JP3176859B2 - 誘電体フィルタ - Google Patents
誘電体フィルタInfo
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- JP3176859B2 JP3176859B2 JP35807396A JP35807396A JP3176859B2 JP 3176859 B2 JP3176859 B2 JP 3176859B2 JP 35807396 A JP35807396 A JP 35807396A JP 35807396 A JP35807396 A JP 35807396A JP 3176859 B2 JP3176859 B2 JP 3176859B2
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- Japan
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- conductor
- dielectric
- hole
- outer conductor
- film
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、誘電体フィルタの
構造に係るもので、特に、減衰極を形成するために容量
を付加するフィルタとして用いるのに適した誘電体フィ
ルタに関するものである。
構造に係るもので、特に、減衰極を形成するために容量
を付加するフィルタとして用いるのに適した誘電体フィ
ルタに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】移動体通信機器等の数百MHz 帯域で利用
可能なフィルタとして、誘電体共振器(フィルタ) や積
層ＬＣフィルタが用いられるようになっている。同軸Ｔ
ＥＭ共振タイプの誘電体フィルタは高いＱが得られるた
めに、フィルタ、デュプレクサとして数多く使われてい
る。
可能なフィルタとして、誘電体共振器(フィルタ) や積
層ＬＣフィルタが用いられるようになっている。同軸Ｔ
ＥＭ共振タイプの誘電体フィルタは高いＱが得られるた
めに、フィルタ、デュプレクサとして数多く使われてい
る。
【０００３】誘電体フィルタには、誘電体共振器単体を
複数個接続するものと、誘電体ブロック内に複数の貫通
孔を形成して複数の共振器を一体に形成するものとがあ
る。また、溝を形成した誘電体基板を貼り合わせる構造
なども採用されている。
複数個接続するものと、誘電体ブロック内に複数の貫通
孔を形成して複数の共振器を一体に形成するものとがあ
る。また、溝を形成した誘電体基板を貼り合わせる構造
なども採用されている。
【０００４】誘電体フィルタにおいて、通過帯域特性を
調整するために、共振器間の誘導結合と容量結合を調整
したり、共振器間に容量やインダクタンスを接続したり
する技術が用いられる。共振器間に容量等を付加するた
めには、外付けの部品が必要となったり、誘電体基板を
用いたりする必要がある。
調整するために、共振器間の誘導結合と容量結合を調整
したり、共振器間に容量やインダクタンスを接続したり
する技術が用いられる。共振器間に容量等を付加するた
めには、外付けの部品が必要となったり、誘電体基板を
用いたりする必要がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】共振器間の容量等を得
るために誘電体ブロックの表面に導体膜を形成して、こ
の導体膜によってコンデンサやインダクタを形成する試
みもなされている。しかし、誘電体フィルタに用いられ
る誘電体材料は誘電率が35〜90のものが使用されてお
り、導体膜と他の導体膜との間の浮遊容量が発生して、
特性の劣化を生じる大きな要因となっている。
るために誘電体ブロックの表面に導体膜を形成して、こ
の導体膜によってコンデンサやインダクタを形成する試
みもなされている。しかし、誘電体フィルタに用いられ
る誘電体材料は誘電率が35〜90のものが使用されてお
り、導体膜と他の導体膜との間の浮遊容量が発生して、
特性の劣化を生じる大きな要因となっている。
【０００６】本発明は、誘電体ブロックの表面に容量や
インダクタンスを得るための導体膜を形成して、部品点
数の少ない誘電体フィルタを得るとともに、その導体膜
と内導体等の他の導体膜との間の浮遊容量を減少させる
ものである。
インダクタンスを得るための導体膜を形成して、部品点
数の少ない誘電体フィルタを得るとともに、その導体膜
と内導体等の他の導体膜との間の浮遊容量を減少させる
ものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、導体膜を接続
する導体パターンと誘電体ブロックとの間に、低誘電率
層を形成することによって、上記の課題を解決するもの
である。
する導体パターンと誘電体ブロックとの間に、低誘電率
層を形成することによって、上記の課題を解決するもの
である。
【０００８】すなわち、複数の平行な貫通孔を具えた誘
電体ブロックの貫通孔内に内導体、貫通孔の伸びる方向
に平行な表面に外導体、貫通孔の開口する一端面に短絡
導体を具えた誘電体フィルタにおいて、外導体が形成さ
れる表面に、外導体とは絶縁されて内導体と対向する複
数の導体膜を具え、それらの導体膜を接続する導体パタ
ーンがガラス層を介して誘電体ブロックの表面に形成さ
れたことに特徴を有するものである。
電体ブロックの貫通孔内に内導体、貫通孔の伸びる方向
に平行な表面に外導体、貫通孔の開口する一端面に短絡
導体を具えた誘電体フィルタにおいて、外導体が形成さ
れる表面に、外導体とは絶縁されて内導体と対向する複
数の導体膜を具え、それらの導体膜を接続する導体パタ
ーンがガラス層を介して誘電体ブロックの表面に形成さ
れたことに特徴を有するものである。
【０００９】また、複数の平行な貫通孔を具えた誘電体
ブロックの貫通孔内に内導体、貫通孔の伸びる方向に平
行な表面に外導体、貫通孔の開口する一端面に短絡導体
を具えた誘電体フィルタにおいて、外導体が形成される
表面に、外導体とは絶縁されて所定の内導体と対向する
導体膜を具え、その導体膜と入出力電極の一方とを接続
する導体パターンがガラス層を介して誘電体ブロックの
表面に形成されたことに特徴を有するものである。
ブロックの貫通孔内に内導体、貫通孔の伸びる方向に平
行な表面に外導体、貫通孔の開口する一端面に短絡導体
を具えた誘電体フィルタにおいて、外導体が形成される
表面に、外導体とは絶縁されて所定の内導体と対向する
導体膜を具え、その導体膜と入出力電極の一方とを接続
する導体パターンがガラス層を介して誘電体ブロックの
表面に形成されたことに特徴を有するものである。
【００１０】
【発明の実施の形態】誘電体ブロックの側面の内導体に
対向する位置に、外導体とは絶縁された導体膜を形成す
る。この導体膜は外導体の形成と同時に行うことができ
る。この導体膜と接続される他の導体膜との間の誘電体
ブロックの表面にガラス層を形成した後に、このガラス
層の表面に導体膜を接続する導体パターンを形成する。
対向する位置に、外導体とは絶縁された導体膜を形成す
る。この導体膜は外導体の形成と同時に行うことができ
る。この導体膜と接続される他の導体膜との間の誘電体
ブロックの表面にガラス層を形成した後に、このガラス
層の表面に導体膜を接続する導体パターンを形成する。
【００１１】
【実施例】以下、図面を参照して、本発明の実施例につ
いて説明する。
いて説明する。
【００１２】図１は、本発明の実施例を示す斜視図であ
る。誘電率が90程度と比較的高いセラミック材料によっ
て三つの貫通孔を有する誘電体ブロック10を形成する。
この誘電体ブロック10の貫通孔内には内導体11を形成
し、この貫通孔の伸びる方向に平行な表面に外導体12を
形成する。図示しないが、貫通孔の開口する端面の一方
にも導体膜が形成されて、短絡導体となる。
る。誘電率が90程度と比較的高いセラミック材料によっ
て三つの貫通孔を有する誘電体ブロック10を形成する。
この誘電体ブロック10の貫通孔内には内導体11を形成
し、この貫通孔の伸びる方向に平行な表面に外導体12を
形成する。図示しないが、貫通孔の開口する端面の一方
にも導体膜が形成されて、短絡導体となる。
【００１３】本発明による誘電体フィルタにおいては、
外導体12が形成される表面の一部に外導体を形成しない
で、外導体とは絶縁された導体膜15を内導体11と対向す
る位置に形成してある。この導体膜15は内導体11と対向
してその間に容量を形成する。この例では両端の共振器
の内導体11に対向する導体膜15が形成されている。
外導体12が形成される表面の一部に外導体を形成しない
で、外導体とは絶縁された導体膜15を内導体11と対向す
る位置に形成してある。この導体膜15は内導体11と対向
してその間に容量を形成する。この例では両端の共振器
の内導体11に対向する導体膜15が形成されている。
【００１４】これらの導体膜15の間の誘電体ブロック10
の表面には、ガラス層16が形成される。このガラス層16
の表面に導体膜15同士を接続する導体パターン17が形成
される。なお、外導体12、導体膜15の形成と同時に端子
電極の導体膜18も形成しておく。
の表面には、ガラス層16が形成される。このガラス層16
の表面に導体膜15同士を接続する導体パターン17が形成
される。なお、外導体12、導体膜15の形成と同時に端子
電極の導体膜18も形成しておく。
【００１５】上記の構造を採用することにより、図２に
示したように、入出力端の共振器の間に容量Ｃ5 が付加
されることになる。この容量を付加した場合には、通過
帯域の低域側に減衰極を形成することが可能となる。ガ
ラスの誘電率は10程度であるので、導体パターン17と内
導体との間の浮遊容量を大幅に低減することができる。
示したように、入出力端の共振器の間に容量Ｃ5 が付加
されることになる。この容量を付加した場合には、通過
帯域の低域側に減衰極を形成することが可能となる。ガ
ラスの誘電率は10程度であるので、導体パターン17と内
導体との間の浮遊容量を大幅に低減することができる。
【００１６】図３は、本発明の他の実施例を示す斜視図
である。誘電率が90程度と比較的高いセラミック材料に
よって二つの貫通孔を有する誘電体ブロック30を形成す
る。この誘電体ブロック30の貫通孔内には内導体31を形
成し、この貫通孔の伸びる方向に平行な表面に外導体32
を形成する。図示しないが、貫通孔の開口する端面の一
方にも導体膜が形成されて、短絡導体となる。
である。誘電率が90程度と比較的高いセラミック材料に
よって二つの貫通孔を有する誘電体ブロック30を形成す
る。この誘電体ブロック30の貫通孔内には内導体31を形
成し、この貫通孔の伸びる方向に平行な表面に外導体32
を形成する。図示しないが、貫通孔の開口する端面の一
方にも導体膜が形成されて、短絡導体となる。
【００１７】この誘電体フィルタにおいては、外導体32
が形成される表面の一部に外導体を形成しないで、外導
体とは絶縁された導体膜35を内導体31と対向する位置に
形成してある。この導体膜35は内導体31と対向してその
間に容量を形成する。この例では出力端の共振器の内導
体31に対向する導体膜35が形成されている。
が形成される表面の一部に外導体を形成しないで、外導
体とは絶縁された導体膜35を内導体31と対向する位置に
形成してある。この導体膜35は内導体31と対向してその
間に容量を形成する。この例では出力端の共振器の内導
体31に対向する導体膜35が形成されている。
【００１８】これらの導体膜35と入力電極の導体膜38ａ
との間の誘電体ブロック30の表面には、ガラス層36が形
成される。このガラス層36の表面に導体膜35と入力電極
の導体膜38ａを接続する導体パターン37が形成される。
なお、外導体32、導体膜35の形成と同時に端子電極の導
体膜38も形成しておく。
との間の誘電体ブロック30の表面には、ガラス層36が形
成される。このガラス層36の表面に導体膜35と入力電極
の導体膜38ａを接続する導体パターン37が形成される。
なお、外導体32、導体膜35の形成と同時に端子電極の導
体膜38も形成しておく。
【００１９】図３に示した構造を採用することにより、
図４に示した回路が実現して、入力端と出力側の共振器
との間に容量Ｃ8 が付加される。共振器間を誘導結合と
した場合に、通過帯域の高域側に減衰極が得られ、トラ
ップ等として用いることもできる。
図４に示した回路が実現して、入力端と出力側の共振器
との間に容量Ｃ8 が付加される。共振器間を誘導結合と
した場合に、通過帯域の高域側に減衰極が得られ、トラ
ップ等として用いることもできる。
【００２０】なお、本発明は貼り合わせ型の誘電体フィ
ルタや四素子以上の誘電体フィルタにも応用できる。ま
た、導体パターンによってインダクタンスを実現した
り、複数の接続用の導体パターンを形成することも可能
である。
ルタや四素子以上の誘電体フィルタにも応用できる。ま
た、導体パターンによってインダクタンスを実現した
り、複数の接続用の導体パターンを形成することも可能
である。
【００２１】
【発明の効果】本発明によれば、誘電体ブロックの表面
の導体膜によって回路素子を形成することができ、部品
点数の少ない小型の誘電体フィルタを実現することがで
きる。
の導体膜によって回路素子を形成することができ、部品
点数の少ない小型の誘電体フィルタを実現することがで
きる。
【００２２】また、低誘電率のガラスを介して導体膜を
形成しているので、不要な浮遊容量の発生を最小限とす
ることができ、特性の良好な誘電体フィルタが得られ
る。
形成しているので、不要な浮遊容量の発生を最小限とす
ることができ、特性の良好な誘電体フィルタが得られ
る。
【図１】 本発明の実施例を示す斜視図
【図２】 図１の誘電体フィルタの等価回路図
【図３】 本発明の他の実施例を示す斜視図
【図４】 図３の誘電体フィルタの等価回路図
10、30：誘電体ブロック 11、31：内導体 12、32：外導体 15、35：導体膜 16、36：ガラス層 17、37：導体パターン
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平５−145302（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−188565（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−188566（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01P 1/205
Claims (4)
- 【請求項１】 複数の平行な貫通孔を具えた誘電体ブロ
ックの貫通孔内に内導体、貫通孔の伸びる方向に平行な
表面に外導体、貫通孔の開口する一端面に短絡導体を具
えた誘電体フィルタにおいて、外導体が形成される表面
に、外導体とは絶縁されて１つ以上置いた内導体と対向
する２つの導体膜を具え、２つの導体膜の周囲と2つの
導体膜の間では誘電体表面に導体膜が形成されておら
ず、２つの導体膜を接続する導体パターンが誘電体表面
に形成されたガラス層の上に形成されたことを特徴とす
る誘電体フィルタ。 - 【請求項２】 複数の平行な貫通孔を具えた誘電体ブロ
ックの貫通孔内に内導体、貫通孔の伸びる方向に平行な
表面に外導体、貫通孔の開口する一端面に短絡導体を具
えた誘電体フィルタにおいて、外導体が形成される表面
に、外導体とは絶縁されて一方の入出力端子側の端部の
貫通孔に形成された内導体以外の内導体と対向する導体
膜を具え、その導体膜の周囲およびその導体膜と当該一
方の入出力端子との間では誘電体表面に導体膜が形成さ
れておらず、その導体膜と入出力端子の当該一方とを接
続する導体パターンが誘電体表面に形成されたガラス層
の上に形成されたことを特徴とする誘電体フィルタ。 - 【請求項３】 複数の平行な貫通孔を具えた誘電体ブロ
ックの貫通孔内に内導体、貫通孔の伸びる方向に平行な
表面に外導体、貫通孔の開口する一端面に短絡導体を具
えた誘電体フィルタにおいて、外導体が形成される表面
に、外導体とは絶縁されて１つ以上置いた内導体と対向
して容量を形成する２つの導体膜を具え、２つの導体膜
の周囲と2つの導体膜の間では誘電体表面に導体膜が形
成されておらず、２つの導体膜を接続する導体パターン
が誘電体表面に形成されたガラス層の上に形成されたこ
とを特徴とする誘電体フィルタ。 - 【請求項４】 複数の平行な貫通孔を具えた誘電体ブロ
ックの貫通孔内に内導体、貫通孔の伸びる方向に平行な
表面に外導体、貫通孔の開口する一端面に短絡導体を具
えた誘電体フィルタにおいて、外導体が形成される表面
に、外導体とは絶縁されて一方の入出力端子側の端部の
貫通孔に形成された内導体以外の内導体と対向して容量
を形成する導体膜を具え、その導体膜の周囲およびその
導体膜と当該一方の入出力端子との間では誘電体表面に
導体膜が形成されておらず、その導体膜と当該一方の入
出力端子とを接続する導体パターンが誘電体表面に形成
されたガラス層の上に形成されたことを特徴とする誘電
体フィルタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35807396A JP3176859B2 (ja) | 1996-12-28 | 1996-12-28 | 誘電体フィルタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35807396A JP3176859B2 (ja) | 1996-12-28 | 1996-12-28 | 誘電体フィルタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10190311A JPH10190311A (ja) | 1998-07-21 |
| JP3176859B2 true JP3176859B2 (ja) | 2001-06-18 |
Family
ID=18457402
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35807396A Expired - Lifetime JP3176859B2 (ja) | 1996-12-28 | 1996-12-28 | 誘電体フィルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3176859B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014037702A (ja) * | 2012-08-14 | 2014-02-27 | Clean Energy Factory Kk | 太陽光発電パネルの支持体及び太陽光発電パネルの施工方法 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4148423B2 (ja) | 2005-10-13 | 2008-09-10 | Ｔｄｋ株式会社 | 誘電体装置 |
| WO2008136249A1 (ja) | 2007-04-27 | 2008-11-13 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 共振素子および、その製造方法 |
-
1996
- 1996-12-28 JP JP35807396A patent/JP3176859B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014037702A (ja) * | 2012-08-14 | 2014-02-27 | Clean Energy Factory Kk | 太陽光発電パネルの支持体及び太陽光発電パネルの施工方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH10190311A (ja) | 1998-07-21 |
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