JPH0775208B2 - インダクター及びインダクターを含む複合部品並びにそれらの製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、層状の誘電体の両側に電極膜がパターン形成
され、この外側がシールドされているインダクター及
び、バンドパスフィルタ等のインダクターを含む複合部
品、並びにそれらの製造方法に関する。

従来の技術 上記のうち例えばバンドパスフィルタとして、第20図
（正面図）、第21図（底面図）、第２図（背面図）に示
すように構成されたものがある。これは、焼成して得た
誘電体基板220の表面220a及び裏面220bに夫々左右対称
な２つのコの字体の導電パターン221,222,223,224を形
成し、表面220aの導電パターン221,222にアース用端子2
25,225を、また裏面220bの導電パターン223,224に外部
取り出し用リード端子226,226を半田付けしたのち、リ
ード端子226及びアース用端子225の突出部分を除いてこ
れを絶縁用の樹脂浴中に浸漬して樹脂膜（図示せず）を
形成し、この外側を磁性体（図示せず）で囲んでシール
ドを施している。

このシールドは、近くに金属等の導体が存在すると周波
数特性にずれが生じるのを防止するためである。

また、インダクターやインダクターを含む他の複合部品
においても同様にしてシールドが施されている。

発明が解決しようとする課題 しかしながら、上述のようなシールド構造にあっては、
シールド用の磁性体の透磁率μが周波数特性に依存して
変化するため、高周波領域においては透磁率μの劣化が
起こり、十分なシールド効果が得られなかった。

また、上述のようにして製造した場合には、基板の焼
成、導電パターンの形成、端子の半田付け、樹脂中への
浸漬およびシールドの形成等、種々の製造工程が必要で
あった。そこで、少ない工程で製造すべく、近年ではシ
ールド用の電極層を内部に組み込んだ一体的構造に形成
して焼成することにより、製造することが望まれている
が、現実的には焼成の際にシールド電極層内部のバンド
パスフィルタ本体やインダクター本体等にＱの劣化が生
じ、実施できないという問題があった。

本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであり、使用
環境の周波数特性に影響されずにシールドが可能である
と共にシールド内部のインダクター等にＱの劣化が生じ
ることがない構成としたインダクター及びインダクター
を含む複合部品並びにそれらの製造方法を提供すること
を目的とする。

課題を解決するための手段 本発明に係るインダクターは、誘電体層を挟んでその両
側に形成されているコイルパターン電極を前記誘電体層
に穿設した貫通孔を通じて電気的に接続した構成のイン
ダクター本体と、このインダクター本体を挟んで両側に
設けてある非磁性の誘電体又は絶縁体からなる一対のシ
ート層と、インダクター本体及び前記一対のシート層を
挟んで両側に設けてある一対のシールド電極層と、イン
ダクター本体，一対のシート層及び一対のシールド電極
層を挟んで両側に設けてある誘電体又は絶縁体からなる
一対の保護層と、前記一対のシールド電極層と接続し外
部に露出させて設けてあるアース端子膜とを備える。

また、インダクターを含む複合部品は、誘電体層を挟ん
で両側にコイルパターンを含む電極を形成してなる複合
部品本体を挟んでその両側に、インダクターの場合と同
様にシート層，シールド電極層，保護層と、アース端子
膜とを備えた構造とする。

このような構造とすると、好適なものとしてバンドパス
フィルタがある。

また、上述の構造のインダクターについては、誘電体層
を挟んでその両側に形成されているコイルパターン電極
を前記誘電体層に穿設した貫通孔を通じて電気的に接続
した構成のインダクター本体を形成する工程と、誘電体
又は絶縁体からなる保護層，シールド電極層，非磁性の
誘電体若しくは絶縁体からなるシート層，前記インダク
ター本体，非磁性の誘電体若しくは絶縁体からなるシー
ト層，シールド電極層および、誘電体若しくは絶縁体か
らなる保護層をこの順に積層してなる積層体を形成する
工程と、前記２つのシールド電極層と接続し外部に露出
させてアース端子膜を形成する工程と、前記積層体のま
まの状態で、或いは積層体にアース端子膜を形成した状
態で焼成する工程とを行うと製造できる。

更に、インダクターを含む複合部品については、誘電体
層を挟んで両側にコイルパターンを含む電極を形成して
なる複合部品本体を作製する工程と、誘電体又は絶縁体
からなる保護層，シールド電極層，非磁性の誘電体若し
くは絶縁体からなるシート層，前記複合部品本体，非磁
性の誘電体若しくは絶縁体からなるシート層，シールド
電極層及び、誘電体若しくは絶縁体からなる保護層をこ
の順に積層してなる積層体を形成する工程と、前記２つ
のシールド電極層と接続し外部に露出させてアース端子
膜を形成する工程と、前記積層体のままの状態で、或い
は積層体にアース端子膜を形成した状態で焼成する工程
を行うと製造できる。

作用 本発明のインダクターにあっては、インダクター本体と
シールド電極層との間に、非磁性の誘電体又は絶縁体か
らなるシート層が介在しているので、このシート層を厚
くすることにより焼成にて生じるインダクター本体のＱ
の劣化を防止できる。また、シールド電極層の外側が保
護層にて覆われていると共にアース端子膜を介してアー
スされるので、使用環境の周波数に依存しない。また、
このことはインダクターを含む複合部品やバンドパスフ
ィルタにおいても同様である。

更に、本発明方法によりインダクター，インダクターを
含む複合部品およびバンドパスフィルタを製造する場合
にあっては、各層を積層状態に重ねたのち一体焼成を行
えば製造でき、製造が容易である。

実 施 例 第１図は本発明に係るインダクターを示す外観斜視図、
第２図はその底面図、第３図は第１図のIII−III線によ
る断面図である。このインダクターは、図示の如く複数
の層を積層して直方体形状となっており、最下層の２と
最上層の８は、誘電体又は絶縁体からなる厚さが20〜50
μｍのシート状をした保護層である。その内側の３と７
は、シールド電極層、４と６は非磁性の誘電体又は絶縁
体からなる厚さ１〜1.5mmのシート層、中央部の５は例
えばBaO−SiO₂−ZrO₂系誘電体からなる厚さが20〜50μ
ｍであるシート状の誘電体層51,52,53,54,55,56を６枚
重ね、これらの間に電極膜がパターン形成されてなるイ
ンダクター本体である。また、図中11は入力端子、12は
出力端子、13はアース端子である。

上記インダクター本体５は、第４図に示すように、上か
ら５つの誘電体層51,…,55の下面に順次Ｃ形の電極膜パ
ターン51a,…,55aが向きを逆にして交互に形成されてい
る。この電極膜パターン51a等は、最上の誘電体層51に
形成してある電極膜パターン51aの一端側（図中左側）
に設けた入力端子片Ａとは左右方向に順次位置を変えて
誘電体層52,…,55に貫通させて設けたバイヤホール52b,
…,55bに導電材（図示せず）を充填して上下の電極膜パ
ターン51a等の端部が接続され、前期入力端子片Ａから
誘電体層55に設けた出力端子片Ｂまでが一体的に繋がっ
た螺旋状のコイルとなされてある。なお、57は充填した
導電材と、接続すべき下側の電極膜パターンとを確実に
接続するための接合用電極である。また、前記入力端子
片Ａおよび出力端子Ｂとは誘電体層51等の端面に露出さ
せてあり、インダクターの左右端部に形成した入力端子
11及び出力端子12と接続されている。

上述したインダクター本体５の上下両側に設けたシール
ド電極層3,7は、第５図に示すように入力端子11及び出
力端子12が形成されていないインダクター側面に露出す
るようにアース端子片3a（7a）形成されており、このア
ース端子片3a（7a）を介してアース端子13に接続されて
いる。

次に、かかる構造のインダクターの製造方法について説
明する。先ず、６つの誘電体層51,…,56を用意し、これ
らに所定の導電パターン51a等を形成すると共に、バイ
ヤホール52b等，接合用電極57,入力端子片Ａおよび出力
端子片Ｂを形成し、バイヤホール52b等内に導電材を充
填して６つの誘電体層51等を重ねる。

このようにして作製されたインダクター本体５を挟んで
両側に、第３図に示したように、シート層4,6と、シー
ルド電極層3,7と、保護層2,8を順次積層する。その後、
インダクター側面に露出するように予め形成してある入
力端子片Ａおよび出力端子片Ｂの存在する側面部分に夫
々入力端子11と出力端子12を形成し、また、シールド電
極層3,7が露出する側面部分から底面縁部にわたってア
ース端子13を形成する。これにより、入力端子11は入力
端子片Ａと、また、出力端子12は出力端子片Ｂと夫々接
続され、アース端子13はシールド電極層3,7の側面に露
出させた部分と接続される。

そして、この状態のものを所定温度に保持した焼成炉内
に装入して焼成する。すると、上記構造のインダクター
が製造される。なお、上記シールド電極層3,7について
は、第５図に示すように、これを挟んで上下にある保護
層２等の大きさよりも若干小さく形成すると共に、中央
部に多数個（この例では４個）の貫通孔3b（又は7b）を
形成し、上下層の密着性を向上させるようにしておくの
が好ましい。

このようにして製造されたインダクターにおいては、各
層を積層してなる積層体を形成し、これを焼成して形成
するので、製造工程の数を少なくでき、これによりイン
ダクターを容易に製造することが可能となり、また入・
出力端子，アース端子が外部に露出させて設けられてい
るので、回路基板等に表面実装をすることができる。ま
た、インダクター本体５とシールド電極層3,7との間に
非磁性の誘電体又は絶縁体からなるシート層4,6が設け
られているので、一体的構造に形成したのち焼成を行っ
てもインダクター本体５のＱが劣化することを防止でき
る。また、シールド電極層3,7の外側に保護層2,8が形成
され、シールド電極層3,7がアース端子13を介してアー
スされているので、金属等の導体がインダクターに近づ
いても周波数特性にずれが生じることがない。なお、こ
の実施例では電極膜パターン51a,…,55aをＣ形に形成し
ているが、これに限らずコの字形に形成してもよい。

次いで、本発明をバンドパスフィルタに適用した場合に
ついて説明する。第６図は本発明に係るバンドパスフィ
ルタを示す外観斜視図、第７図は第６図のVII−VII線に
よる断面図（正面図）、第８図は第７図のVIII−VIII線
による断面図（平面図）である。このバンドパスフィル
タは、第７図に示す如く複数の層を積層した直方体形状
をなし、最下層側から順に、誘電体又は絶縁体からな
り、厚さが20〜50μｍであるシート状の保護層21、シー
ルド電極層22、非磁性の誘電体又は絶縁体からなる厚さ
１〜1.5mmのシート層23、銅等の導電材料からなる裏電
極膜24,34、例えばBaO−SiO₂−ZrO₂系誘電体からなり、
厚さが20〜50μｍであるシート状の誘電体層25、銅等の
銅電材料からなる表電極膜26,36、非磁性の誘電体又は
絶縁体からなる厚さ１〜1.5mmのシート層27、シールド
電極層28及び、誘電体又は絶縁体からなり、厚さが20〜
50μｍであるシート状の保護層29が設けられている。

第８図の左側に位置する上記表電極膜26（実線）と裏電
極膜24（破線）とは２つのコンデンサ電極パターン61a,
62a、41a,42aを１つのコイルパターン63a,43aで接続し
たもので、平面視コの字パターン形状をしている。前記
コンデンサ電極パターン61aと41a、及び62aと42aは夫々
誘電体層25の表裏両面において対向しており、誘電体層
25の誘電率、厚さ、コンデンサ電極の対向面積によって
決まる容量のコンデンサC1,C2を形成している。一方、
コイルパターン63a,43aは、夫々誘電体層25の表裏各面
において２つのコンデンサ電極パターン61aと62a、41a
と42aを接続する状態で形成されている。各コイルパタ
ーン63a,43aは高周波的にはコイルを形成するのでその
インダクタンスをL1,L2とすると、表電極膜26,裏電極膜
24及びその間の誘電体層25は第９図に示すように第１の
コンデンサC1の両側にコイルL1,L2を直列接続したLC回
路に第２のコンデンサC2を並列接続した等価回路であら
わされる共振器Q1を構成する。なお、この等価回路は第
20図に示す従来品の場合も同様である。

また、前記裏電極膜24及び表電極膜26は共にバンドパス
フィルタの一側面に達する舌片24a,26aを有し、この舌
片24a,26aの露出した部分はこれよりも下の側面部分と
これに続く底面部分に夫々Ｌ字状に形成した銀等の導電
材料からなるリード用の端子電極膜30,31（第６図参
照）と電気的に接続されている。この端子電極膜30,31
は夫々相互にかつ他の層に対しても電気的に絶縁されて
形成してある。

一方、第８図の右側に位置する上記表電極膜36（実線）
と裏電極膜34（破線）とは２つのコンデンサ電極パター
ン61b,62b,41b,42bを１つのコイルパターン63b,43bで接
続したもので、前記表電極膜26と裏電極膜24の場合とは
左右対称な平面視コの字パターン形状をしている。前記
コンデンサ電極パターン61bと41b、及び62bと42bは夫々
誘電体層25の表裏両面において対向しており、誘電体層
25の誘電率、厚さ、コンデンサ電極の対向面積によって
決まる容量のコンデンサC3,C4を形成している。一方、
コイルパターン63b,43bは、夫々誘電体層25の表裏各面
において２つのコンデンサ電極パターン61bと62b、41b
と42bを接続する状態で形成されている。各コイルパタ
ーン63b,43bは高周波的にはコイルを形成するのでその
インダクタンスをL3,L4とすると、表電極膜36,裏電極膜
34及びその間の誘電体層25は上記左側同様に第９図に示
すように第１のコンデンサC3の両側にコイルL3,L4を直
列接続したLC回路に第２のコンデンサC4を並列接続した
等価回路であらわされる共振器Q2を構成する。

また、前記裏電極膜34及び表電極膜36は共にバンドパス
フィルタの一側面に達する舌片34a,36aを有し、この舌
片34a,36aの露出した部分はこれよりも下の側面部分と
これに続く底面部分に夫々Ｌ字状に形成した銀等の導電
材料からなるアース用の端子電極膜32,33（第６図参
照）と電気的に接続されている。この端子電極膜32,33
は夫々相互にかつ他の層に対しても電気的に絶縁されて
形成してある。

そして、上述の等価回路を持つ共振器Q1,Q2が、第８図
に示しているように２つのコイルパターン63a,63bを間
隔ｄに接近させた状態であるので、２つのコイルパター
ン63a,63bが磁気結合を生じ、第10図に示す如き等価回
路をもつバンドパスフィルタを構成する。図中、Ｍは２
つのコイルパターン63a,63b間の磁気的結合度をあらわ
す相互インダクタンス、L30,L31はリード用の端子電極
膜30,31のもつインダクタンスである。尚、上記２つの
共振器Q1,Q2は誘電体層25を用いている関係上、磁気的
結合だけでなく容量的結合も行われている。図中、C_Sは
その結合容量を模式的に示している。

このような構造からなるバンドパスフィルタ本体の両側
にあるシールド電極層22,28夫々の一部をバンドパスフ
ィルタの側面に露出させてなり、この露出部分（図示せ
ず）は第６図に示すようにバンドパスフィルタの背面側
側面全面とその近傍に形成したアース端子膜43と接続さ
れている。

かかる構造のバンドパスフィルタの製造方法につき次に
説明する。まず、保護層21、シート層23,27、誘電体層2
5を用意し、保護層21の表面に例えば銅等の導電材料か
らなるペーストをスクリーン印刷又は塗布することによ
り、一部を保護層21の端面に露出するようにシールド電
極層22を形成し、またシート層23の表面に同様の方法で
上記舌片24a,34aを有し、左右対称に形成した２つのコ
の字パターンの裏面電極膜24,34を形成し、また誘電体
層25の表面に同様の方法で上記舌片26a,36aを有し、左
右対称に形成した２つのコの字パターンの表面電極膜2
6,36を形成し、さらにシート層27の表面に同様にして、
一部をシート層27の端面に露出させてシールド電極層28
を形成し、これらを保護層29とともに重ね合わせたのち
圧着して積層体を形成し、この積層体における前記舌片
24a,34a、26a,36aの露出部分とこれよりも下の側面及び
これに続く底面に、例えば銅あるいは銀等の導電材料か
らなるペーストを印刷して端子電極膜30,31,32,33を形
成すると共に、シールド電極層22,28の一部が露出した
側面部分に銅あるいは銀等の導電材からなるアース端子
膜43を形成したのち、これをたとえば1000℃で２時間焼
成する。

このようにして製造されたバンドパスフィルタにおいて
は、各層を積層してなる積層体を形成し、これを焼成し
て形成するので、製造工程の数を少なくでき、これによ
りバンドパスフィルタを容易に製造することが可能とな
り、また入・出力端子，アース端子が外部に露出させて
設けられているので、回路基板等に表面実装をすること
ができる。また、バンドパスフィルタ本体とシールド電
極層22,28との間に非磁性の誘電体又は絶縁体からなる
シート層23,27が設けられているので、一体的構造に形
成したのち焼成を行ってもバンドパスフィルタ本体のＱ
が劣化すること防止できる。また、シールド電極層22,2
8の外側に保護層21,29が形成され、シールド電極層22,2
8がアース端子膜43を介してアースされているので、金
属等の導体がバンドパスフィルタに近づいても周波数特
性にずれが生じることがない。

なお、シールド電極22,28、裏面電極膜24,34表面電極膜
26,36の形成される位置は上述したものに限定されるこ
とはなく、たとえばシールド電極22を保護層21の表面で
はなく、シート層23の裏面に形成するようにしてもよ
い。

このようにして製造したバンドパスフィルタにあって
は、端子電極膜30,31,32,33が外部に露出させて膜状に
形成してあるので、これらを回路基板に合わせてバンド
パスフィルタを置くだけで、容易に表面実装が行えるこ
ととなる。

なお、圧着については本発明の必須要件ではない。更
に、表電極膜26,36、裏電極膜24,34及びシールド電極層
22,28を除く上記５つの各層夫々については、１枚のシ
ート材で構成させても或いは同一材質からなる２枚以上
のシート材を重ねて構成させてもよい。

前記バンドパスフィルタ本体の上下位置、つまり外部か
らの磁界や外部に存在する導体から影響を受けやすい方
向位置には夫々シート層27,23を介してシールド電極層2
8,22が配されている。このためバンドパスフィルタ本体
はこのシールド電極層28,22により有効にシールドされ
ており、また、シート層27,23の両方又はいずれか一方
の厚みを変えることにより、つまり１枚のシート材の厚
みを変えるか或いはシート層27,23を構成する複数のシ
ート材の枚数を増減することにより、バンドパスフィル
タの周波数特性を調整することが可能である。例えばシ
ート層27側の厚みを変えて周波数特性の調整を行なう場
合につき以下に説明する。

先ず、中心周波数が所望の値より高い場合には、シート
層27を厚くする。これによりバンドパスフィルタ本体が
シールド電極層28から離隔するので中心周波数が低下す
る。これによって第11図（周波数特性曲線）に示す如く
曲線１から曲線３に周波数特性の調整を行なうことがで
きる。

逆に、中心周波数が所望の値より低い場合には、シート
層27を薄くする。これにより上記の場合とは反対に、シ
ールド電極層がバンドパスフィルタ本体に接近するた
め、曲線１が曲線２の状態に変わり中心周波数が高くな
る。

また、上述のシート層27及び23は夫々厚さを均一にする
ことが可能であり、このためシールド電極層28,22と、
表・裏電極膜26,36、24,34とを平行にでき、間隔も例え
ば1mm以上で一定にすることができる。これにより、シ
ールドを施したバンドパスフィルタの電気的特性の劣化
を抑制できる。

なお、上記実施例では表電極膜26,36、裏電極膜24,34及
びシールド電極層22,28を印刷又は塗布により形成して
いるが、本発明はこれに限らず、表電極膜26,36、裏電
極膜24,34及びシールド電極層22,28用に導電材料からな
るシート材を夫々用意し、９つのシート材を重ね合わせ
るようにしても、或いは表電極膜26,36、裏電極膜24,34
及びシールド電極層22,28の１つ以上に導電材料からな
るシート材を用意し、印刷又は塗布を行なうことと併用
して各シート材を重ね合わせるようにしてもよい。

また、保護層21,29、シート層23,27、誘電体層25をそれ
ぞれ、１枚のシート材によって構成するか、それとも複
数のシート材を積層することによって構成するかは任意
であり、適宜選択することができる。

第12図は本発明に係る他の構成のバンドパスフィルタを
示す外観斜視図であり、第13図はその底面図、第14図は
第12図におけるX IV−X IV線による断面図である。この
バンドパスフィルタは、積層する層の数，材質等は前記
と同様にしてあるが、バンドパスフィルタの側面に一部
を露出させたシールド電極層22,28を、バンドパスフィ
ルタの右側側面部分に形成したアース端子膜93に接続さ
せてあり、また、第15図に示すように積層体中央部の誘
電体層25を挟んで両側にパターン形成した電極膜の形状
が変えてある（第７図と同一部分には同一符号を付して
いる。）。後者の電極膜パターン形状については、第15
図の左側に位置する表電極膜80aと裏電極膜80bとは、誘
電体層25の両側に形成した２つのコンデンサ電極パター
ン81a,81bを、誘電体層25に形成した貫通孔25aに導電材
25bを充填して誘電体層25の両側に形成してあるコイル
パターン82a,82bを接続して１つのコイルパターンとし
て接続したものである。前記コンデンサ電極パターン81
aと81bは、誘電体層25の表裏両面において対向してお
り、誘電体層25の誘電率、厚さ、コンデンサ電極の対向
面積によって決まる容量のコンデンサC11を形成してい
る。一方、２つのコイルパターン82a,82bが接続されて
１つとなったものは、誘電体層25の表裏各面において２
つのコンデンサ電極パターン81aと81bを接続する状態で
形成されている。上記２つのコイルパターン82a,82bは
高周波的にはコイルを形成するのでそのインダクタンス
L11,L12とすると、表電極膜80a,裏電極膜80b及びその間
の誘電体層25は共振器を構成する。

また、前記表電極膜80a及び裏電極膜80bは夫々バンドパ
スフィルタの一側面に達する舌片84a,84bを有する。一
方の舌片84aの露出した部分は、これよりも下の側面部
分とこれに続く底面部分に夫々Ｌ字状に形成した銀等の
導電材料からなるリード用の端子電極膜90と電気的に接
続され、他方の舌片84bの露出した部分は、これよりも
下の側面部分とこれに続く底面部分に夫々Ｌ字状に形成
した銀等の導電材料からなるアース端子膜91と電気的に
接続されている。前記端子電極膜90とアース端子膜91
は、夫々相互にかつ他の層に対しても電気的に絶縁され
て形成してある。

一方、第15図の右側に位置する表電極膜70aと裏電極膜7
0bとは、誘電体層25の両側に形成した２つのコンデンサ
電極パターン71a,71bを、誘電体層25に形成した貫通孔2
5a′に導電材25b′を充填して誘電体層25の両側に形成
してあるコイルパターン72a,72bを接続して１つのコイ
ルパターンとして接続したものである。前記コンデンサ
電極パターン71aと71bは、誘電体層25の表裏両面におい
て対向しており、誘電体層25の誘電率、厚さ、コンデン
サ電極の対向面積によって決まる容量のコンデンサC12
を形成している。一方、２つのコイルパターン72a,72b
が接続されて１つとなったものは、誘電体層25の表裏各
面において２つのコンデンサ電極パターン71aと71bを接
続する状態で形成されている。上記２つのコイルパター
ン72a,72bは高周波的にはコイルを形成するのでそのイ
ンダクタンスL13,L14とすると、表電極膜70a,裏電極膜7
0b及びその間の誘電体層25は共振器を構成する。

また、前記表電極膜70a及び裏電極膜70bは夫々バンドパ
スフィルタの一側面に達する舌片74a,74bを有する。一
方の舌片74aの露出した部分は、これよりも下の側面部
分とこれに続く底面部分に夫々Ｌ字状に形成した銀等の
導電材料からなるリード用の端子電極膜92と電気的に接
続され、他方の舌片74bの露出した部分は、左側と共用
の前記アース端子膜91と電気的に接続されている。前記
端子電極膜92は、相互にかつ他の層に対しても電気的に
絶縁されて形成してある。

かかる構造のバンドパスフィルタは、第16図の等価回路
に示すように、誘電体層25の左右に形成された共振器
が、前同様に相互インダクタンスＭで磁気的結合された
構成となっており、この周波数特性は第17図に示すよう
になる。

このようにして製造されたバンドパスフィルタにおいて
も前同様に、各層を積層してなる積層体を形成し、これ
を焼成して形成するので、異種の製造技術の数を少なく
でき、これによりバンドパスフィルタを容易に製造する
ことが可能となり、また入・出力端子，アース端子が外
部に露出させて設けられているので、回路基板等に表面
実装をすることができる。また、バンドパスフィルタ本
体とシールド電極層22,28との間に非磁性の誘電体又は
絶縁体からなるシート層23,27が設けられているので、
一体的構造に形成したのち焼成を行ってもバンドパスフ
ィルタ本体のＱが劣化することを防止できる。また、シ
ールド電極層22,28の外側に保護層21,29が形成され、シ
ールド電極層22,28がアース端子膜93を介してアースさ
れているので、金属等の導体がバンドパスフィルタに近
づいても周波数特性にずれが生じることがない。

なお、上述したインダクターの場合、中央部に位置する
誘電体層の両側にシールド電極層を形成し、これにより
内部をシールドしているが、本発明はこれに限らず、第
18図に示すようにこのシールド電極層3,7の他に更に、
入力端子11,出力端子12が形成されていないインダクタ
ー側面（２面）にもシールド電極膜３′（破線にて示
す）を形成するようにしてもよい。このようにすると、
よりシールドが確実なものにすることができる利点があ
る。このことは、上述したバンドパスフィルタ等のイン
ダクターを含む複合部品について適用しても同じ効果が
得られる。

また、上述のインダクターの処で第５図を用いて説明し
たように、シールド電極層には多数の貫通孔を設けてい
るが、本発明はこれに代えて、第19図（ａ），（ｂ）に
示すように１つのシールド電極層３（７）を２分割また
は４分割等し、これらを離隔して上下層、例えば保護層
２等にて挟むようにしてもよい。このことは、バンドパ
スフィルタ等にも適用するのが好ましい。

発明の効果 以上詳述した如く本発明による場合には、各層を積層し
てなる積層体を形成し、これを焼成して形成するので、
製造工程の数を少なくでき、これによりインダクター，
インダクターを含む複合部品を容易に製造することが可
能となり、また、インダクター本体，複合部品本体を挟
む両側にシールド電極膜を積層することにより本体をシ
ールドしていると共にシールド電極膜がアース端子膜を
介してアースされているため、金属等の導体が近づいて
も周波数特性にずれが生じることがなく、更に、インダ
クター本体部品本体とシールド電極層との間に非磁性の
シート層が設けられているので、本体部分のＱの劣化を
防止でき、また、シート層の厚さを変えることにより周
波数特性の調整をすることが可能となる等、優れた効果
を奏する。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係るインダクターを示す外観斜視図、
第２図はその底面図、第３図は第１図のIII−III線によ
る断面図、第４図は本発明に係るインダクター内部のイ
ンダクター本体部分を示す分解斜視図、第５図は本発明
に用いるのに好適なシールド電極膜を示す斜視図、第６
図は本発明に係るバンドパスフィルタを示す外観斜視
図、第７図は第６図のVII−VII線による断面図、第８図
は第７図のVIII−VIII線による断面図（正面図）、第９
図はそのバンドパスフィルタの共振器部分に関する等価
回路図、第10図はそのバンドパスフィルタ本体に関する
等価回路図、第11図はそのバンドパスフィルタの周波数
特性曲線を示すグラフ、第12図は本発明に係る他の構成
のバンドパスフィルタを示す外観斜視図、第13図はその
底面図、第14図はその縦断面図、第15図はそのバンドパ
スフィルタ本体部分の回路を示す平面図、第16図はその
バンドパスフィルタ本体の等価回路図、第17図はそのバ
ンドパスフィルタの周波数特性を示すグラフ、第18図は
本発明を適用した他のインダクター例を示す外観斜視
図、第19図は本発明に用いるのに好適な他のシールド電
極膜を示す斜視図、第20図は従来品を示す正面図、第21
図はその底面図、第22図はその背面図である。 2,8,21,29……保護層、3,7,22,28……シールド電極層、
4,6,23,27……シート層、24,34……裏電極膜、25,51,5
2,53,54,55,56……誘電体層、26,36……表電極膜、13,4
3,93……アース端子膜。

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】誘電体層を挟んでその両側に形成されてい
   るコイルパターン電極を前記誘電体層に穿設した貫通孔
   を通じて電気的に接続した構成のインダクター本体と、 このインダクター本体を挟んで両側に設けてある非磁性
   の誘電体又は絶縁体からなる一対のシート層と、 インダクター本体及び前記一対のシート層を挟んで両側
   に設けてある一対のシールド電極層と、 インダクター本体，一対のシート層及び一対のシールド
   電極層を挟んで両側に設けてある誘電体又は絶縁体から
   なる一対の保護層と、 前記一対のシールド電極層と接続し外部に露出させて設
   けてあるアース端子膜と 具備することを特徴とするインダクター。
2. 【請求項２】誘電体層を挟んで両側にコイルパターンを
   含む電極を形成してなる複合部品本体と、 この複合部品本体を挟んで両側に設けてある非磁性の誘
   電体又は絶縁体からなる一対のシート層と、 複合部品本体及び前記一対のシート層を挟んで両側に設
   けてある一対のシールド電極層と、 複合部品本体，一対のシート層及び一対のシールド電極
   層を挟んで両側に設けてある誘電体又は絶縁体からなる
   一対の保護層と、 前記一対のシールド電極層と接続し外部に露出させて設
   けてあるアース端子膜と を具備することを特徴とするインダクターを含む複合部
   品。
3. 【請求項３】前記複合部品本体がバンドパスフィルタ本
   体であることを特徴とする請求項２記載のインダクター
   を含む複合部品。
4. 【請求項４】インダクターを製造する方法において、 誘電体層を挟んでその両側に形成されているコイルパタ
   ーン電極を前記誘電体層に穿設した貫通孔を通じて電気
   的に接続した構成のインダクター本体を形成する工程
   と、 誘電体又は絶縁体からなる保護層，シールド電極層，非
   磁性の誘電体若しくは絶縁体からなるシート層，前記イ
   ンダクター本体，非磁性の誘電体若しくは絶縁体からな
   るシート層，シールド電極層及び、誘電体若しくは絶縁
   体からなる保護層をこの順に積層してなる積層体を形成
   する工程と、 前記２つのシールド電極層と接続し外部に露出させてア
   ース端子膜を形成する工程と、 前記積層体のままの状態で、或いは積層体にアース端子
   膜を形成した状態で焼成する工程と を含むことを特徴とするインダクターの製造方法。
5. 【請求項５】インダクターを含む複合部品を製造する方
   法において、 誘電体層を挟んで両側にコイルパターンを含む電極膜を
   形成してなる複合部品本体を作製する工程と、 誘電体又は絶縁体からなる保護層，シールド電極層，非
   磁性の誘電体若しくは絶縁体からなるシート層，前記複
   合部品本体，非磁性の誘電体若しくは絶縁体からなるシ
   ート層，シールド電極層および、誘電体若しくは絶縁体
   からなる保護層をこの順に積層してなる積層体を形成す
   る工程と、 前記２つのシールド電極層と接続し外部に露出させてア
   ース端子膜を形成する工程と、 前記積層体のままの状態で、或いは積層体にアース端子
   膜を形成した状態で焼成する工程と を含むことを特徴とするインダクターを含む複合部品の
   製造方法。