JPH01295407A - インダクター及びインダクターを含む複合部品並びにそれらの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 主栗上■且■公団 本発明は、層状の誘電体の両側に電極膜がパターン形成
され、この外側がシールドされているインダクター及び
、バンドパスフィルタ等のインダクターを含む複合部品
、並びにそれらの製造方法に関する。

従来Ω仮組 上記のうち例えばバンドパスフィルタとして、第２０図
（正面図）、第２１図（底面図）、第２２図（背面図）
に示すように構成されたものがある。これは、焼成して
得た誘電体基板２２０の表面２２０ａ及び裏面２２０ｂ
に夫々左右対称な２つのコの字体の導電パターン２２１
，２２２，２２３．２２４を形成し、表面２２０ａの導
電パターン２２１，２２２にアース用端子２２５，２２
５を、また裏面２２０ｂの導電パターン２２３゜２２４
に外部取り出し用リード端子２２６，２２６を半田付け
したのち、リード端子２２５及びアース用端子２２６の
突出部分を除いてこれを絶縁用の樹脂浴中に浸漬して樹
脂膜（図示せず）を形成し、この外側を磁性体（図示せ
ず）で囲んでシールドを施している。

このシールドは、近くに金属等の導体が存在すると周波
数特性にずれが生じるのを防止するためである。

また、インダクターやインダクターを含む他の複合部品
においても同様にしてシールドが施されている。

−（”　しよ゛と　るｉ しかしながら、上述のようなシールド構造にあっては、
シールド用の磁性体の透磁率μが周波数特性に依存して
変化するため、高周波領域においては透磁率μの劣化が
起こり、十分なシールド効果が得られなかった。

また、上述のようにして製造した場合には、基板の焼成
、導電パターンの形成、端子の半田付け、樹脂中への浸
漬およびシールドの形成等、種々の製造工程が必要であ
った。そこで、少ない工程で製造すべく、近年ではシー
ルド用の電極層を内部に組み込んだ一体的構造に形成し
て焼成することにより、製造することが望まれているが
、現実的には焼成の際にシールド電極層内部のバンドパ
スフィルタ本体やインダクター本体等にＱの劣化が生じ
、実施できないという問題があった。

本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであり、使用
環境の周波数特性に影響されずにシールドが可能である
と共にシールド内部のインダクター等にＱの劣化が生じ
ることがない構成としたインダクター及びインダクター
を含む複合部品並びにそれらの製造方法を提供すること
を目的とする。

ｉ　　　”°　るための 本発明に係るインダクターは、誘電体層を挟んでその両
側に形成されているコイルパターン電極を前記誘電体層
に穿設した貫通孔を通じて電気的に接続した構成のイン
ダクター本体と、このインダクター本体を挟んで両側に
設けてある非磁性の誘電体又は絶縁体からなる一対のシ
ート層と、インダクター本体及び前記一対のシート層を
挟んで両側に設けてある一対のシールド電極層と、イン
ダクター本体、一対のシート層及び一対のシールド電極
層を挟んで両側に設けてある誘電体又は絶縁体からなる
一対の保護層と、前記一対のシールド電極層と接続し外
部に露出させて設けてあるアース端子膜とを備える。

また、インダクターを含む複合部品は、誘電体層を挟ん
で両側にコイルパターンを含む電極を形成してなる複合
部品本体を挟んでその両側に、インダクターの場合と同
様にシート層、シールド電極層、保護層と、アース端子
膜とを備えた構造とする。

このような構造とすると、好適なものとしてバンドパス
フィルタがある。

また、上述の構造のインダクターについては、誘電体層
を挟んでその両側に形成されているコイルパターン電極
を前記誘電体層に穿設した貫通孔を通じて電気的に接続
した構成のインダクター本体を形成する工程と、誘電体
又は絶縁体からなる保護層、シールド電極層、非磁性の
誘電体若しくは絶縁体からなるシート層、前記インダク
ター本体、非磁性の誘電体若しくは絶縁体からなるシー
ト層、シールド電極層および、誘電体若しくは絶縁体か
らなる保護層をこの順に積層してなる積層体を形成する
工程と、前記２つのシールド電極層と接続し外部に露出
させてアース端子膜を形成する工程と、前記積層体のま
まの状態で、或いは積層体にアース端子膜を形成した状
態で焼成する工程とを行うと製造できる。

更に、インダクターを含む複合部品については、誘電体
層を挟んで両側にコイルパターンを含む電極を形成して
なる複合部品本体を作製する工程と、誘電体又は絶縁体
からなる保護層、シールド電極層、非磁性の誘電体若し
くは絶縁体からなるシート層、前記複合部品本体、非磁
性の誘電体若しくは絶縁体からなるシート層、シールド
電極層及び、誘電体若しくは絶縁体からなる保護層をこ
の順に積層してなる積層体を形成する工程と、前記２つ
のシールド電極層と接続し外部に露出させてアース端子
膜を形成する工程と、前記積層体のままの状態で、或い
は積層体にアース端子膜を形成した状態で焼成する工程
を行うと製造できる。

作−一−１− 本発明のインダクターにあっては、インダクター本体と
シールド電極層との間に、非磁性の誘電体又は絶縁体か
らなるシート層が介在しているので、このシート層を厚
くすることにより焼成にて生じるインダクター本体のＱ
の劣化を防止できる。

また、シールド電極層の外側が保護層にて覆われている
と共にアース端子膜を介してアースされるので、使用環
境の周波数に依存しない、また、このことはインダクタ
ーを含む複合部品やバンドパスフィルタにおいても同様
である。

更に、本発明方法によりインダクター、インダクターを
含む複合部品およびバンドパスフィルタを製造する場合
にあっては、各層を積層状態に重ねたのち一体焼成を行
えば製造でき、製造が容易である。

実−」１−附 第１図は本発明に係るインダクターを示す外観斜視図、
第２図はその底面図、第３図は第１図の■−■線による
断面図である。このインダクターは、図示の如く複数の
層を積層して直方体形状となっており、最下層の２と最
上層の８は、誘電体又は絶縁体からなる厚さが２０〜５
０μｍのシート状をした保護層である。その内側の３と
７は、シールド電極層、４と６は非磁性の誘電体又は絶
縁体からなる厚さ１〜１．５園のシート層、中央部の５
は例えばＢａＯ−３ＢａＯ−３ｉｎ、系誘電体からなる
厚さが２０〜５０μｍであるシート状の誘電体層５１．
５２，５３，５４，５５．５６を６枚重ね、これらの間
に電極膜がパターン形成されてなるインダクター本体で
ある。また、図中１１は入力端子、１２は出力端子、１
３はアース端子である。

上記インダクター本体５は、第４図に示すように、上か
ら５つの誘電体層５１．・・・、５５の下面に順次Ｃ形
の電極膜パターン５１ａ、・・・、５５ａが向きを逆に
して交互に形成されている。この電極膜パターン５１ａ
等は、最上の誘電体層５１に形成しである電極膜パター
ン５１ａの一端側（図中左側）に設けた入力端子片Ａと
は左右方向に順次位置を変えて誘電体層５２．・・・、
５５に貫通させて設けたパイヤホール５２ｂ、・・・、
５５ｂに導電材（図示せず）を充填して上下の電極膜パ
ターン５１ａ等の端部が接続され、前記入力端子片Ａか
ら誘電体層５５に設けた出力端子片Ｂまでが一体的に繋
がった螺線状のコイルとなされである。

なお、５７は充填した導電材と、接続すべき下側の電極
膜パターンとを確実に接続するための接合用電極である
。また、前記入力端子片Ａおよび出力端子Ｂとは誘電体
層５１等の端面に露出させてあり、インダクターの左右
端部に形成した入力端子１１及び出力端子１２と接続さ
れている。

上述したインダクター本体５の上下両側に設けたシール
ド電極層３．７は、第５図に示すように入力端子１１及
び出力端子１２が形成されていないインダクター側面に
露出するようにアース端子片３ａ　（７ａ）形成されて
おり、このアース端子片３ａ　（７ａ）を介してアース
端子１３に接続されている。

次に、かかる構造のインダクターの製造方法について説
明する。先ず、６つの誘電体層５１．・・・。

５６を用意し、これらに所定の導電パターン５１ａ等を
形成すると共に、パイ中ホール５２ｂ等。

接合用電極５７．入力端子片Ａおよび出力端子片Ｂを形
成し、パイ中水−ル５２ｂ等内に導電材を充填して６つ
の誘電体層５１等を重ねる。

このようにして作製されたインダクター本体５を挟んで
両側に、第３図に示したように、シート層４，６と、シ
ールド電極層３．７と、保護層２゜８を順次積層する。

その後、インダクター側面に露出するように予め形成し
である入力端子片Ａおよび出力端子片Ｂの存在する側面
部分に夫々入力端子１１と出力端子１２を形成し、また
、シールド電極層３．７が露出する側面部分から底面縁
部にわたってアース端子１３を形成する。これにより、
入力端子１１は入力端子片Ａと、また、出力端子１２は
出力端子片Ｂと夫々接続され、アース端子１３はシール
ド電極層３．７の側面に露出させた部分と接続される。

そして、この状態のものを所定温度に保持した焼成炉内
に装入して焼成する。すると、上記構造のインダクター
が製造される。なお、上記シールド電極層３．７につい
ては、第５図に示すように、これを挟んで上下にある保
護層２等の大きさよりも若干小さく形成すると共に、中
央部に多数個（この例では４個）の貫通孔３ｂ（又は７
ｂ）を形成し、上下層の密着性を向上させるようにして
おくのが好ましい。

このようにして製造されたインダクターにおいては、各
層を積層してなる積層体を形成し、これを焼成して形成
するので、異種の製造技術の数を少なくでき、これによ
りインダクターを容易に製造することが可能となり、ま
た人・出力端子、アース端子が外部に露出させて設けら
れているので、回路基板等に表面実装をすることができ
る。また、インダクター本体５とシールド電極層３，７
との間に非磁性の誘電体又は絶縁体からなるシート層４
．６が設けられているので、一体的構造に形成したのち
焼成を行ってもインダクター本体５のＱが劣化すること
を防止できる。また、シールド電極層３．７の外側に保
護層２．８が形成され、シールド電極層３．７がアース
端子１３を介してアースされているので、金属等の導体
がインダクターに近づいても周波数特性にずれが生じる
ことがない。なお、この実施例では電極膜パターン５１
ａ、・・・、５５ａをＣ形に形成しているが、これに限
らすコの字形に形成してもよい。

次いで、本発明をバンドパスフィルタに適用した場合に
ついて説明する。第６図は本発明に係るバンドパスフィ
ルタを示す外観斜視図、第７図は第６図の■−■線によ
る断面図（正面図）、第８図は第７図の■−■線による
断面図（平面図）である。このバンドパスフィルタは、
第７図に示す如く複数の層を積層した直方体形状をなし
、最下層側から順に、誘電体又は絶縁体からなり、厚さ
が２０〜５０μｍであるシート状の保護層２１、シール
ド電極層２２、非磁性の誘電体又は絶縁体からなる厚さ
１〜１．　５ｍａ＋のシート層２３、銅等の導電材料か
らなる裏電極膜２４，３４、例えばＢａＯ−３ｉｎ、−
ＺｒＯ，系誘電体からなり、厚さが２０〜５０μｍであ
るシート状の誘電体層２５、銅等の導電材料からなる表
電極膜２６，３６、非磁性の誘電体又は絶縁体からなる
厚さ１〜１．５ｍのシート層２７、シールド電極ＪＷ２
８及び、誘電体又は絶縁体からなり、厚さが２０〜５０
μｍであるシート状の保護層２９が設けられている。

第８図の左側に位置する上記表電極膜２６（実線）と裏
電極膜２４（破線）とは２つのコンデンサ電極パターン
６１ａ、６２ａ、４１ａ、４２ａを１つのコイルパター
ン６３ａ、４３ａで接続したもので、平面視コの字パタ
ーン形状をしている。

前記コンデンサ電極パターン６１ａと４１ａ、及び６２
ａと４２ａは夫々誘電体層２５の表裏両面において対向
しており、誘電体層２５の誘電率、厚さ、コンデンサ電
極の対向面積によって決まる容量のコンデンサＣ１，Ｃ
２を形成している。−方、コイルパターン６３ａ、４３
ａは、夫々誘電体層２５の表裏各面において２つのコン
デンサ電極パターン６１ａと６２　ａ　ｓ　４１　ａと
４２ａを接続する状態で形成されている。各コイルパタ
ーン６３ａ、４３ａは高周波的にはコイルを形成するの
でそのインダクタンスをＬｌ、Ｌ２とすると、表電極膜
２６．裏電極膜２４及びその間の誘電体層２５は第９図
に示すように第１のコンデンサＣＩの両側にコイルＬｌ
、Ｌ２を直列接続したＬＣ回路に第２のコンデンサＣ２
を並列接続した等価回路であられされる共振器Ｑ１を構
成する。なお、この等価回路は第２０図に示す従来品の
場合も同様である。

また、前記裏電極膜２４及び表電極膜２６は共にバンド
パスフィルタの一側面に達する舌片２４ａ、２６ａを有
し、この舌片２４ａ、２６ａの露出した部分はこれより
も下の側面部分とこれに続く底面部分に夫々上字状に形
成した銀等の導電材料からなるリード用の端子電極膜３
０．３１（第６図参照）と電気的に接続されている。こ
の端子電極膜３０．３１は夫々相互にかつ他の層に対し
ても電気的に絶縁されて形成しである。

一方、第８図の右側に位置する上記表電極膜３６（実線
）と裏電極膜３４（破線）とは２つのコンデンサ電極パ
ターン６１ｂ、６２ｂ、４１ｂ。

４２ｂを１つのコイルパターン６３ｂ、４３ｂで接続し
たもので、前記表電極膜２６と裏電極膜２４の場合とは
左右対称な平面視コの字パターン形状をしている。前記
コンデンサ電極パターン６１ｂと４１ｂ、及び６２ｂと
４２ｂは夫々誘電体層２５の表裏両面において対向して
おり、誘電体層２５の誘電率、厚さ、コンデンサ電極の
対向面積によって決まる容量のコンデンサＣ３，Ｃ４を
形成している。一方、コイルパターン６３ｂ、４３ｂは
、夫々誘電体層２５の表裏各面において２つのコンデン
サ電極パターン６１ｂと６２ｂ、４１ｂと４２ｂを接続
する状態で形成されている。各コイルパターン６３ｂ、
４３ｂは高周波的にはコイルを形成するのでそのインダ
クタンスをＬ３゜Ｌ４とすると、表電極膜３６．裏電極
膜３４及びその間の誘電体層２５は上記左側同様に第９
図に示すように第１のコンデンサＣ３の両側にコイルＬ
３．Ｌ４を直列接続したＬＣ回路に第２のコンデンサＣ
４を並列接続した等価回路であられされる共振器Ｑ２を
構成する。

また、前記裏電極膜３４及び表電極膜３６は共にバンド
パスフィルタの一側面に達する舌片３４ａ、３６ａを有
し、この舌片３４・ａ、３５ａの露出した部分はこれよ
りも下の側面部分とこれに続く底面部分に夫々上字状に
形成した銀等の導電材料からなるアース用の端子電極膜
３２．３３（第６図参照）と電気的に接続されている。

この端子電極膜３２．３３は夫々相互にかつ他の層に対
しても電気的に絶縁されて形成しである。

そして、上述の等価回路を持つ共振器Ｑｌ、Ｑ２が、第
８図に示しているように２つのコイルパターン６３ａ、
６３ｂを間隔ｄに接近させた状態であるので、２つのコ
イルパターン６３ａ、６３ｂが磁気結合を生じ、第１０
図に示す如き等価回路をもつバンドパスフィルタを構成
する０図中、Ｍは２つのコイルパターン６３ａ、６３ｂ
間の磁気的結合度をあられす相互インダクタンス、Ｌ３
０、Ｌ３１はリード用の端子電極膜３０．３１のもつイ
ンダクタンスである。尚、上記２つの共振器Ｑｌ、Ｑ２
は誘電体層２５を用いている関係上、磁気的結合だけで
なく容量的結合も行われている。

図中、Ｃ８はその結合容量を模式的に示している。

このような構造からなるバンドパスフィルタ本体の両側
にあるシールド電極層２２．２８夫々の一部をバンドパ
スフィルタの側面に露出させてなり、この露出部分（図
示せず）は第６図に示すようにバンドパスフィルタの背
面側側面全面とその近傍に形成したアース端子膜４３と
接続されている。

かかる構造のバンドパスフィルタの製造方法につき次に
説明する。まず、保護層２１、シート層２３．２７、誘
電体層２５を用意し、保護層２１の表面に例えば銅等の
導電材料からなるペーストをスクリーン印刷又は塗布す
ることにより、一部を保護層２１の端面に露出するよう
にシールド電極層２２を形成し、またシート層２３の表
面に同様の方法で上記舌片２４ａ、３４ａを有し、左右
対称に形成した２つのコの字パターンの裏面電極膜２４
．３４を形成し、また誘電体層２５の表面に同様の方法
で上記舌片２６ａ、３６ａを有し、左右対称に形成した
２つのコの字パターンの表面電極膜２６．３６を形成し
、さらにシート層２７の表面に同様にして、一部をシー
ト層２７の端面に露出させてシールド電極層２８を形成
し、これらを保護層２９とともに重ね合わせたのち圧着
して積層体を形成し、この積層体における前記舌片２４
ａ、３４ａ、２６ａ、３６ａの露出部分とこれよりも下
の側面及びこれに続く底面に、例えば銅あるいは銀等の
導電材料からなるペーストを印刷して端子電極膜３０，
３１，３２．３３を形成すると共に、シールド電極層２
２．２８の一部が露出した側面部分に銅あるいは銀等の
導電材からなるアース端子膜４３を形成したのち、これ
をたとえば１０００°Ｃで２時間焼成する。

このようにして製造されたバンドパスフィルタにおいて
は、各層を積層してなる積層体を形成し、これを焼成し
て形成するので、異種の製造技術の数を少なくでき、こ
れによりバンドパスフィルタを容易に製造することが可
能となり、また人・出力端子、アース端子が外部に露出
させて設けられているので、回路基板等に表面実装をす
ることができる。また、バンドパスフィルタ本体とシー
ルド電極層２２．２８との間に非磁性の誘電体又は絶縁
体からなるシート層２３．２７が設けられているので、
一体的傷造に形成したのち焼成を行ってもバンドパスフ
ィルタ本体のＱが劣化することを防止できる。また、シ
ールド電極層２２．２８の外側に保護層２１．２９が形
成され、シールド電極層２２．２８がアース端子膜４３
を介してアースされているので、金属等の導体がバンド
パスフィルタに近づいても周波数特性にずれが生じるこ
とがない。

なお、シールド電極２２．２８、裏面電極膜２４．３４
表面電極膜２６．３６の形成される位置は上述したもの
に限定されることはなく、たとえばシールド電極２２を
保護層２１の表面ではなく、シート層２３の裏面に形成
するようにしてもよい。

このようにして製造したバンドパスフィルタにあっては
、端子電極膜３０，３１，３２．３３が外部に露出させ
て膜状に形成しであるので、これらを回路基板に合わせ
てバンドパスフィルタを置くだけで、容易に表面実装が
行えることとなる。

なお、圧着については本発明の必須要件ではない。更に
、表電極膜２６，３６、裏電極膜２４゜３４及びシール
ド電極層２２．２８を除く上記５つの各層夫々について
は、１枚のシート材で構成させでも或いは同一材質から
なる２枚以上のシート材を重ねて構成させてもよい。

前記バンドパスフィルタ本体の上下位置、つまり外部か
らの磁界や外部に存在する導体から影響を受けやすい方
向位置には夫々シート層２７，２３を介してシールド電
極層２８．２２が配されている。このためバンドパスフ
ィルタ本体はこのシールド電極層２８．２２により有効
にシールドされており、また、シート層２７．２３の両
方又はいずれか一方の厚みを変えることにより、つまり
１枚のシート材の厚みを変えるか或いはシート層２７．
２３を構成する複数のシート材の枚数を増減することに
より、バンドパスフィルタの周波数特性を調整すること
が可能である。例えばシート層２７側の厚みを変えて周
波数特性の調整を行なう場合につき以下に説明する。

先ず、中心周波数が所望の値より高い場合には、シート
層２７を厚くする。これによりバンドパスフィルタ本体
がシールド電極層２８から離隔するので中心周波数が低
下する。これによって第１１図（周波数特性曲線）に示
す如く曲線ｌから曲線３に周波数特性の調整を行なうこ
とができる。

逆に、中心周波数が所望の値より低い場合には、シート
層２７を薄（する。これにより上記の場合とは反対に、
シールド電極層がバンドパスフィルタ本体に接近するた
め、曲線ｌが曲線２の状態に変わり中心周波数が高くな
る。

また、上述のシート層２７及び２３は夫々厚さを均一に
することが可能であり、このためシールド電極層２８．
２２と、表・裏電極膜２６，３６．２４．３４とを平行
にでき、間隔も例えば１閣以上で一定にすることができ
る。これにより、シールドを施したバンドパスフィルタ
の電気的特性の劣化を抑制できる。

なお、上記実施例では表電極膜２６，３６、裏電極膜２
４．３４及びシールド電極層２２．２８を印刷又は塗布
により形成しているが、本発明はこれに限らず、表電極
膜２６．３６、裏電極膜２４．３４及びシールド電極層
２２．２８用に導電材料からなるシート材を夫々用意し
、９つのシート材を重ね合わせるようにしても、或いは
表電極膜２６，３６、裏電極膜２４．３４及びシールド
電極層２２．２８の１つ以上に導電材料からなるシート
材を用意し、印刷又は塗布を行なうことと併用して各シ
ート材を重ね合わせるようにしてもよい。

また、保護層２１，２９、シート層２３，２７、誘電体
層２５をそれぞれ、１枚のシート材によって構成するか
、それとも複数のシート材を積層することによって構成
するかは任意であり、適宜選択することができる。

第１２図は本発明に係る他の構成のバンドパスフィルタ
を示す外観斜視図であり、第１３図はその底面図、第１
４図は第１２図におけるＸ　ＩＶ−ＸＩＶｍによる断面
図である。このバンドパスフィルタは、積層する層の数
、材質等は前記と同様にしであるが、バンドパスフィル
タの側面に一部を露出させたシールド電極１２２．２８
を、バンドパスフィルタの右側側面部分に形成したアー
ス端子膜９３に接続させてあり、また、第１５図に示す
ように積層体中央部の誘電体層２５を挟んで両側にパタ
ーン形成した電極膜の形状が変えである（第７図と同一
部分には同一符号を付している。

）。後者の電極膜パターン形状については、第１５図の
左側に位置する表電極膜８０ａと裏電極膜８０ｂとは、
誘電体層２５の両側に形成した２つのコンデンサ電極パ
ターン８１ａ、８１ｂを、誘電体層２５に形成した貫通
孔２５ａに導電材２５ｂを充填して誘電体層２５の両側
に形成しであるコイルパターン８２ａ、８２ｂを接続し
て１つのコイルパターンとして接続したものである。前
記コンデンサ電極パターン８１ａと８１ｂは、誘電体層
２５の表裏両面において対向しており、誘電体層２５の
誘電率、厚さ、コンデンサ電極の対向面積によって決ま
る容量のコンデンサＣ１ｌを形成している。一方、２つ
のコイルパターン８２ａ。

８２ｂが接続されて１つとなったものは、誘電体層２５
の表裏各面において２つのコンデンサ電極パターン８１
ａと８１ｂを接続する状態で形成されている。上記２つ
のコイルパターン８２ａ、８２ｂは高周波的にはコイル
を形成するのでそのインダクタンスＬｌｌ、Ｌ１２とす
ると、表電極膜８０ａ、裏電極膜８０ｂ及びその間の誘
電体層２５は共振器を構成する。

また、前記表電極膜８０ａ及び裏電極膜８０ｂは夫々バ
ンドパスフィルタの一側面に達する舌片８４ａ、８４ｂ
を有する。一方の舌片８４ａの露出した部分は、これよ
りも下の側面部分とこれに続く底面部分に夫々５字状に
形成した銀等の導電材料からなるリード用の端子電極膜
９０と電気的に接続され、他方の舌片８４ｂの露出した
部分は、これよりも下の側面部分とこれに続く底面部分
に夫々５字状に形成した銀等の導電材料からなるアース
端子膜９１と電気的に接続されている。前記端子電極膜
９０とアース端子膜９１は、夫々相互にかつ他の層に対
しても電気的に絶縁されて形成しである。

一方、第１５図の右側に位置する表電極膜７０ａと裏電
極膜７０ｂとは、誘電体層２５の両側に形成した２つの
コンデンサ電極パターン７１ａ。

７１ｂを、誘電体層２５に形成した貫通孔２５ａ′に導
電材２５ｂ′を充填して誘電体層２５の両側に形成しで
あるコイルパターン７２ａ、７２ｂを接続して１つのコ
イルパターンとして接続したものである。前記コンデン
サ電極パターン７１ａと７１ｂは、誘電体層２５の表裏
両面において対向しており、誘電体層２５の誘電率、厚
さ、コンデンサ電極の対向面積によって決まる容量のコ
ンデンサＣ１２を形成している。一方、２つのコイルパ
ターン７２ａ、７２ｂが接続されて１つとなったものは
、誘電体層２５の表裏各面において２つのコンデンサ電
極パターン７１ａと７１ｂを接続する状態で形成されて
いる。上記２つのコイルパターン７２ａ、７２ｂは高周
波的にはコイルを形成するのでそのインダクタンスＬ１
３．Ｌ１４とすると、表電極膜７０ａ、裏電極膜７０ｂ
及びその間の誘電体層２５は共振器を構成する。

また、前記表電極膜７０ａ及び裏電極膜７０ｂは夫々バ
ンドパスフィルタの一側面に達する舌片７４ａ、７４ｂ
を有する。一方の舌片７４ａの露出した部分は、これよ
りも下の側面部分とこれに続く底面部分に夫々５字状に
形成した銀等の導電材料からなるリード用の端子電極膜
９２と電気的に接続され、他方の舌片７４ｂの露出した
部分は、左側と共用の前記アース端子膜９１と電気的に
接続されている。前記端子電極膜９２は、相互にかつ他
の層に対しても電気的に絶縁されて形成しである。

かかる構造のバンドパスフィルタは、第１６図の等価回
路に示すように、誘電体層２５の左右に形成された共振
器が、前同様に相互インダクタンスＭで磁気的結合され
た構成となっており、この周波数特性は第１７図に示す
ようになる。

このようにして製造されたバンドパスフィルタにおいて
も前同様に、各層を積層してなる積層体を形成し、これ
を焼成して形成するので、異種の製造技術の数を少なく
でき、これによりバンドパスフィルタを容易に製造する
ことが可能となり、また人・出力端子、アース端子が外
部に露出させて設けられているので、回路基板等に表面
実装をすることができる。また、バンドパスフィルタ本
体とシールド電極層２２．２８との間に非磁性の誘電体
又は絶縁体からなるシート層２３．２７が設けられてい
るので、一体的構造に形成したのち焼成を行ってもバン
ドパスフィルタ本体のＱが劣化することを防止できる。

また、シールド電極層２２．２８の外側に保護ＪＷ２１
．２９が形成され、シールド電極層２２．２８がアース
端子膜９３を介してアースされているので、金属等の導
体がバンドパスフィルタに近づいても周波数特性にずれ
が生じることがない。

なお、上述したインダクターの場合、中央部に位置する
誘電体層の両側にシールド電極層を形成し、これにより
内部をシールドしているが、本発明はこれに限らず、第
１８図に示すようにこのシールド電極Ｎ３．７の他に更
に、入力端子１１゜出力端子１２が形成されていないイ
ンダクター側面（２面）にもシールド電極膜３′　（破
線にて示す）を形成するようにしてもよい。このように
すると、よりシールドが確実なものにすることができる
利点がある。このことは、上述したバンドパスフィルタ
等のインダクターを含む複合部品について適用しても同
じ効果が得られる。

また、上述のインダクターの処で第５図を用いて説明し
たように、シールド電極層には多数の貫通孔を設けてい
るが、本発明はこれに代えて、第１９図（ａ）、（ｂ）
に示すように１つのシールド電極層３（７）を２分割ま
たは４分割等し、これらを離隔して上下層、例えば保護
層２等にて挾　４゜むようにしてもよい。このことは、
バンドパスフィルタ等にも適用するのが好ましい。

光凱■四来 以上詳述した如く本発明による場合には、各層を積層し
てなる積層体を形成し、これを焼成して形成するので、
異種の製造技術の数を少なくでき、これによりインダク
ター、インダクターを含む複合部品を容易に製造するこ
とが可能となり、また、インダクター本体、複合部品本
体を挟む両側にシールド電極膜を積層することにより本
体をシールドしていると共にシールド電極膜がアース端
子膜を介してアースされているため、金属等の導体が近
づいても周波数特性にずれが生じることがなく、更に、
インダクター本体、複合部品本体とシールド電極層との
間に非磁性のシート層が設けられているので、本体部分
のＱの劣化を防止でき、また、シート層の厚さを変える
ことにより周波数特性の調整をすることが可能となる等
、優れた効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係るインダクターを示す外観斜視図、
第２図はその底面図、第３図は第１図の■−■線による
断面図、第４図は本発明に係るインダクター内部のイン
ダクター本体部分を示す分解斜視図、第５図は本発明に
用いるのに好適なシールド電極膜を示す斜視図、第６図
は本発明に係るバンドパスフィルタを示す外観斜視図、
第７図は第６図の■−■線による断面図、第８図は第７
図の■−■線による断面図（正面図）、第９図はそのバ
ンドパスフィルタの共振器部分に関する等価回路図、第
１０図はそのバンドパスフィルタ本体に関する等価回路
図、第１１図はそのバンドパスフィルタの周波数特性曲
線を示すグラフ、第１２図は本発明に係る他の構成のバ
ンドパスフィルタを示す外観斜視図、第１３図はその底
面図、第１４図はその縦断面図、第１５図はそのバンド
パスフィルタ本体部分の回路を示す平面図、第１６図は
そのバンドパスフィルタ本体の等価回路図、第１７図は
そのバンドパスフィルタの周波数特性を示すグラフ、第
１８図は本発明を適用した他のインダクター例を示す外
観斜視図、第１９図は本発明に用いるのに好適な他のシ
ールド電極膜を示す斜視図、第２０図は従来品を示す正
面図、第２１図はその底面図、第２２図はその背面図で
ある。 ２．８，２１．２９・・・保護層、３，７，２２゜２８
・・・シールド電極層、４，６，２３．２７・・・シー
ト層、２４．３４・・・裏電極膜、２５，５１，５２．
５３，５４，５５．５６・・・誘電体層、２６゜３６・
・・表電極膜、１３，４３．９３・・・アース端子膜。 第１図 第２図 第４図 第５図 第９図 第１０図 第１２図 第１３図 第１８図 ］］ 第１９図 第２１図 第２２図

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. （１）誘電体層を挟んでその両側に形成されているコイ
   ルパターン電極を前記誘電体層に穿設した貫通孔を通じ
   て電気的に接続した構成のインダクター本体と、 このインダクター本体を挟んで両側に設けてある非磁性
   の誘電体又は絶縁体からなる一対のシート層と、 インダクター本体及び前記一対のシート層を挟んで両側
   に設けてある一対のシールド電極層と、インダクター本
   体，一対のシート層及び一対のシールド電極層を挟んで
   両側に設けてある誘電体又は絶縁体からなる一対の保護
   層と、 前記一対のシールド電極層と接続し外部に露出させて設
   けてあるアース端子膜と を具備することを特徴とするインダクター。
2. （２）誘電体層を挟んで両側にコイルパターンを含む電
   極を形成してなる複合部品本体と、 この複合部品本体を挟んで両側に設けてある非磁性の誘
   電体又は絶縁体からなる一対のシート層と、 複合部品本体及び前記一対のシート層を挟んで両側に設
   けてある一対のシールド電極層と、複合部品本体，一対
   のシート層及び一対のシールド電極層を挟んで両側に設
   けてある誘電体又は絶縁体からなる一対の保護層と、 前記一対のシールド電極層と接続し外部に露出させて設
   けてあるアース端子膜と を具備することを特徴とするインダクターを含む複合部
   品。
3. （３）前記複合部品本体がバンドパスフィルタ本体であ
   ることを特徴とする請求項２記載のインダクターを含む
   複合部品。
4. （４）インダクターを製造する方法において、誘電体層
   を挟んでその両側に形成されているコイルパターン電極
   を前記誘電体層に穿設した貫通孔を通じて電気的に接続
   した構成のインダクター本体を形成する工程と、 誘電体又は絶縁体からなる保護層，シールド電極層，非
   磁性の誘電体若しくは絶縁体からなるシート層，前記イ
   ンダクター本体，非磁性の誘電体若しくは絶縁体からな
   るシート層，シールド電極層及び、誘電体若しくは絶縁
   体からなる保護層をこの順に積層してなる積層体を形成
   する工程と、前記２つのシールド電極層と接続し外部に
   露出させてアース端子膜を形成する工程と、 前記積層体のままの状態で、或いは積層体にアース端子
   膜を形成した状態で焼成する工程とを含むことを特徴と
   するインダクターの製造方法。
5. （５）インダクターを含む複合部品を製造する方法にお
   いて、 誘電体層を挟んで両側にコイルパターンを含む電極膜を
   形成してなる複合部品本体を作製する工程と、 誘電体又は絶縁体からなる保護層，シールド電極層，非
   磁性の誘電体若しくは絶縁体からなるシート層，前記複
   合部品本体，非磁性の誘電体若しくは絶縁体からなるシ
   ート層，シールド電極層および、誘電体若しくは絶縁体
   からなる保護層をこの順に積層してなる積層体を形成す
   る工程と、前記２つのシールド電極層と接続し外部に露
   出させてアース端子膜を形成する工程と、 前記積層体のままの状態で、或いは積層体にアース端子
   膜を形成した状態で焼成する工程とを含むことを特徴と
   するインダクターを含む複合部品の製造方法。