JP2021150849A - 高周波モジュール及び通信装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】実装基板の厚さ方向における低背化を図る。【解決手段】高周波モジュールは、実装基板９と、電子部品と、外部接続端子と、弾性波フィルタ２と、を備える。実装基板９は、互いに対向する第１主面９１及び第２主面９２を有する。パワーアンプは、実装基板９の第１主面９１に配置されている。外部接続端子は、実装基板９の第２主面９２に配置されている。弾性波フィルタ２は、実装基板９の第２主面９２に配置されている。弾性波フィルタ２は、ベアチップである。【選択図】図３
Description
本発明は、一般に高周波モジュール及び通信装置に関し、より詳細には、実装基板と弾性波フィルタとを備える高周波モジュール、及びそれを備える通信装置に関する。
従来、高周波モジュールとして、基板（実装基板）と、基板に設けられたフィルタ部と、基板に設けられたスイッチＩＣと、増幅部と、を備えるフロントエンドモジュールが知られている（例えば、特許文献１参照）。
特許文献１に開示されたフロントエンドモジュールの一例では、フィルタ部は、基板の一方主面に設けられ、スイッチＩＣは、基板の他方主面に設けられている。
また、フロントエンドモジュールは、基板の他方主面に設けられた複数の電極（外部接続端子）を備える。
また、特許文献１には、アンテナ素子で送受信される高周波信号を処理するＲＦ信号処理回路と、フロントエンドモジュールと、を備える通信装置が開示されている。
高周波モジュールにおいては、実装基板の一方主面及び他方主面それぞれに部品を実装して実装基板の小型化を図る場合に、実装基板の厚さ方向における高周波モジュールの低背化が求められる場合がある。
本発明の目的は、実装基板の厚さ方向における低背化を図ることが可能な高周波モジュール及び通信装置を提供することにある。
本発明の一態様に係る高周波モジュールは、実装基板と、電子部品と、外部接続端子と、弾性波フィルタと、を備える。前記実装基板は、互いに対向する第１主面及び第２主面を有する。前記電子部品は、前記実装基板の前記第１主面に配置されている。前記外部接続端子は、前記実装基板の前記第２主面に配置されている。前記弾性波フィルタは、前記実装基板の前記第２主面に配置されている。前記弾性波フィルタは、ベアチップである。
本発明の一態様に係る通信装置は、前記高周波モジュールと、信号処理回路と、を備える。前記信号処理回路は、前記高周波モジュールの前記ベアチップの弾性波フィルタを通過する高周波信号を信号処理する。
本発明の上記態様に係る高周波モジュール及び通信装置は、実装基板の厚さ方向における低背化を図ることが可能となる。
以下の実施形態等において参照する図２〜６、８及び１０〜１３は、いずれも模式的な図であり、図中の各構成要素の大きさや厚さそれぞれの比が、必ずしも実際の寸法比を反映しているとは限らない。
（実施形態１）
以下、実施形態１に係る高周波モジュール１及び通信装置３００について、図１〜３を参照して説明する。
以下、実施形態１に係る高周波モジュール１及び通信装置３００について、図１〜３を参照して説明する。
（１）高周波モジュール及び通信装置
（１．１）高周波モジュール及び通信装置の概要
実施形態１に係る高周波モジュール１及び通信装置３００の回路構成について、図１を参照して説明する。
（１．１）高周波モジュール及び通信装置の概要
実施形態１に係る高周波モジュール１及び通信装置３００の回路構成について、図１を参照して説明する。
実施形態１に係る高周波モジュール１は、例えば、通信装置３００に用いられる。通信装置３００は、例えば、携帯電話（例えば、スマートフォン）であるが、これに限らず、例えば、ウェアラブル端末（例えば、スマートウォッチ）であってもよい。高周波モジュール１は、例えば、４Ｇ（第４世代移動通信）規格、５Ｇ（第５世代移動通信）規格に対応可能なモジュールである。４Ｇ規格は、例えば、３ＧＰＰ ＬＴＥ規格（ＬＴＥ：Long Term Evolution）である。５Ｇ規格は、例えば、５Ｇ ＮＲ（New Radio）である。高周波モジュール１は、キャリアアグリゲーション及びデュアルコネクティビティに対応可能なモジュールである。
高周波モジュール１は、例えば、信号処理回路３０１から入力された送信信号（高周波信号）を増幅してアンテナ３１０に出力できるように構成されている。また、高周波モジュール１は、アンテナ３１０から入力された受信信号（高周波信号）を増幅して信号処理回路３０１に出力できるように構成されている。信号処理回路３０１は、高周波モジュール１の構成要素ではなく、高周波モジュール１を備える通信装置３００の構成要素である。実施形態１に係る高周波モジュール１は、例えば、通信装置３００の備える信号処理回路３０１によって制御される。通信装置３００は、高周波モジュール１と、信号処理回路３０１と、を備える。通信装置３００は、アンテナ３１０を更に備える。通信装置３００は、高周波モジュール１が実装された回路基板を更に備える。回路基板は、例えば、プリント配線板である。回路基板は、グランド電位が与えられるグランド電極を有する。
信号処理回路３０１は、例えば、ＲＦ信号処理回路３０２と、ベースバンド信号処理回路３０３と、を含む。ＲＦ信号処理回路３０２は、例えばＲＦＩＣ（Radio Frequency Integrated Circuit）であり、高周波信号に対する信号処理を行う。ＲＦ信号処理回路３０２は、例えば、ベースバンド信号処理回路３０３から出力された高周波信号（送信信号）に対してアップコンバート等の信号処理を行い、信号処理が行われた高周波信号を出力する。また、ＲＦ信号処理回路３０２は、例えば、高周波モジュール１から出力された高周波信号（受信信号）に対してダウンコンバート等の信号処理を行い、信号処理が行われた高周波信号をベースバンド信号処理回路３０３へ出力する。ベースバンド信号処理回路３０３は、例えばＢＢＩＣ（Baseband Integrated Circuit）である。ベースバンド信号処理回路３０３は、ベースバンド信号からＩ相信号及びＱ相信号を生成する。ベースバンド信号は、例えば、外部から入力される音声信号、画像信号等である。ベースバンド信号処理回路３０３は、Ｉ相信号とＱ相信号とを合成することでＩＱ変調処理を行って、送信信号を出力する。この際、送信信号は、所定周波数の搬送波信号を、当該搬送波信号の周期よりも長い周期で振幅変調した変調信号（ＩＱ信号）として生成される。ベースバンド信号処理回路３０３で処理された受信信号は、例えば、画像信号として画像表示のために、又は、音声信号として通話のために使用される。高周波モジュール１は、アンテナ３１０と信号処理回路３０１のＲＦ信号処理回路３０２との間で高周波信号（受信信号、送信信号）を伝達する。
実施形態１に係る高周波モジュール１は、パワーアンプ１１と、２つ以上（例えば、３つ）のフィルタ３２Ａ〜３２Ｃと、第１スイッチ５と、第２スイッチ４と、アンテナ端子８１と、を備える。パワーアンプ１１は、信号処理回路３０１からの高周波信号を増幅して出力する。第１スイッチ５は、共通端子５０及び複数（例えば、３つ）の選択端子５１〜５３を有し、共通端子５０にパワーアンプ１１が接続されている。３つのフィルタ３２Ａ〜３２Ｃは、第１スイッチ５の３つの選択端子５１〜５３に接続されている。第２スイッチ４は、共通端子４０及び複数（例えば、３つ）の選択端子４１〜４３を有し、３つの選択端子４１〜４３に３つのフィルタ３２Ａ〜３２Ｃが接続されている。アンテナ端子８１は、第２スイッチ４の共通端子４０に接続されている。
また、実施形態１に係る高周波モジュール１は、パワーアンプ１１と第１スイッチ５の共通端子５０との間に設けられている出力整合回路１３を更に備える。また、高周波モジュール１は、３つのフィルタ３２Ａ〜３２Ｃそれぞれと第２スイッチ４との間の各信号経路に１つずつ設けられている３つの整合回路１４Ａ〜１４Ｃを更に備える。また、高周波モジュール１は、コントローラ１５を更に備える。コントローラ１５は、パワーアンプ１１を制御する。高周波モジュール１は、パワーアンプ１１の入力端子が接続されている複数（例えば、２つ）の信号入力端子８２と、コントローラ１５が接続されている制御端子８４と、を更に備える。
高周波モジュール１では、３つのフィルタ３２Ａ〜３２Ｃの各々がデュプレクサである。実施形態１に係る高周波モジュール１は、第３スイッチ６と、ローノイズアンプ２１と、入力整合回路２０と、を更に備える。第３スイッチ６は、共通端子６０及び複数（例えば、３つ）の選択端子６１〜６３を有し、共通端子６０にローノイズアンプ２１が接続されている。入力整合回路２０は、第３スイッチ６とローノイズアンプ２１との間に設けられている。高周波モジュール１は、ローノイズアンプ２１の出力端子が接続されている信号出力端子８３を更に備える。
また、実施形態１に係る高周波モジュール１は、ローパスフィルタ１６と、第４スイッチ７と、を更に備える。ローパスフィルタ１６は、アンテナ端子８１と第２スイッチ４の共通端子４０との間に接続されている。第４スイッチ７は、パワーアンプ１１と２つの信号入力端子８２との間に接続されている。第４スイッチ７は、共通端子４０及び複数（例えば、２つ）の選択端子７１〜７２を有し、共通端子４０にパワーアンプ１１が接続され、２つの選択端子７１〜７２に２つの信号入力端子８２が接続されている。
実施形態１に係る高周波モジュール１は、図２及び３に示すように、互いに対向する第１主面９１及び第２主面９２を有する実装基板９と、実装基板９の第１主面９１に配置されている電子部品（例えば、パワーアンプ１１、フィルタ３２Ａ，３２Ｃ、出力整合回路１３、整合回路１４Ａ〜１４Ｃ、ローパスフィルタ１６）と、外部接続端子８と、弾性波フィルタ２（フィルタ３２Ｂ）と、を備える。外部接続端子８は、実装基板９の第２主面９２に配置されている。弾性波フィルタ２は、実装基板９の第２主面９２に配置されている。弾性波フィルタ２は、ベアチップである。これにより、実施形態１に係る高周波モジュール１は、実装基板９の厚さ方向Ｄ１における低背化を図ることが可能となる。実施形態１に係る高周波モジュール１は、実装基板９の第２主面９２に配置する弾性波フィルタ２がベアチップなので、実装基板９の厚さ方向Ｄ１において実装基板９の第２主面９２側の低背化を図れ、高周波モジュール１全体の低背化を図ることが可能となる。
（１．２）高周波モジュールの回路構成における各構成要素
（１．２．１）パワーアンプ
パワーアンプ１１は、例えば、信号処理回路３０１からの送信信号（高周波信号）を増幅して出力する。パワーアンプ１１は、入力された所定周波数帯域の送信信号を増幅して出力する。ここにおいて、所定周波数帯域は、例えば、第１通信バンドと第２通信バンドと第３通信バンドとを含む。第１通信バンドは、フィルタ３２Ａ（の送信フィルタ１２Ａ）を通る送信信号に対応する。第２通信バンドは、フィルタ３２Ｂ（の送信フィルタ１２Ｂ）を通る送信信号に対応する。第３通信バンドは、フィルタ３２Ｃ（送信フィルタ１２Ｃ）を通る送信信号に対応する。第１通信バンドは、送信フィルタ１２Ａを通る送信信号に対応し、例えば、３ＧＰＰ ＬＴＥ規格のＢａｎｄ１である。第２通信バンドは、送信フィルタ１２Ｂを通る送信信号に対応し、例えば、３ＧＰＰ ＬＴＥ規格のＢａｎｄ３である。第３通信バンドは、送受信用フィルタ２４を通る送信信号に対応し、例えば、３ＧＰＰ ＬＴＥ規格のＢａｎｄ４１又は５Ｇ ＮＲ規格のｎ４１である。
（１．２．１）パワーアンプ
パワーアンプ１１は、例えば、信号処理回路３０１からの送信信号（高周波信号）を増幅して出力する。パワーアンプ１１は、入力された所定周波数帯域の送信信号を増幅して出力する。ここにおいて、所定周波数帯域は、例えば、第１通信バンドと第２通信バンドと第３通信バンドとを含む。第１通信バンドは、フィルタ３２Ａ（の送信フィルタ１２Ａ）を通る送信信号に対応する。第２通信バンドは、フィルタ３２Ｂ（の送信フィルタ１２Ｂ）を通る送信信号に対応する。第３通信バンドは、フィルタ３２Ｃ（送信フィルタ１２Ｃ）を通る送信信号に対応する。第１通信バンドは、送信フィルタ１２Ａを通る送信信号に対応し、例えば、３ＧＰＰ ＬＴＥ規格のＢａｎｄ１である。第２通信バンドは、送信フィルタ１２Ｂを通る送信信号に対応し、例えば、３ＧＰＰ ＬＴＥ規格のＢａｎｄ３である。第３通信バンドは、送受信用フィルタ２４を通る送信信号に対応し、例えば、３ＧＰＰ ＬＴＥ規格のＢａｎｄ４１又は５Ｇ ＮＲ規格のｎ４１である。
パワーアンプ１１は、入力端子及び出力端子を有する。パワーアンプ１１の入力端子は、２つの信号入力端子８２に接続されている。より詳細には、パワーアンプ１１の入力端子は、第４スイッチ７を介して２つの信号入力端子８２に接続されている。パワーアンプ１１の入力端子は、２つの信号入力端子８２のいずれを介しても信号処理回路３０１と接続可能である。信号入力端子８２は、外部回路（例えば、信号処理回路３０１）からの高周波信号（送信信号）を高周波モジュール１に入力するための端子である。パワーアンプ１１の出力端子は、出力整合回路１３に接続されている。
パワーアンプ１１の入力端子は、信号入力端子８２を介して信号処理回路３０１に接続される。パワーアンプ１１の出力端子は、出力整合回路１３を介して第１スイッチ５の共通端子５０に接続されている。パワーアンプ１１は、コントローラ１５によって制御される。
（１．２．２）フィルタ
フィルタ３２Ａは、デュプレクサであり、送信フィルタ１２Ａと、受信フィルタ２２Ａと、を含む。フィルタ３２Ｂは、デュプレクサであり、送信フィルタ１２Ｂと、受信フィルタ２２Ｂと、を含む。フィルタ３２Ｃは、デュプレクサであり、送信フィルタ１２Ｃと、受信フィルタ２２Ｃと、を含む。
フィルタ３２Ａは、デュプレクサであり、送信フィルタ１２Ａと、受信フィルタ２２Ａと、を含む。フィルタ３２Ｂは、デュプレクサであり、送信フィルタ１２Ｂと、受信フィルタ２２Ｂと、を含む。フィルタ３２Ｃは、デュプレクサであり、送信フィルタ１２Ｃと、受信フィルタ２２Ｃと、を含む。
送信フィルタ１２Ａは、例えば、第１通信バンドの送信帯域を通過帯域とするフィルタである。送信フィルタ１２Ｂは、例えば、第２通信バンドの送信帯域を通過帯域とするフィルタである。送信フィルタ１２Ｃは、例えば、第３通信バンドの送信帯域を通過帯域とするフィルタである。
受信フィルタ２２Ａは、例えば、第１通信バンドの受信帯域を通過帯域とするフィルタである。受信フィルタ２２Ｂは、例えば、第２通信バンドの受信帯域を通過帯域とするフィルタである。受信フィルタ２２Ｃは、例えば、第３通信バンドの受信帯域を通過帯域とするフィルタである。
（１．２．３）第１スイッチ
第１スイッチ５は、共通端子５０と、３つの選択端子５１〜５３と、を有する。共通端子５０は、出力整合回路１３を介してパワーアンプ１１の出力端子に接続されている。選択端子５１は、フィルタ３２Ａに接続されている。ここにおいて、選択端子５１は、送信フィルタ１２Ａの入力端子（フィルタ３２Ａを構成するデュプレクサの送信端子）に接続されている。選択端子５２は、フィルタ３２Ｂに接続されている。ここにおいて、選択端子５２は、送信フィルタ１２Ｂの入力端子（フィルタ３２Ｂを構成するデュプレクサの送信端子）に接続されている。選択端子５３は、フィルタ３２Ｃに接続されている。ここにおいて、選択端子５３は、送信フィルタ１２Ｃの入力端子（フィルタ３２Ｃを構成するデュプレクサの送信端子）に接続されている。第１スイッチ５は、例えば、共通端子５０に３つの選択端子５１〜５３のうち少なくとも１つ以上を接続可能なスイッチである。ここで、第１スイッチ５は、例えば、一対一及び一対多の接続が可能なスイッチである。第１スイッチ５は、互いに通信バンドの異なる複数の送信信号用の信号経路を切り替える機能を有するスイッチであり、バンドセレクトスイッチとも称される。
第１スイッチ５は、共通端子５０と、３つの選択端子５１〜５３と、を有する。共通端子５０は、出力整合回路１３を介してパワーアンプ１１の出力端子に接続されている。選択端子５１は、フィルタ３２Ａに接続されている。ここにおいて、選択端子５１は、送信フィルタ１２Ａの入力端子（フィルタ３２Ａを構成するデュプレクサの送信端子）に接続されている。選択端子５２は、フィルタ３２Ｂに接続されている。ここにおいて、選択端子５２は、送信フィルタ１２Ｂの入力端子（フィルタ３２Ｂを構成するデュプレクサの送信端子）に接続されている。選択端子５３は、フィルタ３２Ｃに接続されている。ここにおいて、選択端子５３は、送信フィルタ１２Ｃの入力端子（フィルタ３２Ｃを構成するデュプレクサの送信端子）に接続されている。第１スイッチ５は、例えば、共通端子５０に３つの選択端子５１〜５３のうち少なくとも１つ以上を接続可能なスイッチである。ここで、第１スイッチ５は、例えば、一対一及び一対多の接続が可能なスイッチである。第１スイッチ５は、互いに通信バンドの異なる複数の送信信号用の信号経路を切り替える機能を有するスイッチであり、バンドセレクトスイッチとも称される。
第１スイッチ５は、高周波モジュール１の外部回路（例えば、信号処理回路３０１）によって制御される。第１スイッチ５は、例えば、ＭＩＰＩ（Mobile Industry Processor Interface）規格に対応している。第１スイッチ５は、例えば、信号処理回路３０１からの制御信号にしたがって、共通端子５０と３つ選択端子５１〜５３との接続状態を切り替える。第１スイッチ５は、例えば、スイッチＩＣ（Integrated Circuit）である。
（１．２．４）第２スイッチ
第２スイッチ４は、共通端子４０と、３つの選択端子４１〜４３と、を有する。第２スイッチ４は、アンテナ端子８１に接続されるスイッチであり、アンテナスイッチとも称される。第２スイッチ４では、共通端子４０が、アンテナ端子８１に接続されている。より詳細には、共通端子４０は、ローパスフィルタ１６を介してアンテナ端子８１に接続されている。アンテナ端子８１には、アンテナ３１０が接続される。選択端子４１は、フィルタ３２Ａに接続されている。ここにおいて、選択端子４１は、フィルタ３２Ａの送信フィルタ１２Ａ及び受信フィルタ２２Ａに接続されている。選択端子４２は、フィルタ３２Ｂに接続されている。ここにおいて、選択端子４２は、送信フィルタ１２Ｂ及び受信フィルタ２２Ｂに接続されている。選択端子４３は、フィルタ３２Ｃに接続されている。ここにおいて、選択端子４３は、送信フィルタ１２Ｃ及び受信フィルタ２２Ｃに接続されている。第２スイッチ４は、例えば、共通端子４０に３つの選択端子４１〜４３のうち少なくとも１つ以上を接続可能なスイッチである。ここで、第２スイッチ４は、例えば、一対一及び一対多の接続が可能なスイッチである。
第２スイッチ４は、共通端子４０と、３つの選択端子４１〜４３と、を有する。第２スイッチ４は、アンテナ端子８１に接続されるスイッチであり、アンテナスイッチとも称される。第２スイッチ４では、共通端子４０が、アンテナ端子８１に接続されている。より詳細には、共通端子４０は、ローパスフィルタ１６を介してアンテナ端子８１に接続されている。アンテナ端子８１には、アンテナ３１０が接続される。選択端子４１は、フィルタ３２Ａに接続されている。ここにおいて、選択端子４１は、フィルタ３２Ａの送信フィルタ１２Ａ及び受信フィルタ２２Ａに接続されている。選択端子４２は、フィルタ３２Ｂに接続されている。ここにおいて、選択端子４２は、送信フィルタ１２Ｂ及び受信フィルタ２２Ｂに接続されている。選択端子４３は、フィルタ３２Ｃに接続されている。ここにおいて、選択端子４３は、送信フィルタ１２Ｃ及び受信フィルタ２２Ｃに接続されている。第２スイッチ４は、例えば、共通端子４０に３つの選択端子４１〜４３のうち少なくとも１つ以上を接続可能なスイッチである。ここで、第２スイッチ４は、例えば、一対一及び一対多の接続が可能なスイッチである。
第２スイッチ４は、送信信号用の信号経路と受信信号用の信号経路との両方に設けられている。高周波モジュール１では、第２スイッチ４は、パワーアンプ１１と出力整合回路１３と第１スイッチ５と送信フィルタ１２Ａとの設けられている送信信号用の信号経路に設けられている。また、第２スイッチ４は、パワーアンプ１１と出力整合回路１３と第１スイッチ５と送信フィルタ１２Ｂとの設けられている送信信号用の信号経路に設けられている。また、第２スイッチ４は、パワーアンプ１１と出力整合回路１３と第１スイッチ５と送信フィルタ１２Ｃとの設けられている送信信号用の信号経路に設けられている。また、第２スイッチ４は、受信フィルタ２２Ａと第３スイッチ６とローノイズアンプ２１との設けられている受信信号用の信号経路に設けられている。また、第２スイッチ４は、受信フィルタ２２Ｂと第３スイッチ６とローノイズアンプ２１との設けられている受信信号用の信号経路に設けられている。また、第２スイッチ４は、受信フィルタ２２Ｃと第３スイッチ６とローノイズアンプ２１との設けられている受信信号用の信号経路に設けられている。
第２スイッチ４は、高周波モジュール１の外部回路（例えば、信号処理回路３０１）によって制御される。第２スイッチ４は、例えば、ＭＩＰＩ規格に対応している。第２スイッチ４は、例えば、信号処理回路３０１からの制御信号にしたがって、共通端子４０と３つ選択端子４１〜４３との接続状態を切り替える。第２スイッチ４は、例えば、スイッチＩＣである。
（１．２．５）第３スイッチ
第３スイッチ６は、共通端子６０と、３つの選択端子６１〜６３と、を有する。共通端子６０は、ローノイズアンプ２１の入力端子に接続されている。選択端子６１は、フィルタ３２Ａに接続されている。ここにおいて、選択端子６１は、受信フィルタ２２Ａの出力端子（フィルタ３２Ａを構成するデュプレクサの受信端子）に接続されている。選択端子６２は、フィルタ３２Ｂに接続されている。ここにおいて、選択端子６２は、受信フィルタ２２Ｂの出力端子（フィルタ３２Ｂを構成するデュプレクサの受信端子）に接続されている。選択端子６３は、フィルタ３２Ｃに接続されている。ここにおいて、選択端子６３は、受信フィルタ２２Ｃの出力端子（フィルタ３２Ｃを構成するデュプレクサの受信端子）に接続されている。第３スイッチ６は、例えば、共通端子６０に３つの選択端子６１〜６３のうち少なくとも１つ以上を接続可能なスイッチである。ここで、第３スイッチ６は、例えば、一対一及び一対多の接続が可能なスイッチである。
第３スイッチ６は、共通端子６０と、３つの選択端子６１〜６３と、を有する。共通端子６０は、ローノイズアンプ２１の入力端子に接続されている。選択端子６１は、フィルタ３２Ａに接続されている。ここにおいて、選択端子６１は、受信フィルタ２２Ａの出力端子（フィルタ３２Ａを構成するデュプレクサの受信端子）に接続されている。選択端子６２は、フィルタ３２Ｂに接続されている。ここにおいて、選択端子６２は、受信フィルタ２２Ｂの出力端子（フィルタ３２Ｂを構成するデュプレクサの受信端子）に接続されている。選択端子６３は、フィルタ３２Ｃに接続されている。ここにおいて、選択端子６３は、受信フィルタ２２Ｃの出力端子（フィルタ３２Ｃを構成するデュプレクサの受信端子）に接続されている。第３スイッチ６は、例えば、共通端子６０に３つの選択端子６１〜６３のうち少なくとも１つ以上を接続可能なスイッチである。ここで、第３スイッチ６は、例えば、一対一及び一対多の接続が可能なスイッチである。
第３スイッチ６は、高周波モジュール１の外部回路（例えば、信号処理回路３０１）によって制御される。第３スイッチ６は、例えば、ＭＩＰＩ規格に対応している。第３スイッチ６は、例えば、信号処理回路３０１からの制御信号にしたがって、共通端子６０と３つ選択端子６１〜６３との接続状態を切り替える。
（１．２．６）第４スイッチ
第４スイッチ７は、パワーアンプ１１と、２つの信号入力端子８２との間に接続されており、パワーアンプ１１と２つの信号入力端子８２との接続状態を切り替える。第４スイッチ７は、高周波モジュール１の外部回路（例えば、信号処理回路３０１）によって制御される。第４スイッチ７は、例えば、ＭＩＰＩ規格に対応している。第４スイッチ７は、例えば、スイッチＩＣである。
第４スイッチ７は、パワーアンプ１１と、２つの信号入力端子８２との間に接続されており、パワーアンプ１１と２つの信号入力端子８２との接続状態を切り替える。第４スイッチ７は、高周波モジュール１の外部回路（例えば、信号処理回路３０１）によって制御される。第４スイッチ７は、例えば、ＭＩＰＩ規格に対応している。第４スイッチ７は、例えば、スイッチＩＣである。
（１．２．７）出力整合回路
出力整合回路１３は、パワーアンプ１１の出力端子と第１スイッチ５の共通端子５０との間の信号経路に設けられている。出力整合回路１３は、パワーアンプ１１とフィルタ３２Ａ〜３２Ｃとのインピーダンス整合をとるための回路である。出力整合回路１３は、例えば、１つのインダクタで構成されるが、これに限らず、例えば、複数のインダクタ及び複数のキャパシタを含む場合もある。
出力整合回路１３は、パワーアンプ１１の出力端子と第１スイッチ５の共通端子５０との間の信号経路に設けられている。出力整合回路１３は、パワーアンプ１１とフィルタ３２Ａ〜３２Ｃとのインピーダンス整合をとるための回路である。出力整合回路１３は、例えば、１つのインダクタで構成されるが、これに限らず、例えば、複数のインダクタ及び複数のキャパシタを含む場合もある。
（１．２．８）整合回路
３つの整合回路１４Ａ〜１４Ｃの各々は、アンテナ端子８１に接続されるアンテナ３１０及び第２スイッチ４と複数のフィルタ３２Ａ〜３２Ｃのうち対応するフィルタとのインピーダンス整合をとるための回路である。整合回路１４Ａは、第２スイッチ４の選択端子４１とフィルタ３２Ａとの間に接続されている。整合回路１４Ｂは、第２スイッチ４の選択端子４２とフィルタ３２Ｂとの間に接続されている。整合回路１４Ｃは、第２スイッチ４の選択端子４３とフィルタ３２Ｃとの間に接続されている。
３つの整合回路１４Ａ〜１４Ｃの各々は、アンテナ端子８１に接続されるアンテナ３１０及び第２スイッチ４と複数のフィルタ３２Ａ〜３２Ｃのうち対応するフィルタとのインピーダンス整合をとるための回路である。整合回路１４Ａは、第２スイッチ４の選択端子４１とフィルタ３２Ａとの間に接続されている。整合回路１４Ｂは、第２スイッチ４の選択端子４２とフィルタ３２Ｂとの間に接続されている。整合回路１４Ｃは、第２スイッチ４の選択端子４３とフィルタ３２Ｃとの間に接続されている。
３つ整合回路１４Ａ〜１４Ｃの各々は、例えば、１つのインダクタで構成されているが、これに限らず、例えば、複数のインダクタ及び複数のキャパシタを含む場合もある。
（１．２．９）コントローラ
コントローラ１５は、パワーアンプ１１と接続されている。コントローラ１５は、例えば、制御端子８４を介して信号処理回路３０１に接続される。制御端子８４は、外部回路（例えば、信号処理回路３０１）からの制御信号をコントローラ１５に入力するための端子である。コントローラ１５は、制御端子８４から取得した制御信号に基づいてパワーアンプ１１を制御する。コントローラ１５は、例えば、ＭＩＰＩ規格に対応している。コントローラ１５は、信号処理回路３０１のＲＦ信号処理回路３０２からの制御信号にしたがってパワーアンプ１１を制御する。
コントローラ１５は、パワーアンプ１１と接続されている。コントローラ１５は、例えば、制御端子８４を介して信号処理回路３０１に接続される。制御端子８４は、外部回路（例えば、信号処理回路３０１）からの制御信号をコントローラ１５に入力するための端子である。コントローラ１５は、制御端子８４から取得した制御信号に基づいてパワーアンプ１１を制御する。コントローラ１５は、例えば、ＭＩＰＩ規格に対応している。コントローラ１５は、信号処理回路３０１のＲＦ信号処理回路３０２からの制御信号にしたがってパワーアンプ１１を制御する。
（１．２．１０）ローノイズアンプ
ローノイズアンプ２１は、入力端子及び出力端子を有する。ローノイズアンプ２１は、受信信号用の信号経路に設けられている。ローノイズアンプ２１は、入力端子に入力された上記所定周波数帯域の受信信号を増幅して出力端子から出力する。ローノイズアンプ２１の入力端子は、第３スイッチ６の共通端子６０に接続されている。ローノイズアンプ２１の出力端子は、信号出力端子８３に接続されている。ローノイズアンプ２１の出力端子は、例えば、信号出力端子８３を介して信号処理回路３０１に接続される。信号出力端子８３は、ローノイズアンプ２１からの高周波信号（受信信号）を外部回路（例えば、信号処理回路３０１）へ出力するための端子である。
ローノイズアンプ２１は、入力端子及び出力端子を有する。ローノイズアンプ２１は、受信信号用の信号経路に設けられている。ローノイズアンプ２１は、入力端子に入力された上記所定周波数帯域の受信信号を増幅して出力端子から出力する。ローノイズアンプ２１の入力端子は、第３スイッチ６の共通端子６０に接続されている。ローノイズアンプ２１の出力端子は、信号出力端子８３に接続されている。ローノイズアンプ２１の出力端子は、例えば、信号出力端子８３を介して信号処理回路３０１に接続される。信号出力端子８３は、ローノイズアンプ２１からの高周波信号（受信信号）を外部回路（例えば、信号処理回路３０１）へ出力するための端子である。
（１．２．１１）入力整合回路
入力整合回路２０は、ローノイズアンプ２１の入力端子と第３スイッチ６の共通端子６０との間に接続されている。入力整合回路２０は、ローノイズアンプ２１と受信フィルタ２２Ａ〜２２Ｃとのインピーダンス整合をとるための回路である。入力整合回路２０は、例えば、１つのインダクタで構成されているが、これに限らず、例えば、複数のインダクタ及び複数のキャパシタを含む場合もある。
入力整合回路２０は、ローノイズアンプ２１の入力端子と第３スイッチ６の共通端子６０との間に接続されている。入力整合回路２０は、ローノイズアンプ２１と受信フィルタ２２Ａ〜２２Ｃとのインピーダンス整合をとるための回路である。入力整合回路２０は、例えば、１つのインダクタで構成されているが、これに限らず、例えば、複数のインダクタ及び複数のキャパシタを含む場合もある。
（１．２．１２）ローパスフィルタ
ローパスフィルタ１６は、アンテナ端子８１と第２スイッチ４の共通端子４０との間に接続されている。高周波モジュール１は、ローパスフィルタ１６の代わりに、ローパスフィルタ１６を含むマルチプレクサ（例えば、ダイプレクサ、トリプレクサ）を備えていてもよい。
ローパスフィルタ１６は、アンテナ端子８１と第２スイッチ４の共通端子４０との間に接続されている。高周波モジュール１は、ローパスフィルタ１６の代わりに、ローパスフィルタ１６を含むマルチプレクサ（例えば、ダイプレクサ、トリプレクサ）を備えていてもよい。
（１．２．１３）外部接続端子
高周波モジュール１は、複数の外部接続端子８を備えている。複数の外部接続端子８は、複数のグランド端子８０（図２参照）と、アンテナ端子８１と、信号入力端子８２と、信号出力端子８３と、制御端子８４と、を含む。複数のグランド端子８０は、通信装置３００の備える上述の回路基板のグランド電極と電気的に接続されてグランド電位が与えられる端子である。
高周波モジュール１は、複数の外部接続端子８を備えている。複数の外部接続端子８は、複数のグランド端子８０（図２参照）と、アンテナ端子８１と、信号入力端子８２と、信号出力端子８３と、制御端子８４と、を含む。複数のグランド端子８０は、通信装置３００の備える上述の回路基板のグランド電極と電気的に接続されてグランド電位が与えられる端子である。
（１．３）高周波モジュールの構造
以下、高周波モジュール１の構造について図２を参照して説明する。
以下、高周波モジュール１の構造について図２を参照して説明する。
高周波モジュール１は、複数の回路素子と、複数の回路素子が実装される実装基板９と、を備える。複数の回路素子は、高周波モジュール１の回路構成要素である。複数の回路素子は、パワーアンプ１１及び弾性波フィルタ（フィルタ３２Ａ）を含む。
実装基板９は、実装基板９の厚さ方向Ｄ１において互いに対向する第１主面９１及び第２主面９２を有する。実装基板９は、例えば、プリント配線板、ＬＴＣＣ（Low Temperature Co-fired Ceramics）基板、ＨＴＣＣ（High Temperature Co-fired Ceramics）基板、樹脂多層基板である。ここにおいて、実装基板９は、例えば、複数の誘電体層及び複数の導電層を含む多層基板である。複数の誘電体層及び複数の導電層は、実装基板９の厚さ方向Ｄ１において積層されている。複数の導電層は、層ごとに定められた所定パターンに形成されている。複数の導電層の各々は、実装基板９の厚さ方向Ｄ１に直交する一平面内において１つ又は複数の導体部を含む。各導電層の材料は、例えば、銅である。複数の導電層は、グランド層を含む。高周波モジュール１では、複数のグランド端子８０とグランド層とが、実装基板９の有するビア導体等を介して電気的に接続されている。
実装基板９は、プリント配線板、ＬＴＣＣ基板に限らず、配線構造体であってもよい。配線構造体は、例えば、多層構造体である。多層構造体は、少なくとも１つの絶縁層と、少なくとも１つの導電層とを含む。絶縁層は、所定パターンに形成されている。絶縁層が複数の場合は、複数の絶縁層は、層ごとに定められた所定パターンに形成されている。導電層は、絶縁層の所定パターンとは異なる所定パターンに形成されている。導電層が複数の場合は、複数の導電層は、層ごとに定められた所定パターンに形成されている。導電層は、１つ又は複数の再配線部を含んでもよい。配線構造体では、多層構造体の厚さ方向において互いに対向する２つの面のうち第１面が実装基板９の第１主面９１であり、第２面が実装基板９の第２主面９２である。配線構造体は、例えば、インタポーザであってもよい。インタポーザは、シリコン基板を用いたインタポーザであってもよいし、多層で構成された基板であってもよい。
実装基板９の第１主面９１及び第２主面９２は、実装基板９の厚さ方向Ｄ１において離れており、実装基板９の厚さ方向Ｄ１に交差する。実装基板９における第１主面９１は、例えば、実装基板９の厚さ方向Ｄ１に直交しているが、例えば、厚さ方向Ｄ１に直交しない面として導体部の側面等を含んでいてもよい。また、実装基板９における第２主面９２は、例えば、実装基板９の厚さ方向Ｄ１に直交しているが、例えば、厚さ方向Ｄ１に直交しない面として、導体部の側面等を含んでいてもよい。また、実装基板９の第１主面９１及び第２主面９２は、微細な凹凸又は凹部又は凸部が形成されていてもよい。実装基板９の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、実装基板９は、長方形状であるが、これに限らず、例えば、正方形状であってもよい。
高周波モジュール１は、複数の回路素子として、上述のパワーアンプ１１と、第１スイッチ５と、第２スイッチ４と、コントローラ１５と、ローノイズアンプ２１と、３つのフィルタ３２Ａ〜３２Ｃと、第３スイッチ６と、第４スイッチ７と、出力整合回路１３と、入力整合回路２０と、３つの整合回路１４Ａ〜１４Ｃと、ローパスフィルタ１６と、を備える。高周波モジュール１の複数の回路素子は、実装基板９に実装されている。ここにおいて、実装基板９に実装されているとは、回路素子が実装基板９に配置されていること（機械的に接続されていること）と、回路素子が実装基板９（の適宜の導体部）と電気的に接続されていることと、を含む。複数の回路素子は、実装基板９に実装される電子部品だけに限らず、実装基板９内に設けられる回路素子を含んでもよい。図２では、上述の実装基板９の導体部、ビア導体等により構成される複数の配線の図示を省略してある。
高周波モジュール１では、パワーアンプ１１は、実装基板９の第１主面９１に実装されている。したがって、パワーアンプ１１は、実装基板９の第１主面９１に配置されている。
また、高周波モジュール１では、出力整合回路１３、フィルタ３２Ａ、３２Ｃ、３つの整合回路１４Ａ〜１４Ｃは、実装基板９の第１主面９１に実装されている。したがって、出力整合回路１３、フィルタ３２Ａ、３２Ｃ、３つの整合回路１４Ａ〜１４Ｃは、実装基板９の第１主面９１に配置されている。
また、高周波モジュール１では、第１スイッチ５、第２スイッチ４、コントローラ１５、フィルタ３２Ｂは、実装基板９の第２主面９２に実装されている。したがって、高周波モジュール１では、第１スイッチ５、第２スイッチ４、コントローラ１５、フィルタ３２Ｂは、実装基板９の第２主面９２に配置されている。また、高周波モジュール１では、ローノイズアンプ２１と入力整合回路２０とを含む１チップのＩＣチップ１０が、実装基板９の第２主面９２に実装されている。したがって、ＩＣチップ１０は、実装基板９の第２主面９２に配置されている。
パワーアンプ１１は、例えば、バイポーラトランジスタとしてＨＢＴ（Heterojunction Bipolar Transistor）を含む電力増幅回路を有するＧａＡｓ系ＩＣチップである。パワーアンプ１１は、実装基板９にフリップチップ実装されている。実装基板９の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、パワーアンプ１１の外周形状は、四角形状である。パワーアンプ１１は、ＧａＡｓ系ＩＣチップに限らず、例えば、電力増幅回路を有するＳｉ系ＩＣチップ又は電力増幅回路を有するＳｉＧｅ系ＩＣチップであってもよい。
第１スイッチ５を構成するスイッチＩＣは、１チップのＩＣチップである。第１スイッチ５は、共通端子５０と３つの選択端子５１〜５３と複数のＦＥＴ（Field Effect Transistor）とを含む。第１スイッチ５は、実装基板９の第２主面９２にフリップチップ実装されている。実装基板９の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、第１スイッチ５の外周形状は、四角形状である。
第２スイッチ４を構成するスイッチＩＣは、１チップのＩＣチップである。第２スイッチ４は、共通端子４０と３つの選択端子４１〜４３と複数のＦＥＴとを含む。第２スイッチ４は、実装基板９の第２主面９２にフリップチップ実装されている。実装基板９の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、第２スイッチ４の外周形状は、四角形状である。
第３スイッチ６は、共通端子６０と３つの選択端子６１〜６３と複数のＦＥＴとを含む。第３スイッチ６とローノイズアンプ２１とを含むＩＣチップ１０は、実装基板９の第２主面９２にフリップチップ実装されている。実装基板９の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、ＩＣチップ１０の外周形状は、四角形状である。
第４スイッチ７を構成するスイッチＩＣは、１チップのＩＣチップである。第４スイッチ７は、実装基板９の第２主面９２にフリップチップ実装されている。実装基板９の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、第４スイッチ７の外周形状は、四角形状である。
コントローラ１５は、１チップのＩＣチップである。コントローラ１５は、実装基板９の第２主面９２に配置されている。ここにおいて、コントローラ１５は、実装基板９の第２主面９２にフリップチップ実装されている。実装基板９の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、コントローラ１５の外周形状は、四角形状である。
出力整合回路１３を構成する回路素子は、例えば、インダクタを含む。出力整合回路１３における回路素子は、例えば、実装基板９の第１主面９１に配置されている。出力整合回路１３に含まれるインダクタは、実装基板９の第１主面９１に実装されている表面実装型インダクタである。実装基板９の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、回路素子の外周形状は、四角形状である。
入力整合回路２０を構成する回路素子は、例えば、インダクタを含む。入力整合回路２０における回路素子は、例えば、実装基板９の第１主面９１に配置されている。実装基板９の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、回路素子の外周形状は、四角形状である。
３つの整合回路１４Ａ〜１４Ｃの各々における回路素子は、例えば、インダクタを含む。３つの整合回路１４Ａ〜１４Ｃの各々における回路素子は、例えば、実装基板９の第１主面９１に配置されている。３つの整合回路１４Ａ〜１４Ｃの各々に含まれるインダクタは、例えば、実装基板９の第１主面９１に実装されている表面実装型インダクタである。実装基板９の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、回路素子の外周形状は、四角形状である。
ローノイズアンプ２１を含むＩＣチップ１０は、実装基板９の第２主面９２に配置されている。ここにおいて、ＩＣチップ１０は、実装基板９の第２主面９２にフリップチップ実装されている。実装基板９の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、ＩＣチップ１０は、パワーアンプ１１と重ならないように配置されている。実装基板９の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、ＩＣチップ１０の外周形状は、四角形状である。
ローパスフィルタ１６は、実装基板９の第１主面９１に配置されている。ここにおいて、ローパスフィルタ１６は、実装基板９の第２主面９２に実装されている。ローパスフィルタ１６は、例えば、複数のインダクタ及びキャパシタを含む。ローパスフィルタ１６は、ＩＰＤ（Integrated Passive Device）であってもよい。
複数の外部接続端子８は、実装基板９の第２主面９２に配置されている。複数の外部接続端子８の材料は、例えば、金属（例えば、銅、銅合金）である。複数の外部接続端子８の各々は、柱状電極である。ここにおいて、柱状電極は、例えば、円柱状の電極である。複数の外部接続端子８は、同じ形状であるが、異なる形状であってもよい。
複数の外部接続端子８は、上述のように、複数のグランド端子８０、アンテナ端子８１、信号入力端子８２、信号出力端子８３及び制御端子８４を含んでいる。複数のグランド端子８０は、上述のように実装基板９のグランド層と電気的に接続されている。グランド層は高周波モジュール１の回路グランドであり、高周波モジュール１の複数の回路素子は、グランド層と電気的に接続さている回路素子を含む。
実施形態１に係る高周波モジュール１では、フィルタ３２Ｂが、ベアチップの弾性波フィルタ２であり、フィルタ３２Ａ及び３２Ｃの各々が、パッケージ構造を有する弾性波フィルタ３である。以下では、説明の便宜上、弾性波フィルタ２を第１弾性波フィルタ２とも称し、弾性波フィルタ３を第２弾性波フィルタ３とも称する。
第１弾性波フィルタ２は、図３に示すように、圧電性基板２００と、ＩＤＴ（Interdigital Transducer）電極２１５と、複数のパッド電極２１６と、を有する。圧電性基板２００は、互いに対向する第１主面２１１及び第２主面２１２を有する。また、圧電性基板２００は、第１主面２１１と第２主面２１２とをつないでいる外周面２１３を有する。ＩＤＴ電極２１５は、圧電性基板２００の第１主面２１１上に設けられている。複数のパッド電極２１６は、圧電性基板２００の第１主面２１１上に設けられている。第１弾性波フィルタ２は、その厚さ方向からの平面視で、長方形状であるが、これに限らず、例えば、正方形状であってもよい。
圧電性基板２００は、例えば、支持基板２０１と、支持基板２０１上に設けられた低音速膜２０２と、低音速膜２０２上に設けられた圧電体層２０３と、を有する積層型基板である。
支持基板２０１は、互いに対向する第１主面２０１１及び第２主面２０１２を有する。低音速膜２０２は、支持基板２０１の第１主面２０１１上に設けられている。低音速膜２０２は、第１弾性波フィルタ２の厚さ方向からの平面視で、支持基板２０１の外周から離れて位置している。第１弾性波フィルタ２では、圧電性基板２００の第１主面２１１は、支持基板２０１の第１主面２０１１のうち低音速膜２０２に覆われていない領域と、圧電体層２０３における支持基板２０１側とは反対側の主面と、を含む。
第１弾性波フィルタ２は、支持基板２０１の第１主面２０１１のうち低音速膜２０２に覆われていない領域を覆う絶縁層２１７を更に備える。絶縁層２１７は、電気絶縁性を有する。絶縁層２１７は、支持基板２０１の第１主面２０１１上において支持基板２０１の外周に沿って形成されている。絶縁層２１７は、複数のＩＤＴ電極２１５を囲んでいる。第１弾性波フィルタ２の厚さ方向からの平面視で、絶縁層２１７は、枠形状（例えば、矩形枠状）である。絶縁層２１７の一部は、第１弾性波フィルタ２の厚さ方向において圧電体層２０３の外周部に重なっている。圧電体層２０３の外周面及び低音速膜２０２の外周面は、絶縁層２１７により覆われている。絶縁層２１７の材料は、エポキシ樹脂、ポリイミド等である。
複数のパッド電極２１６は、絶縁層２１７を介して圧電性基板２００の第１主面２１１上に設けられている。
圧電体層２０３の材料は、例えば、リチウムタンタレート又はリチウムニオベイトである。低音速膜２０２は、圧電体層２０３を伝搬するバルク波の音速よりも、低音速膜２０２を伝搬するバルク波の音速が低速となる膜である。低音速膜２０２の材料は、例えば、酸化ケイ素である。低音速膜２０２の材料は、酸化ケイ素に限定されない。低音速膜２０２の材料は、例えば、酸化ケイ素、ガラス、酸窒化ケイ素、酸化タンタル、酸化ケイ素にフッ素、炭素、若しくはホウ素を加えた化合物、又は、上記各材料を主成分とする材料であってもよい。支持基板２０１では、圧電体層２０３を伝搬する弾性波の音速よりも、支持基板２０１を伝搬するバルク波の音速が高速である。ここにおいて、支持基板２０１を伝搬するバルク波は、支持基板２０１を伝搬する複数のバルク波のうち最も低音速なバルク波である。支持基板２０１の材料は、シリコン、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、サファイア、リチウムタンタレート、リチウムニオベイト、水晶、アルミナ、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト、マグネシア、及びダイヤモンドからなる群から選択される少なくとも１種の材料を含んでいればよい。
圧電性基板２００は、支持基板２０１と低音速膜２０２との間に設けられている高音速膜を更に有していてもよい。高音速膜は、圧電体層２０３を伝搬する弾性波の音速よりも、高音速膜を伝搬するバルク波の音速が高速となる膜である。高音速膜の材料は、例えば、ダイヤモンドライクカーボン、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、シリコン、サファイア、圧電体（リチウムタンタレート、リチウムニオベイト、又は水晶）、アルミナ、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト、マグネシア、及びダイヤモンドからなる群から選択される少なくとも１種の材料である。高音速膜の材料は、上述したいずれかの材料を主成分とする材料、又は、上述したいずれかの材料を含む混合物を主成分とする材料であってもよい。
圧電性基板２００は、積層型基板に限らず、圧電基板であってもよい。圧電基板の材料は、例えば、リチウムタンタレート又はリチウムニオベイトである。圧電性基板２００が圧電基板の場合、複数のパッド電極２１６は、圧電性基板２００の第１主面２１１上に直接形成されていてもよい。
第１弾性波フィルタ２は、ＩＤＴ電極２１５を複数備えている。なお、図３では、複数のＩＤＴ電極２１５のうち２つのＩＤＴ電極２１５のみ模式的に図示してある。複数のＩＤＴ電極２１５の各々は、第１電極及び第２電極を有する。第１電極は、複数の第１電極指と、複数の第１電極指が接続されている第１バスバーと、を有する。第２電極は、複数の第２電極指と、複数の第２電極指が接続されている第２バスバーと、を有する。第１弾性波フィルタ２の特性は、例えば、ＩＤＴ電極２１５の電極指ピッチ、ＩＤＴ電極２１５の交差幅、圧電性基板２００の材料等を適宜変えることによって変えることができる。ＩＤＴ電極２１５の電極指ピッチは、複数の第１電極指のうち隣り合う２つの第１電極指の中心線間の距離、又は、複数の第２電極指のうち隣り合う２つの第２電極指の中心線間の距離で定義される。実施形態１に係る高周波モジュール１の第１弾性波フィルタ２では、例えば、送信フィルタ１２Ｂ及び受信フィルタ２２Ｂの各々が、複数の弾性波共振子（複数の直列腕共振子及び複数の並列腕共振子）を含むラダー型フィルタである。複数の弾性表面波共振子の各々が、ＩＤＴ電極２１５と、圧電性基板２００の一部と、を含んでいる。
第１弾性波フィルタ２では、圧電性基板２００は、例えば低音速膜２０２と圧電体層２０３との間に介在する密着層を含んでいてもよい。密着層は、例えば、樹脂（エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂）からなる。また、第１弾性波フィルタ２では、圧電性基板２００は、低音速膜２０２と圧電体層２０３との間、圧電体層２０３上、又は低音速膜２０２下のいずれかに誘電体膜を備えていてもよい。誘電体膜の材料は、例えば、酸化ケイ素である。また、第１弾性波フィルタ２は、圧電体層２０３上に設けられて複数のＩＤＴ電極２１５を覆っている保護膜を更に備えていてもよい。保護膜の材料は、例えば、酸化ケイ素である。
第１弾性波フィルタ２は、実装基板９の第２主面９２に配置されている。第１弾性波フィルタ２では、圧電性基板２００の第１主面２１１が実装基板９側に位置し、圧電性基板２００の第２主面２１２が実装基板９側とは反対側に位置している。高周波モジュール１は、複数のバンプ１７を更に備える。複数のバンプ１７は、第１弾性波フィルタ２と実装基板９の第２主面９２との間に介在し第１弾性波フィルタ２と実装基板９とを接続している。複数のバンプ１７の各々の形状は、略球状である。複数のバンプ１７の各々は、例えば、はんだバンプである。複数のバンプ１７の各々は、はんだバンプに限らず、例えば金バンプであってもよい。
複数のバンプ１７は、複数のパッド電極２１６と実装基板９とに接合されている。複数のバンプ１７は、複数のパッド電極２１６のうち実装基板９の厚さ方向Ｄ１において重なるパッド電極２１６に接合されている。高周波モジュール１では、実装基板９の厚さ方向Ｄ１において第１弾性波フィルタ２と実装基板９の第２主面９２との間に空間Ｓ１が形成されている。実施形態１に係る高周波モジュール１では、空間Ｓ１は、複数のパッド電極２１６と複数のバンプ１７と圧電性基板２００と実装基板９とによって圧電性基板２００と実装基板９との間に形成される。複数のＩＤＴ電極２１５は、空間Ｓ１内に配置されている。
第２弾性波フィルタ３は、圧電性基板３０５と、ＩＤＴ電極３１５と、複数の端子３１８と、を有する。圧電性基板３０５は、互いに対向する第１主面３１１及び第２主面３１２を有する。また、圧電性基板３０５は、第１主面３１１と第２主面３１２とをつないでいる外周面３１３を有する。ＩＤＴ電極３１５は、圧電性基板３０５の第１主面３１１上に設けられている。圧電性基板３０５は、圧電基板である。圧電基板の材料は、例えば、リチウムタンタレート又はリチウムニオベイトである。圧電性基板３０５は、圧電基板に限らず、例えば、圧電性基板２００と同様の積層型基板でもよい。第２弾性波フィルタ３は、ＩＤＴ電極３１５を複数備えている。なお、図３では、複数のＩＤＴ電極３１５のうち２つのＩＤＴ電極３１５のみ模式的に図示してある。高周波モジュール１では、第２弾性波フィルタ３からなる第１フィルタ３２Ａの送信フィルタ１２Ａ及び受信フィルタ２２Ａの各々がラダー型フィルタである。また、高周波モジュール１では、第２弾性波フィルタ３からなる第２フィルタ３２Ｃの送信フィルタ１２Ｃ及び受信フィルタ２２Ｃの各々がラダー型フィルタである。
また、第２弾性波フィルタ３は、パッケージ構造の構成要素として、スペーサ層３１４と、カバー部材３１６と、複数の端子３１８と、を有している。スペーサ層３１４及びカバー部材３１６は、圧電性基板３０５の第１主面３１１側に設けられる。スペーサ層３１４は、第２弾性波フィルタ３の厚さ方向からの平面視で、複数のＩＤＴ電極３１５を囲んでいる。第２弾性波フィルタ３の厚さ方向からの平面視で、スペーサ層３１４は、枠状（矩形枠状）である。スペーサ層３１４は、電気絶縁性を有する。スペーサ層３１４の材料は、エポキシ樹脂、ポリイミド等である。カバー部材３１６は、平板状である。第２弾性波フィルタ３の厚さ方向からの平面視で、カバー部材３１６は、長方形状であるが、これに限らず、例えば、正方形状であってもよい。第２弾性波フィルタ３では、第２弾性波フィルタ３の厚さ方向からの平面視で、カバー部材３１６の外形サイズと、スペーサ層３１４の外形サイズと、圧電性基板３０５の外形サイズと、が略同じである。カバー部材３１６は、第２弾性波フィルタ３の厚さ方向において圧電性基板３０５に対向するようにスペーサ層３１４上に配置されている。カバー部材３１６は、第２弾性波フィルタ３の厚さ方向において複数のＩＤＴ電極３１５と重複し、かつ、第２弾性波フィルタ３の厚さ方向において複数のＩＤＴ電極３１５から離れている。カバー部材３１６は、電気絶縁性を有する。カバー部材３１６の材料は、エポキシ樹脂、ポリイミド等である。第２弾性波フィルタ３は、圧電性基板３０５とスペーサ層３１４とカバー部材３１６とで囲まれた空間Ｓ２を有する。第２弾性波フィルタ３では、空間Ｓ２には、気体が入っている。気体は、空気、不活性ガス（例えば、窒素ガス）等である。第２弾性波フィルタ３における複数の端子３１８は、カバー部材３１６から露出している。複数の端子３１８の各々は、例えば、バンプである。各バンプは、例えば、はんだバンプである。各バンプは、はんだバンプに限らず、例えば金バンプであってもよい。
第１弾性波フィルタ２は、パッケージ構造を有していないベアチップであり、第２弾性波フィルタ３と比べて、厚さ方向の寸法が小さい。
実装基板９の厚さ方向Ｄ１において、第２弾性波フィルタ３の寸法は、例えば、出力整合回路１３に含まれる表面実装型インダクタの寸法よりも小さい。また、実装基板９の厚さ方向Ｄ１において、第２弾性波フィルタ３の寸法は、例えば、３つの整合回路１４Ａ〜１４Ｃの各々に含まれる表面実装型インダクタの寸法よりも小さい。
高周波モジュール１は、樹脂層１０１（以下、第１樹脂層１０１ともいう）を更に備える。第１樹脂層１０１は、実装基板９の第１主面９１側において実装基板９の第１主面９１に配置されている複数の回路素子を覆っている。ここにおいて、第１樹脂層１０１は、実装基板９の第１主面９１に配置されている複数の回路素子を封止している。実装基板９の第１主面９１に配置されている複数の回路素子は、パワーアンプ１１、フィルタ３２Ａ、フィルタ３２Ｃ、出力整合回路１３、３つの整合回路１４Ａ〜１４Ｃ及びローパスフィルタ１６を含む。第１樹脂層１０１は、樹脂を含む。第１樹脂層１０１は、樹脂の他にフィラーを含んでいてもよい。
高周波モジュール１は、樹脂フィルム１９を更に備える。樹脂フィルム１９は、実装基板９の第２主面９２に配置されている。実施形態１に係る高周波モジュール１では、樹脂フィルム１９は、図３に示すように、圧電性基板２００の第２主面２１２と外周面２１３とを覆っている。樹脂フィルム１９は、圧電性基板２００の第２主面２１２を覆っている第１部分１９１と、圧電性基板２００の外周面２１３を覆っており実装基板９の第２主面９２に接している第２部分１９２と、を含む。弾性波フィルタ２と実装基板９の第２主面９２との間の空間Ｓ１は、弾性波フィルタ２と実装基板９の第２主面９２と樹脂フィルム１９とで囲まれている。樹脂フィルム１９は、その外周部が全周にわたって実装基板９の第２主面９２に接している。樹脂フィルム１９の材料は、例えば、エポキシ樹脂を含む。空間Ｓ１には、気体が入っている。気体は、空気又は不活性ガス（例えば、窒素ガス）である。
実施形態１に係る高周波モジュール１は、樹脂層１０２（以下、第２樹脂層１０２ともいう）を更に備える。第２樹脂層１０２は、実装基板９の第２主面９２に配置されている。樹脂層１０２は、樹脂フィルム１９を覆っている。また、高周波モジュール１では、第２樹脂層１０２は、実装基板９の第２主面９２側において実装基板９の第２主面９２に実装されている複数の回路素子と複数の外部接続端子８それぞれの一部とを覆っている。ここにおいて、複数の回路素子は、第１スイッチ５、第２スイッチ４、第４スイッチ７、コントローラ１５、ＩＣチップ１０及びフィルタ３２Ｂを含む。第２樹脂層１０２は、複数の外部接続端子８の各々における先端面を露出させるように形成されている。また、第２樹脂層１０２は、樹脂フィルム１９を介してフィルタ３２Ｂを覆っている。第２樹脂層１０２は、樹脂を含む。第２樹脂層１０２は、樹脂の他にフィラーを含んでいてもよい。第２樹脂層１０２の材料は、第１樹脂層１０１の材料と同じ材料であってもよいし、異なる材料であってもよい。
また、高周波モジュール１は、シールド層１０３を更に備える。シールド層１０３の材料は、例えば、金属である。シールド層１０３は、第１樹脂層１０１の主面１０１１及び外周面１０１３と、実装基板９の外周面９３と、第２樹脂層１０２の外周面１０２３と、を覆っている。シールド層１０３は、実装基板９の有するグランド層と接触している。これにより、高周波モジュール１では、シールド層１０３の電位をグランド層の電位と同じにすることができる。
（３）まとめ
（３．１）高周波モジュール
実施形態１に係る高周波モジュール１は、互いに対向する第１主面９１及び第２主面９２を有する実装基板９と、実装基板９の第１主面９１に配置されている電子部品（例えば、パワーアンプ１１、フィルタ３２Ａ，３２Ｃ、出力整合回路１３、整合回路１４Ａ〜１４Ｃ、ローパスフィルタ１６）と、外部接続端子８と、弾性波フィルタ２と、を備える。外部接続端子８は、実装基板９の第２主面９２に配置されている。弾性波フィルタ２は、実装基板９の第２主面９２に配置されている。弾性波フィルタ２は、ベアチップである。なお、実装基板９の第１主面９１に配置される電子部品の数は１つでもよいし、複数でもよい。
（３．１）高周波モジュール
実施形態１に係る高周波モジュール１は、互いに対向する第１主面９１及び第２主面９２を有する実装基板９と、実装基板９の第１主面９１に配置されている電子部品（例えば、パワーアンプ１１、フィルタ３２Ａ，３２Ｃ、出力整合回路１３、整合回路１４Ａ〜１４Ｃ、ローパスフィルタ１６）と、外部接続端子８と、弾性波フィルタ２と、を備える。外部接続端子８は、実装基板９の第２主面９２に配置されている。弾性波フィルタ２は、実装基板９の第２主面９２に配置されている。弾性波フィルタ２は、ベアチップである。なお、実装基板９の第１主面９１に配置される電子部品の数は１つでもよいし、複数でもよい。
実施形態１に係る高周波モジュール１は、実装基板９の第２主面９２に配置する弾性波フィルタ２がベアチップなので、実装基板９の厚さ方向Ｄ１において実装基板９の第２主面９２側の低背化を図れ、高周波モジュール１全体の低背化を図ることが可能となる。
また、実施形態１に係る高周波モジュール１では、弾性波フィルタ２が、圧電性基板２００と、ＩＤＴ電極２１５と、複数のパッド電極２１６と、を有する。圧電性基板２００は、互いに対向する第１主面２１１及び第２主面２１２を有する。ＩＤＴ電極２１５は、圧電性基板２００の第１主面２１１上に設けられている。複数のパッド電極２１６は、圧電性基板２００の第１主面２１１上に設けられている。高周波モジュール１は、複数のバンプ１７を更に備える。複数のバンプ１７は、複数のパッド電極２１６と実装基板９とに接合されている。ＩＤＴ電極２１５は、複数のパッド電極２１６と複数のバンプ１７と圧電性基板２００と実装基板９とによって圧電性基板２００と実装基板９との間に形成される空間Ｓ１内に配置されている。これにより、実施形態１に係る高周波モジュール１は、実装基板９の厚さ方向Ｄ１における低背化を図ることが可能となる。
また、実施形態１に係る高周波モジュール１では、空間Ｓ１が、弾性波フィルタ２と実装基板９の第２主面９２と樹脂フィルム１９とで囲まれている。これにより、実施形態１に係る高周波モジュール１では、空間Ｓ１に異物が入ることを抑制でき、特性劣化を抑制することが可能となる。
また、実施形態１に係る高周波モジュール１では、実装基板９の第２主面９２に配置されている樹脂層１０２が、樹脂フィルム１９を覆っている。これにより、実施形態１に係る高周波モジュール１では、信頼性の向上を図れる。
また、実施形態１に係る高周波モジュール１では、弾性波フィルタ２（フィルタ３２Ｂ）が、受信フィルタ２２Ｂを含み、ローノイズアンプ２１を含むＩＣチップ１０が、実装基板９の第２主面９２に配置されている。これにより、実施形態１に係る高周波モジュール１では、受信フィルタ２２Ｂとローノイズアンプ２１との間の配線長を短くすることが可能となる。
（３．２）通信装置
実施形態１に係る通信装置３００は、高周波モジュール１と、信号処理回路３０１と、を備える。信号処理回路３０１は、高周波モジュール１の弾性波フィルタ２を通過する高周波信号を信号処理する。
実施形態１に係る通信装置３００は、高周波モジュール１と、信号処理回路３０１と、を備える。信号処理回路３０１は、高周波モジュール１の弾性波フィルタ２を通過する高周波信号を信号処理する。
実施形態１に係る通信装置３００は、高周波モジュール１を備えるので、実装基板９の厚さ方向Ｄ１における低背化を図ることが可能となる。信号処理回路３０１を構成する複数の電子部品は、例えば、上述の回路基板に実装されていてもよいし、高周波モジュール１が実装された回路基板（第１回路基板）とは別の回路基板（第２回路基板）に実装されていてもよい。
（４）高周波モジュールの変形例
（４．１）変形例１
実施形態１の変形例１に係る高周波モジュール１ａについて、図４を参照して説明する。変形例１に係る高周波モジュール１ａに関し、実施形態１に係る高周波モジュール１と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。
（４．１）変形例１
実施形態１の変形例１に係る高周波モジュール１ａについて、図４を参照して説明する。変形例１に係る高周波モジュール１ａに関し、実施形態１に係る高周波モジュール１と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。
変形例１に係る高周波モジュール１ａは、複数の外部接続端子８がボールバンプである点で、実施形態１に係る高周波モジュール１と相違する。また、変形例１に係る高周波モジュール１ａは、実施形態１に係る高周波モジュール１の第２樹脂層１０２を備えていない点で、実施形態１に係る高周波モジュール１と相違する。変形例１に係る高周波モジュール１ａは、第１スイッチ５、第２スイッチ４、第４スイッチ７、ＩＣチップ１０及びコントローラ１５の各々と実装基板９の第２主面９２との間の隙間に設けられたアンダーフィル部を備えていてもよい。
複数の外部接続端子８の各々を構成するボールバンプの材料は、例えば、金、銅、はんだ等である。
複数の外部接続端子８は、ボールバンプにより構成された外部接続端子８と、柱状電極により構成された外部接続端子８と、が混在してもよい。
変形例１に係る高周波モジュール１ａでは、第１距離Ｌ１が、第２距離Ｌ２よりも短い。第１距離Ｌ１は、実装基板９の第２主面９２と、フィルタ３２Ｂにおける実装基板９側とは反対側の面との距離である。第２距離Ｌ２は、実装基板９の第２主面９２と、ＩＣチップ１０における実装基板９側とは反対側の面との距離である。
変形例１に係る高周波モジュール１ａでは、実装基板（９）の厚さ方向（Ｄ１）における低背化を図ることが可能となる。
（４．２）変形例２
実施形態１の変形例２に係る高周波モジュール１ｂについて、図５を参照して説明する。変形例２に係る高周波モジュール１ｂに関し、実施形態１に係る高周波モジュール１と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。
実施形態１の変形例２に係る高周波モジュール１ｂについて、図５を参照して説明する。変形例２に係る高周波モジュール１ｂに関し、実施形態１に係る高周波モジュール１と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。
変形例２に係る高周波モジュール１ｂは、実装基板９の第２主面９２に配置されている複数の回路素子の各々において実装基板９側とは反対側の面が露出している点で、実施形態１に係る高周波モジュール１と相違する。ここにおいて、実装基板９の第２主面９２に配置されている複数の回路素子は、第１スイッチ５、第２スイッチ４、第４スイッチ７、ＩＣチップ１０、コントローラ１５及びフィルタ３２Ｂを含む。ここにおいて、変形例２に係る高周波モジュール１ｂでは、複数の回路素子の各々において実装基板９側とは反対側の面と、第２樹脂層１０２の主面１０２１と、複数の外部接続端子８の各々の先端面と、が略面一である。フィルタ３２Ｂにおいて実装基板９側とは反対側の面は、図３に示すように圧電性基板２００の第２主面２１２である。変形例２に係る高周波モジュール１ｂでは、樹脂フィルム１９の圧電性基板２００の外周面２１３を全周に亘って覆っている。
変形例２に係る高周波モジュール１ｂは、実施形態１に係る高周波モジュール１と比べて、更なる低背化を図ることが可能となる。
（４．３）変形例３
実施形態１の変形例３に係る高周波モジュール１ｃについて、図６を参照して説明する。変形例３に係る高周波モジュール１ｃに関し、変形例２に係る高周波モジュール１ｂと同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。
実施形態１の変形例３に係る高周波モジュール１ｃについて、図６を参照して説明する。変形例３に係る高周波モジュール１ｃに関し、変形例２に係る高周波モジュール１ｂと同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。
変形例３に係る高周波モジュール１ｃでは、樹脂フィルム１９が圧電性基板２００の外周面２１３だけでなく第２主面２１２も覆っている点で、変形例２に係る高周波モジュール１ｂと相違する。
変形例３に係る高周波モジュール１ｃは、実施形態１の変形例２に係る高周波モジュール１ｂと比べて、樹脂フィルム１９が剥がれにくくなる。また、変形例３に係る高周波モジュール１ｃは、変形例２に係る高周波モジュール１ｂと比べて、空間Ｓ１に異物が入りにくくなる。よって、変形例３に係る高周波モジュール１ｃは、変形例２に係る高周波モジュール１ｂと比べて、信頼性の向上を図ることが可能となる。
（実施形態２）
実施形態２に係る高周波モジュール１ｄ及び通信装置３００ｄについて、図７及び８を参照して説明する。実施形態２に係る高周波モジュール１ｄ及び通信装置３００ｄに関し、実施形態１に係る高周波モジュール１及び通信装置３００と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。
実施形態２に係る高周波モジュール１ｄ及び通信装置３００ｄについて、図７及び８を参照して説明する。実施形態２に係る高周波モジュール１ｄ及び通信装置３００ｄに関し、実施形態１に係る高周波モジュール１及び通信装置３００と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。
実施形態２に係る高周波モジュール１ｄは、実施形態１に係る高周波モジュール１において送信フィルタ１２Ｂと受信フィルタ２２Ｂとを含むデュプレクサであるフィルタ３２Ｂの代わりに、互いに異なる回路素子である送信フィルタ１２Ｂと受信フィルタ２２Ｂとを備える点で、実施形態１に係る高周波モジュール１と相違する。また、実施形態２に係る高周波モジュール１ｄは、実施形態１に係る高周波モジュール１におけるフィルタ３２Ｃを備えていない点で、実施形態１に係る高周波モジュール１と相違する。
実施形態２に係る高周波モジュール１ｄでは、図８に示すように、送信フィルタ１２Ｂが、実装基板９の第１主面９１に配置され、受信フィルタ２２Ｂが、実装基板９の第２主面９２に配置されている。これにより、実施形態２に係る高周波モジュール１ｄは、送信フィルタ１２Ｂと受信フィルタ２２Ｂとのアイソレーションを向上させることが可能となる。
実施形態２に係る高周波モジュール１ｄでは、送信フィルタ１２Ｂが、弾性波フィルタ３（図３参照）と同様、パッケージ構造を有する弾性波フィルタであり、受信フィルタ２２Ｂが、弾性波フィルタ２（図３参照）と同様、ベアチップの弾性波フィルタである。
実施形態２に係る高周波モジュール１ｄは、実施形態１に係る高周波モジュール１と同様、実装基板９の第２主面９２に配置する弾性波フィルタ（受信フィルタ２２Ｂ）がベアチップなので、実装基板９の厚さ方向Ｄ１において実装基板９の第２主面９２側の低背化を図れ、高周波モジュール１ｄ全体の低背化を図ることが可能となる。
（実施形態３）
実施形態３に係る高周波モジュール１ｅ及び通信装置３００ｅについて、図９〜１１を参照して説明する。実施形態３に係る高周波モジュール１ｅ及び通信装置３００ｅに関し、実施形態２に係る高周波モジュール１ｄ及び通信装置３００ｄと同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。
実施形態３に係る高周波モジュール１ｅ及び通信装置３００ｅについて、図９〜１１を参照して説明する。実施形態３に係る高周波モジュール１ｅ及び通信装置３００ｅに関し、実施形態２に係る高周波モジュール１ｄ及び通信装置３００ｄと同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。
実施形態３に係る高周波モジュール１ｅは、実施形態２に係る高周波モジュール１ｄにおいて送信フィルタ１２Ａと受信フィルタ２２Ａとを含むデュプレクサであるフィルタ３２Ａの代わりに、互いに異なる回路素子である送信フィルタ１２Ａと受信フィルタ２２Ａとを備える点で、実施形態２に係る高周波モジュール１ｄと相違する。
実施形態３に係る高周波モジュール１ｅは、図１０に示すように、２つの送信フィルタ１２Ａ及び１２Ｂが、実装基板９の第１主面９１に配置され、２つの受信フィルタ２２Ａ及び２２Ｂが、実装基板９の第２主面９２に配置されている。これにより、実施形態３に係る高周波モジュール１ｅは、送信フィルタ１２Ａ及び送信フィルタ１２Ｂの各々と２つの受信フィルタ２２Ａ及び２２Ｂとのアイソレーションを向上させることが可能となる。また、実施形態３に係る高周波モジュール１ｅでは、実装基板９の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、送信フィルタ１２Ａと受信フィルタ２２Ｂとが重ならない。これにより、実施形態３に係る高周波モジュール１ｅでは、送信フィルタ１２Ａと受信フィルタ２２Ｂとのアイソレーションを向上させることが可能となる。
実施形態３に係る高周波モジュール１ｅでは、２つの送信フィルタ１２Ａ及び１２Ｂの各々が、弾性波フィルタ３（図３参照）と同様、パッケージ構造を有する弾性波フィルタであり、２つの受信フィルタ２２Ａ及び２２Ｂの各々が、弾性波フィルタ２（図３参照）と同様、ベアチップの弾性波フィルタである。これにより、実施形態３に係る高周波モジュール１ｅは、実装基板９の厚さ方向Ｄ１において実装基板９の第２主面９２側の低背化を図れ、高周波モジュール１ｅ全体の低背化を図ることが可能となる。
（実施形態４）
実施形態４に係る高周波モジュール１ｆについて、図１２及び１３を参照して説明する。実施形態４に係る高周波モジュール１ｆに関し、実施形態１に係る高周波モジュール１と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。なお、実施形態４に係る高周波モジュール１ｆは、例えば、実施形態１に係る通信装置３００の高周波モジュール１の代わりに用いられる。
実施形態４に係る高周波モジュール１ｆについて、図１２及び１３を参照して説明する。実施形態４に係る高周波モジュール１ｆに関し、実施形態１に係る高周波モジュール１と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。なお、実施形態４に係る高周波モジュール１ｆは、例えば、実施形態１に係る通信装置３００の高周波モジュール１の代わりに用いられる。
実施形態４に係る高周波モジュール１ｆは、実施形態１に係る高周波モジュール１における樹脂フィルム１９を備えていない点で、実施形態１に係る高周波モジュール１と相違する。実施形態４に係る高周波モジュール１ｆでは、樹脂層１０２が、図３に示した圧電性基板２００の外周面２１３を覆っている。実施形態４に係る高周波モジュール１ｆでは、空間Ｓ１が、弾性波フィルタ２と実装基板９の第２主面９２と樹脂層１０２とで囲まれている。
実施形態４に係る高周波モジュール１ｆは、実施形態１に係る高周波モジュール１と同様、実装基板９の第２主面９２に配置する弾性波フィルタ２（図３参照）がベアチップなので、実装基板９の厚さ方向Ｄ１において実装基板９の第２主面９２側の低背化を図れ、高周波モジュール１ｆ全体の低背化を図ることが可能となる。
実施形態４に係る高周波モジュール１ｆでは、樹脂層１０２が、圧電性基板２００の外周面２１３を覆っている。これにより、実施形態４に係る高周波モジュール１ｆは、空間Ｓ１に異物が入ることを抑制でき、特性劣化を抑制することが可能となる。また、実施形態４に係る高周波モジュール１ｆでは、樹脂層１０２が、圧電性基板２００の第２主面２１２も覆っている。これにより、実施形態４に係る高周波モジュール１ｆでは、信頼性の向上を図ることが可能となる。
実施形態４に係る高周波モジュール１ｆでは、図１３に示すように、実装基板９の厚さ方向Ｄ１におけるバンプ１７の寸法Ｈ２が、実装基板９の厚さ方向Ｄ１における弾性波フィルタ３の端子３１８の寸法Ｈ１よりも小さい。これにより、実施形態４に係る高周波モジュール１ｆでは、その製造時において、実装基板９の第２主面９２上に第２樹脂層１０２を形成する際に、第２樹脂層１０２の元になる樹脂が空間Ｓ１に入り込みにくくなる。
（その他の変形例）
上記の実施形態１〜４は、本発明の様々な実施形態の一つに過ぎない。上記の実施形態１〜４は、本発明の目的を達成できれば、設計等に応じて種々の変更が可能である。
上記の実施形態１〜４は、本発明の様々な実施形態の一つに過ぎない。上記の実施形態１〜４は、本発明の目的を達成できれば、設計等に応じて種々の変更が可能である。
例えば、実装基板９は、部品内蔵基板であってもよい。
また、パワーアンプ１１は、実装基板９の第１主面９１にフリップチップ実装される代わりに、ボンディングワイヤを利用した実装形態で実装されていてもよい。すなわち、パワーアンプ１１は、ダイボンド材によって実装基板９の第１主面９１に接合されることで実装基板９の第１主面９１に配置され（機械的に接続され）、端子（パッド電極）がボンディングワイヤを介して実装基板９の第１主面９１側の導体パターン層の導体部と電気的に接続されていてもよい。また、弾性波フィルタ２は、実装基板９の第２主面９２にフリップチップ実装される代わりに、ボンディングワイヤを利用した実装形態で実装されていてもよい。
また、高周波モジュール１は、送信信号用の信号経路と受信信号用の信号経路とのうち送信信号用の信号経路のみを有してもよい。この場合、高周波モジュール１は、例えば、複数のフィルタ３２Ａ〜３２Ｃをデュプレクサで構成する代わりに、複数の送信フィルタ１２Ａ〜１２Ｃで構成されてもよい。
また、複数のフィルタ３２Ａ〜３２Ｃは、弾性表面波を利用する弾性波フィルタであるが、これに限らず、例えば、弾性境界波、板波等を利用する弾性波フィルタであってもよい。
高周波モジュール１において、実装基板９の第１主面９１に配置される２つのフィルタ３２Ａ及び３２Ｃは、弾性表面波を利用する弾性波フィルタに限らず、例えば、ＢＡＷ（Bulk Acoustic Wave）フィルタであってもよい。
（態様）
本明細書には、以下の態様が開示されている。
本明細書には、以下の態様が開示されている。
第１の態様に係る高周波モジュール（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｄ；１ｅ；１ｆ）は、実装基板（９）と、電子部品と、外部接続端子（８）と、弾性波フィルタ（２）と、を備える。実装基板（９）は、互いに対向する第１主面（９１）及び第２主面（９２）を有する。電子部品は、実装基板（９）の第１主面（９１）に配置されている。外部接続端子（８）は、実装基板（９）の第２主面（９２）に配置されている。弾性波フィルタ（２）は、実装基板（９）の第２主面（９２）に配置されている。弾性波フィルタ（２）は、ベアチップである。
第１の態様に係る高周波モジュール（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｄ；１ｅ；１ｆ）は、実装基板（９）の厚さ方向（Ｄ１）における低背化を図ることが可能となる。
第２の態様に係る高周波モジュール（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｄ；１ｅ；１ｆ）は、第１の態様において、ベアチップの弾性波フィルタ（２）は、圧電性基板（２００）と、ＩＤＴ電極（２１５）と、複数のパッド電極（２１６）と、を有する。圧電性基板（２００）は、互いに対向する第１主面（２１１）及び第２主面（２１２）を有する。ＩＤＴ電極（２１５）は、圧電性基板（２００）の第１主面（２１１）上に設けられている。複数のパッド電極（２１６）は、圧電性基板（２００）の第１主面（２１１）上に設けられている。高周波モジュール（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｄ；１ｅ；１ｆ）は、複数のバンプ（１７）を更に備える。複数のバンプ（１７）は、複数のパッド電極（２１６）と実装基板（９）とに接合されている。ＩＤＴ電極（２１５）は、複数のパッド電極（２１６）と複数のバンプ（１７）と圧電性基板（２００）と実装基板（９）とによって圧電性基板（２００）と実装基板（９）との間に形成される空間（Ｓ１）内に配置されている。
第２の態様に係る高周波モジュール（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｄ；１ｅ；１ｆ）は、実装基板（９）の厚さ方向（Ｄ１）における低背化を図ることが可能となる。
第３の態様に係る高周波モジュール（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｄ；１ｅ）は、第２の態様において、樹脂フィルム（１９）を更に備える。樹脂フィルム（１９）は、実装基板（９）の第２主面（９２）に配置されている。樹脂フィルム（１９）は、少なくとも圧電性基板（２００）の外周面（２１３）を覆っている。空間（Ｓ１）は、ベアチップの弾性波フィルタ（２）と実装基板（９）の第２主面（９２）と樹脂フィルム（１９）とで囲まれている。
第３の態様に係る高周波モジュール（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｄ；１ｅ）は、空間（Ｓ１）に異物が入ることを抑制でき、特性劣化を抑制することが可能となる。
第４の態様に係る高周波モジュール（１；１ａ；１ｂ；１ｄ；１ｅ）では、第３の態様において、樹脂フィルム（１９）は、圧電性基板（２００）の第２主面（２１２）を覆っている。
第４の態様に係る高周波モジュール（１；１ａ；１ｂ；１ｄ；１ｅ）では、信頼性の向上を図れる。
第５の態様に係る高周波モジュール（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｄ；１ｅ）は、第３又は４の態様において、樹脂層（１０２）を更に備える。樹脂層（１０２）は、実装基板（９）の第２主面（９２）に配置されている。樹脂層（１０２）は、樹脂フィルム（１９）の少なくとも一部を覆っている。
第５の態様に係る高周波モジュール（１ｄ；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｄ；１ｅ）では、信頼性の向上を更に図れる。
第６の態様に係る高周波モジュール（１ｆ）は、第２の態様において、樹脂層（１０２）を更に備える。樹脂層（１０２）は、実装基板（９）の第２主面（９２）に配置されている。樹脂層（１０２）は、圧電性基板（２００）の外周面（２１３）を覆っている。空間（Ｓ１）は、ベアチップの弾性波フィルタ（２）と実装基板（９）の第２主面（９２）と樹脂層（１０２）とで囲まれている。
第６の態様に係る高周波モジュール（１ｆ）は、空間（Ｓ１）に異物が入ることを抑制でき、特性劣化を抑制することが可能となる。
第７の態様に係る高周波モジュール（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｄ；１ｅ；１ｆ）では、第１〜６の態様のいずれか一つにおいて、ベアチップの弾性波フィルタ（２）は、受信フィルタ（２２Ｂ；２２Ａ，２２Ｂ）を含む。高周波モジュール（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｄ；１ｅ；１ｆ）は、ＩＣチップ（１０）を更に備える。ＩＣチップ（１０）は、実装基板（９）の第２主面（９２）に配置されている。ＩＣチップ（１０）は、ローノイズアンプ（２１）を含む。ローノイズアンプ（２１）は、受信フィルタ（２２Ｂ；２２Ａ，２２Ｂ）を通過した高周波信号を増幅する。
第７の態様に係る高周波モジュール（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｄ；１ｅ；１ｆ）では、受信フィルタ（２２Ｂ；２２Ａ，２２Ｂ）とローノイズアンプ（２１）との間の配線長を短くすることが可能となる。
第８の態様に係る高周波モジュール（１；１ａ；１ｄ；１ｅ；１ｆ）では、第７の態様において、第１距離（Ｌ１）が、第２距離（Ｌ２）よりも短い。第１距離（Ｌ１）は、実装基板（９）の第２主面（９２）と、ベアチップの弾性波フィルタ（２）における実装基板（９）側とは反対側の面との距離である。第２距離（Ｌ２）は、実装基板（９）の第２主面（９２）と、ＩＣチップ（１０）における実装基板（９）側とは反対側の面との距離である。
第８の態様に係る高周波モジュール（１；１ａ；１ｄ；１ｅ；１ｆ）では、実装基板（９）の厚さ方向（Ｄ１）における低背化を図ることが可能となる。
第９の態様に係る通信装置（３００；３００ｄ；３００ｅ）は、第１〜８の態様のいずれか一つの高周波モジュール（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｄ；１ｅ；１ｆ）と、信号処理回路（３０１）と、を備える。信号処理回路（３０１）は、高周波モジュール（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｄ；１ｅ；１ｆ）のベアチップの弾性波フィルタ（２）を通過する高周波信号を信号処理する。
第９の態様に係る通信装置（３００；３００ｄ；３００ｅ）では、実装基板（９）の厚さ方向（Ｄ１）における低背化を図ることが可能となる。
１、１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄ、１ｅ、１ｆ 高周波モジュール
２ 弾性波フィルタ（第１弾性波フィルタ）
２００ 圧電性基板
２０１ 支持基板
２０１１ 第１主面
２０１２ 第２主面
２１１ 第１主面
２１２ 第２主面
２１３ 外周面
２１５ ＩＤＴ電極
２１６ パッド電極
２１７ 絶縁層
３ 弾性波フィルタ（第２弾性波フィルタ）
３０５ 圧電性基板
３１１ 第１主面
３１２ 第２主面
３１３ 外周面
３１４ スペーサ層
３１５ ＩＤＴ電極
３１６ カバー部材
３１８ 端子
４ 第２スイッチ
４０ 共通端子
４１〜４３ 選択端子
５ 第１スイッチ
５０ 共通端子
５１〜５３ 選択端子
６ 第３スイッチ
６０ 共通端子
６１〜６３ 選択端子
７ 第４スイッチ
７０ 共通端子
７１、７２ 選択端子
８ 外部接続端子
８０ グランド端子
８１ アンテナ端子
８２ 信号入力端子
８３ 信号出力端子
８４ 制御端子
９ 実装基板
９１ 第１主面
９２ 第２主面
９３ 外周面
１０ ＩＣチップ
１１ パワーアンプ
１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃ 送信フィルタ
１３ 出力整合回路
１４Ａ、１４Ｂ、１４Ｃ 整合回路
１５ コントローラ
１６ ローパスフィルタ
１７ バンプ
１９ 樹脂フィルム
１９１ 第１部分
１９２ 第２部分
２０ 入力整合回路
２１ ローノイズアンプ
２２Ａ、２２Ｂ、２２Ｃ 受信フィルタ
３２Ａ、３２Ｂ、３２Ｃ フィルタ（デュプレクサ）
１０１ 第１樹脂層
１０１１ 主面
１０１３ 外周面
１０２ 第２樹脂層
１０２１ 主面
１０２３ 外周面
３００、３００ｄ、３００ｅ 通信装置
３０１ 信号処理回路
３０２ ＲＦ信号処理回路
３０３ ベースバンド信号処理回路
３１０ アンテナ
Ｄ１ 厚さ方向
Ｓ１ 空間
Ｓ２ 空間
２ 弾性波フィルタ（第１弾性波フィルタ）
２００ 圧電性基板
２０１ 支持基板
２０１１ 第１主面
２０１２ 第２主面
２１１ 第１主面
２１２ 第２主面
２１３ 外周面
２１５ ＩＤＴ電極
２１６ パッド電極
２１７ 絶縁層
３ 弾性波フィルタ（第２弾性波フィルタ）
３０５ 圧電性基板
３１１ 第１主面
３１２ 第２主面
３１３ 外周面
３１４ スペーサ層
３１５ ＩＤＴ電極
３１６ カバー部材
３１８ 端子
４ 第２スイッチ
４０ 共通端子
４１〜４３ 選択端子
５ 第１スイッチ
５０ 共通端子
５１〜５３ 選択端子
６ 第３スイッチ
６０ 共通端子
６１〜６３ 選択端子
７ 第４スイッチ
７０ 共通端子
７１、７２ 選択端子
８ 外部接続端子
８０ グランド端子
８１ アンテナ端子
８２ 信号入力端子
８３ 信号出力端子
８４ 制御端子
９ 実装基板
９１ 第１主面
９２ 第２主面
９３ 外周面
１０ ＩＣチップ
１１ パワーアンプ
１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃ 送信フィルタ
１３ 出力整合回路
１４Ａ、１４Ｂ、１４Ｃ 整合回路
１５ コントローラ
１６ ローパスフィルタ
１７ バンプ
１９ 樹脂フィルム
１９１ 第１部分
１９２ 第２部分
２０ 入力整合回路
２１ ローノイズアンプ
２２Ａ、２２Ｂ、２２Ｃ 受信フィルタ
３２Ａ、３２Ｂ、３２Ｃ フィルタ（デュプレクサ）
１０１ 第１樹脂層
１０１１ 主面
１０１３ 外周面
１０２ 第２樹脂層
１０２１ 主面
１０２３ 外周面
３００、３００ｄ、３００ｅ 通信装置
３０１ 信号処理回路
３０２ ＲＦ信号処理回路
３０３ ベースバンド信号処理回路
３１０ アンテナ
Ｄ１ 厚さ方向
Ｓ１ 空間
Ｓ２ 空間
Claims (9)
- 互いに対向する第１主面及び第２主面を有する実装基板と、
前記実装基板の前記第１主面に配置されている電子部品と、
前記実装基板の前記第２主面に配置されている外部接続端子と、
前記実装基板の前記第２主面に配置されているベアチップの弾性波フィルタと、を備える、
高周波モジュール。 - 前記ベアチップの弾性波フィルタは、
互いに対向する第１主面及び第２主面を有する圧電性基板と、
前記圧電性基板の前記第１主面上に設けられているＩＤＴ電極と、
前記圧電性基板の前記第１主面上に設けられている複数のパッド電極と、を有し、
前記高周波モジュールは、前記複数のパッド電極と前記実装基板とに接合されている複数のバンプを更に備え、
前記ＩＤＴ電極は、前記複数のパッド電極と前記複数のバンプと前記圧電性基板と前記実装基板とによって前記圧電性基板と前記実装基板との間に形成される空間内に配置されている、
請求項１に記載の高周波モジュール。 - 前記実装基板の前記第２主面に配置されており、少なくとも前記圧電性基板の外周面を覆っている樹脂フィルムを更に備え、
前記空間は、前記ベアチップの弾性波フィルタと前記実装基板の前記第２主面と前記樹脂フィルムとで囲まれている、
請求項２に記載の高周波モジュール。 - 前記樹脂フィルムは、前記圧電性基板の前記第２主面を覆っている、
請求項３に記載の高周波モジュール。 - 前記実装基板の前記第２主面に配置されており、前記樹脂フィルムの少なくとも一部を覆っている樹脂層を更に備える、
請求項３又は４に記載の高周波モジュール。 - 前記実装基板の前記第２主面に配置されており、前記圧電性基板の外周面を覆っている樹脂層を更に備え、
前記空間は、前記ベアチップの弾性波フィルタと前記実装基板の前記第２主面と前記樹脂層とで囲まれている、
請求項２に記載の高周波モジュール。 - 前記ベアチップの弾性波フィルタは、受信フィルタを含み、
前記高周波モジュールは、
前記実装基板の前記第２主面に配置されており、前記受信フィルタを通過した高周波信号を増幅するローノイズアンプを含むＩＣチップを更に備える、
請求項１〜６のいずれか一項に記載の高周波モジュール。 - 前記実装基板の前記第２主面と、前記ベアチップの弾性波フィルタにおける前記実装基板側とは反対側の面との第１距離が、前記実装基板の前記第２主面と、前記ＩＣチップにおける前記実装基板側とは反対側の面との第２距離よりも短い、
請求項７に記載の高周波モジュール。 - 請求項１〜８のいずれか一項に記載の高周波モジュールと、
前記高周波モジュールの前記ベアチップの弾性波フィルタを通過する高周波信号を信号処理する信号処理回路と、を備える、
通信装置。
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