JPH08148338A - 積層チップインダクタとその製造方法 - Google Patents
積層チップインダクタとその製造方法Info
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- JPH08148338A JPH08148338A JP6309529A JP30952994A JPH08148338A JP H08148338 A JPH08148338 A JP H08148338A JP 6309529 A JP6309529 A JP 6309529A JP 30952994 A JP30952994 A JP 30952994A JP H08148338 A JPH08148338 A JP H08148338A
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- Japan
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- ferrite
- chip inductor
- raw material
- multilayer chip
- glass
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- Manufacturing Cores, Coils, And Magnets (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 インダクタンス値（Ｌ値）の大きな、特性バ
ラツキの少ない積層チップインダクタとその製造方法を
提供することを目的とする。 【構成】 フェライト素体の内部に導体パターンからな
るコイルが形成されている積層チップインダクタにおい
て、前記フェライト素体に軟化点温度が６００℃以下の
ガラスを含有させた。ガラスとしてはホウケイ酸ガラス
が好ましい。ガラスの含有量は０．０１〜０．５ｗｔ％
が好ましい。この積層チップインダクタはフェライト原
料中に軟化点温度が６００℃以下のガラス粉末を含有さ
せることにより得ることができる。
ラツキの少ない積層チップインダクタとその製造方法を
提供することを目的とする。 【構成】 フェライト素体の内部に導体パターンからな
るコイルが形成されている積層チップインダクタにおい
て、前記フェライト素体に軟化点温度が６００℃以下の
ガラスを含有させた。ガラスとしてはホウケイ酸ガラス
が好ましい。ガラスの含有量は０．０１〜０．５ｗｔ％
が好ましい。この積層チップインダクタはフェライト原
料中に軟化点温度が６００℃以下のガラス粉末を含有さ
せることにより得ることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は積層連結された導体パ
ターンからなるコイルがフェライト素体の内部に形成さ
れている積層チップインダクタとその製造方法に関する
ものである。
ターンからなるコイルがフェライト素体の内部に形成さ
れている積層チップインダクタとその製造方法に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】積層チップインダクタは、一般に、フェ
ライトと導体パターンとを順次積層して、積層連結され
た導体パターンからなるコイルがフェライト素体の内部
に形成された積層体を形成し、焼成した後、該積層体に
外部端子を各々形成して製造されている。
ライトと導体パターンとを順次積層して、積層連結され
た導体パターンからなるコイルがフェライト素体の内部
に形成された積層体を形成し、焼成した後、該積層体に
外部端子を各々形成して製造されている。
【０００３】ここで、フェライトとしては、最近、Ｎｉ
−Ｚｎ−Ｃｕ系の磁性体材料が広く使用されてきてい
る。これは、８００〜９００℃という低温で焼成でき
る、すなわちＡｇ系の導電性ペーストを内部導体の材料
として使用できるという理由、そして、フェライト素体
の抵抗率が高くなり、積層チップインダクタの電気的特
性が良好になるという理由からである。
−Ｚｎ−Ｃｕ系の磁性体材料が広く使用されてきてい
る。これは、８００〜９００℃という低温で焼成でき
る、すなわちＡｇ系の導電性ペーストを内部導体の材料
として使用できるという理由、そして、フェライト素体
の抵抗率が高くなり、積層チップインダクタの電気的特
性が良好になるという理由からである。
【０００４】なお、フェライトと導体パターンの積層
は、導体パターンを形成したフェライトグリンシートを
積層していくグリーンシート法か、フェライトのスラリ
ーと導電性ペーストのパターンとを順次印刷するスラリ
ービルト法のいずれかにより行なわれている。外部端子
は、形成された積層体のコイル露出面に導電性ペースト
を塗布して焼付け、Ｎｉメッキ、Ｓｎ／Ｐｂメッキを施
して形成されている。
は、導体パターンを形成したフェライトグリンシートを
積層していくグリーンシート法か、フェライトのスラリ
ーと導電性ペーストのパターンとを順次印刷するスラリ
ービルト法のいずれかにより行なわれている。外部端子
は、形成された積層体のコイル露出面に導電性ペースト
を塗布して焼付け、Ｎｉメッキ、Ｓｎ／Ｐｂメッキを施
して形成されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、近年におけ
る電子機器の小型化、高性能化、高信頼性化、多機能化
の流れは、電子部品の小型化及び諸特性の更なる向上を
求めており、積層チップインダクタについてはインダク
タンス値（Ｌ値）の大きな、特性バラツキの少ないもの
が求められている。
る電子機器の小型化、高性能化、高信頼性化、多機能化
の流れは、電子部品の小型化及び諸特性の更なる向上を
求めており、積層チップインダクタについてはインダク
タンス値（Ｌ値）の大きな、特性バラツキの少ないもの
が求められている。
【０００６】この発明は、インダクタンス値（Ｌ値）の
大きな、特性バラツキの少ない積層チップインダクタと
その製造方法を提供することを目的とする。
大きな、特性バラツキの少ない積層チップインダクタと
その製造方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
上記課題を解決するために、フェライト素体の内部に導
体パターンからなるコイルが形成されている積層チップ
インダクタにおいて、軟化点温度が６００℃以下のガラ
スを含有するフェライトで前記フェライト素体を構成し
た。
上記課題を解決するために、フェライト素体の内部に導
体パターンからなるコイルが形成されている積層チップ
インダクタにおいて、軟化点温度が６００℃以下のガラ
スを含有するフェライトで前記フェライト素体を構成し
た。
【０００８】ここで、前記フェライト素体は、請求項２
に記載するように、Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系のフェライトで
構成するのが好ましい。また、前記フェライト中に含有
させるガラスとしては、請求項３に記載するように、６
００℃以下の軟化点温度を有するホウケイ酸ガラスが好
ましい。軟化点温度が６００℃を超えると、フェライト
素体の焼結性が劣化し、所望する温度で焼結を行うこと
が困難になるからである。また、前記フェライト中に含
有させるホウケイ酸ガラスの含有量は、請求項４に記載
するように、０．０１〜０．５ｗｔ％が好ましい。ホウ
ケイ酸ガラスの含有量がこの範囲を外れると、積層チッ
プインダクタのインダクタンス（Ｌ）が所望の値より小
さくなるからである。
に記載するように、Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系のフェライトで
構成するのが好ましい。また、前記フェライト中に含有
させるガラスとしては、請求項３に記載するように、６
００℃以下の軟化点温度を有するホウケイ酸ガラスが好
ましい。軟化点温度が６００℃を超えると、フェライト
素体の焼結性が劣化し、所望する温度で焼結を行うこと
が困難になるからである。また、前記フェライト中に含
有させるホウケイ酸ガラスの含有量は、請求項４に記載
するように、０．０１〜０．５ｗｔ％が好ましい。ホウ
ケイ酸ガラスの含有量がこの範囲を外れると、積層チッ
プインダクタのインダクタンス（Ｌ）が所望の値より小
さくなるからである。
【０００９】また、請求項５記載の発明は、上記課題を
解決するために、フェライト原料と導体パターンとを交
互に積層して、導体パターンからなるコイルが前記フェ
ライト原料の内部に形成された積層体を形成し、焼成し
た後、該積層体に外部端子を各々形成してなる積層チッ
プインダクタの製造方法において、前記フェライト原料
中に軟化点温度が６００℃以下のガラス粉末を含有させ
た。
解決するために、フェライト原料と導体パターンとを交
互に積層して、導体パターンからなるコイルが前記フェ
ライト原料の内部に形成された積層体を形成し、焼成し
た後、該積層体に外部端子を各々形成してなる積層チッ
プインダクタの製造方法において、前記フェライト原料
中に軟化点温度が６００℃以下のガラス粉末を含有させ
た。
【００１０】ここで、前記フェライト素体は、請求項６
に記載するように、Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系のフェライトで
構成するのが好ましい。また、前記フェライト中に含有
させるガラスとしては、請求項７に記載するように、６
００℃以下のホウケイ酸ガラスが好ましい。また、前記
フェライト原料中に含有しているホウケイ酸ガラスの含
有量は、請求項８に記載するように、０．０１〜０．５
ｗｔ％が好ましい。ホウケイ酸ガラスの含有量がこの範
囲を外れると、積層チップインダクタのインダクタンス
（Ｌ）が所望の値より小さくなるからである。
に記載するように、Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系のフェライトで
構成するのが好ましい。また、前記フェライト中に含有
させるガラスとしては、請求項７に記載するように、６
００℃以下のホウケイ酸ガラスが好ましい。また、前記
フェライト原料中に含有しているホウケイ酸ガラスの含
有量は、請求項８に記載するように、０．０１〜０．５
ｗｔ％が好ましい。ホウケイ酸ガラスの含有量がこの範
囲を外れると、積層チップインダクタのインダクタンス
（Ｌ）が所望の値より小さくなるからである。
【００１１】また、請求項９に記載するように、フェラ
イトの原料となる原料酸化物を仮焼した後に解砕してフ
ェライト粉末を作成し、該フェライト粉末と有機バイン
ダーとを混練してペースト状のフェライト原料を作成す
ることができる。この場合、請求項１０に記載するよう
に、フェライトの原料となる原料酸化物中に前記ホウケ
イ酸ガラスを添加混合してもよいし、請求項１１に記載
するように、仮焼した原料酸化物を解砕する際に前記ホ
ウケイ酸ガラスを添加混合してもよいし、請求項１２に
記載するように、前記フェライト粉末と前記有機バイン
ダーとを混練する際に前記ホウケイ酸ガラスを添加混合
してもよい。
イトの原料となる原料酸化物を仮焼した後に解砕してフ
ェライト粉末を作成し、該フェライト粉末と有機バイン
ダーとを混練してペースト状のフェライト原料を作成す
ることができる。この場合、請求項１０に記載するよう
に、フェライトの原料となる原料酸化物中に前記ホウケ
イ酸ガラスを添加混合してもよいし、請求項１１に記載
するように、仮焼した原料酸化物を解砕する際に前記ホ
ウケイ酸ガラスを添加混合してもよいし、請求項１２に
記載するように、前記フェライト粉末と前記有機バイン
ダーとを混練する際に前記ホウケイ酸ガラスを添加混合
してもよい。
【００１２】
【作用】この発明においては、３個以上のフェライト結
晶粒子に囲まれた部分（多重粒子接合点）にガラスが集
合し、内部導体からフェライト中に拡散・析出したＡｇ
やフェライトから析出した余剰の金属（Ｃｕ，ＣｕＯ）
等が前記ガラス中に吸収され、この析出金属Ａｇ，Ｃｕ
等によってフェライト結晶粒子が受けていた内部応力が
減少する。
晶粒子に囲まれた部分（多重粒子接合点）にガラスが集
合し、内部導体からフェライト中に拡散・析出したＡｇ
やフェライトから析出した余剰の金属（Ｃｕ，ＣｕＯ）
等が前記ガラス中に吸収され、この析出金属Ａｇ，Ｃｕ
等によってフェライト結晶粒子が受けていた内部応力が
減少する。
【００１３】
実験例１ まず、下記の表１に示す組成比で、Ｆｅ2 Ｏ3 ，Ｎｉ
Ｏ，ＺｎＯ，ＣｕＯ及びガラスの粉末を秤量し、これに
水を加え、ボールミルで１５時間撹拌した後、スプレー
式乾燥機により乾燥し、混合粉末を得た。
Ｏ，ＺｎＯ，ＣｕＯ及びガラスの粉末を秤量し、これに
水を加え、ボールミルで１５時間撹拌した後、スプレー
式乾燥機により乾燥し、混合粉末を得た。
【００１４】
【表１】
【００１５】次に、この混合粉末を８００℃で２時間仮
焼し、得られた仮焼物をボールミルに入れ、水を加えて
１５時間解砕した。そして、得られたスラリーをスプレ
ー乾燥機により乾燥して仮焼物の粉末を得た。
焼し、得られた仮焼物をボールミルに入れ、水を加えて
１５時間解砕した。そして、得られたスラリーをスプレ
ー乾燥機により乾燥して仮焼物の粉末を得た。
【００１６】次に、この仮焼物の粉末に有機バインダ
ー、有機溶剤及び分散剤等を加えて混練し、得られたス
ラリーを用い、ドクターブレード法によって厚さ７５μ
ｍのフェライトグリーンシートを作成した。
ー、有機溶剤及び分散剤等を加えて混練し、得られたス
ラリーを用い、ドクターブレード法によって厚さ７５μ
ｍのフェライトグリーンシートを作成した。
【００１７】次に、上記のようにして作成したフェライ
トグリーンシートの所定の位置に複数のスルーホールを
形成し、一方の主面上に、導電性ペースト（Ａｇ，Ａｇ
−Ｐｄ，Ａｇ−Ａｕ等）により、積層してスルーホール
接続することによってらせん状のコイルが構成される導
体パターンを形成した。
トグリーンシートの所定の位置に複数のスルーホールを
形成し、一方の主面上に、導電性ペースト（Ａｇ，Ａｇ
−Ｐｄ，Ａｇ−Ａｕ等）により、積層してスルーホール
接続することによってらせん状のコイルが構成される導
体パターンを形成した。
【００１８】次に、このフェライトグリーンシートを所
定の順序で積層し、フェライト素体の内部に巻数が６の
コイルが複数個埋設された積層体を得た。得られた積層
体は所定のチップ寸法に裁断し、９００℃の温度で焼成
した。
定の順序で積層し、フェライト素体の内部に巻数が６の
コイルが複数個埋設された積層体を得た。得られた積層
体は所定のチップ寸法に裁断し、９００℃の温度で焼成
した。
【００１９】次に、積層体のコイル末端部の導出面に銀
ペーストを塗布し、これを６００℃の温度で焼き付け、
Ｎｉメッキ、Ｓｎ／Ｐｂメッキを施して外部電極を形成
した。
ペーストを塗布し、これを６００℃の温度で焼き付け、
Ｎｉメッキ、Ｓｎ／Ｐｂメッキを施して外部電極を形成
した。
【００２０】以上のようにして多数の積層チップインダ
クタを作成し、その中から無作為に１００個を選出し、
市販のインピーダンスアナライザーによりインダクタン
ス値（Ｌ値）を測定し、その平均を求めたところ、表１
の右欄に示す通りとなった。
クタを作成し、その中から無作為に１００個を選出し、
市販のインピーダンスアナライザーによりインダクタン
ス値（Ｌ値）を測定し、その平均を求めたところ、表１
の右欄に示す通りとなった。
【００２１】また、この積層チップインダクタ１００個
のＬ値のＣＶ（％）を求めたところ、表１の右欄に示す
通りとなった。なお、このＣＶ（％）は、Ｌ値のバラツ
キを示す指標であり、（σ／ｘ）×１００（σは標準偏
差、ｘは平均値）を内容とするものである。
のＬ値のＣＶ（％）を求めたところ、表１の右欄に示す
通りとなった。なお、このＣＶ（％）は、Ｌ値のバラツ
キを示す指標であり、（σ／ｘ）×１００（σは標準偏
差、ｘは平均値）を内容とするものである。
【００２２】実験例２ 原料の酸化物の組成を表２に示す通りとし、原料の酸化
物を仮焼して得られた仮焼物にガラス粉末を加えて解砕
混合した他は実験例１と同じ条件で積層インダクタを作
成し、Ｌ値を求めたところ、表２の右欄に示す通りとな
った。また、この積層チップインダクタ１００個のＬ値
のＣＶ（％）を求めたところ、表２の右欄に示す通りと
なった。
物を仮焼して得られた仮焼物にガラス粉末を加えて解砕
混合した他は実験例１と同じ条件で積層インダクタを作
成し、Ｌ値を求めたところ、表２の右欄に示す通りとな
った。また、この積層チップインダクタ１００個のＬ値
のＣＶ（％）を求めたところ、表２の右欄に示す通りと
なった。
【００２３】
【表２】
【００２４】実験例３ 原料の酸化物の組成を表３に示す通りとし、フェライト
グリーンシートを形成する前のスラリーにガラス粉末を
配合した他は実験例１と同じ条件で積層インダクタを作
成し、Ｌ値を求めたところ、表３の右欄に示す通りとな
った。また、この積層チップインダクタ１００個のＬ値
のＣＶ（％）を求めたところ、表３の右欄に示す通りと
なった。
グリーンシートを形成する前のスラリーにガラス粉末を
配合した他は実験例１と同じ条件で積層インダクタを作
成し、Ｌ値を求めたところ、表３の右欄に示す通りとな
った。また、この積層チップインダクタ１００個のＬ値
のＣＶ（％）を求めたところ、表３の右欄に示す通りと
なった。
【００２５】
【表３】
【００２６】次に、実施例１〜３の積層チップインダク
タのフェライト素体中の金属Ａｇを結晶粒子と多重粒子
結合点について調べたところ、金属Ａｇのほとんどが多
重粒子結合点のガラス中に集積していた。なお、図１は
フェライト素体の結晶粒子を拡大して示した説明図であ
り、同図において、２は結晶粒、４は多重粒子結合点で
ある。
タのフェライト素体中の金属Ａｇを結晶粒子と多重粒子
結合点について調べたところ、金属Ａｇのほとんどが多
重粒子結合点のガラス中に集積していた。なお、図１は
フェライト素体の結晶粒子を拡大して示した説明図であ
り、同図において、２は結晶粒、４は多重粒子結合点で
ある。
【００２７】
【発明の効果】この発明によれば、フェライトの結晶粒
子が、内部導体から拡散して析出したＡｇ等から受けて
いた内部応力が減少するので、フェライトの透磁率μが
高くなり、インダクタンス（Ｌ）の大きい積層チップイ
ンダクタンスが得られるという効果がある。
子が、内部導体から拡散して析出したＡｇ等から受けて
いた内部応力が減少するので、フェライトの透磁率μが
高くなり、インダクタンス（Ｌ）の大きい積層チップイ
ンダクタンスが得られるという効果がある。
【００２８】また、この発明によれば、インダクタンス
（Ｌ）について特性バラツキの少ない積層チップインダ
クタが得られるという効果がある。
（Ｌ）について特性バラツキの少ない積層チップインダ
クタが得られるという効果がある。
【図１】図１はフェライト素体の結晶粒子を拡大して示
した説明図である。
した説明図である。
２ 結晶粒子 ４ 多重粒子結合点
Claims (12)
- 【請求項１】 フェライト素体の内部に導体パターンか
らなるコイルが形成されている積層チップインダクタに
おいて、前記フェライト素体が、軟化点温度が６００℃
以下のガラスを含有するフェライトからなることを特徴
とする積層チップインダクタ。 - 【請求項２】 前記フェライト素体がＮｉ−Ｚｎ−Ｃｕ
系のフェライトからなることを特徴とする請求項１記載
の積層チップインダクタ。 - 【請求項３】 前記ガラスがホウケイ酸ガラスであるこ
とを特徴とする請求項１又は２記載の積層チップインダ
クタ。 - 【請求項４】 前記ガラスの含有量が０．０１〜０．５
ｗｔ％であることを特徴とする請求項１〜３記載の積層
チップインダクタ。 - 【請求項５】 フェライト原料と導体パターンとを交互
に積層して、前記フェライト原料の内部に導体パターン
からなるコイルが形成された積層体を形成し、焼成した
後、該積層体に外部端子を各々形成してなる積層チップ
インダクタの製造方法において、前記フェライト原料中
に軟化点温度が６００℃以下のガラス粉末を含有させた
ことを特徴とする積層チップインダクタの製造方法。 - 【請求項６】 前記フェライト素体がＮｉ−Ｚｎ−Ｃｕ
系のフェライトからなることを特徴とする請求項５記載
の積層チップインダクタの製造方法。 - 【請求項７】 前記ガラスがホウケイ酸ガラスであるこ
とを特徴とする請求項５又は６記載の積層チップインダ
クタ。 - 【請求項８】 前記フェライト原料中に含有しているガ
ラスの含有量が０．０１〜０．５ｗｔ％であることを特
徴とする請求項５〜７記載の積層チップインダクタの製
造方法。 - 【請求項９】 フェライトの原料となる原料酸化物を仮
焼した後に解砕してフェライト粉末を作成し、該フェラ
イト粉末と有機バインダーとを混練してペースト状のフ
ェライト原料としたことを特徴とする請求項５〜８記載
の積層チップインダクタの製造方法。 - 【請求項１０】 フェライトの原料となる原料酸化物中
に前記ホウケイ酸ガラスを添加混合したことを特徴とす
る請求項９記載の積層チップインダクタの製造方法。 - 【請求項１１】 仮焼した原料酸化物を解砕する際に前
記ホウケイ酸ガラスを添加混合したことを特徴とする請
求項９記載の積層チップインダクタの製造方法。 - 【請求項１２】 前記フェライト粉末と前記有機バイン
ダーとを混練する際に前記ホウケイ酸ガラスを添加混合
したことを特徴とする請求項９記載の積層チップインダ
クタの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6309529A JPH08148338A (ja) | 1994-11-18 | 1994-11-18 | 積層チップインダクタとその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6309529A JPH08148338A (ja) | 1994-11-18 | 1994-11-18 | 積層チップインダクタとその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08148338A true JPH08148338A (ja) | 1996-06-07 |
Family
ID=17994116
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6309529A Pending JPH08148338A (ja) | 1994-11-18 | 1994-11-18 | 積層チップインダクタとその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08148338A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002260912A (ja) * | 2001-03-01 | 2002-09-13 | Tdk Corp | 磁性酸化物焼結体およびこれを用いた高周波回路部品 |
| JP2002260914A (ja) * | 2001-03-01 | 2002-09-13 | Tdk Corp | 磁性酸化物焼結体およびこれを用いた高周波回路部品 |
| US6623878B1 (en) | 1999-10-04 | 2003-09-23 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Sintered ferrite body and laminated ferrite component including same |
| CN109851339A (zh) * | 2017-11-29 | 2019-06-07 | 株式会社村田制作所 | 玻璃-陶瓷-铁氧体组合物和电子部件 |
-
1994
- 1994-11-18 JP JP6309529A patent/JPH08148338A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6623878B1 (en) | 1999-10-04 | 2003-09-23 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Sintered ferrite body and laminated ferrite component including same |
| JP2002260912A (ja) * | 2001-03-01 | 2002-09-13 | Tdk Corp | 磁性酸化物焼結体およびこれを用いた高周波回路部品 |
| JP2002260914A (ja) * | 2001-03-01 | 2002-09-13 | Tdk Corp | 磁性酸化物焼結体およびこれを用いた高周波回路部品 |
| CN109851339A (zh) * | 2017-11-29 | 2019-06-07 | 株式会社村田制作所 | 玻璃-陶瓷-铁氧体组合物和电子部件 |
| CN109851339B (zh) * | 2017-11-29 | 2021-07-02 | 株式会社村田制作所 | 玻璃-陶瓷-铁氧体组合物和电子部件 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20030819 |