JPH1051257A - Ｌｃローパスフィルタ - Google Patents
ＬｃローパスフィルタInfo
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- JPH1051257A JPH1051257A JP8224415A JP22441596A JPH1051257A JP H1051257 A JPH1051257 A JP H1051257A JP 8224415 A JP8224415 A JP 8224415A JP 22441596 A JP22441596 A JP 22441596A JP H1051257 A JPH1051257 A JP H1051257A
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- JP
- Japan
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- capacitor
- conductive layer
- thin film
- electrode
- dielectric thin
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 形成が容易で、量産に適したＬＣローパスフ
ィルタを提供する。 【解決手段】 絶縁基板２上に第一の導電層３を形成
し、さらに、該絶縁基板２上に誘電薄膜４を積層して、
その上面に第二の導電層１０を形成してなり、その積層
構造の半面部をコンデンサ形成領域Ｆ1 とし、他半面部
をインダクタ形成領域Ｆ2 とし、インダクタ形成領域に
は、二つのスパイラルインダクタＬ1 ，Ｌ2を並成し、
コンデンサ形成領域には、コンデンサＣ1 ，コンデンサ
Ｃ2 ，コンデンサＣ3 を並成した。
ィルタを提供する。 【解決手段】 絶縁基板２上に第一の導電層３を形成
し、さらに、該絶縁基板２上に誘電薄膜４を積層して、
その上面に第二の導電層１０を形成してなり、その積層
構造の半面部をコンデンサ形成領域Ｆ1 とし、他半面部
をインダクタ形成領域Ｆ2 とし、インダクタ形成領域に
は、二つのスパイラルインダクタＬ1 ，Ｌ2を並成し、
コンデンサ形成領域には、コンデンサＣ1 ，コンデンサ
Ｃ2 ，コンデンサＣ3 を並成した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、携帯電話や自動車
電話等の各種無線通信機器に使用されるＬＣフィルタに
関するものである。
電話等の各種無線通信機器に使用されるＬＣフィルタに
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ローパスフィルタは、特定周波数以下の
低周波信号を通過させて、所定以上の高調波信号を除去
する濾波機能を生ずるものであり、インダクタと、コン
デンサを組み合わせてなるＬＣローパスフィルタが知ら
れている。このＬＣローパスフィルタは、複数のコンデ
ンサＣ1 ，Ｃ2 ，Ｃ3 を並列に形成して一端をアース接
続し、各コンデンサＣ1 ，Ｃ2 ，Ｃ3 の他端間に夫々イ
ンダクタＬ1 ，Ｌ2 を位置させて、各インダクタＬ1 ，
Ｌ2 を直列接続するようにして構成される（図７参
照）。
低周波信号を通過させて、所定以上の高調波信号を除去
する濾波機能を生ずるものであり、インダクタと、コン
デンサを組み合わせてなるＬＣローパスフィルタが知ら
れている。このＬＣローパスフィルタは、複数のコンデ
ンサＣ1 ，Ｃ2 ，Ｃ3 を並列に形成して一端をアース接
続し、各コンデンサＣ1 ，Ｃ2 ，Ｃ3 の他端間に夫々イ
ンダクタＬ1 ，Ｌ2 を位置させて、各インダクタＬ1 ，
Ｌ2 を直列接続するようにして構成される（図７参
照）。
【０００３】この、従来のＬＣローパスフィルタは、誘
電体シート上に導電層を印刷法でメタライズして、一体
焼成したものや、チップインダクタやチップコンデンサ
の部品を個別に実装して構成したものが一般的である。
電体シート上に導電層を印刷法でメタライズして、一体
焼成したものや、チップインダクタやチップコンデンサ
の部品を個別に実装して構成したものが一般的である。
【０００４】一方、近年、電子機器の小型化、高密度
化、低価格化に対する要望が高まっている。そして、こ
れらの要求に対応するために、インダクタＬやコンデン
サＣ等の個別の部品の小型化が求められている。尚、共
振用コンデンサの容量値は、使用する誘電体材料の誘電
率、誘電体層の厚み、上下電極の対向電極面積により決
まり、インダクタのインダクタンス値は導体長、導体幅
によって決まる。
化、低価格化に対する要望が高まっている。そして、こ
れらの要求に対応するために、インダクタＬやコンデン
サＣ等の個別の部品の小型化が求められている。尚、共
振用コンデンサの容量値は、使用する誘電体材料の誘電
率、誘電体層の厚み、上下電極の対向電極面積により決
まり、インダクタのインダクタンス値は導体長、導体幅
によって決まる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のＬＣロ
ーパスフィルタのように、誘電体シート上に、メタライ
ズ印刷し、一体焼成したものは、容量密度に限界がある
ため、一層の小型化は困難であった。
ーパスフィルタのように、誘電体シート上に、メタライ
ズ印刷し、一体焼成したものは、容量密度に限界がある
ため、一層の小型化は困難であった。
【０００６】また、従来の銅メタライズ焼成法では、銅
メタライズ中のフリットの影響や、面粗さのため高周波
領域での損失の増大が問題となっていた。即ち、銅メタ
ライズ焼成法にあっては、セラミックとの密着性を上げ
るためフリットを添加することが行われているが、この
フリットのため材料の純度が低下し、導電率が、純粋な
銅の半分程度となってしまう。また、高周波になると、
電子は銅体表面を流れることとなるが、銅メタライズで
は面が粗くなるため、その面粗さの影響を大きく受け
る。このように高周波領域では、銅メタライズ焼成法で
導電層を形成した場合には、大きな導電損失が発生する
こととなる。本発明は、小さな表面積で、しかも、製造
容易で、さらには導電損失の小さななＬＣローパスフィ
ルタを提供することを目的とするものである。
メタライズ中のフリットの影響や、面粗さのため高周波
領域での損失の増大が問題となっていた。即ち、銅メタ
ライズ焼成法にあっては、セラミックとの密着性を上げ
るためフリットを添加することが行われているが、この
フリットのため材料の純度が低下し、導電率が、純粋な
銅の半分程度となってしまう。また、高周波になると、
電子は銅体表面を流れることとなるが、銅メタライズで
は面が粗くなるため、その面粗さの影響を大きく受け
る。このように高周波領域では、銅メタライズ焼成法で
導電層を形成した場合には、大きな導電損失が発生する
こととなる。本発明は、小さな表面積で、しかも、製造
容易で、さらには導電損失の小さななＬＣローパスフィ
ルタを提供することを目的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、絶縁基板上に
第一の導電層を形成し、さらに、該絶縁基板上に誘電薄
膜を積層して、その上面に第二の導電層を形成した積層
構造からなり、一方の導電層に、中心に向けて巻回した
スパイラルインダクタと、アース電極とを夫々形成し、
他方の導電層に、該アース電極と誘電薄膜を介して対置
してコンデンサを構成するコンデンサ電極を形成し、か
つ該コンデンサ電極からスパイラルインダクタの中心の
直上位置まで、接続路を延出すると共に、前記誘電薄膜
に形成した導通孔を介して、前記接続路の延出端と、ス
パイラルインダクタの中心とを電気的に接続するように
して、スパイラルインダクタとコンデンサとを担持した
ことを特徴とするＬＣローパスフィルタである。
第一の導電層を形成し、さらに、該絶縁基板上に誘電薄
膜を積層して、その上面に第二の導電層を形成した積層
構造からなり、一方の導電層に、中心に向けて巻回した
スパイラルインダクタと、アース電極とを夫々形成し、
他方の導電層に、該アース電極と誘電薄膜を介して対置
してコンデンサを構成するコンデンサ電極を形成し、か
つ該コンデンサ電極からスパイラルインダクタの中心の
直上位置まで、接続路を延出すると共に、前記誘電薄膜
に形成した導通孔を介して、前記接続路の延出端と、ス
パイラルインダクタの中心とを電気的に接続するように
して、スパイラルインダクタとコンデンサとを担持した
ことを特徴とするＬＣローパスフィルタである。
【０００８】かかる、構成を用いて、入力側コンデン
サ，中間コンデンサ及び出力側コンデンサが並列に形成
されると共に、夫々の一端がアース接続され、各コンデ
ンサの他端間に二つのスパイラルインダクタが位置し
て、両スパイラルインダクタが直列接続される回路構成
を次のように構成し得る。
サ，中間コンデンサ及び出力側コンデンサが並列に形成
されると共に、夫々の一端がアース接続され、各コンデ
ンサの他端間に二つのスパイラルインダクタが位置し
て、両スパイラルインダクタが直列接続される回路構成
を次のように構成し得る。
【０００９】すなわち、絶縁基板上に第一の導電層を形
成し、さらに、該絶縁基板上に誘電薄膜を積層して、そ
の上面に第二の導電層を形成してなり、その積層構造の
半面部をコンデンサ形成領域とし、他半面部をインダク
タ形成領域とし、前記インダクタ形成領域にあっては、
一方の導電層に、中心に向けて巻回したスパイラルイン
ダクタを二つ並成し、前記コンデンサ形成領域にあって
は、一方の導電層の、その中間部に、中間コンデンサの
電極を形成して、両スパイラルインダクタの外側巻回部
と接続すると共に、該コンデンサ電極の両側にアース電
極を形成し、さらに、他方の導電層の、その両側部に、
入力側と、出力側のコンデンサの電極を夫々形成し、か
つ該電極から、二つのスパイラルインダクタの中心の直
上位置まで、接続路を延出すると共に、他方の導電層
の、両コンデンサ電極の中間部に、アース電極を形成
し、さらに、前記誘電薄膜に形成した導通孔を介して、
前記接続路の延出端と、スパイラルインダクタの中心と
を電気的に接続するようにして構成したものである。
成し、さらに、該絶縁基板上に誘電薄膜を積層して、そ
の上面に第二の導電層を形成してなり、その積層構造の
半面部をコンデンサ形成領域とし、他半面部をインダク
タ形成領域とし、前記インダクタ形成領域にあっては、
一方の導電層に、中心に向けて巻回したスパイラルイン
ダクタを二つ並成し、前記コンデンサ形成領域にあって
は、一方の導電層の、その中間部に、中間コンデンサの
電極を形成して、両スパイラルインダクタの外側巻回部
と接続すると共に、該コンデンサ電極の両側にアース電
極を形成し、さらに、他方の導電層の、その両側部に、
入力側と、出力側のコンデンサの電極を夫々形成し、か
つ該電極から、二つのスパイラルインダクタの中心の直
上位置まで、接続路を延出すると共に、他方の導電層
の、両コンデンサ電極の中間部に、アース電極を形成
し、さらに、前記誘電薄膜に形成した導通孔を介して、
前記接続路の延出端と、スパイラルインダクタの中心と
を電気的に接続するようにして構成したものである。
【００１０】かかる構成にあって、絶縁基板上に第一の
導電層を形成し、さらに、該絶縁基板上に誘電薄膜を積
層して、その上面に第二の導電層を形成するだけで、Ｌ
Ｃローパスフィルタが構成されることとなる。尚、上述
の一方の導電層とは、第一，第二の導電層のうちいずれ
でも良く、従って他方の導電層とは、第一，第二の導電
層のうち残余の導電層となる。
導電層を形成し、さらに、該絶縁基板上に誘電薄膜を積
層して、その上面に第二の導電層を形成するだけで、Ｌ
Ｃローパスフィルタが構成されることとなる。尚、上述
の一方の導電層とは、第一，第二の導電層のうちいずれ
でも良く、従って他方の導電層とは、第一，第二の導電
層のうち残余の導電層となる。
【００１１】一方、かかる構成にあって、絶縁基板上
に、前記二つのスパイラルインダクタと、前記中間コン
デンサの電極を形成すると共に、これらを除く全面に、
アース電極層を形成し、前記二つのスパイラルインダク
タ間にアース電極層を介在させて、前記第一の電極層を
構成することができる。この場合には、二つのスパイラ
ルインダクタ間にアース電極層が介在され、この電極層
により、スパイラルインダクタ間が電磁的に絶縁され、
相互の干渉が小さくなって、特性が安定化することとな
る利点を有する。
に、前記二つのスパイラルインダクタと、前記中間コン
デンサの電極を形成すると共に、これらを除く全面に、
アース電極層を形成し、前記二つのスパイラルインダク
タ間にアース電極層を介在させて、前記第一の電極層を
構成することができる。この場合には、二つのスパイラ
ルインダクタ間にアース電極層が介在され、この電極層
により、スパイラルインダクタ間が電磁的に絶縁され、
相互の干渉が小さくなって、特性が安定化することとな
る利点を有する。
【００１２】さらには、上述の第一の導電層と、第二の
導電層を銅メッキによって形成する手段が提案される。
すなわち、銅メッキは、銅メタライズに比して、不純物
が無いから、導電率が高く、しかも面粗さが小さく、こ
のため、表皮厚み（高周波が流れる導体表面の厚）が大
きくなり、導電損失が小さくなる。
導電層を銅メッキによって形成する手段が提案される。
すなわち、銅メッキは、銅メタライズに比して、不純物
が無いから、導電率が高く、しかも面粗さが小さく、こ
のため、表皮厚み（高周波が流れる導体表面の厚）が大
きくなり、導電損失が小さくなる。
【００１３】
【発明の実施の形態】図１〜４は本発明に係るＬＣロー
パスフィルタ１を示す。このＬＣローパスフィルタ１
は、入力側コンデンサＣ1 ，中間コンデンサＣ2 及び出
力側コンデンサＣ3 が並列に形成されると共に、夫々の
一端がアース接続され、コンデンサＣ1，Ｃ2 の他端間
にスパイラルインダクタＬ1 が、コンデンサＣ2 ，Ｃ3
の他端間にスパイラルインダクタＬ2 が位置して、両ス
パイラルインダクタＬ1 ，Ｌ2 が直列接続され、図７の
等価回路を構成するようにしたものである。
パスフィルタ１を示す。このＬＣローパスフィルタ１
は、入力側コンデンサＣ1 ，中間コンデンサＣ2 及び出
力側コンデンサＣ3 が並列に形成されると共に、夫々の
一端がアース接続され、コンデンサＣ1，Ｃ2 の他端間
にスパイラルインダクタＬ1 が、コンデンサＣ2 ，Ｃ3
の他端間にスパイラルインダクタＬ2 が位置して、両ス
パイラルインダクタＬ1 ，Ｌ2 が直列接続され、図７の
等価回路を構成するようにしたものである。
【００１４】ここでアルミナ基板からなる絶縁基板２
は、厚が０．６３５ｍｍである。この絶縁基板２には第
一の導電層３が銅メッキ法により形成される。また該絶
縁基板２上には、ポリイミド樹脂等の有機絶縁膜からな
る誘電薄膜４がスピンコ−ト法等により、積層される。
さらに、該誘電薄膜４上には第二の導電層１０が銅メッ
キ法により形成される。前記第一の導電層３の銅被膜の
厚は５μｍである。また前記誘電薄膜４は厚が３μｍで
あり、さらに第二の導電層１０の銅被膜は厚が５μｍで
ある。
は、厚が０．６３５ｍｍである。この絶縁基板２には第
一の導電層３が銅メッキ法により形成される。また該絶
縁基板２上には、ポリイミド樹脂等の有機絶縁膜からな
る誘電薄膜４がスピンコ−ト法等により、積層される。
さらに、該誘電薄膜４上には第二の導電層１０が銅メッ
キ法により形成される。前記第一の導電層３の銅被膜の
厚は５μｍである。また前記誘電薄膜４は厚が３μｍで
あり、さらに第二の導電層１０の銅被膜は厚が５μｍで
ある。
【００１５】この各絶縁基板２，誘電薄膜４はいずれ
も、例えば３ｍｍ角の正方形状等、十分小さなものとす
ることができ、その総厚は、０．７ｍｍ以下の極薄状と
なっている。
も、例えば３ｍｍ角の正方形状等、十分小さなものとす
ることができ、その総厚は、０．７ｍｍ以下の極薄状と
なっている。
【００１６】そして、この積層構造の半面部をコンデン
サ形成領域Ｆ1 とし、他半面部をインダクタ形成領域Ｆ
2 としている。
サ形成領域Ｆ1 とし、他半面部をインダクタ形成領域Ｆ
2 としている。
【００１７】このインダクタ形成領域Ｆ2 にあっては、
前記第一の導電層３には、外側から、中心に向けて、巻
回したスパイラルインダクタＬ1 ，Ｌ2 が二つ並成され
る。
前記第一の導電層３には、外側から、中心に向けて、巻
回したスパイラルインダクタＬ1 ，Ｌ2 が二つ並成され
る。
【００１８】一方、前記コンデンサ形成領域Ｆ1 にあっ
ては、第一の導電層３の、その中間部に、中間コンデン
サＣ2 の電極６を形成して、その内側中心位置で、両ス
パイラルインダクタＬ1 ，Ｌ2 の外側巻回部７ａ，７ｂ
と接続するようにしている。また、該コンデンサ電極６
の両側にアース電極８ａ，８ｂを形成している。このア
ース電極８ａ，８ｂは、前記Ｌ1 ，Ｌ2 の周囲及びＬ
1 ，Ｌ2 間にも延出されている。すなわち、二つのスパ
イラルインダクタＬ1 ，Ｌ2 と、前記中間コンデンサＣ
2 の電極６を除く全面に、アース電極層８が形成されて
いる。そしてこれにより、二つのスパイラルインダクタ
Ｌ1 ，Ｌ2 間にアース電極層８ｃが介在することとな
り、後述するようにスパイラルインダクタＬ1 ，Ｌ2 の
磁界結合を遮断し、相互の電磁的干渉を阻止するように
している。
ては、第一の導電層３の、その中間部に、中間コンデン
サＣ2 の電極６を形成して、その内側中心位置で、両ス
パイラルインダクタＬ1 ，Ｌ2 の外側巻回部７ａ，７ｂ
と接続するようにしている。また、該コンデンサ電極６
の両側にアース電極８ａ，８ｂを形成している。このア
ース電極８ａ，８ｂは、前記Ｌ1 ，Ｌ2 の周囲及びＬ
1 ，Ｌ2 間にも延出されている。すなわち、二つのスパ
イラルインダクタＬ1 ，Ｌ2 と、前記中間コンデンサＣ
2 の電極６を除く全面に、アース電極層８が形成されて
いる。そしてこれにより、二つのスパイラルインダクタ
Ｌ1 ，Ｌ2 間にアース電極層８ｃが介在することとな
り、後述するようにスパイラルインダクタＬ1 ，Ｌ2 の
磁界結合を遮断し、相互の電磁的干渉を阻止するように
している。
【００１９】そしてさらには、誘電薄膜４上に形成され
る第二の導電層１０の、その両側部に、入力側コンデン
サＣ1 と、出力側コンデンサＣ3 の電極１６ａ，１６ｂ
を夫々形成し、かつ該電極から、二つのスパイラルイン
ダクタＬ1 ，Ｌ2 の中心の直上位置まで、接続路１７
ａ，１７ｂを延出する。このように、第二の導電層１０
は、接続路１７ａ，１７ｂを除いて、前記コンデンサ形
成領域Ｆ1 のみに形成され、このコンデンサ形成領域Ｆ
1 の、両コンデンサ電極１６ａ，１６ｂの中間部に、ア
ース電極１８を形成するようにしている。
る第二の導電層１０の、その両側部に、入力側コンデン
サＣ1 と、出力側コンデンサＣ3 の電極１６ａ，１６ｂ
を夫々形成し、かつ該電極から、二つのスパイラルイン
ダクタＬ1 ，Ｌ2 の中心の直上位置まで、接続路１７
ａ，１７ｂを延出する。このように、第二の導電層１０
は、接続路１７ａ，１７ｂを除いて、前記コンデンサ形
成領域Ｆ1 のみに形成され、このコンデンサ形成領域Ｆ
1 の、両コンデンサ電極１６ａ，１６ｂの中間部に、ア
ース電極１８を形成するようにしている。
【００２０】さらに、前記誘電薄膜４には、スパイラル
インダクタＬ1 ，Ｌ2 の中心の直上位置で、導通孔２
０，２０が形成され、該導通孔２０，２０を介して、前
記接続路１７ａ，１７ｂの延出端と、スパイラルインダ
クタＬ1 ，Ｌ2 の中心とを電気的に接続するようにして
いる。さらには、前記アース電極１８には、導通孔２
１，２１が形成され、前記アース電極８ａ，８ｂとの接
続を確保するようにしている。さらには、前記絶縁基板
２の下面にも、図４で示すように、アース電極２５が形
成されている。
インダクタＬ1 ，Ｌ2 の中心の直上位置で、導通孔２
０，２０が形成され、該導通孔２０，２０を介して、前
記接続路１７ａ，１７ｂの延出端と、スパイラルインダ
クタＬ1 ，Ｌ2 の中心とを電気的に接続するようにして
いる。さらには、前記アース電極１８には、導通孔２
１，２１が形成され、前記アース電極８ａ，８ｂとの接
続を確保するようにしている。さらには、前記絶縁基板
２の下面にも、図４で示すように、アース電極２５が形
成されている。
【００２１】しかして、これにより、前記誘電薄膜４を
介してコンデンサ電極１６ａとアース電極８ａとが、コ
ンデンサ電極６とアース電極１８とが、コンデンサ電極
１６ｂとアース電極８ｂとが夫々対峙して、入力側コン
デンサＣ1 ，中間コンデンサＣ2 及び出力側コンデンサ
Ｃ3 が並列に配設される。また、各コンデンサの夫々の
一端がアース接続される。そして、入力側コンデンサＣ
1 と中間コンデンサＣ2 の他端間にスパイラルインダク
タＬ1 が位置し、中間コンデンサＣ2 と出力側コンデン
サＣ3 の他端間にスパイラルインダクタＬ2 が位置する
と共に、両スパイラルインダクタＬ1 ，Ｌ2 が直列接続
する。而して、図７で示す、等価回路が構成されること
となる。
介してコンデンサ電極１６ａとアース電極８ａとが、コ
ンデンサ電極６とアース電極１８とが、コンデンサ電極
１６ｂとアース電極８ｂとが夫々対峙して、入力側コン
デンサＣ1 ，中間コンデンサＣ2 及び出力側コンデンサ
Ｃ3 が並列に配設される。また、各コンデンサの夫々の
一端がアース接続される。そして、入力側コンデンサＣ
1 と中間コンデンサＣ2 の他端間にスパイラルインダク
タＬ1 が位置し、中間コンデンサＣ2 と出力側コンデン
サＣ3 の他端間にスパイラルインダクタＬ2 が位置する
と共に、両スパイラルインダクタＬ1 ，Ｌ2 が直列接続
する。而して、図７で示す、等価回路が構成されること
となる。
【００２２】かかる構成にあっては、絶縁基板２上に、
銅メッキ法により、第一の導電層３を形成し、次に、ス
ピンコート法で、誘電薄膜４を形成し、さらに銅メッキ
法により第二の導電層１０を形成し、これにより各層を
順次形成することにより、小型のＬＣローパスフィルタ
を容易に製造することができる。
銅メッキ法により、第一の導電層３を形成し、次に、ス
ピンコート法で、誘電薄膜４を形成し、さらに銅メッキ
法により第二の導電層１０を形成し、これにより各層を
順次形成することにより、小型のＬＣローパスフィルタ
を容易に製造することができる。
【００２３】すなわち、銅メッキは、銅メタライズに比
して、不純物が無いから、導電率が高く、しかも面粗さ
が小さく、このため、表皮厚み（高周波が流れる導体表
面の厚）が大きくなり、導電損失が小さくなる。次の表
１は、製造方法による導電率の違いを示すものである。
して、不純物が無いから、導電率が高く、しかも面粗さ
が小さく、このため、表皮厚み（高周波が流れる導体表
面の厚）が大きくなり、導電損失が小さくなる。次の表
１は、製造方法による導電率の違いを示すものである。
【００２４】
【００２５】このように、銅メッキ法により形成され
た、導電層３，１０は、高周波に対して導電損失が小さ
く、銅メタライズ焼成法を用いた従来の構成に比して、
大きな出力を得ることが理解される。
た、導電層３，１０は、高周波に対して導電損失が小さ
く、銅メタライズ焼成法を用いた従来の構成に比して、
大きな出力を得ることが理解される。
【００２６】ここで、表２は中心周波数が９００ＭＨｚ
の上述構成に係る伝送特性値を示し、また図５は、その
周波数特性を示すグラフである。
の上述構成に係る伝送特性値を示し、また図５は、その
周波数特性を示すグラフである。
【００２７】
【００２８】このグラフから解るように、挿入損失が
０．８ｄＢ以下と小さく、また、２倍波、３倍波の減衰
量は、夫々２５ｄＢ、３０ｄＢ以上であり、夫々、良好
な特性を確認することができる。
０．８ｄＢ以下と小さく、また、２倍波、３倍波の減衰
量は、夫々２５ｄＢ、３０ｄＢ以上であり、夫々、良好
な特性を確認することができる。
【００２９】ところで、上述の構成にあっては、二つの
スパイラルインダクタＬ1 ，Ｌ2 間にアース電極層８ｃ
が介在することとなる。このため、スパイラルインダク
タＬ1 ，Ｌ2 は、隣接していても、該アース電極層８ｃ
により、相互の電磁的干渉が阻止され、磁界結合が遮断
される。したがって、スパイラルインダクタＬ1 ，Ｌ2
や、各コンデンサＣ1 ，Ｃ2 ，Ｃ3 を、絶縁基板２，誘
電薄膜４上に密に配設することが可能となる。
スパイラルインダクタＬ1 ，Ｌ2 間にアース電極層８ｃ
が介在することとなる。このため、スパイラルインダク
タＬ1 ，Ｌ2 は、隣接していても、該アース電極層８ｃ
により、相互の電磁的干渉が阻止され、磁界結合が遮断
される。したがって、スパイラルインダクタＬ1 ，Ｌ2
や、各コンデンサＣ1 ，Ｃ2 ，Ｃ3 を、絶縁基板２，誘
電薄膜４上に密に配設することが可能となる。
【００３０】ここで、図６は、上述の構成からアース電
極層８ｃのみを除去して、９００ＭＨｚＬＣローパスフ
ィルタを作成し、その周波数特性を調べた結果を示すグ
ラフである。これを、図５のアース電極層８ｃを形成し
たものと比較すると、アース電極層８ｃの無いものは減
衰勾配が緩和され、減衰量が小さくなることがわかる。
このことから、アース電極層８ｃの存在により、スパイ
ラルインダクタＬ1 ，Ｌ2 相互の磁界結合が遮断され
て、濾波特性が向上することがわかる。
極層８ｃのみを除去して、９００ＭＨｚＬＣローパスフ
ィルタを作成し、その周波数特性を調べた結果を示すグ
ラフである。これを、図５のアース電極層８ｃを形成し
たものと比較すると、アース電極層８ｃの無いものは減
衰勾配が緩和され、減衰量が小さくなることがわかる。
このことから、アース電極層８ｃの存在により、スパイ
ラルインダクタＬ1 ，Ｌ2 相互の磁界結合が遮断され
て、濾波特性が向上することがわかる。
【００３１】上述の構成にあって、上記の第一の導電層
３，第二の導電層１０は、上述のメッキ法以外にも、ス
パッタ法、またはこれらとフォトリソ等とを組み合わせ
た薄膜形成技術により形成される。しかしながら、銅メ
ッキ法が、最適であることは上述したとおりである。
３，第二の導電層１０は、上述のメッキ法以外にも、ス
パッタ法、またはこれらとフォトリソ等とを組み合わせ
た薄膜形成技術により形成される。しかしながら、銅メ
ッキ法が、最適であることは上述したとおりである。
【００３２】さらに、上記の構成に代えて、絶縁基板２
上に形成される第一の導電層３に、コンデンサ電極１６
ａ，１６ｂとアース電極１８を形成し、誘電薄膜４上に
形成される第二導電層１０に、スパイラルインダクタＬ
1 ，Ｌ2 ，コンデンサ電極６，アース電極８ａ，８ｂを
形成するようにしても良い。すなわち、第一の導電層
３，１０の形成内容は、互換可能である。
上に形成される第一の導電層３に、コンデンサ電極１６
ａ，１６ｂとアース電極１８を形成し、誘電薄膜４上に
形成される第二導電層１０に、スパイラルインダクタＬ
1 ，Ｌ2 ，コンデンサ電極６，アース電極８ａ，８ｂを
形成するようにしても良い。すなわち、第一の導電層
３，１０の形成内容は、互換可能である。
【００３３】上述の各構成は図７の等価回路を構成する
ものであるが、絶縁基板上に第一の導電層を形成し、さ
らに、該絶縁基板上に誘電薄膜を積層して、その上面に
第二の導電層を形成してなり、一方の導電層に、スパイ
ラルインダクタと、アース電極とを形成し、他方の導電
層に、該アース電極と誘電薄膜を介して対置してコンデ
ンサを構成するコンデンサ電極を形成し、かつ該コンデ
ンサ電極からスパイラルインダクタの中心の直上位置ま
で、接続路を延出すると共に、前記誘電薄膜に形成した
導通孔を介して、前記接続路の延出端と、スパイラルイ
ンダクタの中心とを電気的に接続するようにして、スパ
イラルインダクタとコンデンサとを担持した構成であれ
ば良い。すなわち、夫々導電層が形成される絶縁基板
と、誘電薄膜の積層構造であれば良い。
ものであるが、絶縁基板上に第一の導電層を形成し、さ
らに、該絶縁基板上に誘電薄膜を積層して、その上面に
第二の導電層を形成してなり、一方の導電層に、スパイ
ラルインダクタと、アース電極とを形成し、他方の導電
層に、該アース電極と誘電薄膜を介して対置してコンデ
ンサを構成するコンデンサ電極を形成し、かつ該コンデ
ンサ電極からスパイラルインダクタの中心の直上位置ま
で、接続路を延出すると共に、前記誘電薄膜に形成した
導通孔を介して、前記接続路の延出端と、スパイラルイ
ンダクタの中心とを電気的に接続するようにして、スパ
イラルインダクタとコンデンサとを担持した構成であれ
ば良い。すなわち、夫々導電層が形成される絶縁基板
と、誘電薄膜の積層構造であれば良い。
【００３４】
【発明の効果】本発明は、スパイラルインダクタを備え
た絶縁基板に誘電薄膜を積層し、かつ夫々の表面に形成
される導電層により、コンデンサを誘電薄膜を介して形
成したものであるから、従来構成のように、インダクタ
を外付けしたり、又は、種々のインダクタ，コンデンサ
を単一の基板上に形成する等の従来構成と比して、基板
上に薄膜形成技術により、導電層を形成し、又は誘電薄
膜を形成することにより構成されるから、その形成が容
易で、量産に適する。
た絶縁基板に誘電薄膜を積層し、かつ夫々の表面に形成
される導電層により、コンデンサを誘電薄膜を介して形
成したものであるから、従来構成のように、インダクタ
を外付けしたり、又は、種々のインダクタ，コンデンサ
を単一の基板上に形成する等の従来構成と比して、基板
上に薄膜形成技術により、導電層を形成し、又は誘電薄
膜を形成することにより構成されるから、その形成が容
易で、量産に適する。
【００３５】また、絶縁基板上に第一の導電層を形成
し、さらに、該絶縁基板上に誘電薄膜を積層して、その
上面に第二の導電層を形成してなり、その積層構造の半
面部をコンデンサ形成領域とし、他半面部をインダクタ
形成領域とし、上述のように、インダクタ形成領域に
は、二つのスパイラルインダクタＬ1 ，Ｌ2 を並成し、
コンデンサ形成領域には、コンデンサＣ1 ，コンデンサ
Ｃ2 ，コンデンサＣ3 を並成した構成にあっては、図７
で示す等価回路を、高密度で無駄なく形成でき、小型化
が可能となる。
し、さらに、該絶縁基板上に誘電薄膜を積層して、その
上面に第二の導電層を形成してなり、その積層構造の半
面部をコンデンサ形成領域とし、他半面部をインダクタ
形成領域とし、上述のように、インダクタ形成領域に
は、二つのスパイラルインダクタＬ1 ，Ｌ2 を並成し、
コンデンサ形成領域には、コンデンサＣ1 ，コンデンサ
Ｃ2 ，コンデンサＣ3 を並成した構成にあっては、図７
で示す等価回路を、高密度で無駄なく形成でき、小型化
が可能となる。
【００３６】さらには、上述の構成にあって、絶縁基板
上に、前記二つのスパイラルインダクタ間にアース電極
層を介在させた構成は、スパイラルインダクタＬ1 ，Ｌ
2 の相互の電磁的干渉が阻止され、磁界結合を遮断で
き、このため、上記のように高密度な配置構成として
も、その特性を損なうことがない。
上に、前記二つのスパイラルインダクタ間にアース電極
層を介在させた構成は、スパイラルインダクタＬ1 ，Ｌ
2 の相互の電磁的干渉が阻止され、磁界結合を遮断で
き、このため、上記のように高密度な配置構成として
も、その特性を損なうことがない。
【００３７】さらには、第一の導電層と、第二の導電層
を銅メッキによって形成した場合には、導電率が高く、
しかも面粗さが小さく、このため、導電損失が小さくな
る。
を銅メッキによって形成した場合には、導電率が高く、
しかも面粗さが小さく、このため、導電損失が小さくな
る。
【００３８】而して、小型で、製造容易で、しかも低損
失で特性の優れたＬＣローパスフィルタを提供し得るこ
ととなる優れた効果がある。
失で特性の優れたＬＣローパスフィルタを提供し得るこ
ととなる優れた効果がある。
【図１】ＬＣローパスフィルタ１の絶縁基板２と誘電薄
膜４を分離して示す斜視図である。
膜４を分離して示す斜視図である。
【図２】ＬＣローパスフィルタ１の平面図である。
【図３】誘電薄膜４の平面図である。
【図４】ＬＣローパスフィルタ１の縦断側面図である。
【図５】周波数特性図である。
【図６】アース電極層８ｃを除去したＬＣローパスフィ
ルタの周波数特性図である。
ルタの周波数特性図である。
【図７】等価回路図である。
１ ＬＣローパスフィルタ ２ 絶縁基板 ３ 第一の導電層 ４ 誘電薄膜 ８ａ，８ｂ アース電極 ８ｃ アース電極層 １０ 第二の導電層 １６ａ，１６ｂ コンデンサ電極 １８ アース電極 ２０ 導通孔 Ｌ1 ，Ｌ2 インダクタ Ｃ1 ，Ｃ2 ，Ｃ3 コンデンサ
Claims (4)
- 【請求項１】絶縁基板上に第一の導電層を形成し、さら
に、該絶縁基板上に誘電薄膜を積層して、その上面に第
二の導電層を形成した積層構造からなり、 一方の導電層に、中心に向けて巻回したスパイラルイン
ダクタと、アース電極とを夫々形成し、 他方の導電層に、該アース電極と誘電薄膜を介して対置
してコンデンサを構成するコンデンサ電極を形成し、か
つ該コンデンサ電極からスパイラルインダクタの中心の
直上位置まで、接続路を延出すると共に、 前記誘電薄膜に形成した導通孔を介して、前記接続路の
延出端と、スパイラルインダクタの中心とを電気的に接
続するようにして、スパイラルインダクタとコンデンサ
とを担持したことを特徴とするＬＣローパスフィルタ。 - 【請求項２】絶縁基板上に第一の導電層を形成し、さら
に、該絶縁基板上に誘電薄膜を積層して、その上面に第
二の導電層を形成してなり、その積層構造の半面部をコ
ンデンサ形成領域とし、他半面部をインダクタ形成領域
とし、前記インダクタ形成領域にあっては、一方の導電
層に、中心に向けて巻回したスパイラルインダクタを二
つ並成し、前記コンデンサ形成領域にあっては、一方の
導電層の、その中間部に、中間コンデンサの電極を形成
して、両スパイラルインダクタの外側巻回部と接続する
と共に、該コンデンサ電極の両側にアース電極を形成
し、さらに、他方の導電層の、その両側部に、入力側
と、出力側のコンデンサの電極を夫々形成し、かつ該電
極から、二つのスパイラルインダクタの中心の直上位置
まで、接続路を延出すると共に、他方の導電層の、両コ
ンデンサ電極の中間部に、アース電極を形成し、さら
に、前記誘電薄膜に形成した導通孔を介して、前記接続
路の延出端と、スパイラルインダクタの中心とを電気的
に接続するようにし、これにより、前記誘電薄膜を介し
てコンデンサ電極と、アース電極を対峙させて、入力側
コンデンサ，中間コンデンサ及び出力側コンデンサを並
列に形成して一端をアース接続し、各コンデンサの他端
間に夫々スパイラルインダクタを位置させて、両スパイ
ラルインダクタを直列接続するようにして構成したこと
を特徴とするＬＣローパスフィルタ。 - 【請求項３】絶縁基板上に、前記二つのスパイラルイン
ダクタと、前記中間コンデンサの電極を形成すると共
に、これらを除く全面に、アース電極層を形成し、前記
二つのスパイラルインダクタ間にアース電極層を介在さ
せて、前記一方の電極層を構成したことを特徴とする請
求項２記載のＬＣローパスフィルタ。 - 【請求項４】第一の導電層と、第二の導電層を銅メッキ
によって形成したことを特徴とする請求項１または請求
項２記載のＬＣローパスフィルタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8224415A JPH1051257A (ja) | 1996-08-06 | 1996-08-06 | Ｌｃローパスフィルタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8224415A JPH1051257A (ja) | 1996-08-06 | 1996-08-06 | Ｌｃローパスフィルタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1051257A true JPH1051257A (ja) | 1998-02-20 |
Family
ID=16813425
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8224415A Pending JPH1051257A (ja) | 1996-08-06 | 1996-08-06 | Ｌｃローパスフィルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1051257A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7683740B2 (en) | 2006-07-28 | 2010-03-23 | Tdk Corporation | Electronic component and method for manufacturing same |
| ITBO20100333A1 (it) * | 2010-05-27 | 2011-11-28 | Elenos S R L | Dispositivo lc per apparecchiature di potenza in radiofrequenza |
| US9118298B2 (en) | 2012-05-02 | 2015-08-25 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | High frequency module |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5116981Y1 (ja) * | 1970-12-26 | 1976-05-08 | ||
| JPS60153630A (ja) * | 1984-01-24 | 1985-08-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 同調装置 |
| JPH02140007A (ja) * | 1988-11-18 | 1990-05-29 | Murata Mfg Co Ltd | ローパスフィルタ |
| JPH05343262A (ja) * | 1992-06-08 | 1993-12-24 | Tdk Corp | 高周波用多層薄膜電子部品 |
| JPH0697701A (ja) * | 1992-09-14 | 1994-04-08 | Murata Mfg Co Ltd | ローパスフィルタ |
| JPH07130575A (ja) * | 1993-10-29 | 1995-05-19 | Kyocera Corp | 積層フィルター部品 |
| JPH07283679A (ja) * | 1994-04-04 | 1995-10-27 | Advantest Corp | マイクロ波帯用フィルタ |
| JPH08167522A (ja) * | 1994-12-12 | 1996-06-25 | Tdk Corp | Ｌｃ複合部品及びその製造方法 |
-
1996
- 1996-08-06 JP JP8224415A patent/JPH1051257A/ja active Pending
Patent Citations (8)
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| US9118298B2 (en) | 2012-05-02 | 2015-08-25 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | High frequency module |
| JP5817925B2 (ja) * | 2012-05-02 | 2015-11-18 | 株式会社村田製作所 | 高周波モジュール |
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