JPH03166808A - Ｅｍｉフィルターネットワーク - Google Patents
ＥｍｉフィルターネットワークInfo
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- JPH03166808A JPH03166808A JP1304894A JP30489489A JPH03166808A JP H03166808 A JPH03166808 A JP H03166808A JP 1304894 A JP1304894 A JP 1304894A JP 30489489 A JP30489489 A JP 30489489A JP H03166808 A JPH03166808 A JP H03166808A
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- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 claims description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 6
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 6
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 claims description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 4
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 4
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 4
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 3
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- NKZSPGSOXYXWQA-UHFFFAOYSA-N dioxido(oxo)titanium;lead(2+) Chemical compound [Pb+2].[O-][Ti]([O-])=O NKZSPGSOXYXWQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 3
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 3
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 2
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 abstract description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 5
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 5
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 238000003491 array Methods 0.000 description 2
- AYJRCSIUFZENHW-UHFFFAOYSA-L barium carbonate Chemical compound [Ba+2].[O-]C([O-])=O AYJRCSIUFZENHW-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 2
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 1
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Filters And Equalizers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、１つのインダクタンス分と１つのキャパシタ
ンス分とを１組として構成されるＥＭＩフィルターを同
一素子内に複数個有するＥＭＩフィルターネットワーク
に関する． ［従来の技術及び発明が解決しようとする問題点］従来
の信号ライン等に使用されているＥＭＩフィルターは、
コンデンサ或いはインダクタの個別素子を組み合わせた
もの或いは、キャパシタンス分として貫通型コンデンサ
を、インダクタンス分としてフェライトビーズを、各々
個別若しくは、両者を併用して用いることにより構成さ
れていた．然し乍ら、このようなＥＭＩフィルターには
、次の問題があった．即ち、第１に、インダクタンス分
とキャパシタンス分を個別に形成するため、小型化する
ことが困難であること、第２に、１つの信号ラインに対
して、各々１つずつのインダクタンス素子とキャパシタ
ンス素子を取り付ける必要があるため、複数の信号ライ
ンを有するフネクタ等において、取り付けコストが高く
なること、第３に、大きなインダクタンス分又は大きな
キ勺パシタンス分を得ようとすると、厚み方向や長さ方
向を大きくする必要があり、小型、薄型に形成すること
ができないことがあった．以上の問題を解決するため、
貫通コンデンサアレイやフェライトビーズアレイが考え
られているが、このようなものでも、上記の問題点を完
全に解決するには至っていない． 本発明は、上記に述べたような問題点を解決するため、
複数のインダクタンス分を有する磁性体セラミックス層
と、インダクタンス分と同数のキャパシタンス分を有す
る誘電体セラミックス層とを、接合層を介して、接合し
た構造を有するＥＭｌフィルターネット７−クを提供す
ることを目的とする． ［問題点を解決するための手段］ 本発明の要旨とするものは、内部に対向電極を有する誘
電体層と、内部に巻き線（フイル）状の電極を有する磁
性体層とを、個別に積層、焼成し、ガラス、厚膜印刷用
導体ペースト、ハンダの少なくとも１つを用いて、接合
した構造を有し、１つのインダクタンス成分と、１つの
キャパシタンス成分とを１組として構成されるＥＭＩフ
ィルターを、少なくとも２組を同一素子内に有するＥＭ
Ｉフィルターネットワークである．そのＥＭＩフィルタ
ーネットワークは、厚が１ｍ以下であり、多ピンコネク
タ用として、用いる場合において、１つのインダクタン
ス成分と１つのキャパシタンス成分で構成されている１
組のＥＭＩフィルターを，２．５４ｍ以下のピッチで内
蔵してあるものが好適である．また、その磁性体層は、
マンガン、ニッケル、マグネシウム、コバルト、銅、亜
鉛及び鉄からなる群より選択される少なくとも１つの金
属元素Ｍを有する一般式Ｍ Ｆ ｅ １０ ｍの組成式
で示されるフェライトからなり、前記誘電体層は、チタ
ン酸バリウムＢ ａ Ｔ ｔ Ｏ ｓｓチタン酸鉛Ｐ
ｂ Ｔ １ ０ ３、チタン酸ストロンチウムＳｒＴｉ
Ｏ ｓからなる群より選択される少なくとも１つの誘
電体化合物からなるものが好適である．［作用］ 本発明は、従来のＥＭＩフィルターネットワークの構造
とは異なる構造のＥＭＩフィルターネットワークを発明
したものである．即ち、多数の組のＥＭＩフィルターを
同一の素子内に、収納されてい、＊＊−な構造にできる
ＥＭＩフィルターネットワークを提供する． 本発明は、上記の目的を達成するために、複数のキャパ
シタンス分を有するように、内部に対向電極を有する誘
電体層（第１図）と、キャパシタンス分と同数のインダ
クタンス分を有するように、内部に巻き線状に電極を形
成した磁性体層（第２図）とを、個別に積層形成した後
に、焼成し、ガラス、厚膜印刷用導体ペースト、ハンダ
の少なくとも１つを用いて、接合した構造のＥＭＩフィ
ルターネットワーク（第３図）を形成することにより、
１つのインダクタンス分と１つのキャパシタンス分とを
１組として、構成されるＥＭＩフィルターを、少なくと
も２組同一素子内に有するＥＭＩフィルターネットワー
クを形成したものである． このような構造を有するＥＭＩフィルターネットワーク
は、従来の貫通コンデンサとフェライトビーズとの組合
わせでは不可能であった．各々キ勺パシタンス分の数ｎ
Ｆ以上及びインダクタンス分の数μＨ以上の高キャパシ
タンス及び高インダクタンスのＥＭＩフィルターが、厚
みＩＩＩｎ以下で実現することによりでき、従来、対応
できなかったビンピッチ１．２７１１１などのピッチ間
隔の小さいコネクタに対応できるようになった．材料的
には、磁性体層を構成する磁性体材料としては、マンガ
ンＭ ｎ ，ニッケルＮ１、マグネシウムＭｇ，コバル
トＧｏ，銅Ｃｕ，亜鉛Ｚｎ及び鉄Ｆｅからなる群より選
択される少なくとも１つの金属元素Ｍを有する一般式Ｍ
Ｆｅ．Ｏ．の組成式で示されるフェライトを主成分とす
る磁性体セラミックスの中で、透磁率の値やその周波数
特性及び温度特性が作製しようとするＥＭＩフィルター
のフィルター特性に合ったものを選択することが望まし
い． また、誘電体層を形成する誘電体材料としては、チタン
酸バリウムＢａＴｉＯ３、チタン酸鉛Ｐ ｂ Ｔ ｉ
Ｏ ３、チタン酸ストロンチウムＳｒＴｉＯｓ及び酸化
チタンＴ ｉ Ｏ ＊からなる群より選択される少なく
とも１つの誘電体化合物を主成分とする誘電体セラミッ
クスの中で、誘電率の値やその周波数特性及び温度特性
等が作製しようとするＥＭＩフィルターのフィルター特
性に合ったものを用いることが望ましい。更に、内部電
極は、金Ａｕ，白金ｐｔ，銀Ａｇ，銅Ｃｕ及びパラジウ
ムＰｄからなる群から選択される少なくとも１つの金属
を主成分とする厚膜導体ペーストの中で、誘電体や磁性
体セラミックスの焼結温度を考慮して、選択されること
が望ましい．本発明のＥＭＩフィルターネットワークに
おいて、キャパシタンス素子は、誘電体積層した内部に
内部電極を有する誘電体層により形成され、インダクタ
ンス素子は、磁性体積層した内部に巻き線状の内部電極
を有するものに形成される．このような構造の層のイン
ダクタンス素子及びキャパシタンス素子を一体化したＥ
ＭＩフィルターネットワークである． 従って、本発明のＥＭＩフィルターネットワークの構造
は、更に、製造工程の自動化に適するものである． 次に、本発明のＥＭＩフィルターネットワークを、具体
的な実施例により、説明するが、本発明は、その説明に
より限定されるものではない．［実施例］ 本発明のＥＭＩフィルターネットゾークの製造の１例と
して、材料的には、磁性材料として、Ｎｉ−Ｚｎ７ｚラ
イトビーズ（Ｎ ｉ ＊．ｓ− Ｚ ｎ Ｉ．？）Ｆｅ
＠０．、誘゛電体材料としてチタン酸バリウムＢａ７１
０ｇ、内部電極材料としてパラジウムＰｄを用い、印刷
法により作製した例について、以下に示すが、本発明は
、以下に限定されるものではない． ＮｉＣＯ．、ＺｎＯ、Ｆｅ＊Ｏｓを出発原料として、こ
れらをモル比でＮｉＯ：ＺｎＯ：ＦｅｍＯｓ＝３：７：
１０になるように混合し、１０００℃程度で仮焼し、更
に粉砕して （Ｎ ｉ ＊．ｓ− Ｚ ｎ ｅ．ｙ）Ｆ ｅ ＊Ｏａ
粉末を得、これに有機バインダーを添加して磁性体ペー
ストを作製する．その後、Ｐｄペーストを用いて、所望
のインダクタンス分になるように、フイル状に内部電極
ｊこ ８を磁性体ペーストと共の積層し、第２図の平面図及び
断面図に示す構造の磁性体グリーンシ一トを形成する．
この磁性体グリーンシ一トを１２５０℃程度に４時間程
度焼成して、磁性体層２を第２図のように作成する．即
ち、第２図の最上図は、磁性体Ｍ２の平面図であり、次
のまん中の図は、磁性体層２の中間で積層されたものを
切った断面図であり、導体ペーストでコイル状に形成し
た部分、即ち、磁性体内の内部電極８を示すものである
．第２図はそれらのＡ−Ａ ’線に沿う断面を示す断面
図である． 一方、ＢａＣＯ３、Ｔ ｉ Ｏ ＊を出発原料として、
これらをモル比でＢ ａ Ｃ Ｏ ｓ’Ｔ ｉ Ｏ ＊
＝ １ ’ １になるように混合し、１１５０℃程度で
仮焼し、更に粉砕してＢａＴｉＯ，粉．末を得、これに
有機バングーを添加して、誘電体ペーストを作製する．
次に、Ｐｄペーストと上記の誘電体ペーストを用いて、
所望のキャパシタンス分が形成するように、印刷積層し
、第１図の平面図と断面図で示される構造のグリーンシ
一トを形成し、乾燥し、１３００℃程度で２時間程度焼
成して、第１図に示すような誘電体層１を作製する． この際に、磁性体層２及び誘電体層１には、各々ビアホ
ール を形成し、インダクタンス分及びキャパシタン
ス分の端子が必要に応じて、各々の層の表面に端子電極
４及び６が形成されるようにする．このようにして得ら
れた磁性体層２及び誘電体層１の各々の電極４及び６の
形成部以外の部分に、ガラスペーストを印刷し、互いに
積層し、加圧しながら、５００〜９００℃程度に加熱し
て、両者を接合した後、印刷法又．はデイップ法等によ
り、端子電極１０を形成して、第１図の平面図及び断面
図に示される構造で、所望のＥＭＩフィルターネットワ
ークを作製することができた． ここで得られた磁性体層２及び誘電体層１の外形寸法、
ピンピッチ及びインダクタンス分、キヤバシタンス分等
の１例を以下の第１表に示す．第１表 ６５ ２． ５４１１１ ０．
４ｍｍ １ｎＦ３０００
２． ５４ｆｆｌｌＩ Ｏ． ３１ｍ
１０ｎＦ３０００ ２．５４閣
０．４ｍ ４７ｎＦ３０００
１．２７１ｍｌ Ｏ．４１１
１０ｎＦ磁性体透磁率 ビンピッチ 磁性体層厚
キャパシタンス１０００ ２、５４１１１
０．３ｓ ＩμＨ１０００ ２．
５４ｍｍ Ｏ、４ｍ ｔｏμｔｉ１２００
１．２７ｍｌ Ｏ．４１１１１
ｔｏμＨこのように、数ｎＦ程度の高キ勺バシタンス
の誘電体層や数μＨ程度の高インダクタンスの磁性体層
が、０．４園以下の厚で形成することができ、接合層に
数十μｍ程度必要であるにも拘わらず、全体で１ｍ以下
程度と、従来の貫通コンデンサとフェライトビーズを用
いたＥＭＩフィルターよりも薄型で、高インダクタンス
で高キャパシタンスを有するＥＭＩフィルターが、しか
もネットワークの状態で作成することができる．［発明
の効果］ 本発明のＥＭＩフィルターネットワークは、第１に、薄
型で、高インダクタンス、高キシバシタンスを有するＥ
ＭＩフィルターが、しかもネットワークの状態で形成す
ることができること、 第２に、一体化したものを製造できること、第３に、こ
のようなフィルターネットワークは、従来必要としてい
たインダクタンス分とキャパシタンス分との個別の取付
を必要としていなくなることから、コネクタ全体を低価
格化できること、 第４に、従来のフィルターに比較して、製造方法がｍ＋
単になり、製造工程の自動化が容易になり、小型のもの
を安価に製造できる構造のＥＭＩフィルタネットワーク
が提供されたこと、第５に、従って、ＥＭＩフィルター
の製造工程内で特別の注意を払わなくても外形寸法のバ
ラツキが小さく、管理が容易な製造工程が可佳なＥＭ■
フィルター構造を提供すること、 などの技術的な効果が得られた．
ンス分とを１組として構成されるＥＭＩフィルターを同
一素子内に複数個有するＥＭＩフィルターネットワーク
に関する． ［従来の技術及び発明が解決しようとする問題点］従来
の信号ライン等に使用されているＥＭＩフィルターは、
コンデンサ或いはインダクタの個別素子を組み合わせた
もの或いは、キャパシタンス分として貫通型コンデンサ
を、インダクタンス分としてフェライトビーズを、各々
個別若しくは、両者を併用して用いることにより構成さ
れていた．然し乍ら、このようなＥＭＩフィルターには
、次の問題があった．即ち、第１に、インダクタンス分
とキャパシタンス分を個別に形成するため、小型化する
ことが困難であること、第２に、１つの信号ラインに対
して、各々１つずつのインダクタンス素子とキャパシタ
ンス素子を取り付ける必要があるため、複数の信号ライ
ンを有するフネクタ等において、取り付けコストが高く
なること、第３に、大きなインダクタンス分又は大きな
キ勺パシタンス分を得ようとすると、厚み方向や長さ方
向を大きくする必要があり、小型、薄型に形成すること
ができないことがあった．以上の問題を解決するため、
貫通コンデンサアレイやフェライトビーズアレイが考え
られているが、このようなものでも、上記の問題点を完
全に解決するには至っていない． 本発明は、上記に述べたような問題点を解決するため、
複数のインダクタンス分を有する磁性体セラミックス層
と、インダクタンス分と同数のキャパシタンス分を有す
る誘電体セラミックス層とを、接合層を介して、接合し
た構造を有するＥＭｌフィルターネット７−クを提供す
ることを目的とする． ［問題点を解決するための手段］ 本発明の要旨とするものは、内部に対向電極を有する誘
電体層と、内部に巻き線（フイル）状の電極を有する磁
性体層とを、個別に積層、焼成し、ガラス、厚膜印刷用
導体ペースト、ハンダの少なくとも１つを用いて、接合
した構造を有し、１つのインダクタンス成分と、１つの
キャパシタンス成分とを１組として構成されるＥＭＩフ
ィルターを、少なくとも２組を同一素子内に有するＥＭ
Ｉフィルターネットワークである．そのＥＭＩフィルタ
ーネットワークは、厚が１ｍ以下であり、多ピンコネク
タ用として、用いる場合において、１つのインダクタン
ス成分と１つのキャパシタンス成分で構成されている１
組のＥＭＩフィルターを，２．５４ｍ以下のピッチで内
蔵してあるものが好適である．また、その磁性体層は、
マンガン、ニッケル、マグネシウム、コバルト、銅、亜
鉛及び鉄からなる群より選択される少なくとも１つの金
属元素Ｍを有する一般式Ｍ Ｆ ｅ １０ ｍの組成式
で示されるフェライトからなり、前記誘電体層は、チタ
ン酸バリウムＢ ａ Ｔ ｔ Ｏ ｓｓチタン酸鉛Ｐ
ｂ Ｔ １ ０ ３、チタン酸ストロンチウムＳｒＴｉ
Ｏ ｓからなる群より選択される少なくとも１つの誘
電体化合物からなるものが好適である．［作用］ 本発明は、従来のＥＭＩフィルターネットワークの構造
とは異なる構造のＥＭＩフィルターネットワークを発明
したものである．即ち、多数の組のＥＭＩフィルターを
同一の素子内に、収納されてい、＊＊−な構造にできる
ＥＭＩフィルターネットワークを提供する． 本発明は、上記の目的を達成するために、複数のキャパ
シタンス分を有するように、内部に対向電極を有する誘
電体層（第１図）と、キャパシタンス分と同数のインダ
クタンス分を有するように、内部に巻き線状に電極を形
成した磁性体層（第２図）とを、個別に積層形成した後
に、焼成し、ガラス、厚膜印刷用導体ペースト、ハンダ
の少なくとも１つを用いて、接合した構造のＥＭＩフィ
ルターネットワーク（第３図）を形成することにより、
１つのインダクタンス分と１つのキャパシタンス分とを
１組として、構成されるＥＭＩフィルターを、少なくと
も２組同一素子内に有するＥＭＩフィルターネットワー
クを形成したものである． このような構造を有するＥＭＩフィルターネットワーク
は、従来の貫通コンデンサとフェライトビーズとの組合
わせでは不可能であった．各々キ勺パシタンス分の数ｎ
Ｆ以上及びインダクタンス分の数μＨ以上の高キャパシ
タンス及び高インダクタンスのＥＭＩフィルターが、厚
みＩＩＩｎ以下で実現することによりでき、従来、対応
できなかったビンピッチ１．２７１１１などのピッチ間
隔の小さいコネクタに対応できるようになった．材料的
には、磁性体層を構成する磁性体材料としては、マンガ
ンＭ ｎ ，ニッケルＮ１、マグネシウムＭｇ，コバル
トＧｏ，銅Ｃｕ，亜鉛Ｚｎ及び鉄Ｆｅからなる群より選
択される少なくとも１つの金属元素Ｍを有する一般式Ｍ
Ｆｅ．Ｏ．の組成式で示されるフェライトを主成分とす
る磁性体セラミックスの中で、透磁率の値やその周波数
特性及び温度特性が作製しようとするＥＭＩフィルター
のフィルター特性に合ったものを選択することが望まし
い． また、誘電体層を形成する誘電体材料としては、チタン
酸バリウムＢａＴｉＯ３、チタン酸鉛Ｐ ｂ Ｔ ｉ
Ｏ ３、チタン酸ストロンチウムＳｒＴｉＯｓ及び酸化
チタンＴ ｉ Ｏ ＊からなる群より選択される少なく
とも１つの誘電体化合物を主成分とする誘電体セラミッ
クスの中で、誘電率の値やその周波数特性及び温度特性
等が作製しようとするＥＭＩフィルターのフィルター特
性に合ったものを用いることが望ましい。更に、内部電
極は、金Ａｕ，白金ｐｔ，銀Ａｇ，銅Ｃｕ及びパラジウ
ムＰｄからなる群から選択される少なくとも１つの金属
を主成分とする厚膜導体ペーストの中で、誘電体や磁性
体セラミックスの焼結温度を考慮して、選択されること
が望ましい．本発明のＥＭＩフィルターネットワークに
おいて、キャパシタンス素子は、誘電体積層した内部に
内部電極を有する誘電体層により形成され、インダクタ
ンス素子は、磁性体積層した内部に巻き線状の内部電極
を有するものに形成される．このような構造の層のイン
ダクタンス素子及びキャパシタンス素子を一体化したＥ
ＭＩフィルターネットワークである． 従って、本発明のＥＭＩフィルターネットワークの構造
は、更に、製造工程の自動化に適するものである． 次に、本発明のＥＭＩフィルターネットワークを、具体
的な実施例により、説明するが、本発明は、その説明に
より限定されるものではない．［実施例］ 本発明のＥＭＩフィルターネットゾークの製造の１例と
して、材料的には、磁性材料として、Ｎｉ−Ｚｎ７ｚラ
イトビーズ（Ｎ ｉ ＊．ｓ− Ｚ ｎ Ｉ．？）Ｆｅ
＠０．、誘゛電体材料としてチタン酸バリウムＢａ７１
０ｇ、内部電極材料としてパラジウムＰｄを用い、印刷
法により作製した例について、以下に示すが、本発明は
、以下に限定されるものではない． ＮｉＣＯ．、ＺｎＯ、Ｆｅ＊Ｏｓを出発原料として、こ
れらをモル比でＮｉＯ：ＺｎＯ：ＦｅｍＯｓ＝３：７：
１０になるように混合し、１０００℃程度で仮焼し、更
に粉砕して （Ｎ ｉ ＊．ｓ− Ｚ ｎ ｅ．ｙ）Ｆ ｅ ＊Ｏａ
粉末を得、これに有機バインダーを添加して磁性体ペー
ストを作製する．その後、Ｐｄペーストを用いて、所望
のインダクタンス分になるように、フイル状に内部電極
ｊこ ８を磁性体ペーストと共の積層し、第２図の平面図及び
断面図に示す構造の磁性体グリーンシ一トを形成する．
この磁性体グリーンシ一トを１２５０℃程度に４時間程
度焼成して、磁性体層２を第２図のように作成する．即
ち、第２図の最上図は、磁性体Ｍ２の平面図であり、次
のまん中の図は、磁性体層２の中間で積層されたものを
切った断面図であり、導体ペーストでコイル状に形成し
た部分、即ち、磁性体内の内部電極８を示すものである
．第２図はそれらのＡ−Ａ ’線に沿う断面を示す断面
図である． 一方、ＢａＣＯ３、Ｔ ｉ Ｏ ＊を出発原料として、
これらをモル比でＢ ａ Ｃ Ｏ ｓ’Ｔ ｉ Ｏ ＊
＝ １ ’ １になるように混合し、１１５０℃程度で
仮焼し、更に粉砕してＢａＴｉＯ，粉．末を得、これに
有機バングーを添加して、誘電体ペーストを作製する．
次に、Ｐｄペーストと上記の誘電体ペーストを用いて、
所望のキャパシタンス分が形成するように、印刷積層し
、第１図の平面図と断面図で示される構造のグリーンシ
一トを形成し、乾燥し、１３００℃程度で２時間程度焼
成して、第１図に示すような誘電体層１を作製する． この際に、磁性体層２及び誘電体層１には、各々ビアホ
ール を形成し、インダクタンス分及びキャパシタン
ス分の端子が必要に応じて、各々の層の表面に端子電極
４及び６が形成されるようにする．このようにして得ら
れた磁性体層２及び誘電体層１の各々の電極４及び６の
形成部以外の部分に、ガラスペーストを印刷し、互いに
積層し、加圧しながら、５００〜９００℃程度に加熱し
て、両者を接合した後、印刷法又．はデイップ法等によ
り、端子電極１０を形成して、第１図の平面図及び断面
図に示される構造で、所望のＥＭＩフィルターネットワ
ークを作製することができた． ここで得られた磁性体層２及び誘電体層１の外形寸法、
ピンピッチ及びインダクタンス分、キヤバシタンス分等
の１例を以下の第１表に示す．第１表 ６５ ２． ５４１１１ ０．
４ｍｍ １ｎＦ３０００
２． ５４ｆｆｌｌＩ Ｏ． ３１ｍ
１０ｎＦ３０００ ２．５４閣
０．４ｍ ４７ｎＦ３０００
１．２７１ｍｌ Ｏ．４１１
１０ｎＦ磁性体透磁率 ビンピッチ 磁性体層厚
キャパシタンス１０００ ２、５４１１１
０．３ｓ ＩμＨ１０００ ２．
５４ｍｍ Ｏ、４ｍ ｔｏμｔｉ１２００
１．２７ｍｌ Ｏ．４１１１１
ｔｏμＨこのように、数ｎＦ程度の高キ勺バシタンス
の誘電体層や数μＨ程度の高インダクタンスの磁性体層
が、０．４園以下の厚で形成することができ、接合層に
数十μｍ程度必要であるにも拘わらず、全体で１ｍ以下
程度と、従来の貫通コンデンサとフェライトビーズを用
いたＥＭＩフィルターよりも薄型で、高インダクタンス
で高キャパシタンスを有するＥＭＩフィルターが、しか
もネットワークの状態で作成することができる．［発明
の効果］ 本発明のＥＭＩフィルターネットワークは、第１に、薄
型で、高インダクタンス、高キシバシタンスを有するＥ
ＭＩフィルターが、しかもネットワークの状態で形成す
ることができること、 第２に、一体化したものを製造できること、第３に、こ
のようなフィルターネットワークは、従来必要としてい
たインダクタンス分とキャパシタンス分との個別の取付
を必要としていなくなることから、コネクタ全体を低価
格化できること、 第４に、従来のフィルターに比較して、製造方法がｍ＋
単になり、製造工程の自動化が容易になり、小型のもの
を安価に製造できる構造のＥＭＩフィルタネットワーク
が提供されたこと、第５に、従って、ＥＭＩフィルター
の製造工程内で特別の注意を払わなくても外形寸法のバ
ラツキが小さく、管理が容易な製造工程が可佳なＥＭ■
フィルター構造を提供すること、 などの技術的な効果が得られた．
第１図は、本発明のＥＭＩフィルターネットワークの組
立てに使用する誘電体層を示す平面図及び断面図である
． 第２図は、本発明のＥＭＩフィルターネットワークの組
立てに使用する磁性体層を示す平面図及び断面図である
． 第３図は、本発明のフィルターネットワークの組立てら
れた様子を示１平面図及び断面図である． ［主要部分の符号の説明］
立てに使用する誘電体層を示す平面図及び断面図である
． 第２図は、本発明のＥＭＩフィルターネットワークの組
立てに使用する磁性体層を示す平面図及び断面図である
． 第３図は、本発明のフィルターネットワークの組立てら
れた様子を示１平面図及び断面図である． ［主要部分の符号の説明］
Claims (3)
- （１）内部に対向電極を有する誘電体層と、内部に巻き
線状の電極を有する磁性体層とを、個別に積層、焼成し
、ガラス、厚膜印刷用導体ペースト、ハンダの少なくと
も１つを用いた接合層でもって、接合した構造を有し、
１つのインダクタンス成分と、１つのキャパシタンス成
分とを１組として構成されるＥＭＩフィルターを、少な
くとも２組を同一素子内に有することを特徴とするＥＭ
Ｉフィルターネットワーク。 - （２）前記ＥＭＩフィルタ−ネットワークは、厚が１ｍ
ｍ以下であり、多ピンコネクタ用として、用いる場合に
おいて、１つのインダクタンス成分と１つのキャパシタ
ンス成分で構成されている１組のＥＭＩフィルターを、
２．５４ｍｍ以下のピッチで内蔵してあることを特徴と
する請求項１に記載のＥＭＩフィルタ−ネットワーク。 - （３）前記磁性体層は、マンガン、ニッケル、マグネシ
ウム、コバルト、銅、亜鉛及び鉄からなる群より選択さ
れる少なくとも１つの金属元素Ｍを有する一般式ＭＦｅ
＿２Ｏ＿４組成式で示されるフェライトからなり、前記
誘電体層は、チタン酸バリウムＢａＴｉＯ＿３、チタン
酸鉛 ＰｂＴｉＯ＿３、チタン酸ストロンチウム ＳｒＴｉＯ＿２からなる群より選択される少なくとも１
つの誘電体化合物からなることを特徴とする請求項１に
記載のＥＭＩフィルタ−ネットワーク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1304894A JPH03166808A (ja) | 1989-11-27 | 1989-11-27 | Ｅｍｉフィルターネットワーク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1304894A JPH03166808A (ja) | 1989-11-27 | 1989-11-27 | Ｅｍｉフィルターネットワーク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03166808A true JPH03166808A (ja) | 1991-07-18 |
Family
ID=17938566
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1304894A Pending JPH03166808A (ja) | 1989-11-27 | 1989-11-27 | Ｅｍｉフィルターネットワーク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03166808A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05144670A (ja) * | 1991-11-18 | 1993-06-11 | Murata Mfg Co Ltd | 貫通コンデンサ |
| JPH0626221U (ja) * | 1992-05-08 | 1994-04-08 | 株式会社村田製作所 | 積層型コイル |
| JP2015185718A (ja) * | 2014-03-25 | 2015-10-22 | Tdk株式会社 | チップ電子部品及びその製造方法 |
| WO2022168802A1 (ja) * | 2021-02-05 | 2022-08-11 | 株式会社村田製作所 | 電子部品、電子部品の製造方法、フィルタモジュール及び電子機器 |
-
1989
- 1989-11-27 JP JP1304894A patent/JPH03166808A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05144670A (ja) * | 1991-11-18 | 1993-06-11 | Murata Mfg Co Ltd | 貫通コンデンサ |
| JPH0626221U (ja) * | 1992-05-08 | 1994-04-08 | 株式会社村田製作所 | 積層型コイル |
| JP2015185718A (ja) * | 2014-03-25 | 2015-10-22 | Tdk株式会社 | チップ電子部品及びその製造方法 |
| WO2022168802A1 (ja) * | 2021-02-05 | 2022-08-11 | 株式会社村田製作所 | 電子部品、電子部品の製造方法、フィルタモジュール及び電子機器 |
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