WO2022044456A1 - 高周波モジュールおよび通信装置 - Google Patents

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WO2022044456A1
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孝紀 上嶋
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株式会社村田製作所
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Definitions

  • the present invention relates to a high frequency module and a communication device.
  • Patent Document 1 describes a switch plexa (antenna switch) arranged between a plurality of transmitters (transmission path) and a plurality of receivers (reception path), and the plurality of transmitters and the plurality of receivers and an antenna. ), And the circuit configuration of the transceiver (transmitting / receiving circuit) including.
  • Each of the plurality of transmitters has a transmission circuit, a PA (transmission power amplifier), and an output circuit
  • each of the plurality of receivers has a reception circuit, an LNA (reception low noise amplifier), and an input circuit.
  • LNA reception low noise amplifier
  • the output circuit includes a transmit filter, an impedance matching circuit, and a duplexer
  • the input circuit includes a receive filter, an impedance matching circuit, and a duplexer.
  • the transceiver (transmission / reception circuit) disclosed in Patent Document 1 is composed of a high-frequency module mounted on a mobile communication device, the harmonics of the high-output transmission signal amplified by the PA (transmission power amplifier) are generated. It may be superimposed on the transmission signal and the quality of the transmission signal may deteriorate.
  • the inductors arranged in the transmission path and the reception path are electromagnetically coupled to each other to reduce the isolation between transmission and reception, resulting in harmonics of the transmission signal or intermodulation between the transmission signal and other high-frequency signals. Unnecessary waves such as distortion may flow into the reception path and the reception sensitivity may deteriorate.
  • the present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide a high frequency module and a communication device in which quality deterioration of a transmission signal or a reception signal is suppressed.
  • the high frequency module is arranged on a module substrate having a first main surface, a first power amplifier arranged on the first main surface, and a first main surface.
  • a second filter connected to the output terminal of the amplifier and passing a transmission signal of a second communication band different from the first communication band, and a first communication band and a second communication band connected to the output terminal of the third power amplifier.
  • a third filter that allows transmission signals of different third communication bands to pass through, a resin member that covers at least a part of the first main surface, a metal shield layer that covers the surface of the resin member and is set to a ground potential, and a first.
  • the first metal shield plate arranged between the first power amplifier and the second power amplifier when the module board is viewed in a plan view on the main surface, and the module board on the first main surface.
  • a second metal shield plate arranged between the first power amplifier and the third power amplifier when viewed in a plan view is provided, and the first metal shield plate includes a first ground electrode and a metal shield on the first main surface. It is in contact with the layer, and the second metal shield plate is in contact with the second ground electrode and the metal shield layer on the first main surface.
  • the present invention it is possible to provide a high frequency module and a communication device in which quality deterioration of a transmission signal or a reception signal is suppressed.
  • FIG. 1 is a circuit configuration diagram of a high frequency module and a communication device according to an embodiment.
  • FIG. 2 is a plan view and a cross-sectional view of the high frequency module according to the first embodiment.
  • FIG. 3 is a plan view and a cross-sectional view of the high frequency module according to the second embodiment.
  • FIG. 4A is a plan view of the high frequency module according to the third embodiment.
  • FIG. 4B is a cross-sectional view of the high frequency module according to the third embodiment.
  • the x-axis and the y-axis are axes orthogonal to each other on a plane parallel to the main surface of the module substrate.
  • the z-axis is an axis perpendicular to the main surface of the module substrate, the positive direction thereof indicates an upward direction, and the negative direction thereof indicates a downward direction.
  • connection includes not only the case of being directly connected by a connection terminal and / or a wiring conductor, but also the case of being electrically connected via other circuit components. .. Also, “connected between A and B” means connected to both A and B between A and B.
  • planar view means that an object is projected orthographically projected onto the xy plane from the positive direction side of the z-axis.
  • Parts are placed on the main surface of the board means that in addition to the parts being placed on the main surface in contact with the main surface of the board, the parts are placed on the main surface without contacting the main surface. It includes being arranged above and having a part of the component embedded in the substrate from the main surface side.
  • a is placed between B and C means that at least one of a plurality of line segments connecting any point in B and any point in C passes through A.
  • the "transmission path” is a transmission line composed of a wiring for transmitting a high frequency transmission signal, an electrode directly connected to the wiring, the wiring or a terminal directly connected to the electrode, and the like.
  • the "reception path” means a transmission line composed of a wiring for transmitting a high-frequency reception signal, an electrode directly connected to the wiring, and the wiring or a terminal directly connected to the electrode.
  • the "transmission / reception path” is a transmission composed of a wiring for transmitting both a high-frequency transmission signal and a high-frequency reception signal, an electrode directly connected to the wiring, and a terminal directly connected to the wiring or the electrode. It means that it is a railroad.
  • FIG. 1 is a circuit configuration diagram of a high frequency module 1 and a communication device 5 according to an embodiment.
  • the communication device 5 includes a high frequency module 1, antennas 2a, 2b and 2c, an RF signal processing circuit (RFIC) 3, and a baseband signal processing circuit (BBIC) 4.
  • RFIC RF signal processing circuit
  • BBIC baseband signal processing circuit
  • RFIC3 is an RF signal processing circuit that processes high-frequency signals transmitted and received by antennas 2a to 2c. Specifically, the RFIC 3 processes the received signal input via the reception path of the high frequency module 1 by down-conversion or the like, and outputs the received signal generated by the signal processing to the BBIC 4. Further, the RFIC 3 processes the transmission signal input from the BBIC 4 by up-conversion or the like, and outputs the transmission signal generated by the signal processing to the transmission path of the high frequency module 1.
  • the BBIC 4 is a circuit that processes a signal using an intermediate frequency band having a lower frequency than the high frequency signal propagating in the high frequency module 1.
  • the signal processed by the BBIC 4 is used, for example, as an image signal for displaying an image, or as an audio signal for a call via a speaker.
  • the RFIC 3 also functions as a control unit that controls the connection of the switches 51, 52, 53, 54, 55, 56, 57 and 58 of the high frequency module 1 based on the communication band (frequency band) used. Have. Specifically, the RFIC 3 switches the connection of the switches 51 to 58 of the high frequency module 1 by a control signal (not shown).
  • the control unit may be provided outside the RFIC 3, and may be provided, for example, in the high frequency module 1 or the BBIC 4.
  • the antenna 2a is connected to the antenna connection terminal 101 of the high frequency module 1
  • the antenna 2b is connected to the antenna connection terminal 102 of the high frequency module 1
  • the antenna 2c is connected to the antenna connection terminal 103 of the high frequency module 1.
  • the antennas 2a to 2c radiate a high frequency signal output from the high frequency module 1, receive a high frequency signal from the outside, and output the high frequency signal to the high frequency module 1.
  • the antennas 2a to 2c and the BBIC 4 are not essential components.
  • the high frequency module 1 includes power amplifiers 11, 12 and 13, low noise amplifiers 21, 22 and 23, transmission filters 61T, 62T, 63T, 64T, 65T and 66T, and reception filters 61R.
  • 62R, 63R, 64R, 65R and 66R matching circuits 31, 32, 33, 41, 42 and 43, switches 51, 52, 53, 54, 55, 56, 57 and 58, and antenna connection terminals 101, 102.
  • And 103 transmission input terminals 111, 112 and 113, and reception output terminals 121, 122 and 123.
  • the power amplifier 11 is an example of the first power amplifier, and amplifies the transmission signals of the communication bands A and B.
  • the input terminal of the power amplifier 11 is connected to the transmission input terminal 111, and the output terminal of the power amplifier 11 is connected to the transmission filters 61T and 62T via the matching circuit 31 and the switch 51.
  • the power amplifier 12 is an example of the second power amplifier, and amplifies the transmission signals of the communication bands C and D on the higher frequency side than the communication bands A and B.
  • the input terminal of the power amplifier 12 is connected to the transmission input terminal 112, and the output terminal of the power amplifier 12 is connected to the transmission filters 63T and 64T via the matching circuit 32 and the switch 52.
  • the power amplifier 13 is an example of a third power amplifier, and amplifies the transmission signals of the communication bands E and F on the higher frequency side than the communication bands A and B.
  • the input terminal of the power amplifier 13 is connected to the transmission input terminal 113, and the output terminal of the power amplifier 13 is connected to the transmission filters 65T and 66T via the matching circuit 33 and the switch 53.
  • the communication bands A and B are examples of the first communication band, and are, for example, communication bands belonging to the low band group.
  • the communication bands C and D are examples of the second communication band, and are, for example, communication bands belonging to the middle band group.
  • the communication bands E and F are examples of the third communication band, and are, for example, communication bands belonging to the high band group.
  • the low band group is a frequency band group composed of a plurality of communication bands corresponding to 4G and 5G, and has, for example, a frequency range of 1 GHz or less.
  • the communication bands A and B of the low band group for example, Band 5 (transmission band: 824-849 MHz, reception band: 869-894 MHz) of LTE (Long Term Evolution), Band 8 (transmission band: 880-915 MHz, reception band: 925). -960 MHz), and a communication band such as Band 28 (transmission band: 703-748 MHz, reception band: 753-803 MHz) are applied.
  • the middle band group is a frequency band group composed of a plurality of communication bands corresponding to 4G and 5G, and has a frequency range of, for example, 1.5-2.2 GHz.
  • the communication bands C and D of the middle band group include, for example, Band 1 (transmission band: 1920-1980 MHz, reception band: 2110-2170 MHz), Band 39 (transmission / reception band: 1880-1920 MHz), and Band 66 (transmission band: 1710) of LTE.
  • a communication band such as -1780 MHz, reception band: 2110-2200 MHz) is applied.
  • the high band group is a frequency band group composed of a plurality of communication bands corresponding to 4G and 5G, and has a frequency range of, for example, 2.4-2.8 GHz.
  • the communication bands E and F of the high band group for example, communication bands such as LTE Band 7 (transmission band: 2500-2570 MHz, reception band: 2620-2690 MHz) and Band 41 (transmission / reception band: 2496-2690 MHz) are applied. To.
  • each of the communication bands A to F is a standardization organization or the like (for example, 3GPP, IEEE (Institute of Electrical and Electronics Engineers), etc.) for a communication system constructed by using radio access technology (RAT). ) Means a predefined frequency band.
  • RAT radio access technology
  • the communication system for example, an LTE system, a 5GNR system, a WLAN (Wireless Local Area Network) system, or the like can be used, but the communication system is not limited thereto.
  • each of the communication bands A to F is composed of a transmission band and a reception band.
  • the transmission band means a frequency range designated for the uplink in the communication band.
  • the reception band means a frequency range designated for downlink in the communication band.
  • the low noise amplifier 21 is an example of the first low noise amplifier, and amplifies the received signals of the communication bands A and B with low noise.
  • the input terminal of the low noise amplifier 21 is connected to the reception filters 61R and 62R via the matching circuit 41 and the switch 54, and the output terminal of the low noise amplifier 21 is connected to the reception output terminal 121.
  • the low noise amplifier 22 is an example of the second low noise amplifier, and amplifies the received signals of the communication bands C and D with low noise.
  • the input terminal of the low noise amplifier 22 is connected to the receive filters 63R and 64R via the matching circuit 42 and the switch 55, and the output terminal of the low noise amplifier 22 is connected to the receive output terminal 122.
  • the low noise amplifier 23 is an example of the third low noise amplifier, and amplifies the received signals of the communication bands E and F with low noise.
  • the input terminal of the low noise amplifier 23 is connected to the receive filters 65R and 66R via the matching circuit 43 and the switch 56, and the output terminal of the low noise amplifier 23 is connected to the receive output terminal 123.
  • the transmission filter 61T is an example of the first filter, is arranged in the transmission path AT connecting the transmission input terminal 111 and the switch 57, and is connected to the power amplifier 11 via the switch 51 and the matching circuit 31.
  • the transmission filter 61T passes the transmission signal in the transmission band of the communication band A among the transmission signals amplified by the power amplifier 11.
  • the transmission filter 62T is an example of the first filter, is arranged in the transmission path BT connecting the transmission input terminal 111 and the switch 57, and is connected to the power amplifier 11 via the switch 51 and the matching circuit 31.
  • the transmission filter 62T passes the transmission signal in the transmission band of the communication band B among the transmission signals amplified by the power amplifier 11.
  • the transmission paths AT and BT are examples of the first transmission path for transmitting the transmission signal of the low band group.
  • the transmission filter 63T is an example of the second filter, is arranged in the transmission path CT connecting the transmission input terminal 112 and the switch 58, and is connected to the power amplifier 12 via the switch 52 and the matching circuit 32.
  • the transmission filter 63T passes the transmission signal in the transmission band of the communication band C among the transmission signals amplified by the power amplifier 12.
  • the transmission filter 64T is an example of the second filter, is arranged in the transmission path DT connecting the transmission input terminal 112 and the switch 58, and is connected to the power amplifier 12 via the switch 52 and the matching circuit 32.
  • the transmission filter 64T passes the transmission signal in the transmission band of the communication band D among the transmission signals amplified by the power amplifier 12.
  • the transmission paths CT and DT are examples of the second transmission path for transmitting the transmission signal of the middle band group.
  • the transmission filter 65T is an example of the third filter, is arranged in the transmission path ET connecting the transmission input terminal 113 and the switch 58, and is connected to the power amplifier 13 via the switch 53 and the matching circuit 33.
  • the transmission filter 65T passes the transmission signal in the transmission band of the communication band E among the transmission signals amplified by the power amplifier 13.
  • the transmission filter 66T is an example of the third filter, is arranged in the transmission path FT connecting the transmission input terminal 113 and the switch 58, and is connected to the power amplifier 13 via the switch 53 and the matching circuit 33.
  • the transmission filter 66T passes the transmission signal in the transmission band of the communication band F among the transmission signals amplified by the power amplifier 13.
  • the transmission paths ET and FT are examples of the third transmission path for transmitting the transmission signal of the high band group.
  • the reception filter 61R is arranged in the reception path AR connecting the switch 57 and the reception output terminal 121, and is connected to the low noise amplifier 21 via the switch 54 and the matching circuit 41.
  • the reception filter 61R passes the reception signal in the reception band of the communication band A among the reception signals input from the antenna connection terminal 101.
  • the reception filter 62R is arranged in the reception path BR connecting the switch 57 and the reception output terminal 121, and is connected to the low noise amplifier 21 via the switch 54 and the matching circuit 41.
  • the reception filter 62R passes the reception signal in the reception band of the communication band B among the reception signals input from the antenna connection terminal 101.
  • the reception paths AR and BR are examples of the first reception path for transmitting the reception signal of the low band group.
  • the reception filter 63R is an example of the fourth filter, is arranged in the reception path CR connecting the switch 58 and the reception output terminal 122, and is connected to the low noise amplifier 22 via the switch 55 and the matching circuit 42.
  • the reception filter 63R passes the reception signal in the reception band of the communication band C among the reception signals input from the antenna connection terminal 102 or 103.
  • the reception filter 64R is an example of the fourth filter, is arranged in the reception path DR connecting the switch 58 and the reception output terminal 122, and is connected to the low noise amplifier 22 via the switch 55 and the matching circuit 42.
  • the reception filter 64R passes the reception signal in the reception band of the communication band D among the reception signals input from the antenna connection terminal 102 or 103.
  • the reception paths CR and DR are examples of the second reception path for transmitting the reception signal of the middle band group.
  • the reception filter 65R is an example of the fifth filter, is arranged in the reception path ER connecting the switch 58 and the reception output terminal 123, and is connected to the low noise amplifier 23 via the switch 56 and the matching circuit 43.
  • the reception filter 65R passes the reception signal in the reception band of the communication band E among the reception signals input from the antenna connection terminal 102 or 103.
  • the reception filter 66R is an example of the fifth filter, is arranged in the reception path FR connecting the switch 58 and the reception output terminal 123, and is connected to the low noise amplifier 23 via the switch 56 and the matching circuit 43.
  • the reception filter 66R passes the reception signal in the reception band of the communication band F among the reception signals input from the antenna connection terminal 102 or 103.
  • the reception paths ER and FR are examples of the third reception path for transmitting the reception signal of the high band group.
  • the transmission filter 61T and the reception filter 61R constitute a duplexer 61 having a communication band A as a pass band. Further, the transmission filter 62T and the reception filter 62R constitute a duplexer 62 having a communication band B as a pass band. Further, the transmission filter 63T and the reception filter 63R constitute a duplexer 63 having a communication band C as a pass band. Further, the transmission filter 64T and the reception filter 64R constitute a duplexer 64 having a communication band D as a pass band. Further, the transmission filter 65T and the reception filter 65R constitute a duplexer 65 having a communication band E as a pass band. Further, the transmission filter 66T and the reception filter 66R constitute a duplexer 66 having a communication band F as a pass band.
  • the transmission filter and the reception filter of each communication band constitute a duplexer that transmits the transmission signal and the reception signal by the frequency division duplex (FDD) method.
  • the transmitted signal and the received signal may be transmitted by a time division duplex (TDD: Time Division Duplex) method.
  • TDD Time Division Duplex
  • a switch for switching between transmission and reception is arranged at least one of the transmission filter and the reception filter before and after.
  • the transmission filters 61T to 66T and the reception filters 61R to 66R are, for example, any of an elastic surface wave filter, an elastic wave filter using BAW (Bulk Acoustic Wave), an LC resonance filter, and a dielectric filter. Well, and even more, not limited to these.
  • the matching circuit 31 is connected between the power amplifier 11 and the transmission filters 61T and 62T, and performs impedance matching between the power amplifier 11 and the transmission filters 61T and 62T.
  • the matching circuit 31 includes at least a first inductor.
  • the matching circuit 32 is connected between the power amplifier 12 and the transmission filters 63T and 64T, and performs impedance matching between the power amplifier 12 and the transmission filters 63T and 64T.
  • the matching circuit 32 includes at least a second inductor.
  • the matching circuit 33 is connected between the power amplifier 13 and the transmission filters 65T and 66T, and performs impedance matching between the power amplifier 13 and the transmission filters 65T and 66T.
  • the matching circuit 33 includes at least a third inductor.
  • the matching circuit 41 is connected between the low noise amplifier 21 and the reception filters 61R and 62R, and performs impedance matching between the low noise amplifier 21 and the reception filters 61R and 62R.
  • the matching circuit 42 is connected between the low noise amplifier 22 and the reception filters 63R and 64R, and performs impedance matching between the low noise amplifier 22 and the reception filters 63R and 64R.
  • the matching circuit 42 includes at least a fourth inductor.
  • the matching circuit 43 is connected between the low noise amplifier 23 and the reception filters 65R and 66R, and performs impedance matching between the low noise amplifier 23 and the reception filters 65R and 66R.
  • the matching circuit 43 includes at least a fifth inductor.
  • the switch 51 is connected between the matching circuit 31 and the transmission filters 61T and 62T, and switches between the connection between the power amplifier 11 and the transmission filter 61T and the connection between the power amplifier 11 and the transmission filter 62T.
  • the switch 51 is of a SPDT (Single Pole Double Throw) type, for example, in which a common terminal is connected to a matching circuit 31, one selection terminal is connected to a transmission filter 61T, and the other selection terminal is connected to a transmission filter 62T. It consists of a switch circuit.
  • the switch 52 is connected between the matching circuit 32 and the transmission filters 63T and 64T, and switches between the connection between the power amplifier 12 and the transmission filter 63T and the connection between the power amplifier 12 and the transmission filter 64T.
  • the switch 52 is composed of, for example, a SPDT type switch circuit in which a common terminal is connected to a matching circuit 32, one selection terminal is connected to a transmission filter 63T, and the other selection terminal is connected to a transmission filter 64T.
  • the switch 53 is connected between the matching circuit 33 and the transmission filters 65T and 66T, and switches between the connection between the power amplifier 13 and the transmission filter 65T and the connection between the power amplifier 13 and the transmission filter 66T.
  • the switch 53 is composed of, for example, a SPDT type switch circuit in which a common terminal is connected to a matching circuit 33, one selection terminal is connected to a transmission filter 65T, and the other selection terminal is connected to a transmission filter 66T.
  • the switch 54 is connected between the matching circuit 41 and the reception filters 61R and 62R, and switches between the connection between the low noise amplifier 21 and the reception filter 61R and the connection between the low noise amplifier 21 and the reception filter 62R.
  • the switch 54 is composed of, for example, a SPDT type switch circuit in which a common terminal is connected to a matching circuit 41, one selection terminal is connected to a reception filter 61R, and the other selection terminal is connected to a reception filter 62R.
  • the switch 55 is connected between the matching circuit 42 and the reception filters 63R and 64R, and switches between the connection between the low noise amplifier 22 and the reception filter 63R and the connection between the low noise amplifier 22 and the reception filter 64R.
  • the switch 55 is composed of, for example, a SPDT type switch circuit in which a common terminal is connected to a matching circuit 42, one selection terminal is connected to a reception filter 63R, and the other selection terminal is connected to a reception filter 64R.
  • the switch 56 is connected between the matching circuit 43 and the reception filters 65R and 66R, and switches between the connection between the low noise amplifier 23 and the reception filter 65R and the connection between the low noise amplifier 23 and the reception filter 66R.
  • the switch 56 is composed of, for example, a SPDT type switch circuit in which a common terminal is connected to a matching circuit 43, one selection terminal is connected to a reception filter 65R, and the other selection terminal is connected to a reception filter 66R.
  • the switch 57 is connected between the antenna connection terminal 101 and the duplexers 61 and 62, and switches between the connection between the antenna 2a and the duplexer 61 and the connection between the antenna 2a and the duplexer 62.
  • the switch 57 is composed of, for example, a SPDT type switch circuit in which a common terminal is connected to an antenna connection terminal 101, one selection terminal is connected to a duplexer 61, and the other selection terminal is connected to a duplexer 62.
  • the switch 58 is connected between the antenna connection terminals 102 and 103 and the duplexers 63 to 66, and switches between the antenna 2b and the duplexers 63 to 66 and the antenna 2c and the duplexers 63 to 66.
  • the switch 58 for example, one common terminal is connected to the antenna connection terminal 102, the other common terminal is connected to the antenna connection terminal 103, the first selection terminal is connected to the duplexer 63, and the second selection terminal is connected.
  • It is composed of a DP4T (Double Pole 4 Throw) type switch circuit connected to a duplexer 64, a third selection terminal connected to the duplexer 65, and a fourth selection terminal connected to the duplexer 66.
  • DP4T Double Pole 4 Throw
  • the power amplifiers 11 to 13 and the low noise amplifiers 21 to 23 are, for example, field effect transistors (FETs) or heterobipolar transistors (HBTs) made of Si-based CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) or GaAs. ) And so on.
  • FETs field effect transistors
  • HBTs heterobipolar transistors
  • the low noise amplifier 21, switches 54 and 57 may be formed in one semiconductor IC (Integrated Circuit). Further, the low noise amplifiers 22, 23, switches 55, 56 and 58 may be formed in one semiconductor IC.
  • the above-mentioned semiconductor IC is composed of, for example, CMOS. Specifically, it is composed of an SOI (Silicon OnInsulator) process. This makes it possible to manufacture semiconductor ICs at low cost.
  • the semiconductor IC may be composed of at least one of GaAs, SiGe, and GaN. This makes it possible to output a high frequency signal having high quality amplification performance and noise performance.
  • the power amplifier 11, the matching circuit 31, the switch 51, the transmission filters 61T and 62T, and the switch 57 are of the low band group (communication band A and communication band B) toward the antenna connection terminal 101.
  • a first transmission circuit that outputs a transmission signal is configured.
  • the power amplifier 12, the matching circuit 32, the switch 52, the transmission filters 63T and 64T, and the switch 58 output the transmission signal of the middle band group (communication band C and communication band D) toward the antenna connection terminal 102 or 103.
  • a second transmission circuit is configured.
  • the power amplifier 13, the matching circuit 33, the switch 53, the transmission filters 65T and 66T, and the switch 58 output the transmission signal of the high band group (communication band E and communication band F) toward the antenna connection terminal 102 or 103.
  • a third transmission circuit is configured.
  • the low noise amplifier 21, the matching circuit 41, the switch 54, the reception filters 61R and 62R, and the switch 57 transmit the reception signals of the low band group (communication band A and communication band B) from the antenna 2a via the antenna connection terminal 101.
  • a first receiving circuit for input is configured.
  • the low noise amplifier 22, the matching circuit 42, the switch 55, the reception filters 63R and 64R, and the switch 58 are in the middle band group (communication band C and communication band D) from the antenna 2b or 2c via the antenna connection terminal 102 or 103. ) Is input to the second receiving circuit.
  • the low noise amplifier 23, the matching circuit 43, the switch 56, the reception filters 65R and 66R, and the switch 58 are in the high band group (communication band E and communication band F) from the antenna 2b or 2c via the antenna connection terminal 102 or 103. ) Is input to the third receiving circuit.
  • the first transmission circuit and the first reception circuit constitute a first transmission circuit that transmits a high frequency signal of a low band group. Further, the second transmission circuit and the second reception circuit form a second transmission circuit for transmitting a high frequency signal of the middle band group. Further, the third transmission circuit and the third reception circuit form a third transmission circuit for transmitting a high frequency signal of a high band group.
  • the high frequency module 1 simultaneously transmits and simultaneously transmits and simultaneously transmits at least two of the high frequency signal of the low band group, the high frequency signal of the middle band group, and the high frequency signal of the high band group. It is possible to perform at least one of reception and simultaneous transmission / reception.
  • the transmission circuit and the reception circuit do not have to be connected to the antenna connection terminals 101 to 103 via the switches 57 and 58, and the transmission circuit and the reception circuit have different terminals. It may be connected to the antennas 2a to 2c via the antenna.
  • the circuit configuration of the high frequency module according to the present invention may include at least power amplifiers 11 to 13 and transmission filters 61T, 63T and 65T.
  • the antennas 2a to 2c may be one antenna.
  • the one antenna and the duplexers 61 to 66 may be connected via a switch.
  • a triplexer that demultiplexes and combines a low band group signal, a middle band group signal, and a high band group signal may be arranged between the one antenna and the switch.
  • the harmonic of the high output transmission signal amplified by the power amplifier 11 of the low band group is the middle band group or the high band group.
  • the quality of the transmitted signal may deteriorate due to being superimposed on the transmitted signal of.
  • the harmonics of the transmission signal of the low band group flow into the second receiving circuit of the middle band group or the third receiving circuit of the high band group, and the receiving sensitivity of the second receiving circuit or the third receiving circuit deteriorates. May be done.
  • the frequency of the harmonic of the transmission signal amplified by the power amplifier 11 overlaps with at least a part of the frequency range of the middle band group or the high band group.
  • the frequency of the intermodulation distortion between the transmission signal amplified by the power amplifier 11 and another high frequency signal overlaps with at least a part of the frequency range of the middle band group or the high band group.
  • the frequency of the m (m is an integer of 2 or more) harmonics of the signal of the low band group is included in the frequency range of the middle band group, and the frequency of the n (n is an integer of 2 or more) harmonics of the signal of the low band group is included. This is the case when the frequency is included in the frequency range of the high band group.
  • the high frequency module 1 it is suppressed that the first transmission circuit of the low band group, the second transmission circuit of the middle band group, and the third transmission circuit of the high band group are electromagnetically coupled. It has a structure to be used.
  • the configuration for suppressing the electromagnetic field coupling of the high frequency module 1 according to the present embodiment will be described.
  • FIG. 2 is a plan view and a cross-sectional view of the high frequency module 1A according to the first embodiment.
  • a layout drawing of circuit components when the main surface 91a of the module board 91 is viewed from the positive direction side of the z-axis is shown.
  • a cross-sectional view taken along the line II-II in the right figure of FIG. 2 is shown.
  • the high frequency module 1A specifically shows the arrangement configuration of each circuit component constituting the high frequency module 1 according to the embodiment.
  • the high-frequency module 1A according to the present embodiment further includes a module substrate 91, a metal shield plate 80, a metal shield layer 95, and a resin member. It has 92 and an external connection terminal 150.
  • the module board 91 has a main surface 91a (first main surface), and is a board on which the first to third transmission circuits are mounted on the main surface 91a.
  • the module substrate 91 include a low temperature co-fired ceramics (LTCC) substrate having a laminated structure of a plurality of dielectric layers, a high temperature co-fired ceramics (HTCC) substrate, and the like.
  • LTCC low temperature co-fired ceramics
  • HTCC high temperature co-fired ceramics
  • RDL redistribution layer
  • the resin member 92 is arranged on the main surface 91a of the module board 91 and covers at least a part of the circuit components constituting the first to third transmission circuits and the main surface 91a of the module board 91. It has a function to ensure reliability such as mechanical strength and moisture resistance.
  • the external connection terminal 150 is arranged on the main surface 91b of the module board 91.
  • the high frequency module 1A exchanges electric signals with an external board arranged on the negative side of the z-axis of the high frequency module 1A via a plurality of external connection terminals 150.
  • the ground terminal 150g out of the plurality of external connection terminals 150 is set to the ground potential of the external board.
  • the external connection terminal 150 may be a flat electrode formed on the main surface 91b, or may be a bump electrode formed on the main surface 91b.
  • the power amplifiers 11 to 13, the low noise amplifiers 21 to 23, the duplexers 61 to 66, the matching circuits 31 to 33, 41 to 43, and the switches 51 to 58 are used. Is arranged on the main surface 91a of the module board 91.
  • the low noise amplifiers 21 to 23, duplexers 61 to 66, and switches 51 to 58 may be arranged on any of the main surfaces 91a and 91b of the module board 91.
  • the wiring constituting the transmission paths AT to FT and the reception paths AR to FR shown in FIG. 1 are formed inside the module board 91 on the main surfaces 91a and 91b.
  • the wiring may be a bonding wire in which both ends are joined to any of the main surfaces 91a and 91b and the circuit element constituting the high frequency module 1A, or on the surface of the circuit element constituting the high frequency module 1A. It may be a formed terminal, electrode or wiring.
  • the metal shield layer 95 covers the surface of the resin member 92 and is set to the ground potential.
  • the metal shield layer 95 is, for example, a metal thin film formed by a sputtering method.
  • the metal shield plate 80 is an example of the first metal shield plate and the second metal shield plate, and is a metal wall body erected from the main surface 91a toward the top surface of the resin member 92 on the positive direction side of the z-axis. ..
  • the metal shield plate 80 is in contact with the ground electrode of the main surface 91a and the metal shield layer 95. That is, since the metal shield plate 80 is connected to the ground at two places above and below it, the electromagnetic field shielding function is enhanced.
  • the metal shield plate 80 is in contact with the shield surface in contact with the top surface of the resin member 92 or the shield surface in contact with the side surface of the resin member 92 among the shield surfaces constituting the metal shield layer 95.
  • the metal shield plate 80 is on the main surface 91a and is arranged between the power amplifier 11 and the power amplifier 12 when the module board 91 is viewed in a plan view, and is between the power amplifier 11 and the power amplifier 13. Is located in.
  • the harmonics of the transmission signal output from the power amplifier 11 are the power amplifier. It is possible to prevent the quality of the transmitted signal from being superposed on the transmitted signal output from 12 and deteriorating. Further, since the power amplifier 11 and the power amplifier 13 are arranged so as to sandwich the metal shield plate 80 set to the ground potential, the harmonics of the transmission signal output from the power amplifier 11 are output from the power amplifier 13. It is possible to prevent the quality of the transmitted signal from being deteriorated by being superimposed on the transmitted signal.
  • the first metal shield plate arranged between the power amplifier 11 and the power amplifier 12 and the second metal shield plate arranged between the power amplifier 11 and the power amplifier 13 are as in the present embodiment. It may be the same metal shield plate 80, or it may be a separate body.
  • the metal shield plate 80 is arranged between the first inductor of the matching circuit 31 and the second inductor of the matching circuit 32 when the module substrate 91 is viewed in a plan view. Moreover, it is arranged between the first inductor of the matching circuit 31 and the third inductor of the matching circuit 33.
  • the metal shield plate 80 is arranged between the first inductor of the matching circuit 31 and the fourth inductor of the matching circuit 42 when the module substrate 91 is viewed in a plan view. Moreover, it is arranged between the first inductor of the matching circuit 31 and the fifth inductor of the matching circuit 43.
  • the harmonics of the transmission signal output from the power amplifier 11 and unnecessary waves of intermodulation distortion between the transmission signal and other high-frequency signals flow into the second reception circuit and the third reception circuit to receive the second reception. It is possible to suppress deterioration of the reception sensitivity of the circuit or the third receiving circuit.
  • the metal shield plate 80 divides the main surface 91a into a region P (first region and third region) and a region Q (second region and fourth region). That is, the first metal shield plate that partitions the power amplifier 11 and the power amplifier 12 divides the main surface 91a into the first region and the second region, and the second metal shield that partitions the power amplifier 11 and the power amplifier 13.
  • the board divides the main surface 91a into a third region and a fourth region.
  • the transmission filters 61T and 62T are arranged in the area P
  • the transmission filters 63T, 64T, 65T and 66T are arranged in the area Q.
  • the transmission filters 61T and 62T are arranged in the area P, and the reception filters 63R, 64R, 65R and 66R are arranged in the area Q.
  • the low noise amplifier 21, the switches 54 and 57 may be formed in one semiconductor IC 71. Further, the low noise amplifiers 22 and 23 and the switches 55, 56 and 58 may be formed in one semiconductor IC 72. As a result, the high frequency module 1A can be miniaturized.
  • a hole may be formed between the metal shield plate 80 and the main surface 91a so as to penetrate in the normal direction (y-axis direction) of the metal shield plate 80.
  • the liquid resin in the vicinity of the metal shield plate 80 is good in the step of forming the resin member 92 on the main surface 91a. Liquidity can be ensured. Therefore, it is possible to suppress the generation of voids or the like in which the resin member 92 is not formed in the vicinity of the metal shield plate 80.
  • a hole may be formed between the metal shield plate 80 and the top surface of the resin member 92 so as to penetrate in the normal direction (y-axis direction) of the metal shield plate 80.
  • the liquid resin in the vicinity of the metal shield plate 80 is good in the step of forming the resin member 92 on the main surface 91a. Liquidity can be ensured. Therefore, it is possible to suppress the generation of voids or the like in which the resin member 92 is not formed in the vicinity of the metal shield plate 80.
  • the metal shield plate 80 may have a configuration in which a plurality of metal plates are discretely arranged.
  • FIG. 3 is a plan view and a cross-sectional view of the high frequency module 1B according to the second embodiment.
  • a layout drawing of circuit components when the main surface 91a of the module board 91 is viewed from the positive direction side of the z-axis is shown.
  • a cross-sectional view taken along the line III-III in the right figure of FIG. 3 is shown.
  • the high frequency module 1B specifically shows the arrangement configuration of each circuit component constituting the high frequency module 1 according to the embodiment.
  • the high frequency module 1B according to the present embodiment has a different arrangement configuration of the metal shield plate 81 as compared with the high frequency module 1A according to the first embodiment.
  • the same points as the high frequency module 1A according to the first embodiment of the high frequency module 1B according to the present embodiment will be omitted, and different points will be mainly described.
  • the high-frequency module 1B according to the present embodiment further includes a module substrate 91, a metal shield plate 81, a metal shield layer 95, and a resin member. It has 92 and an external connection terminal 150.
  • the power amplifiers 11 to 13, the low noise amplifiers 21 to 23, the duplexers 61 to 66, the matching circuits 31 to 33, 41 to 43, and the switches 51 to 58 are used. Is arranged on the main surface 91a of the module board 91.
  • the low noise amplifiers 21 to 23, duplexers 61 to 66, and switches 51 to 58 may be arranged on any of the main surfaces 91a and 91b of the module board 91.
  • the metal shield plate 81 is an example of the first metal shield plate and the second metal shield plate, and is a metal wall body erected from the main surface 91a toward the top surface of the resin member 92 on the positive direction side of the z-axis. ..
  • the metal shield plate 81 is in contact with the ground electrode of the main surface 91a and the metal shield layer 95. That is, since the metal shield plate 81 is connected to the ground at two places above and below it, the electromagnetic field shielding function is enhanced.
  • the metal shield plate 81 is in contact with the shield surface which is in contact with the top surface of the resin member 92 or the shield surface which is in contact with the side surface of the resin member 92 among the shield surfaces constituting the metal shield layer 95.
  • the metal shield plate 81 is on the main surface 91a and is arranged between the power amplifier 11 and the power amplifier 12 when the module board 91 is viewed in a plan view, and is between the power amplifier 11 and the power amplifier 13. Is located in.
  • the metal shield plate 81 is arranged between the first inductor of the matching circuit 31 and the second inductor of the matching circuit 32 when the module substrate 91 is viewed in a plan view. Moreover, it is arranged between the first inductor of the matching circuit 31 and the third inductor of the matching circuit 33.
  • the metal shield plate 81 is arranged between the first inductor of the matching circuit 31 and the fourth inductor of the matching circuit 42 when the module substrate 91 is viewed in a plan view. Moreover, it is arranged between the first inductor of the matching circuit 31 and the fifth inductor of the matching circuit 43.
  • the metal shield plate 81 divides the main surface 91a into a region P (first region and third region) and a region Q (second region and fourth region). That is, the first metal shield plate that partitions the power amplifier 11 and the power amplifier 12 divides the main surface 91a into the first region and the second region, and the second metal shield that partitions the power amplifier 11 and the power amplifier 13.
  • the board divides the main surface 91a into a third region and a third region.
  • the power amplifier 11 and the matching circuit 31 are arranged in the area P, and the receive filters 63R, 64R, 65R, and 66R are arranged in the area Q.
  • FIG. 4A is a plan view of the high frequency module 1C according to the third embodiment.
  • FIG. 4B is a cross-sectional view of the high frequency module 1C according to the third embodiment, specifically, is a cross-sectional view taken along the line IVB-IVB of FIG. 4A.
  • the upper part of FIG. 4A shows an arrangement diagram of circuit elements when the main surface 91a of the main surfaces 91a and 91b facing each other of the module substrate 91 is viewed from the positive direction side of the z-axis.
  • the lower part of FIG. 4A shows a perspective view of the arrangement of the circuit elements when the main surface 91b is viewed from the positive direction side of the z-axis.
  • the high frequency module 1C according to the third embodiment specifically shows the arrangement configuration of each circuit element constituting the high frequency module 1 according to the embodiment.
  • the high frequency module 1C according to the present embodiment is different from the high frequency module 1A according to the first embodiment in that the circuit components constituting the high frequency module 1C are arranged on both sides of the module board 91.
  • the same points as those of the high frequency module 1A according to the first embodiment of the high frequency module 1C according to the present embodiment will be omitted, and the differences will be mainly described.
  • the high frequency module 1C further includes a module substrate 91, a metal shield plate 82, and a metal shield layer 95 in addition to the circuit configuration shown in FIG. , Resin members 92 and 93, and an external connection terminal 150.
  • the module board 91 has a main surface 91a (first main surface) and a main surface 91b (second main surface), and is a board on which the first to third transmission circuits are mounted on the main surface 91a and 91b.
  • the resin member 92 is arranged on the main surface 91a of the module board 91 and covers at least a part of the circuit components constituting the first to third transmission circuits and the main surface 91a, and the mechanical strength and moisture resistance of the circuit components are covered. It has a function to ensure reliability such as sex.
  • the resin member 93 is arranged on the main surface 91b and covers at least a part of the circuit parts constituting the first to third transmission circuits and the main surface 91b, and the reliability of the mechanical strength and moisture resistance of the circuit parts is high. It has a function to ensure sex.
  • the external connection terminal 150 is arranged on the main surface 91b of the module board 91.
  • the high frequency module 1C exchanges electric signals with an external board arranged on the negative side of the z-axis of the high frequency module 1C via a plurality of external connection terminals 150.
  • the ground terminal 150g out of the plurality of external connection terminals 150 is set to the ground potential of the external board.
  • the external connection terminal 150 may be a flat electrode formed on the main surface 91b, or may be a bump electrode formed on the main surface 91b. When the external connection terminal 150 is formed of a bump electrode, the resin member 93 may be omitted.
  • the transmission paths AT, BT and CT shown in FIG. 1 and the wiring constituting the reception paths AR, BR and CR are inside the module board 91. It is formed on the main surfaces 91a and 91b. Further, the wiring may be a bonding wire whose both ends are joined to any of the main surfaces 91a and 91b and the circuit element constituting the high frequency module 1C, or on the surface of the circuit element constituting the high frequency module 1C. It may be a formed terminal, electrode or wiring.
  • the plurality of external connection terminals 150 include antenna connection terminals 101, 102 and 103, transmission input terminals 111, 112 and 113, and reception output terminals 121, 122 and 123. Further, some of the plurality of external connection terminals 150 are set to the ground potential of the external board.
  • the power amplifiers 11 to 13, duplexers 61 to 66, matching circuits 31 to 33, and matching circuits 41 to 43 are arranged on the main surface 91a of the module board 91.
  • the low noise amplifiers 21 to 23 and the switches 51 to 58 are arranged on the main surface 91b of the module board 91.
  • the power amplifiers 11 to 13 and the low noise amplifiers 21 to 23 are distributed and arranged on both sides of the module board 91, the isolation between transmission and reception can be improved.
  • the module substrate 91 has a multilayer structure in which a plurality of dielectric layers are laminated, and a ground electrode pattern is formed on at least one of the plurality of dielectric layers. This improves the electromagnetic field shielding function of the module board 91.
  • the metal shield plate 82 is an example of the first metal shield plate and the second metal shield plate, and is a metal wall body erected from the main surface 91a toward the top surface of the resin member 92 on the positive direction side of the z-axis. ..
  • the metal shield plate 82 is in contact with the ground electrode of the main surface 91a and the metal shield layer 95. That is, since the metal shield plate 82 is connected to the ground at two places above and below it, the electromagnetic field shielding function is enhanced.
  • the metal shield plate 82 is in contact with the shield surface which is in contact with the top surface of the resin member 92 or the shield surface which is in contact with the side surface of the resin member 92 among the shield surfaces constituting the metal shield layer 95.
  • the metal shield plate 82 is on the main surface 91a and is arranged between the power amplifier 11 and the power amplifier 12 when the module board 91 is viewed in a plan view, and is between the power amplifier 11 and the power amplifier 13. Is located in.
  • the first metal shield plate arranged between the power amplifier 11 and the power amplifier 12 and the second metal shield plate arranged between the power amplifier 11 and the power amplifier 13 are as in the present embodiment. It may be the same metal shield plate 82, or it may be a separate body.
  • the metal shield plate 82 is arranged between the first inductor of the matching circuit 31 and the second inductor of the matching circuit 32 when the module substrate 91 is viewed in a plan view. Moreover, it is arranged between the first inductor of the matching circuit 31 and the third inductor of the matching circuit 33.
  • the metal shield plate 82 is arranged between the first inductor of the matching circuit 31 and the fourth inductor of the matching circuit 42 when the module substrate 91 is viewed in a plan view. Moreover, it is arranged between the first inductor of the matching circuit 31 and the fifth inductor of the matching circuit 43.
  • the harmonics of the transmission signal output from the power amplifier 11 and unnecessary waves of intermodulation distortion between the transmission signal and other high-frequency signals flow into the second reception circuit and the third reception circuit to receive the second reception. It is possible to suppress deterioration of the reception sensitivity of the circuit or the third receiving circuit.
  • the metal shield plate 82 divides the main surface 91a into a region P (first region and third region) and a region Q (second region and fourth region). That is, the first metal shield plate that partitions the power amplifier 11 and the power amplifier 12 divides the main surface 91a into the first region and the second region, and the second metal shield that partitions the power amplifier 11 and the power amplifier 13.
  • the board divides the main surface 91a into a third region and a fourth region.
  • the transmission filters 61T and 62T are arranged in the area P
  • the transmission filters 63T, 64T, 65T and 66T are arranged in the area Q.
  • the transmission filters 61T and 62T are arranged in the area P, and the reception filters 63R, 64R, 65R and 66R are arranged in the area Q.
  • the low noise amplifiers 21 to 23 and the switches 54 to 56 may be formed in one semiconductor IC 75. Further, the switches 57 and 58 may be formed in one semiconductor IC 74. Further, the switches 51 to 53 may be formed on one semiconductor IC 73. As a result, the high frequency module 1C can be miniaturized.
  • the power amplifiers 11 to 13 are arranged on the main surface 91a.
  • the power amplifiers 11 to 13 are components having a large amount of heat generation among the circuit components included in the high frequency module 1C. In order to improve the heat dissipation of the high frequency module 1C, it is important to dissipate the heat generated by the power amplifiers 11 to 13 to the external substrate through a heat dissipation path having a small thermal resistance. If the power amplifiers 11 to 13 are mounted on the main surface 91b, the electrode wiring connected to the power amplifiers 11 to 13 is arranged on the main surface 91b.
  • the heat dissipation path includes the heat dissipation path only via the plane wiring pattern (along the xy plane direction) on the main surface 91b. Since the plane wiring pattern is formed of a metal thin film, it has a large thermal resistance. Therefore, when the power amplifiers 11 to 13 are arranged on the main surface 91b, the heat dissipation property is deteriorated.
  • the power amplifiers 11 to 13 when the power amplifiers 11 to 13 are mounted on the main surface 91a as in the present embodiment, the power amplifiers 11 to 13 pass through the through electrodes penetrating between the main surface 91a and the main surface 91b. And the external connection terminal 150 can be connected. Therefore, as the heat dissipation path of the power amplifiers 11 to 13, it is possible to eliminate the heat dissipation path via only the plane wiring pattern along the xy plane direction having a large thermal resistance among the wiring in the module board 91. Therefore, it is possible to provide a small high-frequency module 1C having improved heat dissipation from the power amplifiers 11 to 13 to the external substrate.
  • the high frequency module 1C when the module substrate 91 is viewed in a plan view, the main surface facing the region of the main surface 91a on which the power amplifiers 11 to 13 are formed. It is desirable that no circuit component is formed in the region of 91b.
  • the high frequency module 1A has a module substrate 91 having a main surface 91a, a power amplifier 11 arranged on the main surface 91a, a power amplifier 12 arranged on the main surface 91a, and a main surface 91a.
  • the transmission filter 63T to be connected, the transmission filter 65T connected to the output terminal of the power amplifier 13 and passing the transmission signal of the communication band E, the resin member 92 covering at least a part of the main surface 91a, and the surface of the resin member 92.
  • the metal shield layer 95 which is covered and set to the ground potential, is arranged between the power amplifier 11 and the power amplifier 12 when the module substrate 91 is viewed in a plan view on the main surface 91a, and is arranged with the power amplifier 11.
  • a metal shield plate 80 arranged between the power amplifier 13 and the metal shield plate 80 is provided, and the metal shield plate 80 is in contact with the first ground electrode and the metal shield layer 95 of the main surface 91a.
  • the harmonic of the transmission signal output from the power amplifier 11 is the power amplifier 12. It is possible to suppress the deterioration of the quality of the transmitted signal superimposed on the transmitted signal output from. Further, since the power amplifier 11 and the power amplifier 13 are arranged so as to sandwich the metal shield plate 80 set to the ground potential, the harmonics of the transmission signal output from the power amplifier 11 are output from the power amplifier 13. It is possible to prevent the quality of the transmitted signal from being deteriorated by being superimposed on the transmitted signal.
  • the high frequency module 1A is further arranged on the main surface 91a, the first inductor of the matching circuit 31 connected between the power amplifier 11 and the transmission filter 61T, and arranged on the main surface 91a with the power amplifier 12.
  • the second inductor of the matching circuit 32 connected to the transmission filter 63T and the third inductor of the matching circuit 33 arranged on the main surface 91a and connected between the power amplifier 13 and the transmission filter 65T.
  • the metal shield plate 80 may be arranged between the first inductor and the second inductor in the plan view, and may be arranged between the first inductor and the third inductor.
  • the high frequency module 1A is further arranged on the low noise amplifiers 22 and 23, the reception filter 63R for passing the reception signal of the communication band C, the reception filter 65R for passing the reception signal of the communication band E, and the main surface 91a.
  • the fourth inductor of the matching circuit 42 connected between the low noise amplifier 22 and the receiving filter 63R, and the matching circuit arranged on the main surface 91a and connected between the low noise amplifier 23 and the receiving filter 65R.
  • the fifth inductor of 43 and the metal shield plate 80 are arranged between the first inductor and the fourth inductor in the plan view, and are arranged between the first inductor and the fifth inductor. You may.
  • the harmonics of the transmission signal output from the power amplifier 11 and unnecessary waves of intermodulation distortion between the transmission signal and other high-frequency signals flow into the second reception circuit and the third reception circuit to receive the second reception. It is possible to suppress deterioration of the reception sensitivity of the circuit or the third receiving circuit.
  • the metal shield plate 80 divides the main surface 91a into the region P and the region Q in the plan view, the transmission filter 61T is arranged in the region P, and the transmission filters 63T and 65T are arranged in the region Q. It may have been done.
  • the high frequency module 1A has a module substrate 91 having a main surface 91a, a power amplifier 11 arranged on the main surface 91a, a power amplifier 12 arranged on the main surface 91a, and a main surface 91a.
  • the arranged power amplifier 13 the transmission filter 61T that passes the transmission signal of the communication band A, the reception filter 63R that passes the reception signal of the communication band C, and the reception filter 65R that passes the reception signal of the communication band E.
  • the first inductor of the matching circuit 31 arranged on the main surface 91a and connected between the power amplifier 11 and the transmission filter 61T, and connected between the low noise amplifier 22 and the reception filter 63R arranged on the main surface 91a.
  • the metal shield layer 95 which covers the surface of the resin member 92 and is set to the ground potential, and between the first inductor and the fourth inductor when the module substrate 91 is viewed in a plan view on the main surface 91a.
  • a metal shield plate 80 arranged and arranged between the first inductor and the fifth inductor is provided, and the metal shield plate 80 is in contact with the first ground electrode and the metal shield layer 95 of the main surface 91a. There is.
  • the harmonics of the transmission signal output from the power amplifier 11 and unnecessary waves of intermodulation distortion between the transmission signal and other high-frequency signals flow into the second reception circuit and the third reception circuit to receive the second reception. It is possible to suppress deterioration of the reception sensitivity of the circuit or the third receiving circuit.
  • the metal shield plate 80 partitions the main surface 91a into the region P and the region Q in the plan view, the transmission filter 61T is arranged in the region P, and the reception filters 63R and 65R are arranged in the region Q. It may have been done.
  • the module substrate 91 further has a main surface 91b facing the main surface 91a, and the high frequency module 1C further has a plurality of external connection terminals arranged on the main surface 91b.
  • the low noise amplifiers 22 and 23 may be located on the main surface 91b.
  • the power amplifier 11 and the low noise amplifiers 22 and 23 are distributed and arranged on both sides of the module board 91, the isolation between transmission and reception can be improved. Therefore, the harmonics of the transmission signal output from the power amplifier 11 and unnecessary waves of intermodulation distortion between the transmission signal and other high-frequency signals flow into the second reception circuit and the third reception circuit to receive the second reception. It is possible to suppress deterioration of the reception sensitivity of the circuit or the third receiving circuit.
  • the frequency of the m (m is an integer of 2 or more) harmonics of the signal of the communication band A is included in the communication band C
  • the frequency of the n (n is an integer of 2 or more) harmonics of the signal of the communication band A May be included in the communication band E.
  • the metal shield plate 80 is arranged between the first metal shield plate arranged between the power amplifier 11 and the power amplifier 12, and the second metal shield plate 80 arranged between the power amplifier 11 and the power amplifier 13. It may be composed of a metal shield plate.
  • the communication device 5 includes an RFIC 3 that processes high frequency signals transmitted and received by the antennas 2a to 2c, and a high frequency module 1 that transmits a high frequency signal between the antennas 2a to 2c and the RFIC 3.
  • the high-frequency module and communication device according to the present invention have been described above with reference to embodiments and examples thereof, but the high-frequency module and communication device according to the present invention are limited to the above-described embodiments and examples. It's not a thing. Those skilled in the art can think of another embodiment realized by combining the above-described embodiment and any component in the embodiment, or the above-mentioned embodiment and the embodiment to the extent that the gist of the present invention is not deviated. The present invention also includes examples of modifications obtained by subjecting various modifications, and various devices incorporating the above-mentioned high-frequency module and communication device.
  • the present invention can be widely used in communication devices such as mobile phones as a high-frequency module arranged in a multi-band compatible front end portion.
  • Radio Frequency Module 2a, 2b, 2c Antenna 3 RF Signal Processing Circuit (RFIC) 4 Baseband signal processing circuit (BBIC) 5 Communication equipment 11, 12, 13 Power amplifier 21, 22, 23 Low noise amplifier 31, 32, 33, 41, 42, 43 Matching circuit 51, 52, 53, 54, 55, 56, 57, 58 Switch 61, 62 , 63, 64, 65, 66 Duplexer 61R, 62R, 63R, 64R, 65R, 66R Receive filter 61T, 62T, 63T, 64T, 65T, 66T Transmission filter 71, 72, 73, 74, 75 Semiconductor IC 80, 81, 82 Metal shield plate 91 Module board 91a, 91b Main surface 92, 93 Resin member 95 Metal shield layer 101, 102, 103 Antenna connection terminal 111, 112, 113 Transmission input terminal 121, 122, 123 Reception output terminal 150 External connection terminal 150g Ground terminal AR,

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Abstract

高周波モジュール（１Ａ）は、モジュール基板（９１）の主面（９１ａ）に配置された電力増幅器（１１、１２および１３）と、電力増幅器（１１）の出力端子に接続され、通信バンドＡの送信信号を通過させる送信フィルタ（６１Ｔ）と、電力増幅器（１２）の出力端子に接続され、通信バンドＣの送信信号を通過させる送信フィルタ（６３Ｔ）と、電力増幅器（１３）の出力端子に接続され、通信バンドＥの送信信号を通過させる送信フィルタ（６５Ｔ）と、主面（９１ａ）を覆う樹脂部材（９２）と、樹脂部材（９２）の表面を覆う金属シールド層（９５）と、主面（９１ａ）上であって電力増幅器（１１）と電力増幅器（１２）との間に配置され、かつ、電力増幅器（１１）と電力増幅器（１３）との間に配置された金属シールド板（８０）と、を備え、金属シールド板（８０）は、主面（９１ａ）の第１グランド電極および金属シールド層（９５）に接している。

Description

高周波モジュールおよび通信装置
　本発明は、高周波モジュールおよび通信装置に関する。
　携帯電話などの移動体通信機器では、特に、マルチバンド化の進展に伴い、高周波フロントエンド回路を構成する回路素子の配置構成が複雑化されている。
　特許文献１には、複数の送信機（送信経路）および複数の受信機（受信経路）と、当該複数の送信機および複数の受信機とアンテナとの間に配置されたスイッチプレクサ（アンテナスイッチ）と、を備えたトランシーバ（送受信回路）の回路構成が開示されている。上記複数の送信機のそれぞれは、送信回路、ＰＡ（送信電力増幅器）、および出力回路を有し、上記複数の受信機のそれぞれは、受信回路、ＬＮＡ（受信低雑音増幅器）、および入力回路を有している。出力回路は、送信フィルタ、インピーダンス整合回路、およびデュプレクサなどを含み、入力回路は、受信フィルタ、インピーダンス整合回路、およびデュプレクサなどを含む。上記構成によれば、スイッチプレクサの切り替え動作により、同時送信、同時受信、または同時送受信を実行できる。
特表２０１４－５２２２１６号公報
　しかしながら、特許文献１に開示されたトランシーバ（送受信回路）を、移動体通信機器に搭載される高周波モジュールで構成する場合、ＰＡ（送信電力増幅器）で増幅された高出力の送信信号の高調波が送信信号に重畳され、送信信号の品質が低下する場合がある。また、送信経路および受信経路のそれぞれに配置されたインダクタ同士が電磁界結合することで送受信間のアイソレーションが低下し、送信信号の高調波、または、送信信号と他の高周波信号との相互変調歪などの不要波が、受信経路に流入して受信感度が劣化する場合がある。
　本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、送信信号または受信信号の品質劣化が抑制された高周波モジュールおよび通信装置を提供することを目的とする。
　上記目的を達成するために、本発明の一態様に係る高周波モジュールは、第１主面を有するモジュール基板と、第１主面に配置された第１電力増幅器と、第１主面に配置された第２電力増幅器と、第１主面に配置された第３電力増幅器と、第１電力増幅器の出力端子に接続され、第１通信バンドの送信信号を通過させる第１フィルタと、第２電力増幅器の出力端子に接続され、第１通信バンドと異なる第２通信バンドの送信信号を通過させる第２フィルタと、第３電力増幅器の出力端子に接続され、第１通信バンドおよび第２通信バンドと異なる第３通信バンドの送信信号を通過させる第３フィルタと、第１主面の少なくとも一部を覆う樹脂部材と、樹脂部材の表面を覆い、グランド電位に設定された金属シールド層と、第１主面上であって、モジュール基板を平面視した場合に第１電力増幅器と第２電力増幅器との間に配置された第１金属シールド板と、第１主面上であって、モジュール基板を平面視した場合に第１電力増幅器と第３電力増幅器との間に配置された第２金属シールド板と、を備え、第１金属シールド板は、第１主面の第１グランド電極および金属シールド層に接しており、第２金属シールド板は、第１主面の第２グランド電極および金属シールド層に接している。
　本発明によれば、送信信号または受信信号の品質劣化が抑制された高周波モジュールおよび通信装置を提供することが可能となる。
図１は、実施の形態に係る高周波モジュールおよび通信装置の回路構成図である。 図２は、実施例１に係る高周波モジュールの平面図および断面図である。 図３は、実施例２に係る高周波モジュールの平面図および断面図である。 図４Ａは、実施例３に係る高周波モジュールの平面図である。 図４Ｂは、実施例３に係る高周波モジュールの断面図である。
　以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。なお、以下で説明する実施の形態は、包括的または具体的な例を示すものである。また、以下の実施の形態および実施例で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置および接続形態等は、一例であり、本発明を限定する主旨ではない。また、以下の実施例における構成要素のうち、独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。また、図面に示される構成要素の大きさまたは大きさの比は、必ずしも厳密ではない。各図において、実質的に同一の構成については同一の符号を付し、重複する説明は省略または簡略化する場合がある。
　また、以下において、平行および垂直等の要素間の関係性を示す用語、および、矩形状等の要素の形状を示す用語、並びに、数値範囲は、厳格な意味のみを表すのではなく、実質的に同等な範囲、例えば数％程度の差異をも含むことを意味する。
　以下の各図において、ｘ軸およびｙ軸は、モジュール基板の主面と平行な平面上で互いに直交する軸である。また、ｚ軸は、モジュール基板の主面に垂直な軸であり、その正方向は上方向を示し、その負方向は下方向を示す。
　また、本開示の回路構成において、「接続される」とは、接続端子および／または配線導体で直接接続される場合だけでなく、他の回路部品を介して電気的に接続される場合も含む。また、「ＡおよびＢの間に接続される」とは、ＡおよびＢの間でＡおよびＢの両方に接続されることを意味する。
　また、本開示のモジュール構成において、「平面視」とは、ｚ軸正方向側からｘｙ平面に物体を正投影して見ることを意味する。「部品が基板の主面に配置される」とは、部品が基板の主面と接触した状態で主面上に配置されることに加えて、部品が主面と接触せずに主面の上方に配置されること、および、部品の一部が主面側から基板内に埋め込まれて配置されることを含む。「ＡがＢおよびＣの間に配置される」とは、Ｂ内の任意の点とＣ内の任意の点とを結ぶ複数の線分のうちの少なくとも１つがＡを通ることを意味する。また、「平行」および「垂直」などの要素間の関係性を示す用語、および、「矩形」などの要素の形状を示す用語は、厳格な意味のみを表すのではなく、実質的に同等な範囲、例えば数％程度の誤差をも含むことを意味する。
　また、以下において、「送信経路」とは、高周波送信信号を伝送する配線、当該配線に直接接続された電極、および当該配線または当該電極に直接接続された端子等で構成された伝送線路であることを意味する。また、「受信経路」とは、高周波受信信号を伝送する配線、当該配線に直接接続された電極、および当該配線または当該電極に直接接続された端子等で構成された伝送線路であることを意味する。また、「送受信経路」とは、高周波送信信号および高周波受信信号の双方を伝送する配線、当該配線に直接接続された電極、および当該配線または当該電極に直接接続された端子等で構成された伝送線路であることを意味する。
　（実施の形態）
　［１　高周波モジュール１および通信装置５の回路構成］
　図１は、実施の形態に係る高周波モジュール１および通信装置５の回路構成図である。同図に示すように、通信装置５は、高周波モジュール１と、アンテナ２ａ、２ｂおよび２ｃと、ＲＦ信号処理回路（ＲＦＩＣ）３と、ベースバンド信号処理回路（ＢＢＩＣ）４と、を備える。
　ＲＦＩＣ３は、アンテナ２ａ～２ｃで送受信される高周波信号を処理するＲＦ信号処理回路である。具体的には、ＲＦＩＣ３は、高周波モジュール１の受信経路を介して入力された受信信号を、ダウンコンバートなどにより信号処理し、当該信号処理して生成された受信信号をＢＢＩＣ４へ出力する。また、ＲＦＩＣ３は、ＢＢＩＣ４から入力された送信信号をアップコンバートなどにより信号処理し、当該信号処理して生成された送信信号を、高周波モジュール１の送信経路に出力する。
　ＢＢＩＣ４は、高周波モジュール１を伝搬する高周波信号よりも低周波の中間周波数帯域を用いて信号処理する回路である。ＢＢＩＣ４で処理された信号は、例えば、画像表示のための画像信号として使用され、または、スピーカを介した通話のために音声信号として使用される。
　また、ＲＦＩＣ３は、使用される通信バンド（周波数帯域）に基づいて、高周波モジュール１が有するスイッチ５１、５２、５３、５４、５５、５６、５７および５８の接続を制御する制御部としての機能も有する。具体的には、ＲＦＩＣ３は、制御信号（図示せず）によって、高周波モジュール１が有するスイッチ５１～５８の接続を切り替える。なお、制御部は、ＲＦＩＣ３の外部に設けられていてもよく、例えば、高周波モジュール１またはＢＢＩＣ４に設けられていてもよい。
　アンテナ２ａは高周波モジュール１のアンテナ接続端子１０１に接続され、アンテナ２ｂは高周波モジュール１のアンテナ接続端子１０２に接続され、アンテナ２ｃは高周波モジュール１のアンテナ接続端子１０３に接続されている。アンテナ２ａ～２ｃは、高周波モジュール１から出力された高周波信号を放射し、また、外部からの高周波信号を受信して高周波モジュール１へ出力する。
　なお、本実施の形態に係る通信装置５において、アンテナ２ａ～２ｃおよびＢＢＩＣ４は、必須の構成要素ではない。
　次に、高周波モジュール１の詳細な構成について説明する。
　図１に示すように、高周波モジュール１は、電力増幅器１１、１２および１３と、低雑音増幅器２１、２２および２３と、送信フィルタ６１Ｔ、６２Ｔ、６３Ｔ、６４Ｔ、６５Ｔおよび６６Ｔと、受信フィルタ６１Ｒ、６２Ｒ、６３Ｒ、６４Ｒ、６５Ｒおよび６６Ｒと、整合回路３１、３２、３３、４１、４２および４３と、スイッチ５１、５２、５３、５４、５５、５６、５７および５８と、アンテナ接続端子１０１、１０２および１０３と、送信入力端子１１１、１１２および１１３と、受信出力端子１２１、１２２および１２３と、を備える。
　電力増幅器１１は、第１電力増幅器の一例であり、通信バンドＡおよびＢの送信信号を増幅する。電力増幅器１１の入力端子は送信入力端子１１１に接続され、電力増幅器１１の出力端子は、整合回路３１およびスイッチ５１を介して送信フィルタ６１Ｔおよび６２Ｔに接続されている。
　電力増幅器１２は、第２電力増幅器の一例であり、通信バンドＡおよびＢよりも高周波数側の通信バンドＣおよびＤの送信信号を増幅する。電力増幅器１２の入力端子は送信入力端子１１２に接続され、電力増幅器１２の出力端子は、整合回路３２およびスイッチ５２を介して送信フィルタ６３Ｔおよび６４Ｔに接続されている。
　電力増幅器１３は、第３電力増幅器の一例であり、通信バンドＡおよびＢよりも高周波数側の通信バンドＥおよびＦの送信信号を増幅する。電力増幅器１３の入力端子は送信入力端子１１３に接続され、電力増幅器１３の出力端子は、整合回路３３およびスイッチ５３を介して送信フィルタ６５Ｔおよび６６Ｔに接続されている。
　なお、通信バンドＡおよびＢは、第１通信バンドの一例であり、例えば、ローバンド群に属する通信バンドである。通信バンドＣおよびＤは、第２通信バンドの一例であり、例えば、ミドルバンド群に属する通信バンドである。通信バンドＥおよびＦは、第３通信バンドの一例であり、例えば、ハイバンド群に属する通信バンドである。
　ローバンド群は、４Ｇおよび５Ｇに対応した複数の通信バンドで構成された周波数帯域群であり、例えば、１ＧＨｚ以下の周波数範囲を有している。ローバンド群の通信バンドＡおよびＢとしては、例えば、ＬＴＥ（Ｌｏｎｇ　Ｔｅｒｍ　Ｅｖｏｌｕｔｉｏｎ）のＢａｎｄ５（送信帯域：８２４－８４９ＭＨｚ、受信帯域：８６９－８９４ＭＨｚ）、Ｂａｎｄ８（送信帯域：８８０－９１５ＭＨｚ、受信帯域：９２５－９６０ＭＨｚ）、およびＢａｎｄ２８（送信帯域：７０３－７４８ＭＨｚ、受信帯域：７５３－８０３ＭＨｚ）などの通信バンドが適用される。
　ミドルバンド群は、４Ｇおよび５Ｇに対応した複数の通信バンドで構成された周波数帯域群であり、例えば、１．５－２．２ＧＨｚの周波数範囲を有している。ミドルバンド群の通信バンドＣおよびＤとしては、例えば、ＬＴＥのＢａｎｄ１（送信帯域：１９２０－１９８０ＭＨｚ、受信帯域：２１１０－２１７０ＭＨｚ）、Ｂａｎｄ３９（送受信帯域：１８８０－１９２０ＭＨｚ）、およびＢａｎｄ６６（送信帯域：１７１０－１７８０ＭＨｚ、受信帯域：２１１０－２２００ＭＨｚ）などの通信バンドが適用される。
　ハイバンド群は、４Ｇおよび５Ｇに対応した複数の通信バンドで構成された周波数帯域群であり、例えば、２．４－２．８ＧＨｚの周波数範囲を有している。ハイバンド群の通信バンドＥおよびＦとしては、例えば、ＬＴＥのＢａｎｄ７（送信帯域：２５００－２５７０ＭＨｚ、受信帯域：２６２０－２６９０ＭＨｚ）、およびＢａｎｄ４１（送受信帯域：２４９６－２６９０ＭＨｚ）などの通信バンドが適用される。
　なお、通信バンドＡ～Ｆのそれぞれは、無線アクセス技術（ＲＡＴ：Radio Access Technology）を用いて構築される通信システムのために、標準化団体など（例えば３ＧＰＰ、ＩＥＥＥ（Institute of Electrical and Electronics Engineers）等）によって予め定義された周波数バンドを意味する。本実施の形態では、通信システムとしては、例えばＬＴＥシステム、５ＧＮＲシステム、およびＷＬＡＮ（Wireless Local Area Network）システム等を用いることができるが、これらに限定されない。
　また、通信バンドＡ～Ｆのそれぞれは、送信帯域および受信帯域で構成されている。ここで、送信帯域とは、通信バンドのうちのアップリンク用に指定された周波数範囲を意味する。また、受信帯域とは、通信バンドのうちのダウンリンク用に指定された周波数範囲を意味する。
　低雑音増幅器２１は、第１低雑音増幅器の一例であり、通信バンドＡおよびＢの受信信号を低雑音で増幅する。低雑音増幅器２１の入力端子は整合回路４１およびスイッチ５４を介して受信フィルタ６１Ｒおよび６２Ｒに接続され、低雑音増幅器２１の出力端子は、受信出力端子１２１に接続されている。
　低雑音増幅器２２は、第２低雑音増幅器の一例であり、通信バンドＣおよびＤの受信信号を低雑音で増幅する。低雑音増幅器２２の入力端子は整合回路４２およびスイッチ５５を介して受信フィルタ６３Ｒおよび６４Ｒに接続され、低雑音増幅器２２の出力端子は、受信出力端子１２２に接続されている。
　低雑音増幅器２３は、第３低雑音増幅器の一例であり、通信バンドＥおよびＦの受信信号を低雑音で増幅する。低雑音増幅器２３の入力端子は整合回路４３およびスイッチ５６を介して受信フィルタ６５Ｒおよび６６Ｒに接続され、低雑音増幅器２３の出力端子は、受信出力端子１２３に接続されている。
　送信フィルタ６１Ｔは、第１フィルタの一例であり、送信入力端子１１１とスイッチ５７とを結ぶ送信経路ＡＴに配置され、スイッチ５１および整合回路３１を介して電力増幅器１１に接続されている。送信フィルタ６１Ｔは、電力増幅器１１で増幅された送信信号のうち、通信バンドＡの送信帯域の送信信号を通過させる。
　送信フィルタ６２Ｔは、第１フィルタの一例であり、送信入力端子１１１とスイッチ５７とを結ぶ送信経路ＢＴに配置され、スイッチ５１および整合回路３１を介して電力増幅器１１に接続されている。送信フィルタ６２Ｔは、電力増幅器１１で増幅された送信信号のうち、通信バンドＢの送信帯域の送信信号を通過させる。なお、送信経路ＡＴおよびＢＴは、ローバンド群の送信信号を伝送する第１送信経路の一例である。
　送信フィルタ６３Ｔは、第２フィルタの一例であり、送信入力端子１１２とスイッチ５８とを結ぶ送信経路ＣＴに配置され、スイッチ５２および整合回路３２を介して電力増幅器１２に接続されている。送信フィルタ６３Ｔは、電力増幅器１２で増幅された送信信号のうち、通信バンドＣの送信帯域の送信信号を通過させる。
　送信フィルタ６４Ｔは、第２フィルタの一例であり、送信入力端子１１２とスイッチ５８とを結ぶ送信経路ＤＴに配置され、スイッチ５２および整合回路３２を介して電力増幅器１２に接続されている。送信フィルタ６４Ｔは、電力増幅器１２で増幅された送信信号のうち、通信バンドＤの送信帯域の送信信号を通過させる。なお、送信経路ＣＴおよびＤＴは、ミドルバンド群の送信信号を伝送する第２送信経路の一例である。
　送信フィルタ６５Ｔは、第３フィルタの一例であり、送信入力端子１１３とスイッチ５８とを結ぶ送信経路ＥＴに配置され、スイッチ５３および整合回路３３を介して電力増幅器１３に接続されている。送信フィルタ６５Ｔは、電力増幅器１３で増幅された送信信号のうち、通信バンドＥの送信帯域の送信信号を通過させる。
　送信フィルタ６６Ｔは、第３フィルタの一例であり、送信入力端子１１３とスイッチ５８とを結ぶ送信経路ＦＴに配置され、スイッチ５３および整合回路３３を介して電力増幅器１３に接続されている。送信フィルタ６６Ｔは、電力増幅器１３で増幅された送信信号のうち、通信バンドＦの送信帯域の送信信号を通過させる。なお、送信経路ＥＴおよびＦＴは、ハイバンド群の送信信号を伝送する第３送信経路の一例である。
　受信フィルタ６１Ｒは、スイッチ５７と受信出力端子１２１とを結ぶ受信経路ＡＲに配置され、スイッチ５４および整合回路４１を介して低雑音増幅器２１に接続されている。受信フィルタ６１Ｒは、アンテナ接続端子１０１から入力された受信信号のうち、通信バンドＡの受信帯域の受信信号を通過させる。
　受信フィルタ６２Ｒは、スイッチ５７と受信出力端子１２１とを結ぶ受信経路ＢＲに配置され、スイッチ５４および整合回路４１を介して低雑音増幅器２１に接続されている。受信フィルタ６２Ｒは、アンテナ接続端子１０１から入力された受信信号のうち、通信バンドＢの受信帯域の受信信号を通過させる。なお、受信経路ＡＲおよびＢＲは、ローバンド群の受信信号を伝送する第１受信経路の一例である。
　受信フィルタ６３Ｒは、第４フィルタの一例であり、スイッチ５８と受信出力端子１２２とを結ぶ受信経路ＣＲに配置され、スイッチ５５および整合回路４２を介して低雑音増幅器２２に接続されている。受信フィルタ６３Ｒは、アンテナ接続端子１０２または１０３から入力された受信信号のうち、通信バンドＣの受信帯域の受信信号を通過させる。
　受信フィルタ６４Ｒは、第４フィルタの一例であり、スイッチ５８と受信出力端子１２２とを結ぶ受信経路ＤＲに配置され、スイッチ５５および整合回路４２を介して低雑音増幅器２２に接続されている。受信フィルタ６４Ｒは、アンテナ接続端子１０２または１０３から入力された受信信号のうち、通信バンドＤの受信帯域の受信信号を通過させる。なお、受信経路ＣＲおよびＤＲは、ミドルバンド群の受信信号を伝送する第２受信経路の一例である。
　受信フィルタ６５Ｒは、第５フィルタの一例であり、スイッチ５８と受信出力端子１２３とを結ぶ受信経路ＥＲに配置され、スイッチ５６および整合回路４３を介して低雑音増幅器２３に接続されている。受信フィルタ６５Ｒは、アンテナ接続端子１０２または１０３から入力された受信信号のうち、通信バンドＥの受信帯域の受信信号を通過させる。
　受信フィルタ６６Ｒは、第５フィルタの一例であり、スイッチ５８と受信出力端子１２３とを結ぶ受信経路ＦＲに配置され、スイッチ５６および整合回路４３を介して低雑音増幅器２３に接続されている。受信フィルタ６６Ｒは、アンテナ接続端子１０２または１０３から入力された受信信号のうち、通信バンドＦの受信帯域の受信信号を通過させる。なお、受信経路ＥＲおよびＦＲは、ハイバンド群の受信信号を伝送する第３受信経路の一例である。
　送信フィルタ６１Ｔおよび受信フィルタ６１Ｒは、通信バンドＡを通過帯域とするデュプレクサ６１を構成している。また、送信フィルタ６２Ｔおよび受信フィルタ６２Ｒは、通信バンドＢを通過帯域とするデュプレクサ６２を構成している。また、送信フィルタ６３Ｔおよび受信フィルタ６３Ｒは、通信バンドＣを通過帯域とするデュプレクサ６３を構成している。また、送信フィルタ６４Ｔおよび受信フィルタ６４Ｒは、通信バンドＤを通過帯域とするデュプレクサ６４を構成している。また、送信フィルタ６５Ｔおよび受信フィルタ６５Ｒは、通信バンドＥを通過帯域とするデュプレクサ６５を構成している。また、送信フィルタ６６Ｔおよび受信フィルタ６６Ｒは、通信バンドＦを通過帯域とするデュプレクサ６６を構成している。
　なお、本実施の形態に係る高周波モジュール１において、各通信バンドの送信フィルタおよび受信フィルタは、送信信号と受信信号とを周波数分割複信（ＦＤＤ：Frequency Division Duplex）方式で伝送するデュプレクサを構成しているが、送信信号と受信信号とを時分割複信（ＴＤＤ：Time Division Duplex）方式で伝送してもよい。この場合には、送信フィルタおよび受信フィルタの前段および後段の少なくとも一方に、送信および受信を切り替えるスイッチが配置される。
　なお、上記の送信フィルタ６１Ｔ～６６Ｔおよび受信フィルタ６１Ｒ～６６Ｒは、例えば、弾性表面波フィルタ、ＢＡＷ（Bulk Acoustic Wave）を用いた弾性波フィルタ、ＬＣ共振フィルタ、および誘電体フィルタのいずれであってもよく、さらには、これらには限定されない。
　整合回路３１は、電力増幅器１１と送信フィルタ６１Ｔおよび６２Ｔとの間に接続され、電力増幅器１１と送信フィルタ６１Ｔおよび６２Ｔとのインピーダンス整合をとる。整合回路３１は、少なくとも第１インダクタを含む。
　整合回路３２は、電力増幅器１２と送信フィルタ６３Ｔおよび６４Ｔとの間に接続され、電力増幅器１２と送信フィルタ６３Ｔおよび６４Ｔとのインピーダンス整合をとる。整合回路３２は、少なくとも第２インダクタを含む。
　整合回路３３は、電力増幅器１３と送信フィルタ６５Ｔおよび６６Ｔとの間に接続され、電力増幅器１３と送信フィルタ６５Ｔおよび６６Ｔとのインピーダンス整合をとる。整合回路３３は、少なくとも第３インダクタを含む。
　整合回路４１は、低雑音増幅器２１と受信フィルタ６１Ｒおよび６２Ｒとの間に接続され、低雑音増幅器２１と受信フィルタ６１Ｒおよび６２Ｒとのインピーダンス整合をとる。
　整合回路４２は、低雑音増幅器２２と受信フィルタ６３Ｒおよび６４Ｒとの間に接続され、低雑音増幅器２２と受信フィルタ６３Ｒおよび６４Ｒとのインピーダンス整合をとる。整合回路４２は、少なくとも第４インダクタを含む。
　整合回路４３は、低雑音増幅器２３と受信フィルタ６５Ｒおよび６６Ｒとの間に接続され、低雑音増幅器２３と受信フィルタ６５Ｒおよび６６Ｒとのインピーダンス整合をとる。整合回路４３は、少なくとも第５インダクタを含む。
　スイッチ５１は、整合回路３１と送信フィルタ６１Ｔおよび６２Ｔとの間に接続され、電力増幅器１１と送信フィルタ６１Ｔとの接続、および、電力増幅器１１と送信フィルタ６２Ｔとの接続、を切り替える。スイッチ５１は、例えば、共通端子が整合回路３１に接続され、一方の選択端子が送信フィルタ６１Ｔに接続され、他方の選択端子が送信フィルタ６２Ｔに接続された、ＳＰＤＴ（Single Pole Double Throw）型のスイッチ回路で構成される。
　スイッチ５２は、整合回路３２と送信フィルタ６３Ｔおよび６４Ｔとの間に接続され、電力増幅器１２と送信フィルタ６３Ｔとの接続、および、電力増幅器１２と送信フィルタ６４Ｔとの接続、を切り替える。スイッチ５２は、例えば、共通端子が整合回路３２に接続され、一方の選択端子が送信フィルタ６３Ｔに接続され、他方の選択端子が送信フィルタ６４Ｔに接続されたＳＰＤＴ型のスイッチ回路で構成される。
　スイッチ５３は、整合回路３３と送信フィルタ６５Ｔおよび６６Ｔとの間に接続され、電力増幅器１３と送信フィルタ６５Ｔとの接続、および、電力増幅器１３と送信フィルタ６６Ｔとの接続、を切り替える。スイッチ５３は、例えば、共通端子が整合回路３３に接続され、一方の選択端子が送信フィルタ６５Ｔに接続され、他方の選択端子が送信フィルタ６６Ｔに接続されたＳＰＤＴ型のスイッチ回路で構成される。
　スイッチ５４は、整合回路４１と受信フィルタ６１Ｒおよび６２Ｒとの間に接続され、低雑音増幅器２１と受信フィルタ６１Ｒとの接続、および、低雑音増幅器２１と受信フィルタ６２Ｒとの接続、を切り替える。スイッチ５４は、例えば、共通端子が整合回路４１に接続され、一方の選択端子が受信フィルタ６１Ｒに接続され、他方の選択端子が受信フィルタ６２Ｒに接続されたＳＰＤＴ型のスイッチ回路で構成される。
　スイッチ５５は、整合回路４２と受信フィルタ６３Ｒおよび６４Ｒとの間に接続され、低雑音増幅器２２と受信フィルタ６３Ｒとの接続、および、低雑音増幅器２２と受信フィルタ６４Ｒとの接続、を切り替える。スイッチ５５は、例えば、共通端子が整合回路４２に接続され、一方の選択端子が受信フィルタ６３Ｒに接続され、他方の選択端子が受信フィルタ６４Ｒに接続されたＳＰＤＴ型のスイッチ回路で構成される。
　スイッチ５６は、整合回路４３と受信フィルタ６５Ｒおよび６６Ｒとの間に接続され、低雑音増幅器２３と受信フィルタ６５Ｒとの接続、および、低雑音増幅器２３と受信フィルタ６６Ｒとの接続、を切り替える。スイッチ５６は、例えば、共通端子が整合回路４３に接続され、一方の選択端子が受信フィルタ６５Ｒに接続され、他方の選択端子が受信フィルタ６６Ｒに接続されたＳＰＤＴ型のスイッチ回路で構成される。
　スイッチ５７は、アンテナ接続端子１０１とデュプレクサ６１および６２との間に接続され、アンテナ２ａとデュプレクサ６１との接続、および、アンテナ２ａとデュプレクサ６２との接続、を切り替える。スイッチ５７は、例えば、共通端子がアンテナ接続端子１０１に接続され、一方の選択端子がデュプレクサ６１に接続され、他方の選択端子がデュプレクサ６２に接続されたＳＰＤＴ型のスイッチ回路で構成される。
　スイッチ５８は、アンテナ接続端子１０２および１０３とデュプレクサ６３～６６との間に接続され、アンテナ２ｂとデュプレクサ６３～６６との接続、および、アンテナ２ｃとデュプレクサ６３～６６との接続、を切り替える。スイッチ５８は、例えば、一方の共通端子がアンテナ接続端子１０２に接続され、他方の共通端子がアンテナ接続端子１０３に接続され、第１の選択端子がデュプレクサ６３に接続され、第２の選択端子がデュプレクサ６４に接続され、第３の選択端子がデュプレクサ６５に接続され、第４の選択端子がデュプレクサ６６に接続された、ＤＰ４Ｔ（Double Pole 4 Throw）型のスイッチ回路で構成される。
　また、電力増幅器１１～１３、および、低雑音増幅器２１～２３は、例えば、Ｓｉ系のＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）またはＧａＡｓを材料とした、電界効果型トランジスタ（ＦＥＴ）またはヘテロバイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）などで構成されている。
　また、低雑音増幅器２１、スイッチ５４および５７は、１つの半導体ＩＣ（Integrated Circuit）に形成されていてもよい。また、低雑音増幅器２２、２３、スイッチ５５、５６および５８は、１つの半導体ＩＣに形成されていてもよい。上記の半導体ＩＣは、例えば、ＣＭＯＳで構成されている。具体的には、ＳＯＩ（Silicon On Insulator）プロセスにより構成されている。これにより、半導体ＩＣを安価に製造することが可能となる。なお、半導体ＩＣは、ＧａＡｓ、ＳｉＧｅおよびＧａＮの少なくともいずれかで構成されていてもよい。これにより、高品質な増幅性能および雑音性能を有する高周波信号を出力することが可能となる。
　高周波モジュール１の上記回路構成において、電力増幅器１１、整合回路３１、スイッチ５１、送信フィルタ６１Ｔおよび６２Ｔ、ならびにスイッチ５７は、アンテナ接続端子１０１に向けてローバンド群（通信バンドＡおよび通信バンドＢ）の送信信号を出力する第１送信回路を構成する。また、電力増幅器１２、整合回路３２、スイッチ５２、送信フィルタ６３Ｔおよび６４Ｔ、ならびにスイッチ５８は、アンテナ接続端子１０２または１０３に向けてミドルバンド群（通信バンドＣおよび通信バンドＤ）の送信信号を出力する第２送信回路を構成する。また、電力増幅器１３、整合回路３３、スイッチ５３、送信フィルタ６５Ｔおよび６６Ｔ、ならびにスイッチ５８は、アンテナ接続端子１０２または１０３に向けてハイバンド群（通信バンドＥおよび通信バンドＦ）の送信信号を出力する第３送信回路を構成する。
　また、低雑音増幅器２１、整合回路４１、スイッチ５４、受信フィルタ６１Ｒおよび６２Ｒ、ならびにスイッチ５７は、アンテナ２ａからアンテナ接続端子１０１を介してローバンド群（通信バンドＡおよび通信バンドＢ）の受信信号を入力する第１受信回路を構成する。また、低雑音増幅器２２、整合回路４２、スイッチ５５、受信フィルタ６３Ｒおよび６４Ｒ、ならびにスイッチ５８は、アンテナ２ｂまたは２ｃからアンテナ接続端子１０２または１０３を介してミドルバンド群（通信バンドＣおよび通信バンドＤ）の受信信号を入力する第２受信回路を構成する。また、低雑音増幅器２３、整合回路４３、スイッチ５６、受信フィルタ６５Ｒおよび６６Ｒ、ならびにスイッチ５８は、アンテナ２ｂまたは２ｃからアンテナ接続端子１０２または１０３を介してハイバンド群（通信バンドＥおよび通信バンドＦ）の受信信号を入力する第３受信回路を構成する。
　第１送信回路と第１受信回路とは、ローバンド群の高周波信号を伝送する第１伝送回路を構成する。また、第２送信回路と第２受信回路とは、ミドルバンド群の高周波信号を伝送する第２伝送回路を構成する。また、第３送信回路と第３受信回路とは、ハイバンド群の高周波信号を伝送する第３伝送回路を構成する。
　上記回路構成によれば、本実施の形態に係る高周波モジュール１は、ローバンド群の高周波信号、ミドルバンド群の高周波信号、およびハイバンド群の高周波信号のうちの少なくとも２つについて、同時送信、同時受信、および同時送受信の少なくともいずれかを実行することが可能である。
　なお、本発明に係る高周波モジュールでは、送信回路および受信回路がスイッチ５７および５８を介してアンテナ接続端子１０１～１０３に接続されていなくてもよく、上記送信回路および上記受信回路が、異なる端子を介してアンテナ２ａ～２ｃに接続されていてもよい。また、本発明に係る高周波モジュールの回路構成としては、電力増幅器１１～１３および送信フィルタ６１Ｔ、６３Ｔおよび６５Ｔを、少なくとも有していればよい。
　また、アンテナ２ａ～２ｃは、１つのアンテナであってもよい。この場合、上記１つのアンテナとデュプレクサ６１～６６とがスイッチを介して接続されていてもよい。さらに、上記１つのアンテナと上記スイッチとの間に、ローバンド群の信号、ミドルバンド群の信号、ハイバンド群の信号を分波および合波するトリプレクサが配置されていてもよい。
　ここで、上記高周波モジュール１を構成する各回路素子を１つのモジュールで構成する場合、例えば、ローバンド群の電力増幅器１１で増幅された高出力の送信信号の高調波がミドルバンド群またはハイバンド群の送信信号に重畳され、送信信号の品質が低下する場合がある。
　また、例えば、ローバンド群の送信信号の高調波が、ミドルバンド群の第２受信回路またはハイバンド群の第３受信回路に流入して、第２受信回路または第３受信回路の受信感度が劣化する場合がある。例えば、電力増幅器１１で増幅された送信信号の高調波の周波数がミドルバンド群またはハイバンド群の周波数範囲の少なくとも一部と重複する場合が挙げられる。また、例えば、電力増幅器１１で増幅された送信信号と他の高周波信号との相互変調歪の周波数が、ミドルバンド群またはハイバンド群の周波数範囲の少なくとも一部と重複する場合が挙げられる。つまり、ローバンド群の信号のｍ（ｍは２以上の整数）次高調波の周波数がミドルバンド群の周波数範囲に含まれ、ローバンド群の信号のｎ（ｎは２以上の整数）次高調波の周波数がハイバンド群の周波数範囲に含まれる場合である。
　これに対して、本実施の形態に係る高周波モジュール１では、ローバンド群の第１送信回路とミドルバンド群の第２伝送回路およびハイバンド群の第３伝送回路とが電磁界結合することを抑制する構成を有している。以下では、本実施の形態に係る高周波モジュール１の上記電磁界結合を抑制する構成について説明する。
　［２　実施例１に係る高周波モジュール１Ａの回路部品配置構成］
　図２は、実施例１に係る高周波モジュール１Ａの平面図および断面図である。図２の右側には、モジュール基板９１の主面９１ａをｚ軸正方向側から見た場合の回路部品の配置図が示されている。また、図２の左側には、図２の右図のＩＩ－ＩＩ線における断面図が示されている。高周波モジュール１Ａは、実施の形態に係る高周波モジュール１を構成する各回路部品の配置構成を具体的に示したものである。
　図２に示すように、本実施例に係る高周波モジュール１Ａは、図１に示された回路構成に加えて、さらに、モジュール基板９１と、金属シールド板８０と、金属シールド層９５と、樹脂部材９２と、外部接続端子１５０と、を有している。
　モジュール基板９１は、主面９１ａ（第１主面）を有し、主面９１ａ上に第１～第３伝送回路を実装する基板である。モジュール基板９１としては、例えば、複数の誘電体層の積層構造を有する低温同時焼成セラミックス（Low Temperature Co-fired Ceramics：ＬＴＣＣ）基板、高温同時焼成セラミックス（High Temperature Co-fired Ceramics：ＨＴＣＣ）基板、部品内蔵基板、再配線層（Redistribution Layer：ＲＤＬ）を有する基板、または、プリント基板等が用いられる。
　樹脂部材９２は、モジュール基板９１の主面９１ａに配置され、第１～第３伝送回路を構成する回路部品の少なくとも一部、ならびにモジュール基板９１の主面９１ａを覆っており、上記回路部品の機械強度および耐湿性などの信頼性を確保する機能を有している。
　外部接続端子１５０は、モジュール基板９１の主面９１ｂに配置されている。高周波モジュール１Ａは、高周波モジュール１Ａのｚ軸負方向側に配置される外部基板と、複数の外部接続端子１５０を経由して、電気信号のやりとりを行う。また、複数の外部接続端子１５０のうちのグランド端子１５０ｇは、外部基板のグランド電位に設定される。なお、外部接続端子１５０は、図２に示すように、主面９１ｂに形成された平面電極であってもよいし、また、主面９１ｂ上に形成されたバンプ電極であってもよい。
　図２に示すように、本実施例に係る高周波モジュール１Ａでは、電力増幅器１１～１３、低雑音増幅器２１～２３、デュプレクサ６１～６６、整合回路３１～３３、４１～４３、およびスイッチ５１～５８は、モジュール基板９１の主面９１ａに配置されている。なお、低雑音増幅器２１～２３、デュプレクサ６１～６６およびスイッチ５１～５８は、モジュール基板９１の主面９１ａおよび９１ｂのいずれに配置されていてもよい。
　なお、図２には図示していないが、図１に示された送信経路ＡＴ～ＦＴおよび受信経路ＡＲ～ＦＲを構成する配線は、モジュール基板９１の内部、主面９１ａおよび９１ｂに形成されている。また、上記配線は、両端が主面９１ａ、９１ｂおよび高周波モジュール１Ａを構成する回路素子のいずれかに接合されたボンディングワイヤであってもよく、また、高周波モジュール１Ａを構成する回路素子の表面に形成された端子、電極または配線であってもよい。
　金属シールド層９５は、樹脂部材９２の表面を覆い、グランド電位に設定されている。金属シールド層９５は、例えば、スパッタ法により形成された金属薄膜である。
　金属シールド板８０は、第１金属シールド板および第２金属シールド板の一例であり、主面９１ａから樹脂部材９２のｚ軸正方向側の天面に向けて立設された金属壁体である。金属シールド板８０は、主面９１ａのグランド電極および金属シールド層９５に接している。つまり、金属シールド板８０は、その上方および下方の２か所でグランドに接続されているので、電磁界遮蔽機能が強化されている。なお、金属シールド板８０は、金属シールド層９５を構成するシールド面のうち樹脂部材９２の天面に接するシールド面または樹脂部材９２の側面に接するシールド面と接している。
　金属シールド板８０は、主面９１ａ上であって、モジュール基板９１を平面視した場合に、電力増幅器１１と電力増幅器１２との間に配置され、かつ、電力増幅器１１と電力増幅器１３との間に配置されている。
　上記構成によれば、電力増幅器１１と電力増幅器１２とが、グランド電位に設定された金属シールド板８０を挟んで配置されているので、電力増幅器１１から出力された送信信号の高調波が電力増幅器１２から出力された送信信号に重畳されて当該送信信号の品質が低下することを抑制できる。また、電力増幅器１１と電力増幅器１３とが、グランド電位に設定された金属シールド板８０を挟んで配置されているので、電力増幅器１１から出力された送信信号の高調波が電力増幅器１３から出力された送信信号に重畳されて当該送信信号の品質が低下することを抑制できる。
　なお、電力増幅器１１と電力増幅器１２との間に配置される第１金属シールド板と、電力増幅器１１と電力増幅器１３との間に配置される第２金属シールド板とは、本実施例のように同一の金属シールド板８０であってもよいし、また、別体であってもよい。
　また、本実施例に係る高周波モジュール１Ａでは、金属シールド板８０は、モジュール基板９１を平面視した場合に、整合回路３１の第１インダクタと整合回路３２の第２インダクタとの間に配置され、かつ、整合回路３１の第１インダクタと整合回路３３の第３インダクタとの間に配置されている。
　これによれば、第１インダクタと第２インダクタとの電磁界結合、および、第１インダクタと第３インダクタとの電磁界結合を抑制できる。よって、電力増幅器１１から出力された送信信号の高調波が電力増幅器１２から出力された送信信号に重畳されることをより一層抑制でき、また、電力増幅器１１から出力された送信信号の高調波が電力増幅器１３から出力された送信信号に重畳されることをより一層抑制できる。
　また、本実施例に係る高周波モジュール１Ａでは、金属シールド板８０は、モジュール基板９１を平面視した場合に、整合回路３１の第１インダクタと整合回路４２の第４インダクタとの間に配置され、かつ、整合回路３１の第１インダクタと整合回路４３の第５インダクタとの間に配置されている。
　これによれば、第１インダクタと第４インダクタとの電磁界結合、および、第１インダクタと第５インダクタとの電磁界結合を抑制できる。よって、電力増幅器１１から出力された送信信号の高調波、および、当該送信信号と他の高周波信号との相互変調歪の不要波が第２受信回路および第３受信回路に流入して第２受信回路または第３受信回路の受信感度が劣化することを抑制できる。
　また、金属シールド板８０は、主面９１ａを、領域Ｐ（第１領域および第３領域）と領域Ｑ（第２領域および第４領域）とに区画している。つまり、電力増幅器１１と電力増幅器１２とを区画する第１金属シールド板は、主面９１ａを第１領域および第２領域に区画し、電力増幅器１１と電力増幅器１３とを区画する第２金属シールド板は、主面９１ａを第３領域および第４領域に区画している。ここで、図２に示すように、送信フィルタ６１Ｔおよび６２Ｔは、領域Ｐに配置され、送信フィルタ６３Ｔ、６４Ｔ、６５Ｔおよび６６Ｔは、領域Ｑに配置されている。
　これによれば、送信フィルタ６１Ｔおよび６２Ｔと送信フィルタ６３Ｔ、６４Ｔ、６５Ｔおよび６６Ｔとの電磁界結合を抑制できる。よって、ローバンド群の送信信号の高調波がミドルバンド群およびハイバンド群の送信信号に重畳されて当該送信信号の品質が低下することを抑制できる。
　また、図２に示すように、送信フィルタ６１Ｔおよび６２Ｔは、領域Ｐに配置され、受信フィルタ６３Ｒ、６４Ｒ、６５Ｒおよび６６Ｒは、領域Ｑに配置されている。
　これによれば、送信フィルタ６１Ｔおよび６２Ｔと受信フィルタ６３Ｒ、６４Ｒ、６５Ｒおよび６６Ｒとの電磁界結合を抑制できる。よって、ローバンド群の送信信号の高調波、および、当該送信信号と他の高周波信号との相互変調歪の不要波が、ミドルバンド群およびハイバンド群の受信回路に流入して当該受信回路の受信感度が劣化することを抑制できる。
　なお、本実施例に係る高周波モジュール１Ａでは、低雑音増幅器２１、スイッチ５４および５７は、１つの半導体ＩＣ７１に形成されていてもよい。また、低雑音増幅器２２および２３、ならびにスイッチ５５、５６および５８は、１つの半導体ＩＣ７２に形成されていてもよい。これにより、高周波モジュール１Ａを小型化できる。
　なお、金属シールド板８０と主面９１ａとの間には、金属シールド板８０の法線方向（ｙ軸方向）に貫通する穴が形成されていてもよい。
　これによれば、金属シールド板８０と主面９１ａとの間に穴が形成されているので、樹脂部材９２を主面９１ａ上に形成する工程において、金属シールド板８０の近傍における液状樹脂の良好な流動性を確保できる。よって、金属シールド板８０の近傍において樹脂部材９２が形成されていない空隙などの発生を抑制できる。
　また、金属シールド板８０と樹脂部材９２の天面との間には、金属シールド板８０の法線方向（ｙ軸方向）に貫通する穴が形成されていてもよい。
　これによれば、金属シールド板８０と上記天面との間に穴が形成されているので、樹脂部材９２を主面９１ａ上に形成する工程において、金属シールド板８０の近傍における液状樹脂の良好な流動性を確保できる。よって、金属シールド板８０の近傍において樹脂部材９２が形成されていない空隙などの発生を抑制できる。
　また、金属シールド板８０は、複数の金属板が離散的に配置された構成を有していてもよい。
　これによれば、複数の金属板の間に空隙が形成されているので、樹脂部材９２を主面９１ａ上に形成する工程において、金属シールド板８０の近傍における液状樹脂の良好な流動性を確保できる。
　［３　実施例２に係る高周波モジュール１Ｂの回路部品配置構成］
　図３は、実施例２に係る高周波モジュール１Ｂの平面図および断面図である。図３の右側には、モジュール基板９１の主面９１ａをｚ軸正方向側から見た場合の回路部品の配置図が示されている。また、図３の左側には、図３の右図のＩＩＩ－ＩＩＩ線における断面図が示されている。高周波モジュール１Ｂは、実施の形態に係る高周波モジュール１を構成する各回路部品の配置構成を具体的に示したものである。本実施例に係る高周波モジュール１Ｂは、実施例１に係る高周波モジュール１Ａと比較して、金属シールド板８１の配置構成が異なる。以下、本実施例に係る高周波モジュール１Ｂについて、実施例１に係る高周波モジュール１Ａと同じ点は説明を省略し、異なる点を中心に説明する。
　図３に示すように、本実施例に係る高周波モジュール１Ｂは、図１に示された回路構成に加えて、さらに、モジュール基板９１と、金属シールド板８１と、金属シールド層９５と、樹脂部材９２と、外部接続端子１５０と、を有している。
　図３に示すように、本実施例に係る高周波モジュール１Ｂでは、電力増幅器１１～１３、低雑音増幅器２１～２３、デュプレクサ６１～６６、整合回路３１～３３、４１～４３、およびスイッチ５１～５８は、モジュール基板９１の主面９１ａに配置されている。なお、低雑音増幅器２１～２３、デュプレクサ６１～６６およびスイッチ５１～５８は、モジュール基板９１の主面９１ａおよび９１ｂのいずれに配置されていてもよい。
　金属シールド板８１は、第１金属シールド板および第２金属シールド板の一例であり、主面９１ａから樹脂部材９２のｚ軸正方向側の天面に向けて立設された金属壁体である。金属シールド板８１は、主面９１ａのグランド電極および金属シールド層９５に接している。つまり、金属シールド板８１は、その上方および下方の２か所でグランドに接続されているので、電磁界遮蔽機能が強化されている。なお、金属シールド板８１は、金属シールド層９５を構成するシールド面のうち樹脂部材９２の天面に接するシールド面または樹脂部材９２の側面に接するシールド面と接している。
　金属シールド板８１は、主面９１ａ上であって、モジュール基板９１を平面視した場合に、電力増幅器１１と電力増幅器１２との間に配置され、かつ、電力増幅器１１と電力増幅器１３との間に配置されている。
　上記構成によれば、電力増幅器１１から出力された送信信号の高調波が電力増幅器１２から出力された送信信号に重畳されて当該送信信号の品質が低下することを抑制できる。また、電力増幅器１１から出力された送信信号の高調波が電力増幅器１３から出力された送信信号に重畳されて当該送信信号の品質が低下することを抑制できる。
　また、本実施例に係る高周波モジュール１Ｂでは、金属シールド板８１は、モジュール基板９１を平面視した場合に、整合回路３１の第１インダクタと整合回路３２の第２インダクタとの間に配置され、かつ、整合回路３１の第１インダクタと整合回路３３の第３インダクタとの間に配置されている。
　これによれば、第１インダクタと第２インダクタとの電磁界結合、および、第１インダクタと第３インダクタとの電磁界結合を抑制できる。
　また、本実施例に係る高周波モジュール１Ｂでは、金属シールド板８１は、モジュール基板９１を平面視した場合に、整合回路３１の第１インダクタと整合回路４２の第４インダクタとの間に配置され、かつ、整合回路３１の第１インダクタと整合回路４３の第５インダクタとの間に配置されている。
　これによれば、第１インダクタと第４インダクタとの電磁界結合、および、第１インダクタと第５インダクタとの電磁界結合を抑制できる。
　また、金属シールド板８１は、主面９１ａを、領域Ｐ（第１領域および第３領域）と領域Ｑ（第２領域および第４領域）とに区画している。つまり、電力増幅器１１と電力増幅器１２とを区画する第１金属シールド板は、主面９１ａを第１領域および第２領域に区画し、電力増幅器１１と電力増幅器１３とを区画する第２金属シールド板は、主面９１ａを第３領域および第３領域に区画している。
　ここで、図３に示すように、電力増幅器１１および整合回路３１は、領域Ｐに配置され、受信フィルタ６３Ｒ、６４Ｒ、６５Ｒおよび６６Ｒは、領域Ｑに配置されている。
　これによれば、電力増幅器１１と受信フィルタ６３Ｒ、６４Ｒ、６５Ｒおよび６６Ｒとの電磁界結合を抑制できる。よって、ローバンド群の送信信号の高調波、および、当該送信信号と他の高周波信号との相互変調歪の不要波が、ミドルバンド群およびハイバンド群の受信回路に流入して当該受信回路の受信感度が劣化することを抑制できる。
　［４　実施例３に係る高周波モジュール１Ｃの回路部品配置構成］
　図４Ａは、実施例３に係る高周波モジュール１Ｃの平面図である。また、図４Ｂは、実施例３に係る高周波モジュール１Ｃの断面図であり、具体的には、図４ＡのＩＶＢ－ＩＶＢ線における断面図である。なお、図４Ａの上段には、モジュール基板９１の互いに対向する主面９１ａおよび９１ｂのうち、主面９１ａをｚ軸正方向側から見た場合の回路素子の配置図が示されている。一方、図４Ａの下段には、主面９１ｂをｚ軸正方向側から見た場合の回路素子の配置を透視した図が示されている。
　実施例３に係る高周波モジュール１Ｃは、実施の形態に係る高周波モジュール１を構成する各回路素子の配置構成を具体的に示したものである。本実施例に係る高周波モジュール１Ｃは、実施例１に係る高周波モジュール１Ａと比較して、高周波モジュール１Ｃを構成する回路部品がモジュール基板９１の両面に配置されている点が異なる。以下、本実施例に係る高周波モジュール１Ｃについて、実施例１に係る高周波モジュール１Ａと同じ点は説明を省略し、異なる点を中心に説明する。
　図４Ａおよび図４Ｂに示すように、本実施例に係る高周波モジュール１Ｃは、図１に示された回路構成に加えて、さらに、モジュール基板９１と、金属シールド板８２と、金属シールド層９５と、樹脂部材９２および９３と、外部接続端子１５０と、を有している。
　モジュール基板９１は、主面９１ａ（第１主面）および主面９１ｂ（第２主面）を有し、主面９１ａ上および９１ｂに第１～第３伝送回路を実装する基板である。
　樹脂部材９２は、モジュール基板９１の主面９１ａに配置され、第１～第３伝送回路を構成する回路部品の少なくとも一部、ならびに主面９１ａを覆っており、上記回路部品の機械強度および耐湿性などの信頼性を確保する機能を有している。樹脂部材９３は、主面９１ｂに配置され、第１～第３伝送回路を構成する回路部品の少なくとも一部、ならびに主面９１ｂを覆っており、上記回路部品の機械強度および耐湿性などの信頼性を確保する機能を有している。
　外部接続端子１５０は、モジュール基板９１の主面９１ｂに配置されている。高周波モジュール１Ｃは、高周波モジュール１Ｃのｚ軸負方向側に配置される外部基板と、複数の外部接続端子１５０を経由して、電気信号のやりとりを行う。また、複数の外部接続端子１５０のうちのグランド端子１５０ｇは、外部基板のグランド電位に設定される。なお、外部接続端子１５０は、図４Ｂに示すように、主面９１ｂに形成された平面電極であってもよいし、また、主面９１ｂ上に形成されたバンプ電極であってもよい。なお、外部接続端子１５０がバンプ電極で形成されている場合には、樹脂部材９３はなくてもよい。
　なお、図４Ａおよび図４Ｂには図示していないが、図１に示された送信経路ＡＴ、ＢＴおよびＣＴ、ならびに、受信経路ＡＲ、ＢＲおよびＣＲを構成する配線は、モジュール基板９１の内部、主面９１ａおよび９１ｂに形成されている。また、上記配線は、両端が主面９１ａ、９１ｂおよび高周波モジュール１Ｃを構成する回路素子のいずれかに接合されたボンディングワイヤであってもよく、また、高周波モジュール１Ｃを構成する回路素子の表面に形成された端子、電極または配線であってもよい。
　また、図４Ａに示すように、複数の外部接続端子１５０には、アンテナ接続端子１０１、１０２および１０３、送信入力端子１１１、１１２および１１３、ならびに、受信出力端子１２１、１２２および１２３が含まれる。また、複数の外部接続端子１５０のいくつかは、外部基板のグランド電位に設定される。
　図４Ａに示すように、本実施例に係る高周波モジュール１Ｃでは、電力増幅器１１～１３、デュプレクサ６１～６６、整合回路３１～３３および整合回路４１～４３は、モジュール基板９１の主面９１ａに配置されている。また、低雑音増幅器２１～２３およびスイッチ５１～５８は、モジュール基板９１の主面９１ｂに配置されている。
　これによれば、電力増幅器１１～１３と低雑音増幅器２１～２３とが、モジュール基板９１の両面に振り分けられて配置されているので、送受信間のアイソレーションを向上できる。
　なお、モジュール基板９１は、複数の誘電体層が積層された多層構造を有し、当該複数の誘電体層の少なくとも１つには、グランド電極パターンが形成されていることが望ましい。これにより、モジュール基板９１の電磁界遮蔽機能が向上する。
　金属シールド板８２は、第１金属シールド板および第２金属シールド板の一例であり、主面９１ａから樹脂部材９２のｚ軸正方向側の天面に向けて立設された金属壁体である。金属シールド板８２は、主面９１ａのグランド電極および金属シールド層９５に接している。つまり、金属シールド板８２は、その上方および下方の２か所でグランドに接続されているので、電磁界遮蔽機能が強化されている。なお、金属シールド板８２は、金属シールド層９５を構成するシールド面のうち樹脂部材９２の天面に接するシールド面または樹脂部材９２の側面に接するシールド面と接している。
　金属シールド板８２は、主面９１ａ上であって、モジュール基板９１を平面視した場合に、電力増幅器１１と電力増幅器１２との間に配置され、かつ、電力増幅器１１と電力増幅器１３との間に配置されている。
　上記構成によれば、電力増幅器１１から出力された送信信号の高調波が電力増幅器１２から出力された送信信号に重畳されて当該送信信号の品質が低下することを抑制できる。また、電力増幅器１１から出力された送信信号の高調波が電力増幅器１３から出力された送信信号に重畳されて当該送信信号の品質が低下することを抑制できる。
　なお、電力増幅器１１と電力増幅器１２との間に配置される第１金属シールド板と、電力増幅器１１と電力増幅器１３との間に配置される第２金属シールド板とは、本実施例のように同一の金属シールド板８２であってもよいし、また、別体であってもよい。
　また、本実施例に係る高周波モジュール１Ｃでは、金属シールド板８２は、モジュール基板９１を平面視した場合に、整合回路３１の第１インダクタと整合回路３２の第２インダクタとの間に配置され、かつ、整合回路３１の第１インダクタと整合回路３３の第３インダクタとの間に配置されている。
　これによれば、第１インダクタと第２インダクタとの電磁界結合、および、第１インダクタと第３インダクタとの電磁界結合を抑制できる。よって、電力増幅器１１から出力された送信信号の高調波が電力増幅器１２から出力された送信信号に重畳されることをより一層抑制でき、また、電力増幅器１１から出力された送信信号の高調波が電力増幅器１３から出力された送信信号に重畳されることをより一層抑制できる。
　また、本実施例に係る高周波モジュール１Ｃでは、金属シールド板８２は、モジュール基板９１を平面視した場合に、整合回路３１の第１インダクタと整合回路４２の第４インダクタとの間に配置され、かつ、整合回路３１の第１インダクタと整合回路４３の第５インダクタとの間に配置されている。
　これによれば、第１インダクタと第４インダクタとの電磁界結合、および、第１インダクタと第５インダクタとの電磁界結合を抑制できる。よって、電力増幅器１１から出力された送信信号の高調波、および、当該送信信号と他の高周波信号との相互変調歪の不要波が第２受信回路および第３受信回路に流入して第２受信回路または第３受信回路の受信感度が劣化することを抑制できる。
　また、金属シールド板８２は、主面９１ａを、領域Ｐ（第１領域および第３領域）と領域Ｑ（第２領域および第４領域）とに区画している。つまり、電力増幅器１１と電力増幅器１２とを区画する第１金属シールド板は、主面９１ａを第１領域および第２領域に区画し、電力増幅器１１と電力増幅器１３とを区画する第２金属シールド板は、主面９１ａを第３領域および第４領域に区画している。ここで、図４Ａに示すように、送信フィルタ６１Ｔおよび６２Ｔは、領域Ｐに配置され、送信フィルタ６３Ｔ、６４Ｔ、６５Ｔおよび６６Ｔは、領域Ｑに配置されている。
　これによれば、送信フィルタ６１Ｔおよび６２Ｔと送信フィルタ６３Ｔ、６４Ｔ、６５Ｔおよび６６Ｔとの電磁界結合を抑制できる。よって、ローバンド群の送信信号の高調波がミドルバンド群およびハイバンド群の送信信号に重畳されて当該送信信号の品質が低下することを抑制できる。
　また、図４Ａに示すように、送信フィルタ６１Ｔおよび６２Ｔは、領域Ｐに配置され、受信フィルタ６３Ｒ、６４Ｒ、６５Ｒおよび６６Ｒは、領域Ｑに配置されている。
　これによれば、送信フィルタ６１Ｔおよび６２Ｔと受信フィルタ６３Ｒ、６４Ｒ、６５Ｒおよび６６Ｒとの電磁界結合を抑制できる。よって、ローバンド群の送信信号の高調波、および、当該送信信号と他の高周波信号との相互変調歪の不要波が、ミドルバンド群およびハイバンド群の受信回路に流入して当該受信回路の受信感度が劣化することを抑制できる。
　また、本実施例に係る高周波モジュール１Ｃでは、低雑音増幅器２１～２３およびスイッチ５４～５６は、１つの半導体ＩＣ７５に形成されていてもよい。また、スイッチ５７および５８は、１つの半導体ＩＣ７４に形成されていてもよい。また、スイッチ５１～５３は、１つの半導体ＩＣ７３に形成されていてもよい。これにより、高周波モジュール１Ｃを小型化できる。
　また、本実施例に係る高周波モジュール１Ｃでは、電力増幅器１１～１３は、主面９１ａに配置されている。電力増幅器１１～１３は、高周波モジュール１Ｃが有する回路部品のなかで発熱量が大きい部品である。高周波モジュール１Ｃの放熱性を向上させるには、電力増幅器１１～１３の発熱を、小さな熱抵抗を有する放熱経路で外部基板に放熱することが重要である。仮に、電力増幅器１１～１３を主面９１ｂに実装した場合、電力増幅器１１～１３に接続される電極配線は主面９１ｂ上に配置される。このため、放熱経路としては、主面９１ｂ上の（ｘｙ平面方向に沿う）平面配線パターンのみを経由した放熱経路を含むこととなる。上記平面配線パターンは、金属薄膜で形成されるため熱抵抗が大きい。このため、電力増幅器１１～１３を主面９１ｂ上に配置した場合には、放熱性が低下してしまう。
　これに対して、本実施例のように、電力増幅器１１～１３を主面９１ａに実装した場合、主面９１ａと主面９１ｂとの間を貫通する貫通電極を介して、電力増幅器１１～１３と外部接続端子１５０とを接続できる。よって、電力増幅器１１～１３の放熱経路として、モジュール基板９１内の配線のうち熱抵抗の大きいｘｙ平面方向に沿う平面配線パターンのみを経由した放熱経路を排除できる。よって、電力増幅器１１～１３からの外部基板への放熱性が向上した小型の高周波モジュール１Ｃを提供することが可能となる。
　また、実施例に係る高周波モジュール１Ｃにおいて、図４Ａおよび図４Ｂに示すように、モジュール基板９１を平面視した場合に、電力増幅器１１～１３が形成された主面９１ａの領域と対向する主面９１ｂの領域には、回路部品が形成されていないことが望ましい。
　これにより、上記回路部品が電力増幅器１１～１３の発熱により温度上昇して誤動作または破壊されることを回避できる。
　［５　効果など］
　以上、実施例１に係る高周波モジュール１Ａは、主面９１ａを有するモジュール基板９１と、主面９１ａに配置された電力増幅器１１と、主面９１ａに配置された電力増幅器１２と、主面９１ａに配置された電力増幅器１３と、電力増幅器１１の出力端子に接続され、通信バンドＡの送信信号を通過させる送信フィルタ６１Ｔと、電力増幅器１２の出力端子に接続され、通信バンドＣの送信信号を通過させる送信フィルタ６３Ｔと、電力増幅器１３の出力端子に接続され、通信バンドＥの送信信号を通過させる送信フィルタ６５Ｔと、主面９１ａの少なくとも一部を覆う樹脂部材９２と、樹脂部材９２の表面を覆い、グランド電位に設定された金属シールド層９５と、主面９１ａ上であってモジュール基板９１を平面視した場合に電力増幅器１１と電力増幅器１２との間に配置され、かつ、電力増幅器１１と電力増幅器１３との間に配置された金属シールド板８０と、を備え、金属シールド板８０は、主面９１ａの第１グランド電極および金属シールド層９５に接している。
　これによれば、電力増幅器１１と電力増幅器１２とが、グランド電位に設定された金属シールド板８０を挟んで配置されているので、電力増幅器１１から出力された送信信号の高調波が電力増幅器１２から出力された送信信号に重畳されて当該送信信号の品質が低下することを抑制できる。また、電力増幅器１１と電力増幅器１３とが、グランド電位に設定された金属シールド板８０を挟んで配置されているので、電力増幅器１１から出力された送信信号の高調波が電力増幅器１３から出力された送信信号に重畳されて当該送信信号の品質が低下することを抑制できる。
　また、高周波モジュール１Ａは、さらに、主面９１ａに配置され、電力増幅器１１と送信フィルタ６１Ｔとの間に接続された整合回路３１の第１インダクタと、主面９１ａに配置され、電力増幅器１２と送信フィルタ６３Ｔとの間に接続された整合回路３２の第２インダクタと、主面９１ａに配置され、電力増幅器１３と送信フィルタ６５Ｔとの間に接続された整合回路３３の第３インダクタと、を備え、金属シールド板８０は、上記平面視において第１インダクタと第２インダクタとの間に配置され、かつ、第１インダクタと第３インダクタとの間に配置されていてもよい。
　これによれば、第１インダクタと第２インダクタとの電磁界結合、および、第１インダクタと第３インダクタとの電磁界結合を抑制できる。よって、電力増幅器１１から出力された送信信号の高調波が電力増幅器１２から出力された送信信号に重畳されることをより一層抑制でき、また、電力増幅器１１から出力された送信信号の高調波が電力増幅器１３から出力された送信信号に重畳されることをより一層抑制できる。
　また、高周波モジュール１Ａは、さらに、低雑音増幅器２２および２３と、通信バンドＣの受信信号を通過させる受信フィルタ６３Ｒと、通信バンドＥの受信信号を通過させる受信フィルタ６５Ｒと、主面９１ａに配置され、低雑音増幅器２２と受信フィルタ６３Ｒとの間に接続された整合回路４２の第４インダクタと、主面９１ａに配置され、低雑音増幅器２３と受信フィルタ６５Ｒとの間に接続された整合回路４３の第５インダクタと、を備え、金属シールド板８０は、上記平面視において第１インダクタと第４インダクタとの間に配置され、かつ、第１インダクタと第５インダクタとの間に配置されていてもよい。
　これによれば、第１インダクタと第４インダクタとの電磁界結合、および、第１インダクタと第５インダクタとの電磁界結合を抑制できる。よって、電力増幅器１１から出力された送信信号の高調波、および、当該送信信号と他の高周波信号との相互変調歪の不要波が第２受信回路および第３受信回路に流入して第２受信回路または第３受信回路の受信感度が劣化することを抑制できる。
　また、高周波モジュール１Ａにおいて、金属シールド板８０は、上記平面視において主面９１ａを領域Ｐおよび領域Ｑに区画し、送信フィルタ６１Ｔは領域Ｐに配置され、送信フィルタ６３Ｔおよび６５Ｔは領域Ｑに配置されていてもよい。
　これによれば、送信フィルタ６１Ｔと送信フィルタ６３Ｔおよび６５Ｔとの電磁界結合を抑制できる。よって、ローバンド群の送信信号の高調波がミドルバンド群およびハイバンド群の送信信号に重畳されて当該送信信号の品質が低下することを抑制できる。
　また、実施例１に係る高周波モジュール１Ａは、主面９１ａを有するモジュール基板９１と、主面９１ａに配置された電力増幅器１１と、主面９１ａに配置された電力増幅器１２と、主面９１ａに配置された電力増幅器１３と、通信バンドＡの送信信号を通過させる送信フィルタ６１Ｔと、通信バンドＣの受信信号を通過させる受信フィルタ６３Ｒと、通信バンドＥの受信信号を通過させる受信フィルタ６５Ｒと、主面９１ａに配置され、電力増幅器１１と送信フィルタ６１Ｔとの間に接続された整合回路３１の第１インダクタと、主面９１ａに配置され、低雑音増幅器２２と受信フィルタ６３Ｒとの間に接続された整合回路４２の第４インダクタと、主面９１ａに配置され、低雑音増幅器２３と受信フィルタ６５Ｒとの間に接続された第５インダクタと、主面９１ａの少なくとも一部を覆う樹脂部材９２と、樹脂部材９２の表面を覆い、グランド電位に設定された金属シールド層９５と、主面９１ａ上であって、モジュール基板９１を平面視した場合に第１インダクタと第４インダクタとの間に配置され、かつ、第１インダクタと第５インダクタとの間に配置された金属シールド板８０と、を備え、金属シールド板８０は、主面９１ａの第１グランド電極および金属シールド層９５に接している。
　これによれば、第１インダクタと第４インダクタとの電磁界結合、および、第１インダクタと第５インダクタとの電磁界結合を抑制できる。よって、電力増幅器１１から出力された送信信号の高調波、および、当該送信信号と他の高周波信号との相互変調歪の不要波が第２受信回路および第３受信回路に流入して第２受信回路または第３受信回路の受信感度が劣化することを抑制できる。
　また、高周波モジュール１Ａにおいて、金属シールド板８０は、上記平面視において主面９１ａを領域Ｐおよび領域Ｑに区画し、送信フィルタ６１Ｔは領域Ｐに配置され、受信フィルタ６３Ｒおよび６５Ｒは領域Ｑに配置されていてもよい。
　これによれば、送信フィルタ６１Ｔと受信フィルタ６３Ｒおよび６５Ｒとの電磁界結合を抑制できる。よって、ローバンド群の送信信号の高調波、および、当該送信信号と他の高周波信号との相互変調歪の不要波が、ミドルバンド群およびハイバンド群の受信回路に流入して当該受信回路の受信感度が劣化することを抑制できる。
　また、実施例３に係る高周波モジュール１Ｃにおいて、モジュール基板９１は、主面９１ａと対向する主面９１ｂをさらに有し、高周波モジュール１Ｃは、さらに、主面９１ｂに配置された複数の外部接続端子１５０を備え、低雑音増幅器２２および２３は主面９１ｂに配置されていてもよい。
　これによれば、電力増幅器１１と低雑音増幅器２２および２３とが、モジュール基板９１の両面に振り分けられて配置されているので、送受信間のアイソレーションを向上できる。よって、電力増幅器１１から出力された送信信号の高調波、および、当該送信信号と他の高周波信号との相互変調歪の不要波が第２受信回路および第３受信回路に流入して第２受信回路または第３受信回路の受信感度が劣化することを抑制できる。
　また、通信バンドＡの信号のｍ（ｍは２以上の整数）次高調波の周波数は通信バンドＣに含まれ、通信バンドＡの信号のｎ（ｎは２以上の整数）次高調波の周波数は通信バンドＥに含まれてもよい。
　また、高周波モジュール１Ａにおいて、金属シールド板８０は、電力増幅器１１と電力増幅器１２との間に配置される第１金属シールド板と、電力増幅器１１と電力増幅器１３との間に配置される第２金属シールド板とで構成されてもよい。
　また、通信装置５は、アンテナ２ａ～２ｃで送受信される高周波信号を処理するＲＦＩＣ３と、アンテナ２ａ～２ｃとＲＦＩＣ３との間で高周波信号を伝送する高周波モジュール１と、を備える。
　これによれば、送信信号または受信信号の品質劣化が抑制された通信装置５を提供できる。
　（その他の実施の形態など）
　以上、本発明に係る高周波モジュールおよび通信装置について、実施の形態およびその実施例を挙げて説明したが、本発明に係る高周波モジュールおよび通信装置は、上記実施の形態およびその実施例に限定されるものではない。上記実施の形態およびその実施例における任意の構成要素を組み合わせて実現される別の実施の形態や、上記実施の形態およびその実施例に対して本発明の主旨を逸脱しない範囲で当業者が思いつく各種変形を施して得られる変形例や、上記高周波モジュールおよび通信装置を内蔵した各種機器も本発明に含まれる。
　例えば、上記実施の形態およびその実施例に係る高周波モジュールおよび通信装置において、図面に開示された各回路素子および信号経路を接続する経路の間に、別の回路素子および配線などが挿入されていてもよい。
　本発明は、マルチバンド対応のフロントエンド部に配置される高周波モジュールとして、携帯電話などの通信機器に広く利用できる。
　１、１Ａ、１Ｂ、１Ｃ　　高周波モジュール
　２ａ、２ｂ、２ｃ　　アンテナ
　３　　ＲＦ信号処理回路（ＲＦＩＣ）
　４　　ベースバンド信号処理回路（ＢＢＩＣ）
　５　　通信装置
　１１、１２、１３　　電力増幅器
　２１、２２、２３　　低雑音増幅器
　３１、３２、３３、４１、４２、４３　　整合回路
　５１、５２、５３、５４、５５、５６、５７、５８　　スイッチ
　６１、６２、６３、６４、６５、６６　　デュプレクサ
　６１Ｒ、６２Ｒ、６３Ｒ、６４Ｒ、６５Ｒ、６６Ｒ　　受信フィルタ
　６１Ｔ、６２Ｔ、６３Ｔ、６４Ｔ、６５Ｔ、６６Ｔ　　送信フィルタ
　７１、７２、７３、７４、７５　　半導体ＩＣ
　８０、８１、８２　　金属シールド板
　９１　　モジュール基板
　９１ａ、９１ｂ　　主面
　９２、９３　　樹脂部材
　９５　　金属シールド層
　１０１、１０２、１０３　　アンテナ接続端子
　１１１、１１２、１１３　　送信入力端子
　１２１、１２２、１２３　　受信出力端子
　１５０　　外部接続端子
　１５０ｇ　　グランド端子
　ＡＲ、ＢＲ、ＣＲ、ＤＲ、ＥＲ、ＦＲ　　受信経路
　ＡＴ、ＢＴ、ＣＴ、ＤＴ、ＥＴ、ＦＴ　　送信経路
　Ｐ、Ｑ　　領域

Claims (11)

  1. 　第１主面を有するモジュール基板と、
    　前記第１主面に配置された第１電力増幅器と、
    　前記第１主面に配置された第２電力増幅器と、
    　前記第１主面に配置された第３電力増幅器と、
    　前記第１電力増幅器の出力端子に接続され、第１通信バンドの送信信号を通過させる第１フィルタと、
    　前記第２電力増幅器の出力端子に接続され、前記第１通信バンドと異なる第２通信バンドの送信信号を通過させる第２フィルタと、
    　前記第３電力増幅器の出力端子に接続され、前記第１通信バンドおよび前記第２通信バンドと異なる第３通信バンドの送信信号を通過させる第３フィルタと、
    　前記第１主面の少なくとも一部を覆う樹脂部材と、
    　前記樹脂部材の表面を覆い、グランド電位に設定された金属シールド層と、
    　前記第１主面上であって、前記モジュール基板を平面視した場合に前記第１電力増幅器と前記第２電力増幅器との間に配置された第１金属シールド板と、
    　前記第１主面上であって、前記モジュール基板を平面視した場合に前記第１電力増幅器と前記第３電力増幅器との間に配置された第２金属シールド板と、を備え、
    　前記第１金属シールド板は、前記第１主面の第１グランド電極および前記金属シールド層に接しており、
    　前記第２金属シールド板は、前記第１主面の第２グランド電極および前記金属シールド層に接している、
    　高周波モジュール。
  2. 　さらに、
    　前記第１主面に配置され、前記第１電力増幅器と前記第１フィルタとの間に接続された第１インダクタと、
    　前記第１主面に配置され、前記第２電力増幅器と前記第２フィルタとの間に接続された第２インダクタと、
    　前記第１主面に配置され、前記第３電力増幅器と前記第３フィルタとの間に接続された第３インダクタと、を備え、
    　前記第１金属シールド板は、前記平面視において前記第１インダクタと前記第２インダクタとの間に配置され、
    　前記第２金属シールド板は、前記平面視において前記第１インダクタと前記第３インダクタとの間に配置されている、
    　請求項１に記載の高周波モジュール。
  3. 　さらに、
    　第２低雑音増幅器と、
    　第３低雑音増幅器と、
    　前記第２通信バンドの受信信号を通過させる第４フィルタと、
    　前記第３通信バンドの受信信号を通過させる第５フィルタと、
    　前記第１主面に配置され、前記第２低雑音増幅器と前記第４フィルタとの間に接続された第４インダクタと、
    　前記第１主面に配置され、前記第３低雑音増幅器と前記第５フィルタとの間に接続された第５インダクタと、を備え、
    　前記第１金属シールド板は、前記平面視において前記第１インダクタと前記第４インダクタとの間に配置され、
    　前記第２金属シールド板は、前記平面視において前記第１インダクタと前記第５インダクタとの間に配置されている、
    　請求項２に記載の高周波モジュール。
  4. 　前記モジュール基板は、前記第１主面と対向する第２主面をさらに有し、
    　前記高周波モジュールは、さらに、
    　前記第２主面に配置された複数の外部接続端子を備え、
    　前記第２低雑音増幅器および前記第３低雑音増幅器は、前記第２主面に配置されている、
    　請求項３に記載の高周波モジュール。
  5. 　前記第１金属シールド板は、前記平面視において前記第１主面を第１領域および第２領域に区画し、
    　前記第２金属シールド板は、前記平面視において前記第１主面を第３領域および第４領域に区画し、
    　前記第１フィルタは、前記第１領域および前記第３領域に配置され、
    　前記第２フィルタは、前記第２領域に配置され、
    　前記第３フィルタは、前記第４領域に配置されている、
    　請求項１～４のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
  6. 　第１主面を有するモジュール基板と、
    　前記第１主面に配置された第１電力増幅器と、
    　前記第１主面に配置された第２低雑音増幅器と、
    　前記第１主面に配置された第３低雑音増幅器と、
    　第１通信バンドの送信信号を通過させる第１フィルタと、
    　前記第１通信バンドと異なる第２通信バンドの受信信号を通過させる第４フィルタと、
    　前記第１通信バンドおよび前記第２通信バンドと異なる第３通信バンドの受信信号を通過させる第５フィルタと、
    　前記第１主面に配置され、前記第１電力増幅器と前記第１フィルタとの間に接続された第１インダクタと、
    　前記第１主面に配置され、前記第２低雑音増幅器と前記第４フィルタとの間に接続された第４インダクタと、
    　前記第１主面に配置され、前記第３低雑音増幅器と前記第５フィルタとの間に接続された第５インダクタと、
    　前記第１主面の少なくとも一部を覆う樹脂部材と、
    　前記樹脂部材の表面を覆い、グランド電位に設定された金属シールド層と、
    　前記第１主面上であって、前記モジュール基板を平面視した場合に前記第１インダクタと前記第４インダクタとの間に配置された第１金属シールド板と、
    　前記第１主面上であって、前記モジュール基板を平面視した場合に前記第１インダクタと前記第５インダクタとの間に配置された第２金属シールド板と、を備え、
    　前記第１金属シールド板は、前記第１主面の第１グランド電極および前記金属シールド層に接しており、
    　前記第２金属シールド板は、前記第１主面の第２グランド電極および前記金属シールド層に接している、
    　高周波モジュール。
  7. 　前記モジュール基板は、前記第１主面と対向する第２主面をさらに有し、
    　前記高周波モジュールは、さらに、
    　前記第２主面に配置された複数の外部接続端子を備え、
    　前記第２低雑音増幅器および前記第３低雑音増幅器は、前記第２主面に配置されている、
    　請求項６に記載の高周波モジュール。
  8. 　前記第１金属シールド板は、前記平面視において前記第１主面を第１領域および第２領域に区画し、
    　前記第２金属シールド板は、前記平面視において前記第１主面を第３領域および第４領域に区画し、
    　前記第１フィルタは、前記第１領域および前記第３領域に配置され、
    　前記第４フィルタは、前記第２領域に配置され、
    　前記第５フィルタは、前記第４領域に配置されている、
    　請求項６または７に記載の高周波モジュール。
  9. 　前記第１通信バンドの信号のｍ（ｍは２以上の整数）次高調波の周波数は前記第２通信バンドに含まれ、
    　前記第１通信バンドの信号のｎ（ｎは２以上の整数）次高調波の周波数は前記第３通信バンドに含まれる、
    　請求項１～８のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
  10. 　前記第１金属シールド板と前記第２金属シールド板とは、同一の金属シールド板である、
    　請求項１～９のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
  11. 　アンテナで送受信される高周波信号を処理するＲＦ信号処理回路と、
    　前記アンテナと前記ＲＦ信号処理回路との間で前記高周波信号を伝搬する請求項１～１０のいずれか１項に記載の高周波モジュールと、を備える、
    　通信装置。
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