JPH0710913U - チップインダクタ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 縦１．６ｍｍ×横０．８ｍｍの所謂１６０８
サイズと称される小型サイズであっても、各種電話機器
等の高周波回路において必要な高いインダクタンス値が
得られることを可能とする。 【構成】 絶縁基板２０上に、インダクタとしての薄膜
等のスパイラル導体パターン２１、２６が層間絶縁膜２
５を介し、かつそれぞれの中央接続部２２、２７におい
て接続されて二層構造とされると共に、各導体パターン
の帯状接続部２３、２８は電極端子３０、３１とそれぞ
れ接続され、これにより単位面積当りのインダクタンス
値を大きくすることができる。

Description

【考案の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】

本考案は、自動車電話器、携帯電話器、コードレス電話器、ポケットベル等の 通信機器やＢＳ、ＣＳ等の各種無線機器等の高周波回路に使用される小型のチッ プインダクタに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】

現今、各種高周波回路においては、小型化、高性能化が一般的な動向であり、 これらの回路に使用されるチップインダクタについても小型化の要求が強くなっ ている。ところで、従来の薄膜タイプのチップインダクタとしては、図７および 図８に示されているように、セラミック等の絶縁基板１上に、薄膜等の第一導体 パターン２（図７の斜線部分）がスパイラル形状に設けられて、その一端接続部 ３は電極端子４と接続され、更に該第一層導体パターン２上には層間絶縁膜５を 介し、かつその中央接続部６を第一層導体パターン２の略中央接続部７において 接続し、一端接続部８を電極端子９に接続して第二層導体パターン１０（図７の 梨地模様部分）が設けられ、更に両電極端子４、９間における第一層導体パター ン２の残余部分を含む第二層導体パターン１０上には表面保護膜１１が設けられ 、これにより特定のインダクタンス値が得られるようにした構造のものが一般 的である。

【０００３】

【考案が解決しようとする問題点】

従来のチップインダクタにおいては、第二層導体パターン１０は、コイルとし ての主な役割を担う第一層導体パターン２のスパイラル状中央接続部７を電極端 子９に接続させるための引き出し導体としての役割を有しているにすぎない。し たがって、かかる構造のインダクタでは、縦１．６ｍｍ×横０．８ｍｍの所謂１ ６０８サイズ程度の小型チップに対しては、通信機器等の高周波回路（周波数１ ００ＭＨｚ〜数ＧＨｚ帯）に必要なインダクタンス値（１ｎＨ〜数十ｎＨ）のう ち高い方のインダクタンス領域を得ることが難しいという問題点を有していた。

【０００４】 本考案は、このような従来の技術が有する問題点に鑑みなされたもので、その 目的とするところは、小型化が可能で、かつより高いインダクタンス値を得るこ とができるチップインダクタを提供することにある。

【０００５】

【問題点を解決するための手段】

この目的のため、本考案は、従来引き出し導体の役割を担っていた第二層導体 パターンを、第一層導体パターンと同様に同じ巻き方向のスパイラルパターンに した構成を要旨とするものである。即ち、本考案は、セラミック等の絶縁基板上 に、インダクタとしての薄膜等のスパイラル導体パターンが層間絶縁膜を介して 少なくとも二層構造とされ、これにて単位面積当りのインダクタンス値を大きく することができ、また、二層導体パターンのうちのいずれか一方の導体パターン を共通の引き出しパターンまたはスパイラルパターンとし、他のスパイラル導体 のみを変えることにより、種々のインダクタンス値を得ることができるようにし た構成を特徴とするものである。

【０００６】

【実施例】

実施例について図面を参照して説明すると、図１と図２は、本考案に係るチッ プインダクタの一例での平面的説明図とＡ−Ａ線に沿った断面図、図３は第一層 導体パターンの平面的説明図、図４、図５は第二層導体パターンの平面的説明図 、図６は第二層導体の引き出し導体パターンの平面的説明図で、これら図にお いて、第一層導体パターンは図を見やすくするために斜線で表され、第二層導体 パターンおよび引き出し導体パターンは梨地模様で表されている。なお、本実施 例は、縦１．６ｍｍ×横０．８ｍｍの所謂１６０８サイズのチップインダクタで あって、第一層および第二層導体パターンのパターン幅は３０μｍ、パターン間 隔も３０μｍ、導体膜厚は５μｍの設計で、導体材料としては銅薄膜が用いられ ている。そこで説明すると、セラミック等の絶縁基板２０上に、インダクタとし ての薄膜等の第一層導体パターン２１が薄膜等技術により設けられている。該第 一層導体パターン２１は、図３に例示されているように、中央接続部２２を有す るスパイラル形状であって、その終端は帯状接続部２３となっており、また、該 帯状接続部２３との対向側は帯状接続部２３と対称形の分離された帯状部２４と なっている。なお、該帯状部２４は導体パターンの製作時に残る部分であって、 不可欠の部分ではない。

【０００７】 第一層導体パターン２１上には、層間絶縁膜２５を介してインダクタとしての 薄膜等の第二層導体パターン２６が薄膜等技術により設けられている。第二層導 体パターン２６は図４、図５に例示されているように、中央接続部２７を有し、 かつ第一層導体パターン２１と同じ巻き方向のスパイラル形状とされ、その終端 は帯状接続部２８となっており、また、該帯状接続部２８との対向側は帯状接続 部２８と対称形の分離された帯状部２９となっている。なお、該帯状部２９は導 体パターンの製作時に残る部分であって、不可欠の部分ではない。

【０００８】 そして、第二層導体パターン２６は、その中央接続部２７が第一層導体パター ン２１の中央接続部２２と接続されると共に、パターン間の浮遊容量を極力小さ くするため、第一層導体パターン間に第二層導体パターンが来るようにして配置 され、第一層導体パターン２１の帯状接続部２３は、第二層導体パターン２６の 帯状部２９を介して一方の電極端子３０と接続され、また、第二層導体パターン ２６の帯状接続部２８は、第一層導体パターン２１の帯状部２４との挾着によっ て他方の電極端子３１と接続され、更に第二層導体パターン２６上には表面保護 膜３２が設けられている。

【０００９】 このように、スパイラル形状とした導体パターンを二層構造とすれば、Ｌ値を 大きくとることができ、かつＱ値や自己共振周波数等の特性も実用可能な範囲と なる。なお、導体パターンのスバイラルの巻数を多くすれば、Ｌ値を更に大きく することができる。因みに、図７および図８に示されている従来例（図３の第一 層導体パターンと図６の第二層引き出し導体パターンとの組合せ）では、インダ クタンス値は１０ｎＨ、Ｑ値は２５（１ＧＨｚ）、自己共振周波数は４ＧＨｚと なったが、図１および図２に示されている本考案に係るチップインダクタ（図３ の第一層導体パターンと図４の第二層導体パターンとの組合せ）では、インダク タンス値は３０ｎＨ、Ｑ値は２０（５００ＭＨｚ）、自己共振周波数は１．５Ｇ Ｈｚの特性が得られ、また、図３の第一層導体パターン２１と図５の第二層導体 パターン２６との組合せでは、インダクタンス値は２２ｎＨ、Ｑ値は２２（５０ ０ＭＨｚ）、自己共振周波数は２．５ＧＨｚの特性が得られた。

【００１０】 以上実施例は、スパイラル導体パターンを二層構造とした場合であるが、これ に限定されず、その層数は任意である。また、本考案に係るチップインダクタの 変形は可能であり、例えば、第一層導体２１を共通の引き出しパターンまたはス パイラルパターンとし、目的とするインダクタンスに合わせて第二層スパイラル 導体パターンのみを適宜に変えるようにすれば、種々のインダクタンス値を得る ことができると共に、パターン設計において、フォトマスクの統一化と費用の削 減および製造時の管理が容易となる。

【００１１】

【考案の効果】

しかして、本考案によれば、インダクタとしての薄膜等のスパイラル導体パタ ーンが二層以上の積層構造とされているから、縦１．６ｍｍ×横０．８ｍｍの所 謂１６０８サイズと称される小型サイズであっても、各種電話機器、無線機器等 の高周波回路において必要な高いインダクタンス値が得られ、しかも該チップイ ンダクタは、高精度が可能となる薄膜技術を用いて製造することができる。

【００１２】 また、二層導体パターンのうちいずれか一方の導体パターンを共通化し、他の 導体パターンのみを目的とするインダクタに合わせて変えれば、種々のインダク タンスに対応可能となるばかりか、製造時におけるフォトマスク等の統一化と費 用削減や管理の容易化を計ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本考案に係るチップインダクタの一例での平面
的説明図である。

【図２】同上Ａ−Ａ線に沿った断面図である。

【図３】第一層導体パターンの一例での平面的説明図で
ある。

【図４】第二層導体パターンの一例での平面的説明図で
ある。

【図５】第二層導体パターンの他例での平面的説明図で
ある。

【図６】第二層引き出し導体パターンの一例での平面的
説明図である。

【図７】従来例の平面的説明図である。

【図８】同上Ｂ−Ｂ線に沿った断面図である。

【符号の説明】

２０ 絶縁基板 ２１ 第一層導体パターン ２２ 中央接続部 ２３ 帯状接続部 ２５ 層間絶縁膜 ２６ 第二層導体パターン ２７ 中央接続部 ２８ 帯状接続部 ３０、３１ 電極端子 ３２ 表面保護膜

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)考案者 伊藤 美香 神奈川県秦野市室町２番44号 東和エレク トロン株式会社内 (72)考案者 小笠原 孝治 神奈川県秦野市室町２番44号 東和エレク トロン株式会社内 (72)考案者 山崎 巧 神奈川県秦野市室町２番44号 東和エレク トロン株式会社内

Claims (2)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】 セラミック等の絶縁基板上に薄膜等の導
   体パターンが設けられたチップインダクタにおいて、 前記導体パターンがスパイラル形状に形成され、かつ該
   スパイラル導体パターンが層間絶縁膜を介して少なくと
   も二層構造とされ、これにより単位面積当りのインダク
   タンス値を大きくすることを可能とした構成を特徴とす
   るチップインダクタ。
2. 【請求項２】 前記導体パターンのうちいずれか一方の
   導体パターンを共通の引き出しパターンまたはスパイラ
   ルパターンとし、他の一方のスパイラル導体パターンの
   みを適宜に変えることにより、種々のインダクタンス値
   を得ることを可能とした請求項１のチップインダクタ。