JP6669132B2 - マルチプレクサ、送信装置および受信装置 - Google Patents

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Description

本発明は、弾性波フィルタを備えるマルチプレクサ、送信装置および受信装置に関する。
近年の携帯電話には、一端末で複数の周波数帯域および複数の無線方式、いわゆるマルチバンド化およびマルチモード化に対応することが要求されている。これに対応すべく、１つのアンテナの直下には、複数の無線搬送周波数を有する高周波信号を分波するマルチプレクサが配置される。マルチプレクサを構成する複数の帯域通過フィルタとしては、通過帯域内における低損失性および通過帯域周辺における通過特性の急峻性を特徴とする弾性波フィルタが用いられる。
特許文献１には、複数の弾性表面波フィルタを有し、各フィルタのアンテナ側の端子を共通化したマルチプレクサが開示されている。
特許文献１のマルチプレクサは、複数のフィルタのうち１つのフィルタのアンテナ端を共通接続点に第１インダクタンス素子を介して接続し、他のフィルタのアンテナ端を前記共通接続点に直接接続している。
前記第１インダクタンス素子を通して見た前記１つのフィルタのインピーダンスと、他のフィルタの合成インピーダンスとは、複素共役に近づくように設計される。それにより、前記共通接続点から見たすべてのフィルタのインピーダンスが、ほぼ同じ複素インピーダンスに調整される。
さらに、前記マルチプレクサでは、前記共通接続点と、アンテナ素子を接続するためのアンテナ端子とを、第２インダクタンス素子を介して接続している。第２インダクタンス素子は、前記調整された複素インピーダンスのアンテナ素子の特性インピーダンスからのずれを補正する。
このように、前記マルチプレクサでは、第１インダクタンス素子を用いて複数のフィルタのインピーダンスを調整し、調整されたインピーダンスを、第２インダクタンス素子を用いてアンテナ素子の特性インピーダンスに補正している。そのため、特許文献１のマルチプレクサによれば、少数のインダクタンス素子を用いて、高い精度でインピーダンス整合を取ることができる。
国際公開第２０１６／２０８６７０号
特許文献１のマルチプレクサは、例えば、インダクタンス素子を内蔵した実装基板を用いて構成することができる。しかしこの場合、インピーダンス整合の精度は、実装基板内でのインダクタンス素子の配置に影響されるという問題点がある。
そこで本発明は、上記問題点に着目し、インダクタンス素子を内蔵した実装基板を用いて構成され、アンテナ端子における優れたインピーダンス整合が得られるマルチプレクサを提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明の一態様に係るマルチプレクサは、実装基板と、前記実装基板の一方主面に設けられ、互いに異なる通過帯域を有する１つの第１弾性波フィルタおよび１つ以上の第２弾性波フィルタと、前記実装基板に内蔵され、一方端が前記第１弾性波フィルタの一方端に接続されている第１インダクタンス素子と、を備え、前記第１インダクタンス素子の他方端と前記１つ以上の第２弾性波フィルタの各々の一方端とは互いに接続されており、前記第１弾性波フィルタは、前記第１弾性波フィルタの前記一方端と他方端とを結ぶ信号経路を構成する１つ以上の第１共振子と、前記信号経路と基準端子との間に接続されている１つ以上の第２共振子とで構成され、少なくとも１つの前記第２共振子は、前記信号経路のうち、前記第１弾性波フィルタの前記一方端と前記一方端に最も近い第１共振器との間に接続されており、前記１つ以上の第２弾性波フィルタの各々は、前記第２弾性波フィルタの前記一方端と他方端とを結ぶ信号経路を構成する１つ以上の第３共振子と、前記信号経路と基準端子との間に接続されている１つ以上の第４共振子とで構成されており、前記実装基板は、前記実装基板の前記一方主面、他方主面、および内層に位置する複数の配線層に配線導体が配置された多層基板であり、前記第１インダクタンス素子は、前記複数の配線層のうちの少なくとも１つの配線層に配置された第１配線導体で形成され、前記複数の配線層は、前記第１配線導体が配置された配線層に隣接し、かつ平面視において前記第１インダクタンス素子の形成領域に重なる部分にグランドパターンが形成されていない配線層を含む。
この構成において、第１インダクタンス素子を通して見た第１弾性波フィルタのインピーダンスと、すべての第２弾性波フィルタの合成インピーダンスとを、複素共役に近づくように設計する。そうすることにより、前記第１インダクタンス素子の他方端と前記１つ以上の第２弾性波フィルタの各々の一方端との共通接続点から見たすべてのフィルタのインピーダンスが、ほぼ同じ複素インピーダンスに調整される。その際、第１インダクタンス素子に寄生容量が発生すると、第１インダクタンス素子のインピーダンスが低下し、インピーダンス整合が悪化し、インピーダンスの正確な調整の支障となる。
そこで、上記の構成に従い、第１インダクタンス素子が形成されている配線層に隣接する配線層において、平面視において第１インダクタンス素子の形成領域に重なる部分にグランドパターンを形成しないようにする。これにより、第１インダクタンス素子に隣接するグランドパターンがある場合に生じる寄生容量の増大が回避され、第１インダクタンス素子のインピーダンスの低下が抑制される。その結果、第１弾性波フィルタと１つ以上の第２弾性波フィルタの各々とでインピーダンスが正確に調整され、インピーダンス整合に優れたマルチプレクサが得られる。
また、前記複数の配線層は、前記第１配線導体が配置された配線層に前記実装基板の前記一方主面側において隣接し、かつ平面視において前記第１インダクタンス素子の形成領域に重なる部分にグランドパターンが形成されていない配線層を含んでもよい。
この構成によれば、第１インダクタンス素子の両側にグランドパターンが形成されていない配線層が設けられることにより、第１インダクタンス素子に生じる寄生容量の増大をより効果的に回避し、第１インダクタンス素子のインピーダンスの低下を抑制することができる。
また、前記マルチプレクサは、前記実装基板に設けられた共通信号端子と、前記実装基板に内蔵され、前記第１インダクタンス素子の他方端と前記１つ以上の第２弾性波フィルタの各々の一方端との共通接続点と前記共通信号端子との間に接続されている第２インダクタンス素子とを、さらに備え、前記第２インダクタンス素子は、前記複数の配線層のうち少なくとも１つの配線層に配置された第２配線導体で形成され、前記第２配線導体が配置された配線層のうち少なくとも１つの配線層は、前記第１配線導体が配置された配線層の何れよりも、前記実装基板の他方主面に近い位置にあってもよい。
この構成によれば、第１弾性波フィルタと１つ以上の第２弾性波フィルタとで調整されたインピーダンスを、第２インダクタンス素子で一括してさらに補正することができる。実装基板の一方主面にフィルタを設けたマルチプレクサは、一般に、実装基板の他方主面を介してプリント配線板などのマザー基板に実装される。そこで、上記の構成に従い、第１インダクタンス素子と第２インダクタンス素子とのうち、第２インダクタンス素子を実装基板の他方主面により近く配置し、第１インダクタンス素子を実装基板の他方主面からより遠く配置する。
これにより、実装基板の他方主面やマザー基板にグランドパターンが設けられている場合でも、第１インダクタンス素子と当該グランドパターンとの間での寄生容量が低減され、第１インダクタンス素子のインピーダンスの低下が抑制されるので、インピーダンス整合に優れたマルチプレクサが得られる。
第２インダクタンス素子と当該グランドパターンとの間での寄生容量は、逆に大きくなるが、構わない。第２インダクタンス素子に発生する寄生容量は、第１インダクタンス素子に発生する寄生容量と比べると、インピーダンス整合に与える悪影響が小さいためである。むしろ、第２インダクタンス素子の寄生容量が増大することで、ＬＣ共振による極が通過帯域外の高周波側に発生し、通過帯域外の減衰量を改善する効果が得られる。
また、前記マルチプレクサは、前記実装基板に設けられた共通信号端子と、前記実装基板に内蔵され、前記第１インダクタンス素子の他方端と前記１つ以上の第２弾性波フィルタの各々の一方端との共通接続点と前記共通信号端子とを結ぶ信号経路と基準端子との間に接続されている第２インダクタンス素子とを、さらに備え、前記第２インダクタンス素子は、前記複数の配線層のうち少なくとも１つの配線層に配置された第２配線導体で形成され、前記第２配線導体が配置された配線層のうち少なくとも１つの配線層は、前記第１配線導体が配置された配線層の何れよりも、前記実装基板の他方主面に近い位置にあってもよい。
この構成によれば、第１弾性波フィルタと１つ以上の第２弾性波フィルタとで調整されたインピーダンスを、第２インダクタンス素子で一括してさらに補正することができる。実装基板の一方主面にフィルタを設けたマルチプレクサは、一般に、実装基板の他方主面を介してプリント配線板などのマザー基板に実装される。そこで、上記の構成に従い、第１インダクタンス素子と第２インダクタンス素子とのうち、第２インダクタンス素子を実装基板の他方主面により近く配置し、第１インダクタンス素子を実装基板の他方主面からより遠く配置する。
これにより、実装基板の他方主面やマザー基板にグランドパターンが設けられている場合でも、第１インダクタンス素子と当該グランドパターンとの間での寄生容量が低減され、第１インダクタンス素子のインピーダンスの低下が抑制されるので、インピーダンス整合に優れたマルチプレクサが得られる。
第２インダクタンス素子と当該グランドパターンとの間での寄生容量は、逆に大きくなるが、構わない。第２インダクタンス素子に発生する寄生容量は、第１インダクタンス素子に発生する寄生容量と比べると、インピーダンス整合に与える悪影響が小さいためである。むしろ、第２インダクタンス素子の寄生容量が増大することで、インピーダンス整合を取るために必要なＬ値が小さくなり、その結果、面積が小さくなる。そのため、他のインダクタとの不要な結合が抑えられ、通過帯域内の減衰量を改善する効果が得られる。
また、前記マルチプレクサは、前記実装基板の他方主面に形成されたグランドパターンを、さらに備えてもよい。
この構成によれば、第２インダクタンス素子と前記実装基板の他方主面に形成されたグランドパターンとの間での寄生容量を増大させ、通過帯域外または通過帯域内の減衰量を改善することができる。
本発明の一態様に係る送信装置は、前記マルチプレクサと、前記マルチプレクサに接続され、周波数帯域が互いに異なる複数の送信信号を生成する送信回路と、を備え、前記マルチプレクサは、前記送信回路から前記複数の送信信号を取得し、単一のアンテナ信号に合成する。
本発明の一態様に係る受信装置は、前記マルチプレクサと、前記マルチプレクサに接続され、周波数帯域が互いに異なる複数の受信信号を処理する受信回路と、を備え、前記マルチプレクサは、前記複数の受信信号を含む単一のアンテナ信号から前記複数の受信信号を分離し、前記受信回路に供給する。
これにより、前記マルチプレクサの特徴に基づいて、アンテナ端子におけるインピーダンス整合に優れた送信装置および受信装置が得られる。
本発明に係るマルチプレクサ、送信装置および受信装置によれば、インダクタンス素子を内蔵した実装基板を用いて構成され、アンテナ端子における優れたインピーダンス整合を得ることができる。
第１の実施の形態に係るマルチプレクサの機能的な構成の一例を示すブロック図である。 第１の実施の形態に係るＢａｎｄ２５の送信側フィルタの構成の一例を示す回路図である。 第１の実施の形態に係るＢａｎｄ２５の受信側フィルタの構成の一例を示す回路図である。 第１の実施の形態に係るＢａｎｄ６６の送信側フィルタの構成の一例を示す回路図である。 第１の実施の形態に係るＢａｎｄ６６の受信側フィルタの構成の一例を示す回路図である。 第１の実施の形態に係る共振子の構造の一例を示す断面図である。 第１の実施の形態に係るマルチプレクサの構造の一例を示す平面図である。 第１の実施の形態に係るマルチプレクサの構造の一例を示す断面図である。 第１の実施の形態に係る実装基板のレイアウトの実施例を示す平面図である。 第１の実施の形態に係る実装基板のレイアウトの比較例を示す平面図である。 第１の実施の形態に係るＢａｎｄ２５の送信側フィルタのアンテナ端から見た複素インピーダンスの一例を示すスミスチャートである。 第１の実施の形態に係るＢａｎｄ２５の受信側フィルタのアンテナ端から見た複素インピーダンスの一例を示すスミスチャートである。 第１の実施の形態に係るＢａｎｄ６６の送信側フィルタのアンテナ端から見た複素インピーダンスの一例を示すスミスチャートである。 第１の実施の形態に係るＢａｎｄ６６の受信側フィルタのアンテナ端から見た複素インピーダンスの一例を示すスミスチャートである。 第１の実施の形態に係るマルチプレクサのＶＳＷＲ（Ｖｏｌｔａｇｅ Ｓｔａｎｄｉｎｇ Ｗａｖｅ Ｒａｔｉｏ）の一例を示すグラフである。 第１の実施の形態に係るマルチプレクサの挿入損失の一例を示すグラフである。 第１の実施の形態の変形例に係るマルチプレクサの機能的な構成の一例を示すブロック図である。 第１の実施の形態の変形例に係るマルチプレクサの機能的な構成の一例を示すブロック図である。 第２の実施の形態に係るマルチプレクサの機能的な構成の一例を示すブロック図である。 第２の実施の形態に係るマルチプレクサを構成するＢａｎｄ６６の送信側フィルタの回路構成の一例を示す回路図である。 第２の実施の形態に係るマルチプレクサの実装基板における配線レイアウトの実施例を示す平面図である。 第２の実施の形態に係るマルチプレクサの実装基板における配線レイアウトの比較例を示す平面図である。 第２の実施の形態に係るＢａｎｄ２５の送信側フィルタのアンテナ端から見た複素インピーダンスの一例を示すスミスチャートである。 第２の実施の形態に係るＢａｎｄ２５の受信側フィルタのアンテナ端から見た複素インピーダンスの一例を示すスミスチャートである。 第２の実施の形態に係るＢａｎｄ６６の送信側フィルタのアンテナ端から見た複素インピーダンスの一例を示すスミスチャートである。 第２の実施の形態に係るＢａｎｄ６６の受信側フィルタのアンテナ端から見た複素インピーダンスの一例を示すスミスチャートである。 第２の実施の形態に係るマルチプレクサのＶＳＷＲの一例を示すグラフである。 第２の実施の形態の変形例に係るマルチプレクサの機能的な構成の一例を示すブロック図である。 第２の実施の形態の変形例に係るマルチプレクサの機能的な構成の一例を示すブロック図である。
以下、本発明の実施の形態について、実施例および図面を用いて詳細に説明する。なお、以下で説明する実施の形態は、いずれも包括的または具体的な例を示すものである。以下の実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置および接続形態などは、一例であり、本発明を限定する主旨ではない。以下の実施の形態における構成要素のうち、独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。また、図面に示される構成要素の大きさ、または大きさの比は、必ずしも厳密ではない。
（第１の実施の形態）
［１．マルチプレクサの基本構成］
第１の実施の形態では、ＬＴＥ（Ｌｏｎｇ Ｔｅｒｍ Ｅｖｏｌｕｔｉｏｎ）規格のＢａｎｄ２５（送信周波数帯域：１８５０−１９１５ＭＨｚ、受信周波数帯域：１９３０−１９９５ＭＨｚ）およびＢａｎｄ６６（送信周波数帯域：１７１０−１７８０ＭＨｚ、受信周波数帯域：２０１０−２２００ＭＨｚ）に適用されるクワッドプレクサについて説明する。当該クワッドプレクサは、Ｂａｎｄ２５用の非平衡型デュプレクサのアンテナ端とＢａｎｄ６６用の非平衡型デュプレクサのアンテナ端とを共通化して構成される。
図１は、第１の実施の形態に係るマルチプレクサの機能的な構成の一例を示すブロック図である。図１に示すように、マルチプレクサ１は、フィルタ１１〜１４と、インダクタンス素子４１、４２と、共通信号端子Ｐ０と、選択信号端子Ｐ１〜Ｐ４と、グランド端子ＧＮＤと、を備える。
フィルタ１１、１２は、それぞれＢａｎｄ２５用の送信側フィルタおよび受信側フィルタであり、フィルタ１３、１４は、それぞれＢａｎｄ６６用の送信側フィルタおよび受信側フィルタである。フィルタ１１の入力端２１、フィルタ１２の出力端３２、フィルタ１３の入力端２３、およびフィルタ１４の出力端３４は、選択信号端子Ｐ１〜Ｐ４にそれぞれ接続されている。フィルタ１１、１３の出力端３１、３３、およびフィルタ１４の入力端２４は、共通接続点３０に接続されている。フィルタ１２の入力端２２は、インダクタンス素子４１を介して、共通接続点３０に接続されている。共通接続点３０は、インダクタンス素子４２を介して、共通信号端子Ｐ０に接続されている。共通信号端子Ｐ０は、アンテナ素子９に接続されている。
ここで、インダクタンス素子４１が第１インダクタンス素子の一例であり、インダクタンス素子４２が第２インダクタンス素子の一例である。また、共通信号端子Ｐ０がアンテナ端子の一例である。
選択信号端子Ｐ１には、送信回路（図示せず）から、Ｂａｎｄ２５の送信信号が供給される。フィルタ１１は、当該送信信号を入力端２１で取得し、Ｂａｎｄ２５の送信通過帯域（１８５０−１９１５ＭＨｚ）でフィルタリングして、出力端３１から出力する。フィルタリング後のＢａｎｄ２５の送信信号は、共通接続点３０およびインダクタンス素子４２を介して、共通信号端子Ｐ０からアンテナ素子９へ供給される。
共通信号端子Ｐ０には、アンテナ素子９から、Ｂａｎｄ２５の受信信号を含むアンテナ信号が供給される。フィルタ１２は、当該アンテナ信号を、インダクタンス素子４２、共通接続点３０、およびインダクタンス素子４１を介して入力端２２で取得し、Ｂａｎｄ２５の受信通過帯域（１９３０−１９９５ＭＨｚ）でフィルタリングして、出力端３２から出力する。フィルタリング後のアンテナ信号は、Ｂａｎｄ２５の受信信号として、選択信号端子Ｐ２から受信回路（図示せず）へ供給される。
選択信号端子Ｐ３には、送信回路（図示せず）から、Ｂａｎｄ６６の送信信号が供給される。フィルタ１３は、当該送信信号を入力端２３で取得し、Ｂａｎｄ６６の送信通過帯域（１７１０−１７８０ＭＨｚ）でフィルタリングして、出力端３３から出力する。フィルタリング後のＢａｎｄ６６の送信信号は、共通接続点３０およびインダクタンス素子４２を介して、共通信号端子Ｐ０からアンテナ素子９へ供給される。
共通信号端子Ｐ０には、アンテナ素子９から、Ｂａｎｄ６６の受信信号を含むアンテナ信号が供給される。フィルタ１４は、当該アンテナ信号を、インダクタンス素子４２および共通接続点３０を介して入力端２４で取得し、Ｂａｎｄ６６の受信通過帯域（２０１０−２２００ＭＨｚ）でフィルタリングして、出力端３４から出力する。フィルタリング後のアンテナ信号は、Ｂａｎｄ６６の受信信号として、選択信号端子Ｐ４から受信回路（図示せず）へ供給される。
［２．各フィルタの回路構成］
フィルタ１１〜１４の構成について説明する。なお、以下で示す構成は一例であり、フィルタ１１〜１４の具体的な構成を限定するものではない。フィルタ１１〜１４に要求される特性に応じて、以下の説明とは異なる共振子の個数やフィルタの型式（ラダー型または縦結合型）を採用してもよい。
図２Ａは、フィルタ１１の構成の一例を示す回路図である。図２Ａに示すように、フィルタ１１は、直列共振子１０１〜１０５および並列共振子１５１〜１５４の９素子で構成されるラダー型のフィルタである。フィルタ１１は、整合用のインダクタンス素子１４１、１６１、および１６２を含む。
ここで、フィルタ１１は、第２弾性波フィルタの一例である。直列共振子１０１〜１０５が、フィルタ１１の一方端である出力端３１と他方端である入力端２１とを結ぶ信号経路を構成する第１共振子の一例である。また、並列共振子１５１〜１５４が当該信号経路と基準端子としてのグランド端子ＧＮＤとの間に接続された第２共振子の一例である。
図２Ｂは、フィルタ１２の構成の一例を示す回路図である。図２Ｂに示すように、フィルタ１２は、並列共振子２５１、２５２および直列共振子２０１の３素子で構成されるラダー型のフィルタを含む。当該ラダー型のフィルタの後段には、５つの共振子からなる縦結合型のフィルタ２０２および２０３が並列接続され、さらに、並列共振子２５３が接続されている。
ここで、フィルタ１２は、第１弾性波フィルタの一例である。直列共振子２０１、ならびに、縦結合型のフィルタ２０２および２０３を構成する共振子が、フィルタ１２の一方端である入力端２２と他方端である出力端３２とを結ぶ信号経路を構成する共振子の一例である。また、並列共振子２５１〜２５３が当該信号経路と基準端子としてのグランド端子ＧＮＤとの間に接続された共振子の一例である。フィルタ１２では、並列共振子２５１が、前記信号経路のうち、入力端２２と入力端２２に最も近い直列共振器２０１との間に接続されている。
図２Ｃは、フィルタ１３の構成の一例を示す回路図である。図２Ｃに示すように、フィルタ１３は、直列共振子３０１〜１０４および並列共振子３５１〜３５４の８素子で構成されるラダー型のフィルタである。フィルタ１３は、整合用のインダクタンス素子３４１、３６１、および３６２を含む。
ここで、フィルタ１３は、第２弾性波フィルタの一例である。直列共振子３０１〜３０４が、フィルタ１３の一方端である出力端３３と他方端である入力端２３とを結ぶ信号経路を構成する共振子の一例である。また、並列共振子３５１〜３５４が当該信号経路と基準端子としてのグランド端子ＧＮＤとの間に接続された共振子の一例である。
図２Ｄは、フィルタ１４の構成の一例を示す回路図である。図２Ｄに示すように、フィルタ１４は、直列共振子４０１〜４０５および並列共振子４５１〜４５４の９素子で構成されるラダー型のフィルタである。フィルタ１４は、整合用のインダクタンス素子４６１を含む。
ここで、フィルタ１４は、第２弾性波フィルタの一例である。直列共振子４０１〜４０５が、フィルタ１４の一方端である入力端２４と他方端である出力端３４とを結ぶ信号経路を構成する共振子の一例である。また、並列共振子４５１〜４５４が当該信号経路と基準端子としてのグランド端子ＧＮＤとの間に接続された共振子の一例である。
［３．マルチプレクサにおけるインピーダンス整合］
上述の構成により、マルチプレクサ１において、次のようなインピーダンス整合が取られる。
共通接続点３０から見たフィルタ１１、１３、および１４を合成した複素インピーダンスは容量性である。これに対し、共通接続点３０から見たフィルタ１２の複素インピーダンスは、インダクタンス素子４１によって誘導性にシフトされている。これらの複素インピーダンスを合成することで、共通接続点３０から見たフィルタ１１〜１４の複素インピーダンスは、例えば、若干の容量性が残った、ほぼ同じ複素インピーダンスに調整される。
調整された複素インピーダンスは、インダクタンス素子４２によって一括して誘導性にシフトされる。その結果、アンテナ素子９から見たフィルタ１１〜１４の複素インピーダンスは、アンテナ素子９の特性インピーダンスとなり、正確なインピーダンス整合が取られる。
［４．共振子の構造］
フィルタ１１〜１４を構成する共振子の構造について説明する。以下ではＳＡＷ（弾性表面波）共振子の構造を示すが、これは一例であり、フィルタ１１〜１４を構成する共振子の具体的な構造を限定するものではない。フィルタ１１〜１４に要求される特性に応じて、以下の説明とは異なる圧電基板の構造や、バルク弾性波を利用するＦＢＡＲ（Ｆｉｌｍ Ｂａｌｋ Ａｃｃｏｕｓｔｉｃ Ｒｅｓｏｎａｔｏｒ）の構造を採用してもよい。
図３は、フィルタ１１〜１４を構成する共振子の構造の一例を示す断面図である。図３の構造は、フィルタ１１〜１４を構成する直列共振子、並列共振子、および縦結合型のフィルタの共振子に適用される。
図３に示すように、共振子１００は、基板５０と、基板５０上に配置されたＩＤＴ（ＩｎｔｅｒＤｉｇｉｔａｌ Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）電極５４とで構成される。
基板５０は、高音速膜５１、低音速膜５２、および圧電膜５３の積層体である。
高音速膜５１は、膜中を伝搬するバルク波の音速が、圧電膜５３を伝搬する表面波および境界波の音速より大きい膜である。高音速膜５１は、一例としてシリコン基板であり、厚さは２００μｍである。図３において、高音速膜５１は、低音速膜５２、圧電膜５３、およびＩＤＴ電極５４を支持する支持基板を兼ねているが、これには限らず、支持基板は、高音速膜５１の下方に高音速膜５１とは別に設けてもよい。
低音速膜５２は、高音速膜５１上に形成され、膜中を伝搬するバルク波の音速が、圧電膜５３を伝搬する表面波および境界波の音速より小さい膜である。低音速膜５２は、一例として、二酸化ケイ素を主成分とする膜であり、厚さは６７０ｎｍである。
圧電膜５３は、低音速膜５２上に形成され、弾性表面波が伝搬する膜である。圧電膜５３は、一例として、θ回転ＹカットＸ伝搬タンタル酸リチウム単結晶またはセラミックスであり、厚さは６００ｎｍである。ここで、θ回転ＹカットＸ伝搬タンタル酸リチウム単結晶またはセラミックスとは、弾性表面波の伝搬方向がＸ軸方向であり、Ｘ軸を中心軸としてＹ軸から角度θ回転した軸を法線とする面で切断されたタンタル酸リチウム単結晶またはセラミックスを言う。θは、例えば５０°である。
ＩＤＴ電極５４は、圧電膜５３上に形成された一対の櫛型電極であり、印加される電気信号に応じて圧電膜５３を励振する。ＩＤＴ電極５４は、一例として、チタニウムを主成分とする厚さ１２ｎｍの密着層５５の上に、銅を１％含有したアルミニウムからなる厚さ１６２ｎｍの主電極層５６を形成してなる多層膜である。主電極層５６の上に、二酸化ケイ素を主成分とする厚さ２５ｎｍの保護層（図示せず）がさらに形成されていてもよい。
このような構造によれば、低音速膜５２を設けたことにより、音速が小さい媒質にエネルギーが集中する弾性波の性質に基づいて、弾性波のエネルギーは、圧電膜５３及び低音速膜５２内に効果的に閉じ込められる。また、高音速膜５１によって、高音速膜５１からさらに下部の構造（図示せず）への弾性波の漏洩が抑制される。その結果、損失が小さくかつＱ値が高い共振子１００が得られる。
インダクタンス素子やキャパシタンス素子などの整合素子を設けたフィルタでは、整合素子による損失の増大およびＱ値の低下は避けられない。そのようなフィルタを共振子１００を用いて構成することで、共振子１００の小さい損失および高いＱ値によって、整合素子による損失の増大およびＱ値の低下を補い、特性に優れたフィルタを得ることができる。
基板５０上には、複数の共振子１００を形成するＩＤＴ電極５４を設けてもよい。また、基板５０上に、ＩＤＴ電極５４と接続された配線導体（図示せず）を設けて、共振子１００間を配線してもよい。例えば、フィルタ１１〜１４に含まれる複数の共振子を形成し、共振子間を配線した基板５０を用いて、チップ部品としてのフィルタ１１〜１４を構成してもよい。フィルタ１１〜１４に含まれる整合用のインダクタンス素子（例えば、フィルタ１１のインダクタンス素子１４１およびフィルタ１３のインダクタンス素子３４１）は、チップ部品には内蔵せず、外付け部品で構成してもよい。
［５．マルチプレクサの構造］
マルチプレクサ１の構造について説明する。以下では、一例として、実装基板上にチップ部品としてのフィルタを実装したモジュール部品またはモジュール部品の一部であるマルチプレクサの構造を示す。
図４および図５は、それぞれ、マルチプレクサ１の構造の一例を示す平面図および断面図である。図５は、図４のＶ−Ｖ切断線を矢印の方向に見た断面に対応する。
図４および図５に示すように、マルチプレクサ１は、実装基板６０と、導電性接合材７０と、フィルタ１１〜１４と、封止層８０とを備える。
実装基板６０は、基材層６１〜６５を積層してなる多層基板であり、基材層６１〜６５は、例えば、フェノールまたはエポキシなどの樹脂で構成される。実装基板６０の一方主面および他方主面には接続電極６６および６７がそれぞれ設けられ、隣接する基材層の界面には面内導体６８（配線パターン）が設けられ、基材層を貫通して層間導体６９（ビア）が設けられる。
接続電極６６は、フィルタ１１〜１４の接続用の電極である。接続電極６６には、はんだなどの導電性接合材７０を用いて、チップ部品としてのフィルタ１１〜１４が取り付けられる。接続電極６７は、共通信号端子Ｐ０、選択信号端子Ｐ１〜Ｐ４、およびグランド端子ＧＮＤを構成する。マルチプレクサ１は、接続電極６７を介して、プリント配線板などのマザー基板（図示せず）に実装される。接続電極６６、６７は、例えば、銅合金の箔で構成され、金などのめっきが施される。
面内導体６８および層間導体６９は、図１に示すマルチプレクサ１の回路（インダクタンス素子４１、４２を含む）を構成する。面内導体６８は、例えば、基材層６１〜６５の表面に配置された銅合金の箔で構成され、層間導体６９は、例えば、基材層６１〜６５に設けられた貫通孔の内壁にめっきされた銅合金で構成される。
封止層８０は、実装基板６０の上面およびフィルタ１１〜１４を封止する。封止層８０は、例えば、熱硬化性樹脂または紫外線硬化性樹脂で構成される。
［６．実装基板におけるインダクタンス素子の配置］
実装基板６０におけるインダクタンス素子４１、４２の配置について説明する。なお、以下で示す配置は一例であり、インダクタンス素子４１、４２の具体的な配置を限定するものではない。後述するインダクタンス素子４１、４２の配置に関する考え方に従って、以下の説明とは異なる配置を採用してもよい。
以下では、説明の便宜上、実装基板６０における基材層６１〜６５の露出面および接合面を、フィルタ１１〜１４に近い順に、配線層Ｗ１〜Ｗ６と表記する。配線層Ｗ１、Ｗ６は、実装基板６０の一方主面および他方主面にそれぞれ位置し、配線層Ｗ２〜Ｗ５は、実装基板６０の内層に位置している。配線層Ｗ１〜Ｗ６の相対的な位置を上下で表す場合、配線層Ｗ１を上と言い、配線層Ｗ６を下と言う。
図６は、実装基板６０のレイアウトの実施例を示す平面図であり、配線層Ｗ１〜Ｗ６の各々に配置される接続電極６６、６７、面内導体６８、および層間導体６９のレイアウトの一例を示している。
図６において、灰色の領域は接続電極６６、６７および面内導体６８を示し、黒丸は１つ下の配線層との間に設けられる層間導体６９を示す。また、破線枠はフィルタ１１〜１４およびインダクタンス素子４１、４２が設けられる領域を示す。
インダクタンス素子４１は、配線層Ｗ３およびＷ４の領域Ａに設けたスパイラル状の面内導体を、層間導体で接続して構成されている。ここで、配線層Ｗ３およびＷ４の領域Ａに設けたスパイラル状の面内導体、および当該面内導体を接続する層間導体が、第１配線導体の一例である。配線層Ｗ２およびＷ５の領域Ａには、グランドパターンが形成されていない。
グランドパターンとは、基準端子としてのグランド電極に接続される面状の配線導体を言う。領域Ａに重なる部分にグランドパターンが形成されていないとは、当該部分に実質的な大きさのグランドパターンが存在しないことを意味し、一例として、面積比で１０％未満のグランドパターンが当該部分に存在することを許容してもよい。これにより、当該部分に、２点間を結ぶ線状のグランド配線や、アライメントずれによるグランドパターンの進入がある場合を、グランドパターンが形成されていない場合に含めることができる。
このように、実装基板６０は、第１配線導体が配置された配線層Ｗ４に実装基板６０の他方主面側において隣接し、かつ、平面視においてインダクタンス素子４１が形成されている領域Ａに重なる部分にグランドパターンが形成されていない配線層Ｗ５を有している。
また、実装基板６０は、第１配線導体が配置された配線層Ｗ３に実装基板６０の一方主面側において隣接し、かつ、平面視においてインダクタンス素子４１が形成されている領域Ａに重なる部分にグランドパターンが形成されていない配線層Ｗ２を有している。
他方、インダクタンス素子４２は、配線層Ｗ４およびＷ５の領域Ｂに設けたスパイラル状の面内導体を、層間導体で接続して構成されている。ここで、配線層Ｗ４およびＷ５の領域Ｂに設けたスパイラル状の面内導体、および当該面内導体を接続する層間導体が、第２配線導体の一例である。
このように、第２配線導体が配置された配線層のうち少なくとも１つの配線層Ｗ５は、第１配線導体が配置された配線層Ｗ３、Ｗ４の何れよりも、実装基板５０の他方主面に近い位置にある。
インダクタンス素子４１に寄生容量が発生すると、インダクタンス素子４１のインピーダンスが低下し、共通信号端子Ｐ０におけるインピーダンス整合が悪化する。そこで、図６のレイアウトに従い、インダクタンス素子４１が形成されている配線層Ｗ３およびＷ４にそれぞれ隣接する配線層Ｗ２およびＷ５において、インダクタンス素子４１が形成されている領域Ａに重なる部分にグランドパターンを形成しないようにする。
これにより、インダクタンス素子４１に隣接するグランドパターンがある場合に生じる寄生容量の増大が回避され、インダクタンス素子４１のインピーダンスの低下が抑制されるので、共通信号端子Ｐ０におけるインピーダンス整合に優れたマルチプレクサが得られる。
また、図６のレイアウトによれば、インダクタンス素子４１および４２のうち、インダクタンス素子４１を実装基板の他方主面からより遠ざけて配置し、インダクタンス素子４２を実装基板の他方主面により近づけて配置している。
これにより、インダクタンス素子４１とマザー基板に含まれるグランドパターン（図示せず）との間での寄生容量が低減され、インダクタンス素子４１のインピーダンスの低下が抑制されるので、共通信号端子Ｐ０（アンテナ端子）におけるインピーダンス整合に優れたマルチプレクサが得られる。
図６のレイアウトでは、インダクタンス素子４２とマザー基板に含まれるグランドパターン（図示せず）との間での寄生容量が増大しやすくなるが、インダクタンス素子４２に発生する寄生容量は、インダクタンス素子４１に発生する寄生容量と比べると、インピーダンス整合に与える悪影響が小さい。むしろ、インダクタンス素子４２の寄生容量が増大することで、ＬＣ共振による極が通過帯域外の高周波側に発生し、通過帯域外の減衰量を改善する効果が得られる。
図６のレイアウトでは、配線層Ｗ６に、接続電極６７としてのグランドパターンを設けている。これにより、インダクタンス素子４２の、配線層Ｗ６に形成されたグランドパターンとの間での寄生容量を増大させ、通過帯域外の減衰量をより確実に改善している。
［７．インダクタンス素子の配置による効果の検証］
上述の効果を確かめるために、実装基板６０のレイアウトの比較例を設定し、実施例および比較例のレイアウトに基づくシミュレーションを行って、マルチプレクサの信号伝搬特性を算出した。
図７は、実装基板６０のレイアウトの比較例を示す平面図であり、配線層Ｗ１〜Ｗ６の各々に配置される接続電極６６、６７、面内導体６８、および層間導体６９のレイアウトの一例を示している。図７での表記法は、図６と同様なので、説明は繰り返さない。
図７の比較例のレイアウトは、図６の実施例のレイアウトと比べて、次の点で相違する。すなわち、インダクタンス素子４１が配線層Ｗ４およびＷ５に形成され、インダクタンス素子４２が配線層Ｗ３およびＷ４に形成されている。また、配線層Ｗ５に隣接する配線層Ｗ６の、平面視においてインダクタンス素子４１が形成されている領域Ａに重なる部分に、グランドパターンが形成されている。これらの相違のため、比較例のレイアウトに従って構成されたマルチプレクサでは、上述の効果を十分に発揮できないと考えられる。
図８Ａ〜図８Ｄは、共通信号端子Ｐ０から見たフィルタ１１〜１４の複素インピーダンスをそれぞれ示すスミスチャートであり、実線が実施例を表し、点線が比較例を表している。図８Ａ〜図８Ｄに示すように、各フィルタの複素インピーダンスは、実施例では特性インピーダンスによく揃っているのに対し、比較例ではばらつきが見られる。
図９は、共通信号端子Ｐ０から見たフィルタ１１〜１４のＶＳＷＲをそれぞれ示すグラフであり、実線が実施例を表し、点線が比較例を表している。図９に示すように、共通信号端子Ｐ０から見たフィルタ１１〜１４のＶＳＷＲは、実施例では、いずれの周波数帯域においても１．３０以下に抑えられているのに対し、比較例では、周波数帯域ごとに、１．４０〜１．５５程度の最大値が見られる。
図１０は、共通信号端子Ｐ０から見たフィルタ１１の挿入損失を示すグラフであり、実線が実施例を表し、点線が比較例を表している。図１０に示すように、実施例では７ＧＨｚ付近に極が発生し、比較例と比べて、通過帯域外の高周波側の減衰量が改善している。
これらのシミュレーション結果から、実施例では、比較例と比べて、より高い精度でのインピーダンス整合に基づいて信号伝搬特性が向上することが確かめられた。
以上、Ｂａｎｄ２５およびＢａｎｄ６６に適用されるクワッドプレクサの例を用いて、マルチプレクサの一態様に係る構造および効果について説明したが、この例には限らず、例えば、Ｂａｎｄ１および３、Ｂａｎｄ３および７等、他の組み合わせのクワッドプレクサでも同様の効果を得ることができる。さらには、クワッドプレクサに限らず、図１１Ａおよび図１１Ｂのような、３つのバンドを組み合わせたヘキサプレクサ等でも、より正確なインピーダンス整合が取られたマルチプレクサを得ることができる。
（第２の実施の形態）
［８．マルチプレクサの基本構成］
図１２は、第２の実施の形態に係るマルチプレクサの機能的な構成の一例を示すブロック図である。図１２に示すように、マルチプレクサ２は、フィルタ１１〜１４と、インダクタンス素子４１、４３と、共通信号端子Ｐ０と、選択信号端子Ｐ１〜Ｐ４と、グランド端子ＧＮＤと、を備える。
マルチプレクサ２では、図１のマルチプレクサ１と比べて、Ｂａｎｄ６６用の送信側フィルタであるフィルタ１３ａと、インダクタンス素子４３とが変更されている。インダクタンス素子４３は、共通接続点３０と共通信号端子Ｐ０とを結ぶ信号経路と、基準端子との間に接続されている。
［９．フィルタの回路構成］
図１３は、フィルタ１３ａの構成の一例を示す回路図である。図１３に示すように、フィルタ１３ａは、図２Ｃのフィルタ１３から並列共振子３５１を省略して構成されている。
［１０．マルチプレクサにおけるインピーダンス整合］
上述の構成により、マルチプレクサ２において、次のようなインピーダンス整合が取られる。
共通接続点３０から見たフィルタ１１、１３ａ、および１４を合成した複素インピーダンスは容量性である。これに対し、共通接続点３０から見たフィルタ１２の複素インピーダンスは、インダクタンス素子４１によって誘導性にシフトされている。これらの複素インピーダンスを合成することで、共通接続点３０から見たフィルタ１１〜１４の複素インピーダンスは、例えば、若干の容量性が残った、ほぼ同じ複素インピーダンスに調整される。
調整された複素インピーダンスは、インダクタンス素子４３によってさらに誘導性にシフトされる。その結果、アンテナ素子９から見たフィルタ１１〜１４の複素インピーダンスは、アンテナ素子９の特性インピーダンスとなり、正確なインピーダンス整合が取られる。
［１１．実装基板におけるインダクタンス素子の配置］
図１４は、実装基板６０のレイアウトの実施例を示す平面図であり、配線層Ｗ１〜Ｗ６の各々に配置される接続電極６６、６７、面内導体６８、および層間導体６９のレイアウトの一例を示している。
図１４のレイアウトでは、図６のレイアウトと同様、インダクタンス素子４１は、配線層Ｗ３およびＷ４の領域Ａに設けたスパイラル状の面内導体を層間導体で接続して構成されている。ここで、配線層Ｗ３およびＷ４の領域Ａに設けたスパイラル状の面内導体、および当該面内導体を接続する層間導体が、第１配線導体の一例である。配線層Ｗ２およびＷ５の領域Ａには、グランドパターンが形成されていない。
このように、実装基板６０は、第１配線導体が配置された配線層Ｗ４に実装基板６０の他方主面側において隣接し、かつ、平面視においてインダクタンス素子４１が形成されている領域Ａに重なる部分にグランドパターンが形成されていない配線層Ｗ５を有している。
また、実装基板６０は、第１配線導体が配置された配線層Ｗ３に実装基板６０の一方主面側において隣接し、かつ、平面視においてインダクタンス素子４１が形成されている領域Ａに重なる部分にグランドパターンが形成されていない配線層Ｗ２を有している。
他方、インダクタンス素子４２は、配線層Ｗ４およびＷ５の領域Ｂに設けたスパイラル状の面内導体を、層間導体で接続して構成されている。ここで、配線層Ｗ４およびＷ５の領域Ｂに設けたスパイラル状の面内導体、および当該面内導体を接続する層間導体が、第２配線導体の一例である。
このように、第２配線導体が配置された配線層のうち少なくとも１つの配線層Ｗ５は、第１配線導体が配置された配線層Ｗ３、Ｗ４の何れよりも、実装基板５０の他方主面に近い位置にある。
また、インダクタンス素子４１および４３のうち、インダクタンス素子４１を実装基板の他方主面からより遠ざけて配置し、インダクタンス素子４３を実装基板の他方主面により近づけて配置している。
図１４のレイアウトによれば、図６のレイアウトと同様の特徴から、インダクタンス素子４１に発生する寄生容量が抑制され、インダクタンス素子４１のインピーダンスの低下が抑制されるので、共通信号端子Ｐ０におけるインピーダンス整合に優れたマルチプレクサが得られる。
図１４のレイアウトでは、インダクタンス素子４３とマザー基板に含まれるグランドパターン（図示せず）との間での寄生容量が増大しやすくなるが、インダクタンス素子４３に発生する寄生容量は、インダクタンス素子４１に発生する寄生容量と比べると、インピーダンス整合に与える悪影響が小さい。また、インダクタンス素子４３の寄生容量が増大することで、インピーダンス整合を取るために必要なＬ値が小さくなり、その結果、面積が小さくなる。そのため、他のインダクタとの不要な結合が抑えられ、通過帯域内の減衰量を改善する効果が得られる。
図１４のレイアウトでは、配線層Ｗ６に、接続電極６７としてのグランドパターンを設けている。これにより、インダクタンス素子４３の、配線層Ｗ６に形成されたグランドパターンとの間での寄生容量を増大させ、通過帯域内の減衰量をより確実に改善している。
［１２．インダクタンス素子の配置による効果の検証］
上述の効果を確かめるために、実装基板６０のレイアウトの比較例を設定し、実施例および比較例のレイアウトに基づくシミュレーションを行って、マルチプレクサの信号伝搬特性を算出した。
図１５は、実装基板６０のレイアウトの比較例を示す平面図であり、配線層Ｗ１〜Ｗ６の各々に配置される接続電極６６、６７、面内導体６８、および層間導体６９のレイアウトの一例を示している。
図１５の比較例のレイアウトは、図１４の実施例のレイアウトと比べて、次の点で相違する。すなわち、インダクタンス素子４１が配線層Ｗ４およびＷ５に形成され、インダクタンス素子４３が配線層Ｗ３およびＷ４に形成されている。また、配線層Ｗ５に隣接する配線層Ｗ６の、平面視においてインダクタンス素子４１が形成されている領域Ａに重なる部分に、グランドパターンが形成されている。これらの相違のため、比較例のレイアウトに従って構成されたマルチプレクサでは、上述の効果を十分に発揮できないと考えられる。
図１６Ａ〜図１６Ｄは、共通信号端子Ｐ０から見たフィルタ１１〜１４の複素インピーダンスをそれぞれ示すスミスチャートであり、実線が実施例を表し、点線が比較例を表している。図１６Ａ〜図１６Ｄに示すように、各フィルタの複素インピーダンスは、実施例では特性インピーダンスによく揃っているのに対し、比較例ではばらつきが見られる。
図１７は、共通信号端子Ｐ０から見たフィルタ１１〜１４のＶＳＷＲをそれぞれ示すグラフであり、実線が実施例を表し、点線が比較例を表している。図１７に示すように、共通信号端子Ｐ０から見たフィルタ１１〜１４のＶＳＷＲは、実施例では、いずれの周波数帯域においても１．３０以下に抑えられているのに対し、比較例では、周波数帯域ごとに、１．４７〜１．５３程度の最大値が見られる。
これらのシミュレーション結果から、実施例では、比較例と比べて、より高い精度でのインピーダンス整合に基づいて信号伝搬特性が向上することが確かめられた。
以上、Ｂａｎｄ２５およびＢａｎｄ６６に適用されるクワッドプレクサの例を用いて、マルチプレクサの一態様に係る構造および効果について説明したが、この例には限らず、例えば、Ｂａｎｄ１および３、Ｂａｎｄ３および７等、他の組み合わせのクワッドプレクサでも同様の効果を得ることができる。さらには、クワッドプレクサに限らず、図１８Ａおよび図１８Ｂのような、３つのバンドを組み合わせたヘキサプレクサ等でも、より正確なインピーダンス整合が取られたマルチプレクサを得ることができる。
本発明の態様に係るマルチプレクサ、送信装置、および受信装置について、実施の形態に基づいて説明したが、本発明は、個々の実施の形態には限定されない。本発明の趣旨を逸脱しない限り、当業者が思いつく各種変形を本実施の形態に施したものや、異なる実施の形態における構成要素を組み合わせて構築される形態も、本発明の１つまたは複数の態様の範囲内に含まれてもよい。
本発明は、複数の弾性波フィルタを備え、小型でかつ挿入損失特性に優れた弾性波フィルタ装置として、携帯電話などの通信機器に広く利用できる。
１、２ マルチプレクサ
９ アンテナ素子
１１〜１４、１３ａ フィルタ
２１〜２４ 入力端
３０ 共通接続点
３１〜３５ 出力端
４１〜４３ インダクタンス素子
５０ 基板
５１ 高音速膜
５２ 低音速膜
５３ 圧電膜
５４ ＩＤＴ電極
５５ 密着層
５６ 主電極層
６０ 実装基板
６１〜６５ 基材層
６６、６７ 接続電極
６８ 面内導体
６９ 層間導体
７０ 導電性接合材
８０ 封止層
１００ 共振子
１０１〜１０５ 直列共振子
１４１ インダクタンス素子
１５１〜１５４ 並列共振子
２０１ 直列共振子
２０２ フィルタ
２５１ 並列共振子
２５３ 並列共振子
３０１〜１０４ 直列共振子
３４１ インダクタンス素子
３５１〜３５４ 並列共振子
４０１〜４０５ 直列共振子
４５１〜４５４ 並列共振子
４６１ インダクタンス素子

Claims (5)

  1. 実装基板と、
    前記実装基板の一方主面に設けられ、互いに異なる通過帯域を有する１つの第１弾性波フィルタおよび１つ以上の第２弾性波フィルタと、
    前記実装基板に内蔵され、一方端が前記第１弾性波フィルタの一方端に接続されている第１インダクタンス素子と、
    前記実装基板に設けられた共通信号端子と、
    前記実装基板に内蔵され、前記第１インダクタンス素子の他方端と前記１つ以上の第２弾性波フィルタの各々の一方端との共通接続点と前記共通信号端子との間に接続されている第２インダクタンス素子と、
    前記実装基板の他方主面に形成されたグランドパターンと、を備え、
    前記第１インダクタンス素子の他方端と前記１つ以上の第２弾性波フィルタの各々の一方端とは互いに接続されており、
    前記第１弾性波フィルタは、前記第１弾性波フィルタの前記一方端と他方端とを結ぶ信号経路を構成する１つ以上の第１共振子と、前記信号経路と基準端子との間に接続されている１つ以上の第２共振子とで構成され、少なくとも１つの前記第２共振子は、前記信号経路のうち、前記第１弾性波フィルタの前記一方端と前記一方端に最も近い第１共振器との間に接続されており、
    前記１つ以上の第２弾性波フィルタの各々は、前記第２弾性波フィルタの前記一方端と他方端とを結ぶ信号経路を構成する１つ以上の第３共振子と、前記信号経路と基準端子との間に接続されている１つ以上の第４共振子とで構成されており、
    前記実装基板は、前記実装基板の前記一方主面、他方主面、および内層に位置する複数の配線層に配線導体が配置された多層基板であり、
    前記第１インダクタンス素子は、前記複数の配線層のうち少なくとも１つの配線層に配置された第１配線導体で形成され、
    前記第２インダクタンス素子は、前記複数の配線層のうち少なくとも１つの配線層に配置された第２配線導体で形成され、
    前記複数の配線層は、前記第１配線導体が配置された配線層に前記実装基板の前記他方主面側において隣接し、かつ平面視において前記第１インダクタンス素子の形成領域に重なる部分にグランドパターンが形成されていない配線層を含み、
    前記第２配線導体が配置された配線層のうち少なくとも１つの配線層は、前記第１配線導体が配置された配線層の何れよりも、前記実装基板の他方主面に近い位置にある、
    マルチプレクサ。
  2. 実装基板と、
    前記実装基板の一方主面に設けられ、互いに異なる通過帯域を有する１つの第１弾性波フィルタおよび１つ以上の第２弾性波フィルタと、
    前記実装基板に内蔵され、一方端が前記第１弾性波フィルタの一方端に接続されている第１インダクタンス素子と、
    前記実装基板に設けられた共通信号端子と、
    前記実装基板に内蔵され、前記第１インダクタンス素子の他方端と前記１つ以上の第２弾性波フィルタの各々の一方端との共通接続点と前記共通信号端子とを結ぶ信号経路と基準端子との間に接続されている第２インダクタンス素子と、
    前記実装基板の他方主面に形成されたグランドパターンと、を備え、
    前記第１インダクタンス素子の他方端と前記１つ以上の第２弾性波フィルタの各々の一方端とは互いに接続されており、
    前記第１弾性波フィルタは、前記第１弾性波フィルタの前記一方端と他方端とを結ぶ信号経路を構成する１つ以上の第１共振子と、前記信号経路と基準端子との間に接続されている１つ以上の第２共振子とで構成され、少なくとも１つの前記第２共振子は、前記信号経路のうち、前記第１弾性波フィルタの前記一方端と前記一方端に最も近い第１共振器との間に接続されており、
    前記１つ以上の第２弾性波フィルタの各々は、前記第２弾性波フィルタの前記一方端と他方端とを結ぶ信号経路を構成する１つ以上の第３共振子と、前記信号経路と基準端子との間に接続されている１つ以上の第４共振子とで構成されており、
    前記実装基板は、前記実装基板の前記一方主面、他方主面、および内層に位置する複数の配線層に配線導体が配置された多層基板であり、
    前記第１インダクタンス素子は、前記複数の配線層のうち少なくとも１つの配線層に配置された第１配線導体で形成され、
    前記第２インダクタンス素子は、前記複数の配線層のうち少なくとも１つの配線層に配置された第２配線導体で形成され、
    前記複数の配線層は、前記第１配線導体が配置された配線層に前記実装基板の前記他方主面側において隣接し、かつ平面視において前記第１インダクタンス素子の形成領域に重なる部分にグランドパターンが形成されていない配線層を含み、
    前記第２配線導体が配置された配線層のうち少なくとも１つの配線層は、前記第１配線導体が配置された配線層の何れよりも、前記実装基板の他方主面に近い位置にある、
    マルチプレクサ。
  3. 前記複数の配線層は、前記第１配線導体が配置された配線層に前記実装基板の前記一方主面側において隣接し、かつ平面視において前記第１インダクタンス素子の形成領域に重なる部分にグランドパターンが形成されていない配線層を含む、
    請求項１または２に記載のマルチプレクサ。
  4. 請求項１から３のいずれか１項に記載のマルチプレクサと、
    前記マルチプレクサに接続され、周波数帯域が互いに異なる複数の送信信号を生成する送信回路と、を備え、
    前記マルチプレクサは、前記送信回路から前記複数の送信信号を取得し、単一のアンテナ信号に合成する、
    送信装置。
  5. 請求項１から３のいずれか１項に記載のマルチプレクサと、
    前記マルチプレクサに接続され、周波数帯域が互いに異なる複数の受信信号を処理する受信回路と、を備え、
    前記マルチプレクサは、前記複数の受信信号を含む単一のアンテナ信号から前記複数の受信信号を分離し、前記受信回路に供給する、
    受信装置。
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