JP2003198205A

JP2003198205A - 積層型誘電体フィルタ

Info

Publication number: JP2003198205A
Application number: JP2001393205A
Authority: JP
Inventors: Yutaka Makino; 豊牧野; Takafumi Nogi; 貴文野木
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 2001-12-26
Filing date: 2001-12-26
Publication date: 2003-07-11

Abstract

(57)【要約】【課題】小型でかつ、インピーダンス整合性の良い積層
型誘電体フィルタを得る。【解決手段】ストリップラインを第１伝送線路５ａ、６
ａから折返した第２伝送線路５ａ、５ｂを形成した構造
にした。そして、隣り合うストリップライン５、６のグ
ランド端子３ａ、３ｂとの接地部が互い違いになるよう
に交互に配し、それぞれの接地部をインダクタンス素子
１１で接続した。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、特に高周波用電子
部品として使用される積層型誘電体フィルタに関するも
のである。

【０００２】

【従来の技術】携帯電話の分配器等に搭載される誘電体
フィルタは、誘電体共振器を複数組合せて構成されたバ
ンドパスフィルタである。そして近年の誘電体フィルタ
は、小型で比較的安価であるなどの理由から、それまで
主流であった同軸型誘電体フィルタに替わり、共振器を
ストリップラインで構成した積層型誘電体フィルタが多
用されつつある。このような従来の積層型誘電体フィル
タの等価回路図を図５に、その等価回路図を図６に示
す。

【０００３】積層型誘電体フィルタ５０は、図に示すよ
うに複数の誘電体層６２ａ〜６２ｇを積層した積層体６
２と誘電体層６２ａ〜６２ｇの主面に各種、電極、電送
線路等が形成されている。共振器を構成するストリップ
ライン５５、５６は何れも誘電体層６２ｅの同一面に形
成されており、一端が短絡し、他端が開放されて互いに
電磁界結合可能に並列に配置されており、誘電体層６２
ｂ及び誘電体層６２ｇの一方主面に形成したグランド電
極６３ｃ、６３ｄと対向して配置されている。なお、ス
トリップライン５５、５６は、小型にするために、一方
端をグランド電位に短絡して１／４波長の長さに設計し
ている。

【０００４】また、誘電体層６２ｃ及び誘電体層６２ｆ
の一方主面に形成した結合容量素子６０ａ、６０ｂによ
り静電結合力を強めるとともに、誘電体層６２ｄの一方
主面に、積層体６２の側面に形成する入出力端子（不図
示）に接続する引出電極６４０を有した整合電極６４
ａ、６４ｂを形成しており、各ストリップライン５５、
５６で構成するフィルタの整合をとっている。

【０００５】以上が従来の積層型誘電体フィルタ５０の
構造であるが、これを等価回路図で示すと図６のように
なる。即ち、入力端子ｘから出力端子ｙには整合電極６
４ａ、６４ｂで形成する容量成分、結合容量素子６０ａ
やストリップライン５５、５６間で形成する容量成分が
直列に接続されており、各々の間にストリップライン５
５、５６のそれぞれが同じ一方端に短絡させて並列に配
置し、互いに電磁静電結合することで通過域を持つフィ
ルタを構成している。

【０００６】一方、積層型誘電体フィルタ５０をより小
型化を実現するためにストリップライン５５、５６のラ
イン長を短縮する技術、即ち、グランド電位に短絡して
いないストリップライン５５、５６の他端からビアホー
ル導体を介して他の誘電体層に折返した構造が提案され
ている。このような積層型誘電体フィルタ７０の分解斜
視図を図７に示す。

【０００７】図に示すように、誘電体層７２ａ〜７２ｇ
を積層してなる積層体７２を有し、誘電体層７２ｂ〜誘
電体層７２ｅ間にストリップライン５５、５６が形成さ
れている。ストリップライン５５は誘電体層７２ｅの一
方主面に形成した第１伝送線路５５ａと誘電体層７２ｃ
の一方主面に形成した第２伝送線路５５ｂと、両伝送線
路５５ａ、５５ｂを接続するビアホール導体７８ａによ
り構成している。ビアホール導体７８ａは第１伝送線路
５５ａの他端と接続している。ストリップライン５６に
ついても同様の構造であるので説明を省略する。

【０００８】このように、第２伝送線路５５ｂ、５６ｂ
を形成して、第１伝送線路の他端から少し折返した構造
にすることにより、電界強度の強い第１伝送線路５５
ａ、５６ａの他端の容量成分を大きくできるので、スト
リップライン５５、５６の誘電体層７２ｅに形成する長
さが短縮し、より小型な積層型誘電体フィルタ７０とな
る。

【０００９】なお、誘電体層７２ｂ、７２ｇの一方主面
にグランド電極７３ｃ、７３ｄが形成されている。ま
た、誘電体層７２ｆ上に結合容量素子７０ａが形成され
ており、ストリップライン５５、５６の一方端に対向し
ている。更に、第１伝送線路５５ａ、５６ａと第２伝送
線路間５５ｂ、５６ｂ間に各ストリップライン５５、５
６に対向する整合電極７４ａ、７４ｂが形成されてお
り、各整合電極７４ａ、７４ｂから積層体７２の側面に
形成する入出力端子（不図示）に接続される引出電極７
４０、７４０が形成されている。

【００１０】以上が積層型誘電体フィルタ７０の構成で
あるが、これを等価回路図で示すと図６のようになるた
め説明を省略する。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】近年の携帯電話等に代
表されるように小型化、高機能化に伴い、用いられる電
子部品、即ち、従来技術に示した積層型誘電体フィルタ
をさらに小型にするためには、ストリップライン５６の
第２伝送線路の占める割合をさらに大きくして、ストリ
ップライン開放端側の容量成分をより大きくすればよ
い。

【００１２】しかしながら、第２伝送線路の占める割合
を大きくするとストリップライン５５、５６とグランド
電極７３ｃ、７３ｄ間の容量成分が大きくなり、その結
果、フィルタ全体の容量成分が大きくなために、フィル
タのインピーダンスが小さくなって各ストリップライン
５５、５６で構成する共振器の整合性が悪くなるという
問題があった。

【００１３】この問題を解決するためには、入力端子ｘ
から出力端子ｙまでの容量成分を大きくしなければなら
ない。即ち、ストリップライン５５、５６間の容量成分
やストリップライン５５、５６と整合電極６４ａ、６４
ｂで形成する容量成分を大きくする必要がある。

【００１４】しかしながら、容量成分を大きくするため
に結合容量素子７０ａや整合電極７４ａ、７４ｂの面積
を大きくすることは簡単にできない。その理由は、スト
リップライン５５、５６の長さが短く形成するので、充
分な電極を形成する面積が確保できなくなるからであ
る。

【００１５】一方、結合容量素子７０ａは、充分な面積
がとれず、容量成分が大きくならないので、減衰極が深
く形成できない。即ち、小型化にした為に実質的に第
１、第２伝送線路を形成する領域が小さくなっており、
結合容量素子７０ａを形成する面積に限界があった。従
って、減衰極が深く形成できず所望の阻止特性が得られ
ないという問題点を有していた。

【００１６】本発明は、上述の問題点に鑑みて案出され
たものであり、その目的は、小型でかつ整合性が良くフ
ィルタ特性を向上させた積層型誘電体フィルタを提供す
るものである。

【００１７】

【課題を解決するための手段】これらの課題を解決する
ために本発明では、複数の誘電体層を積層した誘電体ブ
ロックの異なる誘電体層間に、ビアホール導体を介して
互いに接続されている第１伝送線路、第２伝送線路を形
成し、前記第１伝送線路の一端をグランド電位に接地
し、前記第２伝送線路の一端を開放した複数のストリッ
プラインを、その隣り合う前記ストリップラインの接地
端が互い違いとなるように併設配置した積層型誘電体フ
ィルタであって、隣り合う前記ストリップラインは、互
いの接地部がインダクタンス素子を介して接続されてい
ることを特徴とする積層型誘電体フィルタを提供する。

【００１８】また、隣り合う前記ストリップラインは、
互いの開放端が容量素子を介して接続されていることを
特徴とする積層型誘電体フィルタを提供する。

【００１９】

【作用】積層型誘電体フィルタ（単に「フィルタ」とい
う）を小型化するのに、ストリップラインの第１伝送線
路の割合を短くすることが考えられるが、第１伝送線路
の割合を短くして、第２伝送線路の割合を長くすると、
第１伝送線路の他端、即ち、短絡させない先端側は電界
強度が強いのでストリップラインとグランド電極との容
量成分が増えるようになる。ここで、一般的にストリッ
プラインで構成する共振器（以下、単に「共振器」とい
う）のインピーダンスＺｓは、ストリップラインの誘導
成分をＬｓ、ストリップラインの容量成分をＣｓとした
とき、共振点ではＺｓ＝（Ｌｓ／Ｃｓ）^1/2が成り立つ
のでストリップラインの容量成分が大きくなると個々の
共振器のインピーダンスＺｓが低下する。従って、イン
ピーダンスＺｓが低下するとフィルタのインピーダンス
もそれに伴って低下し、入出力端子間の整合性が劣化す
る。

【００２０】一方、共振器の共振点におけるインピーダ
ンスＺｓが低下すると、フィルタ全体のインピーダンス
が小さくなり整合性が劣化する。従って、一般的にはス
トリップライン長を短くするために第２伝送線路を形成
するとフィルタとしてのインピーダンスが低下するため
に好ましくない。ここで、フィルタのインピーダンスＺ
は、誘導成分をＬ、容量成分をＣとしたときに、Ｚ＝ｊ
｛ωＬ−（１／ωＣ）｝と表され、フィルタとしてのイ
ンピーダンスＺを大きくするためには、従来からフィル
タの容量成分Ｃを大きくすると改善されることが知られ
ている。例えば、容量成分Ｃは各ストリップライン間に
形成する結合容量素子や、ストリップラインと入出力端
子側に形成する整合電極からなるが、これらの容量成分
を大きくすることでフィルタの容量成分Ｃを大きくとる
ことができる。従って、小型化するためにストリップラ
イン長が短く形成されると、充分に容量成分Ｃを形成す
る電極面積を取ることができないものである。

【００２１】しかしながら、本発明の請求項１によれ
ば、ストリップラインは第１伝送線路と第２伝送線路を
ビアホール導体により折り返して形成しており、しか
も、隣り合うストリップラインの接地部が互い違いにな
るように交互に配した、いわゆるインターデジタル型の
配置にしている。これにより、本来、第１伝送線路の一
方端は短絡して電界強度が弱く、第１伝送線路の他方端
は電界強度が強くなっているので、フィルタとしてみた
場合、電界強度が弱い第１伝送線路の一方端の周囲に
は、隣の第１伝送線路の電界強度が強い他方側が配され
ている。従って、第１伝送線路の一方端の周囲では静電
結合が強くなり、第２伝送線路の容量成分Ｃｓと相俟っ
て十分な容量成分Ｃを得ることができる。また、逆も同
じような作用を有している。従って、フィルタの容量成
分Ｃが低下するのを防ぎ、結合容量素子や整合電極を大
きく形成しなくてもフィルタのインピーダンスＺを大き
くすることができ各共振器間の整合性を良くすることが
できる。しかし、インターデジタル型の配置にしたこと
により、フィルタの容量性が強くなり、減衰極ができに
くくなるが、本発明では共振器における磁界強度が大き
いグランド電位に接地した接地部同士にインダクタンス
素子を介して互いに接続した。このインダクタンス素子
により、フィルタの誘導性が強められ、通過域付近に深
い減衰極を作ることができ、選択特性を劣化することを
防いでいる。

【００２２】また、本発明の請求項２によれば、第２の
伝送線路の開放された一端が結合容量素子を介して互い
に接続するように配置した。一般的には、ストリップラ
インを第１伝送線路と第２伝送線路をビアホール導体で
接続した場合、ビアホール導体付近で電界強度が強くも
のであるが、本発明のフィルタでは、小型化をするため
に第1伝送線路の占める割合を短くして第２伝送線路の
割合を長くすると第１伝送線路と第２伝送線路の長さが
略同じになるため、第２伝送線路の開放された一端側の
電界強度が強くなってくることが解った。

【００２３】従って、ストリップラインの互いの開放端
が容量素子を介して互いに接続して構成されているの
で、更に容量成分が大きくでき、インピーダンスの調整
で整合性の一層良くなり深い減衰極を有しフィルタ特性
を向上させた積層型誘電体フィルタが提供できる。

【００２４】

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図を用いて
説明する。図１は本発明の積層型誘電体フィルタ（フィ
ルタ）の外観斜視図、図２は内部構造を示す分解斜視
図、図３は積層型誘電体フィルタの等価回路図を示す。

【００２５】フィルタ１は図１に示すように、主に誘電
体ブロック２の端面にグランド端子３ａ、３ｂを、誘電
体ブロック２の側面の中央に入出力端子４ａ、４ｂが形
成されている。

【００２６】誘電体ブロック２は、図２に示すように複
数の誘電体層２ａ〜２ｇが積層されて構成されており、
誘電体層２ａ、２ｂ間と誘電体層２ｆ、２ｇ間のそれぞ
れの略全面にグランド電極３ｃ、３ｄが形成されてお
り、また、誘電体層２ｃ〜２ｆ間にストリップライン
５、６が形成されている。更に、誘電体層２ｃ、２ｄ間
には結合容量素子９が形成されている。

【００２７】誘電体層２ａ〜２ｇの材料は、セラミック
などの高誘電率材料が望ましい。代表的な高誘電率材料
には、Ｂａ−ＴｉＯ₂系、Ｃａ−ＴｉＯ₂系、Ｍｇ−Ｔｉ
Ｏ₂系等を用いると良い。前出の材料を使用すれば、誘
電率が高いので、少ない面積でも充分な容量成分が得ら
れ、実質的なストリップライン長を短縮し、部品を小型
化できる。

【００２８】ストリップライン５、６は、誘電体層２
ｅ、２ｆ間に配された第１伝送線路５ａ、６ａと、誘電
体層２ｂ、２ｃ間に配された第２伝送線路５ｂ、６ｂ
と、第１伝送線路５ａ、６ａと第２伝送線路５ｂ、６ｂ
とを互いに接続したビアホール導体７、８により構成さ
れる。

【００２９】第１伝送線路５ａと第１伝送線路６ａとは
並列して配置され、第１伝送線路５ａの一端はグランド
端子３ｂに接地されている。また、第１伝送線路５ａの
他端はビアホール導体７が接続されている。更に、第１
伝送線路５ａの他端の一部から配線導体が延出し、その
配線導体を略Ｌ字状に屈曲して誘電体ブロック２の側面
の入出力端子４ａに接続する整合電極４ｃが形成されて
いる。第１伝送線路５ａ，６ａの第２伝送線路５ｂは、
第２伝送線路６ｂと並列して配置され、第２伝送線路５
ｂの他端はビアホール導体７に接続され、一端が開放さ
れた開放端に延出されている。また、第２伝送線路５ｂ
は第１伝送線路５ａに対向して形成されており、第１伝
送線路５ａの幅よりも第２の伝送線路５ｂの幅が広くな
るように形成している。

【００３０】一方、第１伝送線路６ａの他端は、第１伝
送線路５ａが接続されるグランド端子３ｂと対向するグ
ランド端子３ａに接地されている。また、第１伝送線路
６ａの一端はビアホール導体８に接続され、第１伝送線
路６ａの他端の一部から配線導体が延出し、その配線導
体を略Ｌ字状に屈曲して誘電体ブロック２の側面の入出
力端子４ｂに接続する整合電極４ｄが形成されている。
また、第２伝送線路６ｂの他端はビアホール導体８に接
続され、一端が開放された開放端に延出されている。

【００３１】第２伝送線路６ｂは、その他端はビアホー
ル導体８に接続され、一端が開放された開放端に延出さ
れている。また、第２伝送線路６ｂは第１伝送線路６ａ
に対向して形成されており、第１伝送線路６ａの幅より
も第２の伝送線路６ｂの幅が広くなるように形成してい
る。

【００３２】ビアホール導体７、８は誘電体層２ｃ〜２
ｅを貫通した形成されており、上述のように第１伝送線
路５ａ、６ａの各グランド端子３ａ、３ｂと接続しない
第１伝送線路５ａ、６ａの先端側に接続されるが、必ず
しもこれに限定されることがなく、その先端の手前側に
接続しても良い。

【００３３】ストリップライン５、６の接続について
は、互いの接地部である第１伝送線路５ａと第２伝送線
路６ａのグランド端子３ａ、３ｂとの接地側領域とイン
ダクタンス素子１１を介して互いに接続して構成されて
いる。インダクタンス素子１１としては、Ｓ字状に形成
した導体で構成しても良く、蛇行状に形成しても良いが
これに限定されるものでなく、誘電体ブロック２の表面
に各第１伝送線路５ａ、６ａから延出させてコイル部材
で接続しても構わない。

【００３４】以上のようなストリップライン５、６によ
り、その各々の一端が接地され、第２伝送線路５ｂ、６
ｂの一端側で開放したλ／４波長の共振器が構成され
る。また、共振器となるストリップライン５、６は、そ
の接地部が互い違いになるように交互に配した、いわゆ
るインターデジタル型のフィルタとして構成されること
になる。

【００３５】なお、ストリップライン５、６は本実施の
形態では二本で示したがこれに限定されず二本以上形成
しても良い。その場合でも、互いに隣り合うストリップ
ラインの接地部がインターデジタル型となっている必要
がある。

【００３６】整合電極４ｃ、４ｄは、例えば、共振器間
の結合において電磁結合よりも静電結合のほうが強い容
量性のフィルタを形成した場合、各入出力端子４ａ、４
ｂ間の整合をとるために、整合電極４ｃ、４ｄを誘導成
分で構成し、第１伝送線路５ａの他端に、第１伝送線路
５ｂの一端にそれぞれ接続させている。

【００３７】容量素子９は共振器間の静電容量を大きく
するために形成され、電界強度の高い第２伝送線路５ｂ
と６ｂを結合するように配している。このように、共振
器以外にこの容量素子９を形成することで静電結合を強
くすることができ、共振器間の整合性を向上させること
ができるとともに、通過域付近に減衰極のある阻止域の
ある急峻なフィルタを作ることができる。即ち、通過域
から阻止域にかけて急峻である、選択性の良いフィルタ
となる。

【００３８】グランド電極３ｃ、３ｄ、ストリップライ
ン５、６、入出力端子４ａ、４ｂ、整合電極４ｃ、４
ｄ、ビアホール導体７、８、結合容量素子９に使われる
材料としては、高周波用電子部品であるため、ＡｇやＣ
ｕを主成分とする導体材料が望ましい。また、グランド
端子３ａ、３ｂ、入出力端子４ａ、４ｂは誘電体ブロッ
ク２の表面に形成されているため、電極表面にメッキ処
理をすることが望ましい。メッキ材料にはＡｕが一般的
であるが、Ｎｉ等の中間メッキ層を形成しても良い。以
上がフィルタ１の構成であるが、等価回路で示すと図３
のように表される。

【００３９】本発明のフィルタ１は次のような工程で製
造される。誘電体材料と樹脂材料からなるセラミックグ
リーンシートに導電性ペーストを用いて、ストリップラ
イン５、６等となる導体とビアホール導体７、８を形成
したものをそれぞれ逐次積層してなる積層体を作製す
る。その後、積層体を焼成し、所定の大きさに分割して
誘電体ブロック２が得られる。

【００４０】得られた誘電体ブロック２の表面に、グラ
ンド端子３ａ、３ｂ、入出力端子４ａ、４ｂとなる導体
ペーストを塗布した後、焼き付ける。その後、次にグラ
ンド端子３ａ、３ｂ、入出力端子４ａ、４ｂを無電解メ
ッキ法によりメッキ処理が行われてフィルタ１が完成す
る。

【００４１】次に本発明の特徴的なことを説明する。ス
トリップライン５、６は、積層型誘電体フィルタを小型
にするために、折り返すための第２伝送線路５ｂ、６ｂ
を形成し、更に小型にするために、第２伝送線路をスト
リップライン５、６の割合より大きくして、電界強度の
高い第２伝送線路５ｂ、６ｂの開放端側の静電容量を高
めストリップライン長を短くしている。

【００４２】ところが、ストリップライン５、６とグラ
ンド電極３ｃ、３ｄとの間の容量成分が大きくなると、
フィルタ１全体のインピーダンスは小さくなってしま
う。そして、インピーダンスが小さくなりすぎる場合、
フィルタの整合性が悪くなってしまう。この場合の対策
としては、一般的に入力端子から出力端子までの直列な
位置にある結合容量素子９、整合電極４ｃ、４ｄの容量
成分を大きくすれば良い。

【００４３】ところが、本発明では、より小型にするた
め、ストリップライン５、６の長さ短くしたいので、結
合容量素子９、整合電極４ｃ、４ｄの電極面積を広く形
成するスペースが充分にとれず、電極面積を広くする
と、小型化が達成できなくなる。

【００４４】そこで、ストリップライン５、６をインタ
ーデジタル型に配置した。これにより、本来、第１伝送
線路５ａの一方端は短絡して電界強度が低く、第１伝送
線路５ａの他方端は電界強度が強くなっているので、フ
ィルタ１としてみた場合、電界強度が弱い第１伝送線路
５ａの一方端の周囲には、隣の第１伝送線路６ａの電界
強度が強い他方側が配されているので、結果的に、第１
伝送線路５ａの一方端の周囲では静電結合が強くなり、
第２伝送線路５ｂ、６ｂの容量成分と相俟って十分な容
量成分を得ることができる。また、逆も同じような作用
を有している。従って、フィルタの容量成分が低下する
のを防ぎ、結合容量素子９や整合電極４ｃ、４ｄを大き
く形成しなくてもフィルタのインピーダンスの低下を防
止することができ各共振器間の整合性を良くすることが
できる。

【００４５】しかしながら、ストリップライン５、６を
インターデジタル型に配置し容量成分が大きくなると誘
導成分が小さくなる傾向にあり、減衰極ができにくく選
択特性が低いフィルタになりやすい。また、磁界強度は
グランド電位に接地した一端が強くなっているのでイン
ターデジタルにしてストリップライン５、６のそれぞれ
の一端が遠く離れる配置とすると電磁結合度が弱くな
り、容量成分が小さくなってしまうのを、インダクタン
ス素子１１で接続することにより、効率的に容量成分を
大きくすることができる。従って、減衰極を最適化し、
選択特性の良いフィルタが得られる。そこで、本発明で
はインダクタンス素子１１で接続すると、ストリップラ
イン５、６を近づけないので、容量成分を変えずに誘導
成分のみを大きくし、減衰極を深く形成することがで
き、フィルタの選択特性を劣化させることがない。

【００４６】第２の伝送線路５ｂ、６ｂの開放された一
端が結合容量素子９を介して互いに接続するように配置
した。一般的には、ストリップライン５、６を第１伝送
線路５ａ、６ａと第２伝送線路５ｂ、６ｂをビアホール
導体７、８で接続した場合、ビアホール導体７、８付近
で電界強度が強くなるが、本発明のフィルタでは、小型
化をするために第1伝送線路５ａ、６ａの占める割合を
短くして第２伝送線路５ｂ、６ｂの割合を長くすると第
１伝送線路５ａ、６ａと第２伝送線路５ｂ、６ｂの長さ
が略同じになるため、第２伝送線路の開放された一端側
の電界強度が強くなってくることが解った。

【００４７】従って、ストリップライン５、６の互いの
開放端が容量素子９を介して互いに接続して構成されて
いるので、更に容量成分が大きくでき、インピーダンス
の調整で整合性が一層良くなり深い減衰極を有しフィル
タ特性を向上させることができる。

【００４８】図４にかかる発明の特性を示す。特性ａ、
ｂは第２伝送線路５ｂ、６ｂの長さが第１伝送線路５
ａ、６ａの長さの０．７倍に設計し、特性ａは図１に示
すストリップライン構造のフィルタ特性を示し、特性ｂ
は図７に示すストリップライン構造のフィルタ特性を示
す。

【００４９】図に示すように、特性ａでインタデジタル
型でストリップライン５、６間にインダクタンス素子１
１を形成しているので、特性ｂのようにインターデジタ
ル型でなくストリップライン間にインダクタンス素子を
形成していないものに比べて通過域付近に減衰極を持た
すことができていることがわかる。

【００５０】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、誘電体ブ
ロック内に形成するストリップラインをインターデジタ
ル型に配置して、互いをインダクタ素子で接続すること
により、小型でかつ整合性の良くフィルタ特性を改善し
た積層型誘電体フィルタを提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の積層型誘電体フィルタの外観斜視図で
ある。

【図２】本発明の積層型誘電体フィルタの分解斜視図で
ある。

【図３】本発明の積層型誘電体フィルタの等価回路図で
ある。

【図４】本発明の積層型誘電体フィルタと従来の積層型
誘電体フィルタの特性図である。

【図５】従来の積層型誘電体フィルタの分解斜視図であ
る。

【図６】従来の積層型誘電体フィルタの等価回路図であ
る。

【図７】従来の積層型誘電体フィルタの他の分解斜視図
である。

【符号の説明】

１・・・・・・・積層型誘電体フィルタ２・・・・・・・誘電体ブロック２ａ〜２ｇ・・・誘電体層３ａ、３ｂ・・・グランド端子３ｃ、３ｄ・・・グランド電極４ａ、４ｂ・・・入出力端子４ｃ、４ｄ・・・整合電極５、６・・・・・ストリップライン５ａ、６ａ・・・第１伝送線路５ｂ、６ｂ・・・第２伝送線路７、８・・・・・ビアホール導体９・・・・・・・結合容量素子１１・・・・・・インダクタンス素子

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】複数の誘電体層を積層した誘電体ブロッ
クの異なる誘電体層間に、ビアホール導体を介して互い
に接続されている第１伝送線路、第２伝送線路を形成
し、前記第１伝送線路の一端をグランド電位に接地し、
前記第２伝送線路の一端を開放した複数のストリップラ
インを、その隣り合う前記ストリップラインの接地端が
互い違いとなるように併設配置した積層型誘電体フィル
タであって、隣り合う前記ストリップラインは、互いの接地部がイン
ダクタンス素子を介して接続されていることを特徴とす
る積層型誘電体フィルタ。
【請求項２】隣り合う前記ストリップラインは、互い
の開放端が容量素子を介して接続されていることを特徴
とする請求項１記載の積層型誘電体フィルタ。