KR20210117949A - 고주파 모듈 및 통신 장치 - Google Patents
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Abstract
(과제) 실장 기판의 두께 방향에 있어서의 저배화를 도모한다.
(해결 수단) 고주파 모듈은 실장 기판(9)과, 전자 부품과, 외부 접속 단자와, 탄성파 필터(2)를 구비한다. 실장 기판(9)은 서로 대향하는 제 1 주면(91) 및 제 2 주면(92)을 갖는다. 전자 부품은 실장 기판(9)의 제 1 주면(91)에 배치되어 있다. 외부 접속 단자는 실장 기판(9)의 제 2 주면(92)에 배치되어 있다. 탄성파 필터(2)는 실장 기판(9)의 제 2 주면(92)에 배치되어 있다. 탄성파 필터(2)는 베어 칩이다.
(해결 수단) 고주파 모듈은 실장 기판(9)과, 전자 부품과, 외부 접속 단자와, 탄성파 필터(2)를 구비한다. 실장 기판(9)은 서로 대향하는 제 1 주면(91) 및 제 2 주면(92)을 갖는다. 전자 부품은 실장 기판(9)의 제 1 주면(91)에 배치되어 있다. 외부 접속 단자는 실장 기판(9)의 제 2 주면(92)에 배치되어 있다. 탄성파 필터(2)는 실장 기판(9)의 제 2 주면(92)에 배치되어 있다. 탄성파 필터(2)는 베어 칩이다.
Description
본 발명은 일반적으로 고주파 모듈 및 통신 장치에 관한 것이며, 보다 상세하게는 실장 기판과 탄성파 필터를 구비하는 고주파 모듈 및 그것을 구비하는 통신 장치에 관한 것이다.
종래, 고주파 모듈로서 기판(실장 기판)과, 기판에 형성된 필터부와, 기판에 설치된 스위치 IC와, 증폭부를 구비하는 프런트 엔드 모듈이 알려져 있다(예를 들면, 특허문헌 1 참조).
특허문헌 1에 개시된 프런트 엔드 모듈의 일례에서는 필터부는 기판의 일방 주면에 형성되고, 스위치 IC는 기판의 타방 주면에 설치되어 있다.
또한, 프런트 엔드 모듈은 기판의 타방 주면에 형성된 복수의 전극(외부 접속 단자)을 구비한다.
또한, 특허문헌 1에는 안테나 소자에서 송수신되는 고주파 신호를 처리하는 RF 신호 처리 회로와 프런트 엔드 모듈을 구비하는 통신 장치가 개시되어 있다.
고주파 모듈에 있어서는 실장 기판의 일방 주면 및 타방 주면 각각에 부품을 실장해서 실장 기판의 소형화를 도모할 경우에 실장 기판의 두께 방향에 있어서의 고주파 모듈의 저배화(低背化)가 요구되는 경우가 있다.
본 발명의 목적은 실장 기판의 두께 방향에 있어서의 저배화를 도모하는 것이 가능한 고주파 모듈 및 통신 장치를 제공하는 것에 있다.
본 발명의 일실시형태에 의한 고주파 모듈은 실장 기판과, 전자 부품과, 외부 접속 단자와, 탄성파 필터를 구비한다. 상기 실장 기판은 서로 대향하는 제 1 주면 및 제 2 주면을 갖는다. 상기 전자 부품은 상기 실장 기판의 상기 제 1 주면에 배치되어 있다. 상기 외부 접속 단자는 상기 실장 기판의 상기 제 2 주면에 배치되어 있다. 상기 탄성파 필터는 상기 실장 기판의 상기 제 2 주면에 배치되어 있다. 상기 탄성파 필터는 베어 칩이다.
본 발명의 일실시형태에 의한 통신 장치는 상기 고주파 모듈과 신호 처리 회로를 구비한다. 상기 신호 처리 회로는 상기 고주파 모듈의 상기 베어 칩의 탄성파 필터를 통과하는 고주파 신호를 신호 처리한다.
(발명의 효과)
본 발명의 상기 실시형태에 의한 고주파 모듈 및 통신 장치는 실장 기판의 두께 방향에 있어서의 저배화를 도모하는 것이 가능해진다.
도 1은 실시형태 1에 의한 고주파 모듈 및 그것을 구비하는 통신 장치의 회로도이다.
도 2는 동상의 고주파 모듈의 단면도이다.
도 3은 동상의 고주파 모듈의 일부의 단면도이다.
도 4는 실시형태 1의 변형예 1에 의한 고주파 모듈의 단면도이다.
도 5는 실시형태 1의 변형예 2에 의한 고주파 모듈의 단면도이다.
도 6은 실시형태 1의 변형예 3에 의한 고주파 모듈의 단면도이다.
도 7은 실시형태 2에 의한 고주파 모듈 및 그것을 구비하는 통신 장치의 회로도이다.
도 8은 동상의 고주파 모듈의 단면도이다.
도 9는 실시형태 3에 의한 고주파 모듈 및 그것을 구비하는 통신 장치의 회로도이다.
도 10은 동상의 고주파 모듈의 단면도이다.
도 11은 동상의 고주파 모듈의 일부의 평면도이다.
도 12는 실시형태 4에 의한 고주파 모듈의 단면도이다.
도 13은 동상의 고주파 모듈의 일부의 단면도이다.
도 2는 동상의 고주파 모듈의 단면도이다.
도 3은 동상의 고주파 모듈의 일부의 단면도이다.
도 4는 실시형태 1의 변형예 1에 의한 고주파 모듈의 단면도이다.
도 5는 실시형태 1의 변형예 2에 의한 고주파 모듈의 단면도이다.
도 6은 실시형태 1의 변형예 3에 의한 고주파 모듈의 단면도이다.
도 7은 실시형태 2에 의한 고주파 모듈 및 그것을 구비하는 통신 장치의 회로도이다.
도 8은 동상의 고주파 모듈의 단면도이다.
도 9는 실시형태 3에 의한 고주파 모듈 및 그것을 구비하는 통신 장치의 회로도이다.
도 10은 동상의 고주파 모듈의 단면도이다.
도 11은 동상의 고주파 모듈의 일부의 평면도이다.
도 12는 실시형태 4에 의한 고주파 모듈의 단면도이다.
도 13은 동상의 고주파 모듈의 일부의 단면도이다.
이하의 실시형태 등에 있어서 참조하는 도 2~도 6, 도 8, 및 도 10~도 13은 모두 모식적인 도면이며, 도면 중 각 구성 요소의 크기나 두께 각각의 비가 반드시 실제의 치수비를 반영하고 있다고는 할 수 없다.
(실시형태 1)
이하, 실시형태 1에 의한 고주파 모듈(1) 및 통신 장치(300)에 대해서 도 1~도 3을 참조하여 설명한다.
(1) 고주파 모듈 및 통신 장치
(1.1) 고주파 모듈 및 통신 장치의 개요
실시형태 1에 의한 고주파 모듈(1) 및 통신 장치(300)의 회로 구성에 대해서 도 1을 참조하여 설명한다.
실시형태 1에 의한 고주파 모듈(1)은, 예를 들면 통신 장치(300)에 사용된다. 통신 장치(300)는, 예를 들면 휴대전화(예를 들면, 스마트폰)이지만 이것에 한정되지 않고, 예를 들면 웨어러블 단말(예를 들면, 스마트 워치)이어도 좋다. 고주파 모듈(1)은, 예를 들면 4G(제 4 세대 이동 통신) 규격, 5G(제 5 세대 이동 통신) 규격에 대응 가능한 모듈이다. 4G 규격은, 예를 들면 3GPP LTE 규격(LTE: Long Term Evolution)이다. 5G 규격은, 예를 들면 5G NR(New Radio)이다. 고주파 모듈(1)은 캐리어 어그리게이션 및 듀얼 커넥티비티에 대응 가능한 모듈이다.
고주파 모듈(1)은, 예를 들면 신호 처리 회로(301)로부터 입력된 송신 신호(고주파 신호)를 증폭해서 안테나(310)로 출력할 수 있도록 구성되어 있다. 또한, 고주파 모듈(1)은 안테나(310)로부터 입력된 수신 신호(고주파 신호)를 증폭해서 신호 처리 회로(301)로 출력할 수 있도록 구성되어 있다. 신호 처리 회로(301)는 고주파 모듈(1)의 구성 요소는 아니고, 고주파 모듈(1)을 구비하는 통신 장치(300)의 구성 요소이다. 실시형태 1에 의한 고주파 모듈(1)은, 예를 들면 통신 장치(300)를 구비하는 신호 처리 회로(301)에 의해 제어된다. 통신 장치(300)는 고주파 모듈(1)과 신호 처리 회로(301)를 구비한다. 통신 장치(300)는 안테나(310)를 더 구비한다. 통신 장치(300)는 고주파 모듈(1)이 실장된 회로 기판을 더 구비한다. 회로 기판은, 예를 들면 프린트 배선판이다. 회로 기판은 그라운드 전위가 부여되는 그라운드 전극을 갖는다.
신호 처리 회로(301)는, 예를 들면 RF 신호 처리 회로(302)와 베이스 밴드 신호 처리 회로(303)를 포함한다. RF 신호 처리 회로(302)는, 예를 들면 RFIC(Radio Frequency Integrated Circuit)이며, 고주파 신호에 대한 신호 처리를 행한다. RF 신호 처리 회로(302)는, 예를 들면 베이스 밴드 신호 처리 회로(303)로부터 출력된 고주파 신호(송신 신호)에 대해서 업 컨버트 등의 신호 처리를 행하고, 신호 처리가 행해진 고주파 신호를 출력한다. 또한, RF 신호 처리 회로(302)는, 예를 들면 고주파 모듈(1)로부터 출력된 고주파 신호(수신 신호)에 대해서 다운 컨버트 등의 신호 처리를 행하고, 신호 처리가 행해진 고주파 신호를 베이스 밴드 신호 처리 회로(303)로 출력한다. 베이스 밴드 신호 처리 회로(303)는, 예를 들면 BBIC(Baseband Integrated Circuit)이다. 베이스 밴드 신호 처리 회로(303)는 베이스 밴드 신호로부터 I상 신호 및 Q상 신호를 생성한다. 베이스 밴드 신호는, 예를 들면 외부로부터 입력되는 음성 신호, 화상 신호 등이다. 베이스 밴드 신호 처리 회로(303)는 I상 신호와 Q상 신호를 합성함으로써 IQ 변조 처리를 행하고, 송신 신호를 출력한다. 이때 송신 신호는 소정 주파수의 반송파 신호를 상기 반송파 신호의 주기보다 긴 주기로 진폭 변조한 변조 신호(IQ 신호)로서 생성된다. 베이스 밴드 신호 처리 회로(303)에서 처리된 수신 신호는, 예를 들면 화상 신호로서 화상 표시를 위해서 또는 음성 신호로서 통화를 위해서 사용된다. 고주파 모듈(1)은 안테나(310)와 신호 처리 회로(301)의 RF 신호 처리 회로(302) 사이에서 고주파 신호(수신 신호, 송신 신호)를 전달한다.
실시형태 1에 의한 고주파 모듈(1)은 파워 업(11)과, 2개 이상(예를 들면, 3개)의 필터(32A~32C)와, 제 1 스위치(5)와, 제 2 스위치(4)와, 안테나 단자(81)를 구비한다. 파워 업(11)은 신호 처리 회로(301)로부터의 고주파 신호를 증폭해서 출력한다. 제 1 스위치(5)는 공통 단자(50) 및 복수(예를 들면, 3개)의 선택 단자(51~53)를 갖고, 공통 단자(50)에 파워 업(11)이 접속되어 있다. 3개의 필터(32A~32C)는 제 1 스위치(5)의 3개의 선택 단자(51~53)에 접속되어 있다. 제 2 스위치(4)는 공통 단자(40) 및 복수(예를 들면, 3개)의 선택 단자(41~43)를 갖고, 3개의 선택 단자(41~43)에 3개의 필터(32A~32C)가 접속되어 있다. 안테나 단자(81)는 제 2 스위치(4)의 공통 단자(40)에 접속되어 있다.
또한, 실시형태 1에 의한 고주파 모듈(1)은 파워 업(11)과 제 1 스위치(5)의 공통 단자(50) 사이에 설치되어 있는 출력 정합 회로(13)를 더 구비한다. 또한, 고주파 모듈(1)은 3개의 필터(32A~32C) 각각과 제 2 스위치(4) 사이의 각 신호 경로에 1개씩 설치되어 있는 3개의 정합 회로(14A~14C)를 더 구비한다. 또한, 고주파 모듈(1)은 컨트롤러(15)를 더 구비한다. 컨트롤러(15)는 파워 업(11)을 제어한다. 고주파 모듈(1)은 파워 업(11)의 입력 단자가 접속되어 있는 복수(예를 들면, 2개)의 신호 입력 단자(82)와 컨트롤러(15)가 접속되어 있는 제어 단자(84)를 더 구비한다.
고주파 모듈(1)에서는 3개의 필터(32A~32C) 각각이 듀플렉서이다. 실시형태 1에 의한 고주파 모듈(1)은 제 3 스위치(6)와, 로우 노이즈 업(21)과, 입력 정합 회로(20)를 더 구비한다. 제 3 스위치(6)는 공통 단자(60) 및 복수(예를 들면, 3개)의 선택 단자(61~63)를 갖고, 공통 단자(60)에 로우 노이즈 업(21)이 접속되어 있다. 입력 정합 회로(20)는 제 3 스위치(6)와 로우 노이즈 업(21) 사이에 설치되어 있다. 고주파 모듈(1)은 로우 노이즈 업(21)의 출력 단자가 접속되어 있는 신호 출력 단자(83)를 더 구비한다.
또한, 실시형태 1에 의한 고주파 모듈(1)은 로우 패스 필터(16)와 제 4 스위치(7)를 더 구비한다. 로우 패스 필터(16)는 안테나 단자(81)와 제 2 스위치(4)의 공통 단자(40) 사이에 접속되어 있다. 제 4 스위치(7)는 파워 업(11)과 2개의 신호 입력 단자(82) 사이에 접속되어 있다. 제 4 스위치(7)는 공통 단자(70) 및 복수(예를 들면, 2개)의 선택 단자(71~72)를 갖고, 공통 단자(70)에 파워 업(11)이 접속되고, 2개의 선택 단자(71~72)에 2개의 신호 입력 단자(82)가 접속되어 있다.
실시형태 1에 의한 고주파 모듈(1)은 도 2 및 도 3에 나타내는 바와 같이 서로 대향하는 제 1 주면(91) 및 제 2 주면(92)을 갖는 실장 기판(9)과, 실장 기판(9)의 제 1 주면(91)에 배치되어 있는 전자 부품(예를 들면, 파워 업(11), 필터(32A, 32C), 출력 정합 회로(13), 정합 회로(14A~14C), 로우 패스 필터(16))과, 외부 접속 단자(8)와, 탄성파 필터(2)(필터(32B))를 구비한다. 외부 접속 단자(8)는 실장 기판(9)의 제 2 주면(92)에 배치되어 있다. 탄성파 필터(2)는 실장 기판(9)의 제 2 주면(92)에 배치되어 있다. 탄성파 필터(2)는 베어 칩이다. 이것에 의해 실시형태 1에 의한 고주파 모듈(1)은 실장 기판(9)의 두께 방향(D1)에 있어서의 저배화를 도모하는 것이 가능해진다. 실시형태 1에 의한 고주파 모듈(1)은 실장 기판(9)의 제 2 주면(92)에 배치하는 탄성파 필터(2)가 베어 칩이므로 실장 기판(9)의 두께 방향(D1)에 있어서 실장 기판(9)의 제 2 주면(92)측의 저배화가 도모되어 고주파 모듈(1) 전체의 저배화를 도모하는 것이 가능해진다.
(1.2) 고주파 모듈의 회로 구성에 있어서의 각 구성 요소
(1.2.1) 파워 업
파워 업(11)은, 예를 들면 신호 처리 회로(301)로부터의 송신 신호(고주파 신호)를 증폭해서 출력한다. 파워 업(11)은 입력된 소정 주파수 대역의 송신 신호를 증폭해서 출력한다. 여기에 있어서 소정 주파수 대역은, 예를 들면 제 1 통신 밴드와, 제 2 통신 밴드와, 제 3 통신 밴드를 포함한다. 제 1 통신 밴드는 필터(32A)(의 송신 필터(12A))를 통과하는 송신 신호에 대응한다. 제 2 통신 밴드는 필터(32B)(의 송신 필터(12B))를 통과하는 송신 신호에 대응한다. 제 3 통신 밴드는 필터(32C)(송신 필터(12C))를 통과하는 송신 신호에 대응한다. 제 1 통신 밴드는 송신 필터(12A)를 통과하는 송신 신호에 대응하고, 예를 들면 3GPP LTE 규격의 Band1이다. 제 2 통신 밴드는 송신 필터(12B)를 통과하는 송신 신호에 대응하고, 예를 들면 3GPP LTE 규격의 Band3이다. 제 3 통신 밴드는 송신 필터(12C)를 통과하는 송신 신호에 대응하고, 예를 들면 3GPP LTE 규격의 Band41 또는 5G NR 규격의 n41이다.
파워 업(11)은 입력 단자 및 출력 단자를 갖는다. 파워 업(11)의 입력 단자는 2개의 신호 입력 단자(82)에 접속되어 있다. 보다 상세하게는 파워 업(11)의 입력 단자는 제 4 스위치(7)를 통해 2개의 신호 입력 단자(82)에 접속되어 있다. 파워 업(11)의 입력 단자는 2개의 신호 입력 단자(82) 중 어느 것을 통해도 신호 처리 회로(301)와 접속 가능하다. 신호 입력 단자(82)는 외부 회로(예를 들면, 신호 처리 회로(301))로부터의 고주파 신호(송신 신호)를 고주파 모듈(1)에 입력하기 위한 단자이다. 파워 업(11)의 출력 단자는 출력 정합 회로(13)에 접속되어 있다.
파워 업(11)의 입력 단자는 신호 입력 단자(82)를 통해 신호 처리 회로(301)에 접속된다. 파워 업(11)의 출력 단자는 출력 정합 회로(13)를 통해 제 1 스위치(5)의 공통 단자(50)에 접속되어 있다. 파워 업(11)은 컨트롤러(15)에 의해 제어된다.
(1.2.2) 필터
필터(32A)는 듀플렉서이며, 송신 필터(12A)와 수신 필터(22A)를 포함한다. 필터(32B)는 듀플렉서이며, 송신 필터(12B)와 수신 필터(22B)를 포함한다. 필터(32C)는 듀플렉서이며, 송신 필터(12C)와 수신 필터(22C)를 포함한다.
송신 필터(12A)는, 예를 들면 제 1 통신 밴드의 송신 대역을 통과 대역으로 하는 필터이다. 송신 필터(12B)는, 예를 들면 제 2 통신 밴드의 송신 대역을 통과 대역으로 하는 필터이다. 송신 필터(12C)는, 예를 들면 제 3 통신 밴드의 송신 대역을 통과 대역으로 하는 필터이다.
수신 필터(22A)는, 예를 들면 제 1 통신 밴드의 수신 대역을 통과 대역으로 하는 필터이다. 수신 필터(22B)는, 예를 들면 제 2 통신 밴드의 수신 대역을 통과 대역으로 하는 필터이다. 수신 필터(22C)는, 예를 들면 제 3 통신 밴드의 수신 대역을 통과 대역으로 하는 필터이다.
(1.2.3) 제 1 스위치
제 1 스위치(5)는 공통 단자(50)와 3개의 선택 단자(51~53)를 갖는다. 공통 단자(50)는 출력 정합 회로(13)를 통해 파워 업(11)의 출력 단자에 접속되어 있다. 선택 단자(51)는 필터(32A)에 접속되어 있다. 여기에 있어서 선택 단자(51)는 송신 필터(12A)의 입력 단자(필터(32A)를 구성하는 듀플렉서의 송신 단자)에 접속되어 있다. 선택 단자(52)는 필터(32B)에 접속되어 있다. 여기에 있어서 선택 단자(52)는 송신 필터(12B)의 입력 단자(필터(32B)를 구성하는 듀플렉서의 송신 단자)에 접속되어 있다. 선택 단자(53)는 필터(32C)에 접속되어 있다. 여기에 있어서 선택 단자(53)는 송신 필터(12C)의 입력 단자(필터(32C)를 구성하는 듀플렉서의 송신 단자)에 접속되어 있다. 제 1 스위치(5)는, 예를 들면 공통 단자(50)에 3개의 선택 단자(51~53) 중 적어도 1개 이상을 접속 가능한 스위치이다. 여기에서 제 1 스위치(5)는, 예를 들면 1 대 1 및 1 대 다의 접속이 가능한 스위치이다. 제 1 스위치(5)는 서로 통신 밴드가 상이한 복수의 송신 신호용의 신호 경로를 스위칭하는 기능을 갖는 스위치이며, 밴드 셀렉트 스위치라고도 불린다.
제 1 스위치(5)는 고주파 모듈(1)의 외부 회로(예를 들면, 신호 처리 회로(301))에 의해 제어된다. 제 1 스위치(5)는, 예를 들면 신호 처리 회로(301)로부터의 제어 신호에 따라 공통 단자(50)와 3개 선택 단자(51~53)의 접속 상태를 스위칭한다. 제 1 스위치(5)는, 예를 들면 스위치 IC(Integrated Circuit)이다.
(1.2.4) 제 2 스위치
제 2 스위치(4)는 공통 단자(40)와 3개의 선택 단자(41~43)를 갖는다. 제 2 스위치(4)는 안테나 단자(81)에 접속되는 스위치이며, 안테나 스위치라고도 불린다. 제 2 스위치(4)에서는 공통 단자(40)가 안테나 단자(81)에 접속되어 있다. 보다 상세하게는 공통 단자(40)는 로우 패스 필터(16)를 통해 안테나 단자(81)에 접속되어 있다. 안테나 단자(81)에는 안테나(310)가 접속된다. 선택 단자(41)는 필터(32A)에 접속되어 있다. 여기에 있어서 선택 단자(41)는 필터(32A)의 송신 필터(12A) 및 수신 필터(22A)에 접속되어 있다. 선택 단자(42)는 필터(32B)에 접속되어 있다. 여기에 있어서 선택 단자(42)는 송신 필터(12B) 및 수신 필터(22B)에 접속되어 있다. 선택 단자(43)는 필터(32C)에 접속되어 있다. 여기에 있어서 선택 단자(43)는 송신 필터(12C) 및 수신 필터(22C)에 접속되어 있다. 제 2 스위치(4)는, 예를 들면 공통 단자(40)에 3개의 선택 단자(41~43) 중 적어도 1개 이상을 접속 가능한 스위치이다. 여기에서 제 2 스위치(4)는, 예를 들면 1 대 1 및 1 대 다의 접속이 가능한 스위치이다.
제 2 스위치(4)는 송신 신호용의 신호 경로와 수신 신호용의 신호 경로의 양쪽에 설치되어 있다. 고주파 모듈(1)에서는 제 2 스위치(4)는 파워 업(11)과, 출력 정합 회로(13)와, 제 1 스위치(5)와, 송신 필터(12A)가 설치되어 있는 송신 신호용의 신호 경로에 설치되어 있다. 또한, 제 2 스위치(4)는 파워 업(11)과, 출력 정합 회로(13)와, 제 1 스위치(5)와, 송신 필터(12B)가 설치되어 있는 송신 신호용의 신호 경로에 설치되어 있다. 또한, 제 2 스위치(4)는 파워 업(11)과, 출력 정합 회로(13)와, 제 1 스위치(5)와, 송신 필터(12C)가 설치되어 있는 송신 신호용의 신호 경로에 설치되어 있다. 또한, 제 2 스위치(4)는 수신 필터(22A)와, 제 3 스위치(6)와, 로우 노이즈 업(21)이 설치되어 있는 수신 신호용의 신호 경로에 설치되어 있다. 또한, 제 2 스위치(4)는 수신 필터(22B)와, 제 3 스위치(6)와, 로우 노이즈 업(21)이 설치되어 있는 수신 신호용의 신호 경로에 설치되어 있다. 또한, 제 2 스위치(4)는 수신 필터(22C)와, 제 3 스위치(6)와, 로우 노이즈 업(21)이 설치되어 있는 수신 신호용의 신호 경로에 설치되어 있다.
제 2 스위치(4)는 고주파 모듈(1)의 외부 회로(예를 들면, 신호 처리 회로(301))에 의해 제어된다. 제 2 스위치(4)는, 예를 들면 신호 처리 회로(301)로부터의 제어 신호에 따라 공통 단자(40)와 3개 선택 단자(41~43)의 접속 상태를 스위칭한다. 제 2 스위치(4)는, 예를 들면 스위치 IC이다.
(1.2.5) 제 3 스위치
제 3 스위치(6)는 공통 단자(60)와 3개의 선택 단자(61~63)를 갖는다. 공통 단자(60)는 로우 노이즈 업(21)의 입력 단자에 접속되어 있다. 선택 단자(61)는 필터(32A)에 접속되어 있다. 여기에 있어서 선택 단자(61)는 수신 필터(22A)의 출력 단자(필터(32A)를 구성하는 듀플렉서의 수신 단자)에 접속되어 있다. 선택 단자(62)는 필터(32B)에 접속되어 있다. 여기에 있어서 선택 단자(62)는 수신 필터(22B)의 출력 단자(필터(32B)를 구성하는 듀플렉서의 수신 단자)에 접속되어 있다. 선택 단자(63)는 필터(32C)에 접속되어 있다. 여기에 있어서 선택 단자(63)는 수신 필터(22C)의 출력 단자(필터(32C)를 구성하는 듀플렉서의 수신 단자)에 접속되어 있다. 제 3 스위치(6)는, 예를 들면 공통 단자(60)에 3개의 선택 단자(61~63) 중 적어도 1개 이상을 접속 가능한 스위치이다. 여기에서 제 3 스위치(6)는, 예를 들면 1 대 1 및 1 대 다의 접속이 가능한 스위치이다.
제 3 스위치(6)는 고주파 모듈(1)의 외부 회로(예를 들면, 신호 처리 회로(301))에 의해 제어된다. 제 3 스위치(6)는, 예를 들면 신호 처리 회로(301)로부터의 제어 신호에 따라 공통 단자(60)와 3개 선택 단자(61~63)의 접속 상태를 스위칭한다.
(1.2.6) 제 4 스위치
제 4 스위치(7)는 파워 업(11)과 2개의 신호 입력 단자(82) 사이에 접속되어 있으며, 파워 업(11)과 2개의 신호 입력 단자(82)의 접속 상태를 스위칭한다. 제 4 스위치(7)는 고주파 모듈(1)의 외부 회로(예를 들면, 신호 처리 회로(301))에 의해 제어된다. 제 4 스위치(7)는, 예를 들면 스위치 IC이다.
(1.2.7) 출력 정합 회로
출력 정합 회로(13)는 파워 업(11)의 출력 단자와 제 1 스위치(5)의 공통 단자(50) 사이의 신호 경로에 설치되어 있다. 출력 정합 회로(13)는 파워 업(11)과 필터(32A~32C)의 임피던스 정합을 취하기 위한 회로이다. 출력 정합 회로(13)는, 예를 들면 1개의 인덕터로 구성되지만 이것에 한정되지 않고, 예를 들면 복수의 인덕터 및 복수의 커패시터를 포함하는 경우도 있다.
(1.2.8) 정합 회로
3개의 정합 회로(14A~14C) 각각은 안테나 단자(81)에 접속되는 안테나(310) 및 제 2 스위치(4)와 복수의 필터(32A~32C) 중 대응하는 필터의 임피던스 정합을 취하기 위한 회로이다. 정합 회로(14A)는 제 2 스위치(4)의 선택 단자(41)와 필터(32A) 사이에 접속되어 있다. 정합 회로(14B)는 제 2 스위치(4)의 선택 단자(42)와 필터(32B) 사이에 접속되어 있다. 정합 회로(14C)는 제 2 스위치(4)의 선택 단자(43)와 필터(32C) 사이에 접속되어 있다.
3개 정합 회로(14A~14C) 각각은, 예를 들면 1개의 인덕터로 구성되어 있지만 이것에 한정되지 않고, 예를 들면 복수의 인덕터 및 복수의 커패시터를 포함하는 경우도 있다.
(1.2.9) 컨트롤러
컨트롤러(15)는 파워 업(11)과 접속되어 있다. 컨트롤러(15)는, 예를 들면 제어 단자(84)를 통해 신호 처리 회로(301)에 접속된다. 제어 단자(84)는 외부 회로(예를 들면, 신호 처리 회로(301))로부터의 제어 신호를 컨트롤러(15)에 입력하기 위한 단자이다. 컨트롤러(15)는 제어 단자(84)로부터 취득한 제어 신호에 의거하여 파워 업(11)을 제어한다. 컨트롤러(15)는 신호 처리 회로(301)의 RF 신호 처리 회로(302)로부터의 제어 신호에 따라 파워 업(11)을 제어한다.
(1.2.10) 로우 노이즈 업
로우 노이즈 업(21)은 입력 단자 및 출력 단자를 갖는다. 로우 노이즈 업(21)은 수신 신호용의 신호 경로에 설치되어 있다. 로우 노이즈 업(21)은 입력 단자에 입력된 상기 소정 주파수 대역의 수신 신호를 증폭해서 출력 단자로부터 출력한다. 로우 노이즈 업(21)의 입력 단자는 제 3 스위치(6)의 공통 단자(60)에 접속되어 있다. 로우 노이즈 업(21)의 출력 단자는 신호 출력 단자(83)에 접속되어 있다. 로우 노이즈 업(21)의 출력 단자는, 예를 들면 신호 출력 단자(83)를 통해 신호 처리 회로(301)에 접속된다. 신호 출력 단자(83)는 로우 노이즈 업(21)으로부터의 고주파 신호(수신 신호)를 외부 회로(예를 들면, 신호 처리 회로(301))로 출력하기 위한 단자이다.
(1.2.11) 입력 정합 회로
입력 정합 회로(20)는 로우 노이즈 업(21)의 입력 단자와 제 3 스위치(6)의 공통 단자(60) 사이에 접속되어 있다. 입력 정합 회로(20)는 로우 노이즈 업(21)과 수신 필터(22A~22C)의 임피던스 정합을 취하기 위한 회로이다. 입력 정합 회로(20)는, 예를 들면 1개의 인덕터로 구성되어 있지만 이것에 한정되지 않고, 예를 들면 복수의 인덕터 및 복수의 커패시터를 포함하는 경우도 있다.
(1.2.12) 로우 패스 필터
로우 패스 필터(16)는 안테나 단자(81)와 제 2 스위치(4)의 공통 단자(40) 사이에 접속되어 있다. 고주파 모듈(1)은 로우 패스 필터(16) 대신에 로우 패스 필터(16)를 포함하는 멀티플렉서(예를 들면, 다이플렉서, 트리플렉서)를 구비하고 있어도 좋다.
(1.2.13) 외부 접속 단자
고주파 모듈(1)은 복수의 외부 접속 단자(8)를 구비하고 있다. 복수의 외부 접속 단자(8)는 복수의 그라운드 단자(80)(도 2 참조)와, 안테나 단자(81)와, 신호 입력 단자(82)와, 신호 출력 단자(83)와, 제어 단자(84)를 포함한다. 복수의 그라운드 단자(80)는 통신 장치(300)를 구비하는 상술한 회로 기판의 그라운드 전극과 전기적으로 접속되어 그라운드 전위가 부여되는 단자이다.
(1.3) 고주파 모듈의 구조
이하, 고주파 모듈(1)의 구조에 대해서 도 2를 참조하여 설명한다.
고주파 모듈(1)은 복수의 회로 소자와 복수의 회로 소자가 실장되는 실장 기판(9)을 구비한다. 복수의 회로 소자는 고주파 모듈(1)의 회로 구성 요소이다. 복수의 회로 소자는 파워 업(11) 및 탄성파 필터(필터(32A))를 포함한다.
실장 기판(9)은 실장 기판(9)의 두께 방향(D1)에 있어서 서로 대향하는 제 1 주면(91) 및 제 2 주면(92)을 갖는다. 실장 기판(9)은, 예를 들면 프린트 배선판, LTCC(Low Temperature Co-fired Ceramics) 기판, HTCC(High Temperature Co-fired Ceramics) 기판, 수지 다층 기판이다. 여기에 있어서 실장 기판(9)은, 예를 들면 복수의 유전체층 및 복수의 도전층을 포함하는 다층 기판이다. 복수의 유전체층 및 복수의 도전층은 실장 기판(9)의 두께 방향(D1)에 있어서 적층되어 있다. 복수의 도전층은 층마다 정해진 소정 패턴으로 형성되어 있다. 복수의 도전층 각각은 실장 기판(9)의 두께 방향(D1)에 직교하는 일평면 내에 있어서 1개 또는 복수의 도체부를 포함한다. 각 도전층의 재료는, 예를 들면 구리이다. 복수의 도전층은 그라운드층을 포함한다. 고주파 모듈(1)에서는 복수의 그라운드 단자(80)와 그라운드층이 실장 기판(9)을 갖는 비아 도체 등을 통해 전기적으로 접속되어 있다.
실장 기판(9)은 프린트 배선판, LTCC 기판에 한정되지 않고, 배선 구조체이어도 좋다. 배선 구조체는, 예를 들면 다층 구조체이다. 다층 구조체는 적어도 1개의 절연층과 적어도 1개의 도전층을 포함한다. 절연층은 소정 패턴으로 형성되어 있다. 절연층이 복수일 경우에는 복수의 절연층은 층마다 정해진 소정 패턴으로 형성되어 있다. 도전층은 절연층의 소정 패턴과는 상이한 소정 패턴으로 형성되어 있다. 도전층이 복수일 경우에는 복수의 도전층은 층마다 정해진 소정 패턴으로 형성되어 있다. 도전층은 1개 또는 복수의 재배선부를 포함해도 좋다. 배선 구조체에서는 다층 구조체의 두께 방향에 있어서 서로 대향하는 2개의 면 중 제 1 면이 실장 기판(9)의 제 1 주면(91)이며, 제 2 면이 실장 기판(9)의 제 2 주면(92)이다. 배선 구조체는, 예를 들면 인터포저이어도 좋다. 인터포저는 실리콘 기판을 사용한 인터포저이어도 좋고, 다층으로 구성된 기판이어도 좋다.
실장 기판(9)의 제 1 주면(91) 및 제 2 주면(92)은 실장 기판(9)의 두께 방향(D1)에 있어서 떨어져 있으며, 실장 기판(9)의 두께 방향(D1)에 교차한다. 실장 기판(9)에 있어서의 제 1 주면(91)은, 예를 들면 실장 기판(9)의 두께 방향(D1)에 직교하고 있지만, 예를 들면 두께 방향(D1)에 직교하지 않는 면으로서 도체부의 측면 등을 포함하고 있어도 좋다. 또한, 실장 기판(9)에 있어서의 제 2 주면(92)은, 예를 들면 실장 기판(9)의 두께 방향(D1)에 직교하고 있지만, 예를 들면 두께 방향(D1)에 직교하지 않는 면으로서 도체부의 측면 등을 포함하고 있어도 좋다. 또한, 실장 기판(9)의 제 1 주면(91) 및 제 2 주면(92)은 미세한 요철 또는 오목부 또는 볼록부가 형성되어 있어도 좋다. 실장 기판(9)의 두께 방향(D1)으로부터의 평면으로부터 볼 때 실장 기판(9)은 직사각형상이지만 이것에 한정되지 않고, 예를 들면 정사각형상이어도 좋다.
고주파 모듈(1)은 복수의 회로 소자로서 상술한 파워 업(11)과, 제 1 스위치(5)와, 제 2 스위치(4)와, 컨트롤러(15)와, 로우 노이즈 업(21)과, 3개의 필터(32A~32C)와, 제 3 스위치(6)와, 제 4 스위치(7)와, 출력 정합 회로(13)와, 입력 정합 회로(20)와, 3개의 정합 회로(14A~14C)와, 로우 패스 필터(16)를 구비한다. 고주파 모듈(1)의 복수의 회로 소자는 실장 기판(9)에 실장되어 있다. 여기에 있어서 실장 기판(9)에 실장되어 있다란 회로 소자가 실장 기판(9)에 배치되어 있는 것(기계적으로 접속되어 있는 것)과, 회로 소자가 실장 기판(9)(의 적당한 도체부)과 전기적으로 접속되어 있는 것을 포함한다. 복수의 회로 소자는 실장 기판(9)에 실장되는 전자 부품에만 한정되지 않고, 실장 기판(9) 내에 설치되는 회로 소자를 포함해도 좋다. 도 2에서는 상술한 실장 기판(9)의 도체부, 비아 도체 등에 의해 구성되는 복수의 배선의 도시를 생략하고 있다.
고주파 모듈(1)에서는 파워 업(11)은 실장 기판(9)의 제 1 주면(91)에 실장되어 있다. 따라서, 파워 업(11)은 실장 기판(9)의 제 1 주면(91)에 배치되어 있다.
또한, 고주파 모듈(1)에서는 출력 정합 회로(13), 필터(32A, 32C), 3개의 정합 회로(14A~14C)는 실장 기판(9)의 제 1 주면(91)에 실장되어 있다. 따라서, 출력 정합 회로(13), 필터(32A, 32C), 3개의 정합 회로(14A~14C)는 실장 기판(9)의 제 1 주면(91)에 배치되어 있다.
또한, 고주파 모듈(1)에서는 제 1 스위치(5), 제 2 스위치(4), 컨트롤러(15), 필터(32B)는 실장 기판(9)의 제 2 주면(92)에 실장되어 있다. 따라서, 고주파 모듈(1)에서는 제 1 스위치(5), 제 2 스위치(4), 컨트롤러(15), 필터(32B)는 실장 기판(9)의 제 2 주면(92)에 배치되어 있다. 또한, 고주파 모듈(1)에서는 로우 노이즈 업(21)과 입력 정합 회로(20)를 포함하는 1칩의 IC 칩(10)이 실장 기판(9)의 제 2 주면(92)에 실장되어 있다. 따라서, IC 칩(10)은 실장 기판(9)의 제 2 주면(92)에 배치되어 있다.
파워 업(11)은, 예를 들면 바이폴라 트랜지스터로서 HBT(Heterojunction Bipolar Transistor)를 포함하는 전력 증폭 회로를 갖는 GaAs계 IC 칩이다. 파워 업(11)은 실장 기판(9)에 플립 칩 실장되어 있다. 실장 기판(9)의 두께 방향(D1)으로부터의 평면으로부터 볼 때 파워 업(11)의 외주형상은 사각형상이다. 파워 업(11)은 GaAs계 IC 칩에 한정되지 않고, 예를 들면 전력 증폭 회로를 갖는 Si계 IC 칩 또는 전력 증폭 회로를 갖는 SiGe계 IC 칩이어도 좋다.
제 1 스위치(5)를 구성하는 스위치 IC는 1칩의 IC 칩이다. 제 1 스위치(5)는 공통 단자(50)와, 3개의 선택 단자(51~53)와, 복수의 FET(Field Effect Transistor)를 포함한다. 제 1 스위치(5)는 실장 기판(9)의 제 2 주면(92)에 플립 칩 실장되어 있다. 실장 기판(9)의 두께 방향(D1)으로부터의 평면으로부터 볼 때 제 1 스위치(5)의 외주형상은 사각형상이다.
제 2 스위치(4)를 구성하는 스위치 IC는 1칩의 IC 칩이다. 제 2 스위치(4)는 공통 단자(40)와, 3개의 선택 단자(41~43)와, 복수의 FET를 포함한다. 제 2 스위치(4)는 실장 기판(9)의 제 2 주면(92)에 플립 칩 실장되어 있다. 실장 기판(9)의 두께 방향(D1)으로부터의 평면으로부터 볼 때 제 2 스위치(4)의 외주형상은 사각형상이다.
제 3 스위치(6)는 공통 단자(60)와, 3개의 선택 단자(61~63)와, 복수의 FET를 포함한다. 제 3 스위치(6)와 로우 노이즈 업(21)을 포함하는 IC 칩(10)은 실장 기판(9)의 제 2 주면(92)에 플립 칩 실장되어 있다. 실장 기판(9)의 두께 방향(D1)으로부터의 평면으로부터 볼 때 IC 칩(10)의 외주형상은 사각형상이다.
제 4 스위치(7)를 구성하는 스위치 IC는 1칩의 IC 칩이다. 제 4 스위치(7)는 실장 기판(9)의 제 2 주면(92)에 플립 칩 실장되어 있다. 실장 기판(9)의 두께 방향(D1)으로부터의 평면으로부터 볼 때 제 4 스위치(7)의 외주형상은 사각형상이다.
컨트롤러(15)는 1칩의 IC 칩이다. 컨트롤러(15)는 실장 기판(9)의 제 2 주면(92)에 배치되어 있다. 여기에 있어서 컨트롤러(15)는 실장 기판(9)의 제 2 주면(92)에 플립 칩 실장되어 있다. 실장 기판(9)의 두께 방향(D1)으로부터의 평면으로부터 볼 때 컨트롤러(15)의 외주형상은 사각형상이다.
출력 정합 회로(13)를 구성하는 회로 소자는, 예를 들면 인덕터를 포함한다. 출력 정합 회로(13)에 있어서의 회로 소자는, 예를 들면 실장 기판(9)의 제 1 주면(91)에 배치되어 있다. 출력 정합 회로(13)에 포함되는 인덕터는 실장 기판(9)의 제 1 주면(91)에 실장되어 있는 표면 실장형 인덕터이다. 실장 기판(9)의 두께 방향(D1)으로부터의 평면으로부터 볼 때 회로 소자의 외주형상은 사각형상이다.
입력 정합 회로(20)를 구성하는 회로 소자는, 예를 들면 인덕터를 포함한다. 입력 정합 회로(20)에 있어서의 회로 소자는, 예를 들면 실장 기판(9)의 제 1 주면(91)에 배치되어 있다. 실장 기판(9)의 두께 방향(D1)으로부터의 평면으로부터 볼 때 회로 소자의 외주형상은 사각형상이다.
3개의 정합 회로(14A~14C) 각각에 있어서의 회로 소자는, 예를 들면 인덕터를 포함한다. 3개의 정합 회로(14A~14C) 각각에 있어서의 회로 소자는, 예를 들면 실장 기판(9)의 제 1 주면(91)에 배치되어 있다. 3개의 정합 회로(14A~14C) 각각에 포함되는 인덕터는, 예를 들면 실장 기판(9)의 제 1 주면(91)에 실장되어 있는 표면 실장형 인덕터이다. 실장 기판(9)의 두께 방향(D1)으로부터의 평면으로부터 볼 때 회로 소자의 외주형상은 사각형상이다.
로우 노이즈 업(21)을 포함하는 IC 칩(10)은 실장 기판(9)의 제 2 주면(92)에 배치되어 있다. 여기에 있어서 IC 칩(10)은 실장 기판(9)의 제 2 주면(92)에 플립 칩 실장되어 있다. 실장 기판(9)의 두께 방향(D1)으로부터의 평면으로부터 볼 때 IC 칩(10)은 파워 업(11)과 겹치지 않도록 배치되어 있다. 실장 기판(9)의 두께 방향(D1)으로부터의 평면으로부터 볼 때 IC 칩(10)의 외주형상은 사각형상이다.
로우 패스 필터(16)는 실장 기판(9)의 제 1 주면(91)에 배치되어 있다. 여기에 있어서 로우 패스 필터(16)는 실장 기판(9)의 제 1 주면(91)에 실장되어 있다. 로우 패스 필터(16)는, 예를 들면 복수의 인덕터 및 커패시터를 포함한다. 로우 패스 필터(16)는 IPD(Integrated Passive Device)이어도 좋다.
복수의 외부 접속 단자(8)는 실장 기판(9)의 제 2 주면(92)에 배치되어 있다. 복수의 외부 접속 단자(8)의 재료는, 예를 들면 금속(예를 들면, 구리, 구리 합금)이다. 복수의 외부 접속 단자(8) 각각은 기둥형상 전극이다. 여기에 있어서 기둥형상 전극은, 예를 들면 원기둥형상의 전극이다. 복수의 외부 접속 단자(8)는 동일 형상이지만 상이한 형상이어도 좋다.
복수의 외부 접속 단자(8)는 상술한 바와 같이 복수의 그라운드 단자(80), 안테나 단자(81), 신호 입력 단자(82), 신호 출력 단자(83), 및 제어 단자(84)를 포함하고 있다. 복수의 그라운드 단자(80)는 상술한 바와 같이 실장 기판(9)의 그라운드층과 전기적으로 접속되어 있다. 그라운드층은 고주파 모듈(1)의 회로 그라운드이며, 고주파 모듈(1)의 복수의 회로 소자는 그라운드층과 전기적으로 접속되어 있는 회로 소자를 포함한다.
실시형태 1에 의한 고주파 모듈(1)에서는 필터(32B)가 베어 칩의 탄성파 필터(2)이며, 필터(32A 및 32C) 각각이 패키지 구조를 갖는 탄성파 필터(3)이다. 이하에서는 설명의 편의상 탄성파 필터(2)를 제 1 탄성파 필터(2)라고도 칭하고, 탄성파 필터(3)를 제 2 탄성파 필터(3)라고도 칭한다.
제 1 탄성파 필터(2)는 도 3에 나타내는 바와 같이 압전성 기판(200)과, IDT(Interdigital Transducer) 전극(215)과, 복수의 패드 전극(216)을 갖는다. 압전성 기판(200)은 서로 대향하는 제 1 주면(211) 및 제 2 주면(212)을 갖는다. 또한, 압전성 기판(200)은 제 1 주면(211)과 제 2 주면(212)을 연결하고 있는 외주면(213)을 갖는다. IDT 전극(215)은 압전성 기판(200)의 제 1 주면(211) 상에 형성되어 있다. 복수의 패드 전극(216)은 압전성 기판(200)의 제 1 주면(211) 상에 형성되어 있다. 제 1 탄성파 필터(2)는 그 두께 방향으로부터의 평면으로부터 볼 때 직사각형상이지만 이것에 한정되지 않고, 예를 들면 정사각형상이어도 좋다.
압전성 기판(200)은, 예를 들면 지지 기판(201)과, 지지 기판(201) 상에 형성된 저음속막(202)과, 저음속막(202) 상에 형성된 압전체층(203)을 갖는 적층형 기판이다.
지지 기판(201)은 서로 대향하는 제 1 주면(2011) 및 제 2 주면(2012)을 갖는다. 저음속막(202)은 지지 기판(201)의 제 1 주면(2011) 상에 형성되어 있다. 저음속막(202)은 제 1 탄성파 필터(2)의 두께 방향으로부터의 평면으로부터 볼 때 지지 기판(201)의 외주로부터 떨어져 위치하고 있다. 제 1 탄성파 필터(2)에서는 압전성 기판(200)의 제 1 주면(211)은 지지 기판(201)의 제 1 주면(2011) 중 저음속막(202)으로 덮여 있지 않은 영역과, 압전체층(203)에 있어서의 지지 기판(201)측과는 반대측의 주면을 포함한다.
제 1 탄성파 필터(2)는 지지 기판(201)의 제 1 주면(2011) 중 저음속막(202)으로 덮여 있지 않은 영역을 덮는 절연층(217)을 더 구비한다. 절연층(217)은 전기 절연성을 갖는다. 절연층(217)은 지지 기판(201)의 제 1 주면(2011) 상에 있어서 지지 기판(201)의 외주를 따라 형성되어 있다. 절연층(217)은 복수의 IDT 전극(215)을 둘러싸고 있다. 제 1 탄성파 필터(2)의 두께 방향으로부터의 평면으로부터 볼 때 절연층(217)은 프레임형상(예를 들면, 직사각형 프레임형상)이다. 절연층(217)의 일부는 제 1 탄성파 필터(2)의 두께 방향에 있어서 압전체층(203)의 외주부에 겹쳐 있다. 압전체층(203)의 외주면 및 저음속막(202)의 외주면은 절연층(217)에 의해 덮여 있다. 절연층(217)의 재료는 에폭시 수지, 폴리이미드 등이다.
복수의 패드 전극(216)은 절연층(217)을 통해 압전성 기판(200)의 제 1 주면(211) 상에 형성되어 있다.
압전체층(203)의 재료는, 예를 들면 리튬탄탈레이트 또는 리튬니오베이트이다. 저음속막(202)은 압전체층(203)을 전파하는 벌크파의 음속보다 저음속막(202)을 전파하는 벌크파의 음속이 저속이 되는 막이다. 저음속막(202)의 재료는, 예를 들면 산화규소이다. 저음속막(202)의 재료는 산화규소에 한정되지 않는다. 저음속막(202)의 재료는, 예를 들면 산화규소, 유리, 산질화규소, 산화탄탈, 산화규소에 불소, 탄소 또는 붕소를 첨가한 화합물 또는 상기 각 재료를 주성분으로 하는 재료이어도 좋다. 지지 기판(201)에서는 압전체층(203)을 전파하는 탄성파의 음속보다 지지 기판(201)을 전파하는 벌크파의 음속이 고속이다. 여기에 있어서 지지 기판(201)을 전파하는 벌크파는 지지 기판(201)을 전파하는 복수의 벌크파 중 가장 저음속인 벌크파이다. 지지 기판(201)의 재료는 실리콘, 질화알루미늄, 산화알루미늄, 탄화규소, 질화규소, 사파이어, 리튬탄탈레이트, 리튬니오베이트, 수정, 알루미나, 지르코니아, 코디에라이트, 멀라이트, 스테아타이트, 폴스테라이트, 마그네시아, 및 다이아몬드로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 재료를 포함하고 있으면 좋다.
압전성 기판(200)은 지지 기판(201)과 저음속막(202) 사이에 형성되어 있는 고음속막을 더 갖고 있어도 좋다. 고음속막은 압전체층(203)을 전파하는 탄성파의 음속보다 고음속막을 전파하는 벌크파의 음속이 고속이 되는 막이다. 고음속막의 재료는, 예를 들면 다이아몬드 라이크 카본, 질화알루미늄, 산화알루미늄, 탄화규소, 질화규소, 실리콘, 사파이어, 압전체(리튬탄탈레이트, 리튬니오베이트 또는 수정), 알루미나, 지르코니아, 코디에라이트, 멀라이트, 스테아타이트, 폴스테라이트, 마그네시아, 및 다이아몬드로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 재료이다. 고음속막의 재료는 상술한 어느 재료를 주성분으로 하는 재료 또는 상술한 어느 재료를 포함하는 혼합물을 주성분으로 하는 재료이어도 좋다.
압전성 기판(200)은 적층형 기판에 한정되지 않고, 압전 기판이어도 좋다. 압전 기판의 재료는, 예를 들면 리튬탄탈레이트 또는 리튬니오베이트이다. 압전성 기판(200)이 압전 기판일 경우 복수의 패드 전극(216)은 압전성 기판(200)의 제 1 주면(211) 상에 직접 형성되어 있어도 좋다.
제 1 탄성파 필터(2)는 IDT 전극(215)을 복수 구비하고 있다. 또한, 도 3에서는 복수의 IDT 전극(215) 중 2개의 IDT 전극(215)만 모식적으로 도시하고 있다. 복수의 IDT 전극(215) 각각은 제 1 전극 및 제 2 전극을 갖는다. 제 1 전극은 복수의 제 1 전극지(電極指)와 복수의 제 1 전극지가 접속되어 있는 제 1 버스 바를 갖는다. 제 2 전극은 복수의 제 2 전극지와 복수의 제 2 전극지가 접속되어 있는 제 2 버스 바를 갖는다. 제 1 탄성파 필터(2)의 특성은, 예를 들면 IDT 전극(215)의 전극지 피치, IDT 전극(215)의 교차 폭, 압전성 기판(200)의 재료 등을 적당히 변경함으로써 변경할 수 있다. IDT 전극(215)의 전극지 피치는 복수의 제 1 전극지 중 이웃하는 2개의 제 1 전극지의 중심선 간의 거리 또는 복수의 제 2 전극지 중 이웃하는 2개의 제 2 전극지의 중심선 간의 거리로 정의된다. 실시형태 1에 의한 고주파 모듈(1)의 제 1 탄성파 필터(2)에서는, 예를 들면 송신 필터(12B) 및 수신 필터(22B) 각각이 복수의 탄성파 공진자(복수의 직렬암 공진자 및 복수의 병렬암 공진자)를 포함하는 래더형 필터이다. 복수의 탄성파 공진자 각각이 IDT 전극(215)과 압전성 기판(200)의 일부를 포함하고 있다.
제 1 탄성파 필터(2)에서는 압전성 기판(200)은, 예를 들면 저음속막(202)과 압전체층(203) 사이에 개재하는 밀착층을 포함하고 있어도 좋다. 밀착층은, 예를 들면 수지(에폭시 수지, 폴리이미드 수지)로 이루어진다. 또한, 제 1 탄성파 필터(2)에서는 압전성 기판(200)은 저음속막(202)과 압전체층(203) 사이, 압전체층(203) 상, 또는 저음속막(202) 하 중 어느 곳에 유전체막을 구비하고 있어도 좋다. 유전체막의 재료는, 예를 들면 산화규소이다. 또한, 제 1 탄성파 필터(2)는 압전체층(203) 상에 설치되고, 복수의 IDT 전극(215)을 덮고 있는 보호막을 더 구비하고 있어도 좋다. 보호막의 재료는, 예를 들면 산화규소이다.
제 1 탄성파 필터(2)는 실장 기판(9)의 제 2 주면(92)에 배치되어 있다. 제 1 탄성파 필터(2)에서는 압전성 기판(200)의 제 1 주면(211)이 실장 기판(9)측에 위치하고, 압전성 기판(200)의 제 2 주면(212)이 실장 기판(9)측과는 반대측에 위치하고 있다. 고주파 모듈(1)은 복수의 범프(17)를 더 구비한다. 복수의 범프(17)는 제 1 탄성파 필터(2)와 실장 기판(9)의 제 2 주면(92) 사이에 개재하여 제 1 탄성파 필터(2)와 실장 기판(9)을 접속하고 있다. 복수의 범프(17) 각각의 형상은 대략 구형상이다. 복수의 범프(17) 각각은, 예를 들면 땜납 범프이다. 복수의 범프(17) 각각은 땜납 범프에 한정되지 않고, 예를 들면 금 범프이어도 좋다.
복수의 범프(17)는 복수의 패드 전극(216)과 실장 기판(9)에 접합되어 있다. 복수의 범프(17)는 복수의 패드 전극(216) 중 실장 기판(9)의 두께 방향(D1)에 있어서 겹치는 패드 전극(216)에 접합되어 있다. 고주파 모듈(1)에서는 실장 기판(9)의 두께 방향(D1)에 있어서 제 1 탄성파 필터(2)와 실장 기판(9)의 제 2 주면(92) 사이에 공간(S1)이 형성되어 있다. 실시형태 1에 의한 고주파 모듈(1)에서는 공간(S1)은 복수의 패드 전극(216)과, 복수의 범프(17)와, 압전성 기판(200)과, 실장 기판(9)에 의해서 압전성 기판(200)과 실장 기판(9) 사이에 형성된다. 복수의 IDT 전극(215)은 공간(S1) 내에 배치되어 있다.
제 2 탄성파 필터(3)는 압전성 기판(305)과, IDT 전극(315)과, 복수의 단자(318)를 갖는다. 압전성 기판(305)은 서로 대향하는 제 1 주면(311) 및 제 2 주면(312)을 갖는다. 또한, 압전성 기판(305)은 제 1 주면(311)과 제 2 주면(312)을 연결하고 있는 외주면(313)을 갖는다. IDT 전극(315)은 압전성 기판(305)의 제 1 주면(311) 상에 형성되어 있다. 압전성 기판(305)은 압전 기판이다. 압전 기판의 재료는, 예를 들면 리튬탄탈레이트 또는 리튬니오베이트이다. 압전성 기판(305)은 압전 기판에 한정되지 않고, 예를 들면 압전성 기판(200)과 마찬가지의 적층형 기판이어도 좋다. 제 2 탄성파 필터(3)는 IDT 전극(315)을 복수 구비하고 있다. 또한, 도 3에서는 복수의 IDT 전극(315) 중 2개의 IDT 전극(315)만 모식적으로 도시하고 있다. 고주파 모듈(1)에서는 제 2 탄성파 필터(3)로 이루어지는 제 1 필터(32A)의 송신 필터(12A) 및 수신 필터(22A) 각각이 래더형 필터이다. 또한, 고주파 모듈(1)에서는 제 2 탄성파 필터(3)로 이루어지는 제 2 필터(32C)의 송신 필터(12C) 및 수신 필터(22C) 각각이 래더형 필터이다.
또한, 제 2 탄성파 필터(3)는 패키지 구조의 구성 요소로서 스페이서층(314)과, 커버 부재(316)와, 복수의 단자(318)를 갖고 있다. 스페이서층(314) 및 커버 부재(316)는 압전성 기판(305)의 제 1 주면(311)측에 형성된다. 스페이서층(314)은 제 2 탄성파 필터(3)의 두께 방향으로부터의 평면으로부터 볼 때 복수의 IDT 전극(315)을 둘러싸고 있다. 제 2 탄성파 필터(3)의 두께 방향으로부터의 평면으로부터 볼 때 스페이서층(314)은 프레임형상(직사각형 프레임형상)이다. 스페이서층(314)은 전기 절연성을 갖는다. 스페이서층(314)의 재료는 에폭시 수지, 폴리이미드 등이다. 커버 부재(316)는 평판형상이다. 제 2 탄성파 필터(3)의 두께 방향으로부터의 평면으로부터 볼 때 커버 부재(316)는 직사각형상이지만 이것에 한정되지 않고, 예를 들면 정사각형상이어도 좋다. 제 2 탄성파 필터(3)에서는 제 2 탄성파 필터(3)의 두께 방향으로부터의 평면으로부터 볼 때 커버 부재(316)의 외형 사이즈와, 스페이서층(314)의 외형 사이즈와, 압전성 기판(305)의 외형 사이즈가 대략 동일하다. 커버 부재(316)는 제 2 탄성파 필터(3)의 두께 방향에 있어서 압전성 기판(305)에 대향하도록 스페이서층(314) 상에 배치되어 있다. 커버 부재(316)는 제 2 탄성파 필터(3)의 두께 방향에 있어서 복수의 IDT 전극(315)과 중복되고, 또한 제 2 탄성파 필터(3)의 두께 방향에 있어서 복수의 IDT 전극(315)으로부터 떨어져 있다. 커버 부재(316)는 전기 절연성을 갖는다. 커버 부재(316)의 재료는 에폭시 수지, 폴리이미드 등이다. 제 2 탄성파 필터(3)는 압전성 기판(305)과, 스페이서층(314)과, 커버 부재(316)로 둘러싸인 공간(S2)을 갖는다. 제 2 탄성파 필터(3)에서는 공간(S2)에는 기체가 들어 있다. 기체는 공기, 불활성 가스(예를 들면, 질소 가스) 등이다. 제 2 탄성파 필터(3)에 있어서의 복수의 단자(318)는 커버 부재(316)로부터 노출되어 있다. 복수의 단자(318) 각각은, 예를 들면 범프이다. 각 범프는, 예를 들면 땜납 범프이다. 각 범프는 땜납 범프에 한정되지 않고, 예를 들면 금 범프이어도 좋다.
제 1 탄성파 필터(2)는 패키지 구조를 갖고 있지 않은 베어 칩이며, 제 2 탄성파 필터(3)에 비해서 두께 방향의 치수가 작다.
실장 기판(9)의 두께 방향(D1)에 있어서 제 2 탄성파 필터(3)의 치수는, 예를 들면 출력 정합 회로(13)에 포함되는 표면 실장형 인덕터의 치수보다 작다. 또한, 실장 기판(9)의 두께 방향(D1)에 있어서 제 2 탄성파 필터(3)의 치수는, 예를 들면 3개의 정합 회로(14A~14C) 각각에 포함되는 표면 실장형 인덕터의 치수보다 작다.
고주파 모듈(1)은 수지층(101)(이하, 제 1 수지층(101)이라고도 한다)을 더 구비한다. 제 1 수지층(101)은 실장 기판(9)의 제 1 주면(91)측에 있어서 실장 기판(9)의 제 1 주면(91)에 배치되어 있는 복수의 회로 소자를 덮고 있다. 여기에 있어서 제 1 수지층(101)은 실장 기판(9)의 제 1 주면(91)에 배치되어 있는 복수의 회로 소자를 밀봉하고 있다. 실장 기판(9)의 제 1 주면(91)에 배치되어 있는 복수의 회로 소자는 파워 업(11), 필터(32A), 필터(32C), 출력 정합 회로(13), 3개의 정합 회로(14A~14C), 및 로우 패스 필터(16)를 포함한다. 제 1 수지층(101)은 수지를 포함한다. 제 1 수지층(101)은 수지 외에 필러를 포함하고 있어도 좋다.
고주파 모듈(1)은 수지 필름(19)을 더 구비한다. 수지 필름(19)은 실장 기판(9)의 제 2 주면(92)에 배치되어 있다. 실시형태 1에 의한 고주파 모듈(1)에서는 수지 필름(19)은 도 3에 나타내는 바와 같이 압전성 기판(200)의 제 2 주면(212)과 외주면(213)을 덮고 있다. 수지 필름(19)은 압전성 기판(200)의 제 2 주면(212)을 덮고 있는 제 1 부분(191)과 압전성 기판(200)의 외주면(213)을 덮고 있으며, 실장 기판(9)의 제 2 주면(92)에 접해 있는 제 2 부분(192)을 포함한다. 탄성파 필터(2)와 실장 기판(9)의 제 2 주면(92) 사이의 공간(S1)은 탄성파 필터(2)와, 실장 기판(9)의 제 2 주면(92)과, 수지 필름(19)으로 둘러싸여 있다. 수지 필름(19)은 그 외주부가 전체 둘레에 걸쳐 실장 기판(9)의 제 2 주면(92)에 접해 있다. 수지 필름(19)의 재료는, 예를 들면 에폭시 수지를 포함한다. 공간(S1)에는 기체가 들어 있다. 기체는 공기 또는 불활성 가스(예를 들면, 질소 가스)이다.
실시형태 1에 의한 고주파 모듈(1)은 수지층(102)(이하, 제 2 수지층(102)이라고도 한다)을 더 구비한다. 제 2 수지층(102)은 실장 기판(9)의 제 2 주면(92)에 배치되어 있다. 수지층(102)은 수지 필름(19)을 덮고 있다. 또한, 고주파 모듈(1)에서는 제 2 수지층(102)은 실장 기판(9)의 제 2 주면(92)측에 있어서 실장 기판(9)의 제 2 주면(92)에 실장되어 있는 복수의 회로 소자와 복수의 외부 접속 단자(8) 각각의 일부를 덮고 있다. 여기에 있어서 복수의 회로 소자는 제 1 스위치(5), 제 2 스위치(4), 제 4 스위치(7), 컨트롤러(15), IC 칩(10), 및 필터(32B)를 포함한다. 제 2 수지층(102)은 복수의 외부 접속 단자(8) 각각에 있어서의 선단면을 노출시키도록 형성되어 있다. 또한, 제 2 수지층(102)은 수지 필름(19)을 개재하여 필터(32B)를 덮고 있다. 제 2 수지층(102)은 수지를 포함한다. 제 2 수지층(102)은 수지 외에 필러를 포함하고 있어도 좋다. 제 2 수지층(102)의 재료는 제 1 수지층(101)의 재료와 동일 재료이어도 좋고, 상이한 재료이어도 좋다.
또한, 고주파 모듈(1)은 실드층(103)을 더 구비한다. 실드층(103)의 재료는, 예를 들면 금속이다. 실드층(103)은 제 1 수지층(101)의 주면(1011), 및 외주면(1013)과, 실장 기판(9)의 외주면(93)과, 제 2 수지층(102)의 외주면(1023)을 덮고 있다. 실드층(103)은 실장 기판(9)을 갖는 그라운드층과 접촉하고 있다. 이것에 의해 고주파 모듈(1)에서는 실드층(103)의 전위를 그라운드층의 전위와 동일하게 할 수 있다.
(3) 정리
(3.1) 고주파 모듈
실시형태 1에 의한 고주파 모듈(1)은 서로 대향하는 제 1 주면(91) 및 제 2 주면(92)을 갖는 실장 기판(9)과, 실장 기판(9)의 제 1 주면(91)에 배치되어 있는 전자 부품(예를 들면, 파워 업(11), 필터(32A, 32C), 출력 정합 회로(13), 정합 회로(14A~14C), 로우 패스 필터(16))과, 외부 접속 단자(8)와, 탄성파 필터(2)를 구비한다. 외부 접속 단자(8)는 실장 기판(9)의 제 2 주면(92)에 배치되어 있다. 탄성파 필터(2)는 실장 기판(9)의 제 2 주면(92)에 배치되어 있다. 탄성파 필터(2)는 베어 칩이다. 또한, 실장 기판(9)의 제 1 주면(91)에 배치되는 전자 부품의 수는 1개이어도 좋고, 복수이어도 좋다.
실시형태 1에 의한 고주파 모듈(1)은 실장 기판(9)의 제 2 주면(92)에 배치하는 탄성파 필터(2)가 베어 칩이므로 실장 기판(9)의 두께 방향(D1)에 있어서 실장 기판(9)의 제 2 주면(92)측의 저배화가 도모되고, 고주파 모듈(1) 전체의 저배화를 도모하는 것이 가능해진다.
또한, 실시형태 1에 의한 고주파 모듈(1)에서는 탄성파 필터(2)가 압전성 기판(200)과, IDT 전극(215)과, 복수의 패드 전극(216)을 갖는다. 압전성 기판(200)은 서로 대향하는 제 1 주면(211) 및 제 2 주면(212)을 갖는다. IDT 전극(215)은 압전성 기판(200)의 제 1 주면(211) 상에 형성되어 있다. 복수의 패드 전극(216)은 압전성 기판(200)의 제 1 주면(211) 상에 형성되어 있다. 고주파 모듈(1)은 복수의 범프(17)를 더 구비한다. 복수의 범프(17)는 복수의 패드 전극(216)과 실장 기판(9)에 접합되어 있다. IDT 전극(215)은 복수의 패드 전극(216)과, 복수의 범프(17)와, 압전성 기판(200)과, 실장 기판(9)에 의해서 압전성 기판(200)과 실장 기판(9) 사이에 형성되는 공간(S1) 내에 배치되어 있다. 이것에 의해 실시형태 1에 의한 고주파 모듈(1)은 실장 기판(9)의 두께 방향(D1)에 있어서의 저배화를 도모하는 것이 가능해진다.
또한, 실시형태 1에 의한 고주파 모듈(1)에서는 공간(S1)이 탄성파 필터(2)와, 실장 기판(9)의 제 2 주면(92)과, 수지 필름(19)으로 둘러싸여 있다. 이것에 의해 실시형태 1에 의한 고주파 모듈(1)에서는 공간(S1)에 이물이 들어가는 것을 억제할 수 있고, 특성 열화를 억제하는 것이 가능해진다.
또한, 실시형태 1에 의한 고주파 모듈(1)에서는 실장 기판(9)의 제 2 주면(92)에 배치되어 있는 수지층(102)이 수지 필름(19)을 덮고 있다. 이것에 의해 실시형태 1에 의한 고주파 모듈(1)에서는 신뢰성의 향상이 도모된다.
또한, 실시형태 1에 의한 고주파 모듈(1)에서는 탄성파 필터(2)(필터(32B))가 수신 필터(22B)를 포함하고, 로우 노이즈 업(21)을 포함하는 IC 칩(10)이 실장 기판(9)의 제 2 주면(92)에 배치되어 있다. 이것에 의해 실시형태 1에 의한 고주파 모듈(1)에서는 수신 필터(22B)와 로우 노이즈 업(21) 사이의 배선 길이를 짧게 하는 것이 가능해진다.
(3.2) 통신 장치
실시형태 1에 의한 통신 장치(300)는 고주파 모듈(1)과 신호 처리 회로(301)를 구비한다. 신호 처리 회로(301)는 고주파 모듈(1)의 탄성파 필터(2)를 통과하는 고주파 신호를 신호 처리한다.
실시형태 1에 의한 통신 장치(300)는 고주파 모듈(1)을 구비하므로 실장 기판(9)의 두께 방향(D1)에 있어서의 저배화를 도모하는 것이 가능해진다. 신호 처리 회로(301)를 구성하는 복수의 전자 부품은, 예를 들면 상술한 회로 기판에 실장되어 있어도 좋고, 고주파 모듈(1)이 실장된 회로 기판(제 1 회로 기판)과는 다른 회로 기판(제 2 회로 기판)에 실장되어 있어도 좋다.
(4) 고주파 모듈의 변형예
(4.1) 변형예 1
실시형태 1의 변형예 1에 의한 고주파 모듈(1a)에 대해서 도 4를 참조하여 설명한다. 변형예 1에 의한 고주파 모듈(1a)에 관한 것이며, 실시형태 1에 의한 고주파 모듈(1)과 마찬가지의 구성 요소에 대해서는 동일한 부호를 붙여서 설명을 생략한다.
변형예 1에 의한 고주파 모듈(1a)은 복수의 외부 접속 단자(8)가 볼 범프인 점에서 실시형태 1에 의한 고주파 모듈(1)과 상위하다. 또한, 변형예 1에 의한 고주파 모듈(1a)은 실시형태 1에 의한 고주파 모듈(1)의 제 2 수지층(102)을 구비하고 있지 않은 점에서 실시형태 1에 의한 고주파 모듈(1)과 상위하다. 변형예 1에 의한 고주파 모듈(1a)은 제 1 스위치(5), 제 2 스위치(4), 제 4 스위치(7), IC 칩(10), 및 컨트롤러(15) 각각과 실장 기판(9)의 제 2 주면(92) 사이의 간극에 형성된 언더필부를 구비하고 있어도 좋다.
복수의 외부 접속 단자(8) 각각을 구성하는 볼 범프의 재료는, 예를 들면 금, 구리, 땜납 등이다.
복수의 외부 접속 단자(8)는 볼 범프에 의해 구성된 외부 접속 단자(8)와 기둥형상 전극에 의해 구성된 외부 접속 단자(8)가 혼재해도 좋다.
변형예 1에 의한 고주파 모듈(1a)에서는 제 1 거리(L1)가 제 2 거리(L2)보다짧다. 제 1 거리(L1)는 실장 기판(9)의 제 2 주면(92)과, 필터(32B)에 있어서의 실장 기판(9)측과는 반대측의 면의 거리이다. 제 2 거리(L2)는 실장 기판(9)의 제 2 주면(92)과, IC 칩(10)에 있어서의 실장 기판(9)측과는 반대측의 면의 거리이다.
변형예 1에 의한 고주파 모듈(1a)에서는 실장 기판(9)의 두께 방향(D1)에 있어서의 저배화를 도모하는 것이 가능해진다.
(4.2) 변형예 2
실시형태 1의 변형예 2에 의한 고주파 모듈(1b)에 대해서 도 5를 참조하여 설명한다. 변형예 2에 의한 고주파 모듈(1b)에 관한 것이며, 실시형태 1에 의한 고주파 모듈(1)과 마찬가지의 구성 요소에 대해서는 동일한 부호를 붙여서 설명을 생략한다.
변형예 2에 의한 고주파 모듈(1b)은 실장 기판(9)의 제 2 주면(92)에 배치되어 있는 복수의 회로 소자 각각에 있어서 실장 기판(9)측과는 반대측의 면이 노출되어 있는 점에서 실시형태 1에 의한 고주파 모듈(1)과 상위하다. 여기에 있어서 실장 기판(9)의 제 2 주면(92)에 배치되어 있는 복수의 회로 소자는 제 1 스위치(5), 제 2 스위치(4), 제 4 스위치(7), IC 칩(10), 컨트롤러(15), 및 필터(32B)를 포함한다. 여기에 있어서 변형예 2에 의한 고주파 모듈(1b)에서는 복수의 회로 소자 각각에 있어서 실장 기판(9)측과는 반대측의 면과, 제 2 수지층(102)의 주면(1021)과, 복수의 외부 접속 단자(8) 각각의 선단면이 대략 동일 높이이다. 필터(32B)에 있어서 실장 기판(9)측과는 반대측의 면은 도 3에 나타내는 바와 같이 압전성 기판(200)의 제 2 주면(212)이다. 변형예 2에 의한 고주파 모듈(1b)에서는 수지 필름(19)의 압전성 기판(200)의 외주면(213)을 전체 둘레에 걸쳐 덮고 있다.
변형예 2에 의한 고주파 모듈(1b)은 실시형태 1에 의한 고주파 모듈(1)에 비해서 추가적인 저배화를 도모하는 것이 가능해진다.
(4.3) 변형예 3
실시형태 1의 변형예 3에 의한 고주파 모듈(1c)에 대해서 도 6을 참조하여 설명한다. 변형예 3에 의한 고주파 모듈(1c)에 관한 것이며, 변형예 2에 의한 고주파 모듈(1b)과 마찬가지의 구성 요소에 대해서는 동일한 부호를 붙여서 설명을 생략한다.
변형예 3에 의한 고주파 모듈(1c)에서는 수지 필름(19)이 압전성 기판(200)의 외주면(213) 뿐만 아니라 제 2 주면(212)도 덮고 있는 점에서 변형예 2에 의한 고주파 모듈(1b)과 상위하다.
변형예 3에 의한 고주파 모듈(1c)은 실시형태 1의 변형예 2에 의한 고주파 모듈(1b)에 비해서 수지 필름(19)이 박리되기 어려워진다. 또한, 변형예 3에 의한 고주파 모듈(1c)은 변형예 2에 의한 고주파 모듈(1b)에 비해서 공간(S1)에 이물이 들어가기 어려워진다. 따라서, 변형예 3에 의한 고주파 모듈(1c)은 변형예 2에 의한 고주파 모듈(1b)에 비해서 신뢰성의 향상을 도모하는 것이 가능해진다.
(실시형태 2)
실시형태 2에 의한 고주파 모듈(1d) 및 통신 장치(300d)에 대해서 도 7 및 도 8을 참조하여 설명한다. 실시형태 2에 의한 고주파 모듈(1d) 및 통신 장치(300d)에 관한 것이며, 실시형태 1에 의한 고주파 모듈(1) 및 통신 장치(300)와 마찬가지의 구성 요소에 대해서는 동일한 부호를 붙여서 설명을 생략한다.
실시형태 2에 의한 고주파 모듈(1d)은 실시형태 1에 의한 고주파 모듈(1)에 있어서 송신 필터(12B)와 수신 필터(22B)를 포함하는 듀플렉서인 필터(32B) 대신에 서로 상이한 회로 소자인 송신 필터(12B)와 수신 필터(22B)를 구비하는 점에서 실시형태 1에 의한 고주파 모듈(1)과 상위하다. 또한, 실시형태 2에 의한 고주파 모듈(1d)은 실시형태 1에 의한 고주파 모듈(1)에 있어서의 필터(32C)를 구비하고 있지 않은 점에서 실시형태 1에 의한 고주파 모듈(1)과 상위하다.
실시형태 2에 의한 고주파 모듈(1d)에서는 도 8에 나타내는 바와 같이 송신 필터(12B)가 실장 기판(9)의 제 1 주면(91)에 배치되고, 수신 필터(22B)가 실장 기판(9)의 제 2 주면(92)에 배치되어 있다. 이것에 의해 실시형태 2에 의한 고주파 모듈(1d)은 송신 필터(12B)와 수신 필터(22B)의 아이솔레이션을 향상시키는 것이 가능해진다.
실시형태 2에 의한 고주파 모듈(1d)에서는 송신 필터(12B)가 탄성파 필터(3)(도 3 참조)와 마찬가지로 패키지 구조를 갖는 탄성파 필터이며, 수신 필터(22B)가 탄성파 필터(2)(도 3 참조)와 마찬가지로 베어 칩의 탄성파 필터이다.
실시형태 2에 의한 고주파 모듈(1d)은 실시형태 1에 의한 고주파 모듈(1)과 마찬가지로 실장 기판(9)의 제 2 주면(92)에 배치하는 탄성파 필터(수신 필터(22B))가 베어 칩이므로 실장 기판(9)의 두께 방향(D1)에 있어서 실장 기판(9)의 제 2 주면(92)측의 저배화가 도모되고, 고주파 모듈(1d) 전체의 저배화를 도모하는 것이 가능해진다.
(실시형태 3)
실시형태 3에 의한 고주파 모듈(1e) 및 통신 장치(300e)에 대해서 도 9~도 11을 참조하여 설명한다. 실시형태 3에 의한 고주파 모듈(1e) 및 통신 장치(300e)에 관한 것이며, 실시형태 2에 의한 고주파 모듈(1d) 및 통신 장치(300d)와 마찬가지의 구성 요소에 대해서는 동일한 부호를 붙여서 설명을 생략한다.
실시형태 3에 의한 고주파 모듈(1e)은 실시형태 2에 의한 고주파 모듈(1d)에 있어서 송신 필터(12A)와 수신 필터(22A)를 포함하는 듀플렉서인 필터(32A) 대신에 서로 상이한 회로 소자인 송신 필터(12A)와 수신 필터(22A)를 구비하는 점에서 실시형태 2에 의한 고주파 모듈(1d)과 상위하다.
실시형태 3에 의한 고주파 모듈(1e)은 도 10에 나타내는 바와 같이 2개의 송신 필터(12A 및 12B)가 실장 기판(9)의 제 1 주면(91)에 배치되고, 2개의 수신 필터(22A 및 22B)가 실장 기판(9)의 제 2 주면(92)에 배치되어 있다. 이것에 의해 실시형태 3에 의한 고주파 모듈(1e)은 송신 필터(12A) 및 송신 필터(12B) 각각과 2개의 수신 필터(22A 및 22B)의 아이솔레이션을 향상시키는 것이 가능해진다. 또한, 실시형태 3에 의한 고주파 모듈(1e)에서는 도 11에 나타내는 바와 같이 실장 기판(9)의 두께 방향(D1)으로부터의 평면으로부터 볼 때에 있어서 송신 필터(12A)와 수신 필터(22B)가 겹치지 않는다. 이것에 의해 실시형태 3에 의한 고주파 모듈(1e)에서는 송신 필터(12A)와 수신 필터(22B)의 아이솔레이션을 향상시키는 것이 가능해진다.
실시형태 3에 의한 고주파 모듈(1e)에서는 2개의 송신 필터(12A 및 12B) 각각이 탄성파 필터(3)(도 3 참조)와 마찬가지로 패키지 구조를 갖는 탄성파 필터이며, 2개의 수신 필터(22A 및 22B) 각각이 탄성파 필터(2)(도 3 참조)와 마찬가지로 베어 칩의 탄성파 필터이다. 이것에 의해 실시형태 3에 의한 고주파 모듈(1e)은 실장 기판(9)의 두께 방향(D1)에 있어서 실장 기판(9)의 제 2 주면(92)측의 저배화가 도모되고, 고주파 모듈(1e) 전체의 저배화를 도모하는 것이 가능해진다.
(실시형태 4)
실시형태 4에 의한 고주파 모듈(1f)에 대해서 도 12 및 도 13을 참조하여 설명한다. 실시형태 4에 의한 고주파 모듈(1f)에 관한 것이며, 실시형태 1에 의한 고주파 모듈(1)과 마찬가지의 구성 요소에 대해서는 동일한 부호를 붙여서 설명을 생략한다. 또한, 실시형태 4에 의한 고주파 모듈(1f)은, 예를 들면 실시형태 1에 의한 통신 장치(300)의 고주파 모듈(1) 대신에 사용된다.
실시형태 4에 의한 고주파 모듈(1f)은 실시형태 1에 의한 고주파 모듈(1)에 있어서의 수지 필름(19)을 구비하고 있지 않은 점에서 실시형태 1에 의한 고주파 모듈(1)과 상위하다. 실시형태 4에 의한 고주파 모듈(1f)에서는 수지층(102)이 도 3에 나타낸 압전성 기판(200)의 외주면(213)을 덮고 있다. 실시형태 4에 의한 고주파 모듈(1f)에서는 공간(S1)이 탄성파 필터(2)와, 실장 기판(9)의 제 2 주면(92)과, 수지층(102)으로 둘러싸여 있다.
실시형태 4에 의한 고주파 모듈(1f)은 실시형태 1에 의한 고주파 모듈(1)과 마찬가지로 실장 기판(9)의 제 2 주면(92)에 배치하는 탄성파 필터(2)(도 3 참조)가 베어 칩이므로 실장 기판(9)의 두께 방향(D1)에 있어서 실장 기판(9)의 제 2 주면(92)측의 저배화가 도모되고, 고주파 모듈(1f) 전체의 저배화를 도모하는 것이 가능해진다.
실시형태 4에 의한 고주파 모듈(1f)에서는 수지층(102)이 압전성 기판(200)의 외주면(213)을 덮고 있다. 이것에 의해 실시형태 4에 의한 고주파 모듈(1f)은 공간(S1)에 이물이 들어가는 것을 억제할 수 있고, 특성 열화를 억제하는 것이 가능해진다. 또한, 실시형태 4에 의한 고주파 모듈(1f)에서는 수지층(102)이 압전성 기판(200)의 제 2 주면(212)도 덮고 있다. 이것에 의해 실시형태 4에 의한 고주파 모듈(1f)에서는 신뢰성의 향상을 도모하는 것이 가능해진다.
실시형태 4에 의한 고주파 모듈(1f)에서는 도 13에 나타내는 바와 같이 실장 기판(9)의 두께 방향(D1)에 있어서의 범프(17)의 치수(H2)가 실장 기판(9)의 두께 방향(D1)에 있어서의 탄성파 필터(3)의 단자(318)의 치수(H1)보다 작다. 이것에 의해 실시형태 4에 의한 고주파 모듈(1f)에서는 그 제조 시에 있어서 실장 기판(9)의 제 2 주면(92) 상에 제 2 수지층(102)을 형성할 때에 제 2 수지층(102)의 바탕이 되는 수지가 공간(S1)에 들어가기 어려워진다.
(그 외의 변형예)
상기 실시형태 1~4는 본 발명의 다양한 실시형태 중 하나에 지나지 않는다. 상기 실시형태 1~4는 본 발명의 목적을 달성할 수 있으면 설계 등에 따라 여러 가지의 변경이 가능하다.
예를 들면, 실장 기판(9)은 부품 내장 기판이어도 좋다.
또한, 파워 업(11)은 실장 기판(9)의 제 1 주면(91)에 플립 칩 실장되는 대신에 본딩 와이어를 이용한 실장 형태로 실장되어 있어도 좋다. 즉, 파워 업(11)은 다이본드재에 의해 실장 기판(9)의 제 1 주면(91)에 접합됨으로써 실장 기판(9)의 제 1 주면(91)에 배치되고(기계적으로 접속되고), 단자(패드 전극)가 본딩 와이어를 통해 실장 기판(9)의 제 1 주면(91)측의 도체 패턴층의 도체부와 전기적으로 접속되어 있어도 좋다. 또한, 탄성파 필터(2)는 실장 기판(9)의 제 2 주면(92)에 플립 칩 실장되는 대신에 본딩 와이어를 이용한 실장 형태로 실장되어 있어도 좋다.
또한, 고주파 모듈(1)은 송신 신호용의 신호 경로와 수신 신호용의 신호 경로 중 송신 신호용의 신호 경로만을 가져도 좋다. 이 경우 고주파 모듈(1)은, 예를 들면 복수의 필터(32A~32C)를 듀플렉서로 구성하는 대신에 복수의 송신 필터(12A~12C)로 구성되어도 좋다.
또한, 복수의 필터(32A~32C)는 탄성 표면파를 이용하는 탄성파 필터이지만 이것에 한정되지 않고, 예를 들면 탄성 경계파, 판파 등을 이용하는 탄성파 필터이어도 좋다.
고주파 모듈(1)에 있어서 실장 기판(9)의 제 1 주면(91)에 배치되는 2개의 필터(32A 및 32C)는 탄성 표면파를 이용하는 탄성파 필터에 한정되지 않고, 예를 들면 BAW(Bulk Acoustic Wave) 필터이어도 좋다.
(양태)
본 명세서에는 이하의 양태가 개시되어 있다.
제 1 양태에 의한 고주파 모듈(1; 1a; 1b; 1c; 1d; 1e; 1f)은 실장 기판(9)과, 전자 부품과, 외부 접속 단자(8)와, 탄성파 필터(2)를 구비한다. 실장 기판(9)은 서로 대향하는 제 1 주면(91) 및 제 2 주면(92)을 갖는다. 전자 부품은 실장 기판(9)의 제 1 주면(91)에 배치되어 있다. 외부 접속 단자(8)는 실장 기판(9)의 제 2 주면(92)에 배치되어 있다. 탄성파 필터(2)는 실장 기판(9)의 제 2 주면(92)에 배치되어 있다. 탄성파 필터(2)는 베어 칩이다.
제 1 양태에 의한 고주파 모듈(1; 1a; 1b; 1c; 1d; 1e; 1f)은 실장 기판(9)의 두께 방향(D1)에 있어서의 저배화를 도모하는 것이 가능해진다.
제 2 양태에 의한 고주파 모듈(1; 1a; 1b; 1c; 1d; 1e; 1f)은 제 1 양태에 있어서 베어 칩의 탄성파 필터(2)는 압전성 기판(200)과, IDT 전극(215)과, 복수의 패드 전극(216)을 갖는다. 압전성 기판(200)은 서로 대향하는 제 1 주면(211) 및 제 2 주면(212)을 갖는다. IDT 전극(215)은 압전성 기판(200)의 제 1 주면(211) 상에 형성되어 있다. 복수의 패드 전극(216)은 압전성 기판(200)의 제 1 주면(211) 상에 형성되어 있다. 고주파 모듈(1; 1a; 1b; 1c; 1d; 1e; 1f)은 복수의 범프(17)를 더 구비한다. 복수의 범프(17)는 복수의 패드 전극(216)과 실장 기판(9)에 접합되어 있다. IDT 전극(215)은 복수의 패드 전극(216)과, 복수의 범프(17)와, 압전성 기판(200)과, 실장 기판(9)에 의해 압전성 기판(200)과 실장 기판(9) 사이에 형성되는 공간(S1) 내에 배치되어 있다.
제 2 양태에 의한 고주파 모듈(1; 1a; 1b; 1c; 1d; 1e; 1f)은 실장 기판(9)의 두께 방향(D1)에 있어서의 저배화를 도모하는 것이 가능해진다.
제 3 양태에 의한 고주파 모듈(1; 1a; 1b; 1c; 1d; 1e)은 제 2 양태에 있어서 수지 필름(19)을 더 구비한다. 수지 필름(19)은 실장 기판(9)의 제 2 주면(92)에 배치되어 있다. 수지 필름(19)은 적어도 압전성 기판(200)의 외주면(213)을 덮고 있다. 공간(S1)은 베어 칩의 탄성파 필터(2)와, 실장 기판(9)의 제 2 주면(92)과, 수지 필름(19)으로 둘러싸여 있다.
제 3 양태에 의한 고주파 모듈(1; 1a; 1b; 1c; 1d; 1e)은 공간(S1)에 이물이 들어가는 것을 억제할 수 있고, 특성 열화를 억제하는 것이 가능해진다.
제 4 양태에 의한 고주파 모듈(1; 1a; 1b; 1d; 1e)에서는 제 3 양태에 있어서 수지 필름(19)은 압전성 기판(200)의 제 2 주면(212)을 덮고 있다.
제 4 양태에 의한 고주파 모듈(1; 1a; 1b; 1d; 1e)에서는 신뢰성의 향상이 도모된다.
제 5 양태에 의한 고주파 모듈(1; 1a; 1b; 1c; 1d; 1e)은 제 3 또는 제 4 양태에 있어서 수지층(102)을 더 구비한다. 수지층(102)은 실장 기판(9)의 제 2 주면(92)에 배치되어 있다. 수지층(102)은 수지 필름(19)의 적어도 일부를 덮고 있다.
제 5 양태에 의한 고주파 모듈(1; 1a; 1b; 1c; 1d; 1e)에서는 신뢰성의 향상이 더 도모된다.
제 6 양태에 의한 고주파 모듈(1f)은 제 2 양태에 있어서 수지층(102)을 더 구비한다. 수지층(102)은 실장 기판(9)의 제 2 주면(92)에 배치되어 있다. 수지층(102)은 압전성 기판(200)의 외주면(213)을 덮고 있다. 공간(S1)은 베어 칩의 탄성파 필터(2)와, 실장 기판(9)의 제 2 주면(92)과, 수지층(102)으로 둘러싸여 있다.
제 6 양태에 의한 고주파 모듈(1f)은 공간(S1)에 이물이 들어가는 것을 억제할 수 있고, 특성 열화를 억제하는 것이 가능해진다.
제 7 양태에 의한 고주파 모듈(1; 1a; 1b; 1c; 1d; 1e; 1f)에서는 제 1~제 6 양태 중 어느 하나에 있어서 베어 칩의 탄성파 필터(2)는 수신 필터(22B; 22A, 22B)를 포함한다. 고주파 모듈(1; 1a; 1b; 1c; 1d; 1e; 1f)은 IC 칩(10)을 더 구비한다. IC 칩(10)은 실장 기판(9)의 제 2 주면(92)에 배치되어 있다. IC 칩(10)은 로우 노이즈 업(21)을 포함한다. 로우 노이즈 업(21)은 수신 필터(22B; 22A, 22B)를 통과한 고주파 신호를 증폭한다.
제 7 양태에 의한 고주파 모듈(1; 1a; 1b; 1c; 1d; 1e; 1f)에서는 수신 필터(22B; 22A, 22B)와 로우 노이즈 업(21) 사이의 배선 길이를 짧게 하는 것이 가능해진다.
제 8 양태에 의한 고주파 모듈(1; 1a; 1d; 1e; 1f)에서는 제 7 양태에 있어서 제 1 거리(L1)가 제 2 거리(L2)보다 짧다. 제 1 거리(L1)는 실장 기판(9)의 제 2 주면(92)과 베어 칩의 탄성파 필터(2)에 있어서의 실장 기판(9)측과는 반대측의 면의 거리이다. 제 2 거리(L2)는 실장 기판(9)의 제 2 주면(92)과, IC 칩(10)에 있어서의 실장 기판(9)측과는 반대측의 면의 거리이다.
제 8 양태에 의한 고주파 모듈(1; 1a; 1d; 1e; 1f)에서는 실장 기판(9)의 두께 방향(D1)에 있어서의 저배화를 도모하는 것이 가능해진다.
제 9 양태에 의한 통신 장치(300; 300d; 300e)는 제 1~제 8 양태 중 어느 하나의 고주파 모듈(1; 1a; 1b; 1c; 1d; 1e; 1f)과 신호 처리 회로(301)를 구비한다. 신호 처리 회로(301)는 고주파 모듈(1; 1a; 1b; 1c; 1d; 1e; 1f)의 베어 칩의 탄성파 필터(2)를 통과하는 고주파 신호를 신호 처리한다.
제 9 양태에 의한 통신 장치(300; 300d; 300e)에서는 실장 기판(9)의 두께 방향(D1)에 있어서의 저배화를 도모하는 것이 가능해진다.
1, 1a, 1b, 1c, 1d, 1e, 1f: 고주파 모듈
2: 탄성파 필터(제 1 탄성파 필터) 200: 압전성 기판
201: 지지 기판 2011: 제 1 주면
2012: 제 2 주면 211: 제 1 주면
212: 제 2 주면 213: 외주면
215: IDT 전극 216: 패드 전극
217: 절연층 3: 탄성파 필터(제 2 탄성파 필터)
305: 압전성 기판 311: 제 1 주면
312: 제 2 주면 313: 외주면
314: 스페이서층 315: IDT 전극
316: 커버 부재 318: 단자
4: 제 2 스위치 40: 공통 단자
41~43: 선택 단자 5: 제 1 스위치
50: 공통 단자 51~53: 선택 단자
6: 제 3 스위치 60: 공통 단자
61~63: 선택 단자 7: 제 4 스위치
70: 공통 단자 71, 72: 선택 단자
8: 외부 접속 단자 80: 그라운드 단자
81: 안테나 단자 82: 신호 입력 단자
83: 신호 출력 단자 84: 제어 단자
9: 실장 기판 91: 제 1 주면
92: 제 2 주면 93: 외주면
10: IC 칩 11: 파워 업
12A, 12B, 12C: 송신 필터 13: 출력 정합 회로
14A, 14B, 14C: 정합 회로 15: 컨트롤러
16: 로우 패스 필터 17: 범프
19: 수지 필름 191: 제 1 부분
192: 제 2 부분 20: 입력 정합 회로
21: 로우 노이즈 업 22A, 22B, 22C: 수신 필터
32A, 32B, 32C: 필터(듀플렉서) 101: 제 1 수지층
1011: 주면 1013: 외주면
102: 제 2 수지층 1021: 주면
1023: 외주면 300, 300d, 300e: 통신 장치
301: 신호 처리 회로 302: RF 신호 처리 회로
303: 베이스 밴드 신호 처리 회로 310: 안테나
D1: 두께 방향 S1: 공간
S2: 공간
2: 탄성파 필터(제 1 탄성파 필터) 200: 압전성 기판
201: 지지 기판 2011: 제 1 주면
2012: 제 2 주면 211: 제 1 주면
212: 제 2 주면 213: 외주면
215: IDT 전극 216: 패드 전극
217: 절연층 3: 탄성파 필터(제 2 탄성파 필터)
305: 압전성 기판 311: 제 1 주면
312: 제 2 주면 313: 외주면
314: 스페이서층 315: IDT 전극
316: 커버 부재 318: 단자
4: 제 2 스위치 40: 공통 단자
41~43: 선택 단자 5: 제 1 스위치
50: 공통 단자 51~53: 선택 단자
6: 제 3 스위치 60: 공통 단자
61~63: 선택 단자 7: 제 4 스위치
70: 공통 단자 71, 72: 선택 단자
8: 외부 접속 단자 80: 그라운드 단자
81: 안테나 단자 82: 신호 입력 단자
83: 신호 출력 단자 84: 제어 단자
9: 실장 기판 91: 제 1 주면
92: 제 2 주면 93: 외주면
10: IC 칩 11: 파워 업
12A, 12B, 12C: 송신 필터 13: 출력 정합 회로
14A, 14B, 14C: 정합 회로 15: 컨트롤러
16: 로우 패스 필터 17: 범프
19: 수지 필름 191: 제 1 부분
192: 제 2 부분 20: 입력 정합 회로
21: 로우 노이즈 업 22A, 22B, 22C: 수신 필터
32A, 32B, 32C: 필터(듀플렉서) 101: 제 1 수지층
1011: 주면 1013: 외주면
102: 제 2 수지층 1021: 주면
1023: 외주면 300, 300d, 300e: 통신 장치
301: 신호 처리 회로 302: RF 신호 처리 회로
303: 베이스 밴드 신호 처리 회로 310: 안테나
D1: 두께 방향 S1: 공간
S2: 공간
Claims (10)
- 서로 대향하는 제 1 주면 및 제 2 주면을 갖는 실장 기판과,
상기 실장 기판의 상기 제 1 주면에 배치되어 있는 전자 부품과,
상기 실장 기판의 상기 제 2 주면에 배치되어 있는 외부 접속 단자와,
상기 실장 기판의 상기 제 2 주면에 배치되어 있는 베어 칩의 탄성파 필터를 구비하는 고주파 모듈. - 제 1 항에 있어서,
상기 베어 칩의 탄성파 필터는,
서로 대향하는 제 1 주면 및 제 2 주면을 갖는 압전성 기판과,
상기 압전성 기판의 상기 제 1 주면 상에 형성되어 있는 IDT 전극과,
상기 압전성 기판의 상기 제 1 주면 상에 형성되어 있는 복수의 패드 전극을 갖고,
상기 고주파 모듈은 상기 복수의 패드 전극과 상기 실장 기판에 접합되어 있는 복수의 범프를 더 구비하고,
상기 IDT 전극은 상기 복수의 패드 전극과, 상기 복수의 범프와, 상기 압전성 기판과, 상기 실장 기판에 의해 상기 압전성 기판과 상기 실장 기판 사이에 형성되는 공간 내에 배치되어 있는 고주파 모듈. - 제 2 항에 있어서,
상기 실장 기판의 상기 제 2 주면에 배치되어 있으며, 적어도 상기 압전성 기판의 외주면을 덮고 있는 수지 필름을 더 구비하고,
상기 공간은 상기 베어 칩의 탄성파 필터와, 상기 실장 기판의 상기 제 2 주면과, 상기 수지 필름으로 둘러싸여 있는 고주파 모듈. - 제 3 항에 있어서,
상기 수지 필름은 상기 압전성 기판의 상기 제 2 주면을 덮고 있는 고주파 모듈. - 제 3 항 또는 제 4 항에 있어서,
상기 실장 기판의 상기 제 2 주면에 배치되어 있으며, 상기 수지 필름의 적어도 일부를 덮고 있는 수지층을 더 구비하는 고주파 모듈. - 제 2 항에 있어서,
상기 실장 기판의 상기 제 2 주면에 배치되어 있으며, 상기 압전성 기판의 외주면을 덮고 있는 수지층을 더 구비하고,
상기 공간은 상기 베어 칩의 탄성파 필터와, 상기 실장 기판의 상기 제 2 주면과, 상기 수지층으로 둘러싸여 있는 고주파 모듈. - 제 1 항 내지 제 4 항, 및 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 베어 칩의 탄성파 필터는 수신 필터를 포함하고,
상기 고주파 모듈은,
상기 실장 기판의 상기 제 2 주면에 배치되어 있으며, 상기 수신 필터를 통과한 고주파 신호를 증폭하는 로우 노이즈 업을 포함하는 IC 칩을 더 구비하는 고주파 모듈. - 제 7 항에 있어서,
상기 실장 기판의 상기 제 2 주면과, 상기 베어 칩의 탄성파 필터에 있어서의 상기 실장 기판측과는 반대측의 면의 제 1 거리가, 상기 실장 기판의 상기 제 2 주면과, 상기 IC 칩에 있어서의 상기 실장 기판측과는 반대측의 면의 제 2 거리보다 짧은 고주파 모듈. - 제 1 항 내지 제 4 항, 및 제 6 항 중 어느 한 항에 기재된 고주파 모듈과,
상기 고주파 모듈의 상기 베어 칩의 탄성파 필터를 통과하는 고주파 신호를 신호 처리하는 신호 처리 회로를 구비하는 통신 장치. - 제 5 항에 있어서,
상기 베어 칩의 탄성파 필터는 수신 필터를 포함하고,
상기 고주파 모듈은,
상기 실장 기판의 상기 제 2 주면에 배치되어 있으며, 상기 수신 필터를 통과한 고주파 신호를 증폭하는 로우 노이즈 업을 포함하는 IC 칩을 더 구비하는 고주파 모듈.
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