2b and 2c, an RF signal processing circuit (RFIC) 3, and a baseband signal processing circuit (BBIC) 4.
  • RFIC RF signal processing circuit
  • BBIC baseband signal processing circuit
  • RFIC3 is an RF signal processing circuit that processes high-frequency signals transmitted and received by antennas 2a to 2c. Specifically, the RFIC 3 processes the received signal input via the reception path of the high frequency module 1 by down-conversion or the like, and outputs the received signal generated by the signal processing to the BBIC 4. Further, the RFIC 3 processes the transmission signal input from the BBIC 4 by up-conversion or the like, and outputs the transmission signal generated by the signal processing to the transmission path of the high frequency module 1.
  • the BBIC 4 is a circuit that processes a signal using an intermediate frequency band having a lower frequency than the high frequency signal propagating in the high frequency module 1.
  • the signal processed by the BBIC 4 is used, for example, as an image signal for displaying an image, or as an audio signal for a call via a speaker.
  • the RFIC 3 also functions as a control unit that controls the connection of the switches 51, 52, 53, 54, 55, 56, 57 and 58 of the high frequency module 1 based on the communication band (frequency band) used. Have. Specifically, the RFIC 3 switches the connection of the switches 51 to 58 of the high frequency module 1 by a control signal (not shown).
  • the control unit may be provided outside the RFIC 3, and may be provided, for example, in the high frequency module 1 or the BBIC 4.
  • the antenna 2a is connected to the antenna connection terminal 101 of the high frequency module 1
  • the antenna 2b is connected to the antenna connection terminal 102 of the high frequency module 1
  • the antenna 2c is connected to the antenna connection terminal 103 of the high frequency module 1.
  • the antennas 2a to 2c radiate a high frequency signal output from the high frequency module 1, receive a high frequency signal from the outside, and output the high frequency signal to the high frequency module 1.
  • the antennas 2a to 2c and the BBIC 4 are not essential components.
  • the high frequency module 1 includes power amplifiers 11, 12 and 13, low noise amplifiers 21, 22 and 23, transmission filters 61T, 62T, 63T, 64T, 65T and 66T, and reception filters 61R.
  • 62R, 63R, 64R, 65R and 66R matching circuits 31, 32, 33, 41, 42 and 43, switches 51, 52, 53, 54, 55, 56, 57 and 58, and antenna connection terminals 101, 102.
  • And 103 transmission input terminals 111, 112 and 113, and reception output terminals 121, 122 and 123.
  • the power amplifier 11 is an example of the first power amplifier, and amplifies the transmission signals of the communication bands A and B.
  • the input terminal of the power amplifier 11 is connected to the transmission input terminal 111, and the output terminal of the power amplifier 11 is connected to the transmission filters 61T and 62T via the matching circuit 31 and the switch 51.
  • the power amplifier 12 is an example of the second power amplifier, and amplifies the transmission signals of the communication bands C and D on the higher frequency side than the communication bands A and B.
  • the input terminal of the power amplifier 12 is connected to the transmission input terminal 112, and the output terminal of the power amplifier 12 is connected to the transmission filters 63T and 64T via the matching circuit 32 and the switch 52.
  • the power amplifier 13 is an example of a third power amplifier, and amplifies the transmission signals of the communication bands E and F on the higher frequency side than the communication bands A and B.
  • the input terminal of the power amplifier 13 is connected to the transmission input terminal 113, and the output terminal of the power amplifier 13 is connected to the transmission filters 65T and 66T via the matching circuit 33 and the switch 53.
  • the communication bands A and B are examples of the first communication band, and are, for example, communication bands belonging to the low band group.
  • the communication bands C and D are examples of the second communication band, and are, for example, communication bands belonging to the middle band group.
  • the communication bands E and F are examples of the third communication band, and are, for example, communication bands belonging to the high band group.
  • the low band group is a frequency band group composed of a plurality of communication bands corresponding to 4G and 5G, and has, for example, a frequency range of 1 GHz or less.
  • the communication bands A and B of the low band group for example, Band 5 (transmission band: 824-849 MHz, reception band: 869-894 MHz) of LTE (Long Term Evolution), Band 8 (transmission band: 880-915 MHz, reception band: 925). -960 MHz), and a communication band such as Band 28 (transmission band: 703-748 MHz, reception band: 753-803 MHz) are applied.
  • the middle band group is a frequency band group composed of a plurality of communication bands corresponding to 4G and 5G, and has a frequency range of, for example, 1.5-2.2 GHz.
  • the communication bands C and D of the middle band group include, for example, Band 1 (transmission band: 1920-1980 MHz, reception band: 2110-2170 MHz), Band 39 (transmission / reception band: 1880-1920 MHz), and Band 66 (transmission band: 1710) of LTE.
  • a communication band such as -1780 MHz, reception band: 2110-2200 MHz) is applied.
  • the high band group is a frequency band group composed of a plurality of communication bands corresponding to 4G and 5G, and has a frequency range of, for example, 2.4-2.8 GHz.
  • the communication bands E and F of the high band group for example, communication bands such as LTE Band 7 (transmission band: 2500-2570 MHz, reception band: 2620-2690 MHz) and Band 41 (transmission / reception band: 2496-2690 MHz) are applied. To.
  • each of the communication bands A to F is a standardization organization or the like (for example, 3GPP, IEEE (Institute of Electrical and Electronics Engineers), etc.) for a communication system constructed by using radio access technology (RAT). ) Means a predefined frequency band.
  • RAT radio access technology
  • the communication system for example, an LTE system, a 5GNR system, a WLAN (Wireless Local Area Network) system, or the like can be used, but the communication system is not limited thereto.
  • each of the communication bands A to F is composed of a transmission band and a reception band.
  • the transmission band means a frequency range designated for the uplink in the communication band.
  • the reception band means a frequency range designated for downlink in the communication band.
  • the low noise amplifier 21 is an example of the first low noise amplifier, and amplifies the received signals of the communication bands A and B with low noise.
  • the input terminal of the low noise amplifier 21 is connected to the reception filters 61R and 62R via the matching circuit 41 and the switch 54, and the output terminal of the low noise amplifier 21 is connected to the reception output terminal 121.
  • the low noise amplifier 22 is an example of the second low noise amplifier, and amplifies the received signals of the communication bands C and D with low noise.
  • the input terminal of the low noise amplifier 22 is connected to the receive filters 63R and 64R via the matching circuit 42 and the switch 55, and the output terminal of the low noise amplifier 22 is connected to the receive output terminal 122.
  • the low noise amplifier 23 is an example of the third low noise amplifier, and amplifies the received signals of the communication bands E and F with low noise.
  • the input terminal of the low noise amplifier 23 is connected to the receive filters 65R and 66R via the matching circuit 43 and the switch 56, and the output terminal of the low noise amplifier 23 is connected to the receive output terminal 123.
  • the transmission filter 61T is an example of the first filter, is arranged in the transmission path AT connecting the transmission input terminal 111 and the switch 57, and is connected to the power amplifier 11 via the switch 51 and the matching circuit 31.
  • the transmission filter 61T passes the transmission signal in the transmission band of the communication band A among the transmission signals amplified by the power amplifier 11.
  • the transmission filter 62T is an example of the first filter, is arranged in the transmission path BT connecting the transmission input terminal 111 and the switch 57, and is connected to the power amplifier 11 via the switch 51 and the matching circuit 31.
  • the transmission filter 62T passes the transmission signal in the transmission band of the communication band B among the transmission signals amplified by the power amplifier 11.
  • the transmission paths AT and BT are examples of the first transmission path for transmitting the transmission signal of the low band group.
  • the transmission filter 63T is an example of the second filter, is arranged in the transmission path CT connecting the transmission input terminal 112 and the switch 58, and is connected to the power amplifier 12 via the switch 52 and the matching circuit 32.
  • the transmission filter 63T passes the transmission signal in the transmission band of the communication band C among the transmission signals amplified by the power amplifier 12.
  • the transmission filter 64T is an example of the second filter, is arranged in the transmission path DT connecting the transmission input terminal 112 and the switch 58, and is connected to the power amplifier 12 via the switch 52 and the matching circuit 32.
  • the transmission filter 64T passes the transmission signal in the transmission band of the communication band D among the transmission signals amplified by the power amplifier 12.
  • the transmission paths CT and DT are examples of the second transmission path for transmitting the transmission signal of the middle band group.
  • the transmission filter 65T is an example of the third filter, is arranged in the transmission path ET connecting the transmission input terminal 113 and the switch 58, and is connected to the power amplifier 13 via the switch 53 and the matching circuit 33.
  • the transmission filter 65T passes the transmission signal in the transmission band of the communication band E among the transmission signals amplified by the power amplifier 13.
  • the transmission filter 66T is an example of the third filter, is arranged in the transmission path FT connecting the transmission input terminal 113 and the switch 58, and is connected to the power amplifier 13 via the switch 53 and the matching circuit 33.
  • the transmission filter 66T passes the transmission signal in the transmission band of the communication band F among the transmission signals amplified by the power amplifier 13.
  • the transmission paths ET and FT are examples of the third transmission path for transmitting the transmission signal of the high band group.
  • the reception filter 61R is arranged in the reception path AR connecting the switch 57 and the reception output terminal 121, and is connected to the low noise amplifier 21 via the switch 54 and the matching circuit 41.
  • the reception filter 61R passes the reception signal in the reception band of the communication band A among the reception signals input from the antenna connection terminal 101.
  • the reception filter 62R is arranged in the reception path BR connecting the switch 57 and the reception output terminal 121, and is connected to the low noise amplifier 21 via the switch 54 and the matching circuit 41.
  • the reception filter 62R passes the reception signal in the reception band of the communication band B among the reception signals input from the antenna connection terminal 101.
  • the reception paths AR and BR are examples of the first reception path for transmitting the reception signal of the low band group.
  • the reception filter 63R is an example of the fourth filter, is arranged in the reception path CR connecting the switch 58 and the reception output terminal 122, and is connected to the low noise amplifier 22 via the switch 55 and the matching circuit 42.
  • the reception filter 63R passes the reception signal in the reception band of the communication band C among the reception signals input from the antenna connection terminal 102 or 103.
  • the reception filter 64R is an example of the fourth filter, is arranged in the reception path DR connecting the switch 58 and the reception output terminal 122, and is connected to the low noise amplifier 22 via the switch 55 and the matching circuit 42.
  • the reception filter 64R passes the reception signal in the reception band of the communication band D among the reception signals input from the antenna connection terminal 102 or 103.
  • the reception paths CR and DR are examples of the second reception path for transmitting the reception signal of the middle band group.
  • the reception filter 65R is an example of the fifth filter, is arranged in the reception path ER connecting the switch 58 and the reception output terminal 123, and is connected to the low noise amplifier 23 via the switch 56 and the matching circuit 43.
  • the reception filter 65R passes the reception signal in the reception band of the communication band E among the reception signals input from the antenna connection terminal 102 or 103.
  • the reception filter 66R is an example of the fifth filter, is arranged in the reception path FR connecting the switch 58 and the reception output terminal 123, and is connected to the low noise amplifier 23 via the switch 56 and the matching circuit 43.
  • the reception filter 66R passes the reception signal in the reception band of the communication band F among the reception signals input from the antenna connection terminal 102 or 103.
  • the reception paths ER and FR are examples of the third reception path for transmitting the reception signal of the high band group.
  • the transmission filter 61T and the reception filter 61R constitute a duplexer 61 having a communication band A as a pass band. Further, the transmission filter 62T and the reception filter 62R constitute a duplexer 62 having a communication band B as a pass band. Further, the transmission filter 63T and the reception filter 63R constitute a duplexer 63 having a communication band C as a pass band. Further, the transmission filter 64T and the reception filter 64R constitute a duplexer 64 having a communication band D as a pass band. Further, the transmission filter 65T and the reception filter 65R constitute a duplexer 65 having a communication band E as a pass band. Further, the transmission filter 66T and the reception filter 66R constitute a duplexer 66 having a communication band F as a pass band.
  • the transmission filter and the reception filter of each communication band constitute a duplexer that transmits the transmission signal and the reception signal by the frequency division duplex (FDD) method.
  • the transmitted signal and the received signal may be transmitted by a time division duplex (TDD: Time Division Duplex) method.
  • TDD Time Division Duplex
  • a switch for switching between transmission and reception is arranged at least one of the transmission filter and the reception filter before and after.
  • the transmission filters 61T to 66T and the reception filters 61R to 66R are, for example, any of an elastic surface wave filter, an elastic wave filter using BAW (Bulk Acoustic Wave), an LC resonance filter, and a dielectric filter. Well, and even more, not limited to these.
  • the matching circuit 31 is connected between the power amplifier 11 and the transmission filters 61T and 62T, and performs impedance matching between the power amplifier 11 and the transmission filters 61T and 62T.
  • the matching circuit 31 includes at least a first inductor.
  • the matching circuit 32 is connected between the power amplifier 12 and the transmission filters 63T and 64T, and performs impedance matching between the power amplifier 12 and the transmission filters 63T and 64T.
  • the matching circuit 32 includes at least a second inductor.
  • the matching circuit 33 is connected between the power amplifier 13 and the transmission filters 65T and 66T, and performs impedance matching between the power amplifier 13 and the transmission filters 65T and 66T.
  • the matching circuit 33 includes at least a third inductor.
  • the matching circuit 41 is connected between the low noise amplifier 21 and the reception filters 61R and 62R, and performs impedance matching between the low noise amplifier 21 and the reception filters 61R and 62R.
  • the matching circuit 42 is connected between the low noise amplifier 22 and the reception filters 63R and 64R, and performs impedance matching between the low noise amplifier 22 and the reception filters 63R and 64R.
  • the matching circuit 42 includes at least a fourth inductor.
  • the matching circuit 43 is connected between the low noise amplifier 23 and the reception filters 65R and 66R, and performs impedance matching between the low noise amplifier 23 and the reception filters 65R and 66R.
  • the matching circuit 43 includes at least a fifth inductor.
  • the switch 51 is connected between the matching circuit 31 and the transmission filters 61T and 62T, and switches between the connection between the power amplifier 11 and the transmission filter 61T and the connection between the power amplifier 11 and the transmission filter 62T.
  • the switch 51 is of a SPDT (Single Pole Double Throw) type, for example, in which a common terminal is connected to a matching circuit 31, one selection terminal is connected to a transmission filter 61T, and the other selection terminal is connected to a transmission filter 62T. It consists of a switch circuit.
  • the switch 52 is connected between the matching circuit 32 and the transmission filters 63T and 64T, and switches between the connection between the power amplifier 12 and the transmission filter 63T and the connection between the power amplifier 12 and the transmission filter 64T.
  • the switch 52 is composed of, for example, a SPDT type switch circuit in which a common terminal is connected to a matching circuit 32, one selection terminal is connected to a transmission filter 63T, and the other selection terminal is connected to a transmission filter 64T.
  • the switch 53 is connected between the matching circuit 33 and the transmission filters 65T and 66T, and switches between the connection between the power amplifier 13 and the transmission filter 65T and the connection between the power amplifier 13 and the transmission filter 66T.
  • the switch 53 is composed of, for example, a SPDT type switch circuit in which a common terminal is connected to a matching circuit 33, one selection terminal is connected to a transmission filter 65T, and the other selection terminal is connected to a transmission filter 66T.
  • the switch 54 is connected between the matching circuit 41 and the reception filters 61R and 62R, and switches between the connection between the low noise amplifier 21 and the reception filter 61R and the connection between the low noise amplifier 21 and the reception filter 62R.
  • the switch 54 is composed of, for example, a SPDT type switch circuit in which a common terminal is connected to a matching circuit 41, one selection terminal is connected to a reception filter 61R, and the other selection terminal is connected to a reception filter 62R.
  • the switch 55 is connected between the matching circuit 42 and the reception filters 63R and 64R, and switches between the connection between the low noise amplifier 22 and the reception filter 63R and the connection between the low noise amplifier 22 and the reception filter 64R.
  • the switch 55 is composed of, for example, a SPDT type switch circuit in which a common terminal is connected to a matching circuit 42, one selection terminal is connected to a reception filter 63R, and the other selection terminal is connected to a reception filter 64R.
  • the switch 56 is connected between the matching circuit 43 and the reception filters 65R and 66R, and switches between the connection between the low noise amplifier 23 and the reception filter 65R and the connection between the low noise amplifier 23 and the reception filter 66R.
  • the switch 56 is composed of, for example, a SPDT type switch circuit in which a common terminal is connected to a matching circuit 43, one selection terminal is connected to a reception filter 65R, and the other selection terminal is connected to a reception filter 66R.
  • the switch 57 is connected between the antenna connection terminal 101 and the duplexers 61 and 62, and switches between the connection between the antenna 2a and the duplexer 61 and the connection between the antenna 2a and the duplexer 62.
  • the switch 57 is composed of, for example, a SPDT type switch circuit in which a common terminal is connected to an antenna connection terminal 101, one selection terminal is connected to a duplexer 61, and the other selection terminal is connected to a duplexer 62.
  • the switch 58 is connected between the antenna connection terminals 102 and 103 and the duplexers 63 to 66, and switches between the antenna 2b and the duplexers 63 to 66 and the antenna 2c and the duplexers 63 to 66.
  • the switch 58 for example, one common terminal is connected to the antenna connection terminal 102, the other common terminal is connected to the antenna connection terminal 103, the first selection terminal is connected to the duplexer 63, and the second selection terminal is connected.
  • It is composed of a DP4T (Double Pole 4 Throw) type switch circuit connected to a duplexer 64, a third selection terminal connected to the duplexer 65, and a fourth selection terminal connected to the duplexer 66.
  • DP4T Double Pole 4 Throw
  • the power amplifiers 11 to 13 and the low noise amplifiers 21 to 23 are, for example, field effect transistors (FETs) or heterobipolar transistors (HBTs) made of Si-based CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) or GaAs. ) And so on.
  • FETs field effect transistors
  • HBTs heterobipolar transistors
  • the low noise amplifier 21, switches 54 and 57 may be formed in one semiconductor IC (Integrated Circuit). Further, the low noise amplifiers 22, 23, switches 55, 56 and 58 may be formed in one semiconductor IC.
  • the above-mentioned semiconductor IC is composed of, for example, CMOS. Specifically, it is composed of an SOI (Silicon OnInsulator) process. This makes it possible to manufacture semiconductor ICs at low cost.
  • the semiconductor IC may be composed of at least one of GaAs, SiGe, and GaN. This makes it possible to output a high frequency signal having high quality amplification performance and noise performance.
  • the power amplifier 11, the matching circuit 31, the switch 51, the transmission filters 61T and 62T, and the switch 57 are of the low band group (communication band A and communication band B) toward the antenna connection terminal 101.
  • a first transmission circuit that outputs a transmission signal is configured.
  • the power amplifier 12, the matching circuit 32, the switch 52, the transmission filters 63T and 64T, and the switch 58 output the transmission signal of the middle band group (communication band C and communication band D) toward the antenna connection terminal 102 or 103.
  • a second transmission circuit is configured.
  • the power amplifier 13, the matching circuit 33, the switch 53, the transmission filters 65T and 66T, and the switch 58 output the transmission signal of the high band group (communication band E and communication band F) toward the antenna connection terminal 102 or 103.
  • a third transmission circuit is configured.
  • the low noise amplifier 21, the matching circuit 41, the switch 54, the reception filters 61R and 62R, and the switch 57 transmit the reception signals of the low band group (communication band A and communication band B) from the antenna 2a via the antenna connection terminal 101.
  • a first receiving circuit for input is configured.
  • the low noise amplifier 22, the matching circuit 42, the switch 55, the reception filters 63R and 64R, and the switch 58 are in the middle band group (communication band C and communication band D) from the antenna 2b or 2c via the antenna connection terminal 102 or 103. ) Is input to the second receiving circuit.
  • the low noise amplifier 23, the matching circuit 43, the switch 56, the reception filters 65R and 66R, and the switch 58 are in the high band group (communication band E and communication band F) from the antenna 2b or 2c via the antenna connection terminal 102 or 103. ) Is input to the third receiving circuit.
  • the first transmission circuit and the first reception circuit constitute a first transmission circuit that transmits a high frequency signal of a low band group. Further, the second transmission circuit and the second reception circuit form a second transmission circuit for transmitting a high frequency signal of the middle band group. Further, the third transmission circuit and the third reception circuit form a third transmission circuit for transmitting a high frequency signal of a high band group.
  • the high frequency module 1 simultaneously transmits and simultaneously transmits and simultaneously transmits at least two of the high frequency signal of the low band group, the high frequency signal of the middle band group, and the high frequency signal of the high band group. It is possible to perform at least one of reception and simultaneous transmission / reception.
  • the transmission circuit and the reception circuit do not have to be connected to the antenna connection terminals 101 to 103 via the switches 57 and 58, and the transmission circuit and the reception circuit have different terminals. It may be connected to the antennas 2a to 2c via the antenna.
  • the circuit configuration of the high frequency module according to the present invention may include at least power amplifiers 11 to 13 and transmission filters 61T, 63T and 65T.
  • the antennas 2a to 2c may be one antenna.
  • the one antenna and the duplexers 61 to 66 may be connected via a switch.
  • a triplexer that demultiplexes and combines a low band group signal, a middle band group signal, and a high band group signal may be arranged between the one antenna and the switch.
  • the harmonic of the high output transmission signal amplified by the power amplifier 11 of the low band group is the middle band group or the high band group.
  • the quality of the transmitted signal may deteriorate due to being superimposed on the transmitted signal of.
  • the harmonics of the transmission signal of the low band group flow into the second receiving circuit of the middle band group or the third receiving circuit of the high band group, and the receiving sensitivity of the second receiving circuit or the third receiving circuit deteriorates. May be done.
  • the frequency of the harmonic of the transmission signal amplified by the power amplifier 11 overlaps with at least a part of the frequency range of the middle band group or the high band group.
  • the frequency of the intermodulation distortion between the transmission signal amplified by the power amplifier 11 and another high frequency signal overlaps with at least a part of the frequency range of the middle band group or the high band group.
  • the frequency of the m (m is an integer of 2 or more) harmonics of the signal of the low band group is included in the frequency range of the middle band group, and the frequency of the n (n is an integer of 2 or more) harmonics of the signal of the low band group is included. This is the case when the frequency is included in the frequency range of the high band group.
  • the high frequency module 1 it is suppressed that the first transmission circuit of the low band group, the second transmission circuit of the middle band group, and the third transmission circuit of the high band group are electromagnetically coupled. It has a structure to be used.
  • the configuration for suppressing the electromagnetic field coupling of the high frequency module 1 according to the present embodiment will be described.
  • FIG. 2 is a plan view and a cross-sectional view of the high frequency module 1A according to the first embodiment.
  • a layout drawing of circuit components when the main surface 91a of the module board 91 is viewed from the positive direction side of the z-axis is shown.
  • a cross-sectional view taken along the line II-II in the right figure of FIG. 2 is shown.
  • the high frequency module 1A specifically shows the arrangement configuration of each circuit component constituting the high frequency module 1 according to the embodiment.
  • the high-frequency module 1A according to the present embodiment further includes a module substrate 91, a metal shield plate 80, a metal shield layer 95, and a resin member. It has 92 and an external connection terminal 150.
  • the module board 91 has a main surface 91a (first main surface), and is a board on which the first to third transmission circuits are mounted on the main surface 91a.
  • the module substrate 91 include a low temperature co-fired ceramics (LTCC) substrate having a laminated structure of a plurality of dielectric layers, a high temperature co-fired ceramics (HTCC) substrate, and the like.
  • LTCC low temperature co-fired ceramics
  • HTCC high temperature co-fired ceramics
  • RDL redistribution layer
  • the resin member 92 is arranged on the main surface 91a of the module board 91 and covers at least a part of the circuit components constituting the first to third transmission circuits and the main surface 91a of the module board 91. It has a function to ensure reliability such as mechanical strength and moisture resistance.
  • the external connection terminal 150 is arranged on the main surface 91b of the module board 91.
  • the high frequency module 1A exchanges electric signals with an external board arranged on the negative side of the z-axis of the high frequency module 1A via a plurality of external connection terminals 150.
  • the ground terminal 150g out of the plurality of external connection terminals 150 is set to the ground potential of the external board.
  • the external connection terminal 150 may be a flat electrode formed on the main surface 91b, or may be a bump electrode formed on the main surface 91b.
  • the power amplifiers 11 to 13, the low noise amplifiers 21 to 23, the duplexers 61 to 66, the matching circuits 31 to 33, 41 to 43, and the switches 51 to 58 are used. Is arranged on the main surface 91a of the module board 91.
  • the low noise amplifiers 21 to 23, duplexers 61 to 66, and switches 51 to 58 may be arranged on any of the main surfaces 91a and 91b of the module board 91.
  • the wiring constituting the transmission paths AT to FT and the reception paths AR to FR shown in FIG. 1 are formed inside the module board 91 on the main surfaces 91a and 91b.
  • the wiring may be a bonding wire in which both ends are joined to any of the main surfaces 91a and 91b and the circuit element constituting the high frequency module 1A, or on the surface of the circuit element constituting the high frequency module 1A. It may be a formed terminal, electrode or wiring.
  • the metal shield layer 95 covers the surface of the resin member 92 and is set to the ground potential.
  • the metal shield layer 95 is, for example, a metal thin film formed by a sputtering method.
  • the metal shield plate 80 is an example of the first metal shield plate and the second metal shield plate, and is a metal wall body erected from the main surface 91a toward the top surface of the resin member 92 on the positive direction side of the z-axis. ..
  • the metal shield plate 80 is in contact with the ground electrode of the main surface 91a and the metal shield layer 95. That is, since the metal shield plate 80 is connected to the ground at two places above and below it, the electromagnetic field shielding function is enhanced.
  • the metal shield plate 80 is in contact with the shield surface in contact with the top surface of the resin member 92 or the shield surface in contact with the side surface of the resin member 92 among the shield surfaces constituting the metal shield layer 95.
  • the metal shield plate 80 is on the main surface 91a and is arranged between the power amplifier 11 and the power amplifier 12 when the module board 91 is viewed in a plan view, and is between the power amplifier 11 and the power amplifier 13. Is located in.
  • the harmonics of the transmission signal output from the power amplifier 11 are the power amplifier. It is possible to prevent the quality of the transmitted signal from being superposed on the transmitted signal output from 12 and deteriorating. Further, since the power amplifier 11 and the power amplifier 13 are arranged so as to sandwich the metal shield plate 80 set to the ground potential, the harmonics of the transmission signal output from the power amplifier 11 are output from the power amplifier 13. It is possible to prevent the quality of the transmitted signal from being deteriorated by being superimposed on the transmitted signal.
  • the first metal shield plate arranged between the power amplifier 11 and the power amplifier 12 and the second metal shield plate arranged between the power amplifier 11 and the power amplifier 13 are as in the present embodiment. It may be the same metal shield plate 80, or it may be a separate body.
  • the metal shield plate 80 is arranged between the first inductor of the matching circuit 31 and the second inductor of the matching circuit 32 when the module substrate 91 is viewed in a plan view. Moreover, it is arranged between the first inductor of the matching circuit 31 and the third inductor of the matching circuit 33.
  • the metal shield plate 80 is arranged between the first inductor of the matching circuit 31 and the fourth inductor of the matching circuit 42 when the module substrate 91 is viewed in a plan view. Moreover, it is arranged between the first inductor of the matching circuit 31 and the fifth inductor of the matching circuit 43.
  • the harmonics of the transmission signal output from the power amplifier 11 and unnecessary waves of intermodulation distortion between the transmission signal and other high-frequency signals flow into the second reception circuit and the third reception circuit to receive the second reception. It is possible to suppress deterioration of the reception sensitivity of the circuit or the third receiving circuit.
  • the metal shield plate 80 divides the main surface 91a into a region P (first region and third region) and a region Q (second region and fourth region). That is, the first metal shield plate that partitions the power amplifier 11 and the power amplifier 12 divides the main surface 91a into the first region and the second region, and the second metal shield that partitions the power amplifier 11 and the power amplifier 13.
  • the board divides the main surface 91a into a third region and a fourth region.
  • the transmission filters 61T and 62T are arranged in the area P
  • the transmission filters 63T, 64T, 65T and 66T are arranged in the area Q.
  • the transmission filters 61T and 62T are arranged in the area P, and the reception filters 63R, 64R, 65R and 66R are arranged in the area Q.
  • the low noise amplifier 21, the switches 54 and 57 may be formed in one semiconductor IC 71. Further, the low noise amplifiers 22 and 23 and the switches 55, 56 and 58 may be formed in one semiconductor IC 72. As a result, the high frequency module 1A can be miniaturized.
  • a hole may be formed between the metal shield plate 80 and the main surface 91a so as to penetrate in the normal direction (y-axis direction) of the metal shield plate 80.
  • the liquid resin in the vicinity of the metal shield plate 80 is good in the step of forming the resin member 92 on the main surface 91a. Liquidity can be ensured. Therefore, it is possible to suppress the generation of voids or the like in which the resin member 92 is not formed in the vicinity of the metal shield plate 80.
  • a hole may be formed between the metal shield plate 80 and the top surface of the resin member 92 so as to penetrate in the normal direction (y-axis direction) of the metal shield plate 80.
  • the liquid resin in the vicinity of the metal shield plate 80 is good in the step of forming the resin member 92 on the main surface 91a. Liquidity can be ensured. Therefore, it is possible to suppress the generation of voids or the like in which the resin member 92 is not formed in the vicinity of the metal shield plate 80.
  • the metal shield plate 80 may have a configuration in which a plurality of metal plates are discretely arranged.
  • FIG. 3 is a plan view and a cross-sectional view of the high frequency module 1B according to the second embodiment.
  • a layout drawing of circuit components when the main surface 91a of the module board 91 is viewed from the positive direction side of the z-axis is shown.
  • a cross-sectional view taken along the line III-III in the right figure of FIG. 3 is shown.
  • the high frequency module 1B specifically shows the arrangement configuration of each circuit component constituting the high frequency module 1 according to the embodiment.
  • the high frequency module 1B according to the present embodiment has a different arrangement configuration of the metal shield plate 81 as compared with the high frequency module 1A according to the first embodiment.
  • the same points as the high frequency module 1A according to the first embodiment of the high frequency module 1B according to the present embodiment will be omitted, and different points will be mainly described.
  • the high-frequency module 1B according to the present embodiment further includes a module substrate 91, a metal shield plate 81, a metal shield layer 95, and a resin member. It has 92 and an external connection terminal 150.
  • the power amplifiers 11 to 13, the low noise amplifiers 21 to 23, the duplexers 61 to 66, the matching circuits 31 to 33, 41 to 43, and the switches 51 to 58 are used. Is arranged on the main surface 91a of the module board 91.
  • the low noise amplifiers 21 to 23, duplexers 61 to 66, and switches 51 to 58 may be arranged on any of the main surfaces 91a and 91b of the module board 91.
  • the metal shield plate 81 is an example of the first metal shield plate and the second metal shield plate, and is a metal wall body erected from the main surface 91a toward the top surface of the resin member 92 on the positive direction side of the z-axis. ..
  • the metal shield plate 81 is in contact with the ground electrode of the main surface 91a and the metal shield layer 95. That is, since the metal shield plate 81 is connected to the ground at two places above and below it, the electromagnetic field shielding function is enhanced.
  • the metal shield plate 81 is in contact with the shield surface which is in contact with the top surface of the resin member 92 or the shield surface which is in contact with the side surface of the resin member 92 among the shield surfaces constituting the metal shield layer 95.
  • the metal shield plate 81 is on the main surface 91a and is arranged between the power amplifier 11 and the power amplifier 12 when the module board 91 is viewed in a plan view, and is between the power amplifier 11 and the power amplifier 13. Is located in.
  • the metal shield plate 81 is arranged between the first inductor of the matching circuit 31 and the second inductor of the matching circuit 32 when the module substrate 91 is viewed in a plan view. Moreover, it is arranged between the first inductor of the matching circuit 31 and the third inductor of the matching circuit 33.
  • the metal shield plate 81 is arranged between the first inductor of the matching circuit 31 and the fourth inductor of the matching circuit 42 when the module substrate 91 is viewed in a plan view. Moreover, it is arranged between the first inductor of the matching circuit 31 and the fifth inductor of the matching circuit 43.
  • the metal shield plate 81 divides the main surface 91a into a region P (first region and third region) and a region Q (second region and fourth region). That is, the first metal shield plate that partitions the power amplifier 11 and the power amplifier 12 divides the main surface 91a into the first region and the second region, and the second metal shield that partitions the power amplifier 11 and the power amplifier 13.
  • the board divides the main surface 91a into a third region and a third region.
  • the power amplifier 11 and the matching circuit 31 are arranged in the area P, and the receive filters 63R, 64R, 65R, and 66R are arranged in the area Q.
  • FIG. 4A is a plan view of the high frequency module 1C according to the third embodiment.
  • FIG. 4B is a cross-sectional view of the high frequency module 1C according to the third embodiment, specifically, is a cross-sectional view taken along the line IVB-IVB of FIG. 4A.
  • the upper part of FIG. 4A shows an arrangement diagram of circuit elements when the main surface 91a of the main surfaces 91a and 91b facing each other of the module substrate 91 is viewed from the positive direction side of the z-axis.
  • the lower part of FIG. 4A shows a perspective view of the arrangement of the circuit elements when the main surface 91b is viewed from the positive direction side of the z-axis.
  • the high frequency module 1C according to the third embodiment specifically shows the arrangement configuration of each circuit element constituting the high frequency module 1 according to the embodiment.
  • the high frequency module 1C according to the present embodiment is different from the high frequency module 1A according to the first embodiment in that the circuit components constituting the high frequency module 1C are arranged on both sides of the module board 91.
  • the same points as those of the high frequency module 1A according to the first embodiment of the high frequency module 1C according to the present embodiment will be omitted, and the differences will be mainly described.
  • the high frequency module 1C further includes a module substrate 91, a metal shield plate 82, and a metal shield layer 95 in addition to the circuit configuration shown in FIG. , Resin members 92 and 93, and an external connection terminal 150.
  • the module board 91 has a main surface 91a (first main surface) and a main surface 91b (second main surface), and is a board on which the first to third transmission circuits are mounted on the main surface 91a and 91b.
  • the resin member 92 is arranged on the main surface 91a of the module board 91 and covers at least a part of the circuit components constituting the first to third transmission circuits and the main surface 91a, and the mechanical strength and moisture resistance of the circuit components are covered. It has a function to ensure reliability such as sex.
  • the resin member 93 is arranged on the main surface 91b and covers at least a part of the circuit parts constituting the first to third transmission circuits and the main surface 91b, and the reliability of the mechanical strength and moisture resistance of the circuit parts is high. It has a function to ensure sex.
  • the external connection terminal 150 is arranged on the main surface 91b of the module board 91.
  • the high frequency module 1C exchanges electric signals with an external board arranged on the negative side of the z-axis of the high frequency module 1C via a plurality of external connection terminals 150.
  • the ground terminal 150g out of the plurality of external connection terminals 150 is set to the ground potential of the external board.
  • the external connection terminal 150 may be a flat electrode formed on the main surface 91b, or may be a bump electrode formed on the main surface 91b. When the external connection terminal 150 is formed of a bump electrode, the resin member 93 may be omitted.
  • the transmission paths AT, BT and CT shown in FIG. 1 and the wiring constituting the reception paths AR, BR and CR are inside the module board 91. It is formed on the main surfaces 91a and 91b. Further, the wiring may be a bonding wire whose both ends are joined to any of the main surfaces 91a and 91b and the circuit element constituting the high frequency module 1C, or on the surface of the circuit element constituting the high frequency module 1C. It may be a formed terminal, electrode or wiring.
  • the plurality of external connection terminals 150 include antenna connection terminals 101, 102 and 103, transmission input terminals 111, 112 and 113, and reception output terminals 121, 122 and 123. Further, some of the plurality of external connection terminals 150 are set to the ground potential of the external board.
  • the power amplifiers 11 to 13, duplexers 61 to 66, matching circuits 31 to 33, and matching circuits 41 to 43 are arranged on the main surface 91a of the module board 91.
  • the low noise amplifiers 21 to 23 and the switches 51 to 58 are arranged on the main surface 91b of the module board 91.
  • the power amplifiers 11 to 13 and the low noise amplifiers 21 to 23 are distributed and arranged on both sides of the module board 91, the isolation between transmission and reception can be improved.
  • the module substrate 91 has a multilayer structure in which a plurality of dielectric layers are laminated, and a ground electrode pattern is formed on at least one of the plurality of dielectric layers. This improves the electromagnetic field shielding function of the module board 91.
  • the metal shield plate 82 is an example of the first metal shield plate and the second metal shield plate, and is a metal wall body erected from the main surface 91a toward the top surface of the resin member 92 on the positive direction side of the z-axis. ..
  • the metal shield plate 82 is in contact with the ground electrode of the main surface 91a and the metal shield layer 95. That is, since the metal shield plate 82 is connected to the ground at two places above and below it, the electromagnetic field shielding function is enhanced.
  • the metal shield plate 82 is in contact with the shield surface which is in contact with the top surface of the resin member 92 or the shield surface which is in contact with the side surface of the resin member 92 among the shield surfaces constituting the metal shield layer 95.
  • the metal shield plate 82 is on the main surface 91a and is arranged between the power amplifier 11 and the power amplifier 12 when the module board 91 is viewed in a plan view, and is between the power amplifier 11 and the power amplifier 13. Is located in.
  • the first metal shield plate arranged between the power amplifier 11 and the power amplifier 12 and the second metal shield plate arranged between the power amplifier 11 and the power amplifier 13 are as in the present embodiment. It may be the same metal shield plate 82, or it may be a separate body.
  • the metal shield plate 82 is arranged between the first inductor of the matching circuit 31 and the second inductor of the matching circuit 32 when the module substrate 91 is viewed in a plan view. Moreover, it is arranged between the first inductor of the matching circuit 31 and the third inductor of the matching circuit 33.
  • the metal shield plate 82 is arranged between the first inductor of the matching circuit 31 and the fourth inductor of the matching circuit 42 when the module substrate 91 is viewed in a plan view. Moreover, it is arranged between the first inductor of the matching circuit 31 and the fifth inductor of the matching circuit 43.
  • the harmonics of the transmission signal output from the power amplifier 11 and unnecessary waves of intermodulation distortion between the transmission signal and other high-frequency signals flow into the second reception circuit and the third reception circuit to receive the second reception. It is possible to suppress deterioration of the reception sensitivity of the circuit or the third receiving circuit.
  • the metal shield plate 82 divides the main surface 91a into a region P (first region and third region) and a region Q (second region and fourth region). That is, the first metal shield plate that partitions the power amplifier 11 and the power amplifier 12 divides the main surface 91a into the first region and the second region, and the second metal shield that partitions the power amplifier 11 and the power amplifier 13.
  • the board divides the main surface 91a into a third region and a fourth region.
  • the transmission filters 61T and 62T are arranged in the area P
  • the transmission filters 63T, 64T, 65T and 66T are arranged in the area Q.
  • the transmission filters 61T and 62T are arranged in the area P, and the reception filters 63R, 64R, 65R and 66R are arranged in the area Q.
  • the low noise amplifiers 21 to 23 and the switches 54 to 56 may be formed in one semiconductor IC 75. Further, the switches 57 and 58 may be formed in one semiconductor IC 74. Further, the switches 51 to 53 may be formed on one semiconductor IC 73. As a result, the high frequency module 1C can be miniaturized.
  • the power amplifiers 11 to 13 are arranged on the main surface 91a.
  • the power amplifiers 11 to 13 are components having a large amount of heat generation among the circuit components included in the high frequency module 1C. In order to improve the heat dissipation of the high frequency module 1C, it is important to dissipate the heat generated by the power amplifiers 11 to 13 to the external substrate through a heat dissipation path having a small thermal resistance. If the power amplifiers 11 to 13 are mounted on the main surface 91b, the electrode wiring connected to the power amplifiers 11 to 13 is arranged on the main surface 91b.
  • the heat dissipation path includes the heat dissipation path only via the plane wiring pattern (along the xy plane direction) on the main surface 91b. Since the plane wiring pattern is formed of a metal thin film, it has a large thermal resistance. Therefore, when the power amplifiers 11 to 13 are arranged on the main surface 91b, the heat dissipation property is deteriorated.
  • the power amplifiers 11 to 13 when the power amplifiers 11 to 13 are mounted on the main surface 91a as in the present embodiment, the power amplifiers 11 to 13 pass through the through electrodes penetrating between the main surface 91a and the main surface 91b. And the external connection terminal 150 can be connected. Therefore, as the heat dissipation path of the power amplifiers 11 to 13, it is possible to eliminate the heat dissipation path via only the plane wiring pattern along the xy plane direction having a large thermal resistance among the wiring in the module board 91. Therefore, it is possible to provide a small high-frequency module 1C having improved heat dissipation from the power amplifiers 11 to 13 to the external substrate.
  • the high frequency module 1C when the module substrate 91 is viewed in a plan view, the main surface facing the region of the main surface 91a on which the power amplifiers 11 to 13 are formed. It is desirable that no circuit component is formed in the region of 91b.
  • the high frequency module 1A has a module substrate 91 having a main surface 91a, a power amplifier 11 arranged on the main surface 91a, a power amplifier 12 arranged on the main surface 91a, and a main surface 91a.
  • the transmission filter 63T to be connected, the transmission filter 65T connected to the output terminal of the power amplifier 13 and passing the transmission signal of the communication band E, the resin member 92 covering at least a part of the main surface 91a, and the surface of the resin member 92.
  • the metal shield layer 95 which is covered and set to the ground potential, is arranged between the power amplifier 11 and the power amplifier 12 when the module substrate 91 is viewed in a plan view on the main surface 91a, and is arranged with the power amplifier 11.
  • a metal shield plate 80 arranged between the power amplifier 13 and the metal shield plate 80 is provided, and the metal shield plate 80 is in contact with the first ground electrode and the metal shield layer 95 of the main surface 91a.
  • the harmonic of the transmission signal output from the power amplifier 11 is the power amplifier 12. It is possible to suppress the deterioration of the quality of the transmitted signal superimposed on the transmitted signal output from. Further, since the power amplifier 11 and the power amplifier 13 are arranged so as to sandwich the metal shield plate 80 set to the ground potential, the harmonics of the transmission signal output from the power amplifier 11 are output from the power amplifier 13. It is possible to prevent the quality of the transmitted signal from being deteriorated by being superimposed on the transmitted signal.
  • the high frequency module 1A is further arranged on the main surface 91a, the first inductor of the matching circuit 31 connected between the power amplifier 11 and the transmission filter 61T, and arranged on the main surface 91a with the power amplifier 12.
  • the second inductor of the matching circuit 32 connected to the transmission filter 63T and the third inductor of the matching circuit 33 arranged on the main surface 91a and connected between the power amplifier 13 and the transmission filter 65T.
  • the metal shield plate 80 may be arranged between the first inductor and the second inductor in the plan view, and may be arranged between the first inductor and the third inductor.
  • the high frequency module 1A is further arranged on the low noise amplifiers 22 and 23, the reception filter 63R for passing the reception signal of the communication band C, the reception filter 65R for passing the reception signal of the communication band E, and the main surface 91a.
  • the fourth inductor of the matching circuit 42 connected between the low noise amplifier 22 and the receiving filter 63R, and the matching circuit arranged on the main surface 91a and connected between the low noise amplifier 23 and the receiving filter 65R.
  • the fifth inductor of 43 and the metal shield plate 80 are arranged between the first inductor and the fourth inductor in the plan view, and are arranged between the first inductor and the fifth inductor. You may.
  • the harmonics of the transmission signal output from the power amplifier 11 and unnecessary waves of intermodulation distortion between the transmission signal and other high-frequency signals flow into the second reception circuit and the third reception circuit to receive the second reception. It is possible to suppress deterioration of the reception sensitivity of the circuit or the third receiving circuit.
  • the metal shield plate 80 divides the main surface 91a into the region P and the region Q in the plan view, the transmission filter 61T is arranged in the region P, and the transmission filters 63T and 65T are arranged in the region Q. It may have been done.
  • the high frequency module 1A has a module substrate 91 having a main surface 91a, a power amplifier 11 arranged on the main surface 91a, a power amplifier 12 arranged on the main surface 91a, and a main surface 91a.
  • the arranged power amplifier 13 the transmission filter 61T that passes the transmission signal of the communication band A, the reception filter 63R that passes the reception signal of the communication band C, and the reception filter 65R that passes the reception signal of the communication band E.
  • the first inductor of the matching circuit 31 arranged on the main surface 91a and connected between the power amplifier 11 and the transmission filter 61T, and connected between the low noise amplifier 22 and the reception filter 63R arranged on the main surface 91a.
  • the metal shield layer 95 which covers the surface of the resin member 92 and is set to the ground potential, and between the first inductor and the fourth inductor when the module substrate 91 is viewed in a plan view on the main surface 91a.
  • a metal shield plate 80 arranged and arranged between the first inductor and the fifth inductor is provided, and the metal shield plate 80 is in contact with the first ground electrode and the metal shield layer 95 of the main surface 91a. There is.
  • the harmonics of the transmission signal output from the power amplifier 11 and unnecessary waves of intermodulation distortion between the transmission signal and other high-frequency signals flow into the second reception circuit and the third reception circuit to receive the second reception. It is possible to suppress deterioration of the reception sensitivity of the circuit or the third receiving circuit.
  • the metal shield plate 80 partitions the main surface 91a into the region P and the region Q in the plan view, the transmission filter 61T is arranged in the region P, and the reception filters 63R and 65R are arranged in the region Q. It may have been done.
  • the module substrate 91 further has a main surface 91b facing the main surface 91a, and the high frequency module 1C further has a plurality of external connection terminals arranged on the main surface 91b.
  • the low noise amplifiers 22 and 23 may be located on the main surface 91b.
  • the power amplifier 11 and the low noise amplifiers 22 and 23 are distributed and arranged on both sides of the module board 91, the isolation between transmission and reception can be improved. Therefore, the harmonics of the transmission signal output from the power amplifier 11 and unnecessary waves of intermodulation distortion between the transmission signal and other high-frequency signals flow into the second reception circuit and the third reception circuit to receive the second reception. It is possible to suppress deterioration of the reception sensitivity of the circuit or the third receiving circuit.
  • the frequency of the m (m is an integer of 2 or more) harmonics of the signal of the communication band A is included in the communication band C
  • the frequency of the n (n is an integer of 2 or more) harmonics of the signal of the communication band A May be included in the communication band E.
  • the metal shield plate 80 is arranged between the first metal shield plate arranged between the power amplifier 11 and the power amplifier 12, and the second metal shield plate 80 arranged between the power amplifier 11 and the power amplifier 13. It may be composed of a metal shield plate.
  • the communication device 5 includes an RFIC 3 that processes high frequency signals transmitted and received by the antennas 2a to 2c, and a high frequency module 1 that transmits a high frequency signal between the antennas 2a to 2c and the RFIC 3.
  • the high-frequency module and communication device according to the present invention have been described above with reference to embodiments and examples thereof, but the high-frequency module and communication device according to the present invention are limited to the above-described embodiments and examples. It's not a thing. Those skilled in the art can think of another embodiment realized by combining the above-described embodiment and any component in the embodiment, or the above-mentioned embodiment and the embodiment to the extent that the gist of the present invention is not deviated. The present invention also includes examples of modifications obtained by subjecting various modifications, and various devices incorporating the above-mentioned high-frequency module and communication device.
  • the present invention can be widely used in communication devices such as mobile phones as a high-frequency module arranged in a multi-band compatible front end portion.
  • Radio Frequency Module 2a, 2b, 2c Antenna 3 RF Signal Processing Circuit (RFIC) 4 Baseband signal processing circuit (BBIC) 5 Communication equipment 11, 12, 13 Power amplifier 21, 22, 23 Low noise amplifier 31, 32, 33, 41, 42, 43 Matching circuit 51, 52, 53, 54, 55, 56, 57, 58 Switch 61, 62 , 63, 64, 65, 66 Duplexer 61R, 62R, 63R, 64R, 65R, 66R Receive filter 61T, 62T, 63T, 64T, 65T, 66T Transmission filter 71, 72, 73, 74, 75 Semiconductor IC 80, 81, 82 Metal shield plate 91 Module board 91a, 91b Main surface 92, 93 Resin member 95 Metal shield layer 101, 102, 103 Antenna connection terminal 111, 112, 113 Transmission input terminal 121, 122, 123 Reception output terminal 150 External connection terminal 150g Ground terminal AR,

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Abstract

高周波モジュール(1A)は、モジュール基板(91)の主面(91a)に配置された電力増幅器(11、12および13)と、電力増幅器(11)の出力端子に接続され、通信バンドAの送信信号を通過させる送信フィルタ(61T)と、電力増幅器(12)の出力端子に接続され、通信バンドCの送信信号を通過させる送信フィルタ(63T)と、電力増幅器(13)の出力端子に接続され、通信バンドEの送信信号を通過させる送信フィルタ(65T)と、主面(91a)を覆う樹脂部材(92)と、樹脂部材(92)の表面を覆う金属シールド層(95)と、主面(91a)上であって電力増幅器(11)と電力増幅器(12)との間に配置され、かつ、電力増幅器(11)と電力増幅器(13)との間に配置された金属シールド板(80)と、を備え、金属シールド板(80)は、主面(91a)の第1グランド電極および金属シールド層(95)に接している。

Description

高周波モジュールおよび通信装置
 本発明は、高周波モジュールおよび通信装置に関する。
 携帯電話などの移動体通信機器では、特に、マルチバンド化の進展に伴い、高周波フロントエンド回路を構成する回路素子の配置構成が複雑化されている。
 特許文献1には、複数の送信機(送信経路)および複数の受信機(受信経路)と、当該複数の送信機および複数の受信機とアンテナとの間に配置されたスイッチプレクサ(アンテナスイッチ)と、を備えたトランシーバ(送受信回路)の回路構成が開示されている。上記複数の送信機のそれぞれは、送信回路、PA(送信電力増幅器)、および出力回路を有し、上記複数の受信機のそれぞれは、受信回路、LNA(受信低雑音増幅器)、および入力回路を有している。出力回路は、送信フィルタ、インピーダンス整合回路、およびデュプレクサなどを含み、入力回路は、受信フィルタ、インピーダンス整合回路、およびデュプレクサなどを含む。上記構成によれば、スイッチプレクサの切り替え動作により、同時送信、同時受信、または同時送受信を実行できる。
特表2014-522216号公報
 しかしながら、特許文献1に開示されたトランシーバ(送受信回路)を、移動体通信機器に搭載される高周波モジュールで構成する場合、PA(送信電力増幅器)で増幅された高出力の送信信号の高調波が送信信号に重畳され、送信信号の品質が低下する場合がある。また、送信経路および受信経路のそれぞれに配置されたインダクタ同士が電磁界結合することで送受信間のアイソレーションが低下し、送信信号の高調波、または、送信信号と他の高周波信号との相互変調歪などの不要波が、受信経路に流入して受信感度が劣化する場合がある。
 本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、送信信号または受信信号の品質劣化が抑制された高周波モジュールおよび通信装置を提供することを目的とする。
 上記目的を達成するために、本発明の一態様に係る高周波モジュールは、第1主面を有するモジュール基板と、第1主面に配置された第1電力増幅器と、第1主面に配置された第2電力増幅器と、第1主面に配置された第3電力増幅器と、第1電力増幅器の出力端子に接続され、第1通信バンドの送信信号を通過させる第1フィルタと、第2電力増幅器の出力端子に接続され、第1通信バンドと異なる第2通信バンドの送信信号を通過させる第2フィルタと、第3電力増幅器の出力端子に接続され、第1通信バンドおよび第2通信バンドと異なる第3通信バンドの送信信号を通過させる第3フィルタと、第1主面の少なくとも一部を覆う樹脂部材と、樹脂部材の表面を覆い、グランド電位に設定された金属シールド層と、第1主面上であって、モジュール基板を平面視した場合に第1電力増幅器と第2電力増幅器との間に配置された第1金属シールド板と、第1主面上であって、モジュール基板を平面視した場合に第1電力増幅器と第3電力増幅器との間に配置された第2金属シールド板と、を備え、第1金属シールド板は、第1主面の第1グランド電極および金属シールド層に接しており、第2金属シールド板は、第1主面の第2グランド電極および金属シールド層に接している。
 本発明によれば、送信信号または受信信号の品質劣化が抑制された高周波モジュールおよび通信装置を提供することが可能となる。
図1は、実施の形態に係る高周波モジュールおよび通信装置の回路構成図である。 図2は、実施例1に係る高周波モジュールの平面図および断面図である。 図3は、実施例2に係る高周波モジュールの平面図および断面図である。 図4Aは、実施例3に係る高周波モジュールの平面図である。 図4Bは、実施例3に係る高周波モジュールの断面図である。
 以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。なお、以下で説明する実施の形態は、包括的または具体的な例を示すものである。また、以下の実施の形態および実施例で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置および接続形態等は、一例であり、本発明を限定する主旨ではない。また、以下の実施例における構成要素のうち、独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。また、図面に示される構成要素の大きさまたは大きさの比は、必ずしも厳密ではない。各図において、実質的に同一の構成については同一の符号を付し、重複する説明は省略または簡略化する場合がある。
 また、以下において、平行および垂直等の要素間の関係性を示す用語、および、矩形状等の要素の形状を示す用語、並びに、数値範囲は、厳格な意味のみを表すのではなく、実質的に同等な範囲、例えば数%程度の差異をも含むことを意味する。
 以下の各図において、x軸およびy軸は、モジュール基板の主面と平行な平面上で互いに直交する軸である。また、z軸は、モジュール基板の主面に垂直な軸であり、その正方向は上方向を示し、その負方向は下方向を示す。
 また、本開示の回路構成において、「接続される」とは、接続端子および/または配線導体で直接接続される場合だけでなく、他の回路部品を介して電気的に接続される場合も含む。また、「AおよびBの間に接続される」とは、AおよびBの間でAおよびBの両方に接続されることを意味する。
 また、本開示のモジュール構成において、「平面視」とは、z軸正方向側からxy平面に物体を正投影して見ることを意味する。「部品が基板の主面に配置される」とは、部品が基板の主面と接触した状態で主面上に配置されることに加えて、部品が主面と接触せずに主面の上方に配置されること、および、部品の一部が主面側から基板内に埋め込まれて配置されることを含む。「AがBおよびCの間に配置される」とは、B内の任意の点とC内の任意の点とを結ぶ複数の線分のうちの少なくとも1つがAを通ることを意味する。また、「平行」および「垂直」などの要素間の関係性を示す用語、および、「矩形」などの要素の形状を示す用語は、厳格な意味のみを表すのではなく、実質的に同等な範囲、例えば数%程度の誤差をも含むことを意味する。
 また、以下において、「送信経路」とは、高周波送信信号を伝送する配線、当該配線に直接接続された電極、および当該配線または当該電極に直接接続された端子等で構成された伝送線路であることを意味する。また、「受信経路」とは、高周波受信信号を伝送する配線、当該配線に直接接続された電極、および当該配線または当該電極に直接接続された端子等で構成された伝送線路であることを意味する。また、「送受信経路」とは、高周波送信信号および高周波受信信号の双方を伝送する配線、当該配線に直接接続された電極、および当該配線または当該電極に直接接続された端子等で構成された伝送線路であることを意味する。
 (実施の形態)
 [1 高周波モジュール1および通信装置5の回路構成]
 図1は、実施の形態に係る高周波モジュール1および通信装置5の回路構成図である。同図に示すように、通信装置5は、高周波モジュール1と、アンテナ2a、2bおよび2cと、RF信号処理回路(RFIC)3と、ベースバンド信号処理回路(BBIC)4と、を備える。
 RFIC3は、アンテナ2a~2cで送受信される高周波信号を処理するRF信号処理回路である。具体的には、RFIC3は、高周波モジュール1の受信経路を介して入力された受信信号を、ダウンコンバートなどにより信号処理し、当該信号処理して生成された受信信号をBBIC4へ出力する。また、RFIC3は、BBIC4から入力された送信信号をアップコンバートなどにより信号処理し、当該信号処理して生成された送信信号を、高周波モジュール1の送信経路に出力する。
 BBIC4は、高周波モジュール1を伝搬する高周波信号よりも低周波の中間周波数帯域を用いて信号処理する回路である。BBIC4で処理された信号は、例えば、画像表示のための画像信号として使用され、または、スピーカを介した通話のために音声信号として使用される。
 また、RFIC3は、使用される通信バンド(周波数帯域)に基づいて、高周波モジュール1が有するスイッチ51、52、53、54、55、56、57および58の接続を制御する制御部としての機能も有する。具体的には、RFIC3は、制御信号(図示せず)によって、高周波モジュール1が有するスイッチ51~58の接続を切り替える。なお、制御部は、RFIC3の外部に設けられていてもよく、例えば、高周波モジュール1またはBBIC4に設けられていてもよい。
 アンテナ2aは高周波モジュール1のアンテナ接続端子101に接続され、アンテナ2bは高周波モジュール1のアンテナ接続端子102に接続され、アンテナ2cは高周波モジュール1のアンテナ接続端子103に接続されている。アンテナ2a~2cは、高周波モジュール1から出力された高周波信号を放射し、また、外部からの高周波信号を受信して高周波モジュール1へ出力する。
 なお、本実施の形態に係る通信装置5において、アンテナ2a~2cおよびBBIC4は、必須の構成要素ではない。
 次に、高周波モジュール1の詳細な構成について説明する。
 図1に示すように、高周波モジュール1は、電力増幅器11、12および13と、低雑音増幅器21、22および23と、送信フィルタ61T、62T、63T、64T、65Tおよび66Tと、受信フィルタ61R、62R、63R、64R、65Rおよび66Rと、整合回路31、32、33、41、42および43と、スイッチ51、52、53、54、55、56、57および58と、アンテナ接続端子101、102および103と、送信入力端子111、112および113と、受信出力端子121、122および123と、を備える。
 電力増幅器11は、第1電力増幅器の一例であり、通信バンドAおよびBの送信信号を増幅する。電力増幅器11の入力端子は送信入力端子111に接続され、電力増幅器11の出力端子は、整合回路31およびスイッチ51を介して送信フィルタ61Tおよび62Tに接続されている。
 電力増幅器12は、第2電力増幅器の一例であり、通信バンドAおよびBよりも高周波数側の通信バンドCおよびDの送信信号を増幅する。電力増幅器12の入力端子は送信入力端子112に接続され、電力増幅器12の出力端子は、整合回路32およびスイッチ52を介して送信フィルタ63Tおよび64Tに接続されている。
 電力増幅器13は、第3電力増幅器の一例であり、通信バンドAおよびBよりも高周波数側の通信バンドEおよびFの送信信号を増幅する。電力増幅器13の入力端子は送信入力端子113に接続され、電力増幅器13の出力端子は、整合回路33およびスイッチ53を介して送信フィルタ65Tおよび66Tに接続されている。
 なお、通信バンドAおよびBは、第1通信バンドの一例であり、例えば、ローバンド群に属する通信バンドである。通信バンドCおよびDは、第2通信バンドの一例であり、例えば、ミドルバンド群に属する通信バンドである。通信バンドEおよびFは、第3通信バンドの一例であり、例えば、ハイバンド群に属する通信バンドである。
 ローバンド群は、4Gおよび5Gに対応した複数の通信バンドで構成された周波数帯域群であり、例えば、1GHz以下の周波数範囲を有している。ローバンド群の通信バンドAおよびBとしては、例えば、LTE(Long Term Evolution)のBand5(送信帯域:824-849MHz、受信帯域:869-894MHz)、Band8(送信帯域:880-915MHz、受信帯域:925-960MHz)、およびBand28(送信帯域:703-748MHz、受信帯域:753-803MHz)などの通信バンドが適用される。
 ミドルバンド群は、4Gおよび5Gに対応した複数の通信バンドで構成された周波数帯域群であり、例えば、1.5-2.2GHzの周波数範囲を有している。ミドルバンド群の通信バンドCおよびDとしては、例えば、LTEのBand1(送信帯域:1920-1980MHz、受信帯域:2110-2170MHz)、Band39(送受信帯域:1880-1920MHz)、およびBand66(送信帯域:1710-1780MHz、受信帯域:2110-2200MHz)などの通信バンドが適用される。
 ハイバンド群は、4Gおよび5Gに対応した複数の通信バンドで構成された周波数帯域群であり、例えば、2.4-2.8GHzの周波数範囲を有している。ハイバンド群の通信バンドEおよびFとしては、例えば、LTEのBand7(送信帯域:2500-2570MHz、受信帯域:2620-2690MHz)、およびBand41(送受信帯域:2496-2690MHz)などの通信バンドが適用される。
 なお、通信バンドA~Fのそれぞれは、無線アクセス技術(RAT:Radio Access Technology)を用いて構築される通信システムのために、標準化団体など(例えば3GPP、IEEE(Institute of Electrical and Electronics Engineers)等)によって予め定義された周波数バンドを意味する。本実施の形態では、通信システムとしては、例えばLTEシステム、5GNRシステム、およびWLAN(Wireless Local Area Network)システム等を用いることができるが、これらに限定されない。
 また、通信バンドA~Fのそれぞれは、送信帯域および受信帯域で構成されている。ここで、送信帯域とは、通信バンドのうちのアップリンク用に指定された周波数範囲を意味する。また、受信帯域とは、通信バンドのうちのダウンリンク用に指定された周波数範囲を意味する。
 低雑音増幅器21は、第1低雑音増幅器の一例であり、通信バンドAおよびBの受信信号を低雑音で増幅する。低雑音増幅器21の入力端子は整合回路41およびスイッチ54を介して受信フィルタ61Rおよび62Rに接続され、低雑音増幅器21の出力端子は、受信出力端子121に接続されている。
 低雑音増幅器22は、第2低雑音増幅器の一例であり、通信バンドCおよびDの受信信号を低雑音で増幅する。低雑音増幅器22の入力端子は整合回路42およびスイッチ55を介して受信フィルタ63Rおよび64Rに接続され、低雑音増幅器22の出力端子は、受信出力端子122に接続されている。
 低雑音増幅器23は、第3低雑音増幅器の一例であり、通信バンドEおよびFの受信信号を低雑音で増幅する。低雑音増幅器23の入力端子は整合回路43およびスイッチ56を介して受信フィルタ65Rおよび66Rに接続され、低雑音増幅器23の出力端子は、受信出力端子123に接続されている。
 送信フィルタ61Tは、第1フィルタの一例であり、送信入力端子111とスイッチ57とを結ぶ送信経路ATに配置され、スイッチ51および整合回路31を介して電力増幅器11に接続されている。送信フィルタ61Tは、電力増幅器11で増幅された送信信号のうち、通信バンドAの送信帯域の送信信号を通過させる。
 送信フィルタ62Tは、第1フィルタの一例であり、送信入力端子111とスイッチ57とを結ぶ送信経路BTに配置され、スイッチ51および整合回路31を介して電力増幅器11に接続されている。送信フィルタ62Tは、電力増幅器11で増幅された送信信号のうち、通信バンドBの送信帯域の送信信号を通過させる。なお、送信経路ATおよびBTは、ローバンド群の送信信号を伝送する第1送信経路の一例である。
 送信フィルタ63Tは、第2フィルタの一例であり、送信入力端子112とスイッチ58とを結ぶ送信経路CTに配置され、スイッチ52および整合回路32を介して電力増幅器12に接続されている。送信フィルタ63Tは、電力増幅器12で増幅された送信信号のうち、通信バンドCの送信帯域の送信信号を通過させる。
 送信フィルタ64Tは、第2フィルタの一例であり、送信入力端子112とスイッチ58とを結ぶ送信経路DTに配置され、スイッチ52および整合回路32を介して電力増幅器12に接続されている。送信フィルタ64Tは、電力増幅器12で増幅された送信信号のうち、通信バンドDの送信帯域の送信信号を通過させる。なお、送信経路CTおよびDTは、ミドルバンド群の送信信号を伝送する第2送信経路の一例である。
 送信フィルタ65Tは、第3フィルタの一例であり、送信入力端子113とスイッチ58とを結ぶ送信経路ETに配置され、スイッチ53および整合回路33を介して電力増幅器13に接続されている。送信フィルタ65Tは、電力増幅器13で増幅された送信信号のうち、通信バンドEの送信帯域の送信信号を通過させる。
 送信フィルタ66Tは、第3フィルタの一例であり、送信入力端子113とスイッチ58とを結ぶ送信経路FTに配置され、スイッチ53および整合回路33を介して電力増幅器13に接続されている。送信フィルタ66Tは、電力増幅器13で増幅された送信信号のうち、通信バンドFの送信帯域の送信信号を通過させる。なお、送信経路ETおよびFTは、ハイバンド群の送信信号を伝送する第3送信経路の一例である。
 受信フィルタ61Rは、スイッチ57と受信出力端子121とを結ぶ受信経路ARに配置され、スイッチ54および整合回路41を介して低雑音増幅器21に接続されている。受信フィルタ61Rは、アンテナ接続端子101から入力された受信信号のうち、通信バンドAの受信帯域の受信信号を通過させる。
 受信フィルタ62Rは、スイッチ57と受信出力端子121とを結ぶ受信経路BRに配置され、スイッチ54および整合回路41を介して低雑音増幅器21に接続されている。受信フィルタ62Rは、アンテナ接続端子101から入力された受信信号のうち、通信バンドBの受信帯域の受信信号を通過させる。なお、受信経路ARおよびBRは、ローバンド群の受信信号を伝送する第1受信経路の一例である。
 受信フィルタ63Rは、第4フィルタの一例であり、スイッチ58と受信出力端子122とを結ぶ受信経路CRに配置され、スイッチ55および整合回路42を介して低雑音増幅器22に接続されている。受信フィルタ63Rは、アンテナ接続端子102または103から入力された受信信号のうち、通信バンドCの受信帯域の受信信号を通過させる。
 受信フィルタ64Rは、第4フィルタの一例であり、スイッチ58と受信出力端子122とを結ぶ受信経路DRに配置され、スイッチ55および整合回路42を介して低雑音増幅器22に接続されている。受信フィルタ64Rは、アンテナ接続端子102または103から入力された受信信号のうち、通信バンドDの受信帯域の受信信号を通過させる。なお、受信経路CRおよびDRは、ミドルバンド群の受信信号を伝送する第2受信経路の一例である。
 受信フィルタ65Rは、第5フィルタの一例であり、スイッチ58と受信出力端子123とを結ぶ受信経路ERに配置され、スイッチ56および整合回路43を介して低雑音増幅器23に接続されている。受信フィルタ65Rは、アンテナ接続端子102または103から入力された受信信号のうち、通信バンドEの受信帯域の受信信号を通過させる。
 受信フィルタ66Rは、第5フィルタの一例であり、スイッチ58と受信出力端子123とを結ぶ受信経路FRに配置され、スイッチ56および整合回路43を介して低雑音増幅器23に接続されている。受信フィルタ66Rは、アンテナ接続端子102または103から入力された受信信号のうち、通信バンドFの受信帯域の受信信号を通過させる。なお、受信経路ERおよびFRは、ハイバンド群の受信信号を伝送する第3受信経路の一例である。
 送信フィルタ61Tおよび受信フィルタ61Rは、通信バンドAを通過帯域とするデュプレクサ61を構成している。また、送信フィルタ62Tおよび受信フィルタ62Rは、通信バンドBを通過帯域とするデュプレクサ62を構成している。また、送信フィルタ63Tおよび受信フィルタ63Rは、通信バンドCを通過帯域とするデュプレクサ63を構成している。また、送信フィルタ64Tおよび受信フィルタ64Rは、通信バンドDを通過帯域とするデュプレクサ64を構成している。また、送信フィルタ65Tおよび受信フィルタ65Rは、通信バンドEを通過帯域とするデュプレクサ65を構成している。また、送信フィルタ66Tおよび受信フィルタ66Rは、通信バンドFを通過帯域とするデュプレクサ66を構成している。
 なお、本実施の形態に係る高周波モジュール1において、各通信バンドの送信フィルタおよび受信フィルタは、送信信号と受信信号とを周波数分割複信(FDD:Frequency Division Duplex)方式で伝送するデュプレクサを構成しているが、送信信号と受信信号とを時分割複信(TDD:Time Division Duplex)方式で伝送してもよい。この場合には、送信フィルタおよび受信フィルタの前段および後段の少なくとも一方に、送信および受信を切り替えるスイッチが配置される。
 なお、上記の送信フィルタ61T~66Tおよび受信フィルタ61R~66Rは、例えば、弾性表面波フィルタ、BAW(Bulk Acoustic Wave)を用いた弾性波フィルタ、LC共振フィルタ、および誘電体フィルタのいずれであってもよく、さらには、これらには限定されない。
 整合回路31は、電力増幅器11と送信フィルタ61Tおよび62Tとの間に接続され、電力増幅器11と送信フィルタ61Tおよび62Tとのインピーダンス整合をとる。整合回路31は、少なくとも第1インダクタを含む。
 整合回路32は、電力増幅器12と送信フィルタ63Tおよび64Tとの間に接続され、電力増幅器12と送信フィルタ63Tおよび64Tとのインピーダンス整合をとる。整合回路32は、少なくとも第2インダクタを含む。
 整合回路33は、電力増幅器13と送信フィルタ65Tおよび66Tとの間に接続され、電力増幅器13と送信フィルタ65Tおよび66Tとのインピーダンス整合をとる。整合回路33は、少なくとも第3インダクタを含む。
 整合回路41は、低雑音増幅器21と受信フィルタ61Rおよび62Rとの間に接続され、低雑音増幅器21と受信フィルタ61Rおよび62Rとのインピーダンス整合をとる。
 整合回路42は、低雑音増幅器22と受信フィルタ63Rおよび64Rとの間に接続され、低雑音増幅器22と受信フィルタ63Rおよび64Rとのインピーダンス整合をとる。整合回路42は、少なくとも第4インダクタを含む。
 整合回路43は、低雑音増幅器23と受信フィルタ65Rおよび66Rとの間に接続され、低雑音増幅器23と受信フィルタ65Rおよび66Rとのインピーダンス整合をとる。整合回路43は、少なくとも第5インダクタを含む。
 スイッチ51は、整合回路31と送信フィルタ61Tおよび62Tとの間に接続され、電力増幅器11と送信フィルタ61Tとの接続、および、電力増幅器11と送信フィルタ62Tとの接続、を切り替える。スイッチ51は、例えば、共通端子が整合回路31に接続され、一方の選択端子が送信フィルタ61Tに接続され、他方の選択端子が送信フィルタ62Tに接続された、SPDT(Single Pole Double Throw)型のスイッチ回路で構成される。
 スイッチ52は、整合回路32と送信フィルタ63Tおよび64Tとの間に接続され、電力増幅器12と送信フィルタ63Tとの接続、および、電力増幅器12と送信フィルタ64Tとの接続、を切り替える。スイッチ52は、例えば、共通端子が整合回路32に接続され、一方の選択端子が送信フィルタ63Tに接続され、他方の選択端子が送信フィルタ64Tに接続されたSPDT型のスイッチ回路で構成される。
 スイッチ53は、整合回路33と送信フィルタ65Tおよび66Tとの間に接続され、電力増幅器13と送信フィルタ65Tとの接続、および、電力増幅器13と送信フィルタ66Tとの接続、を切り替える。スイッチ53は、例えば、共通端子が整合回路33に接続され、一方の選択端子が送信フィルタ65Tに接続され、他方の選択端子が送信フィルタ66Tに接続されたSPDT型のスイッチ回路で構成される。
 スイッチ54は、整合回路41と受信フィルタ61Rおよび62Rとの間に接続され、低雑音増幅器21と受信フィルタ61Rとの接続、および、低雑音増幅器21と受信フィルタ62Rとの接続、を切り替える。スイッチ54は、例えば、共通端子が整合回路41に接続され、一方の選択端子が受信フィルタ61Rに接続され、他方の選択端子が受信フィルタ62Rに接続されたSPDT型のスイッチ回路で構成される。
 スイッチ55は、整合回路42と受信フィルタ63Rおよび64Rとの間に接続され、低雑音増幅器22と受信フィルタ63Rとの接続、および、低雑音増幅器22と受信フィルタ64Rとの接続、を切り替える。スイッチ55は、例えば、共通端子が整合回路42に接続され、一方の選択端子が受信フィルタ63Rに接続され、他方の選択端子が受信フィルタ64Rに接続されたSPDT型のスイッチ回路で構成される。
 スイッチ56は、整合回路43と受信フィルタ65Rおよび66Rとの間に接続され、低雑音増幅器23と受信フィルタ65Rとの接続、および、低雑音増幅器23と受信フィルタ66Rとの接続、を切り替える。スイッチ56は、例えば、共通端子が整合回路43に接続され、一方の選択端子が受信フィルタ65Rに接続され、他方の選択端子が受信フィルタ66Rに接続されたSPDT型のスイッチ回路で構成される。
 スイッチ57は、アンテナ接続端子101とデュプレクサ61および62との間に接続され、アンテナ2aとデュプレクサ61との接続、および、アンテナ2aとデュプレクサ62との接続、を切り替える。スイッチ57は、例えば、共通端子がアンテナ接続端子101に接続され、一方の選択端子がデュプレクサ61に接続され、他方の選択端子がデュプレクサ62に接続されたSPDT型のスイッチ回路で構成される。
 スイッチ58は、アンテナ接続端子102および103とデュプレクサ63~66との間に接続され、アンテナ2bとデュプレクサ63~66との接続、および、アンテナ2cとデュプレクサ63~66との接続、を切り替える。スイッチ58は、例えば、一方の共通端子がアンテナ接続端子102に接続され、他方の共通端子がアンテナ接続端子103に接続され、第1の選択端子がデュプレクサ63に接続され、第2の選択端子がデュプレクサ64に接続され、第3の選択端子がデュプレクサ65に接続され、第4の選択端子がデュプレクサ66に接続された、DP4T(Double Pole 4 Throw)型のスイッチ回路で構成される。
 また、電力増幅器11~13、および、低雑音増幅器21~23は、例えば、Si系のCMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)またはGaAsを材料とした、電界効果型トランジスタ(FET)またはヘテロバイポーラトランジスタ(HBT)などで構成されている。
 また、低雑音増幅器21、スイッチ54および57は、1つの半導体IC(Integrated Circuit)に形成されていてもよい。また、低雑音増幅器22、23、スイッチ55、56および58は、1つの半導体ICに形成されていてもよい。上記の半導体ICは、例えば、CMOSで構成されている。具体的には、SOI(Silicon On Insulator)プロセスにより構成されている。これにより、半導体ICを安価に製造することが可能となる。なお、半導体ICは、GaAs、SiGeおよびGaNの少なくともいずれかで構成されていてもよい。これにより、高品質な増幅性能および雑音性能を有する高周波信号を出力することが可能となる。
 高周波モジュール1の上記回路構成において、電力増幅器11、整合回路31、スイッチ51、送信フィルタ61Tおよび62T、ならびにスイッチ57は、アンテナ接続端子101に向けてローバンド群(通信バンドAおよび通信バンドB)の送信信号を出力する第1送信回路を構成する。また、電力増幅器12、整合回路32、スイッチ52、送信フィルタ63Tおよび64T、ならびにスイッチ58は、アンテナ接続端子102または103に向けてミドルバンド群(通信バンドCおよび通信バンドD)の送信信号を出力する第2送信回路を構成する。また、電力増幅器13、整合回路33、スイッチ53、送信フィルタ65Tおよび66T、ならびにスイッチ58は、アンテナ接続端子102または103に向けてハイバンド群(通信バンドEおよび通信バンドF)の送信信号を出力する第3送信回路を構成する。
 また、低雑音増幅器21、整合回路41、スイッチ54、受信フィルタ61Rおよび62R、ならびにスイッチ57は、アンテナ2aからアンテナ接続端子101を介してローバンド群(通信バンドAおよび通信バンドB)の受信信号を入力する第1受信回路を構成する。また、低雑音増幅器22、整合回路42、スイッチ55、受信フィルタ63Rおよび64R、ならびにスイッチ58は、アンテナ2bまたは2cからアンテナ接続端子102または103を介してミドルバンド群(通信バンドCおよび通信バンドD)の受信信号を入力する第2受信回路を構成する。また、低雑音増幅器23、整合回路43、スイッチ56、受信フィルタ65Rおよび66R、ならびにスイッチ58は、アンテナ2bまたは2cからアンテナ接続端子102または103を介してハイバンド群(通信バンドEおよび通信バンドF)の受信信号を入力する第3受信回路を構成する。
 第1送信回路と第1受信回路とは、ローバンド群の高周波信号を伝送する第1伝送回路を構成する。また、第2送信回路と第2受信回路とは、ミドルバンド群の高周波信号を伝送する第2伝送回路を構成する。また、第3送信回路と第3受信回路とは、ハイバンド群の高周波信号を伝送する第3伝送回路を構成する。
 上記回路構成によれば、本実施の形態に係る高周波モジュール1は、ローバンド群の高周波信号、ミドルバンド群の高周波信号、およびハイバンド群の高周波信号のうちの少なくとも2つについて、同時送信、同時受信、および同時送受信の少なくともいずれかを実行することが可能である。
 なお、本発明に係る高周波モジュールでは、送信回路および受信回路がスイッチ57および58を介してアンテナ接続端子101~103に接続されていなくてもよく、上記送信回路および上記受信回路が、異なる端子を介してアンテナ2a~2cに接続されていてもよい。また、本発明に係る高周波モジュールの回路構成としては、電力増幅器11~13および送信フィルタ61T、63Tおよび65Tを、少なくとも有していればよい。
 また、アンテナ2a~2cは、1つのアンテナであってもよい。この場合、上記1つのアンテナとデュプレクサ61~66とがスイッチを介して接続されていてもよい。さらに、上記1つのアンテナと上記スイッチとの間に、ローバンド群の信号、ミドルバンド群の信号、ハイバンド群の信号を分波および合波するトリプレクサが配置されていてもよい。
 ここで、上記高周波モジュール1を構成する各回路素子を1つのモジュールで構成する場合、例えば、ローバンド群の電力増幅器11で増幅された高出力の送信信号の高調波がミドルバンド群またはハイバンド群の送信信号に重畳され、送信信号の品質が低下する場合がある。
 また、例えば、ローバンド群の送信信号の高調波が、ミドルバンド群の第2受信回路またはハイバンド群の第3受信回路に流入して、第2受信回路または第3受信回路の受信感度が劣化する場合がある。例えば、電力増幅器11で増幅された送信信号の高調波の周波数がミドルバンド群またはハイバンド群の周波数範囲の少なくとも一部と重複する場合が挙げられる。また、例えば、電力増幅器11で増幅された送信信号と他の高周波信号との相互変調歪の周波数が、ミドルバンド群またはハイバンド群の周波数範囲の少なくとも一部と重複する場合が挙げられる。つまり、ローバンド群の信号のm(mは2以上の整数)次高調波の周波数がミドルバンド群の周波数範囲に含まれ、ローバンド群の信号のn(nは2以上の整数)次高調波の周波数がハイバンド群の周波数範囲に含まれる場合である。
 これに対して、本実施の形態に係る高周波モジュール1では、ローバンド群の第1送信回路とミドルバンド群の第2伝送回路およびハイバンド群の第3伝送回路とが電磁界結合することを抑制する構成を有している。以下では、本実施の形態に係る高周波モジュール1の上記電磁界結合を抑制する構成について説明する。
 [2 実施例1に係る高周波モジュール1Aの回路部品配置構成]
 図2は、実施例1に係る高周波モジュール1Aの平面図および断面図である。図2の右側には、モジュール基板91の主面91aをz軸正方向側から見た場合の回路部品の配置図が示されている。また、図2の左側には、図2の右図のII-II線における断面図が示されている。高周波モジュール1Aは、実施の形態に係る高周波モジュール1を構成する各回路部品の配置構成を具体的に示したものである。
 図2に示すように、本実施例に係る高周波モジュール1Aは、図1に示された回路構成に加えて、さらに、モジュール基板91と、金属シールド板80と、金属シールド層95と、樹脂部材92と、外部接続端子150と、を有している。
 モジュール基板91は、主面91a(第1主面)を有し、主面91a上に第1~第3伝送回路を実装する基板である。モジュール基板91としては、例えば、複数の誘電体層の積層構造を有する低温同時焼成セラミックス(Low Temperature Co-fired Ceramics:LTCC)基板、高温同時焼成セラミックス(High Temperature Co-fired Ceramics:HTCC)基板、部品内蔵基板、再配線層(Redistribution Layer:RDL)を有する基板、または、プリント基板等が用いられる。
 樹脂部材92は、モジュール基板91の主面91aに配置され、第1~第3伝送回路を構成する回路部品の少なくとも一部、ならびにモジュール基板91の主面91aを覆っており、上記回路部品の機械強度および耐湿性などの信頼性を確保する機能を有している。
 外部接続端子150は、モジュール基板91の主面91bに配置されている。高周波モジュール1Aは、高周波モジュール1Aのz軸負方向側に配置される外部基板と、複数の外部接続端子150を経由して、電気信号のやりとりを行う。また、複数の外部接続端子150のうちのグランド端子150gは、外部基板のグランド電位に設定される。なお、外部接続端子150は、図2に示すように、主面91bに形成された平面電極であってもよいし、また、主面91b上に形成されたバンプ電極であってもよい。
 図2に示すように、本実施例に係る高周波モジュール1Aでは、電力増幅器11~13、低雑音増幅器21~23、デュプレクサ61~66、整合回路31~33、41~43、およびスイッチ51~58は、モジュール基板91の主面91aに配置されている。なお、低雑音増幅器21~23、デュプレクサ61~66およびスイッチ51~58は、モジュール基板91の主面91aおよび91bのいずれに配置されていてもよい。
 なお、図2には図示していないが、図1に示された送信経路AT~FTおよび受信経路AR~FRを構成する配線は、モジュール基板91の内部、主面91aおよび91bに形成されている。また、上記配線は、両端が主面91a、91bおよび高周波モジュール1Aを構成する回路素子のいずれかに接合されたボンディングワイヤであってもよく、また、高周波モジュール1Aを構成する回路素子の表面に形成された端子、電極または配線であってもよい。
 金属シールド層95は、樹脂部材92の表面を覆い、グランド電位に設定されている。金属シールド層95は、例えば、スパッタ法により形成された金属薄膜である。
 金属シールド板80は、第1金属シールド板および第2金属シールド板の一例であり、主面91aから樹脂部材92のz軸正方向側の天面に向けて立設された金属壁体である。金属シールド板80は、主面91aのグランド電極および金属シールド層95に接している。つまり、金属シールド板80は、その上方および下方の2か所でグランドに接続されているので、電磁界遮蔽機能が強化されている。なお、金属シールド板80は、金属シールド層95を構成するシールド面のうち樹脂部材92の天面に接するシールド面または樹脂部材92の側面に接するシールド面と接している。
 金属シールド板80は、主面91a上であって、モジュール基板91を平面視した場合に、電力増幅器11と電力増幅器12との間に配置され、かつ、電力増幅器11と電力増幅器13との間に配置されている。
 上記構成によれば、電力増幅器11と電力増幅器12とが、グランド電位に設定された金属シールド板80を挟んで配置されているので、電力増幅器11から出力された送信信号の高調波が電力増幅器12から出力された送信信号に重畳されて当該送信信号の品質が低下することを抑制できる。また、電力増幅器11と電力増幅器13とが、グランド電位に設定された金属シールド板80を挟んで配置されているので、電力増幅器11から出力された送信信号の高調波が電力増幅器13から出力された送信信号に重畳されて当該送信信号の品質が低下することを抑制できる。
 なお、電力増幅器11と電力増幅器12との間に配置される第1金属シールド板と、電力増幅器11と電力増幅器13との間に配置される第2金属シールド板とは、本実施例のように同一の金属シールド板80であってもよいし、また、別体であってもよい。
 また、本実施例に係る高周波モジュール1Aでは、金属シールド板80は、モジュール基板91を平面視した場合に、整合回路31の第1インダクタと整合回路32の第2インダクタとの間に配置され、かつ、整合回路31の第1インダクタと整合回路33の第3インダクタとの間に配置されている。
 これによれば、第1インダクタと第2インダクタとの電磁界結合、および、第1インダクタと第3インダクタとの電磁界結合を抑制できる。よって、電力増幅器11から出力された送信信号の高調波が電力増幅器12から出力された送信信号に重畳されることをより一層抑制でき、また、電力増幅器11から出力された送信信号の高調波が電力増幅器13から出力された送信信号に重畳されることをより一層抑制できる。
 また、本実施例に係る高周波モジュール1Aでは、金属シールド板80は、モジュール基板91を平面視した場合に、整合回路31の第1インダクタと整合回路42の第4インダクタとの間に配置され、かつ、整合回路31の第1インダクタと整合回路43の第5インダクタとの間に配置されている。
 これによれば、第1インダクタと第4インダクタとの電磁界結合、および、第1インダクタと第5インダクタとの電磁界結合を抑制できる。よって、電力増幅器11から出力された送信信号の高調波、および、当該送信信号と他の高周波信号との相互変調歪の不要波が第2受信回路および第3受信回路に流入して第2受信回路または第3受信回路の受信感度が劣化することを抑制できる。
 また、金属シールド板80は、主面91aを、領域P(第1領域および第3領域)と領域Q(第2領域および第4領域)とに区画している。つまり、電力増幅器11と電力増幅器12とを区画する第1金属シールド板は、主面91aを第1領域および第2領域に区画し、電力増幅器11と電力増幅器13とを区画する第2金属シールド板は、主面91aを第3領域および第4領域に区画している。ここで、図2に示すように、送信フィルタ61Tおよび62Tは、領域Pに配置され、送信フィルタ63T、64T、65Tおよび66Tは、領域Qに配置されている。
 これによれば、送信フィルタ61Tおよび62Tと送信フィルタ63T、64T、65Tおよび66Tとの電磁界結合を抑制できる。よって、ローバンド群の送信信号の高調波がミドルバンド群およびハイバンド群の送信信号に重畳されて当該送信信号の品質が低下することを抑制できる。
 また、図2に示すように、送信フィルタ61Tおよび62Tは、領域Pに配置され、受信フィルタ63R、64R、65Rおよび66Rは、領域Qに配置されている。
 これによれば、送信フィルタ61Tおよび62Tと受信フィルタ63R、64R、65Rおよび66Rとの電磁界結合を抑制できる。よって、ローバンド群の送信信号の高調波、および、当該送信信号と他の高周波信号との相互変調歪の不要波が、ミドルバンド群およびハイバンド群の受信回路に流入して当該受信回路の受信感度が劣化することを抑制できる。
 なお、本実施例に係る高周波モジュール1Aでは、低雑音増幅器21、スイッチ54および57は、1つの半導体IC71に形成されていてもよい。また、低雑音増幅器22および23、ならびにスイッチ55、56および58は、1つの半導体IC72に形成されていてもよい。これにより、高周波モジュール1Aを小型化できる。
 なお、金属シールド板80と主面91aとの間には、金属シールド板80の法線方向(y軸方向)に貫通する穴が形成されていてもよい。
 これによれば、金属シールド板80と主面91aとの間に穴が形成されているので、樹脂部材92を主面91a上に形成する工程において、金属シールド板80の近傍における液状樹脂の良好な流動性を確保できる。よって、金属シールド板80の近傍において樹脂部材92が形成されていない空隙などの発生を抑制できる。
 また、金属シールド板80と樹脂部材92の天面との間には、金属シールド板80の法線方向(y軸方向)に貫通する穴が形成されていてもよい。
 これによれば、金属シールド板80と上記天面との間に穴が形成されているので、樹脂部材92を主面91a上に形成する工程において、金属シールド板80の近傍における液状樹脂の良好な流動性を確保できる。よって、金属シールド板80の近傍において樹脂部材92が形成されていない空隙などの発生を抑制できる。
 また、金属シールド板80は、複数の金属板が離散的に配置された構成を有していてもよい。
 これによれば、複数の金属板の間に空隙が形成されているので、樹脂部材92を主面91a上に形成する工程において、金属シールド板80の近傍における液状樹脂の良好な流動性を確保できる。
 [3 実施例2に係る高周波モジュール1Bの回路部品配置構成]
 図3は、実施例2に係る高周波モジュール1Bの平面図および断面図である。図3の右側には、モジュール基板91の主面91aをz軸正方向側から見た場合の回路部品の配置図が示されている。また、図3の左側には、図3の右図のIII-III線における断面図が示されている。高周波モジュール1Bは、実施の形態に係る高周波モジュール1を構成する各回路部品の配置構成を具体的に示したものである。本実施例に係る高周波モジュール1Bは、実施例1に係る高周波モジュール1Aと比較して、金属シールド板81の配置構成が異なる。以下、本実施例に係る高周波モジュール1Bについて、実施例1に係る高周波モジュール1Aと同じ点は説明を省略し、異なる点を中心に説明する。
 図3に示すように、本実施例に係る高周波モジュール1Bは、図1に示された回路構成に加えて、さらに、モジュール基板91と、金属シールド板81と、金属シールド層95と、樹脂部材92と、外部接続端子150と、を有している。
 図3に示すように、本実施例に係る高周波モジュール1Bでは、電力増幅器11~13、低雑音増幅器21~23、デュプレクサ61~66、整合回路31~33、41~43、およびスイッチ51~58は、モジュール基板91の主面91aに配置されている。なお、低雑音増幅器21~23、デュプレクサ61~66およびスイッチ51~58は、モジュール基板91の主面91aおよび91bのいずれに配置されていてもよい。
 金属シールド板81は、第1金属シールド板および第2金属シールド板の一例であり、主面91aから樹脂部材92のz軸正方向側の天面に向けて立設された金属壁体である。金属シールド板81は、主面91aのグランド電極および金属シールド層95に接している。つまり、金属シールド板81は、その上方および下方の2か所でグランドに接続されているので、電磁界遮蔽機能が強化されている。なお、金属シールド板81は、金属シールド層95を構成するシールド面のうち樹脂部材92の天面に接するシールド面または樹脂部材92の側面に接するシールド面と接している。
 金属シールド板81は、主面91a上であって、モジュール基板91を平面視した場合に、電力増幅器11と電力増幅器12との間に配置され、かつ、電力増幅器11と電力増幅器13との間に配置されている。
 上記構成によれば、電力増幅器11から出力された送信信号の高調波が電力増幅器12から出力された送信信号に重畳されて当該送信信号の品質が低下することを抑制できる。また、電力増幅器11から出力された送信信号の高調波が電力増幅器13から出力された送信信号に重畳されて当該送信信号の品質が低下することを抑制できる。
 また、本実施例に係る高周波モジュール1Bでは、金属シールド板81は、モジュール基板91を平面視した場合に、整合回路31の第1インダクタと整合回路32の第2インダクタとの間に配置され、かつ、整合回路31の第1インダクタと整合回路33の第3インダクタとの間に配置されている。
 これによれば、第1インダクタと第2インダクタとの電磁界結合、および、第1インダクタと第3インダクタとの電磁界結合を抑制できる。
 また、本実施例に係る高周波モジュール1Bでは、金属シールド板81は、モジュール基板91を平面視した場合に、整合回路31の第1インダクタと整合回路42の第4インダクタとの間に配置され、かつ、整合回路31の第1インダクタと整合回路43の第5インダクタとの間に配置されている。
 これによれば、第1インダクタと第4インダクタとの電磁界結合、および、第1インダクタと第5インダクタとの電磁界結合を抑制できる。
 また、金属シールド板81は、主面91aを、領域P(第1領域および第3領域)と領域Q(第2領域および第4領域)とに区画している。つまり、電力増幅器11と電力増幅器12とを区画する第1金属シールド板は、主面91aを第1領域および第2領域に区画し、電力増幅器11と電力増幅器13とを区画する第2金属シールド板は、主面91aを第3領域および第3領域に区画している。
 ここで、図3に示すように、電力増幅器11および整合回路31は、領域Pに配置され、受信フィルタ63R、64R、65Rおよび66Rは、領域Qに配置されている。
 これによれば、電力増幅器11と受信フィルタ63R、64R、65Rおよび66Rとの電磁界結合を抑制できる。よって、ローバンド群の送信信号の高調波、および、当該送信信号と他の高周波信号との相互変調歪の不要波が、ミドルバンド群およびハイバンド群の受信回路に流入して当該受信回路の受信感度が劣化することを抑制できる。
 [4 実施例3に係る高周波モジュール1Cの回路部品配置構成]
 図4Aは、実施例3に係る高周波モジュール1Cの平面図である。また、図4Bは、実施例3に係る高周波モジュール1Cの断面図であり、具体的には、図4AのIVB-IVB線における断面図である。なお、図4Aの上段には、モジュール基板91の互いに対向する主面91aおよび91bのうち、主面91aをz軸正方向側から見た場合の回路素子の配置図が示されている。一方、図4Aの下段には、主面91bをz軸正方向側から見た場合の回路素子の配置を透視した図が示されている。
 実施例3に係る高周波モジュール1Cは、実施の形態に係る高周波モジュール1を構成する各回路素子の配置構成を具体的に示したものである。本実施例に係る高周波モジュール1Cは、実施例1に係る高周波モジュール1Aと比較して、高周波モジュール1Cを構成する回路部品がモジュール基板91の両面に配置されている点が異なる。以下、本実施例に係る高周波モジュール1Cについて、実施例1に係る高周波モジュール1Aと同じ点は説明を省略し、異なる点を中心に説明する。
 図4Aおよび図4Bに示すように、本実施例に係る高周波モジュール1Cは、図1に示された回路構成に加えて、さらに、モジュール基板91と、金属シールド板82と、金属シールド層95と、樹脂部材92および93と、外部接続端子150と、を有している。
 モジュール基板91は、主面91a(第1主面)および主面91b(第2主面)を有し、主面91a上および91bに第1~第3伝送回路を実装する基板である。
 樹脂部材92は、モジュール基板91の主面91aに配置され、第1~第3伝送回路を構成する回路部品の少なくとも一部、ならびに主面91aを覆っており、上記回路部品の機械強度および耐湿性などの信頼性を確保する機能を有している。樹脂部材93は、主面91bに配置され、第1~第3伝送回路を構成する回路部品の少なくとも一部、ならびに主面91bを覆っており、上記回路部品の機械強度および耐湿性などの信頼性を確保する機能を有している。
 外部接続端子150は、モジュール基板91の主面91bに配置されている。高周波モジュール1Cは、高周波モジュール1Cのz軸負方向側に配置される外部基板と、複数の外部接続端子150を経由して、電気信号のやりとりを行う。また、複数の外部接続端子150のうちのグランド端子150gは、外部基板のグランド電位に設定される。なお、外部接続端子150は、図4Bに示すように、主面91bに形成された平面電極であってもよいし、また、主面91b上に形成されたバンプ電極であってもよい。なお、外部接続端子150がバンプ電極で形成されている場合には、樹脂部材93はなくてもよい。
 なお、図4Aおよび図4Bには図示していないが、図1に示された送信経路AT、BTおよびCT、ならびに、受信経路AR、BRおよびCRを構成する配線は、モジュール基板91の内部、主面91aおよび91bに形成されている。また、上記配線は、両端が主面91a、91bおよび高周波モジュール1Cを構成する回路素子のいずれかに接合されたボンディングワイヤであってもよく、また、高周波モジュール1Cを構成する回路素子の表面に形成された端子、電極または配線であってもよい。
 また、図4Aに示すように、複数の外部接続端子150には、アンテナ接続端子101、102および103、送信入力端子111、112および113、ならびに、受信出力端子121、122および123が含まれる。また、複数の外部接続端子150のいくつかは、外部基板のグランド電位に設定される。
 図4Aに示すように、本実施例に係る高周波モジュール1Cでは、電力増幅器11~13、デュプレクサ61~66、整合回路31~33および整合回路41~43は、モジュール基板91の主面91aに配置されている。また、低雑音増幅器21~23およびスイッチ51~58は、モジュール基板91の主面91bに配置されている。
 これによれば、電力増幅器11~13と低雑音増幅器21~23とが、モジュール基板91の両面に振り分けられて配置されているので、送受信間のアイソレーションを向上できる。
 なお、モジュール基板91は、複数の誘電体層が積層された多層構造を有し、当該複数の誘電体層の少なくとも1つには、グランド電極パターンが形成されていることが望ましい。これにより、モジュール基板91の電磁界遮蔽機能が向上する。
 金属シールド板82は、第1金属シールド板および第2金属シールド板の一例であり、主面91aから樹脂部材92のz軸正方向側の天面に向けて立設された金属壁体である。金属シールド板82は、主面91aのグランド電極および金属シールド層95に接している。つまり、金属シールド板82は、その上方および下方の2か所でグランドに接続されているので、電磁界遮蔽機能が強化されている。なお、金属シールド板82は、金属シールド層95を構成するシールド面のうち樹脂部材92の天面に接するシールド面または樹脂部材92の側面に接するシールド面と接している。
 金属シールド板82は、主面91a上であって、モジュール基板91を平面視した場合に、電力増幅器11と電力増幅器12との間に配置され、かつ、電力増幅器11と電力増幅器13との間に配置されている。
 上記構成によれば、電力増幅器11から出力された送信信号の高調波が電力増幅器12から出力された送信信号に重畳されて当該送信信号の品質が低下することを抑制できる。また、電力増幅器11から出力された送信信号の高調波が電力増幅器13から出力された送信信号に重畳されて当該送信信号の品質が低下することを抑制できる。
 なお、電力増幅器11と電力増幅器12との間に配置される第1金属シールド板と、電力増幅器11と電力増幅器13との間に配置される第2金属シールド板とは、本実施例のように同一の金属シールド板82であってもよいし、また、別体であってもよい。
 また、本実施例に係る高周波モジュール1Cでは、金属シールド板82は、モジュール基板91を平面視した場合に、整合回路31の第1インダクタと整合回路32の第2インダクタとの間に配置され、かつ、整合回路31の第1インダクタと整合回路33の第3インダクタとの間に配置されている。
 これによれば、第1インダクタと第2インダクタとの電磁界結合、および、第1インダクタと第3インダクタとの電磁界結合を抑制できる。よって、電力増幅器11から出力された送信信号の高調波が電力増幅器12から出力された送信信号に重畳されることをより一層抑制でき、また、電力増幅器11から出力された送信信号の高調波が電力増幅器13から出力された送信信号に重畳されることをより一層抑制できる。
 また、本実施例に係る高周波モジュール1Cでは、金属シールド板82は、モジュール基板91を平面視した場合に、整合回路31の第1インダクタと整合回路42の第4インダクタとの間に配置され、かつ、整合回路31の第1インダクタと整合回路43の第5インダクタとの間に配置されている。
 これによれば、第1インダクタと第4インダクタとの電磁界結合、および、第1インダクタと第5インダクタとの電磁界結合を抑制できる。よって、電力増幅器11から出力された送信信号の高調波、および、当該送信信号と他の高周波信号との相互変調歪の不要波が第2受信回路および第3受信回路に流入して第2受信回路または第3受信回路の受信感度が劣化することを抑制できる。
 また、金属シールド板82は、主面91aを、領域P(第1領域および第3領域)と領域Q(第2領域および第4領域)とに区画している。つまり、電力増幅器11と電力増幅器12とを区画する第1金属シールド板は、主面91aを第1領域および第2領域に区画し、電力増幅器11と電力増幅器13とを区画する第2金属シールド板は、主面91aを第3領域および第4領域に区画している。ここで、図4Aに示すように、送信フィルタ61Tおよび62Tは、領域Pに配置され、送信フィルタ63T、64T、65Tおよび66Tは、領域Qに配置されている。
 これによれば、送信フィルタ61Tおよび62Tと送信フィルタ63T、64T、65Tおよび66Tとの電磁界結合を抑制できる。よって、ローバンド群の送信信号の高調波がミドルバンド群およびハイバンド群の送信信号に重畳されて当該送信信号の品質が低下することを抑制できる。
 また、図4Aに示すように、送信フィルタ61Tおよび62Tは、領域Pに配置され、受信フィルタ63R、64R、65Rおよび66Rは、領域Qに配置されている。
 これによれば、送信フィルタ61Tおよび62Tと受信フィルタ63R、64R、65Rおよび66Rとの電磁界結合を抑制できる。よって、ローバンド群の送信信号の高調波、および、当該送信信号と他の高周波信号との相互変調歪の不要波が、ミドルバンド群およびハイバンド群の受信回路に流入して当該受信回路の受信感度が劣化することを抑制できる。
 また、本実施例に係る高周波モジュール1Cでは、低雑音増幅器21~23およびスイッチ54~56は、1つの半導体IC75に形成されていてもよい。また、スイッチ57および58は、1つの半導体IC74に形成されていてもよい。また、スイッチ51~53は、1つの半導体IC73に形成されていてもよい。これにより、高周波モジュール1Cを小型化できる。
 また、本実施例に係る高周波モジュール1Cでは、電力増幅器11~13は、主面91aに配置されている。電力増幅器11~13は、高周波モジュール1Cが有する回路部品のなかで発熱量が大きい部品である。高周波モジュール1Cの放熱性を向上させるには、電力増幅器11~13の発熱を、小さな熱抵抗を有する放熱経路で外部基板に放熱することが重要である。仮に、電力増幅器11~13を主面91bに実装した場合、電力増幅器11~13に接続される電極配線は主面91b上に配置される。このため、放熱経路としては、主面91b上の(xy平面方向に沿う)平面配線パターンのみを経由した放熱経路を含むこととなる。上記平面配線パターンは、金属薄膜で形成されるため熱抵抗が大きい。このため、電力増幅器11~13を主面91b上に配置した場合には、放熱性が低下してしまう。
 これに対して、本実施例のように、電力増幅器11~13を主面91aに実装した場合、主面91aと主面91bとの間を貫通する貫通電極を介して、電力増幅器11~13と外部接続端子150とを接続できる。よって、電力増幅器11~13の放熱経路として、モジュール基板91内の配線のうち熱抵抗の大きいxy平面方向に沿う平面配線パターンのみを経由した放熱経路を排除できる。よって、電力増幅器11~13からの外部基板への放熱性が向上した小型の高周波モジュール1Cを提供することが可能となる。
 また、実施例に係る高周波モジュール1Cにおいて、図4Aおよび図4Bに示すように、モジュール基板91を平面視した場合に、電力増幅器11~13が形成された主面91aの領域と対向する主面91bの領域には、回路部品が形成されていないことが望ましい。
 これにより、上記回路部品が電力増幅器11~13の発熱により温度上昇して誤動作または破壊されることを回避できる。
 [5 効果など]
 以上、実施例1に係る高周波モジュール1Aは、主面91aを有するモジュール基板91と、主面91aに配置された電力増幅器11と、主面91aに配置された電力増幅器12と、主面91aに配置された電力増幅器13と、電力増幅器11の出力端子に接続され、通信バンドAの送信信号を通過させる送信フィルタ61Tと、電力増幅器12の出力端子に接続され、通信バンドCの送信信号を通過させる送信フィルタ63Tと、電力増幅器13の出力端子に接続され、通信バンドEの送信信号を通過させる送信フィルタ65Tと、主面91aの少なくとも一部を覆う樹脂部材92と、樹脂部材92の表面を覆い、グランド電位に設定された金属シールド層95と、主面91a上であってモジュール基板91を平面視した場合に電力増幅器11と電力増幅器12との間に配置され、かつ、電力増幅器11と電力増幅器13との間に配置された金属シールド板80と、を備え、金属シールド板80は、主面91aの第1グランド電極および金属シールド層95に接している。
 これによれば、電力増幅器11と電力増幅器12とが、グランド電位に設定された金属シールド板80を挟んで配置されているので、電力増幅器11から出力された送信信号の高調波が電力増幅器12から出力された送信信号に重畳されて当該送信信号の品質が低下することを抑制できる。また、電力増幅器11と電力増幅器13とが、グランド電位に設定された金属シールド板80を挟んで配置されているので、電力増幅器11から出力された送信信号の高調波が電力増幅器13から出力された送信信号に重畳されて当該送信信号の品質が低下することを抑制できる。
 また、高周波モジュール1Aは、さらに、主面91aに配置され、電力増幅器11と送信フィルタ61Tとの間に接続された整合回路31の第1インダクタと、主面91aに配置され、電力増幅器12と送信フィルタ63Tとの間に接続された整合回路32の第2インダクタと、主面91aに配置され、電力増幅器13と送信フィルタ65Tとの間に接続された整合回路33の第3インダクタと、を備え、金属シールド板80は、上記平面視において第1インダクタと第2インダクタとの間に配置され、かつ、第1インダクタと第3インダクタとの間に配置されていてもよい。
 これによれば、第1インダクタと第2インダクタとの電磁界結合、および、第1インダクタと第3インダクタとの電磁界結合を抑制できる。よって、電力増幅器11から出力された送信信号の高調波が電力増幅器12から出力された送信信号に重畳されることをより一層抑制でき、また、電力増幅器11から出力された送信信号の高調波が電力増幅器13から出力された送信信号に重畳されることをより一層抑制できる。
 また、高周波モジュール1Aは、さらに、低雑音増幅器22および23と、通信バンドCの受信信号を通過させる受信フィルタ63Rと、通信バンドEの受信信号を通過させる受信フィルタ65Rと、主面91aに配置され、低雑音増幅器22と受信フィルタ63Rとの間に接続された整合回路42の第4インダクタと、主面91aに配置され、低雑音増幅器23と受信フィルタ65Rとの間に接続された整合回路43の第5インダクタと、を備え、金属シールド板80は、上記平面視において第1インダクタと第4インダクタとの間に配置され、かつ、第1インダクタと第5インダクタとの間に配置されていてもよい。
 これによれば、第1インダクタと第4インダクタとの電磁界結合、および、第1インダクタと第5インダクタとの電磁界結合を抑制できる。よって、電力増幅器11から出力された送信信号の高調波、および、当該送信信号と他の高周波信号との相互変調歪の不要波が第2受信回路および第3受信回路に流入して第2受信回路または第3受信回路の受信感度が劣化することを抑制できる。
 また、高周波モジュール1Aにおいて、金属シールド板80は、上記平面視において主面91aを領域Pおよび領域Qに区画し、送信フィルタ61Tは領域Pに配置され、送信フィルタ63Tおよび65Tは領域Qに配置されていてもよい。
 これによれば、送信フィルタ61Tと送信フィルタ63Tおよび65Tとの電磁界結合を抑制できる。よって、ローバンド群の送信信号の高調波がミドルバンド群およびハイバンド群の送信信号に重畳されて当該送信信号の品質が低下することを抑制できる。
 また、実施例1に係る高周波モジュール1Aは、主面91aを有するモジュール基板91と、主面91aに配置された電力増幅器11と、主面91aに配置された電力増幅器12と、主面91aに配置された電力増幅器13と、通信バンドAの送信信号を通過させる送信フィルタ61Tと、通信バンドCの受信信号を通過させる受信フィルタ63Rと、通信バンドEの受信信号を通過させる受信フィルタ65Rと、主面91aに配置され、電力増幅器11と送信フィルタ61Tとの間に接続された整合回路31の第1インダクタと、主面91aに配置され、低雑音増幅器22と受信フィルタ63Rとの間に接続された整合回路42の第4インダクタと、主面91aに配置され、低雑音増幅器23と受信フィルタ65Rとの間に接続された第5インダクタと、主面91aの少なくとも一部を覆う樹脂部材92と、樹脂部材92の表面を覆い、グランド電位に設定された金属シールド層95と、主面91a上であって、モジュール基板91を平面視した場合に第1インダクタと第4インダクタとの間に配置され、かつ、第1インダクタと第5インダクタとの間に配置された金属シールド板80と、を備え、金属シールド板80は、主面91aの第1グランド電極および金属シールド層95に接している。
 これによれば、第1インダクタと第4インダクタとの電磁界結合、および、第1インダクタと第5インダクタとの電磁界結合を抑制できる。よって、電力増幅器11から出力された送信信号の高調波、および、当該送信信号と他の高周波信号との相互変調歪の不要波が第2受信回路および第3受信回路に流入して第2受信回路または第3受信回路の受信感度が劣化することを抑制できる。
 また、高周波モジュール1Aにおいて、金属シールド板80は、上記平面視において主面91aを領域Pおよび領域Qに区画し、送信フィルタ61Tは領域Pに配置され、受信フィルタ63Rおよび65Rは領域Qに配置されていてもよい。
 これによれば、送信フィルタ61Tと受信フィルタ63Rおよび65Rとの電磁界結合を抑制できる。よって、ローバンド群の送信信号の高調波、および、当該送信信号と他の高周波信号との相互変調歪の不要波が、ミドルバンド群およびハイバンド群の受信回路に流入して当該受信回路の受信感度が劣化することを抑制できる。
 また、実施例3に係る高周波モジュール1Cにおいて、モジュール基板91は、主面91aと対向する主面91bをさらに有し、高周波モジュール1Cは、さらに、主面91bに配置された複数の外部接続端子150を備え、低雑音増幅器22および23は主面91bに配置されていてもよい。
 これによれば、電力増幅器11と低雑音増幅器22および23とが、モジュール基板91の両面に振り分けられて配置されているので、送受信間のアイソレーションを向上できる。よって、電力増幅器11から出力された送信信号の高調波、および、当該送信信号と他の高周波信号との相互変調歪の不要波が第2受信回路および第3受信回路に流入して第2受信回路または第3受信回路の受信感度が劣化することを抑制できる。
 また、通信バンドAの信号のm(mは2以上の整数)次高調波の周波数は通信バンドCに含まれ、通信バンドAの信号のn(nは2以上の整数)次高調波の周波数は通信バンドEに含まれてもよい。
 また、高周波モジュール1Aにおいて、金属シールド板80は、電力増幅器11と電力増幅器12との間に配置される第1金属シールド板と、電力増幅器11と電力増幅器13との間に配置される第2金属シールド板とで構成されてもよい。
 また、通信装置5は、アンテナ2a~2cで送受信される高周波信号を処理するRFIC3と、アンテナ2a~2cとRFIC3との間で高周波信号を伝送する高周波モジュール1と、を備える。
 これによれば、送信信号または受信信号の品質劣化が抑制された通信装置5を提供できる。
 (その他の実施の形態など)
 以上、本発明に係る高周波モジュールおよび通信装置について、実施の形態およびその実施例を挙げて説明したが、本発明に係る高周波モジュールおよび通信装置は、上記実施の形態およびその実施例に限定されるものではない。上記実施の形態およびその実施例における任意の構成要素を組み合わせて実現される別の実施の形態や、上記実施の形態およびその実施例に対して本発明の主旨を逸脱しない範囲で当業者が思いつく各種変形を施して得られる変形例や、上記高周波モジュールおよび通信装置を内蔵した各種機器も本発明に含まれる。
 例えば、上記実施の形態およびその実施例に係る高周波モジュールおよび通信装置において、図面に開示された各回路素子および信号経路を接続する経路の間に、別の回路素子および配線などが挿入されていてもよい。
 本発明は、マルチバンド対応のフロントエンド部に配置される高周波モジュールとして、携帯電話などの通信機器に広く利用できる。
 1、1A、1B、1C  高周波モジュール
 2a、2b、2c  アンテナ
 3  RF信号処理回路(RFIC)
 4  ベースバンド信号処理回路(BBIC)
 5  通信装置
 11、12、13  電力増幅器
 21、22、23  低雑音増幅器
 31、32、33、41、42、43  整合回路
 51、52、53、54、55、56、57、58  スイッチ
 61、62、63、64、65、66  デュプレクサ
 61R、62R、63R、64R、65R、66R  受信フィルタ
 61T、62T、63T、64T、65T、66T  送信フィルタ
 71、72、73、74、75  半導体IC
 80、81、82  金属シールド板
 91  モジュール基板
 91a、91b  主面
 92、93  樹脂部材
 95  金属シールド層
 101、102、103  アンテナ接続端子
 111、112、113  送信入力端子
 121、122、123  受信出力端子
 150  外部接続端子
 150g  グランド端子
 AR、BR、CR、DR、ER、FR  受信経路
 AT、BT、CT、DT、ET、FT  送信経路
 P、Q  領域

Claims (11)

  1.  第1主面を有するモジュール基板と、
     前記第1主面に配置された第1電力増幅器と、
     前記第1主面に配置された第2電力増幅器と、
     前記第1主面に配置された第3電力増幅器と、
     前記第1電力増幅器の出力端子に接続され、第1通信バンドの送信信号を通過させる第1フィルタと、
     前記第2電力増幅器の出力端子に接続され、前記第1通信バンドと異なる第2通信バンドの送信信号を通過させる第2フィルタと、
     前記第3電力増幅器の出力端子に接続され、前記第1通信バンドおよび前記第2通信バンドと異なる第3通信バンドの送信信号を通過させる第3フィルタと、
     前記第1主面の少なくとも一部を覆う樹脂部材と、
     前記樹脂部材の表面を覆い、グランド電位に設定された金属シールド層と、
     前記第1主面上であって、前記モジュール基板を平面視した場合に前記第1電力増幅器と前記第2電力増幅器との間に配置された第1金属シールド板と、
     前記第1主面上であって、前記モジュール基板を平面視した場合に前記第1電力増幅器と前記第3電力増幅器との間に配置された第2金属シールド板と、を備え、
     前記第1金属シールド板は、前記第1主面の第1グランド電極および前記金属シールド層に接しており、
     前記第2金属シールド板は、前記第1主面の第2グランド電極および前記金属シールド層に接している、
     高周波モジュール。
  2.  さらに、
     前記第1主面に配置され、前記第1電力増幅器と前記第1フィルタとの間に接続された第1インダクタと、
     前記第1主面に配置され、前記第2電力増幅器と前記第2フィルタとの間に接続された第2インダクタと、
     前記第1主面に配置され、前記第3電力増幅器と前記第3フィルタとの間に接続された第3インダクタと、を備え、
     前記第1金属シールド板は、前記平面視において前記第1インダクタと前記第2インダクタとの間に配置され、
     前記第2金属シールド板は、前記平面視において前記第1インダクタと前記第3インダクタとの間に配置されている、
     請求項1に記載の高周波モジュール。
  3.  さらに、
     第2低雑音増幅器と、
     第3低雑音増幅器と、
     前記第2通信バンドの受信信号を通過させる第4フィルタと、
     前記第3通信バンドの受信信号を通過させる第5フィルタと、
     前記第1主面に配置され、前記第2低雑音増幅器と前記第4フィルタとの間に接続された第4インダクタと、
     前記第1主面に配置され、前記第3低雑音増幅器と前記第5フィルタとの間に接続された第5インダクタと、を備え、
     前記第1金属シールド板は、前記平面視において前記第1インダクタと前記第4インダクタとの間に配置され、
     前記第2金属シールド板は、前記平面視において前記第1インダクタと前記第5インダクタとの間に配置されている、
     請求項2に記載の高周波モジュール。
  4.  前記モジュール基板は、前記第1主面と対向する第2主面をさらに有し、
     前記高周波モジュールは、さらに、
     前記第2主面に配置された複数の外部接続端子を備え、
     前記第2低雑音増幅器および前記第3低雑音増幅器は、前記第2主面に配置されている、
     請求項3に記載の高周波モジュール。
  5.  前記第1金属シールド板は、前記平面視において前記第1主面を第1領域および第2領域に区画し、
     前記第2金属シールド板は、前記平面視において前記第1主面を第3領域および第4領域に区画し、
     前記第1フィルタは、前記第1領域および前記第3領域に配置され、
     前記第2フィルタは、前記第2領域に配置され、
     前記第3フィルタは、前記第4領域に配置されている、
     請求項1~4のいずれか1項に記載の高周波モジュール。
  6.  第1主面を有するモジュール基板と、
     前記第1主面に配置された第1電力増幅器と、
     前記第1主面に配置された第2低雑音増幅器と、
     前記第1主面に配置された第3低雑音増幅器と、
     第1通信バンドの送信信号を通過させる第1フィルタと、
     前記第1通信バンドと異なる第2通信バンドの受信信号を通過させる第4フィルタと、
     前記第1通信バンドおよび前記第2通信バンドと異なる第3通信バンドの受信信号を通過させる第5フィルタと、
     前記第1主面に配置され、前記第1電力増幅器と前記第1フィルタとの間に接続された第1インダクタと、
     前記第1主面に配置され、前記第2低雑音増幅器と前記第4フィルタとの間に接続された第4インダクタと、
     前記第1主面に配置され、前記第3低雑音増幅器と前記第5フィルタとの間に接続された第5インダクタと、
     前記第1主面の少なくとも一部を覆う樹脂部材と、
     前記樹脂部材の表面を覆い、グランド電位に設定された金属シールド層と、
     前記第1主面上であって、前記モジュール基板を平面視した場合に前記第1インダクタと前記第4インダクタとの間に配置された第1金属シールド板と、
     前記第1主面上であって、前記モジュール基板を平面視した場合に前記第1インダクタと前記第5インダクタとの間に配置された第2金属シールド板と、を備え、
     前記第1金属シールド板は、前記第1主面の第1グランド電極および前記金属シールド層に接しており、
     前記第2金属シールド板は、前記第1主面の第2グランド電極および前記金属シールド層に接している、
     高周波モジュール。
  7.  前記モジュール基板は、前記第1主面と対向する第2主面をさらに有し、
     前記高周波モジュールは、さらに、
     前記第2主面に配置された複数の外部接続端子を備え、
     前記第2低雑音増幅器および前記第3低雑音増幅器は、前記第2主面に配置されている、
     請求項6に記載の高周波モジュール。
  8.  前記第1金属シールド板は、前記平面視において前記第1主面を第1領域および第2領域に区画し、
     前記第2金属シールド板は、前記平面視において前記第1主面を第3領域および第4領域に区画し、
     前記第1フィルタは、前記第1領域および前記第3領域に配置され、
     前記第4フィルタは、前記第2領域に配置され、
     前記第5フィルタは、前記第4領域に配置されている、
     請求項6または7に記載の高周波モジュール。
  9.  前記第1通信バンドの信号のm(mは2以上の整数)次高調波の周波数は前記第2通信バンドに含まれ、
     前記第1通信バンドの信号のn(nは2以上の整数)次高調波の周波数は前記第3通信バンドに含まれる、
     請求項1~8のいずれか1項に記載の高周波モジュール。
  10.  前記第1金属シールド板と前記第2金属シールド板とは、同一の金属シールド板である、
     請求項1~9のいずれか1項に記載の高周波モジュール。
  11.  アンテナで送受信される高周波信号を処理するRF信号処理回路と、
     前記アンテナと前記RF信号処理回路との間で前記高周波信号を伝搬する請求項1~10のいずれか1項に記載の高周波モジュールと、を備える、
     通信装置。
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