JP2021132276A - マルチプレクサおよび通信装置 - Google Patents

Abstract

【課題】同時伝送する２つの通信バンド間の周波数ギャップが小さい場合であってもＥＶＭの劣化を抑制できるマルチプレクサを提供する。【解決手段】マルチプレクサ１は、共通端子１００と、共通端子１００に接続され、第１通信バンドの受信帯域を通過帯域に含むフィルタ１０と、共通端子１００に接続され、第１通信バンドの送信帯域を通過帯域に含むフィルタ２０と、共通端子１００に接続され、第２通信バンドの送信帯域を通過帯域に含むフィルタ３０と、共通端子１００に接続され、第２通信バンドの受信帯域を通過帯域に含むフィルタ４０と、を備え、第１通信バンドの送信帯域および第２通信バンドの送信帯域は、第１通信バンドの受信帯域と第２通信バンドの受信帯域との間に挟まれており、第１通信バンドおよび第２通信バンドの少なくとも一方は、５Ｇ−ＮＲの通信バンドである。【選択図】図１

Description

本発明は、マルチプレクサおよび通信装置に関する。

マルチバンド化およびマルチモード化に対応した高周波フロントエンド回路に対して、複数の高周波信号を低損失かつ高アイソレーションで同時伝送することが求められている。

特許文献１には、通過帯域の異なる複数のフィルタがマルチプレクサ（スイッチ）を介してアンテナに接続された構成を有する受信モジュール（伝送回路）が開示されている。

米国特許出願公開第２０１６／０１２７０１５号明細書

３ＧＰＰ（Ｔｈｉｒｄ Ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ Ｐａｒｔｎｅｒｓｈｉｐ Ｐｒｏｊｅｃｔ）では、近年、５Ｇ（５ｔｈ Ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ）−ＮＲ（Ｎｅｗ Ｒａｄｉｏ）の通信バンドを用いた高周波信号の同時伝送が規定されている。例えば、５Ｇ−ＮＲの通信バンドの高周波信号と４Ｇ（４ｔｈ Ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ）−ＬＴＥ（Ｌｏｎｇ Ｔｅｒｍ Ｅｖｏｌｕｔｉｏｎ）の通信バンドの高周波信号との同時伝送（ＥＮ−ＤＣ：ＬＴＥ−ＮＲ Ｄｕａｌ Ｃｏｎｎｅｃｔｉｖｉｔｙ）などが挙げられる。

周波数の異なる第１通信バンドおよび第２通信バンドの高周波信号を同時伝送する場合には、第１通信バンドの高周波信号と第２通信バンドの高周波信号とのアイソレーションを確保する必要がある。この観点から、第１通信バンドおよび第２通信バンドに対応するフィルタは個別に配置されることが必要となる。

５Ｇ−ＮＲの高周波信号は、４Ｇ−ＬＴＥの高周波信号に比べてエラーベクトル振幅（ＥＶＭ：Ｅｒｒｏｒ Ｖｅｃｔｏｒ Ｍａｇｎｉｔｕｄｅ）の要求仕様が厳しくなっているため、ＥＶＭが劣化する傾向にあるフィルタ通過帯域の端部領域（通信バンドの端部のチャンネル）では要求される仕様を満たしにくくなる。このため、特許文献１に開示された受信モジュールのように、個別に配置された複数のフィルタを、周波数ギャップが小さい第１通信バンドおよび第２通信バンドの同時使用に適用した場合には、通過帯域にわたり良好なＥＶＭを確保することが困難となる。

そこで、本発明は、同時伝送する２つの通信バンド間の周波数ギャップが小さい場合であってもＥＶＭの劣化を抑制できるマルチプレクサおよび通信装置を提供することを目的とする。

上記目的を達成するために、本発明の一態様に係るマルチプレクサは、第１通信バンドの高周波信号と、前記第１通信バンドと異なる第２通信バンドの高周波信号とを同時伝送することが可能なマルチプレクサであって、共通端子と、前記共通端子に接続され、前記第１通信バンドの受信帯域を通過帯域に含む第１フィルタと、前記共通端子に接続され、前記第１通信バンドの送信帯域を通過帯域に含む第２フィルタと、前記共通端子に接続され、前記第２通信バンドの送信帯域を通過帯域に含む第３フィルタと、前記共通端子に接続され、前記第２通信バンドの受信帯域を通過帯域に含む第４フィルタと、を備え、前記第１通信バンドの送信帯域および前記第２通信バンドの送信帯域は、前記第１通信バンドの受信帯域と前記第２通信バンドの受信帯域との間に挟まれており、前記第１通信バンドおよび前記第２通信バンドの少なくとも一方は、５Ｇ−ＮＲの通信バンドである。

本発明によれば、同時伝送する２つの通信バンド間の周波数ギャップが小さい場合であってもＥＶＭの劣化を抑制できるマルチプレクサおよび通信装置を提供することができる。

実施の形態１に係るマルチプレクサおよび通信装置の回路ブロック図である。 実施の形態１に係るマルチプレクサを構成する各フィルタの通過帯域と通信バンドとの周波数関係を示す図である。 実施の形態１に係るマルチプレクサの配線の構成を表す図である。 実施の形態１に係るマルチプレクサの通信方式の組み合わせに対応した各配線長の優先順位を示す図である。 実施の形態１に係るマルチプレクサの実装構成の第１例を示す図である。 実施の形態１に係るマルチプレクサの実装構成の第２例を示す図である。 実施の形態２に係るマルチプレクサおよび通信装置の回路ブロック図である。

以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。なお、以下で説明する実施の形態は、いずれも包括的または具体的な例を示すものである。以下の実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置および接続形態などは、一例であり、本発明を限定する主旨ではない。以下の実施の形態における構成要素のうち、独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。また、図面に示される構成要素の大きさまたは大きさの比は、必ずしも厳密ではない。

また、以下において、「信号経路」とは、高周波信号が伝搬する配線、当該配線に直接接続された電極、および当該配線または当該電極に直接接続された端子等で構成された伝送線路であることを意味する。

（実施の形態１）
［１．１ マルチプレクサ１および通信装置６の構成］
図１は、実施の形態１に係るマルチプレクサ１および通信装置６の回路ブロック図である。図１に示すように、通信装置６は、マルチプレクサ１と、アンテナ２と、ＲＦ信号処理回路（ＲＦＩＣ）３と、低雑音増幅器６１および６２と、電力増幅器５１および５２と、を備える。

ＲＦＩＣ３は、アンテナ２で送受信される高周波信号を処理するＲＦ信号処理回路の一例である。具体的には、ＲＦＩＣ３は、マルチプレクサ１を介して入力された受信信号を、ダウンコンバートなどにより信号処理し、当該信号処理して生成された受信信号を、ベースバンド信号処理回路（ＢＢＩＣ：図示せず）へ出力する。また、ＲＦＩＣ３は、ＢＢＩＣから入力された信号に基づいて処理された送信信号を、マルチプレクサ１へ向けて出力する。

アンテナ２は、マルチプレクサ１の共通端子１００に接続され、マルチプレクサ１から出力された高周波信号を放射し、また、外部からの高周波信号を受信してマルチプレクサ１へ出力する。

低雑音増幅器６１は、マルチプレクサ１が備えるフィルタ１０とＲＦＩＣ３とを結ぶ信号経路上に配置され、第１通信バンドの受信信号を増幅する受信増幅器である。

低雑音増幅器６２は、マルチプレクサ１が備えるフィルタ４０とＲＦＩＣ３とを結ぶ信号経路上に配置され、第２通信バンドの受信信号を増幅する受信増幅器である。

電力増幅器５１は、マルチプレクサ１が備えるフィルタ２０とＲＦＩＣ３とを結ぶ信号経路上に配置され、第１通信バンドの送信信号を増幅する送信増幅器である。

電力増幅器５２は、マルチプレクサ１が備えるフィルタ３０とＲＦＩＣ３とを結ぶ信号経路上に配置され、第２通信バンドの送信信号を増幅する送信増幅器である。

なお、マルチプレクサ１とＲＦＩＣ３とを結ぶ信号経路上には、低雑音増幅器６１、６２、電力増幅器５１および５２のほか、スイッチおよびフィルタなどが適宜配置されてもよい。

マルチプレクサ１は、アンテナ２とＲＦＩＣ３との間に配置され、アンテナ２から入力された受信信号を分波し、また、ＲＦＩＣ３から入力された送信信号を合波する。

［１．２ マルチプレクサ１の通信バンド構成］
次に、マルチプレクサ１の詳細な構成について説明する。図１に示すように、マルチプレクサ１は、共通端子１００と、フィルタ１０、２０、３０および４０と、を備える。

共通端子１００は、フィルタ１０の入出力端子の一方、フィルタ２０の入出力端子の一方、フィルタ３０の入出力端子の一方、およびフィルタ４０の入出力端子の一方に接続されている。また、共通端子１００は、アンテナ２に接続されている。なお、共通端子１００は、アンテナ２に直接接続されていなくてもよく、アンテナ２と共通端子１００との間に、スイッチ、インピーダンス整合回路、サーキュレータ、および分配器などが介在していてもよい。

フィルタ１０は、第１フィルタの一例であり、共通端子１００に接続され、第１通信バンドの受信帯域を通過帯域に含む。フィルタ２０は、第２フィルタの一例であり、共通端子１００に接続され、第１通信バンドの送信帯域を通過帯域に含む。フィルタ３０は、第３フィルタの一例であり、共通端子１００に接続され、第１通信バンドと周波数が異なる第２通信バンドの送信帯域を通過帯域に含む。フィルタ４０は、第４フィルタの一例であり、共通端子１００に接続され、第２通信バンドの受信帯域を通過帯域に含む。

なお、フィルタ１０〜４０のそれぞれと共通端子１００とは、直接接続されている。ただし、フィルタ１０〜４０のそれぞれと共通端子１００とを接続する信号経路上には、インダクタンス、キャパシタンスを有するインピーダンス整合素子が配置されていてもよい。

また、フィルタ１０〜４０のそれぞれは、例えば、ＳＡＷ（Ｓｕｒｆａｃｅ Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｗａｖｅ）を用いた弾性波フィルタ、ＢＡＷ（Ｂｕｌｋ Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｗａｖｅ）を用いた弾性波フィルタ、ＬＣ共振フィルタ、および誘電体フィルタのいずれであってもよく、さらには、これらには限定されない。

図２は、実施の形態１に係るマルチプレクサ１を構成する各フィルタの通過帯域と通信バンドとの周波数関係を示す図である。同図に示すように、通信バンドの組み合わせＩにおいては、第１通信バンドは５Ｇ−ＮＲのｎ８であり、第２通信バンドは４Ｇ−ＬＴＥのＢａｎｄ２０である。組み合わせＩが適用される場合、フィルタ１０の通過帯域は５Ｇ−ＮＲのｎ８の受信帯域を含み、フィルタ２０の通過帯域は５Ｇ−ＮＲのｎ８の送信帯域を含み、フィルタ３０の通過帯域は４Ｇ−ＬＴＥのＢａｎｄ２０の送信帯域を含み、フィルタ４０の通過帯域は４Ｇ−ＬＴＥのＢａｎｄ２０の受信帯域を含む。なお、フィルタ４０の通過帯域は、図２に示された５Ｇ−ＮＲのｎ２８の受信帯域を含んでもよい。

また、通信バンドの組み合わせＩＩにおいては、第１通信バンドは５Ｇ−ＮＲのｎ２６であり、第２通信バンドは４Ｇ−ＬＴＥのＢａｎｄ１３である。組み合わせＩＩが適用される場合、フィルタ１０の通過帯域は５Ｇ−ＮＲのｎ２６の受信帯域を含み、フィルタ２０の通過帯域は５Ｇ−ＮＲのｎ２６の送信帯域を含み、フィルタ３０の通過帯域は４Ｇ−ＬＴＥのＢａｎｄ１３の送信帯域を含み、フィルタ４０の通過帯域は４Ｇ−ＬＴＥのＢａｎｄ１３の受信帯域を含む。なお、本実施の形態に係るマルチプレクサ１において、第１通信バンドおよび第２通信バンドの少なくとも一方は、５Ｇ−ＮＲの通信バンドである。

ここで、本実施の形態に係るマルチプレクサ１では、第１通信バンドの送信帯域および第２通信バンドの送信帯域は、第１通信バンドの受信帯域と第２通信バンドの受信帯域との間に挟まれている。より具体的には、本実施の形態に係るマルチプレクサ１に適用される通信バンドは、高周波数側から、第１通信バンドの受信帯域、第１通信バンドの送信帯域、第２通信バンドの送信帯域、および第２通信バンドの受信帯域の順に並んでいる。

上記構成により、マルチプレクサ１は、第１通信バンドの高周波信号と、第１通信バンドと異なる第２通信バンドの高周波信号とを同時伝送することが可能である。

本実施の形態に係るマルチプレクサ１の上記構成によれば、第１通信バンドの送信帯域と第２通信バンドの送信帯域とは、周波数軸上において、互いの受信帯域を挟むことなく隣り合っている。この周波数関係より、マルチプレクサ１を有するフロントエンド回路を小型化および簡素化するという観点から、フロントエンド回路には、第１通信バンドの送信帯域と第２通信バンドの送信帯域とを包含する１つのフィルタが配置されることが想定される。

しかしながら、第１通信バンドおよび第２通信バンドをフロントエンド回路にて同時使用する場合には、信号品質を確保すべく、第１通信バンドの高周波信号と第２通信バンドの高周波信号とのアイソレーションを確保する必要がある。この観点から、互いに隣り合う第１通信バンドの送信帯域および第２通信バンドの送信帯域に対応するフィルタは、個別に配置されることが必要となる。

しかしながら、５Ｇ−ＮＲの送信信号は、４Ｇ−ＬＴＥの送信信号に比べてＥＶＭの要求仕様が厳しくなっているが、フィルタ通過帯域の端部領域（通信バンドの端部のチャンネル）ではＥＶＭが劣化する傾向にある。このため、第１通信バンドの送信信号および第２通信バンドの送信信号を同時伝送する場合には、第１通信バンドの送信帯域および第２通信バンドの送信帯域が隣り合っているため、通過帯域にわたり良好なＥＶＭを確保することが困難となる。

これに対して、上記構成によれば、フィルタ１０〜４０が共通端子１００に接続されているので、共通端子１００と各フィルタとを結ぶ信号配線を短くできる。よって、上記信号配線の伝送損失によるＥＶＭの劣化を抑制できるので、マルチプレクサ１全体および通信装置６としてのＥＶＭ劣化を抑制できる。

なお、ＥＶＭは、変調信号のＩＱコンスタレーションポイントが理想変調信号のＩＱコンスタレーションポイントからどれだけ離れているかを示す信号品質指標である。ＥＶＭが増加するほど信号品質が低下する。

なお、本実施の形態に係るマルチプレクサ１に適用される通信バンドは、低周波数側から、第１通信バンドの受信帯域、第１通信バンドの送信帯域、第２通信バンドの送信帯域、および第２通信バンドの受信帯域の順に並んでいてもよい。

また、本実施の形態に係るマルチプレクサ１に適用される通信バンドは、高周波数側から、第１通信バンドの受信帯域、第２通信バンドの送信帯域、第１通信バンドの送信帯域、および第２通信バンドの受信帯域の順に並んでいてもよい。

また、本実施の形態に係るマルチプレクサ１に適用される通信バンドは、低周波数側から、第１通信バンドの受信帯域、第２通信バンドの送信帯域、第１通信バンドの送信帯域、および第２通信バンドの受信帯域の順に並んでいてもよい。

なお、図２に示された通信バンドの組み合わせＩおよびＩＩにおいて、第１通信バンドの送信帯域と第２通信バンドの送信帯域との周波数ギャップは、第１通信バンドの送信帯域幅より狭くてもよい。具体的には、組み合わせＩでは、第１通信バンド（５Ｇ−ＮＲのｎ８）の送信帯域と第２通信バンド（４Ｇ−ＬＴＥのＢａｎｄ２０）の送信帯域との周波数ギャップＧＡＰは１８ＭＨｚであり、第１通信バンド（５Ｇ−ＮＲのｎ８）の送信帯域幅は３５ＭＨｚである。また、組み合わせＩＩでは、第１通信バンド（５Ｇ−ＮＲのｎ２６）の送信帯域と第２通信バンド（４Ｇ−ＬＴＥのＢａｎｄ１３）の送信帯域との周波数ギャップＧＡＰは２７ＭＨｚであり、第１通信バンド（５Ｇ−ＮＲのｎ２６）の送信帯域幅は３５ＭＨｚである。

組み合わせＩおよびＩＩでは、第１通信バンドの送信帯域と第２通信バンドの送信帯域との周波数ギャップが相対的に小さいため、特に、第１通信バンドの送信帯域のうち第２通信バンドの送信帯域と隣り合う端部領域のＥＶＭ劣化が激しく、また、第２通信バンドの送信帯域のうち第１通信バンドの送信帯域と隣り合う端部領域のＥＶＭ劣化が激しくなる傾向にある。

これに対して、第１通信バンドの送信帯域と第２通信バンドの送信帯域との周波数ギャップが相対的に小さい状態であっても、上記構成によれば、フィルタ１０〜４０が共通端子１００に接続されているので、共通端子１００と各フィルタとを結ぶ信号配線を短くできる。よって、特に、送信信号を伝送する信号配線の伝送損失によるＥＶＭの劣化を抑制できるので、マルチプレクサ１全体としてのＥＶＭ劣化を抑制できる。

なお、本実施の形態に係るマルチプレクサ１において、第１通信バンドは、５Ｇ−ＮＲのｎ８またはｎ２６に限られない。また、第２通信バンドは、４Ｇ−ＬＴＥのＢａｎｄ２０またはＢａｎｄ１３に限られない。第１通信バンドおよび第２通信バンドとしては、（１）第１通信バンドの受信帯域、第１通信バンドの送信帯域、第２通信バンドの送信帯域、および第２通信バンドの受信帯域が、低周波数側または高周波数側からこの順で並んでおり、（２）第１通信バンドおよび第２通信バンドの少なくとも一方が通信システムである５Ｇ−ＮＲのための通信バンドである、ことを満たす組み合わせであればよい。

［１．３ マルチプレクサ１の実装構成］
図３Ａは、実施の形態１に係るマルチプレクサ１の配線の構成を表す図である。同図に示すように、フィルタ１０は、入力端子１１および出力端子１２を有する。入力端子１１は、第１入出力端子の一例であり、共通端子１００に接続されている。フィルタ２０は、出力端子２１および入力端子２２を有する。出力端子２１は、第２入出力端子の一例であり、共通端子１００に接続されている。フィルタ３０は、出力端子３１および入力端子３２を有する。出力端子３１は、第３入出力端子の一例であり、共通端子１００に接続されている。フィルタ４０は、入力端子４１および出力端子４２を有する。入力端子４１は、第４入出力端子の一例であり、共通端子１００に接続されている。

図３Ａにおいて、入力端子１１と共通端子１００とを結ぶ信号配線の長さを配線長Ｌ_１０と記し、出力端子２１と共通端子１００とを結ぶ信号配線の長さを配線長Ｌ_２０と記し、出力端子３１と共通端子１００とを結ぶ信号配線の長さを配線長Ｌ_３０と記し、入力端子４１と共通端子１００とを結ぶ信号配線の長さを配線長Ｌ_４０と記す。

図３Ｂは、実施の形態１に係るマルチプレクサ１の通信方式の組み合わせに対応した各配線長の優先順位を示す図である。なお、図３Ｂにおいて、「配線長：１」〜「配線長：４」は、配線長を短くする優先順位を示しており、「配線長：１」は配線長を短くする優先順位が最も高いことを意味する。

図３Ｂの下段に示された通信方式の組み合わせＣでは、第１通信バンドは５Ｇ−ＮＲの通信バンドであり、第２通信バンドは４Ｇ−ＬＴＥの通信バンドである。このとき、配線長Ｌ_２０は、配線長Ｌ_３０以下であり、かつ、配線長Ｌ_１０以下であり、かつ、配線長Ｌ_４０以下であってもよい。

これによれば、ＥＶＭの要求仕様が最も厳しい５Ｇ−ＮＲの第１通信バンドの送信信号を通過させるフィルタ２０に接続される信号配線の配線長Ｌ_２０を、その他の配線長よりも小さくできるので、５Ｇ−ＮＲの送信信号のＥＶＭの劣化を効果的に抑制できる。

また、図３Ｂの下段に示された通信方式の組み合わせＣにおいて、配線長Ｌ_２０は、配線長Ｌ_１０以下であり、かつ、配線長Ｌ_４０以下であり、配線長Ｌ_３０は、配線長Ｌ_１０以下であり、かつ、配線長Ｌ_４０以下であってもよい。

これによれば、５Ｇ−ＮＲの第１通信バンドの送信信号および４Ｇ−ＬＴＥの第２通信バンドの送信信号のＥＶＭの劣化を効果的に抑制できる。

また、図３Ｂの上段に示された通信方式の組み合わせＡでは、第１通信バンドは４Ｇ−ＬＴＥの通信バンドであり、第２通信バンドは５Ｇ−ＮＲの通信バンドである。このとき、配線長Ｌ_３０は、配線長Ｌ_２０以下であり、かつ、配線長Ｌ_４０以下であり、かつ、配線長Ｌ_１０以下であってもよい。

これによれば、ＥＶＭの要求仕様が最も厳しい５Ｇ−ＮＲの第２通信バンドの送信信号を通過させるフィルタ３０に接続される信号配線の配線長Ｌ_３０を、その他の配線長よりも小さくできるので、５Ｇ−ＮＲの送信信号のＥＶＭの劣化を効果的に抑制できる。

また、図３Ｂの上段に示された通信方式の組み合わせＡにおいて、配線長Ｌ_３０は、配線長Ｌ_４０以下であり、かつ、配線長Ｌ_１０以下であり、配線長Ｌ_２０は、配線長Ｌ_１０以下であり、かつ、配線長Ｌ_４０以下であってもよい。

これによれば、５Ｇ−ＮＲの第２通信バンドの送信信号および４Ｇ−ＬＴＥの第１通信バンドの送信信号のＥＶＭの劣化を効果的に抑制できる。

また、図３Ｂの中段に示された通信方式の組み合わせＢでは、第１通信バンドおよび第２通信バンドは、それぞれ５Ｇ−ＮＲの通信バンドである。このとき、配線長Ｌ_２０は、配線長Ｌ_１０以下であり、かつ、配線長Ｌ_４０以下であり、配線長Ｌ_３０は、配線長Ｌ_１０以下であり、かつ、配線長Ｌ_４０以下であってもよい。

これによれば、ＥＶＭの要求仕様が最も厳しい５Ｇ−ＮＲの送信信号を伝送する信号配線の配線長Ｌ_２０および配線長Ｌ_３０を、受信信号を伝送する信号配線の配線長Ｌ_１０および配線長Ｌ_４０よりも小さくできるので、５Ｇ−ＮＲの送信信号のＥＶＭの劣化を効果的に抑制できる。

図４Ａは、実施の形態１に係るマルチプレクサ１の実装構成の第１例を示す図である。同図には、基板９０上に配置されたマルチプレクサ１の実装構成が模式的に示されている。

図４Ａにおいて、基板９０は、例えば、主面および内部に電子部品を実装することが可能であり、例えば、複数の誘電体層の積層構造を有する低温同時焼成セラミックス（Ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏ−ｆｉｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃｓ：ＬＴＣＣ）基板、高温同時焼成セラミックス（Ｈｉｇｈ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏ−ｆｉｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃｓ：ＨＴＣＣ）基板、部品内蔵基板、再配線層（Ｒｅｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ：ＲＤＬ）を有する基板、または、プリント基板等である。

フィルタ１０〜４０のそれぞれは、例えば、１パッケージに内蔵、または、１枚の基板上に実装されたチップ状のフィルタ素子である。共通端子１００およびフィルタ１０〜４０は、同一の基板９０に配置されている。これにより、共通端子１００と各フィルタとを結ぶ信号配線を同一の基板９０上に形成できるので、当該信号配線を短くでき、また、マルチプレクサ１を小型化できる。

また、図４Ａにおいて、フィルタ１０〜４０は、基板９０を平面視した場合、共通端子１００を囲むように配置されている。これにより、共通端子１００と各フィルタとを結ぶ４つの信号配線を短くでき、また、マルチプレクサ１を小型化できる。

なお、図４Ａにおいて、基板９０は、圧電性を有する基板であってもよい。この場合、フィルタ１０〜４０のそれぞれは、例えば、ＳＡＷフィルタである。フィルタ１０〜４０のそれぞれを構成するＩＤＴ（ＩｎｔｅｒＤｉｇｉｔａｌ Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）電極は基板９０上に形成されている。つまり、共通端子１００およびフィルタ１０〜４０は、圧電性を有する同一の基板９０に配置されている。これにより、共通端子１００と各フィルタとを結ぶ信号配線を同一の基板９０上に形成できるので、当該信号配線を短くでき、また、マルチプレクサ１を小型化できる。

図４Ｂは、実施の形態１に係るマルチプレクサ１の実装構成の第２例を示す図である。同図には、基板９０上に配置されたマルチプレクサ１の実装構成が模式的に示されている。

図４Ｂにおいて、基板９０は、例えば、主面および内部に電子部品を実装することが可能であり、例えば、複数の誘電体層の積層構造を有するＬＴＣＣ基板、ＨＴＣＣ基板、部品内蔵基板、ＲＤＬを有する基板、または、プリント基板等である。

フィルタ１０〜４０のそれぞれは、例えば、１パッケージに内蔵、または、１枚の基板上に実装されたチップ状のフィルタ素子である。共通端子１００およびフィルタ１０〜４０は、同一の基板９０に配置されている。これにより、共通端子１００と各フィルタとを結ぶ信号配線を同一の基板９０上に形成できるので、当該信号配線を短くでき、また、マルチプレクサ１を小型化できる。

また、図４Ｂにおいて、フィルタ１０〜４０は、基板９０を平面視した場合、フィルタ１０、２０、３０および４０の順で配置されている。また、共通端子１００は、入力端子１１、４１、出力端子２１および３１のうち出力端子２１および３１に最も近く配置されている。これにより、共通端子１００とフィルタ２０とを結ぶ信号配線および共通端子１００とフィルタ３０とを結ぶ信号配線を短くでき、また、マルチプレクサ１を小型化できる。

なお、図４Ｂにおいて、基板９０は、圧電性を有する基板であってもよい。この場合、フィルタ１０〜４０のそれぞれは、例えば、ＳＡＷフィルタである。フィルタ１０〜４０のそれぞれを構成するＩＤＴ電極は基板９０上に形成されている。つまり、共通端子１００およびフィルタ１０〜４０は、圧電性を有する同一の基板９０に配置されている。これにより、共通端子１００と各フィルタとを結ぶ信号配線を同一の基板９０上に形成できるので、当該信号配線を短くでき、また、マルチプレクサ１を小型化できる。

なお、本実施の形態において、マルチプレクサ１の共通端子１００は、以下のように定義される。共通端子１００は、アンテナ２とフィルタ１０〜４０とを結ぶ信号経路において、第１通信バンドの受信信号および送信信号、ならびに、第２通信バンドの受信信号および送信信号の４つの信号が流れる経路のうちでフィルタ１０〜４０に最も近いノード、と定義される。

また、本実施の形態において、フィルタ１０の入力端子１１およびフィルタ４０の入力端子４１は、以下のように定義される。フィルタ１０および４０がチップ状のフィルタ素子である場合には、入力端子１１および４１は、それぞれ、チップの外表面に配置された入力電極または入力端子と定義される。また、フィルタ１０および４０が圧電性基板上に形成された弾性波フィルタである場合には、入力端子１１および４１は、それぞれ、圧電性基板上に形成され、バンプまたは半田ボールを介して外部基板と接続される入力電極または入力端子と定義される。

また、本実施の形態において、フィルタ２０の出力端子２１およびフィルタ３０の出力端子３１は、以下のように定義される。フィルタ２０および３０がチップ状のフィルタ素子である場合には、出力端子２１および３１は、それぞれ、チップの外表面に配置された出力電極または出力端子と定義される。また、フィルタ２０および３０が圧電性基板上に形成された弾性波フィルタである場合には、出力端子２１および３１は、それぞれ、圧電性基板上に形成され、バンプまたは半田ボールを介して外部基板と接続される出力電極または出力端子と定義される。

（実施の形態２）
本実施の形態では、実施の形態１に係るマルチプレクサ１と同様の回路構成を有するマルチプレクサを複数有する通信装置について説明する。

［２．１ マルチプレクサ１Ａおよび１Ｂならびに通信装置８の回路構成］
図５は、実施の形態２に係るマルチプレクサ１Ａ、１Ｂ、および通信装置８の回路ブロック図である。同図に示すように、通信装置８は、マルチプレクサ１Ａおよび１Ｂと、アンテナ２と、ＲＦＩＣ３と、スイッチ７と、低雑音増幅器６１Ａ、６２Ａ、６１Ｂおよび６２Ｂと、電力増幅器５１Ａ、５２Ａ、５１Ｂおよび５２Ｂと、を備える。本実施の形態に係る通信装置８は、実施の形態１に係る通信装置６と比較して、２つのマルチプレクサ１Ａおよび１Ｂ、スイッチ７、４つの低雑音増幅器、ならびに４つの電力増幅器を備える点が異なる。以下、本実施の形態に係る通信装置８について、実施の形態１に係る通信装置６と同じ点は説明を省略し、異なる点を中心に説明する。

スイッチ７は、アンテナ２と、マルチプレクサ１Ａおよび１Ｂとの間に配置され、アンテナ２とマルチプレクサ１Ａとの接続および非接続を切り替え、また、アンテナ２とマルチプレクサ１Ｂとの接続および非接続を切り替える。

低雑音増幅器６１Ａは、マルチプレクサ１Ａが備えるフィルタ１０ＡとＲＦＩＣ３とを結ぶ信号経路上に配置され、第１通信バンドの受信信号を増幅する受信増幅器である。

低雑音増幅器６２Ａは、マルチプレクサ１Ａが備えるフィルタ４０ＡとＲＦＩＣ３とを結ぶ信号経路上に配置され、第２通信バンドの受信信号を増幅する受信増幅器である。

電力増幅器５１Ａは、マルチプレクサ１Ａが備えるフィルタ２０ＡとＲＦＩＣ３とを結ぶ信号経路上に配置され、第１通信バンドの送信信号を増幅する送信増幅器である。

電力増幅器５２Ａは、マルチプレクサ１Ａが備えるフィルタ３０ＡとＲＦＩＣ３とを結ぶ信号経路上に配置され、第２通信バンドの送信信号を増幅する送信増幅器である。

低雑音増幅器６１Ｂは、マルチプレクサ１Ｂが備えるフィルタ１０ＢとＲＦＩＣ３とを結ぶ信号経路上に配置され、第３通信バンドの受信信号を増幅する受信増幅器である。

低雑音増幅器６２Ｂは、マルチプレクサ１Ｂが備えるフィルタ４０ＢとＲＦＩＣ３とを結ぶ信号経路上に配置され、第４通信バンドの受信信号を増幅する受信増幅器である。

電力増幅器５１Ｂは、マルチプレクサ１Ｂが備えるフィルタ２０ＢとＲＦＩＣ３とを結ぶ信号経路上に配置され、第３通信バンドの送信信号を増幅する送信増幅器である。

電力増幅器５２Ｂは、マルチプレクサ１Ｂが備えるフィルタ３０ＢとＲＦＩＣ３とを結ぶ信号経路上に配置され、第４通信バンドの送信信号を増幅する送信増幅器である。

なお、マルチプレクサ１ＡとＲＦＩＣ３とを結ぶ信号経路上、および、マルチプレクサ１ＢとＲＦＩＣ３とを結ぶ信号経路上には、低雑音増幅器６１Ａ、６２Ａ、６１Ｂおよび６２Ｂ、ならびに、電力増幅器５１Ａ、５２Ａ、５１Ｂおよび５２Ｂのほか、スイッチおよびフィルタなどが適宜配置されてもよい。

マルチプレクサ１Ａおよび１Ｂは、アンテナ２とＲＦＩＣ３との間に配置され、アンテナ２から入力された受信信号を分波し、また、ＲＦＩＣ３から入力された送信信号を合波する。

マルチプレクサ１Ａは、共通端子１００Ａと、フィルタ１０Ａ、２０Ａ、３０Ａおよび４０Ａと、を備える。

共通端子１００Ａは、フィルタ１０Ａの入出力端子の一方、フィルタ２０Ａの入出力端子の一方、フィルタ３０Ａの入出力端子の一方、およびフィルタ４０Ａの入出力端子の一方に接続されている。また、共通端子１００Ａは、スイッチ７に接続されている。

フィルタ１０Ａは、第１フィルタの一例であり、共通端子１００Ａに接続され、第１通信バンドの受信帯域を通過帯域に含む。フィルタ２０Ａは、第２フィルタの一例であり、共通端子１００Ａに接続され、第１通信バンドの送信帯域を通過帯域に含む。フィルタ３０Ａは、第３フィルタの一例であり、共通端子１００Ａに接続され、第１通信バンドと周波数が異なる第２通信バンドの送信帯域を通過帯域に含む。フィルタ４０Ａは、第４フィルタの一例であり、共通端子１００Ａに接続され、第２通信バンドの受信帯域を通過帯域に含む。第１通信バンドは５Ｇ−ＮＲのｎ８であり、第２通信バンドは４Ｇ−ＬＴＥのＢａｎｄ２０である。さらに、フィルタ４０Ａの通過帯域は、５Ｇ−ＮＲのｎ２８の受信帯域を含む。

なお、フィルタ１０Ａ〜４０Ａのそれぞれと共通端子１００Ａとは、直接接続されている。ただし、フィルタ１０Ａ〜４０Ａのそれぞれと共通端子１００Ａとを接続する信号経路上には、インダクタンス、キャパシタンスを有するインピーダンス整合素子が配置されていてもよい。

マルチプレクサ１Ａに適用される通信バンドは、高周波数側から、第１通信バンドの受信帯域、第１通信バンドの送信帯域、第２通信バンドの送信帯域、および第２通信バンドの受信帯域の順に並んでいる。

上記構成により、マルチプレクサ１Ａは、第１通信バンドの高周波信号と、第１通信バンドと異なる第２通信バンドの高周波信号とを同時伝送することが可能である。

マルチプレクサ１Ｂは、共通端子１００Ｂと、フィルタ１０Ｂ、２０Ｂ、３０Ｂおよび４０Ｂと、を備える。

共通端子１００Ｂは、フィルタ１０Ｂの入出力端子の一方、フィルタ２０Ｂの入出力端子の一方、フィルタ３０Ｂの入出力端子の一方、およびフィルタ４０Ｂの入出力端子の一方に接続されている。また、共通端子１００Ｂは、スイッチ７に接続されている。

フィルタ１０Ｂは、共通端子１００Ｂに接続され、第３通信バンドの受信帯域を通過帯域に含む。フィルタ２０Ｂは、共通端子１００Ｂに接続され、第３通信バンドの送信帯域を通過帯域に含む。フィルタ３０Ｂは、共通端子１００Ｂに接続され、第３通信バンドと周波数が異なる第４通信バンドの送信帯域を通過帯域に含む。フィルタ４０Ｂは、共通端子１００Ｂに接続され、第４通信バンドの受信帯域を通過帯域に含む。第３通信バンドは５Ｇ−ＮＲのｎ２６であり、第４通信バンドは４Ｇ−ＬＴＥのＢａｎｄ１３である。

なお、フィルタ１０Ｂ〜４０Ｂのそれぞれと共通端子１００Ｂとは、直接接続されている。ただし、フィルタ１０Ｂ〜４０Ｂのそれぞれと共通端子１００Ｂとを接続する信号経路上には、インダクタンス、キャパシタンスを有するインピーダンス整合素子が配置されていてもよい。

マルチプレクサ１Ｂに適用される通信バンドは、高周波数側から、第３通信バンドの受信帯域、第３通信バンドの送信帯域、第４通信バンドの送信帯域、および第４通信バンドの受信帯域の順に並んでいる。

上記構成により、マルチプレクサ１Ｂは、第３通信バンドの高周波信号と、第３通信バンドと異なる第４通信バンドの高周波信号とを同時伝送することが可能である。

本実施の形態に係るマルチプレクサ１Ａの上記構成によれば、フィルタ１０Ａ〜４０Ａが共通端子１００Ａに接続されているので、共通端子１００Ａとフィルタ１０Ａ〜４０Ａとを結ぶ信号配線を短くできる。よって、第１通信バンドの送信帯域と第２通信バンドの送信帯域とが隣り合うことに起因した第１通信バンドの送信信号および第２通信バンドの送信信号のＥＶＭ劣化を抑制できるので、マルチプレクサ１Ａ全体としてのＥＶＭ劣化を抑制できる。

また、本実施の形態に係るマルチプレクサ１Ｂの上記構成によれば、フィルタ１０Ｂ〜４０Ｂが共通端子１００Ｂに接続されているので、共通端子１００Ｂとフィルタ１０Ｂ〜４０Ｂとを結ぶ信号配線を短くできる。よって、第３通信バンドの送信帯域と第４通信バンドの送信帯域とが隣り合うことに起因した第３通信バンドの送信信号および第４通信バンドの送信信号のＥＶＭ劣化を抑制できるので、マルチプレクサ１Ｂ全体としてのＥＶＭ劣化を抑制できる。

さらには、通信装置８としてのＥＶＭ劣化を抑制できる。

（効果など）
以上、実施の形態１および２に係るマルチプレクサ１は、第１通信バンドの高周波信号と、第１通信バンドと異なる第２通信バンドの高周波信号とを同時伝送することが可能なマルチプレクサであって、共通端子１００と、共通端子１００に接続され、第１通信バンドの受信帯域を通過帯域に含むフィルタ１０と、共通端子１００に接続され、第１通信バンドの送信帯域を通過帯域に含むフィルタ２０と、共通端子１００に接続され、第２通信バンドの送信帯域を通過帯域に含むフィルタ３０と、共通端子１００に接続され、第２通信バンドの受信帯域を通過帯域に含むフィルタ４０と、を備え、第１通信バンドの送信帯域および第２通信バンドの送信帯域は、第１通信バンドの受信帯域と第２通信バンドの受信帯域との間に挟まれており、第１通信バンドおよび第２通信バンドの少なくとも一方は、５Ｇ−ＮＲの通信バンドである。

これによれば、フィルタ１０〜４０が共通端子１００に接続されているので、共通端子１００と各フィルタとを結ぶ信号配線を短くできる。よって、上記信号配線の伝送損失によるＥＶＭの劣化を抑制できるので、マルチプレクサ１全体としてのＥＶＭ劣化を抑制できる。

また、フィルタ１０は共通端子１００に接続された入力端子１１を有し、フィルタ２０は共通端子１００に接続された出力端子２１を有し、フィルタ３０は共通端子１００に接続された出力端子３１を有し、フィルタ４０は共通端子１００に接続された入力端子４１を有し、第１通信バンドおよび第２通信バンドは、それぞれ、５Ｇ−ＮＲの通信バンドであり、出力端子２１と共通端子１００とを結ぶ信号配線の配線長Ｌ_２０は、入力端子１１と共通端子１００とを結ぶ信号配線の配線長Ｌ_１０以下であり、かつ、入力端子４１と共通端子１００とを結ぶ信号配線の配線長Ｌ_４０以下であり、出力端子３１と共通端子１００とを結ぶ信号配線の配線長Ｌ_３０は、配線長Ｌ_１０以下であり、かつ、配線長Ｌ_４０以下であってもよい。

これによれば、ＥＶＭの要求仕様が最も厳しい５Ｇ−ＮＲの送信信号を伝送する信号配線の配線長Ｌ_２０および配線長Ｌ_３０を、受信信号を伝送する信号配線の配線長Ｌ_１０および配線長Ｌ_４０よりも小さくできるので、５Ｇ−ＮＲの送信信号のＥＶＭの劣化を効果的に抑制できる。

また、第１通信バンドは５Ｇ−ＮＲの通信バンドであり、第２通信バンドは４Ｇ−ＬＴＥの通信バンドであり、配線長Ｌ_２０は、配線長Ｌ_１０以下であり、かつ、配線長Ｌ_３０以下であり、かつ、配線長Ｌ_４０以下であってもよい。

これによれば、ＥＶＭの要求仕様が最も厳しい５Ｇ−ＮＲの第１通信バンドの送信信号を通過させるフィルタ２０に接続される信号配線の配線長Ｌ_２０を、その他の配線長よりも小さくできるので、５Ｇ−ＮＲの送信信号のＥＶＭの劣化を効果的に抑制できる。

また、第１通信バンドは５Ｇ−ＮＲの通信バンドであり、第２通信バンドは４Ｇ−ＬＴＥの通信バンドであり、配線長Ｌ_２０は、配線長Ｌ_１０以下であり、かつ、配線長Ｌ_４０以下であり、配線長Ｌ_３０は、配線長Ｌ_１０以下であり、かつ、配線長Ｌ_４０以下であってもよい。

これによれば、５Ｇ−ＮＲの第１通信バンドの送信信号および４Ｇ−ＬＴＥの第２通信バンドの送信信号のＥＶＭの劣化を効果的に抑制できる。

また、共通端子１００、フィルタ１０〜４０は、同一の基板９０に実装されていてもよい。

これにより、共通端子１００と各フィルタとを結ぶ信号配線を同一基板９０上に形成できるので、当該信号配線を短くでき、また、マルチプレクサ１を小型化できる。

また、共通端子１００、フィルタ１０〜４０は、弾性波フィルタであり、同一の圧電性の基板９０に形成されていてもよい。

これにより、共通端子１００と各フィルタとを結ぶ信号配線を同一圧電基板上に形成できるので、当該信号配線を短くでき、また、マルチプレクサ１を小型化できる。

また、第１通信バンドの送信帯域と第２通信バンドの送信帯域との周波数ギャップは、第１通信バンドの送信帯域幅より狭くてもよい。

第１通信バンドの送信帯域と第２通信バンドの送信帯域との周波数ギャップが相対的に小さい場合、第１通信バンドの送信帯域のうち第２通信バンドの送信帯域と隣り合う端部領域のＥＶＭ劣化が激しく、また、第２通信バンドの送信帯域のうち第１通信バンドの送信帯域と隣り合う端部領域のＥＶＭ劣化が激しくなる傾向にある。

これに対して、第１通信バンドの送信帯域と第２通信バンドの送信帯域との周波数ギャップが相対的に小さい状態であっても、フィルタ１０〜４０が共通端子１００に接続されているので、共通端子１００と各フィルタとを結ぶ信号配線を短くできる。よって、特に、送信信号を伝送する信号配線の伝送損失によるＥＶＭの劣化を抑制できるので、マルチプレクサ１全体としてのＥＶＭ劣化を抑制できる。

また、第１通信バンドは５Ｇ−ＮＲのｎ８であり、第２通信バンドは４Ｇ−ＬＴＥのＢａｎｄ２０であってもよい。

また、フィルタ４０の通過帯域は、５Ｇ−ＮＲのｎ２８の受信帯域を含んでもよい。

また、第１通信バンドは５Ｇ−ＮＲのｎ２６であり、第２通信バンドは４Ｇ−ＬＴＥのＢａｎｄ１３であってもよい。

また、通信装置６は、アンテナ２と、アンテナ２で送受信される高周波信号を処理するＲＦＩＣ３と、アンテナ２とＲＦＩＣ３との間で高周波信号を伝送するマルチプレクサ１と、を備える。

これにより、同時伝送する２つの通信バンド間の周波数ギャップが小さい場合であってもＥＶＭの劣化を抑制できる通信装置６を提供することができる。

（その他の実施の形態など）
以上、本発明に係るマルチプレクサおよび通信装置について、実施の形態を挙げて説明したが、本発明は、上記実施の形態に限定されるものではない。上記実施の形態における任意の構成要素を組み合わせて実現される別の実施の形態や、上記実施の形態に対して本発明の主旨を逸脱しない範囲で当業者が思いつく各種変形を施して得られる変形例や、本発明に係るマルチプレクサおよび通信装置を内蔵した各種機器も本発明に含まれる。

なお、上記実施の形態１および２では、第１通信バンドの受信帯域、第１通信バンドの送信帯域、第２通信バンドの送信帯域、および第２通信バンドの受信帯域が、低周波数側または高周波数側からこの順で並んでいる周波数関係に適用されるマルチプレクサ１について示した。しかしながら、本発明に係るマルチプレクサは、第１通信バンドの送信帯域、第１通信バンドの受信帯域、第２通信バンドの受信帯域、および第２通信バンドの送信帯域が、低周波数側または高周波数側からこの順で並んでいる周波数関係に適用されてもよい。すなわち、本発明の一態様に係るマルチプレクサは、第１通信バンドの高周波信号と、第１通信バンドと異なる第２通信バンドの高周波信号とを同時伝送することが可能なマルチプレクサであって、共通端子と、当該共通端子に接続され、第１通信バンドの送信帯域を通過帯域に含む第１フィルタと、当該共通端子に接続され、第１通信バンドの受信帯域を通過帯域に含む第２フィルタと、当該共通端子に接続され、第２通信バンドの受信帯域を通過帯域に含む第３フィルタと、当該共通端子に接続され、第２通信バンドの送信帯域を通過帯域に含む第４フィルタと、を備え、第１通信バンドの受信帯域および第２通信バンドの受信帯域は、第１通信バンドの送信帯域と第２通信バンドの送信帯域との間に挟まれており、第１通信バンドおよび第２通信バンドの少なくとも一方は、５Ｇ−ＮＲの通信バンドである。つまり、各送信帯域および各受信帯域の並び順は、第１通信バンドの送信帯域、第１通信バンドの受信帯域、第２通信バンドの受信帯域、および第２通信バンドの送信帯域が、低周波数側または高周波数側からこの順で並んでいる、または、第１通信バンドの送信帯域、第２通信バンドの受信帯域、第１通信バンドの受信帯域、および第２通信バンドの送信帯域が、低周波数側または高周波数側からこの順で並んでいればよい。

５Ｇ−ＮＲの信号は、４Ｇ−ＬＴＥの信号に比べてＥＶＭの要求仕様が厳しくなっている、フィルタ通過帯域の端部領域（通信バンドの端部のチャンネル）ではＥＶＭが劣化する傾向にある。このため、第１通信バンドの受信信号および第２通信バンドの受信信号を同時伝送する場合には、第１通信バンドの受信帯域および第２通信バンドの受信帯域が隣り合っているため、通過帯域にわたり良好な受信感度を確保することが困難となり、これに伴ってＥＶＭが劣化する。

これに対して、上記構成によれば、フィルタ１０〜４０が共通端子１００に接続されているので、共通端子１００と各フィルタとを結ぶ信号配線を短くできる。よって、上記信号配線の伝送損失による受信感度の劣化を抑制できるので、マルチプレクサ１全体および通信装置６としての受信感度劣化を抑制できる。

なお、上記実施の形態１および２において、通信システムとは、標準化団体等（例えば３ＧＰＰ、ＩＥＥＥ（Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ ｏｆ Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ ａｎｄ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｓ））によって定義された無線アクセス技術（ＲＡＴ：Ｒａｄｉｏ Ａｃｃｅｓｓ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）を用いて構築される通信システムを意味する。通信システムとしては、例えば５Ｇ−ＮＲシステム、ＬＴＥシステムおよびＷＬＡＮ（Ｗｉｒｅｌｅｓｓ Ｌｏｃａｌ Ａｒｅａ Ｎｅｔｗｏｒｋ）システム等を用いることができるが、これらに限定されない。

また、通信バンドとは、通信システムのために標準化団体等によって予め定義された周波数バンドを意味する。通信バンドとしては、例えば５Ｇ−ＮＲ周波数バンドおよびＬＴＥ周波数バンド等を用いることができるが、これらに限定されない。

また、上記実施の形態に係るマルチプレクサおよび通信装置において、回路素子の間に、インダクタおよびキャパシタなどの整合素子、ならびにスイッチ回路が接続されていてもよい。なお、インダクタには、回路素子間を繋ぐ配線による配線インダクタが含まれてもよい。

また、上記実施の形態において、送信帯域および受信帯域がこの順で並んでいる、とは、当該送信帯域と当該受信帯域とが一部重複していてもよい。また、２つの受信帯域の間に送信帯域が挟まれている、とは、当該２つの受信帯域の少なくとも１つと当該送信帯域とが一部重複していてもよい。また、２つの送信帯域の間に受信帯域が挟まれている、とは、当該２つの送信帯域の少なくとも１つと当該受信帯域とが一部重複していてもよい。

本発明は、５Ｇ−ＮＲのための通信バンドを含むマルチバンドシステムに適用できるマルチプレクサおよび通信装置として、携帯電話などの通信機器に広く利用できる。

１、１Ａ、１Ｂ マルチプレクサ
２ アンテナ
３ ＲＦ信号処理回路（ＲＦＩＣ）
６、８ 通信装置
７ スイッチ
１０、１０Ａ、１０Ｂ、２０、２０Ａ、２０Ｂ、３０、３０Ａ、３０Ｂ、４０、４０Ａ、４０Ｂ フィルタ
１１、２２、３２、４１ 入力端子
１２、２１、３１、４２ 出力端子
５１、５１Ａ、５１Ｂ、５２、５２Ａ、５２Ｂ 電力増幅器
６１、６１Ａ、６１Ｂ、６２、６２Ａ、６２Ｂ 低雑音増幅器
９０ 基板
１００、１００Ａ、１００Ｂ 共通端子

Claims (12)

1. 第１通信バンドの高周波信号と、前記第１通信バンドと異なる第２通信バンドの高周波信号とを同時伝送することが可能なマルチプレクサであって、
   共通端子と、
   前記共通端子に接続され、前記第１通信バンドの受信帯域を通過帯域に含む第１フィルタと、
   前記共通端子に接続され、前記第１通信バンドの送信帯域を通過帯域に含む第２フィルタと、
   前記共通端子に接続され、前記第２通信バンドの送信帯域を通過帯域に含む第３フィルタと、
   前記共通端子に接続され、前記第２通信バンドの受信帯域を通過帯域に含む第４フィルタと、を備え、
   前記第１通信バンドの送信帯域および前記第２通信バンドの送信帯域は、前記第１通信バンドの受信帯域と前記第２通信バンドの受信帯域との間に挟まれており、
   前記第１通信バンドおよび前記第２通信バンドの少なくとも一方は、５Ｇ−ＮＲの通信バンドである、
   マルチプレクサ。
2. 前記第１フィルタは、前記共通端子に接続された第１入出力端子を有し、
   前記第２フィルタは、前記共通端子に接続された第２入出力端子を有し、
   前記第３フィルタは、前記共通端子に接続された第３入出力端子を有し、
   前記第４フィルタは、前記共通端子に接続された第４入出力端子を有し、
   前記第１通信バンドおよび前記第２通信バンドは、それぞれ、５Ｇ−ＮＲの通信バンドであり、
   前記第２入出力端子と前記共通端子とを結ぶ信号配線の長さは、前記第１入出力端子と前記共通端子とを結ぶ信号配線の長さ以下であり、かつ、前記第４入出力端子と前記共通端子とを結ぶ信号配線の長さ以下であり、
   前記第３入出力端子と前記共通端子とを結ぶ信号配線の長さは、前記第１入出力端子と前記共通端子とを結ぶ信号配線の長さ以下であり、かつ、前記第４入出力端子と前記共通端子とを結ぶ信号配線の長さ以下である、
   請求項１に記載のマルチプレクサ。
3. 前記第１フィルタは、前記共通端子に接続された第１入出力端子を有し、
   前記第２フィルタは、前記共通端子に接続された第２入出力端子を有し、
   前記第３フィルタは、前記共通端子に接続された第３入出力端子を有し、
   前記第４フィルタは、前記共通端子に接続された第４入出力端子を有し、
   前記第１通信バンドは、５Ｇ−ＮＲの通信バンドであり、
   前記第２通信バンドは、４Ｇ−ＬＴＥの通信バンドであり、
   前記第２入出力端子と前記共通端子とを結ぶ信号配線の長さは、前記第１入出力端子と前記共通端子とを結ぶ信号配線の長さ以下であり、かつ、前記第３入出力端子と前記共通端子とを結ぶ信号配線の長さ以下であり、かつ、前記第４入出力端子と前記共通端子とを結ぶ信号配線の長さ以下である、
   請求項１に記載のマルチプレクサ。
4. 前記第１フィルタは、前記共通端子に接続された第１入出力端子を有し、
   前記第２フィルタは、前記共通端子に接続された第２入出力端子を有し、
   前記第３フィルタは、前記共通端子に接続された第３入出力端子を有し、
   前記第４フィルタは、前記共通端子に接続された第４入出力端子を有し、
   前記第１通信バンドは、５Ｇ−ＮＲの通信バンドであり、
   前記第２通信バンドは、４Ｇ−ＬＴＥの通信バンドであり、
   前記第２入出力端子と前記共通端子とを結ぶ信号配線の長さは、前記第１入出力端子と前記共通端子とを結ぶ信号配線の長さ以下であり、かつ、前記第４入出力端子と前記共通端子とを結ぶ信号配線の長さ以下であり、
   前記第３入出力端子と前記共通端子とを結ぶ信号配線の長さは、前記第１入出力端子と前記共通端子とを結ぶ信号配線の長さ以下であり、かつ、前記第４入出力端子と前記共通端子とを結ぶ信号配線の長さ以下である、
   請求項１に記載のマルチプレクサ。
5. 前記共通端子、前記第１フィルタ、前記第２フィルタ、前記第３フィルタ、および前記第４フィルタは、同一の基板に実装されている、
   請求項１〜４のいずれか１項に記載のマルチプレクサ。
6. 前記共通端子、前記第１フィルタ、前記第２フィルタ、前記第３フィルタ、および前記第４フィルタは、弾性波フィルタであり、同一の圧電性基板に形成されている、
   請求項１〜４のいずれか１項に記載のマルチプレクサ。
7. 前記第１通信バンドの送信帯域と前記第２通信バンドの送信帯域との周波数ギャップは、前記第１通信バンドの送信帯域幅より狭い、
   請求項１〜６のいずれか１項に記載のマルチプレクサ。
8. 前記第１通信バンドは、５Ｇ−ＮＲのｎ８であり、
   前記第２通信バンドは、４Ｇ−ＬＴＥのＢａｎｄ２０である、
   請求項１〜７のいずれか１項に記載のマルチプレクサ。
9. 前記第４フィルタの通過帯域は、５Ｇ−ＮＲのｎ２８の受信帯域を含む、
   請求項８に記載のマルチプレクサ。
10. 前記第１通信バンドは、５Ｇ−ＮＲのｎ２６であり、
    前記第２通信バンドは、４Ｇ−ＬＴＥのＢａｎｄ１３である、
    請求項１〜７のいずれか１項に記載のマルチプレクサ。
11. 第１通信バンドの高周波信号と、前記第１通信バンドと異なる第２通信バンドの高周波信号とを同時伝送することが可能なマルチプレクサであって、
    共通端子と、
    前記共通端子に接続され、前記第１通信バンドの送信帯域を通過帯域に含む第１フィルタと、
    前記共通端子に接続され、前記第１通信バンドの受信帯域を通過帯域に含む第２フィルタと、
    前記共通端子に接続され、前記第２通信バンドの受信帯域を通過帯域に含む第３フィルタと、
    前記共通端子に接続され、前記第２通信バンドの送信帯域を通過帯域に含む第４フィルタと、を備え、
    前記第１通信バンドの受信帯域および前記第２通信バンドの受信帯域は、前記第１通信バンドの送信帯域と前記第２通信バンドの送信帯域との間に挟まれており、
    前記第１通信バンドおよび前記第２通信バンドの少なくとも一方は、５Ｇ−ＮＲの通信バンドである、
    マルチプレクサ。
12. アンテナと、
    前記アンテナで送受信される高周波信号を処理するＲＦ信号処理回路と、
    前記アンテナと前記ＲＦ信号処理回路との間で前記高周波信号を伝送する請求項１〜１１のいずれか１項に記載のマルチプレクサと、を備える、
    通信装置。

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