JP2001168669A - 積層型デュプレクサ - Google Patents
積層型デュプレクサInfo
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- JP2001168669A JP2001168669A JP35077199A JP35077199A JP2001168669A JP 2001168669 A JP2001168669 A JP 2001168669A JP 35077199 A JP35077199 A JP 35077199A JP 35077199 A JP35077199 A JP 35077199A JP 2001168669 A JP2001168669 A JP 2001168669A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
- H01P1/213—Frequency-selective devices, e.g. filters combining or separating two or more different frequencies
- H01P1/2135—Frequency-selective devices, e.g. filters combining or separating two or more different frequencies using strip line filters
Abstract
(57)【要約】
【課題】 高Ｑ値のインダクタを有した小型の積層型デ
ュプレクサを提供する。 【解決手段】 デュプレクサ４１は、ＬＣ並列共振器Ｑ
１〜Ｑ３を有する３段のバンドパスフィルタＢＰＦ１
と、ＬＣ並列共振器Ｑ４〜Ｑ６を有する３段のバンドパ
スフィルタＢＰＦ２とを、インピーダンスマッチング用
インダクタパターン８４，８５を介して組み合わせたも
のである。共振器Ｑ１〜Ｑ６のインダクタＬ１〜Ｌ６
は、それぞれ絶縁体シート４３〜４７に設けたインダク
タ用ビアホール６１ａ〜６１ｅ，…，６６ａ〜６６ｅを
シート４３〜４７の積み重ね方向に連接して構成され
る。
ュプレクサを提供する。 【解決手段】 デュプレクサ４１は、ＬＣ並列共振器Ｑ
１〜Ｑ３を有する３段のバンドパスフィルタＢＰＦ１
と、ＬＣ並列共振器Ｑ４〜Ｑ６を有する３段のバンドパ
スフィルタＢＰＦ２とを、インピーダンスマッチング用
インダクタパターン８４，８５を介して組み合わせたも
のである。共振器Ｑ１〜Ｑ６のインダクタＬ１〜Ｌ６
は、それぞれ絶縁体シート４３〜４７に設けたインダク
タ用ビアホール６１ａ〜６１ｅ，…，６６ａ〜６６ｅを
シート４３〜４７の積み重ね方向に連接して構成され
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、マイクロ波帯等で
使用される積層型デュプレクサに関する。
使用される積層型デュプレクサに関する。
【０００２】
【従来の技術】この種の積層型デュプレクサとして、従
来より、図４及び図５に示す構造の積層型デュプレクサ
が知られている。図４に示すように、この積層型デュプ
レクサ１は、インダクタ用パターン１２〜１７を表面に
設けたセラミックシート６と、周波数調整用コンデンサ
パターン１８〜２３を表面に設けたセラミックシート７
と、結合調整用コンデンサパターン２４〜２７を表面に
設けたセラミックシート５と、シールドパターン２８
ａ，２９ａ、２８ｂ，２９ｂをそれぞれ表面に設けたセ
ラミックシート３，９等にて構成されている。
来より、図４及び図５に示す構造の積層型デュプレクサ
が知られている。図４に示すように、この積層型デュプ
レクサ１は、インダクタ用パターン１２〜１７を表面に
設けたセラミックシート６と、周波数調整用コンデンサ
パターン１８〜２３を表面に設けたセラミックシート７
と、結合調整用コンデンサパターン２４〜２７を表面に
設けたセラミックシート５と、シールドパターン２８
ａ，２９ａ、２８ｂ，２９ｂをそれぞれ表面に設けたセ
ラミックシート３，９等にて構成されている。
【０００３】デュプレクサ１の左半分には、ＬＣ共振器
Ｑ１〜Ｑ３からなる３段のバンドパスフィルタＢＰＦ１
が配設されている。デュプレクサ１の右半分には、ＬＣ
共振器Ｑ４〜Ｑ６からなる３段のバンドパスフィルタＢ
ＰＦ２が配設されている。ＬＣ共振器Ｑ１〜Ｑ６のイン
ダクタＬ１〜Ｌ６は、それぞれインダクタ用パターン１
２，１３，１４，１５，１６，１７により形成される。
ＬＣ共振器Ｑ１〜Ｑ６のコンデンサＣ１〜Ｃ６はそれぞ
れ、周波数調整用コンデンサパターン１８，１９，２
０，２１，２２，２３と、これら周波数調整用コンデン
サパターン１８，１９，２０，２１，２２，２３に対向
しているインダクタ用パターン１２，１３，１４，１
５，１６，１７の先端部とで形成されている。
Ｑ１〜Ｑ３からなる３段のバンドパスフィルタＢＰＦ１
が配設されている。デュプレクサ１の右半分には、ＬＣ
共振器Ｑ４〜Ｑ６からなる３段のバンドパスフィルタＢ
ＰＦ２が配設されている。ＬＣ共振器Ｑ１〜Ｑ６のイン
ダクタＬ１〜Ｌ６は、それぞれインダクタ用パターン１
２，１３，１４，１５，１６，１７により形成される。
ＬＣ共振器Ｑ１〜Ｑ６のコンデンサＣ１〜Ｃ６はそれぞ
れ、周波数調整用コンデンサパターン１８，１９，２
０，２１，２２，２３と、これら周波数調整用コンデン
サパターン１８，１９，２０，２１，２２，２３に対向
しているインダクタ用パターン１２，１３，１４，１
５，１６，１７の先端部とで形成されている。
【０００４】さらに、バンドパスフィルタＢＰＦ１のＬ
Ｃ共振器Ｑ１〜Ｑ３は、インダクタ用パターン１２〜１
４とこれらインダクタ用パターン１２〜１４に対向して
いる結合調整用コンデンサパターン２４，２５とで形成
する結合コンデンサＣｓ１，Ｃｓ２にて電気的に結合し
ている。そして、パターン１２〜１４，１８〜２０，２
４，２５を間に挟んで、シールドパターン２８ａ，２８
ｂが配置されている。同様に、バンドパスフィルタＢＰ
Ｆ２のＬＣ共振器Ｑ４〜Ｑ６は、インダクタ用パターン
１５〜１７とこれらインダクタ用パターン１５〜１７に
対向している結合調整用コンデンサパターン２６，２７
とで形成する結合コンデンサＣｓ３，Ｃｓ４にて電気的
に結合している。そして、パターン１５〜１７，２１〜
２３，２６，２７を間に挟んでシールドパターン２９
ａ，２９ｂが配置されている。
Ｃ共振器Ｑ１〜Ｑ３は、インダクタ用パターン１２〜１
４とこれらインダクタ用パターン１２〜１４に対向して
いる結合調整用コンデンサパターン２４，２５とで形成
する結合コンデンサＣｓ１，Ｃｓ２にて電気的に結合し
ている。そして、パターン１２〜１４，１８〜２０，２
４，２５を間に挟んで、シールドパターン２８ａ，２８
ｂが配置されている。同様に、バンドパスフィルタＢＰ
Ｆ２のＬＣ共振器Ｑ４〜Ｑ６は、インダクタ用パターン
１５〜１７とこれらインダクタ用パターン１５〜１７に
対向している結合調整用コンデンサパターン２６，２７
とで形成する結合コンデンサＣｓ３，Ｃｓ４にて電気的
に結合している。そして、パターン１５〜１７，２１〜
２３，２６，２７を間に挟んでシールドパターン２９
ａ，２９ｂが配置されている。
【０００５】各セラミックシート２〜９は積み重ねら
れ、一体的に焼成されることにより、図５に示す積層体
３５とされる。積層体３５には、送信用端子電極Ｔｘ，
受信用端子電極Ｒｘ，アンテナ用端子電極ＡＮＴ及びグ
ランド用端子電極Ｇ１〜Ｇ４が形成されている。送信用
端子電極ＴｘにはＬＣ共振器Ｑ１のインダクタ用パター
ン１２が接続され、受信用端子電極ＲｘにはＬＣ共振器
Ｑ６のインダクタ用パターン１７が接続され、アンテナ
用端子電極ＡＮＴにはＬＣ共振器Ｑ３，Ｑ４のインダク
タ用パターン１４，１５が接続されている。グランド用
端子電極Ｇ１，Ｇ２にはそれぞれ、ＬＣ共振器Ｑ１〜Ｑ
３のインダクタ用パターン１２〜１４の一端、並びに、
周波数調整用コンデンサパターン１８〜２０の一端並び
にシールドパターン２８ａ，２８ｂが接続されている。
グランド用端子電極Ｇ３，Ｇ４にはそれぞれ、ＬＣ共振
器Ｑ４〜Ｑ６のインダクタ用パターン１５〜１７の一
端、並びに、周波数調整用コンデンサパターン２１〜２
３の一端並びにシールドパターン２９ａ，２９ｂが接続
されている。
れ、一体的に焼成されることにより、図５に示す積層体
３５とされる。積層体３５には、送信用端子電極Ｔｘ，
受信用端子電極Ｒｘ，アンテナ用端子電極ＡＮＴ及びグ
ランド用端子電極Ｇ１〜Ｇ４が形成されている。送信用
端子電極ＴｘにはＬＣ共振器Ｑ１のインダクタ用パター
ン１２が接続され、受信用端子電極ＲｘにはＬＣ共振器
Ｑ６のインダクタ用パターン１７が接続され、アンテナ
用端子電極ＡＮＴにはＬＣ共振器Ｑ３，Ｑ４のインダク
タ用パターン１４，１５が接続されている。グランド用
端子電極Ｇ１，Ｇ２にはそれぞれ、ＬＣ共振器Ｑ１〜Ｑ
３のインダクタ用パターン１２〜１４の一端、並びに、
周波数調整用コンデンサパターン１８〜２０の一端並び
にシールドパターン２８ａ，２８ｂが接続されている。
グランド用端子電極Ｇ３，Ｇ４にはそれぞれ、ＬＣ共振
器Ｑ４〜Ｑ６のインダクタ用パターン１５〜１７の一
端、並びに、周波数調整用コンデンサパターン２１〜２
３の一端並びにシールドパターン２９ａ，２９ｂが接続
されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、一般に、デ
ュプレクサの特性は、ＬＣ共振器のインダクタのＱ値に
より左右される。インダクタのＱ値は、Ｌをインダクタ
のインダクタンス値、Ｒをインダクタが有する抵抗値、
ｆ0を共振周波数とすると、Ｑ＝２πｆ0Ｌ／Ｒで表され
る。この式から、インダクタのＱ値を大きくするために
は、インダクタの抵抗値Ｒを小さくすればよい。この抵
抗値Ｒは、インダクタを構成するインダクタ用パターン
の断面積Ｓに反比例するので、Ｑ値を大きくするために
はインダクタ用パターン１２〜１７の断面積Ｓを大きく
すればよい。
ュプレクサの特性は、ＬＣ共振器のインダクタのＱ値に
より左右される。インダクタのＱ値は、Ｌをインダクタ
のインダクタンス値、Ｒをインダクタが有する抵抗値、
ｆ0を共振周波数とすると、Ｑ＝２πｆ0Ｌ／Ｒで表され
る。この式から、インダクタのＱ値を大きくするために
は、インダクタの抵抗値Ｒを小さくすればよい。この抵
抗値Ｒは、インダクタを構成するインダクタ用パターン
の断面積Ｓに反比例するので、Ｑ値を大きくするために
はインダクタ用パターン１２〜１７の断面積Ｓを大きく
すればよい。
【０００７】しかしながら、インダクタ用パターン１２
〜１７の断面積Ｓを大きくするため、インダクタ用パタ
ーン１２〜１７の厚みを厚くすると、セラミックシート
２〜９を一体的に焼成する際に、積層体３５の内部歪み
が大きくなり、デラミネーション等が発生するという不
具合があった。また、インダクタ用パターン１２〜１７
の断面積Ｓを大きくするために、インダクタ用パターン
１２〜１７のパターン幅を広くすると、ＬＣ共振器Ｑ１
〜Ｑ６の大型化を招くという不具合があった。
〜１７の断面積Ｓを大きくするため、インダクタ用パタ
ーン１２〜１７の厚みを厚くすると、セラミックシート
２〜９を一体的に焼成する際に、積層体３５の内部歪み
が大きくなり、デラミネーション等が発生するという不
具合があった。また、インダクタ用パターン１２〜１７
の断面積Ｓを大きくするために、インダクタ用パターン
１２〜１７のパターン幅を広くすると、ＬＣ共振器Ｑ１
〜Ｑ６の大型化を招くという不具合があった。
【０００８】また、ＬＣ共振器Ｑ１〜Ｑ６のインダクタ
Ｌ１〜Ｌ６の軸方向はセラミックシート２〜９の積み重
ね方向に対して垂直である。そして、インダクタＬ１〜
Ｌ６に電流が流れると、インダクタＬ１〜Ｌ６の周囲
に、インダクタＬ１〜Ｌ６の軸方向に対して垂直な面を
周回する磁束φが発生する。しかしながら、インダクタ
Ｌ１〜Ｌ６とパターン１８〜２９ｂが平行に配置されて
いるので、磁束φがパターン１８〜２９ｂを貫通し、こ
れらのパターン１８〜２９ｂに渦電流が発生する。この
ため、インダクタＬ１〜Ｌ６のＱ値が低いという問題も
あった。
Ｌ１〜Ｌ６の軸方向はセラミックシート２〜９の積み重
ね方向に対して垂直である。そして、インダクタＬ１〜
Ｌ６に電流が流れると、インダクタＬ１〜Ｌ６の周囲
に、インダクタＬ１〜Ｌ６の軸方向に対して垂直な面を
周回する磁束φが発生する。しかしながら、インダクタ
Ｌ１〜Ｌ６とパターン１８〜２９ｂが平行に配置されて
いるので、磁束φがパターン１８〜２９ｂを貫通し、こ
れらのパターン１８〜２９ｂに渦電流が発生する。この
ため、インダクタＬ１〜Ｌ６のＱ値が低いという問題も
あった。
【０００９】そこで、本発明の目的は、高Ｑ値のインダ
クタを有した小型の積層型デュプレクサを提供すること
にある。
クタを有した小型の積層型デュプレクサを提供すること
にある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】以上の目的を達成するた
め、本発明に係る積層型デュプレクサは、絶縁体層を積
み重ねて構成した積層体に、インダクタとコンデンサと
により形成された複数個のフィルタを埋設した積層型デ
ュプレクサであって、前記フィルタのインダクタが、前
記絶縁体層の積み重ね方向に連接されたビアホールによ
り構成されるとともに、前記フィルタのうち少なくとも
二つの隣り合うフィルタが、マッチング用インダクタパ
ターンを介して電気的に接続されていることを特徴とす
る。
め、本発明に係る積層型デュプレクサは、絶縁体層を積
み重ねて構成した積層体に、インダクタとコンデンサと
により形成された複数個のフィルタを埋設した積層型デ
ュプレクサであって、前記フィルタのインダクタが、前
記絶縁体層の積み重ね方向に連接されたビアホールによ
り構成されるとともに、前記フィルタのうち少なくとも
二つの隣り合うフィルタが、マッチング用インダクタパ
ターンを介して電気的に接続されていることを特徴とす
る。
【００１１】
【作用】以上の構成により、インダクタはビアホールを
連接して構成されるので、ビアホールの断面積を増やし
たり、ビアホールの数を増やしたりすることによってイ
ンダクタの断面積が広くなる。従って、従来のインダク
タ用パターンの厚みを厚くしたり、パターン幅を広くす
ることなく、インダクタのＱ値を向上させることができ
る。
連接して構成されるので、ビアホールの断面積を増やし
たり、ビアホールの数を増やしたりすることによってイ
ンダクタの断面積が広くなる。従って、従来のインダク
タ用パターンの厚みを厚くしたり、パターン幅を広くす
ることなく、インダクタのＱ値を向上させることができ
る。
【００１２】また、インダクタに電流が流れると、イン
ダクタの周囲に、インダクタの軸方向に対して垂直な面
を周回する磁束が発生する。しかしながら、インダクタ
とコンデンサパターンやシールドパターンとが垂直に配
置されているので、磁束がコンデンサパターン等を貫通
せず、コンデンサパターン等に渦電流が発生しない。従
って、渦電流損が少なく、Ｑ値の高いインダクタが得ら
れる。
ダクタの周囲に、インダクタの軸方向に対して垂直な面
を周回する磁束が発生する。しかしながら、インダクタ
とコンデンサパターンやシールドパターンとが垂直に配
置されているので、磁束がコンデンサパターン等を貫通
せず、コンデンサパターン等に渦電流が発生しない。従
って、渦電流損が少なく、Ｑ値の高いインダクタが得ら
れる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る積層型デュプ
レクサの実施形態について添付図面を参照して説明す
る。
レクサの実施形態について添付図面を参照して説明す
る。
【００１４】図１に積層型デュプレクサ４１の構成を示
し、図２及び図３にそれぞれ、デュプレクサ４１の外観
斜視図及び電気等価回路図を示す。デュプレクサ４１
は、ＬＣ並列共振器Ｑ１〜Ｑ３を有する３段のバンドパ
スフィルタＢＰＦ１と、ＬＣ並列共振器Ｑ４〜Ｑ６を有
する３段のバンドパスフィルタＢＰＦ２とを、インピー
ダンスマッチングのためのインダクタ用パターン８４，
８５を介して組み合わせたものである。
し、図２及び図３にそれぞれ、デュプレクサ４１の外観
斜視図及び電気等価回路図を示す。デュプレクサ４１
は、ＬＣ並列共振器Ｑ１〜Ｑ３を有する３段のバンドパ
スフィルタＢＰＦ１と、ＬＣ並列共振器Ｑ４〜Ｑ６を有
する３段のバンドパスフィルタＢＰＦ２とを、インピー
ダンスマッチングのためのインダクタ用パターン８４，
８５を介して組み合わせたものである。
【００１５】図１に示すように、積層型デュプレクサ４
１は、周波数調整用コンデンサパターン５０，…，５
５、インダクタ用ビアホール６１ａ〜６１ｅ，…，６６
ａ〜６６ｅ、コンデンサパターン７０，…，７５、結合
調整用コンデンサパターン７６，…，７９、インダクタ
用パターン８４，８５およびシールドパターン９０ａ，
９０ｂ，９１ａ，９１ｂ等をそれぞれ設けた絶縁体シー
ト４２〜４９等にて構成されている。
１は、周波数調整用コンデンサパターン５０，…，５
５、インダクタ用ビアホール６１ａ〜６１ｅ，…，６６
ａ〜６６ｅ、コンデンサパターン７０，…，７５、結合
調整用コンデンサパターン７６，…，７９、インダクタ
用パターン８４，８５およびシールドパターン９０ａ，
９０ｂ，９１ａ，９１ｂ等をそれぞれ設けた絶縁体シー
ト４２〜４９等にて構成されている。
【００１６】絶縁体シート４２〜４９は、誘電体粉末や
磁性体粉末を結合剤等と一緒に混練したものをシート状
にしたものである。インダクタ用ビアホール６１ａ〜６
１ｅ，…，６６ａ〜６６ｅは、Ａｇ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ａ
ｕ，Ａｇ−Ｐｄ等の導電性ペーストを予め絶縁体シート
４３〜４７に設けた穴に充填することによって形成され
る。周波数調整用コンデンサパターン５０〜５５等はＡ
ｇ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ａｕ，Ａｇ−Ｐｄ等からなり、印刷等
の方法により形成される。
磁性体粉末を結合剤等と一緒に混練したものをシート状
にしたものである。インダクタ用ビアホール６１ａ〜６
１ｅ，…，６６ａ〜６６ｅは、Ａｇ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ａ
ｕ，Ａｇ−Ｐｄ等の導電性ペーストを予め絶縁体シート
４３〜４７に設けた穴に充填することによって形成され
る。周波数調整用コンデンサパターン５０〜５５等はＡ
ｇ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ａｕ，Ａｇ−Ｐｄ等からなり、印刷等
の方法により形成される。
【００１７】バンドパスフィルタＢＰＦ１のインダクタ
用ビアホール６１ａ〜６１ｅ，６２ａ〜６２ｅ，６３ａ
〜６３ｅは、絶縁体シート４３〜４７の略左側半分の領
域に形成されている。インダクタ用ビアホール６１ａ〜
６１ｅは、シート４３〜４７の積み重ね方向に連接して
柱状インダクタＬ１を構成する。同様に、インダクタ用
ビアホール６２ａ〜６２ｅ，６３ａ〜６３ｅも連接し
て、それぞれ柱状インダクタＬ２，Ｌ３を構成する。イ
ンダクタＬ１〜Ｌ３の軸方向は、シート４３〜４７の積
み重ね方向に対して平行である。このとき、インダクタ
用ビアホール６４ａ〜６４ｅ，…，６６ａ〜６６ｅにて
構成された柱状インダクタＬ４〜Ｌ６の長さを実質的に
λ／４（λ：所望の共振周波数の波長）に設定すると、
ＬＣ共振器Ｑ４〜Ｑ６はλ／４共振器とされる。なお、
インダクタＬ４〜Ｌ６の長さはλ／４に限定されるもの
ではないことは言うまでもない。
用ビアホール６１ａ〜６１ｅ，６２ａ〜６２ｅ，６３ａ
〜６３ｅは、絶縁体シート４３〜４７の略左側半分の領
域に形成されている。インダクタ用ビアホール６１ａ〜
６１ｅは、シート４３〜４７の積み重ね方向に連接して
柱状インダクタＬ１を構成する。同様に、インダクタ用
ビアホール６２ａ〜６２ｅ，６３ａ〜６３ｅも連接し
て、それぞれ柱状インダクタＬ２，Ｌ３を構成する。イ
ンダクタＬ１〜Ｌ３の軸方向は、シート４３〜４７の積
み重ね方向に対して平行である。このとき、インダクタ
用ビアホール６４ａ〜６４ｅ，…，６６ａ〜６６ｅにて
構成された柱状インダクタＬ４〜Ｌ６の長さを実質的に
λ／４（λ：所望の共振周波数の波長）に設定すると、
ＬＣ共振器Ｑ４〜Ｑ６はλ／４共振器とされる。なお、
インダクタＬ４〜Ｌ６の長さはλ／４に限定されるもの
ではないことは言うまでもない。
【００１８】インダクタ用ビアホール６１ｃは、引出し
パターン８１に接続し、該引出しパターン８１はシート
４５の左辺に露出している。インダクタ用ビアホール６
３ｃはインダクタ用パターン８４に接続している。イン
ダクタ用パターン８４は、インピーダンスマッチング用
インダクタＬｓ１を構成している。さらに、インダクタ
用ビアホール６１ｄ，６２ｄ，６３ｄは、それぞれ絶縁
体シート４６の左側の領域に形成されているコンデンサ
パターン７０，７１，７２に接続している。
パターン８１に接続し、該引出しパターン８１はシート
４５の左辺に露出している。インダクタ用ビアホール６
３ｃはインダクタ用パターン８４に接続している。イン
ダクタ用パターン８４は、インピーダンスマッチング用
インダクタＬｓ１を構成している。さらに、インダクタ
用ビアホール６１ｄ，６２ｄ，６３ｄは、それぞれ絶縁
体シート４６の左側の領域に形成されているコンデンサ
パターン７０，７１，７２に接続している。
【００１９】周波数調整用コンデンサパターン５０，５
１，５２は、絶縁体シート４８の略左側半分の領域に、
シート４８の手前側の辺から奥側の辺に向かう方向に延
在している。周波数調整用コンデンサパターン５０，５
１，５２は、それぞれシート４８を間に挟んでシールド
パターン９０ｂに対向し、コンデンサＣ１，Ｃ２，Ｃ３
を形成する。この周波数調整用コンデンサパターン５０
に、インダクタＬ１の一方の端部（ビアホール６１ｅ）
が直接に接続する。周波数調整用コンデンサパターン５
１に、インダクタＬ２の一方の端部（ビアホール６２
ｅ）が直接に接続する。周波数調整用コンデンサパター
ン５２に、インダクタＬ３の一方の端部（ビアホール６
３ｅ）が直接に接続する。
１，５２は、絶縁体シート４８の略左側半分の領域に、
シート４８の手前側の辺から奥側の辺に向かう方向に延
在している。周波数調整用コンデンサパターン５０，５
１，５２は、それぞれシート４８を間に挟んでシールド
パターン９０ｂに対向し、コンデンサＣ１，Ｃ２，Ｃ３
を形成する。この周波数調整用コンデンサパターン５０
に、インダクタＬ１の一方の端部（ビアホール６１ｅ）
が直接に接続する。周波数調整用コンデンサパターン５
１に、インダクタＬ２の一方の端部（ビアホール６２
ｅ）が直接に接続する。周波数調整用コンデンサパター
ン５２に、インダクタＬ３の一方の端部（ビアホール６
３ｅ）が直接に接続する。
【００２０】さらに、絶縁体シート４３上のシールドパ
ターン９０ａに、インダクタＬ１〜Ｌ３の他方の端部
（ビアホール６１ａ，６２ａ，６３ａ）が直接に接続し
ている。そして、絶縁体シート４７の左側の領域に形成
された結合調整用コンデンサパターン７６は、シート４
６，４７を間に挟んでコンデンサパターン５０，５１，
７０，７１に対向し、結合コンデンサＣｓ１を形成す
る。同様に、結合調整用コンデンサパターン７７は、シ
ート４６，４７を間に挟んでコンデンサパターン５１，
５２，７１，７２に対向し、結合コンデンサＣｓ２を形
成する。
ターン９０ａに、インダクタＬ１〜Ｌ３の他方の端部
（ビアホール６１ａ，６２ａ，６３ａ）が直接に接続し
ている。そして、絶縁体シート４７の左側の領域に形成
された結合調整用コンデンサパターン７６は、シート４
６，４７を間に挟んでコンデンサパターン５０，５１，
７０，７１に対向し、結合コンデンサＣｓ１を形成す
る。同様に、結合調整用コンデンサパターン７７は、シ
ート４６，４７を間に挟んでコンデンサパターン５１，
５２，７１，７２に対向し、結合コンデンサＣｓ２を形
成する。
【００２１】こうして、インダクタ用ビアホール６１ａ
〜６１ｅにて構成されたインダクタＬ１と、周波数調整
用コンデンサパターン５０およびシールドパターン９０
ｂにて構成されたコンデンサＣ１とでＬＣ並列共振回路
が形成され、バンドパスフィルタＢＰＦ１の第１段のＬ
Ｃ共振器Ｑ１が構成される。インダクタ用ビアホール６
２ａ〜６２ｅにて構成されたインダクタＬ２と、周波数
調整用コンデンサパターン５１およびシールドパターン
９０ｂにて構成されたコンデンサＣ２とでＬＣ並列共振
回路が形成され、第２段のＬＣ共振器Ｑ２が構成され
る。インダクタ用ビアホール６３ａ〜６３ｅにて構成さ
れたインダクタＬ３と、周波数調整用コンデンサパター
ン５２およびシールドパターン９０ｂにて構成されたコ
ンデンサＣ３とでＬＣ並列共振回路が形成され、第３段
のＬＣ共振器Ｑ３が構成される。ＬＣ共振器Ｑ１〜Ｑ３
は結合コンデンサＣｓ１，Ｃｓ２を介して電気的に接続
され、３段のバンドパスフィルタＢＰＦ１を構成してい
る。
〜６１ｅにて構成されたインダクタＬ１と、周波数調整
用コンデンサパターン５０およびシールドパターン９０
ｂにて構成されたコンデンサＣ１とでＬＣ並列共振回路
が形成され、バンドパスフィルタＢＰＦ１の第１段のＬ
Ｃ共振器Ｑ１が構成される。インダクタ用ビアホール６
２ａ〜６２ｅにて構成されたインダクタＬ２と、周波数
調整用コンデンサパターン５１およびシールドパターン
９０ｂにて構成されたコンデンサＣ２とでＬＣ並列共振
回路が形成され、第２段のＬＣ共振器Ｑ２が構成され
る。インダクタ用ビアホール６３ａ〜６３ｅにて構成さ
れたインダクタＬ３と、周波数調整用コンデンサパター
ン５２およびシールドパターン９０ｂにて構成されたコ
ンデンサＣ３とでＬＣ並列共振回路が形成され、第３段
のＬＣ共振器Ｑ３が構成される。ＬＣ共振器Ｑ１〜Ｑ３
は結合コンデンサＣｓ１，Ｃｓ２を介して電気的に接続
され、３段のバンドパスフィルタＢＰＦ１を構成してい
る。
【００２２】一方、バンドパスフィルタＢＰＦ２のイン
ダクタ用ビアホール６４ａ〜６４ｅ，６５ａ〜６５ｅ，
６６ａ〜６６ｅは、絶縁体シート４３〜４７の略右側半
分の領域に形成されている。インダクタ用ビアホール６
４ａ〜６４ｅは、シート４３〜４７の積み重ね方向に連
接して柱状インダクタＬ４を構成する。同様に、インダ
クタ用ビアホール６５ａ〜６５ｅは連接して柱状インダ
クタＬ５を構成し、インダクタ用ビアホール６６ａ〜６
６ｅは連接して柱状インダクタＬ６を構成する。インダ
クタＬ４〜Ｌ６の軸方向は、シート４３〜４７の積み重
ね方向に対して平行である。このとき、インダクタ用ビ
アホール６４ａ〜６４ｅ，…，６６ａ〜６６ｅにて構成
された柱状インダクタＬ４〜Ｌ６の長さを実質的にλ／
４（λ：所望の共振周波数の波長）に設定すると、ＬＣ
共振器Ｑ４〜Ｑ６はλ／４共振器とされる。なお、イン
ダクタＬ４〜Ｌ６の長さはλ／４に限定されるものでは
ないことは言うまでもない。
ダクタ用ビアホール６４ａ〜６４ｅ，６５ａ〜６５ｅ，
６６ａ〜６６ｅは、絶縁体シート４３〜４７の略右側半
分の領域に形成されている。インダクタ用ビアホール６
４ａ〜６４ｅは、シート４３〜４７の積み重ね方向に連
接して柱状インダクタＬ４を構成する。同様に、インダ
クタ用ビアホール６５ａ〜６５ｅは連接して柱状インダ
クタＬ５を構成し、インダクタ用ビアホール６６ａ〜６
６ｅは連接して柱状インダクタＬ６を構成する。インダ
クタＬ４〜Ｌ６の軸方向は、シート４３〜４７の積み重
ね方向に対して平行である。このとき、インダクタ用ビ
アホール６４ａ〜６４ｅ，…，６６ａ〜６６ｅにて構成
された柱状インダクタＬ４〜Ｌ６の長さを実質的にλ／
４（λ：所望の共振周波数の波長）に設定すると、ＬＣ
共振器Ｑ４〜Ｑ６はλ／４共振器とされる。なお、イン
ダクタＬ４〜Ｌ６の長さはλ／４に限定されるものでは
ないことは言うまでもない。
【００２３】インダクタ用ビアホール６４ｃは、インダ
クタ用パターン８５に接続している。インダクタ用パタ
ーン８５は、インピーダンスマッチング用インダクタＬ
ｓ２を構成している。インダクタ用パターン８５は、イ
ンダクタ用パターン８４とともに、引出しパターン８３
に接続している。引出しパターン８３は、シート４５の
奥側の辺の中央部に露出している。さらに、インダクタ
用ビアホール６６ｃは、引出しパターン８２に接続し、
該引出しパターン８２はシート４５の右辺に露出してい
る。インダクタ用ビアホール６４ｄ，６５ｄ，６６ｄ
は、それぞれ絶縁体シート４６の略右側半分の領域に形
成されているコンデンサパターン７３，７４，７５に接
続している。
クタ用パターン８５に接続している。インダクタ用パタ
ーン８５は、インピーダンスマッチング用インダクタＬ
ｓ２を構成している。インダクタ用パターン８５は、イ
ンダクタ用パターン８４とともに、引出しパターン８３
に接続している。引出しパターン８３は、シート４５の
奥側の辺の中央部に露出している。さらに、インダクタ
用ビアホール６６ｃは、引出しパターン８２に接続し、
該引出しパターン８２はシート４５の右辺に露出してい
る。インダクタ用ビアホール６４ｄ，６５ｄ，６６ｄ
は、それぞれ絶縁体シート４６の略右側半分の領域に形
成されているコンデンサパターン７３，７４，７５に接
続している。
【００２４】周波数調整用コンデンサパターン５３，５
４，５５は、絶縁体シート４８の略右側半分の領域に、
シート４８の手前側の辺から奥側の辺に向かう方向に延
在している。周波数調整用コンデンサパターン５３，５
４，５５は、それぞれシート４８を間に挟んでシールド
パターン９１ｂに対向し、コンデンサＣ４，Ｃ５，Ｃ６
を形成する。この周波数調整用コンデンサパターン５３
に、インダクタＬ４の一方の端部（ビアホール６４ｅ）
が直接に接続する。周波数調整用コンデンサパターン５
４に、インダクタＬ５の一方の端部（ビアホール６５
ｅ）が直接に接続する。周波数調整用コンデンサパター
ン５５に、インダクタＬ６の一方の端部（ビアホール６
６ｅ）が直接に接続する。
４，５５は、絶縁体シート４８の略右側半分の領域に、
シート４８の手前側の辺から奥側の辺に向かう方向に延
在している。周波数調整用コンデンサパターン５３，５
４，５５は、それぞれシート４８を間に挟んでシールド
パターン９１ｂに対向し、コンデンサＣ４，Ｃ５，Ｃ６
を形成する。この周波数調整用コンデンサパターン５３
に、インダクタＬ４の一方の端部（ビアホール６４ｅ）
が直接に接続する。周波数調整用コンデンサパターン５
４に、インダクタＬ５の一方の端部（ビアホール６５
ｅ）が直接に接続する。周波数調整用コンデンサパター
ン５５に、インダクタＬ６の一方の端部（ビアホール６
６ｅ）が直接に接続する。
【００２５】さらに、絶縁体シート４３上のシールドパ
ターン９１ａに、インダクタＬ４〜Ｌ６の他方の端部
（ビアホール６４ａ，６５ａ，６６ａ）が直接に接続し
ている。そして、絶縁体シート４７の右側の領域に形成
された結合調整用コンデンサパターン７８は、シート４
６，４７を間に挟んでコンデンサパターン５３，５４，
７３，７４に対向し、結合コンデンサＣｓ３を形成す
る。同様に、結合調整用コンデンサパターン７９は、シ
ート４６，４７を間に挟んでコンデンサパターン５４，
５５，７４，７５に対向し、結合コンデンサＣｓ４を形
成する。
ターン９１ａに、インダクタＬ４〜Ｌ６の他方の端部
（ビアホール６４ａ，６５ａ，６６ａ）が直接に接続し
ている。そして、絶縁体シート４７の右側の領域に形成
された結合調整用コンデンサパターン７８は、シート４
６，４７を間に挟んでコンデンサパターン５３，５４，
７３，７４に対向し、結合コンデンサＣｓ３を形成す
る。同様に、結合調整用コンデンサパターン７９は、シ
ート４６，４７を間に挟んでコンデンサパターン５４，
５５，７４，７５に対向し、結合コンデンサＣｓ４を形
成する。
【００２６】こうして、インダクタ用ビアホール６４ａ
〜６４ｅにて構成されたインダクタＬ４と、周波数調整
用コンデンサパターン５３およびシールドパターン９１
ｂにて構成されたコンデンサＣ４とでＬＣ並列共振回路
が形成され、バンドパスフィルタＢＰＦ２の第１段のＬ
Ｃ共振器Ｑ４が構成される。インダクタ用ビアホール６
５ａ〜６５ｅにて構成されたインダクタＬ５と、周波数
調整用コンデンサパターン５４およびシールドパターン
９１ｂにて構成されたコンデンサＣ５とでＬＣ並列共振
回路が形成され、第２段のＬＣ共振器Ｑ５が構成され
る。インダクタ用ビアホール６６ａ〜６６ｅにて構成さ
れたインダクタＬ６と、周波数調整用コンデンサパター
ン５５およびシールドパターン９１ｂにて構成されたコ
ンデンサＣ６とでＬＣ並列共振回路が形成され、第３段
のＬＣ共振器Ｑ６が構成される。ＬＣ共振器Ｑ４〜Ｑ６
は結合コンデンサＣｓ３，Ｃｓ４を介して電気的に接続
され、３段のバンドパスフィルタＢＰＦ２を構成してい
る。
〜６４ｅにて構成されたインダクタＬ４と、周波数調整
用コンデンサパターン５３およびシールドパターン９１
ｂにて構成されたコンデンサＣ４とでＬＣ並列共振回路
が形成され、バンドパスフィルタＢＰＦ２の第１段のＬ
Ｃ共振器Ｑ４が構成される。インダクタ用ビアホール６
５ａ〜６５ｅにて構成されたインダクタＬ５と、周波数
調整用コンデンサパターン５４およびシールドパターン
９１ｂにて構成されたコンデンサＣ５とでＬＣ並列共振
回路が形成され、第２段のＬＣ共振器Ｑ５が構成され
る。インダクタ用ビアホール６６ａ〜６６ｅにて構成さ
れたインダクタＬ６と、周波数調整用コンデンサパター
ン５５およびシールドパターン９１ｂにて構成されたコ
ンデンサＣ６とでＬＣ並列共振回路が形成され、第３段
のＬＣ共振器Ｑ６が構成される。ＬＣ共振器Ｑ４〜Ｑ６
は結合コンデンサＣｓ３，Ｃｓ４を介して電気的に接続
され、３段のバンドパスフィルタＢＰＦ２を構成してい
る。
【００２７】以上の構成からなる各シート４２〜４９は
図１に示すように順に積み重ねられ、一体的に焼成され
ることにより、図２に示す積層体１００とされる。積層
体１００の左右の端面にはそれぞれ送信用端子電極Ｔｘ
及び受信用端子電極Ｒｘが形成されている。積層体１０
０の奥側の側面にはアンテナ用端子電極ＡＮＴとグラン
ド用端子電極Ｇ１，Ｇ３が形成され、手前側の側面には
グランド用端子電極Ｇ２，Ｇ４が形成されている。
図１に示すように順に積み重ねられ、一体的に焼成され
ることにより、図２に示す積層体１００とされる。積層
体１００の左右の端面にはそれぞれ送信用端子電極Ｔｘ
及び受信用端子電極Ｒｘが形成されている。積層体１０
０の奥側の側面にはアンテナ用端子電極ＡＮＴとグラン
ド用端子電極Ｇ１，Ｇ３が形成され、手前側の側面には
グランド用端子電極Ｇ２，Ｇ４が形成されている。
【００２８】送信用端子電極Ｔｘには引出しパターン８
１が接続され、受信用端子電極Ｒｘには引出しパターン
８２が接続され、アンテナ用端子電極ＡＮＴには引出し
パターン８３が接続されている。グランド用端子電極Ｇ
１にはシールドパターン９０ａ，９０ｂの一方の端部が
接続され、グランド用端子電極Ｇ２にはシールドパター
ン９０ａ，９０ｂの他方の端部が接続され、グランド用
端子電極Ｇ３にはシールドパターン９１ａ，９１ｂの一
方の端部が接続され、グランド用端子電極Ｇ４には、シ
ールドパターン９１ａ，９１ｂの他方の端部が接続され
ている。
１が接続され、受信用端子電極Ｒｘには引出しパターン
８２が接続され、アンテナ用端子電極ＡＮＴには引出し
パターン８３が接続されている。グランド用端子電極Ｇ
１にはシールドパターン９０ａ，９０ｂの一方の端部が
接続され、グランド用端子電極Ｇ２にはシールドパター
ン９０ａ，９０ｂの他方の端部が接続され、グランド用
端子電極Ｇ３にはシールドパターン９１ａ，９１ｂの一
方の端部が接続され、グランド用端子電極Ｇ４には、シ
ールドパターン９１ａ，９１ｂの他方の端部が接続され
ている。
【００２９】図３は、こうして得られた積層型デュプレ
クサ４１の電気等価回路図である。共振器Ｑ１〜Ｑ３
は、結合コンデンサＣｓ１，Ｃｓ２を介して電気的に接
続され、３段のバンドパスフィルタＢＰＦ１を構成して
いる。共振器Ｑ４〜Ｑ６は結合コンデンサＣｓ４，Ｃｓ
５を介して電気的に接続され、３段のバンドパスフィル
タＢＰＦ２を構成している。さらに、バンドパスフィル
タＢＰＦ１の一端（共振器Ｑ１）は送信用端子電極Ｔｘ
に接続され、他端（共振器Ｑ３）はインピーダンスマッ
チング用インダクタＬｓ１を介してアンテナ用端子電極
ＡＮＴに接続されている。バンドパスフィルタＢＰＦ２
の一端（共振器Ｑ６）は受信用端子電極Ｒｘに接続さ
れ、他端（共振器Ｑ４）はインピーダンスマッチング用
インダクタＬｓ２を介してアンテナ用端子電極ＡＮＴに
接続されている。
クサ４１の電気等価回路図である。共振器Ｑ１〜Ｑ３
は、結合コンデンサＣｓ１，Ｃｓ２を介して電気的に接
続され、３段のバンドパスフィルタＢＰＦ１を構成して
いる。共振器Ｑ４〜Ｑ６は結合コンデンサＣｓ４，Ｃｓ
５を介して電気的に接続され、３段のバンドパスフィル
タＢＰＦ２を構成している。さらに、バンドパスフィル
タＢＰＦ１の一端（共振器Ｑ１）は送信用端子電極Ｔｘ
に接続され、他端（共振器Ｑ３）はインピーダンスマッ
チング用インダクタＬｓ１を介してアンテナ用端子電極
ＡＮＴに接続されている。バンドパスフィルタＢＰＦ２
の一端（共振器Ｑ６）は受信用端子電極Ｒｘに接続さ
れ、他端（共振器Ｑ４）はインピーダンスマッチング用
インダクタＬｓ２を介してアンテナ用端子電極ＡＮＴに
接続されている。
【００３０】次に、以上の構成からなる積層型デュプレ
クサ４１の作用効果について説明する。このデュプレク
サ４１は、送信回路系（図示せず）から送信用端子電極
Ｔｘに入った送信信号をバンドパスフィルタＢＰＦ１を
介してアンテナ用端子電極ＡＮＴから出力すると共に、
アンテナ用端子電極ＡＮＴから入った受信信号をバンド
パスフィルタＢＰＦ２を介して受信用端子電極Ｒｘから
受信回路系（図示せず）に出力する。
クサ４１の作用効果について説明する。このデュプレク
サ４１は、送信回路系（図示せず）から送信用端子電極
Ｔｘに入った送信信号をバンドパスフィルタＢＰＦ１を
介してアンテナ用端子電極ＡＮＴから出力すると共に、
アンテナ用端子電極ＡＮＴから入った受信信号をバンド
パスフィルタＢＰＦ２を介して受信用端子電極Ｒｘから
受信回路系（図示せず）に出力する。
【００３１】バンドパスフィルタＢＰＦ１の通過周波数
は、インダクタＬ１とコンデンサＣ１にて構成される共
振器Ｑ１と、インダクタＬ２とコンデンサＣ２にて構成
される共振器Ｑ２と、インダクタＬ３とコンデンサＣ３
にて構成される共振器Ｑ３のそれぞれの共振周波数によ
って決まる。そして、バンドパスフィルタＢＰＦ１の通
過周波数調整は、例えば、コンデンサＣ１〜Ｃ３のコン
デンサパターン５０，５１，５２の面積を変えることに
よって、コンデンサＣ１，Ｃ２，Ｃ３の静電容量を変え
て行われる。
は、インダクタＬ１とコンデンサＣ１にて構成される共
振器Ｑ１と、インダクタＬ２とコンデンサＣ２にて構成
される共振器Ｑ２と、インダクタＬ３とコンデンサＣ３
にて構成される共振器Ｑ３のそれぞれの共振周波数によ
って決まる。そして、バンドパスフィルタＢＰＦ１の通
過周波数調整は、例えば、コンデンサＣ１〜Ｃ３のコン
デンサパターン５０，５１，５２の面積を変えることに
よって、コンデンサＣ１，Ｃ２，Ｃ３の静電容量を変え
て行われる。
【００３２】一方、バンドパスフィルタＢＰＦ２の通過
周波数は、インダクタＬ４とコンデンサＣ４にて構成さ
れる共振器Ｑ４と、インダクタＬ５とコンデンサＣ５に
て構成される共振器Ｑ５と、インダクタＬ６とコンデン
サＣ６にて構成される共振器Ｑ６のそれぞれの共振周波
数によって決まる。そして、バンドパスフィルタＢＰＦ
２の通過周波数調整は、例えば、コンデンサＣ４〜Ｃ６
のコンデンサパターン５３，５４，５５の面積を変える
ことによって行われる。
周波数は、インダクタＬ４とコンデンサＣ４にて構成さ
れる共振器Ｑ４と、インダクタＬ５とコンデンサＣ５に
て構成される共振器Ｑ５と、インダクタＬ６とコンデン
サＣ６にて構成される共振器Ｑ６のそれぞれの共振周波
数によって決まる。そして、バンドパスフィルタＢＰＦ
２の通過周波数調整は、例えば、コンデンサＣ４〜Ｃ６
のコンデンサパターン５３，５４，５５の面積を変える
ことによって行われる。
【００３３】以上の積層型デュプレクサ４１は、柱状の
インダクタＬ１〜Ｌ６のＱ値を向上させる場合には、各
ビアホール６１ａ〜６１ｅ，…，６６ａ〜６６ｅの数を
増やして連接させたり、断面積を大きくしたりすること
によって、インダクタＬ１〜Ｌ６の断面積を広くし、イ
ンダクタＬ１〜Ｌ６の抵抗値を小さくする。これによ
り、従来のインダクタ用パターンの厚みを厚くしたり、
パターン幅を広くする必要がなくなり、焼成時における
デラミネーションや部品の大型化の問題を解消すること
ができる。
インダクタＬ１〜Ｌ６のＱ値を向上させる場合には、各
ビアホール６１ａ〜６１ｅ，…，６６ａ〜６６ｅの数を
増やして連接させたり、断面積を大きくしたりすること
によって、インダクタＬ１〜Ｌ６の断面積を広くし、イ
ンダクタＬ１〜Ｌ６の抵抗値を小さくする。これによ
り、従来のインダクタ用パターンの厚みを厚くしたり、
パターン幅を広くする必要がなくなり、焼成時における
デラミネーションや部品の大型化の問題を解消すること
ができる。
【００３４】また、インダクタＬ１〜Ｌ６とパターン５
０〜５５，７０〜７５，９０ａ〜９１ｂとが垂直に配置
されているので、インダクタＬ１〜Ｌ６に電流が流れた
ときに発生する磁束φは、パターン５０〜５５等を貫通
せず、これらのパターン５０〜５５等に渦電流が発生し
ない。従って、渦電流損が少なく、Ｑ値の高いインダク
タＬ１〜Ｌ６が得られる。
０〜５５，７０〜７５，９０ａ〜９１ｂとが垂直に配置
されているので、インダクタＬ１〜Ｌ６に電流が流れた
ときに発生する磁束φは、パターン５０〜５５等を貫通
せず、これらのパターン５０〜５５等に渦電流が発生し
ない。従って、渦電流損が少なく、Ｑ値の高いインダク
タＬ１〜Ｌ６が得られる。
【００３５】なお、本発明に係る積層型デュプレクサは
前記実施形態に限定するものではなく、その要旨の範囲
内で種々に変更することができる。例えば、インダクタ
用ビアホールは、直線状のものの他に、ミアンダライン
形状やスパイラル形状等であってもよい。また、シール
ドパターンが積層体の上部又は下部のいずれか一方にの
み配設されているものであってもよい。また、インピー
ダンスマッチング用インダクタＬｓ１，Ｌｓ２のいずれ
か１つを備えるデュプレクサであってもよい。
前記実施形態に限定するものではなく、その要旨の範囲
内で種々に変更することができる。例えば、インダクタ
用ビアホールは、直線状のものの他に、ミアンダライン
形状やスパイラル形状等であってもよい。また、シール
ドパターンが積層体の上部又は下部のいずれか一方にの
み配設されているものであってもよい。また、インピー
ダンスマッチング用インダクタＬｓ１，Ｌｓ２のいずれ
か１つを備えるデュプレクサであってもよい。
【００３６】また、デュプレクサとしては、バンドパス
フィルタを組み合わせて構成したデュプレクサの他に、
ローパスフィルタ、ハイパスフィルタおよびトラップ回
路、あるいは、これら異なる種類の回路を組み合わせて
デュプレクサあるいはトリプレクサ等、複数の周波数を
扱う分波器を構成してもよい。また、デュプレクサにお
いて、フィルタの共振器の全てのインダクタをビアホー
ルにて構成させる必要はなく、インダクタのうちのいく
つかをビアホールにて構成するものであってもよい。
フィルタを組み合わせて構成したデュプレクサの他に、
ローパスフィルタ、ハイパスフィルタおよびトラップ回
路、あるいは、これら異なる種類の回路を組み合わせて
デュプレクサあるいはトリプレクサ等、複数の周波数を
扱う分波器を構成してもよい。また、デュプレクサにお
いて、フィルタの共振器の全てのインダクタをビアホー
ルにて構成させる必要はなく、インダクタのうちのいく
つかをビアホールにて構成するものであってもよい。
【００３７】さらに、前記実施形態は、それぞれ導体パ
ターンやビアホールが形成された絶縁体シートを積み重
ねた後、一体的に焼成するものであるが、必ずしもこれ
に限定されない。絶縁体シートは予め焼成されたものを
用いてもよい。また、以下に説明する製法によって共振
器等を製造してもよい。印刷等の方法によりペースト状
の絶縁材料にて絶縁体層を形成した後、その絶縁体層の
表面にペースト状の導電性材料を塗布して導体パターン
やビアホールを形成する。次に、ペースト状の絶縁材料
を上から塗布して絶縁体層とする。同様にして、順に重
ね塗りすることにより、積層構造を有するデュプレクサ
が得られる。
ターンやビアホールが形成された絶縁体シートを積み重
ねた後、一体的に焼成するものであるが、必ずしもこれ
に限定されない。絶縁体シートは予め焼成されたものを
用いてもよい。また、以下に説明する製法によって共振
器等を製造してもよい。印刷等の方法によりペースト状
の絶縁材料にて絶縁体層を形成した後、その絶縁体層の
表面にペースト状の導電性材料を塗布して導体パターン
やビアホールを形成する。次に、ペースト状の絶縁材料
を上から塗布して絶縁体層とする。同様にして、順に重
ね塗りすることにより、積層構造を有するデュプレクサ
が得られる。
【００３８】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明に
よれば、柱状のインダクタはビアホールを連接して構成
されるので、ビアホールの数を増やして連接させたり、
断面積を大きくしたりすることによって、インダクタの
抵抗値を小さくする。これにより、従来のインダクタ用
パターンの厚みを厚くしたり、パターン幅を広くする必
要がなくなり、焼成時におけるデラミネーションや部品
の大型化の問題を解消することができる。
よれば、柱状のインダクタはビアホールを連接して構成
されるので、ビアホールの数を増やして連接させたり、
断面積を大きくしたりすることによって、インダクタの
抵抗値を小さくする。これにより、従来のインダクタ用
パターンの厚みを厚くしたり、パターン幅を広くする必
要がなくなり、焼成時におけるデラミネーションや部品
の大型化の問題を解消することができる。
【００３９】また、柱状のインダクタとシールドパター
ンやコンデンサパターンとが垂直に配置されているの
で、インダクタにより発生する磁束がシールドパターン
やコンデンサパターンを貫通せず、これらのパターンに
渦電流が発生しない。この結果、渦電流損が少なく、Ｑ
値の高いインダクタを得ることができる。
ンやコンデンサパターンとが垂直に配置されているの
で、インダクタにより発生する磁束がシールドパターン
やコンデンサパターンを貫通せず、これらのパターンに
渦電流が発生しない。この結果、渦電流損が少なく、Ｑ
値の高いインダクタを得ることができる。
【図１】本発明に係る積層型デュプレクサの一実施形態
を示す分解斜視図。
を示す分解斜視図。
【図２】図１に示した積層型デュプレクサの外観を示す
斜視図。
斜視図。
【図３】図２に示した積層型デュプレクサの電気等価回
路図。
路図。
【図４】従来の積層型デュプレクサの分解斜視図。
【図５】図４に示した積層型デュプレクサの外観を示す
斜視図。
斜視図。
４１…積層型デュプレクサ ４２〜４９…絶縁体シート ５０〜５５…周波数調整用コンデンサパターン ６１ａ〜６１ｅ，…，６６ａ〜６６ｅ…インダクタ用ビ
アホール ８４，８５…インダクタ用パターン ＢＰＦ１，ＢＰＦ２…バンドパスフィルタ Ｃ１〜Ｃ６…コンデンサ Ｌ１〜Ｌ６…インダクタ Ｑ１〜Ｑ６…ＬＣ共振器 Ｌｓ１，Ｌｓ２…インピーダンスマッチング用インダク
タ
アホール ８４，８５…インダクタ用パターン ＢＰＦ１，ＢＰＦ２…バンドパスフィルタ Ｃ１〜Ｃ６…コンデンサ Ｌ１〜Ｌ６…インダクタ Ｑ１〜Ｑ６…ＬＣ共振器 Ｌｓ１，Ｌｓ２…インピーダンスマッチング用インダク
タ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 野村 浩子 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 Ｆターム(参考） 5J006 HD08 HD11 HD12 JA01 KA01 LA02 LA21 MA03 MB01 NA03 NB07 NC02 5J024 AA01 BA11 DA01 DA29 DA35 EA03
Claims (1)
- 【請求項１】 絶縁体層を積み重ねて構成した積層体
に、インダクタとコンデンサとにより形成された複数個
のフィルタを埋設した積層型デュプレクサにおいて、 前記フィルタのインダクタが、前記絶縁体層の積み重ね
方向に連接されたビアホールにより構成されるととも
に、前記フィルタのうち少なくとも二つの隣り合うフィ
ルタが、マッチング用インダクタパターンを介して電気
的に接続されていることを特徴とする積層型デュプレク
サ。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35077199A JP2001168669A (ja) | 1999-12-09 | 1999-12-09 | 積層型デュプレクサ |
| EP00127007A EP1107346A3 (en) | 1999-12-09 | 2000-12-08 | Duplexer having laminated structure |
| US09/734,161 US6414567B2 (en) | 1999-12-09 | 2000-12-11 | Duplexer having laminated structure |
| CNB001345265A CN1166025C (zh) | 1999-12-09 | 2000-12-11 | 具有叠层结构的双工器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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