JP3127792B2 - Ｌｃ共振器およびｌｃフィルタ - Google Patents
Ｌｃ共振器およびｌｃフィルタInfo
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 1
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
- H03H7/01—Frequency selective two-port networks
- H03H7/17—Structural details of sub-circuits of frequency selective networks
- H03H7/1741—Comprising typical LC combinations, irrespective of presence and location of additional resistors
- H03H7/1775—Parallel LC in shunt or branch path
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/40—Structural combinations of fixed capacitors with other electric elements, the structure mainly consisting of a capacitor, e.g. RC combinations
-
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
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- H03H1/00—Constructional details of impedance networks whose electrical mode of operation is not specified or applicable to more than one type of network
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明はＬＣ共振器および
ＬＣフィルタに関し、たとえば、携帯用無線機などに使
用される、ＬＣ共振器およびＬＣフィルタに関する。
ＬＣフィルタに関し、たとえば、携帯用無線機などに使
用される、ＬＣ共振器およびＬＣフィルタに関する。
【０００２】
【従来の技術】図７はこの発明の背景となりかつこの発
明が適用されるＬＣフィルタ（バンドパスフィルタ）の
一例を示す等価回路図である。このＬＣフィルタは、２
つのＬＣ共振器Ｒ１およびＲ２を含む。一方のＬＣ共振
器Ｒ１は、並列接続されるインダクタＬ１およびコンデ
ンサＣ１からなり、他方のＬＣ共振器Ｒ２は、並列接続
されるインダクタＬ２およびコンデンサＣ２からなる。
なお、インダクタＬ１およびＬ２は、互いに電磁結合さ
れる。また、一方のＬＣ共振器Ｒ１の一端は、コンデン
サＣ３を介して、一方の入出力端子Ｔ１に接続され、他
方のＬＣ共振器Ｒ２の一端は、コンデンサＣ４を介し
て、他方の入出力端子Ｔ２に接続される。さらに、ＬＣ
共振器Ｒ１およびＲ２のそれぞれの他端は、グランド端
子Ｇに接続される。
明が適用されるＬＣフィルタ（バンドパスフィルタ）の
一例を示す等価回路図である。このＬＣフィルタは、２
つのＬＣ共振器Ｒ１およびＲ２を含む。一方のＬＣ共振
器Ｒ１は、並列接続されるインダクタＬ１およびコンデ
ンサＣ１からなり、他方のＬＣ共振器Ｒ２は、並列接続
されるインダクタＬ２およびコンデンサＣ２からなる。
なお、インダクタＬ１およびＬ２は、互いに電磁結合さ
れる。また、一方のＬＣ共振器Ｒ１の一端は、コンデン
サＣ３を介して、一方の入出力端子Ｔ１に接続され、他
方のＬＣ共振器Ｒ２の一端は、コンデンサＣ４を介し
て、他方の入出力端子Ｔ２に接続される。さらに、ＬＣ
共振器Ｒ１およびＲ２のそれぞれの他端は、グランド端
子Ｇに接続される。
【０００３】図８は図７に示す等価回路を有する従来の
ＬＣフィルタの一例の要部を示す分解斜視図である。図
８に示す従来のＬＣフィルタ１は、積層される誘電体層
２ａ，２ｂ，２ｃおよび２ｄを含む。誘電体層２ａの上
面にはコンデンサ電極３ａなどが、誘電体層２ｂの上面
には別のコンデンサ電極３ｂなどが、誘電体層２ｃの上
面にはインダクタ素子として働く渦巻き状のパターン電
極４などが、それぞれ導電体を厚膜印刷することによっ
て形成される。そして、コンデンサ電極３ａおよび３ｂ
間に一方のＬＣ共振器Ｒ１のコンデンサＣ１が形成さ
れ、パターン電極４でそのＬＣ共振器Ｒ１のインダクタ
Ｌ１が形成される。同様に、誘電体層２ｂを挟む他の２
つのコンデンサ電極（図示せず）間に他方のＬＣ共振器
Ｒ２のコンデンサＣ２が形成され、誘電体層２ｃの上面
の他のパターン電極（図示せず）でそのＬＣ共振器Ｒ２
のインダクタＬ２が形成される。なお、誘電体層２ａ〜
２ｄの側面には、入出力端子Ｔ１，Ｔ２およびグランド
端子Ｇになるそれぞれの外部電極（図示せず）が形成さ
れる。また、ＬＣ共振器Ｒ１，Ｒ２の一端と入出力端子
Ｔ１，Ｔ２になる外部電極との間には、さらに他のコン
デンサ電極（図示せず）などでコンデンサＣ３およびＣ
４がそれぞれ形成される。さらに、ＬＣ共振器Ｒ１，Ｒ
２の他端は、グランド端子Ｇになる外部電極に接続され
る。
ＬＣフィルタの一例の要部を示す分解斜視図である。図
８に示す従来のＬＣフィルタ１は、積層される誘電体層
２ａ，２ｂ，２ｃおよび２ｄを含む。誘電体層２ａの上
面にはコンデンサ電極３ａなどが、誘電体層２ｂの上面
には別のコンデンサ電極３ｂなどが、誘電体層２ｃの上
面にはインダクタ素子として働く渦巻き状のパターン電
極４などが、それぞれ導電体を厚膜印刷することによっ
て形成される。そして、コンデンサ電極３ａおよび３ｂ
間に一方のＬＣ共振器Ｒ１のコンデンサＣ１が形成さ
れ、パターン電極４でそのＬＣ共振器Ｒ１のインダクタ
Ｌ１が形成される。同様に、誘電体層２ｂを挟む他の２
つのコンデンサ電極（図示せず）間に他方のＬＣ共振器
Ｒ２のコンデンサＣ２が形成され、誘電体層２ｃの上面
の他のパターン電極（図示せず）でそのＬＣ共振器Ｒ２
のインダクタＬ２が形成される。なお、誘電体層２ａ〜
２ｄの側面には、入出力端子Ｔ１，Ｔ２およびグランド
端子Ｇになるそれぞれの外部電極（図示せず）が形成さ
れる。また、ＬＣ共振器Ｒ１，Ｒ２の一端と入出力端子
Ｔ１，Ｔ２になる外部電極との間には、さらに他のコン
デンサ電極（図示せず）などでコンデンサＣ３およびＣ
４がそれぞれ形成される。さらに、ＬＣ共振器Ｒ１，Ｒ
２の他端は、グランド端子Ｇになる外部電極に接続され
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】図８に示す従来のＬＣ
フィルタ１では、各コンデンサとして比較的理想に近い
ものが作られるため、全体のＱは内蔵されるインダクタ
のＱに大きく左右される。そのため、ＬＣフィルタ１の
Ｑを上げるためには、インダクタ素子として働くパター
ン電極の断面積を大きくして、インダクタのＱを上げる
ことが考えられる。パターン電極の断面積を大きくする
ためには、厚膜印刷で形成されるパターン電極の膜厚が
１０数μｍ程度にしかならないため、パターン電極の幅
を太くすることが考えられる。ところが、パターン電極
の幅を太くすると、同一面積内で作られるパターン電極
によるインダクタンス値が小さくなるとともに、上下に
対向するコンデンサ電極などの電極との間に大きな浮遊
容量が発生し、逆にＱが低下してしまうという問題があ
る。なお、このような問題は、インダクタ素子として働
くパターン電極が厚膜印刷で形成される従来のＬＣ共振
器にも存在する。
フィルタ１では、各コンデンサとして比較的理想に近い
ものが作られるため、全体のＱは内蔵されるインダクタ
のＱに大きく左右される。そのため、ＬＣフィルタ１の
Ｑを上げるためには、インダクタ素子として働くパター
ン電極の断面積を大きくして、インダクタのＱを上げる
ことが考えられる。パターン電極の断面積を大きくする
ためには、厚膜印刷で形成されるパターン電極の膜厚が
１０数μｍ程度にしかならないため、パターン電極の幅
を太くすることが考えられる。ところが、パターン電極
の幅を太くすると、同一面積内で作られるパターン電極
によるインダクタンス値が小さくなるとともに、上下に
対向するコンデンサ電極などの電極との間に大きな浮遊
容量が発生し、逆にＱが低下してしまうという問題があ
る。なお、このような問題は、インダクタ素子として働
くパターン電極が厚膜印刷で形成される従来のＬＣ共振
器にも存在する。
【０００５】また、図８に示す従来のＬＣフィルタ１で
は、上下に配置されるパターン電極およびコンデンサ電
極の間隔を広げると、全体のＱは上がるが、全体の厚み
が増えて大型になり、厚み寸法に制限がある携帯用無線
機などの小型機器の内部には実装することができなくな
ってしまうという問題がある。なお、このような問題
は、インダクタ素子として働くパターン電極およびコン
デンサ電極がそれぞれ厚膜印刷で形成される従来のＬＣ
共振器にも存在する。
は、上下に配置されるパターン電極およびコンデンサ電
極の間隔を広げると、全体のＱは上がるが、全体の厚み
が増えて大型になり、厚み寸法に制限がある携帯用無線
機などの小型機器の内部には実装することができなくな
ってしまうという問題がある。なお、このような問題
は、インダクタ素子として働くパターン電極およびコン
デンサ電極がそれぞれ厚膜印刷で形成される従来のＬＣ
共振器にも存在する。
【０００６】さらに、図８に示す従来のＬＣフィルタ１
では、図９に示すように、パターン電極によって発生す
る磁力線がコンデンサ電極の主面にほぼ直交するので、
その磁力線によってコンデンサ電極に発生する渦電流損
が大きいとともに、全体のＱが低下するという問題があ
る。なお、このような問題は、インダクタ素子として働
くパターン電極およびコンデンサ電極がそれぞれ厚膜印
刷で形成される従来のＬＣ共振器にも存在する。
では、図９に示すように、パターン電極によって発生す
る磁力線がコンデンサ電極の主面にほぼ直交するので、
その磁力線によってコンデンサ電極に発生する渦電流損
が大きいとともに、全体のＱが低下するという問題があ
る。なお、このような問題は、インダクタ素子として働
くパターン電極およびコンデンサ電極がそれぞれ厚膜印
刷で形成される従来のＬＣ共振器にも存在する。
【０００７】それゆえに、この発明の主たる目的は、小
型でＱの高いＬＣ共振器およびＬＣフィルタを提供する
ことである。
型でＱの高いＬＣ共振器およびＬＣフィルタを提供する
ことである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明にかかるＬＣ共
振器は、積層される複数の誘電体層と、複数の誘電体層
を厚み方向に貫通するビアホールによって形成されるイ
ンダクタと、複数の誘電体層間に形成されるコンデンサ
電極間に形成されるコンデンサとを含み、インダクタは
コンデンサ電極の主面に直交する方向に設けられ、イン
ダクタおよびコンデンサは並列接続される、ＬＣ共振器
である。また、この発明にかかるＬＣフィルタは、積層
される複数の誘電体層と、複数 の誘電体層を厚み方向に
貫通するビアホールによって形成される複数のインダク
タと、複数の誘電体層間に形成されるコンデンサ電極間
に形成される複数のコンデンサとを含み、インダクタは
コンデンサ電極の主面に直交する方向に設けられ、複数
のインダクタおよび複数のコンデンサはそれぞれ並列接
続され、複数のインダクタおよび複数のコンデンサによ
って複数のＬＣ共振器が構成され、複数のＬＣ共振器の
複数のインダクタが電磁結合される、バンドパスフィル
タなどのＬＣフィルタである。
振器は、積層される複数の誘電体層と、複数の誘電体層
を厚み方向に貫通するビアホールによって形成されるイ
ンダクタと、複数の誘電体層間に形成されるコンデンサ
電極間に形成されるコンデンサとを含み、インダクタは
コンデンサ電極の主面に直交する方向に設けられ、イン
ダクタおよびコンデンサは並列接続される、ＬＣ共振器
である。また、この発明にかかるＬＣフィルタは、積層
される複数の誘電体層と、複数 の誘電体層を厚み方向に
貫通するビアホールによって形成される複数のインダク
タと、複数の誘電体層間に形成されるコンデンサ電極間
に形成される複数のコンデンサとを含み、インダクタは
コンデンサ電極の主面に直交する方向に設けられ、複数
のインダクタおよび複数のコンデンサはそれぞれ並列接
続され、複数のインダクタおよび複数のコンデンサによ
って複数のＬＣ共振器が構成され、複数のＬＣ共振器の
複数のインダクタが電磁結合される、バンドパスフィル
タなどのＬＣフィルタである。
【０００９】なお、この発明にかかるＬＣ共振器および
ＬＣフィルタでは、インダクタおよびコンデンサは、複
数の誘電体層の厚み方向において互いに異なった位置に
形成されてもよい。また、この発明にかかるＬＣ共振器
およびＬＣフィルタでは、コンデンサ電極は複数の誘電
体層の厚み方向においてインダクタが形成される誘電体
層の層間に形成されてもよい。さらに、この発明にかか
るＬＣ共振器およびＬＣフィルタでは、複数の誘電体層
間のうちの一番外側の層間にグランド電極が形成されて
もよい。
ＬＣフィルタでは、インダクタおよびコンデンサは、複
数の誘電体層の厚み方向において互いに異なった位置に
形成されてもよい。また、この発明にかかるＬＣ共振器
およびＬＣフィルタでは、コンデンサ電極は複数の誘電
体層の厚み方向においてインダクタが形成される誘電体
層の層間に形成されてもよい。さらに、この発明にかか
るＬＣ共振器およびＬＣフィルタでは、複数の誘電体層
間のうちの一番外側の層間にグランド電極が形成されて
もよい。
【００１０】また、この発明にかかるＬＣ共振器および
ＬＣフィルタでは、インダクタは複数のビアホールを含
み、複数のビアホールは接続電極で接続されてもよい。
この場合、複数のビアホールの少なくとも１対が電磁結
合されてもよい。さらに、この発明にかかるＬＣ共振器
およびＬＣフィルタでは、たとえば、インダクタは直線
状に形成され、インダクタの磁力線はインダクタの軸を
周回する方向に発生し、その磁力線と平行にコンデンサ
電極が配置される。 また、この発明にかかるＬＣ共振器
およびＬＣフィルタでは、たとえば、インダクタは、内
蔵されるすべての電極の主面に対して直交するように配
置される。
ＬＣフィルタでは、インダクタは複数のビアホールを含
み、複数のビアホールは接続電極で接続されてもよい。
この場合、複数のビアホールの少なくとも１対が電磁結
合されてもよい。さらに、この発明にかかるＬＣ共振器
およびＬＣフィルタでは、たとえば、インダクタは直線
状に形成され、インダクタの磁力線はインダクタの軸を
周回する方向に発生し、その磁力線と平行にコンデンサ
電極が配置される。 また、この発明にかかるＬＣ共振器
およびＬＣフィルタでは、たとえば、インダクタは、内
蔵されるすべての電極の主面に対して直交するように配
置される。
【００１１】
【作用】この発明にかかるＬＣ共振器およびＬＣフィル
タでは、積層される複数の誘電体層を厚み方向に貫通す
るビアホールによってインダクタが形成されるため、イ
ンダクタの断面積が増える。そのため、ＬＣ共振器およ
びＬＣフィルタのＱが高くなる。この場合、誘電体層の
主面の面積や厚みを大きくしなくてよいので、ＬＣ共振
器およびＬＣフィルタが大型にならない。
タでは、積層される複数の誘電体層を厚み方向に貫通す
るビアホールによってインダクタが形成されるため、イ
ンダクタの断面積が増える。そのため、ＬＣ共振器およ
びＬＣフィルタのＱが高くなる。この場合、誘電体層の
主面の面積や厚みを大きくしなくてよいので、ＬＣ共振
器およびＬＣフィルタが大型にならない。
【００１２】また、この発明にかかるＬＣ共振器および
ＬＣフィルタでは、複数の誘電体層間にコンデンサ電極
が形成されるため、コンデンサ電極の主面がビアホール
によるインダクタによって発生する磁力線と平行になる
ので、その磁力線によってコンデンサ電極に発生する渦
電流損が小さくなるとともに、Ｑが低下しにくくなる。
ＬＣフィルタでは、複数の誘電体層間にコンデンサ電極
が形成されるため、コンデンサ電極の主面がビアホール
によるインダクタによって発生する磁力線と平行になる
ので、その磁力線によってコンデンサ電極に発生する渦
電流損が小さくなるとともに、Ｑが低下しにくくなる。
【００１３】
【発明の効果】この発明によれば、小型でＱの高いＬＣ
共振器およびＬＣフィルタが得られる。
共振器およびＬＣフィルタが得られる。
【００１４】なお、この発明にかかるＬＣ共振器および
ＬＣフィルタでは、積層される複数の誘電体層を厚み方
向に貫通する複数のビアホールによってインダクタを形
成すれば、インダクタとしての導体の長さが長くなり、
導体の長さを少しくらい変えてもインダクタンス値があ
まり変わらなくなるので、インダクタンス値が調整しや
すくなる。
ＬＣフィルタでは、積層される複数の誘電体層を厚み方
向に貫通する複数のビアホールによってインダクタを形
成すれば、インダクタとしての導体の長さが長くなり、
導体の長さを少しくらい変えてもインダクタンス値があ
まり変わらなくなるので、インダクタンス値が調整しや
すくなる。
【００１５】この発明の上述の目的、その他の目的、特
徴および利点は、図面を参照して行う以下の発明の実施
の形態の詳細な説明から一層明らかとなろう。
徴および利点は、図面を参照して行う以下の発明の実施
の形態の詳細な説明から一層明らかとなろう。
【００１６】
【発明の実施の形態】図１はこの発明の実施の形態の一
例を示す図解図である。図１に示すＬＣフィルタ１０
は、直方体状の多層基板ないし積層体１２を含む。この
積層体１２は、多数のセラミック層からなる多数の誘電
体層１４，１４，１４，・・・などを積層することによ
って形成される。
例を示す図解図である。図１に示すＬＣフィルタ１０
は、直方体状の多層基板ないし積層体１２を含む。この
積層体１２は、多数のセラミック層からなる多数の誘電
体層１４，１４，１４，・・・などを積層することによ
って形成される。
【００１７】１番下の誘電体層１４，１４間には、２つ
のコンデンサ電極１６ａおよび１６ｂが間隔を隔てて形
成される。
のコンデンサ電極１６ａおよび１６ｂが間隔を隔てて形
成される。
【００１８】下から２番目の誘電体層１４，１４間に
は、２つの共通電極１８ａ１および１８ｂ１が間隔を隔
てて形成される。これらの共通電極１８ａ１および１８
ｂ１は、誘電体層１４を隔てて、２つのコンデンサ電極
１６ａおよび１６ｂにそれぞれ対向する。
は、２つの共通電極１８ａ１および１８ｂ１が間隔を隔
てて形成される。これらの共通電極１８ａ１および１８
ｂ１は、誘電体層１４を隔てて、２つのコンデンサ電極
１６ａおよび１６ｂにそれぞれ対向する。
【００１９】下から３番目の誘電体層１４，１４間に
は、グランド電極２０ａが形成される。このグランド電
極２０ａは、誘電体層１４を隔てて、２つの共通電極１
８ａ１および１８ｂ１に対向する。
は、グランド電極２０ａが形成される。このグランド電
極２０ａは、誘電体層１４を隔てて、２つの共通電極１
８ａ１および１８ｂ１に対向する。
【００２０】下から４番目の誘電体層１４，１４間に
は、２つの共通電極１８ａ２および１８ｂ２が間隔を隔
てて形成される。これらの共通電極１８ａ２および１８
ｂ２は、誘電体層１４を隔てて、グランド電極２０ａに
対向する。
は、２つの共通電極１８ａ２および１８ｂ２が間隔を隔
てて形成される。これらの共通電極１８ａ２および１８
ｂ２は、誘電体層１４を隔てて、グランド電極２０ａに
対向する。
【００２１】１番上の誘電体層１４，１４間には、グラ
ンド電極２０ｂが形成される。
ンド電極２０ｂが形成される。
【００２２】また、共通電極１８ａ２および１８ｂ２と
グランド電極２０ｂとの間において、複数の誘電体層１
４，１４，・・には、それらを厚み方向に貫通する円柱
状の２つのビアホール２２ａおよび２２ｂが形成され
る。これらのビアホール２２ａおよび２２ｂはインダク
タ素子として働く。なお、ビアホール２２ａおよび２２
ｂは、互いに電磁結合される。
グランド電極２０ｂとの間において、複数の誘電体層１
４，１４，・・には、それらを厚み方向に貫通する円柱
状の２つのビアホール２２ａおよび２２ｂが形成され
る。これらのビアホール２２ａおよび２２ｂはインダク
タ素子として働く。なお、ビアホール２２ａおよび２２
ｂは、互いに電磁結合される。
【００２３】なお、図示していないが、コンデンサ電極
１６ａおよび１６ｂと、共通電極１８ａ１，１８ｂ１，
１８ａ２および１８ｂ２と、グランド電極２０ａおよび
２０ｂとは、それぞれの一部分が誘電体層１４の端部に
まで延びて形成され、それぞれの端面が積層体１２の側
面から露出している。
１６ａおよび１６ｂと、共通電極１８ａ１，１８ｂ１，
１８ａ２および１８ｂ２と、グランド電極２０ａおよび
２０ｂとは、それぞれの一部分が誘電体層１４の端部に
まで延びて形成され、それぞれの端面が積層体１２の側
面から露出している。
【００２４】この積層体１２の側面には、多数の外部電
極（図示せず）が形成される。多数の外部電極のうち２
つの外部電極は、コンデンサ電極１６ａおよび１６ｂに
それぞれ接続され、入出力端子Ｔ１およびＴ２としてそ
れぞれ用いられる。また、他の外部電極は、共通電極１
８ａ１および１８ａ２に接続され、さらに他の外部電極
は、共通電極１８ｂ１および１８ｂ２に接続され、これ
らの外部電極は接続端子として用いられる。さらに、他
の外部電極は、グランド電極２０ａおよび２０ｂに接続
され、グランド端子Ｇとして用いられる。
極（図示せず）が形成される。多数の外部電極のうち２
つの外部電極は、コンデンサ電極１６ａおよび１６ｂに
それぞれ接続され、入出力端子Ｔ１およびＴ２としてそ
れぞれ用いられる。また、他の外部電極は、共通電極１
８ａ１および１８ａ２に接続され、さらに他の外部電極
は、共通電極１８ｂ１および１８ｂ２に接続され、これ
らの外部電極は接続端子として用いられる。さらに、他
の外部電極は、グランド電極２０ａおよび２０ｂに接続
され、グランド端子Ｇとして用いられる。
【００２５】そして、共通電極１８ａ１および１８ａ２
とグランド電極２０ａとの間に一方のＬＣ共振器Ｒ１の
コンデンサＣ１が形成され、ビアホール２２ａでそのＬ
Ｃ共振器Ｒ１のインダクタＬ１が形成される。また、共
通電極１８ｂ１および１８ｂ２とグランド電極２０ａと
の間に他方のＬＣ共振器Ｒ２のコンデンサＣ２が形成さ
れ、ビアホール２２ｂでそのＬＣ共振器Ｒ２のインダク
タＬ２が形成される。なお、ビアホール２２ａおよび２
２ｂは互いに電磁結合されるので、インダクタＬ１およ
びＬ２も電磁結合される。さらに、コンデンサ電極１６
ａと共通電極１８ａ１との間にコンデンサＣ３が形成さ
れ、コンデンサ電極１６ｂと共通電極１８ｂ１との間に
コンデンサＣ４が形成される。
とグランド電極２０ａとの間に一方のＬＣ共振器Ｒ１の
コンデンサＣ１が形成され、ビアホール２２ａでそのＬ
Ｃ共振器Ｒ１のインダクタＬ１が形成される。また、共
通電極１８ｂ１および１８ｂ２とグランド電極２０ａと
の間に他方のＬＣ共振器Ｒ２のコンデンサＣ２が形成さ
れ、ビアホール２２ｂでそのＬＣ共振器Ｒ２のインダク
タＬ２が形成される。なお、ビアホール２２ａおよび２
２ｂは互いに電磁結合されるので、インダクタＬ１およ
びＬ２も電磁結合される。さらに、コンデンサ電極１６
ａと共通電極１８ａ１との間にコンデンサＣ３が形成さ
れ、コンデンサ電極１６ｂと共通電極１８ｂ１との間に
コンデンサＣ４が形成される。
【００２６】したがって、図１に示すＬＣフィルタ１０
は、図７に示す等価回路を有する。
は、図７に示す等価回路を有する。
【００２７】図１に示すＬＣフィルタ１０では、積層さ
れる複数の誘電体層１４，１４，・・を厚み方向に貫通
するビアホール２２ａおよび２２ｂがインダクタとして
働くため、図８に示す従来例と比べて、インダクタの断
面積が増える。そのため、このＬＣフィルタ１０では、
図８に示す従来例と比べて、Ｑがたとえば２倍以上大き
くなる。この場合、このＬＣフィルタ１０では、図８に
示す従来例と比べて、セラミック層としての誘電体層の
主面の面積や厚みを大きくしなくてよいので、大型にな
らない。
れる複数の誘電体層１４，１４，・・を厚み方向に貫通
するビアホール２２ａおよび２２ｂがインダクタとして
働くため、図８に示す従来例と比べて、インダクタの断
面積が増える。そのため、このＬＣフィルタ１０では、
図８に示す従来例と比べて、Ｑがたとえば２倍以上大き
くなる。この場合、このＬＣフィルタ１０では、図８に
示す従来例と比べて、セラミック層としての誘電体層の
主面の面積や厚みを大きくしなくてよいので、大型にな
らない。
【００２８】図２はこの発明の実施の形態の他の例を示
す図解図であり、図３はその要部を示す図解図である。
図２および図３に示す発明の実施の形態では、図１に示
す発明の実施の形態と比べて、特に、各インダクタ素子
が２つのビアホールによって形成される。
す図解図であり、図３はその要部を示す図解図である。
図２および図３に示す発明の実施の形態では、図１に示
す発明の実施の形態と比べて、特に、各インダクタ素子
が２つのビアホールによって形成される。
【００２９】すなわち、図２および図３に示す発明の実
施の形態では、図１に示す発明の実施の形態と比べて、
４番目の誘電体層１４，１４間に、２つの共通電極１８
ａ２および１８ｂ２がそれぞれ小さく形成され、１番上
の誘電体層１４，１４間に、２つの接続電極２６ａおよ
び２６ｂが間隔を隔てて形成される。なお、これらの接
続電極２６ａおよび２６ｂは、それぞれの一部分が誘電
体層１４の端部にまで延びて形成される必要はなく、そ
れぞれの端部が積層体１２の側面から露出されなくても
よい。また、共通電極１８ａ２および１８ｂ２と接続電
極２６ａおよび２６ｂとの間において、複数の誘電体層
１４，１４，・・には、それらを厚み方向に貫通する円
柱状の２つのビアホール２２ａ１および２２ｂ１が形成
される。さらに、グランド電極２０ａと接続電極２６ａ
および２６ｂとの間において、複数の誘電体層１４，１
４，・・には、それらを厚み方向に貫通する円柱状の２
つのビアホール２２ａ２および２２ｂ２が形成される。
それらのビアホール２２ａ１，２２ｂ１，２２ａ２およ
び２２ｂ２はインダクタ素子として働く。なお、ビアホ
ール２２ａ２および２２ｂ２は、互いに電磁結合され
る。
施の形態では、図１に示す発明の実施の形態と比べて、
４番目の誘電体層１４，１４間に、２つの共通電極１８
ａ２および１８ｂ２がそれぞれ小さく形成され、１番上
の誘電体層１４，１４間に、２つの接続電極２６ａおよ
び２６ｂが間隔を隔てて形成される。なお、これらの接
続電極２６ａおよび２６ｂは、それぞれの一部分が誘電
体層１４の端部にまで延びて形成される必要はなく、そ
れぞれの端部が積層体１２の側面から露出されなくても
よい。また、共通電極１８ａ２および１８ｂ２と接続電
極２６ａおよび２６ｂとの間において、複数の誘電体層
１４，１４，・・には、それらを厚み方向に貫通する円
柱状の２つのビアホール２２ａ１および２２ｂ１が形成
される。さらに、グランド電極２０ａと接続電極２６ａ
および２６ｂとの間において、複数の誘電体層１４，１
４，・・には、それらを厚み方向に貫通する円柱状の２
つのビアホール２２ａ２および２２ｂ２が形成される。
それらのビアホール２２ａ１，２２ｂ１，２２ａ２およ
び２２ｂ２はインダクタ素子として働く。なお、ビアホ
ール２２ａ２および２２ｂ２は、互いに電磁結合され
る。
【００３０】また、図２および図３に示す発明の実施の
形態では、図１に示す発明の実施の形態と同様に、入出
力端子Ｔ１，Ｔ２、接続端子およびグランド端子Ｇとし
て用いられる多数の外部電極（図示せず）が積層体１２
の側面に形成されるが、特に、グランド端子Ｇとして用
いられる外部電極は、グランド電極２０ａのみに接続さ
れる。
形態では、図１に示す発明の実施の形態と同様に、入出
力端子Ｔ１，Ｔ２、接続端子およびグランド端子Ｇとし
て用いられる多数の外部電極（図示せず）が積層体１２
の側面に形成されるが、特に、グランド端子Ｇとして用
いられる外部電極は、グランド電極２０ａのみに接続さ
れる。
【００３１】さらに、図２および図３に示す発明の実施
の形態では、図１に示す発明の実施の形態と同様に各コ
ンデンサＣ１，Ｃ２，Ｃ３およびＣ４が形成されるが、
接続電極２６ａで接続されたビアホール２２ａ１および
２２ａ２で一方のＬＣ共振器Ｒ１のインダクタＬ１が形
成され、接続電極２６ｂで接続されたビアホール２２ｂ
１および２２ｂ２で他方のＬＣ共振器Ｒ２のインダクタ
Ｌ２が形成される。
の形態では、図１に示す発明の実施の形態と同様に各コ
ンデンサＣ１，Ｃ２，Ｃ３およびＣ４が形成されるが、
接続電極２６ａで接続されたビアホール２２ａ１および
２２ａ２で一方のＬＣ共振器Ｒ１のインダクタＬ１が形
成され、接続電極２６ｂで接続されたビアホール２２ｂ
１および２２ｂ２で他方のＬＣ共振器Ｒ２のインダクタ
Ｌ２が形成される。
【００３２】したがって、図２および図３に示すＬＣフ
ィルタ１０も、図７に示す等価回路を有する。
ィルタ１０も、図７に示す等価回路を有する。
【００３３】図２および図３に示す発明の実施の形態で
も、図１に示す発明の実施の形態と同様に、図８に示す
従来例と比べて、インダクタの断面積が増えるため、Ｑ
が大きくなり、全体が大型にならない。
も、図１に示す発明の実施の形態と同様に、図８に示す
従来例と比べて、インダクタの断面積が増えるため、Ｑ
が大きくなり、全体が大型にならない。
【００３４】また、図２および図３に示す発明の実施の
形態では、積層される複数の誘電体層を厚み方向に貫通
する２つのビアホールによって１つのインダクタ素子が
形成されているので、１つのインダクタ素子としての導
体の長さが長くなる。そのため、導体の長さを少しくら
い変えてもインダクタンス値があまり変わらなくなるの
で、インダクタンス値が調整しやすくなる。
形態では、積層される複数の誘電体層を厚み方向に貫通
する２つのビアホールによって１つのインダクタ素子が
形成されているので、１つのインダクタ素子としての導
体の長さが長くなる。そのため、導体の長さを少しくら
い変えてもインダクタンス値があまり変わらなくなるの
で、インダクタンス値が調整しやすくなる。
【００３５】図４は図２および図３に示す発明の実施の
形態の変形例の要部を示す図解図である。図４に示す発
明の実施の形態では、図２および図３に示す発明の実施
の形態と比べて、特に、４つのビアホール２２ａ１，２
２ｂ１，２２ａ２および２２ｂ２が、２行２列に接近し
て形成される。さらに、ビアホール２２ａ１および２２
ｂ１の一端が接続される共通電極１８ａ２および１８ｂ
２は、ビアホール２２ａ１および２２ｂ１に対応した位
置に形成される。したがって、図４に示す発明の実施の
形態では、図２および図３に示す発明の実施の形態と比
べて、インダクタＬ１およびＬ２の電磁結合の強度が大
きくなる。
形態の変形例の要部を示す図解図である。図４に示す発
明の実施の形態では、図２および図３に示す発明の実施
の形態と比べて、特に、４つのビアホール２２ａ１，２
２ｂ１，２２ａ２および２２ｂ２が、２行２列に接近し
て形成される。さらに、ビアホール２２ａ１および２２
ｂ１の一端が接続される共通電極１８ａ２および１８ｂ
２は、ビアホール２２ａ１および２２ｂ１に対応した位
置に形成される。したがって、図４に示す発明の実施の
形態では、図２および図３に示す発明の実施の形態と比
べて、インダクタＬ１およびＬ２の電磁結合の強度が大
きくなる。
【００３６】図５はこの発明の実施の形態のさらに他の
例を示す図解図である。図５に示すＬＣフィルタ１０
も、多数のセラミック層からなる多数の誘電体層１４，
１４，１４・・・などを積層することによって形成され
る直方体状の多層基板ないし積層体１２を含む。
例を示す図解図である。図５に示すＬＣフィルタ１０
も、多数のセラミック層からなる多数の誘電体層１４，
１４，１４・・・などを積層することによって形成され
る直方体状の多層基板ないし積層体１２を含む。
【００３７】１番下の誘電体層１４，１４間には、２つ
の共通電極１８ａ１および１８ｂ１が間隔を隔てて形成
される。
の共通電極１８ａ１および１８ｂ１が間隔を隔てて形成
される。
【００３８】下から２番目の誘電体層１４，１４間に
は、２つのコンデンサ電極１６ａおよび１６ｂが間隔を
隔てて形成される。これらのコンデンサ電極１６ａおよ
び１６ｂは、誘電体層１４を隔てて、２つの共通電極１
８ａ１および１８ｂ１にそれぞれ対向する。
は、２つのコンデンサ電極１６ａおよび１６ｂが間隔を
隔てて形成される。これらのコンデンサ電極１６ａおよ
び１６ｂは、誘電体層１４を隔てて、２つの共通電極１
８ａ１および１８ｂ１にそれぞれ対向する。
【００３９】下から３番目の誘電体層１４，１４間に
は、２つの共通電極１８ａ２および１８ｂ２が間隔を隔
てて形成される。これらの共通電極１８ａ２および１８
ｂ２は、誘電体層１４を隔てて、２つのコンデンサ電極
１６ａおよび１６ｂにそれぞれ対向する。
は、２つの共通電極１８ａ２および１８ｂ２が間隔を隔
てて形成される。これらの共通電極１８ａ２および１８
ｂ２は、誘電体層１４を隔てて、２つのコンデンサ電極
１６ａおよび１６ｂにそれぞれ対向する。
【００４０】下から４番目の誘電体層１４，１４間に
は、２つのグランド電極２０ａおよび２０ｂが間隔を隔
てて形成される。これらのグランド電極２０ａおよび２
０ｂは、誘電体層１４を隔てて、２つの共通電極１８ａ
２および１８ｂ２にそれぞれ対向する。
は、２つのグランド電極２０ａおよび２０ｂが間隔を隔
てて形成される。これらのグランド電極２０ａおよび２
０ｂは、誘電体層１４を隔てて、２つの共通電極１８ａ
２および１８ｂ２にそれぞれ対向する。
【００４１】下から５番目の誘電体層１４，１４間に
は、２つの共通電極１８ａ３および１８ｂ３が間隔を隔
てて形成される。これらの共通電極１８ａ３および１８
ｂ３は、誘電体層１４を隔てて、２つのグランド電極２
０ａおよび２０ｂにそれぞれ対向する。
は、２つの共通電極１８ａ３および１８ｂ３が間隔を隔
てて形成される。これらの共通電極１８ａ３および１８
ｂ３は、誘電体層１４を隔てて、２つのグランド電極２
０ａおよび２０ｂにそれぞれ対向する。
【００４２】１番上の誘電体層１４，１４間には、グラ
ンド電極２０ｃが形成される。このグランド電極２０ｃ
は、誘電体層１４を隔てて、２つの共通電極１８ａ３お
よび１８ｂ３に対向する。
ンド電極２０ｃが形成される。このグランド電極２０ｃ
は、誘電体層１４を隔てて、２つの共通電極１８ａ３お
よび１８ｂ３に対向する。
【００４３】また、共通電極１８ａ１および１８ｂ１と
グランド電極２０ｃとの間において、複数の誘電体層１
４，１４，・・には、それらを厚み方向に貫通する円柱
状の２つのビアホール２２ａおよび２２ｂが形成され
る。これらのビアホール２２ａおよび２２ｂはインダク
タ素子として働く。この場合、ビアホール２２ａおよび
２２ｂの一端は、共通電極１８ａ１および１８ｂ１にそ
れぞれ接続される。また、ビアホール２２ａおよび２２
ｂの他端は、グランド電極２０ｃに接続される。なお、
ビアホール２２ａおよび２２ｂは、互いに電磁結合され
る。
グランド電極２０ｃとの間において、複数の誘電体層１
４，１４，・・には、それらを厚み方向に貫通する円柱
状の２つのビアホール２２ａおよび２２ｂが形成され
る。これらのビアホール２２ａおよび２２ｂはインダク
タ素子として働く。この場合、ビアホール２２ａおよび
２２ｂの一端は、共通電極１８ａ１および１８ｂ１にそ
れぞれ接続される。また、ビアホール２２ａおよび２２
ｂの他端は、グランド電極２０ｃに接続される。なお、
ビアホール２２ａおよび２２ｂは、互いに電磁結合され
る。
【００４４】なお、図示していないが、コンデンサ電極
１６ａおよび１６ｂと、共通電極１８ａ１，１８ｂ１，
１８ａ２，１８ｂ２，１８ａ３および１８ｂ３と、グラ
ンド電極２０ａ，２０ｂおよび２０ｃとは、それぞれの
一部分が誘電体層１４の端部にまで延びて形成され、そ
れぞれの端面が積層体１２の側面から露出している。
１６ａおよび１６ｂと、共通電極１８ａ１，１８ｂ１，
１８ａ２，１８ｂ２，１８ａ３および１８ｂ３と、グラ
ンド電極２０ａ，２０ｂおよび２０ｃとは、それぞれの
一部分が誘電体層１４の端部にまで延びて形成され、そ
れぞれの端面が積層体１２の側面から露出している。
【００４５】また、積層体１２の側面には、多数の外部
電極（図示せず）が形成される。多数の外部電極のうち
２つの外部電極は、コンデンサ電極１６ａおよび１６ｂ
にそれぞれ接続され、入出力端子Ｔ１およびＴ２として
それぞれ用いられる。また、他の外部電極は、共通電極
１８ａ１，１８ａ２および１８ａ３に接続され、さらに
他の外部電極は、共通電極１８ｂ１，１８ｂ２および１
８ｂ３に接続され、これらの外部電極は接続端子として
用いられる。さらに、他の外部電極は、グランド電極２
０ａ，２０ｂおよび２０ｃに接続され、グランド端子Ｇ
として用いられる。
電極（図示せず）が形成される。多数の外部電極のうち
２つの外部電極は、コンデンサ電極１６ａおよび１６ｂ
にそれぞれ接続され、入出力端子Ｔ１およびＴ２として
それぞれ用いられる。また、他の外部電極は、共通電極
１８ａ１，１８ａ２および１８ａ３に接続され、さらに
他の外部電極は、共通電極１８ｂ１，１８ｂ２および１
８ｂ３に接続され、これらの外部電極は接続端子として
用いられる。さらに、他の外部電極は、グランド電極２
０ａ，２０ｂおよび２０ｃに接続され、グランド端子Ｇ
として用いられる。
【００４６】そして、共通電極１８ａ２および１８ａ３
とグランド電極２０ａおよび２０ｃとの間に一方のＬＣ
共振器Ｒ１のコンデンサＣ１が形成され、ビアホール２
２ａでそのＬＣ共振器Ｒ１のインダクタＬ１が形成され
る。また、共通電極１８ｂ２および１８ｂ３とグランド
電極２０ｂおよび２０ｃとの間に他方のＬＣ共振器Ｒ２
のコンデンサＣ２が形成され、ビアホール２２ｂでその
ＬＣ共振器Ｒ２のインダクタＬ２が形成される。なお、
ビアホール２２ａおよび２２ｂは互いに電磁結合され
る。さらに、コンデンサ電極１６ａと共通電極１８ａ１
および１８ａ２との間にコンデンサＣ３が形成され、コ
ンデンサ電極１６ｂと共通電極１８ｂ１および１８ｂ２
との間にコンデンサＣ４が形成される。
とグランド電極２０ａおよび２０ｃとの間に一方のＬＣ
共振器Ｒ１のコンデンサＣ１が形成され、ビアホール２
２ａでそのＬＣ共振器Ｒ１のインダクタＬ１が形成され
る。また、共通電極１８ｂ２および１８ｂ３とグランド
電極２０ｂおよび２０ｃとの間に他方のＬＣ共振器Ｒ２
のコンデンサＣ２が形成され、ビアホール２２ｂでその
ＬＣ共振器Ｒ２のインダクタＬ２が形成される。なお、
ビアホール２２ａおよび２２ｂは互いに電磁結合され
る。さらに、コンデンサ電極１６ａと共通電極１８ａ１
および１８ａ２との間にコンデンサＣ３が形成され、コ
ンデンサ電極１６ｂと共通電極１８ｂ１および１８ｂ２
との間にコンデンサＣ４が形成される。
【００４７】したがって、図５に示すＬＣフィルタ１０
も、図７に示す等価回路を有する。
も、図７に示す等価回路を有する。
【００４８】図５に示す発明の実施の形態でも、図１〜
図４に示す発明の実施の形態と同様に、図８に示す従来
例と比べて、インダクタの断面積が増えるため、Ｑが大
きくなり、全体が大型にならない。
図４に示す発明の実施の形態と同様に、図８に示す従来
例と比べて、インダクタの断面積が増えるため、Ｑが大
きくなり、全体が大型にならない。
【００４９】また、図５に示す発明の実施の形態では、
図６に示すように、コンデンサ電極や共通電極などの電
極の主面がビアホールによって発生する磁力線と平行に
なるので、その磁力線によってコンデンサ電極や共通電
極に発生する渦電流損が小さくなるとともに、Ｑが低下
しにくくなる。
図６に示すように、コンデンサ電極や共通電極などの電
極の主面がビアホールによって発生する磁力線と平行に
なるので、その磁力線によってコンデンサ電極や共通電
極に発生する渦電流損が小さくなるとともに、Ｑが低下
しにくくなる。
【００５０】なお、上述の発明の実施の形態の各例で
は、セラミック層として誘電体層が用いられているが、
この発明では、セラミック層として絶縁体層や磁性体層
が用いられてもよい。
は、セラミック層として誘電体層が用いられているが、
この発明では、セラミック層として絶縁体層や磁性体層
が用いられてもよい。
【００５１】また、上述の発明の実施の形態の各例で
は、セラミック層としての誘電体層が１枚のセラミック
グリーンシートで形成されるが、この発明では、セラミ
ック層を形成するセラミックグリーンシートの枚数や厚
みは任意に変更されてもよい。
は、セラミック層としての誘電体層が１枚のセラミック
グリーンシートで形成されるが、この発明では、セラミ
ック層を形成するセラミックグリーンシートの枚数や厚
みは任意に変更されてもよい。
【００５２】さらに、上述の発明の実施の形態の各例で
は、ビアホールが円柱状に形成されているが、この発明
では、ビアホールはたとえば４角柱状などの他の形状に
形成されてもよい。
は、ビアホールが円柱状に形成されているが、この発明
では、ビアホールはたとえば４角柱状などの他の形状に
形成されてもよい。
【００５３】また、上述の発明の実施の形態の各例で
は、１つのインダクタ素子が１つのビアホールに形成さ
れあるいは２つのビアホールにわたって形成されている
が、この発明では、１つのインダクタ素子が３つ以上の
ビアホールにわたって形成されてもよい。
は、１つのインダクタ素子が１つのビアホールに形成さ
れあるいは２つのビアホールにわたって形成されている
が、この発明では、１つのインダクタ素子が３つ以上の
ビアホールにわたって形成されてもよい。
【００５４】また、上述の発明の実施の形態の各例では
コンデンサ電極や共通電極を形成するためにセラミック
グリーンシートに導体ペーストが厚膜印刷されるが、こ
れ以外の公知の手段でコンデンサ電極や共通電極が形成
されてもよい。
コンデンサ電極や共通電極を形成するためにセラミック
グリーンシートに導体ペーストが厚膜印刷されるが、こ
れ以外の公知の手段でコンデンサ電極や共通電極が形成
されてもよい。
【００５５】なお、この発明は、２つのＬＣ共振器など
を内蔵するＬＣフィルタ以外に、１つのインダクタタ素
子および１つのコンデンサを内蔵するＬＣ共振器にも適
用され得る。
を内蔵するＬＣフィルタ以外に、１つのインダクタタ素
子および１つのコンデンサを内蔵するＬＣ共振器にも適
用され得る。
【図１】この発明の実施の形態の一例を示す図解図であ
る。
る。
【図２】この発明の実施の形態の他の例を示す図解図で
ある。
ある。
【図３】図２に示す発明の実施の形態の要部を示す図解
図である。
図である。
【図４】図２および図３に示す発明の実施の形態の変形
例の要部を示す図解図である。
例の要部を示す図解図である。
【図５】この発明の実施の形態のさらに他の例を示す図
解図である。
解図である。
【図６】図５に示す発明の実施の形態においてビアホー
ルによって発生する磁力線とコンデンサ電極および共通
電極などの電極との関係を示す図解図である。
ルによって発生する磁力線とコンデンサ電極および共通
電極などの電極との関係を示す図解図である。
【図７】この発明の背景となりかつこの発明が適用され
るＬＣフィルタの一例を示す等価回路図である。
るＬＣフィルタの一例を示す等価回路図である。
【図８】図７に示す等価回路を有する従来のＬＣフィル
タの一例の要部を示す分解斜視図である。
タの一例の要部を示す分解斜視図である。
【図９】図８に示すＬＣフィルタにおいてパターン電極
によって発生する磁力線とコンデンサ電極との関係を示
す図解図である。
によって発生する磁力線とコンデンサ電極との関係を示
す図解図である。
１０ ＬＣフィルタ １２ 積層体 １４ 誘電体層 １６ａ，１６ｂ コンデンサ電極 １８ａ１，１８ａ２，１８ａ３，１８ｂ１，１８ｂ２，
１８ｂ３ 共通電極 ２０ａ，２０ｂ グランド電極 ２２ａ，２２ａ１，２２ａ２，２２ｂ，２２ｂ１，２２
ｂ２ ビアホール ２６ａ，２６ｂ 接続電極 Ｒ１，Ｒ２ ＬＣ共振器 Ｌ１，Ｌ２ インダクタ Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４ コンデンサ Ｔ１，Ｔ２ 入出力端子 Ｇ アース端子
１８ｂ３ 共通電極 ２０ａ，２０ｂ グランド電極 ２２ａ，２２ａ１，２２ａ２，２２ｂ，２２ｂ１，２２
ｂ２ ビアホール ２６ａ，２６ｂ 接続電極 Ｒ１，Ｒ２ ＬＣ共振器 Ｌ１，Ｌ２ インダクタ Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４ コンデンサ Ｔ１，Ｔ２ 入出力端子 Ｇ アース端子
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01F 17/00,27/00,41/04 H01G 4/40 H03H 5/02,7/075
Claims (10)
- 【請求項１】 積層される複数の誘電体層、前記複数の
誘電体層を厚み方向に貫通するビアホールによって形成
されるインダクタ、および前記複数の誘電体層間に形成
されるコンデンサ電極間に形成されるコンデンサを含
み、 前記インダクタは前記コンデンサ電極の主面に直交する
方向に設けられ、 前記インダクタおよび前記コンデンサは並列接続され
る、ＬＣ共振器 。 - 【請求項２】 積層される複数の誘電体層、 前記複数の誘電体層を厚み方向に貫通するビアホールに
よって形成される複数のインダクタ、および 前記複数の
誘電体層間に形成されるコンデンサ電極間に形成される
複数のコンデンサを含み、 前記インダクタは前記コンデンサ電極の主面に直交する
方向に設けられ、 前記複数のインダクタおよび前記複数のコンデンサはそ
れぞれ並列接続され、 前記複数のインダクタおよび前記
複数のコンデンサによって複数のＬＣ共振器が構成さ
れ、 前記複数のＬＣ共振器の前記複数のインダクタが電
磁結合される、ＬＣフィルタ 。 - 【請求項３】 バンドパスフィルタである、請求項２に
記載のＬＣフィルタ。 - 【請求項４】 前記インダクタおよび前記コンデンサ
は、前記複数の誘電体層の厚み方向において互いに異な
った位置に形成される、請求項１に記載のＬＣ共振器ま
たは請求項２〜３のいずれかに記載のＬＣフィルタ。 - 【請求項５】 前記コンデンサ電極は前記複数の誘電体
層の厚み方向において前記インダクタが形成される前記
誘電体層の層間に形成される、請求項１に記載のＬＣ共
振器または請求項２〜３のいずれかに記載のＬＣフィル
タ。 - 【請求項６】 前記複数の誘電体層間のうちの一番外側
の層間にグランド電極が形成される、請求項１に記載の
ＬＣ共振器または請求項２〜５のいずれかに記載のＬＣ
フィルタ。 - 【請求項７】 前記インダクタは複数の前記ビアホール
を含み、 前記複数のビアホールは接続電極で接続される、請求項
１に記載のＬＣ共振器または請求項２〜６のいずれかに
記載のＬＣフィルタ 。 - 【請求項８】 前記複数のビアホールの少なくとも１対
が電磁結合される、請求項７に記載のＬＣフィルタ。 - 【請求項９】 前記インダクタは直線状に形成され、 前記インダクタの磁力線は前記インダクタの軸を周回す
る方向に発生し、その磁力線と平行に前記コンデンサ電
極が配置される、請求項１に記載のＬＣ共振器または請
求項２〜８のいずれかに記載のＬＣフィルタ 。 - 【請求項１０】 前記インダクタは、内蔵されるすべて
の電極の主面に対して直交するように配置される、請求
項１に記載のＬＣ共振器または請求項２〜９のいずれか
に記載のＬＣフィルタ。
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