JPH1075144A - Ｌｃバンドパスフィルタ及びその周波数特性調整方法 - Google Patents
Ｌｃバンドパスフィルタ及びその周波数特性調整方法Info
- Publication number
- JPH1075144A JPH1075144A JP24864596A JP24864596A JPH1075144A JP H1075144 A JPH1075144 A JP H1075144A JP 24864596 A JP24864596 A JP 24864596A JP 24864596 A JP24864596 A JP 24864596A JP H1075144 A JPH1075144 A JP H1075144A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- inductor
- conductive layer
- capacitor
- ground electrode
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Filters And Equalizers (AREA)
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 反射特性の調整を可能とし、これにより周波
数特性を最適とし得るＬＣバンドパスフィルタを提供す
る。 【解決手段】 最上層に配設された上部導電層２１に、
接地電極２６と、該接地電極２６から延出する直線路に
よってなるインダクタＬ3 と、該インダクタＬ3の端部
から両側へ二つに分岐して、外側から中心に向けて巻回
する二つのスパイラルインダクタＬ1 ，Ｌ2 とを配設
し、インダクタＬ3 の長さを調整することにより、反射
損失を調整可能とした。
数特性を最適とし得るＬＣバンドパスフィルタを提供す
る。 【解決手段】 最上層に配設された上部導電層２１に、
接地電極２６と、該接地電極２６から延出する直線路に
よってなるインダクタＬ3 と、該インダクタＬ3の端部
から両側へ二つに分岐して、外側から中心に向けて巻回
する二つのスパイラルインダクタＬ1 ，Ｌ2 とを配設
し、インダクタＬ3 の長さを調整することにより、反射
損失を調整可能とした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、携帯電話や自動車
電話等の各種無線通信機器に使用されるＬＣバンドパス
フィルタに関するものである。
電話等の各種無線通信機器に使用されるＬＣバンドパス
フィルタに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＬＣバンドパスフィルタとしては、アル
ミナ等の薄い、複数又は単数の絶縁基板により入出力用
コンデンサとインダクタとを並列接続した並列共振回路
を担持してなるものが一般的に用いられている。このＬ
Ｃバンドパスフィルタは、誘電体ブロック内に複数の貫
通孔状の共振導体を形成した一体型誘電体フィルタや二
枚の誘電基板の間に箔状の共振導体を挟持した三導体型
ストリップラインフィルタに比して薄肉化、小型化が容
易である等の利点から携帯電話等に好適に採用されつつ
ある。
ミナ等の薄い、複数又は単数の絶縁基板により入出力用
コンデンサとインダクタとを並列接続した並列共振回路
を担持してなるものが一般的に用いられている。このＬ
Ｃバンドパスフィルタは、誘電体ブロック内に複数の貫
通孔状の共振導体を形成した一体型誘電体フィルタや二
枚の誘電基板の間に箔状の共振導体を挟持した三導体型
ストリップラインフィルタに比して薄肉化、小型化が容
易である等の利点から携帯電話等に好適に採用されつつ
ある。
【０００３】一方、近年は、電子機器等の小型化、高性
能化、高密度実装化に対する要望がさらに高まってお
り、このため、ＬＣバンドパスフィルタの一層の小型化
が強く求められるようになっている。そしてこの要求に
対応するために、フィルタの大部分を占める容量部の小
型化が求められ、この小型化を図るために、スパッタリ
ング法やＣＶＤ法等の薄膜形成技術により容量部を薄膜
構造としたものが提案されている。
能化、高密度実装化に対する要望がさらに高まってお
り、このため、ＬＣバンドパスフィルタの一層の小型化
が強く求められるようになっている。そしてこの要求に
対応するために、フィルタの大部分を占める容量部の小
型化が求められ、この小型化を図るために、スパッタリ
ング法やＣＶＤ法等の薄膜形成技術により容量部を薄膜
構造としたものが提案されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述の薄膜構造からな
るＬＣバンドパスフィルタは、電極間薄膜の薄厚化に限
界があるため、入出力用コンデンサの静電容量が一般に
小さく、このため、通過帯域が広い。しかし、大きな反
射を得ることができるため、通過帯域において、図７の
ように反射損失波形の極（谷形状）が２つに分離してい
ても、充分な損失が得られ、フィルタとして使用可能と
なる。
るＬＣバンドパスフィルタは、電極間薄膜の薄厚化に限
界があるため、入出力用コンデンサの静電容量が一般に
小さく、このため、通過帯域が広い。しかし、大きな反
射を得ることができるため、通過帯域において、図７の
ように反射損失波形の極（谷形状）が２つに分離してい
ても、充分な損失が得られ、フィルタとして使用可能と
なる。
【０００５】一方、通過帯域を狭くするためには、静電
容量を大きくすれば良く、薄膜形成技術の進歩により、
更なる薄厚化により静電容量の大きなものが製造が可能
となってきたが、この場合には、図８のように、反射損
失波形が２つに分離していると、通過帯域における反射
損失（谷の深さ）が不充分となり、通過帯域幅がかえっ
て広くなりフィルタとしての作用を生じない。本発明
は、反射特性の調整を可能とし、これにより周波数特性
を最適とし得る構成を提供することを目的とするもので
ある。
容量を大きくすれば良く、薄膜形成技術の進歩により、
更なる薄厚化により静電容量の大きなものが製造が可能
となってきたが、この場合には、図８のように、反射損
失波形が２つに分離していると、通過帯域における反射
損失（谷の深さ）が不充分となり、通過帯域幅がかえっ
て広くなりフィルタとしての作用を生じない。本発明
は、反射特性の調整を可能とし、これにより周波数特性
を最適とし得る構成を提供することを目的とするもので
ある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、多層構造から
なり、その最上層に配設された上部導電層に、接地電極
と、該接地電極から延出する直線路によってなるインダ
クタＬ3 と、該インダクタＬ3 の端部から両側へ二つに
分岐して、外側から中心に向けて巻回する二つのスパイ
ラルインダクタＬ1 ，Ｌ2 とを配設されたＬＣバンドパ
スフィルタに係る。
なり、その最上層に配設された上部導電層に、接地電極
と、該接地電極から延出する直線路によってなるインダ
クタＬ3 と、該インダクタＬ3 の端部から両側へ二つに
分岐して、外側から中心に向けて巻回する二つのスパイ
ラルインダクタＬ1 ，Ｌ2 とを配設されたＬＣバンドパ
スフィルタに係る。
【０００７】ここでインダクタＬ3 を構成する直線路の
長さを調整することにより、反射損失が調整可能とな
る。すなわち、線路長を長くして、インダクタＬ3 の値
を大きくすると、反射損失が二つの谷に割れて、反射損
失が小さくなり、このため、通過損失が大きくなって、
フィルタとしては使用できない。そこで、線路長を短く
して、インダクタＬ3 の値を小さくしていくと、徐々に
反射損失の二つの谷が近付き、値も大きくなる。そし
て、最終的に一つのピークを持ち、値も大きく、フィル
タとして充分使用可能となる。しかし、さらにインダク
タＬ3 の値を大きくすると、逆に反射損失が小さくな
る。このことから、前記直線路の長さを変えることによ
り、反射損失の大きなフィルタを得ることができること
となる。
長さを調整することにより、反射損失が調整可能とな
る。すなわち、線路長を長くして、インダクタＬ3 の値
を大きくすると、反射損失が二つの谷に割れて、反射損
失が小さくなり、このため、通過損失が大きくなって、
フィルタとしては使用できない。そこで、線路長を短く
して、インダクタＬ3 の値を小さくしていくと、徐々に
反射損失の二つの谷が近付き、値も大きくなる。そし
て、最終的に一つのピークを持ち、値も大きく、フィル
タとして充分使用可能となる。しかし、さらにインダク
タＬ3 の値を大きくすると、逆に反射損失が小さくな
る。このことから、前記直線路の長さを変えることによ
り、反射損失の大きなフィルタを得ることができること
となる。
【０００８】かかる構成のフィルタとしては、図１で例
示するように、絶縁基板１の表面に、下部導電層２を形
成して、この下部導電層２に二つの共通コンデンサ電極
３ａ，３ｂを並設し、該下部導電層２上に誘電体薄膜層
１０を形成し、さらに該誘電体薄膜層１０上に、中間導
電層１１を形成して、該中間導電層１１に共通コンデン
サ電極３ａと対向する部位に、入出力用コンデンサＣ
1 ，共振用コンデンサＣ3 の他側コンデンサ電極１２
ａ，１３ａを夫々設け、共通コンデンサ電極３ｂと対向
する部位に、入出力用コンデンサＣ2 ，共振用コンデン
サＣ4 の他側コンデンサ電極１２ｂ，１３ｂを夫々設
け、さらに中間導電層１１上に絶縁層２０を設けて、該
絶縁層２０上に、上部導電層２１を形成し、この上部導
電層２１に、接地電極２６と、該接地電極２６から延出
する直線路によってなるインダクタＬ3 と、該インダク
タＬ3 の端部から両側へ二つに分岐して、外側から中心
に向けて巻回する二つのスパイラルインダクタＬ1 ，Ｌ
2 とを配設し、さらには、前記入出力用コンデンサＣ
1 ，Ｃ2 の他側コンデンサ電極１２ａ，１２ｂと夫々接
続する入出力電極２２ａ，２２ｂを設けると共に、スパ
イラルインダクタＬ1 ，Ｌ2 の中心を、下部導電層２の
共通コンデンサ電極３ａ，３ｂに夫々接続し、さらに接
地電極層２６を、中間導電層１１の他側コンデンサ電極
１３ａ，１３ｂに夫々接続したものが提案される。この
ように、構成することにより、容量部の小型化が可能と
なり、その全体として、極小の多層構造からなるＬＣバ
ンドパスフィルタが供せられる。
示するように、絶縁基板１の表面に、下部導電層２を形
成して、この下部導電層２に二つの共通コンデンサ電極
３ａ，３ｂを並設し、該下部導電層２上に誘電体薄膜層
１０を形成し、さらに該誘電体薄膜層１０上に、中間導
電層１１を形成して、該中間導電層１１に共通コンデン
サ電極３ａと対向する部位に、入出力用コンデンサＣ
1 ，共振用コンデンサＣ3 の他側コンデンサ電極１２
ａ，１３ａを夫々設け、共通コンデンサ電極３ｂと対向
する部位に、入出力用コンデンサＣ2 ，共振用コンデン
サＣ4 の他側コンデンサ電極１２ｂ，１３ｂを夫々設
け、さらに中間導電層１１上に絶縁層２０を設けて、該
絶縁層２０上に、上部導電層２１を形成し、この上部導
電層２１に、接地電極２６と、該接地電極２６から延出
する直線路によってなるインダクタＬ3 と、該インダク
タＬ3 の端部から両側へ二つに分岐して、外側から中心
に向けて巻回する二つのスパイラルインダクタＬ1 ，Ｌ
2 とを配設し、さらには、前記入出力用コンデンサＣ
1 ，Ｃ2 の他側コンデンサ電極１２ａ，１２ｂと夫々接
続する入出力電極２２ａ，２２ｂを設けると共に、スパ
イラルインダクタＬ1 ，Ｌ2 の中心を、下部導電層２の
共通コンデンサ電極３ａ，３ｂに夫々接続し、さらに接
地電極層２６を、中間導電層１１の他側コンデンサ電極
１３ａ，１３ｂに夫々接続したものが提案される。この
ように、構成することにより、容量部の小型化が可能と
なり、その全体として、極小の多層構造からなるＬＣバ
ンドパスフィルタが供せられる。
【０００９】
【発明の実施の形態】添付図面について本発明の一実施
例を説明する。図１は本発明に係るＬＣバンドパスフィ
ルタを示すものであり、寸法例が厚０．６３５ｍｍ，縦
横２ｍｍ程度等の矩形状に成形されたアルミナ等の絶縁
基板１上に、Ｆｅ−Ｎｉ合金からなる下部導電層２（厚
３μｍ）と、ＳｉＯ2 からなる誘電体薄膜層１０（厚２
μｍ）と、アルミニュウムからなる中間導電層１１（厚
３μｍ）と、ポリイミド樹脂等の有機絶縁膜からなる絶
縁層２０（厚３μｍ）と、さらにはＣｕからなる上部導
電層２１（厚５μｍ）とが順次積層してなる。また、こ
のフィルタのうちその面領域のほぼ半面をコンデンサ形
成領域Ｓ1 とし、他半面をインダクタ形成領域Ｓ2 とし
ている。この全体の総厚は、その総和からも理解される
ように、０．７ｍｍ以下の極薄状となる。
例を説明する。図１は本発明に係るＬＣバンドパスフィ
ルタを示すものであり、寸法例が厚０．６３５ｍｍ，縦
横２ｍｍ程度等の矩形状に成形されたアルミナ等の絶縁
基板１上に、Ｆｅ−Ｎｉ合金からなる下部導電層２（厚
３μｍ）と、ＳｉＯ2 からなる誘電体薄膜層１０（厚２
μｍ）と、アルミニュウムからなる中間導電層１１（厚
３μｍ）と、ポリイミド樹脂等の有機絶縁膜からなる絶
縁層２０（厚３μｍ）と、さらにはＣｕからなる上部導
電層２１（厚５μｍ）とが順次積層してなる。また、こ
のフィルタのうちその面領域のほぼ半面をコンデンサ形
成領域Ｓ1 とし、他半面をインダクタ形成領域Ｓ2 とし
ている。この全体の総厚は、その総和からも理解される
ように、０．７ｍｍ以下の極薄状となる。
【００１０】前記絶縁基板１上に形成される下部導電層
２にあって、そのコンデンサ形成領域Ｓ1 には、左右に
隣接して矩形状の二つの共通コンデンサ電極３ａ，３ｂ
が並設され、夫々インダクタ形成領域Ｓ2 側に接続路
４，４を延出している。また、絶縁基板１の上面周囲
と、その中心線に沿って、縁取り部５が形成され、この
縁取り部５により誘電体薄膜層１０との積層面にあっ
て、その周縁で肉厚差がないようにして、均厚な面接触
を確保するようにしている。
２にあって、そのコンデンサ形成領域Ｓ1 には、左右に
隣接して矩形状の二つの共通コンデンサ電極３ａ，３ｂ
が並設され、夫々インダクタ形成領域Ｓ2 側に接続路
４，４を延出している。また、絶縁基板１の上面周囲
と、その中心線に沿って、縁取り部５が形成され、この
縁取り部５により誘電体薄膜層１０との積層面にあっ
て、その周縁で肉厚差がないようにして、均厚な面接触
を確保するようにしている。
【００１１】また、誘電体薄膜層１０上に形成される中
間導電層１１にあって、前記共通コンデンサ電極３ａと
対向する部位には、入出力用コンデンサＣ1 の他側コン
デンサ電極１２ａと、これをＬ形に囲んで隣接する共振
用コンデンサＣ3 の他側コンデンサ電極１３ａとが設け
られ、前記共通コンデンサ電極３ｂと対向する部位に
は、入出力用コンデンサＣ2 の他側コンデンサ電極１２
ｂと、これをＬ形に囲んで隣接する共振用コンデンサＣ
4 の他側コンデンサ電極１３ｂとが設けられる。
間導電層１１にあって、前記共通コンデンサ電極３ａと
対向する部位には、入出力用コンデンサＣ1 の他側コン
デンサ電極１２ａと、これをＬ形に囲んで隣接する共振
用コンデンサＣ3 の他側コンデンサ電極１３ａとが設け
られ、前記共通コンデンサ電極３ｂと対向する部位に
は、入出力用コンデンサＣ2 の他側コンデンサ電極１２
ｂと、これをＬ形に囲んで隣接する共振用コンデンサＣ
4 の他側コンデンサ電極１３ｂとが設けられる。
【００１２】ポリイミド樹脂等の有機絶縁膜からなる絶
縁層２０はスピンコ−ト法等により、中間導電層１１上
に積層される。また、この絶縁層２０上に形成される上
部導電層２１は、銅メッキ法等により形成される。この
上部導電層２１にあって、コンデンサ形成領域Ｓ1 に
は、他側コンデンサ電極１２ａと対向する位置に入出力
電極２２ａが設けられ、同じく他側コンデンサ電極１２
ｂと対向する位置に入出力電極２２ｂが設けられる。さ
らには、入出力電極２２ａ，２２ｂ間には、これを容量
結合するための結合電極２４が絶縁間隙２５，２５を置
いて形成され、該絶縁間隙により、結合コンデンサＣ5
を形成するようにしている。
縁層２０はスピンコ−ト法等により、中間導電層１１上
に積層される。また、この絶縁層２０上に形成される上
部導電層２１は、銅メッキ法等により形成される。この
上部導電層２１にあって、コンデンサ形成領域Ｓ1 に
は、他側コンデンサ電極１２ａと対向する位置に入出力
電極２２ａが設けられ、同じく他側コンデンサ電極１２
ｂと対向する位置に入出力電極２２ｂが設けられる。さ
らには、入出力電極２２ａ，２２ｂ間には、これを容量
結合するための結合電極２４が絶縁間隙２５，２５を置
いて形成され、該絶縁間隙により、結合コンデンサＣ5
を形成するようにしている。
【００１３】また、コンデンサ形成領域Ｓ1 には、これ
ら入出力電極２２ａ，２２ｂ，結合電極２４を囲繞する
ように、接地電極２６が形成される。そして、この接地
電極２６の内側縁の中央からは、インダクタ形成領域Ｓ
2 側へ直線路が形成される。この直線路はインダクタＬ
3 を構成するものであり、後述するようにこの長さを調
整することにより、反射損失を調整することが可能とな
る。そして、このインダクタインダクタＬ3 の端部から
は、インダクタ形成領域Ｓ2 で、両側へ二つに分岐し
て、外側から中心に向けて巻回する二つのスパイラルイ
ンダクタＬ1 ，Ｌ2 が連成されることとなる。
ら入出力電極２２ａ，２２ｂ，結合電極２４を囲繞する
ように、接地電極２６が形成される。そして、この接地
電極２６の内側縁の中央からは、インダクタ形成領域Ｓ
2 側へ直線路が形成される。この直線路はインダクタＬ
3 を構成するものであり、後述するようにこの長さを調
整することにより、反射損失を調整することが可能とな
る。そして、このインダクタインダクタＬ3 の端部から
は、インダクタ形成領域Ｓ2 で、両側へ二つに分岐し
て、外側から中心に向けて巻回する二つのスパイラルイ
ンダクタＬ1 ，Ｌ2 が連成されることとなる。
【００１４】このスパイラルインダクタＬ1 ，Ｌ2 の中
心は、絶縁層２０，誘電体薄膜層１０を貫通して形成し
た導通孔３０を介して、絶縁基板１上の共通コンデンサ
電極３ａ，３ｂの接続路４，４に接続される。さらに接
地電極２６を、絶縁層２０に形成した導通孔３１を介し
て、共振用コンデンサＣ3 ，Ｃ4 の各他側コンデンサ電
極１３ａ，１３ｂに接続される。同様に、入出力電極２
２ａ，２２ｂは、絶縁層２０に形成した導通孔３２によ
り他側コンデンサ電極１２ａ，１２ｂに接続される。
心は、絶縁層２０，誘電体薄膜層１０を貫通して形成し
た導通孔３０を介して、絶縁基板１上の共通コンデンサ
電極３ａ，３ｂの接続路４，４に接続される。さらに接
地電極２６を、絶縁層２０に形成した導通孔３１を介し
て、共振用コンデンサＣ3 ，Ｃ4 の各他側コンデンサ電
極１３ａ，１３ｂに接続される。同様に、入出力電極２
２ａ，２２ｂは、絶縁層２０に形成した導通孔３２によ
り他側コンデンサ電極１２ａ，１２ｂに接続される。
【００１５】而して、上述したように、誘電体薄膜層１
０を介して、共通コンデンサ電極３ａ，他側コンデンサ
電極１２ａ間に入出力用コンデンサＣ1 が形成され、共
通コンデンサ電極３ｂ，他側コンデンサ電極１２ｂ間に
入出力用コンデンサＣ2 が形成され、さらに共通コンデ
ンサ電極３ａ，他側コンデンサ電極１３ａ間に共振用コ
ンデンサＣ3 が形成され、共通コンデンサ電極３ｂ，他
側コンデンサ電極１３ｂ間に共振用コンデンサＣ4 が形
成され、さらに、結合電極２４を介して、入出力電極２
２ａ，２２ｂ間に結合コンデンサＣ5 が形成され得ると
共に、接地側に、インダクタＬ3 ，共振用コンデンサＣ
3 ，共振用コンデンサＣ4 が接続され、かつインダクタ
Ｌ3 から分岐したスパイラルインダクタＬ1 に対して、
共振用コンデンサＣ3 が並列接続し、同じくインダクタ
Ｌ3 から分岐したスパイラルインダクタＬ2 に対して，
共振用コンデンサＣ4 が並列接続して、図６の等価回路
を構成することとなる。
０を介して、共通コンデンサ電極３ａ，他側コンデンサ
電極１２ａ間に入出力用コンデンサＣ1 が形成され、共
通コンデンサ電極３ｂ，他側コンデンサ電極１２ｂ間に
入出力用コンデンサＣ2 が形成され、さらに共通コンデ
ンサ電極３ａ，他側コンデンサ電極１３ａ間に共振用コ
ンデンサＣ3 が形成され、共通コンデンサ電極３ｂ，他
側コンデンサ電極１３ｂ間に共振用コンデンサＣ4 が形
成され、さらに、結合電極２４を介して、入出力電極２
２ａ，２２ｂ間に結合コンデンサＣ5 が形成され得ると
共に、接地側に、インダクタＬ3 ，共振用コンデンサＣ
3 ，共振用コンデンサＣ4 が接続され、かつインダクタ
Ｌ3 から分岐したスパイラルインダクタＬ1 に対して、
共振用コンデンサＣ3 が並列接続し、同じくインダクタ
Ｌ3 から分岐したスパイラルインダクタＬ2 に対して，
共振用コンデンサＣ4 が並列接続して、図６の等価回路
を構成することとなる。
【００１６】このように、上述した多層構造により、容
量部が小型化し、極小のフィルタが構成され得ることと
鳴る。
量部が小型化し、極小のフィルタが構成され得ることと
鳴る。
【００１７】ここでインダクタＬ3 を構成する直線路の
長さを調整することにより、反射損失が調整可能とな
る。その関係を図２〜図５で示す。
長さを調整することにより、反射損失が調整可能とな
る。その関係を図２〜図５で示す。
【００１８】すなわち、線路長を長くして、そのインダ
クタンスを最も大きくした図２の構成にあっては、その
右部の波形図で示すように、反射損失が二つの谷に割れ
て、通過帯域で反射損失が小さくなり、このため、通過
帯域幅が大きくなって、フィルタとしては使用できな
い。
クタンスを最も大きくした図２の構成にあっては、その
右部の波形図で示すように、反射損失が二つの谷に割れ
て、通過帯域で反射損失が小さくなり、このため、通過
帯域幅が大きくなって、フィルタとしては使用できな
い。
【００１９】図３の構成にあっては、線路長を少し短く
して、インダクタＬ3 のインダクタンスの値を小さくし
ため、右部の波形図で示すように、谷が二つに別れては
いるものの、二つの谷が近付き、反射損失が比較的大き
くなる。
して、インダクタＬ3 のインダクタンスの値を小さくし
ため、右部の波形図で示すように、谷が二つに別れては
いるものの、二つの谷が近付き、反射損失が比較的大き
くなる。
【００２０】図４のように、さらにインダクタＬ3 のイ
ンダクタンス値を小さくすると、単一の深い谷が形成さ
れ、大きな反射損失を得ることができ、これに対応して
通過帯域幅も狭くなる。このため、フィルタとして良好
な特性を得ることができる。
ンダクタンス値を小さくすると、単一の深い谷が形成さ
れ、大きな反射損失を得ることができ、これに対応して
通過帯域幅も狭くなる。このため、フィルタとして良好
な特性を得ることができる。
【００２１】ところで、図５のように、さらにインダク
タＬ3 のインダクタンス値を小さくすると、谷が浅くな
り、逆に反射損失が小さくなる。このように、上述の構
成の上部導電層２１を備えたものにあっては、インダク
タＬ3 の長さを最適とすることにより、反射損失の大き
なフィルタを得ることができることとなる。
タＬ3 のインダクタンス値を小さくすると、谷が浅くな
り、逆に反射損失が小さくなる。このように、上述の構
成の上部導電層２１を備えたものにあっては、インダク
タＬ3 の長さを最適とすることにより、反射損失の大き
なフィルタを得ることができることとなる。
【００２２】かかる構成にあっては、上部導電層２１
は、最終工程で形成することが可能となる。そこで、上
部導電層２１の無い半製品を形成した後に、インダクタ
Ｌ3 の長さを選定して、そのインダクタンス値を決定す
る。そしてこれに対応して、前記接地電極２６の内縁が
インダクタ形成領域Ｓ2 側へ所定量張り出しすように、
該上部導電層２１の形状を設定し、これにより、インダ
クタＬ3 を所定長さとする。
は、最終工程で形成することが可能となる。そこで、上
部導電層２１の無い半製品を形成した後に、インダクタ
Ｌ3 の長さを選定して、そのインダクタンス値を決定す
る。そしてこれに対応して、前記接地電極２６の内縁が
インダクタ形成領域Ｓ2 側へ所定量張り出しすように、
該上部導電層２１の形状を設定し、これにより、インダ
クタＬ3 を所定長さとする。
【００２３】尚、スパッタリングにより、接地電極２６
の内縁部を後付けで形成することにより、インダクタＬ
3 の長さを設定し、インダクタンス値を最適なものとす
るようにしても良い。
の内縁部を後付けで形成することにより、インダクタＬ
3 の長さを設定し、インダクタンス値を最適なものとす
るようにしても良い。
【００２４】さらに、インダクタＬ3 又は、これを規定
する接地電極２６のパターン形成は、露光装置等を用い
て、当該パターンを指定するか、又は、所定インダクタ
ンス値等を入力すると、自動的にパターンが選定される
ようにすることができる。而して最適なインダクタンス
値の並列共振用インダクタＬ3 が形成されて、所要の周
波数特性が実現されることとなる。
する接地電極２６のパターン形成は、露光装置等を用い
て、当該パターンを指定するか、又は、所定インダクタ
ンス値等を入力すると、自動的にパターンが選定される
ようにすることができる。而して最適なインダクタンス
値の並列共振用インダクタＬ3 が形成されて、所要の周
波数特性が実現されることとなる。
【００２５】
【発明の効果】本発明のＬＣバンドパスフィルタは、そ
の最上層に配設された上部導電層に、接地電極と、該接
地電極から延出する直線路によってなるインダクタＬ3
と、該インダクタＬ3 の端部から両側へ二つに分岐し
て、外側から中心に向けて巻回する二つのスパイラルイ
ンダクタＬ1 ，Ｌ2 とを配設したものであるから、イン
ダクタＬ3 の長さを調整することにより、反射損失が調
整可能となり、このため、良好な通過帯域幅を設定で
き、フィルタの特性を最適に設定することが可能となる
優れた効果がある。
の最上層に配設された上部導電層に、接地電極と、該接
地電極から延出する直線路によってなるインダクタＬ3
と、該インダクタＬ3 の端部から両側へ二つに分岐し
て、外側から中心に向けて巻回する二つのスパイラルイ
ンダクタＬ1 ，Ｌ2 とを配設したものであるから、イン
ダクタＬ3 の長さを調整することにより、反射損失が調
整可能となり、このため、良好な通過帯域幅を設定で
き、フィルタの特性を最適に設定することが可能となる
優れた効果がある。
【図１】本発明に係るＬＣバンドパスフィルタの分離斜
視図である。
視図である。
【図２】本発明に係るＬＣバンドパスフィルタのインダ
クタＬ3 のインダクタンス値が大きいときの構成と、そ
の周波数特性を示す対比図である。
クタＬ3 のインダクタンス値が大きいときの構成と、そ
の周波数特性を示す対比図である。
【図３】本発明に係るＬＣバンドパスフィルタのインダ
クタＬ3 のインダクタンス値を少し小さくしたときの構
成と、その周波数特性を示す対比図である。
クタＬ3 のインダクタンス値を少し小さくしたときの構
成と、その周波数特性を示す対比図である。
【図４】本発明に係るＬＣバンドパスフィルタのインダ
クタＬ3 のインダクタンス値が適当なときの構成と、そ
の周波数特性を示す対比図である。
クタＬ3 のインダクタンス値が適当なときの構成と、そ
の周波数特性を示す対比図である。
【図５】本発明に係るＬＣバンドパスフィルタのインダ
クタＬ3 のインダクタンス値が小さすぎるときの構成
と、その周波数特性を示す対比図である。
クタＬ3 のインダクタンス値が小さすぎるときの構成
と、その周波数特性を示す対比図である。
【図６】等価回路図である。
【図７】従来構成の周波数特性を示すグラフである。
【図８】他の従来構成の周波数特性を示すグラフであ
る。
る。
１ 絶縁基板 ２ 下部導電層 ３ａ，３ｂ 共通コンデンサ電極 １０ 誘電体薄膜層 １１ 中間導電層 １２ａ，１２ｂ 他側コンデンサ電極 １３ａ，１３ｂ 他側コンデンサ電極 ２０ 絶縁層 ２１ 上部導電層 ２２ａ，２２ｂ 入出力電極 ２４ 結合電極 ２６ 接地電極 Ｌ3 インダクタ Ｌ1 ，Ｌ2 スパイラルインダクタ Ｃ1 ，Ｃ2 入出力用コンデンサ Ｃ3 ，Ｃ4 共振用コンデンサ Ｓ1 コンデンサ形成領域 Ｓ2 インダクタ形成領域
Claims (3)
- 【請求項１】多層構造からなり、その最上層に配設され
た上部導電層に、接地電極と、該接地電極から延出する
直線路によってなるインダクタＬ3 と、該インダクタＬ
3 の端部から両側へ二つに分岐して、外側から中心に向
けて巻回する二つのスパイラルインダクタＬ1 ，Ｌ2 と
を配設したことを特徴とするＬＣバンドパスフィルタ。 - 【請求項２】多層構造からなり、その最上層に配設され
た上部導電層に、接地電極と、該接地電極から延出する
直線路によってなるインダクタＬ3 と、該インダクタＬ
3 の端部から両側へ二つに分岐して、外側から中心に向
けて巻回する二つのスパイラルインダクタＬ1 ，Ｌ2 と
を配設されたＬＣバンドパスフィルタにあって、前記イ
ンダクタＬ3 の長さを調整することにより反射特性を選
定するようにしたことを特徴とするＬＣバンドパスフィ
ルタの周波数特性調整方法。 - 【請求項３】絶縁基板１の表面に、下部導電層２を形成
して、この下部導電層２に二つの共通コンデンサ電極３
ａ，３ｂを並設し、該下部導電層２上に誘電体薄膜層１
０を形成し、さらに該誘電体薄膜層１０上に、中間導電
層１１を形成して、該中間導電層１１に共通コンデンサ
電極３ａと対向する部位に、入出力用コンデンサＣ1，
共振用コンデンサＣ3 の他側コンデンサ電極１２ａ，１
３ａを夫々設け、共通コンデンサ電極３ｂと対向する部
位に、入出力用コンデンサＣ2 ，共振用コンデンサＣ4
の他側コンデンサ電極１２ｂ，１３ｂを夫々設け、さら
に中間導電層１１上に絶縁層２０を設けて、該絶縁層２
０上に、上部導電層２１を形成し、 この上部導電層２１に、接地電極２６と、該接地電極２
６から延出する直線路によってなるインダクタＬ3 と、
該インダクタＬ3 の端部から両側へ二つに分岐して、外
側から中心に向けて巻回する二つのスパイラルインダク
タＬ1 ，Ｌ2 とを配設し、さらには、前記入出力用コン
デンサＣ1 ，Ｃ2 の他側コンデンサ電極１２ａ，１２ｂ
と夫々接続する入出力電極２２ａ，２２ｂを設けると共
に、スパイラルインダクタＬ1 ，Ｌ2 の中心を、下部導
電層２の共通コンデンサ電極３ａ，３ｂに夫々接続し、
さらに接地電極層２６を、中間導電層１１の他側コンデ
ンサ電極１３ａ，１３ｂに夫々接続したことを特徴とす
る請求項１記載のＬＣバンドパスフィルタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24864596A JPH1075144A (ja) | 1996-08-30 | 1996-08-30 | Ｌｃバンドパスフィルタ及びその周波数特性調整方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24864596A JPH1075144A (ja) | 1996-08-30 | 1996-08-30 | Ｌｃバンドパスフィルタ及びその周波数特性調整方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1075144A true JPH1075144A (ja) | 1998-03-17 |
Family
ID=17181207
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24864596A Pending JPH1075144A (ja) | 1996-08-30 | 1996-08-30 | Ｌｃバンドパスフィルタ及びその周波数特性調整方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1075144A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001011771A1 (fr) * | 1999-08-05 | 2001-02-15 | Nikko Company | Filtre lc et son procede de fabrication |
| JP2002217668A (ja) * | 2001-01-19 | 2002-08-02 | Murata Mfg Co Ltd | 積層型ｌｃフィルタ |
| JP2006287196A (ja) * | 2005-01-20 | 2006-10-19 | Avx Corp | 高ｑプレーナインダクタおよびｉｐｄ応用例 |
| KR100662584B1 (ko) * | 1998-08-06 | 2007-01-02 | 후지쯔 가부시끼가이샤 | 필터 특성 조절 장치 및 그 조절 방법 |
| US7321284B2 (en) | 2006-01-31 | 2008-01-22 | Tdk Corporation | Miniature thin-film bandpass filter |
-
1996
- 1996-08-30 JP JP24864596A patent/JPH1075144A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100662584B1 (ko) * | 1998-08-06 | 2007-01-02 | 후지쯔 가부시끼가이샤 | 필터 특성 조절 장치 및 그 조절 방법 |
| WO2001011771A1 (fr) * | 1999-08-05 | 2001-02-15 | Nikko Company | Filtre lc et son procede de fabrication |
| JP2002217668A (ja) * | 2001-01-19 | 2002-08-02 | Murata Mfg Co Ltd | 積層型ｌｃフィルタ |
| JP2006287196A (ja) * | 2005-01-20 | 2006-10-19 | Avx Corp | 高ｑプレーナインダクタおよびｉｐｄ応用例 |
| US7321284B2 (en) | 2006-01-31 | 2008-01-22 | Tdk Corporation | Miniature thin-film bandpass filter |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7667951B2 (en) | Electronic component | |
| JP2009525638A (ja) | 小型薄膜バンドパスフィルタ | |
| CN1317847A (zh) | 具有电容补偿电路的梳形线结构无线电滤波器 | |
| JP2001520470A (ja) | ポリマー層を有する表面実装ｌｃフィルタ | |
| JPH07193403A (ja) | 共振器 | |
| US7075776B1 (en) | Integrated broadband ceramic capacitor array | |
| KR20010113788A (ko) | 전자 디바이스 | |
| JP2006269653A (ja) | 積層型電子部品 | |
| US8018305B2 (en) | Electronic component | |
| JPH1075144A (ja) | Ｌｃバンドパスフィルタ及びその周波数特性調整方法 | |
| JP2006310895A (ja) | フィルター回路、バンドパス・フィルターおよびフィルター回路の製造方法 | |
| JPH1065476A (ja) | Ｌｃローパスフィルタ | |
| JP4501077B2 (ja) | 薄膜デバイス | |
| JP2863387B2 (ja) | 積層型誘電体フィルター | |
| JPH1075145A (ja) | Ｌｃバンドパスフィルタ | |
| JP2000049554A (ja) | ローパスフィルタおよび回路基板 | |
| JPH1075143A (ja) | Ｌｃバンドパスフィルタ | |
| JPH10290105A (ja) | 高周波用配線ボード | |
| JP2715350B2 (ja) | 誘電体フィルタ | |
| JPH10150337A (ja) | Ｌｃローパスフィルタの反射特性調整方法 | |
| JP3939176B2 (ja) | 積層型誘電体フィルタ | |
| JPH1051257A (ja) | Ｌｃローパスフィルタ | |
| JP3176859B2 (ja) | 誘電体フィルタ | |
| JP2780166B2 (ja) | ストリップラインフィルタの帯域幅調整方法 | |
| JPH0710913U (ja) | チップインダクタ |