WO2022034819A1

WO2022034819A1 - 高周波モジュール

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Publication number: WO2022034819A1
Application number: PCT/JP2021/028538
Authority: WO
Inventors: 宏通北嶋; 孝紀上嶋; 邦俊花岡; 基嗣津田
Original assignee: 株式会社村田製作所
Priority date: 2020-08-13
Filing date: 2021-08-02
Publication date: 2022-02-17
Also published as: US20230145698A1; CN116097570A

Abstract

高周波モジュール（１）は、電力増幅器（１１）と、電力増幅器（１２）と、低雑音増幅器（２１）と、通信バンド群Ｘに含まれる通信バンドＡを含む通過帯域を有し、電力増幅器（１１）及び低雑音増幅器（２１）に接続されるデュプレクサ（６１）と、通信バンド群Ｘよりも低域側の通信バンド群Ｙに含まれる通信バンドＣを含む通過帯域を有し、電力増幅器（１２）に接続されるデュプレクサ（６３）と、電力増幅器（１１）、電力増幅器（１２）、低雑音増幅器（２１）、デュプレクサ（６１及び６３）が配置されたモジュール基板（９１）と、を備え、モジュール基板（９１）の平面視において、電力増幅器（１１）及び低雑音増幅器（２１）の間の距離（ｄ１）は、電力増幅器（１２）及び低雑音増幅器（２１）の間の距離（ｄ２）よりも長い。

Description

高周波モジュール

　本発明は、高周波モジュールに関する。

　携帯電話などの移動体通信機器では、特に、マルチバンド化の進展に伴い、高周波フロントエンドモジュールを構成する回路部品の配置構成が複雑化されている。特許文献１には、電力増幅器、スイッチ及びフィルタ等がパッケージ化されたフロントエンドモジュールが開示されている。

米国特許出願公開第２０１５／０１３３０６７号明細書

　このような従来のフロントエンドモジュールでは、電気特性（例えば雑音指数（ＮＦ）、ゲイン特性等）の劣化が懸念される。

　そこで、本発明は、電気特性を改善することができる高周波モジュールを提供する。

　本発明の一態様に係る高周波モジュールは、第１電力増幅器と、第２電力増幅器と、第１低雑音増幅器と、第１通信バンド群に含まれる第１通信バンドを含む通過帯域を有し、前記第１電力増幅器及び前記第１低雑音増幅器に接続される第１フィルタと、前記第１通信バンド群よりも低域側の第２通信バンド群に含まれる第２通信バンドを含む通過帯域を有し、前記第２電力増幅器に接続される第２フィルタと、前記第１電力増幅器、前記第２電力増幅器、前記第１低雑音増幅器、前記第１フィルタ及び前記第２フィルタが配置されたモジュール基板と、を備え、前記モジュール基板の平面視において、前記第１電力増幅器及び前記第１低雑音増幅器の間の距離は、前記第２電力増幅器及び前記第１低雑音増幅器の間の距離よりも長い。

　本発明の一態様に係る高周波モジュールによれば、電気特性を改善することができる。

図１は、実施の形態に係る高周波モジュール及び通信装置の回路構成図である。図２は、実施の形態に係る高周波モジュールの平面図である。図３は、実施の形態に係る高周波モジュールの断面図である。

　以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。なお、以下で説明する実施の形態は、いずれも包括的又は具体的な例を示すものである。以下の実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置及び接続形態などは、一例であり、本発明を限定する主旨ではない。

　なお、各図は、本発明を示すために適宜強調、省略、又は比率の調整を行った模式図であり、必ずしも厳密に図示されたものではなく、実際の形状、位置関係、及び比率とは異なる場合がある。各図において、実質的に同一の構成に対しては同一の符号を付しており、重複する説明は省略又は簡素化される場合がある。

　以下の各図において、ｘ軸及びｙ軸は、モジュール基板の主面と平行な平面上で互いに直交する軸である。具体的には、平面視においてモジュール基板が矩形状を有する場合、ｘ軸は、モジュール基板の第１辺に平行であり、ｙ軸は、モジュール基板の第１辺と直交する第２辺に平行である。また、ｚ軸は、モジュール基板の主面に垂直な軸であり、その正方向は上方向を示し、その負方向は下方向を示す。

　本発明の回路構成において、「接続される」とは、接続端子及び／又は配線導体で直接接続される場合だけでなく、他の回路素子を介して電気的に接続される場合も含む。また、「Ａ及びＢの間に接続される」とは、Ａ及びＢの間でＡ及びＢの両方に接続されることを意味する。

　本発明の部品配置において、「モジュール基板の平面視」とは、ｚ軸正側からｘｙ平面に物体を正投影して見ることを意味する。また、「モジュール基板の平面視におけるＡ及びＢの間の距離」とは、ｘｙ平面に正投影されたＡの領域内の代表点とＢの領域内の代表点とを結ぶ線分の長さを意味する。ここで、代表点としては、領域の中心点又は相手の領域に最も近い点などを用いることができるが、これに限定されない。また、「平行」及び「垂直」などの要素間の関係性を示す用語、及び、「矩形」などの要素の形状を示す用語、並びに、数値範囲は、厳格な意味のみを表すのではなく、実質的に同等な範囲、例えば数％程度の誤差をも含むことを意味する。

　また、「部品が基板に配置される」とは、部品が基板と接触した状態で基板上に配置されることに加えて、基板と接触せずに基板の上方に配置されること（例えば、部品が、基板上に配置された他の部品上に積層されること）、及び、部品の一部又は全部が基板内に埋め込まれて配置されることを含む。また、「部品が基板の主面に配置される」とは、部品が基板の主面と接触した状態で主面上に配置されることに加えて、部品が主面と接触せずに主面の上方に配置されること、及び、部品の一部が主面側から基板内に埋め込まれて配置されることを含む。

　（実施の形態）
　［１．１　高周波モジュール１及び通信装置５の回路構成］
　本実施の形態に係る高周波モジュール１及び通信装置５の回路構成について、図１を参照しながら説明する。図１は、実施の形態に係る高周波モジュール１及び通信装置５の回路構成図である。

　［１．１．１　通信装置５の回路構成］
　まず、通信装置５の回路構成について説明する。図１に示すように、本実施の形態に係る通信装置５は、高周波モジュール１と、アンテナ２Ａ及び２Ｂと、ＲＦＩＣ３と、ＢＢＩＣ４と、を備える。

　高周波モジュール１は、アンテナ２Ａ及び２ＢとＲＦＩＣ３との間で高周波信号を伝送する。高周波モジュール１の内部構成については後述する。

　アンテナ２Ａ及び２Ｂは、高周波モジュール１のアンテナ接続端子１０１及び１０２にそれぞれ接続され、高周波モジュール１から出力された高周波信号を送信し、また、外部から高周波信号を受信して高周波モジュール１へ出力する。

　ＲＦＩＣ３は、高周波信号を処理する信号処理回路の一例である。具体的には、ＲＦＩＣ３は、高周波モジュール１の受信経路を介して入力された高周波受信信号を、ダウンコンバート等により信号処理し、当該信号処理して生成された受信信号をＢＢＩＣ４へ出力する。また、ＲＦＩＣ３は、ＢＢＩＣ４から入力された送信信号をアップコンバート等により信号処理し、当該信号処理して生成された高周波送信信号を、高周波モジュール１の送信経路に出力する。また、ＲＦＩＣ３は、高周波モジュール１が有するスイッチ及び増幅器等を制御する制御部を有する。なお、ＲＦＩＣ３の制御部としての機能の一部又は全部は、ＲＦＩＣ３の外部に実装されてもよく、例えば、ＢＢＩＣ４又は高周波モジュール１に実装されてもよい。

　ＢＢＩＣ４は、高周波モジュール１が伝送する高周波信号よりも低周波の中間周波数帯域を用いて信号処理するベースバンド信号処理回路である。ＢＢＩＣ４で処理される信号としては、例えば、画像表示のための画像信号、及び／又は、スピーカを介した通話のために音声信号が用いられる。

　なお、本実施の形態に係る通信装置５において、アンテナ２Ａ及び２ＢとＢＢＩＣ４とは、必須の構成要素ではない。

　［１．１．２　高周波モジュール１の回路構成］
　次に、高周波モジュール１の回路構成について説明する。図１に示すように、高周波モジュール１は、電力増幅器１１及び１２と、低雑音増幅器２１及び２２と、スイッチ５１～５５と、デュプレクサ６１及び６３と、送受信フィルタ６２及び６４と、アンテナ接続端子１０１及び１０２と、高周波入力端子１１１及び１１２と、高周波出力端子１２１及び１２２と、を備える。

　アンテナ接続端子１０１及び１０２は、アンテナ２Ａ及び２Ｂにそれぞれ接続される。

　高周波入力端子１１１及び１１２の各々は、高周波モジュール１の外部から高周波送信信号を受けるための端子である。本実施の形態では、高周波入力端子１１１は、ＲＦＩＣ３から、通信バンド群Ｘに含まれる通信バンドＡ及びＢの送信信号を受けるための端子である。高周波入力端子１１２は、ＲＦＩＣ３から、通信バンド群Ｙに含まれる通信バンドＣ及びＤの送信信号を受けるための端子である。

　高周波出力端子１２１及び１２２の各々は、高周波モジュール１の外部に高周波受信信号を提供するための端子である。本実施の形態では、高周波出力端子１２１は、ＲＦＩＣ３に、通信バンド群Ｘに含まれる通信バンドＡ及びＢの受信信号を提供するための端子である。高周波出力端子１２２は、ＲＦＩＣ３に、通信バンド群Ｙに含まれる通信バンドＣ及びＤの受信信号を提供するための端子である。

　通信バンドとは、通信システムのために標準化団体など（例えば３ＧＰＰ（3rd Generation Partnership Project）及びＩＥＥＥ（Institute of Electrical and Electronics Engineers）等）によって予め定義された周波数バンドを意味する。

　ここでは、通信システムとは、無線アクセス技術（ＲＡＴ：Radio Access Technology）を用いて構築される通信システムを意味する。通信システムとしては、例えば５ＧＮＲ（5th Generation New Radio）システム、ＬＴＥ（Long Term Evolution）システム及びＷＬＡＮ（Wireless Local Area Network）システム等を用いることができるが、これに限定されない。

　通信バンド群とは、複数の通信バンドを含む周波数範囲を意味する。通信バンド群としては、例えばウルトラハイバンド群（3300～5000MHz）、ハイバンド群（2300～2690MHz）、ミドルバンド群（1427～2200MHz）、及びローバンド群（698～960MHz）等を用いることができるが、これらに限定されない。例えば、通信バンド群として、５ギガヘルツ以上のアンライセンスバンドを含む通信バンド群又はミリ波帯域の通信バンド群が用いられてもよい。

　通信バンド群Ｘは、第１通信バンド群の一例である。通信バンド群Ｙは、第２通信バンド群の一例であり、通信バンド群Ｘよりも低い。通信バンド群Ｘ及びＹとしては、例えばハイバンド群及びミドルバンド群を用いることができるが、これに限定されない。例えば、通信バンド群Ｘ及びＹとして、ミドルバンド群及びローバンド群が用いられてもよく、ハイバンド群及びローバンド群が用いられてもよい。

　通信バンドＡは、第１通信バンドの一例である。本実施の形態では、通信バンドＡとして、周波数分割複信（ＦＤＤ：Frequency Division Duplex）用の通信バンドが用いられている。より具体的には、通信バンドＡとして、ＬＴＥのためのＢａｎｄ７又は５ＧＮＲのためのｎ７が用いられるが、通信バンドＡは、これらに限定されない。

　通信バンドＢは、第１通信バンド又は第３通信バンドの一例である。本実施の形態では、通信バンドＢとして、時分割複信（ＴＤＤ：Time Division Duplex）用の通信バンドが用いられている。より具体的には、通信バンドＢとして、ＬＴＥのためのＢａｎｄ４１若しくはＢａｎｄ４０、又は、５ＧＮＲのためのｎ４１若しくはｎ４０が用いられるが、通信バンドＢは、これらに限定されない。

　通信バンドＣは、第２通信バンドの一例である。本実施の形態では、通信バンドＣとして、ＦＤＤ用の通信バンドが用いられている。より具体的には、通信バンドＣとして、ＬＴＥのためのＢａｎｄ１、Ｂａｎｄ２５、Ｂａｎｄ３若しくはＢａｎｄ６６、又は、５ＧＮＲのためのｎ１、ｎ２５、ｎ３若しくはｎ６６が用いられるが、通信バンドＣは、これらに限定されない。なお、通信バンドＣは、通信バンドＡ及び／又はＢと同時通信可能であってもよい。

　通信バンドＤは、第２通信バンド又は第４通信バンドの一例である。本実施の形態では、通信バンドＤとして、ＴＤＤ用の通信バンドが用いられている。より具体的には、通信バンドＤとして、ＬＴＥのためのＢａｎｄ３４若しくはＢａｎｄ３９、又は、５ＧＮＲのためのｎ３４若しくはｎ３９が用いられるが、通信バンドＤは、これらに限定されない。なお、通信バンドＤは、通信バンドＡ及び／又はＢと同時通信可能であってもよい。

　電力増幅器１１は、第１電力増幅器の一例であり、高周波入力端子１１１で受けた通信バンドＡ及びＢの送信信号を増幅することができる。ここでは、電力増幅器１１の入力は、高周波入力端子１１１に接続され、電力増幅器１１の出力は、スイッチ５２に接続されている。

　電力増幅器１２は、第２電力増幅器の一例であり、高周波入力端子１１２で受けた通信バンドＣ及びＤの送信信号を増幅することができる。ここでは、電力増幅器１２の入力は、高周波入力端子１１２に接続され、電力増幅器１２の出力は、スイッチ５４に接続されている。

　電力増幅器１１及び１２の各々の構成は特に限定されない。例えば、電力増幅器１１及び／又は１２は、単段構成であってもよく、多段構成であってもよい。例えば、電力増幅器１１及び／又は１２は、カスケード接続された複数の増幅素子を有してもよい。また、電力増幅器１１及び／又は１２は、高周波信号を差動信号（つまり相補信号）に変換して増幅してもよい。このような電力増幅器１１及び／又は１２は、差動増幅器と呼ばれる場合がある。

　低雑音増幅器２１は、第１低雑音増幅器の一例であり、アンテナ接続端子１０１又は１０２で受けた通信バンドＡ及びＢの受信信号を増幅することができる。低雑音増幅器２１で増幅された通信バンドＡ及びＢの受信信号は、高周波出力端子１２１に出力される。

　低雑音増幅器２２は、第２低雑音増幅器の一例であり、アンテナ接続端子１０１又は１０２で受けた通信バンドＣ及びＤの受信信号を増幅することができる。低雑音増幅器２２で増幅された通信バンドＣ及びＤの受信信号は、高周波出力端子１２２に出力される。

　低雑音増幅器２１及び２２の各々の構成は特に限定されない。例えば、低雑音増幅器２１及び／又は２２は、単段構成及び多段構成のどちらであってもよく、差動増幅器であってもよい。

　デュプレクサ６１は、第１フィルタの一例であり、通信バンドＡの高周波信号を通過させる。デュプレクサ６１は、通信バンドＡの送信信号と受信信号とをＦＤＤ方式で伝送する。デュプレクサ６１は、送信フィルタ６１Ｔ及び受信フィルタ６１Ｒを含む。

　送信フィルタ６１Ｔは、第１送信フィルタの一例であり、通信バンドＡのアップリンク動作バンド（uplink operating band）を含む通過帯域を有する。送信フィルタ６１Ｔの一端は、スイッチ５１を介してアンテナ接続端子１０１又は１０２に接続される。送信フィルタ６１Ｔの他端は、スイッチ５２を介して電力増幅器１１の出力に接続される。

　アップリンク動作バンドとは、アップリンク用に指定された、通信バンドの一部を意味する。高周波モジュール１では、アップリンク動作バンドは送信帯域を意味する。

　受信フィルタ６１Ｒは、第１受信フィルタの一例であり、通信バンドＡのダウンリンク動作バンド（downlink operating band）を含む通過帯域を有する。受信フィルタ６１Ｒの一端は、スイッチ５１を介してアンテナ接続端子１０１又は１０２に接続される。受信フィルタ６１Ｒの他端は、スイッチ５３を介して低雑音増幅器２１の入力に接続される。

　ダウンリンク動作バンドとは、ダウンリンク用に指定された、通信バンドの一部を意味する。高周波モジュール１では、ダウンリンク動作バンドは受信帯域を意味する。

　送受信フィルタ６２は、第１フィルタ又は第３フィルタの一例であり、通信バンドＢを含む通過帯域を有する。送受信フィルタ６２の一端は、スイッチ５１を介してアンテナ接続端子１０１又は１０２に接続される。送受信フィルタ６２の他端は、スイッチ５２を介して電力増幅器１１の出力に接続され、スイッチ５２及び５３を介して低雑音増幅器２１の入力に接続される。

　デュプレクサ６３は、第２フィルタの一例であり、通信バンドＣの高周波信号を通過させる。デュプレクサ６３は、通信バンドＣの送信信号と受信信号とをＦＤＤ方式で伝送する。デュプレクサ６３は、送信フィルタ６３Ｔ及び受信フィルタ６３Ｒを含む。

　送信フィルタ６３Ｔは、第２送信フィルタの一例であり、通信バンドＣのアップリンク動作バンドを含む通過帯域を有する。送信フィルタ６３Ｔの一端は、スイッチ５１を介してアンテナ接続端子１０１又は１０２に接続される。送信フィルタ６３Ｔの他端は、スイッチ５４を介して電力増幅器１２の出力に接続される。

　受信フィルタ６３Ｒは、第２受信フィルタの一例であり、通信バンドＣのダウンリンク動作バンドを含む通過帯域を有する。受信フィルタ６３Ｒの一端は、スイッチ５１を介してアンテナ接続端子１０１又は１０２に接続される。受信フィルタ６３Ｒの他端は、スイッチ５５を介して低雑音増幅器２２の入力に接続される。

　送受信フィルタ６４は、第２フィルタ又は第４フィルタの一例であり、通信バンドＤを含む通過帯域を有する。送受信フィルタ６４の一端は、スイッチ５１を介してアンテナ接続端子１０１又は１０２に接続される。送受信フィルタ６４の他端は、スイッチ５４を介して電力増幅器１２の出力に接続され、スイッチ５４及び５５を介して低雑音増幅器２２の入力に接続される。

　スイッチ５１は、第１スイッチの一例である。スイッチ５１は、端子５１１～５１６を有する。端子５１１及び５１２は、アンテナ接続端子１０１及び１０２にそれぞれ接続されている。端子５１３～５１６は、デュプレクサ６１、送受信フィルタ６２、デュプレクサ６３及び送受信フィルタ６４にそれぞれ接続されている。

　この接続構成において、スイッチ５１は、例えばＲＦＩＣ３からの制御信号に基づいて、端子５１３～５１６の少なくとも１つを端子５１１又は５１２に接続することができる。つまり、スイッチ５１は、アンテナ２Ａ及び２Ｂと、デュプレクサ６１及び６３並びに送受信フィルタ６２及び６４との間の接続及び非接続を切り替えることができる。スイッチ５１は、例えばマルチ接続型のスイッチ回路で構成され、アンテナスイッチと呼ばれる。

　スイッチ５２は、第２スイッチの一例である。スイッチ５２は、端子５２１～５２４を有する。端子５２１及び５２２は、送信フィルタ６１Ｔ及び送受信フィルタ６２にそれぞれ接続されている。端子５２３は、電力増幅器１１の出力に接続されている。端子５２４は、スイッチ５３の端子５３２に接続され、スイッチ５３を介して低雑音増幅器２１の入力に接続される。

　この接続構成において、スイッチ５２は、例えばＲＦＩＣ３からの制御信号に基づいて、端子５２１を端子５２３に接続し、端子５２２を端子５２３及び５２４のいずれかに接続することができる。つまり、スイッチ５２は、送信フィルタ６１Ｔと電力増幅器１１との接続及び非接続を切り替え、送受信フィルタ６２と電力増幅器１１及び低雑音増幅器２１の各々との接続及び非接続を切り替えることができる。スイッチ５２は、例えばマルチ接続型のスイッチ回路で構成される。

　スイッチ５３は、第３スイッチの一例である。スイッチ５３は、端子５３１～５３３を有する。端子５３１は、低雑音増幅器２１の入力に接続されている。端子５３２は、スイッチ５２の端子５２４に接続され、スイッチ５２を介して送受信フィルタ６２に接続される。端子５３３は、受信フィルタ６１Ｒに接続されている。

　この接続構成において、スイッチ５３は、例えばＲＦＩＣ３からの制御信号に基づいて、端子５３２及び／又は５３３を端子５３１に接続することができる。つまり、スイッチ５３は、受信フィルタ６１Ｒと低雑音増幅器２１との接続及び非接続を切り替え、送受信フィルタ６２と低雑音増幅器２１との接続及び非接続を切り替えることができる。スイッチ５３は、例えばマルチ接続型のスイッチ回路で構成される。

　スイッチ５４は、第２スイッチの一例である。スイッチ５４は、端子５４１～５４４を有する。端子５４１及び５４２は、送信フィルタ６３Ｔ及び送受信フィルタ６４にそれぞれ接続されている。端子５４３は、電力増幅器１２の出力に接続されている。端子５４４は、スイッチ５５の端子５５２に接続され、スイッチ５５を介して低雑音増幅器２２の入力に接続される。

　この接続構成において、スイッチ５４は、例えばＲＦＩＣ３からの制御信号に基づいて、端子５４１を端子５４３に接続し、端子５４２を端子５４３及び５４４のいずれかに接続することができる。つまり、スイッチ５４は、送信フィルタ６３Ｔと電力増幅器１２との接続及び非接続を切り替え、送受信フィルタ６４と電力増幅器１２及び低雑音増幅器２２の各々との接続及び非接続を切り替えることができる。スイッチ５４は、例えばマルチ接続型のスイッチ回路で構成される。

　スイッチ５５は、第３スイッチの一例である。スイッチ５５は、端子５５１～５５３を有する。端子５５１は、低雑音増幅器２２の入力に接続されている。端子５５２は、スイッチ５４の端子５４４に接続され、スイッチ５４を介して送受信フィルタ６４に接続される。端子５５３は、受信フィルタ６３Ｒに接続されている。

　この接続構成において、スイッチ５５は、例えばＲＦＩＣ３からの制御信号に基づいて、端子５５２及び／又は５５３を端子５５１に接続することができる。つまり、スイッチ５５は、受信フィルタ６３Ｒと低雑音増幅器２２との接続及び非接続を切り替え、送受信フィルタ６４と低雑音増幅器２２との接続及び非接続を切り替えることができる。スイッチ５５は、例えばマルチ接続型のスイッチ回路で構成される。

　なお、図１に表された回路素子のいくつかは、高周波モジュール１に含まれなくてもよい。例えば、高周波モジュール１は、少なくとも、電力増幅器１１及び１２と、スイッチ５１と、送信フィルタ６１Ｔ又は送受信フィルタ６２と、送信フィルタ６３Ｔ又は送受信フィルタ６４と、を備えればよく、他の回路素子を備えなくてもよい。

　［１．２　高周波モジュール１の部品配置］
　次に、以上のように構成された高周波モジュール１の部品配置について、図２及び図３を参照しながら具体的に説明する。

　図２は、実施の形態に係る高周波モジュール１の平面図である。具体的には、図２はｚ軸正側からモジュール基板９１の主面９１ａを見た図を示す。図３は、実施の形態に係る高周波モジュール１の断面図である。図３における高周波モジュール１の断面は、図２のｉｉｉ－ｉｉｉ線における断面である。

　図２及び図３に示すように、高周波モジュール１は、図１に示された回路素子を含む回路部品に加えて、さらに、モジュール基板９１と、樹脂部材９２と、グランド導体９３及び９４と、シールド電極層９５と、複数の外部接続端子１５０と、を備える。なお、図２では、樹脂部材９２及びシールド電極層９５の上部の図示が省略されている。

　モジュール基板９１は、互いに対向する主面９１ａ及び９１ｂを有する。本実施の形態では、モジュール基板９１は、平面視において矩形状を有するが、モジュール基板９１の形状はこれに限定されない。モジュール基板９１としては、例えば、複数の誘電体層の積層構造を有する低温同時焼成セラミックス（ＬＴＣＣ：Low Temperature Co-fired Ceramics）基板、高温同時焼成セラミックス（ＨＴＣＣ：High Temperature Co-fired Ceramics）基板、部品内蔵基板、再配線層（ＲＤＬ：Redistribution Layer）を有する基板、又は、プリント基板等を用いることができるが、これらに限定されない。

　主面９１ａは、第１主面の一例であり、上面又は表面と呼ばれる場合がある。主面９１ａは、グランド導体９３及び９４によって３つの領域Ｒ１、Ｒ２及びＲ３に区画されている。

　グランド導体９３及び９４の各々は、モジュール基板９１内のグランド電極パターン（図示せず）に接続され、グランド電位に設定される。また、グランド導体９３及び９４の各々は、主面９１ａから突出している。

　グランド導体９３は、主面９１ａ上に立つ金属壁であり、ｙ軸に沿って延びている。グランド導体９３は、領域Ｒ１及びＲ２の間を仕切っている。グランド導体９３の先端部及び側縁部は、シールド電極層９５と接合されている。

　グランド導体９４は、主面９１ａ上に立つ金属壁である。グランド導体９４は、ｘ軸に沿って延びる金属壁９４１と、金属壁９４１と接合されたｙ軸に沿って延びる金属壁９４２と、からなる。グランド導体９４は、領域Ｒ２及びＲ３の間を仕切っている。グランド導体９４の先端部及び側縁部は、シールド電極層９５と接合されている。

　領域Ｒ１は、第１領域の一例である。領域Ｒ１には、電力増幅器１１及び１２と、スイッチ５２及び５４と、が配置されている。スイッチ５２は、電力増幅器１１の隣りに配置され、電力増幅器１１とスイッチ５１との間に配置されている。スイッチ５２及び電力増幅器１１の間の距離は、電力増幅器１１及び送受信フィルタ６２の間の距離よりも短い。スイッチ５４は、電力増幅器１２の隣りに配置され、電力増幅器１２とスイッチ５１との間に配置されている。スイッチ５４及び電力増幅器１２の間の距離は、電力増幅器１２及び送受信フィルタ６４の間の距離よりも短い。

　領域Ｒ２は、第２領域の一例である。領域Ｒ２には、スイッチ５１と、送信フィルタ６１Ｔ及び６３Ｔと、受信フィルタ６１Ｒ及び６３Ｒと、送受信フィルタ６２及び６４と、が配置されている。ＦＤＤ用のフィルタ（送信フィルタ６１Ｔ及び６３Ｔ並びに受信フィルタ６１Ｒ及び６３Ｒ）の数は、ＴＤＤ用のフィルタ（送受信フィルタ６２及び６４）の数よりも多い。送受信フィルタ６２は、電力増幅器１１とスイッチ５１との間に配置されている。送受信フィルタ６４は、電力増幅器１２とスイッチ５１との間に配置されている。送信フィルタ６１Ｔ並びに受信フィルタ６１Ｒ及び６３Ｒは、スイッチ５１の隣りに配置されている。

　モジュール基板９１の平面視において、スイッチ５１は、送信フィルタ６１Ｔ及び６１Ｒと受信フィルタ６３Ｒとの間に配置されている。送受信フィルタ６２は、送信フィルタ６１Ｔ及び受信フィルタ６１Ｒとｘ軸に沿って並んで配置されており、送受信フィルタ６４は、受信フィルタ６３Ｒとｘ軸に沿って並んで配置されている。このように配置されることにより、異なるバンド群に対応するフィルタ間のアイソレーションを向上させることができる。

　なお、送信フィルタ６３Ｔは、送受信フィルタ６４のｙ軸の負方向に配置されているが、これに限定さない。送信フィルタ６３Ｔは、送受信フィルタ６４及び受信フィルタ６３Ｒの間に配置されてもよい。この場合、送受信フィルタ６４は、送信フィルタ６３Ｔ及び受信フィルタ６３Ｒとｘ軸に沿って並んで配置される。

　送信フィルタ６１Ｔ及び６３Ｔと受信フィルタ６１Ｒ及び６３Ｒと送受信フィルタ６２及び６４との各々は、例えば、弾性表面波フィルタ、ＢＡＷ（Bulk Acoustic Wave）を用いた弾性波フィルタ、ＬＣ共振フィルタ、及び誘電体フィルタのいずれであってもよく、さらには、これらには限定されない。

　領域Ｒ３は、第３領域の一例である。領域Ｒ３には、半導体集積回路２０が配置されている。半導体集積回路２０は、半導体チップ（ダイとも呼ばれる）の表面及び内部に形成された電子回路を有する電子部品である。本実施の形態では、半導体集積回路２０は、平面視において矩形状を有する。また、半導体集積回路２０は、低雑音増幅器２１及び２２並びにスイッチ５３及び５５を有する。なお、半導体集積回路２０の形状は、矩形に限定されない。また、半導体集積回路２０に内蔵される回路素子は、これらに限定されない。

　半導体集積回路２０は、例えば、ＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）で構成され、具体的にはＳＯＩ（Silicon on Insulator）プロセスにより構成されてもよい。これにより、半導体集積回路２０を安価に製造することが可能となる。なお、半導体集積回路２０は、ＧａＡｓ、ＳｉＧｅ及びＧａＮのうちの少なくとも１つで構成されてもよい。これにより、高品質な半導体集積回路２０を実現することができる。

　モジュール基板９１の平面視において、電力増幅器１１と半導体集積回路２０との間の距離ｄ１は、電力増幅器１２と半導体集積回路２０との間の距離ｄ２よりも長い。つまり、電力増幅器１１の方が電力増幅器１２よりも低雑音増幅器２１及び２２から遠い。また、モジュール基板９１の平面視において、送信フィルタ６１Ｔと半導体集積回路２０との間の距離ｄ３は、送信フィルタ６３Ｔと半導体集積回路２０との間の距離ｄ４よりも長い。つまり、送信フィルタ６１Ｔの方が送信フィルタ６３Ｔよりも低雑音増幅器２１及び２２から遠い。さらに、モジュール基板９１の平面視において、スイッチ５２と半導体集積回路２０との間の距離ｄ５は、スイッチ５４と半導体集積回路２０との間の距離ｄ６よりも長い。つまり、スイッチ５２の方がスイッチ５４よりも低雑音増幅器２１及び２２から遠い。

　また、モジュール基板９１の平面視において、送受信フィルタ６２は、スイッチ５１及び５２を結ぶ直線に対して低雑音増幅器２１と反対側に位置している。つまり、スイッチ５１及び５２を結ぶ直線で分割される主面９１ａ上の２つの領域の一方に送受信フィルタ６２が配置され、当該２つの領域の他方に低雑音増幅器２１が配置されている。これにより、送受信フィルタ６２の一端をスイッチ５１に接続する配線と、送受信フィルタ６２の他端をスイッチ５２を介して低雑音増幅器２１に接続する配線と、の間に十分な距離を取ることができる。したがって、送受信フィルタ６２の入力－出力間の結合を抑制することができ、信号の劣化を低減することができる。

　なお、スイッチ５１及び５２を結ぶ直線とは、スイッチ５１上の任意の点とスイッチ５２上の任意の点とを結ぶ複数の直線ののうちの少なくとも１つを意味する。つまり、当該複数の直線のうちの少なくとも１つに対して、送受信フィルタ６２は、低雑音増幅器２１と反対側に位置する。

　樹脂部材９２は、モジュール基板９１の主面９１ａ上に配置され、主面９１ａ及び主面９１ａ上の回路部品を覆っている。樹脂部材９２は、主面９１ａ上の部品の機械強度及び耐湿性等の信頼性を確保する機能を有する。

　シールド電極層９５は、例えばスパッタ法により形成された金属薄膜であり、樹脂部材９２の上表面及び側表面と、モジュール基板９１の側表面と、を覆うように形成されている。シールド電極層９５は、グランド電位に設定され、外来ノイズが高周波モジュール１を構成する回路部品に侵入することを抑制する。

　主面９１ｂは、第２主面の一例であり、下面又は裏面と呼ばれる場合がある。主面９１ｂには、図３に示すように、複数の外部接続端子１５０が配置されている。

　複数の外部接続端子１５０は、図１に示したアンテナ接続端子１０１及び１０２、高周波入力端子１１１及び１１２、並びに、高周波出力端子１２１及び１２２に加えて、グランド端子を含む。複数の外部接続端子１５０の各々は、高周波モジュール１のｚ軸負方向に配置されたマザー基板上の入出力端子及び／又はグランド端子等に接続される。複数の外部接続端子１５０としては、パッド電極を用いることができるが、これに限定されない。

　［１．３　効果など］
　以上のように、本実施の形態に係る高周波モジュール１は、電力増幅器１１と、電力増幅器１２と、低雑音増幅器２１と、通信バンド群Ｘに含まれる通信バンドＡを含む通過帯域を有し、電力増幅器１１及び低雑音増幅器２１に接続されるデュプレクサ６１と、通信バンド群Ｘよりも低域側の通信バンド群Ｙに含まれる通信バンドＣを含む通過帯域を有し、電力増幅器１２に接続されるデュプレクサ６３と、電力増幅器１１、電力増幅器１２、低雑音増幅器２１、デュプレクサ６１及び６３が配置されたモジュール基板９１と、を備え、モジュール基板９１の平面視において、電力増幅器１１及び低雑音増幅器２１の間の距離ｄ１は、電力増幅器１２及び低雑音増幅器２１の間の距離ｄ２よりも長い。

　これによれば、電力増幅器１１及び低雑音増幅器２１の間の距離ｄ１を電力増幅器１２及び低雑音増幅器２１の間の距離ｄ２よりも大きくすることができる。つまり、電力増幅器１１を低雑音増幅器２１から比較的遠くに離れて配置することができる。したがって、電力増幅器１１及び低雑音増幅器２１の間の電界結合、磁界結合又は電磁界結合を抑制することができ、送信信号と受信信号との干渉を抑制することができる。その結果、送信経路及び受信経路間のアイソレーション特性を向上させることができ、高周波モジュール１の電気特性を改善することができる。特に、周波数が高いほど電界結合、磁界結合又は電磁界結合が生じやすいので、電力増幅器１２よりも電力増幅器１１の方を低雑音増幅器２１から遠ざけることで、通信バンド群Ｘにおける受信感度の低下を効果的に抑制することができる。

　また例えば、本実施の形態に係る高周波モジュール１において、通信バンドＡは、ＦＤＤ用の通信バンドであり、デュプレクサ６１は、通信バンドＡのアップリンク動作バンドを含む通過帯域を有し、電力増幅器１１に接続される送信フィルタ６１Ｔと、通信バンドＡのダウンリンク動作バンドを含む通過帯域を有し、低雑音増幅器２１に接続される受信フィルタ６１Ｒと、を有してもよい。

　これによれば、ＦＤＤ用の通信バンドＡにおいて、受信感度の低下を抑制することができる。

　また例えば、本実施の形態に係る高周波モジュール１は、さらに、アンテナ接続端子１０１及び１０２に接続されたスイッチ５１と、電力増幅器１１に接続されたスイッチ５２と、通信バンド群Ｘに含まれる通信バンドＢを含む通過帯域を有する送受信フィルタ６２であって、一端がスイッチ５１を介してアンテナ接続端子１０１又は１０２に接続され、他端が、スイッチ５２を介して電力増幅器１１に接続される送受信フィルタ６２と、を備えてもよく、デュプレクサ６１は、スイッチ５１を介してアンテナ接続端子１０１又は１０２に接続され、送信フィルタ６１Ｔは、スイッチ５２を介して電力増幅器１１に接続されてもよい。

　これによれば、通信バンド群Ｘに含まれる通信バンドＡ及びＢで電力増幅器１１を共用することができる。したがって、部品点数を削減して高周波モジュール１の小型化に貢献することができる。

　また例えば、本実施の形態に係る高周波モジュール１は、さらに、低雑音増幅器２１に接続されたスイッチ５３を備えてもよく、受信フィルタ６１Ｒは、スイッチ５３を介して低雑音増幅器２１に接続され、送受信フィルタ６２の他端は、スイッチ５２及び５３を介して低雑音増幅器２１に接続されてもよい。

　これによれば、通信バンド群Ｘに含まれる通信バンドＡ及びＢで低雑音増幅器２１を共用することができる。したがって、部品点数を削減して高周波モジュール１の小型化に貢献することができる。

　また例えば、本実施の形態に係る高周波モジュール１は、さらに、低雑音増幅器２２を備えてもよく、通信バンドＣは、ＦＤＤ用の通信バンドであり、デュプレクサ６３は、通信バンドＣのアップリンク動作バンドを含む通過帯域を有し、電力増幅器１２に接続される送信フィルタ６３Ｔと、通信バンドＣのダウンリンク動作バンドを含む通過帯域を有し、低雑音増幅器２２に接続される受信フィルタ６３Ｒと、を有してもよい。

　これによれば、高周波モジュール１は、ＦＤＤ用の通信バンドＣの通信に対応することができる。

　また例えば、本実施の形態に係る高周波モジュール１では、モジュール基板９１の平面視において、電力増幅器１１及び低雑音増幅器２２の間の距離ｄ１は、電力増幅器１２及び低雑音増幅器２２の間の距離ｄ２よりも大きくてもよい。

　これによれば、電力増幅器１１を低雑音増幅器２２から比較的遠くに離れて配置することができる。したがって、電力増幅器１１及び低雑音増幅器２２の間の電界結合、磁界結合又は電磁界結合を抑制することができ、送信信号と受信信号との干渉を抑制することができる。その結果、送信経路及び受信経路間のアイソレーション特性を向上させることができ、高周波モジュール１の電気特性を改善することができる。特に、周波数が高いほど電界結合、磁界結合又は電磁界結合が生じやすいので、電力増幅器１２よりも電力増幅器１１の方を低雑音増幅器２２から遠ざけることで、通信バンド群Ｙにおける受信感度の低下を効果的に抑制することができる。

　また例えば、本実施の形態に係る高周波モジュール１では、モジュール基板９１の平面視において、送信フィルタ６１Ｔ及び低雑音増幅器２１の間の距離ｄ３は、送信フィルタ６３Ｔ及び低雑音増幅器２１の間の距離ｄ４よりも大きくてもよい。

　これによれば、送信フィルタ６１Ｔを低雑音増幅器２１から比較的遠くに離れて配置することができる。したがって、送信フィルタ６１Ｔを低雑音増幅器２１の間の電界結合、磁界結合又は電磁界結合を抑制することができ、送信信号と受信信号との干渉を抑制することができる。その結果、送信経路及び受信経路間のアイソレーション特性を向上させることができ、高周波モジュール１の電気特性を改善することができる。特に、周波数が高いほど電界結合、磁界結合又は電磁界結合が生じやすいので、送信フィルタ６３Ｔよりも送信フィルタ６１Ｔの方を低雑音増幅器２１から遠ざけることで、通信バンド群Ｘにおける受信感度の低下を効果的に抑制することができる。

　また例えば、本実施の形態に係る高周波モジュール１では、モジュール基板９１の平面視において、送信フィルタ６１Ｔ及び低雑音増幅器２２の間の距離ｄ３は、送信フィルタ６３Ｔ及び低雑音増幅器２２の間の距離ｄ４よりも大きくてもよい。

　これによれば、送信フィルタ６１Ｔを低雑音増幅器２２から比較的遠くに離れて配置することができる。したがって、送信フィルタ６１Ｔを低雑音増幅器２２の間の電界結合、磁界結合又は電磁界結合を抑制することができ、送信信号と受信信号との干渉を抑制することができる。その結果、送信経路及び受信経路間のアイソレーション特性を向上させることができ、高周波モジュール１の電気特性を改善することができる。特に、周波数が高いほど電界結合、磁界結合又は電磁界結合が生じやすいので、送信フィルタ６３Ｔよりも送信フィルタ６１Ｔの方を低雑音増幅器２２から遠ざけることで、通信バンド群Ｙにおける受信感度の低下を効果的に抑制することができる。

　また例えば、本実施の形態に係る高周波モジュール１は、さらに、電力増幅器１２に接続されたスイッチ５４と、低雑音増幅器２２に接続されたスイッチ５５と、通信バンド群Ｙに含まれるＴＤＤ用の通信バンドＤを含む通過帯域を有する送受信フィルタ６４であって、一端がスイッチ５１を介してアンテナ接続端子１０１又は１０２に接続され、他端が、スイッチ５４を介して電力増幅器１２に接続され、かつ、スイッチ５４及び５５を介して低雑音増幅器２２に接続される送受信フィルタ６４と、を備えてもよく、デュプレクサ６３は、スイッチ５１を介してアンテナ接続端子１０１又は１０２に接続され、送信フィルタ６３Ｔは、スイッチ５４を介して電力増幅器１２に接続され、受信フィルタ６３Ｒは、スイッチ５５を介して低雑音増幅器２２に接続されてもよい。

　これによれば、通信バンド群Ｙに含まれる通信バンドＣ及びＤで電力増幅器１２及び低雑音増幅器２２を共用することができる。したがって、部品点数を削減して高周波モジュール１の小型化に貢献することができる。

　また例えば、本実施の形態に係る高周波モジュール１では、モジュール基板９１の平面視において、スイッチ５２及び低雑音増幅器２１の間の距離ｄ５は、スイッチ５４及び低雑音増幅器２１の間の距離ｄ６よりも大きくてもよい。

　これによれば、スイッチ５２を低雑音増幅器２１から比較的遠くに離れて配置することができる。したがって、スイッチ５２を低雑音増幅器２１の間の電界結合、磁界結合又は電磁界結合を抑制することができ、送信信号と受信信号との干渉を抑制することができる。その結果、送信経路及び受信経路間のアイソレーション特性を向上させることができ、高周波モジュール１の電気特性を改善することができる。特に、周波数が高いほど電界結合、磁界結合又は電磁界結合が生じやすいので、スイッチ５４よりもスイッチ５２の方を低雑音増幅器２１から遠ざけることで、通信バンド群Ｘにおける受信感度の低下を効果的に抑制することができる。

　また例えば、本実施の形態に係る高周波モジュール１では、モジュール基板９１の平面視において、スイッチ５２及び低雑音増幅器２２の間の距離ｄ５は、スイッチ５４及び低雑音増幅器２２の間の距離ｄ６よりも大きくてもよい。

　これによれば、スイッチ５２を低雑音増幅器２２から比較的遠くに離れて配置することができる。したがって、スイッチ５２を低雑音増幅器２２の間の電界結合、磁界結合又は電磁界結合を抑制することができ、送信信号と受信信号との干渉を抑制することができる。その結果、送信経路及び受信経路間のアイソレーション特性を向上させることができ、高周波モジュール１の電気特性を改善することができる。特に、周波数が高いほど電界結合、磁界結合又は電磁界結合が生じやすいので、スイッチ５４よりもスイッチ５２の方を低雑音増幅器２２から遠ざけることで、通信バンド群Ｘにおける受信感度の低下を効果的に抑制することができる。

　また例えば、本実施の形態に係る高周波モジュール１において、モジュール基板９１は、互いに対向する主面９１ａ及び９１ｂを有し、主面９１ａには、スイッチ５１～５５、デュプレクサ６１及び６３、送受信フィルタ６２及び６４、電力増幅器１１及び１２、並びに、低雑音増幅器２１及び２２が配置され、主面９１ｂには、複数の外部接続端子１５０が配置されてもよい。

　これによれば、表面実装部品をモジュール基板９１の一方の主面９１ａのみに配置することができ、高周波モジュール１の製造工程を簡略化することができる。

　また例えば、本実施の形態に係る高周波モジュール１は、さらに、主面９１ａを領域Ｒ１、Ｒ２及びＲ３に区画するグランド導体９３及び９４を備え、電力増幅器１１及び１２とスイッチ５２及び５４は、領域Ｒ１に配置され、スイッチ５１と、送信フィルタ６１Ｔ及び６３Ｔと、受信フィルタ６１Ｒ及び６３Ｒと、送受信フィルタ６２及び６４とは、領域Ｒ２に配置され、低雑音増幅器２１及び２２とスイッチ５３及び５５とは、領域Ｒ３に配置されてもよい。

　これによれば、電力増幅器１１及び１２と低雑音増幅器２１及び２２とを、グランド導体９３及び９４で区画された３つの領域のうちの異なる領域Ｒ１及びＲ３に配置することができ、送信経路及び受信経路の間のアイソレーションを向上させることができる。さらに、スイッチ５１と、送信フィルタ６１Ｔ及び６３Ｔと、受信フィルタ６１Ｒ及び６３Ｒと、送受信フィルタ６２及び６４と、を同一の領域Ｒ２に配置することができ、スイッチ５１及び各フィルタの間の配線長を短くすることができる。したがって、高周波モジュール１の電気特性をより改善することができる。特に、複数の通信バンドで同時通信が行われる場合に、高周波モジュール１は、配線の浮遊容量による不整合損を抑制することができ、ＮＦの改善に貢献することができる。

　また例えば、本実施の形態に係る高周波モジュール１において、グランド導体９３及び９４は、主面９１ａ上に立つ金属壁であってもよい。

　これによれば、複数の領域Ｒ１、Ｒ２及びＲ３を金属壁で隔てることができ、高周波モジュール１は、送信経路及び受信経路の間のアイソレーションをより向上させることができる。

　また例えば、本実施の形態に係る高周波モジュール１は、さらに、主面９１ａを覆う樹脂部材９２と、樹脂部材９２の表面を覆うシールド電極層９５と、を備え、グランド導体９３及び９４の各々の先端部及び側縁部の少なくとも一方は、シールド電極層９５と接合されてもよい。

　これによれば、グランド導体９３及び９４の各々の先端部及び／又は側縁部をシールド電極層９５と接続することができる。したがって、グランド導体９３及び９４のグランド電位を安定させることができ、グランド導体９３及び９４によるシールド効果を向上させることができる。

　また例えば、本実施の形態に係る高周波モジュール１において、通信バンドＡは、ＬＴＥのためのＢａｎｄ７又は５ＧＮＲのためのｎ７であってもよい。また例えば、通信バンドＣは、ＬＴＥのためのＢａｎｄ１、Ｂａｎｄ２５、Ｂａｎｄ３若しくはＢａｎｄ６６、又は、５ＧＮＲのためのｎ１、ｎ２５、ｎ３若しくはｎ６６であってもよい。また例えば、通信バンドＢは、ＬＴＥのためのＢａｎｄ４１若しくはＢａｎｄ４０、又は、５ＧＮＲのためのｎ４１若しくはｎ４０であってもよい。また例えば、通信バンドＤは、ＬＴＥのためのＢａｎｄ３４若しくはＢａｎｄ３９、又は、５ＧＮＲのためのｎ３４若しくはｎ３９であってもよい。

　これによれば、ＬＴＥシステム及び／又は５ＧＮＲシステムに、高周波モジュール１を用いることができる。

　また、本実施の形態に係る通信装置５は、高周波信号を処理するＲＦＩＣ３と、ＲＦＩＣ３とアンテナ２Ａ及び２Ｂとの間で高周波信号を伝送する高周波モジュール１と、を備える。

　これによれば、通信装置５において、高周波モジュール１と同様の効果を実現することができる。

　（他の実施の形態）
　以上、本発明に係る高周波モジュール及び通信装置について、実施の形態に基づいて説明したが、本発明に係る高周波モジュール及び通信装置は、上記実施の形態に限定されるものではない。上記実施の形態における任意の構成要素を組み合わせて実現される別の実施の形態や、上記実施の形態に対して本発明の主旨を逸脱しない範囲で当業者が思いつく各種変形を施して得られる変形例や、上記高周波モジュール及び通信装置を内蔵した各種機器も本発明に含まれる。

　例えば、上記各実施の形態に係る高周波モジュール及び通信装置の回路構成において、図面に開示された各回路素子及び信号経路を接続する経路の間に、別の回路素子及び配線などが挿入されてもよい。例えば、デュプレクサ６１及びスイッチ５１の間と、送受信フィルタ６２及びスイッチ５１の間と、デュプレクサ６３及びスイッチ５１の間と、送受信フィルタ６４及びスイッチ５１の間と、の少なくとも１つに、インピーダンス整合回路が挿入されてもよい。また、インピーダンス整合回路は、例えば、電力増幅器１１及びスイッチ５２の間と、低雑音増幅器２１及びスイッチ５３の間と、電力増幅器１２及びスイッチ５４の間と、低雑音増幅器２２及びスイッチ５５の間と、の少なくとも１つに挿入されてもよい。インピーダンス整合回路は、例えばインダクタ、及び／又は、キャパシタにより構成することができる。

　なお、上記実施の形態では、デュプレクサ６１及び送受信フィルタ６２と電力増幅器１１及び低雑音増幅器２１との接続及び非接続に２つのスイッチ５２及び５３が用いられていたが、スイッチの構成はこれに限定されない。例えば、スイッチ５２及び５３は、単一のスイッチで構成されてもよい。この場合、単一のスイッチは、送信フィルタ６１Ｔと、受信フィルタ６１Ｒと、送受信フィルタ６２と、電力増幅器１１の出力と、低雑音増幅器２１の出力と、にそれぞれ接続される５つの端子を有すればよい。また、スイッチ５４及び５５も、スイッチ５２及び５３と同様に単一のスイッチで構成されてもよい。

　なお、上記実施の形態における部品の配置は、一例であり、これに限定されない。例えば、上記実施の形態において、半導体集積回路２０及び／又はスイッチ５１は、主面９１ｂに配置されてもよい。つまり、モジュール基板９１は、互いに対向する主面９１ａ及び９１ｂを有し、主面９１ａには、デュプレクサ６１と、送受信フィルタ６２と、デュプレクサ６３と、送受信フィルタ６４と、電力増幅器１１及び１２と、が配置され、主面９１ｂには、スイッチ５１、５３及び５５と、低雑音増幅器２１及び２２と、複数の外部接続端子１５０と、が配置されてもよい。この場合、複数の外部接続端子１５０として、ポスト電極及び／又はバンプ電極が用いられてもよい。これによれば、モジュール基板９１の両面に部品を配置できるので、高周波モジュール１の小型化を実現することができる。なお、スイッチ５２及び／又は５４は、主面９１ａに配置されてもよい。このとき、スイッチ５２の少なくとも一部及び／又はスイッチ５４の少なくとも一部は、モジュール基板９１の平面視において、主面９１ｂに配置された、低雑音増幅器２１の少なくとも一部及び／又は低雑音増幅器２２の少なくとも一部と重なってもよい。

　なお、上記実施の形態において、高周波モジュール１は、２つのアンテナ２Ａ及び２Ｂに接続するために２つのアンテナ接続端子１０１及び１０２を備えていたが、アンテナ接続端子の数は、これに限定されない。例えば、アンテナ接続端子の数は、１つであってもよく、３以上であってもよい。

　なお、上記実施の形態では、高周波モジュール１は、低雑音増幅器２１に接続されるフィルタを切り替えるためのスイッチ５３を備えていたが、スイッチ５３を備えなくてもよい。この場合、高周波モジュール１は、低雑音増幅器２１の代わりに、２つの低雑音増幅器を備えてもよい。このとき、受信フィルタ６１Ｒの他端は、２つの低雑音増幅器の一方に接続され、送受信フィルタ６２の他端は、スイッチ５２を介して２つの低雑音増幅器の他方に接続されてもよい。

　同様に、高周波モジュール１は、スイッチ５５を備えてもよい。この場合、高周波モジュール１は、低雑音増幅器２２の代わりに、２つの低雑音増幅器を備えてもよい。このとき、受信フィルタ６３Ｒの他端は、２つの低雑音増幅器の一方に接続され、送受信フィルタ６４の他端は、スイッチ５４を介して２つの低雑音増幅器の他方に接続されてもよい。

　本発明は、フロントエンド部に配置される高周波モジュールとして、携帯電話などの通信機器に広く利用できる。

　１　高周波モジュール
　２Ａ、２Ｂ　アンテナ
　３　ＲＦＩＣ
　４　ＢＢＩＣ
　５　通信装置
　１１、１２　電力増幅器
　２０　半導体集積回路
　２１、２２　低雑音増幅器
　５１、５２、５３、５４、５５　スイッチ
　６１、６３　デュプレクサ
　６１Ｒ、６３Ｒ　受信フィルタ
　６１Ｔ、６３Ｔ　送信フィルタ
　６２、６４　送受信フィルタ
　９１　モジュール基板
　９１ａ、９１ｂ　主面
　９２　樹脂部材
　９３、９４　グランド導体
　９５　シールド電極層
　１０１、１０２　アンテナ接続端子
　１１１、１１２　高周波入力端子
　１２１、１２２　高周波出力端子
　１５０　外部接続端子
　５１１、５１２、５１３、５１４、５１５、５１６、５２１、５２２、５２３、５２４、５３１、５３２、５３３、５４１、５４２、５４３、５４４、５５１、５５２、５５３　端子
　９４１、９４２　金属壁
　ｄ１、ｄ２、ｄ３、ｄ４、ｄ５、ｄ６　距離
　Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３　領域

Claims

　第１電力増幅器と、
　第２電力増幅器と、
　第１低雑音増幅器と、
　第１通信バンド群に含まれる第１通信バンドを含む通過帯域を有し、前記第１電力増幅器及び前記第１低雑音増幅器に接続される第１フィルタと、
　前記第１通信バンド群よりも低域側の第２通信バンド群に含まれる第２通信バンドを含む通過帯域を有し、前記第２電力増幅器に接続される第２フィルタと、
　前記第１電力増幅器、前記第２電力増幅器、前記第１低雑音増幅器、前記第１フィルタ及び前記第２フィルタが配置されたモジュール基板と、を備え、
　前記モジュール基板の平面視において、前記第１電力増幅器及び前記第１低雑音増幅器の間の距離は、前記第２電力増幅器及び前記第１低雑音増幅器の間の距離よりも長い、
　高周波モジュール。
　前記第１通信バンドは、周波数分割複信用の通信バンドであり、
　前記第１フィルタは、
　前記第１通信バンドのアップリンク動作バンドを含む通過帯域を有し、前記第１電力増幅器に接続される第１送信フィルタと、
　前記第１通信バンドのダウンリンク動作バンドを含む通過帯域を有し、前記第１低雑音増幅器に接続される第１受信フィルタと、を有する、
　請求項１に記載の高周波モジュール。
　前記高周波モジュールは、さらに、
　アンテナ接続端子に接続された第１スイッチと、
　前記第１電力増幅器に接続された第２スイッチと、
　前記第１通信バンド群に含まれる第３通信バンドを含む通過帯域を有する第３フィルタであって、一端が前記第１スイッチを介して前記アンテナ接続端子に接続され、他端が、前記第２スイッチを介して前記第１電力増幅器に接続される第３フィルタと、を備え、
　前記第１フィルタは、前記第１スイッチを介して前記アンテナ接続端子に接続され、
　前記第１送信フィルタは、前記第２スイッチを介して前記第１電力増幅器に接続される、
　請求項２に記載の高周波モジュール。
　前記高周波モジュールは、さらに、
　前記第１低雑音増幅器に接続された第３スイッチを備え、
　前記第３フィルタの前記他端は、前記第２スイッチ及び前記第３スイッチを介して前記第１低雑音増幅器に接続され、
　前記第１受信フィルタは、前記第３スイッチを介して前記第１低雑音増幅器に接続される、
　請求項３に記載の高周波モジュール。
　前記高周波モジュールは、さらに、第２低雑音増幅器を備え、
　前記第２通信バンドは、周波数分割複信用の通信バンドであり、
　前記第２フィルタは、
　前記第２通信バンドのアップリンク動作バンドを含む通過帯域を有し、前記第２電力増幅器に接続される第２送信フィルタと、
　前記第２通信バンドのダウンリンク動作バンドを含む通過帯域を有し、前記第２低雑音増幅器に接続される第２受信フィルタと、を有する、
　請求項４に記載の高周波モジュール。
　前記モジュール基板の平面視において、前記第１電力増幅器及び前記第２低雑音増幅器の間の距離は、前記第２電力増幅器及び前記第２低雑音増幅器の間の距離よりも長い、
　請求項５に記載の高周波モジュール。
　前記モジュール基板の平面視において、前記第１送信フィルタ及び前記第１低雑音増幅器の間の距離は、前記第２送信フィルタ及び前記第１低雑音増幅器の間の距離よりも長い、
　請求項５又は６に記載の高周波モジュール。
　前記モジュール基板の平面視において、前記第１送信フィルタ及び前記第２低雑音増幅器の間の距離は、前記第２送信フィルタ及び前記第２低雑音増幅器の間の距離よりも長い、
　請求項５～７のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
　前記高周波モジュールは、さらに、
　前記第２電力増幅器に接続された第４スイッチと、
　前記第２低雑音増幅器に接続された第５スイッチと、
　前記第２通信バンド群に含まれる第４通信バンドを含む通過帯域を有する第４フィルタであって、一端が前記第１スイッチを介して前記アンテナ接続端子に接続され、他端が、前記第４スイッチを介して前記第２電力増幅器に接続され、かつ、前記第４スイッチ及び前記第５スイッチを介して前記第２低雑音増幅器に接続される第４フィルタと、を備え、
　前記第２フィルタは、前記第１スイッチを介して前記アンテナ接続端子に接続され、
　前記第２送信フィルタは、前記第４スイッチを介して前記第２電力増幅器に接続され、
　前記第２受信フィルタは、前記第５スイッチを介して前記第２低雑音増幅器に接続される、
　請求項５～８のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
　前記モジュール基板の平面視において、前記第２スイッチ及び前記第１低雑音増幅器の間の距離は、前記第４スイッチ及び前記第１低雑音増幅器の間の距離よりも長い、
　請求項９に記載の高周波モジュール。
　前記モジュール基板の平面視において、前記第２スイッチ及び前記第２低雑音増幅器の間の距離は、前記第４スイッチ及び前記第２低雑音増幅器の間の距離よりも長い、
　請求項９又は１０に記載の高周波モジュール。
　前記モジュール基板は、互いに対向する第１主面及び第２主面を有し、
　前記第１主面には、前記第１フィルタ、前記第２フィルタ、前記第３フィルタ、前記第４フィルタ、前記第１電力増幅器及び前記第２電力増幅器が配置され、
　前記第２主面には、前記第１スイッチ、前記第３スイッチ、前記第５スイッチ、前記第１低雑音増幅器、前記第２低雑音増幅器及び複数の外部接続端子が配置されている、
　請求項９～１１のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
　前記モジュール基板は、互いに対向する第１主面及び第２主面を有し、
　前記第１主面には、前記第１スイッチ、前記第２スイッチ、前記第３スイッチ、前記第４スイッチ、前記第５スイッチ、前記第１フィルタ、前記第２フィルタ、前記第３フィルタ、前記第４フィルタ、前記第１電力増幅器、前記第２電力増幅器、前記第１低雑音増幅器及び前記第２低雑音増幅器が配置され、
　前記第２主面には、複数の外部接続端子が配置されている、
　請求項９～１１のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
　前記高周波モジュールは、さらに、前記第１主面を第１領域、第２領域及び第３領域に区画するグランド導体を備え、
　前記第１電力増幅器、前記第２電力増幅器、前記第２スイッチ及び前記第４スイッチは、前記第１領域に配置され、
　前記第１スイッチ、前記第１フィルタ、前記第２フィルタ、前記第３フィルタ及び前記第４フィルタは、前記第２領域に配置され、
　前記第１低雑音増幅器、前記第２低雑音増幅器、前記第３スイッチ及び前記第５スイッチは、前記第３領域に配置されている、
　請求項１３に記載の高周波モジュール。
　前記グランド導体は、前記第１主面上に立つ金属壁体である、
　請求項１４に記載の高周波モジュール。
　前記高周波モジュールは、さらに、
　前記第１主面を覆う樹脂部材と、
　前記樹脂部材の表面を覆うシールド電極層と、を備え、
　前記グランド導体の先端部及び側縁部の少なくとも一方は、前記シールド電極層と接合されている、
　請求項１４又は１５に記載の高周波モジュール。
　前記第１通信バンドは、ＬＴＥのためのＢａｎｄ７又は５ＧＮＲのためのｎ７である、
　請求項１～１６のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
　前記第２通信バンドは、ＬＴＥのためのＢａｎｄ１、Ｂａｎｄ２５、Ｂａｎｄ３若しくはＢａｎｄ６６、又は、５ＧＮＲのためのｎ１、ｎ２５、ｎ３若しくはｎ６６である、
　請求項１～１７のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
　前記第３通信バンドは、ＬＴＥのためのＢａｎｄ４１若しくはＢａｎｄ４０、又は、５ＧＮＲのためのｎ４１若しくはｎ４０である、
　請求項５～７のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
　前記第４通信バンドは、ＬＴＥのためのＢａｎｄ３４若しくはＢａｎｄ３９、又は、５ＧＮＲのためのｎ３４若しくはｎ３９である、
　請求項９～１１のいずれか１項に記載の高周波モジュール。