JP6112654B2

JP6112654B2 - モジュール

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Publication number: JP6112654B2
Application number: JP2013014851A
Authority: JP
Inventors: 浩史原
Original assignee: Taiyo Yuden Co Ltd
Current assignee: Taiyo Yuden Co Ltd
Priority date: 2013-01-29
Filing date: 2013-01-29
Publication date: 2017-04-12
Anticipated expiration: 2033-01-29
Also published as: US9571062B2; JP2014146995A; CN103973256A; CN103973256B; US20140210684A1; SG2013090618A

Description

本発明はモジュールに関する。

携帯電話などの通信機器に搭載される電子部品には、小型化、及び良好な周波数特性が要求されている。高周波数において良好な周波数特性を得るため、弾性波フィルタを用いてデュプレクサが形成される。例えば特許文献１では、圧電薄膜共振器（Film Bulk Acoustic Resonator：ＦＢＡＲ）を用いたラダー型フィルタをデュプレクサに用いている。弾性波フィルタとして、弾性表面波（Surface Acoustic Wave：ＳＡＷ）フィルタ、弾性境界波フィルタなどが用いられることもある。周波数特性改善のためには、デュプレクサとアンテナとの間においてインピーダンス整合を取ることが重要である。整合素子としてインダクタなどの受動素子が用いられる。電子部品の小型化のために、デュプレクサと整合素子とを同一の基板に実装することがある。

特開２０１２−８９９９６号公報

しかしながら、従来の技術では、基板内の配線に起因してインピーダンス整合が困難となりうる。インピーダンス整合のために大型の整合素子を接続すると、小型化が困難となる。本発明は上記課題に鑑み、インピーダンス整合を適切に取ることが可能なモジュールを提供することを目的とする。

本発明は、上面にアンテナパッドが形成された基板と、前記基板の上面にフリップチップ実装され、下面に前記アンテナパッドとバンプを介し接続されたアンテナ端子が形成されたデュプレクサと、前記基板に設けられ、一端が前記アンテナパッドに接続され、かつ他端がアンテナに接続される第１配線と、前記基板に設けられ、一端が前記第１配線を介さずに前記アンテナパッドに接続された第２配線と、一端が前記第２配線の他端に接続され、かつ他端が接地されたインダクタと、を具備し、前記第１配線は前記第２配線を介さずに前記アンテナパッドに接続されることを特徴とするモジュールである。

上記構成において、前記基板は、複数の絶縁層と複数の絶縁層の表面にそれぞれ設けられた複数の導体層を含む多層基板であり、前記第１配線と前記第２配線とは、異なる導体層に設けられており、前記異なる導体層間に設けられた絶縁層を貫通するビア配線は前記第１配線の一端と前記第２配線の一端を接続する構成とすることができる。

上記構成において、前記デュプレクサは弾性波フィルタを含み、前記弾性波フィルタはＩＤＴを備える構成とすることができる。

上記構成において、前記インダクタは前記基板に実装されたチップ部品に含まれる構成とすることができる。

本発明によれば、インピーダンス整合を適切に取ることが可能なモジュールを提供することができる。

図１はモジュールを例示する回路図である。図２（ａ）はモジュールを例示する上面図である。図２（ｂ）は図２（ａ）の線Ａ−Ａに沿った断面図である。図３（ａ）はデュプレクサを例示する回路図である。図３（ｂ）はＳＡＷ共振器を例示する平面図である。図４（ａ）はデュプレクサの等価回路を例示する図である。図４（ｂ）はデュプレクサのアンテナ端子から見たインピーダンスを例示するスミスチャートである。図５（ａ）はデュプレクサを例示するブロック図である。図５（ｂ）はデュプレクサのアンテナ端子から見たインピーダンスを例示するスミスチャートである。図６（ａ）はシャントインダクタを接続したデュプレクサを例示するブロック図である。図６（ｂ）はデュプレクサのアンテナ端子から見たインピーダンスを例示するスミスチャートである。図７（ａ）はインピーダンス部を介さずにインダクタをデュプレクサと接続する例を示すブロック図である。図７（ｂ）はデュプレクサのアンテナ端子から見たインピーダンスを例示するスミスチャートである。図８は実施例１に係るモジュールを例示する断面図である。図９（ａ）及び図９（ｂ）は多層基板の絶縁層を例示する平面図である。図１０（ａ）は絶縁層を例示する平面図である。図１０（ｂ）は絶縁層を透視した平面図である。図１１（ａ）及び図１１（ｂ）は比較例における絶縁層を例示する平面図である。図１２（ａ）及び図１２（ｂ）は絶縁層を例示する平面図である。

まずデュプレクサを用いるモジュールについて説明する。図１はモジュール１０００を例示する回路図である。図１に示すように、モジュール１０００は、アンテナ１０及び２０、スイッチ１２及び２２、４つのフィルタ１６、４つのデュプレクサ２６、４つのパワーアンプ（Power Amplifier：ＰＡ）３０及びＩＣ（Integrated Circuit：集積回路）３２を備える。デュプレクサ２６は受信フィルタ２６ａ及び送信フィルタ２６ｂを含む。ＩＣ３２はローノイズアンプ（Low Noise Amplifier：ＬＮＡ）３２ａ及び３２ｂを含む。

フィルタ１６は受信フィルタであり、一端は入力端子１４を介してスイッチ１２と接続され、他端は出力端子１８を介してＬＮＡ３２ａと接続されている。受信フィルタ２６ａ及び送信フィルタ２６ｂそれぞれの一端はアンテナ端子２４に共通して接続され、アンテナ端子２４を介してスイッチ２２と接続されている。受信フィルタ２６ａの他端は受信端子２８ａを介してＬＮＡ３２ｂと接続されている。送信フィルタ２６ｂの他端は送信端子２８ｂを介してＰＡ３０と接続されている。

アンテナ１０及び２０はＲＦ（Radio Frequency）信号を受信及び送信する。スイッチ１２は、４つのフィルタ１６から１つを選択し、アンテナ１０と接続する。フィルタ１６は、アンテナ１０が受信した受信信号をフィルタリングし、ＬＮＡ３２ａは受信信号を増幅する。ＩＣ３２は受信信号をダウンコンバートしベースバンド信号とする。スイッチ２２は、４つのデュプレクサ２６から１つを選択し、アンテナ２０と接続する。受信フィルタ２６ａはアンテナ２０が受信した受信信号をフィルタリングする。ＬＮＡ３２ｂは受信信号を増幅する。ＩＣ３２はベースバンド信号をアップコンバートし送信信号を生成する。ＰＡ３０は送信信号を増幅し、送信フィルタ２６ｂは送信信号をフィルタリングする。アンテナ２０は送信信号を送信する。

デュプレクサ２６の通過帯域は、フィルタ１６の通過帯域と異なる周波数に位置する。受信フィルタ２６ａの通過帯域は、送信フィルタ２６ｂの通過帯域と異なる周波数に位置する。

図２（ａ）はモジュール１０００を例示する上面図である。図２（ｂ）は図２（ａ）の線Ａ−Ａに沿った断面図である。図２（ａ）においてはリッド４２を透視している。

図２（ａ）及び図２（ｂ）に示すように、デュプレクサ２６はパッケージとして形成され、１つの基板４０に実装されている。リッド４２はデュプレクサ２６の上面に接している。なお、フィルタ１６もデュプレクサ２６と共に、基板４０及びリッド４２に挟まれてもよい。基板４０は、後述するように例えば多層基板とすることができる。リッド４２は例えばコバールなどの金属、又は樹脂などの絶縁体、又はそれらの複合体により形成されている。以下、１つのデュプレクサ２６に注目し、構成及び周波数特性について説明する。

図３（ａ）はデュプレクサ２６を例示する回路図である。図３（ａ）に示すように、送信フィルタ２６ｂは直列共振器Ｓ１〜Ｓ３、並列共振器Ｐ１及びＰ２を含むラダー型フィルタである。直列共振器Ｓ１〜Ｓ３はアンテナ端子２４と送信端子２８ｂとの間に直列接続されている。並列共振器Ｐ１の一端はＳ１〜Ｓ２間ノードに接続され、他端は接地されている。並列共振器Ｐ２の一端はＳ２〜Ｓ３間ノードに接続され、他端は接地されている。受信フィルタ２６ａは直列共振器Ｓ４〜Ｓ６、並列共振器Ｐ３及びＰ４を含むラダー型フィルタである。受信フィルタ２６ａにおける共振器は送信フィルタ２６ｂと同様に接続されている。

共振器Ｓ１〜Ｓ６及びＰ１〜Ｐ４（以下、共振器）は例えば弾性表面波（ＳＡＷ）共振器である。図３（ｂ）はＳＡＷ共振器を例示する平面図である。図３（ｂ）に示すように、圧電基板４５の上面にＩＤＴ（Interdigital Transducer）４６及び反射器４７が設けられている。ＩＤＴ４６は対向する櫛型電極４６ａ及び４６ｂを含み、弾性表面波を励振する。反射器４７はＩＤＴ４６に向けて弾性表面波を反射する。圧電基板４５は例えばタンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ_３）又はニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ_３）などの圧電体により形成されている。ＩＤＴ４６及び反射器４７は例えばアルミニウム（Ａｌ）などの金属により形成されている。

図４（ａ）はデュプレクサ２６の等価回路を例示する図である。各共振器はインダクタＬ１、キャパシタＣ１及びＣ２を含む。インダクタＬ１及びキャパシタＣ１は直列接続されている。キャパシタＣ２は、インダクタＬ１及びキャパシタＣ１に並列接続されている。

良好な周波数特性を得るためには、インピーダンス整合を取ることが求められる。例えば、受信フィルタ２６ａは送信フィルタ２６ｂの通過帯域において例えば無限大のように高いインピーダンスを有し、送信フィルタ２６ｂは受信フィルタ２６ａの通過帯域において高いインピーダンスを有することが好ましい。アンテナ２０から見たデュプレクサ２６のインピーダンスは例えば５０Ωであることが好ましい。

デュプレクサ２６のインピーダンスのシミュレーションを行った。受信フィルタ２６ａの通過帯域は１９６０ＭＨｚを含み、送信フィルタ２６ｂの通過帯域は１８８０ＭＨｚを含むとした。図４（ｂ）はデュプレクサ２６のアンテナ端子２４から見たインピーダンスを例示するスミスチャートである。所望のインピーダンスである５０Ωは図４（ｂ）のスミスチャートのほぼ中央に位置する。一点鎖線の円Ａ１は通過帯域におけるインピーダンスを示す。円Ａ１に示すように、デュプレクサ２６のインピーダンスは５０Ωから外れる。共振器が容量として機能し、アンテナ２０から見たデュプレクサ２６のインピーダンスが容量性となるためである。

インピーダンス整合を行うために、例えばアンテナ端子２４とデュプレクサ２６との間にインダクタなどの整合素子を接続することがある。しかし、整合素子を用いても適切なインピーダンス整合を取れないことがある。以下、このような例を説明する。

図５（ａ）はデュプレクサ２６を例示するブロック図である。図５（ａ）に示すように、アンテナ端子２４とデュプレクサ２６との間に、インピーダンス部２１が接続されている。インピーダンス部２１は、例えばデュプレクサ２６とアンテナ２０とを接続する配線により生成される。例えば長さ２ｍｍの配線が５０Ωのインピーダンスを有するとして、シミュレーションを行った。図５（ｂ）はデュプレクサ２６のアンテナ端子２４から見たインピーダンスを例示するスミスチャートである。図５（ｂ）の矢印に示すように、デュプレクサ２６のインピーダンスは図４（ｂ）の円Ａ１から円Ａ２の位置まで回転する。インピーダンス部２１が接続されているためである。

図６（ａ）はシャントインダクタを接続したデュプレクサ２６を例示するブロック図である。インピーダンス部２１ａとインピーダンス部２１ｂとの間にインダクタＬ２の一端が接続されている。これは、図５（ａ）のインピーダンス部２１を生成する配線の途中に、インダクタＬ２を接続したことに対応する。例えばインピーダンス部２１ａ及び２１ｂはそれぞれ長さ１ｍｍの配線に対応し、５０Ωを有する。インダクタＬ２の他端は接地されている。インダクタＬ２はアンテナ端子２４とデュプレクサ２６とのインピーダンスを整合するシャントインダクタとして機能する。送信フィルタ２６ｂと送信端子２８ｂとの間のノードにインダクタＬ３の一端が接続され、インダクタＬ３の他端は接地されている。インダクタＬ３は送信端子２８ｂ側のインピーダンスを整合する。インダクタＬ２のインダクタンス値は３．５ｎＨ、インダクタＬ３のインダクタンス値は２６ｎＨとして、インピーダンスのシミュレーションを行った。

図６（ｂ）はデュプレクサ２６のアンテナ端子２４から見たインピーダンスを例示するスミスチャートである。図６（ｂ）の円Ａ３に示すように、インピーダンスは５０Ωより低い。すなわち、図５（ｂ）の円Ａ２で表したインピーダンスが、インダクタＬ２により矢印の方向に回転し円Ａ３に達する。このように、インダクタＬ２によりインピーダンスを円Ａ２から５０Ωとすることは困難であり、インピーダンスは円Ａ３のように５０Ωから外れる。

図７（ａ）はインピーダンス部２１を介さずにインダクタＬ２をデュプレクサ２６と接続する例を示すブロック図である。図７（ａ）に示すように、デュプレクサ２６とインピーダンス部２１との間のノードにインピーダンス部２３の一端が接続されている。インダクタＬ２の一端はインピーダンス部２３の他端に接続され、インダクタＬ２の他端は接地されている。インピーダンス部２３は、例えばデュプレクサ２６とインダクタＬ２とを接続する長さ２ｍｍの配線により生成され、５０Ωを有する。インダクタＬ２のインダクタンス値は２．６ｎＨとしてシミュレーションを行った。

図７（ｂ）はデュプレクサ２６のアンテナ端子２４から見たインピーダンスを例示するスミスチャートである。図７（ｂ）の円Ａ４に示すように、インピーダンスはスミスチャートのほぼ中央、つまり５０Ωになる。インピーダンス部２１を介さずに、デュプレクサ２６がインダクタＬ２に接続される。このため、図５（ｂ）に示したようなインピーダンスの変化が抑制される。すなわち、図４（ｂ）の円Ａ１に位置するインピーダンスを、インダクタＬ２により矢印の方向に回転させる。この結果、図７（ｂ）に示すようなインピーダンス整合が可能となる。以上の知見に基づく実施例について説明する。

実施例１は基板５０を用いる例である。図８は実施例１に係るモジュール１００を例示する断面図である。図９（ａ）は基板５０の絶縁層５１を例示する平面図である。図９（ｂ）は絶縁層５２を例示する平面図である。図１０（ａ）は絶縁層５３を例示する平面図である。図１０（ｂ）は絶縁層５３を透視した平面図である。なお、基板５０には、図１に示したような複数のデュプレクサ及びフィルタが実装されている。１つのデュプレクサに注目して説明する。

図８に示すように、モジュール１００は基板５０、デュプレクサ６０、チップ部品６２及び６４を備える。基板５０は、多層基板５０ａとプリント基板５０ｂとを貼り合わせたものである。図８から図１０（ｂ）に示すように、多層基板５０ａは、絶縁層５１、５２、及び５３、導体層５４、５５、５６及び５７を含む。上から順に絶縁層５１〜５３が積層されている。絶縁層５１の上面に導体層５４が設けられ、絶縁層５１及び５２間に導体層５５が設けられている。絶縁層５２及び５３間に導体層５６、絶縁層５３の下面に導体層５７が設けられている。絶縁層５３の下面にプリント基板５０ｂが接着されている。図８に示すように、プリント基板５０ｂの下面に導体層５８が設けられている。

図８に示すように、導体層５４はアンテナパッド５４ａ、パッド５４ｂ及び５４ｃ、並びに複数の接地パッド５４ｄを含み、さらに不図示の受信パッド及び送信パッドを含む。図８及び図９（ｂ）に示すように、導体層５５はアンテナ配線５５ａ（第１配線）、送信配線５５ｂ、及び受信配線５５ｃを含む。図８及び図１０（ａ）に示すように、導体層５６は配線５６ａ（第２配線）を含む。図１０（ｂ）に示すように、導体層５７はベタパターンであり、接地端子として機能する。

導体層間は、絶縁層を厚さ方向に貫通するビア配線５９により電気的に接続されている。導体層５４のアンテナパッド５４ａは、ビア配線５９を介して、導体層５５のアンテナ配線５５ａ、及び導体層５６の配線５６ａと接続されている。アンテナ配線５５ａはスイッチを介してアンテナと接続される。なおスイッチ及びアンテナは図８から図１０（ｂ）では図示していない。配線５６ａは、ビア配線５９を介して導体層５４のパッド５４ｂと接続されている。パッド５４ｃは送信配線５５ｂを介して不図示のＩＣと接続される。受信配線５５ｃはＩＣと接続される。接地パッド５４ｄは導体層５７と接続されている。

図８及び図９（ａ）に示すように、デュプレクサ６０はパッケージとして形成されており、基板５０にフリップチップ実装されている。なお、デュプレクサ６０が備える受信フィルタ及び送信フィルタは例えばＳＡＷフィルタである。デュプレクサ６０の下面には、アンテナパッド６０ａ、送信パッド６０ｂ、受信パッド６０ｃ、及び６つの接地パッド６０ｄが設けられている。これらの端子は半田バンプ６１を介して導体層５４と電気的に接続されている。アンテナパッド６０ａは導体層５４のアンテナパッド５４ａ、送信パッド６０ｂは導体層５４の送信パッドと接続されている。受信パッド６０ｃは導体層５４の受信パッドと接続されている。接地パッド６０ｄは導体層５４の接地パッド５４ｄと接続されている。なお、アンテナパッド６０ａは図１に示したアンテナ端子２４、送信パッド６０ｂは送信端子２８ｂ、受信パッド６０ｃは受信端子２８ａにそれぞれ対応する。

チップ部品６２は図７（ａ）に示したインダクタＬ２を含み、チップ部品６４はインダクタＬ３を含む。チップ部品６２及び６４は半田６３を介して導体層５４と電気的に接続されている。チップ部品６２の一端はパッド５４ｂと接続され、他端は接地パッド５４ｄと接続されている。チップ部品６４の一端はパッド５４ｃと接続され、他端は接地パッド５４ｄと接続されている。

アンテナパッド５４ａに２つの配線（アンテナ配線５５ａ及び配線５６ａ）が接続されている。配線５６ａはビア配線５９を介してアンテナ配線５５ａと接続されており、例えばアンテナ配線５５ａの途中から分岐するような配線ではない。従って、デュプレクサ６０はアンテナ配線５５ａを介さずに、チップ部品６２と接続される。アンテナ配線５５ａは図７（ａ）のインピーダンス部２１に対応し、配線５６ａはインピーダンス部２３に対応する。つまりモジュール１００は図７（ａ）と同様の構成を有する。従って、実施例１によれば、図７（ｂ）に示したようなインピーダンス整合が可能となる。

次に比較例について説明する。図６（ａ）に対応するモジュールが多層基板を用いて形成されている。図１１（ａ）は比較例における絶縁層５２Ｒを例示する平面図である。図１１（ｂ）は絶縁層５３Ｒを例示する平面図である。

図１１（ａ）に示すように、導体層５５Ｒは、アンテナ配線５５ｄ及び配線５５ｅを備える。配線５５ｅはアンテナ配線５５ｄに接続され、アンテナ配線５５ｄから分岐している。図１１（ｂ）に示すように、導体層５６Ｒは配線５６ａを備えていない。デュプレクサ６０のアンテナパッド６０ａは、アンテナパッド５４ａ及びビア配線５９を介してアンテナ配線５５ｄと接続されている。チップ部品６２の一端は、パッド５４ｂ及びビア配線５９を介して配線５５ｅと接続されている。

アンテナ配線５５ｄは図６（ａ）のインピーダンス部２１と対応する。アンテナ配線５５ｄから分岐する配線５５ｅがチップ部品６２に接続されている。つまりデュプレクサ６０は、アンテナ配線５５ｄの一部を介してチップ部品６２と接続されている。このことは、図６（ａ）のように、インピーダンス部２１ｂを介してインダクタＬ２が接続されることに対応する。従って、モジュール１００Ｒでは、図６（ｂ）のようにインピーダンス整合が困難となる。

モジュール１００のアンテナ配線５５ａと配線５６ａとは基板５０内の異なる導体層に設けられている。アンテナ配線５５ａと配線５６ａとが、基板５０の厚さ方向において重なる。配線を引き回す面積を小さくすることができるため、モジュール１００の小型化が可能となる。デュプレクサ６０はフリップチップ実装され、インダクタＬ２及びＬ３はチップ部品である。従ってモジュール１００を効果的に小型化することができる。

絶縁層５１〜５３は例えば低温同時焼成セラミック（Low Temperature Co-fired Ceramics：ＬＴＣＣ）などの絶縁体により形成されている。導体層５４〜５７及びビア配線５９は例えば銅（Ｃｕ）などの金属により形成されている。例えば絶縁層５１〜５３をガラスエポキシなどの樹脂により形成してもよい。なお図２（ｂ）に示したように、リッドを設けてもよい。

実施例２は同一の導体層に配線を設ける例である。図１２（ａ）は絶縁層５２を例示する平面図である。図１２（ｂ）は絶縁層５３を例示する平面図である。

図１２（ａ）に示すように、導体層５５はアンテナ配線５５ａ及び配線５５ｆを備える。アンテナ配線５５ａ及び配線５５ｆは、複数のビア配線５９のうち１つのビア配線５９ａを介して導体層５４のアンテナパッド５４ａに接続されている。つまりアンテナ配線５５ａ及び配線５５ｆはビア配線５９ａから延びる。ただし、配線５５ｆはアンテナ配線５５ａと交叉しない。配線５５ｆは、ビア配線５９及びパッド５４ｂを介してチップ部品６２の一端に接続されている。このため、デュプレクサ６０はアンテナ配線５５ａを介さずにチップ部品６２に接続される。配線５５ｆは図７（ａ）のインピーダンス部２３に対応する。すなわち、実施例２によればインピーダンス整合が可能となる。図１２（ｂ）に示すように、導体層５６は配線５６ａを備えていない。

デュプレクサ６０はＳＡＷフィルタ以外に、例えば弾性境界波フィルタ、ラブ波フィルタ、圧電薄膜共振器（Film Bulk Acoustic Wave：ＦＢＡＲ）フィルタなどの弾性波フィルタを含んでもよい。図４（ａ）に示すように、ＩＤＴを備える弾性波フィルタは容量として機能する。従って、インダクタＬ２を接続することで、インピーダンス整合を取ることが重要となる。

チップ部品６２及び６４はインダクタ以外に、例えばキャパシタ及び抵抗など、他の受動素子を含んでもよい。所望のインピーダンスが得られるようなチップ部品を用いればよい。基板５０が備える絶縁層及び導体層の数は変更可能である。また一層の基板を用いてもよい。例えば一層の基板の上面に、実施例２のようにアンテナ配線５５ａと配線５５ｆとを設けてもよい。これによりモジュールの構成が単純化するため、低コスト化が可能である。デュプレクサ６０は例えば基板５０の内部に埋め込まれてもよい。

以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。

２４アンテナ端子
２６、６０デュプレクサ
２８ａ受信端子
２８ｂ送信端子
４５圧電基板
４６ＩＤＴ
５０ａ多層基板
５４ａ、６０ａアンテナパッド
５４ｂ、５４ｃパッド
５５ａアンテナ配線
５５ｂ送信配線
５５ｃ受信配線
５５ｆ、５６ａ配線
５９、５９ａビア配線
１００モジュール
Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３インダクタ

Claims

上面にアンテナパッドが形成された基板と、
前記基板の上面にフリップチップ実装され、下面に前記アンテナパッドとバンプを介し接続されたアンテナ端子が形成されたデュプレクサと、
前記基板に設けられ、一端が前記アンテナパッドに接続され、かつ他端がアンテナに接続される第１配線と、
前記基板に設けられ、一端が前記第１配線を介さずに前記アンテナパッドに接続された第２配線と、
一端が前記第２配線の他端に接続され、かつ他端が接地されたインダクタと、を具備し、
前記第１配線は前記第２配線を介さずに前記アンテナパッドに接続されることを特徴とするモジュール。
前記基板は、複数の絶縁層と複数の絶縁層の表面にそれぞれ設けられた複数の導体層を含む多層基板であり、
前記第１配線と前記第２配線とは、異なる導体層に設けられており、
前記異なる導体層間に設けられた絶縁層を貫通するビア配線は前記第１配線の一端と前記第２配線の一端を接続することを特徴とする請求項１記載のモジュール。
前記基板は、複数の絶縁層と複数の絶縁層の表面にそれぞれ設けられた複数の導体層を含む多層基板であり、
前記第１配線と前記第２配線とは前記複数の導体層のうち同じ導体層に形成されていることを特徴とする請求項１記載のモジュール。
前記デュプレクサは弾性波フィルタを含み、
前記弾性波フィルタはＩＤＴを備えることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項記載のモジュール。
前記インダクタは前記基板に実装されたチップ部品に含まれることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項記載のモジュール。