JPWO2012105302A1 - 高周波モジュール - Google Patents

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Abstract

複数の分波器チップを搭載した高周波モジュールであって、通信システムの感度特性の劣化を抑制し得る高周波モジュールを提供する。アンテナ端子3a、4a、5a、6a、送信側信号端子3b、4b、5b、6b及び受信側信号端子3c1,3c2,4c1,4c2,5c1,5c2,6c1,6c2の第2の方向における配列順番と、アンテナ端子電極24−3a、24−4a、24−5a、24−6a、送信側端子電極24−3b、24−4b、24−5b、24−6b及び受信側端子電極24−3c1,24−3c2,24−4c1,24−4c2,24−5c1,24−5c2,24−6c1,24−6c2の第2の方向における配列順番とが対応している。

Description

本発明は、高周波モジュールに関する。特に、本発明は、複数の分波器チップが実装基板上に実装された高周波モジュールに関する。
従来、フィルタチップとチップ部品とが実装基板に搭載された高周波モジュールが、携帯電話機等に使用されている。例えば、下記の特許文献1には、複数の弾性波フィルタチップと、複数のチップインダクタとが実装基板上に実装された高周波モジュールが記載されている。
WO 2008/023510 A1号公報
近年、通信システムがGSM(登録商標)を主とする2G方式から、UMTSといった3G方式に移行しつつある。この3Gシステムに対応するために、送信フィルタ部と受信フィルタ部とを含むデュプレクサチップなどの分波器チップを高周波モジュールに複数搭載することも考えられる。
しかしながら、複数の分波器チップを搭載した高周波モジュールを用いた場合は、通信システムの感度特性を十分に高めることができない場合がある。
本発明は、斯かる点に鑑みて成されたものであり、その目的は、複数の分波器チップを搭載した高周波モジュールであって、通信システムの感度特性の劣化を抑制し得る高周波モジュールを提供することにある。
本発明に係る高周波モジュールは、複数の分波部を備えている。複数の分波部のそれぞれは、アンテナに接続されるアンテナ端子と、送信側信号端子と、受信側信号端子と、送信フィルタ部と、受信フィルタ部とを有する。送信フィルタ部は、アンテナ端子と送信側信号端子との間に接続されている。受信フィルタ部は、アンテナ端子と受信側信号端子との間に接続されている。本発明に係る高周波モジュールは、矩形状の実装基板と、複数の分波器チップと、複数のアンテナ側実装電極と、複数の送信側実装電極と、複数の受信側実装電極と、複数のアンテナ端子電極と、複数の送信側端子電極と、複数の受信側端子電極と、第1の配線と、第2の配線と、第3の配線とを備えている。実装基板は、第1の方向に沿って延びる第1及び第2の長辺と、第1の方向に対して垂直な第2の方向に沿って延びる第1及び第2の短辺とを有する。複数の分波器チップは、実装基板の実装面上に実装されている。複数の分波器チップのそれぞれには、分波部が設けられている。複数のアンテナ側実装電極は、実装基板の実装面上に設けられている。複数のアンテナ側実装電極のそれぞれは、アンテナ端子に接続されている。複数の送信側実装電極は、実装基板の実装面上に設けられている。複数の送信側実装電極のそれぞれは、送信側信号端子に接続されている。複数の受信側実装電極は、実装基板の実装面上に設けられている。複数の受信側実装電極のそれぞれは、受信側信号端子に接続されている。複数のアンテナ端子電極は、実装基板の裏面上に設けられている。複数の送信側端子電極は、実装基板の裏面上に設けられている。複数の受信側端子電極は、実装基板の裏面上に設けられている。第1の配線は、実装基板内に設けられている。第1の配線は、アンテナ側実装電極とアンテナ端子電極とを接続している。第2の配線は、実装基板内に設けられている。第2の配線は、送信側実装電極と送信側端子電極とを接続している。第3の配線は、実装基板内に設けられている。第3の配線は、受信側実装電極と受信側端子電極とを接続している。複数の分波器チップは、第1の方向に沿って配列されている。複数の分波器チップのそれぞれにおいて、アンテナ端子、送信側信号端子及び受信側信号端子は、第2の方向において異なる位置に設けられている。複数のアンテナ端子電極と、複数の送信側端子電極と、複数の受信側端子電極とのそれぞれは、第2の方向の異なる位置において第1の方向に沿って配列されている。アンテナ端子、送信側信号端子及び受信側信号端子の第2の方向における配列順番と、アンテナ端子電極、送信側端子電極及び受信側端子電極の第2の方向における配列順番とが対応している。
本発明に係る高周波モジュールのある特定の局面では、高周波モジュールは、分波器チップを3つ以上備えている。
本発明に係る高周波モジュールの他の特定の局面では、分波器チップは、送信フィルタ部及び受信フィルタ部の少なくとも一方に接続されているグラウンド端子をさらに有する。高周波モジュールは、実装基板の実装面上に設けられており、グラウンド端子に接続されているグラウンド実装電極と、実装基板の裏面上に設けられているグラウンド端子電極と、グラウンド実装電極と、グラウンド端子電極とを接続している第4の配線とをさらに備えている。
本発明に係る高周波モジュールの別の特定の局面では、実装基板の裏面において、複数のアンテナ端子電極と、複数の送信側端子電極と、複数の受信側端子電極と、グラウンド端子電極とを含む複数の端子電極が等間隔にマトリクス状に配列されている。
本発明に係る高周波モジュールのさらに他の特定の局面では、高周波モジュールは、受信フィルタ部及び送信フィルタ部の少なくとも一方に接続されているインダクタ及びキャパシタの少なくとも一方を構成しており、実装基板の実装面上に実装されているチップ部品をさらに備えている。
本発明によれば、複数の分波器チップを搭載した高周波モジュールであって、通信システムの感度特性の劣化を抑制し得る高周波モジュールを提供することができる。
図1は、本発明の一実施形態のデュプレクサモジュールの模式的回路図である。 図2は、本発明の一実施形態のデュプレクサモジュールの模式的平面図である。 図3は、本発明の一実施形態におけるデュプレクサチップの模式的回路図である。 図4は、本発明の一実施形態におけるデュプレクサチップの模式的断面図である。 図5は、本発明の一実施形態におけるデュプレクサチップの裏面端子を示す透視平面図である。 図6は、実装基板2の略図的断面図である。 図7は、本発明の一実施形態のデュプレクサモジュールにおける、実装基板2の第1の電極層21と第1の誘電体層25との模式的透視平面図である。 図8は、本発明の一実施形態のデュプレクサモジュールにおける、実装基板2の第2の電極層22と第2の誘電体層26との模式的透視平面図である。 図9は、本発明の一実施形態のデュプレクサモジュールにおける、実装基板2の第3の電極層23と第3の誘電体層27との模式的透視平面図である。 図10は、本発明の一実施形態のデュプレクサモジュールにおける、実装基板2の第4の電極層24の模式的透視平面図である。 図11は、比較例のデュプレクサモジュールにおける、第4の電極層の模式的透視平面図である。 図12は、比較例のデュプレクサモジュールにおける、第2の電極層の模式的透視平面図である。 図13は、比較例のデュプレクサモジュールにおける、第3の電極層の模式的透視平面図である。
以下、本発明を実施した好ましい形態について、高周波モジュールであるデュプレクサモジュール1を例に挙げて説明する。但し、デュプレクサモジュール1は、単なる例示である。本発明に係る高周波モジュールは、デュプレクサモジュール1に何ら限定されない。本発明に係る高周波モジュールは、複数の分波器チップを備えていればよく、例えば、トリプレクサチップを備えていてもよい。
本実施形態のデュプレクサモジュール1は、例えば、携帯電話機などの通信機のRF回路に搭載されるものである。図1は、本実施形態のデュプレクサモジュール1の模式的回路図である。図2は、本実施形態のデュプレクサモジュール1の模式的平面図である。
図1に示すように、デュプレクサモジュール1は、実装基板2と、デュプレクサチップ3,4,5,6と、受信フィルタチップ7と、複数のチップ部品8とを備える。デュプレクサチップ3,4,5,6と、受信フィルタチップ7とは、フィルタ部品である。チップ部品8は、インダクタやキャパシタなどの整合素子である。図2に示すように、デュプレクサチップ3,4,5,6と、受信フィルタチップ7と、チップ部品8とは、実装基板2の表面に、半田などを用いて搭載されている。
デュプレクサチップ3は、UMTS−BAND1に対応するデュプレクサである。UMTS−BAND1の送信周波数帯は、1920MHz〜1980MHzであり、受信周波数帯は、2110MHz〜2170MHzである。
デュプレクサチップ4は、UMTS−BAND2に対応するデュプレクサである。UMTS−BAND2の送信周波数帯は、1850MHz〜1910MHzであり、受信周波数帯は、1930MHz〜1990MHzである。
デュプレクサチップ5は、UMTS−BAND5に対応するデュプレクサである。UMTS−BAND5の送信周波数帯は、824MHz〜849MHzであり、受信周波数帯は、869MHz〜894MHzである。
デュプレクサチップ6は、UMTS−BAND8に対応するデュプレクサである。UMTS−BAND8の送信周波数帯は、880MHz〜915MHzであり、受信周波数帯は、925MHz〜960MHzである。
デュプレクサチップ3〜6は、実質的に同様の構成を有している。このため、ここではデュプレクサチップ3について詳細に説明し、その説明をデュプレクサチップ4〜6にも援用するものとする。
図3は、デュプレクサチップ3の模式的回路図である。次に、図3を参照しながらデュプレクサチップ3の回路構成について説明する。
図3に示すように、デュプレクサチップ3は、分波部30を有する。分波部30は、アンテナに接続されるアンテナ端子3aと、送信側信号端子3bと、第1及び第2の受信側信号端子3c1,3c2と、グラウンド端子とを備えている。第1及び第2の受信側信号端子3c1,3c2は、平衡信号端子である。
アンテナ端子3aと第1及び第2の受信側信号端子3c1,3c2との間には、受信フィルタ部31が接続されている。本実施形態では、受信フィルタ部31は、平衡−不平衡変換機能を有する縦結合共振子型弾性波フィルタ部により構成されている。なお、本発明において、「弾性波」には、弾性表面波、弾性境界波及びバルク弾性波が含まれるものとする。
アンテナ端子3aと送信側信号端子3bとの間には、送信フィルタ部32が接続されている。本実施形態では、送信フィルタ部32は、ラダー型弾性波フィルタ部により構成されている。
デュプレクサチップ4も同様に、アンテナ端子4aと、送信側信号端子4bと、受信側信号端子4c1,4c2と、グラウンド端子4dとを有する。アンテナ端子4aと送信側信号端子4bとの間には、送信フィルタ部32と実質的に同様の構成を有する送信フィルタ部が接続されている。アンテナ端子4aと受信側信号端子4c1,4c2との間には、受信フィルタ部31と実質的に同様の構成を有する受信フィルタ部が接続されている。
デュプレクサチップ5も同様に、アンテナ端子5aと、送信側信号端子5bと、受信側信号端子5c1,5c2と、グラウンド端子5dとを有する。アンテナ端子5aと送信側信号端子5bとの間には、送信フィルタ部32と実質的に同様の構成を有する送信フィルタ部が接続されている。アンテナ端子5aと受信側信号端子5c1,5c2との間には、受信フィルタ部31と実質的に同様の構成を有する受信フィルタ部が接続されている。
デュプレクサチップ6も同様に、アンテナ端子6aと、送信側信号端子6bと、受信側信号端子6c1,6c2と、グラウンド端子6dとを有する。アンテナ端子6aと送信側信号端子6bとの間には、送信フィルタ部32と実質的に同様の構成を有する送信フィルタ部が接続されている。アンテナ端子6aと受信側信号端子6c1,6c2との間には、受信フィルタ部31と実質的に同様の構成を有する受信フィルタ部が接続されている。
図4は、デュプレクサチップ3の模式的断面図である。次に、図4を参照しながら、デュプレクサチップ3の具体的構成について説明する。
図4に示すように、デュプレクサチップ3は、配線基板33と、受信フィルタ部31が設けられている受信側弾性波フィルタチップ31Aと、送信フィルタ部32が設けられている送信側弾性波フィルタチップ32Aとを備えている。受信側弾性波フィルタチップ31Aと送信側弾性波フィルタチップ32Aとは、配線基板33のダイアタッチ面33aにバンプ34によりフリップチップ実装されている。配線基板33のダイアタッチ面33aの上には、受信側弾性波フィルタチップ31Aと送信側弾性波フィルタチップ32Aとを覆うように、封止樹脂35が形成されている。一方、配線基板33の裏面33bには、裏面端子36が形成されている。なお、配線基板33は、樹脂からなるプリント配線多層基板やセラミック多層基板により構成することができる。
図5は、本実施形態のデュプレクサモジュール1における、デュプレクサチップ3の裏面端子36を示す透視平面図である。なお、図5は、受信側弾性波フィルタチップ31Aと送信側弾性波フィルタチップ32Aとが搭載される側から配線基板33を透視した状態を示している。裏面端子36は、アンテナ端子3aと、送信側信号端子3bと、受信側信号端子3c1,3c2と、グラウンド端子3dとを含む。グラウンド端子3dは、受信フィルタ部31と送信フィルタ部32とをグラウンドに接続するものである。
受信フィルタチップ7は、デュプレクサチップ3と同様に、CSP型の弾性波デバイスである。受信フィルタチップ7は、入力端子7aと、出力端子7b1,7b2と、入力端子7aと出力端子7b1,7b2との間に接続されている受信フィルタ部とを有する。この受信フィルタチップ7の受信フィルタ部は、DCSに対応する受信側段間フィルタである。DCSの受信周波数帯は、1805MHz〜1880MHzである。受信フィルタチップ7の受信フィルタ部は、平衡−不平衡変換機能を有する縦結合共振子型弾性波フィルタにより構成されている。
図2に示すように、実装基板2は、矩形状である。実装基板2は、x方向に沿って延びる第1及び第2の長辺2a、2bと、x方向に対して垂直なy方向に沿って延びる第1及び第2の短辺2c、2dとを有する。上記デュプレクサチップ3〜6及び受信フィルタチップ7は、実装基板2の実装面2A上において、長辺2a、2bの延びる方向であるx方向に沿って配列されて実装されている。
実装基板2は、プリント配線多層基板である。図6に示すように、実装基板2は、第1〜第4の電極層21〜24と、第1〜第3の誘電体層25〜27とを有する。実装基板2では、これらの電極層21〜24と誘電体層25〜27とが交互に積層されている。具体的には、実装面2A側から裏面2B側に向かって、第1の電極層21、第1の誘電体層25、第2の電極層22、第2の誘電体層26、第3の電極層23、第3の誘電体層27、第4の電極層24の順に積層されている。
第1〜第4の電極層21〜24は、例えば、Cuなどの金属により形成することができる。第1〜第3の誘電体層25〜27は、例えば、それぞれ樹脂により形成することができる。
図7は、本実施形態のデュプレクサモジュール1における、実装基板2の第1の電極層21と第1の誘電体層25との模式的透視平面図である。図8は、本実施形態のデュプレクサモジュール1における、実装基板2の第2の電極層22と第2の誘電体層26との模式的透視平面図である。図9は、本実施形態のデュプレクサモジュール1における、実装基板2の第3の電極層23と第3の誘電体層27との模式的透視平面図である。図10は、本実施形態のデュプレクサモジュール1における、実装基板2の第4の電極層24の模式的透視平面図である。図7〜図10は、デュプレクサチップ3,4,5,6と、受信フィルタチップ7と、チップ部品8が搭載される側から実装基板2を透視した状態を示している。
図7に示すように、第1の電極層21は、複数の実装電極を含む実装電極層である。実装基板2では、第1の電極層21の一部を覆うように、レジスト層28が形成されている。図7では、デュプレクサチップ3,4,5,6、受信フィルタチップ7、チップ部品8が搭載される領域を一点鎖線で示している。
図7に示すように、第1の電極層21は、実装電極21−3a,21−3b,21−3c1,21−3c2,21−3d,21−4a,21−4b,21−4c1,21−4c2,21−4d,21−5a,21−5b,21−5c1,21−5c2,21−5d,21−6a,21−6b,21−6c1,21−6c2,21−6d,21−7a,21−7b1,21−7b2,21−7cを含む。
実装電極21−3aは、デュプレクサチップ3のアンテナ端子3aと接続されているアンテナ側実装電極である。実装電極21−4aは、デュプレクサチップ4のアンテナ端子4aと接続されているアンテナ側実装電極である。実装電極21−5aは、デュプレクサチップ5のアンテナ端子5aと接続されているアンテナ側実装電極である。実装電極21−6aは、デュプレクサチップ6のアンテナ端子6aと接続されているアンテナ側実装電極である。
実装電極21−3bは、デュプレクサチップ3の送信側信号端子3bと接続されている送信側実装電極である。実装電極21−4bは、デュプレクサチップ4の送信側信号端子4bと接続されている送信側実装電極である。実装電極21−5bは、デュプレクサチップ5の送信側信号端子5bと接続されている送信側実装電極である。実装電極21−6bは、デュプレクサチップ6の送信側信号端子6bと接続されている送信側実装電極である。
実装電極21−3c1は、デュプレクサチップ3の受信側信号端子3c1と接続されている受信側実装電極である。実装電極21−3c2は、デュプレクサチップ3の受信側信号端子3c2と接続されている受信側実装電極である。実装電極21−4c1は、デュプレクサチップ4の受信側信号端子4c1と接続されている受信側実装電極である。実装電極21−4c2は、デュプレクサチップ4の受信側信号端子4c2と接続されている受信側実装電極である。実装電極21−5c1は、デュプレクサチップ5の受信側信号端子5c1と接続されている受信側実装電極である。実装電極21−5c2は、デュプレクサチップ5の受信側信号端子5c2と接続されている受信側実装電極である。実装電極21−6c1は、デュプレクサチップ6の受信側信号端子6c1と接続されている受信側実装電極である。実装電極21−6c2は、デュプレクサチップ6の受信側信号端子6c2と接続されている受信側実装電極である。
実装電極21−3dは、デュプレクサチップ3のグラウンド端子3dと接続されているグラウンド実装電極である。実装電極21−4dは、デュプレクサチップ4のグラウンド端子4dと接続されているグラウンド実装電極である。実装電極21−5dは、デュプレクサチップ5のグラウンド端子5dと接続されているグラウンド実装電極である。実装電極21−6dは、デュプレクサチップ6のグラウンド端子6dと接続されているグラウンド実装電極である。
実装電極21−7aは、受信フィルタチップ7の入力端子7aと接続されている。実装電極21−7b1は、受信フィルタチップ7の出力端子7b1と接続されている。実装電極21−7b2は、受信フィルタチップ7の出力端子7b2と接続されている。実装電極21−7cは、受信フィルタチップ7のグラウンド端子7cと接続されている。
第1の電極層21の他の実装電極は、チップ部品8の端子電極と接続されている。
実装電極21−3a,21−3b,21−3c1,21−3c2,21−3d,21−4a,21−4b,21−4c1,21−4c2,21−4d,21−5a,21−5b,21−5c1,21−5c2,21−5d,21−6a,21−6b,21−6c1,21−6c2,21−6d,21−7a,21−7b1,21−7b2,21−7cは、第2及び第3の電極層22,23及び図8〜図10において丸印で示されているビアホール電極により構成されている配線を介して、実装基板2の裏面2Bの上に設けられている端子電極24−3a,24−3b,24−3c1,24−3c2,24−4a,24−4b,24−4c1,24−4c2,24−5a,24−5b,24−5c1,24−5c2,24−6a,24−6b,24−6c1,24−6c2,24−7a,24−7b1,24−7b2,24−8に接続されている。
具体的には、アンテナ側実装電極21−3aは、第1の配線41aを介して、アンテナ端子電極24−3aに接続されている。アンテナ側実装電極21−4aは、第1の配線41bを介して、アンテナ端子電極24−4aに接続されている。アンテナ側実装電極21−5aは、第1の配線41cを介して、アンテナ端子電極24−5aに接続されている。アンテナ側実装電極21−6aは、第1の配線41dを介して、アンテナ端子電極24−6aに接続されている。入力端子7aは、第1の配線41eを介して、入力端子電極24−7aに接続されている。
送信側実装電極21−3bは、第2の配線42aを介して、送信側端子電極24−3bに接続されている。送信側実装電極21−4bは、第2の配線42bを介して、送信側端子電極24−4bに接続されている。送信側実装電極21−5bは、第2の配線42cを介して、送信側端子電極24−5bに接続されている。送信側実装電極21−6bは、第2の配線42dを介して、送信側端子電極24−6bに接続されている。
受信側実装電極21−3c1は、第3の配線43a1を介して、受信側端子電極24−3c1に接続されている。受信側実装電極21−3c2は、第3の配線43a2を介して、受信側端子電極24−3c2に接続されている。受信側実装電極21−4c1は、第3の配線43b1を介して、受信側端子電極24−4c1に接続されている。受信側実装電極21−4c2は、第3の配線43b2を介して、受信側端子電極24−4c2に接続されている。受信側実装電極21−5c1は、第3の配線43c1を介して、受信側端子電極24−5c1に接続されている。受信側実装電極21−5c2は、第3の配線43c2を介して、受信側端子電極24−5c2に接続されている。受信側実装電極21−6c1は、第3の配線43d1を介して、受信側端子電極24−6c1に接続されている。受信側実装電極21−6c2は、第3の配線43d2を介して、受信側端子電極24−6c2に接続されている。出力端子7b1,7b2は、配線43e1,43e2を介して実装電極24−7b1,24−7b2に接続されている。
グラウンド実装電極21−3d、21−4d、21−5d、21−6dは、第4の配線44を介して複数のグラウンド端子電極24−8に接続されている。これら端子電極24−3a,24−3b,24−3c1,24−3c2,24−4a,24−4b,24−4c1,24−4c2,24−5a,24−5b,24−5c1,24−5c2,24−6a,24−6b,24−6c1,24−6c2,24−7a,24−7b1,24−7b2,24−8は、実装基板2の裏面2Bにおいて、等間隔にマトリクス状に配列されている。
本実施形態においては、図2に示すように、複数のデュプレクサチップ3〜6のそれぞれにおいて、アンテナ端子3a、4a、5a、6aと、送信側信号端子3b、4b、5b、6bと、受信側信号端子3c1,3c2,4c1,4c2,5c1,5c2,6c1,6c2とは、短辺2c、2dの延びる方向であるy方向において異なる位置に設けられている。また、裏面2Bにおいて、アンテナ端子電極24−3a、24−4a、24−5a、24−6aと、送信側端子電極24−3b、24−4b、24−5b、24−6bと、受信側端子電極24−3c1,24−3c2,24−4c1,24−4c2,24−5c1,24−5c2,24−6c1,24−6c2とも、y方向において異なる位置に設けられている。裏面2Bにおいて、アンテナ端子電極24−3a、24−4a、24−5a、24−6aと、送信側端子電極24−3b、24−4b、24−5b、24−6bと、受信側端子電極24−3c1,24−3c2,24−4c1,24−4c2,24−5c1,24−5c2,24−6c1,24−6c2とのそれぞれは、長辺2a、2bの延びる方向であるx方向に沿って配列されている。
そして、アンテナ端子3a、4a、5a、6aと、送信側信号端子3b、4b、5b、6bと、受信側信号端子3c1,3c2,4c1,4c2,5c1,5c2,6c1,6c2とのy方向における配列順番と、アンテナ端子電極24−3a、24−4a、24−5a、24−6aと、送信側端子電極24−3b、24−4b、24−5b、24−6bと、受信側端子電極24−3c1,24−3c2,24−4c1,24−4c2,24−5c1,24−5c2,24−6c1,24−6c2とのy方向における配列順番とが対応している。
すなわち、互いに接続されている送信側信号端子3b、4b、5b、6bと送信側端子電極24−3b、24−4b、24−5b、24−6bとがy方向の最もy1側に位置している。互いに接続されている受信側信号端子3c1,3c2,4c1,4c2,5c1,5c2,6c1,6c2と受信側端子電極24−3c1,24−3c2,24−4c1,24−4c2,24−5c1,24−5c2,24−6c1,24−6c2とがy方向の最もy2側に位置している。互いに接続されているアンテナ端子3a、4a、5a、6aとアンテナ端子電極24−3a、24−4a、24−5a、24−6aとがy方向の中央に位置している。このため、第1の配線41a〜41d、第2の配線42a〜42d及び第3の配線43a〜43dを短くし得る。よって、第1の配線41a〜41d、第2の配線42a〜42d及び第3の配線43a〜43dに起因して生成する寄生容量を小さくすることができる。
それに対して、例えば、図11〜図13に示す比較例のように、アンテナ端子電極24−3a、24−4a、24−5a、24−6aを第1の短辺2cに沿って配列し、送信側端子電極24−3b、24−4b、24−5b、24−6bを第1の長辺2aに沿って配列し、受信側端子電極24−3c1,24−3c2,24−4c1,24−4c2,24−5c1,24−5c2,24−6c1,24−6c2を第2の長辺2bに沿って配列した場合は、アンテナ端子3a、4a、5a、6aと、送信側信号端子3b、4b、5b、6bと、受信側信号端子3c1,3c2,4c1,4c2,5c1,5c2,6c1,6c2とのy方向における配列順番と、アンテナ端子電極24−3a、24−4a、24−5a、24−6aと、送信側端子電極24−3b、24−4b、24−5b、24−6bと、受信側端子電極24−3c1,24−3c2,24−4c1,24−4c2,24−5c1,24−5c2,24−6c1,24−6c2とのy方向における配列順番とが対応しない。このため、第1の配線41a〜41d、第2の配線42a〜42d及び第3の配線43a〜43dが長くなってしまう。よって、第1の配線41a〜41d、第2の配線42a〜42d及び第3の配線43a〜43dに起因して大きな寄生容量が生じてしまう。また、第1の配線41a〜41d、第2の配線42a〜42d及び第3の配線43a〜43dが長くなるため、デュプレクサモジュールの特性インピーダンスが大きくずれてしまう。このため、デュプレクサモジュールの通過帯域におけるリターンロスが大きくなってしまう。
それに対して本実施形態では、上述のように、第1の配線41a〜41d、第2の配線42a〜42d及び第3の配線43a〜43dを短くし得る。よって、デュプレクサモジュール1の特性インピーダンスのずれを小さくすることができる。従って、デュプレクサモジュール1の通過帯域におけるリターンロスを小さくすることができる。
また、本実施形態のように、端子電極をマトリクス状に配置することにより、比較例に比べて、各端子電極を大きくすることが可能となる。比較例では、アンテナ端子電極24−3a、24−4a、24−5a、24−6a、及び入力端子電極24−7aを実装基板2の第1の短辺2c側に密集させなければならないため、各端子電極を大きくすることができない。しかし、本実施形態では、アンテナ端子電極24−3a、24−4a、24−5a、24−6a、及び入力端子電極24−7aを実装基板2の中央に配置することができるため、各端子電極を大きくし、端子電極間の距離を長くすることができる。したがって、本実施形態のデュプレクサモジュール1であれば、高度な表面実装技術は必要なく、端子電極間に寄生容量が発生しない。
1…デュプレクサモジュール
2…実装基板
2A…実装面
2B…裏面
2a…第1の長辺
2b…第2の長辺
2c…第1の短辺
2d…第2の短辺
3,4,5,6…デュプレクサチップ
3a、4a、5a、6a…アンテナ端子
3b、4b、5b、6b…送信側信号端子
3c1,3c2,4c1,4c2,5c1,5c2,6c1,6c2…受信側信号端子
3d、4d、5d、6d…グラウンド端子
7…受信フィルタチップ
7a…入力端子
7b1,7b2…出力端子
7c…グラウンド端子
8…チップ部品
21〜24…電極層
24−3a、24−4a、24−4a、24−5a、24−6a…アンテナ端子電極
24−3b、24−4b、24−5b、24−6b…送信側端子電極
24−3c1,24−3c2,24−4c1,24−4c2,24−5c1,24−5c2,24−6c1,24−6c2…受信側端子電極
25〜27…誘電体層
28…レジスト層
30…分波部
31…受信フィルタ部
31A…受信側弾性波フィルタチップ
32…送信フィルタ部
32A…送信側弾性波フィルタチップ
33…配線基板
33a…ダイアタッチ面
33b…裏面
34…バンプ
35…封止樹脂
36…裏面端子
41a〜41e…第1の配線
42a〜42d…第2の配線
43a〜43e…第3の配線
44…第4の配線

Claims (5)

  1. アンテナに接続されるアンテナ端子と、送信側信号端子と、受信側信号端子と、前記アンテナ端子と前記送信側信号端子との間に接続されている送信フィルタ部と、前記アンテナ端子と前記受信側信号端子との間に接続されている受信フィルタ部とを有する複数の分波部を備える高周波モジュールであって、
    第1の方向に沿って延びる第1及び第2の長辺と、前記第1の方向に対して垂直な第2の方向に沿って延びる第1及び第2の短辺とを有する矩形状の実装基板と、
    前記実装基板の実装面上に実装されており、前記分波部が設けられた複数の分波器チップと、
    前記実装基板の実装面上に設けられており、前記アンテナ端子に接続されている複数のアンテナ側実装電極と、
    前記実装基板の実装面上に設けられており、前記送信側信号端子に接続されている複数の送信側実装電極と、
    前記実装基板の実装面上に設けられており、前記受信側信号端子に接続されている複数の受信側実装電極と、
    前記実装基板の裏面上に設けられている複数のアンテナ端子電極と、
    前記実装基板の裏面上に設けられている複数の送信側端子電極と、
    前記実装基板の裏面上に設けられている複数の受信側端子電極と、
    前記実装基板内に設けられており、前記アンテナ側実装電極と前記アンテナ端子電極とを接続している第1の配線と、
    前記実装基板内に設けられており、前記送信側実装電極と前記送信側端子電極とを接続している第2の配線と、
    前記実装基板内に設けられており、前記受信側実装電極と前記受信側端子電極とを接続している第3の配線と、
    を備え、
    前記複数の分波器チップは、前記第1の方向に沿って配列されており、
    前記複数の分波器チップのそれぞれにおいて、前記アンテナ端子、前記送信側信号端子及び前記受信側信号端子は、前記第2の方向において異なる位置に設けられており、
    前記複数のアンテナ端子電極と、前記複数の送信側端子電極と、前記複数の受信側端子電極とのそれぞれは、前記第2の方向の異なる位置において前記第1の方向に沿って配列されており、
    前記アンテナ端子、前記送信側信号端子及び前記受信側信号端子の前記第2の方向における配列順番と、前記アンテナ端子電極、前記送信側端子電極及び前記受信側端子電極の前記第2の方向における配列順番とが対応している、高周波モジュール。
  2. 前記分波器チップを3つ以上備える、請求項1に記載の高周波モジュール。
  3. 前記分波器チップは、前記送信フィルタ部及び前記受信フィルタ部の少なくとも一方に接続されているグラウンド端子をさらに有し、
    前記実装基板の実装面上に設けられており、前記グラウンド端子に接続されているグラウンド実装電極と、
    前記実装基板の裏面上に設けられているグラウンド端子電極と、
    前記グラウンド実装電極と、前記グラウンド端子電極とを接続している第4の配線と、をさらに備える、請求項1または2に記載の高周波モジュール。
  4. 前記実装基板の裏面において、前記複数のアンテナ端子電極と、前記複数の送信側端子電極と、前記複数の受信側端子電極と、前記グラウンド端子電極とを含む複数の端子電極が等間隔にマトリクス状に配列されている、請求項3に記載の高周波モジュール。
  5. 前記受信フィルタ部及び前記送信フィルタ部の少なくとも一方に接続されているインダクタ及びキャパシタの少なくとも一方を構成しており、前記実装基板の実装面上に実装されているチップ部品をさらに備える、請求項1〜4のいずれか一項に記載の高周波モジュール。
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5553116B2 (ja) * 2011-02-04 2014-07-16 株式会社村田製作所 デュプレクサモジュール
JP5800113B2 (ja) * 2013-05-29 2015-10-28 株式会社村田製作所 高周波モジュール部品
KR102499634B1 (ko) * 2015-11-09 2023-02-13 가부시키가이샤 와이솔재팬 듀플렉서 디바이스 및 듀플렉서 탑재용 기판
JP6451605B2 (ja) * 2015-11-18 2019-01-16 株式会社村田製作所 高周波モジュール及び通信装置
CN109565926B (zh) 2016-08-08 2022-04-15 株式会社村田制作所 层叠电路基板、层叠电子部件和模块
WO2018123555A1 (ja) * 2016-12-26 2018-07-05 株式会社村田製作所 フィルタ装置およびフィルタモジュール

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2346049A (en) * 1999-01-19 2000-07-26 Roke Manor Research Duplex filtering
JP3403669B2 (ja) * 1999-06-04 2003-05-06 富士通株式会社 アンテナ分波器
JP4624117B2 (ja) 2005-01-25 2011-02-02 京セラ株式会社 弾性表面波素子の実装構造、高周波モジュール並びに通信機器
DE102005056340A1 (de) 2005-11-25 2007-05-31 Epcos Ag Mit akustischen Wellen arbeitendes Bauelement
CN101401304B (zh) 2006-08-21 2011-04-13 株式会社村田制作所 高频模块
WO2010032389A1 (ja) 2008-09-18 2010-03-25 株式会社 村田製作所 デュプレクサモジュール
KR101271108B1 (ko) * 2009-01-29 2013-06-04 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 듀플렉서 모듈

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