JPH03166809A - π型ＥＭＩフィルターネットワーク - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、２つのキ勺パシタンス分と１つのインダクタ
ンス分で構成されるＥＭＩフィルターを１組として、複
数個のＥＭＩフィルターを１素子内に内蔵するπ型ＥＭ
Ｉフィルターネットワークに関する． ［従来の技術及び発明が解決しようとする問題点］従来
、第２図に示す等価回路で示されるπ型ＥＭＩフィルタ
ーは、キャパシタンス分として貫通コンデンサを用い、
インダクタンス分としてフェライトビーズを用いて構成
されている．然し乍ら、このような従来のπ型ＥＭＩフ
ィルターは、以下のような問題があった．第１に、イン
ダクタンス分とキケパシタンス分を、個別のディスクリ
ート部品で構成するため、小型化することが出来ず、多
ピンタイブのフネクタ用としても用いることが困難であ
る．第２に、１つの信号ラインに対して２つのキケパシ
タンス素子と１つのインダクタンス素子を用いるため、
取付コストが高くなる．第３に、貫通コンデンサを用い
ているため、数ｎＦ以上の大きなキャバシタンス分の電
極の形成が困難である． 以上のような問題点を解決するため、多層貫通コンデン
サやそのアレイ、多層貫通孔タイプのフェライトビーズ
等が開発されているが、現在、完全に解決するに至って
いない． 本発明は、上記に述べたよう々問題点を解決するため、
多層貫通孔タイプのフェライトピーズ（第３図）の両面
に、ガラス接合層を用いて多層貫通コンデンサアレイ（
第４図）を接合した、π型ＥＭＩフィルターネットワー
ク（第１図）を提供することを目的とする． ［問題点を解決するための手段］ 本発明の要旨とするものは、２つのキャパシタンス分と
１つのインダクタンス分を１組として構成されるπ型Ｅ
ＭＩフィルターを少なくとも、２組有するπ型ＥＭＩフ
ィルターネットワークにおいて、マルチ貫通孔フェライ
トビーズ体の両面に、多層貫通コンデンサアレイを、ガ
ラスによる接合層で接合した構造を有するπ型ＥＭＩフ
ィルターネットワークである．そして、そのπ型ＥＭＩ
フィルターネットワークの貫通孔部の端子電極と、π型
フィルターネットワークを構成するマルチ貫通孔フェラ
イトビーズ体のフェライト部の間にガラス層を有するπ
型ＥＭＩフィルターネットソークが好適である． ［作用］ 本発明は、従来のπ型ＥＭＩフィルターネットワークの
構造とは異なる構造のπ型ＥＭＩフィルターネットワー
クを発明したものである．上記の目的を達成するため、
複数のキャバシタンス分を有し、内部に対向電極を有す
る誘電体層２つを個別に積層、焼成して、形成した多Ｍ
ｊ貫通コンデンサアレイ（第４図）と、キャパシタンス
分と同数の貫通孔を有するように、成形、焼成したマル
チ貫通孔タイブフェライトビーズ体（第３図）を、フェ
ライトビーズを内部層として、その両面を多層貫通コン
デンサアレイとなるように、ガラスの接合層を用いて、
接合したπ型ＥＭＩフィルターネットワーク（第１図）
を形成すること゜により、第２図の等価回路で表わせる
１つのインダクタンス分と２つのキャパシタンス分を１
組として構成されるπ型ＥＭＩフィルターを、少なくと
も２組同一素子内部に有するπ型ＥＭＩフィルターネッ
トワークを形成したものである．このような構造を有す
るπ型ＥＭＩフィルターネットワークは、従来技術の問
題点の説明で述べた３つの問題点に対して、 （１）インダクタンス分とキャバシタンス分を一体化す
ることにより、小型、薄型にできる上、多ピンタイプの
′：１ネクタにも用いることができる．（つインダクタ
ンス分とキャパシタンス分を一体化することにより、取
付が容易にになり、多ピンタイプのフネクタにも川いる
場合においても、全ピン同時に取付けることができるこ
とから、コネクタ全体としての低価格化が容易に実現で
きる．■多層貢通コンデンサを用いることにより、数十
ｎＦ程度までの高容量化が、ピンビッグ−２．５４一程
度のコネクタにおいても、実現できる等、容易に解決す
ることができる． 更に、フェライトを通しての、信号ラインとグランドの
間の絶縁性を高める必要がある場合にも、フェライトビ
ーズの外壁面部分及び貫通孔の内壁面部分にガラスによ
る高絶縁層を設けることが望ましい． 即ち、本発明のπ型ＥＭＩフィルターネットソークにお
いて、内部の対向電極を内ｉｔる誘電体層２つを、フェ
ライトビーズ体を挾んで、ガラス層の接合層を介して接
合した構造のものであり、このような構造にすることに
より、π型ＥＭＩフィルターネットワークの強度、特に
、＋ｌｈげ強度が、向上されたものである．更に、この
ような構造により、ハンドリング性にすぐれた電子部品
が提供された．また、更に、本発明のπ型ＥＭＩフィル
ターネットゾークの構造は、更に、製造工程の自動化に
適するものである． 本発明の多層貫通コンデンサアレイを形成する誘電体層
の材料は、チタン酸バリウム Ｂ　ａ　Ｔ　ｉ　Ｏ　ｓ、チタン酸鉛Ｐ　ｂ　Ｔ　ｉ　
Ｏ　ｓ、チタン酸ストロンチウムＳｒＴｉＯｓからなる
群より選択される少なくとも１つの誘電体化合物とを含
有する混合焼結体が好適である．このような誘電体セラ
ミックスの中で、誘電率の値やその周波数特性及び温度
特性等が作製しようとする多層貫通コンデンサの所望の
特性に合ったものを用い、内部電極としては、金Ａｕ，
銀Ａ．％銅Ｃｕ，白金Ｐｔ及びパラジウムＰｄからなる
群より選択される少なくとも１つの金属を主成分とする
厚膜導体ペーストを用いて形成されるものが好適である
．また、マルチ貫通孔フェライトビーズ体を構成する磁
性体材料としては、マンガンＭ　ｎ　，ニッケルＮｉ、
マグネシウｌｈＭｇ，コバルトＣｏ，ｇ４Ｃｕ１亜鉛Ｚ
ｎ及び鉄Ｆｅからなる群から選択される少なくとも１つ
の金ｆｉＭにより、一般式Ｍ　Ｆ　ｅ　＊　Ｏ　ｓの組
成式で示されるフェライトを主成分とする磁性体セラミ
ックスの中で、透磁率の値やその周波数特性及び温度特
性等が作製しようとずるフェライトビーズの所望の特性
に合うように、選択されることが望ましい． 更に、用いる誘電体材料と磁性体材料の組合わせ及びガ
ラス材料は、熱膨張率や耐薬品性等の製作工程上に必要
とされる特性を考慮して選択されることが望ましい．こ
の場合には、マルチ貫通孔フェライトピーズの両面に厚
膜印刷用ガラスペーストを印刷すると同時に、スルーホ
ール印刷を行なうことが好適である． 本発明のπ型ＥＭＩフィルターネットワークの本発明の
π型ＥＭＩフィルターネットワ次に、 一クを、 発明は、 い． ［実施例］ 材料的には、誘電体材料と ウムＢａｓｉｃ．、内部電極材料と 具体的な実施例により、説明するが、本その説叫により
限定されるものではな して、 して、 チタン酸パリ パラジウム Ｐｄを用い、印刷法により作製した多層貫通コンデンサ
アレイと、磁性体材料として、ニッケルジンクフェライ
ト（Ｎｉｓ　．　ｓＺｎ＊　．　ｙ　）Ｆｅｌｏａを用
い、作製したマルチ貫通孔フェライトピーズ体を用い、
厚膜印刷ガラスペーストを用いて、接合した例について
、以下説明するが、本発明は、以下に限定されるもので
はない． Ｂａｃｏｎ、Ｔ　ｉ　Ｏ　＊を出発原料として、これら
をモル比でＢａＣＯｓ：ＴｉＯ＊”１　：　１になるよ
うに混合し、１１５０℃程度で仮焼し、更に粉砕して、
ＢａＴｉＯｓ粉末を得、これに有機バインダーを添加し
て、誘電体ペーストを作成する．その後、Ｐｄペースト
を所望のキャバシタンス分が形成するように、上記の誘
電体ペーストとともに用い、第４図に示す構造に、印刷
積層し、１３００℃程度で２時間程度焼成して、第４図
の断面図及び平面図に示す構造の、即ち、上記の誘電体
ペーストとＰｄペーストとを所望内蔵対向電極パターン
に従って、交互に、積層していき、内部電極５を有する
誘電体層の多層貫通コンデンサアレイを第４図に示すよ
うに作成した．この際に、印刷時に、若しくは積層体形
成した後、焼成の前に所望の位置に、第３図の断面図及
び平面図に示すように、所望の位置に貫通孔７を設けて
おく． 一方、Ｎ　ｉ　Ｃ　Ｏ　ｓ、ＺｎＯ％　ＦｅｗＯｓを出
発原料として、これらをモル比にて、ＮｉＣＯ．：Ｚｎ
Ｏ　：　Ｆｅｇｏｓ−３　：　７　：　１　０になるよ
うに混合し、１０００℃程度で仮焼し、粉砕、造粒して
、有機バインダー、助剤とともに磁性体ペーストを作成
し、次に、第３図に示す構造に、成形し、１３００℃２
時間程度焼成して、第３図に示す構造のニッケルジンク
フェライト （Ｌ１ｓ．ｓＺｎ＊．ｙ）Ｆｅ＊Ｏａによるマルチ貫通
孔フェライトビーズ体６を形成する．この際に、所望の
インダクタンス分に形成されるように、厚を調整する． 次に、２つの多層貫通コンデンサアレイ２の各々の片面
及びマルチ貫通孔フェライトビーズ体６の両面に厚膜印
刷用ガラスペーストを印刷し、第１図の断面図に示すよ
うに、マルチ貫通孔フェライトビーズ体６を内部層とし
て、その両面が多層貫通コンデンサアレイ２となるよう
に、互いに積層し、加圧しながら５００〜９００℃程度
で加熱して、接合し、端子電極４を形成することにより
、第１図に示す構造の所望のπ型ＥＭＩフィルターネッ
トワークｌを作成した． 尚、貫通孔部７の電極とグランドの間において、高い絶
縁性が必要な場合には、フェライトピーズ体６の外壁面
及び貫通孔７の内壁面にもガラス層３を設けることが望
ましい．この場合には、マルチ貫通孔フェライトビーズ
体６０両面に厚膜印刷用ガラスペーストを印刷する際に
、同時に、同じガラスペーストを用いて、スルーホール
印刷を行なう方法を用いた． 即ち、この内部電極５と貫通孔７を有する誘電体層１に
対して、更に、誘電体層２０貫通孔７に対応する位置に
貫通孔７を形成した焼成済みのニッケルジンク７ｚライ
ト（ＮＬ　．　ｉＺｎｅ　．　ｔ　）Ｆ（！ｍＯａ薄板
（即ち磁性体焼成セラミックス）６を用意し、それらの
合い対する各々の表面に厚膜印刷用ガラスペーストを塗
布印刷し、互いに積層し、加圧しながら、５００〜９０
０℃程度に加熱し、両者を接合した後、貫通孔７の周り
に端子電極４を形成すると、第１図の断面図と平面図に
示す構造を有する、所望のπ型ＥＭＩフィルターネット
ワーク１が、作製された， 本発明に従って、フェライトビーズ体６をガラス接合Ｊ
ｉｌ３を介して、多層貫通孔コンデンサアレイ（２）２
個と接合したπ型ＥＭＩフィルターネットワークｌは、
更に、機械的強度が、従来のπ型ＥＭＩフィルターネッ
トワークと比較して、向上する．また、ハンドリング性
にすぐれたものであると言える．更に、耐ハンダ性も向
上し、ハンダ付けのときに、．素体にクラック等が発生
する危険も少なくなった． ［発明の効果］ 本発明のπ型ＥＭＩフィルターネットワークは、 第１に、従来必要としていたインダクタンス分とキャパ
シタンス分との個別の取り付けを必要としなくなくなる
ことから、コネクタ全体の価格を低くすることができる
こと、 第２に、従って、π型ＥＭＩフィルターネットワークの
製造方法がｔＩＩＩｓになり、自動化が容易になり、小
型のものを安価に製造できる構造の多層貫通コンデンサ
が提供されたこと、 第３に、π型ＥＭＩフィルターネットワークの製造工程
内で特別の注意を払わなくても外形寸法のバラツキが小
さく、管理が容易な製造工程が可能なπ型ＥＭＩフィル
ターネットワーク構造を提供すること、 などの技術的な効果が得られた． ４．図面のＩｌｌ　７ｌｔな説明 第１図は、本発明により製造されたπ型ＥＭＩフィルタ
ーネットワーク全体を示す平面図及び断面図である． 第２図は、本発明のπ型ＥＭＩフィルターネットワーク
の等価回路を示す． 第３図は、本発明のπ型ＥＭＩフィルターネットワーク
に用いるマルチ貫通孔フェライトピーズ体を示す平面図
及び断面図である． 第４図は、本発明のπ型ＥＭＩフィルターネットワーク
に用いる多層貫通コンデンサアレイを示す平面図及び断
面図である． ［主要部分の符号の説明］ １　．．．．．．．．多層貫通孔コンデンサアレイ２　
．．．．．．．．磁性体 ３　．．．．．．．．ガラス層 ４　．．．．．．．．端子電極 ５　．．．．．．．．内部電極 ６　．．．．．．．．フェライトビーズ体７　．．．．
．．．．貫通孔 ８　．．．．．．．．誘電体

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）２つのキャパシタンス分の多層貫通コンデンサア
   レイと１つのインダクタンス分のマルチ貫通孔フェライ
   トビーズ体を１組として構成されるπ型ＥＭＩフィルタ
   ーを少なくとも２組有するπ型ＥＭＩフィルターネット
   ワークにおいて、 マルチ貫通孔フェライトビーズ体の両面に、多層貫通コ
   ンデンサアレイを、ガラスによる接合層で接合した構造
   を有することを特徴とするπ型ＥＭＩフィルターネット
   ワーク。
2. （２）前記π型ＥＭＩフィルターネットワークの貫通孔
   部の端子電極と、π型フィルターネットワークを構成す
   るマルチ貫通孔フェライトビーズ体のフェライト部の間
   にもガラス接合層を有する請求項１に記載のπ型ＥＭＩ
   フィルターネットワーク。