JP2002260914A - 磁性酸化物焼結体およびこれを用いた高周波回路部品 - Google Patents
磁性酸化物焼結体およびこれを用いた高周波回路部品Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 １０００℃以下特に、９００℃付近で焼成可
能であり、高周波帯域での透磁率特性が良く、電気抵抗
率が高く、誘電率が低い、Ｙ型六方晶フェライトを主成
分フェライトとする磁性酸化物焼結体およびこれを用い
た高周波回路部品を提供する。 【解決手段】 Ｙ型六方晶フェライトで８０％以上占有
されてなる磁性酸化物焼結体であって、該磁性酸化物焼
結体は、主成分として酸化コバルトをＣｏＯ換算で３〜
１５モル％、酸化銅をＣｕＯ換算で５〜１７モル％、酸
化鉄をＦｅ2Ｏ3換算で５７〜６１モル％、ＭＯを０〜１
５ｗｔ％（ＭＯは、ＮｉＯ，ＺｎＯ，ＭｇＯの少なくと
も１種であり、ＭＯの含有率０は除く）、残部をＡＯ
（ＡＯは、ＢａＯまたはＳｒＯの少なくとも１種）とし
て含み、副成分として硼珪酸ガラス、硼珪酸亜鉛ガラス
またはビスマスガラスを０．６〜７ｗｔ％含有してなる
ように構成する。
能であり、高周波帯域での透磁率特性が良く、電気抵抗
率が高く、誘電率が低い、Ｙ型六方晶フェライトを主成
分フェライトとする磁性酸化物焼結体およびこれを用い
た高周波回路部品を提供する。 【解決手段】 Ｙ型六方晶フェライトで８０％以上占有
されてなる磁性酸化物焼結体であって、該磁性酸化物焼
結体は、主成分として酸化コバルトをＣｏＯ換算で３〜
１５モル％、酸化銅をＣｕＯ換算で５〜１７モル％、酸
化鉄をＦｅ2Ｏ3換算で５７〜６１モル％、ＭＯを０〜１
５ｗｔ％（ＭＯは、ＮｉＯ，ＺｎＯ，ＭｇＯの少なくと
も１種であり、ＭＯの含有率０は除く）、残部をＡＯ
（ＡＯは、ＢａＯまたはＳｒＯの少なくとも１種）とし
て含み、副成分として硼珪酸ガラス、硼珪酸亜鉛ガラス
またはビスマスガラスを０．６〜７ｗｔ％含有してなる
ように構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高周波回路部品用
に使用される磁性酸化物焼結体およびそれを用いた高周
波回路部品に関する。
に使用される磁性酸化物焼結体およびそれを用いた高周
波回路部品に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器の小型化や高周波化に伴
い、高周波帯域において高いインダクタンス、インピー
ダンスを持つ電子部品の需要が高まっている。小型で高
いインダクタンス、インピーダンスを得るためには、い
わゆる印刷工法やシート工法によって磁性体中に導体を
内蔵した積層構造のコイルを作製することが望ましい。
い、高周波帯域において高いインダクタンス、インピー
ダンスを持つ電子部品の需要が高まっている。小型で高
いインダクタンス、インピーダンスを得るためには、い
わゆる印刷工法やシート工法によって磁性体中に導体を
内蔵した積層構造のコイルを作製することが望ましい。
【０００３】積層構造とすることでコイルの巻数を多く
することができ、構造も閉磁路となるため高いインダク
タンス、インピーダンスが得られる。
することができ、構造も閉磁路となるため高いインダク
タンス、インピーダンスが得られる。
【０００４】焼結体に内蔵される導体材料としては、電
気抵抗率、融点、コストの面から一般に銀（Ａｇ）が多
く用いられている。銀の融点は１０００℃以下であるた
め，積層構造用の磁性体材料としては、従来より一般
に、９００℃の焼成でも高い焼結密度が得られるＮｉＺ
ｎ系フェライトが用いられてきた。
気抵抗率、融点、コストの面から一般に銀（Ａｇ）が多
く用いられている。銀の融点は１０００℃以下であるた
め，積層構造用の磁性体材料としては、従来より一般
に、９００℃の焼成でも高い焼結密度が得られるＮｉＺ
ｎ系フェライトが用いられてきた。
【０００５】しかしながら、ＮｉＺｎ系フェライトは磁
気異方性が低いために数百ＭＨｚの周波数で自然共鳴を
起こしてしまい、ＧＨｚの周波数帯域で使用することが
できなかった。
気異方性が低いために数百ＭＨｚの周波数で自然共鳴を
起こしてしまい、ＧＨｚの周波数帯域で使用することが
できなかった。
【０００６】高周波仕様として、非磁性体を用いた空心
コイルが用いられることもあるが、非磁性体を用いると
高いインダクタンスやインピーダンスを得ることが困難
になる。
コイルが用いられることもあるが、非磁性体を用いると
高いインダクタンスやインピーダンスを得ることが困難
になる。
【０００７】この一方で六方晶フェライトは、六角板状
結晶の面内方向とこの面に垂直な方向の磁気的異方性が
異なっているため、自然共鳴を起こしにくく、ＧＨｚの
周波数帯域まで高い透磁率を持つという特徴をもってい
る。しかしながら、このものは、所望の焼結密度や磁気
特性を得るためには、焼成温度を高くする必要があっ
た。
結晶の面内方向とこの面に垂直な方向の磁気的異方性が
異なっているため、自然共鳴を起こしにくく、ＧＨｚの
周波数帯域まで高い透磁率を持つという特徴をもってい
る。しかしながら、このものは、所望の焼結密度や磁気
特性を得るためには、焼成温度を高くする必要があっ
た。
【０００８】また、従来のいわゆるＹ型六方晶フェライ
トの電気抵抗率は、高くてもせいぜい１×１０5Ω・ｍ
程度までであり、また高特性を得るためにＣｕやＺｎな
どで置換したものについては、その電気抵抗率が１×１
０4Ω・ｍ程度であり、これらの値は、電子部品材料に
求められる電気抵抗率１×１０5Ω・ｍを超える値と比
べると低いといわざるを得ない。
トの電気抵抗率は、高くてもせいぜい１×１０5Ω・ｍ
程度までであり、また高特性を得るためにＣｕやＺｎな
どで置換したものについては、その電気抵抗率が１×１
０4Ω・ｍ程度であり、これらの値は、電子部品材料に
求められる電気抵抗率１×１０5Ω・ｍを超える値と比
べると低いといわざるを得ない。
【０００９】さらに、六方晶フェライトはスピネル型フ
ェライトに比べて誘電率が高いため、インダクタに発生
する寄生容量が大きくなってしまい、インダクタが自己
共振を起こしやすく、インダクタンスおよびインピーダ
ンスが低くなってしまうなどの問題があった。
ェライトに比べて誘電率が高いため、インダクタに発生
する寄生容量が大きくなってしまい、インダクタが自己
共振を起こしやすく、インダクタンスおよびインピーダ
ンスが低くなってしまうなどの問題があった。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】このような実状のもと
に本発明は創案されたものであり、その目的は、上記の
課題を解決し、１０００℃以下特に、９００℃付近で焼
成可能であり、高周波帯域での透磁率特性が良く、電気
抵抗率が高く、誘電率が低い、Ｙ型六方晶フェライトを
主成分フェライトとする磁性酸化物焼結体およびこれを
用いた高周波回路部品を提供することにある。
に本発明は創案されたものであり、その目的は、上記の
課題を解決し、１０００℃以下特に、９００℃付近で焼
成可能であり、高周波帯域での透磁率特性が良く、電気
抵抗率が高く、誘電率が低い、Ｙ型六方晶フェライトを
主成分フェライトとする磁性酸化物焼結体およびこれを
用いた高周波回路部品を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】このような課題を解決す
るために、本発明は、Ｙ型六方晶フェライトで８０％以
上占有されてなる磁性酸化物焼結体であって、該磁性酸
化物焼結体は、主成分として酸化コバルトをＣｏＯ換算
で３〜１５モル％、酸化銅をＣｕＯ換算で５〜１７モル
％、酸化鉄をＦｅ2Ｏ3換算で５７〜６１モル％、ＭＯを
０〜１５ｗｔ％（ＭＯは、ＮｉＯ，ＺｎＯ，ＭｇＯの少
なくとも１種であり、ＭＯの含有率０は除く）、残部を
ＡＯ（ＡＯは、ＢａＯまたはＳｒＯの少なくとも１種）
として含み、副成分として硼珪酸ガラス、硼珪酸亜鉛ガ
ラスまたはビスマスガラスを０．６〜７ｗｔ％含有して
なるように構成される。
るために、本発明は、Ｙ型六方晶フェライトで８０％以
上占有されてなる磁性酸化物焼結体であって、該磁性酸
化物焼結体は、主成分として酸化コバルトをＣｏＯ換算
で３〜１５モル％、酸化銅をＣｕＯ換算で５〜１７モル
％、酸化鉄をＦｅ2Ｏ3換算で５７〜６１モル％、ＭＯを
０〜１５ｗｔ％（ＭＯは、ＮｉＯ，ＺｎＯ，ＭｇＯの少
なくとも１種であり、ＭＯの含有率０は除く）、残部を
ＡＯ（ＡＯは、ＢａＯまたはＳｒＯの少なくとも１種）
として含み、副成分として硼珪酸ガラス、硼珪酸亜鉛ガ
ラスまたはビスマスガラスを０．６〜７ｗｔ％含有して
なるように構成される。
【００１２】また、本発明は、磁性酸化物焼結体中に導
電体が埋設された構造を備える高周波回路部品であっ
て、前記磁性酸化物焼結体は、主成分として酸化コバル
トをＣｏＯ換算で３〜１５モル％、酸化銅をＣｕＯ換算
で５〜１７モル％、酸化鉄をＦｅ2Ｏ3換算で５７〜６１
モル％、ＭＯを０〜１５ｗｔ％（ＭＯは、ＮｉＯ，Ｚｎ
Ｏ，ＭｇＯの少なくとも１種であり、ＭＯの含有率０は
除く）、残部をＡＯ（ＡＯは、ＢａＯまたはＳｒＯの少
なくとも１種）として含み、副成分として硼珪酸ガラ
ス、硼珪酸亜鉛ガラスまたはビスマスガラスを０．６〜
７ｗｔ％含有してなるように構成される。
電体が埋設された構造を備える高周波回路部品であっ
て、前記磁性酸化物焼結体は、主成分として酸化コバル
トをＣｏＯ換算で３〜１５モル％、酸化銅をＣｕＯ換算
で５〜１７モル％、酸化鉄をＦｅ2Ｏ3換算で５７〜６１
モル％、ＭＯを０〜１５ｗｔ％（ＭＯは、ＮｉＯ，Ｚｎ
Ｏ，ＭｇＯの少なくとも１種であり、ＭＯの含有率０は
除く）、残部をＡＯ（ＡＯは、ＢａＯまたはＳｒＯの少
なくとも１種）として含み、副成分として硼珪酸ガラ
ス、硼珪酸亜鉛ガラスまたはビスマスガラスを０．６〜
７ｗｔ％含有してなるように構成される。
【００１３】また、本発明の好ましい態様として、前記
磁性酸化物焼結体の製造における仮焼温度は、８５０℃
〜１０００℃の範囲で行なわれる。
磁性酸化物焼結体の製造における仮焼温度は、８５０℃
〜１０００℃の範囲で行なわれる。
【００１４】また、本発明における高周波回路部品の好
ましい態様として、前記導電体は銀（Ａｇ）を主成分と
してなるように構成される。
ましい態様として、前記導電体は銀（Ａｇ）を主成分と
してなるように構成される。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の磁性酸化物焼結体
について詳細に説明する。本発明の磁性酸化物焼結体は
セラミック焼結体であるために通常のセラミック作製プ
ロセスで製造することができる。
について詳細に説明する。本発明の磁性酸化物焼結体は
セラミック焼結体であるために通常のセラミック作製プ
ロセスで製造することができる。
【００１６】本発明の磁性酸化物焼結体は、主成分とし
て酸化コバルトをＣｏＯ換算で３〜１５モル％（好まし
くは、３〜５モル％）、酸化銅をＣｕＯ換算で５〜１７
モル％（好ましくは、５．５〜１０モル％）、酸化鉄を
Ｆｅ2Ｏ3換算で５７〜６１モル％（好ましくは、５９〜
６０モル％）、残部をＡＯ（ＡＯは、ＢａＯまたはＳｒ
Ｏの少なくとも１種）として含んでいる。、ＭＯを０〜
１５ｗｔ％、好ましくは１〜１５ｗｔ％、特に好ましく
は５〜１５ｗｔ％（ＭＯは、ＮｉＯ，ＺｎＯ，ＭｇＯの
少なくとも１種であり、ＭＯの含有率０は除く）、残部
をＡＯ（ＡＯは、ＢａＯまたはＳｒＯの少なくとも１
種）として含んでいる。
て酸化コバルトをＣｏＯ換算で３〜１５モル％（好まし
くは、３〜５モル％）、酸化銅をＣｕＯ換算で５〜１７
モル％（好ましくは、５．５〜１０モル％）、酸化鉄を
Ｆｅ2Ｏ3換算で５７〜６１モル％（好ましくは、５９〜
６０モル％）、残部をＡＯ（ＡＯは、ＢａＯまたはＳｒ
Ｏの少なくとも１種）として含んでいる。、ＭＯを０〜
１５ｗｔ％、好ましくは１〜１５ｗｔ％、特に好ましく
は５〜１５ｗｔ％（ＭＯは、ＮｉＯ，ＺｎＯ，ＭｇＯの
少なくとも１種であり、ＭＯの含有率０は除く）、残部
をＡＯ（ＡＯは、ＢａＯまたはＳｒＯの少なくとも１
種）として含んでいる。
【００１７】ＭＯの形態は、ＮｉＯ，ＺｎＯ，あるいは
ＭｇＯの単独形態、または少なくとも２種以上の混在形
態である。２種以上を混合して用いる場合には、混合し
た総計モル％が上記の範囲に入るようにすればよい。
ＭｇＯの単独形態、または少なくとも２種以上の混在形
態である。２種以上を混合して用いる場合には、混合し
た総計モル％が上記の範囲に入るようにすればよい。
【００１８】ＡＯの形態は、ＢａＯあるいはＳｒＯの単
独形態、またはＢａＯとＳｒＯの混在形態である。
独形態、またはＢａＯとＳｒＯの混在形態である。
【００１９】また、本発明の磁性酸化物焼結体は、副成
分として硼珪酸ガラス、硼珪酸亜鉛ガラスまたはビスマ
スガラスを０．６〜７ｗｔ％（好ましくは０．６〜５ｗ
ｔ％）、含有している。
分として硼珪酸ガラス、硼珪酸亜鉛ガラスまたはビスマ
スガラスを０．６〜７ｗｔ％（好ましくは０．６〜５ｗ
ｔ％）、含有している。
【００２０】硼珪酸ガラスとは、一般にＢ2Ｏ3、ＳｉＯ
2を含むガラスを示し、硼珪酸亜鉛ガラスとは、一般に
Ｂ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＺｎＯを含むガラスを示し、ビスマ
スガラスとは、一般にＢｉ2Ｏ3を含むガラスを示す。こ
れらの各ガラスの定義において上記の各成分が主成分で
ある必要はない。
2を含むガラスを示し、硼珪酸亜鉛ガラスとは、一般に
Ｂ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＺｎＯを含むガラスを示し、ビスマ
スガラスとは、一般にＢｉ2Ｏ3を含むガラスを示す。こ
れらの各ガラスの定義において上記の各成分が主成分で
ある必要はない。
【００２１】これらの副成分のガラスの含有形態として
は、硼珪酸ガラス、硼珪酸亜鉛ガラスおよびビスマスガ
ラスの中の１種を単独で用いても良いし、また、これら
の中の２種または３種を混合して用いてもよい。２種以
上を混合して用いる場合には、混合した総計重量％が上
記の範囲に入るようにすればよい。このようなガラスを
添加することにより、高電気抵抗率化（電気抵抗率を高
くすること）および低誘電率化（誘電率を低くするこ
と）を得ることができる。従って、このような本願所定
のガラスの添加により、高周波回路部品としての例え
ば、積層部品材料に必要な１×１０5Ω・ｍ以上の電気
抵抗率が得られる。
は、硼珪酸ガラス、硼珪酸亜鉛ガラスおよびビスマスガ
ラスの中の１種を単独で用いても良いし、また、これら
の中の２種または３種を混合して用いてもよい。２種以
上を混合して用いる場合には、混合した総計重量％が上
記の範囲に入るようにすればよい。このようなガラスを
添加することにより、高電気抵抗率化（電気抵抗率を高
くすること）および低誘電率化（誘電率を低くするこ
と）を得ることができる。従って、このような本願所定
のガラスの添加により、高周波回路部品としての例え
ば、積層部品材料に必要な１×１０5Ω・ｍ以上の電気
抵抗率が得られる。
【００２２】さらに、本願所定のガラスの添加により、
誘電率を低減させる効果も発現し、本発明焼結体を高周
波部品として用いた場合、高い周波数において高いイン
ピーダンスを得ることや、インピーダンスの広帯域化に
効果がある。なお、これらのガラス添加は添加時におけ
る状態がガラスであることが必要である。焼成後、用い
たガラス成分は、ガラス状態の有無を問わず焼成体の中
に存在する。
誘電率を低減させる効果も発現し、本発明焼結体を高周
波部品として用いた場合、高い周波数において高いイン
ピーダンスを得ることや、インピーダンスの広帯域化に
効果がある。なお、これらのガラス添加は添加時におけ
る状態がガラスであることが必要である。焼成後、用い
たガラス成分は、ガラス状態の有無を問わず焼成体の中
に存在する。
【００２３】これらのガラスの中では、特に、硼珪酸亜
鉛ガラスや硼珪酸ガラスが高抵抗率、低誘電率をより効
果的に実現させるために好ましい。また、同じガラス添
加量で比較した場合、９０％以上の相対密度が得られる
温度を下げることができるという観点からは、特に、ビ
スマスガラスが好ましい。
鉛ガラスや硼珪酸ガラスが高抵抗率、低誘電率をより効
果的に実現させるために好ましい。また、同じガラス添
加量で比較した場合、９０％以上の相対密度が得られる
温度を下げることができるという観点からは、特に、ビ
スマスガラスが好ましい。
【００２４】上記主成分の含有割合において、ＣｏＯが
３モル％未満となると、例えば２ＧＨｚにおける透磁率
が低下する（例えば２．０未満）という不都合が生じる
傾向にあり、ＣｏＯが１５モル％を超えると、透磁率が
低下する（例えば５００ＭＨｚにおける透磁率が２．５
未満になったり、２ＧＨｚにおける透磁率が２．０未満
になったりする）という不都合が生じる傾向にある。
３モル％未満となると、例えば２ＧＨｚにおける透磁率
が低下する（例えば２．０未満）という不都合が生じる
傾向にあり、ＣｏＯが１５モル％を超えると、透磁率が
低下する（例えば５００ＭＨｚにおける透磁率が２．５
未満になったり、２ＧＨｚにおける透磁率が２．０未満
になったりする）という不都合が生じる傾向にある。
【００２５】また、ＣｕＯが５モル％未満となると、仮
焼き温度が１０００℃を超えるという不都合が生じる傾
向にあり、ＣｕＯが１７モル％を超えると、２ＧＨｚに
おける透磁率が低下するという不都合が生じる傾向にあ
る。
焼き温度が１０００℃を超えるという不都合が生じる傾
向にあり、ＣｕＯが１７モル％を超えると、２ＧＨｚに
おける透磁率が低下するという不都合が生じる傾向にあ
る。
【００２６】また、Ｆｅ2Ｏ3が５７モル％未満となった
り、Ｆｅ2Ｏ3が６１モル％を超えたりすると透磁率が低
下するという不都合が生じる傾向にある。
り、Ｆｅ2Ｏ3が６１モル％を超えたりすると透磁率が低
下するという不都合が生じる傾向にある。
【００２７】上記の副成分の含有割合において、上記所
定のガラスの含有量が０．６ｗｔ％未満となると、１０
００℃以下の焼成で理論密度の９０％以上が得られなく
なるという不都合が生じる傾向にあり、上記ガラスの含
有量が７ｗｔ％を超えると、透磁率が低下するという不
都合が生じる傾向にある。
定のガラスの含有量が０．６ｗｔ％未満となると、１０
００℃以下の焼成で理論密度の９０％以上が得られなく
なるという不都合が生じる傾向にあり、上記ガラスの含
有量が７ｗｔ％を超えると、透磁率が低下するという不
都合が生じる傾向にある。
【００２８】このようなガラス副成分の添加は、特に、
上記のＣｕＯ量の含有と相俟って低温焼結を顕著に実現
させることができる。焼成温度が低くなると、安価で電
気抵抗の低いＡｇのような低融点の電極材料を内蔵した
形で同時焼成し、電極一体型の閉磁路構成の素子を容易
に製造できる。このようにして製造された素子は、例え
ば、小型でかつ高いＱ値を持つインダクタ、あるいは小
型で高周波帯の特に特定周波数でのインピーダンスが大
きいノイズフィルター等の高周波素子（高周波回路部
品）として利用される。
上記のＣｕＯ量の含有と相俟って低温焼結を顕著に実現
させることができる。焼成温度が低くなると、安価で電
気抵抗の低いＡｇのような低融点の電極材料を内蔵した
形で同時焼成し、電極一体型の閉磁路構成の素子を容易
に製造できる。このようにして製造された素子は、例え
ば、小型でかつ高いＱ値を持つインダクタ、あるいは小
型で高周波帯の特に特定周波数でのインピーダンスが大
きいノイズフィルター等の高周波素子（高周波回路部
品）として利用される。
【００２９】ＭＯとしてＺｎＯを用いて、このものを０
〜１５ｗｔ％（含有率０は除く）含有させた場合には、
透磁率を各段と向上させることができ、高周波回路部品
を作製したときの高インピーダンス化（高いインピーダ
ンスを得ること）およびインピーダンスの広帯域化に特
に好ましい効果を発揮する。また、ＭＯとしてＮｉＯや
ＭｇＯを用いて、０〜１５ｗｔ％（含有率０は除く）含
有させた場合には、透磁率を向上させることはもとよ
り、共鳴周波数を高くする効果がある。従って、高周波
回路部品として、高いインピーダンスとインピーダンス
の帯域を制御するのに特に好ましい効果を発揮する。
〜１５ｗｔ％（含有率０は除く）含有させた場合には、
透磁率を各段と向上させることができ、高周波回路部品
を作製したときの高インピーダンス化（高いインピーダ
ンスを得ること）およびインピーダンスの広帯域化に特
に好ましい効果を発揮する。また、ＭＯとしてＮｉＯや
ＭｇＯを用いて、０〜１５ｗｔ％（含有率０は除く）含
有させた場合には、透磁率を向上させることはもとよ
り、共鳴周波数を高くする効果がある。従って、高周波
回路部品として、高いインピーダンスとインピーダンス
の帯域を制御するのに特に好ましい効果を発揮する。
【００３０】さらに本発明における磁性酸化物焼結体
は、その８０％以上、特に好ましくは、９０％以上がＹ
型六方晶フェライトで形成されている。ここに言う
「％」は、エックス線回折強度のメインピーク比から算
出したものである。
は、その８０％以上、特に好ましくは、９０％以上がＹ
型六方晶フェライトで形成されている。ここに言う
「％」は、エックス線回折強度のメインピーク比から算
出したものである。
【００３１】銀（Ａｇ）のような低融点電極材料と同時
焼成する場合、本焼成温度が低くなるため、焼結後のＹ
型六方晶フェライトを８０％以上とするためには、仮焼
時にＹ型六方晶フェライトを８０％以上生成しておく必
要がある。組成によって異なるが、８５０℃付近からＢ
ａＦｅ12Ｏ19およびＢａＦｅ2Ｏ4の分解が始まり、Ｙ型
六方晶フェライトの生成が始まる。しかしながら、Ｂａ
Ｆｅ12Ｏ19およびＢａＦｅ2Ｏ4の分解が十分に進まなけ
ればＹ型六方晶フェライトの生成が進まない。従って、
Ｙ型六方晶フェライトを８０％以上とするために、仮焼
温度を８５０℃以上，特に、８５０℃〜１０００℃とす
る必要がある。さらに、ＣｕＯ量を好ましくは５．５〜
１７モル％含有させる必要がある。仮焼温度が８５０℃
未満となったり、ＣｕＯ量が所定量存在しないと、８０
％を超えるＹ型六方晶フェライトの生成が困難となる。
また仮焼温度が１０００℃を超えて高くなりすぎると、
細かい粉砕粉が得られない。細かい粉砕粉の作製は、低
温焼成には極めて重要な技術である。
焼成する場合、本焼成温度が低くなるため、焼結後のＹ
型六方晶フェライトを８０％以上とするためには、仮焼
時にＹ型六方晶フェライトを８０％以上生成しておく必
要がある。組成によって異なるが、８５０℃付近からＢ
ａＦｅ12Ｏ19およびＢａＦｅ2Ｏ4の分解が始まり、Ｙ型
六方晶フェライトの生成が始まる。しかしながら、Ｂａ
Ｆｅ12Ｏ19およびＢａＦｅ2Ｏ4の分解が十分に進まなけ
ればＹ型六方晶フェライトの生成が進まない。従って、
Ｙ型六方晶フェライトを８０％以上とするために、仮焼
温度を８５０℃以上，特に、８５０℃〜１０００℃とす
る必要がある。さらに、ＣｕＯ量を好ましくは５．５〜
１７モル％含有させる必要がある。仮焼温度が８５０℃
未満となったり、ＣｕＯ量が所定量存在しないと、８０
％を超えるＹ型六方晶フェライトの生成が困難となる。
また仮焼温度が１０００℃を超えて高くなりすぎると、
細かい粉砕粉が得られない。細かい粉砕粉の作製は、低
温焼成には極めて重要な技術である。
【００３２】このような観点から、上述のごとく仮焼温
度を８５０〜１０００℃において、Ｙ型六方晶フェライ
トの生成率を高くするためには、主成分としての前記Ｃ
ｕＯ量を好ましくは５．５〜１７モル％含有させること
が必要となる。
度を８５０〜１０００℃において、Ｙ型六方晶フェライ
トの生成率を高くするためには、主成分としての前記Ｃ
ｕＯ量を好ましくは５．５〜１７モル％含有させること
が必要となる。
【００３３】このような本発明における磁性酸化焼結体
は、磁性酸化物焼結体中に導電体が埋設された構造を備
える高周波回路部品、例えば、例えば、インピーダ、イ
ンダクタとして用いられる。
は、磁性酸化物焼結体中に導電体が埋設された構造を備
える高周波回路部品、例えば、例えば、インピーダ、イ
ンダクタとして用いられる。
【００３４】
【実施例】以下、具体的実施例を挙げて本発明をさらに
詳細に説明する。
詳細に説明する。
【００３５】[実験例Ｉ] （実施例および比較例サンプルの作製）焼結後の組成が
下記表１に示すような組成となるように各原料を秤量
し、鋼鉄製ボールミルで１５時間湿式混合した。次に、
この混合粉を大気中、表１に記載された温度で２時間仮
焼きした。次いで、表１に示されるごとく所定のガラス
を所定量添加した後、鉄鋼製ボールミルで１５時間粉砕
した。
下記表１に示すような組成となるように各原料を秤量
し、鋼鉄製ボールミルで１５時間湿式混合した。次に、
この混合粉を大気中、表１に記載された温度で２時間仮
焼きした。次いで、表１に示されるごとく所定のガラス
を所定量添加した後、鉄鋼製ボールミルで１５時間粉砕
した。
【００３６】このようにして得られた六方晶フェライト
粉を造粒して、１００ＭＰａの圧力で所望の形状に成形
した。
粉を造粒して、１００ＭＰａの圧力で所望の形状に成形
した。
【００３７】この成形体を大気中、表１に示される温度
で２時間焼結した。六方晶フェライト焼結体の組成は下
記表１に示すとおりであり、これらの各サンプルについ
て、２５℃における周波数５００ＭＨｚおよび２ＧＨｚ
の透磁率、並びに電気抵抗率、誘電率をそれぞれ測定し
て表２に示した。
で２時間焼結した。六方晶フェライト焼結体の組成は下
記表１に示すとおりであり、これらの各サンプルについ
て、２５℃における周波数５００ＭＨｚおよび２ＧＨｚ
の透磁率、並びに電気抵抗率、誘電率をそれぞれ測定し
て表２に示した。
【００３８】透磁率は周波数５００ＭＨｚの周波数にお
いて２．５以上の値を、また２ＧＨｚの周波数において
２．０以上の値をそれぞれ目標としている。また、電気
抵抗率は１×１０5Ω・ｍの値を目標としている。誘電
率は低ければ低いほど良い。ちなみに、後述の実験結果
より、電気抵抗率が１×１０5Ω・ｍの値を超えていれ
ば誘電率は３０以下の低い値を示している。
いて２．５以上の値を、また２ＧＨｚの周波数において
２．０以上の値をそれぞれ目標としている。また、電気
抵抗率は１×１０5Ω・ｍの値を目標としている。誘電
率は低ければ低いほど良い。ちなみに、後述の実験結果
より、電気抵抗率が１×１０5Ω・ｍの値を超えていれ
ば誘電率は３０以下の低い値を示している。
【００３９】なお、Ｙ型六方晶フェライトによる占有率
は、焼結体の粉砕粉を用いて、Ｘ線回折ピークの強度比
より算出した。
は、焼結体の粉砕粉を用いて、Ｘ線回折ピークの強度比
より算出した。
【００４０】
【表１】
【００４１】
【表２】
【００４２】
【表３】
【００４３】
【表４】
【００４４】[実験例II]上記実験例Ｉにおける実施例Ｉ
−２サンプルの主成分において、添加成分の種類および
添加量を下記表３に示すとおり変えて種々のサンプルを
作製した。これらのサンプルについて、９０％以上の相
対密度（理論密度１００に対して）が得られる温度を測
定した。
−２サンプルの主成分において、添加成分の種類および
添加量を下記表３に示すとおり変えて種々のサンプルを
作製した。これらのサンプルについて、９０％以上の相
対密度（理論密度１００に対して）が得られる温度を測
定した。
【００４５】結果を下記表３に示した。
【００４６】
【表５】
【００４７】[実験例III]次に、本発明の磁性体を用い
てインピーダンス素子を作製した。すなわち、焼結後の
組成が上記表１の実施例Ｉ−２サンプルの主成分に示さ
れるような組成となるように各原料を秤量し、鋼鉄製ボ
ールミルで１５時間湿式混合した。次に、この混合粉を
大気中、９５０℃で２時間仮焼きした。次いで、副成分
としてビスマスガラスを５ｗｔ％添加した後、鉄鋼製ボ
ールミルで１５時間粉砕した。
てインピーダンス素子を作製した。すなわち、焼結後の
組成が上記表１の実施例Ｉ−２サンプルの主成分に示さ
れるような組成となるように各原料を秤量し、鋼鉄製ボ
ールミルで１５時間湿式混合した。次に、この混合粉を
大気中、９５０℃で２時間仮焼きした。次いで、副成分
としてビスマスガラスを５ｗｔ％添加した後、鉄鋼製ボ
ールミルで１５時間粉砕した。
【００４８】この仮焼き粉末に有機バインダーを混合
し、ドクターブレード法により均一なグリーンシートを
形成した。
し、ドクターブレード法により均一なグリーンシートを
形成した。
【００４９】比較のためにＮｉＣｕＺｎ系スピネルフェ
ライト粉末（ＮｉＯ＝４５モル％、ＣｕＯ＝５モル％、
ＺｎＯ＝１．５モル％、Ｆｅ2Ｏ3＝４８モル％、ＣｏＯ
＝０．５モル％）を用いて作製したグリーンシートも準
備した。
ライト粉末（ＮｉＯ＝４５モル％、ＣｕＯ＝５モル％、
ＺｎＯ＝１．５モル％、Ｆｅ2Ｏ3＝４８モル％、ＣｏＯ
＝０．５モル％）を用いて作製したグリーンシートも準
備した。
【００５０】この一方で、銀を混合してなる導電性ペー
ストを用意し、先のグリーンシート上にコイルをスパイ
ラル状となるように積層した。厚み方向に圧力を加えて
圧着し、磁性体に電極がサンドイッチされたグリーンシ
ート積層体を作製した。これを９３０℃で２時間焼成し
た。得られた焼結体の側面の内部導電体の位置に銀ペー
ストを塗布し、外部電極を焼き付け、図１に概略的に示
されるインピーダンス素子（高周波回路部品）とした。
なお、図１は素子内部構造の理解を容易にするためモデ
ル図として描かれている。図１において、符号１１はイ
ンナーコンダクタ（Ａｇコイル）であり、符号１０はタ
ーミナルコンダクタであり、符号２０はフェライトを示
している。
ストを用意し、先のグリーンシート上にコイルをスパイ
ラル状となるように積層した。厚み方向に圧力を加えて
圧着し、磁性体に電極がサンドイッチされたグリーンシ
ート積層体を作製した。これを９３０℃で２時間焼成し
た。得られた焼結体の側面の内部導電体の位置に銀ペー
ストを塗布し、外部電極を焼き付け、図１に概略的に示
されるインピーダンス素子（高周波回路部品）とした。
なお、図１は素子内部構造の理解を容易にするためモデ
ル図として描かれている。図１において、符号１１はイ
ンナーコンダクタ（Ａｇコイル）であり、符号１０はタ
ーミナルコンダクタであり、符号２０はフェライトを示
している。
【００５１】得られたインピーダンス素子のインピーダ
ンスおよび透磁率を２ＧＨｚで測定したところ、本発明
のものではインピーダンスが２３６Ω（透磁率は４．
２）という極めて優れた特性が得られた。これに対して
従来のＮｉＣｕＺｎフェライトのインピーダンスは１３
５Ω（透磁率１．２）であった。
ンスおよび透磁率を２ＧＨｚで測定したところ、本発明
のものではインピーダンスが２３６Ω（透磁率は４．
２）という極めて優れた特性が得られた。これに対して
従来のＮｉＣｕＺｎフェライトのインピーダンスは１３
５Ω（透磁率１．２）であった。
【００５２】
【発明の効果】上記の結果より本発明の効果は明らかで
ある。すなわち、本発明は、Ｙ型六方晶フェライトで８
０％以上占有されてなる磁性酸化物焼結体であって、該
磁性酸化物焼結体は、主成分として酸化コバルトをＣｏ
Ｏ換算で３〜１５モル％、酸化銅をＣｕＯ換算で５〜１
７モル％、酸化鉄をＦｅ2Ｏ3換算で５７〜６１モル％、
ＭＯを０〜１５ｗｔ％（ＭＯは、ＮｉＯ，ＺｎＯ，Ｍｇ
Ｏの少なくとも１種であり、ＭＯの含有率０は除く）、
残部をＡＯ（ＡＯは、ＢａＯまたはＳｒＯの少なくとも
１種）として含み、副成分として硼珪酸ガラス、硼珪酸
亜鉛ガラスまたはビスマスガラスを０．６〜７ｗｔ％含
有してなるように構成されているので、１０００℃以下
特に、９００℃付近で焼成可能であり、高周波帯域での
透磁率特性が良く、電気抵抗率が高く、誘電率が低い、
Ｙ型六方晶フェライトを主成分フェライトとする磁性酸
化物焼結体およびこれを用いた高周波回路部品を提供す
るができる。
ある。すなわち、本発明は、Ｙ型六方晶フェライトで８
０％以上占有されてなる磁性酸化物焼結体であって、該
磁性酸化物焼結体は、主成分として酸化コバルトをＣｏ
Ｏ換算で３〜１５モル％、酸化銅をＣｕＯ換算で５〜１
７モル％、酸化鉄をＦｅ2Ｏ3換算で５７〜６１モル％、
ＭＯを０〜１５ｗｔ％（ＭＯは、ＮｉＯ，ＺｎＯ，Ｍｇ
Ｏの少なくとも１種であり、ＭＯの含有率０は除く）、
残部をＡＯ（ＡＯは、ＢａＯまたはＳｒＯの少なくとも
１種）として含み、副成分として硼珪酸ガラス、硼珪酸
亜鉛ガラスまたはビスマスガラスを０．６〜７ｗｔ％含
有してなるように構成されているので、１０００℃以下
特に、９００℃付近で焼成可能であり、高周波帯域での
透磁率特性が良く、電気抵抗率が高く、誘電率が低い、
Ｙ型六方晶フェライトを主成分フェライトとする磁性酸
化物焼結体およびこれを用いた高周波回路部品を提供す
るができる。
【図１】実施例で用いたインダクタンス素子（高周波回
路部品）の概略図面である。
路部品）の概略図面である。
１０…ターミナルコンダクタ １１…インナーコンダクタ ２０…フェライト
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4G018 AA01 AA07 AA09 AA10 AA22 AA23 AA24 AA25 AA27 AA31 AA37 AB03 AC16 5E041 AA06 AA19 BD01 CA01 HB01 NN01 NN02 NN06 NN18
Claims (5)
- 【請求項１】 Ｙ型六方晶フェライトで８０％以上占有
されてなる磁性酸化物焼結体であって、 該磁性酸化物焼結体は、主成分として酸化コバルトをＣ
ｏＯ換算で３〜１５モル％、酸化銅をＣｕＯ換算で５〜
１７モル％、酸化鉄をＦｅ2Ｏ3換算で５７〜６１モル
％、ＭＯを０〜１５ｗｔ％（ＭＯは、ＮｉＯ，ＺｎＯ，
ＭｇＯの少なくとも１種であり、ＭＯの含有率０は除
く）、残部をＡＯ（ＡＯは、ＢａＯまたはＳｒＯの少な
くとも１種）として含み、 副成分として硼珪酸ガラス、硼珪酸亜鉛ガラスまたはビ
スマスガラスを０．６〜７ｗｔ％含有してなることを特
徴とする磁性酸化物焼結体。 - 【請求項２】 前記磁性酸化物焼結体の製造における仮
焼温度が８５０℃〜１０００℃である請求項１に記載の
磁性酸化物焼結体。 - 【請求項３】 磁性酸化物焼結体中に導電体が埋設され
た構造を備える高周波回路部品であって、 前記磁性酸化物焼結体は、主成分として酸化コバルトを
ＣｏＯ換算で３〜１５モル％、酸化銅をＣｕＯ換算で５
〜１７モル％、酸化鉄をＦｅ2Ｏ3換算で５７〜６１モル
％、ＭＯを０〜１５ｗｔ％（ＭＯは、ＮｉＯ，ＺｎＯ，
ＭｇＯの少なくとも１種であり、ＭＯの含有率０は除
く）、残部をＡＯ（ＡＯは、ＢａＯまたはＳｒＯの少な
くとも１種）として含み、 副成分として硼珪酸ガラス、硼珪酸亜鉛ガラスまたはビ
スマスガラスを０．６〜７ｗｔ％含有してなることを特
徴とする高周波回路部品。 - 【請求項４】 前記磁性酸化物焼結体の製造における仮
焼温度が８５０℃〜１０００℃である請求項３に記載の
高周波回路部品。 - 【請求項５】 前記導電体が銀（Ａｇ）を主成分とする
請求項３または請求項４に記載の高周波回路部品。
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|---|---|---|---|
| JP2001056413A JP4074440B2 (ja) | 2001-03-01 | 2001-03-01 | 磁性酸化物焼結体およびこれを用いた高周波回路部品 |
| PCT/JP2001/006691 WO2002070432A1 (fr) | 2001-03-01 | 2001-08-03 | Agglomere d'oxyde magnetique et partie de circuit haute frequence l'utilisant |
| EP01954432A EP1364927B1 (en) | 2001-03-01 | 2001-08-03 | Magnetic oxide sinter and high-frequency circuit part employing the same |
| US10/070,706 US6660179B2 (en) | 2001-03-01 | 2001-08-03 | Sintered body and high-frequency circuit component |
| KR10-2001-7016331A KR100423961B1 (ko) | 2001-03-01 | 2001-08-03 | 자성 산화물 소결체 및 이것을 이용한 고주파 회로부품 |
| CNB018087744A CN1232471C (zh) | 2001-03-01 | 2001-08-03 | 磁性氧化物烧结体及使用该烧结体的高频电路部件 |
| DE60136223T DE60136223D1 (de) | 2001-03-01 | 2001-08-03 | Gesintertes magnetisches oxid und hochfrequenzschaltkreisteil dieses verwendend |
| TW90119381A TW572864B (en) | 2001-03-01 | 2001-08-08 | Magnetic oxide sinter and high-frequency circuit part employing the same |
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|---|---|
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Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003342061A (ja) * | 2002-05-24 | 2003-12-03 | Osamu Kimura | 高周波用磁性材料 |
| WO2006064839A1 (ja) * | 2004-12-17 | 2006-06-22 | Hitachi Metals, Ltd. | 六方晶フェライト並びにそれを用いたアンテナ及び通信機器 |
| JP2007318701A (ja) * | 2006-03-23 | 2007-12-06 | Hitachi Metals Ltd | チップアンテナ、アンテナ装置および通信機器 |
| JP2008005124A (ja) * | 2006-06-21 | 2008-01-10 | Hitachi Metals Ltd | 携帯通信機器 |
| JP2009170704A (ja) * | 2008-01-17 | 2009-07-30 | Hitachi Metals Ltd | フェライト焼結体および磁性体アンテナ |
| WO2012074238A2 (ko) * | 2010-12-03 | 2012-06-07 | 주식회사 이엠따블유 | 와이형 페라이트 및 이로 제조된 페라이트 성형체 |
Citations (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05226139A (ja) * | 1992-02-14 | 1993-09-03 | Murata Mfg Co Ltd | 酸化物磁性材料 |
| JPH08148338A (ja) * | 1994-11-18 | 1996-06-07 | Taiyo Yuden Co Ltd | 積層チップインダクタとその製造方法 |
| JPH09129433A (ja) * | 1995-10-31 | 1997-05-16 | Tokin Corp | 軟磁性六方晶フェライト |
| JPH09167703A (ja) * | 1995-12-15 | 1997-06-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | マイクロ波用磁性体材料およびこれを用いた高周波回路部品 |
| JPH09246031A (ja) * | 1996-03-11 | 1997-09-19 | Osamu Kimura | 高周波用磁性材料 |
| JP2691715B2 (ja) * | 1987-07-01 | 1997-12-17 | ティーディーケイ株式会社 | フェライト焼結体、チップインダクタおよびｌｃ複合部品 |
| JPH10163018A (ja) * | 1996-11-30 | 1998-06-19 | Samsung Electro Mech Co Ltd | インダクター用軟磁性材料およびそれを用いたインダクターの製造方法 |
| JPH10335133A (ja) * | 1997-05-30 | 1998-12-18 | Osamu Kimura | 高周波用磁性材料 |
| JPH11243006A (ja) * | 1998-02-25 | 1999-09-07 | Murata Mfg Co Ltd | 磁性体磁器組成物およびそれを用いたインダクタ部品 |
| JP2000208316A (ja) * | 1999-01-11 | 2000-07-28 | Tdk Corp | 磁性フェライト材料、積層型チップフェライト部品および複合積層型部品 |
| JP2000272961A (ja) * | 1999-01-18 | 2000-10-03 | Osamu Kimura | 高周波用磁性材料 |
| JP2000323320A (ja) * | 1999-03-09 | 2000-11-24 | Tdk Corp | 軟磁性フェライト粉末の製造方法および積層チップインダクタの製造方法 |
| JP2001006915A (ja) * | 1999-06-23 | 2001-01-12 | Osamu Kimura | 高周波用磁性材料 |
| JP2002015913A (ja) * | 2000-04-28 | 2002-01-18 | Tdk Corp | 磁性フェライト粉末、磁性フェライト焼結体、積層型フェライト部品および積層型フェライト部品の製造方法 |
| JP2002068830A (ja) * | 2000-09-01 | 2002-03-08 | Murata Mfg Co Ltd | 六方晶ｙ型酸化物磁性材料およびインダクタ素子 |
| JP2002246224A (ja) * | 2001-02-14 | 2002-08-30 | Toda Kogyo Corp | 軟磁性シート |
| JP2002252109A (ja) * | 2001-02-23 | 2002-09-06 | Tdk Corp | 磁性フェライト材料および積層型フェライト部品 |
| JP2004143042A (ja) * | 2003-12-16 | 2004-05-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | マイクロ波用磁性体材料とその製造方法およびこれを用いた高周波回路部品 |
-
2001
- 2001-03-01 JP JP2001056413A patent/JP4074440B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2691715B2 (ja) * | 1987-07-01 | 1997-12-17 | ティーディーケイ株式会社 | フェライト焼結体、チップインダクタおよびｌｃ複合部品 |
| JPH05226139A (ja) * | 1992-02-14 | 1993-09-03 | Murata Mfg Co Ltd | 酸化物磁性材料 |
| JPH08148338A (ja) * | 1994-11-18 | 1996-06-07 | Taiyo Yuden Co Ltd | 積層チップインダクタとその製造方法 |
| JPH09129433A (ja) * | 1995-10-31 | 1997-05-16 | Tokin Corp | 軟磁性六方晶フェライト |
| JPH09167703A (ja) * | 1995-12-15 | 1997-06-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | マイクロ波用磁性体材料およびこれを用いた高周波回路部品 |
| JPH09246031A (ja) * | 1996-03-11 | 1997-09-19 | Osamu Kimura | 高周波用磁性材料 |
| JPH10163018A (ja) * | 1996-11-30 | 1998-06-19 | Samsung Electro Mech Co Ltd | インダクター用軟磁性材料およびそれを用いたインダクターの製造方法 |
| JPH10335133A (ja) * | 1997-05-30 | 1998-12-18 | Osamu Kimura | 高周波用磁性材料 |
| JPH11243006A (ja) * | 1998-02-25 | 1999-09-07 | Murata Mfg Co Ltd | 磁性体磁器組成物およびそれを用いたインダクタ部品 |
| JP2000208316A (ja) * | 1999-01-11 | 2000-07-28 | Tdk Corp | 磁性フェライト材料、積層型チップフェライト部品および複合積層型部品 |
| JP2000272961A (ja) * | 1999-01-18 | 2000-10-03 | Osamu Kimura | 高周波用磁性材料 |
| JP2000323320A (ja) * | 1999-03-09 | 2000-11-24 | Tdk Corp | 軟磁性フェライト粉末の製造方法および積層チップインダクタの製造方法 |
| JP2001006915A (ja) * | 1999-06-23 | 2001-01-12 | Osamu Kimura | 高周波用磁性材料 |
| JP2002015913A (ja) * | 2000-04-28 | 2002-01-18 | Tdk Corp | 磁性フェライト粉末、磁性フェライト焼結体、積層型フェライト部品および積層型フェライト部品の製造方法 |
| JP2002068830A (ja) * | 2000-09-01 | 2002-03-08 | Murata Mfg Co Ltd | 六方晶ｙ型酸化物磁性材料およびインダクタ素子 |
| JP2002246224A (ja) * | 2001-02-14 | 2002-08-30 | Toda Kogyo Corp | 軟磁性シート |
| JP2002252109A (ja) * | 2001-02-23 | 2002-09-06 | Tdk Corp | 磁性フェライト材料および積層型フェライト部品 |
| JP2004143042A (ja) * | 2003-12-16 | 2004-05-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | マイクロ波用磁性体材料とその製造方法およびこれを用いた高周波回路部品 |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003342061A (ja) * | 2002-05-24 | 2003-12-03 | Osamu Kimura | 高周波用磁性材料 |
| WO2006064839A1 (ja) * | 2004-12-17 | 2006-06-22 | Hitachi Metals, Ltd. | 六方晶フェライト並びにそれを用いたアンテナ及び通信機器 |
| US7651626B2 (en) | 2004-12-17 | 2010-01-26 | Hitachi Metals, Ltd. | Hexagonal ferrite, antenna using the same and communication apparatus |
| JP2007318701A (ja) * | 2006-03-23 | 2007-12-06 | Hitachi Metals Ltd | チップアンテナ、アンテナ装置および通信機器 |
| JP2008005124A (ja) * | 2006-06-21 | 2008-01-10 | Hitachi Metals Ltd | 携帯通信機器 |
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