JP3201005B2 - デュプレクサ - Google Patents
デュプレクサInfo
- Publication number
- JP3201005B2 JP3201005B2 JP25744592A JP25744592A JP3201005B2 JP 3201005 B2 JP3201005 B2 JP 3201005B2 JP 25744592 A JP25744592 A JP 25744592A JP 25744592 A JP25744592 A JP 25744592A JP 3201005 B2 JP3201005 B2 JP 3201005B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- filter
- dielectric layer
- duplexer
- capacitor electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
- H03H7/46—Networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
- H03H7/463—Duplexers
Landscapes
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明はデュプレクサに関し、
特にたとえば、周波数の異なる信号を入出力するための
デュプレクサに関する。
特にたとえば、周波数の異なる信号を入出力するための
デュプレクサに関する。
【０００２】
【従来の技術】図７はこの発明の背景となる従来のデュ
プレクサの一例を示す図解図である。デュプレクサ１
は、ローパスフィルタ２と並列共振器であるトラップ３
および４とで構成される。このデュプレクサ１では、ロ
ーパスフィルタ２とトラップ３とで低周波側のフィルタ
が形成される。つまり、ローパスフィルタ２の入力端５
に入力された信号は、トラップ３を介して、共通出力端
６から出力される。また、別のトラップ４によって高周
波側のフィルタが形成される。つまり、トラップ４の入
力端７に入力された信号は、共通出力端６から出力され
る。
プレクサの一例を示す図解図である。デュプレクサ１
は、ローパスフィルタ２と並列共振器であるトラップ３
および４とで構成される。このデュプレクサ１では、ロ
ーパスフィルタ２とトラップ３とで低周波側のフィルタ
が形成される。つまり、ローパスフィルタ２の入力端５
に入力された信号は、トラップ３を介して、共通出力端
６から出力される。また、別のトラップ４によって高周
波側のフィルタが形成される。つまり、トラップ４の入
力端７に入力された信号は、共通出力端６から出力され
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来のデュプレクサでは、ローパスフィルタやトラ
ップなどの個別の部品を使用しているために大型とな
り、今後さらに小型化が予想される通信機器などの分野
の要求に応えるのは困難である。さらに、１つ１つの部
品の特性ばらつきによって、デュプレクサとしての回路
が正常に動作しなくなることがあった。また、複数の部
品を接続することによってデュプレクサを構成している
ため、接続線路に浮遊容量や浮遊インダクタンスなどの
素子値が入り、所望の特性を得られない場合があった。
うな従来のデュプレクサでは、ローパスフィルタやトラ
ップなどの個別の部品を使用しているために大型とな
り、今後さらに小型化が予想される通信機器などの分野
の要求に応えるのは困難である。さらに、１つ１つの部
品の特性ばらつきによって、デュプレクサとしての回路
が正常に動作しなくなることがあった。また、複数の部
品を接続することによってデュプレクサを構成している
ため、接続線路に浮遊容量や浮遊インダクタンスなどの
素子値が入り、所望の特性を得られない場合があった。
【０００４】それゆえに、この発明の主たる目的は、小
型化が可能で、所望の特性を得ることができ、しかも確
実に動作するデュプレクサを提供することである。
型化が可能で、所望の特性を得ることができ、しかも確
実に動作するデュプレクサを提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この発明は、インダクタ
ンス形成用電極とキャパシタンス形成用電極とが形成さ
れた複数の誘電体層を積層した高周波側フィルタと、別
のインダクタンス形成用電極と別のキャパシタンス形成
用電極とが形成された複数の誘電体層を積層した低周波
側フィルタとからなるブロック体を含み、高周波側フィ
ルタと低周波側フィルタとを電磁気的に遮蔽するための
シールド電極を挟んで、高周波側フィルタと前記低周波
側フィルタとを積層したデュプレクサであって、キャパ
シタンス形成用電極は、インダクタンス形成用電極を挟
んでシールド電極の反対側に形成され、かつ複数の誘電
体層の積層方向に対してブロック体の一方主面側に配置
され、別のキャパシタンス形成用電極は、別のインダク
タンス形成用電極を挟んでシールド電極の反対側に形成
され、かつ複数の誘電体層の積層方向に対してブロック
体の他方主面側に配置された、デュプレクサである。
ンス形成用電極とキャパシタンス形成用電極とが形成さ
れた複数の誘電体層を積層した高周波側フィルタと、別
のインダクタンス形成用電極と別のキャパシタンス形成
用電極とが形成された複数の誘電体層を積層した低周波
側フィルタとからなるブロック体を含み、高周波側フィ
ルタと低周波側フィルタとを電磁気的に遮蔽するための
シールド電極を挟んで、高周波側フィルタと前記低周波
側フィルタとを積層したデュプレクサであって、キャパ
シタンス形成用電極は、インダクタンス形成用電極を挟
んでシールド電極の反対側に形成され、かつ複数の誘電
体層の積層方向に対してブロック体の一方主面側に配置
され、別のキャパシタンス形成用電極は、別のインダク
タンス形成用電極を挟んでシールド電極の反対側に形成
され、かつ複数の誘電体層の積層方向に対してブロック
体の他方主面側に配置された、デュプレクサである。
【０００６】
【作用】高周波側フィルタと低周波側フィルタとが積層
構造で形成されるため、各部品が集中して形成される。
また、低周波側フィルタと高周波側フィルタとがシール
ド電極によって遮蔽された状態で積層されるため、これ
らのフィルタ間における干渉が小さくなる。
構造で形成されるため、各部品が集中して形成される。
また、低周波側フィルタと高周波側フィルタとがシール
ド電極によって遮蔽された状態で積層されるため、これ
らのフィルタ間における干渉が小さくなる。
【０００７】
【発明の効果】この発明によれば、各部品が集中して形
成されるため、浮遊容量や浮遊インダクタンスなどの素
子値が入らず、さらに高周波側フィルタと低周波側フィ
ルタとの間における干渉が小さいため、所望の特性を得
ることができる。また、このデュプレクサは積層構造に
よって一体的に形成されているため、１チップの部品と
して形成され、部品間の特性ばらつきによるデュプレク
サの動作不良を防止することができる。しかも、１チッ
プのデュプレクサとすることができるため、小型化が可
能である。
成されるため、浮遊容量や浮遊インダクタンスなどの素
子値が入らず、さらに高周波側フィルタと低周波側フィ
ルタとの間における干渉が小さいため、所望の特性を得
ることができる。また、このデュプレクサは積層構造に
よって一体的に形成されているため、１チップの部品と
して形成され、部品間の特性ばらつきによるデュプレク
サの動作不良を防止することができる。しかも、１チッ
プのデュプレクサとすることができるため、小型化が可
能である。
【０００８】この発明の上述の目的，その他の目的，特
徴および利点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳
細な説明から一層明らかとなろう。
徴および利点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳
細な説明から一層明らかとなろう。
【０００９】
【実施例】図１はこの発明の一実施例を示す斜視図であ
る。デュプレクサ１０はブロック体１２を含む。ブロッ
ク体１２は、図２に示すように、誘電体で形成された第
１の外層１４を含み、この第１の外層１４上に第１の誘
電体層１６が配置される。第１の誘電体層１６上には、
第１のコンデンサ電極１８が形成される。第１のコンデ
ンサ電極１８は、第１の誘電体層１６の一方端側に近い
部分において面状に形成され、第１の誘電体層１６の一
方端側に引き出される。第１の電極１８上には、第２の
誘電体層２０が配置される。第２の誘電体層２０上に
は、第２のコンデンサ電極２２が形成される。第２のコ
ンデンサ電極２２は、第１のコンデンサ電極１８に対向
する位置に形成されるが、さらに第１のコンデンサ電極
１８に対向していない部分にも拡がるように形成され
る。そして、第２のコンデンサ電極２２も、第２の誘電
体層２０の一方端側に引き出される。
る。デュプレクサ１０はブロック体１２を含む。ブロッ
ク体１２は、図２に示すように、誘電体で形成された第
１の外層１４を含み、この第１の外層１４上に第１の誘
電体層１６が配置される。第１の誘電体層１６上には、
第１のコンデンサ電極１８が形成される。第１のコンデ
ンサ電極１８は、第１の誘電体層１６の一方端側に近い
部分において面状に形成され、第１の誘電体層１６の一
方端側に引き出される。第１の電極１８上には、第２の
誘電体層２０が配置される。第２の誘電体層２０上に
は、第２のコンデンサ電極２２が形成される。第２のコ
ンデンサ電極２２は、第１のコンデンサ電極１８に対向
する位置に形成されるが、さらに第１のコンデンサ電極
１８に対向していない部分にも拡がるように形成され
る。そして、第２のコンデンサ電極２２も、第２の誘電
体層２０の一方端側に引き出される。
【００１０】第２のコンデンサ電極２２上には、第３の
誘電体層２４が配置される。第３の誘電体層２４上に
は、第３のコンデンサ電極２６が形成される。第３のコ
ンデンサ電極２６は、第２のコンデンサ電極２２に対向
する位置に形成されるが、さらに第２のコンデンサ電極
２２と対向しない部分にも拡がるように形成される。第
３のコンデンサ電極２６も、第３の誘電体層２４の一方
端側に引き出される。第３のコンデンサ電極２６上に
は、第４の誘電体層２８が配置される。第４の誘電体層
２８上には、第４のコンデンサ電極３０が形成される。
第４のコンデンサ電極３０は、第３のコンデンサ電極２
６に対向する位置に形成される。そして、第４のコンデ
ンサ電極３０も、第４の誘電体層２８の一方端側に引き
出される。これらの第１のコンデンサ電極１８，第２の
コンデンサ電極２２，第３のコンデンサ電極２６および
第４のコンデンサ電極３０は、それぞれ各誘電体層の一
方端側に引き出されるが、その引き出し位置は互いにず
れるように配置される。
誘電体層２４が配置される。第３の誘電体層２４上に
は、第３のコンデンサ電極２６が形成される。第３のコ
ンデンサ電極２６は、第２のコンデンサ電極２２に対向
する位置に形成されるが、さらに第２のコンデンサ電極
２２と対向しない部分にも拡がるように形成される。第
３のコンデンサ電極２６も、第３の誘電体層２４の一方
端側に引き出される。第３のコンデンサ電極２６上に
は、第４の誘電体層２８が配置される。第４の誘電体層
２８上には、第４のコンデンサ電極３０が形成される。
第４のコンデンサ電極３０は、第３のコンデンサ電極２
６に対向する位置に形成される。そして、第４のコンデ
ンサ電極３０も、第４の誘電体層２８の一方端側に引き
出される。これらの第１のコンデンサ電極１８，第２の
コンデンサ電極２２，第３のコンデンサ電極２６および
第４のコンデンサ電極３０は、それぞれ各誘電体層の一
方端側に引き出されるが、その引き出し位置は互いにず
れるように配置される。
【００１１】第４のコンデンサ電極３０上には、誘電体
で形成された第１のダミー層３２が配置され、さらにそ
の上に第５の誘電体層３４が配置される。第５の誘電体
層３４上には、第１のコイル電極３６が形成される。第
１のコイル電極３６は、第５の誘電体層３４の一方端側
から第５の誘電体層３４の面上を周回するようにして形
成され、再び第５の誘電体層３４の一方端側に引き出さ
れる。さらに、第５の誘電体層３４上には、第１のコイ
ル電極３６に接続されるようにして、第２のコイル電極
３８が形成される。第２のコイル電極３８は、第１のコ
イル電極３６から蛇行するようにして、第５の誘電体層
３４の他方端側に引き出される。そして、第１のコイル
電極３６および第２のコイル電極３８上には、誘電体で
形成された第２のダミー層４０が配置される。
で形成された第１のダミー層３２が配置され、さらにそ
の上に第５の誘電体層３４が配置される。第５の誘電体
層３４上には、第１のコイル電極３６が形成される。第
１のコイル電極３６は、第５の誘電体層３４の一方端側
から第５の誘電体層３４の面上を周回するようにして形
成され、再び第５の誘電体層３４の一方端側に引き出さ
れる。さらに、第５の誘電体層３４上には、第１のコイ
ル電極３６に接続されるようにして、第２のコイル電極
３８が形成される。第２のコイル電極３８は、第１のコ
イル電極３６から蛇行するようにして、第５の誘電体層
３４の他方端側に引き出される。そして、第１のコイル
電極３６および第２のコイル電極３８上には、誘電体で
形成された第２のダミー層４０が配置される。
【００１２】第２のダミー層４０上には、第６の誘電体
層４２が配置される。第６の誘電体層４２上には、その
ほぼ全面にシールド電極４４が形成される。シールド電
極４４は、第６の誘電体層４２の一方端側の第１のコン
デンサ電極１８に対応する位置に引き出される。シール
ド電極４４上には、誘電体で形成された第３のダミー層
４６が配置される。
層４２が配置される。第６の誘電体層４２上には、その
ほぼ全面にシールド電極４４が形成される。シールド電
極４４は、第６の誘電体層４２の一方端側の第１のコン
デンサ電極１８に対応する位置に引き出される。シール
ド電極４４上には、誘電体で形成された第３のダミー層
４６が配置される。
【００１３】第３のダミー層４６上には、第７の誘電体
層４８が配置される。第７の誘電体層４８上には、第３
のコイル電極５０が形成される。第３のコイル電極５０
は、第７の誘電体層４８の他方端側から周回するように
形成され、再び第７の誘電体層４８の他方端側に引き出
される。さらに、第７の誘電体層４８上には、第３のコ
イル電極５０から蛇行するように第４のコイル電極５２
が形成され、第７の誘電体層４８の一方端側に引き出さ
れる。第４のコイル電極５２の引き出し部は、第４のコ
ンデンサ電極３０の引き出し部に対応する位置に配置さ
れる。
層４８が配置される。第７の誘電体層４８上には、第３
のコイル電極５０が形成される。第３のコイル電極５０
は、第７の誘電体層４８の他方端側から周回するように
形成され、再び第７の誘電体層４８の他方端側に引き出
される。さらに、第７の誘電体層４８上には、第３のコ
イル電極５０から蛇行するように第４のコイル電極５２
が形成され、第７の誘電体層４８の一方端側に引き出さ
れる。第４のコイル電極５２の引き出し部は、第４のコ
ンデンサ電極３０の引き出し部に対応する位置に配置さ
れる。
【００１４】第３のコイル電極５０および第４のコイル
電極５２上には、誘電体で形成された第４のダミー層５
４が配置され、さらにその上に第８の誘電体層５６が配
置される。第８の誘電体層５６上には、第５のコンデン
サ電極５８が形成される。第５のコンデンサ電極５８
は、第８の誘電体層５６の他方端側に引き出される。第
５のコンデンサ電極５８上には、第９の誘電体層６０が
配置される。第９の誘電体層６０上には、第６のコンデ
ンサ電極６２が形成される。第６のコンデンサ電極６２
は、第５のコンデンサ電極５８に対向する位置に形成さ
れ、第９の誘電体層６０の他方端側に引き出される。た
だし、第５のコンデンサ電極５８と第６のコンデンサ電
極６２とは、互いにずれた位置に引き出される。そし
て、第６のコンデンサ電極６２上には、誘電体で形成さ
れた第２の外層６４が配置される。
電極５２上には、誘電体で形成された第４のダミー層５
４が配置され、さらにその上に第８の誘電体層５６が配
置される。第８の誘電体層５６上には、第５のコンデン
サ電極５８が形成される。第５のコンデンサ電極５８
は、第８の誘電体層５６の他方端側に引き出される。第
５のコンデンサ電極５８上には、第９の誘電体層６０が
配置される。第９の誘電体層６０上には、第６のコンデ
ンサ電極６２が形成される。第６のコンデンサ電極６２
は、第５のコンデンサ電極５８に対向する位置に形成さ
れ、第９の誘電体層６０の他方端側に引き出される。た
だし、第５のコンデンサ電極５８と第６のコンデンサ電
極６２とは、互いにずれた位置に引き出される。そし
て、第６のコンデンサ電極６２上には、誘電体で形成さ
れた第２の外層６４が配置される。
【００１５】これらの電極が形成された層が積層された
状態で、ブロック体１２が形成されている。ブロック体
１２の対向する側面には、外部電極６６ａ，６６ｂ，６
６ｃ，６６ｄ，６６ｅ，６６ｆ，６６ｇおよび６６ｈが
形成される。これらの外部電極６６ａ〜６６ｈは、ブロ
ック体１２の側面から両主面に延びるように、断面コ字
状に形成される。外部電極６６ａは、第１のコンデンサ
電極１８およびシールド電極４４に接続される。また、
外部電極６６ｂは、第２のコンデンサ電極２２および第
１のコイル電極３６の一端に接続される。さらに、外部
電極６６ｃは、第３のコンデンサ電極２６および第１の
コイル電極３６の他端に接続される。また、外部電極６
６ｄは、第４のコンデンサ電極３０および第４のコイル
電極５２の一端に接続される。
状態で、ブロック体１２が形成されている。ブロック体
１２の対向する側面には、外部電極６６ａ，６６ｂ，６
６ｃ，６６ｄ，６６ｅ，６６ｆ，６６ｇおよび６６ｈが
形成される。これらの外部電極６６ａ〜６６ｈは、ブロ
ック体１２の側面から両主面に延びるように、断面コ字
状に形成される。外部電極６６ａは、第１のコンデンサ
電極１８およびシールド電極４４に接続される。また、
外部電極６６ｂは、第２のコンデンサ電極２２および第
１のコイル電極３６の一端に接続される。さらに、外部
電極６６ｃは、第３のコンデンサ電極２６および第１の
コイル電極３６の他端に接続される。また、外部電極６
６ｄは、第４のコンデンサ電極３０および第４のコイル
電極５２の一端に接続される。
【００１６】外部電極６６ｅは、第３のコイル電極５０
の一方端および第５のコンデンサ電極５８に接続され
る。また、外部電極６６ｆは、第３のコイル電極５０の
他方端および第６のコンデンサ電極６２に接続される。
外部電極６６ｇはダミー電極として使用され、外部電極
６６ｈは第２のコイル電極３８に接続される。
の一方端および第５のコンデンサ電極５８に接続され
る。また、外部電極６６ｆは、第３のコイル電極５０の
他方端および第６のコンデンサ電極６２に接続される。
外部電極６６ｇはダミー電極として使用され、外部電極
６６ｈは第２のコイル電極３８に接続される。
【００１７】このデュプレクサ１０の等価回路が、図３
に示される。この等価回路において、高周波側フィルタ
７０と低周波側フィルタ７２とが形成されている。高周
波側フィルタ７０は、インダクタンスＬ１とコンデンサ
Ｃ１とで形成されるトラップを含み、このトラップにイ
ンダクタンスＬ４が接続されている。そして、トラップ
は入力端Ｈinに接続され、インダクタンスＬ４は共通出
力端Ｏに接続される。また、低周波側フィルタ７２は、
インダクタンスＬ２とコンデンサＣ２とで形成されるト
ラップを含み、このトラップにインダクタンスＬ３とコ
ンデンサＣ４とで形成されるローパスフィルタが接続さ
れる。そして、このローパスフィルタが入力端Ｌinに接
続され、トラップはコンデンサＣ３を介して共通出力端
Ｏに接続される。
に示される。この等価回路において、高周波側フィルタ
７０と低周波側フィルタ７２とが形成されている。高周
波側フィルタ７０は、インダクタンスＬ１とコンデンサ
Ｃ１とで形成されるトラップを含み、このトラップにイ
ンダクタンスＬ４が接続されている。そして、トラップ
は入力端Ｈinに接続され、インダクタンスＬ４は共通出
力端Ｏに接続される。また、低周波側フィルタ７２は、
インダクタンスＬ２とコンデンサＣ２とで形成されるト
ラップを含み、このトラップにインダクタンスＬ３とコ
ンデンサＣ４とで形成されるローパスフィルタが接続さ
れる。そして、このローパスフィルタが入力端Ｌinに接
続され、トラップはコンデンサＣ３を介して共通出力端
Ｏに接続される。
【００１８】このデュプレクサ１０では、第１のコンデ
ンサ電極１８と第２のコンデンサ電極２２とでコンデン
サＣ４が形成され、第２のコンデンサ電極２２と第３の
コンデンサ電極２６とでコンデンサＣ２が形成される。
さらに、第３のコンデンサ電極２６と第４のコンデンサ
電極３０とでコンデンサＣ３が形成される。また、第１
のコイル電極３６でインダクタンスＬ２が形成され、第
２のコイル電極３８でインダクタンスＬ３が形成され
る。つまり、このデュプレクサ１０では、シールド電極
４４の一方側に低周波側フィルタ７２が形成されてい
る。そして、外部電極６６ｈがその入力端Ｌinとして使
用され、外部電極６６ｄが共通出力端Ｏとして使用され
る。
ンサ電極１８と第２のコンデンサ電極２２とでコンデン
サＣ４が形成され、第２のコンデンサ電極２２と第３の
コンデンサ電極２６とでコンデンサＣ２が形成される。
さらに、第３のコンデンサ電極２６と第４のコンデンサ
電極３０とでコンデンサＣ３が形成される。また、第１
のコイル電極３６でインダクタンスＬ２が形成され、第
２のコイル電極３８でインダクタンスＬ３が形成され
る。つまり、このデュプレクサ１０では、シールド電極
４４の一方側に低周波側フィルタ７２が形成されてい
る。そして、外部電極６６ｈがその入力端Ｌinとして使
用され、外部電極６６ｄが共通出力端Ｏとして使用され
る。
【００１９】また、第３のコイル電極５０でインダクタ
ンスＬ１が形成され、第４のコイル電極５２でインダク
タンスＬ４が形成される。さらに、第５のコンデンサ電
極５８と第６のコンデンサ電極６２とでコンデンサＣ１
が形成される。つまり、このデュプレクサ１０では、シ
ールド電極４４の他方側に高周波側フィルタ７０が形成
されている。そして、外部電極６６ｅがその入力端Ｈin
として使用され、外部電極６６ａが接地用として使用さ
れる。したがって、図４に示すように、高周波側フィル
タ７０と低周波側フィルタ７２とは、シールド電極４４
によって電磁気的に遮蔽されている。なお、図３におい
て、インダクタンスＬ４およびコンデンサＣ３は挿入損
失を改善するために形成されたものであり、デュプレク
サとして動作するために必ずしも必要なものではない。
ンスＬ１が形成され、第４のコイル電極５２でインダク
タンスＬ４が形成される。さらに、第５のコンデンサ電
極５８と第６のコンデンサ電極６２とでコンデンサＣ１
が形成される。つまり、このデュプレクサ１０では、シ
ールド電極４４の他方側に高周波側フィルタ７０が形成
されている。そして、外部電極６６ｅがその入力端Ｈin
として使用され、外部電極６６ａが接地用として使用さ
れる。したがって、図４に示すように、高周波側フィル
タ７０と低周波側フィルタ７２とは、シールド電極４４
によって電磁気的に遮蔽されている。なお、図３におい
て、インダクタンスＬ４およびコンデンサＣ３は挿入損
失を改善するために形成されたものであり、デュプレク
サとして動作するために必ずしも必要なものではない。
【００２０】このデュプレクサ１０の特性が、図５およ
び図６に示される。図５は高周波側フィルタ７０の周波
数特性であり、図６は低周波側フィルタ７２の周波数特
性である。図５および図６からわかるように、予期でき
ないような共振点などがなく、それぞれの回路の特性が
よくでている。これは、デュプレクサ１０が積層タイプ
であるために各素子が集中して形成され、浮遊容量や浮
遊インダクタンスなどの素子値が入らないためであると
考えられる。また、高周波側フィルタ７０と低周波側フ
ィルタ７２とがシールド電極４４で電磁気的に遮蔽され
ているため、これらの間の干渉が少ないことも、良好な
特性を得られる原因であると考えられる。
び図６に示される。図５は高周波側フィルタ７０の周波
数特性であり、図６は低周波側フィルタ７２の周波数特
性である。図５および図６からわかるように、予期でき
ないような共振点などがなく、それぞれの回路の特性が
よくでている。これは、デュプレクサ１０が積層タイプ
であるために各素子が集中して形成され、浮遊容量や浮
遊インダクタンスなどの素子値が入らないためであると
考えられる。また、高周波側フィルタ７０と低周波側フ
ィルタ７２とがシールド電極４４で電磁気的に遮蔽され
ているため、これらの間の干渉が少ないことも、良好な
特性を得られる原因であると考えられる。
【００２１】さらに、このデュプレクサ１０では、外部
電極６６ａがプリント基板などの接地電極に接続される
が、接地電極からの距離が大きいフィルタの挿入損失が
小さく、接地電極からの距離が小さいフィルタの減衰量
が大きくなる。この実施例では、高周波側フィルタ７０
においては挿入損失が重視され、低周波側フィルタ７２
においては減衰量が重視されている。したがって、外部
電極６６ａに接続された第１のコンデンサ電極１８側に
低周波側フィルタ７２が形成され、第１のコンデンサ電
極１８から遠い部分に高周波側フィルタ７０が形成され
ている。
電極６６ａがプリント基板などの接地電極に接続される
が、接地電極からの距離が大きいフィルタの挿入損失が
小さく、接地電極からの距離が小さいフィルタの減衰量
が大きくなる。この実施例では、高周波側フィルタ７０
においては挿入損失が重視され、低周波側フィルタ７２
においては減衰量が重視されている。したがって、外部
電極６６ａに接続された第１のコンデンサ電極１８側に
低周波側フィルタ７２が形成され、第１のコンデンサ電
極１８から遠い部分に高周波側フィルタ７０が形成され
ている。
【００２２】このデュプレクサ１０は積層型であり、そ
の内部に各部品が形成されているため、従来のように複
数の部品を使用する必要がない。そのため、安価に回路
を作製することができ、部品間の特性ばらつきによる動
作不良を防止することができる。さらに、このデュプレ
クサ１０はチップ型とすることができ、小型化すること
も可能である。
の内部に各部品が形成されているため、従来のように複
数の部品を使用する必要がない。そのため、安価に回路
を作製することができ、部品間の特性ばらつきによる動
作不良を防止することができる。さらに、このデュプレ
クサ１０はチップ型とすることができ、小型化すること
も可能である。
【図１】この発明の一実施例を示す斜視図である。
【図２】図１に示すデュプレクサのブロック体の分解斜
視図である。
視図である。
【図３】図１に示すデュプレクサの等価回路図である。
【図４】図１に示すデュプレクサの高周波側フィルタと
低周波側フィルタとの関係を示す図解図である。
低周波側フィルタとの関係を示す図解図である。
【図５】図１に示すデュプレクサの高周波側フィルタの
周波数特性を示すグラフである。
周波数特性を示すグラフである。
【図６】図１に示すデュプレクサの低周波側フィルタの
周波数特性を示すグラフである。
周波数特性を示すグラフである。
【図７】この発明の背景となる従来のデュプレクサの一
例を示す図解図である。
例を示す図解図である。
１０ デュプレクサ １２ ブロック体 １６ 第１の誘電体層 １８ 第１のコンデンサ電極 ２０ 第２の誘電体層 ２２ 第２のコンデンサ電極 ２４ 第３の誘電体層 ２６ 第３のコンデンサ電極 ２８ 第４の誘電体層 ３０ 第４のコンデンサ電極 ３４ 第５の誘電体層 ３６ 第１のコイル電極 ３８ 第２のコイル電極 ４２ 第６の誘電体層 ４４ シールド電極 ４８ 第７の誘電体層 ５０ 第３のコイル電極 ５２ 第４のコイル電極 ５６ 第８の誘電体層 ５８ 第５のコンデンサ電極 ６０ 第９の誘電体層 ６２ 第６のコンデンサ電極 ７０ 高周波側フィルタ ７２ 低周波側フィルタ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平４−207806（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−225612（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−272213（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−67809（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H03H 7/46 H03H 5/00 - 7/12
Claims (1)
- 【請求項１】 インダクタンス形成用電極とキャパシタ
ンス形成用電極とが形成された複数の誘電体層を積層し
た高周波側フィルタ、および別のインダクタンス形成用
電極と別のキャパシタンス形成用電極とが形成された複
数の誘電体層を積層した低周波側フィルタからなるブロ
ック体を含み、 前記高周波側フィルタと前記低周波側フィルタとを電磁
気的に遮蔽するためのシールド電極を挟んで、前記高周
波側フィルタと前記低周波側フィルタとを積層したデュ
プレクサであって、 前記キャパシタンス形成用電極は、前記インダクタンス
形成用電極を挟んで前記シールド電極の反対側に形成さ
れ、かつ前記複数の誘電体層の積層方向に対して前記ブ
ロック体の一方主面側に配置され、 前記別のキャパシタンス形成用電極は、前記別のインダ
クタンス形成用電極を挟んで前記シールド電極の反対側
に形成され、かつ前記複数の誘電体層の積層方向に対し
て前記ブロック体の他方主面側に配置された、 デュプレ
クサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25744592A JP3201005B2 (ja) | 1992-08-31 | 1992-08-31 | デュプレクサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25744592A JP3201005B2 (ja) | 1992-08-31 | 1992-08-31 | デュプレクサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0685506A JPH0685506A (ja) | 1994-03-25 |
| JP3201005B2 true JP3201005B2 (ja) | 2001-08-20 |
Family
ID=17306452
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25744592A Expired - Lifetime JP3201005B2 (ja) | 1992-08-31 | 1992-08-31 | デュプレクサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3201005B2 (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0758506A (ja) * | 1993-08-09 | 1995-03-03 | Oki Electric Ind Co Ltd | Ｌｃ型誘電体フィルタ、およびこれを用いた空中線共用器 |
| JP3139327B2 (ja) * | 1995-05-31 | 2001-02-26 | 株式会社村田製作所 | 高周波複合部品 |
| EP0793289A1 (en) * | 1996-02-27 | 1997-09-03 | Hitachi Metals, Ltd. | Multilayered frequency separator |
| EP0916185B1 (en) * | 1996-07-31 | 2001-11-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dual-band multilayer bandpass filter |
| JP3223848B2 (ja) * | 1996-08-21 | 2001-10-29 | 株式会社村田製作所 | 高周波部品 |
| JP4623398B2 (ja) * | 1997-08-11 | 2011-02-02 | 日立金属株式会社 | 積層型分波器 |
| JPH1197962A (ja) * | 1997-09-19 | 1999-04-09 | Murata Mfg Co Ltd | 高周波部品 |
| JP2001168669A (ja) * | 1999-12-09 | 2001-06-22 | Murata Mfg Co Ltd | 積層型デュプレクサ |
| JP2002280862A (ja) * | 2001-03-19 | 2002-09-27 | Murata Mfg Co Ltd | 複合型ｌｃフィルタ回路及び複合型ｌｃフィルタ部品 |
| JP7155499B2 (ja) * | 2017-04-26 | 2022-10-19 | Tdk株式会社 | 積層型電子部品およびその製造方法 |
| WO2020090230A1 (ja) * | 2018-11-01 | 2020-05-07 | 株式会社村田製作所 | 高周波モジュールおよび通信装置 |
-
1992
- 1992-08-31 JP JP25744592A patent/JP3201005B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0685506A (ja) | 1994-03-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4925185B2 (ja) | ノイズフィルタアレイ | |
| JPH03262313A (ja) | バンドパスフィルタ | |
| WO2006134916A1 (ja) | 積層フィルタ | |
| JP3201005B2 (ja) | デュプレクサ | |
| EP1100193A2 (en) | Integrated filter with improved I/O matching and method of fabrication | |
| JP3458720B2 (ja) | フィルタ装置、デュプレクサ及び通信機装置 | |
| JPH06501604A (ja) | 絶縁されたフィルタ段を有する多段モノリシック・セラミック帯域阻止フィルタ | |
| JP3126155B2 (ja) | 高周波フィルタ | |
| JP5123937B2 (ja) | 平面基板上のフィルタのグランド方法 | |
| US7782157B2 (en) | Resonant circuit, filter circuit, and multilayered substrate | |
| US5506553A (en) | High-frequency filter | |
| JPH04284606A (ja) | フィルタ素子 | |
| JP2863387B2 (ja) | 積層型誘電体フィルター | |
| JP4339819B2 (ja) | ハイパスフィルタ | |
| US20050046512A1 (en) | Demultiplexer | |
| JP2000114048A (ja) | コモンモードフィルタ | |
| JPH07245505A (ja) | 誘電体フィルタ | |
| JP3176859B2 (ja) | 誘電体フィルタ | |
| JP2773590B2 (ja) | ローパスフィルタ | |
| US20230282953A1 (en) | Multilayered filter device | |
| CN219287490U (zh) | 滤波器装置 | |
| US20230282954A1 (en) | Filter circuit | |
| US20220385260A1 (en) | Lc resonator and lc filter | |
| JPH04284703A (ja) | 多層基板による誘電体フィルタ | |
| JPH0731604Y2 (ja) | 誘電体フィルタ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080622 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090622 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090622 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100622 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110622 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120622 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130622 Year of fee payment: 12 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130622 Year of fee payment: 12 |