JPH06268406A - 積層型フィルタ - Google Patents
積層型フィルタInfo
- Publication number
- JPH06268406A JPH06268406A JP5188893A JP5188893A JPH06268406A JP H06268406 A JPH06268406 A JP H06268406A JP 5188893 A JP5188893 A JP 5188893A JP 5188893 A JP5188893 A JP 5188893A JP H06268406 A JPH06268406 A JP H06268406A
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- JP
- Japan
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- capacitor
- component
- ground
- electrode
- components
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- Pending
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- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Filters And Equalizers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は通信機等に使用される積層型フィル
タに関するものであり、例えば高域側の減衰量が大きく
取れるようにすることを目的とするものである。 【構成】 そしてこの目的を達成するために本発明は、
入力電極１３Ａとアース間にコンデンサ容量７ａとＬ成
分４ａ，４ｂを接続し、コンデンサ容量７ａとＬ成分４
ａ，４ｂの間とアース間にコンデンサ容量８ａとＬ成分
１４ａを直列接続し、出力電極１３Ｂとアース間にコン
デンサ容量７ｂとＬ成分４ｃ，４ｄを接続し、コンデン
サ容量７ｂとＬ成分４ｃ，４ｄの間とアース間にコンデ
ンサ容量８ｂとＬ成分１４ｂを直列接続したものであ
る。
タに関するものであり、例えば高域側の減衰量が大きく
取れるようにすることを目的とするものである。 【構成】 そしてこの目的を達成するために本発明は、
入力電極１３Ａとアース間にコンデンサ容量７ａとＬ成
分４ａ，４ｂを接続し、コンデンサ容量７ａとＬ成分４
ａ，４ｂの間とアース間にコンデンサ容量８ａとＬ成分
１４ａを直列接続し、出力電極１３Ｂとアース間にコン
デンサ容量７ｂとＬ成分４ｃ，４ｄを接続し、コンデン
サ容量７ｂとＬ成分４ｃ，４ｄの間とアース間にコンデ
ンサ容量８ｂとＬ成分１４ｂを直列接続したものであ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は通信機等に使用される積
層型フィルタに関するものである。
層型フィルタに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の積層型フィルタにおける電気的等
価回路は、入力電極とアース間に第１のコンデンサと第
１のＬ成分を直結し、また、出力電極とアース間に第３
のコンデンサと第３のＬ成分を直結したものであり、第
１と第３のＬ成分間においてはＭ結合させているもので
あった。
価回路は、入力電極とアース間に第１のコンデンサと第
１のＬ成分を直結し、また、出力電極とアース間に第３
のコンデンサと第３のＬ成分を直結したものであり、第
１と第３のＬ成分間においてはＭ結合させているもので
あった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記構成においては、
単なる単峰性のフィルタ特性が得られるだけで、特に高
域側における減衰量が十分に取れず、この点が課題とさ
れていた。
単なる単峰性のフィルタ特性が得られるだけで、特に高
域側における減衰量が十分に取れず、この点が課題とさ
れていた。
【０００４】そこで本発明は、例えばこの高域側の減衰
量が大きく取れるようにすることを目的とするものであ
る。
量が大きく取れるようにすることを目的とするものであ
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】そしてこの課題を解決す
るために本発明は、入力電極とアース間に第１のコンデ
ンサと第１のＬ成分を接続し、前記第１のコンデンサと
第１のＬ成分の間とアース間に、第２のコンデンサと第
２のＬ成分を直列接続し、出力電極とアース間に第３の
コンデンサと第３のＬ成分を接続し、第３のコンデンサ
と第３のＬ成分の間とアース間に第４のコンデンサと第
４のＬ成分を直列接続したものである。
るために本発明は、入力電極とアース間に第１のコンデ
ンサと第１のＬ成分を接続し、前記第１のコンデンサと
第１のＬ成分の間とアース間に、第２のコンデンサと第
２のＬ成分を直列接続し、出力電極とアース間に第３の
コンデンサと第３のＬ成分を接続し、第３のコンデンサ
と第３のＬ成分の間とアース間に第４のコンデンサと第
４のＬ成分を直列接続したものである。
【０００６】
【作用】以上の構成とすると、第２のコンデンサと第２
のＬ成分の直列共振作用と、第４のコンデンサと第４の
Ｌ成分の直共振作用により、高域側においていわゆるノ
ッチという大きな減衰量が得られるものとなる。
のＬ成分の直列共振作用と、第４のコンデンサと第４の
Ｌ成分の直共振作用により、高域側においていわゆるノ
ッチという大きな減衰量が得られるものとなる。
【０００７】
【実施例】図１において、１はセラミックシートで、そ
の上面の大部分にはシールド電極２が印刷により積層さ
れている。また、シールド電極２の上面にはセラミック
シート３が積層され、その上面にストリップライン４が
印刷により積層され、さらにその上面には、セラミック
シート５が積層されている。
の上面の大部分にはシールド電極２が印刷により積層さ
れている。また、シールド電極２の上面にはセラミック
シート３が積層され、その上面にストリップライン４が
印刷により積層され、さらにその上面には、セラミック
シート５が積層されている。
【０００８】このセラミックシート５の上面には、段間
結合用電極６と入、出力結合用電極７と周波数調整用電
極８が、それぞれ印刷により設けられ、これによりセラ
ミックシート５上に積層された状態となっている。ま
た、これらの電極６から８の上面にはセラミックシート
９が積層され、その上面にはシールド電極１０が印刷に
より積層して設けられ、さらにその上面にはセラミック
シート１１が積層されている。その状態を図２に示し、
この積層体の一端側には、長いコ字状をしたアース電極
１２が印刷により設けられ、他端には短いコ字状をした
入、出力電極１３Ａ，１３Ｂとアース電極１４が印刷に
より設けられている。すなわち入、出力電極１３Ａ，１
３Ｂは、入、出力結合用電極７に電気的に接続され、ま
たアース電極１４は、シールド電極２と１０と周波数調
整用電極８に接続されている。さらにアース電極１２は
シールド電極２と１０、ストリップライン４に電気的に
接続されている。以上の構成における電気回路は図３に
示す通りとなる。図３において、４ａ，４ｂは図１に示
す左側のストリップライン４によるＬ成分を示し、４
ｃ，４ｄは図１に示す右側のストリップライン４のＬ成
分を示している。また６ａは段間結合用電極６と左右の
ストリップライン４との間に形成されるコンデンサ容量
を示している。また７ａは、図１における左側の入、出
力結合用電極７と同じく左側のストリップライン７との
間に形成されるコンデンサ容量を示し、さらに図３の７
ｂは、右側の入、出力結合用電極７とストリップライン
７によって形成されるコンデンサ容量である。さらに図
３における８ａ，８ｂは周波数調整用電極８と左右のス
トリップライン４との間に形成されるコンデンサ容量で
ある。１４ａ，１４ｂはアース電極１４によるＬ成分を
示している。
結合用電極６と入、出力結合用電極７と周波数調整用電
極８が、それぞれ印刷により設けられ、これによりセラ
ミックシート５上に積層された状態となっている。ま
た、これらの電極６から８の上面にはセラミックシート
９が積層され、その上面にはシールド電極１０が印刷に
より積層して設けられ、さらにその上面にはセラミック
シート１１が積層されている。その状態を図２に示し、
この積層体の一端側には、長いコ字状をしたアース電極
１２が印刷により設けられ、他端には短いコ字状をした
入、出力電極１３Ａ，１３Ｂとアース電極１４が印刷に
より設けられている。すなわち入、出力電極１３Ａ，１
３Ｂは、入、出力結合用電極７に電気的に接続され、ま
たアース電極１４は、シールド電極２と１０と周波数調
整用電極８に接続されている。さらにアース電極１２は
シールド電極２と１０、ストリップライン４に電気的に
接続されている。以上の構成における電気回路は図３に
示す通りとなる。図３において、４ａ，４ｂは図１に示
す左側のストリップライン４によるＬ成分を示し、４
ｃ，４ｄは図１に示す右側のストリップライン４のＬ成
分を示している。また６ａは段間結合用電極６と左右の
ストリップライン４との間に形成されるコンデンサ容量
を示している。また７ａは、図１における左側の入、出
力結合用電極７と同じく左側のストリップライン７との
間に形成されるコンデンサ容量を示し、さらに図３の７
ｂは、右側の入、出力結合用電極７とストリップライン
７によって形成されるコンデンサ容量である。さらに図
３における８ａ，８ｂは周波数調整用電極８と左右のス
トリップライン４との間に形成されるコンデンサ容量で
ある。１４ａ，１４ｂはアース電極１４によるＬ成分を
示している。
【０００９】すなわち、このアース電極１４は図２に示
す下端が実装時においてアースパターン（図示せず）に
半田付けされるので、このアース電極１４の上、下端部
分がＬ成分となり、それは第２、第４のコンデンサ容量
８ａ，８ｂに直列に接続され、夫々この部分にて直列共
振回路が形成される。
す下端が実装時においてアースパターン（図示せず）に
半田付けされるので、このアース電極１４の上、下端部
分がＬ成分となり、それは第２、第４のコンデンサ容量
８ａ，８ｂに直列に接続され、夫々この部分にて直列共
振回路が形成される。
【００１０】このため図４のフィルタ特性における高域
側におけるノッチＡが形成されることとなる、尚、低域
側のノッチＢはＬ成分４ａから４ｄのＭ結合とコンデン
サ容量６ａとにより形成されるものである。
側におけるノッチＡが形成されることとなる、尚、低域
側のノッチＢはＬ成分４ａから４ｄのＭ結合とコンデン
サ容量６ａとにより形成されるものである。
【００１１】図５は他の実施例を示し、この実施例にお
いてはＬ成分４ａ，４ｂ、および４ｃ，４ｄを夫々分割
し、その分割間にコンデンサ容量６ａを接続したもので
ある。
いてはＬ成分４ａ，４ｂ、および４ｃ，４ｄを夫々分割
し、その分割間にコンデンサ容量６ａを接続したもので
ある。
【００１２】この構成とすればＬ成分４ａ，４ｃが夫々
Ｌ成分１４ａ，１４ｂに直列に接続されるので、ノッチ
Ａをさらに低域側にまで下げることが可能となるもので
ある。このようにするには図１に示すごとく入、出力結
合用電極７を破線のごとく左・右方向に設け、ストリッ
プライン４の中部に左右から重合するようにすれば良
い。
Ｌ成分１４ａ，１４ｂに直列に接続されるので、ノッチ
Ａをさらに低域側にまで下げることが可能となるもので
ある。このようにするには図１に示すごとく入、出力結
合用電極７を破線のごとく左・右方向に設け、ストリッ
プライン４の中部に左右から重合するようにすれば良
い。
【００１３】
【発明の効果】以上のように本発明は、入力電極とアー
ス間に第１のコンデンサと第１のＬ成分を接続し、第１
のコンデンサと第１のＬ成分の間とアース間に第２のコ
ンデンサと第２のＬ成分を直列接続し、出力電極とアー
ス間に第３のコンデンサと第３のＬ成分を接続し、第３
のコンデンサと第３のＬ成分の間とアース間に第４のコ
ンデンサと第４のＬ成分を直列接続したものである。
ス間に第１のコンデンサと第１のＬ成分を接続し、第１
のコンデンサと第１のＬ成分の間とアース間に第２のコ
ンデンサと第２のＬ成分を直列接続し、出力電極とアー
ス間に第３のコンデンサと第３のＬ成分を接続し、第３
のコンデンサと第３のＬ成分の間とアース間に第４のコ
ンデンサと第４のＬ成分を直列接続したものである。
【００１４】そして以上の構成とすると、第２のコンデ
ンサと第２のＬ成分の直列共振作用と、第４のコンデン
サ、第４のＬ成分の直列共振作用により、高域側におい
ていわゆるノッチという大きな減衰量が得られるものと
なる。
ンサと第２のＬ成分の直列共振作用と、第４のコンデン
サ、第４のＬ成分の直列共振作用により、高域側におい
ていわゆるノッチという大きな減衰量が得られるものと
なる。
【図１】本発明の一実施例にかかわる分解斜視図
【図２】本発明の一実施例品の斜視図
【図３】本発明の一実施例品の電気的等価回路図
【図４】本発明の一実施例のフィルタ特性図
【図５】本発明の他の実施例の電気的等価回路図
２ シールド電極 ４ ストリップライン ６ 段間結合用電極 ７ 入、出力結合用電極 ８ 周波数調整用電極 １０ シールド電極 １２ アース電極 １４ アース電極 １３Ａ 入力電極 １３Ｂ 出力電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 藤澤 忠則 京都府綴喜郡田辺町大字大住小字浜55−12 松下日東電器株式会社内 (72)発明者 村松 俊和 京都府綴喜郡田辺町大字大住小字浜55−12 松下日東電器株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 入力電極とアース間に第１のコンデンサ
と第１のＬ成分を接続し、前記第１のコンデンサと第１
のＬ成分の間とアース間に第２のコンデンサと第２のＬ
成分を直列接続し、出力電極とアース間に第３のコンデ
ンサと第３のＬ成分を接続し、前記第３のコンデンサと
第３のＬ成分の間とアース間に第４のコンデンサと第４
のＬ成分を直列接続した積層型フィルタ。 - 【請求項２】 第１のＬ成分を分割して、その分割点に
第１のコンデンサを接続するとともに、第３のＬ成分を
分割して、その分割点に第３のコンデンサを接続した請
求項１に記載の積層型フィルタ。 - 【請求項３】 第１のＬ成分と第３のＬ成分のそれぞれ
の分割点間に第５のコンデンサを接続した請求項２に記
載の積層型フィルタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5188893A JPH06268406A (ja) | 1993-03-12 | 1993-03-12 | 積層型フィルタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5188893A JPH06268406A (ja) | 1993-03-12 | 1993-03-12 | 積層型フィルタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06268406A true JPH06268406A (ja) | 1994-09-22 |
Family
ID=12899424
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5188893A Pending JPH06268406A (ja) | 1993-03-12 | 1993-03-12 | 積層型フィルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06268406A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6104259A (en) * | 1998-03-11 | 2000-08-15 | Alps Electric Co., Ltd. | Harmonic suppression circuit |
| JP2012517758A (ja) * | 2009-02-12 | 2012-08-02 | トムソン ライセンシング | ＨＲ−Ｓｉシリコン技術におけるフィルタリング回路 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01295407A (ja) * | 1988-02-15 | 1989-11-29 | Murata Mfg Co Ltd | インダクター及びインダクターを含む複合部品並びにそれらの製造方法 |
| JPH06132761A (ja) * | 1992-10-21 | 1994-05-13 | Tdk Corp | 積層型フィルタ |
-
1993
- 1993-03-12 JP JP5188893A patent/JPH06268406A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01295407A (ja) * | 1988-02-15 | 1989-11-29 | Murata Mfg Co Ltd | インダクター及びインダクターを含む複合部品並びにそれらの製造方法 |
| JPH06132761A (ja) * | 1992-10-21 | 1994-05-13 | Tdk Corp | 積層型フィルタ |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6104259A (en) * | 1998-03-11 | 2000-08-15 | Alps Electric Co., Ltd. | Harmonic suppression circuit |
| JP2012517758A (ja) * | 2009-02-12 | 2012-08-02 | トムソン ライセンシング | ＨＲ−Ｓｉシリコン技術におけるフィルタリング回路 |
| US8847703B2 (en) | 2009-02-12 | 2014-09-30 | Thomson Licensing | Filtering network in HR-Si silicon technology |
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