JP3465649B2 - セラミックインダクタ部品及び複合部品 - Google Patents
セラミックインダクタ部品及び複合部品Info
- Publication number
- JP3465649B2 JP3465649B2 JP32085699A JP32085699A JP3465649B2 JP 3465649 B2 JP3465649 B2 JP 3465649B2 JP 32085699 A JP32085699 A JP 32085699A JP 32085699 A JP32085699 A JP 32085699A JP 3465649 B2 JP3465649 B2 JP 3465649B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ferrite
- ppm
- ceramic
- inductor
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims description 106
- 239000002131 composite material Substances 0.000 title claims description 27
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 claims description 83
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 36
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 claims description 24
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 24
- 229910017518 Cu Zn Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 229910017752 Cu-Zn Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 229910017943 Cu—Zn Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 229910018054 Ni-Cu Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910018481 Ni—Cu Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 claims description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 5
- -1 Alternatively Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 26
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 10
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 9
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 7
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 7
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 7
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 229910018605 Ni—Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001252 Pd alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 235000013405 beer Nutrition 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011268 mixed slurry Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F17/00—Fixed inductances of the signal type
- H01F17/02—Fixed inductances of the signal type without magnetic core
- H01F17/03—Fixed inductances of the signal type without magnetic core with ceramic former
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/26—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on ferrites
- C04B35/2666—Other ferrites containing nickel, copper or cobalt
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/26—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on ferrites
- C04B35/265—Compositions containing one or more ferrites of the group comprising manganese or zinc and one or more ferrites of the group comprising nickel, copper or cobalt
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F1/00—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties
- H01F1/01—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials
- H01F1/03—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity
- H01F1/12—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials
- H01F1/34—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials non-metallic substances, e.g. ferrites
- H01F1/342—Oxides
- H01F1/344—Ferrites, e.g. having a cubic spinel structure (X2+O)(Y23+O3), e.g. magnetite Fe3O4
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F17/00—Fixed inductances of the signal type
- H01F17/0006—Printed inductances
- H01F17/0013—Printed inductances with stacked layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/02—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for manufacturing cores, coils, or magnets
- H01F41/04—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for manufacturing cores, coils, or magnets for manufacturing coils
- H01F41/041—Printed circuit coils
- H01F41/043—Printed circuit coils by thick film techniques
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/02—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for manufacturing cores, coils, or magnets
- H01F41/04—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for manufacturing cores, coils, or magnets for manufacturing coils
- H01F41/041—Printed circuit coils
- H01F41/046—Printed circuit coils structurally combined with ferromagnetic material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3205—Alkaline earth oxides or oxide forming salts thereof, e.g. beryllium oxide
- C04B2235/3208—Calcium oxide or oxide-forming salts thereof, e.g. lime
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3231—Refractory metal oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
- C04B2235/3239—Vanadium oxides, vanadates or oxide forming salts thereof, e.g. magnesium vanadate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3262—Manganese oxides, manganates, rhenium oxides or oxide-forming salts thereof, e.g. MnO
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/327—Iron group oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
- C04B2235/3275—Cobalt oxides, cobaltates or cobaltites or oxide forming salts thereof, e.g. bismuth cobaltate, zinc cobaltite
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/327—Iron group oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
- C04B2235/3279—Nickel oxides, nickalates, or oxide-forming salts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3281—Copper oxides, cuprates or oxide-forming salts thereof, e.g. CuO or Cu2O
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3284—Zinc oxides, zincates, cadmium oxides, cadmiates, mercury oxides, mercurates or oxide forming salts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3296—Lead oxides, plumbates or oxide forming salts thereof, e.g. silver plumbate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3298—Bismuth oxides, bismuthates or oxide forming salts thereof, e.g. zinc bismuthate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/34—Non-metal oxides, non-metal mixed oxides, or salts thereof that form the non-metal oxides upon heating, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3418—Silicon oxide, silicic acids or oxide forming salts thereof, e.g. silica sol, fused silica, silica fume, cristobalite, quartz or flint
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/36—Glass starting materials for making ceramics, e.g. silica glass
- C04B2235/365—Borosilicate glass
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
- C04B2235/658—Atmosphere during thermal treatment
- C04B2235/6583—Oxygen containing atmosphere, e.g. with changing oxygen pressures
- C04B2235/6584—Oxygen containing atmosphere, e.g. with changing oxygen pressures at an oxygen percentage below that of air
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
- C04B2235/658—Atmosphere during thermal treatment
- C04B2235/6583—Oxygen containing atmosphere, e.g. with changing oxygen pressures
- C04B2235/6585—Oxygen containing atmosphere, e.g. with changing oxygen pressures at an oxygen percentage above that of air
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/72—Products characterised by the absence or the low content of specific components, e.g. alkali metal free alumina ceramics
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/72—Products characterised by the absence or the low content of specific components, e.g. alkali metal free alumina ceramics
- C04B2235/724—Halogenide content
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/72—Products characterised by the absence or the low content of specific components, e.g. alkali metal free alumina ceramics
- C04B2235/726—Sulfur content
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/74—Physical characteristics
- C04B2235/77—Density
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
- Soft Magnetic Materials (AREA)
- Manufacturing Cores, Coils, And Magnets (AREA)
- Magnetic Ceramics (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本願発明は、インダクタ部品に関
し、詳しくは、セラミック磁性体と、Ａｇを主成分とす
る電極（電極材料）を一体に焼成することにより形成さ
れたインダクタ部を有するセラミックインダクタ部品及
び複合部品に関する。
し、詳しくは、セラミック磁性体と、Ａｇを主成分とす
る電極（電極材料）を一体に焼成することにより形成さ
れたインダクタ部を有するセラミックインダクタ部品及
び複合部品に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】近年、
セラミック磁性体を用いたインダクタ部品（セラミック
インダクタ部品）が広く用いられるようになっている。
そして、このようなセラミックインダクタ部品の一つ
に、積層型セラミックインダクタ部品がある。
セラミック磁性体を用いたインダクタ部品（セラミック
インダクタ部品）が広く用いられるようになっている。
そして、このようなセラミックインダクタ部品の一つ
に、積層型セラミックインダクタ部品がある。
【０００３】この、積層型セラミックインダクタ部品
は、通常、フェライトなどを含む磁性体グリーンシート
に、内部導体となる電極をスクリーン印刷などの方法に
より形成し、この磁性体グリーンシートを積層、圧着し
て所定の条件下で焼成した後、内部導体と導通するよう
に外部電極を形成することにより製造されており、フェ
ライト系のセラミック磁性体（チップ）の内部にインダ
クタ部を構成する導体（例えばコイル部）が配設された
構造を有している。また、セラミックインダクタ部品に
は、上記のような積層型のもの以外にも、フェライト系
セラミックなどからなるコア上に導体材料を配設して焼
き付けることにより、コア上にコイル状導体を設けたも
のなどがある。
は、通常、フェライトなどを含む磁性体グリーンシート
に、内部導体となる電極をスクリーン印刷などの方法に
より形成し、この磁性体グリーンシートを積層、圧着し
て所定の条件下で焼成した後、内部導体と導通するよう
に外部電極を形成することにより製造されており、フェ
ライト系のセラミック磁性体（チップ）の内部にインダ
クタ部を構成する導体（例えばコイル部）が配設された
構造を有している。また、セラミックインダクタ部品に
は、上記のような積層型のもの以外にも、フェライト系
セラミックなどからなるコア上に導体材料を配設して焼
き付けることにより、コア上にコイル状導体を設けたも
のなどがある。
【０００４】このようなセラミックインダクタ部品を製
造する場合、セラミック磁性体に用いられる磁性材料と
しては、比較的低い温度で焼成することが可能な、Ｎｉ
−Ｃｕ−Ｚｎフェライト、Ｎｉ−Ｃｕフェライト、Ｎｉ
−Ｚｎフェライトなどが一般に用いられている。なお、
これらの低温で焼成が可能なフェライト材料が用いられ
ているのは、セラミックインダクタ部品の電気特性を向
上させる目的で、インダクタを構成する導体用の電極材
料として、電気伝導度の高いＡｇを主成分とする、低温
で焼成することが望ましい材料が用いられていることに
よる。
造する場合、セラミック磁性体に用いられる磁性材料と
しては、比較的低い温度で焼成することが可能な、Ｎｉ
−Ｃｕ−Ｚｎフェライト、Ｎｉ−Ｃｕフェライト、Ｎｉ
−Ｚｎフェライトなどが一般に用いられている。なお、
これらの低温で焼成が可能なフェライト材料が用いられ
ているのは、セラミックインダクタ部品の電気特性を向
上させる目的で、インダクタを構成する導体用の電極材
料として、電気伝導度の高いＡｇを主成分とする、低温
で焼成することが望ましい材料が用いられていることに
よる。
【０００５】しかし、セラミックインダクタを構成する
磁性体用の材料として、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライト
や、Ｎｉ−Ｚｎフェライトを用いた製品は、製造過程に
おけるわずかな要因で、特性や、製造工程における不良
率が大きく変動する傾向があり、信頼性が低いという問
題点がある。
磁性体用の材料として、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライト
や、Ｎｉ−Ｚｎフェライトを用いた製品は、製造過程に
おけるわずかな要因で、特性や、製造工程における不良
率が大きく変動する傾向があり、信頼性が低いという問
題点がある。
【０００６】本願発明は、かかる問題点を解決するもの
であり、所望の特性を具備するとともに、特性の安定性
が高く、耐久性にも優れたセラミックインダクタ部品及
び複合部品を提供することを目的とする。
であり、所望の特性を具備するとともに、特性の安定性
が高く、耐久性にも優れたセラミックインダクタ部品及
び複合部品を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】発明者等は、上述のＮｉ
−Ｃｕ−Ｚｎフェライト、Ｎｉ−Ｃｕフェライト、Ｎｉ
−Ｚｎフェライトなどを用いたセラミックインダクタに
おいて、製造過程におけるわずかな要因で発生する、特
性の変動や、製造工程における不良率の変動の理由を解
明するため、種々の実験、検討を行い、フェライト原料
に添加するＳ，Ｃｌ及びＮａの含有量を所定の範囲に調
整することにより、その電気的特性であるインダクタン
スＬやＱ値を向上させることが可能になるとともに、信
頼性評価の指標である絶縁抵抗値が上昇し、しかも、長
期間にわたって高い絶縁抵抗値が保持されることを知
り、さらに実験を重ねて本願発明を完成するに至った。
−Ｃｕ−Ｚｎフェライト、Ｎｉ−Ｃｕフェライト、Ｎｉ
−Ｚｎフェライトなどを用いたセラミックインダクタに
おいて、製造過程におけるわずかな要因で発生する、特
性の変動や、製造工程における不良率の変動の理由を解
明するため、種々の実験、検討を行い、フェライト原料
に添加するＳ，Ｃｌ及びＮａの含有量を所定の範囲に調
整することにより、その電気的特性であるインダクタン
スＬやＱ値を向上させることが可能になるとともに、信
頼性評価の指標である絶縁抵抗値が上昇し、しかも、長
期間にわたって高い絶縁抵抗値が保持されることを知
り、さらに実験を重ねて本願発明を完成するに至った。
【０００８】すなわち、本願発明（請求項１）のセラミ
ックインダクタ部品は、セラミック磁性体とＡｇを主成
分とする電極（電極材料）を一体に焼成することにより
形成されたインダクタ部を有するセラミックインダクタ
部品であって、前記セラミック磁性体がＮｉ−Ｃｕ−Ｚ
ｎフェライト、又はＮｉ−Ｃｕフェライトを含有し、か
つ、前記フェライト中のＳ，Ｃｌ及びＮａの含有量が、
それぞれ、 Ｓ ：５〜１５０ppm Ｃｌ ：５〜１５０ppm Ｎａ ：５〜１００ppm の範囲にあることを特徴としている。
ックインダクタ部品は、セラミック磁性体とＡｇを主成
分とする電極（電極材料）を一体に焼成することにより
形成されたインダクタ部を有するセラミックインダクタ
部品であって、前記セラミック磁性体がＮｉ−Ｃｕ−Ｚ
ｎフェライト、又はＮｉ−Ｃｕフェライトを含有し、か
つ、前記フェライト中のＳ，Ｃｌ及びＮａの含有量が、
それぞれ、 Ｓ ：５〜１５０ppm Ｃｌ ：５〜１５０ppm Ｎａ ：５〜１００ppm の範囲にあることを特徴としている。
【０００９】セラミック磁性体として、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚ
ｎフェライト、又はＮｉ−Ｃｕフェライトを含有するも
のを用い、かつ、フェライト中のＳ，Ｃｌ及びＮａの含
有量をＳ：５〜１５０ppm、Ｃｌ：５〜１５０ppm、Ｎ
ａ：５〜１００ppmの範囲とすることにより、必要な特
性を確実に備え、かつ、特性の安定性が高く、信頼性に
優れたセラミックインダクタ部品を提供することが可能
になる。
ｎフェライト、又はＮｉ−Ｃｕフェライトを含有するも
のを用い、かつ、フェライト中のＳ，Ｃｌ及びＮａの含
有量をＳ：５〜１５０ppm、Ｃｌ：５〜１５０ppm、Ｎ
ａ：５〜１００ppmの範囲とすることにより、必要な特
性を確実に備え、かつ、特性の安定性が高く、信頼性に
優れたセラミックインダクタ部品を提供することが可能
になる。
【００１０】フェライト中のＳ，Ｃｌ，Ｎａの含有量を
上記の範囲としたのは、Ｓ又はＣｌの含有量が上記の範
囲を超えると、電極中のＡｇのセラミック磁性体中への
拡散が進行して、インダクタンスＬ及びＱ値の著しい低
下を生じ、Ｓ又はＣｌの含有量が上記の範囲を下回る
と、インダクタンスＬ及びＱ値の低下を招くからであ
り、また、Ｎａの含有量が上記の範囲を超えると負荷試
験での絶縁抵抗の劣化を招き、上記の範囲を下回ると初
期絶縁抵抗が規定値（logＩＲ≧９）を満たさなくなる
からである。フェライト中のＳ，Ｃｌ及びＮａの含有量
のさらに好ましい範囲は、Ｓ：４０〜１２０ppm、Ｃ
ｌ：１０〜５０ppm、Ｎａ：１０〜２０ppmの範囲であ
る。なお、フェライト中のＳ，Ｃｌ及びＮａは、公知の
種々の方法で測定することが可能である。なお、フェラ
イト中において、Ｓは、Ｓ，Ｓ化合物、ＳＯ４イオンな
どの形で存在し、Ｃｌは、ＦｅＣｌ３、ＦｅＣｌ２、Ｎ
ｉＣｌ２などの形で存在する。また、Ｎａは、Ｎａ
２Ｓ，Ｎａ２ＳＯ４，Ｎａ２Ｏ，ＮａＣｌなどの形で存
在する。
上記の範囲としたのは、Ｓ又はＣｌの含有量が上記の範
囲を超えると、電極中のＡｇのセラミック磁性体中への
拡散が進行して、インダクタンスＬ及びＱ値の著しい低
下を生じ、Ｓ又はＣｌの含有量が上記の範囲を下回る
と、インダクタンスＬ及びＱ値の低下を招くからであ
り、また、Ｎａの含有量が上記の範囲を超えると負荷試
験での絶縁抵抗の劣化を招き、上記の範囲を下回ると初
期絶縁抵抗が規定値（logＩＲ≧９）を満たさなくなる
からである。フェライト中のＳ，Ｃｌ及びＮａの含有量
のさらに好ましい範囲は、Ｓ：４０〜１２０ppm、Ｃ
ｌ：１０〜５０ppm、Ｎａ：１０〜２０ppmの範囲であ
る。なお、フェライト中のＳ，Ｃｌ及びＮａは、公知の
種々の方法で測定することが可能である。なお、フェラ
イト中において、Ｓは、Ｓ，Ｓ化合物、ＳＯ４イオンな
どの形で存在し、Ｃｌは、ＦｅＣｌ３、ＦｅＣｌ２、Ｎ
ｉＣｌ２などの形で存在する。また、Ｎａは、Ｎａ
２Ｓ，Ｎａ２ＳＯ４，Ｎａ２Ｏ，ＮａＣｌなどの形で存
在する。
【００１１】また、本願発明（請求項２）のセラミック
インダクタ部品は、セラミック磁性体とＡｇを主成分と
する電極（電極材料）を一体に焼成することにより形成
されたインダクタ部を有するセラミックインダクタ部品
であって、前記セラミック磁性体がＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎフ
ェライト、又はＮｉ−Ｃｕフェライトを含有していると
ともに、前記フェライトの、焼成前の原料（フェライト
原料）として、Ｓ，Ｃｌ及びＮａの含有量が、それぞ
れ、 Ｓ ：１０〜６００ppm Ｃｌ ：１０〜６００ppm Ｎａ ：３０〜１２０ppm の範囲にあるフェライト原料が用いられており、焼成後
のフェライト中のＳ，Ｃｌ及びＮａの含有量が、それぞ
れ、 Ｓ ：５〜１５０ppm Ｃｌ ：５〜１５０ppm Ｎａ ：５〜１００ppm の範囲にあることを特徴としている。
インダクタ部品は、セラミック磁性体とＡｇを主成分と
する電極（電極材料）を一体に焼成することにより形成
されたインダクタ部を有するセラミックインダクタ部品
であって、前記セラミック磁性体がＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎフ
ェライト、又はＮｉ−Ｃｕフェライトを含有していると
ともに、前記フェライトの、焼成前の原料（フェライト
原料）として、Ｓ，Ｃｌ及びＮａの含有量が、それぞ
れ、 Ｓ ：１０〜６００ppm Ｃｌ ：１０〜６００ppm Ｎａ ：３０〜１２０ppm の範囲にあるフェライト原料が用いられており、焼成後
のフェライト中のＳ，Ｃｌ及びＮａの含有量が、それぞ
れ、 Ｓ ：５〜１５０ppm Ｃｌ ：５〜１５０ppm Ｎａ ：５〜１００ppm の範囲にあることを特徴としている。
【００１２】フェライト原料中のＳ，Ｃｌ及びＮａは焼
成時にある程度揮発して失われるが、フェライト原料と
して、Ｓ：１０〜６００ppm、Ｃｌ：１０〜６００ppm、
Ｎａ：３０〜１２０ppmの範囲にある原料を用いること
により、一般的な焼成条件で焼成した場合における、セ
ラミック磁性体に含まれるフェライト中のＳ，Ｃｌ及び
Ｎａの含有量を、Ｓ：５〜１５０ppm、Ｃｌ：５〜１５
０ppm、Ｎａ：５〜１００ppmの範囲とすることが可能に
なり、必要な特性を確実に備え、かつ、特性の安定性が
高く、信頼性に優れたセラミックインダクタ部品を提供
することが可能になり、本願発明を実効あらしめること
ができる。
成時にある程度揮発して失われるが、フェライト原料と
して、Ｓ：１０〜６００ppm、Ｃｌ：１０〜６００ppm、
Ｎａ：３０〜１２０ppmの範囲にある原料を用いること
により、一般的な焼成条件で焼成した場合における、セ
ラミック磁性体に含まれるフェライト中のＳ，Ｃｌ及び
Ｎａの含有量を、Ｓ：５〜１５０ppm、Ｃｌ：５〜１５
０ppm、Ｎａ：５〜１００ppmの範囲とすることが可能に
なり、必要な特性を確実に備え、かつ、特性の安定性が
高く、信頼性に優れたセラミックインダクタ部品を提供
することが可能になり、本願発明を実効あらしめること
ができる。
【００１３】また、請求項３のセラミックインダクタ部
品は、前記インダクタ部として、セラミック磁性体層を
介して電極層を複数枚積層するとともに、各電極層を接
続することによりセラミック磁性体中に形成された積層
型コイルを備えていることを特徴としている。
品は、前記インダクタ部として、セラミック磁性体層を
介して電極層を複数枚積層するとともに、各電極層を接
続することによりセラミック磁性体中に形成された積層
型コイルを備えていることを特徴としている。
【００１４】本願発明は、電極（導体）の構造に特別の
制約はないが、セラミック磁性体層と電極層を積層して
なる積層型コイルをインダクタ部とするセラミックイン
ダクタ部品に適用した場合には、小型で大きなインダク
タンスを得ることが可能な積層型コイルをインダクタ部
とするセラミックインダクタ部品（積層型インダクタ）
の特性の安定性や信頼性の向上を図ることが可能にな
り、特に有意義である。
制約はないが、セラミック磁性体層と電極層を積層して
なる積層型コイルをインダクタ部とするセラミックイン
ダクタ部品に適用した場合には、小型で大きなインダク
タンスを得ることが可能な積層型コイルをインダクタ部
とするセラミックインダクタ部品（積層型インダクタ）
の特性の安定性や信頼性の向上を図ることが可能にな
り、特に有意義である。
【００１５】また、本願発明（請求項４）の複合部品
は、セラミック磁性体とＡｇを主成分とする電極（電極
材料）を一体に焼成することにより形成されたインダク
タ部と、前記インダクタ部に組み合わされた少なくとも
１つの他の素子とを有する複合部品であって、前記セラ
ミック磁性体がＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライト、又はＮｉ
−Ｃｕフェライトを含有し、かつ、前記フェライト中の
Ｓ，Ｃｌ及びＮａの含有量が、それぞれ、 Ｓ ：５〜１５０ppm Ｃｌ ：５〜１５０ppm Ｎａ ：５〜１００ppm の範囲にあることを特徴としている。
は、セラミック磁性体とＡｇを主成分とする電極（電極
材料）を一体に焼成することにより形成されたインダク
タ部と、前記インダクタ部に組み合わされた少なくとも
１つの他の素子とを有する複合部品であって、前記セラ
ミック磁性体がＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライト、又はＮｉ
−Ｃｕフェライトを含有し、かつ、前記フェライト中の
Ｓ，Ｃｌ及びＮａの含有量が、それぞれ、 Ｓ ：５〜１５０ppm Ｃｌ ：５〜１５０ppm Ｎａ ：５〜１００ppm の範囲にあることを特徴としている。
【００１６】インダクタ部を含む複合部品においても、
インダクタ部を構成するセラミック磁性体として、Ｎｉ
−Ｃｕ−Ｚｎフェライト、又はＮｉ−Ｃｕフェライトを
含有するものを用い、かつ、フェライト中のＳ，Ｃｌ及
びＮａの含有量をＳ：５〜１５０ppm、Ｃｌ：５〜１５
０ppm、Ｎａ：５〜１００ppmの範囲とすることにより、
必要な特性を確実に備え、かつ、特性の安定性が高く、
信頼性に優れた複合部品を提供することが可能になる。
なお、フェライト中のＳ，Ｃｌ，Ｎａの含有量を上記の
範囲としたのは、上述の請求項１のセラミックインダク
タ部品の場合と同様の理由による。なお、フェライト中
のＳ，Ｃｌ及びＮａの含有量のさらに好ましい範囲は、
Ｓ：４０〜１２０ppm、Ｃｌ：１０〜５０ppm、Ｎａ：１
０〜２０ppmの範囲である。なお、本願発明において、
インダクタ部に組み合わされた少なくとも１つの他の素
子とは、コンデンサ部や、前記インダクタ部とは特性の
異なるインダクタ部、抵抗、バリスタなどを意味する広
い概念である。
インダクタ部を構成するセラミック磁性体として、Ｎｉ
−Ｃｕ−Ｚｎフェライト、又はＮｉ−Ｃｕフェライトを
含有するものを用い、かつ、フェライト中のＳ，Ｃｌ及
びＮａの含有量をＳ：５〜１５０ppm、Ｃｌ：５〜１５
０ppm、Ｎａ：５〜１００ppmの範囲とすることにより、
必要な特性を確実に備え、かつ、特性の安定性が高く、
信頼性に優れた複合部品を提供することが可能になる。
なお、フェライト中のＳ，Ｃｌ，Ｎａの含有量を上記の
範囲としたのは、上述の請求項１のセラミックインダク
タ部品の場合と同様の理由による。なお、フェライト中
のＳ，Ｃｌ及びＮａの含有量のさらに好ましい範囲は、
Ｓ：４０〜１２０ppm、Ｃｌ：１０〜５０ppm、Ｎａ：１
０〜２０ppmの範囲である。なお、本願発明において、
インダクタ部に組み合わされた少なくとも１つの他の素
子とは、コンデンサ部や、前記インダクタ部とは特性の
異なるインダクタ部、抵抗、バリスタなどを意味する広
い概念である。
【００１７】また、本願発明（請求項５）の複合部品
は、セラミック磁性体とＡｇを主成分とする電極（電極
材料）を一体に焼成することにより形成されたインダク
タ部と、前記インダクタ部に組み合わされた少なくとも
１つの他の素子とを有する複合部品であって、前記セラ
ミック磁性体がＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライト、又はＮｉ
−Ｃｕフェライトを含有しているとともに、前記フェラ
イトの、焼成前の原料（フェライト原料）として、Ｓ，
Ｃｌ及びＮａの含有量が、それぞれ、 Ｓ ：１０〜６００ppm Ｃｌ ：１０〜６００ppm Ｎａ ：３０〜１２０ppm の範囲にあるフェライト原料が用いられており、焼成後
のフェライト中のＳ，Ｃｌ及びＮａの含有量が、それぞ
れ、 Ｓ ：５〜１５０ppm Ｃｌ ：５〜１５０ppm Ｎａ ：５〜１００ppm の範囲にあることを特徴としている。
は、セラミック磁性体とＡｇを主成分とする電極（電極
材料）を一体に焼成することにより形成されたインダク
タ部と、前記インダクタ部に組み合わされた少なくとも
１つの他の素子とを有する複合部品であって、前記セラ
ミック磁性体がＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライト、又はＮｉ
−Ｃｕフェライトを含有しているとともに、前記フェラ
イトの、焼成前の原料（フェライト原料）として、Ｓ，
Ｃｌ及びＮａの含有量が、それぞれ、 Ｓ ：１０〜６００ppm Ｃｌ ：１０〜６００ppm Ｎａ ：３０〜１２０ppm の範囲にあるフェライト原料が用いられており、焼成後
のフェライト中のＳ，Ｃｌ及びＮａの含有量が、それぞ
れ、 Ｓ ：５〜１５０ppm Ｃｌ ：５〜１５０ppm Ｎａ ：５〜１００ppm の範囲にあることを特徴としている。
【００１８】Ｓ：１０〜６００ppm、Ｃｌ：１０〜６０
０ppm、Ｎａ：３０〜１２０ppmの範囲にあるフェライト
原料を用いることにより、焼成後のセラミック磁性体に
含まれるフェライト中のＳ，Ｃｌ及びＮａの含有量を、
Ｓ：５〜１５０ppm、Ｃｌ：５〜１５０ppm、Ｎａ：５〜
１００ppmの範囲とすることが可能になり、必要な特性
を確実に備え、かつ、特性の安定性が高く、信頼性に優
れた複合部品を提供することが可能になり、本願発明を
実効あらしめることができる。
０ppm、Ｎａ：３０〜１２０ppmの範囲にあるフェライト
原料を用いることにより、焼成後のセラミック磁性体に
含まれるフェライト中のＳ，Ｃｌ及びＮａの含有量を、
Ｓ：５〜１５０ppm、Ｃｌ：５〜１５０ppm、Ｎａ：５〜
１００ppmの範囲とすることが可能になり、必要な特性
を確実に備え、かつ、特性の安定性が高く、信頼性に優
れた複合部品を提供することが可能になり、本願発明を
実効あらしめることができる。
【００１９】また、請求項６の複合部品は、前記インダ
クタ部として、セラミック磁性体層を介して電極層を複
数枚積層するとともに、各電極層を接続することにより
セラミック磁性体中に形成された積層型コイルを備えて
いることを特徴としている。
クタ部として、セラミック磁性体層を介して電極層を複
数枚積層するとともに、各電極層を接続することにより
セラミック磁性体中に形成された積層型コイルを備えて
いることを特徴としている。
【００２０】本願発明は、電極（導体）の構造に特別の
制約はないが、セラミック磁性体層と電極層を積層して
なる積層型コイルをインダクタ部とする複合部品に適用
した場合には、小型で大きなインダクタンスを得ること
が可能な積層型コイルをインダクタ部とする複合部品の
特性の安定性や信頼性の向上を図ることが可能になり、
特に有意義である。
制約はないが、セラミック磁性体層と電極層を積層して
なる積層型コイルをインダクタ部とする複合部品に適用
した場合には、小型で大きなインダクタンスを得ること
が可能な積層型コイルをインダクタ部とする複合部品の
特性の安定性や信頼性の向上を図ることが可能になり、
特に有意義である。
【００２１】
【発明の実施の形態】本願発明のセラミックインダクタ
部品及び複合部品において、セラミック磁性体として
は、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライト又はＮｉ−Ｃｕフェラ
イトを用いることが可能であり、特にＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ
フェライトを用いることが好ましい。
部品及び複合部品において、セラミック磁性体として
は、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライト又はＮｉ−Ｃｕフェラ
イトを用いることが可能であり、特にＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ
フェライトを用いることが好ましい。
【００２２】また、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライトの具体
的な組成については、特に制約はなく、目的に応じて種
々の組成のものを選択して用いることが可能であるが、
例えば、Ｎｉ（ＮｉＯ）の含有量は、１５〜２５モル
％、Ｃｕ（ＣｕＯ）の含有量は、５〜１５モル％、Ｚｎ
（ＺｎＯ）の含有量は、２０〜３０モル％であることが
好ましい。
的な組成については、特に制約はなく、目的に応じて種
々の組成のものを選択して用いることが可能であるが、
例えば、Ｎｉ（ＮｉＯ）の含有量は、１５〜２５モル
％、Ｃｕ（ＣｕＯ）の含有量は、５〜１５モル％、Ｚｎ
（ＺｎＯ）の含有量は、２０〜３０モル％であることが
好ましい。
【００２３】また、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライトは、Ｃ
ｏ、Ｍｎなどを全体の５重量％程度以下の範囲で含有し
ていてもよい。さらにＣａ、Ｓｉ、Ｂｉ、Ｖ、Ｐｂなど
を１重量％程度以下の範囲で含有していてもよい。ま
た、Ｎｉ−Ｃｕフェライトを用いる場合、ホウケイ酸ガ
ラスなどの各種ガラスを含有するものを用いてもよい。
ｏ、Ｍｎなどを全体の５重量％程度以下の範囲で含有し
ていてもよい。さらにＣａ、Ｓｉ、Ｂｉ、Ｖ、Ｐｂなど
を１重量％程度以下の範囲で含有していてもよい。ま
た、Ｎｉ−Ｃｕフェライトを用いる場合、ホウケイ酸ガ
ラスなどの各種ガラスを含有するものを用いてもよい。
【００２４】また、本願発明において、インダクタを構
成する電極（導体）用の材料（電極材料）としては、イ
ンダクタとして実用的なＱ値を得る見地からは、低抵抗
のＡｇを主体とする導電材料を用いることが好ましく、
Ａｇの含有量が９０重量％以上のものがより好ましい。
また、純度９９．９重量％以上のものを用いることが特
に好ましい。
成する電極（導体）用の材料（電極材料）としては、イ
ンダクタとして実用的なＱ値を得る見地からは、低抵抗
のＡｇを主体とする導電材料を用いることが好ましく、
Ａｇの含有量が９０重量％以上のものがより好ましい。
また、純度９９．９重量％以上のものを用いることが特
に好ましい。
【００２５】なお、ここでは、インダクタを構成する電
極（導体）の具体的な構成には、特に制約はなく、積層
型のコイルとすることも可能であり、コア上に配設され
たコイル状導体とすることも可能であり、さらには、コ
イル状でない導体とすることも可能である。
極（導体）の具体的な構成には、特に制約はなく、積層
型のコイルとすることも可能であり、コア上に配設され
たコイル状導体とすることも可能であり、さらには、コ
イル状でない導体とすることも可能である。
【００２６】また、セラミックインダクタ部品及び複合
部品の外部電極を構成する導電材料にも特に制約はな
く、例えば、Ａｇ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉ、こ
れらの１種以上を含有する合金などから選択して使用す
ることができる。なお、特に好ましいものとしては、Ａ
ｇ、Ａｇ−Ｐｄ合金などが例示される。
部品の外部電極を構成する導電材料にも特に制約はな
く、例えば、Ａｇ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉ、こ
れらの１種以上を含有する合金などから選択して使用す
ることができる。なお、特に好ましいものとしては、Ａ
ｇ、Ａｇ−Ｐｄ合金などが例示される。
【００２７】また、本願発明のセラミックインダクタ部
品及び複合部品の寸法には特に制約はなく、目的や用途
などに応じて適宜その寸法を決定することができる。
品及び複合部品の寸法には特に制約はなく、目的や用途
などに応じて適宜その寸法を決定することができる。
【００２８】なお、磁性体グリーンシートを製造するに
は、通常、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライトのスラリー（セ
ラミックスラリー）を用いるが、このセラミックスラリ
ーは、例えば、以下のようにして調製することができ
る。
は、通常、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライトのスラリー（セ
ラミックスラリー）を用いるが、このセラミックスラリ
ーは、例えば、以下のようにして調製することができ
る。
【００２９】まず、Ｓ，Ｃｌ及びＮａの含有量が本願発
明の範囲に設定されたフェライトの原料粉末、例えばＮ
ｉＯ、ＣｕＯ、ＺｎＯ、Ｆｅ２Ｏ３などの各種原料粉末
の所定量をボールミルなどにより湿式混合する。なお、
各種原料粉未の粒経は０．１〜１０μmの範囲とするこ
とが好ましい。
明の範囲に設定されたフェライトの原料粉末、例えばＮ
ｉＯ、ＣｕＯ、ＺｎＯ、Ｆｅ２Ｏ３などの各種原料粉末
の所定量をボールミルなどにより湿式混合する。なお、
各種原料粉未の粒経は０．１〜１０μmの範囲とするこ
とが好ましい。
【００３０】それから、湿式混合したスラリーを、スプ
レードライヤーなどにより乾操し、その後仮焼する。こ
れをさらにボールミルで十分に湿式粉砕し、スプレード
ライヤーにより乾燥する。
レードライヤーなどにより乾操し、その後仮焼する。こ
れをさらにボールミルで十分に湿式粉砕し、スプレード
ライヤーにより乾燥する。
【００３１】得られたフェライト粉末を、溶剤に分散さ
せてセラミックスラリーを調製し、これをシート状に成
形して磁性体グリーンシートを得る。
せてセラミックスラリーを調製し、これをシート状に成
形して磁性体グリーンシートを得る。
【００３２】なお、セラミックスラリーには、必要に応
じて各種ガラスや酸化物などを含有させることができ
る。
じて各種ガラスや酸化物などを含有させることができ
る。
【００３３】電極（導体）形成用の導電ペースト、及び
外部電極用の導電ペーストとしては、それぞれ、上述の
金属、合金、あるいは焼成後に上述の導電材となる各種
酸化物、有機金属化合物、レジネートなどと、各種バイ
ンダ及び溶剤とを混練して調製したものを用いることが
可能であり、場合によっては、市販のものを用いてもよ
い。
外部電極用の導電ペーストとしては、それぞれ、上述の
金属、合金、あるいは焼成後に上述の導電材となる各種
酸化物、有機金属化合物、レジネートなどと、各種バイ
ンダ及び溶剤とを混練して調製したものを用いることが
可能であり、場合によっては、市販のものを用いてもよ
い。
【００３４】なお、インダクタ素子、あるいは複合部品
素子（未焼成の積層体など）の焼成温度は、８００〜９
３０℃の範囲が好ましく、８５０〜９００℃の範囲がさ
らに好ましい。また、焼成時間は、０．０５〜５時間の
範囲が好ましく、０．１〜３時間の範囲がさらに好まし
い。なお、焼成は、通常、ＰＯ２＝１〜１００％の雰囲
気中で行なうことが望ましい。
素子（未焼成の積層体など）の焼成温度は、８００〜９
３０℃の範囲が好ましく、８５０〜９００℃の範囲がさ
らに好ましい。また、焼成時間は、０．０５〜５時間の
範囲が好ましく、０．１〜３時間の範囲がさらに好まし
い。なお、焼成は、通常、ＰＯ２＝１〜１００％の雰囲
気中で行なうことが望ましい。
【００３５】また、外部電極を焼き付ける際の焼成温度
は、通常５００〜７００℃であり、焼付け時間は、通常
１０分〜３時間程度とする。なお、焼成は、通常、空気
中で行なう。
は、通常５００〜７００℃であり、焼付け時間は、通常
１０分〜３時間程度とする。なお、焼成は、通常、空気
中で行なう。
【００３６】本願発明では、焼成時及び焼成後、大気よ
り酸素を過剰に含む雰囲気中で熱処理を行なうことが好
ましい。これは、酸素過剰雰囲気中で熱処理を行なうこ
とによって、前述の焼成工程で、Ｃｕ、Ｚｎなどの金属
や、Ｃｕ２Ｏ、Ｚｎ２Ｏなどの抵抗が低い酸化物として
析出していたものを、ＣｕＯ、ＺｎＯなどの高抵抗で、
無害な酸化物の形で析出させることができることによ
る。なお、熱処理雰囲気中の酸素分圧は、２０〜１００
％の範囲とすることが好ましい。これは、この範囲未満
では、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｃｕ２Ｏ、Ｚｎ２Ｏなどの析出を抑
制する能力が低下することによる。なお、酸素分圧は、
５０〜１００％の範囲とすることがより好ましく、さら
には、酸素分圧１００％とすることが最も好ましい。ま
た、この熱処理は、焼成時の最終段階か、又は焼成工程
の終了後に行なうことが好ましい。
り酸素を過剰に含む雰囲気中で熱処理を行なうことが好
ましい。これは、酸素過剰雰囲気中で熱処理を行なうこ
とによって、前述の焼成工程で、Ｃｕ、Ｚｎなどの金属
や、Ｃｕ２Ｏ、Ｚｎ２Ｏなどの抵抗が低い酸化物として
析出していたものを、ＣｕＯ、ＺｎＯなどの高抵抗で、
無害な酸化物の形で析出させることができることによ
る。なお、熱処理雰囲気中の酸素分圧は、２０〜１００
％の範囲とすることが好ましい。これは、この範囲未満
では、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｃｕ２Ｏ、Ｚｎ２Ｏなどの析出を抑
制する能力が低下することによる。なお、酸素分圧は、
５０〜１００％の範囲とすることがより好ましく、さら
には、酸素分圧１００％とすることが最も好ましい。ま
た、この熱処理は、焼成時の最終段階か、又は焼成工程
の終了後に行なうことが好ましい。
【００３７】
【実施例】以下、本願発明の実施例を示して、その特徴
とするところをさらに詳しく説明する。なお、この実施
例では、例えば、図１(ａ)，(ｂ)に示すように、セラミ
ック磁性体からなる素子（チップ状素子）５１中に、複
数の内部導体（コイルパターン）５２ａ（図１(ｂ)）を
接続することにより形成された積層型のコイル５２（図
１(ｂ)）が配設され、かつ、素子５１の両端側に、コイ
ル５２の両端部と接続するように外部電極５３ａ，５３
ｂ（図１(ａ)）が形成されたセラミックインダクタ部品
を例にとって説明する。
とするところをさらに詳しく説明する。なお、この実施
例では、例えば、図１(ａ)，(ｂ)に示すように、セラミ
ック磁性体からなる素子（チップ状素子）５１中に、複
数の内部導体（コイルパターン）５２ａ（図１(ｂ)）を
接続することにより形成された積層型のコイル５２（図
１(ｂ)）が配設され、かつ、素子５１の両端側に、コイ
ル５２の両端部と接続するように外部電極５３ａ，５３
ｂ（図１(ａ)）が形成されたセラミックインダクタ部品
を例にとって説明する。
【００３８】［セラミックインダクタ部品の製造］ま
ず、このセラミックインダクタ部品の製造方法について
説明する。 Ｓ，Ｃｌ及びＮａを表１〜５に示すような種々の割合
で含有するＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライトのスラリー（セ
ラミックスラリー）をシート状に成形し、所定の位置に
ビアホール５５を形成することにより磁性体グリーンシ
ート５４を作製する。 それから、この磁性体グリーンシート５４の表面に、
Ａｇを主成分とする内部導体（電極）形成用の導電ペー
ストをスクリーン印刷などの方法で印刷して、所定のコ
イルパターン（電極パターン）５２ａを形成する。 次に、このコイルパターン５２ａが形成された磁性体
グリーンシート５４を複数枚積層するとともに、その上
下両面側にコイルパターンの形成されていない磁性体グ
リーンシート（外層用シート）５４ａを積層した後、圧
着する。これにより、各コイルパターン５２ａがビアホ
ール５５により接続され、積層型のコイル５２が形成さ
れる。 それから、内部にコイル５２が形成された積層体（未
焼成の素子）を例えば９００℃で焼成することにより、
内部に積層型のコイル５２を備えた素子（インダクタ素
子）５１を得る。 次に、この素子５１の両端部に導電ペーストを塗布、
焼き付けすることにより、外部電極５３ａ，５３ｂ（図
１(ａ)）を形成する。これにより、セラミック磁性体中
に内部導体として積層型のコイルが配設されたセラミッ
クインダクタ部品が得られる。
ず、このセラミックインダクタ部品の製造方法について
説明する。 Ｓ，Ｃｌ及びＮａを表１〜５に示すような種々の割合
で含有するＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライトのスラリー（セ
ラミックスラリー）をシート状に成形し、所定の位置に
ビアホール５５を形成することにより磁性体グリーンシ
ート５４を作製する。 それから、この磁性体グリーンシート５４の表面に、
Ａｇを主成分とする内部導体（電極）形成用の導電ペー
ストをスクリーン印刷などの方法で印刷して、所定のコ
イルパターン（電極パターン）５２ａを形成する。 次に、このコイルパターン５２ａが形成された磁性体
グリーンシート５４を複数枚積層するとともに、その上
下両面側にコイルパターンの形成されていない磁性体グ
リーンシート（外層用シート）５４ａを積層した後、圧
着する。これにより、各コイルパターン５２ａがビアホ
ール５５により接続され、積層型のコイル５２が形成さ
れる。 それから、内部にコイル５２が形成された積層体（未
焼成の素子）を例えば９００℃で焼成することにより、
内部に積層型のコイル５２を備えた素子（インダクタ素
子）５１を得る。 次に、この素子５１の両端部に導電ペーストを塗布、
焼き付けすることにより、外部電極５３ａ，５３ｂ（図
１(ａ)）を形成する。これにより、セラミック磁性体中
に内部導体として積層型のコイルが配設されたセラミッ
クインダクタ部品が得られる。
【００３９】なお、この実施例では、本願発明の範囲内
で、Ｓ，Ｃｌ及びＮａを含むようにするために、フェラ
イト原料として、Ｓの含有量が１０〜６００ppm、Ｃｌ
の含有量が１０〜６００ppm、Ｎａの含有量が３０〜１
２０ppmのものを用いた。
で、Ｓ，Ｃｌ及びＮａを含むようにするために、フェラ
イト原料として、Ｓの含有量が１０〜６００ppm、Ｃｌ
の含有量が１０〜６００ppm、Ｎａの含有量が３０〜１
２０ppmのものを用いた。
【００４０】［特性の評価］上述の〜の工程を経て
製造された積層型のセラミックインダクタ部品につい
て、電気的特性であるインダクタンスＬ、Ｑ値、初期絶
縁抵抗値などを測定するとともに、信頼性を評価するた
めに、加速試験における絶縁抵抗値変化を調べた。
製造された積層型のセラミックインダクタ部品につい
て、電気的特性であるインダクタンスＬ、Ｑ値、初期絶
縁抵抗値などを測定するとともに、信頼性を評価するた
めに、加速試験における絶縁抵抗値変化を調べた。
【００４１】表１，２，３，４及び５に、その結果を示
す。なお、表１〜５において、試料番号に＊印を付した
ものは本願発明の範囲外の比較例（従来例）である。
す。なお、表１〜５において、試料番号に＊印を付した
ものは本願発明の範囲外の比較例（従来例）である。
【００４２】
【表１】
【００４３】
【表２】
【００４４】
【表３】
【００４５】
【表４】
【００４６】
【表５】
【００４７】なお、表１，２，３，４及び５において、
内部導体の欄に○が付されているものは内部電極の減少
が認められなかったもの、△が付されているものは１０
％以内の減少が認められたもの、×が付されているもの
は５０％以上の減少が認められたものを示している。
内部導体の欄に○が付されているものは内部電極の減少
が認められなかったもの、△が付されているものは１０
％以内の減少が認められたもの、×が付されているもの
は５０％以上の減少が認められたものを示している。
【００４８】また、表１，２，３，４及び５において、
信頼性試験の欄に○が付されているものは、２０００時
間の試験で、絶縁抵抗劣化がまったく認められなかった
もの、△が付されているものは、２０００時間の試験
で、ＬＯＧＩＲが８まで低下したもの、×が付されてい
るものは、２０００時間の試験で、ＬＯＧＩＲが８以下
にまで低下したものを示す。
信頼性試験の欄に○が付されているものは、２０００時
間の試験で、絶縁抵抗劣化がまったく認められなかった
もの、△が付されているものは、２０００時間の試験
で、ＬＯＧＩＲが８まで低下したもの、×が付されてい
るものは、２０００時間の試験で、ＬＯＧＩＲが８以下
にまで低下したものを示す。
【００４９】表１，２，３，４及び５に示すように、
Ｓ，Ｃｌ及びＮａの含有量が本願発明の範囲外にある試
料（試料番号に＊印を付した、Ｓが５〜１５０ppm、Ｃ
ｌが５〜１５０ppm、Ｎａが５〜１００ppmの範囲外にあ
るセラミックインダクタ部品）については、必ずしも十
分な電気特性が得られなかったり、初期絶縁抵抗値が低
かったり、信頼性試験における絶縁抵抗値が低下したり
する現象が認められた。
Ｓ，Ｃｌ及びＮａの含有量が本願発明の範囲外にある試
料（試料番号に＊印を付した、Ｓが５〜１５０ppm、Ｃ
ｌが５〜１５０ppm、Ｎａが５〜１００ppmの範囲外にあ
るセラミックインダクタ部品）については、必ずしも十
分な電気特性が得られなかったり、初期絶縁抵抗値が低
かったり、信頼性試験における絶縁抵抗値が低下したり
する現象が認められた。
【００５０】これに対し、Ｓ，Ｃｌ及びＮａの含有量が
本願発明の範囲内にある試料（試料番号に＊印を付して
いない、Ｓが５〜１５０ppm、Ｃｌが５〜１５０ppm、Ｎ
ａが５〜１００ppmの範囲内にあるセラミックインダク
タ部品）については、良好な電気特性が得られるととも
に、初期絶縁抵抗値が高く、信頼性試験においても絶縁
抵抗値が低下しないことが確認された。このように、本
願発明によれば、高品質で寿命が長く、しかも、製造工
程における不良発生の少ない信頼性の高いセラミックイ
ンダクタ部品を提供することが可能になる。
本願発明の範囲内にある試料（試料番号に＊印を付して
いない、Ｓが５〜１５０ppm、Ｃｌが５〜１５０ppm、Ｎ
ａが５〜１００ppmの範囲内にあるセラミックインダク
タ部品）については、良好な電気特性が得られるととも
に、初期絶縁抵抗値が高く、信頼性試験においても絶縁
抵抗値が低下しないことが確認された。このように、本
願発明によれば、高品質で寿命が長く、しかも、製造工
程における不良発生の少ない信頼性の高いセラミックイ
ンダクタ部品を提供することが可能になる。
【００５１】また、表２の試料番号３５の比較例と、表
２の試料番号３７の本願発明の実施例のセラミックイン
ダクタ部品について、セラミック磁性体の焼結密度を比
較したところ、本願発明の範囲外の比較例の試料では、
焼結密度が５．１ｇ／cm３であったのに対して、実施例
の試料の場合、焼結密度が５．２ｇ／cm３に向上してい
ることが確認された。
２の試料番号３７の本願発明の実施例のセラミックイン
ダクタ部品について、セラミック磁性体の焼結密度を比
較したところ、本願発明の範囲外の比較例の試料では、
焼結密度が５．１ｇ／cm３であったのに対して、実施例
の試料の場合、焼結密度が５．２ｇ／cm３に向上してい
ることが確認された。
【００５２】また、焼結密度を比較した上述の比較例及
び実施例の試料について、外部電極にめっきを施し、そ
の場合のめっき不具合の発生率を調べたところ、比較例
の試料では、５％にめっき不具合が発生したが、実施例
の試料の場合、めっき不具合の発生は認められなかっ
た。なお、ここで、めっき不具合とは、外部電極のはん
だ付け性を改善するために、外部電極にＳｎやはんだな
どのめっきを施す工程で、めっき層の素子表面への異常
成長が認められた場合を意味するものである。
び実施例の試料について、外部電極にめっきを施し、そ
の場合のめっき不具合の発生率を調べたところ、比較例
の試料では、５％にめっき不具合が発生したが、実施例
の試料の場合、めっき不具合の発生は認められなかっ
た。なお、ここで、めっき不具合とは、外部電極のはん
だ付け性を改善するために、外部電極にＳｎやはんだな
どのめっきを施す工程で、めっき層の素子表面への異常
成長が認められた場合を意味するものである。
【００５３】また、上記実施例では、セラミック磁性体
中に内部導体（コイル）が配設された構造を有する積層
型のセラミックインダクタ部品について説明したが、本
願発明は、積層型のものに限られるものではなく、セラ
ミック磁性体からなるコア上に導体材料を配設して焼き
付けることにより、コア上にコイル状導体を設けたセラ
ミックインダクタ部品などにも適用することが可能であ
る。
中に内部導体（コイル）が配設された構造を有する積層
型のセラミックインダクタ部品について説明したが、本
願発明は、積層型のものに限られるものではなく、セラ
ミック磁性体からなるコア上に導体材料を配設して焼き
付けることにより、コア上にコイル状導体を設けたセラ
ミックインダクタ部品などにも適用することが可能であ
る。
【００５４】なお、この実施例では、セラミックインダ
クタ部品を例にとって説明したが、図２に示すように、
インダクタ部Ａと、コンデンサ部Ｂを複合させた複合部
品にも本願発明を適用することが可能であり、その場合
にも上記実施例の場合と同様の効果を得ることができ
る。
クタ部品を例にとって説明したが、図２に示すように、
インダクタ部Ａと、コンデンサ部Ｂを複合させた複合部
品にも本願発明を適用することが可能であり、その場合
にも上記実施例の場合と同様の効果を得ることができ
る。
【００５５】なお、この場合、インダクタ部Ａとして
は、図１(ａ)，(ｂ)に示すような構造のインダクタを用
いることが可能であり、コンデンサ部Ｂとしては、例え
ば、図３に示すように、コンデンサ素子（セラミック素
子）６１中に誘電体セラミック層６４を介して内部電極
６２が互いに対向するように配設されているとともに、
セラミック素子６１の両端部に、交互に異なる側の端面
に引き出された内部電極６２と導通するように一対の外
部電極６３ａ，６３ｂが配設された構造を有する積層型
セラミックコンデンサを用いることが可能である。な
お、コンデンサ部としてはさらに他の構成のものを用い
ることも可能である。
は、図１(ａ)，(ｂ)に示すような構造のインダクタを用
いることが可能であり、コンデンサ部Ｂとしては、例え
ば、図３に示すように、コンデンサ素子（セラミック素
子）６１中に誘電体セラミック層６４を介して内部電極
６２が互いに対向するように配設されているとともに、
セラミック素子６１の両端部に、交互に異なる側の端面
に引き出された内部電極６２と導通するように一対の外
部電極６３ａ，６３ｂが配設された構造を有する積層型
セラミックコンデンサを用いることが可能である。な
お、コンデンサ部としてはさらに他の構成のものを用い
ることも可能である。
【００５６】また、コンデンサ部以外の他の素子を複合
させた複合部品にも本願発明を適用することが可能であ
る。
させた複合部品にも本願発明を適用することが可能であ
る。
【００５７】なお、本願発明は、上記の実施形態及び実
施例に限定されるものではなく、フェライトの組成、電
極の形状や配設態様、Ｓ，Ｃｌ，Ｎａの含有量の具体的
な値、製造方法などに関し、発明の要旨の範囲におい
て、種々の応用、変形を加えることが可能である。
施例に限定されるものではなく、フェライトの組成、電
極の形状や配設態様、Ｓ，Ｃｌ，Ｎａの含有量の具体的
な値、製造方法などに関し、発明の要旨の範囲におい
て、種々の応用、変形を加えることが可能である。
【００５８】
【発明の効果】上述のように、本願発明のセラミックイ
ンダクタ部品は、セラミック磁性体として、Ｎｉ−Ｃｕ
−Ｚｎフェライト、又はＮｉ−Ｃｕフェライトを含有す
るものを用い、かつ、フェライト中のＳ，Ｃｌ及びＮａ
の含有量をＳ：５〜１５０ppm、Ｃｌ：５〜１５０ppm、
Ｎａ：５〜１００ppmの範囲とするようにしているの
で、必要な特性を確実に備え、かつ、特性の安定性が高
く、信頼性に優れたセラミックインダクタ部品を提供す
ることができる。
ンダクタ部品は、セラミック磁性体として、Ｎｉ−Ｃｕ
−Ｚｎフェライト、又はＮｉ−Ｃｕフェライトを含有す
るものを用い、かつ、フェライト中のＳ，Ｃｌ及びＮａ
の含有量をＳ：５〜１５０ppm、Ｃｌ：５〜１５０ppm、
Ｎａ：５〜１００ppmの範囲とするようにしているの
で、必要な特性を確実に備え、かつ、特性の安定性が高
く、信頼性に優れたセラミックインダクタ部品を提供す
ることができる。
【００５９】すなわち、本願発明によれば、
Ａｇを主成分とする内部導体金属のセラミック磁性体
ヘの拡散を抑えることにより、電気特性の劣化を抑える
ことが可能になり、また、 焼結を促進させることにより、セラミックの絶縁抵抗
値を向上させるとともに、長期間にわたって、動作信頼
性を確保することが可能になり、さらに、 上記及びの効果により、外部電極のはんだ付け性
の向上を目的として、外部電極にＳｎやはんだなどのめ
っきを施す工程における、めっき層の素子表面への異常
成長を防止することができるという効果を得ることが可
能になる。
ヘの拡散を抑えることにより、電気特性の劣化を抑える
ことが可能になり、また、 焼結を促進させることにより、セラミックの絶縁抵抗
値を向上させるとともに、長期間にわたって、動作信頼
性を確保することが可能になり、さらに、 上記及びの効果により、外部電極のはんだ付け性
の向上を目的として、外部電極にＳｎやはんだなどのめ
っきを施す工程における、めっき層の素子表面への異常
成長を防止することができるという効果を得ることが可
能になる。
【００６０】また、本願発明（請求項２）のセラミック
インダクタ部品は、フェライトの原料として、焼成前の
原料段階におけるＳ，Ｃｌ及びＮａの含有量が、それぞ
れ、Ｓ：１０〜６００ppm、Ｃｌ：１０〜６００ppm、Ｎ
ａ：３０〜１２０ppmの範囲にある原料（フェライト原
料）を用いるようにしているので、Ｓ，Ｃｌ，Ｎａが焼
成時にある程度揮発して失われても、一般的な焼成条件
で焼成した場合における、焼成後のセラミック磁性体に
含まれるフェライト中のＳ，Ｃｌ及びＮａの含有量を、
Ｓ：５〜１５０ppm、Ｃｌ：５〜１５０ppm、Ｎａ：５〜
１００ppmの範囲とすることが可能になり、必要な特性
を確実に備え、かつ、特性の安定性が高く、信頼性に優
れたセラミックインダクタ部品を提供することが可能に
なり、本願発明を実効あらしめることができる。
インダクタ部品は、フェライトの原料として、焼成前の
原料段階におけるＳ，Ｃｌ及びＮａの含有量が、それぞ
れ、Ｓ：１０〜６００ppm、Ｃｌ：１０〜６００ppm、Ｎ
ａ：３０〜１２０ppmの範囲にある原料（フェライト原
料）を用いるようにしているので、Ｓ，Ｃｌ，Ｎａが焼
成時にある程度揮発して失われても、一般的な焼成条件
で焼成した場合における、焼成後のセラミック磁性体に
含まれるフェライト中のＳ，Ｃｌ及びＮａの含有量を、
Ｓ：５〜１５０ppm、Ｃｌ：５〜１５０ppm、Ｎａ：５〜
１００ppmの範囲とすることが可能になり、必要な特性
を確実に備え、かつ、特性の安定性が高く、信頼性に優
れたセラミックインダクタ部品を提供することが可能に
なり、本願発明を実効あらしめることができる。
【００６１】また、本願発明は、電極（導体）の構造に
特別の制約はないが、請求項３のセラミックインダクタ
部品のように、セラミック磁性体層と電極層を積層して
なる積層型コイルをインダクタ部とするセラミックイン
ダクタ部品に適用した場合には、小型で大きなインダク
タンスを得ることが可能なセラミックインダクタ部品
（積層型インダクタ）の特性の安定性や信頼性の向上を
図ることが可能になり、特に有意義である。
特別の制約はないが、請求項３のセラミックインダクタ
部品のように、セラミック磁性体層と電極層を積層して
なる積層型コイルをインダクタ部とするセラミックイン
ダクタ部品に適用した場合には、小型で大きなインダク
タンスを得ることが可能なセラミックインダクタ部品
（積層型インダクタ）の特性の安定性や信頼性の向上を
図ることが可能になり、特に有意義である。
【００６２】また、本願発明は、請求項４、５及び６の
ように、インダクタ部に、少なくとも１つの他の素子を
組み合わせた複合部品にも適用することが可能であり、
その場合にも、前記請求項１，２，３のセラミックイン
ダクタ部品の場合と同様の効果を得ることができる。
ように、インダクタ部に、少なくとも１つの他の素子を
組み合わせた複合部品にも適用することが可能であり、
その場合にも、前記請求項１，２，３のセラミックイン
ダクタ部品の場合と同様の効果を得ることができる。
【図１】本願発明の実施例にかかるセラミックインダク
タ部品を示す図であり、(ａ)は斜視図、(ｂ)は内部構造
を示す分解斜視図である。
タ部品を示す図であり、(ａ)は斜視図、(ｂ)は内部構造
を示す分解斜視図である。
【図２】本願発明の実施例にかかる複合部品の外観構成
を示す斜視図である。
を示す斜視図である。
【図３】本願発明の実施例にかかる複合部品を構成する
コンデンサ部の内部構造を示す断面図である。
コンデンサ部の内部構造を示す断面図である。
５１ 素子
５２ コイル
５２ａ 内部導体（コイルパターン）
５３ａ，５３ｂ 外部電極
５４ 磁性体グリーンシート
５４ａ 外層用シート
５５ ビアホール
６１ コンデンサ素子（セラミック素子）
６２ 内部電極
６３ａ，６３ｂ 外部電極
６４ 誘電体セラミック層
Ａ インダクタ部
Ｂ コンデンサ部
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平５−258937（ＪＰ，Ａ)
特開 平10−83912（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01F 1/12 - 41/34
Claims (6)
- 【請求項１】セラミック磁性体とＡｇを主成分とする電
極（電極材料）を一体に焼成することにより形成された
インダクタ部を有するセラミックインダクタ部品であっ
て、 前記セラミック磁性体がＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライト、
又はＮｉ−Ｃｕフェライトを含有し、かつ、 前記フェライト中のＳ，Ｃｌ及びＮａの含有量が、それ
ぞれ、 Ｓ ：５〜１５０ppm Ｃｌ ：５〜１５０ppm Ｎａ ：５〜１００ppm の範囲にあることを特徴とするセラミックインダクタ部
品。 - 【請求項２】セラミック磁性体とＡｇを主成分とする電
極（電極材料）を一体に焼成することにより形成された
インダクタ部を有するセラミックインダクタ部品であっ
て、前記セラミック磁性体がＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライ
ト、又はＮｉ−Ｃｕフェライトを含有しているととも
に、 前記フェライトの、焼成前の原料（フェライト原料）と
して、Ｓ，Ｃｌ及びＮａの含有量が、それぞれ、 Ｓ ：１０〜６００ppm Ｃｌ ：１０〜６００ppm Ｎａ ：３０〜１２０ppm の範囲にあるフェライト原料が用いられており、 焼成後のフェライト中のＳ，Ｃｌ及びＮａの含有量が、
それぞれ、 Ｓ ：５〜１５０ppm Ｃｌ ：５〜１５０ppm Ｎａ ：５〜１００ppm の範囲にあることを特徴とするセラミックインダクタ部
品。 - 【請求項３】前記インダクタ部として、セラミック磁性
体層を介して電極層を複数枚積層するとともに、各電極
層を接続することによりセラミック磁性体中に形成され
た積層型コイルを備えていることを特徴とする請求項１
又は２記載のセラミックインダクタ部品。 - 【請求項４】セラミック磁性体とＡｇを主成分とする電
極（電極材料）を一体に焼成することにより形成された
インダクタ部と、前記インダクタ部に組み合わされた少
なくとも１つの他の素子とを有する複合部品であって、 前記セラミック磁性体がＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライト、
又はＮｉ−Ｃｕフェライトを含有し、かつ、 前記フェライト中のＳ，Ｃｌ及びＮａの含有量が、それ
ぞれ、 Ｓ ：５〜１５０ppm Ｃｌ ：５〜１５０ppm Ｎａ ：５〜１００ppm の範囲にあることを特徴とする複合部品。 - 【請求項５】セラミック磁性体とＡｇを主成分とする電
極（電極材料）を一体に焼成することにより形成された
インダクタ部と、前記インダクタ部に組み合わされた少
なくとも１つの他の素子とを有する複合部品であって、 前記セラミック磁性体がＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライト、
又はＮｉ−Ｃｕフェライトを含有しているとともに、 前記フェライトの、焼成前の原料（フェライト原料）と
して、Ｓ，Ｃｌ及びＮａの含有量が、それぞれ、 Ｓ ：１０〜６００ppm Ｃｌ ：１０〜６００ppm Ｎａ ：３０〜１２０ppm の範囲にあるフェライト原料が用いられており、 焼成後のフェライト中のＳ，Ｃｌ及びＮａの含有量が、
それぞれ、 Ｓ ：５〜１５０ppm Ｃｌ ：５〜１５０ppm Ｎａ ：５〜１００ppm の範囲にあることを特徴とする複合部品。 - 【請求項６】前記インダクタ部として、セラミック磁性
体層を介して電極層を複数枚積層するとともに、各電極
層を接続することによりセラミック磁性体中に形成され
た積層型コイルを備えていることを特徴とする請求項４
又は５記載の複合部品。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32085699A JP3465649B2 (ja) | 1999-11-11 | 1999-11-11 | セラミックインダクタ部品及び複合部品 |
| CNB001348981A CN1163920C (zh) | 1999-11-11 | 2000-11-10 | 陶瓷电感器元件以及使用陶瓷电感器的复合元件 |
| DE10055634A DE10055634B4 (de) | 1999-11-11 | 2000-11-10 | Induktivitätselemente auf Keramikbasis und diese verwendende Baugruppen |
| KR1020000066974A KR100352235B1 (ko) | 1999-11-11 | 2000-11-11 | 세라믹 인덕터 부품 및 이를 사용한 복합 부품 |
| US09/711,642 US6489877B1 (en) | 1999-11-11 | 2000-11-13 | Ceramic inductor component and composite component using same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32085699A JP3465649B2 (ja) | 1999-11-11 | 1999-11-11 | セラミックインダクタ部品及び複合部品 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001143918A JP2001143918A (ja) | 2001-05-25 |
| JP3465649B2 true JP3465649B2 (ja) | 2003-11-10 |
Family
ID=18126025
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32085699A Expired - Lifetime JP3465649B2 (ja) | 1999-11-11 | 1999-11-11 | セラミックインダクタ部品及び複合部品 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6489877B1 (ja) |
| JP (1) | JP3465649B2 (ja) |
| KR (1) | KR100352235B1 (ja) |
| CN (1) | CN1163920C (ja) |
| DE (1) | DE10055634B4 (ja) |
Families Citing this family (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003174749A (ja) * | 2001-12-06 | 2003-06-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 積層セラミックコイルおよびこれを用いたモータ |
| US20050035688A1 (en) * | 2002-01-11 | 2005-02-17 | Ngk Insulators, Ltd. | Piezoelectric/electrostrictive device and method of manufacturing same |
| WO2003061023A1 (fr) * | 2002-01-11 | 2003-07-24 | Ngk Insulators, Ltd. | Dispositif piezo-electrique/electrostrictif et son procede de production |
| JP3594031B1 (ja) | 2003-07-04 | 2004-11-24 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミック電子部品、積層コイル部品および積層セラミック電子部品の製造方法 |
| CN1326805C (zh) * | 2004-03-11 | 2007-07-18 | 横店集团东磁有限公司 | 一种低温共烧NiCuZn铁氧体材料及其制备方法 |
| JP2006216636A (ja) * | 2005-02-02 | 2006-08-17 | Tdk Corp | 複合積層型電子部品 |
| JP2006216635A (ja) * | 2005-02-02 | 2006-08-17 | Tdk Corp | 複合積層型電子部品 |
| JP2006245258A (ja) * | 2005-03-03 | 2006-09-14 | Tdk Corp | 複合積層型電子部品 |
| CN101473387B (zh) * | 2006-06-23 | 2011-07-27 | 株式会社村田制作所 | 层叠型陶瓷电子元件 |
| EP2040272A4 (en) * | 2006-07-05 | 2017-04-19 | Hitachi Metals, Ltd. | Laminated component |
| US8432237B2 (en) * | 2009-05-21 | 2013-04-30 | Qualcomm, Incorporated | Output circuit with integrated impedance matching, power combining and filtering for power amplifiers and other circuits |
| CN102741956B (zh) * | 2010-02-01 | 2014-08-20 | 株式会社村田制作所 | 电子部件的制造方法 |
| CN102792395B (zh) * | 2010-03-05 | 2016-07-06 | 株式会社村田制作所 | 陶瓷电子元件及陶瓷电子元件的制造方法 |
| JP5471672B2 (ja) * | 2010-03-23 | 2014-04-16 | Ｔｄｋ株式会社 | 積層型電子部品及びその製造方法 |
| US8545355B2 (en) * | 2011-10-11 | 2013-10-01 | Ford Global Technologies, Llc | Assembly method for hybrid electric transmission |
| CN102436906B (zh) * | 2011-12-15 | 2016-02-10 | 广东顺祥节能照明科技有限公司 | 一种掺铜陶瓷电磁耦合器器芯及其制备方法 |
| KR101408617B1 (ko) * | 2012-11-20 | 2014-06-17 | 삼성전기주식회사 | 적층형 코일 부품 |
| CN205092106U (zh) * | 2013-02-08 | 2016-03-16 | 株式会社村田制作所 | 层叠型电感元件以及dc-dc转换器模块 |
| CN103441744B (zh) * | 2013-08-23 | 2017-05-10 | 深圳振华富电子有限公司 | 叠层片式旁路吸波器及其制造方法 |
| WO2015064693A1 (ja) * | 2013-10-31 | 2015-05-07 | 戸田工業株式会社 | フェライト焼結体、フェライト焼結板及びフェライト焼結シート |
| WO2016185633A1 (ja) * | 2015-05-18 | 2016-11-24 | Tdk株式会社 | 複合体 |
| CN105551712B (zh) * | 2016-03-11 | 2017-07-18 | 深圳市固电电子有限公司 | 一种片式陶瓷电感器及其制作方法 |
| US10763031B2 (en) | 2016-08-30 | 2020-09-01 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Method of manufacturing an inductor |
| CN106816264B (zh) * | 2016-12-28 | 2018-08-03 | 深圳顺络电子股份有限公司 | 一种铁氧体磁珠及其制备方法 |
| KR102155406B1 (ko) * | 2017-08-18 | 2020-09-11 | 주식회사 엘지화학 | 아연철산화물 내 잔류 Cl의 정량분석 방법 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL136207C (ja) * | 1962-08-16 | |||
| DE2612294C2 (de) * | 1976-03-23 | 1982-10-07 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zur Herstellung eines Ferrits auf Mangan-Zink- und Nickel-Zink-Basis |
| JP3097569B2 (ja) * | 1996-09-17 | 2000-10-10 | 株式会社村田製作所 | 積層チップインダクタの製造方法 |
| MY122218A (en) * | 1998-02-02 | 2006-03-31 | Taiyo Yuden Kk | Multilayer electronic component and manufacturing method therefor |
-
1999
- 1999-11-11 JP JP32085699A patent/JP3465649B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2000
- 2000-11-10 CN CNB001348981A patent/CN1163920C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2000-11-10 DE DE10055634A patent/DE10055634B4/de not_active Expired - Lifetime
- 2000-11-11 KR KR1020000066974A patent/KR100352235B1/ko active IP Right Grant
- 2000-11-13 US US09/711,642 patent/US6489877B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE10055634A1 (de) | 2001-05-31 |
| US6489877B1 (en) | 2002-12-03 |
| DE10055634B4 (de) | 2011-12-08 |
| KR20010070208A (ko) | 2001-07-25 |
| CN1163920C (zh) | 2004-08-25 |
| KR100352235B1 (ko) | 2002-09-12 |
| CN1296271A (zh) | 2001-05-23 |
| JP2001143918A (ja) | 2001-05-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3465649B2 (ja) | セラミックインダクタ部品及び複合部品 | |
| JP5626834B2 (ja) | 開磁路型積層コイル部品の製造方法 | |
| JP3610191B2 (ja) | 非磁性セラミックおよびセラミック積層部品 | |
| KR100811731B1 (ko) | 비자성 Ｚｎ 페라이트 및 이를 이용한 복합 적층형 전자부품 | |
| JPH0677022A (ja) | 複合積層部品用非磁性フェライトおよび複合積層部品 | |
| JP4576727B2 (ja) | 酸化物磁性体磁器組成物およびそれを用いたインダクタ部品 | |
| EP1219577B1 (en) | Low temperature sintered ferrite material and ferrite parts using the same | |
| US20080283188A1 (en) | Ferrite paste, and method for manufacturing laminated ceramic component | |
| JP5733572B2 (ja) | セラミック電子部品、及びセラミック電子部品の製造方法 | |
| JP3174398B2 (ja) | フェライト焼結体、チップインダクタ部品、複合積層部品および磁心 | |
| JP3381939B2 (ja) | フェライト焼結体、チップインダクタ部品、複合積層部品および磁心 | |
| JP2727509B2 (ja) | チップインダクタおよびｌｃ複合部品 | |
| JPH06251995A (ja) | 積層ｌｃ部品 | |
| JP3337713B2 (ja) | ノイズサブレッサ | |
| JPH0210606A (ja) | 導電性ペーストおよびそれを用いた厚膜部品 | |
| JPH04284611A (ja) | 複合積層部品 | |
| JP2904664B2 (ja) | 積層ｌｃフィルタ部品 | |
| JP3606127B2 (ja) | フェライト焼結体の製造方法 | |
| JP3320096B2 (ja) | 積層型インダクタおよびその製造方法 | |
| JP2867196B2 (ja) | セラミックインダクタ部品および複合積層部品 | |
| JPH02109202A (ja) | セラミックインダクタ部品およびセラミックｌｃ部品 | |
| JP3645046B2 (ja) | 非磁性セラミックおよびセラミック積層部品 | |
| JPH04284610A (ja) | 複合積層部品 | |
| JPH04144211A (ja) | セラミックインダクタ部品およびその製造方法ならびにｌｃ複合部品およびその製造方法 | |
| JP2725227B2 (ja) | 積層インダクタおよび該積層インダクタの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20030729 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 3465649 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080829 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080829 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090829 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090829 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100829 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100829 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110829 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120829 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120829 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130829 Year of fee payment: 10 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |