JPH05326242A - フェライト焼結体、チップインダクタ部品、複合積層部品および磁心 - Google Patents
フェライト焼結体、チップインダクタ部品、複合積層部品および磁心Info
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- JPH05326242A JPH05326242A JP4148517A JP14851792A JPH05326242A JP H05326242 A JPH05326242 A JP H05326242A JP 4148517 A JP4148517 A JP 4148517A JP 14851792 A JP14851792 A JP 14851792A JP H05326242 A JPH05326242 A JP H05326242A
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- ferrite
- component
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 原料段階におけるＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系、Ｎｉ
−Ｃｕ系、Ｎｉ−Ｚｎ系あるいはＣｕ−Ｚｎ系のフェラ
イトに、ＰがＰ換算で８〜９０ppm の範囲内で添加され
ているフェライト焼結体である。また、フェライト磁性
層と内部導体とを積層して構成されるインダクタ部を有
するチップインダクタ部品であって、前記フェライト磁
性層が上記フェライト焼結体で構成されているチップイ
ンダクタ部品、およびこのチップインダクタ部品を少な
くとも有する複合積層部品である、さらに、この焼結体
から構成されている磁心である。 【効果】 磁心および積層型チップインダクタにおける
μｉ、ＬおよびＱの高い値に保持され、また磁心のパワ
ーロスの値も小さく維持することができる。
−Ｃｕ系、Ｎｉ−Ｚｎ系あるいはＣｕ−Ｚｎ系のフェラ
イトに、ＰがＰ換算で８〜９０ppm の範囲内で添加され
ているフェライト焼結体である。また、フェライト磁性
層と内部導体とを積層して構成されるインダクタ部を有
するチップインダクタ部品であって、前記フェライト磁
性層が上記フェライト焼結体で構成されているチップイ
ンダクタ部品、およびこのチップインダクタ部品を少な
くとも有する複合積層部品である、さらに、この焼結体
から構成されている磁心である。 【効果】 磁心および積層型チップインダクタにおける
μｉ、ＬおよびＱの高い値に保持され、また磁心のパワ
ーロスの値も小さく維持することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、各種磁性材料として用
いられるフェライト焼結体、この焼結体を磁性材料とし
て用いるチップインダクタ、ＬＣ複合部品等の複合積層
部品および磁心に関する。
いられるフェライト焼結体、この焼結体を磁性材料とし
て用いるチップインダクタ、ＬＣ複合部品等の複合積層
部品および磁心に関する。
【０００２】
【従来の技術】各種フェライトが、その優れた磁気特性
から各種磁心材料や複合積層部品として用いられてい
る。
から各種磁心材料や複合積層部品として用いられてい
る。
【０００３】積層ＬＣ複合部品は、セラミック誘電体層
と内部電極層とを積層して構成されるコンデンサチップ
体と、フェライト磁性層と内部導体とを積層して構成さ
れるインダクタチップ体とを一体的に形成したものであ
る。
と内部電極層とを積層して構成されるコンデンサチップ
体と、フェライト磁性層と内部導体とを積層して構成さ
れるインダクタチップ体とを一体的に形成したものであ
る。
【０００４】このような複合積層部品は、体積が小さい
こと、堅牢性および信頼性が高いことなどから、各種電
子機器に多用されている。
こと、堅牢性および信頼性が高いことなどから、各種電
子機器に多用されている。
【０００５】これらの部品、例えばＬＣ複合部品は、通
常、内部導体用ペースト、磁性層用ペースト、誘電体層
用ペーストおよび内部電極層用ペーストを厚膜技術によ
って積層一体化した後、焼成し、得られた焼結体表面に
外部電極用ペーストを印刷ないし転写した後、焼成する
ことにより製造される。この場合、磁性層に用いられる
磁性材料としては、低温焼成が可能であることからＮｉ
−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライトやＮｉ−Ｚｎ系フェライトが
一般に用いられている。
常、内部導体用ペースト、磁性層用ペースト、誘電体層
用ペーストおよび内部電極層用ペーストを厚膜技術によ
って積層一体化した後、焼成し、得られた焼結体表面に
外部電極用ペーストを印刷ないし転写した後、焼成する
ことにより製造される。この場合、磁性層に用いられる
磁性材料としては、低温焼成が可能であることからＮｉ
−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライトやＮｉ−Ｚｎ系フェライトが
一般に用いられている。
【０００６】しかし、チップインダクタの磁性材料とし
て、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系等のフェライトを用いる場合、
その原料としての酸化ニッケルや酸化鉄の種類、すなわ
ちそれらが高純度であるか否か、特に不純物Ｐ2 Ｏ5 が
どの程度含有されているかに応じて、インダクタンスＬ
やＱが大いに影響されることが判明した。このような傾
向は上記原料を磁心に用いた場合にも現れた。
て、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系等のフェライトを用いる場合、
その原料としての酸化ニッケルや酸化鉄の種類、すなわ
ちそれらが高純度であるか否か、特に不純物Ｐ2 Ｏ5 が
どの程度含有されているかに応じて、インダクタンスＬ
やＱが大いに影響されることが判明した。このような傾
向は上記原料を磁心に用いた場合にも現れた。
【０００７】本発明者らはこのような現象につき検討を
行なったところ、フェライト原料中に含まれるＰの含有
量を特定範囲に制御することにより、磁心やチップイン
ダクタにおけるμｉ、ＬおよびＱの特性を維持または向
上させることができることを突き止めた。
行なったところ、フェライト原料中に含まれるＰの含有
量を特定範囲に制御することにより、磁心やチップイン
ダクタにおけるμｉ、ＬおよびＱの特性を維持または向
上させることができることを突き止めた。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、フェ
ライト焼結体におけるフェライト中のＰの含有量を所定
範囲内に設定して、μｉ、ＬおよびＱを高い値に保持す
ることにある。
ライト焼結体におけるフェライト中のＰの含有量を所定
範囲内に設定して、μｉ、ＬおよびＱを高い値に保持す
ることにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】このような目的は、下記
（１）〜（５）の本発明によって達成される。 （１）Ｎｉ、ＣｕおよびＺｎの２種または３種を含むフ
ェライト焼結体であって、原料段階におけるフェライト
にＰがＰ換算で８〜９０ppm の範囲内で添加されている
ことを特徴とするフェライト焼結体。
（１）〜（５）の本発明によって達成される。 （１）Ｎｉ、ＣｕおよびＺｎの２種または３種を含むフ
ェライト焼結体であって、原料段階におけるフェライト
にＰがＰ換算で８〜９０ppm の範囲内で添加されている
ことを特徴とするフェライト焼結体。
【００１０】（２）フェライトの組成がＦｅ2 Ｏ3 ：４
０〜５２ｍｏｌ％、ＮｉＯ：０〜５０ｍｏｌ％、Ｃｕ
Ｏ：０〜２０ｍｏｌ％およびＺｎＯ：０〜５０ｍｏｌ％
である上記（１）のフェライト焼結体。
０〜５２ｍｏｌ％、ＮｉＯ：０〜５０ｍｏｌ％、Ｃｕ
Ｏ：０〜２０ｍｏｌ％およびＺｎＯ：０〜５０ｍｏｌ％
である上記（１）のフェライト焼結体。
【００１１】（３）フェライト磁性層と内部導体とを積
層して構成されるインダクタ部を有するチップインダク
タ部品であって、前記フェライト磁性層が上記（１）の
フェライト焼結体で構成されていることを特徴とするチ
ップインダクタ部品。
層して構成されるインダクタ部を有するチップインダク
タ部品であって、前記フェライト磁性層が上記（１）の
フェライト焼結体で構成されていることを特徴とするチ
ップインダクタ部品。
【００１２】（４）フェライト磁性層と内部導体とを積
層して構成されるチップインダクタ部を少なくとも有す
る複合積層部品であって、前記フェライト磁性層が上記
（１）のフェライト焼結体で構成されていることを特徴
とする複合積層部品。
層して構成されるチップインダクタ部を少なくとも有す
る複合積層部品であって、前記フェライト磁性層が上記
（１）のフェライト焼結体で構成されていることを特徴
とする複合積層部品。
【００１３】（５）上記（１）のフェライト焼結体で構
成されていることを特徴とする磁心。
成されていることを特徴とする磁心。
【００１４】
【作用】本発明のフェライト焼結体は、原料となるフェ
ライト成分中のＰ成分の含有量がＰ換算で８〜９０ppm
、好ましくは１０〜８０ppm であることを必要とす
る。このＰ成分の含有量が９０ppm を超えている場合に
は、μｉやＬの顕著な低下を来たすことになる。一方、
Ｐの含有量が８ppm 未満でもμｉ、ＬおよびＱの低下を
招くこととなり、好ましくない。なお、Ｐ成分は、一般
にＰ2 Ｏ5 として混入される。このようなフェライト焼
結体を用いたフェライトチップインダクタ部品を少なく
とも有する複合積層部品は、優れた性能を有し、電子部
品として多くの用途を有し得るものである。なお、磁性
層中のＰは、磁性層を分離し、これを粉砕したのち、こ
れを蛍光Ｘ線分析して算出すればよい。
ライト成分中のＰ成分の含有量がＰ換算で８〜９０ppm
、好ましくは１０〜８０ppm であることを必要とす
る。このＰ成分の含有量が９０ppm を超えている場合に
は、μｉやＬの顕著な低下を来たすことになる。一方、
Ｐの含有量が８ppm 未満でもμｉ、ＬおよびＱの低下を
招くこととなり、好ましくない。なお、Ｐ成分は、一般
にＰ2 Ｏ5 として混入される。このようなフェライト焼
結体を用いたフェライトチップインダクタ部品を少なく
とも有する複合積層部品は、優れた性能を有し、電子部
品として多くの用途を有し得るものである。なお、磁性
層中のＰは、磁性層を分離し、これを粉砕したのち、こ
れを蛍光Ｘ線分析して算出すればよい。
【００１５】
【具体的構成】以下、本発明の具体的構成について詳細
に説明する。本発明の複合積層部品の好適実施例である
積層ＬＣ複合部品を図１に示す。
に説明する。本発明の複合積層部品の好適実施例である
積層ＬＣ複合部品を図１に示す。
【００１６】図１に示される本発明の一例ＬＣ複合部品
１は、セラミック誘電体層２１と内部電極層２５とを積
層して構成されるコンデンサチップ体２と、フェライト
磁性層３１と内部導体３５とを積層して構成されるイン
ダクタチップ体３とを一体化したものであり、表面に外
部電極５１を有する。
１は、セラミック誘電体層２１と内部電極層２５とを積
層して構成されるコンデンサチップ体２と、フェライト
磁性層３１と内部導体３５とを積層して構成されるイン
ダクタチップ体３とを一体化したものであり、表面に外
部電極５１を有する。
【００１７】インダクタチップ体３のフェライト磁性層
３１の材質としては、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト等
のＮｉ、Ｃｕ、Ｚｎの２種または３種を主成分とするフ
ェライトを用いる。
３１の材質としては、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト等
のＮｉ、Ｃｕ、Ｚｎの２種または３種を主成分とするフ
ェライトを用いる。
【００１８】また、本発明で用いるフェライトは、Ｎｉ
−Ｃｕ−Ｚｎ、Ｎｉ−Ｃｕ、Ｎｉ−Ｚｎ、Ｃｕ−Ｚｎの
いずれかであれば、それ以外に特に制限はなく、目的に
応じて種々の組成のものを選択すればよいが、Ｆｅ2 Ｏ
3 ：４０〜５２ｍｏｌ％、特に４５〜５０ｍｏｌ％、Ｎ
ｉＯ：０〜５０ｍｏｌ％、ＣｕＯ：０〜２０ｍｏｌ％、
特に５〜２０ｍｏｌ％およびＺｎＯ：０〜５０ｍｏｌ
％、特に０〜３５ｍｏｌ％であることが好ましい。
−Ｃｕ−Ｚｎ、Ｎｉ−Ｃｕ、Ｎｉ−Ｚｎ、Ｃｕ−Ｚｎの
いずれかであれば、それ以外に特に制限はなく、目的に
応じて種々の組成のものを選択すればよいが、Ｆｅ2 Ｏ
3 ：４０〜５２ｍｏｌ％、特に４５〜５０ｍｏｌ％、Ｎ
ｉＯ：０〜５０ｍｏｌ％、ＣｕＯ：０〜２０ｍｏｌ％、
特に５〜２０ｍｏｌ％およびＺｎＯ：０〜５０ｍｏｌ
％、特に０〜３５ｍｏｌ％であることが好ましい。
【００１９】この他、Ｃｏ、Ｍｎ等が全体の５wt% 程度
以下含有されていてもよく、またＣａ、Ｓｉ、Ｂｉ、
Ｖ、Ｐｂ等が１wt% 程度以下含有されていてもよい。
以下含有されていてもよく、またＣａ、Ｓｉ、Ｂｉ、
Ｖ、Ｐｂ等が１wt% 程度以下含有されていてもよい。
【００２０】本発明において、内部導体３５を構成する
導電材は、インダクタとして実用的なＱを得るためには
抵抗率の小さいことが必要であるので、Ａｇを主体とす
る導電材を用いることが好ましい。この際、銀の含有量
が９０重量％以上のもの、特に純度９９．９重量％以上
の純銀を用いることが好ましい。このように、特に純銀
を用いることにより比抵抗をきわめて小さくすることが
できる。
導電材は、インダクタとして実用的なＱを得るためには
抵抗率の小さいことが必要であるので、Ａｇを主体とす
る導電材を用いることが好ましい。この際、銀の含有量
が９０重量％以上のもの、特に純度９９．９重量％以上
の純銀を用いることが好ましい。このように、特に純銀
を用いることにより比抵抗をきわめて小さくすることが
できる。
【００２１】ＬＣ複合部品１のインダクタチップ体３
は、従来公知の構造とすればよく、外形は通常ほぼ直方
体状の形状とする。そして図１に示されるように、内部
導体３５は磁性層３１内にて通常スパイラル状に配置さ
れて内部巻線を構成し、その両端部は各外部電極５１、
５１に接続されている。このような場合、内部導体３５
の巻線パターン、すなわち閉磁路形状は種々のパターン
とすることができ、またその巻数も用途に応じ適宜選択
すればよい。また、インダクタチップ体３の各部寸法等
には制限はなく、用途に応じ適宜選択すればよい。
は、従来公知の構造とすればよく、外形は通常ほぼ直方
体状の形状とする。そして図１に示されるように、内部
導体３５は磁性層３１内にて通常スパイラル状に配置さ
れて内部巻線を構成し、その両端部は各外部電極５１、
５１に接続されている。このような場合、内部導体３５
の巻線パターン、すなわち閉磁路形状は種々のパターン
とすることができ、またその巻数も用途に応じ適宜選択
すればよい。また、インダクタチップ体３の各部寸法等
には制限はなく、用途に応じ適宜選択すればよい。
【００２２】なお、内部導体３５の厚さは、通常５〜３
０μm 程度、巻線ピッチは通常１０〜４００μm 程度、
巻数は通常１．５〜５０．５ターン程度とされる。ま
た、磁性層３１のベース厚は通常１００〜５００μm 程
度、内部導体３５、３５間の磁性層厚は通常１０〜１０
０μm 程度とする。
０μm 程度、巻線ピッチは通常１０〜４００μm 程度、
巻数は通常１．５〜５０．５ターン程度とされる。ま
た、磁性層３１のベース厚は通常１００〜５００μm 程
度、内部導体３５、３５間の磁性層厚は通常１０〜１０
０μm 程度とする。
【００２３】コンデンサチップ体２のセラミック誘電体
層２１には特に制限がなく種々の誘電体材料を用いてよ
いが、焼成温度が低いことから、酸化チタン系誘電体を
用いることが好ましい。また、その他、チタン酸系複合
酸化物、ジルコン酸系複合酸化物、あるいはこれらの混
合物を用いることもできる。また、焼成温度を低下させ
るために、ホウケイ酸ガラス等のガラスを含有させても
よい。
層２１には特に制限がなく種々の誘電体材料を用いてよ
いが、焼成温度が低いことから、酸化チタン系誘電体を
用いることが好ましい。また、その他、チタン酸系複合
酸化物、ジルコン酸系複合酸化物、あるいはこれらの混
合物を用いることもできる。また、焼成温度を低下させ
るために、ホウケイ酸ガラス等のガラスを含有させても
よい。
【００２４】具体的には、酸化チタン系としては、必要
に応じＮｉＯ、ＣｕＯ、Ｍｎ3 Ｏ4、Ａｌ2 Ｏ3、Ｍｇ
Ｏ、ＳｉＯ2 等、特にＣｕＯを含むＴｉＯ2 等が、チタ
ン酸系複合酸化物としては、ＢａＴｉＯ3 、ＳｒＴｉＯ
3、ＣａＴｉＯ3 、ＭｇＴｉＯ3やこれらの混合物等が、
ジルコン酸系複合酸化物としては、ＢａＺｒＯ3 、Ｓｒ
ＺｒＯ3 、ＣａＺｒＯ3 、ＭｇＺｒＯ3 やこれらの混合
物等が挙げられる。
に応じＮｉＯ、ＣｕＯ、Ｍｎ3 Ｏ4、Ａｌ2 Ｏ3、Ｍｇ
Ｏ、ＳｉＯ2 等、特にＣｕＯを含むＴｉＯ2 等が、チタ
ン酸系複合酸化物としては、ＢａＴｉＯ3 、ＳｒＴｉＯ
3、ＣａＴｉＯ3 、ＭｇＴｉＯ3やこれらの混合物等が、
ジルコン酸系複合酸化物としては、ＢａＺｒＯ3 、Ｓｒ
ＺｒＯ3 、ＣａＺｒＯ3 、ＭｇＺｒＯ3 やこれらの混合
物等が挙げられる。
【００２５】本発明において、内部電極層２５を構成す
る導電材に特に制限はなく、Ａｇ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、
Ｃｕ、Ｎｉや、例えばＡｇ−Ｐｄ合金など、これらを１
種以上含有する合金等から選択すればよいが、特にＡ
ｇ、Ａｇ−Ｐｄ合金などのＡｇ合金等が好適である。
る導電材に特に制限はなく、Ａｇ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、
Ｃｕ、Ｎｉや、例えばＡｇ−Ｐｄ合金など、これらを１
種以上含有する合金等から選択すればよいが、特にＡ
ｇ、Ａｇ−Ｐｄ合金などのＡｇ合金等が好適である。
【００２６】ＬＣ複合部品１のコンデンサチップ体２
は、従来公知の構造とすればよく、外形は通常ほぼ直方
体状の形状とする。そして図１に示されるように、内部
電極層２５の一端は外部電極５１に接続されている。コ
ンデンサチップ体２の各部寸法等には特に制限はなく、
用途等に応じ適宜選択すればよい。
は、従来公知の構造とすればよく、外形は通常ほぼ直方
体状の形状とする。そして図１に示されるように、内部
電極層２５の一端は外部電極５１に接続されている。コ
ンデンサチップ体２の各部寸法等には特に制限はなく、
用途等に応じ適宜選択すればよい。
【００２７】なお、誘電体層２１の積層数は目的に応じ
て定めればよいが、通常１〜１００程度である。また、
誘電体層２１の一層あたりの厚さは、通常２０〜１５０
μm程度であり、内部電極層２５の一層あたりの厚さ
は、通常５〜３０μm 程度である。
て定めればよいが、通常１〜１００程度である。また、
誘電体層２１の一層あたりの厚さは、通常２０〜１５０
μm程度であり、内部電極層２５の一層あたりの厚さ
は、通常５〜３０μm 程度である。
【００２８】本発明のＬＣ複合部品１の外部電極５１を
構成する導電材に特に制限はなく、例えば、Ａｇ、Ｐ
ｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｃｕ、ＮｉやＡｇ−Ｐｄ合金などのこ
れらを１種以上含有する合金等から選択すればよいが、
特にＡｇ、Ａｇ−Ｐｄ合金などのＡｇ合金等が好適であ
る。また、外部電極５１の形状や寸法等には特に制限が
なく、目的や用途等に応じて適宜決定すればよいが、厚
さは、通常１００〜２５００μm 程度である。
構成する導電材に特に制限はなく、例えば、Ａｇ、Ｐ
ｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｃｕ、ＮｉやＡｇ−Ｐｄ合金などのこ
れらを１種以上含有する合金等から選択すればよいが、
特にＡｇ、Ａｇ−Ｐｄ合金などのＡｇ合金等が好適であ
る。また、外部電極５１の形状や寸法等には特に制限が
なく、目的や用途等に応じて適宜決定すればよいが、厚
さは、通常１００〜２５００μm 程度である。
【００２９】本発明のＬＣ複合部品１の寸法には特に制
限がなく、目的や用途等に応じて適宜選択すればよい
が、通常（１．６〜１０．０mm）×（０．８〜１５．０
mm）×（１．０〜５．０mm）程度である。
限がなく、目的や用途等に応じて適宜選択すればよい
が、通常（１．６〜１０．０mm）×（０．８〜１５．０
mm）×（１．０〜５．０mm）程度である。
【００３０】本発明の複合積層部品は、前述したＬＣ複
合部品に限定されるものではなく、前述した構成を一部
に有するものであれば、この他各種の複合積層部品であ
ってもよい。本発明のＬＣ複合部品１等の複合積層部品
は、ペーストを用いた通常の印刷法やシート法により製
造することができる。
合部品に限定されるものではなく、前述した構成を一部
に有するものであれば、この他各種の複合積層部品であ
ってもよい。本発明のＬＣ複合部品１等の複合積層部品
は、ペーストを用いた通常の印刷法やシート法により製
造することができる。
【００３１】フェライト磁性層用ペーストは、次のよう
にして作製する。まず、フェライトの原料粉末、例えば
ＮｉＯ、ＺｎＯ、ＣｕＯ、Ｆｅ2 Ｏ3 等の各種粉末を、
所定量ボールミル等により湿式混合する。この際、本発
明の範囲に設定された所定量のＰ2 Ｏ5 を同時に添加し
て一緒に混合する。用いる原料粉末の粒径は０．１〜１
０μm 程度とする。また、原料粉末のＰは、前記の化学
分析によって容易に測定することができる。
にして作製する。まず、フェライトの原料粉末、例えば
ＮｉＯ、ＺｎＯ、ＣｕＯ、Ｆｅ2 Ｏ3 等の各種粉末を、
所定量ボールミル等により湿式混合する。この際、本発
明の範囲に設定された所定量のＰ2 Ｏ5 を同時に添加し
て一緒に混合する。用いる原料粉末の粒径は０．１〜１
０μm 程度とする。また、原料粉末のＰは、前記の化学
分析によって容易に測定することができる。
【００３２】こうして湿式混合したものを、通常スプレ
ードライヤーにより乾燥し、その後仮焼する。これを通
常は、ボールミルで粉体粒径０．０１〜０．５μm 程度
の粒径となるまで湿式粉砕し、スプレードライヤーによ
り乾燥する。
ードライヤーにより乾燥し、その後仮焼する。これを通
常は、ボールミルで粉体粒径０．０１〜０．５μm 程度
の粒径となるまで湿式粉砕し、スプレードライヤーによ
り乾燥する。
【００３３】得られたフェライト粉末を、エチルセルロ
ース等のバインダと、テルピネオール、ブチルカルビト
ール等の溶剤と混練してペースト化する。
ース等のバインダと、テルピネオール、ブチルカルビト
ール等の溶剤と混練してペースト化する。
【００３４】なお、磁性層用ペースト中には、必要に応
じて各種ガラスや酸化物を含有させることができる。
じて各種ガラスや酸化物を含有させることができる。
【００３５】セラミック誘電体層用ペーストの構成に特
に制限はなく、上記したようなフェライト誘電体層の組
成に応じて各種誘電体材料あるいは焼成により誘電体と
なる原料粉末を選択し、各種バインダおよび溶剤と混練
して調製すればよい。
に制限はなく、上記したようなフェライト誘電体層の組
成に応じて各種誘電体材料あるいは焼成により誘電体と
なる原料粉末を選択し、各種バインダおよび溶剤と混練
して調製すればよい。
【００３６】原料粉末としては、通常、酸化チタン系お
よびチタン酸系複合酸化物等を構成する酸化物を用いれ
ばよく、対応する酸化物誘電体の組成に応じ、Ｔｉ、Ｂ
ａ、Ｓｒ、Ｃａ、Ｚｒ等の酸化物を用いればよい。また
これらは焼成により酸化物になる化合物、例えば炭酸
塩、硫酸塩、硝酸塩、シュウ酸塩、有機金属化合物等を
用いてもよい。これらの原料粉末は、通常、平均粒子径
０．１〜５μm 程度のものが用いられる。また、必要に
応じ、各種ガラスが含有されていてもよい。また、焼結
助剤等として、必要に応じて各種ガラスや酸化物を含有
させてもよい。
よびチタン酸系複合酸化物等を構成する酸化物を用いれ
ばよく、対応する酸化物誘電体の組成に応じ、Ｔｉ、Ｂ
ａ、Ｓｒ、Ｃａ、Ｚｒ等の酸化物を用いればよい。また
これらは焼成により酸化物になる化合物、例えば炭酸
塩、硫酸塩、硝酸塩、シュウ酸塩、有機金属化合物等を
用いてもよい。これらの原料粉末は、通常、平均粒子径
０．１〜５μm 程度のものが用いられる。また、必要に
応じ、各種ガラスが含有されていてもよい。また、焼結
助剤等として、必要に応じて各種ガラスや酸化物を含有
させてもよい。
【００３７】内部導体用ペースト、内部電極層用ペース
ト、および外部電極用ペーストは、それぞれ、上記した
各種導電性金属、合金、あるいは焼成後に上記した導電
材となる各種酸化物、有機金属化合物、レジネート等
と、上記した各種バインダおよび溶剤とを混練して作製
する。
ト、および外部電極用ペーストは、それぞれ、上記した
各種導電性金属、合金、あるいは焼成後に上記した導電
材となる各種酸化物、有機金属化合物、レジネート等
と、上記した各種バインダおよび溶剤とを混練して作製
する。
【００３８】上記した各ペースト中のバインダおよび溶
剤の含有量に特に制限はなく、通常の含有量、例えば、
バインダは１〜５wt% 程度、溶剤は１０〜５０wt% 程度
とすればよい。また、各ペースト中には、必要に応じて
各種分散剤、可塑剤、誘電体、絶縁体等から選択される
添加物が含有されていてもよい。これらの総含有量は、
１０wt% 以下であることが好ましい。
剤の含有量に特に制限はなく、通常の含有量、例えば、
バインダは１〜５wt% 程度、溶剤は１０〜５０wt% 程度
とすればよい。また、各ペースト中には、必要に応じて
各種分散剤、可塑剤、誘電体、絶縁体等から選択される
添加物が含有されていてもよい。これらの総含有量は、
１０wt% 以下であることが好ましい。
【００３９】ＬＣ複合部品１を製造するに際しては、例
えば、まず、磁性層用ペ−ストおよび内部導体用ペ−ス
トをＰＥＴ等の基板上に積層印刷する。
えば、まず、磁性層用ペ−ストおよび内部導体用ペ−ス
トをＰＥＴ等の基板上に積層印刷する。
【００４０】なお、磁性層用ペーストや誘電体層用ペー
ストを用いてグリーンシートを形成し、この上に内部導
体用ペーストや内部電極層用ペーストを印刷した後、こ
れらを積層してグリーンチップを形成してもよい。この
場合、磁性層に隣接する誘電体層は直接印刷すればよ
い。
ストを用いてグリーンシートを形成し、この上に内部導
体用ペーストや内部電極層用ペーストを印刷した後、こ
れらを積層してグリーンチップを形成してもよい。この
場合、磁性層に隣接する誘電体層は直接印刷すればよ
い。
【００４１】次いで、外部電極用ペーストをグリーンチ
ップに印刷ないし転写し、磁性層用ペースト、内部導体
用ペースト、誘電体層用ペースト、内部電極層用ペース
トおよび外部電極用ペーストを同時焼成する。また、先
にチップ体を焼成し、その後に外部電極用ペーストを印
刷して焼成することもできる。
ップに印刷ないし転写し、磁性層用ペースト、内部導体
用ペースト、誘電体層用ペースト、内部電極層用ペース
トおよび外部電極用ペーストを同時焼成する。また、先
にチップ体を焼成し、その後に外部電極用ペーストを印
刷して焼成することもできる。
【００４２】焼成温度は、８００〜９３０℃、特に８５
０〜９００℃とすることが好ましい。また、焼成時間
は、０．０５〜５時間、特に０．１〜３時間とすること
が好ましい。焼成は、ＰＯ2 ＝１〜１００％で行なう。
また、外部電極焼き付けのための焼成温度は、通常５０
０〜７００℃程度、焼成時間は、通常１０分〜３時間程
度であり、焼成は通常、空気中で行なう。
０〜９００℃とすることが好ましい。また、焼成時間
は、０．０５〜５時間、特に０．１〜３時間とすること
が好ましい。焼成は、ＰＯ2 ＝１〜１００％で行なう。
また、外部電極焼き付けのための焼成温度は、通常５０
０〜７００℃程度、焼成時間は、通常１０分〜３時間程
度であり、焼成は通常、空気中で行なう。
【００４３】本発明では、焼成時および焼成後、大気よ
り酸素を過剰に含む雰囲気中で熱処理を行なうことが好
ましい。酸素過剰雰囲気中で熱処理を行なうことによっ
て、Ｃｕ、Ｚｎ等の金属やＣｕ2 Ｏ、Ｚｎ2 Ｏ等の抵抗
が低い酸化物の形で析出した物や析出していた物をＣｕ
Ｏ、ＺｎＯ等の抵抗が高く実害のない酸化物の形で析出
させることができる。このため部品の回路抵抗がより一
層向上する。また、前記熱処理は、最後の焼成時および
最後の焼成後に行なうことが好ましい。
り酸素を過剰に含む雰囲気中で熱処理を行なうことが好
ましい。酸素過剰雰囲気中で熱処理を行なうことによっ
て、Ｃｕ、Ｚｎ等の金属やＣｕ2 Ｏ、Ｚｎ2 Ｏ等の抵抗
が低い酸化物の形で析出した物や析出していた物をＣｕ
Ｏ、ＺｎＯ等の抵抗が高く実害のない酸化物の形で析出
させることができる。このため部品の回路抵抗がより一
層向上する。また、前記熱処理は、最後の焼成時および
最後の焼成後に行なうことが好ましい。
【００４４】例えば、チップ体の焼成と外部電極を焼き
付けるための焼成とを同時に行う場合は、この焼成の時
およびこの焼成の後、チップ体の焼成後に外部電極を焼
き付けるための焼成を行なう場合は、外部電極を焼き付
ける時や外部電極を焼き付けた後に所定の熱処理を行な
うことが好ましい。なお、後者のように２度焼成を行な
う場合は、場合によっては、さらにチップ体の焼成時や
チップ体の焼成後に熱処理を行なってもよい。
付けるための焼成とを同時に行う場合は、この焼成の時
およびこの焼成の後、チップ体の焼成後に外部電極を焼
き付けるための焼成を行なう場合は、外部電極を焼き付
ける時や外部電極を焼き付けた後に所定の熱処理を行な
うことが好ましい。なお、後者のように２度焼成を行な
う場合は、場合によっては、さらにチップ体の焼成時や
チップ体の焼成後に熱処理を行なってもよい。
【００４５】熱処理雰囲気中の酸素分圧比は、２０〜１
００％、より好ましくは５０〜１００％、特に好ましく
は１００％が好ましい。前記範囲未満では、Ｃｕ、Ｚ
ｎ、Ｃｕ2 Ｏ、Ｚｎ2 Ｏ等の析出を抑制する能力が低下
する。
００％、より好ましくは５０〜１００％、特に好ましく
は１００％が好ましい。前記範囲未満では、Ｃｕ、Ｚ
ｎ、Ｃｕ2 Ｏ、Ｚｎ2 Ｏ等の析出を抑制する能力が低下
する。
【００４６】このような酸素過剰雰囲気中での熱処理
は、通常、焼成時や外部電極の焼き付け時に同時に行わ
れるため、熱処理温度や保持時間等の諸条件は、焼成条
件や外部電極焼き付け条件と同様であるが、熱処理のみ
を単独で行う場合、熱処理温度は、５５０〜９００℃、
特に、６５０〜８００℃、保持時間は０．５〜２時間、
特に１〜１．５時間とすることが好ましい。
は、通常、焼成時や外部電極の焼き付け時に同時に行わ
れるため、熱処理温度や保持時間等の諸条件は、焼成条
件や外部電極焼き付け条件と同様であるが、熱処理のみ
を単独で行う場合、熱処理温度は、５５０〜９００℃、
特に、６５０〜８００℃、保持時間は０．５〜２時間、
特に１〜１．５時間とすることが好ましい。
【００４７】なお、ＬＣ複合部品以外の複合積層部品の
場合も前記のとおり作製すればよい。このようにして製
造されたＬＣ複合部品等の本発明の複合積層部品は、外
部電極に半田付等を行なうことにより、プリント基板上
等に実装され、各種電子機器等に使用される。
場合も前記のとおり作製すればよい。このようにして製
造されたＬＣ複合部品等の本発明の複合積層部品は、外
部電極に半田付等を行なうことにより、プリント基板上
等に実装され、各種電子機器等に使用される。
【００４８】
【実施例】以下、本発明の具体的実施例を挙げ、本発明
をさらに詳細に説明する。
をさらに詳細に説明する。
【００４９】下記の各ペーストを調製した。 （磁性体層用ペースト）最終組成でＦｅ2 Ｏ3 ：４９．
０モル％、ＮｉＯ：７．５モル％、ＣｕＯ：１３．２モ
ル％およびＺｎＯ：３０．３モル％となるように原料を
混合し、同時にこれにＰ2 Ｏ5 を０〜３９０ｐｐｍ（Ｐ
として０〜１７０ｐｐｍ）の範囲で添加した。これら
は、ボールミルを用いて湿式混合し、ついで、この湿式
混合物をスプレードライヤーにより乾燥し、７００℃に
て仮焼し、顆粒として、これをボールミルにて湿式粉砕
したのちスプレードライヤーで乾燥し、最終平均粒径
０．１〜０．３μm のＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライト原料
粉末とした。
０モル％、ＮｉＯ：７．５モル％、ＣｕＯ：１３．２モ
ル％およびＺｎＯ：３０．３モル％となるように原料を
混合し、同時にこれにＰ2 Ｏ5 を０〜３９０ｐｐｍ（Ｐ
として０〜１７０ｐｐｍ）の範囲で添加した。これら
は、ボールミルを用いて湿式混合し、ついで、この湿式
混合物をスプレードライヤーにより乾燥し、７００℃に
て仮焼し、顆粒として、これをボールミルにて湿式粉砕
したのちスプレードライヤーで乾燥し、最終平均粒径
０．１〜０．３μm のＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライト原料
粉末とした。
【００５０】次いで、この原料粉末１００重量部に対
し、エチルセルロース３．８４重量部およびテルピネオ
ール７８重量部を加え、三本ロールにて混練し、ペース
トとした。
し、エチルセルロース３．８４重量部およびテルピネオ
ール７８重量部を加え、三本ロールにて混練し、ペース
トとした。
【００５１】（内部導体用ペースト）平均粒径０．８μ
m のＡｇ１００重量部に対し、エチルセルロース２．５
重量部およびテルピネオール４０重量部を加え、三本ロ
ールにて混練し、ペーストとした。
m のＡｇ１００重量部に対し、エチルセルロース２．５
重量部およびテルピネオール４０重量部を加え、三本ロ
ールにて混練し、ペーストとした。
【００５２】このようにして作製された磁性層用ペース
トと内部導体用ペーストとを印刷積層し、印刷積層法に
より、表１に示すようなＰの含有量の異なる種々の積層
積層型チップインダクタを製造した。
トと内部導体用ペーストとを印刷積層し、印刷積層法に
より、表１に示すようなＰの含有量の異なる種々の積層
積層型チップインダクタを製造した。
【００５３】この場合、焼成温度は８７０℃、焼成時間
は２時間とし、焼成雰囲気は大気中とした。
は２時間とし、焼成雰囲気は大気中とした。
【００５４】得られた積層型チップインダクタの寸法
は、４．５mm×３．２mm×１．１mm、巻数９．５ターン
とした。
は、４．５mm×３．２mm×１．１mm、巻数９．５ターン
とした。
【００５５】また、試験用に上記フェライト原料粉末を
使用して、同様の焼成条件にてトロイダルコアを製造し
た。このトロイダルコアの外径は１１．１mm、内径は
５．１mm、厚みは２．４mm、巻数は２０ターン、線径は
０．３５mmとした。
使用して、同様の焼成条件にてトロイダルコアを製造し
た。このトロイダルコアの外径は１１．１mm、内径は
５．１mm、厚みは２．４mm、巻数は２０ターン、線径は
０．３５mmとした。
【００５６】これら積層型チップインダクタおよびトロ
イダルコアについて、測定周波数４００ｋＨｚの条件に
てμｉ、Ｌ（μＨ）およびＱを求めた。また、トロイダ
ルコアについては、このパワーロスを周波数４８０ｋＨ
ｚ、磁束密度２０ｍＴの条件にて測定した。得られた結
果を表１に併記する。
イダルコアについて、測定周波数４００ｋＨｚの条件に
てμｉ、Ｌ（μＨ）およびＱを求めた。また、トロイダ
ルコアについては、このパワーロスを周波数４８０ｋＨ
ｚ、磁束密度２０ｍＴの条件にて測定した。得られた結
果を表１に併記する。
【００５７】
【表１】
【００５８】表１に示す結果から分かるように、Ｐの添
加量が本発明の範囲内のときは無添加もしくは過剰の場
合と比較して、積層型チップインダクタのＬＱ積および
トロイダルコアのμｉＱ積が向上している。また、Ｐの
添加量が本発明の範囲内のときはトロイダルコアのパワ
ーロスの値も小さくなっており、特にＰの添加量が４０
ｐｐｍのときは無添加の場合と比較して３０％も向上し
ている。よって、このことから、Ｐ成分量を特定範囲内
に規制する本発明の効果が明らかである。
加量が本発明の範囲内のときは無添加もしくは過剰の場
合と比較して、積層型チップインダクタのＬＱ積および
トロイダルコアのμｉＱ積が向上している。また、Ｐの
添加量が本発明の範囲内のときはトロイダルコアのパワ
ーロスの値も小さくなっており、特にＰの添加量が４０
ｐｐｍのときは無添加の場合と比較して３０％も向上し
ている。よって、このことから、Ｐ成分量を特定範囲内
に規制する本発明の効果が明らかである。
【００５９】
【発明の効果】本発明のフェライト焼結体は、フェライ
ト中のＰの含有量を所定範囲内に設定したことにより、
これを磁心や積層型チップインダクタに使用した場合に
は、μｉ、インダクタンスＬおよびＱが高い値に保持さ
れ、また磁心のパワーロスの値も小さく維持することが
できる。従って、このようなセラミックインダクタ部品
を少なくとも有する複合積層部品はその性能に優れ、各
種電子機器に有用である。
ト中のＰの含有量を所定範囲内に設定したことにより、
これを磁心や積層型チップインダクタに使用した場合に
は、μｉ、インダクタンスＬおよびＱが高い値に保持さ
れ、また磁心のパワーロスの値も小さく維持することが
できる。従って、このようなセラミックインダクタ部品
を少なくとも有する複合積層部品はその性能に優れ、各
種電子機器に有用である。
【図１】本発明の複合積層部品の好適実施例であるＬＣ
複合部品が示される断面図である。
複合部品が示される断面図である。
１ ＬＣ複合部品 ２ コンデンサチップ体 ２１ セラミック誘電体層 ２５ 内部電極 ３ インダクタチップ体 ３１ フェライト磁性層 ３５ 内部導体 ５１ 外部電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０４Ｂ 35/30 Ｚ Ｈ０１Ｆ 17/00 Ｄ 7129−5Ｅ 41/02 Ｄ 8019−5Ｅ
Claims (5)
- 【請求項１】 Ｎｉ、ＣｕおよびＺｎの２種または３種
を含むフェライト焼結体であって、原料段階におけるフ
ェライトにＰがＰ換算で８〜９０ppm の範囲内で添加さ
れていることを特徴とするフェライト焼結体。 - 【請求項２】 フェライトの組成がＦｅ2 Ｏ3 ：４０〜
５２ｍｏｌ％、ＮｉＯ：０〜５０ｍｏｌ％、ＣｕＯ：０
〜２０ｍｏｌ％およびＺｎＯ：０〜５０ｍｏｌ％である
請求項１のフェライト焼結体。 - 【請求項３】 フェライト磁性層と内部導体とを積層し
て構成されるインダクタ部を有するチップインダクタ部
品であって、 前記フェライト磁性層が請求項１のフェライト焼結体で
構成されていることを特徴とするチップインダクタ部
品。 - 【請求項４】 フェライト磁性層と内部導体とを積層し
て構成されるチップインダクタ部を少なくとも有する複
合積層部品であって、 前記フェライト磁性層が請求項１のフェライト焼結体で
構成されていることを特徴とする複合積層部品。 - 【請求項５】 請求項１のフェライト焼結体で構成され
ていることを特徴とする磁心。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14851792A JP3174398B2 (ja) | 1992-05-15 | 1992-05-15 | フェライト焼結体、チップインダクタ部品、複合積層部品および磁心 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14851792A JP3174398B2 (ja) | 1992-05-15 | 1992-05-15 | フェライト焼結体、チップインダクタ部品、複合積層部品および磁心 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05326242A true JPH05326242A (ja) | 1993-12-10 |
| JP3174398B2 JP3174398B2 (ja) | 2001-06-11 |
Family
ID=15454547
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14851792A Expired - Fee Related JP3174398B2 (ja) | 1992-05-15 | 1992-05-15 | フェライト焼結体、チップインダクタ部品、複合積層部品および磁心 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3174398B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11186815A (ja) * | 1997-10-15 | 1999-07-09 | Hitachi Metals Ltd | 高周波回路部品 |
| JP2006128608A (ja) * | 2004-09-29 | 2006-05-18 | Kyocera Corp | 電子部品とその製造方法およびこれを用いたチップ抵抗器、フェライトコア並びにインダクタ |
| US7524433B2 (en) | 2004-05-21 | 2009-04-28 | Tdk Corporation | Ferrite material |
| JP2011093776A (ja) * | 2009-11-02 | 2011-05-12 | Tdk Corp | フェライト組成物、フェライトコアおよび電子部品 |
| WO2011093489A1 (ja) * | 2010-02-01 | 2011-08-04 | 株式会社村田製作所 | 電子部品の製造方法 |
| WO2011108701A1 (ja) * | 2010-03-05 | 2011-09-09 | 株式会社 村田製作所 | セラミック電子部品、及びセラミック電子部品の製造方法 |
-
1992
- 1992-05-15 JP JP14851792A patent/JP3174398B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11186815A (ja) * | 1997-10-15 | 1999-07-09 | Hitachi Metals Ltd | 高周波回路部品 |
| US7524433B2 (en) | 2004-05-21 | 2009-04-28 | Tdk Corporation | Ferrite material |
| JP2006128608A (ja) * | 2004-09-29 | 2006-05-18 | Kyocera Corp | 電子部品とその製造方法およびこれを用いたチップ抵抗器、フェライトコア並びにインダクタ |
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| CN102741956A (zh) * | 2010-02-01 | 2012-10-17 | 株式会社村田制作所 | 电子部件的制造方法 |
| WO2011093489A1 (ja) * | 2010-02-01 | 2011-08-04 | 株式会社村田製作所 | 電子部品の製造方法 |
| US8590123B2 (en) | 2010-02-01 | 2013-11-26 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method for producing electronic component |
| JP5382144B2 (ja) * | 2010-02-01 | 2014-01-08 | 株式会社村田製作所 | 電子部品の製造方法 |
| WO2011108701A1 (ja) * | 2010-03-05 | 2011-09-09 | 株式会社 村田製作所 | セラミック電子部品、及びセラミック電子部品の製造方法 |
| CN102792395A (zh) * | 2010-03-05 | 2012-11-21 | 株式会社村田制作所 | 陶瓷电子元件及陶瓷电子元件的制造方法 |
| KR20140078715A (ko) * | 2010-03-05 | 2014-06-25 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 세라믹 전자 부품 및 세라믹 전자 부품의 제조 방법 |
| KR101475129B1 (ko) * | 2010-03-05 | 2014-12-22 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 세라믹 전자 부품 및 세라믹 전자 부품의 제조 방법 |
| US9595377B2 (en) | 2010-03-05 | 2017-03-14 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Ceramic electronic component and method for producing ceramic electronic component |
| US9741489B2 (en) | 2010-03-05 | 2017-08-22 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Ceramic electronic component and method for producing ceramic electronic component |
| EP2544200A4 (en) * | 2010-03-05 | 2017-12-13 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Ceramic electronic component and method for producing ceramic electronic component |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3174398B2 (ja) | 2001-06-11 |
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