JPH0621704A - 高周波フィルタ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 ＴＥＭモード共振器を含むバンドパスフィル
タにおけるスプリアス共振を抑制する。 【構成】 第１及び第２の誘電体共振器１、２をコンデ
ンサＣc で結合した構成のバンドパスフィルタにおい
て、誘電体共振器１、２の一端とグランドとの間に第１
及び第２の共振用コンデンサＣ1 、Ｃ2 を追加し、第１
及び第２の誘電体共振器１、２のインダクタンスと共振
用コンデンサＣ1 、Ｃ2 との並列共振によってフィルタ
特性を得る。第２の共振用コンデンサＣ2 の容量を第１
の共振用コンデンサＣ1 の容量よりも大きくし、第２の
誘電体共振器１の長さＬ2 を第１の誘電体共振器１の長
さＬ1 よりも短くする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、誘電体共振器、ストリ
ップライン共振器等のＴＥＭモード共振器を利用した高
周波フィルタに関する。

【０００２】

【従来の技術】図１に示すように２つのＴＥＭモード共
振器１、２の一端に入力結合用コンデンサＣa と出力結
合用コンデンサＣb とを接続し、相互間に相互結合用コ
ンデンサＣc を接続し、共振器１、２の他端をグランド
に接続するか又は開放することによってバンドパスフィ
ルタを構成することは公知である。ＴＥＭモード共振器
１、２は誘電体の共振孔内に内導体を設け、外周面に外
導体を設ける形式の同軸型誘電体共振器、又は誘電体基
板上にストリップ導体を設けた形式のストリップ共振器
から成る。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】ところで、共振器１、
２の長さＬ1 、Ｌ2 は基本波の波長の1/4 又は1/2 であ
る。従って、基本波の周波数を決定すると、共振器１、
２の長さが必然的に決まり、共振器１、２の小型化が不
可能になる。また、ＴＥＭモード共振器を使用したフィ
ルタにおいては、基本波の共振の他にスプリアス共振が
生じ、高調波（特に３次高調波）が問題になる。即ち、
スプリアス共振が大きい場合には、これを除去するため
のフィルタが必要になる。

【０００４】そこで、本発明の目的は小型化を図ること
ができる高周波フィルタを提供することにある。また、
本発明の別の目的は、小型化を図ることができると共に
高調波を抑制することができる高周波フィルタを提供す
ることにある。

【０００５】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明は、一方の端面から他方の端面に至る共振孔を
有する柱状の誘電体と前記共振孔に設けられた内導体と
前記誘電体の外周面に設けられた外導体とを有している
誘電体共振器と、前記内導体に結合された入力手段及び
出力手段と、前記内導体とグランドとの間に設けられた
コンデンサとを備えた高周波フィルタに係わるものであ
る。なお、請求項２に示すように、第１及び第２の誘電
体共振器の組み合せによって高周波フィルタを形成する
場合において、各内導体とグランドとの間に第１及び第
２の共振用コンデンサを設けることができる。また、請
求項３に示すように、第２の共振用コンデンサの容量を
第１の共振用コンデンサのそれよりも大きくし、第２の
誘電体共振器の誘電体ブロックの長さを第１の誘電体共
振器のそれよりも小さくすることが望ましい。また、請
求項４に示すように、ストリップ導体で共振器を構成す
る場合において、この一端とグランドとの間に共振用コ
ンデンサを設けることができる。また、請求項５に示す
ように、第１及び第２のストリップ導体によって第１及
び第２の共振器を形成する場合において、第１及び第２
のストリップ導体の一端とグランドとの間に第１及び第
２の共振用コンデンサを設けることができる。また、請
求項６に示すように、第２の共振用コンデンサの容量を
第１の共振用コンデンサの容量よりも大きくし、第２の
ストリップ導体の長さを第１のストリップ導体の長さよ
りも短くすることが望ましい。また、請求項７に示すよ
うに、誘電体ブロックに第１及び第２の共振孔を設けて
フィルタを構成する場合においても、各内導体の一端と
グランドとの間に第１及び第２の共振用コンデンサを夫
々設けることができる。また、請求項８に示すように、
第２の共振用コンデンサの容量を第１の共振用コンデン
サのそれよりも大きくし、且つ第２の共振孔の長さを第
１の共振孔の長さよりも短くすることが望ましい。ま
た、請求項９及び１０に示すように任意の複数の誘電体
共振器又はストリップライン型共振器又は共振孔を含む
場合において、それぞれに共振用コンデンサを接続する
ことができる。

【０００６】

【発明の作用及び効果】各請求項において、共振器は基
本波の共振周波数よりも低い周波数領域でインダクタン
スとして働く。本発明に従って付加された共振用コンデ
ンサは、共振器のインダクタンスに対して並列接続され
るので、これ等の並列回路によって新たにＬＣ共振が生
じ、ＴＥＭモード共振器の共振周波数よりも低い周波数
で共振状態になる。この結果、共振器の長さで決定され
る共振周波数よりも低い共振周波数を得ることができ
る。これは高周波フィルタにおいて特定された共振周波
数を得る場合に、ＴＥＭモード共振器の長さを従来より
も短くすることができることを意味し、小型化が可能に
なる。請求項１、２、４、５、７の発明によれば上述と
同様な理由で小型化が可能になる。請求項３、６、８の
発明によれば、小型化が可能になると共に高調波成分を
抑制することができる。

【０００７】

【第１の実施例】次に、図２〜図１４を参照して本発明
の第１の実施例のＴＥＭモード共振器を使用した高周波
バンドパスフィルタを説明する。

【０００８】このバンドパスフィルタは、図２に示すよ
うに第１及び第２の誘電体共振器１、２と、コンデンサ
のための導体層及びグランド導体層等を有する誘電体基
板３との組み合せによって構成されている。第１及び第
２の誘電体共振器１、２は、比誘電率が８８の柱状又は
円筒状磁器から成る第１及び第２の誘電体４ａ、４ｂ
と、第１及び第２の共振孔５、６内に設けられた第１及
び第２の内導体７、８と、誘電体４ａ、４ｂの外周面
９、１０に設けられた外導体１１、１２とから成る。な
お、第１及び第２の内導体７、８に連続的に第１及び第
２の接続導体１３、１４が設けられている。これ等の第
１及び第２の接続導体１３、１４は誘電体４ａ、４ｂの
一方の端面を通って外周面９まて延在している。また、
第１及び第２の誘電体３、４の他方の端面上には第１及
び第２の内導体７、８を第１及び第２の外導体１１、１
２に接続するための第１及び第２の短絡導体１５、１６
が設けられている。第１及び第２の誘電体共振器１、２
は長さを除いては同一に構成されている。第１及び第２
の誘電体４ａ、４ｂの外導体１１、１２が設けられてい
る共振器部分の長さＬ1 、Ｌ2 はＬ1 ＞Ｌ2 を満足する
ように設定されている。なお、内導体７、８と、外導体
１１、１２と、接続導体１３、１４と、短絡導体１５、
１６は夫々銀ペーストを塗布して焼付けた導電体膜から
成る。

【０００９】バンドパスフィルタを得るために同軸型Ｔ
ＥＭモード誘電体共振器１、２には、図６のように入力
手段としての入力結合コンデンサＣa と出力手段として
の出力結合コンデンサＣb と相互結合コンデンサＣc と
第１及び第２の共振用コンデンサＣ1 、Ｃ2 とが接続さ
れる。入力手段としての入力結合コンデンサＣa は信号
入力端子Ｔ1 と第１の共振器１の一端との間に接続さ
れ、出力手段としての出力結合コンデンサＣb は第２の
共振器２の一端と出力端子Ｔ2 との間に接続され、相互
結合コンデンサＣc は第１及び第２の共振器１、２の一
端の相互間に接続され、第１及び第２の共振用コンデン
サＣ1 、Ｃ2 は第１及び第２の共振器１、２の一端とグ
ランドとの間に接続されている。第１及び第２の共振器
１、２の他端即ち外導体１１、１２はグランドに接続さ
れている。なお、第２の共振用コンデンサＣ2 の静電容
量は第１の共振用コンデンサＣ1 のそれよりも大きく設
定されている。

【００１０】誘電体基板３は表面（一方の主面）１７と
裏面（他方の主面）１８とを有する磁器基板である。こ
の誘電体基板３の表面１７には第１、第２及び第３の導
体層１９、２０、２１が設けられ、この裏面１８には第
４、第５及び第６の導体層２２、２３、２４が設けられ
ている。第１の導体層１９はこの左側部分から成る入力
結合コンデンサＣa の一方の電極のための第１の部分１
９ａと、この右側部分から成る相互結合コンデンサＣc
の一方の電極及び第１の共振用コンデンサＣ1の一方の
電極として働く第２の部分１９ｂとを有する。第２の導
体層２０はこの右半分から成る出力結合コンデンサＣb
の一方の電極のための第１の部分２０ａとこの左半分か
ら成る相互結合コンデンサＣc の他方の電極及び第２の
共振用コンデンサＣ2 の一方の電極として働く第２の部
分２０ｂとを有する。第３の導体層２１は第１及び第２
の共振器１、２の外導体１１、１２を接続することがで
きるように大面積に形成されている。誘電体基板３の裏
面１８における第４の導体層２２は入力結合コンデンサ
Ｃa の他方の電極としての第１の部分２２ａと入力端子
Ｔ1 としての第２の部分２２ｂとを有する。この第４の
導体層２２の第１の部分２２ａは表面側の第１の導体層
１９の第１の部分１９ａに対向配置されており、入力結
合コンデンサＣa を構成する。第５の導体層２３はこの
左側部分から成る出力結合コンデンサＣb の他方の電極
としての第１の部分２３ａと出力端子Ｔ2 としての第２
の部分２３ｂとを有する。この第５の導体層２３の第１
の部分２３ａは表面側の第２の導体層２０の第１の部分
２０ａに対向するように配置されており、出力結合コン
デンサＣb を構成する。グランド導体層としての裏面側
の第６の導体層２４は第１及び第２の共振用コンデンサ
Ｃ1 、Ｃ2 を得るために表面側の第１及び第２の導体層
１９、２０の第２の部分１９ｂ、２０ｂに対向するよう
に配置されたコンデンサ電極部分２４ａを有する。この
コンデンサ電極部分２４ａに対向する第１の導体層１９
の第２の部分１９ｂの面積はコンデンサ電極部分２４ｂ
に対向する第２の導体層２０の第２の部分２０ｂの面積
よりも小さい。従って、第１の共振用コンデンサＣ1 の
容量は第２の共振用コンデンサＣ2のそれよりも小さ
い。なお、表面側の第３の導体層２１と裏面側の第６の
導体層２４とは、基板３の側面の溝２５の導体２６によ
って電気的に接続されている。

【００１１】第１及び第２の共振器１、２は、図２及び
図５に示すように基板３上に配置されている。即ち、第
１及び第２の外導体１１、１２は半田２７、２８によっ
て第３の導体層２１に固着され、且つ第１及び第２の接
続導体１３、１４が半田２９、３０によって第１及び第
２の導体層１９、２０に固着されている。第１及び第２
の接続導体１３、１４は第１及び第２の内導体７、８か
ら第１及び第２の誘電体４ａ、４ｂの外周面に延在して
いるので、特別な端子部材を使用することなしに第１及
び第２の内導体７、８の入力及び出力結合コンデンサＣ
a 、Ｃb に対する接続を容易に達成することができる。

【００１２】図２及び図６の構成のフィルタにおいて、
各結合コンデンサＣa 、Ｃb 、Ｃcの容量値と第１の共
振器１の長さ及び外導体１１の長さＬ1 を固定し、第１
及び第２の共振用コンデンサＣ1 、Ｃ2 の容量を導体層
１９、２０の部分１９ｂ、２０ｂの面積を変えることに
よって変化させ、且つ基本波の共振特性が同じになるよ
うに第２の共振器２の共振器部分の長さＬ2 を調整した
ときのスプリアス共振（３次高調波）の変化を調べた。
図７、図８及び図９における実線で示す特性線はＣ1 ＝
０の場合を示し、点線で示す特性線はＣ1 ＝１pFの場合
を示し、鎖線で示す特性線はＣ1 ＝２pFの場合を示す。
図７はＣ2 の変化による基本波の共振周波数の変化を補
正するために必要な第２の共振器２の長さ即ち外導体１
２の長さＬ2 の変化を示す。この関係から明らかなよう
にＣ2 を増大させた場合にはＬ2を減少させることがで
きる。この結果、第２の共振器２の小型化及び低コスト
化が可能になる。

【００１３】図８は第２の共振用コンデンサＣ2 の容量
を変化させた場合のスプリアス共振の周波数ｆs の変化
を示す。なお、このスプリアス共振の周波数ｆs は基本
波の共振周波数ｆ0 よりも高域側で生じる最も高いレベ
ルのスプリアス共振の周波数であり、基本波の３次高調
波にほぼ対応する。図８から明らかなようにスプリアス
共振周波数ｆs は第２の共振用コンデンサＣ2 の容量の
増大に応じて高くなり、基本波の３倍の周波数よりも高
域側にシフトする。

【００１４】図９は第２の共振用コンデンサＣ2 ま容量
変化によるスプリアス共振周波数ｆs における損失の変
化を示す。この結果から明らかなようにＣ2 が大きくな
るに従ってｆs における損失が大きくなり、スプリアス
共振が抑制される。

【００１５】図１０は図６においてＣ1 及びＣ2 の両方
を１pFに設定し、またＬ1 とＬ2 の両方を１０mmにした
場合のフィルタ特性を示す。この場合には、Ｃ1 及びＣ
2 がゼロの場合よりもＬ2 を小さくすることができる効
果が得られるが、スプリアス共振を抑制する効果は得ら
れない。

【００１６】図１１はＣ1 を１pF、Ｃ2 を２pF、Ｌ1 を
１０mm、Ｌ2 を９．３mmにした場合のフィルタの特性を
示す。図１１の特性は図１０の特性に比べてスプリアス
共振の周波数ｆs が少し高域にシフトし、且つこの損失
が少し大きくなっている。即ち、スプリアス共振の抑制
効果が僅かに生じている。

【００１７】図１２はＣ1 を１pF、Ｃ2 を４pF、Ｌ1 を
１０mm、Ｌ2 を８．１mmにした場合のフィルタ特性を示
す。また、図１３はＣ1 を１pF、Ｃ2 を８pF、Ｌ1 を１
０mm、Ｌ2 を６．５mmにした場合のフィルタ特性を示
す。

【００１８】

【第２の実施例】次に、図１４及び図１５を参照して第
２の実施例のフィルタを説明する。但し、図１４及び図
１５、更に後述する図１６〜図２２において図２〜図６
と共通する部分又は相互に共通する部分には同一の符号
を付してその説明を省略する。図１４及び図１５におけ
る第１及び第２の共振器１、２及びこれを使用したフィ
ルタ回路は図２〜図６と同一である。第２の実施例は各
コンデンサＣa 、Ｃb、Ｃc 、Ｃ1 、Ｃ2 を３枚の基板
３ａ、３ｂ、３ｃの積層基板３で構成した点において第
１の実施例と相違する。図１４では基板３ａ、３ｂ、３
ｃが分離して示されているが、実際にはセラミック生シ
ート（グリーンシート）に導体層を形成したものを積層
して焼成して１枚の基板３を完成させ、この上に第１及
び第２の共振器１、２を配置する。第１の基板３ａの第
３の導体層２１には第１及び第２の外導体１１、１２が
半田２７、２８で固着される。第１及び第２の共振器
１、２の第１及び第２の接続導体１３、１４は第７及び
第８の導体層３１、３２に半田２９、３０で固着され
る。第３の導体層２１は第１の基板３ａの貫通孔３３と
第２の基板３ｂの貫通孔３４と第３の基板３ｃの貫通孔
３５に設けられる導体によって裏面の第６の導体層２４
に接続される。第７及び第８の導体層３１、３２は貫通
孔３６、３７の導体によって第２の基板３ｂの第１及び
第２の導体層１９、２０に接続される。第２の基板３ｂ
の第１の導体層１９の第２の部分１９ｂは第１の基板３
ａの第３の導体層２１の部分２１ａに対向して第１の共
振用コンデンサＣ1 を構成する。第３の基板３ｃの導体
層２２ａ、２３ａは第２の基板３ｂの導体層１９ａ、２
０ａに対向して入力結合及び出力結合コンデンサＣa 、
Ｃbを構成する。第３の基板３ｃの導体層２０ｂは第２
の基板３ｂの導体層１９ｂに対向して相互結合用コンデ
ンサＣc を構成すると共に第３の基板３ｃの裏面のグラ
ンド導体層２４ａに対向して第２の共振用コンデンサＣ
2 を構成する。なお、第３の基板３ｃの導体２０ｂは第
２の基板３ｂの貫通孔３６の導体によって導体層２０ａ
に接続される。第３の基板３ｃの裏面の端子用導体層２
２ｂ、２３ｂは貫通孔３７、３８の導体によって導体層
２２ａ、２３ａに接続されている。図１４及び図１５の
ように構成しても、電気回路は図６と同一であるので、
同一の作用効果が得られる。

【００１９】

【第３の実施例】図１６はストリップ型共振器を使用し
たフィルタを示す。図６では第１及び第２の共振器１、
２が第１及び第２のストリップ導体７ａ、８ａに基づい
て形成されている。ストリップ導体７ａ、８ａの長さＬ
1 、Ｌ2 は基本波の波長の1/4 又はこれに近い値を有す
る。第１及び第２のストリップ導体７ａ、８ａの一端は
コンデンサを構成するための導体層２２、２３に夫々接
続されている。第１のストリップ導体７ａの他端は基板
３の側面の接続導体２６によって基板３の裏面のグラン
ド導体層２４に接続されている。第２のストリップ導体
８ａの他端は貫通孔４０の導体を介して基板３の裏面の
グランド導体層２４に接続されている。基板３の裏面の
導体層のパターンは図４と同一である。従って、図６の
各コンデンサＣa 、Ｃb 、Ｃc 、Ｃ1 、Ｃ2 は第１の実
施例と同様に得られる。この第３の実施例でもＬ1 ＞Ｌ
2 及びＣ1 ＜Ｃ2 に設定されている。図１６のフィルタ
は共振器１、２をストリップ型にした点を除いては第１
の実施例と同一であるので、等価回路は図６と同一にな
り、同一の作用効果が得られる。

【００２０】

【第４の実施例】図１７〜図１９の第４の実施例では、
第１の実施例の第１及び第２の誘電体共振器１、２の代
りに誘電体フィルタ５０が使用されている。誘電体フィ
ルタ５０は直方体状の誘電体ブロック５１を有する。こ
の誘電体ブロック５１の一方の端面５２から他方の端面
５３に至るように第１及び第２の共振孔５４、５５及び
結合孔５６が形成されている。第１及び第２の共振孔５
４、５５には第１及び第２の内導体５７、５８が設けら
れ、誘電体ブロック５１の外周面には外導体５９が設け
られ、下側端面５３には短絡導体６０が設けられてい
る。この誘電体フィルタ５０の外導体５９は誘電体基板
３の第３の導体層２１に半田で固着されている。また、
内導体５７、５８は端子１３ａ、１４ａによって第１及
び第２の導体層１９、２０に接続されている。誘電体基
板３における各導体層１９、２０、２１、２２、２３、
２４は第１の実施例と実質的に同一パターンに形成され
ている。第１及び第２の共振孔５４、５５に基づいて図
２の第１及び第２の共振器１と同様に同軸型ＴＥＭモー
ド共振器が構成される。この実施例では第２の共振孔５
５の長さＬ2 が第１の共振孔５４の長さＬ1 よりも小さ
く設定されている。図１９の等価回路は図６と同一であ
るので、第４の実施例によっても第１の実施例と同一の
作用効果が得られる。なお、結合孔５６を省くことも可
能である。

【００２１】

【第５の実施例】図２０に示す第５の実施例の誘電体フ
ィルタは、第４の実施例のフィルタの一部を変形したも
りであり、第１及び第２の共振孔５４、５５の相互間の
容量結合が実質的に生じないように導体層１９、２０の
パタ−ンが決定されている。但し、導体層１９、２０と
グランド導体２４ａとの間には共振用コンデンサＣ1 、
Ｃ2 が得られるように構成されている。この様に構成し
ても第１〜第４の実施例と同様な作用効果を得ることが
できる。

【００２２】

【第６の実施例】図２１及び図２２は第６の実施例のバ
ンドパスフィルタを示す。この実施例のフィルタは図２
〜図６のフィルタに対して第３の誘電体共振器１０３と
第３の共振用コンデンサＣ3 と出力結合コンデンサＣd
を付加したものである。第３の誘電体共振器１０３の長
さは第１の誘電体共振器１と同一のＬ1 であり、第２の
誘電体共振器２の長さＬ2 よりも長い。長さ以外におい
ては第１、第２及び第３の誘電体共振器１、２、１０３
は同一で構成である。第３の共振用コンデンサＣ3は図
２２に示す導体層１００の左端部分１０１と裏面側のグ
ランド導体２４ａとの間に形成され、出力結合コンデン
サＣd は導体層１００と裏面側の導体層２３との間に形
成されている。第２及び第３の誘電体共振器２、１０３
の相互結合容量Ｃd は導体層２０と１００の間に形成さ
れている。第６の実施例によっても第１〜第５の実施例
と同様な作用効果を得ることができる。

【００２３】

【変形例】本発明は上述の実施例に限定されるものでな
く、例えば次の変形が可能なものである。 （１） 図１６のストリップライン型フィルタにおいて
も、各コンデンサＣa、Ｃb 、Ｃc 、Ｃ1 、Ｃ2 を図１
４及び図１５に示すように積層構造にすることができ
る。また、誘電体基板３の上に誘電体カバーシートを配
置し、この上にグランド導体層を設けることができる。
（２） 各コンデンサＣa 、Ｃb 、Ｃc 、Ｃd 、Ｃ1 、
Ｃ2 、Ｃ3 を個別部品にすることができる。 （３） 誘電体共振器１、２、１０３と同様のものを更
に追加して並置して４段以上のフィルタを構成するこ
と、またストリップ導体７ａ、８ａと同様なものを更に
並置して図２１と同一の３団のフィルタにすること、更
に４段以上のフィルタを構成することができる。また、
図１７〜図１９の誘電体ブロック５１に３個以上の共振
孔を設け、３段以上のフィルタにすることができる。 （４） 第１及び第２の実施例で短絡導体層１５、１６
を省いて1/2 波長型の共振器１、２を構成すること、第
４の実施例で短絡導体層６０を省いて1/2 波長型共振器
にすること、図１６でストリップ導体７ａ、８ａの他端
を開放して1/2波長型にすること、図１７〜図２２にお
いて共振孔の他端を開放して１／２波形長にすることが
できる。 （５） 単一の共振器でフィルタを構成することができ
る。 （６） 図２、図１４、図１６、図２２において誘電体
共振器１、２又はストリップ導体７ａ、８ａの向きを互
いに逆にすることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】従来のバンドパスフィルタを示す等価回路図で
ある。

【図２】第１の実施例のフィルタを示す斜視図である。

【図３】図２の導体層を有する誘電体基板の平面図であ
る。

【図４】図２の誘電体基板の底面図である。

【図５】図２の誘電体共振器を横断してフィルタを示す
図である。

【図６】図２のフィルタの等価回路図である。

【図７】図６の第２の共振用コンデンサの容量変化と第
２の誘電体共振器の長さの関係を示す図である。

【図８】第２の共振用コンデンサの容量変化とスプリア
ス共振周波数との関係を示す図である。

【図９】第２の共振用コンデンサの容量変化とスプリア
ス共振における損失を示す図である。

【図１０】図６のＣ1 及びＣ2 を１pFにした時の周波数
ｆと利得との関係を示すフィルタ特性図である。

【図１１】図６のＣ1 を１pF、Ｃ2 を２pFにした時のフ
ィルタ特性を示す図である。

【図１２】図６のＣ1 を１pF、Ｃ2 を４pFにした時のフ
ィルタ特性を示す図である。

【図１３】図６のＣ1 を１pF、Ｃ2 を８pFにした時のフ
ィルタ特性を示す図である。

【図１４】第２の実施例のフィルタの分解斜視図であ
る。

【図１５】図１４のフィルタの正面図である。

【図１６】第３の実施例のフィルタを示す斜視図であ
る。

【図１７】第４の実施例の誘電体フィルタを示す斜視図
である。

【図１８】図１７の誘電体フィルタの断面図である。

【図１９】第４の実施例のフィルタを示す平面図であ
る。

【図２０】第５の実施例のフィルタを示す平面図であ
る。

【図２１】第６の実施例のフィルタの等価回路図であ
る。

【図２２】図２１のフィルタを示す平面図である。

【符号の説明】

１、２ 誘電体共振器 ３ 誘電体基板 Ｃ1 、Ｃ2 共振用コンデンサ

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 一方の端面から他方の端面に至る共振孔
   を有する柱状の誘電体と前記共振孔に設けられた内導体
   と前記誘電体の外周面に設けられた外導体とを有してい
   る誘電体共振器と、 前記内導体に結合された入力手段及び出力手段と、 前記内導体とグランドとの間に設けられたコンデンサと
   を備えた高周波フィルタ。
2. 【請求項２】 共振孔を有する柱状誘電体と前記共振孔
   に設けられた内導体と前記誘電体の外周面に設けられた
   外導体とを夫々有している第１及び第２の誘電体共振器
   と、 前記第１の誘電体共振器の前記内導体に結合された入力
   手段と、 前記第２の誘電体共振器の前記内導体に結合された出力
   手段と、 前記第１及び第２の誘電体共振器の前記内導体の相互間
   に設けられた相互結合コンデンサと、 前記第１及び第２の誘電体共振器の前記内導体とグラン
   ドとの間に夫々設けられた第１及び第２の共振用コンデ
   ンサとを備えた高周波フィルタ。
3. 【請求項３】 前記第２の共振用コンデンサの容量が前
   記第１の共振用コンデンサの容量よりも大きく、且つ前
   記第２の誘電体共振器の前記誘電体の共振器構成部分の
   長さＬ2 が前記第１の誘電体共振器の前記誘電体の共振
   器構成部分の長さＬ1 よりも小さいことを特徴とする請
   求項２記載の高周波フィルタ。
4. 【請求項４】 誘電体基板と、この誘電体基板の一方の
   主面に形成されたストリップ導体と、 前記ストリップ導体に対向するように前記誘電体基板の
   他方の主面に形成されたグランド導体と、 前記ストリップ導体の一端に結合された入力手段及び出
   力手段と、 前記ストリップ導体の一端とグランドとの間に設けられ
   た共振用コンデンサとを備えた高周波フィルタ。
5. 【請求項５】 誘電体基板と、 前記誘電体基板の一方の主面に互いに平行に配設された
   第１及び第２のストリップ導体と、 前記第１及び第２のストリップ導体に対向するように前
   記誘電体基板の他方の主面に設けられたグランド導体
   と、 前記第１のストリップ導体の一端に結合された入力手段
   と、 前記第２のストリップ導体の一端に結合された出力手段
   と、 前記第１及び第２のストリップ導体の一端の相互間に設
   けられた相互結合用コンデンサと、 前記第１及び第２のストリップ導体の一端とグランドと
   の間に夫々設けられた第１及び第２の共振用コンデンサ
   とを備えた高周波フィルタ。
6. 【請求項６】 前記第２の共振用コンデンサの容量が前
   記第１の共振用コンデンサの容量よりも大きく、且つ前
   記第２のストリップ導体の長さが前記第１のストリップ
   導体の長さよりも小さいことを特徴とする請求項５記載
   の高周波フィルタ。
7. 【請求項７】 一方の端面から他方の端面に至る第１及
   び第２の共振孔を有する誘電体ブロックと、 前記第１及び第２の共振孔内に設けられた第１及び第２
   の内導体と、 前記誘電体ブロックの外周面に設けられた外導体と、 前記第１の内導体に結合された入力手段と、 前記第２の内導体に結合された出力手段と、 前記第１及び第２の内導体の一端とグランドとの間に設
   けられた第１及び第２の共振用コンデンサとを備えた高
   周波フィルタ。
8. 【請求項８】 前記第２の共振用コンデンサの容量が前
   記第１の共振用コンデンサの容量よりも大きく、且つ前
   記第２の共振孔の長さが前記第１の共振孔の長さよりも
   短いことを特徴とする請求項７記載の高周波フィルタ。
9. 【請求項９】 複数の誘電体又はストリップライン共振
   器と、 前記複数の共振器の一端の相互間に設けられた相互結合
   コンデンサと、 前記複数の共振器の一端とグランドとの間に夫々設けら
   れた複数の共振用コンデンサと、 前記複数の共振器の内の入力段の共振器の一端に結合さ
   れた入力手段と、 前記複数の共振器の内の出力段の共振器の一端に結合さ
   れた出力手段と、 を備えた高周波フィルタ。
10. 【請求項１０】 一方の端面から他方の端面に至る複数
    の共振孔を有する誘電体ブロックと、 前記複数の共振孔に夫々設けられた内導体と、 前記誘電体ブロックの外周面に設けられた外導体と、 前記複数の共振孔の内導体の一端とグランドとの間に夫
    々設けられた共振用コンデンサと、 前記複数の共振孔の内の入力段の共振孔の前記内導体の
    一端に結合された入力手段と、 前記複数の共振孔の内の出力段の共振孔の前記内導体の
    一端に結合された出力手段とを備えた高周波フィルタ。